JP2022045211A - ウェーハのノッチの加工方法及び砥石 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 169
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 137
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 100
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 81
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 32
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 26
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 241000417436 Arcotheres Species 0.000 description 1
- 208000032544 Cicatrix Diseases 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 1
- 230000037387 scars Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
以下、図面を参照しながら、第1の実施形態のウェーハのノッチの加工方法について説明する。図1に示すように、ウェーハを製造するためには、インゴットからウェーハをスライスした後、エッジ面取り加工、主面研削加工、ケミカルエッチング、主面研磨加工、エッジ鏡面面取り加工、検査の順番に各工程を行う。図1に示すエッジ面取り加工の工程では、ウェーハの周縁部の全周に渡って面取り加工を行い、ノッチ部分の面取り加工も行う。
次に、第2の実施形態のウェーハのノッチの加工方法について、図21~図23を用いて説明する。本実施形態のウェーハのノッチの加工方法は、第1のメタルボンド砥石50の形状が異なり、ノッチ1nの断面形状が異なる点を除いて、第1の実施形態のウェーハのノッチの加工方法と同一であるため、第1の実施形態のウェーハのノッチの加工方法と共通する部分の説明を省略する。
次に、第3の実施形態のウェーハのノッチの加工方法について図24及び図25を用いて説明する。本実施形態のウェーハのノッチの加工方法は、図1の面取り加工の工程において、第2のメタルボンド砥石60を用いてノッチ1nの端面1cの精研削を行う点を除いて、第1の実施形態のウェーハのノッチの加工方法と同一であるため、第1の実施形態のウェーハのノッチの加工方法と共通する部分の説明を省略する。
次に、第4の実施形態のウェーハのノッチの加工方法について図26、図27及び図30を用いて説明する。本実施形態のウェーハのノッチの加工方法は、第2のメタルボンド砥石60の径方向外側の端部の断面形状が異なる点と、ノッチ1nの端面1cの精研削を行う際の第2のメタルボンド砥石60の移動動作が異なる点を除いて、第3の実施形態のウェーハのノッチの加工方法と同一であるため、第3の実施形態のウェーハのノッチの加工方法と共通する部分の説明を省略する。
次に、第5の実施形態のウェーハのノッチの加工方法について図28及び図29を用いて説明する。本実施形態のウェーハのノッチの加工方法は、図1の面取り加工の工程において、第2のメタルボンド砥石70を用いてノッチ1nの端面1cの精研削を行う点を除いて、第1の実施形態のウェーハのノッチの加工方法と同一であるため、第1の実施形態のウェーハのノッチの加工方法と共通する部分の説明を省略する。
Claims (9)
- 第1のメタルボンド砥石でウェーハのノッチに端面及び面取り面を形成する面取り加工の粗研削を行い、
前記面取り加工の粗研削の後に、前記ノッチの幅よりも厚さが薄く形成された円盤形状のゴムボンド砥石を前記ウェーハの主面と直角方向に回転させて、回転軸方向に一定振幅又は漸増振幅でトラバースさせながら前記面取り面に沿って移動させて、前記ノッチの前記面取り面のみ前記ゴムボンド砥石による精研削を行い、
前記ゴムボンド砥石による精研削の後に、前記ノッチの前記端面及び前記面取り面のバフ研磨を行うことを特徴とするウェーハのノッチの加工方法。 - 請求項1に記載のウェーハのノッチの加工方法であって、
前記面取り加工の粗研削の後、かつ、前記ノッチの前記端面及び前記面取り面の前記バフ研磨の前に、前記第1のメタルボンド砥石よりも砥粒の粒度が細かい第2のメタルボンド砥石を使用して前記ノッチの前記端面の精研削を行うことを特徴とするウェーハのノッチの加工方法。 - 請求項2に記載のウェーハのノッチの加工方法であって、
前記第2のメタルボンド砥石は円盤形状を有し、前記第2のメタルボンド砥石を前記ウェーハの主面と直角方向に回転させながら前記第2のメタルボンド砥石の外周面を前記ノッチに当接させることによって前記ノッチの前記端面の精研削を行うことを特徴とするウェーハのノッチの加工方法。 - 請求項2に記載のウェーハのノッチの加工方法であって、
前記第1のメタルボンド砥石は、前記端面及び前記面取り面を有する前記ノッチの断面形状と形状が一致する溝を外周面に形成した円盤形状の総形砥石であって、
前記ウェーハの前記主面に垂直な方向を回転軸として前記第1のメタルボンド砥石を回転させながら前記溝を前記ノッチに当接させることによって前記面取り加工の粗研削を行い、
前記第2のメタルボンド砥石は円柱形状を有し、
前記ウェーハの前記主面に垂直な方向を回転軸として前記第2のメタルボンド砥石を回転させながら前記第2のメタルボンド砥石の外周面を前記ノッチの前記端面に当接させることによって前記ノッチの前記端面の精研削を行うことを特徴とするウェーハのノッチの加工方法。 - 請求項3に記載のウェーハのノッチの加工方法に使用する前記第2のメタルボンド砥石であって、
前記第2のメタルボンド砥石の回転軸を含む断面の径方向外側の端部の形状は、
前記ウェーハの前記主面に垂直な方向から見た前記ノッチの前記端面の形状として要求される形状と一致することを特徴とするメタルボンド砥石。 - 請求項3に記載のウェーハのノッチの加工方法に使用する前記第2のメタルボンド砥石であって、
前記第2のメタルボンド砥石の回転軸を含む断面は、
前記ウェーハの前記主面に垂直な方向から見た前記ノッチの前記端面の形状として要求される形状における中央の円弧部分より曲率半径が小さく、前記第2のメタルボンド砥石の径方向外側に向かって膨らんだ曲線と、
前記曲線の両端にそれぞれ接続する2本の直線と、
を前記第2のメタルボンド砥石の径方向外側の端部に備え、
前記断面における前記2本の直線のなす角度が、前記ウェーハの前記主面に垂直な方向から見た前記ノッチの前記端面の形状として要求される形状における前記円弧部分の両端にそれぞれ接続する2本の直線のなす角度よりも小さいことを特徴とするメタルボンド砥石。 - 請求項4に記載のウェーハのノッチの加工方法に使用する前記第2のメタルボンド砥石であって、
前記円柱形状の半径が、前記ウェーハの前記主面に垂直な方向から見た前記ノッチの前記端面の形状として要求される形状における中央の円弧部分の曲率半径よりも小さいことを特徴とするメタルボンド砥石。 - 請求項7に記載の第2のメタルボンド砥石であって、
前記第1のメタルボンド砥石と一体となっていることを特徴とするメタルボンド砥石。 - 請求項5又は請求項6に記載の第2のメタルボンド砥石であって、
前記ゴムボンド砥石と一体となっていることを特徴とするメタルボンド砥石。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020150779A JP7286596B2 (ja) | 2020-09-08 | 2020-09-08 | ウェーハのノッチの加工方法及び砥石 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020150779A JP7286596B2 (ja) | 2020-09-08 | 2020-09-08 | ウェーハのノッチの加工方法及び砥石 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022045211A true JP2022045211A (ja) | 2022-03-18 |
JP7286596B2 JP7286596B2 (ja) | 2023-06-05 |
Family
ID=80682146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020150779A Active JP7286596B2 (ja) | 2020-09-08 | 2020-09-08 | ウェーハのノッチの加工方法及び砥石 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7286596B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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