JP2022044209A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022044209A
JP2022044209A JP2020149731A JP2020149731A JP2022044209A JP 2022044209 A JP2022044209 A JP 2022044209A JP 2020149731 A JP2020149731 A JP 2020149731A JP 2020149731 A JP2020149731 A JP 2020149731A JP 2022044209 A JP2022044209 A JP 2022044209A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
impedance
plasma processing
chamber
impedance circuit
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020149731A
Other languages
English (en)
Inventor
龍夫 松土
Tatsuo Matsudo
靖 森田
Yasushi Morita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020149731A priority Critical patent/JP2022044209A/ja
Priority to PCT/JP2021/031028 priority patent/WO2022050136A1/ja
Priority to KR1020237010581A priority patent/KR20230054890A/ko
Priority to US18/022,921 priority patent/US20230307215A1/en
Publication of JP2022044209A publication Critical patent/JP2022044209A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18—Vacuum control means
    • H01J2237/182—Obtaining or maintaining desired pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge

Abstract

【課題】高圧のチャンバ内で高密度のプラズマを生成し、且つ、基板に与えられるエネルギーを低減する技術を提供する。【解決手段】一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置では、下部電極を含む基板支持部が、チャンバ内に設けられている。上部電極が、基板支持部の上方に設けられている。チャンバ内のガスの圧力が２６．６６Ｐａ以上の圧力に設定される。高周波電源が、上部電極に１３．５６ＭＨｚよりも低い周波数を有する高周波電力を供給する。インピーダンス回路が、下部電極とグランドとの間で接続されている。下部電極からインピーダンス回路を介してグランドに至る電気的パスのインピーダンスがチャンバの壁からグランドに至る電気的パスのインピーダンスよりも高くなるように、インピーダンス回路のインピーダンスが設定される。【選択図】図１

Description

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関するものである。
容量結合型のプラズマ処理装置が、成膜処理のようなプラズマ処理において用いられている。容量結合型のプラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持部、上部電極、ガス供給部、排気装置、及び高周波電源を備える。基板支持部は、下部電極を含んでおり、チャンバ内に設けられている。上部電極は、下部電極の上方に設けられている。ガス供給部及び排気装置は、チャンバに接続されている。高周波電源は、上部電極に接続されている。
プラズマ処理が行われる際には、ガス供給部からのガスがチャンバ内に供給されている状態で、高周波電源からの高周波電力が上部電極に供給される。その結果、チャンバ内でガスからプラズマが生成される。基板支持部上の基板は、生成されたプラズマからの化学種により処理される。例えば、膜が基板上に生成される。特許文献１及び２は、このような容量結合型のプラズマ処理装置を開示している。
特開２００１－２６７３１０号公報 特開２００３－１７９０５４号公報
本開示は、高圧のチャンバ内で高密度のプラズマを生成し、且つ、基板に与えられるエネルギーを低減する技術を提供する。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、ガス供給部、排気装置、基板支持部、上部電極、高周波電源、インピーダンス回路、及び制御部を備える。ガス供給部は、チャンバ内にガスを供給するように構成されている。基板支持部は、下部電極を含み、チャンバ内に設けられている。上部電極は、基板支持部の上方に設けられている。高周波電源は、上部電極に高周波電力を供給するように構成されている。インピーダンス回路は、下部電極とグランドとの間で接続されている。制御部は、チャンバ内でガスの圧力が２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以上となるように、ガス供給部及び排気装置を制御する。高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚよりも低い。下部電極からインピーダンス回路を介してグランドに至る電気的パスのインピーダンスがチャンバの壁からグランドに至る電気的パスのインピーダンスよりも高くなるように、インピーダンス回路のインピーダンスが設定される。
一つの例示的実施形態によれば、高圧のチャンバ内で高密度のプラズマを生成し、且つ、基板に与えられるエネルギーを低減することが可能となる。
一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 第１の実験の結果を示すグラフである。 第２の実験で求めた二つのイオンエネルギー分布を示すグラフである。 第３の実験で求めた二つの電子密度分布を示すグラフである。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、ガス供給部、排気装置、基板支持部、上部電極、高周波電源、インピーダンス回路、及び制御部を備える。ガス供給部は、チャンバ内にガスを供給するように構成されている。基板支持部は、下部電極を含み、チャンバ内に設けられている。上部電極は、基板支持部の上方に設けられている。高周波電源は、上部電極に高周波電力を供給するように構成されている。インピーダンス回路は、下部電極とグランドとの間で接続されている。制御部は、チャンバ内でガスの圧力が２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以上となるように、ガス供給部及び排気装置を制御する。高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚよりも低い。下部電極からインピーダンス回路を介してグランドに至る第１の電気的パスのインピーダンスがチャンバの壁からグランドに至る第２の電気的パスのインピーダンスよりも高くなるように、インピーダンス回路のインピーダンスが設定される。
上記実施形態のプラズマ処理装置は、１３．５６ＭＨｚよりも低い周波数を有する高周波電力を用いるので、２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以上の高圧のチャンバ内で、高密度のプラズマを生成することが可能である。また、上部電極と下部電極との間の電気的カップリングが、インピーダンス回路により弱められる。したがって、下部電極に流れる電流が低減される。故に、基板支持部上の基板に与えられるエネルギーが低減される。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、リング電極を更に備えていてもよい。リング電極は、リング形状を有し、下部電極と上部電極との間の空間に対して外側、且つ、チャンバ内に設けられている。プラズマ処理装置は、下部電極とグランドとの間で接続された上記インピーダンス回路である第１のインピーダンス回路とは別の第２のインピーダンス回路を更に備えていてもよい。第２のインピーダンス回路は、リング電極とグランドとの間で接続されている。リング電極から第２のインピーダンス回路を介してグランドに至る第３の電気的パスのインピーダンスが第１の電気的パスのインピーダンスよりも低くなるように、第２のインピーダンス回路のインピーダンスが設定されてもよい。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、電流センサを更に備えていてもよい。電流センサは、第３の電気的パスにおける電流値を測定する。制御部は、電流センサによって測定される電流値を最大化するように、第２のインピーダンス回路のインピーダンスを設定してもよい。
一つの例示的実施形態において、リング電極は、チャンバの側壁に沿って延在していてもよい。一つの例示的実施形態において、リング電極は、上部電極を囲むように延在していてもよい。一つの例示的実施形態において、リング電極は、基板支持部を囲むように延在していてもよい。
一つの例示的実施形態において、高周波電力の周波数は２ＭＨｚ以下であってもよい。
一つの例示的実施形態において、ガス供給部は成膜ガスを供給するように構成されていてもよい。即ち、プラズマ処理装置は、成膜装置であってもよい。
別の例示的実施形態において、プラズマ処理方法が提供される。プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内で基板支持部上に基板を準備する工程（ａ）を含む。基板支持部は下部電極を含む。プラズマ処理装置では、インピーダンス回路が、下部電極とグランドとの間で接続されている。プラズマ処理方法は、チャンバ内にガスを供給する工程（ｂ）を更に含む。チャンバ内のガスの圧力は、２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以上の圧力に設定される。プラズマ処理方法は、上部電極に高周波電力を供給する工程（ｃ）を更に含む。上部電極は基板支持部の上方に設けられている。工程（ｂ）においてチャンバ内のガスの圧力が２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以上の圧力に設定された状態で、工程（ｃ）において１３．５６ＭＨｚよりも低い周波数を有する高周波電力が上部電極に供給される。工程（ｃ）の期間において、第１の電気的パスのインピーダンスが第２の電気的パスのインピーダンスよりも高くなるように、インピーダンス回路のインピーダンスが設定される。第１の電気的パスは、下部電極からインピーダンス回路を介してグランドに至る電気的パスである。第２の電気的パスは、チャンバの壁からグランドに至る電気的パスである。
一つの例示的実施形態では、工程（ｃ）の期間において、第３の電気的パスのインピーダンスが第１の電気的パスのインピーダンスよりも低くなるように、第２のインピーダンス回路のインピーダンスが設定されてもよい。第３の電気的パスは、リング電極から第２のインピーダンス回路を介してグランドに至る電気的パスである。
一つの例示的実施形態では、工程（ｃ）の期間において、電流センサによって測定される第３の電気的パスにおける電流値を最大化するように、第２のインピーダンス回路のインピーダンスが設定されてもよい。
一つの例示的実施形態では、工程（ｂ）においてチャンバ内に供給されるガスは、成膜ガスであってもよい。即ち、プラズマ処理方法は、成膜方法であってもよい。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１に示すプラズマ処理装置は、チャンバ１０を備えている。チャンバ１０は、その中に内部空間を提供している。チャンバ１０は、チャンバ本体１２を含み得る。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有している。チャンバ１０の側壁を含む壁は、チャンバ本体１２によって提供されている。チャンバ１０の内部空間は、チャンバ本体１２の中に提供されている。チャンバ本体１２は、アルミニウムといった金属から形成されている。チャンバ本体１２は、電気的に接地されていてもよい。
チャンバ１０は、その側壁において通路１０ｐを提供している。プラズマ処理装置１において処理される基板Ｗは、チャンバ１０の内部と外部との間で搬送されるときに、通路１０ｐを通過する。通路１０ｐの開閉のために、ゲートバルブ１０ｇがチャンバ１０の側壁に沿って設けられている。
プラズマ処理装置１は、基板支持部１４を更に備えている。基板支持部１４は、チャンバ１０内に設けられている。基板支持部１４は、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。基板支持部１４は、本体を有している。基板支持部１４の本体は、例えば窒化アルミニウムから形成されており、円盤形状を有し得る。基板支持部１４の本体の外縁部上には、ガイドリング１５が設けられていてもよい。基板支持部１４は、支持部材１６によって支持されていてもよい。支持部材１６は、チャンバ１０の底部から上方に延在している。支持部材１６は、円筒形状を有し得る。
基板支持部１４は、下部電極１８を含んでいる。下部電極１８は、基板支持部１４の本体の中に埋め込まれている。基板支持部１４は、ヒータ２０を有していてもよい。ヒータ２０は、基板支持部１４の本体の中に埋め込まれている。ヒータ２０は、抵抗加熱素子であり、例えばモリブデン等の高融点金属から形成される。ヒータ２０は、ヒータ電源２２に接続されている。ヒータ電源２２は、チャンバ１０の外部に設けられている。ヒータ２０は、ヒータ電源２２からの電力を受けて発熱することにより、基板Ｗを加熱する。
プラズマ処理装置１は、上部電極３０を更に備えている。上部電極３０は、基板支持部１４の上方に設けられている。上部電極３０は、チャンバ１０の天部を構成している。上部電極３０は、チャンバ本体１２と電気的に分離されている。一実施形態において、上部電極３０は、絶縁部材３２を介してチャンバ本体１２の上部に固定されている。
一実施形態において、上部電極３０は、シャワーヘッドとして構成されている。上部電極３０は、ベース部材３３及び天板３４を含んでいてもよい。上部電極３０は、中間部材３５を更に含んでいてもよい。ベース部材３３、天板３４、及び中間部材３５は、導電性を有し、例えばアルミニウムから形成されている。ベース部材３３は、天板３４の上方に設けられている。ベース部材３３上には、断熱部材３７が設けられていてもよい。中間部材３５は、略環形状を有しており、ベース部材３３と天板３４との間で挟持されている。ベース部材３３と天板３４は、それらの間にガス拡散空間３０ｄを提供している。ベース部材３３は、ガス拡散空間３０ｄに接続するガス導入ポート３３ａを提供している。天板３４は、複数のガス孔３４ａを提供している。複数のガス孔３４ａは、ガス拡散空間３０ｄから下方に延びており、天板３４をその板厚方向に沿って貫通している。
プラズマ処理装置１は、ガス供給部３６を更に備えている。ガス供給部３６は、チャンバ１０内にガスを供給するように構成されている。一実施形態において、ガス供給部３６は、配管３８を介してガス導入ポート３３ａに接続されている。ガス供給部３６は、一つ以上のガスソース、一つ以上の流量制御器、及び一つ以上の開閉バルブを有していてもよい。一つ以上のガスソースの各々は、対応の流量制御器及び対応の開閉バルブを介して、ガス導入ポート３３ａに接続される。
一実施形態において、ガス供給部３６は、成膜ガスを供給してもよい。即ち、プラズマ処理装置１は、成膜装置であってもよい。成膜ガスを用いて基板Ｗ上に形成される膜は、絶縁膜又は誘電体膜であってもよい。別の実施形態において、ガス供給部３６は、エッチングガスを供給してもよい。即ち、プラズマ処理装置１は、プラズマエッチング装置であってもよい。
プラズマ処理装置１は、排気装置４０を更に備えている。排気装置４０は、自動圧力制御弁のような圧力制御器及びターボ分子ポンプ又はドライポンプのような真空ポンプを含んでいる。排気装置４０は、排気管４２に接続されている。排気管４２は、チャンバ１０の底部に接続されており、チャンバ１０の内部空間に連通している。なお、排気管４２は、チャンバ１０の側壁に接続されていてもよい。
プラズマ処理装置１は、高周波電源４４を更に備えている。高周波電源４４は、高周波電力を発生する。高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚよりも小さい。高周波電力の周波数は、２ＭＨｚ以下であってもよい。高周波電力の周波数は、２００ｋＨｚ以上であってもよい。
高周波電源４４は、整合器４６を介して、上部電極３０に接続されている。整合器４６は、高周波電源４４の負荷のインピーダンスを、高周波電源４４の出力インピーダンスに整合させる整合回路を有している。
プラズマ処理装置１は、インピーダンス回路５０を更に備えている。インピーダンス回路５０は、下部電極１８とグランドとの間で接続されている。インピーダンス回路５０は、下部電極１８とグランドとの間で可変インピーダンスを提供し得る。インピーダンス回路５０は、インダクタとコンデンサの直列回路を含んでいてもよい。インダクタは可変インダクタであってもよく、コンデンサは可変コンデンサであってもよい。
インピーダンス回路５０のインピーダンスは、下部電極１８からインピーダンス回路５０を介してグランドに至る電気的パス５１のインピーダンスがチャンバ１０の壁からグランドに至る電気的パス５２のインピーダンスよりも高くなるように、設定される。インピーダンス回路５０のインピーダンスは、後述する制御部８０によって設定され得る。
一実施形態において、プラズマ処理装置１は、インピーダンス回路５４を更に備えていてもよい。インピーダンス回路５４は、チャンバ１０の壁とグランドとの間で接続されている。即ち、一実施形態において、電気的パス５２は、インピーダンス回路５４を含む。インピーダンス回路５４は、チャンバ１０の壁とグランドとの間で可変インピーダンスを提供し得る。インピーダンス回路５４は、インダクタとコンデンサの直列回路を含んでいてもよい。インダクタは可変インダクタであってもよく、コンデンサは可変コンデンサであってもよい。
インピーダンス回路５４のインピーダンスは、電気的パス５２のインピーダンスが電気的パス５１のインピーダンスよりも低くなるように設定される。インピーダンス回路５４のインピーダンスは、制御部８０によって設定され得る。
一実施形態において、プラズマ処理装置１は、電流センサ５６を更に備えていてもよい。電流センサ５６は、電気的パス５２における電流値を測定するように構成されている。なお、チャンバ１０の壁が直接的に接地されている場合には、プラズマ処理装置１は、インピーダンス回路５４及び電流センサ５６を備えていなくてもよい。
プラズマ処理装置１は、制御部８０を更に備える。制御部８０は、プラズマ処理装置１の各部を制御するように構成されている。制御部８０は、プロセッサ、メモリといった記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。制御部８０の記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御部８０のプロセッサは、制御プログラムを実行してレシピデータに従ってプラズマ処理装置１の各部を制御する。制御部８０によるプラズマ処理装置１の各部の制御により、種々の例示的実施形態に係るプラズマ処理方法が、プラズマ処理装置１において実行される。
制御部８０は、チャンバ１０内でガスの圧力が２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以上となるように、ガス供給部３６及び排気装置４０を制御する。そして、制御部８０は、高周波電力を上部電極３０に供給するよう、高周波電源４４を制御する。プラズマ処理装置１は、１３．５６ＭＨｚよりも低い周波数を有する高周波電力を用いるので、２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以上の高圧のチャンバ１０内で、高密度のプラズマを生成することが可能である。
また、インピーダンス回路５０のインピーダンスは、電気的パス５１のインピーダンスが電気的パス５２のインピーダンスよりも高くなるように設定される。したがって、プラズマ処理装置１では、上部電極３０と下部電極１８との間の電気的カップリングが、インピーダンス回路５０により弱められる。故に、下部電極１８に流れる電流が低減されて、基板支持部１４上の基板Ｗに与えられるエネルギーが低減される。
一実施形態においては、制御部８０は、電流センサ５６の電流値を最大化するように、インピーダンス回路５４のインピーダンスを制御し得る。この実施形態によれば、チャンバ１０の壁面上に絶縁膜又は誘電体膜のような膜が形成されても、下部電極１８に流れる電流が抑制される。したがって、基板支持部１４上の基板Ｗに与えられるエネルギーが低減される。
以下、図２を参照して別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図２は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下では、図２に示すプラズマ処理装置１Ｂとプラズマ処理装置１との相違点について説明する。
プラズマ処理装置１Ｂは、リング電極７０を更に備えている。リング電極７０は、リング形状を有している。リング電極７０は、下部電極１８と上部電極３０との間の空間の外側、且つ、チャンバ１０内に設けられている。プラズマ処理装置１Ｂでは、リング電極７０は、チャンバ１０（又はチャンバ本体１２）の側壁に沿って延在している。なお、チャンバ１０の側壁に排気管４２が接続されている場合には、リング電極７０は、複数の孔を提供するメッシュ状の電極であってもよい。
プラズマ処理装置１Ｂでは、インピーダンス回路５４は、リング電極７０とグランドとの間で接続されている。インピーダンス回路５４は、リング電極７０とグランドとの間で可変インピーダンスを提供し得る。インピーダンス回路５４のインピーダンスは、リング電極７０からインピーダンス回路５４を介してグランドに至る電気的パス５３のインピーダンスが電気的パス５１のインピーダンスよりも低くなるように設定される。なお、プラズマ処理装置１Ｂにおいて、電気的パス５２は、チャンバ１０の壁をグランドに直接的に接続している。
プラズマ処理装置１Ｂでは、電流センサ５６は、電気的パス５３における電流値を測定するように構成されている。プラズマ処理装置１Ｂにおいても、制御部８０は、電流センサ５６の電流値を最大化するように、インピーダンス回路５４のインピーダンスを制御し得る。この実施形態では、リング電極７０の表面上に絶縁膜又は誘電体膜のような膜が形成されても、下部電極１８に流れる電流が抑制される。したがって、基板支持部１４上の基板Ｗに与えられるエネルギーが低減される。
以下、図３を参照して別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図３は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図３に示すプラズマ処理装置１Ｃは、リング電極７０が上部電極３０を囲むように延在している点で、プラズマ処理装置１Ｂと異なっている。プラズマ処理装置１Ｃにおいて、リング電極７０は、天板３４を囲んでいてもよい。プラズマ処理装置１Ｃの他の構成は、プラズマ処理装置１Ｂの他の構成と同様であり得る。
以下、図４を参照して別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図４は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図４に示すプラズマ処理装置１Ｄは、リング電極７０が基板支持部１４を囲むように延在している点で、プラズマ処理装置１Ｂと異なっている。プラズマ処理装置１Ｄの他の構成は、プラズマ処理装置１Ｂの他の構成と同様であり得る。
以下、上述した種々の例示的実施形態の何れかのプラズマ処理装置を用いて行われるプラズマ処理方法について説明する。
プラズマ処理方法は、工程（ａ）を含む。工程（ａ）では、基板Ｗが、チャンバ１０内で基板支持部１４上に準備される。
続く工程（ｂ）では、チャンバ内のガスの圧力が、２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以上の圧力に設定される。工程（ｂ）において、ガスは、ガス供給部３６からチャンバ１０内に供給される。ガスは、上述したように成膜ガスであってもよく、或いは、エッチングガスであってもよい。チャンバ１０内のガスの圧力は、ガス供給部３６及び排気装置４０によって調整される。
工程（ｃ）は、工程（ｂ）の期間中に行われる。即ち、工程ＳＴ（ｃ）は、チャンバ１０内のガスの圧力が２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以上の圧力に設定された状態で、行われる。工程（ｃ）では、高周波電力が、高周波電源４４から上部電極３０に供給される。高周波電力は、１３．５６ＭＨｚよりも低い周波数を有する。高周波電力の周波数は、２ＭＨｚ以下であってもよい。また、高周波電力の周波数は、２００ｋＨｚ以上であってもよい。工程（ｃ）により、高圧のチャンバ１０内で高密度のプラズマが生成される。
インピーダンス回路５０を含む電気的パス５１のインピーダンスは、電気的パス５２のインピーダンスよりも高い。したがって、下部電極１８に流れる電流が低減されて、基板支持部１４上の基板Ｗに与えられるエネルギーが低減される。
プラズマ処理装置１が用いられる場合には、工程（ｃ）の期間中に、インピーダンス回路５４のインピーダンスは、電流センサ５６の電流値を最大化するように、制御されてもよい。この場合には、チャンバ１０の壁面上に絶縁膜又は誘電体膜のような膜が形成されても、下部電極１８に流れる電流が抑制される。したがって、基板支持部１４上の基板Ｗに与えられるエネルギーが低減される。
プラズマ処理装置１Ｂ、１Ｃ、又は１Ｄが用いられる場合には、インピーダンス回路５０を含む電気的パス５１のインピーダンスは、電気的パス５３のインピーダンスよりも高い。したがって、下部電極１８に流れる電流が低減されて、基板支持部１４上の基板Ｗに与えられるエネルギーが低減される。
プラズマ処理装置１Ｂ、１Ｃ、又は１Ｄが用いられる場合にも、工程（ｃ）の期間中に、インピーダンス回路５４のインピーダンスは、電流センサ５６の電流値を最大化するように、制御されてもよい。この場合には、リング電極７０の表面上に絶縁膜又は誘電体膜のような膜が形成されても、下部電極１８に流れる電流が抑制される。したがって、基板支持部１４上の基板Ｗに与えられるエネルギーが低減される。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
以下、プラズマ処理装置１を用いて行った実験について説明する。以下に説明する実験は、本開示を限定するものではない。
（第１の実験）
第１の実験では、高周波電力の周波数及びチャンバ１０内のガスの圧力の異なる複数の組合せを用いて、プラズマ処理装置１のチャンバ１０内でプラズマを生成した。第１の実験で用いた高周波電力の周波数は、４５０ｋＨＺ、２ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚであった。第１の実験では、プラズマ吸収プローブを用いてチャンバ１０内のプラズマ中の電子密度を測定した。第１の実験における他の条件を以下に示す。
＜第１の実験の条件＞
チャンバ１０内に供給したガス：アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス
高周波電力：５００Ｗ
図５に第１の実験の結果を示す。図５のグラフにおいて、横軸は第１の実験におけるチャンバ１０内のガスの圧力を示しており、縦軸は電子密度を表している。図５に示すように、チャンバ１０内のガスの圧力が２００ｍＴｏｒｒ（２６．６６Ｐａ）以上の高圧に設定される場合には、１３．５６ＭＨｚよりも低い周波数を有する高周波電力を用いることで、高い電子密度が得られた。即ち、チャンバ１０内のガスの圧力が２００ｍＴｏｒｒ（２６．６６Ｐａ）以上の高圧に設定される場合には、１３．５６ＭＨｚよりも低い周波数を有する高周波電力を用いることで、高密度のプラズマを生成することが可能であることが確認された。
（第２の実験）
第２の実験では、インピーダンス回路５０のインピーダンスが高い場合と低い場合の二つの条件の下で、プラズマ処理装置１のチャンバ１０内でプラズマを生成した。第２の実験では、プラズマの基板上でのイオンエネルギー分布（ＩＥＤ）を求めた。第２の実験における他の条件を以下に示す。
＜第２の実験の条件＞
チャンバ１０内に供給したガス：アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス
チャンバ１０内のガスの圧力：５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６Ｐａ）
高周波電力：４５０ｋＨｚ、８００Ｗ
図６に第２の実験で求めた二つのイオンエネルギー分布を示す。図６において、点線は、インピーダンス回路５０のインピーダンスが低い場合のイオンエネルギー分布を示している。図６において、実線は、インピーダンス回路５０のインピーダンスが高い場合のイオンエネルギー分布を示している。インピーダンス回路５０のインピーダンスが低い場合には、図６において点線で示すように、基板に供給されるイオンが高いエネルギーを有することが確認された。一方、インピーダンス回路５０のインピーダンスが高い場合には、図６において実線で示すように、基板に供給されるイオンのエネルギーが低くなることが確認された。
（第３の実験）
第３の実験では、第２の実験と同様に、インピーダンス回路５０のインピーダンスが高い場合と低い場合の二つの条件の下で、プラズマ処理装置１のチャンバ１０内でプラズマを生成した。第３の実験では、プラズマ中の電子密度をプラズマ吸収プローブを用いて測定し、プラズマ中の電子密度分布を求めた。第３の実験における他の条件を以下に示す。
＜第３の実験の条件＞
チャンバ１０内に供給したガス：アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス
チャンバ１０内のガスの圧力：５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６Ｐａ）
高周波電力：４５０ｋＨｚ、８００Ｗ
図７に第３の実験で求めた二つの電子密度分布を示す。図７において、横軸は、基板Ｗの中心上の位置（０ｍｍの位置）を基準とした径方向の位置を示している。図７において、点線は、インピーダンス回路５０のインピーダンスが低い場合の電子密度分布を示している。図７において、実線は、インピーダンス回路５０のインピーダンスが高い場合の電子密度分布を示している。図７に示すように、１３．５６ＭＨｚよりも低い周波数のような比較的低い周波数の高周波電力が用いられる場合には、プラズマ中の電子密度の径方向の分布は、インピーダンス回路５０のインピーダンスに依存することなく、略均一であった。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１４…基板支持部、１８…下部電極、３０…上部電極、３６…ガス供給部、４０…排気装置、４４…高周波電源、５０…インピーダンス回路。

Claims (16)

  1. チャンバと、
    前記チャンバ内にガスを供給するように構成されたガス供給部と、
    前記チャンバ内のガスを排気するように構成された排気装置と、
    下部電極を含み、前記チャンバ内に設けられた基板支持部と、
    前記基板支持部の上方に設けられた上部電極と、
    前記上部電極に高周波電力を供給するように構成された高周波電源と、
    前記下部電極とグランドとの間で接続されたインピーダンス回路と、
    前記チャンバ内でガスの圧力が２６．６６Ｐａ以上となるように、前記ガス供給部及び前記排気装置を制御するように構成された制御部と、
    を備え、
    前記高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚよりも低く、
    前記下部電極から前記インピーダンス回路を介してグランドに至る電気的パスのインピーダンスが前記チャンバの壁からグランドに至る電気的パスのインピーダンスよりも高くなるように、前記インピーダンス回路のインピーダンスが設定される、
    プラズマ処理装置。
  2. リング形状を有し、前記下部電極と前記上部電極との間の空間に対して外側、且つ、前記チャンバ内に設けられたリング電極と、
    前記下部電極とグランドとの間で接続された前記インピーダンス回路である第１のインピーダンス回路とは別の第２のインピーダンス回路であり、前記リング電極とグランドとの間で接続された、該第２のインピーダンス回路と、
    を更に備え、
    前記リング電極から前記第２のインピーダンス回路を介してグランドに至る電気的パスのインピーダンスが、前記下部電極から前記第１のインピーダンス回路を介してグランドに至る前記電気的パスの前記インピーダンスよりも低くなるように、前記第２のインピーダンス回路のインピーダンスが設定される、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記リング電極から前記第２のインピーダンス回路を介して前記グランドに至る前記電気的パスにおける電流値を測定する電流センサを更に備え、
    前記制御部は、前記電流センサによって測定される前記電流値を最大化するように、前記第２のインピーダンス回路の前記インピーダンスを設定する、
    請求項２に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記リング電極は、前記チャンバの側壁に沿って延在している、請求項２又は３に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記リング電極は、前記上部電極を囲むように延在している、請求項２又は３に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記リング電極は、前記基板支持部を囲むように延在している、請求項２又は３に記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記高周波電力の前記周波数は２ＭＨｚ以下である、請求項１～６の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
  8. 前記ガス供給部は成膜ガスを供給するように構成されている、請求項１～７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
  9. （ａ）プラズマ処理装置のチャンバ内で基板支持部上に基板を準備する工程であり、該基板支持部は下部電極を含む、該工程と、
    （ｂ）前記チャンバ内にガスを供給する工程であり、前記チャンバ内の前記ガスの圧力は、２６．６６Ｐａ以上の圧力に設定される、該工程と、
    （ｃ）上部電極に高周波電力を供給する工程であり、該上部電極は前記基板支持部の上方に設けられている、該工程と、
    を含み、
    前記（ｂ）において前記チャンバ内の前記ガスの圧力が２６．６６Ｐａ以上の圧力に設定された状態で、前記（ｃ）において１３．５６ＭＨｚよりも低い周波数を有する前記高周波電力が前記上部電極に供給され、
    前記（ｃ）が行われている期間において、前記下部電極とグランドとの間で接続されたインピーダンス回路のインピーダンスが、前記下部電極から前記インピーダンス回路を介してグランドに至る電気的パスのインピーダンスが前記チャンバの壁からグランドに至る電気的パスのインピーダンスよりも高くなるように、設定される、
    プラズマ処理方法。
  10. 前記プラズマ処理装置は、
    リング形状を有し、前記下部電極と前記上部電極との間の空間に対して外側、且つ、前記チャンバ内に設けられたリング電極と、
    前記下部電極とグランドとの間で接続された前記インピーダンス回路である第１のインピーダンス回路とは別の第２のインピーダンス回路であり、前記リング電極とグランドとの間で接続された、該第２のインピーダンス回路と、
    を更に備え、
    前記（ｃ）が行われている期間において、前記リング電極から前記第２のインピーダンス回路を介して前記グランドに至る電気的パスのインピーダンスが、前記下部電極から前記第１のインピーダンス回路を介して前記グランドに至る前記電気的パスの前記インピーダンスよりも低くなるように、前記第２のインピーダンス回路のインピーダンスが設定される、
    請求項９に記載のプラズマ処理方法。
  11. 前記プラズマ処理装置は、前記リング電極から前記第２のインピーダンス回路を介して前記グランドに至る前記電気的パスにおける電流値を測定する電流センサを更に備え、
    前記（ｃ）が行われている期間において、前記電流センサによって測定される前記電流値を最大化するように、前記第２のインピーダンス回路の前記インピーダンスが設定される、
    請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
  12. 前記リング電極は、前記チャンバの側壁に沿って延在している、請求項１０又は１１に記載のプラズマ処理方法。
  13. 前記リング電極は、前記上部電極を囲むように延在している、請求項１０又は１１に記載のプラズマ処理方法。
  14. 前記リング電極は、前記基板支持部を囲むように延在している、請求項１０又は１１に記載のプラズマ処理方法。
  15. 前記高周波電力の前記周波数は２ＭＨｚ以下である、請求項９～１４の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  16. 前記（ｂ）において前記チャンバ内に供給される前記ガスは、成膜ガスである、請求項９～１５の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
JP2020149731A 2020-09-07 2020-09-07 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Pending JP2022044209A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020149731A JP2022044209A (ja) 2020-09-07 2020-09-07 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
PCT/JP2021/031028 WO2022050136A1 (ja) 2020-09-07 2021-08-24 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR1020237010581A KR20230054890A (ko) 2020-09-07 2021-08-24 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
US18/022,921 US20230307215A1 (en) 2020-09-07 2021-08-24 Plasma treatment apparatus and plasma treatment method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020149731A JP2022044209A (ja) 2020-09-07 2020-09-07 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022044209A true JP2022044209A (ja) 2022-03-17

Family

ID=80490886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020149731A Pending JP2022044209A (ja) 2020-09-07 2020-09-07 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230307215A1 (ja)
JP (1) JP2022044209A (ja)
KR (1) KR20230054890A (ja)
WO (1) WO2022050136A1 (ja)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267310A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜方法及びその装置
JP4819244B2 (ja) * 2001-05-15 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4049214B2 (ja) 2001-08-30 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置
JP5348848B2 (ja) * 2007-03-28 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6426893B2 (ja) * 2013-12-25 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 コンタクト層の形成方法
JP6796431B2 (ja) * 2016-08-12 2020-12-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、およびそれに用いるガス吐出部材
JP7038614B2 (ja) * 2018-06-27 2022-03-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230054890A (ko) 2023-04-25
WO2022050136A1 (ja) 2022-03-10
US20230307215A1 (en) 2023-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6715129B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100598631B1 (ko) 임피던스가 감소된 챔버
US20180144945A1 (en) Placing unit and plasma processing apparatus
KR102586592B1 (ko) 고온 rf 가열기 페디스털들
KR20200069245A (ko) 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2022061196A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR20030043670A (ko) 플라스마 처리장치
JPH11283940A (ja) プラズマ処理方法
WO2022050136A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR100878467B1 (ko) 반도체 기판 처리장치
KR20210097027A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20220020567A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
WO2022107631A1 (ja) プラズマ処理装置
JP7433271B2 (ja) 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
TWI767655B (zh) 蝕刻裝置及蝕刻方法
CN109559967A (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US20230178338A1 (en) Plasma processing apparatus
US20220139672A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20230360882A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2022067466A (ja) プラズマ処理装置
JP2022158493A (ja) 基板処理方法
JP2021158264A (ja) 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法および基板処理システムの制御方法
KR20230175233A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW202335028A (zh) 電漿處理裝置、供電系統、控制方法、程式及記憶媒體
TW202304258A (zh) 濾波電路及電漿處理裝置