JP2022044162A - 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶ光への変換効率（ＣＥ）を向上させることができ、またデブリの発生を抑制でき、チャンバ内の汚染を抑制できる極端紫外光生成装置を提供する。【解決手段】極端紫外光生成装置は、チャンバ２と、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲット２７を供給するターゲット供給部２６と、偏光方向が一方向に偏った第１レーザ光をターゲットの進行軸と直交する方向からターゲットに照射することにより拡散したターゲットである二次ターゲットを生成させ、二次ターゲットに第２レーザ光を照射することにより極端紫外光を生成させる第１レーザ光及び第２レーザ光を出力するレーザシステム３と、第１レーザ光の光路上に配置され、第１レーザ光の偏光方向を調整する偏光方向調整部と、二次ターゲットの分布を観測する二次ターゲット観測部と、二次ターゲット観測部の観測結果に基づいて偏光方向調整部を制御するプロセッサとを含む。【選択図】図７

Description

本開示は、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるLaser Produced Plasma（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。

米国特許第８６６９５４３号 米国特許第９１３０３４５号 米国特許第９５０９１１５号 米国特許第１００７４９５６号 米国特許出願公開第２０１８／０３５１３２０号 米国特許出願公開第２０１４／５２３７５０号 国際公開第２０１９／１６６１６４号

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、偏光方向が一方向に偏った第１レーザ光をターゲットの進行軸と直交する方向からターゲットに照射することにより拡散したターゲットである二次ターゲットを生成させ、二次ターゲットに第２レーザ光を照射することにより極端紫外光を生成させる第１レーザ光及び第２レーザ光を出力するレーザシステムと、第１レーザ光の光路上に配置され、第１レーザ光の偏光方向を調整する偏光方向調整部と、二次ターゲットの分布を観測する二次ターゲット観測部と、二次ターゲット観測部の観測結果に基づいて偏光方向調整部を制御するプロセッサとを含む。

本開示の他の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを供給するターゲット供給部と、偏光方向が一方向に偏った第１レーザ光をターゲットの進行軸と直交する方向からターゲットに照射することにより拡散したターゲットである二次ターゲットを生成させ、二次ターゲットに第２レーザ光を照射することにより極端紫外光を生成させる第１レーザ光及び第２レーザ光を出力するレーザシステムと、第１レーザ光の光路上に配置され、第１レーザ光の偏光方向を調整する偏光方向調整部と、二次ターゲットの分布を観測する二次ターゲット観測部と、を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成することと、二次ターゲットの分布の観測結果に基づき、偏光方向調整部によって第１レーザ光の偏光方向を調整することと、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することとを含む。

本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを供給するターゲット供給部と、偏光方向が一方向に偏った第１レーザ光をターゲットの進行軸と直交する方向からターゲットに照射することにより拡散したターゲットである二次ターゲットを生成させ、二次ターゲットに第２レーザ光を照射することにより極端紫外光を生成させる第１レーザ光及び第２レーザ光を出力するレーザシステムと、第１レーザ光の光路上に配置され、第１レーザ光の偏光方向を調整する偏光方向調整部と、極端紫外光のエネルギを観測する極端紫外光観測部と、極端紫外光観測部の観測結果に基づいて偏光方向調整部を制御するプロセッサとを含む。

本開示の他の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを供給するターゲット供給部と、偏光方向が一方向に偏った第１レーザ光をターゲットの進行軸と直交する方向からターゲットに照射することにより拡散したターゲットである二次ターゲットを生成させ、二次ターゲットに第２レーザ光を照射することにより極端紫外光を生成させる第１レーザ光及び第２レーザ光を出力するレーザシステムと、第１レーザ光の光路上に配置され、第１レーザ光の偏光方向を調整する偏光方向調整部と、極端紫外光のエネルギを観測する極端紫外光観測部と、を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成することと、極端紫外光のエネルギの観測結果に基づき、偏光方向調整部によって第１レーザ光の偏光方向を調整することと、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することとを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、直線偏光の割合を測定する直線偏光度の測定方法の一例を説明する図である。 図２は、偏光プリズムの回転角度と偏光プリズムからの出射光の光強度との関係を例示的に示すグラフである。 図３は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置の構成例を概略的に示す。 図４は、比較例における第１プリパルスレーザ光の偏光方向とドロップレット進行軸との関係を模式的に示す図である。 図５は、ドロップレットに対して第１プリパルスレーザ光を照射した後のミスト分布形状の推移を示す画像である。 図６は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置の要部を概略的に示す概要図である。 図７は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図８は、ドロップレットに照射される第１プリパルスレーザ光の偏光方向とドロップレット進行軸との関係の好ましい例を模式的に示す図である。 図９は、バックライト観測を行うミスト観測部の構成例を概略的に示す。 図１０は、ミスト分布形状を観測してプリパルスレーザ光の偏光方向を制御する動作の例を示すフローチャートである。 図１１は、図１０のステップＳ１４に適用される偏光制御のサブルーチンの例を示すフローチャートである。 図１２は、ドロップレット進行軸に対する第１プリパルスレーザ光の直線偏光角度を変化させた場合に観測されるミスト分布形状の変化を示す図である。 図１３は、ドロップレット進行軸に対する第１プリパルスレーザ光の直線偏光角度と変換効率（ＣＥ）特性との関係を示すグラフである。 図１４は、バックライト観測の制御例を示すフローチャートである。 図１５は、バックライト観測の制御に関するタイミングチャートの例である。 図１６は、実施形態２に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図１７は、実施形態３に係るＥＵＶ光生成装置の要部を概略的に示す概要図である。 図１８は、ＥＵＶ光に基づく偏光制御の例を示すフローチャートである。 図１９は、プリパルスレーザ光の照射条件の例を示す図表である。 図２０は、直線偏光のレーザ光が用いられる場合の偏光方向調整部の構成例１を概略的に示す斜視図である。 図２１は、楕円偏光のレーザ光が用いられる場合の偏光方向調整部の構成例２を概略的に示す斜視図である。 図２２は、直線偏光のレーザ光が用いられる場合の偏光方向調整部の構成例３を概略的に示す斜視図である。 図２３は、ＥＵＶ光生成装置と接続された露光装置の概略構成を示す図である。

実施形態

－目次－
１．用語の説明
１．１ 直線偏光度の定義と測定方法
１．２ ＥＵＶ光生成装置に関連する用語
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置の概要
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 課題
３．実施形態１
３．１ 構成
３．１．１ システムの概要
３．１．２ 装置構成の具体例
３．１．３ バックライト観測を行うミスト観測部の構成例
３．２ 動作
３．２．１ プリパルスレーザ光の偏光方向を制御するメインフロー
３．２．２ 偏光制御フロー
３．２．３ 直線偏光角度とミスト分布との関係
３．２．４ ミスト観測部の動作例
３．３ 作用・効果
４．実施形態２
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
４．４ 変形例
５．実施形態３
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．プリパルスレーザ光の照射条件の例
７．偏光方向調整部の例１
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
８．偏光方向調整部の例２
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用・効果
９．偏光方向調整部の例３
９．１ 構成
９．２ 動作
９．３ 作用・効果
１０．電子デバイスの製造方法の例
１１．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．用語の説明
１．１ 直線偏光度の定義と測定方法
図１及び図２は、直線偏光の割合を測定する直線偏光度の測定方法の一例を説明する図である。図１に示すように、プリパルスレーザ装置８１０から出力される直線偏光のプリパルスレーザ光を、偏光制御機構８１２が備える偏光子によって楕円偏光の光に変えるとする。この楕円偏光の光を、集光光学系８１３によって集光し、偏光プリズム８１４に入射させる。偏光プリズム８１４からの出射光の強度は、光強度検出器８１５によって検出される。

偏光プリズム８１４は、方解石（calcite）等の複屈折性の結晶を２つ接合して構成されたプリズムである。偏光プリズム８１４は、入射光から、プリズムの接合面の向きに応じて所定の偏光方向の光を出射光として取り出すために用いられる。偏光プリズム８１４をプリパルスレーザ光の光路軸周りに回転させることにより、偏光プリズム８１４は、回転角度に応じた偏光方向を有する光を透過させる。以下の説明では偏光プリズム８１４は、消光比が十分高い理想的な偏光プリズムとする。

図２に示すように、偏光プリズム８１４を１８０°回転させる毎に、偏光プリズム８１４からの出射光の強度が周期的に変化する。ここで、式（１）に示すように、直線偏光度Ｐは光強度の最大値Ｉｍａｘと最小値Ｉｍｉｎとから求めることができる。

Ｐ＝（Ｉｍａｘ－Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）×１００（％） （１）
式（１）で定義される直線偏光度Ｐが６０％以上であるレーザ光は、偏光方向が一方向に偏ったレーザ光であると理解される。

図１では楕円偏光のレーザ光を偏光プリズム８１４に入射させる例を示しているが、偏光制御機構８１２を省略して直線偏光のレーザ光を偏光プリズム８１４に入射させることにより、直線偏光のレーザ光の直線偏光度Ｐを求めることができる。一般に直線偏光のレーザ光の直線偏光度Ｐは９９％以上である。

１．２ ＥＵＶ光生成装置に関連する用語
「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光を放射する。

「ドロップレット」は、チャンバ内に供給されたターゲットの一形態である。ドロップレットは、溶融したターゲット物質の表面張力によってほぼ球状となった滴状のターゲットを意味し得る。

「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。

「ターゲット軌道」は、チャンバ内に出力されたターゲットが進行する経路である。ターゲット軌道はターゲットの進行軸を含む。ターゲット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差する。

「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。

「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれる。

「Ｚ軸方向」は、チャンバ内に導入されたレーザ光がプラズマ生成領域に向かって進行する際の当該レーザ光の進行方向である。Ｚ軸方向は、ＥＵＶ光生成装置がＥＵＶ光を出力する方向と略同一であってもよい。

「Ｙ軸方向」は、ターゲット供給部がチャンバ内にターゲットを出力する方向、すなわち、ターゲットの進行方向である。「Ｘ軸方向」は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。

「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。「極端紫外光生成装置」は「ＥＵＶ光生成装置」と表記される。

本明細書における「平行」という用語には、技術的意義において実質的に平行と同等の範囲と見做しうる略平行の概念が含まれてよい。また、本明細書における「垂直」又は「直交」という用語には、技術的意義において実質的に垂直又は実質的に直交と同等の範囲と見做しうる略垂直又は略直交の概念が含まれてよい。

２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置の概要
２．１ 構成
図３は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１の構成例を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置である。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、ターゲット供給部２６と、レーザシステム３と、ビームデリバリシステム３４と、ドロップレット検出装置４１と、ＥＵＶ光生成制御部５と、制御部５２と、遅延回路５４とを含む。

チャンバ２は、ウインドウ２１と、レーザ集光光学系２２と、ＥＵＶ光集光ミラー２３と、ＥＵＶ光集光ミラーホルダー２３１と、プレート２３４と、ターゲット回収器２８とを含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。チャンバ２の壁には、ウインドウ２１が配置されており、レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光がウインドウ２１を透過する。また、チャンバ２は、ターゲット供給部２６から出力されたターゲット２７の通過経路となるターゲット供給路２１２を含む。

ターゲット供給部２６は、チャンバ２内部のプラズマ生成領域２５にターゲット２７をドロップレットの形態で供給するようにチャンバ２に配置される。ターゲット供給部２６は、いわゆるコンティニュアスジェット方式でドロップレットを生成するドロップレット生成器であってよい。ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２と、タンク２６１を加熱するヒータ２６３と、圧力調節器２６４と、ピエゾ素子２６５とを含む。

タンク２６１内にはターゲット物質が収容される。ターゲット物質は、例えば、スズ、テルビウム、ガドリニウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含む材料である。好適には、ターゲット２７はスズである。

ヒータ２６３はタンク２６１の外壁に配置され、タンク２６１内のターゲット物質を加熱してターゲット物質を溶融させる。圧力調節器２６４はタンク２６１内の圧力を調節する。ノズル２６２はタンク２６１に連通しており、溶融されたターゲット物質がノズル２６２から出力される。ピエゾ素子２６５はノズル２６２を振動させる加振素子である。ヒータ２６３、圧力調節器２６４及びピエゾ素子２６５のそれぞれの動作は制御部５２によって制御される。

ターゲット供給部２６は、図示しないステージに搭載される。ステージは、ターゲット供給部２６から出力されたターゲット２７がプラズマ生成領域２５に供給されるようにターゲット供給部２６の位置を調節する機構である。ステージは、Ｘ軸方向及びＺ軸方向の少なくとも１つに沿った方向において、ターゲット供給部２６を移動させる機構である。ステージの駆動は、制御部５２によって制御される。

レーザシステム３は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７に照射する複数のパルスレーザ光を出力する。１つのターゲット２７に照射される複数のパルスレーザ光は、例えば、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１、第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２及びメインパルスレーザ光ＭＰＬであってよい。１つのターゲット２７に対して、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１、第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２及びメインパルスレーザ光ＭＰＬがこの順番で照射される。

レーザシステム３は、メインパルスレーザ装置３０と、第１プリパルスレーザ装置３１と、第２プリパルスレーザ装置３２とを含む。メインパルスレーザ装置３０は、メインパルスレーザ光ＭＰＬを出力する。メインパルスレーザ装置３０は、ＣＯ_２レーザ装置などのガスレーザ装置であってよい。

第１プリパルスレーザ装置３１は、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を出力する。第２プリパルスレーザ装置３２は、第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２を出力する。第１プリパルスレーザ装置３１及び第２プリパルスレーザ装置３２のそれぞれは、ＹＡＧレーザ装置等の固体レーザ装置であってよい。なお、ここでは第１プリパルスレーザ装置３１と第２プリパルスレーザ装置３２とを含むプリパルスレーザシステムを例示しているが、第２プリパルスレーザ装置３２が省略された構成も可能である。

第１プリパルスレーザ装置３１は、第１プリパルスレーザ装置３１から出力される第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向がＹ軸方向となるように配置される。第２プリパルスレーザ装置３２は、第２プリパルスレーザ装置３２から出力される第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２の偏光方向がＸ軸方向となるように配置される。

ビームデリバリシステム３４は、レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光を、ウインドウ２１を介してチャンバ２内に導入するためのビーム伝送光学系である。ビームデリバリシステム３４は、チャンバ２の外部に配置される。

ビームデリバリシステム３４は、偏光子３４０と、第１高反射ミラー３４１と、第２高反射ミラー３４２と、ビームコンバイナ３４６とを含む。ビームコンバイナ３４６は、第３高反射ミラー３４３とダイクロイックミラー３４５とを含む。ビームコンバイナ３４６は、チャンバ２に固定される。

第１高反射ミラー３４１は、第１プリパルスレーザ装置３１から出力された第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を反射して偏光子３４０に入射させるように配置される。偏光子３４０は、Ｐ偏光が高透過し、Ｓ偏光を高反射する膜をコートしたビームスプリッタであってもよい。偏光子３４０は、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を透過し、第２プリパルスレーザ装置３２から出力された第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２を反射してダイクロイックミラー３４５に入射させるように配置される。偏光子３４０は入射面とＸＺ平面とが一致し、偏光子３４０から出射される第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の光路軸と第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２の光路軸とが略一致するように配置される。

ダイクロイックミラー３４５は、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１及び第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２を高反射し、メインパルスレーザ光ＭＰＬを透過する膜をダイヤモンド基板にコートしたものであってよい。

第２高反射ミラー３４２及び第３高反射ミラー３４３は、メインパルスレーザ装置３０から出力されたメインパルスレーザ光ＭＰＬがダイクロイックミラー３４５及びウインドウ２１を透過してレーザ集光光学系２２に入射するように配置される。

また、偏光子３４０及びダイクロイックミラー３４５は、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１及び第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２がダイクロイックミラー３４５で高反射されて、ウインドウ２１を透過してレーザ集光光学系２２に入射するように配置される。

ここで、ダイクロイックミラー３４５で反射された第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１及び第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２の光路と、ダイクロイックミラー３４５を透過したメインパルスレーザ光ＭＰＬの光路とが略一致するように、ダイクロイックミラー３４５と第３高反射ミラー３４３とが配置される。

偏光子３４０、第１高反射ミラー３４１、第２高反射ミラー３４２、第３高反射ミラー３４３及びダイクロイックミラー３４５のそれぞれの光学素子は、それらの位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する図示しないステージに搭載される。それぞれの光学素子を搭載するステージの動作は、制御部５２によって制御される。

レーザ集光光学系２２は、ウインドウ２１を介してチャンバ２内に導入されたパルスレーザ光を、プラズマ生成領域２５に集光する光学系である。レーザ集光光学系２２は、チャンバ２の内部に配置される。レーザ集光光学系２２は、高反射軸外放物面ミラー２２２と、高反射平面ミラー２２３と、プレート２２４と、ステージ２４５とを含む。

高反射軸外放物面ミラー２２２及び高反射平面ミラー２２３のそれぞれはミラーホルダーに保持されてプレート２２４に固定される。ステージ２４５はプレート２２４をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の各方向に移動させることができるアクチュエータ付きのステージである。レーザ集光光学系２２はチャンバ２の内部に配置される。レーザ集光光学系２２の集光位置はプラズマ生成領域２５と略一致するように各光学素子が配置される。

ＥＵＶ光集光ミラー２３は、ＥＵＶ光集光ミラーホルダー２３１に保持されて、プレート２３４に支持されている。プレート２３４はチャンバ２の内壁に固定されている。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、回転楕円面形状の反射面を有する。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、第１焦点及び第２焦点を有する。

ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、第１焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、第２焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５において生成されるプラズマから放射された放射光２５１のうちから選択的にＥＵＶ光２５２を反射する。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、選択的に反射されたＥＵＶ光２５２を、中間集光点２９２に集光する。

ＥＵＶ光集光ミラー２３の中央部には、貫通孔２４が備えられる。貫通孔２４は、レーザ集光光学系２２で反射されたパルスレーザ光をプラズマ生成領域２５に向けて通過させるための孔である。

ドロップレット検出装置４１は、ターゲット軌道上の所定位置ＤＰを通過するドロップレットを検出してドロップレットの通過タイミング信号を生成する装置である。ドロップレット検出装置４１は、光源部４１０と、受光部４２０とを含む。光源部４１０及び受光部４２０は、それぞれウインドウ４１１及びウインドウ４２１を介して、チャンバ２におけるターゲット供給路２１２の壁に接続される。光源部４１０及び受光部４２０は、ターゲット軌道上の所定位置ＤＰを挟んで互いに対向するように配置される。

光源部４１０は、光源４１２と照明光学系４１４とを含む。受光部４２０は光センサ４２２と受光光学系４２４とを含む。

光源部４１０は、所定位置ＤＰを通過するドロップレットを照明するように所定位置ＤＰを含むドロップレット検出領域に向けて照明光を出力する。受光部４２０は、所定位置ＤＰを通過するドロップレットを照明するように出力された照明光の光強度を検出することにより、光強度の変化から所定位置ＤＰを通過するドロップレットを検出する。受光部４２０は、光センサ４２２の検出信号に基づき、所定位置ＤＰを通過するドロップレットの通過タイミング信号を生成する。

ドロップレット検出装置４１の出力は、制御部５２を経由して遅延回路５４に入力される。遅延回路５４の出力は発光トリガ信号として、メインパルスレーザ装置３０、第１プリパルスレーザ装置３１及び第２プリパルスレーザ装置３２に入力される。制御部５２は、それぞれのパルスレーザ光の遅延時間を設定するデータを出力し、遅延回路５４に入力する。

ターゲット回収器２８は、チャンバ２内に出力されたターゲット２７のうち、パルスレーザ光が照射されなかったターゲット２７を回収するターゲット受けである。ターゲット回収器２８は、ターゲット軌道の延長線上にあるチャンバ２の壁に設けられる。

ＥＵＶ光生成制御部５は、外部装置である露光装置６の露光装置制御部６２からの各種指令に基づいて、ＥＵＶ光生成装置１の各構成要素の動作を統括的に制御する。制御部５２及び遅延回路５４の少なくとも１つはＥＵＶ光生成制御部５に含まれてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザシステム３を制御し、レーザシステム３からのパルスレーザ光の出力を制御する。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６を制御し、ターゲット供給部２６からのターゲット２７の出力を制御する。

制御部５２は、ビームデリバリシステム３４に含まれる偏光子３４０、第１高反射ミラー３４１、第２高反射ミラー３４２、第３高反射ミラー３４３及びダイクロイックミラー３４５のそれぞれの光学素子を搭載する図示しないステージを制御し、それぞれの光学素子の位置及び姿勢の少なくとも１つを制御する。また、制御部５２は、ステージ２４５を制御し、高反射軸外放物面ミラー２２２の位置及び姿勢の少なくとも１つを制御する。それにより、制御部５２は、プラズマ生成領域２５におけるパルスレーザ光の集光位置を制御する。さらに、制御部５２は、ターゲット供給部２６が搭載されている図示しないステージを制御し、ターゲット供給部２６の位置を制御する。それにより、制御部５２は、プラズマ生成領域２５に供給するターゲット２７の位置を制御する。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、図示しないアパーチャが形成された壁が備えられる。アパーチャはＥＵＶ光集光ミラー２３の第２焦点に位置するように配置される。

本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部５２及び露光装置制御部６２などのそれぞれの制御部は、プロセッサ等のハードウェアとプログラムモジュール等のソフトウェアとを組み合わせた１台又は複数台のコンピュータによって実現することが可能である。ソフトウェアはプログラムと同義である。プログラマブルコントローラはコンピュータの概念に含まれる。

コンピュータは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）及び記憶装置を含んで構成され得る。プログラマブルコントローラはコンピュータの概念に含まれる。コンピュータはＧＰＵ（Graphics Processing Unit）を含んでもよい。コンピュータに含まれるＣＰＵやＧＰＵはプロセッサの一例である。記憶装置は、有体物たる非一時的なコンピュータ可読媒体であり、例えば、主記憶装置であるメモリ及び補助記憶装置であるストレージを含む。コンピュータ可読媒体は、例えば、半導体メモリ、ハードディスクドライブ（Hard Disk Drive：ＨＤＤ）装置、若しくはソリッドステートドライブ（Solid State Drive：ＳＳＤ）装置又はこれらの複数の組み合わせであってよい。プロセッサが実行するプログラムはコンピュータ可読媒体に記憶されている。プロセッサはコンピュータ可読媒体を含む構成であってもよい。

また、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部５２及び露光装置制御部６２などの各種の制御装置や処理装置の機能の一部又は全部は、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）に代表される集積回路を用いて実現してもよい。

また、複数の制御装置や処理装置の機能を１台の装置で実現することも可能である。さらに本開示において、複数の制御装置や処理装置は、ローカルエリアネットワークやインターネット回線といった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムユニットは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

２．２動作
制御部５２は、ターゲット供給部２６を制御し、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けてターゲット２７を出力させる。具体的には、制御部５２は、ターゲット供給部２６のヒータ２６３をターゲット物質の融点以上の温度まで加熱させ、タンク２６１に収容されたターゲット物質を溶融させる。ターゲット物質がスズである場合、スズの融点は２３２℃であることから、制御部５２は、例えば２５０℃以上２９０℃以下の温度でヒータ２６３を加熱させる。

制御部５２は、ターゲット供給部２６の圧力調節器２６４を制御して、タンク２６１内のターゲット２７が所定速度で連続的にノズル２６２から出力されるよう、タンク２６１内のターゲット２７に所定圧力を加える。

制御部５２は、ターゲット供給部２６のピエゾ素子２６５を所定波形で振動させ、連続的に出力されたターゲット２７を所定周期で分断してドロップレット状のターゲット２７を形成し、ノズル２６２から所定周波数で出力させる。

チャンバ２内へ出力されたターゲット２７は、ドロップレットの形態でターゲット軌道上を進行し、プラズマ生成領域２５に供給される。

ドロップレット検出装置４１は、ターゲット２７がターゲット軌道上の所定位置ＤＰを通過したタイミングを検出する。光センサ４２２で検出された照明光の光強度は、ターゲット２７が所定位置ＤＰを通過する毎に低下し得る。光センサ４２２は、検出された照明光の光強度の変化に応じた出力信号（検出信号）を生成し、制御部５２に送信する。

制御部５２は、ドロップレット検出装置４１からの検出信号を受信する。制御部５２は、検出信号が所定の閾値より低くなったタイミングを、ターゲット２７が所定位置ＤＰを通過したタイミングと判定する。すなわち、制御部５２は、ドロップレット検出装置４１の検出結果に基づいて、ドロップレットが所定位置ＤＰを通過したタイミングを特定する。

制御部５２は、ドロップレット検出信号が所定の閾値より低くなったタイミングで、ドロップレットが所定位置ＤＰを通過したことを示すドロップレット通過タイミング信号を生成する。なお、ドロップレット検出装置４１がドロップレット通過タイミング信号を生成してドロップレット通過タイミング信号を制御部５２に送信してもよい。ドロップレットが所定位置ＤＰを通過したタイミングを「ドロップレット通過タイミング」又は単に「通過タイミング」という。

制御部５２は、ドロップレット通過タイミングから遅延時間Ｔｄだけ遅延したタイミングで、パルスレーザ光を出力する契機を与えるトリガ信号をレーザシステム３に送信する。すなわち、制御部５２は、ドロップレット通過タイミングに遅延時間Ｔｄを付加したタイミングで、レーザシステム３からパルスレーザ光を出力させる。遅延時間Ｔｄは、パルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングと、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に供給されるタイミングとを略一致させるための時間である。遅延時間Ｔｄは、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光が照射されるタイミングを規定する。遅延時間Ｔｄは、制御部５２に予め記憶されている。

レーザシステム３は、トリガ信号を受信すると、パルスレーザ光を出力する。レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光は、ビームデリバリシステム３４及びウインドウ２１を介してチャンバ２内に導入される。チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光は、レーザ集光光学系２２によってプラズマ生成領域２５に集光される。プラズマ生成領域２５に集光されたパルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７に照射される。

プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７は、パルスレーザ光が照射されることによってプラズマ化し、放射光２５１を放射する。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ光集光ミラー２３で選択的に反射され、接続部２９の中間集光点２９２に集光される。中間集光点２９２に集光されたＥＵＶ光２５２は、露光装置６に向かって出力される。

ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ装置３０と、第１プリパルスレーザ装置３１と、第２プリパルスレーザ装置３２とのそれぞれに対する目標の遅延時間のデータを予め遅延回路５４に送信する。

ＥＵＶ光生成制御部５から遅延回路５４に送信された遅延時間のデータにより、遅延回路５４には、第１遅延時間、第２遅延時間及び第３遅延時間が設定される。すなわち、ドロップレット通過タイミング信号入力後、プラズマ生成領域２５にドロップレットが到達した時に、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１がドロップレットに照射されるように第１遅延時間が設定される。

さらに、ドロップレットへの第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の照射から第１所定時間経過後に、第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２が二次ターゲットに照射されるように、第２遅延時間が設定される。さらに、第２所定時間経過後に、メインパルスレーザ光ＭＰＬが三次ターゲットに照射されるように第３遅延時間が設定される。

二次ターゲットは、ドロップレットに第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１が照射されることによって拡散されたターゲットである。二次ターゲットは、例えば、ミスト状に広がったターゲットである。ここで、ミスト状とは、ドロップレットが第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の照射によって破壊されて、マイクロドロップレットやクラスター等が拡散した状態をいう。ミスト状の二次ターゲットは「ミストターゲット」あるいは「拡散ターゲット」とも呼ばれる場合がある。三次ターゲットは、例えば、プリプラズマ化したターゲットである。三次ターゲットは、第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２が照射された後の二次ターゲットの一形態と理解してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５からの第１プリパルスレーザ装置３１及び第２プリパルスレーザ装置３２への設定値は、それぞれ、出力される第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１及び第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２のパルスエネルギやパルス幅であってよい。

ＥＵＶ光生成制御部５からのメインパルスレーザ装置３０への設定値は、出力されるメインパルスレーザ光ＭＰＬのパルスエネルギやパルス幅やパルス波形などであってよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置制御部６２からＥＵＶ光を生成する信号を受信すると、制御部５２にドロップレット生成信号を送信する。

制御部５２は、ターゲット供給部２６のヒータ２６３を、Ｓｎターゲットの融点（２３２℃）よりも高い温度、例えば２８０度まで加熱して、タンク２６１内のスズを融解させる。

制御部５２は、圧力調節器２６４を介してタンク２６１内が所定の圧力となるように制御することによって、所定の速度でノズル２６２から液体スズのジェットを出力させる。

制御部５２は、液体スズのジェットから所定の周波数でドロップレットが生成するように、ノズル２６２に固定されたピエゾ素子２６５に所定の波形の電気信号を送る。その結果、所定の周波数でドロップレットが生成し得る。

ドロップレットが所定位置ＤＰに到達すると、ドロップレット検出装置４１が出力したドロップレット通過タイミング信号は制御部５２を経由して、遅延回路５４に入力される。

遅延回路５４によって第１遅延時間だけ遅延された第１発光トリガ信号は、第１プリパルスレーザ装置３１に入力される。第１発光トリガ信号の入力によって第１プリパルスレーザ装置３１から第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１が所定のパルスエネルギ及び／又はパルス幅で出力される。

第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１は第１高反射ミラー３４１を介して、Ｐ偏光として偏光子３４０に入射し、偏光子３４０を高透過する。

遅延回路５４によって第２遅延時間だけ遅延された第２発光トリガ信号は第２プリパルスレーザ装置３２に入力される。第２発光トリガ信号の入力によって第２プリパルスレーザ装置３２から第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２が所定のパルスエネルギ及び／又はパルス幅で出力される。

第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２はＳ偏光として偏光子３４０に入射し、偏光子３４０で高反射される。偏光子３４０から出射される第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２の光路軸と第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の光路軸とは略一致する。

２．３ 課題
仮に、ドロップレットの形態のままのターゲット２７に対してＣＯ_２レーザ光などのドライバレーザ光を照射した場合、ターゲット２７の密度が高すぎるため、効率よくＥＵＶ光を生成することが困難である。そこで、効率良くＥＵＶ光を得るために、ドライバレーザ光の照射の直前に、ドロップレットを低密度状態に変化させることを目的とし、ドロップレットに対して少なくとも１つのプリパルスレーザ光を照射してターゲット２７を低密度化する。

しかしながら、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１をドロップレットに照射した場合であっても、ドロップレットの一部は十分に低密度化できていないことがある。

図４は、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向とドロップレット進行軸との関係の例を示す図である。ここでの第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光は、直線偏光であり、偏光方向は、例えばドロップレット進行軸とほぼ平行である。

このように、ドロップレットＤＬに最初に照射される第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の直線偏光方向をドロップレット進行軸に一致させて、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１をドロップレットＤＬに照射した場合、発生するミストの密度分布は周辺に高密度、内部に低密度の不均一な分布となる。「ミスト」という用語は、ミスト状に拡散したターゲットを意味し、「ミストターゲット」と同義である。また、ミストの分布形状はドロップレット進行方向の拡散幅に対して、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の進行方向（すなわち、メインパルスレーザ光ＭＰＬの進行方向）の拡散幅が小さくなる。その結果、メインパルスレーザ光ＭＰＬの照射での加熱効率が低下し、ＥＵＶ光への変換効率（Conversion Efficiency：ＣＥ）が低下する。またデブリが多く発生しチャンバ２内が汚染されやすい。

図５は、ドロップレットＤＬに対して第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を照射した後のミスト分布形状の推移を示す画像である。図５の左側に示す画像ＩＭ１は、ドロップレットＤＬに第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を照射してから１μｓ後のミスト分布形状を示す。なお、図５の左側から第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１が照射される。画像ＩＭ１内に表示した２本の平行な破線は、その破線の間隔によってミスト分布の縦方向（Ｙ軸方向）の拡散幅（広がり幅）を表している。画像ＩＭ１内にミスト分布の下方に表示した双方向矢印はミスト分布の横方向（Ｚ軸方向）の拡散幅を表している。ミスト分布形状におけるＺ軸方向の拡散幅を「ミスト分布形状の厚み」という。

図５の右側に示す画像ＩＭ２は、ドロップレットＤＬに第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を照射してから１．５μｓ後のミスト分布形状を示す。画像ＩＭ１及び画像ＩＭ２のそれぞれに示されるようにミスト分布における中心部分に比べて周囲部分（外殻部分）の濃度が濃くなっているのは、外殻部分が高密度であることを示している。

３．実施形態１
３．１ 構成
３．１．１ システムの概要
図６は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａの要部を概略的に示す概要図である。ＥＵＶ光生成装置１Ａは、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の光路上に配置された偏光方向調整部３５と、ミストＭＳの分布形状を観測するミスト観測部４４と、コントローラ５５とを含む。

偏光方向調整部３５は、入射する第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向を、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の進行方向の軸周りに回転させるための光学素子を含む。偏光方向調整部３５は、例えば、１／２波長板とアクチュエータ付き回転ステージとを用いて構成される。ミスト観測部４４は、撮像部４４０と光源４４６とを含む。撮像部４４０は、例えば、ＣＣＤ（Charged Coupled Device）カメラ、高倍率レンズ及びイメージインテンシファイアを用いて構成される。光源４４６はミストＭＳの生成領域に照明光を照明する。撮像部４４０は、光源４４６によって照明されたミストＭＳからの反射光を受光してミストＭＳを撮像する。

偏光方向調整部３５、撮像部４４０及び光源４４６は、コントローラ５５と接続される。コントローラ５５は、ミスト観測部４４によって観測されたミスト分布形状を評価し、適切な偏光方向を偏光方向調整部３５に指示する。コントローラ５５はプロセッサを用いて構成される。プロセッサは、制御プログラムが記憶された記憶装置と、制御プログラムを実行するＣＰＵとを含む処理装置である。プロセッサは本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。コントローラ５５の機能は、ＥＵＶ光生成制御部５及び／又は制御部５２に含まれてよい。ＥＵＶ光生成装置１Ａの他の構成は、図３で説明した構成と同様であってよい。

３．１．２ 装置構成の具体例
図７は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａの構成を概略的に示す。図７に示す構成について、図１に示す構成と異なる点を説明する。ＥＵＶ光生成装置１Ａのビームデリバリシステム３４では、偏光子３４０とダイクロイックミラー３４５との間の光路上に偏光方向調整部３５が配置されている。また、ＥＵＶ光生成装置１Ａのチャンバ２には、ミスト観測部４４としての撮像部４４０と光源４４６とが配置されている。ミスト観測部４４は本開示における「二次ターゲット観測部」の一例である。撮像部４４０は本開示における「二次ターゲットによる照明光の反射光を観測する撮像装置」の一例である。

図６及び図７では、光源４４６によって照明されたミストＭＳからの反射光を撮像部４４０によって受光する反射光観測タイプのミスト観測部４４の構成が示されているが、このような観測系に限らず、バックライト照明によってミストＭＳからの透過光、すなわち、ミストＭＳの影を観測するバックライト観測タイプの構成を採用してもよい。

図８は、ドロップレットＤＬに照射される第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向とドロップレット進行軸との関係の好ましい例を模式的に示す図である。図８に示すように、ドロップレットＤＬに照射される第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向は、ドロップレット進行軸に対して直交する方向であることが望ましい。なお、図８中の黒丸は第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向が紙面に直交する方向であることを表している。

偏光方向調整部３５は、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向がドロップレットＤＬの進行方向に対して概ね直交する偏光方向となるように第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向を制御する。他の構成は、図１と同様であってよい。第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１は本開示における「第１レーザ光」の一例である。メインパルスレーザ光ＭＰＬは本開示における「第２レーザ光」の一例である。

３．１．３ バックライト観測を行うミスト観測部の構成例
図９は、バックライト観測を行うミスト観測部４５の構成例を概略的に示す構成図である。図７及び図８に示したミスト観測部４４の代わりに、図９に示すミスト観測部４５を用いてもよい。ミスト観測部４５は撮像部４５０と光源４５６とを含む。撮像部４５０と光源４５６とは、ミスト生成領域ＭＳＡを挟んで互いに対向する位置に配置される。撮像部４５０は、例えば、ＣＣＤセンサ４５１と、高倍率レンズ等の転写光学系４５２と、イメージインテンシファイア等の高速シャッター４５３とを含む。なお、ＣＣＤセンサ４５１に限らず、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサなどの撮像センサを用いてもよい。撮像部４５０は、ウインドウ４５４を介してチャンバ２の隔壁に接続される。撮像部４５０は本開示における「二次ターゲットの影を観測する撮像装置」の一例である。

光源４５６は、ミスト生成領域ＭＳＡを挟んで撮像部４５０に対向する位置に配置される。光源４５６は、ウインドウ４５７を介してチャンバ２の隔壁に接続される。光源４５６として、例えば、フラッシュライト等及び集光レンズ等を取り付けてもよい。

コントローラ５５は撮像部４５０と光源４５６との動作タイミングを制御する。

３．２ 動作
３．２．１ プリパルスレーザ光の偏光方向を制御するメインフロー
実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａは、メインパルスレーザ光ＭＰＬの照射に先立ち、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１と第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２とをターゲット２７に照射する構成であるが、偏光方向の制御については少なくとも第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１について実施される。また、後述の実施形態２（図１６参照）に示すように、装置構成によっては、第２プリパルスレーザ装置３２が省略される形態もあり得る。

図１０は、ミスト分布形状を観測してプリパルスレーザ光の偏光方向を制御する動作の例を示すフローチャートである。

ステップＳ１１において、コントローラ５５はターゲット供給部２６と第１プリパルスレーザ装置３１とを制御することにより、ドロップレットに第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を照射する。

ステップＳ１２において、ミスト観測部４４はミスト分布形状を観測する。ミスト観測部４４によって得られた観測結果はコントローラ５５に送られる。

ステップＳ１３において、コントローラ５５はミスト分布形状を評価する。具体的には、コントローラ５５はミスト分布形状の厚みｔ１を基準値ｔ０と比較して、厚みｔ１が基準値ｔ０よりも大きいか否かを判定する。ステップＳ１３の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５５はステップＳ１４に進み、ステップＳ１４において偏光制御を実施する。偏光制御の動作の詳細は後述する。

その一方、ステップＳ１３の判定結果がＹｅｓ判定である場合、偏光方向の制御は不要であるため、コントローラ５５はステップＳ１５に進む。

ステップＳ１５において、ＥＵＶ光生成装置１ＡはミストＭＳにメインパルスレーザ光ＭＰＬを照射する。これによりＥＵＶ光２５２が生成される。なお、メインパルスレーザ光ＭＰＬの照射に先立ち、ミストＭＳに第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２が照射されてよい。

ステップＳ１４又はステップＳ１５の後、図１０のフローチャートを終了する。

３．２．２ 偏光制御フロー
図１１は、図１０のステップＳ１４に適用される偏光制御のサブルーチンの例を示すフローチャートである。

ステップＳ２１において、コントローラ５５は偏光方向調整部３５の波長板を「＋方向」に回転させる。ここでいう波長板は１／２波長板であってもよい。また、波長板を回転させる量は予め定めた所定の回転量（変更量）であってよい。

次いで、ステップＳ２２において、コントローラ５５はミスト分布形状を評価する。コントローラ５５は、観測されたミスト分布形状の厚みｔ２と基準値ｔ０とを比較して、厚みｔ１が基準値ｔ０よりも大きいか否かを判定する。ステップＳ２２の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５５は図１１のフローチャートを終了し、図１０のメインフローに復帰する。

一方、ステップＳ２２の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５５はステップＳ２３に進む。ステップＳ２３において、コントローラ５５はミスト分布形状の厚みｔ２と、前回のミスト観測で得られた値（厚みｔ１）とを比較して、厚みｔ２が前回の厚みｔ１よりも大きいか否かを判定する。ステップＳ２３の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５５はステップＳ２４に進む。

ステップＳ２４において、コントローラ５５は波長板を「＋方向」にさらに所定量回転させる。その後、ステップＳ２５において、コントローラ５５はドロップレットに第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を照射するようにターゲット供給部２６とレーザシステム３とを制御する。

ステップＳ２５の後、ステップＳ２６において、コントローラ５５はミスト分布形状を評価する。コントローラ５５はステップＳ２５における第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の照射後のミスト分布形状の厚みｔ３と基準値ｔ０とを比較して、厚みｔ３が基準値ｔ０よりも大きいか否かを判定する。

ステップＳ２６の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５５はステップＳ２４に戻る。ステップＳ２６の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５５は図１１のフローチャートを終了し、図１０のメインフローに復帰する。

ステップＳ２３の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５５はステップＳ３４に進む。ステップＳ３４において、コントローラ５５は波長板を「－方向」に回転させる。波長板を回転させる量は予め定めた所定の回転量（変更量）であってよい。その後、ステップＳ３５において、コントローラ５５はターゲット供給部２６とレーザシステム３とを制御することにより、ドロップレットに第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を照射する。

ステップＳ３５の後、ステップＳ３６において、コントローラ５５はミスト分布形状を評価する。コントローラ５５はステップＳ３５における第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の照射後のミスト分布形状の厚みｔ３と基準値ｔ０とを比較して、厚みｔ３が基準値ｔ０よりも大きいか否かを判定する。

ステップＳ３６の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５５はステップＳ３４に戻る。ステップＳ３６の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５５は図１１のフローチャートを終了し、図１０のメインフローに復帰する。

図１１のフローチャートを実施することにより、ミスト分布形状の厚みが基準値ｔ０よりも大きくなるように波長板の回転角が調整される。

３．２．３ 直線偏光角度とミスト分布との関係
図１２は、ドロップレット進行軸に対する第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の直線偏光角度を変化させた場合に観測されるミスト分布形状の変化を示す図である。図１２の最左に示す画像ＭＤＩ１は、偏光角０°の場合に観測されるミスト分布形状の画像である。ここでの「偏光角」とは、ドロップレット進行軸に対する第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向の角度を意味しており、偏光角０°は第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の直線偏光方向がドロップレット進行軸と平行の状態である。図１２中の画像ＭＤＩ２は、偏光角２８°の場合に観測されるミスト分布形状の画像である。画像ＭＤＩ３、画像ＭＤＩ４及び画像ＭＤＩ５画は、それぞれ偏光角４５°、９０°及び１１８°の場合に観測されるミスト分布形状の画像である。

偏光方向がドロップレット進行軸と平行（偏光角０°）である場合、ミストは周囲の密度が高く、中心部の密度が低いため、バックライト観測によるミストの影像は、ミストの外殻部分が濃く（暗く）、中心部が明るい中空に見える（画像ＭＤＩ１参照）。これは、局所的に高密度なスズが残存していることを示す。

第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向を回転させると、ミストの影像は全体的に黒くなっており、ターゲットの密度が均一になってきていることを示す（画像ＭＤＩ３、画像ＭＤＩ４及び画像ＭＤＩ５参照）。

さらに、レーザ光進行方向（図１２の左から右へ向かう方向）のミスト分布形状の厚みｔ１が偏光角の増加につれて増えてきている（図１２においてｔ１＞ｔ０）。これにより、低密度かつ体積の大きなミストになり、メインパルスレーザ光ＭＰＬが照射されたときにＥＵＶ光への変換効率（ＣＥ）が向上する。

図１３は、ドロップレット進行軸に対する第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の直線偏光角度とＣＥ特性との関係を示すグラフである。横軸は偏光角、縦軸は偏光角０°におけるＣＥを１として規格化した相対的なＣＥ比を表す。図１３に示すグラフは、直線偏光度が９９％以上である直線偏光の第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１を用いて計測された結果である。なお、ここでは、第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の直線偏光度が９９％以上である場合を示すが、直線偏光度は９０％以上であってもよい。直線偏光度が９０％以上であれば、直線偏光に限らず、楕円偏光であっても実質的に同様の結果が得られる。

図１３に示すように、偏光角９０°の場合にＣＥ比が最大となる。偏光角として推奨される角度は９０°±６０°の範囲である。偏光角が３０°以上１５０°以下の範囲である場合、ＣＥ比が１．０５以上となり得る。偏光角のより好ましい範囲は９０°±４０°の範囲である。偏光角が５０°以上１３０°以下の範囲である場合、ＣＥ比が１．１以上となり得る。さらに、図１２の画像ＭＤＩ３～ＭＤＩ５においてミストの密度が十分に均一化されていることから、偏光角が４５°以上１１８°以下の範囲であることがさらに好ましい。また、偏光角の特に好ましい範囲は９０°±１０°の範囲である。偏光角が８０°以上１００°以下の範囲である場合、ＣＥ比が１．１５以上となり得る。

３．２．４ ミスト観測部の動作例
図１４は、バックライト観測の制御例を示すフローチャートである。図１４に示すフローチャートは、図１０のステップＳ１２に適用される。

図１４に示すミスト分布形状観測の処理がスタートすると、ステップＳ４１において、コントローラ５５はミスト分布像のバックライト計測を行い、ミスト分布像のコントラストＤｍを求める。

次いで、ステップＳ４２において、コントローラ５５は計測されたコントラストＤ_ｍが所定の範囲内であるか否かを判定する。所定の範囲の下限を規定する下限閾値Ｄ_ＬＬと上限を規定する上限閾値Ｄ_ＵＬとが定められており、コントローラ５５はコントラストＤ_ｍがＤ_ＬＬ＜Ｄ_ｍ＜Ｄ_ＵＬを満たすか否かを判定する。

ステップＳ４２の判定結果がＮｏ判定である場合、つまりコントラストＤ_ｍが所定の範囲外である場合、コントローラ５５はステップＳ４３に進む。

ステップＳ４３において、コントローラ５５は、波長板を所定量回転させる。波長板の回転量はΔθ×Ａであってよい。ここでのＡは予め定められた係数を表す。

次いで、ステップＳ４４において、コントローラ５５はミスト分布像のバックライト計測を行い、波長板回転後のミスト分布像のコントラストＤ_ｍａを求める。

次いで、ステップＳ４５において、コントローラ５５は回転方向が反対であるか否かを判定する。コントローラ５５は、波長板回転前後のミスト分布像のコントラストＤ_ｍ、Ｄ_ｍａを比較し、コントラストＤ_ｍａが前回のコントラストＤ_ｍよりも低下している場合は回転方向が反対であると判定する。

ステップＳ４５の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５５はステップＳ４１に戻る。その一方、ステップＳ４５の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５５はステップＳ４６に進む。

ステップＳ４６において、コントローラ５５は係数Ａの符号を変えてＡ＝Ａ×（－１）とし、ステップＳ４１に戻る。これにより、その後のステップＳ４３において、回転方向が逆方向となり、ステップＳ４４にて、ミスト分布像のコントラストＤ_ｍａが再度計測される。

ステップＳ４２の判定結果がＹｅｓ判定である場合、つまりコントラストＤ_ｍが所定の範囲内である場合、コントローラ５５は図１４のフローチャートを終了し、図１０のフローチャートに復帰する。

なお、図１４ではバックライト観測の例を説明したが、反射光観測の場合も同様のフローチャートを適用することができる。

図１５は、バックライト観測の制御に関するタイミングチャートの例である。図１５において上から順に、ドロップレット通過タイミング信号、ドロップレットへの第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の照射タイミング、ミスト生成時間、ＣＣＤセンサ４５１の露光時間、光源４５６の発光（照明光ＯＮ）時間及び高速シャッター４５３の動作時間が示されている。

図１５に示すように、ドロップレット通過タイミング信号に基づいて、ＣＣＤセンサ４５１と光源４５６とがそれぞれ所定の遅延時間Ｔｄａ、ＴｄｂでＯＮになる。ドロップレットへのレーザ照射後、数百ｎｓでミストＭＳが生成される。

ＣＣＤセンサ４５１は高速に動作できないのでミスト生成時間間隔よりも長い時間露光している。また、光源４５６はミスト生成時間を含んだ時間で発光する。高速シャッター４５３はミスト生成時間以内の露光時間及びタイミングで動作する。

図１５に示すタイミングチャートによれば、動作が遅いＣＣＤセンサ４５１を用いても、短時間で発生するミスト生成の様子を撮像できる。なお、バックライト観測に限らず、反射光観測の場合も同様のタイミングチャートを適用することができる。

３．３ 作用・効果
実施形態１によれば、ミスト分布形状を観測し、ドロップレット進行軸に対する第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向を適切な角度に調整することにより、低密度かつ体積の大きなミスト分布を実現することができる。これにより、ＥＵＶ光への変換効率（ＣＥ）を向上させることができる。また、デブリの発生を抑制でき、チャンバ２内の汚染を抑制できる。なお、実施形態１では第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の偏光方向を自動的に調整する制御を実施する例を説明したが、ミスト分布の観測結果を基にオペレータが偏光方向調整部３５を操作して、適切な偏光方向となる角度に調整してもよい。

４．実施形態２
４．１ 構成
図１６は、実施形態２に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂの構成を概略的に示す。図１６に示す構成について、図７と異なる点を説明する。図７ではメインパルスレーザ光ＭＰＬの照射に先立ち第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１と第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２とを照射するダブルプリパルスレーザ照射型の装置構成をしたが、図１６に示すＥＵＶ光生成装置１Ｂは、第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２を照射する構成が省略されたシングルプリパルスレーザ照射型の装置構成である。

ＥＵＶ光生成装置１Ｂは、図７のプリパルスレーザシステム３３に代えて、プリパルスレーザシステム３３Ｂを備える。プリパルスレーザシステム３３Ｂは、図７の第１プリパルスレーザ装置３１及び第２プリパルスレーザ装置３２に代えて、ＣＯ_２プリパルスレーザ装置３１Ｂを備える。

また、ＥＵＶ光生成装置１Ｂは、図７のビームデリバリシステム３４に代えて、ビームデリバリシステム３４Ｂを備える。ビームデリバリシステム３４Ｂは、図７の偏光子３４０、第１高反射ミラー３４１及びダイクロイックミラー３４５に代えて、偏光ビームスプリッタ３４７を備える。偏光ビームスプリッタ３４７と偏光方向調整部３５とは、第２高反射ミラー３４２と第３高反射ミラー３４３との間の光路上に配置される。

偏光ビームスプリッタ３４７は、ＣＯ_２プリパルスレーザ装置３１Ｂから出力されたプリパルスレーザ光を反射して偏光方向調整部３５に入射させるように配置される。偏光ビームスプリッタ３４７は、第２高反射ミラー３４２で反射されたメインパルスレーザ光ＭＰＬを透過し、偏光方向調整部３５に入射させるように配置される。偏光ビームスプリッタ３４７は、偏光ビームスプリッタ３４７から出射されるプリパルスレーザ光の光路軸とメインパルスレーザ光ＭＰＬの光路軸とが略一致するように配置される。

他の構成は図７と同様であってよい。また、図１６では反射光観測を行うミスト観測部の構成が図示されているが、既述のとおり、バックライト観測を行うミスト観測部を採用してもよい。

４．２ 動作
ＥＵＶ光生成装置１Ｂの動作は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａにおける第２プリパルスレーザ光ＰＰＬ２の照射が省略された動作となり、その他の動作はＥＵＶ光生成装置１Ａの動作と同様である。実施形態１の説明における第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１に関する説明は、ＥＵＶ光生成装置１ＢのＣＯ_２プリパルスレーザ装置３１Ｂから出力されるプリパルスレーザ光ＰＰＬに置き換えて理解してよい。プリパルスレーザ光ＰＰＬは本開示における「第１レーザ光」の一例である、
４．３ 作用・効果
ＥＵＶ光生成装置１Ｂの作用・効果は、実施形態１と同様である。

４．４ 変形例
図１６では、メインパルスレーザ装置３０とは別にＣＯ_２プリパルスレーザ装置３１Ｂとを備える構成を説明したが、１つの（同じ）ＣＯ_２レーザ装置からプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光とを出力する構成も可能である。

５．実施形態３
５．１ 構成
図１７は、実施形態３に係るＥＵＶ光生成装置１Ｃの要部を概略的に示す概要図である。図１７に示す構成について、図６と異なる点を説明する。

ＥＵＶ光生成装置１Ｃは、ミスト観測部４４に代えてＥＵＶエネルギを計測するＥＵＶセンサ７１を備える。ＥＵＶセンサ７１はＥＵＶ光観測部として機能する。また、ＥＵＶ光生成装置１Ｃは、コントローラ５５に代えてコントローラ５６を備える。コントローラ５６は、ＥＵＶセンサ７１によって計測されたＥＵＶエネルギを評価し、適切な偏光方向を偏光方向調整部３５に指示する。

なお、図１７では１つのＥＵＶセンサ７１を図示しているが、複数個のＥＵＶセンサ７１がチャンバ２に配置されてもよい。コントローラ５６は、複数個のＥＵＶセンサ７１から得られる計測結果の平均値を取得してもよい。ＥＵＶ光生成装置１Ｃの他の構成は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａの構成と同様であってよい。

５．２ 動作
図１８は、ＥＵＶ光に基づく偏光制御の例を示すフローチャートである。ステップＳ６１において、コントローラ５６はＥＵＶエネルギ計測を行い、ＥＵＶエネルギＥを求める。

次いで、ステップＳ６２において、コントローラ５６は計測されたＥＵＶエネルギＥが閾値Ｅ_ＬＬを下回っているか否かを判定する。

ステップＳ６２の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５６はステップＳ６３に進む。

ステップＳ６３において、コントローラ５６は偏光方向調整部３５の波長板を所定量回転させる。

次いで、ステップＳ６４において、コントローラ５６はＥＵＶエネルギ計測を行い、波長板回転後のＥＵＶエネルギＥａを求める。

次いで、ステップＳ６５において、コントローラ５６は波長板回転後のＥＵＶエネルギＥａが前回のＥＵＶエネルギＥよりも小さいか否かを判定する。

ステップＳ６５の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５６はステップＳ６１に戻る。その一方、ステップＳ６５の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５６はステップＳ６６に進む。

ステップＳ６６において、コントローラ５６は係数Ａの符号を変えてＡ＝Ａ×（－１）とし、ステップＳ６１に戻る。これにより、その後のステップＳ６３において回転方向が逆方向となり、ステップＳ６４にてＥＵＶエネルギＥａが再度計測される。

ステップＳ６１で計測されたＥＵＶエネルギＥが閾値Ｅ_ＬＬ以上となるまでステップＳ６１からステップＳ６６のルーチンが繰り返される。ステップＳ６２の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５６は図１８のフローチャートを終了する。

なお、図１８では、ＥＵＶエネルギＥ、Ｅａを計測して、ＥＵＶエネルギＥと閾値Ｅ_ＬＬとの比較（ステップＳ６２）及びＥａとＥとの比較（ステップＳ６５）を実施しているが、ＥＵＶエネルギの値の代わりに、ＣＥの値を用いてもよい。すなわち、コントローラ５６は、ＥＵＶエネルギからＣＥを求め、得られたＣＥと、判定基準の閾値とを比較して、その比較結果に基づいて偏向方向を制御してもよい。

５．３ 作用・効果
実施形態３に係るＥＵＶ光生成装置１Ｃによれば、ＥＵＶエネルギが最大となる偏光角に調整できる。

６．プリパルスレーザ光の照射条件の例
図１９は、プリパルスレーザ光の照射条件の例を示す図表である。図１９に例示するプリパルスレーザ光の照射条件は、実施形態１及び実施形態３の第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１の照射条件として適用されてもよいし、実施形態２のプリパルスレーザ光ＰＰＬの照射条件として適用されてもよい。

７．偏光方向調整部の例１
７．１ 構成
図２０は、直線偏光のレーザ光ＬＰＬが用いられる場合の偏光方向調整部３５の構成例１を概略的に示す斜視図である。偏光方向調整部３５は、１／２波長板３５２とアクチュエータ付きの回転ステージ３５４とを含む。

７．２ 動作
直線偏光のレーザ光ＬＰＬは、第１プリパルスレーザ装置３１から出力された第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１又はＣＯ_２プリパルスレーザ装置３１Ｂから出力されたプリパルスレーザ光ＰＰＬであってもよい。

直線偏光のレーザ光ＬＰＬは、１／２波長板３５２に入射する。外部からの指令により回転ステージ３５４が回転することにより、１／２波長板３５２が回転し、１／２波長板３５２から出射される直線偏光のレーザ光ＬＰＬの偏光方向が回転する。

７．３ 作用・効果
図２０によれば、直線偏光のレーザ光ＬＰＬの偏光方向を調整できる。

８．偏光方向調整部の例２
８．１ 構成
図２１は、楕円偏光のレーザ光ＥＰＬが用いられる場合の偏光方向調整部３５の構成例２を概略的に示す斜視図である。偏光方向調整部３５は、１／２波長板３５２とアクチュエータ付きの回転ステージ３５４とを含む。

８．２ 動作
楕円偏光のレーザ光ＥＰＬは、第１プリパルスレーザ装置３１から出力された第１プリパルスレーザ光ＰＰＬ１又はＣＯ_２プリパルスレーザ装置３１Ｂから出力されたプリパルスレーザ光ＰＰＬであってもよい。

楕円偏光のレーザ光ＥＰＬは、１／２波長板３５２に入射する。外部からの指令により回転ステージ３５４が回転することにより、１／２波長板３５２が回転し、１／２波長板３５２から出射されるレーザ光ＥＰＬの偏光方向が回転する。

８．３ 作用・効果
図２１に示す構成によれば、楕円偏光のレーザ光ＥＰＬの偏光方向を調整できる。

９．偏光方向調整部の例３
９．１ 構成
図２２は、直線偏光のレーザ光ＬＰＬが用いられる場合の偏光方向調整部３５Ａの構成例３を概略的に示す斜視図である。図２０で説明した偏光方向調整部３５に代えて、図２２に示す偏光方向調整部３５Ａを用いてもよい。

偏光方向調整部３５Ａは、電気光学（Electro-optic：ＥＯ）素子を用いたＥＯ偏光器３５５と、高圧高速電源３５６とを含む。ＥＯ偏光器３５５は高圧高速電源３５６と接続され、高圧高速電源３５６はコントローラ５５と接続される。

９．２ 動作
直線偏光のレーザ光ＬＰＬは、ＥＯ偏光器３５５に入射する。高圧高速電源３５６は、コントローラ５５からの指令により、ＥＯ偏光器３５５へ高電圧を印加する。ＥＯ偏光器３５５内の素子に電界が発生し、入射したレーザ光ＬＰＬの偏光方向が回転する。

９．３ 作用・効果
図２２に示す構成によれば、直線偏光のレーザ光ＬＰＬの偏光方向を調整できる。

１０．電子デバイスの製造方法の例
図２３は、ＥＵＶ光生成装置１Ａと接続された露光装置６の概略構成を示す図である。露光装置６は、マスク照射部６０２とワークピース照射部６０４とを含む。マスク照射部６０２は、ＥＵＶ光生成装置１Ａから入射したＥＵＶ光２５２によって、反射光学系６０３を介してマスクテーブルＭＴ上に配置された図示しないマスクのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０４は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光２５２を、反射光学系６０５を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。

露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光２５２をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにマスクパターンを転写後、複数の工程を経ることで半導体デバイスを製造できる。半導体デバイスは本開示における「電子デバイス」の一例である。ＥＵＶ光生成装置１Ａの代わりに、ＥＵＶ光生成装置１Ｂ、１Ｃなどを用いてもよい。

１１．その他
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。

本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
   偏光方向が一方向に偏った第１レーザ光を前記ターゲットの進行軸と直交する方向から前記ターゲットに照射することにより拡散した前記ターゲットである二次ターゲットを生成させ、前記二次ターゲットに第２レーザ光を照射することにより極端紫外光を生成させる前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光を出力するレーザシステムと、
   前記第１レーザ光の光路上に配置され、前記第１レーザ光の偏光方向を調整する偏光方向調整部と、
   前記二次ターゲットの分布を観測する二次ターゲット観測部と、
   前記二次ターゲット観測部の観測結果に基づいて前記偏光方向調整部を制御するプロセッサと、
   を含む極端紫外光生成装置。
2. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   偏光プリズムにレーザ光を入射させ、前記偏光プリズムを前記レーザ光の光路軸周りに回転させ、回転角度を変えて前記偏光プリズムからの出射光の光強度を計測して得られる前記光強度の最大値をＩｍａｘ、最小値をＩｍｉｎとして、前記レーザ光の直線偏光度Ｐを次式、
   Ｐ＝｛（Ｉｍａｘ－Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）｝×１００ （％）
   で定義する場合に、
   前記第１レーザ光の直線偏光度Ｐが９０％以上である、
   極端紫外光生成装置。
3. 請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記第１レーザ光の直線偏光度Ｐが９９％以上である、
   極端紫外光生成装置。
4. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記偏光方向調整部は、
   １／２波長板と、
   前記第１レーザ光の偏光方向を変えるように前記１／２波長板を回転させるアクチュエータ付き回転ステージと、
   を含む極端紫外光生成装置。
5. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記第１レーザ光の偏光方向が、前記第１レーザ光の進行方向の軸周りに回転するように前記偏光方向調整部が制御される、
   極端紫外光生成装置。
6. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記ターゲットに照射される前記第１レーザ光の偏光方向が、前記ターゲットの進行軸に対して９０°±６０°の範囲の角度となるように前記偏光方向調整部が制御される、
   極端紫外光生成装置。
7. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記ターゲットに照射される前記第１レーザ光の偏光方向が、前記ターゲットの進行軸に対して４５°以上１１８°以下の範囲の角度となるように前記偏光方向調整部が制御される、
   極端紫外光生成装置。
8. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記プロセッサは、前記二次ターゲットの分布における前記第１レーザ光の進行方向の拡散幅に基づいて前記偏光方向調整部を制御する、
   極端紫外光生成装置。
9. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記二次ターゲット観測部は、
   前記二次ターゲットに照明光を照射する光源と、
   前記二次ターゲットによる前記照明光の反射光を観測する撮像装置と、
   を含む極端紫外光生成装置。
10. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記二次ターゲット観測部は、
    前記二次ターゲットに照明光を照射する光源と、
    前記照明光による前記二次ターゲットの影を観測する撮像装置と、
    を含む極端紫外光生成装置。
11. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを供給するターゲット供給部と、
    偏光方向が一方向に偏った第１レーザ光を前記ターゲットの進行軸と直交する方向から前記ターゲットに照射することにより拡散した前記ターゲットである二次ターゲットを生成させ、前記二次ターゲットに第２レーザ光を照射することにより極端紫外光を生成させる前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光を出力するレーザシステムと、
    前記第１レーザ光の光路上に配置され、前記第１レーザ光の偏光方向を調整する偏光方向調整部と、
    前記二次ターゲットの分布を観測する二次ターゲット観測部と、を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成することと、
    前記二次ターゲットの分布の観測結果に基づき、前記偏光方向調整部によって前記第１レーザ光の偏光方向を調整することと、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光すること、
    を含む電子デバイスの製造方法。
12. チャンバと、
    チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを供給するターゲット供給部と、
    偏光方向が一方向に偏った第１レーザ光を前記ターゲットの進行軸と直交する方向から前記ターゲットに照射することにより拡散した前記ターゲットである二次ターゲットを生成させ、前記二次ターゲットに第２レーザ光を照射することにより極端紫外光を生成させる前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光を出力するレーザシステムと、
    前記第１レーザ光の光路上に配置され、前記第１レーザ光の偏光方向を調整する偏光方向調整部と、
    前記極端紫外光のエネルギを観測する極端紫外光観測部と、
    前記極端紫外光観測部の観測結果に基づいて前記偏光方向調整部を制御するプロセッサと、
    を含む極端紫外光生成装置。
13. 請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    偏光プリズムにレーザ光を入射させ、前記偏光プリズムを前記レーザ光の光路軸周りに回転させ、回転角度を変えて前記偏光プリズムからの出射光の光強度を計測して得られる前記光強度の最大値をＩｍａｘ、最小値をＩｍｉｎとして、前記レーザ光の直線偏光度Ｐを次式、
    Ｐ＝｛（Ｉｍａｘ－Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）｝×１００ （％）
    で定義する場合に、
    前記第１レーザ光の直線偏光度Ｐが９０％以上である、
    極端紫外光生成装置。
14. 請求項１３に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１レーザ光の直線偏光度Ｐが９９％以上である、
    極端紫外光生成装置。
15. 請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記偏光方向調整部は、
    １／２波長板と、
    前記第１レーザ光の偏光方向を変えるように前記１／２波長板を回転させるアクチュエータ付き回転ステージと、
    を含む極端紫外光生成装置。
16. 請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１レーザ光の偏光方向が、前記第１レーザ光の進行方向の軸周りに回転するように前記偏光方向調整部が制御される、
    極端紫外光生成装置。
17. 請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ターゲットに照射される前記第１レーザ光の偏光方向が、前記ターゲットの進行軸に対して９０°±６０°の範囲の角度となるように前記偏光方向調整部が制御される、
    極端紫外光生成装置。
18. 請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ターゲットに照射される前記第１レーザ光の偏光方向が、前記ターゲットの進行軸に対して４５°以上１１８°以下の範囲の角度となるように前記偏光方向調整部が制御される、
    極端紫外光生成装置。
19. 請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記極端紫外光のエネルギから極端紫外光の変換効率を求め、前記変換効率に基づいて前記偏光方向調整部を制御する、
    極端紫外光生成装置。
20. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを供給するターゲット供給部と、
    偏光方向が一方向に偏った第１レーザ光を前記ターゲットの進行軸と直交する方向から前記ターゲットに照射することにより拡散した前記ターゲットである二次ターゲットを生成させ、前記二次ターゲットに第２レーザ光を照射することにより極端紫外光を生成させる前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光を出力するレーザシステムと、
    前記第１レーザ光の光路上に配置され、前記第１レーザ光の偏光方向を調整する偏光方向調整部と、
    前記極端紫外光のエネルギを観測する極端紫外光観測部と、
    を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成することと、
    前記極端紫外光のエネルギの観測結果に基づき、前記偏光方向調整部によって前記第１レーザ光の偏光方向を調整することと、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光すること、
    を含む電子デバイスの製造方法。

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