JP2022043010A - 電子部品または光電子部品用のヘッダおよびこのようなヘッダを製造するための方法 - Google Patents

Abstract

【課題】挿入損失が低い電子部品または光電子部品を取り付けるためのヘッダを提供する。【解決手段】ベース３および少なくとも１つのペデスタル７ａを備える電子部品用のヘッダ１であって、ベースは、少なくとも１つのフィードスルー５を有し、フィードスルーは、ベースを貫いて延びかつベースから電気的に絶縁されているフィードスルーピン６を備える。少なくとも１つのペデスタルは、ベースに接続され、ペデスタルに接続されたサブマウント９を備える。ペデスタルは、ベースにペデスタル材料結合部を介して接合されている。【選択図】図１

Description

本発明は、概して、電子部品のパッケージングに関する。詳細には、本発明は、ヘッダ、好ましくは、電子デバイスまたは光電子デバイスを取り付けるためのトランジスタアウトライン（ＴＯ）ヘッダの設計に関する。本発明は、電子デバイスまたは光電子デバイスとしてのレーザダイオードに特に適している。しかしながら、本発明は、フィードスルーピンに電気的に接続するためのサブマウントがペデスタルに配置されかつ取り付けられているあらゆる電子部品用の電子的なパッケージングに関する。

例えば、一部の光電子用途では、レーザチップにより放出されるビームの波長を正確に制御する必要がある。なぜならば、レーザの波長が温度に依存するからである。したがって、レーザの温度は狭い温度範囲内で安定させられるべきである。このために、トランジスタアウトライン（ＴＯ）パッケージなどの、レーザダイオード用のハウジング内に含まれてよい熱電クーラ（ＴＥＣ）を使用することが知られている。ＴＥＣは、中距離用の直接変調レーザ（ＤＭＬ）と連携して使用されてよい。ＤＭＬは、ＥＭＬと比較すると、より低コストの利点を提供する。しかしながら、多くのレーザドライバＩＣは、差動信号を用いてＤＭＬを駆動している。この場合、ヘッダは、２つのＲＦ信号ラインを必要とする。これら２つの信号ラインは、ＤＭＬ以外からの反射による信号劣化を回避するために、好ましくは、特性インピーダンスＺ_０＝２５オームを有するべきである。

さらに、ＴＥＣは、高温側および低温側を有する。高温側は、放熱のためにヘッダに接続されている。ＤＭＬは、低温側に取り付けられている。低温側は、熱フィードバックおよび自己発熱効果を防止するために、高温側から断熱されるべきである。他方、２つのＲＦラインがＤＭＬに接続されなければならない。よく知られている概念の１つは、２つの別個のＲＦラインを使用することである。各ＲＦラインは、信号をヘッダ内のＤＭＬに送るための小さなプリント配線板（ペデスタルサブマウントまたはサブマウント）を備える。各ペデスタルサブマウントは、別個のペデスタルに取り付けられてよい。典型的に、ペデスタルとヘッダのアイレットまたはベースとは、１回のスタンピングプロセスで１つの部品として形成される。

しかしながら、本発明は、ＤＭＬレーザチップをパッケージングするためのヘッダに限定されるものではなく、一般的に、電子部品のパッケージングに関する。

ヘッダのアイレットまたはベースは、例えば、各ペデスタルに接続されたサブマウントを電気的に接続するためのピンを収容するための複数の開口を備える。つまり、各ペデスタルは、それぞれの開口に対応する。

従来技術のヘッダの欠点は、各開口に対するペデスタルの位置が固定されていることである。しかしながら、開口内のピン位置は、最大位置と最小位置との間で変更して、正確に制御することができない。ピンが最大位置に位置している場合には、ピンとペデスタルとの間の距離が大きい。これによって、サブマウントをペデスタルに配置することが可能となる。しかしながら、欠点として、ピンとサブマウントとの間の距離がこのように大きいと、結果として、高い挿入損失が生じてしまう。しかしながら、開口とペデスタルとの間の距離は最小にされてはならない。なぜならば、これにより、結果として、ピンが最小位置にある場合にペデスタルとピンとの間にサブマウントを配置するための両者間の距離が過度に小さくなってしまうからである。

したがって、挿入損失が低い、電子デバイスまたは光電子デバイス用のヘッダならびにこのようなヘッダを製造するための方法が必要とされている。

本発明の目的は、低い挿入損失を提供する、電子部品または光電子部品を取り付けるためのヘッダ、特にＴＯヘッダを提供することである。本発明のさらなる態様は、このようなヘッダを製造するための方法に関する。

本発明の目的は、独立請求項の手段によって達成される。本発明の好ましい実施形態およびさらなる改良形態は、従属請求項の主題、明細書および図面に記載してある。

本発明はさらに、電子部品、特にレーザチップのような光電子部品用のヘッダに関する。ヘッダは、少なくとも１つのフィードスルーを有するベースを備える。フィードスルーは、ベースを貫いて延びるフィードスルーピン（または単にピン）を備える。ピンはベースから電気的に絶縁されている。さらにヘッダは、ベースに接続される少なくとも１つのペデスタルを備える。ペデスタルは、ペデスタルに接続されたサブマウントを備える。ペデスタルは、ベースに材料結合部を介して、例えばろう付け接合部を介して、または導電性の接着剤を使用して接合される。

このようなヘッダにより、いくつかの利点が得られる。

まず、ヘッダのベースと少なくとも１つのペデスタルとが、別個の部品として形成される。これにより、ベース成形プロセスの複雑さが低減され、ヘッダのベースの迅速かつ安価な製造が可能になる。

さらに、ヘッダベースとペデスタルまたは複数のペデスタルとが、別個の部分として形成されるならば、ペデスタルに損傷を与えることなく、ヘッダベースをさらに加工することもできる。例えば、少なくとも１つのフィードスルーを既に備えているヘッダベースを、より精密なフィードスルーインピーダンス制御を有するように加工することができる。例えば、毛細管現象により、シールガラスの表面は平坦ではなく、これはインピーダンスに影響を与える。平坦な表面を得るために、シールガラスを研削することにより、フィードスルーのより信頼性の高いパフォーマンスを達成することができる。好適には、ヘッダベースの表面とシールガラス表面とは、同じプロセスで研削することもでき、これによりヘッダベースの表面と同じレベルの平坦なガラス表面が得られ、すなわち、ガラス表面とヘッダベース表面とは同一平面であり、これにより結果として、フィードスルーの長さに沿ったインピーダンスのほぼ１００％制御が得られる。

さらに、少なくとも１つのペデスタルは、別個の製造プロセスで、例えば、スタンピング、金属延伸、または押出成形によって、形成される。これにより、特別な、さらには複雑なジオメトリを備えた、例えば、面取りされた縁部（または面取り縁部）または丸み付けされた縁部（調和縁部）のような縁部、および／またはバックテーパ、および／または複雑な形状のペデスタルプロフィールを備えた、少なくとも１つのペデスタルを形成することができる。例えば、ヘッダのペデスタルとベースとは、別個の部分として形成されているので、以下でさらに詳細に説明するように、複雑な形状を備えたペデスタルを使用することが考慮されてよい。

ヘッダベースとペデスタルとの別個の製造により、ヘッダベースとペデスタルとが、または２つ以上のペデスタルが設けられている場合には複数のペデスタルとが、異なっていてよいというさらなる利点が得られる。例えば、ヘッダベースは、ガラス対金属シールを容易にするために選択された材料から製作されてよく、ペデスタルは、例えば、高い熱伝導性を有する材料で製作されてよい。

さらに、別個の製造プロセスにおいて、ペデスタルまたは複数のペデスタルは、いくつかの利点を提供するさまざまなタイプの形状にすることができる。２つ以上のペデスタルがある場合、すべてのペデスタルは同じ形状を有することができる；しかしながら、１つのヘッダが、異なる形状の複数のペデスタルを備えることもできる。

さらに、ペデスタルとベースとは、別個の接合プロセスで接合され、これにより、サブマウントとピンとの間の距離を最適にする、または少なくとも制御することができる。これにより、サブマウント表面とピンとの間のオフセットは、狭い範囲で設定することができるので、パッケージされた電子部品、特に光電子部品の挿入損失が減じられる。好適には、接合は、材料結合部（ペデスタル材料結合部）を介して行われるので、ペデスタルはベースに固定的に取り付けられる。本発明の範囲では、材料結合とは、隣接する材料または隣接する部分間に接着結合を形成することによる、異なる材料の、または異なる部分間の接合プロセスを指すものであると理解されている。材料間のまたは異なる部分間のこのような接着結合は、接着剤を使用することにより、かつ／または接合すべき部分または材料を少なくとも部分的に溶融することにより、形成されてよい。この場合、本発明は、電子パッケージングで使用されるヘッダに関するので、金属の接合のために使用される接着剤が特に適している。例えば、導電性の接着剤の導電性の結合部を形成するのに適した接着剤、例えば、ナノ焼結銀および導電性接着剤が特に適していてよい。特に、本開示によれば、ペデスタル材料結合部に限定されることなく、材料結合部は、ろう付け接合部として、すなわち、ろう付け材料を使用して金属部分を接合することにより、形成されてよい。その意味で、ろう付け材料およびはんだは、本開示の意味での接着剤であると理解されてよい。はんだとは対照的に、ろう付けは通常、より高い温度で行われる。さらに、ろう付けには通常、接合すべき、密に嵌合した部品が必要であり、これにより、接合すべき金属部分間のギャップ内に、溶融したろうを毛細管現象により引き込むことができる。これにより、非常に少量の余分なろう付け材料のみが生じてよく、その結果、小さなろう付け膨出部しか生じない。これはさらに、隣接する部品の間の、すなわちベース（または、むしろベースの表面）とサブマウント（または、むしろサブマウントの側面または縁部）との間の、最小のオフセットによる非常に緊密でかつ密閉された接続を可能にする。

１つの実施形態によれば、ヘッダの電子部品の良好な信号伝送を提供するためには、ピンとサブマウントの表面との間のオフセット（ピンオフセット）は、最大でも０．２ｍｍである。さらなる実施形態によれば、組み立て中に、サブマウントの部品側に対する損傷を回避するために、ピンオフセットは最小で０．０５ｍｍである。

１つの実施形態によれば、サブマウントは、別の材料結合部（サブマウント材料結合部）を介してペデスタルに接合されている。上述したように、このような材料結合部は、隣接する部品間の緊密な結合、好適には、隣接する部品間の最小のオフセットしか有さない緊密な結合といったいくつかの利点を提供する。例えば、サブマウントをペデスタルにろう付けすることによる材料結合部の形成は、例えばペデスタルをベースにろう付けすることによる別の材料結合部の形成によってペデスタルをベースに固定的に取り付ける前または取り付けた後のいずれでも行うことができる。どちらの方法でも、ヘッダの隣接する部分間の、極めて緊密かつ密閉された接続が可能である。

１つの実施形態によれば、サブマウント縁部とベースの表面との間のオフセット（サブマウントオフセット）は、最大で０．１ｍｍである。

したがって、特に好適な実施形態では、ベースの表面とサブマウント縁部との間のオフセットは０の場合もある。

換言すると、本発明の実施形態によるヘッダによって、最適なオフセットが可能となり、その結果、電子部品の挿入損失が減じられ、したがって、より大きな信号帯域幅が得られる。

本出願の文脈では、以下の定義が適用される。

「電子部品」という用語は、すなわち、光電子部品を包含する。電子または特に光電子用途における適切な電子部品は、電界吸収変調レーザダイオード（ＥＭＬ）、分布帰還型レーザ（ＤＦＢ）、ファブリ・ペローレーザ（ＦＰ）、光変調器、フォトダイオード（ＰＤ）および光通信のために使用されるその他の電子部品などの、レーザダイオード（ＬＤ）であり得るが、これらに限定されない。

本発明の範囲では、「ペデスタルサブマウント」とも呼ばれてよいサブマウントは、通常、支持体として、絶縁材料を含む。適切な絶縁材料は、アルミナＡｌ_２Ｏ_３または窒化アルミニウムＡｌＮのようなセラミック、またはガラスを含むが、これらに限定されない。サブマウントの厚さは、好適には、０．１ｍｍ～０．５ｍｍである。サブマウントの長さは、例えば、ヘッダに含まれる電子部品がＤＭＬの場合には、ＤＭＬからガラス繊維へ光を結合するレンズの焦点距離に適合させるように調整されてよい。この場合、典型的なサブマウント長さは、１．０ｍｍ～２．５ｍｍであってよい。さらに、サブマウントの長さは、通常０．７７ｍｍの幅で、一般的に０．５ｍｍ～１ｍｍの範囲であってよい。ペデスタルとは反対の側に面したサブマウントの表面（「上面」）は、そこに塗布された金属パターンを有しており、本出願の範囲では「部品側」または「部品面」とも記載される。さらに、ペデスタルに面したサブマウントの側は、「支持側」（または「支持面」）または「取り付け側／取り付け面」とも記載される。

以下に、添付の図面を参照して、本発明をさらに説明する。図面では、同様の参照符号は、同様のまたは対応する部材を示す。さらに、ヘッダおよびヘッダの部分に関するすべての図面は、縮尺通りではなく概略的に描かれている。

１つの実施形態によるヘッダの斜視図である。 １つの実施形態によるヘッダの部分断面図である。 部品オフセットの関数としての挿入損失を示す例示的なグラフである。 部品オフセットの関数としての反射損失を示す例示的なグラフである。 １つの実施形態によるヘッダの別の部分断面図である。 二元系Ａｕ－Ｇｅの状態図である。 実施形態によるヘッダの別の部分断面図である。 実施形態によるヘッダの別の部分断面図である。

図１は、１つの実施形態によるヘッダ１の斜視図である。

図１に示されるようなヘッダ１は、２つ以上の電気フィードスルー５を有するベース３を備える。フィードスルー５は、ヘッダ１の内外に電気信号を伝送するように機能する。各フィードスルー５は、ベース３を貫通して延びるフィードスルーピン６を備え、ベースに対して電気的に絶縁されている。この目的のために、ベース３は、内部にフィードスルーピン６が固定された、絶縁材料、好ましくはガラスで満たされたアイレット８を備える。２つのペデスタル７ａ，７ｂがベース３に接続され、ベース３から突出している。図１に示される実施形態に限定されることなく一般的に、ヘッダ１は、少なくとも１つのペデスタル７を備える。しかしながら、例えば、レーザチップ、特にＤＭＬを備えたヘッダのためには、少なくとも２つのペデスタル７ａ，７ｂを備えたヘッダ１を提供することが好適であり得る。なぜならば、多くの場合、レーザドライバＩＣは、差動信号を用いてＤＭＬを駆動しおり、すなわち、そのようなヘッダ１は、２つの信号ラインを、または１つの送りラインと１つの戻りラインとを備えたシングルエンド信号を必要とするからである。示される特定の例に限定されることなく、好ましい実施形態では、これらのペデスタル７，７ａ，７ｂは、間にギャップ１２を有する距離を置いて配置されている。ギャップ１２は、さらなる要素、特にレーザチップのような電子デバイスを支持するためのアセンブリを収容するのに役立つ。各ペデスタル７ａ，７ｂには、サブマウント９が取り付けられている。さらに、ベース３の結合領域７０の例が図示されている。一般的に、結合領域は、少なくともそのサブポーションにおいてさらなる構成要素または部品に接合されることが意図されたまたは少なくとも接合されるのに適した構成要素または部品の一部を指すと理解される。例えば、構成要素の表面、すなわち、図１に示したようなヘッダ１の場合はヘッダ１のベース３は、接合プロセスを可能にするまたは容易にするように加工されてよい。例えば、接合すべき構成要素の表面を少なくとも部分的にニッケルおよび／または金などの金属でコーティングまたはめっきすることが公知である。ニッケルは、例えば銅のはんだ付け性を改善することが公知であるが、ニッケル層の酸化を回避するために薄い金の層が使用されてよい。図１に示したようなヘッダの場合、例えば少なくとも、さらなる構成要素とヘッダベース３に接合することができる結合領域７０において、ベース３の前面５８は、少なくとも部分的にＡｕめっき（または金めっき）されていると理解されてよい。もちろん、一般的に、ベース３の表面５８全体をまたはベース３全体を金めっきすることもできる。さらに、ベースは、少なくとも部分的にニッケル化されてよい。この場合、ニッケル層の酸化を回避するために、ニッケル層は金の層によって、少なくとも部分的に、好適には全体的にカバーされている。

ペデスタル７ａ，７ｂの少なくとも一方、好ましくは両方、または場合によってはヘッダ１が、例示的に描かれたペデスタル７ａ，７ｂよりも多くを備える場合、ヘッダ１のすべてのペデスタル７は、材料結合部２４（図１には図示せず）を介してベース３に接合される。ペデスタル７，７ａ，７ｂとベース３との間に形成される材料結合部２４は、ペデスタル材料結合部と呼ばれてもよい。

ここでは、材料結合部は、好適には、ペデスタル７とベース３またはサブマウント９とピン６などの、隣接する部品（または構成要素）の間のオフセットの正確な制御を可能とする、緊密で密閉した結合において接合される部品、特に金属部品の間の結合（または接合）を指すと理解される。これは特に好適な実施形態ではろう付けにより達成される。すなわち、この好適な実施形態によれば、材料結合部２４は、ろう付け接合部またはろう結合部として形成されてよい。しかしながらこのような結合部は、導電性の接着剤を使用して形成されてもよい。説明のために、ここで図２を、すなわち、ベース３と、ピン６を含むフィードスルー５と、サブマウント部品面９５（または上面または上側表面）およびサブマウント支持面９４（または背面または部品面の底面）を含むサブマウント９と、を含むペデスタル７を有する、１つの実施形態によるヘッダ１の部分断面図を参照する。ここで、サブマウント９は、はんだ接合部２３を介してピン６に電気的に接続されている。図２に示したような例示的なヘッダでは、ピン６は、フィードスルー５の開口８の中心にあるが、図２に示された例示的なヘッダに限定されることなく、一般に、開口８におけるピン６の位置は、製造公差により変化する。したがって、サブマウント９の表面とピン６との間のオフセット（または距離）ｄ_１は、通常、変化する。標準的なスタンピングプロセスで形成された従来技術によるヘッダの場合にそうであるように、ペデスタル７の位置が、ベース内で固定されている場合には、ピン６とサブマウント上面またはサブマウント部品面９５との間の距離が極めて大きくなるまたは極めて小さくなるという結果を伴う、開口８内におけるピン６の偏心は補償され得ない。しかしながら、ペデスタル７がベース３に、分離された結合プロセスで、材料結合部２７（図示せず）を介して接合されるならば、オフセットｄ_１（ピンオフセット）を狭い範囲内に設定することができる。同じことは、サブマウント９の側面または縁部９３（この図には示さず）とベース３との間のオフセットｄ_２（サブマウントオフセット）にも当てはまる。密閉して嵌合する（または一致する）部品であるペデスタル７およびベース３を接合するために結合プロセス、好適には接着材料を使用する結合プロセス、特に好適には、ろう付けプロセスが使用されるので、接着材料、例えば、溶融したろうは、毛細管現象によってこれらの部品の間の非常に小さなギャップに引き込まれる。これにより、非常に少量のろう付け材料などの余分な結合材料または接着材料のみが生じてよく、その結果、（図５に示したように）小さな材料膨出部２５（例えば、ろう付け膨らみ）しか生じない。これはさらに、隣接する部品の間の最小のまたは少なくとも厳密に制御されたオフセットで非常に緊密でかつ密閉された接続を可能にする。

図３（挿入損失に関する）および図４（反射損失に関する）の例としてのグラフには、実施形態による例示的なヘッダの所与のヘッダ設計に関するシミュレーションで得られたデータおよび技術的利点が示されている。挿入損失および反射損失の計算のために、すべてのヘッダ設計は維持され、ピンおよびサブマウントのオフセット値のみが、サブマウントオフセットｄ_２については０ｍｍ～０．１ｍｍの間で、ピンオフセットｄ_１については０．０５ｍｍ～０．２ｍｍの間で変更された。両図において、ａ）は、サブマウントオフセット（ｄ_２）が０ｍｍかつピンオフセット（ｄ_１）が０．０５ｍｍの場合に得られた値を示しており、ｂ）は、ｄ_２＝０ｍｍかつｄ_１＝０．２ｍｍの場合に、ｃ）は、ｄ_２＝０．１ｍｍかつｄ_１＝０．０５ｍｍの場合に、ｄ）は、ｄ_２＝０．１ｍｍかつｄ_１＝０．２ｍｍの場合に得られた値を示している。

信号の帯域幅は、１ｄＢの挿入損失における周波数値として定義される。図３からわかるように、帯域幅は、高オフセットのｄ）の場合は２７ＧＨｚの間で変化してよく、ａ）の場合のように、オフセットが小さい（またはオフセットがゼロである）場合には、帯域幅は５０ＧＨｚを超える。つまり、オフセットが大きい場合、図３および図４の計算のために使用されるオフセットよりも大きなオフセットについては、帯域幅は半分にカットされてよい、またはさらに低くすることができる。

図４には、反射損失が示されている。反射損失帯域幅は、通常、－１５ｄＢの反射損失で定義され、高い反射損失が好ましい。反射損失帯域幅は、ここで考慮される例としてのヘッダに関しては、オフセット値に応じて１５ＧＨｚ～３０ＧＨｚの範囲で変化する可能性があり、低オフセットについては（ａ）の場合）には、より高くなる（したがって、好ましい）。

高い信号伝送を達成するためには、オフセット値を厳密に制御しなければならない。

１つの実施形態によれば、サブマウント９とベース３の表面５８との間のオフセット（サブマウントオフセット、ｄ_２）は、最大で０．１ｍｍ、特に好適な実施形態では、０ｍｍでさえあり得る。

さらなる実施形態によれば、ピン６とサブマウント９の部品面９５との間のオフセット（ピンオフセット、ｄ_１）は、最大でも、０．２ｍｍである。しかしながら、信号の帯域幅の観点から、最小限のピンオフセットｄ_１が好ましいとは言え、サブマウント取り付けプロセスを考慮しなければならないので、ピンオフセットの最小値は、さらなる好適な実施形態によれば、最小で０．０５ｍｍである。これにより、サブマウント９に、すなわち金属パターンつまりサブマウント９の部品側９５に形成された金属パターンに、損傷を与えるリスクなしに、第１の結合プロセス、例えばろう付けプロセスで、ペデスタル７をベース３に最初に接合し、さらなる第２の結合プロセス、例えばろう付けプロセスで、サブマウント９をペデスタル７に続けて接合することができる。

図５は、１つの実施形態による例としてのヘッダ１のさらなる部分断面図を示す。図５に示した例では、ペデスタル７は、ベース３（またはベース３の表面５８）に、ベース３の表面５８とペデスタル７の取り付け面４０との間に位置する材料結合部２４（例えば、ろう付け接合部またはろう付け結合部）を介して接合されている。さらに、サブマウント９は、ペデスタル７に、ペデスタル７の上面４２とサブマウント９の支持面９４との間に位置する材料結合部２７（例えば、ろう付け接合部またはろう付け結合部）を介して接合されている。さらに、サブマウント９の側面９３が示されている。この場合、上面４２は、ピン６に面したペデスタルの側に関連し、ペデスタル７のピン面４２とも記載されてよく、サブマウント９の底面または背面は、（サブマウント９の部品側または部品面９５とは対照的に）サブマウント９の支持側または支持面９４と呼ばれるものであると理解される。ピン６は、はんだ接合部２３を介してサブマウント９に電気的に接続されている。

１つの実施形態によれば、結合、例えばろう付けを促進するために、ベース３の表面５８および／またはペデスタル７の取り付け面４０および／またはペデスタル７の上面４２および／またはサブマウント９の背面（または支持側）９４は、その結合領域で少なくとも部分的にＡｕめっき（または金めっき）されている。ベースの場合、結合領域７０は、図１に示されている。見易くするために、取り付け面４０、上面４２、およびサブマウント背面（または支持側）９５については、結合領域は示されていない。さらに、ペデスタル取り付け面４０とベース３の表面５８との間には極めて小さいギャップがあるので、接着剤またはろう付け材料のような結合材料が、毛細管現象により、このギャップ内に引き込まれる。これにより、サブマウント９、またはむしろサブマウント側面９３とベース３との間に形成されるいわゆるサブマウントオフセット（または図３のｄ_２）を、極めて緊密な範囲で制御することができる。

本発明の範囲では、ペデスタル７の上面４２は、ピンに面したペデスタルの面を指すものと理解され、したがって、図５に示したヘッダの特別な実施形態に限定することなく、一般的に、ペデスタル７の「ピン面」または「ピン側」４２と記載されてもよい。

図５に示した実施形態では、ペデスタル７は、面取り縁部または調和縁部のような縁部５０を、取り付け面４０とピン面４２との間に有しており、好適には、縁部５０とピン面４２との間および／または縁部５０と取り付け面４０との間に形成される角度は１００°～１６０°である。このような実施形態は、サブマウントオフセットｄ_２を最小化するために好ましく、面取り縁部または調和縁部５０の場合のように、小さなキャビティ２６が形成される。この場合、余分な結合材料、例えば接着剤、またはろう、またはろう付け材料はキャビティ２６内に充填することができ、このキャビティは、余分な結合材料のための「リザーバ」として機能する。この場合さらに、結合材料の極めて小さな、殆どゼロの余分な膨出部２５しか形成されず、これによって、サブマウントオフセットｄ_２を制御することができる。このような実施形態は、さらに、ゼロである最小のサブマウントオフセットを得易くするので、極めて有利であり得る。一般的に、キャビティ２６が完全に充填されている図５に示した実施形態とは対照的に、キャビティ２６を余分な結合材料によって完全に満たす必要はないことに留意されたい。むしろ、最小のオフセットｄ_２は、部分的に充填されたリザーバのみによっても達成することができる。さらなる実施形態によれば、ペデスタルは、異なる形状で形成されていてよく、例えば、ペデスタル段部を有しており、これにより、ヘッダのベース３の表面および／またはシール材料６０の表面の間にギャップが形成されてよく、これは、より大きな電子部品が、ヘッダ内に配置されるべき場合には好ましい。さらに、ペデスタルは、少なくとも部分的に開口８から突出するように形成かつ／または固定されてよい。さらに１つの実施形態によれば、代替的にまたは付加的に、ベースは、シール材料６０を少なくとも部分的に越えて突出する段部（ベース段部）３８を有していてよい。ペデスタル７および／またはベース３のこのような特別な形状は図８にも示されている。１つの実施形態によれば、材料結合部２４および２７の少なくとも１つは、金（Ａｕ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）および／または錫（Ｓｎ）を有している。金・錫ろうは、低い融解温度しか必要としないので、ＴＯヘッダのためのろう付け材料として通常、使用される。しかしながら、本出願の実施形態によれば、少なくとも２つの材料結合部、すなわち少なくとも１つのペデスタル材料結合部２４と少なくとも１つのサブマウント材料結合部２７とが必要である。これら２つの材料結合部、すなわち、本明細書に記載の実施形態ではろう付け接合部は、製造プロセスの異なる段階で形成されるので、第２のろう付け中に、第１の接合部の結合が分離するのを阻止するために、第１のろう付けプロセスの温度は、第２のろう付けプロセスの温度よりも高くなくてはならない。２つの異なるプロセスステップで形成される少なくとも２つの異なるろう付け接合部を有する、本明細書に記載された実施形態に限定されることなく、一般的に、材料結合部が高温で形成される場合、第１の結合プロセスの温度は、第２の結合プロセスの温度よりも高くなくてはならない。したがって、好適には、材料結合部２４および２７、すなわち、本明細書に記載のようにペデスタルろう付け接合部およびサブマウントろう付け接合部のうちの少なくとも一方は、金・ゲルマニウムろう（または、Ａｕ－Ｇｅろう）を有していてよい。

図６に示した状態図を参照して、ろう付け接合部として形成される材料結合部２４，２７のうちの少なくとも１つのためにこのようなろう付けを使用することの利点を説明する。図６は、金－ゲルマニウムの二元状態図を示しており、図の左側は、ゲルマニウム含有量が０、すなわち純金に対応している。金－ゲルマニウム二元系は、ほぼ理想的な共晶系であり、約４ａｔ％未満のゲルマニウム含有量に対して形成される少量の金リッチ固溶体しか含まない。共晶組成は、２８ａｔ％のゲルマニウム含有量であって、１２ｗｔ％のゲルマニウム（いわゆる、ＡｕＧｅ１２ろう付け材料またはＡｕＧｅ１２はんだ付け材料）に対応しており、共晶温度は約３６１℃である。金－錫材料によるろう付けは、約２８０℃の温度で効果的なので（ＡｕＳｎ２０ろう付け材料またははんだ付け材料）、ＡｕＧｅ１２は、第１のろう付けステップのために使用することができ、ＡｕＳｎ２０は第２のろう付けステップのために使用することができる。なぜならば、これらのろう付け材料間の、すなわち、ろう付けプロセス間の温度差は、第１のろう付け接合部が、第２のろう付けプロセスにおいて再溶融しない程度の高さであるからである。この場合、ろう付けステップ、例えば、第１のろう付けステップは、同時にいくつかの構成要素のろう付けを含み得ることに留意されたい。すなわち、ろう付けステップが、ベース３へのペデスタル７のろう付けを含む場合、ヘッダ１に含まれるすべてのペデスタル７，７ａ，７ｂがこのステップでろう付けされてよく、これによりペデスタル７，７ａ，７ｂとベース３の表面５８（または前面）との間には複数のペデスタル材料結合部２４が同時に形成される。同じことは、ペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂに対するサブマウントまたは複数のサブマウント９のろう付けにも当てはまり、複数のサブマウント材料結合部２７が形成される。ろう付け接合部である材料結合部２４および２７の例に限らず一般的に、結合ステップは、同時に複数の構成要素の結合を含む。

したがって、１つの実施形態によれば、ヘッダが、ペデスタル７ａと別のペデスタル７ｂとを有していて、この場合、ペデスタル７ａはベース３に接続され、ペデスタル７ａに接続されたサブマウント９を含んでおり、ペデスタル７ａは、第１のペデスタル材料結合部２４を介してベース３に接合されており、この場合、ペデスタル７ｂはベース３に接続され、ペデスタル７ｂに接続されたサブマウント９を含んでおり、別のペデスタル７ｂは、別のペデスタル材料結合部２４を介してベース３に接合されており、この場合、ベース３とペデスタル７ａとの間のペデスタル材料結合部２４と、ベース３とペデスタル７ｂとの間の別のペデスタル材料結合部２４と、は同じ結合材料を有している。例えば、特に好適な実施形態では、材料結合部２４および２７は、ろう付け接合部であってよく、ペデスタル材料結合部２４は、同じろう付け材料またはろう材料を有している。

しかしながら、２つの異なる結合材料、例えば２つの異なるろうを、第１および第２の結合ステップ（例えば、ろう付けステップ）のために使用できることとは別に、上述したように、ＡｕＧｅ１２は共晶組成であるので、接合すべき面の少なくとも１つが、その結合領域において少なくとも部分的に金めっき（または金層）を有しているならば、ＡｕＧｅ１２を、両ろう付けステップで使用することもできる。これは、溶融プロセス中に、金めっき（または金層）の金が、溶融物内へと移動し、これにより、溶融物の金含有量が増加するからである。生じる溶融物組成は、図６の矢印１４０によって示されたように、状態図の金リッチ側へとシフトされ、結果として融解温度が上昇する。仮想の例示的な金を富化されたろう付け接合部組成ｃ_ｍ，ｈの例示的な融解温度Ｔ_ｍ，ｈが図６に示されている。２０ｗｔ％のＧｅ含有量の仮想濃度ｃ_ｍ，ｈについて見られるように、結果として生じる対応する融解温度Ｔ_ｍ，ｈは、ほぼ６００℃であり、したがって、３６１℃の共晶温度よりもはるかに高くなっている。しかしながらここで、この仮想組成は単なる例であり、実際に得られるろう付け接合部の組成とは異なっていてよいことを理解されたい。上記の理由のため、第１のろう付け接合部の融解温度は、共晶温度よりも高くなるので、特別な実施形態によれば、ＡｕＧｅ１２ろう付け材料を、第２のろう付けステップで使用することもできる。

二元系ＡｕＳｎは、図６に示したＡｕＧｅ系よりも複雑であるが、溶融物の金の含有量を増加させることにより融解温度が上昇するというこの原理は、ＡｕＳｎろう付け材料にも同様に当てはまるので、接合すべき構成要素または部分の面のうちの少なくとも１つが金めっきされている場合には、またはその結合領域において少なくとも部分的に金めっきまたは金層を有している場合には、両結合ステップにおいてＡｕＳｎはんだ（または、ろう）を使用することができる。

したがって、１つの実施形態によれば、材料結合部２４および２７は、両方ともろう付け接合部であってよく、ＡｕとＧｅおよび／またはＳｎとを有していてよい。しかしながら上述した理由のため、ろう付け接合部として形成される材料結合部２４および２７の組成は異なっていてもよく、形成された第１のろう付け接合部（またはろう付け接合部のセット）は、形成された第２のろう付け接合部（またはろう付け接合部のセット）よりも、おそらくは高い金含有量を有している。この場合、「第１の材料結合部（または材料結合部の第１のセット）」という用語は、第１の結合プロセス中に形成される材料結合部を称するものであると理解され、「第２の材料結合部（または材料結合部の第２のセット）」は、第１の結合後に行われる第２の結合ステップ中に形成される材料結合部または接合部を称するものであると理解される。詳細に後述するように、これに関して、材料結合部２４および２７の両方とも、「第１の」または「第２の」材料結合部であってよい。材料結合部２４および／または２７がろう付け接合部であるならば、これは、第１のろう付け接合部（またはろう付け接合部の第１のセット）および第２のろう付け接合部（またはろう付け接合部の第２のセット）に準用される。

好適には金めっきすることができる接合すべき面、またはその面の結合領域に少なくとも部分的に金めっきまたは金層を含む接合すべき面は、材料結合部２４（ペデスタル材料結合部２４）に関してはベース３の表面５８および取り付け面４０であり、材料結合部２７（サブマウント材料結合部２７）に関しては、上面４２およびサブマウント９の支持面９４である。しかしながら、接合すべき面の一方のみが金めっきすることができれば十分であり得る。例えば、材料結合部２７に関しては、上面４２が少なくともその結合領域で、少なくとも部分的に金めっきされている場合は、サブマウント９の支持面９４は金めっきされる必要は全くなく、逆も同様である。同じことは、材料結合部２４（ペデスタル材料結合部）にももちろん当てはまる。

本出願はさらに、ヘッダを、特に本開示の実施形態によるヘッダを製造するための方法に関する。

電子部品のためのヘッダ１、好適にはＴＯヘッダ１、特に好適には開示の実施形態によるヘッダ１を製造するための方法は、以下のステップを含む：
－開口８を備えたベース３を形成するステップであって、この場合、ベース３は、サブマウント９を収容するためのペデスタル７，７ａ，７ｂを有していないステップ。すなわち、ベース３は、「ブランクベース」として理解されてよい。このようなブランクベース、すなわち、ベースに一体的に形成されたペデスタルをいっさい有していないベースは、標準的な低コストのスタンピングプロセスで形成することができる。さらに、このようなブランクベースのスタンピングは、少なくとも１つの一体的に形成されたペデスタルを含む「標準的なベース」のスタンピングよりも複雑ではない。

－少なくとも１つの開口８内にピン６を導入することによりフィードスルー５を形成し、開口８を絶縁材料６０によってシールし、これによりピン６を開口８内に固定し、ベース３から電気的に絶縁するステップ。開口８内にピン６を固定し、ベース３から電気的に絶縁するために、任意の適切な絶縁材料６０を使用することができるが、絶縁材料６０としてガラスを使用することが有利であり得、これによりフィードスルー５は、ガラス・金属シールとして形成される。このようなガラス・金属シール（ＧＴＭＳ）は公知の製品であり、顧客のニーズに応じて、例えばベース３およびピン６の両方のために特に好ましい材料を使用して、フィードスルーの、すなわちヘッダの所望の温度安定性を調整して、製作することができる。

－オプションとして、ベース３の少なくとも結合領域７０に、薄い金層を少なくとも部分的に塗布するステップ。薄い金層、または金めっきの塗布は、電子パッケージングにおいて、例えばニッケルのようなベース金属の酸化を防止するために、よく知られたプロセスである。金を含むろう付け材料、特にＡｕＧｅ１２、ＡｕＳｎ２０ろう付け材料を、ペデスタル材料結合部２４（または、この場合ペデスタルろう付け接合部）の形成のために使用するならば、少なくとも部分的にベース３の結合領域７０を金めっきすることは特に好適であり得る。この場合、図６に示した状態図に関して詳しく上述したように、少なくとも部分的に金層が、共晶溶融物内へと移動する金と融合することにより、結果として融解温度が上昇し、これによって、生じる材料結合部を熱的に安定させる。しかしながら、一般的に行われるように、ＡｕＧｅ１２またはＡｕＳｎ２０ろう材料と接合すべき構成要素の面のうちの１つだけが、融解温度上昇を生じさせるために、少なくとも部分的に金めっきされるべきである代わりに、少なくとも部分的にペデスタル７，７ａ，７ｂの取り付け面４０を金めっきすることが考えられてもよい。これに関して、金を含まない別のろう付け材料によってペデスタル材料結合部２４を形成する場合は、金めっきは省かれてよい。

－ペデスタル７，７ａ，７ｂを形成するステップ。すなわち、ペデスタルは、分離したプロセスで形成される。したがって、ペデスタルを形成するためには、スタンピングだけではなく、金属押出または金属延伸のような、別の製造プロセスを使用することもできる。したがって、ペデスタル７，７ａ，７ｂは、例えば、図５に示し上述したように、丸み付けられた縁部または面取り縁部として形成された少なくとも１つの縁部５０を備える複雑な形状で形成することができる。さらに、ペデスタル７，７ａ，７ｂは、サブマウントまたは複数のサブマウント９を取り付けるプロセスを容易にするさらなる特徴を有することができる。

ペデスタルのこれらさらなる特徴について、ペデスタル７を参照して説明する。しかしながら、ここで、ペデスタル７の形状について言及する場合、これは、ペデスタル７ａ，７ｂについても当てはまり、一般的に、ヘッダに設けられる別のペデスタルにも当てはまることを理解されたい。

本出願の図面に示した実施形態に限定されることなく、一般的に、少なくとも１つのペデスタル７は、サブマウントを収容するための少なくとも１つの平らな側面４２を備えた立方体状のまたは角柱状の形状を有している。この少なくとも１つの平らな側面は、組み立てられた状態で、ピン６に面するので、ピン面４２と呼ばれる。さらに、ペデスタル７は、ベース３との接合部を形成するために、少なくとも部分的に平らなベース面４０を有している。この少なくとも部分的に平らなベース面４０は、ペデスタル７の取り付け面４０と呼ばれる。取り付け面４０とは反対側に、かつ好適には取り付け面に対して平行に、ペデスタル７は、ペデスタル自由面とも呼ばれてよい別の面を有している。一般的に、ヘッダ１のペデスタル７，７ａ，７ｂは、等しい形状、または少なくとも対応する形状であってよく、または鏡像対称的に形成されていてよい。好適な実施形態によれば、ペデスタル７，７ａ，７ｂは、ペデスタルの高さ方向および幅方向に対して平行な仮想平面に関して、対称にベース３上に配置されてよい。すなわち、ペデスタルは、第１の長手方向を有していて、この方向は、デカルト座標系の第１の方向であって、ペデスタルの最も長い外寸に対して平行に延在しており、かつベース３の表面５８に対して垂直であると理解される。さらに、ペデスタル７は第２の方向または幅方向を有しており、この方向は、長手方向に対して直角であるデカルト座標系の第２の方向であって、かつピン面４２に対して平行に延在している。さらに、高さ方向は、長手方向および幅方向の両方に対して直角である。ペデスタル７は、さらなる実施形態によれば、ピン面４２上に配置される少なくとも１つのバーを有していてよく、このバーは好適には側壁を形成する。これは、バーが、ピン面４２におけるサブマウント９の位置合わせを容易にし得る場合に、好適であり得る。少なくとも１つのバーを有するこのようなペデスタルは、このバーが、ピン面４２の全長にわたって延在する場合には特に、Ｌ字型と言うこともできる。さらに、ペデスタル７は、さらなる実施形態によれば、Ｕ字型のペデスタルを形成する別のバーを有していてよい。バーまたは複数のバーが、ピン面の長さよりも短い場合には、それぞれ部分的にＬ字型のプロフィールをまたは部分的にＵ字型のプロフィールを形成してよい。バーまたは複数のバーとペデスタル７とは、好適には同じ材料を有していてよく、特に好適には一体的に１つの部品として形成される。上述したように、ペデスタル７，７ａ，７ｂは、等しいまたは対応する形状であってよいが、異なる形状であってもよい。

－サブマウント９を設けるステップ。ペデスタル７，７ａおよび７ｂ、好適には上記に詳しく説明した実施形態によるペデスタル７，７ａ，７ｂは、任意のサブマウント９と組み合わせることができるが、実施形態によるペデスタルの場合には特に、等しく形成されているが異なる向きで取り付けられるサブマウント９と好適に組み合わせることができることがわかった。「等しく形成されたサブマウント」とは、この場合、組立てを容易にするために互いに対応する金属パターンを備えているサブマウントを意味すると理解される。しかしながら、これらサブマウントは、（例えば、ペデスタル７ａ，７ｂの間のギャップ１２に配置される）電子デバイスを、逆の方向から接続することができるようにするために、異なる向きで取り付けられる。１つの実施形態によれば、サブマウント９は、フィードスルーピン６に接続されたサブマウント９の部品面９５上の導体トレースの各端部が互いに向かい合うように、少なくとも１つのペデスタル７，７ａ，７ｂ上に取り付けられる。フィードスルーピン６に接続された導体トレースは、典型的には信号を伝達する導体である。したがって、フィードスルーピン６に対して遠位側の端部が互いに向かい合う構成を使用して、電子デバイスへの接続のための距離を減じることができる。

好適な実施形態では、サブマウント９の構造化された導体めっきのパターンは鏡像対称である。これにより、異なる端部がベース３に向けられて取り付けられたサブマウント９を使用することができるようになり、これにより、互いに向かい合う導体トレースの端部を有することができるようになる。したがって、好適な実施形態によれば、サブマウント９は、２つの反対側の端部を有しており、一方の端部はベース３に面して取り付けられていて、この場合、鏡像対称的な導体めっきの対称平面は端部の間に位置する。特に、サブマウント９は２つの反対側の端部を、特に、互いに区別される端部を有していてよく、この場合、サブマウント９のうちの一方は、１つの端部がベースに面した状態でペデスタル７，７ａ、または７ｂに取り付けられていて、他方のサブマウント９は、反対側の端部がベース３に面した状態で、ペデスタル７，７ａ，７ｂに取り付けられている。このように、（サブマウント９間に位置するギャップ１２または電子部品に関して）「左側」および「右側」のサブマウント９は、同じタイプであるが、サブマウント９の一方が、単に１８０°回転されて取り付けられている。

－オプションとして、ペデスタル７，７ａ，７ｂのおよび／またはサブマウント９の支持面９４の少なくとも結合領域７０に、薄い金層を少なくとも部分的に塗布するステップ。少なくとも部分的な結合領域７０のオプションとしての金めっきに関して上述したように、このようなプロセスは、ＡｕＧｅろう付け接合部および／またはＡｕＳｎろう付け接合部が、ペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂとベース３および／またはサブマウントまたは複数のサブマウント９との間に形成される場合に、好適であり得る。

－ベース３にペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂを結合し、これによりペデスタル材料結合部２４を、例えばろう付けにより形成するステップ。結合、例えば、ろう付けにより、ペデスタル７を、またはベース３および／またはヘッダ１が複数のペデスタルを有している場合には複数のペデスタル７，７ａ，７ｂを、ベース３に位置固定的に取り付けることができる。すなわち、ブランクベースとペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂとの製造を分離し、これにより、ヘッダの組立てを容易にするために、またはヘッダのパフォーマンス全体を改善することができるようにするために使用されてよい複雑な形状のペデスタルの形成かつ／または使用が可能となるが、ペデスタルまたは複数のペデスタルとベースとの間には、なお強力な接続部が形成される。

－サブマウント９（または複数のサブマウント９）を、ペデスタル７，７ａ，７ｂ（またはいくつかのペデスタル７，７ａ，７ｂ）に結合し、これにより１つのサブマウント材料結合部２７（またはいくつかのサブマウント材料結合部２７）を、例えばろう付けにより形成し、これにより１つまたは複数のろう付け接合部を形成するステップ。

－オプションとして、ベース３の表面および／またはシール材料６０を研磨し、これにより好適には、生じるベース３の表面５８ａおよびシール材料６０を、同レベルに、すなわち一平面にするステップ。

さらなる実施形態によれば、複数のペデスタル７，７ａ，７ｂがベース３に結合、または接合、または接続され、これにより、複数のペデスタル材料結合部２４が形成されている。すべてのペデスタル材料結合部２４が同じ結合材料を有している場合は好適である。例えば、材料結合部は、ろう付けにより形成され、すべてのペデスタルろう付け接合部は、同じろう付け材料またはろう材料を有していてよい。少なくとも２つのペデスタルがベースに結合される、例えばろう付けされるこのようなプロセスは、２つのＲＦ信号ラインを必要とするＤＭＬを有するヘッダ１のために好適であり得る。さらに、同じまたは対応する材料結合部、すなわち同じまたは少なくとも対応する構成要素間の、例えばいくつかのペデスタルとベースとの間の材料結合部を形成するために、同じ結合材料、例えばろうが使用されると有利であり得る。このようにして、材料結合部を、同じ結合ステップで、コスト効率よく、簡単に、例えばろう付けにより形成することができる。

同様に、さらなる実施形態によれば、各ペデスタル７，７ａ，７ｂに、それぞれのまたは対応するサブマウント９が結合され、これにより、複数のサブマウント材料結合部２７が形成されている。すべてのサブマウント材料結合部２７が同じ結合材料を有している場合は好適である。この場合も、すべての材料結合部２７は、このようにして単一のステップで同時に形成されてよい。好適な実施形態によれば、結合は、ろう付けにより達成されてよく、この場合、すべてのろう付け接合部（この場合は、サブマウントろう付け接合部）は、同じろう付け材料またはろう材料を有している。

１つの実施形態によれば、ペデスタルまたはペデスタル７，７ａ，７ｂがベース３に、例えばろう付けプロセスで結合される前に、サブマウントまたは複数のサブマウント９がペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂに結合される。このようなプロセスは、最小のピンオフセット（図２のｄ_１）を達成すべき場合に、そのような場合には、（ペデスタル７に結合された、例えば、ろう付けされた）サブマウント９がピン６に極めて近接して位置し得るので、好適であり得る。サブマウント９とペデスタル７（または、さらに言えば７ａ，７ｂ）とを含むアッセンブリを、サブマウント９の部品面９５がピン６に接触するように、ベース３上に配置することも考えられる。

好適には、この場合、サブマウント材料結合部または複数のサブマウント材料結合部２７は、ろう付け接合部または複数のろう付け接合部として形成され、金とゲルマニウムとを含み、ペデスタル材料結合部または複数のペデスタル材料結合部２４は、ろう付け接合部または複数のろう付け接合部として形成され、金とゲルマニウムおよび／または錫とを含んでいる。このようにして、ここで説明した実施形態によれば、ペデスタルろう付け接合部の前に形成される、サブマウントろう付け接合部が、第２のろう付けプロセス中に、再溶融しないことが保証され得る。

しかしながら、さらなる実施形態によれば、サブマウントまたは複数のサブマウント９をペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂに結合する前に、ペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂをベース３に結合することもできる。この場合も同様に、結合は、ろう付けにより迅速かつ簡単に達成することができる。このようなプロセスは、一体的に１つの部品として形成されたペデスタル備えたベースを使用する電子パッケージングにおける従来技術のプロセスに類似しており、したがって、公知のサブマウント接合プロセスと設備を使用することができるので、好適であり得る。しかしながら、この場合、ピンオフセットに関する既知の問題が、したがって、電子部品の低下したＲＦ信号性能が生じる可能性がある。

好適には、ペデスタルろう付け接合部としてろう付けプロセスで形成されるペデスタル材料結合部または接合部２４が、サブマウントろう付け接合部として形成されるサブマウント材料結合部または接合部２７の形成よりも前に形成されるならば、ペデスタルろう付け接合部は金とゲルマニウムとを有していて、サブマウントろう付け接合部は金とゲルマニウムおよび／または錫とを有している。上記に詳しく説明したように、一般的には、最初に形成すべき材料結合部（または材料結合部のセット）は、後続のろう付け処置の間に材料結合部（または材料結合部のセット）の再溶融を回避するために、より高い融点を有する結合材料を含まなければならない。結果として、本明細書に記載の実施形態では、材料結合部または接合部２４は、材料結合部または接合部２７よりも前に形成されるので、ペデスタル材料結合部または接合部２４は好適には金とゲルマニウムとを含み、例えば、ろう付け材料としてＡｕＧｅ１２によって形成されてよく、サブマウント材料結合部または接合部２７は、金とゲルマニウムおよび／または金とを含んでいてよい。しかしながら、両ろう付けステップでＡｕＳｎ２０またはＡｕＧｅ１２を使用することもできる。しかしながら、（第１のろう付けステップではＡｕＧｅ１２、第２のろう付けステップではＡｕＳｎ２０というように）異なるろう付け材料を使用する場合は、またはＡｕＧｅ１２を使用する場合には、ＡｕＧｅ二元状態図における極めて顕著な共晶のため、融解温度の差が大きいので、両ろう付けステップでＡｕＳｎ２０を使用することが好ましくない場合がある。

さらに、前段落で説明した製造プロセスの実施形態に限定されることなく、一般的に、材料結合部または複数の材料結合部２４と材料結合部または複数の材料結合部２７との両方が、ろう付け材料としてのＡｕＧｅ１２によってろう付け接合部として形成される場合には、接合すべき面の少なくとも一方を、少なくともその結合領域で少なくとも部分的に金めっきすることが考えられてよく、その結果、最初に形成すべき材料結合部（または複数の材料結合部）は、少なくとも部分的に金めっきが溶融することにより、ＡｕＧｅ１２共晶組成の共晶温度よりも高い融解温度を有することとなり、これにより生じる金属溶融物の融解温度は上昇する。

製造プロセスの実施形態によれば、一般的に、慎重に選択された順序でプロセスステップを実行することにより、ピンオフセットを調整することができる。この実施形態によれば、ピンまたは複数のピン６は、サブマウントまたは複数のサブマウント９を含むペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂをベース３に結合する前に、絶縁材料６０によって開口８内にシールされる。こうすることにより、ピンオフセットを、予め規定された値に調整することができる。特にこの場合、ピンオフセットｄ_１を「０」にすることもできる。したがって、１つの実施形態では、ピンはサブマウントに隣接していてよく、またはサブマウントにそれぞれ直接、接触してよい。ピンオフセットｄ_１は、できるだけ小さい方が望ましいので、これは特に有利である。しかしながら、これまでのところ、サブマウントへの損傷の危険なく、ピンオフセットｄ_１をゼロに設定することは極めて困難であることが実証されている。極めて簡単かつ迅速な方法では、ゼロのピンオフセットｄ_１は、最初にピンまたは複数のピン６を開口８内にシールし、続いて、既にサブマウントまたは複数のサブマウント９を備えたペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂをベース３に結合することによって調整することができる。

この実施形態によれば、開口８内のピンまたは複数のピン６の位置のすべての偏差を、ペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂの位置を調整することにより補償することができるので、任意の規定値にピンオフセットｄ_１を極めて簡単に調整することもできる。したがって、特定の例に限定されることなく、サブマウントを備えたペデスタルを、ベース３に取り付けることができ、これにより、ピン６に対するサブマウントの予め規定された距離を調整することができる。代替的に、サブマウントを備えたペデスタルをベースに取り付けることにより、サブマウント９とピン６との直接的な接触を形成することができる。

したがって、１つの実施形態によれば、ピンまたは複数のピン６は、開口８内で絶縁材料６０によってシールされるので、ピンまたは複数のピン６は、開口または複数の開口８内で位置固定され、ペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂをベース３に結合する前に、ベース３から電気的に絶縁される。

図７は、実施形態による２つのヘッダ１のさらなる部分断面図を示す。この場合、図７の下方の部分は、図２の部分断面図に示したヘッダ１の部分断面図を示している。さらに、ベース３の表面５８ならびに研削されたレベルまたは研削レベル１５０が示されている。ヘッダインピーダンスの極めて良好な最適な制御を達成するために、１つの実施形態によれば、さらなる処理において、シール材料、例えばガラスシール材料の表面を研削することが考えられる。これは、本開示によれば、ヘッダのベース３が、ブランクベースとして、すなわちペデスタル７をいっさい備えずに設けられていることにより可能である。研削が行われる場合には、ベース材料とシール材料６０とは両方とも、好適には同じプロセスで除去され、これにより、シール材料の表面、および結果として生じるベース表面５８ａ（すなわち、材料除去後のベース３の表面）は、同一平面となる。結果として生じた表面５８ａは、図７の上方部分に示されており、研削レベル１５０を有する、図７の下方部分に示したヘッダの研削により得られたヘッダ１の部分断面図が示されている。この場合、結果として生じた表面５８ａは、研削レベル１５０に対応しており、このシール材料表面と表面５８ａとが同一平面にあることに留意されたい。シール材料表面と表面５８ａとが同一平面にあることは、これにより、結果として生じるヘッダのインピーダンスの極めて良好な制御が、したがってより信頼性の高いパフォーマンスが達成され得るので、好ましい。

図８は、さらなる実施形態によるヘッダ１のさらなる部分断面図が示されており、ペデスタル７または複数のペデスタル７，７ａ，７ｂとヘッダのベース３とを別個の製造プロセスで形成することの技術的利点が示されている。すなわち、ベース３とペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂとが別個の製造プロセスで得られるならば、ペデスタルまたは複数のペデスタル７，７ａ，７ｂは、いくつかの利点を提供するさまざまなタイプの形状にすることができる。１つ以上のペデスタルの場合、ヘッダ１に設けられるすべてのペデスタルは同じ形状を有することができる；しかしながら、ヘッダ１は、異なる形状のペデスタル７，７ａ，７ｂを有することもできる。図８ａ）に示したヘッダ１に関しては、ペデスタル７は、シール材料６０が充填された開口８上で突出するように形成されている。これは、細いサブマウントまたは複数の細いサブマウント９が使用される場合には好適であり得る。さらに、少なくとも部分的に開口８上で突出するペデスタル７は好適には、シール材料６０およびベース３の研削と組み合わせることができる。したがって、図８の上側部分では、ベース３の表面は、結果として生じる表面５８ａ、すなわち、研削および／または研磨のような材料摩耗プロセス後に得られる表面であることが示されている。しかしながら、図８の上側部分に部分的に示されたようなヘッダ１に限定されることなく、一般的に、開口８上で突出するペデスタル７のような、ペデスタル７の特殊な形状は、当初のヘッダのベース表面５８を備えたヘッダ１と組み合わせることができる。

図８ｂ）では、ペデスタル７は、段部４８が形成されるような（ペデスタル段部４８）形状にされ、その結果、この図に示したように、断面図でＬ字型のペデスタル７が生じる。ペデスタル７は、ベース３の開口８から突出するように形成されているが、段部４８があるので、ヘッダのベース表面５８（または、ヘッダの表面が、研削または研磨のような材料除去プロセスで得られる場合には、５８ａ）とシール材料の表面との間にギャップ４９が形成される。ギャップ４９は、さらなる構成要素を収容するために、またはより大きな構成要素、例えば、モニタ用フォトダイオード（ＭＰＤ）のためのより大きなスペースを提供するために用いられてよい。

図８ｃ）には、ヘッダ１のさらに別の実施形態が部分断面図で示されている。この場合、ベース３の開口８は、段部３８（またはベース段部）が形成されるような形状にされ、この場合、ベース材料は、少なくとも部分的にシール材料６０にオーバラップしている。ヘッダのベース３のこのような形状は、回路補償として使用することができる。特に、この補償は、Ｃ－Ｌ－Ｃシーケンスであってよく、すなわち、容量エレメント、誘導エレメント、および別の容量エレメントのシーケンスであってよい。この場合、段部３８は、開口８に関して周方向の段部として形成されている。本出願はさらに、本開示の実施形態のいずれかによる方法で製造される、または製造可能であるヘッダ１、好適には本開示の実施形態のいずれかによるヘッダ１に関する。

１ ヘッダ
３ ベース
５ 電気フィードスルー
６ フィードスルーピン
７ ペデスタル
７ａ 第１のペデスタル
７ｂ 第２のペデスタル
８ 開口
９ サブマウント
１２ ギャップ
２３ はんだ接合部
２４ 材料結合部、ペデスタル結合部（または接合部）
２５ 結合膨出部
２６ キャビティ、結合貯留部
２７ 別の材料結合部、サブマウント結合部（または接合部）
３８ 段部、ベース段部
４０ 取り付け面
４２ 上面、ピン面
４８ 段部、ペデスタル段部
４９ ギャップ
５０ 縁部
５８ ベース３のベース前面、ベース３の表面
６０ 絶縁材料
９３ サブマウント９の側縁部
９４ サブマウント９の支持面
９５ サブマウント９の部品面
１４０ 矢印
１５０ 研削されたレベル、研削レベル
ｄ_１ ピンオフセット
ｄ_２ サブマウントオフセット
Ｔ_ｍ，ｈ 仮想溶融物の融解温度
ｃ_ｍ，ｈ 仮想溶融物の濃度

Claims (15)

1. ベース（３）および少なくとも１つのペデスタル（７，７ａ）を備える電子部品用のヘッダ（１）であって、
   前記ベース（３）は、少なくとも１つのフィードスルー（５）を有し、前記フィードスルー（５）は、前記ベース（３）を通って延びかつ前記ベース（３）から電気的に絶縁されているフィードスルーピン（６）を備え、
   前記少なくとも１つのペデスタル（７，７ａ）は、前記ベース（３）に接続され、前記ペデスタル（７）に接続されたサブマウント（９）を備え、
   前記ペデスタル（７，７ａ，７ｂ）は、前記ベース（３）にペデスタル材料結合部（２４）、好ましくはペデスタルろう付け接合部を介して接合されている、
   ヘッダ（１）。
2. 前記サブマウント（９）は、前記ペデスタル（７，７ａ）にサブマウント材料結合部（２７）、好ましくはサブマウントろう付け接合部を介して接合されている、
   請求項１記載のヘッダ（１）。
3. 前記ヘッダ（１）は、前記サブマウント（９）と前記ベース（３）の表面との間に形成される、最大で０．１ｍｍのサブマウントオフセット（ｄ_２）、および／または、前記フィードスルーピン（６）と前記サブマウント（９）の表面との間に形成される、最大で０．２ｍｍの、かつ好適には最小で０．０５ｍｍのピンオフセット（ｄ_１）を有している、
   請求項１または２記載のヘッダ（１）。
4. 前記ベース（３）の表面および／または前記ペデスタル（７）の取り付け面（４０）および／または前記ペデスタル（７，７ａ）のピン面（４２）および／または前記サブマウント（９）の支持面（９４）は、その結合領域（７０）で少なくとも部分的にＡｕめっきされている、
   請求項１から３までのいずれか１項記載のヘッダ（１）。
5. 少なくとも１つの材料結合部（２４，２７）は、ＡｕおよびＧｅおよび／またはＳｎを含む、
   請求項１から４までのいずれか１項記載のヘッダ（１）。
6. 前記ペデスタル（７，７ａ，７ｂ）は、面取り縁部または調和縁部のような縁部（５０）を有しており、これによりキャビティ（２６）が形成され、かつ／または、
   前記ペデスタル（７，７ａ，７ｂ）は、ペデスタル段部（４８）を有していて、これにより好適にはギャップ（４９）が形成されており、かつ／または、
   前記ペデスタル（７，７ａ，７ｂ）は、少なくとも部分的に開口（８）上で突出しており、かつ／または、
   前記ベース（３）は、ベース段部（３８）を有している、
   請求項１から５までのいずれか１項記載のヘッダ（１）。
7. 前記ヘッダ（１）は、前記ベース（３）に接続されているさらなるペデスタル（７ｂ）と、前記さらなるペデスタル（７ｂ）に接続されるサブマウント（９）と、を有しており、前記さらなるペデスタル（７ｂ）は、前記ベースに、さらなるペデスタル材料結合部（２４）を介して接合されており、前記さらなるペデスタル材料結合部（２４）は、前記ペデスタル（７，７ａ）と前記さらなるペデスタル（７ｂ）との間で同じ結合材料を有している、
   請求項１から６までのいずれか１項記載のヘッダ（１）。
8. 電子部品のためのヘッダ（１）、好適にはＴＯヘッダ（１）、特に好適には請求項１から７までのいずれか１項記載のヘッダ（１）を製造するための方法であって、以下のステップと、すなわち
   －開口（８）を備えたベース（３）であって、サブマウント（９）を収容するためのペデスタル（７，７ａ，７ｂ）を有していないベース（３）を形成するステップと、
   －少なくとも１つの前記開口（８）内にピン（６）を導入することによりフィードスルー（５）を形成し、前記開口（８）を絶縁材料（６０）によってシールし、これにより前記ピン（６）を前記開口（８）内に固定し、前記ベース（３）から電気的に絶縁するステップと、
   －オプションとして、前記ベース（３）の少なくとも結合領域（７０）に、薄い金層を少なくとも部分的に塗布するステップと、
   －ペデスタル（７，７ａ，７ｂ）を形成するステップと、
   －サブマウント（９）を設けるステップと、
   －オプションとして、前記ペデスタル（７，７ａ，７ｂ）のおよび／または前記サブマウント（９）の支持面（９４）の少なくとも結合領域に、薄い金層を少なくとも部分的に塗布するステップと、
   －前記ベース（３）に前記ペデスタル（７，７ａ，７ｂ）を結合し、好適にはろう付けし、これによりペデスタル材料結合部（２４）を形成するステップと、
   －前記ペデスタル（７，７ａ，７ｂ）に前記サブマウント（９）を結合し、好適にはろう付けし、これによりサブマウント材料結合部（２７）を形成するステップと、
   －オプションとして、前記ベース（３）の表面および／またはシール材料（６０）を研磨し、これにより好適には、結果として生じる前記ベース（３）の表面（５８ａ）およびシール材料（６０）を同レベルにするステップと、
   を含む方法。
9. 複数のペデスタル（７，７ａ，７ｂ）を、前記ベース（３）にろう付けし、これにより複数のペデスタル材料結合部（２４）を形成し、この場合、好適にはすべてのペデスタル材料結合部（２４）は同じ結合材料を有している、
   請求項８記載の方法。
10. 各ペデスタル（７，７ａ，７ｂ）にそれぞれ１つのサブマウント（９）を結合し、これにより複数のサブマウント材料結合部（２７）を形成し、この場合、好適にはすべてのサブマウント材料結合部（２７）は同じ結合材料を有している、
    請求項９記載の方法。
11. 前記方法は、以下の方法ステップ、すなわち、
    －前記ペデスタルまたは複数のペデスタル（７，７ａ，７ｂ）を前記ベース（３）に結合する前に、前記サブマウントまたは複数のサブマウント（９）を前記ペデスタルまたは複数のペデスタル（７，７ａ，７ｂ）に結合するステップと、
    －前記ペデスタルまたは複数のペデスタル（７，７ａ，７ｂ）を前記ベース（３）に結合する前に、前記ピンまたは複数のピン（６）を前記開口（８）内で絶縁材料（６０）によってシールするステップと、
    －前記サブマウント（９）を備えた前記ペデスタルを前記ベース（３）に取り付け、これにより、前記サブマウントから前記ピン（６）までの予め規定された距離を調整し、またはこれにより、前記サブマウント（９）と前記ピン（６）との直接的な接触を形成するステップと、
    のうちの少なくとも１つを特徴とする、
    請求項８から１０までのいずれか１項記載の方法。
12. サブマウント材料結合部または複数のサブマウント材料結合部（２７）は、金とゲルマニウムとを含み、ペデスタル材料結合部または複数のペデスタル材料結合部（２４）は、金とゲルマニウムおよび／または錫とを含む、
    請求項１１記載の方法。
13. 前記サブマウントまたは複数のサブマウント（９）を前記ペデスタルまたは複数のペデスタル（７，７ａ，７ｂ）に結合する前に、前記ペデスタルまたは複数のペデスタル（７，７ａ，７ｂ）を前記ベース（３）に結合する、
    請求項８から１０までのいずれか１項記載の方法。
14. ペデスタル材料結合部または複数のペデスタル材料結合部（２４）は、金とゲルマニウムとを含み、サブマウント材料結合部または複数のサブマウント材料結合部（２７）は、金とゲルマニウムおよび／または錫とを含む、
    請求項１３記載の方法。
15. 請求項８から１４までのいずれか１項記載の方法で製造されたかまたは製造可能なヘッダ（１）、好ましくは請求項１から７までのいずれか１項記載のヘッダ（１）。

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