JP2022040746A - Wafer processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、粘着テープと、環状フレームと、と一体化されてフレームユニットの一部となったウェーハを加工するウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method for processing a wafer that is integrated with an adhesive tape and an annular frame and becomes a part of a frame unit.
電子機器に搭載されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体材料で形成されたウェーハの表面に互いに交差する複数の分割予定ライン(ストリート)を設定する。そして、該分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれIC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイスを形成する。その後、ウェーハを裏面側から研削して薄化し、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割すると、複数のデバイスチップが得られる。 In the manufacturing process of device chips mounted on electronic devices, first, a plurality of planned division lines (streets) intersecting each other are set on the surface of a wafer formed of a semiconductor material. Then, devices such as ICs (Integrated Circuits) and LSIs (Large Scale Integration) are formed in each area partitioned by the planned division line. After that, the wafer is ground from the back surface side to make it thinner, and the wafer is divided along the planned division line to obtain a plurality of device chips.
ウェーハの分割には、環状の切削ブレードでウェーハを切削する切削装置等が用いられる(特許文献1参照)。切削ブレードは外周部に環状の切り刃を備え、切削ブレードを回転させて分割予定ラインに沿ってウェーハに切り込ませると、ウェーハに切削溝が形成される。 A cutting device or the like for cutting a wafer with an annular cutting blade is used for dividing the wafer (see Patent Document 1). The cutting blade is provided with an annular cutting blade on the outer peripheral portion, and when the cutting blade is rotated to cut into the wafer along the planned division line, a cutting groove is formed in the wafer.
なお、切削装置に搬入される前に、ウェーハの裏面側にはダイシングテープと呼ばれる粘着テープが貼着され、該粘着テープの外周部に金属等で形成された環状フレームの内周部が貼着され、フレームユニットが形成される。フレームユニットの一部となったウェーハが切削されて形成されたデバイスチップは、粘着テープにそのまま保持される。その後、環状フレームの開口の内側において粘着テープを径方向外側に拡張すると、個々のデバイスチップ間の間隔が広がり、デバイスチップのピックアップが容易となる。 An adhesive tape called a dicing tape is attached to the back surface side of the wafer before it is carried into the cutting device, and an inner peripheral portion of an annular frame made of metal or the like is attached to the outer peripheral portion of the adhesive tape. And the frame unit is formed. The device chip formed by cutting the wafer that became a part of the frame unit is held as it is on the adhesive tape. Subsequent expansion of the adhesive tape radially outward inside the opening of the annular frame widens the spacing between the individual device chips, facilitating pick-up of the device chips.
ウェーハを切削ブレードで切削すると、該ウェーハの表面の切削溝に接する端部にチッピングと呼ばれる欠けが生じる場合がある。そのため、ウェーハを分割して形成されるデバイスチップの端部にチッピングが残る場合がある。大きなチッピングがデバイスチップに形成されていると、該チッピングからクラックが進行してデバイスや配線層等に達する場合がある。そのため、不良品となるデバイスチップを予め排除するために、切削後のウェーハの表面を観察する検査工程が実施される。 When a wafer is cut with a cutting blade, a chip called chipping may occur at an end portion of the surface of the wafer in contact with a cutting groove. Therefore, chipping may remain at the end of the device chip formed by dividing the wafer. If a large chipping is formed on the device chip, cracks may progress from the chipping to reach the device, the wiring layer, or the like. Therefore, in order to eliminate device chips that are defective products in advance, an inspection process of observing the surface of the wafer after cutting is performed.
検査工程では、切削溝に沿ってウェーハの表面を観察し、許容される大きさ以上のチッピングの有無を検出する。そして、デバイスチップを不良品とするような大きさのチッピングが検出された際には、該チッピングが形成されたデバイスチップのウェーハにおける位置を記録しておく。そして、形成された複数のデバイスチップを粘着テープからピックアップする際に、記録された位置にある不良品となるデバイスチップをピックアップせず、良品のデバイスチップのみをピックアップする。 In the inspection process, the surface of the wafer is observed along the cutting groove to detect the presence or absence of chipping larger than the allowable size. Then, when a chipping having a size that makes the device chip a defective product is detected, the position of the device chip on which the chipping is formed is recorded on the wafer. Then, when the formed plurality of device chips are picked up from the adhesive tape, only the non-defective device chips are picked up without picking up the defective device chips at the recorded positions.
検査工程では、顕微鏡を備える検査装置に切削が完了したウェーハを作業者が搬送し、該作業者が該顕微鏡で該ウェーハの表面を観察する。そして、所定の大きさを超えるチッピングが検出されたとき、該チッピングが形成されたデバイスチップの位置を該作業者が記録する。 In the inspection step, a worker conveys a wafer that has been cut to an inspection device equipped with a microscope, and the worker observes the surface of the wafer with the microscope. Then, when chipping exceeding a predetermined size is detected, the operator records the position of the device chip on which the chipping is formed.
ウェーハの表面にはデバイスが行列状に形成され、該ウェーハを分割すると行列状に並ぶデバイスチップが粘着テープ上に形成される。そこで、不良品となるデバイスチップが検出された際、作業者は、該デバイスチップが行方向に何番目で列方向に何番目のデバイスチップであるかで特定し、該位置を記録する。 Devices are formed in a matrix on the surface of the wafer, and when the wafer is divided, device chips arranged in a matrix are formed on the adhesive tape. Therefore, when a defective device chip is detected, the operator identifies the device chip in the row direction and the device chip in the column direction, and records the position.
しかしながら、ウェーハの表面に形成されるデバイスが小型化し、形成されるデバイスの数が増大すると、不良品となったデバイスチップが行方向に何番目で列方向に何番目のデバイスチップであるかを正確に数える労力が指数関数的に増大する。また、不良品となったデバイスチップの位置の特定を誤り、正しくない位置が記録される可能性もある。さらに、記録された位置を基にピックアップしないデバイスチップを特定する作業において、位置を誤認して特定を誤るおそれもある。 However, as the devices formed on the surface of the wafer become smaller and the number of devices formed increases, the number of defective device chips in the row direction and the number in the column direction are determined. The effort to count accurately increases exponentially. In addition, there is a possibility that the position of the defective device chip may be specified incorrectly and the incorrect position may be recorded. Further, in the work of specifying the device chip that is not picked up based on the recorded position, there is a possibility that the position is misidentified and the specification is mistaken.
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハを分割して形成された個々のデバイスチップの位置を容易かつ正確に特定できるウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of easily and accurately specifying the position of each device chip formed by dividing a wafer. Is.
本発明の一態様によれば、第1の方向に沿った複数の第1の分割予定ライン及び該第1の方向に交差する第2の方向に沿った複数の第2の分割予定ラインが表面に設定され該第1の分割予定ライン及び該第2の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハを切削する切削ブレードを備えた切削ユニットと、を備える切削装置を用いて該ウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、環状フレームの内周部に外周部が貼着された粘着テープに該ウェーハの裏面側を貼着して形成されたフレームユニットを該チャックテーブルの上面上に載置し、該チャックテーブルで該ウェーハを該粘着テープを介して吸引保持し、該ウェーハの該表面側を露出し、該チャックテーブルを該上面に直交するテーブル回転軸の周りに回転させて該ウェーハの該第1の方向を該切削装置の加工送り方向に合わせる保持ステップと、回転する該切削ブレードを該ウェーハの外周側で該第1の分割予定ラインの延長線の上方に位置付け、該切削ブレードを下降させて該粘着テープに接触させ、該切削ブレード及び該チャックテーブルを相対的に該加工送り方向に移動させて該切削ブレードで該ウェーハを該第1の分割予定ラインに沿って切削し、該切削ブレードを上昇させるとの工程を繰り返して全ての該第1の分割予定ラインに沿って該ウェーハを切削する第1の切削ステップと、該チャックテーブルを該テーブル回転軸の周りに回転させて該ウェーハの該第2の方向を該加工送り方向に合わせる回転ステップと、全ての該第2の分割予定ラインに沿って該ウェーハを切削する第2の切削ステップと、を備え、該第1の切削ステップでは、該ウェーハの外周から外側に該第1の方向に伸長した複数の第1の標準接触痕と、該ウェーハの外周から外側に該第1の標準接触痕とは異なる長さで該第1の方向に伸長した複数の第1の目安接触痕と、を該切削ブレードで該粘着テープに形成し、互いに隣接する複数の該第1の目安接触痕の間には、2以上の第1の数の該第1の標準接触痕が形成されることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, a plurality of first scheduled division lines along the first direction and a plurality of second scheduled division lines along the second direction intersecting the first direction are surfaced. A chuck table that holds a wafer in which a device is formed in each region divided by the first scheduled split line and the second scheduled split line, and the wafer held in the chuck table are cut. A method of processing a wafer that divides the wafer into individual device chips using a cutting unit equipped with a cutting blade and a cutting device provided with a cutting blade, wherein the outer peripheral portion is attached to the inner peripheral portion of the annular frame. A frame unit formed by attaching the back surface side of the wafer to a tape is placed on the upper surface of the chuck table, and the wafer is sucked and held by the chuck table via the adhesive tape, and the wafer is held. A holding step that exposes the surface side and rotates the chuck table around a table rotation axis orthogonal to the top surface to align the first direction of the wafer with the machining feed direction of the cutting device, and the rotating cutting. The blade is positioned on the outer peripheral side of the wafer above the extension of the first scheduled division line, the cutting blade is lowered and brought into contact with the adhesive tape, and the cutting blade and the chuck table are relatively machined. The process of moving in the feed direction, cutting the wafer with the cutting blade along the first scheduled division line, and raising the cutting blade is repeated along all the first scheduled division lines. A first cutting step of cutting the wafer, a rotation step of rotating the chuck table around the table rotation axis to align the second direction of the wafer with the machining feed direction, and all the second steps. A second cutting step for cutting the wafer along the planned division line of the wafer, and in the first cutting step, a plurality of first cutting steps extending outward from the outer periphery of the wafer in the first direction. The standard contact marks and a plurality of first reference contact marks extending in the first direction from the outer periphery of the wafer to the outside with a length different from that of the first standard contact marks are adhered to the outside by the cutting blade. A method for processing a wafer, characterized in that two or more first number of the first standard contact marks are formed between a plurality of the first reference contact marks formed on a tape and adjacent to each other. Is provided.
好ましくは、複数の該第1の目安接触痕は、該第1の標準接触痕よりも長い。 Preferably, the plurality of the first reference contact marks are longer than the first standard contact marks.
または、好ましくは、該第2の切削ステップでは、回転する該切削ブレードを該ウェーハの外周側で該第2の分割予定ラインの延長線の上方に位置付け、該切削ブレードを下降させて該粘着テープに接触させ、該切削ブレード及び該チャックテーブルを相対的に該加工送り方向に移動させて該切削ブレードで該ウェーハを該第2の分割予定ラインに沿って切削し、該切削ブレードを上昇させるとの工程を繰り返して全ての該第2の分割予定ラインに沿って該ウェーハを切削し、該第2の切削ステップでは、該ウェーハの外周から外側に該第2の方向に伸長した複数の第2の標準接触痕と、該ウェーハの外周から外側に該第2の標準接触痕とは異なる長さで該第2の方向に伸長した複数の第2の目安接触痕と、を該切削ブレードで該粘着テープに形成し、互いに隣接する複数の該第2の目安接触痕の間には、2以上の第2の数の該第2の標準接触痕が形成される。 Alternatively, preferably, in the second cutting step, the rotating cutting blade is positioned on the outer peripheral side of the wafer above the extension of the second planned division line, and the cutting blade is lowered to lower the adhesive tape. When the cutting blade and the chuck table are relatively moved in the machining feed direction to cut the wafer along the second scheduled division line with the cutting blade and raise the cutting blade. The process is repeated to cut the wafer along all the second scheduled division lines, and in the second cutting step, a plurality of second portions extending outward from the outer periphery of the wafer in the second direction. With the cutting blade, the standard contact marks of the above and a plurality of second reference contact marks extending in the second direction from the outer periphery of the wafer to the outside with a length different from that of the second standard contact marks. Two or more second numbers of the second standard contact marks are formed between the plurality of second reference contact marks formed on the adhesive tape and adjacent to each other.
さらに好ましくは、複数の該第2の標準接触痕は、複数の該第1の標準接触痕と長さが同じであり、複数の該第2の目安接触痕は、複数の該第1の目安接触痕と長さが同じであり、該第2の数は、該第1の数と一致する。 More preferably, the plurality of the second standard contact marks have the same length as the plurality of the first standard contact marks, and the plurality of the second reference contact marks are a plurality of the first reference marks. The contact mark and the length are the same, and the second number matches the first number.
本発明の一態様によると、ウェーハを分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削する際、該ウェーハの外側で粘着テープに複数の接触痕が形成される。詳細には、標準接触痕と、該標準接触痕とは異なる長さの目安接触痕と、を粘着テープに形成する。ここで、目安接触痕は、標準接触痕が所定の数で並ぶ毎に配されるため、ウェーハの切削が完了した後、該ウェーハの表面を観察して検査工程を実施する際に、該目安接触痕を利用するとデバイスチップの位置を容易に特定できる。 According to one aspect of the present invention, when a wafer is cut along a planned division line by a cutting blade, a plurality of contact marks are formed on the adhesive tape on the outside of the wafer. Specifically, a standard contact mark and a reference contact mark having a length different from the standard contact mark are formed on the adhesive tape. Here, since the guideline contact marks are arranged every time the standard contact marks are lined up in a predetermined number, the guideline is used when the surface of the wafer is observed and the inspection process is carried out after the cutting of the wafer is completed. The position of the device chip can be easily identified by using the contact marks.
例えば、あるデバイスチップが行方向に何番目で列方向に何番目のデバイスチップであるかを特定する際、ウェーハの端部から該デバイスチップまでの間に並ぶすべての接触痕等の数を数えるのは手間がかかる。これに対して、ウェーハの端部側から該デバイスチップまでの間に並ぶ目安接触痕を数え、最も近い目安接触痕から該デバイスチップまでの間の標準接触痕の数を数える場合、数える対象となる接触痕の数を大幅に低減できる。 For example, when specifying the number of a device chip in the row direction and the number of the device chip in the column direction, the number of all contact marks and the like lined up from the end of the wafer to the device chip is counted. It takes time and effort. On the other hand, when counting the reference contact marks lined up from the end side of the wafer to the device chip and counting the number of standard contact marks between the nearest reference contact mark and the device chip, the counting target is used. The number of contact marks can be significantly reduced.
数える対象となる接触痕の数を低減できると接触痕の数を数える際にミスが生じにくくなるため、デバイスチップの位置の特定や、記録された位置のデバイスチップの特定が容易かつ正確に実施できる。 If the number of contact marks to be counted can be reduced, mistakes are less likely to occur when counting the number of contact marks, so it is easy and accurate to specify the position of the device chip and the device chip at the recorded position. can.
したがって、本発明の一態様により、ウェーハを分割して形成された個々のデバイスチップの位置を容易かつ正確に特定できるウェーハの加工方法が提供される。 Therefore, according to one aspect of the present invention, there is provided a method for processing a wafer in which the positions of individual device chips formed by dividing the wafer can be easily and accurately specified.
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、半導体でなるウェーハ等の被加工物を切削する切削装置を用いてウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法である。図1は、切削装置2を模式的に示す斜視図である。図2等には、ウェーハ1を模式的に示す斜視図が含まれている。また、図4には、切削装置2の内部に設けられた切削ユニット10を模式的に示す斜視図が含まれている。
An embodiment according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The wafer processing method according to the present embodiment is a wafer processing method for dividing a wafer into individual device chips by using a cutting device for cutting a workpiece such as a wafer made of a semiconductor. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a
まず、切削装置2について説明する。切削装置2は、各種の構成要素を外装カバー8で収容する本体4を備える。切削装置2の外装カバー8の前面には、各種の情報を表示する表示モニタと、作業者が各種の指令の入力に使用する入力インターフェースと、の機能を兼ねるタッチパネル付きディスプレイ6が設けられる。このタッチパネル付きディスプレイ6には、各種の指令を入力するための操作画面や、切削装置2の稼働状況、ウェーハ1等の被加工物を撮像して得られた撮像画像等が表示される。
First, the
外装カバー8の前側には、被加工物として複数のウェーハ1を収容するカセットが置かれるカセット載置台14が設けられる。切削装置2は、カセット載置台14に載せられたカセット(不図示)からウェーハ1を搬出する搬送ユニット(不図示)を備える。カセット載置台14は昇降可能であり、搬出の目的となるウェーハ1の高さが搬送ユニットの把持部の高さに合うように適宜昇降する。
On the front side of the
該搬送ユニットは、カセット載置台14に置かれたカセットに収容されたウェーハ1を該カセットから搬出し、外装カバー8の内部の領域に搬送する。外装カバー8の内部には、ウェーハ1を吸引保持するチャックテーブル12と、該チャックテーブル12に保持されたウェーハ1を切削する切削ユニット10と、が設けられている。
The transport unit carries out the
チャックテーブル12は、ウェーハ1と同等の径の多孔質部材を上面12aに備える。該多孔質部材は、図示しない吸引源に接続されている。ウェーハ1を該多孔質部材の上に載せ該吸引源を作動させると、ウェーハ1がチャックテーブル12に吸引保持される。また、チャックテーブル12の上面12aの外側には、後述の環状フレーム7(図2等参照)を把持する複数のクランプ12bが設けられる。
The chuck table 12 is provided with a porous member having the same diameter as the
図4には、切削ユニット10を模式的に示す斜視図が含まれている。切削ユニット10は、先端に切削ブレード18が装着されたスピンドル22を収容する筒状のスピンドルハウジング16を備える。このスピンドルハウジング16には、Y軸方向に対して概ね平行な回転軸となるスピンドル22が回転できるように収容される。
FIG. 4 includes a perspective view schematically showing the cutting
切削ブレード18は、アルミニウム等で形成された環状の基台18aと、該基台18aの外周部に固定された環状の切り刃18bと、を備える。切り刃18bは、例えば、ダイヤモンド等の砥粒を樹脂や金属等の結合材で固定することによって形成される。
The
スピンドル22の基端側には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されている。該回転駆動源を作動させると、スピンドル22とともに、該スピンドル22の先端側に装着された切削ブレード18が回転する。スピンドルハウジング16の先端側には、切削ブレード18を上方から覆うブレードカバー24が設けられている。ブレードカバー24は、スピンドルハウジング16の該先端側に固定されている。
A rotary drive source (not shown) such as a motor is connected to the base end side of the
ブレードカバー24の下端には、それぞれ、Y軸方向において切削ブレード18を挟むように配置される一対のノズル20が設けられている。ウェーハ1を切削する際には、この一対のノズル20から切削ブレード18やウェーハ1に切削水が供給される。切削水としては、例えば、水(純水)や、水に薬品を添加した液体等が使用される。
A pair of
切削装置2は、チャックテーブル12と、切削ユニット10と、を該チャックテーブル12の上面12aに平行な方向に相対的に移動できる移動機構を備える。該移動機構は、チャックテーブル12等をX軸方向(加工送り方向)に相対的に移動できるX軸方向移動機構(不図示)と、X軸方向に直交するY軸方向(割り出し送り方向)に相対的に移動できるY軸方向移動機構(不図示)と、により構成される。
The
また、切削装置2は、切削ユニット10をX軸方向及びY軸方向に垂直なZ軸方向に沿って昇降させる昇降機構(不図示)を備える。X軸方向移動機構、Y軸方向移動機構、及び昇降機構は、例えば、ボールねじ式の移動機構により実現される。
Further, the
次に、切削装置2で切削されるウェーハ1について説明する。図2には、ウェーハ1を模式的に示す斜視図が含まれている。ウェーハ1は、例えば、シリコン(Si)、シリコンカーバイド(SiC)、ガリウムナイトライド(GaN)、または、その他の半導体材料で形成された円板状のウェーハである。または、ウェーハ1は、タンタル酸リチウム(LT)及びニオブ酸リチウム(LN)等の複酸化物等の材料で形成されてもよい。
Next, the
ウェーハ1の表面1aには、第1の方向Aに沿った複数の第1の分割予定ライン3a及び該第1の方向Aに交差する第2の方向Bに沿った複数の第2の分割予定ライン3bが設定される。そして、第1の分割予定ライン3a及び第2の分割予定ライン3bによって区画されるウェーハ1の表面1aの各領域にそれぞれIC、LSI等のデバイス5が形成される。そして、ウェーハ1を分割予定ライン3a,3bに沿って分割すると、個々のデバイスチップを形成できる。
On the
なお、ウェーハ1はシリコン等の半導体材料でなる円形のウェーハ以外でもよく、ウェーハ1の材質、形状、構造等に制限はない。本実施形態に係るウェーハの加工方法では、例えば、セラミックス、樹脂、金属、各種のガラス等の材料でなる矩形の基板を切削してもよい。また、デバイス5の種類、数量、配置等にも制限はない。
The
ウェーハ1の裏面1b側には、環状フレーム7の内周部に外周部が貼着された粘着テープ9が予め貼着される。すなわち、ウェーハ1は、粘着テープ9と、環状フレーム7と、と一体化され、フレームユニット11の一部となる。そして、ウェーハ1は、フレームユニット11の状態でカセットに収容され切削装置2に搬入され、切削される。
An
ウェーハ1を切削ブレード18で切削する際には、切り刃18bの下端が粘着テープ9の上面と、下面と、の間の高さ位置に達するように切削ユニット10の高さ位置が調整される。そして、回転する切削ブレード18を分割予定ライン3a,3bに沿ってウェーハ1に切り込ませて該ウェーハ1を切削すると、切削溝13(図4参照)がウェーハ1に形成されて、該ウェーハ1が分割される。
When cutting the
このとき、形成された個々のデバイスチップが粘着テープ9上にそのまま保持される。そのため、フレームユニット11を形成するとウェーハ1から形成された個々のデバイスチップの取り扱いが容易となる。さらに、ウェーハ1を切削した後、環状フレーム7の開口7aの内側で粘着テープ9を径方向外側に拡張すると形成されたデバイスチップの間隔が広げられ、個々のデバイスチップの粘着テープ9からのピックアップが容易となる。
At this time, the formed individual device chips are held as they are on the
ところで、ウェーハ1を切削ブレード18で切削すると、ウェーハ1の表面1aの切削溝13に接する端部にチッピングと呼ばれる欠けが生じる場合がある。そのため、ウェーハ1を分割して形成されるデバイスチップの端部にチッピングが残る場合がある。大きなチッピングがデバイスチップに形成されていると、該チッピングからクラックが進行してデバイスや配線層等に達する場合がある。そのため、不良品となるデバイスチップを予め排除するために、切削後のウェーハ1の表面1aを観察する検査工程が実施される。
By the way, when the
ウェーハ1の表面1aにはデバイス5が行列状に形成され、該ウェーハ1を分割すると行列状に並ぶデバイスチップが粘着テープ9上に形成される。デバイスチップを不良品とするような大きさのチッピングが検出された際には、該チッピングが形成されたデバイスチップのウェーハ1における位置を記録しておく。
ここで、不良品となったデバイスチップが行方向に何番目で列方向に何番目のデバイスチップであるかを正確に数える際、大きな労力を必要とする。その上、不良品となったデバイスチップの位置の特定を誤り、正しくない位置が記録される可能性もある。さらに、記録された位置を基にピックアップしないデバイスチップを特定する作業において、特定を誤るおそれもある。 Here, a great deal of effort is required to accurately count the number of the defective device chip in the row direction and the number in the column direction. In addition, the position of the defective device chip may be misidentified and the incorrect position may be recorded. Further, in the work of identifying the device chip that is not picked up based on the recorded position, there is a possibility that the identification may be erroneous.
そこで、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハが分割されて形成された複数のデバイスチップのうち特定のデバイスチップの位置を容易に特定できるように、粘着テープ9に形成される切削ブレード18の接触痕に工夫を施す。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。図6は、本実施形態に係るウェーハの加工方法の各ステップの流れを模式的に示すフローチャートである。
Therefore, in the wafer processing method according to the present embodiment, the cutting blade formed on the
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、ウェーハ1を含むフレームユニット11を切削装置2に搬入してチャックテーブル12の上面12a上に載置し、チャックテーブル12でウェーハ1を吸引保持する保持ステップS10を実施する。図3は、チャックテーブル12で吸引保持されたウェーハ1を含むフレームユニット11を模式的に示す斜視図である。図3では、チャックテーブル12のクランプ12bが省略されている。
In the wafer processing method according to the present embodiment, first, the
保持ステップS10では、クランプ12bで環状フレーム7を挟持し、粘着テープ9を介してウェーハ1をチャックテーブル12で吸引保持して、ウェーハ1の表面1a側を上方に露出する。その後、チャックテーブル12を上面12aに垂直なテーブル回転軸の周りに回転させ、ウェーハ1の第1の方向Aに沿った第1の分割予定ライン3aを切削装置2における加工送り方向であるX軸方向に合わせる。
In the holding step S10, the
保持ステップS10の次には、全ての第1の分割予定ライン3aに沿って該ウェーハ1を切削する第1の切削ステップS20を実施する。図4は、第1の切削ステップS20を模式的に示す斜視図である。第1の切削ステップS20では、まず、スピンドル22を回転させて、該スピンドル22の先端に装着された切削ブレード18を毎分約3万回転程度の回転数で回転させる。
Following the holding step S10, a first cutting step S20 for cutting the
そして、ウェーハ1を保持するチャックテーブル12(図4において不図示)と、切削ユニット10と、を移動させ、回転する切削ブレード18の切り刃18bをウェーハ1の外周側で第1の分割予定ライン3aの延長線の上方に位置付ける。
Then, the chuck table 12 (not shown in FIG. 4) for holding the
そして、昇降機構を作動させて切削ユニット10を下降させることで切削ブレード18を下降させ、該切削ブレード18を粘着テープ9に接触させる。このとき、回転する切削ブレード18の切り刃18bが粘着テープ9に切り込み、粘着テープ9に接触痕が形成される。なお、切削ユニット10の高さは、切り刃18bの下端が粘着テープ9の上面と下面の間の高さ位置に位置付けられる高さとされる。
Then, by operating the elevating mechanism to lower the
次に、X軸方向移動機構を作動させて、チャックテーブル12と、切削ユニット10と、を加工送りする。すなわち、切削ブレード18及びチャックテーブル12を相対的にX軸方向(加工送り方向)に移動させて切削ブレード18でウェーハ1を第1の分割予定ライン3aに沿って切削する。このとき、ウェーハ1には第1の分割予定ライン3aに沿った切削溝13が形成され、該ウェーハ1が該切削溝13で分割される。
Next, the chuck table 12 and the cutting
ウェーハ1を切削した切削ブレード18は、該ウェーハ1を十分に切削するために該ウェーハ1を過ぎたところで停止させる。そのため、ウェーハ1の外側においても粘着テープ9に切削ブレード18が切り込み、接触痕が形成される。その後、切削ブレード18を上昇させる。
The
第1の切削ステップS20では、全ての第1の分割予定ライン3aに沿ってウェーハ1を切削するために、この一連の工程を繰り返す。すなわち、切削ブレード18の切り刃18bをウェーハ1の外周側で次の第1の分割予定ライン3aの延長線の上方に位置付け、切削ブレード18を下降させる。そして、切削ブレード18でウェーハ1を切削し、切削ブレード18を上昇させる。こうして、全ての該第1の分割予定ライン3aに沿ってウェーハ1が切削されると、第1の切削ステップS20が完了する。
In the first cutting step S20, this series of steps is repeated in order to cut the
次に、チャックテーブル12を該テーブル回転軸の周りに回転させてウェーハ1の該第2の方向Bを切削装置2のX軸方向(加工送り方向)合わせる回転ステップS30を実施する。その後、第1の切削ステップS20と同様に、全ての第2の分割予定ライン3bに沿ってウェーハ1を切削する第2の切削ステップS40を実施する。
Next, a rotation step S30 is performed in which the chuck table 12 is rotated around the table rotation axis to align the second direction B of the
すなわち、第2の切削ステップS40では、回転する切削ブレード18をウェーハ1の外周側で第2の分割予定ライン3bの延長線の上方に位置付け、切削ブレード18を下降させて粘着テープ9に接触させる。そして、切削ブレード18及び該チャックテーブル12を相対的にX軸方向(加工送り方向)に移動させて切削ブレード18でウェーハ1を第2の分割予定ライン3bに沿って切削し、該切削ブレード18を上昇させる。この一連の工程を繰り返し、全ての第2の分割予定ライン3bに沿ってウェーハ1を切削する。
That is, in the second cutting step S40, the
そして、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、第1の切削ステップS20と、第2の切削ステップS40と、においてウェーハ1の外側で粘着テープ9に形成される接触痕の長さに工夫を施す。すなわち、作業者が区別可能となるような長さの異なる2種類の接触痕を所定の配置で粘着テープ9に形成する。
Then, in the wafer processing method according to the present embodiment, the length of the contact marks formed on the
接触痕の長さは、ウェーハ1を切削する際に切削ブレード18を下降させる位置により制御可能である。例えば、ウェーハ1から比較的離れた位置で切削ブレード18を下降させると比較的長い接触痕が形成され、ウェーハ1から比較的近い位置で切削ブレード18を下降させると比較的短い接触痕が形成される。
The length of the contact mark can be controlled by the position where the
一般的に、切削ブレード18を安定的な加工条件でウェーハ1に切り込ませるために、ウェーハ1に切り込む手前で所定の加工送り速度となるようにチャックテーブル12等を加速させる必要がある。そのため、必要な助走距離でウェーハ1から離れた外側の位置で切削ブレード18を粘着テープ9に下降させる必要がある。
Generally, in order to cut the
その一方で、必要な助走距離を大きく超えてウェーハ1から離れた外側の位置で切削ブレード18を粘着テープ9に下降させると、チャックテーブル12等が所定の加工送り速度となった後、ウェーハ1に切削ブレード18が切り込むまで長い時間が生じてしまう。すなわち、ウェーハ1から大きく離れた位置で切削ブレード18を下降させると、ウェーハ1の切削を完了するのに長く時間がかかり、加工効率が低下してしまう。
On the other hand, when the
そのため、ウェーハ1は、必要な助走距離を僅かに超えた位置で切削ブレード18を粘着テープ9に下降させるのが一般的である。したがって、分割予定ライン3a,3bの長さやウェーハ1における位置に関わらず粘着テープ9に形成される切削ブレード18の接触痕の長さは略同一となる傾向にあり、作業者が接触痕を視認して区別することは困難である。
Therefore, in the
そこで、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、一部の分割予定ライン3a,3bを切削ブレード18で切削する際に助走距離を大きく確保し、他の接触痕と区別可能な接触痕を粘着テープ9に形成する。
Therefore, in the wafer processing method according to the present embodiment, a large approach distance is secured when cutting a part of the planned
図5は、切削ブレード18で切削されたウェーハ1を模式的に示す上面図である。図5に示す通り、ウェーハ1の外周1cの外側の粘着テープ9には、比較的長い接触痕と、比較的短い接触痕と、が規則的に配される。例えば、この比較的長い接触痕を目安接触痕17と呼び、比較的に短い接触痕を標準接触痕15と呼ぶこととする。ただし、目安接触痕17と、標準接触痕15と、の長さはこれに限定されず、目安接触痕17の方が比較的短く、標準接触痕15の方が比較的長くてもよい。
FIG. 5 is a top view schematically showing the
ここで、目安接触痕17と、標準接触痕15と、の配置について説明する。粘着テープ9には、標準接触痕15が所定の数で並んだ後に目安接触痕17が配され、また、標準接触痕15が所定の数で並んだ後に次の目安接触痕17が配される。図5に示す例では、互いに隣接する複数の目安接触痕17の間には、4つの標準接触痕15が配されている。そして、切削溝13で分割されたウェーハ1から形成された個々のデバイスチップ19の位置は、標準接触痕15及び目安接触痕17を数えることで容易かつ正確に特定できる。
Here, the arrangement of the
例えば、図5におけるデバイスチップ21は、第1の方向Aにおいて2番目の目安接触痕17で示される切削溝13に隣接しており、第2の方向Bにおいて1番目の目安接触痕17で示される切削溝13に隣接している。1番目の目安接触痕17は5番目の接触痕として数えられ、2番目の目安接触痕17は10番目の接触痕として数えられる。したがって、デバイスチップ21の位置は、第1の方向Aにおいて10番目、第2の方向Bにおいて5番目となる。
For example, the device tip 21 in FIG. 5 is adjacent to the cutting
ここで、粘着テープ9に形成される接触痕が互いに区別のつかない態様である場合、デバイスチップ21の位置を特定するために、第1の方向Aに沿って10本の接触痕と、第2の方向Bに沿って5本の接触痕と、の数を数えることとなる。その一方で、目安接触痕17が粘着テープ9に形成されていると、第1の方向Aに沿って2本の目安接触痕17と、第2の方向Bに沿って1本の目安接触痕17と、の数を数えるだけでデバイスチップ21の位置を特定できる。
Here, when the contact marks formed on the
また、例えば、図5におけるデバイスチップ23は、第1の方向Aにおいて3番目の目安接触痕17で示される切削溝13に隣接しており、第2の方向Bにおいて1番目の目安接触痕17から数えて2番目の標準接触痕15で示される切削溝13に隣接している。したがって、デバイスチップ23の位置は、第1の方向Aにおいて15番目であり、第2の方向Bにおいては5に2を加えた7番目となる。
Further, for example, the
ここで、粘着テープ9に形成される接触痕が互いに区別のつかない態様である場合、デバイスチップ23の位置を特定するために、第1の方向Aに沿って15本の接触痕と、第2の方向Bに沿って7本の接触痕と、の数を数えることとなる。その一方で、目安接触痕17が粘着テープ9に形成されていると、第1の方向Aに沿って3本の目安接触痕17と、第2の方向Bに沿って1本の目安接触痕17及び2本の標準接触痕15と、の数を数えるだけでデバイスチップ23の位置を特定できる。
Here, when the contact marks formed on the
このように、本実施形態に係るウェーハの加工方法によると、ウェーハ1の外周1cの外側において、複数の標準接触痕15及び複数の目安接触痕17が規則的な位置で粘着テープ9に形成される。この標準接触痕15と、目安接触痕17と、が外観において区別可能であるため、ウェーハ1に形成されたデバイスチップの位置を容易且つ正確に特定できる。
As described above, according to the wafer processing method according to the present embodiment, a plurality of standard contact marks 15 and a plurality of reference contact marks 17 are formed on the
近年、デバイスチップの小型化の傾向が著しく、ウェーハ1に100本程度の第1の分割予定ライン3aと、100本程度の第2の分割予定ライン3bと、が設定される場合がある。このように、分割予定ライン3a,3bの数が増大する程、デバイスチップの位置を特定する際に数える接触痕の数を低減できることの利点は顕著となる。
In recent years, there has been a remarkable tendency for device chips to be miniaturized, and there are cases where about 100 first scheduled
なお、第1の方向Aに沿った第1の分割予定ライン3aから延長された接触痕と、第2の方向Bに沿った第2の分割予定ライン3bから延長された接触痕と、のいずれにおいても2種類の接触痕を作り分ける必要はない。第1の方向Aと、第2の方向Bと、の一方だけにおいても粘着テープ9に形成される接触痕を2つの種類の長さで作り分けると、デバイスチップの位置を特定する際に接触痕等の数を数える手間を低減できる。
Either a contact mark extended from the first scheduled
また、2つの互いに隣接する目安接触痕17の間に4つの標準接触痕15が配される場合について説明したが、2つの互いに隣接する目安接触痕17の間に配される標準接触痕15の数はこれに限定されない。ただし、目安接触痕17の数が多くなりすぎると数を数える手間を大きく低減できなくなるため、例えば、2つの互いに隣接する目安接触痕17の間に配される標準接触痕15の数は、2以上であることが好ましい。 Further, the case where the four standard contact marks 15 are arranged between the two adjacent reference contact marks 17 has been described, but the standard contact marks 15 arranged between the two adjacent reference contact marks 17 have been described. The number is not limited to this. However, if the number of the reference contact marks 17 becomes too large, the time and effort for counting the numbers cannot be greatly reduced. Therefore, for example, the number of the standard contact marks 15 arranged between the two reference contact marks 17 adjacent to each other is 2. The above is preferable.
さらに、2つの互いに隣接する目安接触痕17の間に配される標準接触痕15の数は、4、9、19、24のいずれかとすることがより好ましい。この数であると、目安接触痕17の1本が示す接触痕の数が5、10、20、25のいずれかとなり、目的のデバイスチップの位置を特定する際に作業者が接触痕の数を計算しやすくなる。 Further, the number of standard contact marks 15 arranged between the two adjacent reference contact marks 17 is more preferably any one of 4, 9, 19, and 24. With this number, the number of contact marks indicated by one of the reference contact marks 17 is any of 5, 10, 20, and 25, and the operator can specify the number of contact marks when specifying the position of the target device chip. Will be easier to calculate.
また、図5を用いて第1の分割予定ライン3aの数と、第2の分割予定ライン3bの数と、が一致し、互いに隣接する第1の分割予定ライン3aの間隔と、互いに隣接する第2の分割予定ライン3bの間隔が一致する場合について説明した。また、図5には、第1の分割予定ライン3aと、第2の分割予定ライン3bと、が互いに直交する場合が示されている。しかしながら、本実施形態に係るウェーハの加工方法で加工されるウェーハ1は、これに限定されない。
Further, using FIG. 5, the number of the first scheduled
例えば、形成されるデバイスチップ19は、正方形ではなく、長方形、ひし形、または、平行四辺形となってもよい。すなわち、第1の分割予定ライン3aと、第2の分割予定ライン3bと、は、互いに直交していなくてもよく、間隔が一致していなくてもよい。
For example, the
そして、2つの互いに隣接する目安接触痕17の間に配される標準接触痕15の数は、第1の方向Aと、第2の方向Bと、で一致している必要はない。形成されるデバイスチップ19の形状に基づいて、第1の方向Aと、第2の方向Bと、のそれぞれにおいて数えやすい数で目安接触痕17及び標準接触痕15の配置が決定されるとよい。
The number of standard contact marks 15 arranged between the two adjacent reference contact marks 17 need not be the same in the first direction A and the second direction B. Based on the shape of the
ただし、特にデバイスチップ19が正方形である場合、2つの互いに隣接する目安接触痕17の間に配される標準接触痕15の数が第1の方向Aと、第2の方向Bと、で一致していると、作業者がデバイスチップ19の位置を特定する上で混乱が少なくなる。
However, especially when the
さらに、図5では、目安接触痕17が標準接触痕15よりも長い場合について主に説明したが、標準接触痕15は、目安接触痕17よりも長くてもよい。ただし、相対的に少ない数で形成される目安接触痕17が標準接触痕15よりも長い場合、切削ブレード18の必要な助走距離を超えた接触痕が比較的少なく粘着テープ9に形成されることとなる。そのため、ウェーハ1の切削の所要時間が比較的短くなる。
Further, in FIG. 5, the case where the
なお、粘着テープ9に形成される複数の標準接触痕15は長さが統一されている必要はなく、粘着テープ9に形成される複数の目安接触痕17も長さが統一されている必要はない。標準接触痕15及び目安接触痕17の長さは、それぞれが形成される位置等に基づいて調整されてもよい。標準接触痕15と、目安接触痕17と、が互いに区別可能な程度に長さが異なるのであれば十分であり、それぞれの長さが統一されている必要はない。
It should be noted that the plurality of standard contact marks 15 formed on the
また、目安接触痕17の長さは、標準接触痕15と外観上で区別可能な程度に標準接触痕15の長さと異なればよい。例えば、目安接触痕17の長さは、該目安接触痕17に隣接する標準接触痕15の長さの2倍以上の長さ、または、半分以下の長さであることが好ましい。
Further, the length of the
さらに、標準接触痕15と長さの異なる目安接触痕17は、ウェーハ1の加工送り方向の手前側と、後方側と、のいずれか一方のみも形成されてもよい。この場合、両方に目安接触痕17が形成される場合と比較して粘着テープ9に形成される長い接触痕の数を低減できるため、ウェーハ1の切削に要する時間が比較的短くなる。
Further, the reference contact marks 17 having different lengths from the standard contact marks 15 may be formed on either the front side or the rear side in the machining feed direction of the
その一方で、標準接触痕15と長さの異なる目安接触痕17は、ウェーハ1の加工送り方向の手前側と、後方側と、の両方に形成されてもよい。この場合、位置を特定したいデバイスチップ19に近い目安接触痕17を選択して参照して接触痕の数を数えられるため、作業者の視線の移動が少なくて済み、該作業者による位置の特定の精度を向上できる。
On the other hand, the reference contact marks 17 having different lengths from the standard contact marks 15 may be formed on both the front side and the rear side in the machining feed direction of the
なお、ウェーハ1の加工送り方向の手前側に目安接触痕17を形成する場合、チャックテーブル12等を所定の速度に加速するのに必要な助走距離よりもウェーハ1から離れた位置で切削ブレード18を粘着テープ9に下降させる。その一方で、ウェーハ1の加工送り方向の後方側に目安接触痕17を形成する場合、切削ブレード18がウェーハ1を切削し終えた後、チャックテーブル12等を停止させるのに必要な制動距離よりもウェーハ1から離れた位置で切削ブレード18を上昇させる。
When the
ここで、ウェーハ1を切削ブレード18で切削する際、ウェーハ1の下方においても切削ブレード18は粘着テープ9に切り込む。そのため、ウェーハ1に形成される切削溝13と重なる領域においても粘着テープ9に接触痕が形成される。標準接触痕15及び目安接触痕17は、切削ブレード18が粘着テープ9に下降して、ウェーハ1を切削して、粘着テープ9から上昇するまでの間に該粘着テープ9に形成される連続した接触痕のウェーハ1の外周1cよりも外側の部分をいう。
Here, when the
換言すると、ウェーハ1を一つの分割予定ライン3a,3bで切削する際に粘着テープ9に形成される一連の接触痕は、標準接触痕15又は目安接触痕17と、ウェーハ1の外周1cよりも内側の部分と、を含む。そして、標準接触痕15又は目安接触痕17と、ウェーハ1の外周1cよりも内側の該部分と、は連続している。
In other words, the series of contact marks formed on the
以上の説明をまとめると、第1の切削ステップS20では、ウェーハ1の外周1cから外側に第1の方向Aに伸長した複数の第1の標準接触痕15を切削ブレード18で粘着テープ9に形成する。また、ウェーハ1の外周1cから外側に該第1の標準接触痕15とは異なる長さで第1の方向Aに伸長した複数の第1の目安接触痕17を切削ブレード18で粘着テープ9に形成する。そして、互いに隣接する複数の第1の目安接触痕17の間には、2以上の第1の数の第1の標準接触痕15を形成する。
To summarize the above description, in the first cutting step S20, a plurality of first standard contact marks 15 extending outward from the outer peripheral 1c of the
第2の切削ステップS40では、ウェーハ1の外周1cから外側に第2の方向Bに伸長した複数の第2の標準接触痕15を切削ブレード18で粘着テープ9に形成する。また、ウェーハ1の外周1cから外側に該第2の標準接触痕15とは異なる長さで第2の方向Bに伸長した複数の第2の目安接触痕17を切削ブレード18で粘着テープ9に形成する。そして、互いに隣接する複数の第2の目安接触痕17の間には、2以上の第2の数の第2の標準接触痕15を形成する。
In the second cutting step S40, a plurality of second standard contact marks 15 extending outward from the outer peripheral 1c of the
ここで、複数の該第2の標準接触痕15は複数の該第1の標準接触痕15と長さが同じであり、複数の該第2の目安接触痕17は複数の該第1の目安接触痕17と長さが同じであり、該第2の数は該第1の数と一致するとよい。この場合、フレームユニット11の全体を通して標準接触痕15と目安接触痕17の特徴が統一されるため、デバイスチップの位置を特定するために接触痕の数を数える作業者の作業精度が高まる。
Here, the plurality of the second standard contact marks 15 have the same length as the plurality of the first standard contact marks 15, and the plurality of the second reference contact marks 17 are the plurality of the first reference marks. It is preferable that the length is the same as that of the
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、ウェーハ1の外周1cよりも外側の部分において、標準接触痕15と、目安接触痕17と、の長さの異なる2種類の接触痕が粘着テープ9に形成される場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。すなわち、粘着テープ9のウェーハ1の外周1cよりも外側の部分では、3種類以上の接触痕が形成されてもよい。
The present invention is not limited to the description of the above embodiment, and can be modified in various ways. For example, in the above embodiment, when two types of contact marks having different lengths, a
例えば、標準接触痕15と、目安接触痕17と、に加え、該標準接触痕15及び該目安接触痕17と長さの異なる特別目安接触痕が粘着テープ9に形成されてもよい。例えば、目安接触痕17が標準接触痕15の2倍程度の長さで形成される場合において、この特別目安接触痕は、標準接触痕15の3倍程度の長さで形成されるとよい。
For example, in addition to the
そして、例えば、第1の方向A又は第2の方向Bにおいて、4本の標準接触痕15が並ぶ次に1本の目安接触痕17を配し、さらに4本の標準接触痕15が並ぶ次に1本の特別目安接触痕を配する。これを繰り替えして粘着テープ9に接触痕を形成した場合、目安接触痕17が5本の接触痕の存在を示し、特別目安接触痕が10本の接触痕の存在を示すこととなる。
Then, for example, in the first direction A or the second direction B, four standard contact marks 15 are lined up, then one
具体的には、位置を特定したいデバイスチップが第1の方向Aに沿って6本の特別目安接触痕の次に現れる目安接触痕17から数えて3番目の標準接触痕15に隣接する場合、該デバイスチップの位置は、第1の方向Aにおいて68番目であることがわかる。このように3種類以上の接触痕が粘着テープ9に形成されていると、作業者がデバイスチップの位置をより容易かつ確実に検出できる。
Specifically, when the device chip whose position is to be specified is adjacent to the third
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structure, method, and the like according to the above-described embodiment can be appropriately modified and implemented as long as they do not deviate from the scope of the object of the present invention.
1 ウェーハ
1a 表面
1b 裏面
1c 外周
3a,3b 分割予定ライン
5 デバイス
7 環状フレーム
7a 開口
9 粘着テープ
11 フレームユニット
13 切削溝
15 標準接触痕
17 目安接触痕
19,21,23 デバイスチップ
2 切削装置
4 本体
6 タッチパネル付きディスプレイ
8 外装カバー
10 切削ユニット
12 チャックテーブル
12a 上面
12b クランプ
14 カセット載置台
16 スピンドルハウジング
18 切削ブレード
18a 基台
18b 切り刃
20 ノズル
22 スピンドル
24 ブレードカバー
1
Claims (4)
環状フレームの内周部に外周部が貼着された粘着テープに該ウェーハの裏面側を貼着して形成されたフレームユニットを該チャックテーブルの上面上に載置し、該チャックテーブルで該ウェーハを該粘着テープを介して吸引保持し、該ウェーハの該表面側を露出し、該チャックテーブルを該上面に直交するテーブル回転軸の周りに回転させて該ウェーハの該第1の方向を該切削装置の加工送り方向に合わせる保持ステップと、
回転する該切削ブレードを該ウェーハの外周側で該第1の分割予定ラインの延長線の上方に位置付け、該切削ブレードを下降させて該粘着テープに接触させ、該切削ブレード及び該チャックテーブルを相対的に該加工送り方向に移動させて該切削ブレードで該ウェーハを該第1の分割予定ラインに沿って切削し、該切削ブレードを上昇させるとの工程を繰り返して全ての該第1の分割予定ラインに沿って該ウェーハを切削する第1の切削ステップと、
該チャックテーブルを該テーブル回転軸の周りに回転させて該ウェーハの該第2の方向を該加工送り方向に合わせる回転ステップと、
全ての該第2の分割予定ラインに沿って該ウェーハを切削する第2の切削ステップと、を備え、
該第1の切削ステップでは、該ウェーハの外周から外側に該第1の方向に伸長した複数の第1の標準接触痕と、該ウェーハの外周から外側に該第1の標準接触痕とは異なる長さで該第1の方向に伸長した複数の第1の目安接触痕と、を該切削ブレードで該粘着テープに形成し、
互いに隣接する複数の該第1の目安接触痕の間には、2以上の第1の数の該第1の標準接触痕が形成されることを特徴とするウェーハの加工方法。 A plurality of first scheduled split lines along the first direction and a plurality of second scheduled split lines along the second direction intersecting the first direction are set on the surface and the first scheduled split line is set. A chuck table holding a wafer in which a device is formed in each region partitioned by a line and a second scheduled division line, and a cutting unit provided with a cutting blade for cutting the wafer held in the chuck table. A method for processing a wafer, which divides the wafer into individual device chips using a cutting device provided with.
A frame unit formed by attaching the back surface side of the wafer to an adhesive tape having an outer peripheral portion attached to the inner peripheral portion of the annular frame is placed on the upper surface of the chuck table, and the wafer is placed on the chuck table. Is sucked and held through the adhesive tape, the surface side of the wafer is exposed, and the chuck table is rotated around a table rotation axis orthogonal to the upper surface to cut the first direction of the wafer. A holding step that matches the machining feed direction of the device,
The rotating cutting blade is positioned on the outer peripheral side of the wafer above the extension of the first scheduled division line, the cutting blade is lowered and brought into contact with the adhesive tape, and the cutting blade and the chuck table are relative to each other. The process of moving the wafer in the machining feed direction, cutting the wafer along the first scheduled division line with the cutting blade, and raising the cutting blade is repeated to complete the first division schedule. The first cutting step of cutting the wafer along the line,
A rotation step of rotating the chuck table around the table rotation axis to align the second direction of the wafer with the machining feed direction.
A second cutting step, in which the wafer is cut along all the second scheduled split lines, is provided.
In the first cutting step, a plurality of first standard contact marks extending outward from the outer circumference of the wafer in the first direction are different from the first standard contact marks extending outward from the outer circumference of the wafer. A plurality of first reference contact marks extending in the first direction in length are formed on the adhesive tape with the cutting blade.
A method for processing a wafer, characterized in that two or more first numbers of the first standard contact marks are formed between a plurality of the first reference contact marks adjacent to each other.
該第2の切削ステップでは、該ウェーハの外周から外側に該第2の方向に伸長した複数の第2の標準接触痕と、該ウェーハの外周から外側に該第2の標準接触痕とは異なる長さで該第2の方向に伸長した複数の第2の目安接触痕と、を該切削ブレードで該粘着テープに形成し、
互いに隣接する複数の該第2の目安接触痕の間には、2以上の第2の数の該第2の標準接触痕が形成されることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの加工方法。 In the second cutting step, the rotating cutting blade is positioned on the outer peripheral side of the wafer above the extension of the second scheduled division line, and the cutting blade is lowered to bring it into contact with the adhesive tape. The process of moving the cutting blade and the chuck table relatively in the machining feed direction, cutting the wafer along the second scheduled division line with the cutting blade, and raising the cutting blade is repeated. The wafer is cut along all the second scheduled split lines.
In the second cutting step, the plurality of second standard contact marks extending outward from the outer circumference of the wafer in the second direction are different from the second standard contact marks extending outward from the outer circumference of the wafer. A plurality of second reference contact marks extending in the second direction in length are formed on the adhesive tape with the cutting blade.
The processing of a wafer according to claim 1, wherein two or more second numbers of the second standard contact marks are formed between a plurality of the second reference contact marks adjacent to each other. Method.
複数の該第2の目安接触痕は、複数の該第1の目安接触痕と長さが同じであり、
該第2の数は、該第1の数と一致することを特徴とする請求項3に記載のウェーハの加工方法。 The plurality of the second standard contact marks are the same length as the plurality of the first standard contact marks.
The plurality of the second reference contact marks have the same length as the plurality of the first reference contact marks.
The wafer processing method according to claim 3, wherein the second number matches the first number.
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