JP2022039128A - Electronic component - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、電子部品に関する。 The present disclosure relates to electronic components.
例えば、特許文献1(特開2017-126743号公報)に記載されているように、LED(Light Emitting Diode)パッケージは、基板を有している。基板は、第1主面と、第1主面の反対面である第2主面と、第1主面上に配置されている第1電極及び第2電極とを有している。第2主面上には、LEDが配置されている。第1電極及び第2電極は、LEDに電気的に接続されている。第1電極及び第2電極は、第1方向において互いに離間している。 For example, as described in Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-126743), the LED (Light Emitting Diode) package has a substrate. The substrate has a first main surface, a second main surface opposite to the first main surface, and a first electrode and a second electrode arranged on the first main surface. An LED is arranged on the second main surface. The first electrode and the second electrode are electrically connected to the LED. The first electrode and the second electrode are separated from each other in the first direction.
第1方向に直交している第2方向における第1電極及び第2電極の両端は、第2方向における基板の両端に達するように延在していることがある。また、第1電極及び第2電極上には、めっき層が形成されていることがある。LEDパッケージの基板は、ダイシングソーにより切断されることにより個片化される。この際、めっき層が変形してしまうことにより、第1電極と第2電極との間の距離が変化してしまう。 Both ends of the first electrode and the second electrode in the second direction orthogonal to the first direction may extend to reach both ends of the substrate in the second direction. Further, a plating layer may be formed on the first electrode and the second electrode. The substrate of the LED package is separated by cutting with a dicing saw. At this time, the plating layer is deformed, so that the distance between the first electrode and the second electrode changes.
第1電極と第2電極との間の距離が変化することは、LEDパッケージをハンダ付けする際に、ハンダの表面張力によりLEDパッケージが立ち上がってしまったり、第1電極と第2電極との間にハンダブリッジを形成してしまう原因となる。 The change in the distance between the first electrode and the second electrode means that when the LED package is soldered, the surface tension of the solder causes the LED package to stand up, or between the first electrode and the second electrode. It causes the formation of a solder bridge.
本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、個片化時に電極上のめっき層が変形してしまうことを抑制可能な電子部品を提供するものである。 The present disclosure has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art. More specifically, the present disclosure provides electronic components capable of suppressing deformation of the plating layer on the electrode during individualization.
本開示の電子部品は、基板と、第1電極及び第2電極と、第1被覆層、第2被覆層、第3被覆層及び第4被覆層と、第1めっき層及び第2めっき層とを備える。基板は、互いに対向している第1辺及び第2辺を有し、かつ第1辺と第2辺との間に第1主面を有する。第1電極は、第1主面上に第1辺から第2辺まで形成されている。第2電極は、第1主面上に第1辺から第2辺まで形成され、かつ、第1電極と離間している。第1被覆層は、第1辺に沿っている第1電極の角部のうちの第2電極側にある角部上から第1電極と第2電極との間にある第1主面上まで形成されている。第2被覆層は、第2辺に沿っている第1電極の角部のうちの第2電極側にある角部上から第1電極と第2電極との間にある第1主面上まで形成されている。第3被覆層は、第1辺に沿っている第2電極の角部のうちの第1電極側にある角部上から第1電極と第2電極との間にある第1主面上まで形成されている。第4被覆層は、第2辺に沿っている第2電極の角部のうちの第1電極側にある角部上から第1電極と第2電極との間にある第1主面上まで形成されている。第1めっき層は、第1被覆層及び第2被覆層から露出した第1電極上の領域に形成されている。第2めっき層は、第3被覆層及び第4被覆層から露出した第2電極上の領域に形成されている。 The electronic components of the present disclosure include a substrate, a first electrode and a second electrode, a first coating layer, a second coating layer, a third coating layer and a fourth coating layer, and a first plating layer and a second plating layer. To prepare for. The substrate has a first side and a second side facing each other, and has a first main surface between the first side and the second side. The first electrode is formed on the first main surface from the first side to the second side. The second electrode is formed on the first main surface from the first side to the second side, and is separated from the first electrode. The first coating layer is formed from the corner portion on the second electrode side of the corner portions of the first electrode along the first side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. It is formed. The second coating layer is formed from the corner portion of the first electrode along the second side on the second electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. It is formed. The third coating layer is formed from the corner portion on the first electrode side of the corner portions of the second electrode along the first side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. It is formed. The fourth coating layer is formed from the corner portion on the first electrode side of the corner portions of the second electrode along the second side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. It is formed. The first plating layer is formed in a region on the first electrode exposed from the first coating layer and the second coating layer. The second plating layer is formed in a region on the second electrode exposed from the third coating layer and the fourth coating layer.
本開示の電子部品によると、個片化時に電極上のめっき層が変形してしまうことを抑制できる。 According to the electronic components of the present disclosure, it is possible to prevent the plating layer on the electrode from being deformed during individualization.
本開示の実施形態を、図面を参照しながら説明する。以下の図面においては、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。 The embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts shall be designated by the same reference numerals, and duplicate explanations shall not be repeated.
(第1実施形態)
以下に、第1実施形態に係る電子部品(以下「電子部品100」とする)の構成を説明する。
(First Embodiment)
Hereinafter, the configuration of the electronic component (hereinafter referred to as “
図1は、電子部品100の斜視図である。図1に示されるように、電子部品100は、基板10と、第1電極11及び第2電極12と、第1パッド13及び第2パッド14と、第1接続部15及び第2接続部16と、第1めっき層20(図2参照)と、第2めっき層30(図2参照)と、素子40と、第1被覆層51、第2被覆層52、第3被覆層53及び第4被覆層54(図2参照)と、カソードマーク60(図2参照)と、封止樹脂70とを有している。なお、図1中において、封止樹脂70は、点線により示されている。
FIG. 1 is a perspective view of the
基板10は、第1主面10aと、第2主面10bとを有している。第2主面10bは、第1主面10aの反対面である。基板10は、絶縁性の材料で形成されている。基板10は、例えば、ガラス繊維で強化された樹脂材料により形成されている。樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂である。第1方向DR1を、例えば、基板10の長手方向とする。第1方向DR1に直交している方向を、第2方向DR2とする。
The
基板10は、第1辺10cと、第2辺10dと、第3辺10eと、第4辺10fとを有している。第1辺10c及び第2辺10dは、第2方向DR2において互いに対向している。第3辺10e及び第4辺10fは、第1方向DR1において互いに対向している。基板10は、第1辺10cと第2辺10dとの間(第3辺10eと第4辺10fとの間)に第1主面10aを有している。第1主面10aは、第1辺10c、第2辺10d、第3辺10e及び第4辺10fにより画されている。
The
図2は、電子部品100の底面図である。図2に示されるように、第1主面10aは、第1方向DR1に沿って、第1領域R1と、第2領域R2と、第3領域R3とに区分されている。第1領域R1は、第1主面10aのうちの第3辺10e側にある領域である。第2領域R2は、第1主面10aのうちの第4辺10f側にある領域である。第3領域R3は、第1領域R1と第2領域R2とに挟み込まれている領域である。
FIG. 2 is a bottom view of the
第1電極11及び第2電極12は、第1主面10a上に形成されている。より具体的には、第1電極11は、第1領域R1上に配置されている。第2電極12は、第2領域R2上に配置されている。すなわち、第1電極11と第2電極12とは、第1方向DR1において、互いに離間されている。第3領域R3は、別の観点から言えば、第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10aである。第1電極11及び第2電極12は、第1辺10cから第2辺10dまで延在している。
The
第1パッド13及び第2パッド14は、第2主面10b上に形成されている。第1接続部15は、第1部分15aと、第2部分15bとを有している。第2接続部16は、第1部分16aと、第2部分16bとを有している。
The
第1部分15aは、第3辺10e側に位置している第2主面10bの部分上に形成されている。第2部分15bは、第3辺10e側の側面上に配置されている。第1部分15a及び第2部分15bは、互いに接続されている。第1パッド13は、第1接続部15により、第1電極11に接続されている。
The
第1部分16aは、第4辺10f側に位置している第2主面10bの部分上に形成されている。第2部分16bは、第4辺10f側の側面上に配置されている。第1部分16a及び第2部分16bは、互いに接続されている。第2パッド14は、第2接続部16により、第2電極12に接続されている。
The
第1電極11、第2電極12、第1パッド13、第2パッド14、第1接続部15及び第2接続部16は、導電性の材料により形成されている。導電性の材料は、例えば、金属材料である。金属材料は、例えば、銅(Cu)である。
The
図3は、図2のIII-IIIにおける断面図である。図3に示されるように、第1めっき層20は、第1電極11上、第1パッド13上及び第1接続部15上に形成されている。但し、第1めっき層20は、第1被覆層51及び第2被覆層52で被覆されている第1電極11の領域上には、形成されていない(図4A及び図4B参照)。
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. As shown in FIG. 3, the
第2めっき層30は、第2電極12上、第2パッド14上及び第2接続部16上に形成されている。但し、第2めっき層30は、第3被覆層53及び第4被覆層54で被覆されている第2電極12の領域上には、形成されていない(図4A及び図4B参照)。
The
第1めっき層20及び第2めっき層30は、導電性の材料により形成されている。導電性の材料は、例えば、金属材料である。第1めっき層20及び第2めっき層30は、複数の層で形成されていてもよい。複数の層は、例えば、金(Au)層と、ニッケル(Ni)層である。この場合、金層が第1めっき層20及び第2めっき層30の表面にあり、ニッケル層がその下地になっている。
The
図1に示されるように、素子40は、第2主面10b上に配置されている。より具体的には、素子40は、第1パッド13上に配置されている。素子40は、例えば、LEDである。但し、素子40は、これに限られるものではない。素子40は、フォトセンサであってもよく、その他の半導体素子であってもよい。
As shown in FIG. 1, the
素子40は、第1面40aと、第2面40bとを有している。第1面40aは、第1パッド13に対向している面である。第2面40bは、第1面40aの反対面である。素子40は、第1面40aにおいて第1電極41(図示せず)を有しており、第2面40bにおいて第2電極42(図示せず)を有している。第1電極41は素子40のアノードであり、第2電極42は素子40のカソードである。
The
素子40は、活性層(図示せず)を有している。活性層は、第1電極41における電位が第2電極42における電位よりも高くなるようにバイアスされる(順バイアスされる)ことにより発光する。すなわち、素子40は、極性のある半導体素子である。
The
第1電極41は、接続層(図示せず)により第1パッド13に接続されている。これにより、第1電極41は、第1電極11に電気的に接続されている。接続層は、例えば、導電性粒子を含有している樹脂材料により形成されている。導電性粒子は例えば銀(Ag)粒子であり、樹脂材料は例えばエポキシ樹脂である。
The first electrode 41 is connected to the
第2電極42は、ボンディングワイヤ43により第2パッド14に接続されている。これにより、第2電極42は、第2電極12に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ43は、導電性の材料により形成されている。導電性の材料は、例えば、金属材料である。金属材料は、例えば、金である。
The second electrode 42 is connected to the
第1辺10cに沿っている第1電極11の角部のうちの第2電極12側にある角部を、第1角部という。第2辺10dに沿っている第1電極11の角部のうちの第2電極12側にある角部を、第2角部という。第1辺10cに沿っている第2電極12の角部のうちの第1電極11側にある角部を、第3角部という。第2辺10dに沿っている第2電極12の角部のうちの第1電極11側にある角部を、第4角部という。
The corner portion on the
第1被覆層51は、第1角部上から第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a(第3領域R3)上まで形成されている。第2被覆層52は、第2角部上から第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10aまで形成されている。第3被覆層53は、第3角部上から第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a上まで形成されている。第4被覆層54は、第4角部上から第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10aまで形成されている。
The
第2方向DR2における第1被覆層51(第2被覆層52、第3被覆層53、第4被覆層54)の幅を、幅Wとする。好ましくは、幅Wは、第3領域R3側に向かうにしたがって大きくなっている。第1被覆層51(第2被覆層52、第3被覆層53、第4被覆層54)は、平面視において、三角形形状を有していることが好ましい。
The width of the first coating layer 51 (
図4Aは、図2のIVA-IVAにおける断面図である。図4Bは、図4Aの領域IVBにおける拡大図である。図4A及び図4Bに示されるように、第1被覆層51(第2被覆層52、第3被覆層53、第4被覆層54)の厚さを、厚さT1とする。第1めっき層20(第2めっき層30)の厚さを、厚さT2とする。厚さT1は、厚さT2以下であることが好ましい。
FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the line IVA-IVA of FIG. FIG. 4B is an enlarged view of the region IVB of FIG. 4A. As shown in FIGS. 4A and 4B, the thickness of the first coating layer 51 (
第1被覆層51、第2被覆層52、第3被覆層53及び第4被覆層54は、絶縁性の材料により形成されている。絶縁性の材料は、例えば、樹脂材料である。樹脂材料は、例えば、レジストである。
The
図2に示されるように、カソードマーク60は、第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a(第3領域R3)上に配置されている。カソードマーク60は、第1電極11及び第2電極12のうち、どちらが素子40のカソード(第2電極42)に接続されている電極かを示す素子40の極性識別マークである。
As shown in FIG. 2, the
例えば、カソードマーク60の凸部61と対向している電極が、素子40のカソードに接続されている電極である。図2の例では、カソードマーク60は、第2電極12が素子40のカソードに接続されている電極であることを示している。
For example, the electrode facing the
なお、カソードマーク60に代えて、アノードマークが用いられてもよい。アノードマークは、第1電極11及び第2電極12のうち、どちらが素子40のアノード(第1電極41)に接続されている電極かを示す素子40の極性識別マークである。
The anode mark may be used instead of the
カソードマーク60(アノードマーク)は、絶縁性の材料により形成されている。絶縁性の材料は、例えば、樹脂材料である。樹脂材料は、例えば、レジストである。カソードマーク60(アノードマーク)は、第1被覆層51、第2被覆層52、第3被覆層53及び第4被覆層54と同一材料により形成されていることが好ましい。
The cathode mark 60 (anode mark) is formed of an insulating material. The insulating material is, for example, a resin material. The resin material is, for example, a resist. The cathode mark 60 (anode mark) is preferably formed of the same material as the
図1に示されるように、封止樹脂70は、第2主面10b上に配置されている。封止樹脂70は、素子40及びボンディングワイヤ43を封止している。封止樹脂70は、例えば、透明樹脂により形成されている。透明樹脂は、素子40において発生した光を透過させる樹脂である。透明樹脂は、例えば、エポキシ樹脂である。
As shown in FIG. 1, the sealing
以下に、電子部品100の製造方法を説明する。
図5は、電子部品100の製造方法を示す工程図である。図5に示されるように、電子部品100の製造方法は、準備工程S1と、被覆層形成工程S2と、めっき層形成工程S3と、ダイボンディング工程S4と、ワイヤボンディング工程S5と、モールド工程S6と、個片化工程S7とを有している。
The manufacturing method of the
FIG. 5 is a process diagram showing a manufacturing method of the
準備工程S1においては、基板80が準備される。図6は、準備工程S1において準備される基板80の底面図である。図6に示されるように、基板80には、複数の基板10が含まれている。基板80に含まれている基板10の各々は、第1方向DR1に沿って延在しているダイシング領域81により画されている。
In the preparation step S1, the
図7は、被覆層形成工程S2を終えた後の基板80の底面図である。図7に示されるように、被覆層形成工程S2においては、第1被覆層51~第4被覆層54が形成される。第1被覆層51~第4被覆層54は、ダイシング領域81に重なるように形成される。
FIG. 7 is a bottom view of the
被覆層形成工程S2においては、カソードマーク60も合わせて形成される。第1被覆層51~第4被覆層54及びカソードマーク60の形成は、第1被覆層51~第4被覆層54及びカソードマーク60を構成している材料を塗布するとともに、塗布された材料を硬化させることにより行われる。
In the coating layer forming step S2, the
めっき層形成工程S3においては、第1めっき層20及び第2めっき層30の形成が行われる。第1めっき層20及び第2めっき層30は、例えば、無電解めっき法又は電解めっき法により形成される。
In the plating layer forming step S3, the
図8は、ダイボンディング工程S4を説明するための斜視図である。図8に示されるように、ダイボンディング工程S4においては、素子40(第1電極41)と第1パッド13との接続が行われる。
FIG. 8 is a perspective view for explaining the die bonding step S4. As shown in FIG. 8, in the die bonding step S4, the element 40 (first electrode 41) and the
ダイボンディング工程S4においては、第1に、第1パッド13上に導電性粒子を含む樹脂材料が塗布される。この時点では、樹脂材料は硬化されていない。第2に、第1パッド13上に、素子40が載置される。第3に、導電性粒子を含む樹脂材料を加熱することにより、樹脂材料が硬化され、第1電極41と第1パッド13との接続が行われる。
In the die bonding step S4, first, a resin material containing conductive particles is applied onto the
図9は、ワイヤボンディング工程S5を説明するための斜視図である。図9に示されるように、ワイヤボンディング工程S5においては、ボンディングワイヤ43を用いたワイヤボンディングが行われることにより、素子40(第2電極42)と第2パッド14との接続が行われる。
FIG. 9 is a perspective view for explaining the wire bonding step S5. As shown in FIG. 9, in the wire bonding step S5, the element 40 (second electrode 42) and the
モールド工程S6においては、素子40の樹脂封止が行われる。モールド工程S6においては、第1に、素子40が搭載された基板80が、金型内に配置される。第2に、金型内に封止樹脂70が流し込まれる。第3に、加熱が行われることにより、封止樹脂70が硬化し、素子40の樹脂封止が行われる。
In the molding step S6, the
図10は、個片化工程S7を説明するための斜視図である。図10に示されるように、個片化工程S7においては、素子40の搭載及び封止樹脂70による素子40の封止の行われた基板80が、ダイシング領域81に沿ってダイシングソーで切断される。これにより、電子部品100への個片化が行われる。
FIG. 10 is a perspective view for explaining the individualization step S7. As shown in FIG. 10, in the individualization step S7, the
以下に、電子部品100の効果を、比較例に係る電子部品(以下「電子部品100A」とする)と対比しながら説明する。
Hereinafter, the effect of the
図11は、電子部品100Aの底面図である。図11に示されるように、電子部品100Aの構成は、第1被覆層51、第2被覆層52、第3被覆層53及び第4被覆層54を有していない点を除き、電子部品100の構成と共通している。
FIG. 11 is a bottom view of the
電子部品100Aは、第1被覆層51~第4被覆層54を有していない。そのため、個片化される際にダイシングソーが第1めっき層20及び第2めっき層30と接触することにより、第1角部~第4角部において、第1めっき層20及び第2めっき層30にバリBが形成される。その結果、第1電極11と第2電極12との間の距離が小さくなり、ハンダ付け時の電子部品100Aの立ち上がり、第1電極11と第2電極12との間のハンダブリッジが発生するおそれがある。
The
他方で、電子部品100においては、第1被覆層51~第4被覆層54により、ダイシングソーと第1めっき層20及び第2めっき層30とが接触することに伴うバリBの発生が抑制される。そのため、ハンダ付け時に電子部品100の立ち上がり、第1電極11と第2電極12との間のハンダブリッジが発生しがたい。
On the other hand, in the
電子部品100においては、第1角部~第4角部のみが第1被覆層51~第4被覆層54でそれぞれ被覆されているため、第1被覆層51~第4被覆層54の形成に伴う電極面積の縮小を抑制することができる。幅Wが第3領域R3に向かうにしたがって小さくなっている場合、第1被覆層51~第4被覆層54の形成に伴う電極面積の縮小をさらに抑制することができる。
In the
第1被覆層51~第4被覆層54とカソードマーク60とが同一材料で形成されている場合、第1被覆層51~第4被覆層54を形成するために新たな工程を導入する必要がない。そのため、電子部品100は、製造コストを大きく増加させることなく、ダイシングソーと第1めっき層20及び第2めっき層30とが接触することに伴うバリBの発生を抑制できる。
When the
厚さT1が厚さT2以下である場合、第1被覆層51~第4被覆層54が第1めっき層20及び第2めっき層30から突出しない。そのため、この場合には、第1被覆層51~第4被覆層54が電子部品100のハンダ付け性を低下させることを抑制できる。
When the thickness T1 is less than or equal to the thickness T2, the
(第2実施形態)
以下に、第2実施形態に係る電子部品(以下「電子部品100B」とする)の構成を説明する。ここでは、電子部品100の構成と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
(Second Embodiment)
Hereinafter, the configuration of the electronic component (hereinafter referred to as “
電子部品100Bは、基板10と、第1電極11及び第2電極12と、第1パッド13及び第2パッド14と、第1接続部15及び第2接続部16と、第1めっき層20と、第2めっき層30と、素子40と、ボンディングワイヤ43と、カソードマーク60と、封止樹脂70とを有している。この点に関して、電子部品100Bの構成は、電子部品100の構成と共通している。
The
しかしながら、電子部品100Bの構成は、第1被覆層51~第4被覆層54に代えて第5被覆層55及び第6被覆層56を有している点に関して、電子部品100の構成と異なっている。なお、第5被覆層55及び第6被覆層56は、第1被覆層51~第4被覆層54(及びカソードマーク60)と同一の材料で形成されている。
However, the configuration of the
図12は、電子部品100Bの底面図である。図12に示されるように、第5被覆層55は、第1電極11、第3領域R3(第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a)及び第2電極12を、第1辺10cに沿って、第3辺10eから第4辺10fまで連続して形成されている。第6被覆層56は、第1電極11、第3領域R3(第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a)及び第2電極12を、第2辺10dに沿って、第3辺10eから第4辺10fまで連続して形成されている。
FIG. 12 is a bottom view of the
このことを別の観点から言えば、第5被覆層55は、第1被覆層51及び第3被覆層53を含み、かつ第1辺10cに沿って第1電極11、第3領域R3及び第2電極12を連続的に形成されており、第6被覆層56は、第2被覆層52及び第4被覆層54を含み、かつ第2辺10dに沿って第1電極11、第3領域R3及び第2電極12を連続的に形成されている。
From another point of view, the
なお、第1めっき層20は、第5被覆層55及び第6被覆層56から露出している第1電極11上の領域に形成されている。また、第2めっき層30は、第5被覆層55及び第6被覆層56から露出している第2電極12上の領域に形成されている。
The
以下に、電子部品100Bの製造方法を説明する。ここでは、電子部品100の製造方法と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
The manufacturing method of the
電子部品100Bの製造方法は、準備工程S1と、被覆層形成工程S2と、めっき層形成工程S3と、ダイボンディング工程S4と、ワイヤボンディング工程S5と、モールド工程S6と、個片化工程S7とを有している。この点に関して、電子部品100Bの製造方法は、電子部品100の製造方法と共通している。しかしながら、電子部品100Bの製造方法は、被覆層形成工程S2の詳細に関して、電子部品100の製造方法と異なっている。
The manufacturing method of the
図13は、電子部品100Bの製造方法における被覆層形成工程S2を終えた後の基板80の底面図である。図13に示されるように、電子部品100Bの製造方法における被覆層形成工程S2では、被覆層57が、ダイシング領域81を被覆している。被覆層57は、第2方向DR2における幅が、ダイシング領域81よりも大きくなっている。そのため、電子部品100Bがダイシングソー等により個片化された際に、被覆層57が、ダイシング領域81の側方に、第5被覆層55及び第6被覆層56として残存する。
FIG. 13 is a bottom view of the
以下に、電子部品100Bの効果を説明する。ここでは、電子部品100の効果と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
The effect of the
電子部品100Bにおいては、第5被覆層55が第1電極11、第3領域R3及び第2電極12を第1辺10cに沿って連続して形成されており、第6被覆層56が第1電極11、第3領域R3及び第2電極12の第2辺10dに沿って連続して形成されている。そのため、電子部品100Bによると、ダイシングソーと第1めっき層20及び第2めっき層30とが接触することに伴うバリBの発生をさらに抑制できる。
In the
以上のように本開示の実施形態について説明を行ったが、上述の実施形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。 Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the above-described embodiments can be variously modified. Moreover, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment. The scope of the present invention is indicated by the scope of claims and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.
100,100A,100B 電子部品、10 基板、10a 第1主面、10b 第2主面、10c 第1辺、10d 第2辺、10e 第3辺、10f 第4辺、11 第1電極、12 第2電極、13 第1パッド、14 第2パッド、15 第1接続部、15a 第1部分、15b 第2部分、16 第2接続部、16a 第1部分、16b 第2部分、20 第1めっき層、30 第2めっき層、40 素子、40a 第1面、40b 第2面、41 第1電極、42 第2電極、43 ボンディングワイヤ、51 第1被覆層、52 第2被覆層、53 第3被覆層、54 第4被覆層、55 第5被覆層、56 第6被覆層、57 被覆層、60 カソードマーク、61 凸部、70 封止樹脂、80 基板、81 ダイシング領域、DR1 第1方向、DR2 第2方向、R1 第1領域、R2 第2領域、R3 第3領域、S1 準備工程、S2 被覆層形成工程、S3 めっき層形成工程、S4 ダイボンディング工程、S5 ワイヤボンディング工程、S6 モールド工程、S7 個片化工程、B バリ、T1,T2 厚さ、W 幅。 100, 100A, 100B Electronic parts, 10 boards, 10a 1st main surface, 10b 2nd main surface, 10c 1st side, 10d 2nd side, 10e 3rd side, 10f 4th side, 11th 1st electrode, 12th 2 electrodes, 13 1st pad, 14 2nd pad, 15 1st connection part, 15a 1st part, 15b 2nd part, 16 2nd connection part, 16a 1st part, 16b 2nd part, 20 1st plating layer , 30 2nd plating layer, 40 elements, 40a 1st surface, 40b 2nd surface, 41 1st electrode, 42 2nd electrode, 43 bonding wire, 51 1st coating layer, 52 2nd coating layer, 53 3rd coating Layer, 54 4th coating layer, 55 5th coating layer, 56 6th coating layer, 57 coating layer, 60 cathode mark, 61 convex part, 70 encapsulating resin, 80 substrate, 81 dicing region, DR1 1st direction, DR2 2nd direction, R1 1st region, R2 2nd region, R3 3rd region, S1 preparation step, S2 coating layer forming step, S3 plating layer forming step, S4 die bonding step, S5 wire bonding step, S6 molding step, S7 Individualization process, B burr, T1, T2 thickness, W width.
Claims (7)
前記第1主面上に前記第1辺から前記第2辺まで形成された第1電極と、
前記第1主面上に前記第1辺から前記第2辺まで形成され、かつ前記第1電極と離間している第2電極と、
前記第1辺に沿っている前記第1電極の角部のうちの前記第2電極側にある角部上から前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面上まで形成された第1被覆層と、
前記第2辺に沿っている前記第1電極の角部のうちの前記第2電極側にある角部上から前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面上まで形成された第2被覆層と、
前記第1辺に沿っている前記第2電極の角部のうちの前記第1電極側にある角部上から前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面上まで形成された第3被覆層と、
前記第2辺に沿っている前記第2電極の角部のうちの前記第1電極側にある角部上から前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面上まで形成された第4被覆層と、
前記第1被覆層及び前記第2被覆層から露出した前記第1電極上の領域に形成された第1めっき層と、
前記第3被覆層及び前記第4被覆層から露出した前記第2電極上の領域に形成された第2めっき層とを備える、電子部品。 A substrate having a first side and a second side facing each other and having a first main surface between the first side and the second side.
A first electrode formed from the first side to the second side on the first main surface, and
A second electrode formed on the first main surface from the first side to the second side and separated from the first electrode, and
From the corner portion of the first electrode along the first side on the second electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. The formed first coating layer and
From the corner portion of the first electrode along the second side on the second electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. The formed second coating layer and
From the corner portion of the second electrode along the first side on the first electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. The formed third coating layer and
From the corner portion of the second electrode along the second side on the first electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. With the formed fourth coating layer,
The first plating layer formed in the region on the first electrode exposed from the first coating layer and the second coating layer, and
An electronic component comprising the third coating layer and a second plating layer formed in a region on the second electrode exposed from the fourth coating layer.
前記第2被覆層及び前記第4被覆層を含み、前記第2辺に沿って前記第1電極上、前記第1主面上及び前記第2電極上に連続的に形成された第6被覆層とを備える、請求項1に記載の電子部品。 A fifth coating layer including the first coating layer and the third coating layer, which is continuously formed on the first electrode, the first main surface, and the second electrode along the first side. When,
A sixth coating layer including the second coating layer and the fourth coating layer, which is continuously formed on the first electrode, the first main surface, and the second electrode along the second side. The electronic component according to claim 1, further comprising.
前記基板は、前記第1主面の反対面である第2主面をさらに有し、
前記発光素子は、前記第2主面上に配置されており、
前記第1電極及び前記第2電極は、前記発光素子に電気的に接続されている、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の電子部品。 With more light emitting elements
The substrate further has a second main surface, which is the opposite surface of the first main surface.
The light emitting element is arranged on the second main surface, and the light emitting element is arranged on the second main surface.
The electronic component according to any one of claims 1 to 3, wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected to the light emitting element.
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