JP2022039128A - Electronic component - Google Patents

Electronic component Download PDF

Info

Publication number
JP2022039128A
JP2022039128A JP2020143988A JP2020143988A JP2022039128A JP 2022039128 A JP2022039128 A JP 2022039128A JP 2020143988 A JP2020143988 A JP 2020143988A JP 2020143988 A JP2020143988 A JP 2020143988A JP 2022039128 A JP2022039128 A JP 2022039128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
coating layer
main surface
electronic component
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020143988A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
一哉 増山
Kazuya Masuyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2020143988A priority Critical patent/JP2022039128A/en
Publication of JP2022039128A publication Critical patent/JP2022039128A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

To provide an electronic component capable of suppressing deformation of a plating layer on an electrode during individualization.SOLUTION: An electronic component includes a substrate, a first electrode and a second electrode, a first coating layer, a second coating layer, a third coating layer, and a fourth coating layer, and a first plating layer and a second plating layer. The substrate has a first side and a second side facing each other, and has a first main surface between the first side and the second side. The first electrode is formed on the first main surface from the first side to the second side. The second electrode is formed on the first main surface from the first side to the second side, and is separated from the first electrode. The first coating layer is formed from above the corner portion on the second electrode side of the corner portions of the first electrode along the first side up to the first main surface between the first electrode and the second electrode from the corner portion of the second electrode.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、電子部品に関する。 The present disclosure relates to electronic components.

例えば、特許文献1(特開2017-126743号公報)に記載されているように、LED(Light Emitting Diode)パッケージは、基板を有している。基板は、第1主面と、第1主面の反対面である第2主面と、第1主面上に配置されている第1電極及び第2電極とを有している。第2主面上には、LEDが配置されている。第1電極及び第2電極は、LEDに電気的に接続されている。第1電極及び第2電極は、第1方向において互いに離間している。 For example, as described in Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-126743), the LED (Light Emitting Diode) package has a substrate. The substrate has a first main surface, a second main surface opposite to the first main surface, and a first electrode and a second electrode arranged on the first main surface. An LED is arranged on the second main surface. The first electrode and the second electrode are electrically connected to the LED. The first electrode and the second electrode are separated from each other in the first direction.

特開2017-126743号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-126743

第1方向に直交している第2方向における第1電極及び第2電極の両端は、第2方向における基板の両端に達するように延在していることがある。また、第1電極及び第2電極上には、めっき層が形成されていることがある。LEDパッケージの基板は、ダイシングソーにより切断されることにより個片化される。この際、めっき層が変形してしまうことにより、第1電極と第2電極との間の距離が変化してしまう。 Both ends of the first electrode and the second electrode in the second direction orthogonal to the first direction may extend to reach both ends of the substrate in the second direction. Further, a plating layer may be formed on the first electrode and the second electrode. The substrate of the LED package is separated by cutting with a dicing saw. At this time, the plating layer is deformed, so that the distance between the first electrode and the second electrode changes.

第1電極と第2電極との間の距離が変化することは、LEDパッケージをハンダ付けする際に、ハンダの表面張力によりLEDパッケージが立ち上がってしまったり、第1電極と第2電極との間にハンダブリッジを形成してしまう原因となる。 The change in the distance between the first electrode and the second electrode means that when the LED package is soldered, the surface tension of the solder causes the LED package to stand up, or between the first electrode and the second electrode. It causes the formation of a solder bridge.

本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、個片化時に電極上のめっき層が変形してしまうことを抑制可能な電子部品を提供するものである。 The present disclosure has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art. More specifically, the present disclosure provides electronic components capable of suppressing deformation of the plating layer on the electrode during individualization.

本開示の電子部品は、基板と、第1電極及び第2電極と、第1被覆層、第2被覆層、第3被覆層及び第4被覆層と、第1めっき層及び第2めっき層とを備える。基板は、互いに対向している第1辺及び第2辺を有し、かつ第1辺と第2辺との間に第1主面を有する。第1電極は、第1主面上に第1辺から第2辺まで形成されている。第2電極は、第1主面上に第1辺から第2辺まで形成され、かつ、第1電極と離間している。第1被覆層は、第1辺に沿っている第1電極の角部のうちの第2電極側にある角部上から第1電極と第2電極との間にある第1主面上まで形成されている。第2被覆層は、第2辺に沿っている第1電極の角部のうちの第2電極側にある角部上から第1電極と第2電極との間にある第1主面上まで形成されている。第3被覆層は、第1辺に沿っている第2電極の角部のうちの第1電極側にある角部上から第1電極と第2電極との間にある第1主面上まで形成されている。第4被覆層は、第2辺に沿っている第2電極の角部のうちの第1電極側にある角部上から第1電極と第2電極との間にある第1主面上まで形成されている。第1めっき層は、第1被覆層及び第2被覆層から露出した第1電極上の領域に形成されている。第2めっき層は、第3被覆層及び第4被覆層から露出した第2電極上の領域に形成されている。 The electronic components of the present disclosure include a substrate, a first electrode and a second electrode, a first coating layer, a second coating layer, a third coating layer and a fourth coating layer, and a first plating layer and a second plating layer. To prepare for. The substrate has a first side and a second side facing each other, and has a first main surface between the first side and the second side. The first electrode is formed on the first main surface from the first side to the second side. The second electrode is formed on the first main surface from the first side to the second side, and is separated from the first electrode. The first coating layer is formed from the corner portion on the second electrode side of the corner portions of the first electrode along the first side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. It is formed. The second coating layer is formed from the corner portion of the first electrode along the second side on the second electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. It is formed. The third coating layer is formed from the corner portion on the first electrode side of the corner portions of the second electrode along the first side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. It is formed. The fourth coating layer is formed from the corner portion on the first electrode side of the corner portions of the second electrode along the second side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. It is formed. The first plating layer is formed in a region on the first electrode exposed from the first coating layer and the second coating layer. The second plating layer is formed in a region on the second electrode exposed from the third coating layer and the fourth coating layer.

本開示の電子部品によると、個片化時に電極上のめっき層が変形してしまうことを抑制できる。 According to the electronic components of the present disclosure, it is possible to prevent the plating layer on the electrode from being deformed during individualization.

電子部品100の斜視図である。It is a perspective view of the electronic component 100. 電子部品100の底面図である。It is a bottom view of the electronic component 100. 図2のIII-IIIにおける断面図である。It is sectional drawing in III-III of FIG. 図2のIVA-IVAにおける断面図である。It is sectional drawing in IVA-IVA of FIG. 図4Aの領域IVBにおける拡大図である。It is an enlarged view in the region IVB of FIG. 4A. 電子部品100の製造方法を示す工程図である。It is a process drawing which shows the manufacturing method of the electronic component 100. 準備工程S1において準備される基板80の底面図である。It is a bottom view of the substrate 80 prepared in the preparation step S1. 被覆層形成工程S2を終えた後の基板80の底面図である。It is a bottom view of the substrate 80 after finishing the coating layer forming step S2. ダイボンディング工程S4を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the die bonding process S4. ワイヤボンディング工程S5を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the wire bonding process S5. 個片化工程S7を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the individualization process S7. 電子部品100Aの底面図である。It is a bottom view of the electronic component 100A. 電子部品100Bの底面図である。It is a bottom view of the electronic component 100B. 電子部品100Bの製造方法における被覆層形成工程S2を終えた後の基板80の底面図である。It is a bottom view of the substrate 80 after finishing the coating layer formation step S2 in the manufacturing method of an electronic component 100B.

本開示の実施形態を、図面を参照しながら説明する。以下の図面においては、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。 The embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts shall be designated by the same reference numerals, and duplicate explanations shall not be repeated.

(第1実施形態)
以下に、第1実施形態に係る電子部品(以下「電子部品100」とする)の構成を説明する。
(First Embodiment)
Hereinafter, the configuration of the electronic component (hereinafter referred to as “electronic component 100”) according to the first embodiment will be described.

図1は、電子部品100の斜視図である。図1に示されるように、電子部品100は、基板10と、第1電極11及び第2電極12と、第1パッド13及び第2パッド14と、第1接続部15及び第2接続部16と、第1めっき層20(図2参照)と、第2めっき層30(図2参照)と、素子40と、第1被覆層51、第2被覆層52、第3被覆層53及び第4被覆層54(図2参照)と、カソードマーク60(図2参照)と、封止樹脂70とを有している。なお、図1中において、封止樹脂70は、点線により示されている。 FIG. 1 is a perspective view of the electronic component 100. As shown in FIG. 1, the electronic component 100 includes a substrate 10, a first electrode 11, a second electrode 12, a first pad 13 and a second pad 14, a first connection portion 15, and a second connection portion 16. , The first plating layer 20 (see FIG. 2), the second plating layer 30 (see FIG. 2), the element 40, the first coating layer 51, the second coating layer 52, the third coating layer 53, and the fourth. It has a coating layer 54 (see FIG. 2), a cathode mark 60 (see FIG. 2), and a sealing resin 70. In FIG. 1, the sealing resin 70 is shown by a dotted line.

基板10は、第1主面10aと、第2主面10bとを有している。第2主面10bは、第1主面10aの反対面である。基板10は、絶縁性の材料で形成されている。基板10は、例えば、ガラス繊維で強化された樹脂材料により形成されている。樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂である。第1方向DR1を、例えば、基板10の長手方向とする。第1方向DR1に直交している方向を、第2方向DR2とする。 The substrate 10 has a first main surface 10a and a second main surface 10b. The second main surface 10b is the opposite surface of the first main surface 10a. The substrate 10 is made of an insulating material. The substrate 10 is formed of, for example, a resin material reinforced with glass fiber. The resin material is, for example, an epoxy resin. The first direction DR1 is, for example, the longitudinal direction of the substrate 10. The direction orthogonal to the first direction DR1 is referred to as the second direction DR2.

基板10は、第1辺10cと、第2辺10dと、第3辺10eと、第4辺10fとを有している。第1辺10c及び第2辺10dは、第2方向DR2において互いに対向している。第3辺10e及び第4辺10fは、第1方向DR1において互いに対向している。基板10は、第1辺10cと第2辺10dとの間(第3辺10eと第4辺10fとの間)に第1主面10aを有している。第1主面10aは、第1辺10c、第2辺10d、第3辺10e及び第4辺10fにより画されている。 The substrate 10 has a first side 10c, a second side 10d, a third side 10e, and a fourth side 10f. The first side 10c and the second side 10d face each other in the second direction DR2. The third side 10e and the fourth side 10f face each other in the first direction DR1. The substrate 10 has a first main surface 10a between the first side 10c and the second side 10d (between the third side 10e and the fourth side 10f). The first main surface 10a is defined by a first side 10c, a second side 10d, a third side 10e, and a fourth side 10f.

図2は、電子部品100の底面図である。図2に示されるように、第1主面10aは、第1方向DR1に沿って、第1領域R1と、第2領域R2と、第3領域R3とに区分されている。第1領域R1は、第1主面10aのうちの第3辺10e側にある領域である。第2領域R2は、第1主面10aのうちの第4辺10f側にある領域である。第3領域R3は、第1領域R1と第2領域R2とに挟み込まれている領域である。 FIG. 2 is a bottom view of the electronic component 100. As shown in FIG. 2, the first main surface 10a is divided into a first region R1, a second region R2, and a third region R3 along the first direction DR1. The first region R1 is a region on the third side 10e side of the first main surface 10a. The second region R2 is a region on the fourth side 10f side of the first main surface 10a. The third region R3 is a region sandwiched between the first region R1 and the second region R2.

第1電極11及び第2電極12は、第1主面10a上に形成されている。より具体的には、第1電極11は、第1領域R1上に配置されている。第2電極12は、第2領域R2上に配置されている。すなわち、第1電極11と第2電極12とは、第1方向DR1において、互いに離間されている。第3領域R3は、別の観点から言えば、第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10aである。第1電極11及び第2電極12は、第1辺10cから第2辺10dまで延在している。 The first electrode 11 and the second electrode 12 are formed on the first main surface 10a. More specifically, the first electrode 11 is arranged on the first region R1. The second electrode 12 is arranged on the second region R2. That is, the first electrode 11 and the second electrode 12 are separated from each other in the first direction DR1. From another point of view, the third region R3 is the first main surface 10a between the first electrode 11 and the second electrode 12. The first electrode 11 and the second electrode 12 extend from the first side 10c to the second side 10d.

第1パッド13及び第2パッド14は、第2主面10b上に形成されている。第1接続部15は、第1部分15aと、第2部分15bとを有している。第2接続部16は、第1部分16aと、第2部分16bとを有している。 The first pad 13 and the second pad 14 are formed on the second main surface 10b. The first connection portion 15 has a first portion 15a and a second portion 15b. The second connecting portion 16 has a first portion 16a and a second portion 16b.

第1部分15aは、第3辺10e側に位置している第2主面10bの部分上に形成されている。第2部分15bは、第3辺10e側の側面上に配置されている。第1部分15a及び第2部分15bは、互いに接続されている。第1パッド13は、第1接続部15により、第1電極11に接続されている。 The first portion 15a is formed on a portion of the second main surface 10b located on the third side 10e side. The second portion 15b is arranged on the side surface on the third side 10e side. The first portion 15a and the second portion 15b are connected to each other. The first pad 13 is connected to the first electrode 11 by the first connecting portion 15.

第1部分16aは、第4辺10f側に位置している第2主面10bの部分上に形成されている。第2部分16bは、第4辺10f側の側面上に配置されている。第1部分16a及び第2部分16bは、互いに接続されている。第2パッド14は、第2接続部16により、第2電極12に接続されている。 The first portion 16a is formed on a portion of the second main surface 10b located on the fourth side 10f side. The second portion 16b is arranged on the side surface on the fourth side 10f side. The first portion 16a and the second portion 16b are connected to each other. The second pad 14 is connected to the second electrode 12 by the second connecting portion 16.

第1電極11、第2電極12、第1パッド13、第2パッド14、第1接続部15及び第2接続部16は、導電性の材料により形成されている。導電性の材料は、例えば、金属材料である。金属材料は、例えば、銅(Cu)である。 The first electrode 11, the second electrode 12, the first pad 13, the second pad 14, the first connecting portion 15, and the second connecting portion 16 are formed of a conductive material. The conductive material is, for example, a metallic material. The metal material is, for example, copper (Cu).

図3は、図2のIII-IIIにおける断面図である。図3に示されるように、第1めっき層20は、第1電極11上、第1パッド13上及び第1接続部15上に形成されている。但し、第1めっき層20は、第1被覆層51及び第2被覆層52で被覆されている第1電極11の領域上には、形成されていない(図4A及び図4B参照)。 FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. As shown in FIG. 3, the first plating layer 20 is formed on the first electrode 11, the first pad 13, and the first connection portion 15. However, the first plating layer 20 is not formed on the region of the first electrode 11 covered with the first coating layer 51 and the second coating layer 52 (see FIGS. 4A and 4B).

第2めっき層30は、第2電極12上、第2パッド14上及び第2接続部16上に形成されている。但し、第2めっき層30は、第3被覆層53及び第4被覆層54で被覆されている第2電極12の領域上には、形成されていない(図4A及び図4B参照)。 The second plating layer 30 is formed on the second electrode 12, the second pad 14, and the second connection portion 16. However, the second plating layer 30 is not formed on the region of the second electrode 12 covered with the third coating layer 53 and the fourth coating layer 54 (see FIGS. 4A and 4B).

第1めっき層20及び第2めっき層30は、導電性の材料により形成されている。導電性の材料は、例えば、金属材料である。第1めっき層20及び第2めっき層30は、複数の層で形成されていてもよい。複数の層は、例えば、金(Au)層と、ニッケル(Ni)層である。この場合、金層が第1めっき層20及び第2めっき層30の表面にあり、ニッケル層がその下地になっている。 The first plating layer 20 and the second plating layer 30 are formed of a conductive material. The conductive material is, for example, a metallic material. The first plating layer 20 and the second plating layer 30 may be formed of a plurality of layers. The plurality of layers are, for example, a gold (Au) layer and a nickel (Ni) layer. In this case, the gold layer is on the surface of the first plating layer 20 and the second plating layer 30, and the nickel layer is the base thereof.

図1に示されるように、素子40は、第2主面10b上に配置されている。より具体的には、素子40は、第1パッド13上に配置されている。素子40は、例えば、LEDである。但し、素子40は、これに限られるものではない。素子40は、フォトセンサであってもよく、その他の半導体素子であってもよい。 As shown in FIG. 1, the element 40 is arranged on the second main surface 10b. More specifically, the element 40 is arranged on the first pad 13. The element 40 is, for example, an LED. However, the element 40 is not limited to this. The element 40 may be a photo sensor or another semiconductor element.

素子40は、第1面40aと、第2面40bとを有している。第1面40aは、第1パッド13に対向している面である。第2面40bは、第1面40aの反対面である。素子40は、第1面40aにおいて第1電極41(図示せず)を有しており、第2面40bにおいて第2電極42(図示せず)を有している。第1電極41は素子40のアノードであり、第2電極42は素子40のカソードである。 The element 40 has a first surface 40a and a second surface 40b. The first surface 40a is a surface facing the first pad 13. The second surface 40b is the opposite surface of the first surface 40a. The element 40 has a first electrode 41 (not shown) on the first surface 40a and a second electrode 42 (not shown) on the second surface 40b. The first electrode 41 is the anode of the element 40, and the second electrode 42 is the cathode of the element 40.

素子40は、活性層(図示せず)を有している。活性層は、第1電極41における電位が第2電極42における電位よりも高くなるようにバイアスされる(順バイアスされる)ことにより発光する。すなわち、素子40は、極性のある半導体素子である。 The element 40 has an active layer (not shown). The active layer emits light by being biased (forward biased) so that the potential at the first electrode 41 is higher than the potential at the second electrode 42. That is, the element 40 is a polar semiconductor element.

第1電極41は、接続層(図示せず)により第1パッド13に接続されている。これにより、第1電極41は、第1電極11に電気的に接続されている。接続層は、例えば、導電性粒子を含有している樹脂材料により形成されている。導電性粒子は例えば銀(Ag)粒子であり、樹脂材料は例えばエポキシ樹脂である。 The first electrode 41 is connected to the first pad 13 by a connecting layer (not shown). As a result, the first electrode 41 is electrically connected to the first electrode 11. The connecting layer is formed of, for example, a resin material containing conductive particles. The conductive particles are, for example, silver (Ag) particles, and the resin material is, for example, an epoxy resin.

第2電極42は、ボンディングワイヤ43により第2パッド14に接続されている。これにより、第2電極42は、第2電極12に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ43は、導電性の材料により形成されている。導電性の材料は、例えば、金属材料である。金属材料は、例えば、金である。 The second electrode 42 is connected to the second pad 14 by the bonding wire 43. As a result, the second electrode 42 is electrically connected to the second electrode 12. The bonding wire 43 is made of a conductive material. The conductive material is, for example, a metallic material. The metallic material is, for example, gold.

第1辺10cに沿っている第1電極11の角部のうちの第2電極12側にある角部を、第1角部という。第2辺10dに沿っている第1電極11の角部のうちの第2電極12側にある角部を、第2角部という。第1辺10cに沿っている第2電極12の角部のうちの第1電極11側にある角部を、第3角部という。第2辺10dに沿っている第2電極12の角部のうちの第1電極11側にある角部を、第4角部という。 The corner portion on the second electrode 12 side of the corner portions of the first electrode 11 along the first side 10c is referred to as a first corner portion. The corner portion on the second electrode 12 side of the corner portions of the first electrode 11 along the second side 10d is referred to as a second corner portion. The corner portion on the first electrode 11 side of the corner portions of the second electrode 12 along the first side 10c is referred to as a third corner portion. The corner portion on the first electrode 11 side of the corner portions of the second electrode 12 along the second side 10d is referred to as a fourth corner portion.

第1被覆層51は、第1角部上から第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a(第3領域R3)上まで形成されている。第2被覆層52は、第2角部上から第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10aまで形成されている。第3被覆層53は、第3角部上から第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a上まで形成されている。第4被覆層54は、第4角部上から第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10aまで形成されている。 The first coating layer 51 is formed from above the first corner portion to above the first main surface 10a (third region R3) between the first electrode 11 and the second electrode 12. The second coating layer 52 is formed from above the second corner to the first main surface 10a between the first electrode 11 and the second electrode 12. The third coating layer 53 is formed from above the third corner portion to above the first main surface 10a between the first electrode 11 and the second electrode 12. The fourth coating layer 54 is formed from above the fourth corner to the first main surface 10a between the first electrode 11 and the second electrode 12.

第2方向DR2における第1被覆層51(第2被覆層52、第3被覆層53、第4被覆層54)の幅を、幅Wとする。好ましくは、幅Wは、第3領域R3側に向かうにしたがって大きくなっている。第1被覆層51(第2被覆層52、第3被覆層53、第4被覆層54)は、平面視において、三角形形状を有していることが好ましい。 The width of the first coating layer 51 (second coating layer 52, third coating layer 53, fourth coating layer 54) in the second direction DR2 is defined as the width W. Preferably, the width W increases toward the third region R3 side. The first coating layer 51 (second coating layer 52, third coating layer 53, fourth coating layer 54) preferably has a triangular shape in a plan view.

図4Aは、図2のIVA-IVAにおける断面図である。図4Bは、図4Aの領域IVBにおける拡大図である。図4A及び図4Bに示されるように、第1被覆層51(第2被覆層52、第3被覆層53、第4被覆層54)の厚さを、厚さT1とする。第1めっき層20(第2めっき層30)の厚さを、厚さT2とする。厚さT1は、厚さT2以下であることが好ましい。 FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the line IVA-IVA of FIG. FIG. 4B is an enlarged view of the region IVB of FIG. 4A. As shown in FIGS. 4A and 4B, the thickness of the first coating layer 51 (second coating layer 52, third coating layer 53, fourth coating layer 54) is defined as the thickness T1. The thickness of the first plating layer 20 (second plating layer 30) is defined as the thickness T2. The thickness T1 is preferably not more than or equal to the thickness T2.

第1被覆層51、第2被覆層52、第3被覆層53及び第4被覆層54は、絶縁性の材料により形成されている。絶縁性の材料は、例えば、樹脂材料である。樹脂材料は、例えば、レジストである。 The first coating layer 51, the second coating layer 52, the third coating layer 53, and the fourth coating layer 54 are formed of an insulating material. The insulating material is, for example, a resin material. The resin material is, for example, a resist.

図2に示されるように、カソードマーク60は、第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a(第3領域R3)上に配置されている。カソードマーク60は、第1電極11及び第2電極12のうち、どちらが素子40のカソード(第2電極42)に接続されている電極かを示す素子40の極性識別マークである。 As shown in FIG. 2, the cathode mark 60 is arranged on the first main surface 10a (third region R3) between the first electrode 11 and the second electrode 12. The cathode mark 60 is a polarity identification mark of the element 40 indicating which of the first electrode 11 and the second electrode 12 is connected to the cathode (second electrode 42) of the element 40.

例えば、カソードマーク60の凸部61と対向している電極が、素子40のカソードに接続されている電極である。図2の例では、カソードマーク60は、第2電極12が素子40のカソードに接続されている電極であることを示している。 For example, the electrode facing the convex portion 61 of the cathode mark 60 is an electrode connected to the cathode of the element 40. In the example of FIG. 2, the cathode mark 60 indicates that the second electrode 12 is an electrode connected to the cathode of the element 40.

なお、カソードマーク60に代えて、アノードマークが用いられてもよい。アノードマークは、第1電極11及び第2電極12のうち、どちらが素子40のアノード(第1電極41)に接続されている電極かを示す素子40の極性識別マークである。 The anode mark may be used instead of the cathode mark 60. The anode mark is a polarity identification mark of the element 40 indicating which of the first electrode 11 and the second electrode 12 is connected to the anode (first electrode 41) of the element 40.

カソードマーク60(アノードマーク)は、絶縁性の材料により形成されている。絶縁性の材料は、例えば、樹脂材料である。樹脂材料は、例えば、レジストである。カソードマーク60(アノードマーク)は、第1被覆層51、第2被覆層52、第3被覆層53及び第4被覆層54と同一材料により形成されていることが好ましい。 The cathode mark 60 (anode mark) is formed of an insulating material. The insulating material is, for example, a resin material. The resin material is, for example, a resist. The cathode mark 60 (anode mark) is preferably formed of the same material as the first coating layer 51, the second coating layer 52, the third coating layer 53, and the fourth coating layer 54.

図1に示されるように、封止樹脂70は、第2主面10b上に配置されている。封止樹脂70は、素子40及びボンディングワイヤ43を封止している。封止樹脂70は、例えば、透明樹脂により形成されている。透明樹脂は、素子40において発生した光を透過させる樹脂である。透明樹脂は、例えば、エポキシ樹脂である。 As shown in FIG. 1, the sealing resin 70 is arranged on the second main surface 10b. The sealing resin 70 seals the element 40 and the bonding wire 43. The sealing resin 70 is made of, for example, a transparent resin. The transparent resin is a resin that transmits light generated in the element 40. The transparent resin is, for example, an epoxy resin.

以下に、電子部品100の製造方法を説明する。
図5は、電子部品100の製造方法を示す工程図である。図5に示されるように、電子部品100の製造方法は、準備工程S1と、被覆層形成工程S2と、めっき層形成工程S3と、ダイボンディング工程S4と、ワイヤボンディング工程S5と、モールド工程S6と、個片化工程S7とを有している。
The manufacturing method of the electronic component 100 will be described below.
FIG. 5 is a process diagram showing a manufacturing method of the electronic component 100. As shown in FIG. 5, the manufacturing method of the electronic component 100 includes a preparation step S1, a coating layer forming step S2, a plating layer forming step S3, a die bonding step S4, a wire bonding step S5, and a molding step S6. And the individualization step S7.

準備工程S1においては、基板80が準備される。図6は、準備工程S1において準備される基板80の底面図である。図6に示されるように、基板80には、複数の基板10が含まれている。基板80に含まれている基板10の各々は、第1方向DR1に沿って延在しているダイシング領域81により画されている。 In the preparation step S1, the substrate 80 is prepared. FIG. 6 is a bottom view of the substrate 80 prepared in the preparation step S1. As shown in FIG. 6, the substrate 80 includes a plurality of substrates 10. Each of the substrates 10 included in the substrate 80 is defined by a dicing region 81 extending along the first direction DR1.

図7は、被覆層形成工程S2を終えた後の基板80の底面図である。図7に示されるように、被覆層形成工程S2においては、第1被覆層51~第4被覆層54が形成される。第1被覆層51~第4被覆層54は、ダイシング領域81に重なるように形成される。 FIG. 7 is a bottom view of the substrate 80 after the coating layer forming step S2 is completed. As shown in FIG. 7, in the coating layer forming step S2, the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 are formed. The first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 are formed so as to overlap the dicing region 81.

被覆層形成工程S2においては、カソードマーク60も合わせて形成される。第1被覆層51~第4被覆層54及びカソードマーク60の形成は、第1被覆層51~第4被覆層54及びカソードマーク60を構成している材料を塗布するとともに、塗布された材料を硬化させることにより行われる。 In the coating layer forming step S2, the cathode mark 60 is also formed. For the formation of the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 and the cathode mark 60, the materials constituting the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 and the cathode mark 60 are applied, and the applied material is applied. It is done by curing.

めっき層形成工程S3においては、第1めっき層20及び第2めっき層30の形成が行われる。第1めっき層20及び第2めっき層30は、例えば、無電解めっき法又は電解めっき法により形成される。 In the plating layer forming step S3, the first plating layer 20 and the second plating layer 30 are formed. The first plating layer 20 and the second plating layer 30 are formed by, for example, an electroless plating method or an electrolytic plating method.

図8は、ダイボンディング工程S4を説明するための斜視図である。図8に示されるように、ダイボンディング工程S4においては、素子40(第1電極41)と第1パッド13との接続が行われる。 FIG. 8 is a perspective view for explaining the die bonding step S4. As shown in FIG. 8, in the die bonding step S4, the element 40 (first electrode 41) and the first pad 13 are connected to each other.

ダイボンディング工程S4においては、第1に、第1パッド13上に導電性粒子を含む樹脂材料が塗布される。この時点では、樹脂材料は硬化されていない。第2に、第1パッド13上に、素子40が載置される。第3に、導電性粒子を含む樹脂材料を加熱することにより、樹脂材料が硬化され、第1電極41と第1パッド13との接続が行われる。 In the die bonding step S4, first, a resin material containing conductive particles is applied onto the first pad 13. At this point, the resin material has not been cured. Second, the element 40 is placed on the first pad 13. Thirdly, by heating the resin material containing the conductive particles, the resin material is cured and the first electrode 41 and the first pad 13 are connected to each other.

図9は、ワイヤボンディング工程S5を説明するための斜視図である。図9に示されるように、ワイヤボンディング工程S5においては、ボンディングワイヤ43を用いたワイヤボンディングが行われることにより、素子40(第2電極42)と第2パッド14との接続が行われる。 FIG. 9 is a perspective view for explaining the wire bonding step S5. As shown in FIG. 9, in the wire bonding step S5, the element 40 (second electrode 42) and the second pad 14 are connected by performing wire bonding using the bonding wire 43.

モールド工程S6においては、素子40の樹脂封止が行われる。モールド工程S6においては、第1に、素子40が搭載された基板80が、金型内に配置される。第2に、金型内に封止樹脂70が流し込まれる。第3に、加熱が行われることにより、封止樹脂70が硬化し、素子40の樹脂封止が行われる。 In the molding step S6, the element 40 is sealed with resin. In the molding step S6, first, the substrate 80 on which the element 40 is mounted is arranged in the mold. Second, the sealing resin 70 is poured into the mold. Thirdly, by heating, the sealing resin 70 is cured, and the element 40 is resin-sealed.

図10は、個片化工程S7を説明するための斜視図である。図10に示されるように、個片化工程S7においては、素子40の搭載及び封止樹脂70による素子40の封止の行われた基板80が、ダイシング領域81に沿ってダイシングソーで切断される。これにより、電子部品100への個片化が行われる。 FIG. 10 is a perspective view for explaining the individualization step S7. As shown in FIG. 10, in the individualization step S7, the substrate 80 on which the element 40 is mounted and the element 40 is sealed by the sealing resin 70 is cut by a dicing saw along the dicing region 81. To. As a result, individualization into the electronic component 100 is performed.

以下に、電子部品100の効果を、比較例に係る電子部品(以下「電子部品100A」とする)と対比しながら説明する。 Hereinafter, the effect of the electronic component 100 will be described in comparison with the electronic component (hereinafter referred to as “electronic component 100A”) according to the comparative example.

図11は、電子部品100Aの底面図である。図11に示されるように、電子部品100Aの構成は、第1被覆層51、第2被覆層52、第3被覆層53及び第4被覆層54を有していない点を除き、電子部品100の構成と共通している。 FIG. 11 is a bottom view of the electronic component 100A. As shown in FIG. 11, the configuration of the electronic component 100A is that the electronic component 100 does not have the first coating layer 51, the second coating layer 52, the third coating layer 53, and the fourth coating layer 54. It is common with the composition of.

電子部品100Aは、第1被覆層51~第4被覆層54を有していない。そのため、個片化される際にダイシングソーが第1めっき層20及び第2めっき層30と接触することにより、第1角部~第4角部において、第1めっき層20及び第2めっき層30にバリBが形成される。その結果、第1電極11と第2電極12との間の距離が小さくなり、ハンダ付け時の電子部品100Aの立ち上がり、第1電極11と第2電極12との間のハンダブリッジが発生するおそれがある。 The electronic component 100A does not have the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54. Therefore, when the dicing saw comes into contact with the first plating layer 20 and the second plating layer 30, the first plating layer 20 and the second plating layer are formed in the first to fourth corners. Bali B is formed at 30. As a result, the distance between the first electrode 11 and the second electrode 12 becomes smaller, the electronic component 100A rises during soldering, and a solder bridge between the first electrode 11 and the second electrode 12 may occur. There is.

他方で、電子部品100においては、第1被覆層51~第4被覆層54により、ダイシングソーと第1めっき層20及び第2めっき層30とが接触することに伴うバリBの発生が抑制される。そのため、ハンダ付け時に電子部品100の立ち上がり、第1電極11と第2電極12との間のハンダブリッジが発生しがたい。 On the other hand, in the electronic component 100, the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 suppress the generation of burrs B due to the contact between the dicing saw and the first plating layer 20 and the second plating layer 30. To. Therefore, it is difficult for the electronic component 100 to rise and a solder bridge between the first electrode 11 and the second electrode 12 to occur at the time of soldering.

電子部品100においては、第1角部~第4角部のみが第1被覆層51~第4被覆層54でそれぞれ被覆されているため、第1被覆層51~第4被覆層54の形成に伴う電極面積の縮小を抑制することができる。幅Wが第3領域R3に向かうにしたがって小さくなっている場合、第1被覆層51~第4被覆層54の形成に伴う電極面積の縮小をさらに抑制することができる。 In the electronic component 100, only the first corner portion to the fourth corner portion are covered with the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54, respectively, so that the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 can be formed. It is possible to suppress the accompanying reduction in the electrode area. When the width W becomes smaller toward the third region R3, the reduction of the electrode area due to the formation of the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 can be further suppressed.

第1被覆層51~第4被覆層54とカソードマーク60とが同一材料で形成されている場合、第1被覆層51~第4被覆層54を形成するために新たな工程を導入する必要がない。そのため、電子部品100は、製造コストを大きく増加させることなく、ダイシングソーと第1めっき層20及び第2めっき層30とが接触することに伴うバリBの発生を抑制できる。 When the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 and the cathode mark 60 are formed of the same material, it is necessary to introduce a new step in order to form the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54. do not have. Therefore, the electronic component 100 can suppress the generation of burrs B due to the contact between the dicing saw and the first plating layer 20 and the second plating layer 30 without significantly increasing the manufacturing cost.

厚さT1が厚さT2以下である場合、第1被覆層51~第4被覆層54が第1めっき層20及び第2めっき層30から突出しない。そのため、この場合には、第1被覆層51~第4被覆層54が電子部品100のハンダ付け性を低下させることを抑制できる。 When the thickness T1 is less than or equal to the thickness T2, the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 do not protrude from the first plating layer 20 and the second plating layer 30. Therefore, in this case, it is possible to prevent the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 from deteriorating the solderability of the electronic component 100.

(第2実施形態)
以下に、第2実施形態に係る電子部品(以下「電子部品100B」とする)の構成を説明する。ここでは、電子部品100の構成と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
(Second Embodiment)
Hereinafter, the configuration of the electronic component (hereinafter referred to as “electronic component 100B”) according to the second embodiment will be described. Here, the points different from the configuration of the electronic component 100 will be mainly described, and the duplicated description will not be repeated.

電子部品100Bは、基板10と、第1電極11及び第2電極12と、第1パッド13及び第2パッド14と、第1接続部15及び第2接続部16と、第1めっき層20と、第2めっき層30と、素子40と、ボンディングワイヤ43と、カソードマーク60と、封止樹脂70とを有している。この点に関して、電子部品100Bの構成は、電子部品100の構成と共通している。 The electronic component 100B includes a substrate 10, a first electrode 11 and a second electrode 12, a first pad 13 and a second pad 14, a first connection portion 15, a second connection portion 16, and a first plating layer 20. It has a second plating layer 30, an element 40, a bonding wire 43, a cathode mark 60, and a sealing resin 70. In this respect, the configuration of the electronic component 100B is common to the configuration of the electronic component 100.

しかしながら、電子部品100Bの構成は、第1被覆層51~第4被覆層54に代えて第5被覆層55及び第6被覆層56を有している点に関して、電子部品100の構成と異なっている。なお、第5被覆層55及び第6被覆層56は、第1被覆層51~第4被覆層54(及びカソードマーク60)と同一の材料で形成されている。 However, the configuration of the electronic component 100B is different from the configuration of the electronic component 100 in that the fifth coating layer 55 and the sixth coating layer 56 are provided in place of the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54. There is. The fifth coating layer 55 and the sixth coating layer 56 are made of the same material as the first coating layer 51 to the fourth coating layer 54 (and the cathode mark 60).

図12は、電子部品100Bの底面図である。図12に示されるように、第5被覆層55は、第1電極11、第3領域R3(第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a)及び第2電極12を、第1辺10cに沿って、第3辺10eから第4辺10fまで連続して形成されている。第6被覆層56は、第1電極11、第3領域R3(第1電極11と第2電極12との間にある第1主面10a)及び第2電極12を、第2辺10dに沿って、第3辺10eから第4辺10fまで連続して形成されている。 FIG. 12 is a bottom view of the electronic component 100B. As shown in FIG. 12, the fifth coating layer 55 includes a first electrode 11, a third region R3 (a first main surface 10a between the first electrode 11 and the second electrode 12), and a second electrode 12. Is continuously formed from the third side 10e to the fourth side 10f along the first side 10c. The sixth coating layer 56 has the first electrode 11, the third region R3 (the first main surface 10a between the first electrode 11 and the second electrode 12), and the second electrode 12 along the second side 10d. Therefore, the third side 10e to the fourth side 10f are continuously formed.

このことを別の観点から言えば、第5被覆層55は、第1被覆層51及び第3被覆層53を含み、かつ第1辺10cに沿って第1電極11、第3領域R3及び第2電極12を連続的に形成されており、第6被覆層56は、第2被覆層52及び第4被覆層54を含み、かつ第2辺10dに沿って第1電極11、第3領域R3及び第2電極12を連続的に形成されている。 From another point of view, the fifth coating layer 55 includes the first coating layer 51 and the third coating layer 53, and the first electrode 11, the third region R3 and the first along the first side 10c. The two electrodes 12 are continuously formed, and the sixth coating layer 56 includes the second coating layer 52 and the fourth coating layer 54, and the first electrode 11 and the third region R3 are formed along the second side 10d. And the second electrode 12 is continuously formed.

なお、第1めっき層20は、第5被覆層55及び第6被覆層56から露出している第1電極11上の領域に形成されている。また、第2めっき層30は、第5被覆層55及び第6被覆層56から露出している第2電極12上の領域に形成されている。 The first plating layer 20 is formed in a region on the first electrode 11 exposed from the fifth coating layer 55 and the sixth coating layer 56. Further, the second plating layer 30 is formed in a region on the second electrode 12 exposed from the fifth coating layer 55 and the sixth coating layer 56.

以下に、電子部品100Bの製造方法を説明する。ここでは、電子部品100の製造方法と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。 The manufacturing method of the electronic component 100B will be described below. Here, the points different from the manufacturing method of the electronic component 100 will be mainly described, and the duplicated description will not be repeated.

電子部品100Bの製造方法は、準備工程S1と、被覆層形成工程S2と、めっき層形成工程S3と、ダイボンディング工程S4と、ワイヤボンディング工程S5と、モールド工程S6と、個片化工程S7とを有している。この点に関して、電子部品100Bの製造方法は、電子部品100の製造方法と共通している。しかしながら、電子部品100Bの製造方法は、被覆層形成工程S2の詳細に関して、電子部品100の製造方法と異なっている。 The manufacturing method of the electronic component 100B includes a preparation step S1, a coating layer forming step S2, a plating layer forming step S3, a die bonding step S4, a wire bonding step S5, a molding step S6, and an individualization step S7. have. In this respect, the manufacturing method of the electronic component 100B is common to the manufacturing method of the electronic component 100. However, the method for manufacturing the electronic component 100B is different from the method for manufacturing the electronic component 100 with respect to the details of the coating layer forming step S2.

図13は、電子部品100Bの製造方法における被覆層形成工程S2を終えた後の基板80の底面図である。図13に示されるように、電子部品100Bの製造方法における被覆層形成工程S2では、被覆層57が、ダイシング領域81を被覆している。被覆層57は、第2方向DR2における幅が、ダイシング領域81よりも大きくなっている。そのため、電子部品100Bがダイシングソー等により個片化された際に、被覆層57が、ダイシング領域81の側方に、第5被覆層55及び第6被覆層56として残存する。 FIG. 13 is a bottom view of the substrate 80 after the coating layer forming step S2 in the manufacturing method of the electronic component 100B is completed. As shown in FIG. 13, in the coating layer forming step S2 in the method for manufacturing the electronic component 100B, the coating layer 57 covers the dicing region 81. The width of the covering layer 57 in the second direction DR2 is larger than that of the dicing region 81. Therefore, when the electronic component 100B is fragmented by a dicing saw or the like, the coating layer 57 remains on the side of the dicing region 81 as the fifth coating layer 55 and the sixth coating layer 56.

以下に、電子部品100Bの効果を説明する。ここでは、電子部品100の効果と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。 The effect of the electronic component 100B will be described below. Here, the points different from the effects of the electronic component 100 will be mainly described, and duplicate explanations will not be repeated.

電子部品100Bにおいては、第5被覆層55が第1電極11、第3領域R3及び第2電極12を第1辺10cに沿って連続して形成されており、第6被覆層56が第1電極11、第3領域R3及び第2電極12の第2辺10dに沿って連続して形成されている。そのため、電子部品100Bによると、ダイシングソーと第1めっき層20及び第2めっき層30とが接触することに伴うバリBの発生をさらに抑制できる。 In the electronic component 100B, the fifth coating layer 55 is formed by continuously forming the first electrode 11, the third region R3, and the second electrode 12 along the first side 10c, and the sixth coating layer 56 is the first. It is continuously formed along the second side 10d of the electrode 11, the third region R3, and the second electrode 12. Therefore, according to the electronic component 100B, it is possible to further suppress the generation of burr B due to the contact between the dicing saw and the first plating layer 20 and the second plating layer 30.

以上のように本開示の実施形態について説明を行ったが、上述の実施形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。 Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the above-described embodiments can be variously modified. Moreover, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment. The scope of the present invention is indicated by the scope of claims and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.

100,100A,100B 電子部品、10 基板、10a 第1主面、10b 第2主面、10c 第1辺、10d 第2辺、10e 第3辺、10f 第4辺、11 第1電極、12 第2電極、13 第1パッド、14 第2パッド、15 第1接続部、15a 第1部分、15b 第2部分、16 第2接続部、16a 第1部分、16b 第2部分、20 第1めっき層、30 第2めっき層、40 素子、40a 第1面、40b 第2面、41 第1電極、42 第2電極、43 ボンディングワイヤ、51 第1被覆層、52 第2被覆層、53 第3被覆層、54 第4被覆層、55 第5被覆層、56 第6被覆層、57 被覆層、60 カソードマーク、61 凸部、70 封止樹脂、80 基板、81 ダイシング領域、DR1 第1方向、DR2 第2方向、R1 第1領域、R2 第2領域、R3 第3領域、S1 準備工程、S2 被覆層形成工程、S3 めっき層形成工程、S4 ダイボンディング工程、S5 ワイヤボンディング工程、S6 モールド工程、S7 個片化工程、B バリ、T1,T2 厚さ、W 幅。 100, 100A, 100B Electronic parts, 10 boards, 10a 1st main surface, 10b 2nd main surface, 10c 1st side, 10d 2nd side, 10e 3rd side, 10f 4th side, 11th 1st electrode, 12th 2 electrodes, 13 1st pad, 14 2nd pad, 15 1st connection part, 15a 1st part, 15b 2nd part, 16 2nd connection part, 16a 1st part, 16b 2nd part, 20 1st plating layer , 30 2nd plating layer, 40 elements, 40a 1st surface, 40b 2nd surface, 41 1st electrode, 42 2nd electrode, 43 bonding wire, 51 1st coating layer, 52 2nd coating layer, 53 3rd coating Layer, 54 4th coating layer, 55 5th coating layer, 56 6th coating layer, 57 coating layer, 60 cathode mark, 61 convex part, 70 encapsulating resin, 80 substrate, 81 dicing region, DR1 1st direction, DR2 2nd direction, R1 1st region, R2 2nd region, R3 3rd region, S1 preparation step, S2 coating layer forming step, S3 plating layer forming step, S4 die bonding step, S5 wire bonding step, S6 molding step, S7 Individualization process, B burr, T1, T2 thickness, W width.

Claims (7)

互いに対向している第1辺及び第2辺を有し、かつ前記第1辺と前記第2辺との間に第1主面を有する基板と、
前記第1主面上に前記第1辺から前記第2辺まで形成された第1電極と、
前記第1主面上に前記第1辺から前記第2辺まで形成され、かつ前記第1電極と離間している第2電極と、
前記第1辺に沿っている前記第1電極の角部のうちの前記第2電極側にある角部上から前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面上まで形成された第1被覆層と、
前記第2辺に沿っている前記第1電極の角部のうちの前記第2電極側にある角部上から前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面上まで形成された第2被覆層と、
前記第1辺に沿っている前記第2電極の角部のうちの前記第1電極側にある角部上から前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面上まで形成された第3被覆層と、
前記第2辺に沿っている前記第2電極の角部のうちの前記第1電極側にある角部上から前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面上まで形成された第4被覆層と、
前記第1被覆層及び前記第2被覆層から露出した前記第1電極上の領域に形成された第1めっき層と、
前記第3被覆層及び前記第4被覆層から露出した前記第2電極上の領域に形成された第2めっき層とを備える、電子部品。
A substrate having a first side and a second side facing each other and having a first main surface between the first side and the second side.
A first electrode formed from the first side to the second side on the first main surface, and
A second electrode formed on the first main surface from the first side to the second side and separated from the first electrode, and
From the corner portion of the first electrode along the first side on the second electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. The formed first coating layer and
From the corner portion of the first electrode along the second side on the second electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. The formed second coating layer and
From the corner portion of the second electrode along the first side on the first electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. The formed third coating layer and
From the corner portion of the second electrode along the second side on the first electrode side to the first main surface between the first electrode and the second electrode. With the formed fourth coating layer,
The first plating layer formed in the region on the first electrode exposed from the first coating layer and the second coating layer, and
An electronic component comprising the third coating layer and a second plating layer formed in a region on the second electrode exposed from the fourth coating layer.
前記第1辺及び前記第2辺が互いに対向している方向における前記第1被覆層、前記第2被覆層、前記第3被覆層及び前記第4被覆層の各々の幅は、前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面に向かうにしたがって大きくなっている、請求項1に記載の電子部品。 The width of each of the first coating layer, the second coating layer, the third coating layer, and the fourth coating layer in the direction in which the first side and the second side face each other is the first electrode. The electronic component according to claim 1, which becomes larger toward the first main surface between the second electrode and the second electrode. 前記第1被覆層及び前記第3被覆層を含み、前記第1辺に沿って前記第1電極上、前記第1主面上及び前記第2電極上に連続的に形成された第5被覆層と、
前記第2被覆層及び前記第4被覆層を含み、前記第2辺に沿って前記第1電極上、前記第1主面上及び前記第2電極上に連続的に形成された第6被覆層とを備える、請求項1に記載の電子部品。
A fifth coating layer including the first coating layer and the third coating layer, which is continuously formed on the first electrode, the first main surface, and the second electrode along the first side. When,
A sixth coating layer including the second coating layer and the fourth coating layer, which is continuously formed on the first electrode, the first main surface, and the second electrode along the second side. The electronic component according to claim 1, further comprising.
発光素子をさらに備え、
前記基板は、前記第1主面の反対面である第2主面をさらに有し、
前記発光素子は、前記第2主面上に配置されており、
前記第1電極及び前記第2電極は、前記発光素子に電気的に接続されている、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の電子部品。
With more light emitting elements
The substrate further has a second main surface, which is the opposite surface of the first main surface.
The light emitting element is arranged on the second main surface, and the light emitting element is arranged on the second main surface.
The electronic component according to any one of claims 1 to 3, wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected to the light emitting element.
前記第1電極と前記第2電極との間にある前記第1主面上に配置されており、かつ前記第1被覆層、前記第2被覆層、前記第3被覆層及び前記第4被覆層と同一材料により形成されている前記第1電極及び前記第2電極の極性を示す表示をさらに備える、請求項4に記載の電子部品。 It is arranged on the first main surface between the first electrode and the second electrode, and the first coating layer, the second coating layer, the third coating layer and the fourth coating layer are arranged. The electronic component according to claim 4, further comprising a display indicating the polarity of the first electrode and the second electrode, which are made of the same material as the above. 前記第1被覆層、前記第2被覆層、前記第3被覆層及び前記第4被覆層は、レジストにより形成されている、請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の電子部品。 The electronic component according to any one of claims 1 to 5, wherein the first coating layer, the second coating layer, the third coating layer, and the fourth coating layer are formed of a resist. 前記第1被覆層、前記第2被覆層、前記第3被覆層及び前記第4被覆層は、前記第1めっき層及び前記第2めっき層よりも薄い、請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の電子部品。 One of claims 1 to 6, wherein the first coating layer, the second coating layer, the third coating layer, and the fourth coating layer are thinner than the first plating layer and the second plating layer. The electronic component according to item 1.
JP2020143988A 2020-08-28 2020-08-28 Electronic component Pending JP2022039128A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020143988A JP2022039128A (en) 2020-08-28 2020-08-28 Electronic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020143988A JP2022039128A (en) 2020-08-28 2020-08-28 Electronic component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022039128A true JP2022039128A (en) 2022-03-10

Family

ID=80499079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020143988A Pending JP2022039128A (en) 2020-08-28 2020-08-28 Electronic component

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2022039128A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4686248B2 (en) Optical semiconductor device and optical semiconductor device manufacturing method
US8853841B2 (en) Lead frame which includes terminal portion having through groove covered by lid portion, semiconductor package, and manufacturing method of the same
CN102789994B (en) The wettable semiconductor device in side
KR102452097B1 (en) Lead frame and semi-conductor device
US20130307014A1 (en) Semiconductor light emitting device
JP5151158B2 (en) Package and semiconductor device using the package
JP6065586B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US9972560B2 (en) Lead frame and semiconductor device
TWI403234B (en) Installation substrate and method for manufacturing thin illumination device using the same
TW201448059A (en) Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame
JP5904001B2 (en) Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, LED package with multiple surfaces, LED package manufacturing method, and lead frame for mounting semiconductor elements
JP2008053290A (en) Optical semiconductor device and its manufacturing method
JP2010062316A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
JP2013258348A (en) Semiconductor device manufacturing method
JP2019121698A (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2001196641A (en) Surface mount semiconductor device
US20220165674A1 (en) Semiconductor package structure and manufacturing method thereof
JP2022039128A (en) Electronic component
JP2009099816A (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same and mounting method of semiconductor device
JP6268793B2 (en) Multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, multi-sided body of optical semiconductor device, lead frame, lead frame with resin, optical semiconductor device
JP2012182207A (en) Lead frame for led element and method for manufacturing the same
JP5011879B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device and lead frame assembly
JP2017027991A (en) Lead frame with resin, multifaceted body with resin, optical semiconductor device, multifaceted body of optical semiconductor device, mold for lead frame with resin
JP2006303028A (en) Semiconductor device and its fabrication process
JP2015038917A (en) Lead frame, lead frame with resin, multifaceted body of lead frame, multifaceted body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multifaceted body of optical semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230707

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240319

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240402

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240423