JP2022037564A - 坩堝，蒸発源及び蒸着装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ガスケットの耐久寿命を延ばすことのできる坩堝，蒸発源及び蒸着装置を提供する。【解決手段】ガスケット１５０の両面は平面により構成され、坩堝本体１１０には、開口部１１１に沿ってガスケット１５０が配される凹部１１３が設けられ、かつ凹部１１３の底面は平面により構成され、蓋１４０におけるガスケット１５０が接する面も平面により構成されると共に、ガスケット１５０の材料の線膨張係数は、坩堝本体１１０の材料の線膨張係数よりも大きく、非蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は凹部１１３の内側の側面との間に隙間を有する状態で配されており、蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は、熱膨張によって、凹部１１３の内側の側面及び底面と蓋１４０に対して密着状態となるように構成される。【選択図】図７

Description

本発明は、真空蒸着を行うために用いられる坩堝，蒸発源及び蒸着装置に関する。

真空蒸着を行う蒸着装置においては、成膜材料（蒸着材料）を蒸発または昇華させるための蒸発源が設けられている。そして、この蒸発源には成膜材料が収容される坩堝が備えられている。図１８を参照して、従来例に係る坩堝について説明する。図１８は従来例に係る坩堝の一部を示す模式的断面図である。坩堝５００は、成膜材料を収容する容器を出し入れするための開口部を有する坩堝本体５１０と、坩堝本体５１０の開口部を塞ぐ蓋５２０と、坩堝本体５１０と蓋５２０との間の隙間を封止する金属製のガスケット５３０とを備えている。この従来例に係る坩堝５００においては、坩堝本体５１０と蓋５２０のそれぞれに、環状突起５１１，５２１が設けられており、これらの環状突起５１１，５２１をガスケット５３０に食い込ませる構成が採用されている。このような構成を採用することで、安定した密封性が得られている。

しかしながら、上記のような構成の場合、ガスケット５３０に環状突起５１１，５２１が食い込んだ跡が残ってしまう。そのため、数回利用すると、所望の密封性を得ることができなくなり、新品のガスケット５３０に交換しなければならず、コストが増えるといった課題がある。

特開２０１４－１９８８６３号公報 特許第３７４７３２４号公報

本発明の目的は、ガスケットの耐久寿命を延ばすことのできる坩堝，蒸発源及び蒸着装置を提供することにある。

本発明は、上記課題を解決するため、
成膜材料を収容する容器を出し入れするための開口部を有する坩堝本体と、
前記開口部を塞ぐ蓋と、
前記坩堝本体と蓋との間の隙間を封止する金属製のガスケットと、
を備える坩堝であって、
前記ガスケットの両面は平面により構成され、
前記坩堝本体には、前記開口部に沿って前記ガスケットが配される凹部が設けられ、かつ前記凹部の底面は平面により構成され、
前記蓋又は前記蓋と前記ガスケットとの間に設けられる部材における前記ガスケットが接する面も平面により構成されると共に、
前記ガスケットの材料の線膨張係数は、前記坩堝本体の材料の線膨張係数よりも大きく、
非蒸着時の温度環境下では、前記ガスケットは前記凹部の内側の側面との間に隙間を有する状態で配されており、蒸着時の温度環境下では、前記ガスケットは、熱膨張によって、前記凹部の内側の側面及び底面と前記蓋又は前記蓋と前記ガスケットとの間に設けられる部材に対して密着状態となるように構成されることを特徴とする。

本発明によれば、坩堝本体に設けられた凹部の底面、及び蓋又は蓋とガスケットとの間に設けられる部材のうちガスケットが接する面がいずれも平面で構成されるため、従来技術のように、ガスケットに突起の跡が残ることはない。また、蒸着時の温度環境下では、ガスケットが熱膨張して、凹部の内側の側面及び底面と蓋又は蓋とガスケットとの間に設けられる部材に対して密着するため、十分な密封性が得られる。

以上説明したように、本発明によれば、ガスケットの耐久寿命を延ばすことができる。

蒸着装置の概略構成図である。 本発明の実施例１に係る坩堝の概略構成図である。 本発明の実施例１に係るガスケットの概略構成図である。 本発明の実施例１に係る坩堝本体の概略構成図である。 本発明の実施例１に係る蓋の概略構成図である。 本発明の実施例１に係る坩堝の挙動説明図である。 本発明の実施例１に係る坩堝の挙動説明図である。 本発明の実施例２に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図である。 本発明の実施例２に係る蒸発源の制御フロー図である。 本発明の実施例３に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図である。 本発明の実施例４に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図である。 本発明の実施例５に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図である。 本発明の実施例６に係る坩堝の一部を示す模式的断面図である。 本発明の実施例７に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図である。 本発明の実施例８に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図である。 本発明の実施例９に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図である。 本発明の実施例１０に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図である。 従来例に係る坩堝の一部を示す模式的断面図である。

以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

（実施例１）
図１～図７を参照して、本発明の実施例１に係る坩堝、蒸発源及び蒸着装置について説明する。

＜蒸着装置＞
図１は蒸着装置の概略構成図である。蒸着装置１は、真空ポンプ３によって、内部が真空に近い状態（減圧雰囲気）となるように構成されるチャンバ２と、チャンバ２の内部に配置される蒸発源１０とを備えている。蒸発源１０は、基板Ｂに蒸着させる物質の材料（成膜材料、蒸着材料）を加熱させることで、当該材料を蒸発又は昇華させる役割を担っている。この蒸発源１０によって蒸発または昇華された物質が、チャンバ２の内部に設置された基板Ｂの蒸着面（蒸発源１０側の表面）に付着されることで、基板Ｂに薄膜が形成される。

そして、蒸発源１０は、坩堝１００と、坩堝１００を加熱する加熱ヒータ２００と、加
熱ヒータ２００を制御する制御装置３００とを備えている。なお、本実施例に係る制御装置３００においては、加熱ヒータ２００だけでなく、真空ポンプ３など、蒸着装置１全体の動作を制御するように構成されている。

＜坩堝＞
図２は本発明の実施例１に係る坩堝の概略構成図であり、同図（ａ）は坩堝の平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＡＡ断面図である。図３は本発明の実施例１に係るガスケットの概略構成図であり、同図（ａ）はガスケットの平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＢＢ断面図である。図４は本発明の実施例１に係る坩堝本体の概略構成図であり、同図（ａ）は坩堝本体の正面図（ガスケットが配される側から見た図）であり、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＣＣ断面図である。図５は本発明の実施例１に係る蓋の概略構成図であり、同図（ａ）は蓋の背面図（ガスケットが密着する側から見た図）であり、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＤＤ断面図である。

本実施例に係る坩堝１００は、成膜材料１２０を収容する容器１３０を出し入れするための開口部１１１を有する坩堝本体１１０と、開口部１１１を塞ぐ蓋１４０と、坩堝本体１１０と蓋１４０との間の隙間を封止する金属製のガスケット１５０とを備えている。坩堝本体１１０と蓋１４０とは固定具１６０により固定される。なお、固定具１６０については、ボルトやナットなど各種公知技術を採用し得る。また、坩堝本体１１０には、蒸発又は昇華する成膜材料１２０を基板Ｂに向けて放出させるための放出口１１２が設けられている。

ガスケット１５０は、中央に開口部１５１を有する平板状の部材により構成される。つまり、ガスケット１５０の両面は平面により構成されている。坩堝本体１１０には、開口部１１１に沿ってガスケット１５０が配される凹部１１３が設けられている。この凹部１１３の底面（ガスケット１５０が接する面）は平面により構成されている。また、坩堝本体１１０には、ネジ軸１１４が設けられている。そして、本実施例に係る蓋１４０においても、ガスケット１５０が配される凹部１４１が設けられている。この凹部１４１の底面（ガスケット１５０が接する面を含む）も平面により構成されている。また、蓋１４０には、ネジ軸１１４が挿通される挿通孔１４２が設けられている。これにより、蓋１４０は、それぞれの挿通孔１４２にネジ軸１１４が挿通されるように坩堝本体１１０に取り付けられた状態で、固定具１６０（ナット）によって固定される。なお、本実施例においては、ガスケット１５０の中央に開口部１５１を設けているが、この開口部１５１は設けなくてもよい。

＜坩堝の挙動＞
図６及び図７は本発明の実施例１に係る坩堝の挙動説明図である。図６は坩堝本体とガスケットとの関係を坩堝本体の正面側から見た様子を示しており、図７は坩堝を断面的に見た様子を示している。図６（ａ）及び図７（ａ）は非蒸着時の温度環境下（室温環境下）の状態を示し、図６（ｂ）及び図７（ｂ）は蒸着時の温度環境下の状態を示している。

本実施例においては、ガスケット１５０の材料の線膨張係数が、坩堝本体１１０の材料の線膨張係数よりも大きく、かつ蓋１４０の材料の線膨張係数よりも大きくなるように、各部材の材料が選定されている。例えば、ガスケット１５０の材料をアルミニウムとし、坩堝本体１１０及び蓋１４０の材料をチタンとすると好適である。

そして、非蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は坩堝本体１１０の凹部１１３の内側の側面との間に隙間を有する状態で配されるように構成されている（図６（ａ）参照）。なお、本実施例においては、非蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は蓋１４０の凹部１４１の内側の側面との間にも隙間を有する状態で配されるように構成されて
いる。このとき、ガスケット１５０と凹部１１３の底面、及びガスケット１５０と凹部１４１の底面との間に微小な隙間が形成されるように設定することもできるし（図７（ａ）参照）、隙間がないように設定することもできる。

蒸着処理がなされる際においては、成膜材料１２０を蒸発又は昇華させるために、加熱ヒータ２００によって坩堝１００が加熱され、坩堝１００は高温状態となる。このような蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は、熱膨張によって、坩堝本体１１０の凹部１１３の内側の側面及び底面と蓋１４０に対して密着状態となる（図６（ｂ）及び図７（ｂ）参照）。なお、本実施例においては、蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は、熱膨張によって、蓋１４０の凹部１４１の内側の側面及び底面に対して密着状態となる（図７（ｂ）参照）。

＜本実施例に係る坩堝、蒸発源及び蒸着装置の優れた点＞
本実施例によれば、坩堝本体１１０に設けられた凹部１１３の底面、及び蓋１４０のうちガスケット１５０が接する面がいずれも平面で構成される。そのため、従来技術のように、ガスケット１５０に突起の跡が残ることはない。従って、ガスケット１５０の耐久寿命を延ばすことができ、ガスケット１５０を、従来技術に比べて、より多く使用することができる。これにより、コストも抑制することができる。また、蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０が熱膨張して、坩堝本体１１０の凹部１１３の内側の側面及び底面と蓋１４０に対して密着するため、十分な密封性が得られる。以上のように、本実施例によれば、蒸着時においては、十分な密封性を得ることができる。

（実施例２）
本実施例においては、蒸着処理後の成膜材料の漏れ対策を施した蒸発源の構成を示す。基本的な構成および作用については実施例１と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は適宜省略する。図８は本発明の実施例２に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図であり、実施例１と異なる構成を明示した部分を拡大した断面図である。図９は本発明の実施例２に係る蒸発源の制御フロー図である。本実施例に係る蒸着装置全体の構成については、実施例１と同様である。

坩堝１００Ａは、実施例１と同様に、坩堝本体１１０と、容器（不図示）と、蓋１４０Ａと、ガスケット１５０と、固定具１６０とを備えている。本実施例に係る蓋１４０Ａにおいては、実施例１とは異なり、凹部１４１は設けられていない。本実施例においては、蓋１４０Ａにおけるガスケット１５０との対向面側は平面で構成されている。本実施例においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。

そして、本実施例に係る蒸発源１０Ａにおいては、坩堝１００Ａを加熱する加熱ヒータとして、坩堝本体１１０を加熱するための第１ヒータ２１０と、ガスケット１５０を加熱するための第２ヒータ２２０とを備えている。本実施例においては、制御装置３００は、蒸着時に第１ヒータ２１０と第２ヒータ２２０の双方をオンにし、蒸着終了後に第１ヒータ２１０をオフにした後に第２ヒータ２２０をオフにするようにしている。以下、本実施例に係る蒸発源１０Ａの制御方法について、図９の制御フローを参照して説明する。

制御装置３００においては、蒸着処理の開始命令を受けると（Ｓ０）、第１ヒータ２１０（坩堝用ヒータ）をオンにし（Ｓ１）、かつ第２ヒータ２２０（ガスケット用ヒータ）をオンにする（Ｓ２）。なお、これらをオンにするタイミングは、順序を逆にしてもよいし、同時にしてもよい。第１ヒータ２１０と第２ヒータ２２０がオンにされることで坩堝１００Ａが加熱され、坩堝内の環境温度が一定以上になることで、成膜材料が蒸発又は昇華して、蒸着処理が行われる。そして、制御装置３００は、予め設定されているプログラム処理に基づいて、蒸着を終了するか否かを判断する（Ｓ４）。これにより、蒸着が終了
されない間は蒸着処理が続行され（Ｓ３）、蒸着終了と判断されると第１ヒータ２１０はオフにされる（Ｓ５）。

その後、制御装置３００は、第２ヒータ２２０をオフにするか否かを判断する（Ｓ６）。ここで、制御装置３００により第２ヒータ２２０をオフにするタイミングは、坩堝本体１１０の温度が、成膜材料が昇華も蒸発もしない温度まで低下していることに基づいて設定される。例えば、第１ヒータ２１０をオフにしてからの経過時間が予め定めた時間に達したか否かを判定し、当該時間を経過したタイミングで第２ヒータ２２０をオフにするように設定することができる。つまり、坩堝本体１１０の温度が、第１ヒータ２１０をオフにしてから成膜材料が昇華も蒸発もしない温度に低下するまでに必要な時間を設定すればよい。なお、この時間については、実験データや経験則等に基づいて設定することができる。また、坩堝本体１１０の温度を測定するセンサを設けて、当該センサによって測定される温度が、成膜材料が昇華も蒸発もしない温度に低下したタイミングで第２ヒータ２２０をオフにする制御を採用することもできる。以上のように、制御装置３００が、第２ヒータ２２０をオフにするか否かを判断し（Ｓ６）、第２ヒータ２２０をオフにする（Ｓ７）ことで、坩堝１００Ａの加熱制御が終了する（Ｓ８）。

以上のように、本実施例に係る蒸発源１０Ａによれば、第１ヒータ２１０がオフになってから第２ヒータ２２０がオフになるまでの間もガスケット１５０が加熱されて膨張しているため、密封性を得ることができる。そして、制御装置３００により第２ヒータ２２０をオフにするタイミングは、坩堝本体１１０の温度が、成膜材料が昇華も蒸発もしない温度まで低下していることに基づいて設定される。従って、第１ヒータ２１０がオフになっても、成膜材料が昇華または蒸発している間は密封機能が発揮される。

（実施例３）
図１０は本発明の実施例３に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図であり、実施例１と異なる構成を明示した部分を拡大した断面図である。本実施例に係る蒸着装置全体の構成については、実施例１と同様である。

坩堝１００Ｂは、実施例１と同様に、坩堝本体１１０と、容器（不図示）と、蓋１４０Ｂと、ガスケット１５０と、固定具１６０とを備えている。本実施例に係る蓋１４０Ｂにおいては、実施例２と同様に、凹部１４１は設けられていない。本実施例においては、蓋１４０Ｂにおけるガスケット１５０との対向面側は平面で構成されている。

また、本実施例に係る蒸発源１０Ｂにおいては、実施例２と同様に、坩堝１００Ｂを加熱する加熱ヒータとして、坩堝本体１１０を加熱するための第１ヒータ２１０と、ガスケット１５０を加熱するための第２ヒータ２２０とを備えている。そして、本実施例は、蓋１４０Ｂとガスケット１５０との間に、第２ヒータ２２０が設けられている。第２ヒータ２２０におけるガスケット１５０が接する面は平面により構成されている。本実施例は、蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は、熱膨張によって、坩堝本体１１０の凹部１１３の内側の側面及び底面と第２ヒータ２２０に対して密着状態となる。本実施例においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。なお、加熱ヒータは、非導電性の金属板にヒータ線が設けられた構成を採用することができる。第２ヒータ２２０として、このように構成される加熱ヒータを採用することで、ガスケット１５０は、第２ヒータ２２０に対して密着した状態となり、安定した密封機能を発揮する。なお、第２ヒータ２００におけるガスケット１５０との密着面は、シール面となるため、平滑度が高くなるように加工処理を施すと好適である。

また、本実施例においても、実施例２で説明した制御フローと同様に、制御装置３００は、蒸着時に第１ヒータ２１０と第２ヒータ２２０の双方をオンにし、蒸着終了後に第１
ヒータ２１０をオフにした後に第２ヒータ２２０をオフにするようにしている。本実施例においても、実施例２と同様の効果を得ることができる。

（実施例４）
図１１は本発明の実施例４に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図であり、実施例１と異なる構成を明示した部分を拡大した断面図である。本実施例に係る蒸着装置全体の構成については、実施例１と同様である。

坩堝１００Ｃは、実施例１と同様に、坩堝本体１１０と、容器（不図示）と、蓋１４０Ｃと、ガスケット１５０と、固定具１６０とを備えている。本実施例に係る蓋１４０Ｃにおいては、実施例２と同様に、凹部１４１は設けられていない。本実施例においては、蓋１４０Ｃにおけるガスケット１５０との対向面側は平面で構成されている。

また、本実施例に係る蒸発源１０Ｃにおいては、実施例２と同様に、坩堝１００Ｃを加熱する加熱ヒータとして、坩堝本体１１０を加熱するための第１ヒータ２１０と、ガスケット１５０を加熱するための第２ヒータ２２０とを備えている。そして、本実施例は、ガスケット１５０の開口部１５１の内側に第２ヒータ２２０が配されるように、第２ヒータ２２０は蓋１４０Ｃに固定されている。本実施例は、第１，２実施例と同様に、蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は、熱膨張によって、坩堝本体１１０の凹部１１３の内側の側面及び底面と蓋１４０Ｃに対して密着状態となる。本実施例においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。

また、本実施例においても、実施例２で説明した制御フローと同様に、制御装置３００は、蒸着時に第１ヒータ２１０と第２ヒータ２２０の双方をオンにし、蒸着終了後に第１ヒータ２１０をオフにした後に第２ヒータ２２０をオフにするようにしている。本実施例においても、実施例２と同様の効果を得ることができる。

（実施例５）
図１２は本発明の実施例５に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図であり、実施例１と異なる構成を明示した部分を拡大した断面図である。本実施例に係る蒸着装置全体の構成については、実施例１と同様である。

坩堝１００Ｄは、実施例１と同様に、坩堝本体１１０と、容器（不図示）と、蓋１４０Ｄと、ガスケット１５０Ｄと、固定具１６０とを備えている。本実施例に係るガスケット１５０Ｄにおいては、実施例１とは異なり、開口部１５１が設けられていない。ただし、本実施例においても、開口部１５１を設ける構成を採用することは可能である。また、本実施例に係る蓋１４０Ｄにおいては、実施例１とは異なり、ガスケット１５０Ｄではなく、第２ヒータ２２０を配置させるための凹部１４１Ｄが設けられている。なお、本実施例においては、蓋１４０Ｄにおけるガスケット１５０Ｄとの密着面（接触面）は平面で構成されている。

また、本実施例に係る蒸発源１０Ｄにおいては、実施例２と同様に、坩堝１００Ｄを加熱する加熱ヒータとして、坩堝本体１１０を加熱するための第１ヒータ２１０と、ガスケット１５０Ｄを加熱するための第２ヒータ２２０とを備えている。そして、本実施例は、蓋１４０Ｄに設けられた凹部１４１Ｄの内側に第２ヒータ２２０が配されるように、第２ヒータ２２０は蓋１４０Ｄに固定されている。本実施例は、第１，２実施例と同様に、蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０Ｄは、熱膨張によって、坩堝本体１１０の凹部１１３の内側の側面及び底面と蓋１４０Ｄに対して密着状態となる。本実施例においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。

また、本実施例においても、実施例２で説明した制御フローと同様に、制御装置３００は、蒸着時に第１ヒータ２１０と第２ヒータ２２０の双方をオンにし、蒸着終了後に第１ヒータ２１０をオフにした後に第２ヒータ２２０をオフにするようにしている。本実施例においても、実施例２と同様の効果を得ることができる。

（実施例６）
図１３は本発明の実施例６に係る坩堝の一部を示す模式的断面図であり、実施例１と異なる構成を明示した部分を拡大した断面図である。本実施例に係る蒸着装置全体の構成については、実施例１と同様である。

本実施例に係る坩堝１００Ｅは、実施例１と同様に、坩堝本体１１０と、容器（不図示）と、蓋１４０Ｅと、ガスケット１５０と、固定具１６０とを備えている。本実施例に係る蓋１４０Ｅにおいては、実施例２と同様に、凹部１４１は設けられていない。本実施例においては、蓋１４０Ｅにおけるガスケット１５０との対向面側は平面で構成されている。従って、蓋１４０Ｅにおけるガスケット１５０が接する面が平面であることについては、実施例１と同様である。本実施例においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。

そして、本実施例においては、ガスケット１５０を坩堝本体１１０の凹部１１３の底面に向けて付勢する付勢部材としてのスプリング１７０を備えている。すなわち、固定具１６０であるナットと蓋１４０Ｅとの間に、スプリング１７０を配した状態で、固定具１６０が締め付けられている。これにより、ガスケット１５０は、蓋１４０Ｅに押されて、坩堝本体１１０の凹部１１３の底面に向けて付勢される。以上のような構成を採用することで、非蒸着時の温度環境下（室温環境下）においても、ガスケット１５０と坩堝本体１１０の凹部１１３の底面との間に隙間が生じてしまうことを抑制することができる。従って、蒸着処理後における成膜材料の漏れを抑制することができる。

（実施例７）
図１４は本発明の実施例７に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図であり、実施例１と異なる構成を明示した部分を拡大した断面図である。本実施例に係る蒸着装置全体の構成については、実施例１と同様である。本実施例に係る蒸発源１０Ｆにおいても、実施例１と同様に、坩堝１００Ｆと、坩堝１００Ｆを加熱する加熱ヒータと、加熱ヒータの動作を制御する制御装置３００（図１参照）とを備えている。

坩堝１００Ｆは、実施例１と同様に、坩堝本体１１０と、容器（不図示）と、蓋１４０Ｆと、ガスケット１５０と、固定具１６０とを備えている。本実施例に係る蓋１４０Ｆにおいては、実施例２と同様に、凹部１４１は設けられていない。本実施例においては、蓋１４０Ｆにおけるガスケット１５０との対向面側は平面で構成されている。従って、蓋１４０Ｆにおけるガスケット１５０が接する面が平面であることについては、実施例１と同様である。本実施例においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。

そして、本実施例においては、実施例６と同様に、ガスケット１５０を坩堝本体１１０の凹部１１３の底面に向けて付勢する付勢部材としてのスプリング１７０を備えている。本実施例においても、実施例６と同様の効果を得ることができる。

また、本実施例に係る蒸発源１０Ｆにおいては、坩堝１００Ｆを加熱する加熱ヒータとして、坩堝本体１１０を加熱するための第１ヒータ２１０と、ガスケット１５０を加熱するための第２ヒータ２２０とを備えている。本実施例においては、実施例２で説明した制御フローと同様に、制御装置３００は、蒸着時に第１ヒータ２１０と第２ヒータ２２０の双方をオンにし、蒸着終了後に第１ヒータ２１０をオフにした後に第２ヒータ２２０をオ
フにするようにしている。本実施例においても、実施例２と同様の効果を得ることができる。

以上のように、本実施例においては、実施例２の効果に加えて、実施例６の効果も加わるため、蒸着処理後における成膜材料の漏れをより確実に抑制することができる。

（実施例８）
図１５は本発明の実施例８に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図であり、実施例１と異なる構成を明示した部分を拡大した断面図である。本実施例に係る蒸着装置全体の構成については、実施例１と同様である。本実施例に係る蒸発源１０Ｇにおいても、実施例１と同様に、坩堝１００Ｇと、坩堝１００Ｇを加熱する加熱ヒータと、加熱ヒータの動作を制御する制御装置３００（図１参照）とを備えている。

坩堝１００Ｇは、実施例１と同様に、坩堝本体１１０と、容器（不図示）と、蓋１４０Ｇと、ガスケット１５０と、固定具１６０とを備えている。本実施例に係る蓋１４０Ｇにおいては、実施例２と同様に、凹部１４１は設けられていない。本実施例においては、蓋１４０Ｇにおけるガスケット１５０との対向面側は平面で構成されている。

また、本実施例に係る蒸発源１０Ｇにおいては、実施例２と同様に、坩堝１００Ｇを加熱する加熱ヒータとして、坩堝本体１１０を加熱するための第１ヒータ２１０と、ガスケット１５０を加熱するための第２ヒータ２２０とを備えている。そして、本実施例は、蓋１４０Ｇとガスケット１５０との間に、第２ヒータ２２０が設けられている。第２ヒータ２２０におけるガスケット１５０が接する面は平面により構成されている。本実施例は、蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は、熱膨張によって、坩堝本体１１０の凹部１１３の内側の側面及び底面と第２ヒータ２２０に対して密着状態となる。本実施例においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。

また、本実施例においても、実施例２で説明した制御フローと同様に、制御装置３００は、蒸着時に第１ヒータ２１０と第２ヒータ２２０の双方をオンにし、蒸着終了後に第１ヒータ２１０をオフにした後に第２ヒータ２２０をオフにするようにしている。本実施例においても、実施例２と同様の効果を得ることができる。

そして、本実施例においては、実施例６，７と同様に、ガスケット１５０を坩堝本体１１０の凹部１１３の底面に向けて付勢する付勢部材としてのスプリング１７０を備えている。

（実施例９）
図１６は本発明の実施例９に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図であり、実施例１と異なる構成を明示した部分を拡大した断面図である。本実施例に係る蒸着装置全体の構成については、実施例１と同様である。本実施例に係る蒸発源１０Ｈにおいても、実施例１と同様に、坩堝１００Ｈと、坩堝１００Ｈを加熱する加熱ヒータと、加熱ヒータの動作を制御する制御装置３００（図１参照）とを備えている。

坩堝１００Ｈは、実施例１と同様に、坩堝本体１１０と、容器（不図示）と、蓋１４０Ｈと、ガスケット１５０と、固定具１６０とを備えている。本実施例に係る蓋１４０Ｈにおいては、実施例２と同様に、凹部１４１は設けられていない。本実施例においては、蓋１４０Ｈにおけるガスケット１５０との対向面側は平面で構成されている。

また、本実施例に係る蒸発源１０Ｈにおいては、実施例２と同様に、坩堝１００Ｈを加熱する加熱ヒータとして、坩堝本体１１０を加熱するための第１ヒータ２１０と、ガスケ
ット１５０を加熱するための第２ヒータ２２０とを備えている。そして、本実施例は、ガスケット１５０の開口部１５１の内側に第２ヒータ２２０が配されるように、第２ヒータ２２０は蓋１４０Ｈに固定されている。本実施例は、実施例１，２と同様に、蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０は、熱膨張によって、坩堝本体１１０の凹部１１３の内側の側面及び底面と蓋１４０Ｈに対して密着状態となる。本実施例においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。

また、本実施例においても、実施例２で説明した制御フローと同様に、制御装置３００は、蒸着時に第１ヒータ２１０と第２ヒータ２２０の双方をオンにし、蒸着終了後に第１ヒータ２１０をオフにした後に第２ヒータ２２０をオフにするようにしている。本実施例においても、実施例２と同様の効果を得ることができる。

そして、本実施例においては、実施例６～８と同様に、ガスケット１５０を坩堝本体１１０の凹部１１３の底面に向けて付勢する付勢部材としてのスプリング１７０を備えている。

（実施例１０）
図１７は本発明の実施例１０に係る蒸発源の一部を示す模式的断面図であり、実施例１と異なる構成を明示した部分を拡大した断面図である。本実施例に係る蒸着装置全体の構成については、実施例１と同様である。本実施例に係る蒸発源１０Ｉにおいても、実施例１と同様に、坩堝１００Ｉと、坩堝１００Ｉを加熱する加熱ヒータと、加熱ヒータの動作を制御する制御装置３００（図１参照）とを備えている。

坩堝１００Ｉは、実施例１と同様に、坩堝本体１１０と、容器（不図示）と、蓋１４０Ｉと、ガスケット１５０Ｉと、固定具１６０とを備えている。本実施例に係るガスケット１５０Ｉにおいては、実施例１とは異なり、開口部１５１が設けられていない。ただし、本実施例においても、開口部１５１を設ける構成を採用することは可能である。また、本実施例に係る蓋１４０Ｉにおいては、実施例１とは異なり、ガスケット１５０Ｉではなく、第２ヒータ２２０を配置させるための凹部１４１Ｉが設けられている。なお、本実施例においては、蓋１４０Ｉにおけるガスケット１５０との密着面（接触面）は平面で構成されている。

また、本実施例に係る蒸発源１０Ｉにおいては、実施例２と同様に、坩堝１００Ｉを加熱する加熱ヒータとして、坩堝本体１１０を加熱するための第１ヒータ２１０と、ガスケット１５０Ｉを加熱するための第２ヒータ２２０とを備えている。そして、本実施例は、蓋１４０Ｉに設けられた凹部１４１Ｉの内側に第２ヒータ２２０が配されるように、第２ヒータ２２０は蓋１４０Ｉに固定されている。本実施例は、実施例１，２と同様に、蒸着時の温度環境下では、ガスケット１５０Ｉは、熱膨張によって、坩堝本体１１０の凹部１１３の内側の側面及び底面と蓋１４０Ｉに対して密着状態となる。本実施例においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。

また、本実施例においても、実施例２で説明した制御フローと同様に、制御装置３００は、蒸着時に第１ヒータ２１０と第２ヒータ２２０の双方をオンにし、蒸着終了後に第１ヒータ２１０をオフにした後に第２ヒータ２２０をオフにするようにしている。本実施例においても、実施例２と同様の効果を得ることができる。

そして、本実施例においては、実施例６～９と同様に、ガスケット１５０を坩堝本体１１０の凹部１１３の底面に向けて付勢する付勢部材としてのスプリング１７０を備えている。

（その他）
実施例３，８においては、蓋とガスケットとの間に第２ヒータを設けて、ガスケットは、蓋ではなく、第２ヒータに密着する構成を示した。しかしながら、これらの実施例において、第２ヒータに蓋としての機能を兼備させることもできる。これにより、別途、蓋を設ける必要がなくなり、部品点数を削減することができる。第２ヒータとして、非導電性の金属板にヒータ線が設けられた構成を採用することで、蓋としての機能も持たせることができる。また、第２ヒータにおけるガスケットとの接触面（密着面）は、シール面となるため、平滑度が高くなるように加工処理を施すと好適である。

ガスケット１５０、坩堝本体１１０に設けられる開口部１１１と凹部１１３、及び蓋１４０に設けられる凹部１４１の形状については、上記各実施例に示された形状に限定されることはない。坩堝本体１１０に設けられる開口部１１１と凹部１１３、及び蓋１４０に設けられる凹部１４１の平面形状は、ガスケット１５０の平面形状と相似形状（寸法はガスケット１５０よりもやや大きい形状）とすればよい。例えば、上記実施例１においては、ガスケット１５０における外壁面は平面同士を湾曲面（いわゆるＲ面）で繋ぐ構成を示したが、図３中の丸の中に示すように、湾曲面を設けなくてもよい。ガスケット１５０における開口部１５１の内壁面についても同様である。このような構成を採用した場合には、坩堝本体１１０における凹部１１３の内壁面及び開口部１１１の内壁面の形状についても同様の形状を採用すればよい（図４中の丸の中の図を参照）。また、蓋１４０の凹部１４１の内壁面の形状についても同様である（図５中の丸の中の図を参照）。

１ 蒸着装置
２ チャンバ
３ 真空ポンプ
１０ 蒸発源
１００ 坩堝
１１０ 坩堝本体
１１１ 開口部
１１２ 放出口
１１３ 凹部
１１４ ネジ軸
１２０ 成膜材料
１３０ 容器
１４０ 蓋
１４１ 凹部
１４２ 挿通孔
１５０ ガスケット
１５１ 開口部
１６０ 固定具
１７０ スプリング
２００ 加熱ヒータ
２１０ 第１ヒータ
２２０ 第２ヒータ
３００ 制御装置

Claims (5)

1. 成膜材料を収容する容器を出し入れするための開口部を有する坩堝本体と、
   前記開口部を塞ぐ蓋と、
   前記坩堝本体と蓋との間の隙間を封止する金属製のガスケットと、
   を備える坩堝であって、
   前記ガスケットの両面は平面により構成され、
   前記坩堝本体には、前記開口部に沿って前記ガスケットが配される凹部が設けられ、かつ前記凹部の底面は平面により構成され、
   前記蓋又は前記蓋と前記ガスケットとの間に設けられる部材における前記ガスケットが接する面も平面により構成されると共に、
   前記ガスケットの材料の線膨張係数は、前記坩堝本体の材料の線膨張係数よりも大きく、
   非蒸着時の温度環境下では、前記ガスケットは前記凹部の内側の側面との間に隙間を有する状態で配されており、蒸着時の温度環境下では、前記ガスケットは、熱膨張によって、前記凹部の内側の側面及び底面と前記蓋又は前記蓋と前記ガスケットとの間に設けられる部材に対して密着状態となるように構成されることを特徴とする坩堝。
2. 前記ガスケットを前記凹部の底面に向けて付勢する付勢部材を備えることを特徴とする請求項１に記載の坩堝。
3. 請求項１または２に記載の坩堝と、
   前記坩堝本体を加熱するための第１ヒータと、
   前記ガスケットを加熱するための第２ヒータと、
   蒸着時に前記第１ヒータと前記第２ヒータの双方をオンにし、蒸着終了後に前記第１ヒータをオフにした後に前記第２ヒータをオフにする制御装置と、
   を備えることを特徴とする蒸発源。
4. 前記制御装置により前記第２ヒータをオフにするタイミングは、前記坩堝本体の温度が、前記成膜材料が昇華も蒸発もしない温度まで低下していることに基づいて設定されることを特徴とする請求項３に記載の蒸発源。
5. チャンバと、
   前記チャンバ内に備えられ、かつ前記チャンバ内に設置された基板の蒸着面に蒸着を行う請求項３または４に記載の蒸発源と、
   を備えることを特徴とする蒸着装置。

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