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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 704
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 164
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 138
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 158
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 156
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 85
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 58
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- 102100027094 Echinoderm microtubule-associated protein-like 1 Human genes 0.000 description 40
- 101001057941 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 1 Proteins 0.000 description 40
- 102100027126 Echinoderm microtubule-associated protein-like 2 Human genes 0.000 description 39
- 101001057942 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 2 Proteins 0.000 description 39
- 102100027095 Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Human genes 0.000 description 36
- 101001057939 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Proteins 0.000 description 36
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 32
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 23
- -1 SiON Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 102100030385 Granzyme B Human genes 0.000 description 17
- 101001009603 Homo sapiens Granzyme B Proteins 0.000 description 17
- 201000001130 congenital generalized lipodystrophy type 1 Diseases 0.000 description 17
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 101100451713 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) HTL1 gene Proteins 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 102100027100 Echinoderm microtubule-associated protein-like 4 Human genes 0.000 description 10
- 101001057929 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 4 Proteins 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 201000001379 familial temporal lobe epilepsy 3 Diseases 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 101150020392 Cgl3 gene Proteins 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 201000001113 congenital generalized lipodystrophy type 3 Diseases 0.000 description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C)=CC=C21 HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 101100232347 Mus musculus Il11ra1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 201000001366 familial temporal lobe epilepsy 2 Diseases 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)-3-methylphenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C)C(C)=C1 LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATYLZYNKESTXEM-UHFFFAOYSA-N OC1=C(C=CC=C2)C2=CC2=C1C=CC1=NC3=CC=CC=C3C=C21 Chemical compound OC1=C(C=CC=C2)C2=CC2=C1C=CC1=NC3=CC=CC=C3C=C21 ATYLZYNKESTXEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 2
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002518 CoFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003264 NiFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- SIBWJMIKFTYEEK-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C Chemical compound [Ir].C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C SIBWJMIKFTYEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000004556 carbazol-9-yl group Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C12)* 0.000 description 1
- DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Ce+3].[Ce+3] DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003508 chemical denaturation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(II,III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical group [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000001062 red colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【課題】保管信頼性が改善された表示装置を提供する。【解決手段】表示装置が提供される。表示装置は、表示領域および非表示領域が定義された第１ベース部と、前記第１ベース部上に位置して前記表示領域に位置する発光素子と、前記発光素子上に位置する封止層を含み、前記封止層は第１無機層、前記第１無機層上の有機層、および前記有機層上の第２無機層を含み、前記第１無機層は前記発光素子上の第１バッファ膜、前記第１バッファ膜上の第１バリア膜、前記第１バリア膜上の第１多孔性層、前記第１多孔性層上の第２バリア膜、および前記第２バリア膜上の第２バッファ膜を含み、前記第１バッファ膜の屈折率、前記第１バリア膜の屈折率、および前記第１多孔性層の屈折率は互いに相異し、前記第１多孔性層の屈折率は前記第１バッファ膜の屈折率、および前記第１バリア膜の屈折率より小さい。【選択図】図１
Description
本発明は表示装置に関する。
表示装置はマルチメディアの発達と共にその重要性が次第に大きくなっている。これに応じて液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ，ＬＣＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ，ＯＬＥＤ）などのような多様な表示装置が開発されている。
表示装置のうち、自発光表示装置は自発光素子、例えば、有機発光素子を含む。自発光素子は対向する二つの電極およびその間に介在する発光層を含み得る。自発光素子が有機発光素子である場合、二つの電極から提供された電子と正孔は発光層で再結合してエキシトンを生成し、生成されたエキシトンが励起状態から基底状態に変化して光が放出されることができる。
自発光表示装置はバックライトユニットなどのような光源が不要であるため、消費電力が低く、軽量、薄型で構成できるだけでなく、広い視野角、高い輝度とコントラストおよび速い応答速度などの優れた表示特性を有して次世代の表示装置として注目をあびている。
本発明が解決しようとする課題の一つは、保管信頼性が改善された表示装置を提供することにある。
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
一実施形態による表示装置は、表示領域および非表示領域が定義された第１ベース部と、前記第１ベース部上に位置して前記表示領域に位置する発光素子と、前記発光素子上に位置する封止層と、を含み、前記封止層は、第１無機層、前記第１無機層上の有機層、および前記有機層上の第２無機層を含み、前記第１無機層は、前記発光素子上の第１バッファ膜、前記第１バッファ膜上の第１バリア膜、前記第１バリア膜上の第１多孔性層、前記第１多孔性層上の第２バリア膜、および前記第２バリア膜上の第２バッファ膜を含み、前記第１バッファ膜の屈折率、前記第１バリア膜の屈折率、および前記第１多孔性層の屈折率は、互いに異なり、前記第１多孔性層の屈折率は、前記第１バッファ膜の屈折率、および前記第１バリア膜の屈折率より小さい。
前記第１バリア膜は、前記第１バッファ膜と前記第１多孔性層との間に配置され、前記第２バリア膜は、前記第１多孔性層と前記第２バッファ膜との間に配置され、前記第２バッファ膜は、前記第２バリア膜と前記有機層との間に配置され得る。
前記第１バッファ膜の屈折率は、前記第１バリア膜の屈折率より小さくてもよい。
前記第１多孔性層の屈折率は、１．１～１．４５の範囲にあり得る。
前記第１バッファ膜の屈折率は、１．３～１．７５の範囲にあり得る。
前記バリア膜の屈折率は、１．４５～１．８５の範囲にあり得る。
前記第１バッファ膜の屈折率と前記第２バッファ膜の屈折率とは互いに同一であり得る。
前記第２バッファ膜は、前記有機層に直接接し得る。
前記第２バッファ膜の表面粗さは、１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲にあり得る。
前記第２バッファ膜の表面エネルギは、４０ｍＮ／ｍ～８０ｍＮ／ｍの範囲にあり得る。
前記第２無機層は、前記有機層上の第３バッファ膜、および前記第３バッファ膜上の第３バリア膜を含み得る。
前記第３バッファ膜の屈折率は、前記第３バリア膜の屈折率より小さくてもよい。
前記第２無機層は、前記第３バリア膜上の第４バッファ膜をさらに含み、前記第３バッファ膜は、前記有機層と前記第３バリア膜との間に配置され、前記第３バリア膜は、前記第３バッファ膜と前記第４バッファ膜との間に配置され得る。
前記封止層上に位置する第２ベース部、前記第１ベース部に対向する記第２ベース部の一面上に位置して前記発光素子と重なるカラーフィルタ、前記カラーフィルタ上に位置する波長変換パターン、および前記第１ベース部と前記第２ベース部との間に位置する充填材をさらに含み得る。
前記表示領域の前記第１ベース部と前記発光素子との間に配置され、前記発光素子と電気的に接続された薄膜トランジスタをさらに含み、前記薄膜トランジスタは、前記第１ベース部上の半導体層、前記半導体層上のゲート電極、および前記半導体層と接続されたソース電極とドレイン電極を含み、前記半導体層は、酸化物半導体を含み得る。
前記発光素子は、前記ソース電極と前記ドレイン電極上に配置されたアノード電極、前記アノード電極と対向するカソード電極、および前記アノード電極と前記カソード電極との間に配置された複数の発光層を含み、前記複数の発光層は、互いに重畳配置されたタンデム構造を形成し得る。
前記第１ベース部と前記半導体層との間に配置され、前記半導体層と重畳配置された遮光パターンをさらに含み、前記遮光パターンは、前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一つと電気的に接続され得る。
前記第４バッファ膜は、前記充填材と直接接し、前記第４バッファ膜の表面粗さは、１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲にあり、前記第４バッファ膜の表面エネルギは、４０ｍＮ／ｍ～８０ｍＮ／ｍの範囲にあり得る。
前記第２無機層は、前記第３バリア膜と前記第４バッファ膜との間の第４バリア膜、および前記第４バリア膜と前記第３バリア膜との間の第２多孔性層をさらに含み、前記第２多孔性層の屈折率は、前記第２無機層の前記第３バッファ膜の屈折率、前記第３バリア膜の屈折率、前記第４バリア膜の屈折率、および前記第４バッファ膜の屈折率よりさらに小さくてもよい。
他の実施形態による表示装置は、表示領域および非表示領域が定義された第１ベース部と、前記第１ベース部上に位置して前記表示領域に位置する発光素子と、前記発光素子上に位置する封止層と、を含み、前記封止層は、第１無機層、前記第１無機層上の有機層、および前記有機層上の第２無機層を含み、前記第２無機層は、前記有機層上の第１バッファ膜、前記第１バッファ膜上の第１バリア膜、前記第１バリア膜上の第１多孔性層、前記第１多孔性層上の第２バリア膜、および前記第２バリア膜上の第２バッファ膜を含み、前記第１バッファ膜の屈折率、前記第１バリア膜の屈折率、および前記第１多孔性層の屈折率は互いに異なり、前記第１多孔性層の屈折率は、前記第１バッファ膜の屈折率、および前記第１バリア膜の屈折率より小さい。
前記第１無機層は、前記発光素子上の第３バッファ膜、および前記第３バッファ膜上の第３バリア膜を含み得る。
前記第１バリア膜は、前記第１バッファ膜と前記第１多孔性層との間に配置され、前記第２バリア膜は、前記第１多孔性層と前記第２バッファ膜との間に配置され、前記第２バッファ膜は、前記第２バリア膜と前記有機層との間に配置され得る。
前記第１バッファ膜の屈折率は、前記第１バリア膜の屈折率より小さく、前記第１多孔性層の屈折率は、１．１～１．４５の範囲にあり、前記第１バッファ膜の屈折率は、１．３～１．７５の範囲にあり、前記バリア膜の屈折率は、１．４５～１．８５の範囲にあり得る。
その他の実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
本発明の一実施形態によれば、保管信頼性が改善された表示装置を提供することができる。
実施形態による効果は、以上で例示した内容によって制限されず、より多様な効果が本明細書内に含まれている。
本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されることができ、実施形態は単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称される場合、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子が介在する場合をすべて含む。一方、素子が「直上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」と称される場合、中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を称する。
空間的に相対的な用語である「下方（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上方（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使われる。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示している素子をひっくり返す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗまたはｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に位置し得る。したがって、例示的な用語である「下」は下と上の方向をすべて含み得る。
第１、第２、第３、第４などが多様な構成要素を叙述するために使われるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使う。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素、第３構成要素、第４構成要素のいずれか一つであり得るのはもちろんである。
本明細書で記述する実施形態は本発明の理想的な概略図である平面図および断面図を参照して説明される。したがって、製造技術および／または許容誤差などによって例示図の形態が変形され得る。したがって、本発明の実施形態は図示する特定の形態に制限されるものではなく、製造工程によって生成される形態の変化も含むものである。したがって、図面に例示した領域は概略的な属性を有し、図面に例示した領域の形は素子の領域の特定形態を例示するためのものであり、発明の範疇を制限するためのものではない。
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は一実施形態による表示装置の概略的な積層構造を説明するための断面図である。
図１を参照すると、表示装置１はタブレットＰＣ、スマートフォン、自動車ナビゲーションユニット、カメラ、自動車に提供される中央情報ディスプレイ（ｃｅｎｔｅｒ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ，ＣＩＤ）、腕時計型電子機器、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ＰＭＰ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ Ｐｌａｙｅｒ）、ゲーム機のような中小型電子機器、テレビ、外部広告板、モニタ、パーソナルコンピュータ、ノートブックコンピュータのような中大型電子機器など多様な電子機器に適用されることができる。これらは単に実施形態として提示されたものあり、本発明の概念から逸脱しない限り他の電子機器にも採用され得るのはもちろんである。
表示装置１は映像を表示する表示領域ＤＡおよび映像を表示しない非表示領域ＮＤＡを含み得る。一実施形態において、非表示領域ＮＤＡは表示領域ＤＡの周辺に位置し得、表示領域ＤＡを囲み得る。表示領域ＤＡで表示される映像は図１における第３方向Ｚの矢印が向かう方向でユーザーが視認することができる。
表示装置１の概略的な積層構造を説明すると、一実施形態において、図１に示すように表示装置１は表示基板１０、表示基板１０と対向する色変換基板３０を含み、表示基板１０と色変換基板３０を結合するシーリング部材５０、表示基板１０と色変換基板３０の間に埋められた充填材７０をさらに含み得る。
表示基板１０は映像を表示するための素子および回路、例えばスイッチング素子などのような画素回路、表示領域ＤＡに後述する発光領域および非発光領域を定義する画素定義膜および自発光素子（ｓｅｌｆ－ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ）を含み得る。例示的な実施形態において、自発光素子は、有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、量子ドット発光素子（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、無機材料系のマイクロ発光ダイオード（例えばＭｉｃｒｏ ＬＥＤ）、ナノサイズを有する無機材料系の発光ダイオード（例えばｎａｎｏ ＬＥＤ）の少なくとも一つを含み得る。以下では説明の便宜のために、自発光素子が有機電界発光素子である場合を例として説明する。
色変換基板３０は表示基板１０上に位置して表示基板１０と対向し得る。一実施形態において、色変換基板３０は、入射光の色を変換する色変換パターンを含み得る。一実施形態において、色変換基板３０は、色変換パターンとしてカラーフィルタと波長変換パターンの少なくともいずれか一つを含み得る。一実施形態において、色変換基板３０は、カラーフィルタおよび波長変換パターンをすべて含んでもよい。
非表示領域ＮＤＡにおいて、表示基板１０と色変換基板３０の間にはシーリング部材５０が位置し得る。シーリング部材５０は、非表示領域ＮＤＡで表示基板１０と色変換基板３０の縁に沿って配置されて平面上で表示領域ＤＡを囲み得る。表示基板１０と色変換基板３０はシーリング部材５０を介して相互結合され得る。
一実施形態において、シーリング部材５０は有機物質からなる。例えば、シーリング部材５０はエポキシ系レジンからなるが、これに限定されるものではない。他の実施形態では、シーリング部材５０はガラスなどを含むフリット（Ｆｒｉｔ）の形態で適用されてもよい。
シーリング部材５０により囲まれた表示基板１０と色変換基板３０の間の空間には充填材７０が位置し得る。充填材７０は表示基板１０と色変換基板３０の間を埋めることができる。
一実施形態において、充填材７０は光を透過できる材質からなる。一実施形態において、充填材７０は有機物質からなる。例えば、充填材７０はシリコン系有機材料、エポキシ系有機材料またはシリコン系有機材料とエポキシ系有機材料の混合物などからなる。
一実施形態において、充填材７０は吸光係数（ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）が実質的に０である物質からなる。屈折率と吸光係数は相関関係があり、屈折率が減少するほど吸光係数も減少する。そして屈折率が１．７以下である場合の吸光係数は実質的に０に収斂し得る。一実施形態において、充填材７０は屈折率が１．７以下である物質からなり、そのため自発光素子から提供された光が充填材７０を透過して吸収されることを防止または最小化することができる。一実施形態において、充填材７０は屈折率が１．４～１．６である有機材料からなる。
図２は一実施形態による表示装置の平面図、図３は図２のＱ１部分を拡大した平面図であり、より具体的には図２の表示装置が含む表示基板の概略的な平面図であり、図４は図２のＱ１部分を拡大した平面図であり、より具体的には図２の表示装置が含む色変換基板の概略的な平面図であり、図５は図３の変形例を示す平面図、図６は図４の変形例を示す平面図、図７は図２のＱ３部分を拡大した平面図、図８は図２のＱ５部分を拡大した平面図である。
図１に加えて図２～図８をさらに参照すると、一実施形態において、図２に示すように表示装置１は平面視で長方形形状を有する。表示装置１は第１方向Ｘに延びた二つの第１辺Ｌ１および第３辺Ｌ３と第１方向Ｘと、交差する第２方向Ｙに延びた二つの第２辺Ｌ２および第４辺Ｌ４を含み得る。表示装置１の各辺が接する角は直角であり得るが、これに限定されない。いくつかの実施形態で第１辺Ｌ１および第３辺Ｌ３の長さと第２辺Ｌ２および第４辺Ｌ４の長さは互いに異なってもよい。例えば、第１辺Ｌ１および第３辺Ｌ３が、第２辺Ｌ２および第４辺Ｌ４に比べて相対的に長くてもよい。表示装置１の平面視の形状は例示したものに制限されず、円形やその他異なる形状を適用することもできる。
一実施形態において、表示装置１はフレキシブル回路基板ＦＰＣおよび駆動チップＩＣをさらに含み得る。
図３に示すように表示領域ＤＡにおいて、表示基板１０には複数の発光領域ＬＡおよび非発光領域ＮＬＡが定義され得る。
一実施形態において、表示基板１０の表示領域ＤＡには第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３が定義され得る。第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３は、表示基板１０の発光素子で生成された光が表示基板１０の外部に放出される領域であり得、非発光領域ＮＬＡは表示基板１０の外部に光が放出されない領域であり得る。一実施形態において、非発光領域ＮＬＡは表示領域ＤＡ内で各第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３を囲み得る。
一実施形態において、第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３から外部に放出される光は第３色の光を含み得る。一実施形態において、該第３色の光は青色光であり得、約４４０ｎｍ～約４８０ｎｍの範囲でピーク波長（ｐｅａｋ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）を有し得る。ここでピーク波長とは、光の強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が最大である波長を意味する。
一実施形態において、第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３は一つのグループをなし、該グループが表示領域ＤＡに複数定義され得る。
一実施形態において、図３に示すように第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３は、第１方向Ｘに沿って順次位置し得る。一実施形態において、表示領域ＤＡ内で第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３は、一つのグループをなして第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って繰り返し配置され得る。
ただし、これに限定されるものではなく、第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３の配置は多様に変更することができる。例示的に図５に示すように、第１発光領域ＬＡ１および第２発光領域ＬＡ２は、第１方向Ｘに沿って互いに隣り合い、第３発光領域ＬＡ３は第２方向Ｙに沿って第１発光領域ＬＡ１および第２発光領域ＬＡ２の一側に位置し得る。
以下では第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３が図３に示すように配置される場合を例示として説明する。
図４に示すように表示領域ＤＡにおいて、色変換基板３０には複数の透光領域ＴＡおよび遮光領域ＢＡが定義され得る。透光領域ＴＡは、表示基板１０から放出された光が色変換基板３０を透過して表示装置１の外部に提供される領域であり得る。遮光領域ＢＡは、表示基板１０から放出された光が透過しない領域であり得る。
一実施形態において、色変換基板３０には第１透光領域ＴＡ１、第２透光領域ＴＡ２および第３透光領域ＴＡ３が定義され得る。
第１透光領域ＴＡ１は、第１発光領域ＬＡ１に対応するかまたは第１発光領域ＬＡ１と重なってもよい。同様に第２透光領域ＴＡ２は第２発光領域ＬＡ２と対応するか重なり、第３透光領域ＴＡ３は第３発光領域ＬＡ３と対応するか重なってもよい。
一実施形態において、図３に示すように第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３が第１方向Ｘに沿って順次位置する場合、図４に示すように第１透光領域ＴＡ１、第２透光領域ＴＡ２および第３透光領域ＴＡ３も第１方向Ｘに沿って順次位置し得る。
または図５に示すように、第１発光領域ＬＡ１および第２発光領域ＬＡ２は第１方向Ｘに沿って互いに隣り合い、第３発光領域ＬＡ３は第２方向Ｙに沿って第１発光領域ＬＡ１および第２発光領域ＬＡ２の一側に位置する場合、図６に示すように、第１透光領域ＴＡ１および第２透光領域ＴＡ２は第１方向Ｘに沿って互いに隣り合い、第３透光領域ＴＡ３は第２方向Ｙに沿って第１透光領域ＴＡ１および第２透光領域ＴＡ２の一側に位置し得る。
一実施形態において、表示基板１０から提供された第３色の光は、第１透光領域ＴＡ１、第２透光領域ＴＡ２および第３透光領域ＴＡ３を透過して表示装置１の外部に提供される。第１透光領域ＴＡ１から表示装置１の外部に出射される光を第１出射光といい、第２透光領域ＴＡ２から表示装置１の外部に出射される光を第２出射光といい、第３透光領域ＴＡ３から表示装置１の外部に出射される光を第３出射光という場合、第１出射光は第１色の光であり、第２出射光は該第１色と異なる第２色の光であり、第３出射光は第３色の光であり得る。一実施形態において、第３色の光は前述したように４４０ｎｍ～約４８０ｎｍの範囲でピーク波長を有する青色光であり得、第１色の光は約６１０ｎｍ～約６５０ｎｍの範囲でピーク波長を有する赤色光であり得る。また、第２色の光は約５１０ｎｍ～約５５０ｎｍの範囲でピーク波長を有する緑色光であり得る。
表示領域ＤＡ内で、色変換基板３０の第１透光領域ＴＡ１、第２透光領域ＴＡ２および第３透光領域ＴＡ３の周辺には遮光領域ＢＡが位置し得る。一実施形態において、遮光領域ＢＡは第１透光領域ＴＡ１、第２透光領域ＴＡ２および第３透光領域ＴＡ３を囲み得る。また、遮光領域ＢＡは、表示装置１の非表示領域ＮＤＡにも位置し得る。
再び図２を参照すると、表示装置１の非表示領域ＮＤＡには、ダム部材ＤＭ、シーリング部材５０および第１支持部材が配置される。
ダム部材ＤＭは、表示領域ＤＡに配置される封止層を形成する過程で有機物（またはモノマー）があふれることを遮断することができ、そのため封止層の有機物が表示装置１の縁側に延びることを防止することができる。
一実施形態において、ダム部材ＤＭは平面視で表示領域ＤＡを完全に囲むように配置される。
シーリング部材５０は、前述したように表示基板１０と色変換基板３０を結合させ得る。
シーリング部材５０は、非表示領域ＮＤＡのダム部材ＤＭの外側に位置し得、平面視でダム部材ＤＭおよび表示領域ＤＡを完全に囲むように配置され得る。
表示装置１の非表示領域ＮＤＡは、パッド領域ＰＤＡを含み得、パッド領域ＰＤＡには複数の接続パッドＰＤが位置し得る。
一実施形態において、接続パッドＰＤは非表示領域ＮＤＡの長辺に沿って位置し得、例示的に非表示領域ＮＤＡの第１辺Ｌ１に沿って位置し得る。接続パッドＰＤは、接続配線などを介して表示領域ＤＡ内に位置する画素回路などと電気的に接続され得る。
表示装置１の表示基板（図１の１０）は上述したダム部材ＤＭ、および接続パッドＰＤを含み得る。
フレキシブル回路基板ＦＰＣは、接続パッドＰＤに接続され得る。フレキシブル回路基板ＦＰＣは、表示装置１を駆動するための信号、電源などを提供する回路基板などと表示基板（図１の１０）とを電気的に接続し得る。
駆動チップＩＣは、回路基板などと電気的に接続されてデータおよび信号などの提供を受け得る。一実施形態において、駆動チップＩＣはデータ駆動チップであり得、回路基板などからデータ制御信号および映像データなどを受信して、映像データに対応するデータ電圧などを生成して出力し得る。
一実施形態において、駆動チップＩＣはフレキシブル回路基板ＦＰＣに実装される。例えば、駆動チップＩＣは、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）形態でフレキシブル回路基板ＦＰＣに実装され得る。
駆動チップＩＣから提供されたデータ電圧、回路基板から提供された電源などは、フレキシブル回路基板ＦＰＣおよび接続パッドＰＤを経由して表示基板（図１の１０）の画素回路などに伝達され得る。
以下表示装置１の構造についてより詳細に説明する。
図９は、図３および図４のＸ１－Ｘ１’に沿って切断した一実施形態による表示装置の断面図である。図１０は図９のＱ７部分を拡大した断面図である。図１１は図１０に示す構造の変形例を示す断面図である。図１２は図７のＸ３－Ｘ３’に沿って切断した一実施形態による表示装置の断面図である。
図１～図８に加えて図９～図１２をさらに参照すると、表示装置１は前述したように表示基板１０および色変換基板３０を含み、表示基板１０と色変換基板３０の間に位置する充填材７０をさらに含み得る。
以下表示基板１０について説明する。
第１ベース部１１０は透光性を有する材質からなる。一実施形態において、第１ベース部１１０はガラス基板またはプラスチック基板であり得る。第１ベース部１１０がプラスチック基板である場合、第１ベース部１１０は可撓性を有することができる。
一実施形態において、表示領域ＤＡで第１ベース部１１０には複数の発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３および非発光領域ＮＬＡが定義され得ることは上述したとおりである。
一実施形態において、表示装置１の第１辺Ｌ１、第２辺Ｌ２、第３辺Ｌ３および第４辺Ｌ４は、第１ベース部１１０の４個の辺と同一であり得る。すなわち、表示装置１の第１辺Ｌ１、第２辺Ｌ２、第３辺Ｌ３および第４辺Ｌ４は、第１ベース部１１０の第１辺Ｌ１、第２辺Ｌ２、第３辺Ｌ３および第４辺Ｌ４とも呼ぶ。
第１ベース部１１０上にはバッファ層１１１がさらに位置し得る。バッファ層１１１は、第１ベース部１１０上に位置して表示領域ＤＡおよび非表示領域ＮＤＡに配置される。バッファ層１１１は、第１ベース部１１０を介して浸透する異物または湿気を遮断することができる。例えば、バッファ層１１１は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮのような無機物を含み得、単層または多層に形成されることができる。
バッファ層１１１上には遮光パターンＢＭＬが位置し得る。遮光パターンＢＭＬは、外部の光または発光素子の光が後述する半導体層ＡＣＴに流入することを遮断することができ、そのため後述する薄膜トランジスタＴＬで光によって漏洩電流が発生することを防止するか漏洩電流を減少させることができる。
一実施形態において、遮光パターンＢＭＬは光を遮断して導電性を有する物質からなる。例えば遮光パターンＢＭＬは、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属のうち単一物質またはこれらの合金を含み得る。一実施形態において、遮光パターンＢＭＬは単層または多層構造からなる。例えば、遮光パターンＢＭＬが多層構造からなる場合、遮光パターンＢＭＬは、チタン（Ｔｉ）／銅（Ｃｕ）／インジウムスズオキシド（ＩＴＯ）の積層構造体、またはチタン（Ｔｉ）／銅（Ｃｕ）／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の積層構造体であり得るが、これに限定されるものではない。
一実施形態において、遮光パターンＢＭＬは各半導体層ＡＣＴと対応するように複数備えられ、半導体層ＡＣＴと重なってもよい。一実施形態において、遮光パターンＢＭＬの幅は半導体層ＡＣＴの幅より広くてもよい。
一実施形態におちて、遮光パターンＢＭＬは、データ線、電源供給線、図面に示していない薄膜トランジスタと図面に示す薄膜トランジスタＴＬを互いに電気的に接続する配線などの一部であり得る。一実施形態において、遮光パターンＢＭＬは後述する第２導電層、または該第２導電層が含むソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥより小さい抵抗を有する物質からなる。
遮光パターンＢＭＬ上には第１絶縁層１１３が位置し得る。一実施形態において、第１絶縁層１１３は表示領域ＤＡおよび非表示領域ＮＤＡに位置し得る。第１絶縁層１１３は遮光パターンＢＭＬをカバーし得る。一実施形態において、第１絶縁層１１３はＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２などのような無機物を含み得る。
第１絶縁層１１３上には半導体層ＡＣＴが位置し得る。一実施形態において、半導体層ＡＣＴは表示領域ＤＡで第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２、第３発光領域ＬＡ３にそれぞれ対応するように配置され得る。
一実施形態において、半導体層ＡＣＴは酸化物半導体を含み得る。例えば、半導体層ＡＣＴは、Ｚｎ酸化物、具体的には、Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｇａ－Ｉｎ－Ｚｎ酸化物などで形成され得、ＺｎＯにインジウム（Ｉｎ）とガリウム（Ｇａ）のような金属が含有されたＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）半導体であり得る。ただし、これに限定されるものではなく、半導体層ＡＣＴは非晶質シリコンまたはポリシリコンなどを含み得る。
一実施形態において、半導体層ＡＣＴは各遮光パターンＢＭＬと重なるように配置され得、そのため半導体層ＡＣＴで光電流が発生することを抑制することができる。
半導体層ＡＣＴ上には第１導電層が位置し得、第１導電層はゲート電極ＧＥ、第１ゲートメタルＷＲ１および第２ゲートメタルＷＲ２を含み得る。ゲート電極ＧＥは、表示領域ＤＡに位置して半導体層ＡＣＴと重なるように配置され得る。図１２に示すように第１ゲートメタルＷＲ１は、接続パッド（図２のＰＤ）と表示領域（図２のＤＡ）内に位置する素子、例えば薄膜トランジスタＴＬおよび発光素子などと電気的に接続する配線の一部を含み得る。
ゲート電極ＧＥ、および第１ゲートメタルＷＲ１は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性そして加工性などを考慮し、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうちの一つ以上の物質を含み得、単層または多層に形成されることができる。
表示領域ＤＡにおいて、半導体層ＡＣＴと第１導電層または半導体層ＡＣＴとゲート電極ＧＥの間にはゲート絶縁層１１５が位置し得る。一実施形態において、ゲート電極ＧＥおよびゲート絶縁層１１５は半導体層ＡＣＴのチャネル領域をマスキングするマスクとして機能することができ、ゲート電極ＧＥおよびゲート絶縁層１１５の幅は、半導体層ＡＣＴの幅より狭くてもよい。
一実施形態において、ゲート絶縁層１１５は第１ベース部１１０の全面に配置された一つの層ではなく、部分的にパターニングされた形状からなる。一実施形態において、パターニングされたゲート絶縁層１１５の幅は、ゲート電極ＧＥまたは第１導電層の幅より広くてもよい。
一実施形態において、ゲート絶縁層１１５は無機物を含み得る。例えば、ゲート絶縁層１１５は、第１絶縁層１１３の説明で例示した無機物を含み得る。
非表示領域ＮＤＡにおいて、ゲート絶縁層１１５は第１ゲートメタルＷＲ１と第１絶縁層１１３の間に位置し得る。
ゲート絶縁層１１５上には、半導体層ＡＣＴおよびゲート電極ＧＥをカバーする第２絶縁層１１７が位置し得る。第２絶縁層１１７は、表示領域ＤＡおよび非表示領域ＮＤＡに位置し得る。一実施形態において、第２絶縁層１１７は平坦面を提供する平坦化膜として機能することができる。
一実施形態において、第２絶縁層１１７は有機物を含み得る。例えば、第２絶縁層１１７は、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ，ＰＡＣ）、ポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｌｅｎｅ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアリルエーテル（ｐｏｌｙａｒｙｌｅｔｈｅｒ）、ヘテロ環ポリマー（ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ ｐｏｌｙｍｅｒ）、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）、フッ素系高分子、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ｓｅｒｉｅｓ ｒｅｓｉｎ）、シロキサン系樹脂（ｓｉｌｏｘａｎｅ ｓｅｒｉｅｓ ｒｅｓｉｎ）およびシラン樹脂（ｓｉｌａｎｅ ｒｅｓｉｎ）の少なくともいずれか一つを含み得るが、これに限定されるものではない。
第２絶縁層１１７上には、第２導電層が位置し得、第２導電層はソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、電源供給配線ＶＳＬおよび接続パッドＰＤの第１パッド電極ＰＤ１を含み得る。
ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥは、表示領域ＤＡ内に位置し得、互いに離隔して配置され得る。
ドレイン電極ＤＥおよびソース電極ＳＥは、それぞれ第２絶縁層１１７を貫いて半導体層ＡＣＴと接続され得る。
一実施形態において、ソース電極ＳＥは第１絶縁層１１３および第２絶縁層１１７を貫いて遮光パターンＢＭＬと接続されてもよい。遮光パターンＢＭＬが信号または電圧などを伝達する配線の一部である場合、ソース電極ＳＥは遮光パターンＢＭＬと電気的に接続されて該配線に提供された電圧などの伝達を受けることができる。または、遮光パターンＢＭＬが別途の配線でないフローティングされたパターンである場合、ソース電極ＳＥに提供された電圧などが遮光パターンＢＭＬに伝達され得る。
または、図９に示したものとは異なり、ドレイン電極ＤＥが第１絶縁層１１３および第２絶縁層１１７を貫いて遮光パターンＢＭＬと接続されてもよい。遮光パターンＢＭＬが別途の信号が提供される配線でない場合、ドレイン電極ＤＥに印加される電圧が遮光パターンＢＭＬに伝達されることもできる。
上述した半導体層ＡＣＴ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥはスイッチング素子である薄膜トランジスタＴＬをなす。一実施形態において、薄膜トランジスタＴＬは第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２および第３発光領域ＬＡ３にそれぞれ位置し得る。一実施形態において、薄膜トランジスタＴＬの一部分は非発光領域ＮＬＡに位置し得る。
電源供給配線ＶＳＬは、非表示領域ＮＤＡに位置し得る。電源供給配線ＶＳＬにはカソード電極ＣＥに提供される駆動電圧、例えばＥＬＶＳＳ電圧が供給され得る。
接続パッドＰＤの第１パッド電極ＰＤ１は、非表示領域ＮＤＡのパッド領域（図２のＰＤＡ）に位置する。一実施形態において、第１パッド電極ＰＤ１は第２絶縁層１１７を貫いて第１配線層ＷＲと電気的に接続され得る。
ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、電源供給配線ＶＳＬおよび接続パッドＰＤの第１パッド電極ＰＤ１は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み得、多層または単層に形成されることができる。一実施形態として、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、電源供給配線ＶＳＬおよび接続パッドＰＤの第１パッド電極ＰＤ１は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層構造からなる。
第２絶縁層１１７上には第３絶縁層１３０が位置し得る。第３絶縁層１３０は表示領域ＤＡにおいて薄膜トランジスタＴＬをカバーし得、非表示領域ＮＤＡにおいて電源供給配線ＶＳＬの一部分を露出し得る。
一実施形態において、第３絶縁層１３０は平坦化膜であり得る。一実施形態において、第３絶縁層１３０は有機物からなる。例えば、第３絶縁層１３０は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、エステル系樹脂などを含み得る。一実施形態において、第３絶縁層１３０は感光性有機物を含み得る。
表示領域ＤＡにおいて、第３絶縁層１３０上には第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３が位置し得る。また、非表示領域ＮＤＡにおいて、第３絶縁層１３０上には接続電極ＣＮＥおよび接続パッドＰＤの第２パッド電極ＰＤ２が位置し得る。
第１アノード電極ＡＥ１は、第１発光領域ＬＡ１と重なって少なくとも一部は非発光領域ＮＬＡまで拡張され得る。第２アノード電極ＡＥ２は第２発光領域ＬＡ２と重なって、少なくとも一部は非発光領域ＮＬＡまで拡張され得、第３アノード電極ＡＥ３は第３発光領域ＬＡ３と重なって、少なくとも一部は非発光領域ＮＬＡまで拡張され得る。第１アノード電極ＡＥ１は第３絶縁層１３０を貫いて第１アノード電極ＡＥ１と対応する薄膜トランジスタＴＬのドレイン電極ＤＥと接続され、第２アノード電極ＡＥ２は第３絶縁層１３０を貫いて第２アノード電極ＡＥ２と対応する薄膜トランジスタＴＬのドレイン電極ＤＥと接続され、第３アノード電極ＡＥ３は第３絶縁層１３０を貫いて第３アノード電極ＡＥ３と対応する薄膜トランジスタＴＬのドレイン電極ＤＥと接続され得る。
一実施形態では、第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３は反射型電極であり得、この場合に第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、ＩｒおよびＣｒのような金属を含む金属層であり得る。他の実施形態では、第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３は、該金属層上に積層された金属酸化物層をさらに含み得る。例示的な実施形態では、第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３は、多層構造、例えば、ＩＴＯ／Ａｇ、Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ｍｇ、ＩＴＯ／ＭｇＦの２層構造またはＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯのような３層構造を有することができる。
接続電極ＣＮＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて電源供給配線ＶＳＬと電気的に接続され得、電源供給配線ＶＳＬと直接接触し得る。
第２パッド電極ＰＤ２は、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１パッド電極ＰＤ１上に位置し得る。第２パッド電極ＰＤ２は第１パッド電極ＰＤ１と直接接触して第１パッド電極ＰＤ１と電気的に接続され得る。
一実施形態において、接続電極ＣＮＥおよび第２パッド電極ＰＤ２は、第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３と同じ物質からなり、第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３の製造過程でともに形成されることができる。
第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３上には、画素定義膜１５０が位置し得る。画素定義膜１５０は、第１アノード電極ＡＥ１を露出する開口部、第２アノード電極ＡＥ２を露出する開口部および第３アノード電極ＡＥ３を露出する開口部を含み得、第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２、第３発光領域ＬＡ３および非発光領域ＮＬＡを定義することができる。すなわち、第１アノード電極ＡＥ１のうちの画素定義膜１５０によりカバーされず露出する領域は第１発光領域ＬＡ１であり得る。同様に第２アノード電極ＡＥ２のうちの画素定義膜１５０によりカバーされず露出する領域は第２発光領域ＬＡ２であり得、第３アノード電極ＡＥ３の画素定義膜１５０によりカバーされず露出する領域は第３発光領域ＬＡ３であり得る。そして画素定義膜１５０が位置する領域は非発光領域ＮＬＡであり得る。
一実施形態において、画素定義膜１５０はアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）などの有機絶縁物質を含み得る。
一実施形態において、画素定義膜１５０は後述するカラーパターン２５０および遮光パターン２６０と重なってもよい。
また、一実施形態において、画素定義膜１５０は後述するバンクパターン３７０とも重なってもよい。
図９および図１２に示すように、第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３上には発光層ＯＬが位置し得る。
一実施形態において、発光層ＯＬは、複数の発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３および非発光領域ＮＬＡにわたって形成された連続する膜の形状を有することができる。図面には発光層ＯＬが表示領域ＤＡ内にのみ位置する場合が示されているが、これに限定されるものではない。他の実施形態において、発光層ＯＬの一部は非表示領域ＮＤＡ内にさらに位置し得る。発光層ＯＬに係るより具体的な説明は後述する。
発光層ＯＬ上にはカソード電極ＣＥが位置し得る。カソード電極ＣＥの一部は非表示領域ＮＤＡ内にさらに位置し得る。カソード電極ＣＥは、非表示領域ＮＤＡで接続電極ＣＮＥと電気的に接続されて接続電極ＣＮＥと接触し得る。電源供給配線ＶＳＬに提供される駆動電圧（例えば、ＥＬＶＳＳ電圧）は、接続電極ＣＮＥを経由してカソード電極ＣＥに伝達され得る。
一実施形態において、カソード電極ＣＥは、半透過性または透過性を有し得る。カソード電極ＣＥが半透過性を有する場合、カソード電極ＣＥはＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉまたはこれらの化合物や混合物、例えばＡｇとＭｇの混合物を含み得る。また、カソード電極ＣＥの厚さが数ｎｍ～数十ｎｍである場合、カソード電極ＣＥは半透過性を有することができる。
カソード電極ＣＥが透過性を有する場合、カソード電極ＣＥは透明な導電性酸化物（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ，ＴＣＯ）を含み得る。例えば、カソード電極ＣＥは、ＷｘＯｘ（ｔｕｎｇｓｔｅｎ ｏｘｉｄｅ）、ＴｉＯ２（Ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＭｇＯ（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）などを含み得る。
一実施形態において、カソード電極ＣＥは発光層ＯＬを完全にカバーし得る。一実施形態において、図１２に示すように、カソード電極ＣＥの端部は、発光層ＯＬの端部より相対的に外側に位置し得、発光層ＯＬの端部はカソード電極ＣＥにより完全にカバーされ得る。
第１アノード電極ＡＥ１、発光層ＯＬおよびカソード電極ＣＥは第１発光素子ＥＤ１をなし、第２アノード電極ＡＥ２、発光層ＯＬおよびカソード電極ＣＥは第２発光素子ＥＤ２をなし、第３アノード電極ＡＥ３、発光層ＯＬおよびカソード電極ＣＥは第３発光素子ＥＤ３をなす。第１発光素子ＥＤ１、第２発光素子ＥＤ２および第３発光素子ＥＤ３はそれぞれ出射光ＬＥを放出し得る。
図１０に示すように、発光層ＯＬで最終的に出射される出射光ＬＥは、第１成分ＬＥ１および第２成分ＬＥ２が混合された混合光であり得る。出射光ＬＥの第１成分ＬＥ１と第２成分ＬＥ２はそれぞれピーク波長が４４０ｎｍ以上４８０ｎｍ未満であり得る。すなわち、出射光ＬＥは青色光であり得る。
図１０に示すように、一実施形態において、発光層ＯＬは複数の発光層が重畳配置された構造、例えばタンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造からなる。例えば、発光層ＯＬは、第１発光層ＥＭＬ１を含む第１スタックＳＴ１、第１スタックＳＴ１上に位置して第２発光層ＥＭＬ２を含む第２スタックＳＴ２、第２スタックＳＴ２上に位置して第３発光層ＥＭＬ３を含む第３スタックＳＴ３、第１スタックＳＴ１と第２スタックＳＴ２の間に位置する第１電荷生成層ＣＧＬ１および第２スタックＳＴ２と第３スタックＳＴ３の間に位置する第２電荷生成層ＣＧＬ２を含み得る。第１スタックＳＴ１、第２スタックＳＴ２および第３スタックＳＴ３は互いに重なるように配置され得る。
第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３は互いに重なるように配置され得る。
一実施形態において、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３は、いずれも第３色の光、例えば青色光を発光することができる。例えば、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３はそれぞれ青色発光層であり得、有機物を含み得る。
一実施形態において、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくともいずれか一つは、第１ピーク波長を有する第１青色光を出射し、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくとも他の一つは、該第１ピーク波長と異なる第２ピーク波長の第２青色光を出射し得る。例えば、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３のいずれか一つは第１ピーク波長を有する第１青色光を出射し、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の残りの二つは第２ピーク波長を有する第２青色光を出射し得る。すなわち、発光層ＯＬで最終的に出射される出射光ＬＥは、第１成分ＬＥ１および第２成分ＬＥ２が混合された混合光であり得、第１成分ＬＥ１は第１ピーク波長を有する第１青色光であり、第２成分ＬＥ２は第２ピーク波長を有する第２青色光であり得る。
一実施形態において、第１ピーク波長と第２ピーク波長の一つの範囲は４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満であり得、第１ピーク波長と第２ピーク波長のうちの残りの一つの範囲は４６０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下であり得る。ただし、第１ピーク波長の範囲および第２ピーク波長の範囲はこれに限定されるものではない。例えば、第１ピーク波長の範囲および第２ピーク波長の範囲はいずれも４６０ｎｍを含み得る。一実施形態において、第１青色光および第２青色光のいずれか一つは濃い青色（ｄｅｅｐ ｂｌｕｅ ｃｏｌｏｒ）の光であり得、第１青色光および第２青色光のうちの他の一つは薄い青色（ｓｋｙ ｂｌｕｅ ｃｏｌｏｒ）の光であり得る。
一実施形態において、発光層ＯＬから出射される出射光ＬＥは青色光であり、長波長成分および短波長成分を含み得る。したがって、最終的に発光層ＯＬは出射光ＬＥとしてさらに広く分布（ｂｒｏａｄ）した発光ピーク（ｐｅａｋ）を有する青色光を出射することができる。これにより、従来の狭い（ｓｈａｒｐ）発光ピーク（ｐｅａｋ）を有する青色光を出射する発光素子に比べて側面視野角での色視認性を改善できる長所がある。
一実施形態において、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３それぞれは、ホストおよびドーパントを含み得る。ホストは通常使用する物質であれば特に限定しないが、例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＣＢＰ（４，４’－ｂｉｓ（Ｎ－ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）－１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＰＶＫ（ｐｏｌｙ（ｎ－ｖｉｎｙｌｃａｂａｚｏｌｅ））、ＡＤＮ（９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－Ｔｒｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＢｉ（１，３，５－ｔｒｉｓ（Ｎ－ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ－２－ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＴＢＡＤＮ（３－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌ－９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）、ＣＤＢＰ（４，４’－ｂｉｓ（９－ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）－２，２”－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＭＡＤＮ（２－Ｍｅｔｈｙｌ－９，１０－ｂｉｓ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）などを使用することができる。
青色光を出射する第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３は、それぞれ例えば、スピロ－ＤＰＶＢｉ（ｓｐｉｒｏ－ＤＰＶＢｉ）、スピロ－６Ｐ（ｓｐｉｒｏ－６Ｐ）、ＤＳＢ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ－ａｒｙｌｅｎｅ）、ＰＦＯ（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系高分子およびＰＰＶ（ｐｏｌｙ（ｐ－ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系高分子からなる群より選ばれたいずれか一つを含む蛍光物質を含み得る。他の例として、（４，６－Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒｐｉｃのような有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）を含む燐光物質を含んでもよい。
前述したように、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくとも一つは、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくとも他の一つと互いに異なる波長領域帯の青色光を出射する。互いに異なる波長領域帯の青色光を出射するために、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３は互いに同じ材料を含み、共振距離を調節する方法を用いることができる。または互いに異なる波長領域帯の青色光を出射するために、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくとも一つと第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくとも他の一つは互いに異なる材料を含んでもよい。
ただし、これに限定されるものではなく、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３それぞれが発光する青色光は、すべてピーク波長が４４０ｎｍ～４８０ｎｍであり得、互いに同じ材料からなってもよい。
または、他の実施形態において、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくともいずれか一つは、第１ピーク波長を有する第１青色光を出射し、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の他の一つは、第１ピーク波長と異なる第２ピーク波長の第２青色光を出射し、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の残りの一つは、第１ピーク波長および第２ピーク波長と異なる第３ピーク波長の第３青色光を出射することもできる。他の実施形態において、第１ピーク波長、第２ピーク波長および第３ピーク波長のいずれか一つの範囲は４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満であり得る。また、第１ピーク波長、第２ピーク波長および第３ピーク波長のうちの他の一つの範囲は４６０ｎｍ以上４７０ｎｍ未満であり得、第１ピーク波長、第２ピーク波長および第３ピーク波長のうちの残りの一つの範囲は４７０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下であり得る。
また、さらに他の実施形態においては、発光層ＯＬから出射される出射光ＬＥは青色光であり、長波長成分、中間波長成分および短波長成分を含む。したがって、最終的に発光層ＯＬは出射光ＬＥとしてさらに広く分布（ｂｒｏａｄ）された発光ピーク（ｐｅａｋ）を有する青色光を出射し得、側面視野角での色視認性を改善することができる。
上述した実施形態によれば、タンデム（ｔａｎｄｅｍ）方式の構造、すなわち複数の発光層を積層した構造を採用しない従来の発光素子に比べて、光効率が上昇する利点および表示装置の寿命を向上させることができる利点を有する。
または、他の実施形態において、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくともいずれか一つは、第３色の光、例えば青色光を発光し、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくとも他の一つは第１～３色の光のうちのいずれか、例えば緑色光を発光することもできる。他の実施形態において、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくともいずれか一つが放出する青色光のピーク波長の範囲は４４０ｎｍ以上～４８０ｎｍ以下または４６０ｎｍ以上～４８０ｎｍ以下であり得る。第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の少なくとも他の一つが放出する緑色光は５１０ｎｍ～５５０ｎｍの範囲のピーク波長を有し得る。
例えば、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３のいずれか一つは緑色光を放出する緑色発光層であり、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の残りの二つは青色光を放出する青色発光層であり得る。第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３の残りの二つが青色発光層である場合、二つの青色発光層が放出する青色光のピーク波長の範囲は同一であってもよく、二つの青色発光層が放出するピーク波長の範囲は互いに異なってもよい。
他の実施形態によると、発光層ＯＬから出射される出射光ＬＥは青色光である第１成分ＬＥ１と緑色光である第２成分ＬＥ２が混合された混合光であり得る。例示的に第１成分ＬＥ１が濃い青色の光であり、第２成分ＬＥ２が緑色光である場合、出射光ＬＥは薄い青色（ｓｋｙ ｂｌｕｅ ｃｏｌｏｒ）を有する光であり得る。上述した実施形態と同様に、発光層ＯＬから出射される出射光ＬＥは青色光と緑色光の混合光として、長波長成分および短波長成分を含む。したがって、最終的に発光層ＯＬは出射光ＬＥとしてさらに広く分布（ｂｒｏａｄ）された発光ピーク（ｐｅａｋ）を有する青色光を出射し得、側面視野角での色視認性を改善することができる。また、出射光ＬＥのうちの第２成分ＬＥ２が緑色光であるため、表示装置１から外部に提供される光のうち、緑色光成分を補完することができ、そのため表示装置１の色再現性が向上することができる。
他の実施形態において、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３のうちの緑色発光層は、ホストおよびドーパントを含み得る。緑色発光層が含むホストは、通常使用する物質であれば、特に限定しないが、例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＣＢＰ（４，４’－ｂｉｓ（Ｎ－ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）－１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＰＶＫ（ｐｏｌｙ（ｎ－ｖｉｎｙｌｃａｂａｚｏｌｅ））、ＡＤＮ（９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－Ｔｒｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＢｉ（１，３，５－ｔｒｉｓ（Ｎ－ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ－２－ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＴＢＡＤＮ（３－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌ－９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）、ＣＤＢＰ（４，４’－ｂｉｓ（９－ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）－２，２”－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＭＡＤＮ（２－Ｍｅｔｈｙｌ－９，１０－ｂｉｓ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）などを使用することができる。
緑色発光層が含むドーパントは、例えばＡｌｑ３（ｔｒｉｓ－（８－ｈｙｄｒｏｙｑｕｉｎｏｌａｔｏ） ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ））を含む蛍光物質、または、燐光物質として、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｆａｃ ｔｒｉｓ（２－ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）（Ｂｉｓ（２－ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ））、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３（２－ｐｈｅｎｙｌ－４－ｍｅｔｈｙｌ－ｐｙｒｉｄｉｎｅ ｉｒｉｄｉｕｍ）などを挙げることができる。
第１電荷生成層ＣＧＬ１は、第１スタックＳＴ１と第２スタックＳＴ２の間に位置し得る。第１電荷生成層ＣＧＬ１は各発光層に電荷を注入する役割をすることができる。第１電荷生成層ＣＧＬ１は、第１スタックＳＴ１と第２スタックＳＴ２の間で電荷均衡を調節する役割をすることができる。第１電荷生成層ＣＧＬ１は、ｎ型電荷生成層ＣＧＬ１１およびｐ型電荷生成層ＣＧＬ１２を含み得る。ｐ型電荷生成層ＣＧＬ１２は、ｎ型電荷生成層ＣＧＬ１１上に配置され得、ｎ型電荷生成層ＣＧＬ１１と第２スタックＳＴ２の間に位置し得る。
第１電荷生成層ＣＧＬ１は、ｎ型電荷生成層ＣＧＬ１１およびｐ型電荷生成層ＣＧＬ１２が互いに接合された構造を有してもよい。ｎ型電荷生成層ＣＧＬ１１はアノード電極ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３およびカソード電極ＣＥのうちの、アノード電極ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３により隣接して配置される。ｐ型電荷生成層ＣＧＬ１２はアノード電極ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３およびカソード電極ＣＥのうちの、カソード電極ＣＥにより隣接して配置される。ｎ型電荷生成層ＣＧＬ１１は、アノード電極ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３に隣接する第１発光層ＥＭＬ１に電子を供給し、ｐ型電荷生成層ＣＧＬ１２は、第２スタックＳＴ２に含まれる第２発光層ＥＭＬ２に正孔を供給する。第１電荷生成層ＣＧＬ１を第１スタックＳＴ１および第２スタックＳＴ２の間に配置し、それぞれの発光層に電荷を提供することによって、発光効率を増大させ、駆動電圧を低くすることができる。
第１スタックＳＴ１は、第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３の上に位置し得、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第１電子ブロック層ＢＩＬ１、第１電子輸送層ＥＴＬ１をさらに含み得る。
第１正孔輸送層ＨＴＬ１は、第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３上に位置し得る。第１正孔輸送層ＨＴＬ１は正孔の輸送を円滑にする役割をし、正孔輸送物質を含み得る。正孔輸送物質は、Ｎ－フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール系誘導体、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）系誘導体、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ｂｉｓ（３－ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）－Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－［１，１－ｂｉｐｈｅｎｙｌ］－４，４’－ｄｉａｍｉｎｅ）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－ｔｒｉｓ（Ｎ－ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）などのようなトリフェニルアミン系誘導体、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ｄｉ（１－ｎａｐｈｔｈｙｌ）－Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ＴＡＰＣ（４，４’－Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｉｄｅｎｅ ｂｉｓ［Ｎ，Ｎ－ｂｉｓ（４－ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ］）などを含み得るが、これに限定されるものではない。
第１電子ブロック層ＢＩＬ１は第１正孔輸送層ＨＴＬ１上に位置し得、第１正孔輸送層ＨＴＬ１と第１発光層ＥＭＬ１の間に位置し得る。第１電子ブロック層ＢＩＬ１は、第１発光層ＥＭＬ１に到達した電子が第１正孔輸送層ＨＴＬ１に越えてくることを防止するように正孔輸送物質と金属または金属化合物を含んでなる。一実施形態において、上述した第１正孔輸送層ＨＴＬ１と第１電子ブロック層ＢＩＬ１はそれぞれの材料が混合された単一層からなってもよい。
第１電子輸送層ＥＴＬ１は、第１発光層ＥＭＬ１上に位置し得、第１電荷生成層ＣＧＬ１と第１発光層ＥＭＬ１の間に位置し得る。一実施形態において、第１電子輸送層ＥＴＬ１は、Ａｌｑ３（Ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＴＰＢｉ（１，３，５－Ｔｒｉ（１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌ－２－ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）、ＢＣＰ（２，９－Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－４，７－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－１，１０－ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、Ｂｐｈｅｎ（４，７－Ｄｉｐｈｅｎｙｌ－１，１０－ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ＴＡＺ（３－（４－Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）－４－ｐｈｅｎｙｌ－５－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ－１，２，４－ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ＮＴＡＺ（４－（Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－１－ｙｌ）－３，５－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－４Ｈ－１，２，４－ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｔＢｕ－ＰＢＤ（２－（４－Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）－５－（４－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）－１，３，４－ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ（２－ｍｅｔｈｙｌ－８－ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ－Ｎ１，Ｏ８）－（１，１’－Ｂｉｐｈｅｎｙｌ－４－ｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｂｅｂｑ２（ｂｅｒｙｌｌｉｕｍｂｉｓ（ｂｅｎｚｏｑｕｉｎｏｌｉｎ－１０－ｏｌａｔｅ）、ＡＤＮ（９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）およびこれらの混合物のような電子輸送物質を含み得る。しかし、本発明は電子輸送物質の種類に限定されるものではない。第２スタックＳＴ２は第１電荷生成層ＣＧＬ１上に位置し得、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、第２電子ブロック層ＢＩＬ２、第２電子輸送層ＥＴＬ２をさらに含み得る。
第２正孔輸送層ＨＴＬ２は第１電荷生成層ＣＧＬ１上に位置し得る。第２正孔輸送層ＨＴＬ２は第１正孔輸送層ＨＴＬ１と同じ物質からなり、第１正孔輸送層ＨＴＬ１が含む物質として例示した物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。第２正孔輸送層ＨＴＬ２は単一層からなってもよく、または複数の層からなってもよい。
第２電子ブロック層ＢＩＬ２は、第２正孔輸送層ＨＴＬ２上に位置し得、第２正孔輸送層ＨＴＬ２と第１発光層ＥＭＬ１の間に位置し得る。第２電子ブロック層ＢＩＬ２は第１電子ブロック層ＢＩＬ１と同じ物質および同じ構造からなってもよく、第１電子ブロック層ＢＩＬ１が含む物質として例示した物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。
第２電子輸送層ＥＴＬ２は第２発光層ＥＭＬ２上に位置し得、第２電荷生成層ＣＧＬ２と第２発光層ＥＭＬ２の間に位置し得る。第２電子輸送層ＥＴＬ２は第１電子輸送層ＥＴＬ１と同じ物質および同じ構造からなってよく、第１電子輸送層ＥＴＬ１が含む物質として例示した物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。第２電子輸送層ＥＴＬ２は単一層からなってもよく、または複数の層からなってもよい。
第２電荷生成層ＣＧＬ２は第２スタックＳＴ２上に位置して第２スタックＳＴ２と第３スタックＳＴ３の間に位置し得る。
第２電荷生成層ＣＧＬ２は、上述した第１電荷生成層ＣＧＬ１と同じ構造からなる。例えば、第２電荷生成層ＣＧＬ２は、第２スタックＳＴ２により隣接して配置されたｎ型電荷生成層ＣＧＬ２１と、カソード電極ＣＥにより隣接して配置されるｐ型電荷生成層ＣＧＬ２２を含み得る。ｐ型電荷生成層ＣＧＬ２２はｎ型電荷生成層ＣＧＬ２１上に配置され得る。
第２電荷生成層ＣＧＬ２は、ｎ型電荷生成層ＣＧＬ２１およびｐ型電荷生成層ＣＧＬ２２が互いに接した構造からなる。第１電荷生成層ＣＧＬ１および第２電荷生成層ＣＧＬ２は互いに異なる材料からなってもよく、同じ材料からなってもよい。
第２スタックＳＴ２は、第２電荷生成層ＣＧＬ２上に位置し得、第３正孔輸送層ＨＴＬ３および第３電子輸送層ＥＴＬ３をさらに含み得る。
第３正孔輸送層ＨＴＬ３は、第２電荷生成層ＣＧＬ２上に位置し得る。第３正孔輸送層ＨＴＬ３は第１正孔輸送層ＨＴＬ１と同じ物質からなり、第１正孔輸送層ＨＴＬ１が含む物質として例示した物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。第３正孔輸送層ＨＴＬ３は単一層からなるか、または複数の層からなってもよい。第３正孔輸送層ＨＴＬ３が複数の層からなる場合、各層は互いに異なる物質を含んでもよい。
第３電子輸送層ＥＴＬ３は第３発光層ＥＭＬ３上に位置し得、カソード電極ＣＥと第３発光層ＥＭＬ３の間に位置し得る。第３電子輸送層ＥＴＬ３は第１電子輸送層ＥＴＬ１と同じ物質および同じ構造からなり、第１電子輸送層ＥＴＬ１が含む物質として例示した物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。第３電子輸送層ＥＴＬ３は単一層からなるか、または複数の層からなる。第３電子輸送層ＥＴＬ３が複数の層からなる場合、各層は互いに異なる物質を含んでもよい。
図面には示していないが、第１スタックＳＴ１と第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３との間、第２スタックＳＴ２と第１電荷生成層ＣＧＬ１との間、第３スタックＳＴ３と第２電荷生成層ＣＧＬ２との間の少なくともいずれか一つには、それぞれ正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）がさらに位置してもよい。正孔注入層は、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２および第３発光層ＥＭＬ３により円滑に正孔が注入されるようにする役割をすることができる。一実施形態において、正孔注入層は、ＣｕＰｃ（ｃｕｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ（３，４）－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＡＮＩ（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）およびＮＰＤ（Ｎ，Ｎ－ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌ－Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌ ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）からなる群より選ばれたいずれか一つ以上からなるが、これに限定されない。一実施形態において、正孔注入層は第１スタックＳＴ１と第１アノード電極ＡＥ１、第２アノード電極ＡＥ２および第３アノード電極ＡＥ３との間、第２スタックＳＴ２と第１電荷生成層ＣＧＬ１との間、第３スタックＳＴ３と第２電荷生成層ＣＧＬ２との間にそれぞれ位置し得る。
図面には示していないが、第３電子輸送層ＥＴＬ３とカソード電極ＣＥの間、第２電荷生成層ＣＧＬ２と第２スタックＳＴ２との間および第１電荷生成層ＣＧＬ１と第１スタックＳＴ１との間の少なくともいずれか一つには、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）がさらに位置してもよい。電子注入層は電子の注入を円滑にする役割をし、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑまたはＳＡｌｑを使用できるが、これに限定されない。また、電子注入層は金属ハライド化合物であり得、例えばＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＦｒＦ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＫＩ、ＲｂＩ、ＣｓＩ、ＦｒＩおよびＣａＦ２からなる群より選ばれたいずれか一つ以上であり得るが、これに限定されない。また、電子注入層は、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｅｕなどのランタノイド系物質を含んでもよい。または、電子注入層は、ＲｂＩ：Ｙｂ、ＫＩ：Ｙｂなどのように金属ハライド物質とランタノイド系物質を同時に含んでもよい。電子注入層が金属ハライド物質とランタノイド系物質をすべて含む場合、電子注入層は金属ハライド物質とランタノイド系物質を共蒸着（Ｃｏ－ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）して形成されることができる。一実施形態において、電子注入層は第３電子輸送層ＥＴＬ３とカソード電極ＣＥとの間、第２電荷生成層ＣＧＬ２と第２スタックＳＴ２との間および第１電荷生成層ＣＧＬ１と第１スタックＳＴ１との間にそれぞれ位置してもよい。
上述した構造以外にも発光層ＯＬの構造は変形することもできる。例示的に発光層ＯＬは図１１に示す発光層ＯＬａのように変形することもできる。図１１に示す発光層ＯＬａは図１０に示す構造とは異なり、第３スタックＳＴ３と第２スタックＳＴ２の間に位置する第４スタックＳＴ４をさらに含み得、第３スタックＳＴ３と第２スタックＳＴ２の間に位置する第３電荷生成層ＣＧＬ３もさらに含み得る。
第４スタックＳＴ４は第４発光層ＥＭＬ４を含み得、第４正孔輸送層ＨＴＬ４、第３電子ブロック層ＢＩＬ３および第４電子輸送層ＥＴＬ４をさらに含み得る。
発光層ＯＬが含む第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２、第３発光層ＥＭＬ３および第４発光層ＥＭＬ４は、それぞれ第３色の光、例えば青色光を放出し得る。第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２、第３発光層ＥＭＬ３および第４発光層ＥＭＬ４の少なくともいずれか一つと、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２、第３発光層ＥＭＬ３および第４発光層ＥＭＬ４の少なくとも他の一つは互いに異なるピーク波長範囲の青色光を放出し得る。
または、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２、第３発光層ＥＭＬ３および第４発光層ＥＭＬ４の少なくともいずれか一つは緑色光を放出し、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２、第３発光層ＥＭＬ３および第４発光層ＥＭＬ４の少なくとも他の一つは青色光を放出することもできる。例えば、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２、第３発光層ＥＭＬ３および第４発光層ＥＭＬ４のいずれか一つは緑色発光層であり、残りの３個の発光層はすべて青色発光層であり得る。
第４正孔輸送層ＨＴＬ４は、第２電荷生成層ＣＧＬ２上に位置し得る。第４正孔輸送層ＨＴＬ４は第１正孔輸送層ＨＴＬ１と同じ物質からなり、第１正孔輸送層ＨＴＬ１が含む物質として例示した物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。第４正孔輸送層ＨＴＬ４は単一層からなるか、または複数の層からなる。第４正孔輸送層ＨＴＬ４が複数の層からなる場合、各層は互いに異なる物質を含んでもよい。
第３電子ブロック層ＢＩＬ３は第４正孔輸送層ＨＴＬ４上に位置し得、第４正孔輸送層ＨＴＬ４と第４発光層ＥＭＬ４との間に位置し得る。第３電子ブロック層ＢＩＬ３は第１電子ブロック層ＢＩＬ１と同じ物質および同じ構造からなり、第１電子ブロック層ＢＩＬ１が含む物質として例示した物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。一実施形態において、第３電子ブロック層ＢＩＬ３は省略することもできる。
第４電子輸送層ＥＴＬ４は第４発光層ＥＭＬ４上に位置し得、第３電荷生成層ＣＧＬ３と第４発光層ＥＭＬ４との間に位置し得る。第４電子輸送層ＥＴＬ４は第１電子輸送層ＥＴＬ１と同じ物質および同じ構造からなり、第１電子輸送層ＥＴＬ１が含む物質として例示した物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。第４電子輸送層ＥＴＬ４は、単一層からなるか、または複数の層からなる。第４電子輸送層ＥＴＬ４が複数の層からなる場合、各層は互いに異なる物質を含んでもよい。
第３電荷生成層ＣＧＬ３は、上述した第１電荷生成層ＣＧＬ１と同じ構造からなる。例えば、第３電荷生成層ＣＧＬ３は、第２スタックＳＴ２により隣接して配置されたｎ型電荷生成層ＣＧＬ３１と、カソード電極ＣＥにより隣接して配置されるｐ型電荷生成層ＣＧＬ３２を含み得る。ｐ型電荷生成層ＣＧＬ３２はｎ型電荷生成層ＣＧＬ３１上に配置され得る。
図面には示していないが、第４スタックＳＴ４と第３電荷生成層ＣＧＬ３との間には電子注入層がさらに位置してもよい。また、第４スタックＳＴ４と第２電荷生成層ＣＧＬ２との間には正孔注入層がさらに位置してもよい。
一実施形態において、図１０に示す発光層ＯＬおよび図１１に示す発光層ＯＬａはいずれも共通して赤色発光層を含まなくてもよく、そのため第１色の光、例えば赤色光を放出しない。すなわち、出射光ＬＥはピーク波長が６１０ｎｍ～約６５０ｎｍの範囲である光成分を含まなくてもよく、出射光ＬＥはピーク波長が４４０ｎｍ～５５０ｎｍである光成分のみを含み得る。
図１２に示すように、非表示領域ＮＤＡにおいて、第２絶縁層１１７上にはダム部材ＤＭが位置し得る。
ダム部材ＤＭは電源供給配線ＶＳＬより相対的に外側に位置し得る。言い換えれば、図１２に示すように、ダム部材ＤＭと表示領域ＤＡの間に電源供給配線ＶＳＬが位置し得る。
一実施形態において、ダム部材ＤＭの一部は電源供給配線ＶＳＬと重なってもよい。
一実施形態において、ダム部材ＤＭは複数のダムを含み得る。例えばダム部材ＤＭは複数のダムを含み得る。例えば、ダム部材ＤＭは第１ダムＤ１および第２ダムＤ２を含み得る。
第１ダムＤ１は電源供給配線ＶＳＬと部分的に重なってもよく、電源供給配線ＶＳＬを間に置いて第３絶縁層１３０と離隔してもよい。一実施形態において、第１ダムＤ１は第２絶縁層１１７上に位置する第１下部ダムパターンＤ１１および第１下部ダムパターンＤ１１上に位置する第１上部ダムパターンＤ１２を含み得る。
第２ダムＤ２は第１ダムＤ１の外側に位置し得、第１ダムＤ１と離隔し得る。一実施形態において、第２ダムＤ２は第２絶縁層１１７上に位置する第２下部ダムパターンＤ２１および第２下部ダムパターンＤ２１上に位置する第２上部ダムパターンＤ２２を含み得る。
一実施形態において、第１下部ダムパターンＤ１１および第２下部ダムパターンＤ２１は第３絶縁層１３０と同じ物質からなり、第３絶縁層１３０と同時に形成されることができる。
一実施形態において、第１上部ダムパターンＤ１２および第２上部ダムパターンＤ２２は画素定義膜１５０と同じ物質からなり、画素定義膜１５０と同時に形成されることができる。
一実施形態において、第１ダムＤ１および第２ダムＤ２の高さは互いに異なってもよい。例えば、第２ダムＤ２の高さは第１ダムＤ１の高さより高くてもよい。すなわち、表示領域ＤＡから遠ざかるほどダム部材ＤＭが含むダムの高さは次第に増加し得、そのため後述する封止層１７０が含む有機層１７３の形成過程で有機物があふれることをより効果的に遮断することができる。
図９、および図１２に示すように、カソード電極ＣＥ上には第１キャッピング層１６０が位置し得る。第１キャッピング層１６０は、第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２、第３発光領域ＬＡ３および非発光領域ＮＬＡに共通して配置され得、視野角特性を改善して外部発光効率を増加させることができる。
第１キャッピング層１６０は、光透過性を有する無機物質および有機物質の少なくとも一つを含み得る。すなわち、第１キャッピング層１６０は無機層からなってもよく、または有機層からなってもよく、無機粒子が含まれた有機層からなってもよい。例えば、第１キャッピング層１６０はトリアミン（ｔｒｉａｍｉｎｅ）誘導体、カルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ ｂｉｐｈｅｎｙｌ）誘導体、アリーレンジアミン（ａｒｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）誘導体またはアルミニウムキノリン複合体（Ａｌｑ３）などを含み得る。
また、第１キャッピング層１６０は高屈折物質と低屈折物質の混合物からなってもよい。または第１キャッピング層１６０は、屈折率が互いに異なる二つの層、例えば高屈折層と低屈折層を含んでもよい。
一実施形態において、第１キャッピング層１６０はカソード電極ＣＥを完全にカバーし得る。一実施形態において、図１２に示すように、第１キャッピング層１６０の端部はカソード電極ＣＥの端部より相対的に外側に位置し得、カソード電極ＣＥの端部は第１キャッピング層１６０により完全にカバーされ得る。
第１キャッピング層１６０上には封止層１７０が配置される。封止層１７０は水分のような外部異物などから封止層１７０の下に位置する構成、例えば発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３を保護する。封止層１７０は、第１発光領域ＬＡ１、第２発光領域ＬＡ２、第３発光領域ＬＡ３および非発光領域ＮＬＡに共通して配置される。一実施形態において、封止層１７０はカソード電極ＣＥを直接カバーし得る。一実施形態において、封止層１７０とカソード電極ＣＥとの間には、カソード電極ＣＥをカバーするキャッピング層（図面図示せず）がさらに配置され得、このような場合、封止層１７０は、キャッピング層を直接カバーし得る。封止層１７０は、薄膜封止層（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）であり得る。
一実施形態において、封止層１７０は、第１キャッピング層１６０上に順次積層された下部無機層１７１、有機層１７３および上部無機層１７５を含み得る。
一実施形態において、下部無機層１７１は、表示領域ＤＡで第１発光素子ＥＤ１、第２発光素子ＥＤ２および第３発光素子ＥＤ３をカバーし得る。下部無機層１７１は、非表示領域ＮＤＡでダム部材ＤＭをカバーし、ダム部材ＤＭの外側まで延び得る。
一実施形態において、下部無機層１７１は、第１キャッピング層１６０を完全にカバーし得る。一実施形態において、下部無機層１７１の端部は、第１キャッピング層１６０の端部より相対的に外側に位置し得、第１キャッピング層１６０の端部は、下部無機層１７１により完全にカバーされることができる。
下部無機層１７１は、複数の積層された膜を含み得る。下部無機層１７１のより詳しい構造については後述する。
下部無機層１７１上には有機層１７３が位置し得る。有機層１７３は、表示領域ＤＡで第１発光素子ＥＤ１、第２発光素子ＥＤ２および第３発光素子ＥＤ３をカバーし得る。一実施形態において、有機層１７３の一部は、非表示領域ＮＤＡに位置するが、ダム部材ＤＭの外側には位置しなくてもよい。有機層１７３の一部が第１ダムＤ１より内側に位置することが示されているが、これに限定されるものではない。他の実施形態において、有機層１７３の一部は第１ダムＤ１と第２ダムＤ２との間の空間に収容され、有機層１７３の端部は第１ダムＤ１と第２ダムＤ２との間の領域に位置してもよい。
有機層１７３上には上部無機層１７５が位置し得る。上部無機層１７５は、有機層１７３をカバーし得る。一実施形態において、上部無機層１７５は非表示領域ＮＤＡで下部無機層１７１と直接接触して無機－無機接合を形成することができる。一実施形態において、上部無機層１７５の端部と下部無機層１７１の端部は、実質的に整列することもできる。上部無機層１７５は複数の積層された膜を含み得る。上部無機層１７５のより詳しい構造については後述する。
一実施形態において、下部無機層１７１および上部無機層１７５はそれぞれ、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、セリウム酸化物、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、リチウムフルオリドなどからなる。
一実施形態において、有機層１７３は、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリイソプレン、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース系樹脂およびペリレン系樹脂などからなる。
以下、図１～図１２に加えて図１３～図１７をさらに参照して色変換基板３０について説明する。
図１３は、一実施形態による表示装置の色変換基板において、第３カラーフィルタおよびカラーパターンの概略的な配置を示す平面図である。図１４は、一実施形態による表示装置の色変換基板において、遮光部材の概略的な配置を示す平面図である。図１５は、一実施形態による表示装置の色変換基板において、第１カラーフィルタの概略的な配置を示す平面図である。図１６は、一実施形態による表示装置の色変換基板において、第２カラーフィルタの概略的な配置を示す平面図である。図１７は、一実施形態による表示装置の色変換基板において、バンクパターン、第１波長変換パターン、第２波長変換パターンおよび光透過パターンの概略的な配置を示す平面図である。
図９、および図１２に示す第２ベース部３１０は透光性を有する材料からなる。
一実施形態において、第２ベース部３１０はガラス基板またはプラスチック基板を含み得る。一実施形態において、第２ベース部３１０はガラス基板またはプラスチック基板上に位置する別途の層、例示的に無機膜などの絶縁層などをさらに含んでもよい。
一実施形態において、第２ベース部３１０には複数の透光領域ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＡ３および遮光領域ＢＡが定義され得ることは上述したとおりである。
図９、および図１２に示すように、表示基板１０に対向する第２ベース部３１０の一面上には第３カラーフィルタ２３５およびカラーパターン２５０が位置し得る。
第３カラーフィルタ２３５は第３発光領域ＬＡ３または第３透光領域ＴＡ３と重なるように配置される。
第３カラーフィルタ２３５は第３色の光（例えば、青色光）を選択的に透過させて第１色の光（例えば、赤色光）および第２色の光（例えば、緑色光）を遮断するか吸収することができる。一実施形態において、第３カラーフィルタ２３５は青色カラーフィルタ（ｂｌｕｅ ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）であり得、青色染料（ｂｌｕｅ ｄｙｅ）または青色顔料（ｂｌｕｅ ｐｉｇｍｅｎｔ）のような青色の色材（ｂｌｕｅ ｃｏｌｏｒａｎｔ）を含み得る。本明細書で色材（ｃｏｌｏｒａｎｔ）とは、染料（ｄｙｅ）および顔料（ｐｉｇｍｅｎｔ）をすべて含む概念である。
カラーパターン２５０は、非発光領域ＮＬＡまたは遮光領域ＢＡと重なるように配置され得る。また、カラーパターン２５０は非表示領域ＮＤＡ内にさらに位置し得る。
カラーパターン２５０は、表示装置１の外部から表示装置１に流入する光の一部を吸収して外光による反射光を低減させることができる。外光は相当部分反射して表示装置１の色再現率を歪曲させる問題を発生させる。しかし、本実施形態により、非発光領域ＮＬＡおよび非表示領域ＮＤＡにカラーパターン２５０が位置する場合、外光反射による色の歪曲を低減させることができる。
一実施形態において、カラーパターン２５０は、青色染料または青色顔料のような青色の色材（ｂｌｕｅ ｃｏｌｏｒａｎｔ）を含み得る。一実施形態において、カラーパターン２５０は第３カラーフィルタ２３５と同じ物質からなり、第３カラーフィルタ２３５の形成過程で同時に形成されることができる。カラーパターン２５０が青色の色材を含む場合、カラーパターン２５０を透過した外光または反射光は青色光であり得る。ユーザーの目が認識する色相別敏感度（ｅｙｅ ｃｏｌｏｒ ｓｅｎｓｉｂｉｌｉｔｙ）は光の色相によって異なる。より具体的には、青色波長帯域の光は、緑色波長帯域の光および赤色波長帯域の光より低い敏感度でユーザーに認識されることができる。したがって、カラーパターン２５０が青色の色材を含むことにより、ユーザーは反射光を相対的に低い敏感度で認識することができる。
一実施形態において、図１３に示すように、カラーパターン２５０は、遮光領域ＢＡ全体にわたって配置されてもよい。また、一実施形態において、図１３に示すようにカラーパターン２５０と第３カラーフィルタ２３５は互いに連結されてもよい。
図９、および図１２に示すように、表示基板１０に対向する第２ベース部３１０の一面上には遮光パターン２６０が位置し得る。遮光パターン２６０は遮光領域ＢＡと重なるように配置されて光の透過を遮断することができる。一実施形態において、遮光パターン２６０は図１４に示すように平面視で略格子形状に配置され得る。
一実施形態において、遮光パターン２６０は有機遮光物質を含み得、有機遮光物質のコーティングおよび露光工程などにより形成されることができる。
前述したように外光は、表示装置１の色再現率を歪曲させる問題を発生させ得る。しかし、本実施形態により、第２ベース部３１０の上に遮光パターン２６０が位置する場合、外光の少なくとも一部が遮光パターン２６０によって吸収される。したがって、外光反射による色の歪曲を低減させることができる。一実施形態において、遮光パターン２６０は、隣接する透光領域間に光が侵入して混色が発生することを防止することができ、そのため色再現率をより向上させることができる。
一実施形態において、遮光パターン２６０は、カラーパターン２５０上に位置し得る。言い換えれば、遮光パターン２６０は、カラーパターン２５０を間に置いて第２ベース部３１０の反対側に位置し得る。
遮光パターン２６０と第２ベース部３１０との間には、カラーパターン２５０が位置するため、一実施形態において、遮光パターン２６０は、第２ベース部３１０とは接触しなくてもよい。
他の実施形態において、遮光パターン２６０は省略することもできる。
図９に示すように、表示基板１０に対向する第２ベース部３１０の一面上には第１カラーフィルタ２３１および第２カラーフィルタ２３３が位置し得る。
第１カラーフィルタ２３１は第１発光領域ＬＡ１または第１透光領域ＴＡ１と重なるように配置され、第２カラーフィルタ２３３は第２発光領域ＬＡ２または第２透光領域ＴＡ２と重なるように配置される。
一実施形態において、第１カラーフィルタ２３１は、第３色の光（例えば、青色光）を遮断するか吸収することができる。すなわち、第１カラーフィルタ２３１は青色光を遮断する青色光遮断フィルタとして機能することができる。一実施形態で第１カラーフィルタ２３１は、第１色の光（例えば、赤色光）を選択的に透過させて、第３色の光（例えば、青色光）および第２色の光（例えば、緑色光）を遮断するか吸収し得る。例示的に第１カラーフィルタ２３１は、赤色カラーフィルタ（ｒｅｄ ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）であり得、赤色の顔料（ｒｅｄ ｃｏｌｏｒａｎｔ）を含み得る。
第２カラーフィルタ２３３は、第３色の光（例えば、青色光）を遮断するか吸収し得る。すなわち、第２カラーフィルタ２３３も青色光遮断フィルタとして機能することができる。一実施形態において、第２カラーフィルタ２３３は、第２色の光（例えば、緑色光）を選択的に透過させて、第３色の光（例えば、青色光）および第１色の光（例えば、赤色光）を遮断するか吸収し得る。例示的に第２カラーフィルタ２３３は、緑色カラーフィルタ（ｇｒｅｅｎ ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）であり得、緑色の顔料（ｇｒｅｅｎ ｃｏｌｏｒａｎｔ）を含み得る。
図９および図１５に示すように、一実施形態において、第１カラーフィルタ２３１の一部は遮光領域ＢＡ内にさらに位置し得、図９および図１６に示すように第２カラーフィルタ２３３の一部も遮光領域ＢＡ内にさらに位置し得る。
一実施形態において、第１カラーフィルタ２３１の一部は遮光領域ＢＡの第１透光領域ＴＡ１と第２透光領域ＴＡ２との間の領域および第１透光領域ＴＡ１と第３透光領域ＴＡ３との間の領域にさらに位置し得る。
一実施形態において、第２カラーフィルタ２３３の一部は遮光領域ＢＡの第１透光領域ＴＡ１と第２透光領域ＴＡ２との間の領域および第２透光領域ＴＡ２と第３透光領域ＴＡ３との間の領域にさらに位置し得る。
図面には第１カラーフィルタ２３１と第２カラーフィルタ２３３が互いに重ならないことを示しているが、遮光領域ＢＡの第１透光領域ＴＡ１と第２透光領域ＴＡ２との間の領域で第１カラーフィルタ２３１と第２カラーフィルタ２３３とは互いに重なってもよい。遮光領域ＢＡで第１カラーフィルタ２３１と第２カラーフィルタ２３３とが重なる部分は、光の透過を阻止する遮光部材として機能することができる。
また、他の実施形態において、図面に示されたものとは異なり、第１カラーフィルタ２３１および第２カラーフィルタ２３３は遮光領域ＢＡ全体にわたって位置してもよく、第１カラーフィルタ２３１および第２カラーフィルタ２３３は遮光領域ＢＡ全体で互いに重なってもよい。
一実施形態において、遮光領域ＢＡで第１カラーフィルタ２３１および第２カラーフィルタ２３３はカラーパターン２５０と重なってもよい。例えば、遮光領域ＢＡの第１透光領域ＴＡ１と第２透光領域ＴＡ２との間の領域で、カラーパターン２５０は第１カラーフィルタ２３１および第２カラーフィルタ２３３と重なってもよい。また、遮光領域ＢＡの第２透光領域ＴＡ２と第３透光領域ＴＡ３との間で、カラーパターン２５０は第２カラーフィルタ２３３と重なってもよい。また、遮光領域ＢＡのうちの第３透光領域ＴＡ３と第１透光領域ＴＡ１との間で、カラーパターン２５０は第１カラーフィルタ２３１と重なってもよい。
遮光領域ＢＡにおいて、第１カラーフィルタ２３１とカラーパターン２５０とが重なる部分、および第２カラーフィルタ２３３とカラーパターン２５０とが重なる部分は、遮光部材として機能することができる。遮光領域ＢＡにおいて、第１カラーフィルタ２３１とカラーパターン２５０とが重なる部分、および第２カラーフィルタ２３３とカラーパターン２５０とが重なる部分は、外光の少なくとも一部を吸収することによって、外光反射による色の歪曲を低減させることができる。また、外部に放出される光が隣接する発光領域間に侵入して混色が発生することを防止することができ、そのため、表示装置１の色再現率をより向上させることができる。
一実施形態において、第１カラーフィルタ２３１と第２カラーフィルタ２３３との少なくともいずれか一つは、非表示領域ＮＤＡにさらに位置し得る。例えば、図１２および図１３に示すように、第１カラーフィルタ２３１は非表示領域ＮＤＡ内にさらに位置し、非表示領域ＮＤＡでカラーパターン２５０と重なってもよい。互いに重なるカラーパターン２５０と第１カラーフィルタ２３１とは、非表示領域ＮＤＡで遮光部材として機能することができる。遮光パターン２６０が省略される場合、第１カラーフィルタ２３１は、非表示領域ＮＤＡでカラーパターン２５０のすぐ上に位置してもよい。
図９、および図１２に示すように、第２ベース部３１０の一面上には遮光パターン２６０、カラーパターン２５０、第１カラーフィルタ２３１、第２カラーフィルタ２３３および第３カラーフィルタ２３５をカバーする第２キャッピング層３９１が位置し得る。一実施形態において、第２キャッピング層３９１は、第１カラーフィルタ２３１、第２カラーフィルタ２３３および第３カラーフィルタ２３５と直接接触し得る。また、一実施形態において、第２キャッピング層３９１は、遮光パターン２６０とも直接接触し得る。
第２キャッピング層３９１は、外部から水分または空気などの不純物が浸透して遮光パターン２６０、カラーパターン２５０、第１カラーフィルタ２３１、第２カラーフィルタ２３３および第３カラーフィルタ２３５などを損傷させたり、汚染させることを防止することができる。また、第２キャッピング層３９１は、第１カラーフィルタ２３１、第２カラーフィルタ２３３および第３カラーフィルタ２３５に含まれた色材が、第１カラーフィルタ２３１、第２カラーフィルタ２３３および第３カラーフィルタ２３５と異なる構成、例えば、第１波長変換パターン３４０および第２波長変換パターン３５０などに拡散することを防止することができる。一実施形態において、第２キャッピング層３９１は無機物からなる。例えば、第２キャッピング層３９１は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、セリウム酸化物およびシリコン酸窒化物などを含む。
一実施形態においてｍ第２キャッピング層３９１は、非表示領域ＮＤＡにおいて、カラーパターン２５０、遮光パターン２６０および第１カラーフィルタ２３１の側面を囲み得る。また、一実施形態において、第２キャッピング層３９１は、非表示領域ＮＤＡにおいて第２ベース部３１０と直接接触し得る。
表示基板１０に対向する第２キャッピング層３９１の一面上に、はバンクパターン３７０が位置し得る。一実施形態において、バンクパターン３７０は、第２キャッピング層３９１の一面の直上に位置して、第２キャッピング層３９１と直接接触し得る。
一実施形態において、バンクパターン３７０は、非発光領域ＮＬＡまたは遮光領域ＢＡと重なるように配置され得る。一実施形態において、バンクパターン３７０は、図１７に示すように平面視で第１透光領域ＴＡ１、第２透光領域ＴＡ２および第３透光領域ＴＡ３を囲み得る。バンクパターン３７０は、第１波長変換パターン３４０、第２波長変換パターン３５０および光透過パターン３３０が配置される空間を区切る。
一実施形態において、バンクパターン３７０は、図１７に示すように一体に連結された一つのパターンからなってもよいが、これに限定されるものではない。他の実施形態において、バンクパターン３７０の第１透光領域ＴＡ１を囲む部分、バンクパターン３７０の第２透光領域ＴＡ２を囲む部分およびバンクパターン３７０の第３透光領域ＴＡ３を囲む部分は、互いに分離された個別パターンで構成されることもできる。
第１波長変換パターン３４０、第２波長変換パターン３５０および光透過パターン３３０がノズルなどを用いてインク組成物を吐出する方式、すなわちインクジェットプリンティング方式で形成される場合、バンクパターン３７０は吐出されたインク組成物を所望する位置に安定的に位置させるガイドの役割をすることができる。すなわち、バンクパターン３７０は隔壁として機能することができる。
一実施形態において、バンクパターン３７０は画素定義膜１５０と重なってもよい。
図１２に示すように、一実施形態において、バンクパターン３７０は、非表示領域ＮＤＡ内にさらに位置し得る。バンクパターン３７０は、非表示領域ＮＤＡにおいてカラーパターン２５０および第１カラーフィルタ２３１と重なってもよい。
一実施形態において、バンクパターン３７０は、光硬化性を有する有機物を含み得る。また、一実施形態において、バンクパターン３７０は光硬化性を有し、遮光物質を含む有機物を含み得る。バンクパターン３７０が遮光性を有する場合、表示領域ＤＡで互いに隣り合う発光領域間に光が侵入することを防止することができる。例えば、バンクパターン３７０は、第２発光素子ＥＤ２から放出された出射光ＬＥが第１発光領域ＬＡ１と重なる第１波長変換パターン３４０に入射することを阻止することができる。また、バンクパターン３７０は、非発光領域ＮＬＡおよび非表示領域ＮＤＡでバンクパターン３７０の下部に位置する構成に外光が浸透することを遮断するか阻止することができる。
図９、および図１２に示すように、第２キャッピング層３９１上には、第１波長変換パターン３４０、第２波長変換パターン３５０および光透過パターン３３０が位置し得る。一実施形態において、第１波長変換パターン３４０、第２波長変換パターン３５０および光透過パターン３３０は表示領域ＤＡ内に位置し得る。
光透過パターン３３０は、第３発光領域ＬＡ３または第３発光素子ＥＤ３と重なってもよい。光透過パターン３３０は、第３透光領域ＴＡ３でバンクパターン３７０により区切られた空間内に位置し得る。
一実施形態において、光透過パターン３３０は、図１７に示すように島状のパターン（ｉｓｌａｎｄ ｓｈａｐｅ ｐａｔｔｅｒｎ）からなる。図面には光透過パターン３３０が遮光領域ＢＡとは重ならないことが示されているが、これは一つの例示である。他の実施形態において、光透過パターン３３０の一部は遮光領域ＢＡと重なってもよい。
光透過パターン３３０は入射光を透過させる。第３発光素子ＥＤ３で提供された出射光ＬＥは前述したように青色光であり得る。青色光である出射光ＬＥは光透過パターン３３０および第３カラーフィルタ２３５を透過して表示装置１の外部に出射される。すなわち、第３発光領域ＬＡ３で表示装置１の外部に出射される第３光ＬＯ３は、青色光であり得る。
一実施形態において、光透過パターン３３０は、第１ベース樹脂３３１を含み得、第１ベース樹脂３３１内に分散した第１散乱体３３３をさらに含み得る。
第１ベース樹脂３３１は光透過率が高い材料からなる。一実施形態において、第１ベース樹脂３３１は有機物質からなる。例えば、第１ベース樹脂３３１は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、カルド系樹脂またはイミド系樹脂などの有機材料を含み得る。
第１散乱体３３３は、第１ベース樹脂３３１と異なる屈折率を有して第１ベース樹脂３３１と光学界面を形成することができる。例えば、第１散乱体３３３は光散乱粒子であり得る。第１散乱体３３３は、透過光の少なくとも一部を散乱させ得る材料であれば、特に制限されないが、例えば、金属酸化物粒子または有機粒子であり得る。金属酸化物としては、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化スズ（ＳｎＯ２）などを挙げることができ、有機粒子の材料としては、アクリル系樹脂またはウレタン系樹脂などを挙げることができる。第１散乱体３３３は、光透過パターン３３０を透過する光の波長を実質的に変換せず、かつ入射光の入射方向と関係がなくランダムな方向に光を散乱させることができる。
一実施形態において、光透過パターン３３０は、第２キャッピング層３９１およびバンクパターン３７０と直接接触し得る。
第１波長変換パターン３４０は、第２キャッピング層３９１上に位置し、第１発光領域ＬＡ１または第１発光素子ＥＤ１または第１透光領域ＴＡ１と重なってもよい。
一実施形態において、第１波長変換パターン３４０は、第１透光領域ＴＡ１でバンクパターン３７０により区切られた空間内に位置し得る。
一実施形態において、第１波長変換パターン３４０は、図１７に示すように島状パターン形態からなる。図面には第１波長変換パターン３４０が遮光領域ＢＡとは重ならないことが示されているが、これは一つの例示である。他の実施形態において、第１波長変換パターン３４０の一部は遮光領域ＢＡと重なってもよい。
一実施形態において、第１波長変換パターン３４０は第２キャッピング層３９１およびバンクパターン３７０と直接接触し得る。
第１波長変換パターン３４０は、入射光のピーク波長を他の特定ピーク波長の光に変換またはシフトさせて出射し得る。一実施形態において、第１波長変換パターン３４０は、第１発光素子ＥＤ１から提供された出射光ＬＥを６１０ｎｍ～６５０ｎｍの範囲のピーク波長を有する赤色光に変換して出射し得る。
一実施形態において、第１波長変換パターン３４０は第２ベース樹脂３４１および第２ベース樹脂３４１内に分散した第１波長シフタ３４５を含み得、第２ベース樹脂３４１内に分散した第２散乱体３４３をさらに含み得る。
第２ベース樹脂３４１は、光透過率が高い材料からなる。一実施形態において、第２ベース樹脂３４１は有機物質からなる。一実施形態において、第２ベース樹脂３４１は第１ベース樹脂３３１と同じ物質からなるか、第１ベース樹脂３３１の構成物質として例示した物質の少なくとも一つを含み得る。
第１波長シフタ３４５は、入射光のピーク波長を他の特定ピーク波長に変換またはシフトさせ得る。一実施形態において、第１波長シフタ３４５は、第１発光素子ＥＤ１から提供された青色光である第３色の出射光ＬＥを６１０ｎｍ～６５０ｎｍの範囲で単一ピーク波長を有する赤色光に変換して放出することができる。
第１波長シフタ３４５の例としては、量子ドット、量子ロッドまたは蛍光体などが挙げられる。例えば、量子ドットは、電子が伝導帯から価電子帯に遷移しながら特定の色を放出する粒子状物質であり得る。
量子ドットは、半導体ナノ結晶物質であり得る。量子ドットは、その組成および大きさによって特定のバンドギャップを有して、光を吸収した後、固有の波長を有する光を放出することができる。量子ドットの半導体ナノ結晶の例としては、ＩＶ族系ナノ結晶、ＩＩ－ＶＩ族系化合物ナノ結晶、ＩＩＩ－Ｖ族系化合物ナノ結晶、ＩＶ－ＶＩ族系ナノ結晶またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
ＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる二元化合物；ＩｎＺｎＰ、ＡｇＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる三元化合物；およびＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる四元化合物からなる群より選ばれることができる。
ＩＩＩ－Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる二元化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる三元化合物；およびＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる四元化合物からなる群より選ばれることができる。
ＩＶ－ＶＩ族化合物はＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる二元化合物ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる三元化合物；およびＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる四元化合物からなる群より選ばれることができる。ＩＶ族元素としてはＳｉ、Ｇｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれることができる。ＩＶ族化合物としてはＳｉＣ、ＳｉＧｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる二元化合物であり得る。
この時、二元化合物、三元化合物または四元化合物は、均一な濃度で粒子内に存在するか、濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同一粒子内に存在し得る。また、一つの量子ドットが他の量子ドットを囲むコア／シェル構造を有することもできる。コアとシェルの界面はシェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有する。
一実施形態において、量子ドットは、前述したナノ結晶を含むコアおよび該コアを囲むシェルを含むコア－シェル構造を有することができる。量子ドットのシェルは、コアの化学的変性を防止して半導体特性を維持するための保護層の役割および／または量子ドットに電気泳動特性を付与するためのチャージング層（ｃｈａｒｇｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の役割をすることができる。シェルは、単層または多重層であり得る。コアとシェルの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有し得る。量子ドットのシェルの例としては、金属または非金属の酸化物、半導体化合物またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
例えば、該金属または非金属の酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯなどの二元化合物、またはＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４などの三元化合物を例示できるが、本発明はこれに制限されるものではない。
また、該半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂなどを例示できるが、本発明はこれに制限されるものではない。
第１波長シフタ３４５が放出する光は、約４５ｎｍ以下、または約４０ｎｍ以下、または約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトル半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ，ＦＷＨＭ）を有し得、これにより表示装置１が表示する色の色純度と色再現性をより改善することができる。また、第１波長シフタ３４５が放出する光は、入射光の入射方向と関係がなく様々な方向に向かって放出され得る。これにより第１透光領域ＴＡ１で表示される第１色の側面視認性を向上させることができる。
第１発光素子ＥＤ１から提供された出射光ＬＥの一部は、第１波長シフタ３４５により赤色光に変換されず第１波長変換パターン３４０を透過して放出され得る。出射光ＬＥの第１波長変換パターン３４０により変換されず第１カラーフィルタ２３１に入射した成分は、第１カラーフィルタ２３１により遮断され得る。これに対し、出射光ＬＥの第１波長変換パターン３４０により変換された赤色光は、第１カラーフィルタ２３１を透過して外部に出射される。すなわち、第１透光領域ＴＡ１を介して表示装置１の外部に出射される第１光ＬＯ１は赤色光であり得る。
第２散乱体３４３は、第２ベース樹脂３４１と異なる屈折率を有して、第２ベース樹脂３４１と光学界面を形成することができる。例えば、第２散乱体３４３は光散乱粒子であり得る。その他の第２散乱体３４３に係る具体的説明は、第１散乱体３３３に係る説明と実質的に同一または類似であるため省略する。
第２波長変換パターン３５０は、第２透光領域ＴＡ２でバンクパターン３７０により区切られた空間内に位置し得る。
一実施形態において、第２波長変換パターン３５０は、図１９に示すように島状パターン形態からなる。一実施形態において、図面に示したものとは異なり、第２波長変換パターン３５０の一部は、遮光領域ＢＡと重なってもよい。
一実施形態において、第２波長変換パターン３５０は、第２キャッピング層３９１およびバンクパターン３７０と直接接触し得る。
第２波長変換パターン３５０は、入射光のピーク波長を他の特定ピーク波長の光に変換またはシフトさせて出射し得る。一実施形態において、第２波長変換パターン３５０は、第２発光素子ＥＤ２から提供された出射光ＬＥを約５１０ｎｍ～約５５０ｎｍの範囲である緑色光に変換して出射し得る。
一実施形態において、第２波長変換パターン３５０は、第３ベース樹脂３５１および第３ベース樹脂３５１内に分散した第２波長シフタ３５５を含み得、第３ベース樹脂３５１内に分散した第３散乱体３５３をさらに含み得る。
第３ベース樹脂３５１は光透過率が高い材料からなる。一実施形態において、第３ベース樹脂３５１は有機物質からなる。一実施形態において、第３ベース樹脂３５１は第１ベース樹脂３３１と同じ物質からなるか、第１ベース樹脂３３１の構成物質として例示した物質の少なくとも一つを含み得る。
第２波長シフタ３５５は、入射光のピーク波長を他の特定ピーク波長に変換またはシフトさせることができる。一実施形態において、第２波長シフタ３５５は、４４０ｎｍ～４８０ｎｍの範囲のピーク波長を有する青色光を５１０ｎｍ～５５０ｎｍの範囲のピーク波長を有する緑色光に変換することができる。
第２波長シフタ３５５の例としては、量子ドット、量子ロッドまたは蛍光体などが挙げられる。第２波長シフタ３５５に係るより具体的な説明は、第１波長シフタ３４５の説明で上述した内容と実質的に同一または類似するため省略する。
一実施形態において、第１波長シフタ３４５および第２波長シフタ３５５は、すべて量子ドットからなる。このような場合、第２波長シフタ３５５をなす量子ドットの粒子の大きさは、第１波長シフタ３４５をなす量子ドットの粒子の大きさより小さくてもよい。
第３散乱体３５３は、第３ベース樹脂３５１と異なる屈折率を有して第３ベース樹脂３５１と光学界面を形成することができる。例えば、第３散乱体３５３は光散乱粒子であり得る。その他、第３散乱体３５３に係る具体的説明は、第２散乱体３４３に係る説明と実質的に同一または類似するため省略する。
第２波長変換パターン３５０には、第３発光素子ＥＤ３から放出された出射光ＬＥが提供され得、第２波長シフタ３５５は、第３発光素子ＥＤ３から提供された出射光ＬＥを約５１０ｎｍ～約５５０ｎｍの範囲のピーク波長を有する緑色光に変換して放出し得る。
青色光である出射光ＬＥの一部は、第２波長シフタ３５５により緑色光に変換されず第２波長変換パターン３５０を透過し得、これは第２カラーフィルタ２３３により遮断され得る。これに対し、出射光ＬＥの第２波長変換パターン３５０により変換された緑色光は、第２カラーフィルタ２３３を透過して外部に出射される。そのため第２透光領域ＴＡ２で表示装置１の外部に出射される第２光ＬＯ２は緑色光であり得る。
バンクパターン３７０、光透過パターン３３０、第１波長変換パターン３４０および第２波長変換パターン３５０上には、第３キャッピング層３９３が位置し得る。第３キャッピング層３９３は、光透過パターン３３０、第１波長変換パターン３４０および第２波長変換パターン３５０をカバーし得る。一実施形態において、第３キャッピング層３９３は非表示領域ＮＤＡにも位置し得る。非表示領域（図１のＮＤＡ）において第３キャッピング層３９３は、第２キャッピング層３９１と直接接触し得、光透過パターン３３０、第１波長変換パターン３４０および第２波長変換パターン３５０を密封し得る。そのため外部から水分または空気などの不純物が浸透して光透過パターン３３０、第１波長変換パターン３４０および第２波長変換パターン３５０を損傷させたり、汚染させることを防止することができる。
一実施形態において、第３キャッピング層３９３は、非表示領域ＮＤＡでバンクパターン３７０の外側面を囲み得る。また、第３キャッピング層３９３は、非表示領域ＮＤＡで第２キャッピング層３９１と直接接触し得る。
一実施形態において、第３キャッピング層３９３は無機物からなる。一実施形態において、第３キャッピング層３９３は、第２キャッピング層３９１と同じ物質からなるか、第２キャッピング層３９１の説明で言及された物質の少なくとも一つを含み得る。第２キャッピング層３９１および第３キャッピング層３９３がすべて無機物からなる場合、非表示領域ＮＤＡで第２キャッピング層３９１と第３キャッピング層３９３は互いに直接接触して無機－無機接合を形成することができる。
前述したように非表示領域ＮＤＡにおいて、色変換基板３０と表示基板１０との間にはシーリング部材５０が位置し得る。
シーリング部材５０は封止層１７０と重なってもよい。より具体的には、シーリング部材５０は、下部無機層１７１および上部無機層１７５と重なって、有機層１７３とは重ならなくてもよい。一実施形態において、シーリング部材５０は封止層１７０と直接接触し得る。より具体的には、シーリング部材５０は上部無機層１７５のすぐ上に位置して、上部無機層１７５と直接接触し得る。
一実施形態において、シーリング部材５０の下に位置する上部無機層１７５および下部無機層１７１は、シーリング部材５０の外側まで延び、上部無機層１７５の端部および下部無機層１７１の端部は、シーリング部材５０と第１支持部材の第１部分の間およびシーリング部材５０と第１支持部材の第２部分の間に位置してもよい。
シーリング部材５０は、非表示領域ＮＤＡでカラーパターン２５０、第１カラーフィルタ２３１およびバンクパターン３７０と重なってもよい。一実施形態において、シーリング部材５０は、バンクパターン３７０をカバーする第３キャッピング層３９３と直接接触し得る。
シーリング部材５０は、接続パッドＰＤと接続された配線などを含む第１ゲートメタルＷＲ１と重なってもよい。シーリング部材５０が第１ゲートメタルＷＲ１と重なるように配置されることにより、非表示領域ＮＤＡの幅を減少させることができる。
色変換基板３０、表示基板１０およびシーリング部材５０の間の空間には充填材７０が位置し得ることは上述したとおりである。一実施形態において、充填材７０は、図９、および図１２に示すように、第３キャッピング層３９３および封止層１７０の上部無機層１７５と直接接触し得る。
以下で、上述した封止層１７０のより具体的な構造について説明する。
図１８は、図９のＱ９領域を拡大した断面図である。図１９は、図１８のＱ１１領域を拡大した断面図である。図２０は、図１８のＱ１３領域を拡大した断面図である。
図１８～図２０を参照すると、封止層１７０は、第１キャッピング層１６０と充填材７０との間に配置される。封止層１７０は上述されたように、第１キャッピング層１６０上の下部無機層１７１、下部無機層１７１上の有機層１７３、および有機層１７３上の上部無機層１７５を含み得る。
下部無機層１７１は、図１９に示すように、複数の積層された膜を含み得る。一実施形態による下部無機層１７１は、第１バッファ膜ＢＦ１、第１バッファ膜ＢＦ１上の第１バリア膜ＢＲ１、第１バリア膜ＢＲ１上の第１多孔性層ＰＬ、第１多孔性層ＰＬ上の第２バリア膜ＢＲ２、および第２バリア膜ＢＲ２上の第２バッファ膜ＢＦ２を含み得る。
第１バリア膜ＢＲ１は第１バッファ膜ＢＦ１と第１多孔性層ＰＬとの間に配置され、第２バリア膜ＢＲ２は第１多孔性層ＰＬと第２バッファ膜ＢＦ２との間に配置され、第２バッファ膜ＢＦ２は第２バリア膜ＢＲ２と有機層１７３との間に配置され得る。
また、第１バリア膜ＢＲ１と第２バリア膜ＢＲ２は、例えば、同じ物質を含み得、同じ厚さを有し得、同じ屈折率を有し得る。
ただし、これに制限されず第１バリア膜ＢＲ１と第２バリア膜ＢＲ２とは互いに異なる物質を含み得、互いに異なる厚さを有してもよく、互いに異なる屈折率を有してもよい。
以下では、第１バリア膜ＢＲ１と第２バリア膜ＢＲ２が同じ物質を含み得、同じ厚さを有し得、同じ屈折率を有する例を中心に説明する。
以下で説明する下部無機層１７１の多層膜は、それぞれ光吸収効率（ｋ）が０であり得る。より具体的に説明すると、下部無機層１７１の各多層膜の光吸収効率（ｋ）が０より大きいと、下部の発光素子から生成された光が下部無機層１７１の各多層膜によって一部吸収され得る。これは表示装置１の全般的な光効率を減少させる原因となる。
第１バッファ膜ＢＦ１は第１キャッピング層１６０上に直接配置される。第１バッファ膜ＢＦ１は上部の第１バリア膜ＢＲ１に直接接し得る。
第１バッファ膜ＢＦ１は第１キャッピング層１６０上に直接配置され、第１キャッピング層１６０の物理的損傷を遮断する役割をすることができる。
例えば、第１バッファ膜ＢＦ１は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、セリウム酸化物、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、またはリチウムフルオリドなどからなる。
第１バッファ膜ＢＦ１の厚さｔ１は、約１ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内にあり得る。一実施形態による第１バッファ膜ＢＦ１の屈折率は、１．３～１．７５の範囲内にあり得る。例えば、第１バッファ膜ＢＦ１の屈折率は、約１．６であり得る。第１バッファ膜ＢＦ１の圧縮応力（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ）は、約０～２００ＭＰａ範囲内にあり得る。
第１バリア膜ＢＲ１は第１バッファ膜ＢＦ１上に直接配置され、外部から侵入する水分、および／または酸素を遮断する役割をすることができる。
例えば、第１バリア膜ＢＲ１はシリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、セリウム酸化物、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、またはリチウムフルオリドなどからなる。
第１バリア膜ＢＲ１の厚さｔ２は、約１ｎｍ～５０００ｎｍの範囲内にあり得る。一実施形態による第１バリア膜ＢＲ１の屈折率は、上述した第１バッファ膜ＢＦ１の屈折率よりさらに大きくてもよい。一実施形態による第１バリア膜ＢＲ１の屈折率は、１．４５～１．８５の範囲内にあり得る。例えば、第１バリア膜ＢＲ１の屈折率は、約１．７であり得る。第１バリア膜ＢＲ１の圧縮応力（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ）は、約０～２００ＭＰａ範囲内にあり得る。
第１多孔性層ＰＬは、第１バリア膜ＢＲ１と第２バリア膜ＢＲ２との間に配置されることによって、後述する第２バリア膜ＢＲ２に進入した水分および／または酸素のうちの第２バリア膜ＢＲ２により完全に吸収されなかった一部の水分および／または酸素を貯蔵（Ｓｔｏｒａｇｅ）する役割をすることができる。第１多孔性層ＰＬが第２バリア膜ＢＲ２に進入した水分および／または酸素のうちの第２バリア膜ＢＲ２により完全に吸収されなかった一部の水分および／または酸素を貯蔵（Ｓｔｏｒａｇｅ）する役割をするためには、膜内の物質構造がある程度不均一なものが好ましい。このために、第１多孔性層ＰＬを第１バリア膜ＢＲ１上に形成する過程で、膜の均一度を低くするために工程時間を増やすか、外気を投入するなどの追加工程が考慮され得る。第１多孔性層ＰＬを形成する方法は本技術分野に広く知られているので、詳しい説明は省略する。膜の均一度が低い第１多孔性層ＰＬの屈折率は、隣接するバリア膜ＢＲ１、ＢＲ２だけでなく、バッファ膜ＢＦ１、ＢＦ２の屈折率よりさらに低くてもよい。
例えば、第１多孔性層ＰＬの屈折率は、隣接するバリア膜ＢＲ１、ＢＲ２の屈折率よりも約０．３よりさらに低くてもよい。例えば、第１多孔性層ＰＬの屈折率は、１．１～１．４５の範囲を有し得る。
例えば、第１多孔性層ＰＬは、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、セリウム酸化物、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、またはリチウムフルオリドなどからなる。
第１多孔性層ＰＬの厚さｔ３は、約１ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内にあり得る。
第１多孔性層ＰＬ上には、第２バリア膜ＢＲ２が配置される。第２バリア膜ＢＲ２の物質、厚さｔ４、および屈折率は、上述した第１バリア膜ＢＲ１の物質、厚さ、および屈折率と実質的に同一であるため、重複する説明は省略する。
第２バリア膜ＢＲ２と有機層１７３との間には第２バッファ膜ＢＦ２が配置される。第２バッファ膜ＢＦ２の厚さｔ５、材料は、第１バッファ膜ＢＦ１の厚さｔ１、材料とそれぞれ同一であるが、これに制限されるものではない。
第２バッファ膜ＢＦ２上には上述したように、有機層１７３が配置されるが、有機層１７３を形成する過程で、有機層１７３が第２バッファ膜ＢＦ２の表面上でよく拡散しながら蒸着されることが好ましい。有機層１７３が第２バッファ膜ＢＦ２の表面上でよく拡散されていないままで蒸着されると、有機層１７３を拡散させるための追加工程が行われなければならず、よく拡散されないまま蒸着が完了すると、有機層１７３が配置された部分と配置されていない部分、または有機層１７３が多く配置された部分と少なく配置された部分が生じて、封止層１７０に全体的にうねり現象（Ｗａｖｅｎｅｓｓ）が発生し得る。これを防止するために、第２バッファ膜ＢＦ２と有機層１７３とを同じ材料、または有機／無機のうち同じ系の材料を使用することが好ましいが、第２バッファ膜ＢＦ２と有機層１７３との互いに異なる機能を考慮すると、これを考慮することは難しい場合もある。ただし、一実施形態による封止層１７０によれば、有機層１７３と接する第２バッファ膜ＢＦ２の表面エネルギが適正水準以上に形成されることによって、第２バッファ膜ＢＦ２の表面上で有機層１７３がよく拡散することができる。一実施形態による第２バッファ膜ＢＦ２の表面エネルギは、約４０ｍＮ／ｍ～約８０ｍＮ／ｍの範囲を有し得る。第２バッファ膜ＢＦ２の表面エネルギを確保するために、第２バッファ膜ＢＦ２を表面エネルギが高い物質で形成することを考慮できるが、既存の第２バッファ膜ＢＦ２の機能、および材料費用などを考慮すると、第２バッファ膜ＢＦ２の表面粗さを調節する方案を考慮することができる。一実施形態による第２バッファ膜ＢＦ２の表面粗さは、約５ｎｍ～約１００ｎｍであり得る。
上部無機層１７５は図２０に示すように、複数の積層された膜を含み得る。一実施形態による上部無機層１７５は、第３バッファ膜ＢＦ３、および第３バッファ膜ＢＦ３上の第３バリア膜ＢＲ３を含み得る。
第３バッファ膜ＢＦ３は、有機層１７３と第３バリア膜ＢＲ３との間に配置され、第３バリア膜ＢＲ３は、第３バッファ膜ＢＦ３と充填材７０との間に配置される。第３バッファ膜ＢＦ３は、隣接する有機層１７３、および第３バリア膜ＢＲ３とそれぞれ直接接し得、第３バリア膜ＢＲ３は、隣接する第３バッファ膜ＢＦ３、および充填材７０とそれぞれ直接接し得る。
例えば、第３バッファ膜ＢＦ３の材料、厚さｔ６、屈折率、および圧縮応力は、上述した第１バッファ膜ＢＦ１の材料、厚さｔ１、屈折率、および圧縮応力と実質的に同一であり得る。第３バッファ膜ＢＦ３は、下部の有機層１７３で発生するアウトガス（Ｏｕｔ ｇａｓ）を低減する役割をすることができる。
第３バリア膜ＢＲ３の材料、厚さｔ７は、上述した第１バリア膜ＢＲ１の材料、および厚さｔ２と実質的に同一であり得る。第３バリア膜ＢＲ３は、外部から侵入する水分、および／または酸素を遮断する役割をすることができる。
一実施形態による表示装置１によれば、下部無機層１７１のバリア膜ＢＲ１、ＢＲ２の間に第１多孔性層ＰＬを適用するサンドイッチ（Ｓａｎｄｗｉｃｈ）構造を適用することによって、第１多孔性層ＰＬが第２バリア膜ＢＲ２に進入した水分および／または酸素のうち第２バリア膜ＢＲ２により完全に吸収されていない一部の水分および／または酸素を貯蔵（Ｓｔｏｒａｇｅ）する役割をすることができる。これにより、水分および／または酸素が封止層１７０の下部に侵入することを未然に防止することができ、表示装置１の保管信頼性が向上し、表示装置１の寿命が改善されることができる。
以下、他の実施形態による表示装置について説明する。以下の実施形態で既に説明した実施形態と同じ構成については同じ参照符号を付け、その説明を省略または簡略化する。
図２１は、図２０による封止層の他の実施形態を示す断面図である。
図２１を参照すると、本実施形態による封止層１７０＿１の上部無機層１７５＿１が第４バッファ膜ＢＦ４をさらに含む点で、一実施形態による封止層１７０と異なる。
より具体的に説明すると、本実施形態による封止層１７０＿１の上部無機層１７５＿１は、第４バッファ膜ＢＦ４をさらに含み得る。
上部無機層１７５＿１の第４バッファ膜ＢＦ４は、第３バリア膜ＢＲ３と充填材７０との間に配置され得、それぞれ第３バリア膜ＢＲ３と充填材７０と直接接し得る。
第４バッファ膜ＢＦ４の材料、屈折率、および厚さｔ８は、上述した第３バッファ膜ＢＦ３の材料、屈折率、および厚さｔ６と実質的に同一であり得る。
一方、第４バッファ膜ＢＦ４上には、上述したように、充填材７０が配置されるが、充填材７０を形成する過程で、充填材７０が第４バッファ膜ＢＦ４の表面上でよく拡散しながら蒸着されることが好ましい。充填材７０が第４バッファ膜ＢＦ４の表面上でよく拡散されないままで蒸着されると、充填材７０が拡散するための追加工程が行われなければならず、よく拡散されないままで蒸着が完了すると、充填材７０が配置された部分と配置されていない部分、または充填材７０が多く配置された部分と少なく配置された部分が生じて充填材７０に全体的にうねり現象（Ｗａｖｅｎｅｓｓ）が発生し得る。これを防止するために、第４バッファ膜ＢＦ４と充填材７０を同じ材料、または有機／無機のうち同じ系の材料を使用することが好ましいが、第４バッファ膜ＢＦ４と充填材７０の互いに異なる機能を考慮すると、これを考慮することが難しい場合もある。ただし、一実施形態による封止層１７０によれば、充填材７０と接する第４バッファ膜ＢＦ４の表面エネルギが適正水準以上に形成されることによって、第４バッファ膜ＢＦ４の表面上で充填材７０がよく拡散することができる。一実施形態による第４バッファ膜ＢＦ４の表面エネルギは、約４０ｍＮ／ｍ～約８０ｍＮ／ｍの範囲を有し得る。第４バッファ膜ＢＦ４の表面エネルギを確保するために、第４バッファ膜ＢＦ４を表面エネルギが高い物質で形成することを考慮することができるが、既存の第４バッファ膜ＢＦ４の機能、および材料費用などを考慮すると、第４バッファ膜ＢＦ４の表面粗さを調節する方案を考慮することができる。一実施形態による第４バッファ膜ＢＦ４の表面粗さは、約５ｎｍ～約１００ｎｍであり得る。
図２２、および図２３は図１８による封止層のさらに他の実施形態を示す断面図である。
図２２、および図２３を参照すると、本実施形態による封止層１７０＿２は、下部無機層１７１＿１、および上部無機層１７５＿２を含む点で、一実施形態による封止層１７０と異なる。
より具体的に説明すると、本実施形態による封止層１７０＿２は、下部無機層１７１＿１、および上部無機層１７５＿２を含み得る。
下部無機層１７１＿１は、図１９による下部無機層１７１に対応しており、第１バッファ膜ＢＦ１、第１バリア膜ＢＲ１、および第２バッファ膜ＢＦ２のみを含み得る。第１バッファ膜ＢＦ１は、第１キャッピング層１６０と第１バリア膜ＢＲ１との間に配置され得、第１バリア膜ＢＲ１は第１バッファ膜ＢＦ１と第２バッファ膜ＢＦ２との間に配置され得、第２バッファ膜ＢＦ２は第１バリア膜ＢＲ１と有機層１７３との間に配置され得る。第１バッファ膜ＢＦ１、第１バリア膜ＢＲ１、および第２バッファ膜ＢＦ２に係る説明は、上述したため以下では重複する説明は省略する。
図２３に示すように、本実施形態による上部無機層１７５＿２は、第３バッファ膜ＢＦ３、第３バリア膜ＢＲ３、第２多孔性層ＰＬ＿１、第４バリア膜ＢＲ４、および第４バッファ膜ＢＦ４を含み得る。第３バッファ膜ＢＦ３は第３バリア膜ＢＲ３と有機層１７３との間に配置され得、第３バリア膜ＢＲ３は第３バッファ膜ＢＦ３と第２多孔性層ＰＬ＿１との間に配置され得、第２多孔性層ＰＬ＿１は第３バリア膜ＢＲ３と第４バリア膜ＢＲ４との間に配置され得、第４バリア膜ＢＲ４は第４バッファ膜ＢＦ４と第２多孔性層ＰＬ＿１との間に配置され得、第４バッファ膜ＢＦ４は第４バリア膜ＢＲ４と充填材７０との間に配置され得る。
第３バッファ膜ＢＦ３、第３バリア膜ＢＲ３、および第４バッファ膜ＢＦ４に係る説明は、図２１で上述したため詳しい説明は省略する。第４バリア膜ＢＲ４の厚さ、材料、および屈折率は、第３バリア膜ＢＲ３の厚さ、材料、および屈折率とそれぞれ実質的に同一であり得る。第２多孔性層ＰＬ＿１は、図１９を参照して上述した第１多孔性層ＰＬと実質的に同一であるため、詳しい説明は省略する。
図２４は、図１８による封止層のさらに他の実施形態を示す断面図である。
図２４を参照すると、本実施形態による封止層１７０＿３は、下部無機層１７１、有機層１７３、および上部無機層１７５＿２を含む点で、一実施形態による表示装置１と異なる。
より具体的に説明すると、本実施形態による封止層１７０＿３は、下部無機層１７１、有機層１７３、および上部無機層１７５＿２を含み得る。上部無機層１７５＿２は、図２３を参照して上述したため以下では重複する説明は省略する。
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
Claims (23)
- 表示領域および非表示領域が定義された第１ベース部と、
前記第１ベース部上に位置して前記表示領域に位置する発光素子と、
前記発光素子上に位置する封止層と、
を含み、
前記封止層は、第１無機層、前記第１無機層上の有機層、および前記有機層上の第２無機層を含み、
前記第１無機層は、前記発光素子上の第１バッファ膜、前記第１バッファ膜上の第１バリア膜、前記第１バリア膜上の第１多孔性層、前記第１多孔性層上の第２バリア膜、および前記第２バリア膜上の第２バッファ膜を含み、
前記第１バッファ膜の屈折率、前記第１バリア膜の屈折率、および前記第１多孔性層の屈折率は、互いに異なり、
前記第１多孔性層の屈折率は、前記第１バッファ膜の屈折率、および前記第１バリア膜の屈折率より小さい、表示装置。 - 前記第１バリア膜は、前記第１バッファ膜と前記第１多孔性層との間に配置され、
前記第２バリア膜は、前記第１多孔性層と前記第２バッファ膜との間に配置され、
前記第２バッファ膜は、前記第２バリア膜と前記有機層との間に配置された、請求項１に記載の表示装置。 - 前記第１バッファ膜の屈折率は、前記第１バリア膜の屈折率より小さい、請求項２に記載の表示装置。
- 前記第１多孔性層の屈折率は、１．１～１．４５の範囲にある、請求項３に記載の表示装置。
- 前記第１バッファ膜の屈折率は、１．３～１．７５の範囲にある、請求項４に記載の表示装置。
- 前記バリア膜の屈折率は、１．４５～１．８５の範囲にある、請求項５に記載の表示装置。
- 前記第１バッファ膜の屈折率と前記第２バッファ膜の屈折率とは互いに同じである、請求項６に記載の表示装置。
- 前記第２バッファ膜は、前記有機層に直接接する、請求項６に記載の表示装置。
- 前記第２バッファ膜の表面粗さは、１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲にある、請求項８に記載の表示装置。
- 前記第２バッファ膜の表面エネルギは、４０ｍＮ／ｍ～８０ｍＮ／ｍの範囲にある、請求項８に記載の表示装置。
- 前記第２無機層は、前記有機層上の第３バッファ膜、および前記第３バッファ膜上の第３バリア膜を含む、請求項２に記載の表示装置。
- 前記第３バッファ膜の屈折率は、前記第３バリア膜の屈折率より小さい、請求項１１に記載の表示装置。
- 前記第２無機層は、前記第３バリア膜上の第４バッファ膜をさらに含み、
前記第３バッファ膜は、前記有機層と前記第３バリア膜との間に配置され、
前記第３バリア膜は、前記第３バッファ膜と前記第４バッファ膜との間に配置された、請求項１２に記載の表示装置。 - 前記封止層上に位置する第２ベース部、前記第１ベース部に対向する前記第２ベース部の一面上に位置して前記発光素子と重なるカラーフィルタ、前記カラーフィルタ上に位置する波長変換パターン、および前記第１ベース部と前記第２ベース部との間に位置する充填材をさらに含む、請求項１３に記載の表示装置。
- 前記表示領域の前記第１ベース部と前記発光素子との間に配置され、前記発光素子と電気的に接続された薄膜トランジスタをさらに含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記第１ベース部上の半導体層、
前記半導体層上のゲート電極、および
前記半導体層と接続されたソース電極とドレイン電極を含み、
前記半導体層は、酸化物半導体を含む、請求項１４に記載の表示装置。 - 前記発光素子は、
前記ソース電極と前記ドレイン電極上に配置されたアノード電極、
前記アノード電極と対向するカソード電極、および
前記アノード電極と前記カソード電極との間に配置された複数の発光層を含み、
前記複数の発光層は、互いに重畳配置されたタンデム構造を形成する、請求項１５に記載の表示装置。 - 前記第１ベース部と前記半導体層との間に配置され、前記半導体層と重畳配置された遮光パターンをさらに含み、
前記遮光パターンは、前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一つと電気的に接続された、請求項１５に記載の表示装置。 - 前記第４バッファ膜は、前記充填材と直接接し、
前記第４バッファ膜の表面粗さは、１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲にあり、
前記第４バッファ膜の表面エネルギは、４０ｍＮ／ｍ～８０ｍＮ／ｍの範囲にある、請求項１４に記載の表示装置。 - 前記第２無機層は、前記第３バリア膜と前記第４バッファ膜との間の第４バリア膜、および前記第４バリア膜と前記第３バリア膜との間の第２多孔性層をさらに含み、
前記第２多孔性層の屈折率は、前記第２無機層の前記第３バッファ膜の屈折率、前記第３バリア膜の屈折率、前記第４バリア膜の屈折率、および前記第４バッファ膜の屈折率よりさらに小さい、請求項１３に記載の表示装置。 - 表示領域および非表示領域が定義された第１ベース部と、
前記第１ベース部上に位置して前記表示領域に位置する発光素子と、
前記発光素子上に位置する封止層を含み、
前記封止層は、第１無機層、前記第１無機層上の有機層、および前記有機層上の第２無機層を含み、
前記第２無機層は、前記有機層上の第１バッファ膜、前記第１バッファ膜上の第１バリア膜、前記第１バリア膜上の第１多孔性層、前記第１多孔性層上の第２バリア膜、および前記第２バリア膜上の第２バッファ膜を含み、
前記第１バッファ膜の屈折率、前記第１バリア膜の屈折率、および前記第１多孔性層の屈折率は、互いに異なり、
前記第１多孔性層の屈折率は、前記第１バッファ膜の屈折率、および前記第１バリア膜の屈折率より小さい、表示装置。 - 前記第１無機層は、前記発光素子上の第３バッファ膜、および前記第３バッファ膜上の第３バリア膜を含む、請求項２０に記載の表示装置。
- 前記第１バリア膜は、前記第１バッファ膜と前記第１多孔性層との間に配置され、
前記第２バリア膜は、前記第１多孔性層と前記第２バッファ膜との間に配置され、
前記第２バッファ膜は、前記第２バリア膜と前記有機層との間に配置された、請求項２１に記載の表示装置。 - 前記第１バッファ膜の屈折率は、前記第１バリア膜の屈折率より小さいく、
前記第１多孔性層の屈折率は、１．１～１．４５の範囲にあり、
前記第１バッファ膜の屈折率は、１．３～１．７５の範囲にあり、
前記バリア膜の屈折率は、１．４５～１．８５の範囲にある、請求項２２に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2020-0105185 | 2020-08-21 | ||
| KR1020200105185A KR20220023892A (ko) | 2020-08-21 | 2020-08-21 | 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022036076A true JP2022036076A (ja) | 2022-03-04 |
Family
ID=77398521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021135168A Pending JP2022036076A (ja) | 2020-08-21 | 2021-08-20 | 表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11925051B2 (ja) |
| EP (1) | EP3958324A3 (ja) |
| JP (1) | JP2022036076A (ja) |
| KR (1) | KR20220023892A (ja) |
| CN (1) | CN114078941A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230128170A (ko) * | 2022-02-25 | 2023-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN114759045A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-07-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100544127B1 (ko) | 2003-08-27 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 수분 흡수층을 구비한 유기 전계 발광 표시 장치 |
| US11038144B2 (en) * | 2010-12-16 | 2021-06-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
| KR101862676B1 (ko) | 2011-10-06 | 2018-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| JP2015026417A (ja) | 2011-11-18 | 2015-02-05 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびそれを用いた電子機器、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| KR101900363B1 (ko) * | 2012-01-16 | 2018-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR20140033867A (ko) | 2012-09-11 | 2014-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 |
| KR102060622B1 (ko) | 2013-06-27 | 2019-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20150011231A (ko) * | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102080752B1 (ko) | 2013-07-23 | 2020-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 봉지 구조물, 봉지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
| KR102021029B1 (ko) | 2018-10-16 | 2019-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20200097373A (ko) | 2019-02-07 | 2020-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 색 변환 필터를 구비하는 유기발광 표시장치 |
| KR20210156371A (ko) | 2020-06-17 | 2021-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2020
- 2020-08-21 KR KR1020200105185A patent/KR20220023892A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-05-07 US US17/315,009 patent/US11925051B2/en active Active
- 2021-08-18 EP EP21192013.7A patent/EP3958324A3/en active Pending
- 2021-08-20 JP JP2021135168A patent/JP2022036076A/ja active Pending
- 2021-08-20 CN CN202110962478.2A patent/CN114078941A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220059799A1 (en) | 2022-02-24 |
| CN114078941A (zh) | 2022-02-22 |
| KR20220023892A (ko) | 2022-03-03 |
| EP3958324A2 (en) | 2022-02-23 |
| US11925051B2 (en) | 2024-03-05 |
| EP3958324A3 (en) | 2022-03-02 |
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