JP2022033956A - 多層電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
いての優先権を主張するものであり、あらゆる関連する目的のためにこの仮特許出願の内容が参考文献として本明細書に取り込まれる。
第一のタブ部分を含んでいてもよく、そして第二の電極層は同様にセラミック層の第一の横方向端部に向かって延びる第二のタブ部分を含む。各々の電極層の第一および第二のタブ部分は縦方向において互いにオフセットしている。例えば、それらタブ部分は、セラミック層の縦方向中心線から特定の距離だけ対称的にオフセットしていてもよい。いずれにしても、第一の部分と第二の部分の間に間隙領域が形成されていて、その中で第一および第二の電極は鉛直方向で重なり合わない。所望により、追加のタブ部分を用いてもよい。例えば、第一の電極層は第一の横方向端部に対して反対側のセラミック層の第二の横方向端部に向かって延びる第三のタブ部分を含んでいてもよく、そして第二の電極層は同様にセラミック層の第二の横方向端部に向かって延びる第四のタブ部分を含んでいてもよい。各々の電極層の第三および第四のタブ部分は互いにオフセットしていてもよく(例えば、対称的にオフセットしていて)、それにより第三のタブ部分と第四のタブ部分の間に別の間隙領域が形成されていて、その中で第一および第二の電極層は鉛直方向で重なり合わない。
いて用いるのに特に適しているかもしれない。
PO4であろう。さらに追加の複合ペロブスカイトには、A[B11/3B22/3]O3の材料(ここでAはBaxSr1-x(xは0から1までの値をとりうる)であり、B1はMgyZn1-y(yは0から1までの値をとりうる)であり、B2はTazNb1-z(zは0から1までの値をとりうる))が含まれるだろう。
切り抜き領域34を画定していて、これらは、(示しているように)電極層10の横方向および/または縦方向中心線から特定の距離だけ対称的にオフセットしていてもよい。同様に、第二の電極20は第二の切り抜き領域52および反対側の第四の切り抜き領域54を画定していて、これらは、(示しているように)電極層20の横方向および/または縦方向中心線から特定の距離だけ対称的にオフセットしていてもよい。
ができる。図3A、図3Bおよび図3Cは完成したデバイスの一つの態様を示し、これは第一の電極層10と電気接続している第一の外部コンタクト316および第二の電極層20と電気接続している第二の外部コンタクト326を含む。図3Bに示すように、第一の外部コンタクト316はデバイスの上面および/または一つ以上の対向する端部に存在することができ、一方、第二の外部コンタクト326はデバイスの底面および/または一つ以上の対向する端部に存在することができる。所望により、デバイスの端部に露出した電極の部分を覆うために、はんだマスクなどのマスキング材料(図示せず)を任意に用いてもよい。そのような態様においては、外部コンタクトは主としてデバイスの上面と底面に位置するだろう。
本発明の範囲内で想定される。特定の態様において、例えば、各々の電極層において複数のタブ部分を用いることができる。そのようなデバイスの一つの例が図9A~図9Cに構成要素900として示されていて、これは複数の第一の電極層910と複数の第二の電極層920を含み、それらの各々はオフセットしていて対称的なタブ部分を含む。さらに別の態様においては、一つの電極層上のタブ部分が一つの中心線に関して対称的に配置されているが、しかし他の中心線についてはそうでなくてもよい。そのようなデバイスの例は図10A~図10Cに示されている。この態様においては、例えば、複数の第一の電極層1010と複数の第二の電極層1020を含むデバイス1000が示されている。第一の電極層は第一のタブ部分と第三のタブ部分を含み(図10B)、両者のタブ部分は縦方向端部に沿って位置しているので、これらは縦方向中心線に関して対称的に配置されているが、しかし横方向中心線についてはそうではない。同様に、第二の電極層は第二のタブ部分と第四のタブ部分を含み(図10C)、両者のタブ部分は縦方向端部に沿って位置しているので、これらは縦方向中心線に関して対称的に配置されているが、しかし横方向中心線についてはそうではない。
Hzのインサーションロスをもたらすこともできる。同様に、図7と図8は、切り抜き領域を有するデバイス700、800および切り抜き領域の無いデバイス710、810についてのリターンロス(図7)およびインサーションロス(図8)を示す。示されているように、切り抜き領域の無いデバイス710は高いリターンロスをもたらす。
本発明は以下の実施態様を含む。
(1)多層電子デバイスであって、
第一の縦方向端部と第二の縦方向端部との間の縦方向と、第一の横方向端部と第二の横方向端部との間の横方向と、に延びるセラミック層、ここで、前記第一の縦方向端部と第二の縦方向端部との間に縦方向中心線が画定されており、且つ前記第一の横方向端部と第二の横方向端部との間に横方向中心線が画定されている、
前記セラミック層の鉛直上方に配置されている第一の電極層、ここで、前記第一の電極層は前記セラミック層の前記第一の横方向端部に向かって延びる第一のタブ部分を含み、前記第一の電極層はさらに第一の切り抜き領域を画定している、
前記セラミック層の鉛直下方に配置されている第二の電極層、ここで、前記第二の電極層は前記セラミック層の前記第一の横方向端部に向かって延びる第二のタブ部分を含み、前記第二の電極層はさらに第二の切り抜き領域を画定している、
を含み、
前記第一の電極層の前記第一のタブ部分は、前記第二の電極層の前記第二のタブ部分と縦方向においてオフセットしていて、それにより第一の間隙領域が形成されており、前記第一の間隙領域内で前記第一のタブ部分は前記第二のタブ部分と重なり合わず、そしてさらに、前記第一の切り抜き領域は、前記第二の切り抜き領域と少なくとも部分的に重なり合っている、前記多層電子デバイス。
(2)前記第一のタブ部分と前記第二のタブ部分は、前記セラミック層の前記縦方向中心線に関して対称的に配置されている、(1)に記載のデバイス。
(3)前記第一のタブ部分と前記第二のタブ部分は、前記セラミック層の前記横方向中心線に関して対称的に配置されている、(1)に記載のデバイス。
(4)前記第一の電極層は、前記セラミック層の前記第二の横方向端部に向かって延びる第三のタブ部分をさらに含む、(1)に記載のデバイス。
(5)前記第二の電極層は、前記セラミック層の前記第二の横方向端部に向かって延びる第四のタブ部分をさらに含む、(4)に記載のデバイス。
(6)前記第一の電極層の前記第三のタブ部分は、前記第二の電極層の前記第四のタブ部分から、前記縦方向においてオフセットしていて、それにより第二の間隙領域が形成されており、前記第二の間隙領域内では前記第三のタブ部分は前記第四のタブ部分と重なり合っていない、(5)に記載のデバイス。
(7)前記第一の間隙領域と前記第二の間隙領域は、前記セラミック層の前記縦方向中心線および/または前記横方向中心線に関して対称的に配置されている、(6)に記載のデバイス。
(8)前記第一の切り抜き領域と前記第二の切り抜き領域は、前記セラミック層の前記縦方向中心線に関して対称的に配置されている、(1)に記載のデバイス。
(9)前記第一の切り抜き領域と前記第二の切り抜き領域は、前記セラミック層の前記横方向中心線に関して対称的に配置されている、(1)に記載のデバイス。
(10)前記セラミック層はウェファーの形態である、(1)に記載のデバイス。
(11)前記セラミック層は誘電体を含む、(1)に記載のデバイス。
(12)前記第一の電極層と電気接続している第一の外部コンタクト、および前記第二の電極層と電気接続している第二の外部コンタクトをさらに含む、(1)に記載のデバイス。
(13)前記第一の外部コンタクトは、前記デバイスの上面および任意に一つ以上の対向する端部に存在し、そしてさらに、前記第二の外部コンタクトは、前記デバイスの底面および任意に一つ以上の対向する端部に存在する、(12)に記載のデバイス。
(14)前記第一の外部コンタクトは前記デバイスの上面だけに存在し、そして前記第二の外部コンタクトは前記デバイスの底面だけに存在する、(12)に記載のデバイス。
(15)前記デバイスの端部に露出した前記第一の電極層および前記第二の電極層の複数の部分を覆うマスキング材料をさらに含む、(14)に記載のデバイス。
(16)前記デバイスは、セラミック層と第一の電極層と第二の電極層とが互い違いになっているものを複数含む、(1)に記載のデバイス。
(17)前記デバイスはコンデンサーである、(1)に記載のデバイス。
Claims (17)
- 多層電子デバイスであって、
第一の縦方向端部と第二の縦方向端部との間の縦方向と、第一の横方向端部と第二の横方向端部との間の横方向と、に延びるセラミック層、ここで、前記第一の縦方向端部と第二の縦方向端部との間に縦方向中心線が画定されており、且つ前記第一の横方向端部と第二の横方向端部との間に横方向中心線が画定されている、
前記セラミック層の鉛直上方に配置されている第一の電極層、ここで、前記第一の電極層は前記セラミック層の前記第一の横方向端部に向かって延びる第一のタブ部分を含み、前記第一の電極層はさらに第一の切り抜き領域を画定している、
前記セラミック層の鉛直下方に配置されている第二の電極層、ここで、前記第二の電極層は前記セラミック層の前記第一の横方向端部に向かって延びる第二のタブ部分を含み、前記第二の電極層はさらに第二の切り抜き領域を画定している、
を含み、
前記第一の電極層の前記第一のタブ部分は、前記第二の電極層の前記第二のタブ部分と縦方向においてオフセットしていて、それにより第一の間隙領域が形成されており、前記第一の間隙領域内で前記第一のタブ部分は前記第二のタブ部分と重なり合わず、そしてさらに、前記第一の切り抜き領域は、前記第二の切り抜き領域と少なくとも部分的に重なり合っている、前記多層電子デバイス。 - 前記第一のタブ部分と前記第二のタブ部分は、前記セラミック層の前記縦方向中心線に関して対称的に配置されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第一のタブ部分と前記第二のタブ部分は、前記セラミック層の前記横方向中心線に関して対称的に配置されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第一の電極層は、前記セラミック層の前記第二の横方向端部に向かって延びる第三のタブ部分をさらに含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第二の電極層は、前記セラミック層の前記第二の横方向端部に向かって延びる第四のタブ部分をさらに含む、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第一の電極層の前記第三のタブ部分は、前記第二の電極層の前記第四のタブ部分から、前記縦方向においてオフセットしていて、それにより第二の間隙領域が形成されており、前記第二の間隙領域内では前記第三のタブ部分は前記第四のタブ部分と重なり合っていない、請求項5に記載のデバイス。
- 前記第一の間隙領域と前記第二の間隙領域は、前記セラミック層の前記縦方向中心線および/または前記横方向中心線に関して対称的に配置されている、請求項6に記載のデバイス。
- 前記第一の切り抜き領域と前記第二の切り抜き領域は、前記セラミック層の前記縦方向中心線に関して対称的に配置されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第一の切り抜き領域と前記第二の切り抜き領域は、前記セラミック層の前記横方向中心線に関して対称的に配置されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記セラミック層はウェファーの形態である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記セラミック層は誘電体を含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第一の電極層と電気接続している第一の外部コンタクト、および前記第二の電極層と電気接続している第二の外部コンタクトをさらに含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第一の外部コンタクトは、前記デバイスの上面および任意に一つ以上の対向する端部に存在し、そしてさらに、前記第二の外部コンタクトは、前記デバイスの底面および任意に一つ以上の対向する端部に存在する、請求項12に記載のデバイス。
- 前記第一の外部コンタクトは前記デバイスの上面だけに存在し、そして前記第二の外部コンタクトは前記デバイスの底面だけに存在する、請求項12に記載のデバイス。
- 前記デバイスの端部に露出した前記第一の電極層および前記第二の電極層の複数の部分を覆うマスキング材料をさらに含む、請求項14に記載のデバイス。
- 前記デバイスは、セラミック層と第一の電極層と第二の電極層とが互い違いになっているものを複数含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記デバイスはコンデンサーである、請求項1に記載のデバイス。
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