JP2022032913A - 抵抗検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コストが低く、適応が広く、効率が高く、精度が高く、消費エネルギーが低く、精度が高い抵抗検査システムを提供する。【解決手段】抵抗検査システムは、制御モジュール（ＫＺＭＫ）、自己検査ボタン（ＣＳ１）、検査ボタン（ＣＳ２）および検測モジュール（ＪＣＭＫ）を含み、検測モジュール（ＪＣＭＫ）は、第１抵抗（Ｒ１）、第２抵抗（Ｒ２）および検査電源を含み、検測モジュール（ＪＣＭＫ）は、被査抵抗（ＲＶ１）の抵抗値が許容誤差の範囲内にあるか否かを検査する。【選択図】図１

Description

本発明は、電気検査分野に関するもので、特に、抵抗検査方法に関する。

抵抗検査の目的は、抵抗の値が使用の要求に合致するか否かを検査し、不良品を取り除く
ことである。

従来では、抵抗値の検査は、主に、オームの法則に従って行っている。
中国特許出願ＣＮ２０１３１００５４７７０Ｘ（名称：抵抗検査システム）
中国特許出願ＣＮ２０１２１０２７３４０６．８（名称：抵抗検査システム）
これらは、本発明に最も接近する従来の技術であると思われる。しかし、これらには、以
下の技術的欠陥が存在する。

・技術的欠陥１
検査のプロセスが複雑であり、検査のモジュールが多い。各検査モジュールのコストが高
い。
・技術的欠陥２
検査過程では、検査電源の信号への要求が高い。検査電源の信号に偏差があってはならな
い。検査電源の信号に偏差があれば、検査の結果に大きな偏差が存在する。たとえば５Ｖ
の電源にて検査を行う場合、電源の出力電圧が４Ｖへ変移したとすれば、検査不正確が発
生する。特に蓄電池を検査電源とする場合、電池残量が少ないほど、検査結果が不正確に
なる。
・技術欠陥３
検査は、低速であり、低効率である。
・技術欠陥４
検査過程では、環境温度への要求が高い。環境温度が大きく変化する場合、電源信号の変
移が発生し、検査の結果にミスが発生する。
・技術欠陥５
従来の検査マシンは、エージングを発見や回避することが難しい。検査マシンのエージン
グは、検査結果のミスに至る。
以上によれば、従来の技術は、高コスト、低効率、大誤差、高い環境要求、また標準ソー
スに対する高依頼性などの課題があり、改良する余地がある。

１、技術方案
上記の問題を解決するために、以下の技術方案を採用する。
抵抗検査方法は、
前記抵抗検査方法は、検査システムに基づいて実行する方法であり、
前記検査システムは、制御モジュール（ＫＺＭＫ）および検測モジュール（ＪＣＭＫ）を
含み、
前記検測モジュール（ＪＣＭＫ）は、第１抵抗（Ｒ１）、第２抵抗（Ｒ２）および検査電
源を含み、
前記検測モジュール（ＪＣＭＫ）は、被査抵抗（ＲＶ１）の抵抗値が許容誤差の範囲内に
あるか否かを検査し、
前記被査抵抗（ＲＶ１）の第２端と第１抵抗（Ｒ１）の第１端とが相互接続され、前記第
１抵抗（Ｒ１）の第２端と第２抵抗（Ｒ２）の第１端とが相互接続され、前記第１サンプ
リングノード（Ｃ１）と被査抵抗（ＲＶ１）の第２端とが相互接続され、前記第２サンプ
リングノード（Ｃ２）と第１抵抗（Ｒ１）の第２端とが相互接続され、前記第１電源ノー
ド（Ｖ１）と被査抵抗（ＲＶ１）の第１端とが相互接続され、前記第２電源ノード（Ｖ２
）と第２抵抗（Ｒ２）の第２端とが相互接続されており、
前記検測モジュール（ＪＣＭＫ）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており
、
前記制御モジュール（ＫＺＭＫ）は数学計算回路を有しており、
前記制御モジュール（ＫＺＭＫ）は、以下の検査プロセスを含み、すなわち、
ステップａ１：検査電源の正極と第１電源ノード（Ｖ１）とを相互接続させ、第２電源ノ
ード（Ｖ２）と検査電源の負極とを相互接続させることと、
ステップａ２：ＡＤサンプリングによって第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値をサ
ンプリングするとともに、第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値を変数Ｈ１に記憶す
ること、およびＡＤサンプリングによって第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値をサ
ンプリングするとともに、第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を変数Ｄ１に記憶す
ることと、
ステップａ３：検査電源の負極と第１電源ノード（Ｖ１）とを相互接続させ、第２電源ノ
ード（Ｖ２）と検査電源の正極とを相互接続させることと、
ステップａ４：ＡＤサンプリングによって第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値をサ
ンプリングするとともに、第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値を変数Ｄ２に記憶す
ること、およびＡＤサンプリングによって第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値をサ
ンプリングするとともに、第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を変数Ｈ２に記憶す
ることと、
ステップａ５：制御モジュール（ＫＺＭＫ）の数学計算回路を呼び出し、下式
Ｙ＝｜Ｈ２－Ｈ１｜＋｜Ｄ２－Ｄ１｜
で計算を行うことと、および
ステップａ６：制御モジュール（ＫＺＭＫ）を呼び出し、Ｙの値が許容の誤差閾値より小
さいか否かを判断することであって、Ｙの値が許容の誤差閾値より小さければ、被査抵抗
（ＲＶ１）が合格であると判定し、一方、Ｙの値が許容の誤差閾値より小さくなければ、
被査抵抗（ＲＶ１）が不合格であると判定することと、を含む。

好ましくは、前記ステップａ６は、制御モジュール（ＫＺＭＫ）を呼び出し、Ｙの値を判
断することであって、Ｙの値が許容の誤差閾値と等しくまたはそれより小さい場合、被査
抵抗（ＲＶ１）が合格であると判定し、一方、Ｙの値が許容の誤差閾値より大きければ、
被査抵抗（ＲＶ１）が不合格である。

好ましくは、被査抵抗（ＲＶ１）は電位差計であり、電位差計に対して継続的に検査を実
行するとともに、電位差計の抵抗値を所定の範囲内に調整する。

好ましくは、被査抵抗（ＲＶ１）は厚膜抵抗である。

好ましくは、前記検査システムは、検査ボタン（ＣＳ２）をさらに含み、前記検査ボタン
（ＣＳ２）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており、制御モジュール（Ｋ
ＺＭＫ）は、自己検査ボタン（ＣＳ１）のボタン状態を判断することが可能であり、検査
ボタン（ＣＳ２）が押されると、検査のプロセスが起動される。

好ましくは、前記検査システムは、提示モジュール（ＴＳＭＫ）をさらに含み、前記提示
モジュール（ＴＳＭＫ）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており、提示モ
ジュール（ＴＳＭＫ）は表示装置を含み、提示モジュール（ＴＳＭＫ）はＹの値が誤差範
囲内にあるか否かを表示する。

好ましくは、前記検査システムは、提示モジュール（ＴＳＭＫ）をさらに含み、前記提示
モジュール（ＴＳＭＫ）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており、提示モ
ジュール（ＴＳＭＫ）は表示装置を含み、提示モジュール（ＴＳＭＫ）はＹの値を表示す
る。

好ましくは、前記制御モジュール（ＫＺＭＫ）はマクロプロセッサを含み、マクロプロセ
ッサの番型はＰＩＣ１６Ｆ８７７とする。

好ましくは、前記検査電源は、マクロプロセッサのＩＯピンによって実現される。

好ましくは、前記ＡＤサンプリングは、マクロプロセッサのＩＯピンによって実現される
。

２、発明の効果
本発明の利点は、先行技術に比べて、以下の有利な効果がある。
１、新しい技術思想を提出している。
２、本発明は、検査のプロセスが簡単で、検査モジュールが少なくて、各モジュールその
ものも特に簡単なものである。ハードウェアのコストが低い。
３、本発明の検査過程では、電源信号への要求が低くて、標準ソースが要らなくいため、
検査電源の電圧値に偏差があったとしても、波動がなければ、電源信号の値にかかわらず
、正確的な検査結果を得られる。本発明は、電源からの制限が小さくて、多種類の電源に
適合することができる。特に時間を経て変移するリチウム電源などの電源に適合すること
ができる。
４、本発明は、検査が高速で、高効率である。
５、本発明の検査過程では、環境温度への要求が低くて、環境温度が発生したとしても、
検査結果の正確性を影響することなく、広範囲的適応性を有する。
６、本発明は、自己検査の機能を有するので、早めに部品などのエージングを検出するこ
とができる。効果的に部品のエージングによる不都合で検査結果にミスが発生するなどを
回避することができる。よって、良品へは不良品が混ぜるなどの欠陥も克服することがで
きるので、本発明は正確性を向上する。
７．本発明は、部品が少ないため、検査過程では省エネルギーが可能となる。
８、本発明は、部品が少なくて、累積誤差が小さいため、本発明の検査精度が高い。
以上によれば、本発明は、低コスト、広範囲的適応性、高効率、高正確性、低電力消費性
、高精度などの利点を有する。

本発明の実施例１のブロック図である。 本発明の実施例１の検出モジュールの概略図である。 本発明の実施例１のメインプロセスのフローチャートである。 本発明の実施例１の検査プロセスのフローチャートである。 本発明の実施例１の自己検証の操作プロセスのフロー図である。 本発明の実施例１のテストフローのフローチャートである。 本発明の実施例２の回路図である。

＜実施例１＞
図１～６に示すように、抵抗検査システムは、
前記抵抗検査システムは、制御モジュール（ＫＺＭＫ）、自己検査ボタン（ＣＳ１）、検
査ボタン（ＣＳ２）および検測モジュール（ＪＣＭＫ）を含み、
前記検測モジュール（ＪＣＭＫ）は、第１抵抗（Ｒ１）、第２抵抗（Ｒ２）および検査電
源を含み、
前記検測モジュール（ＪＣＭＫ）は、被査抵抗（ＲＶ１）の抵抗値が許容誤差の範囲内に
あるか否かを検査するものであり、
前記被査抵抗（ＲＶ１）の第２端と第１抵抗（Ｒ１）の第１端とが相互接続され、前記第
１抵抗（Ｒ１）の第２端と第２抵抗（Ｒ２）の第１端とが相互接続され、前記第１サンプ
リングノード（Ｃ１）と被査抵抗（ＲＶ１）の第２端とが相互接続され、前記第２サンプ
リングノード（Ｃ２）と第１抵抗（Ｒ１）の第２端とが相互接続され、前記第１電源ノー
ド（Ｖ１）と被査抵抗（ＲＶ１）の第１端とが相互接続され、前記第２電源ノード（Ｖ２
）と第２抵抗（Ｒ２）の第２端とが相互接続されており、
前記自己検査ボタン（ＣＳ１）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており、
前記検査ボタン（ＣＳ２）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており、
前記検測モジュール（ＪＣＭＫ）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており
、
前記制御モジュール（ＫＺＭＫ）は数学計算回路を有しており、
前記制御モジュール（ＫＺＭＫ）は、以下の検査プロセスを含み、すなわち
ステップａ１：検査電源の正極と第１電源ノード（Ｖ１）とを相互接続させ、第２電源ノ
ード（Ｖ２）と検査電源の負極とを相互接続させることと、
ステップａ２：ＡＤサンプリングによって第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値をサ
ンプリングするとともに、第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値を変数Ｈ１上で記憶
すること、およびＡＤサンプリングによって第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を
サンプリングするとともに、第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を変数Ｄ１上で記
憶することと、
ステップａ３：検査電源の負極と第１電源ノード（Ｖ１）とを相互接続させ、第２電源ノ
ード（Ｖ２）と検査電源の正極とを相互接続させることと、
ステップａ４：ＡＤサンプリングによって第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値をサ
ンプリングするとともに、第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値を変数Ｄ２上で記憶
すること、およびＡＤサンプリングによって第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を
サンプリングするとともに、第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を変数Ｈ２上で記
憶することと、
ステップａ５：制御モジュール（ＫＺＭＫ）の数学計算回路を呼び出し、下式
Ｙ＝｜Ｈ２－Ｈ１｜＋｜Ｄ２－Ｄ１｜
の計算を行うことと、および
ステップａ６：制御モジュール（ＫＺＭＫ）を呼び出し、Ｙの値が許容の誤差閾値より小
さいか否かを判断することであって、Ｙの値が許容の誤差閾値より小さければ、被査抵抗
（ＲＶ１）が合格であると判定し、一方、Ｙの値が許容の誤差閾値より小さくなければ、
被査抵抗（ＲＶ１）が不合格であると判定することと、を含み、
前記制御モジュール（ＫＺＭＫ）は、第１抵抗（Ｒ１）の抵抗値と第２抵抗（Ｒ２）の抵
抗値との差が検査要求に合致するか否かを検証するための、以下の自己検証の操作プロセ
スを含み、すなわち
ステップｂ１：検査電源の正極と第１サンプリングノード（Ｃ１）とを相互接続させ、第
２電源ノード（Ｖ２）と検査電源の負極とを相互接続させることと、
ステップｂ２：ＡＤサンプリングによって第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値をサ
ンプリングするとともに、第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を変数Ｔ上で記憶す
ることと、
ステップｂ３：検査電源の負極と第１サンプリングノード（Ｃ１）とを相互接続させ、第
２電源ノード（Ｖ２）と検査電源の正極とを相互接続させることと、
ステップｂ４：ＡＤサンプリングによって第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値をサ
ンプリングするとともに、第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を変数Ｌ上で記憶す
ることと、
ステップｂ５：制御モジュール（ＫＺＭＫ）の数学計算回路を呼び出し、下式
Ｘ＝｜Ｔ－Ｌ｜
の計算を行うことと、および
ステップｂ６：制御モジュール（ＫＺＭＫ）を呼び出し、Ｘの値が許容の誤差閾値より小
さいか否かを判断すること出会って、Ｘの値が許容の誤差閾値より小さければ、第１抵抗
（Ｒ１）の抵抗値と第２抵抗（Ｒ２）の抵抗値との差が検査要求に合致し、検証の結果が
正常であると判定し、一方、Ｘの値が許容の誤差閾値より小さくなければ、第１抵抗（Ｒ
１）の抵抗値と第２抵抗（Ｒ２）の抵抗値との差が検査要求に合致しなく、検証の結果が
異常であると判定することと、を含み、
制御モジュール（ＫＺＭＫ）は以下の自己検査プロセスを含み、すなわち
ステップｂｚ１：スタンダードサンプルを接続することであって、スタンダードサンプル
の第１端と第１電源ノード（Ｖ１）とを相互接続し、スタンダードサンプルの第２端と第
１サンプリングノード（Ｃ１）とを相互接続することと、
ステップｂｚ２：自己検証の操作プロセスを起動して、検証の結果が異常であれば、自己
検証が失敗したと判明し、一方、検証の結果が正常であると、ステップｂｚ３に進むこと
と、および
ステップｂｚ３：検査プロセスを起動し、スタンダードサンプルを検査することであって
、検査の結果が不合格であれば、自己検査が失敗したと判明し、一方、検査の結果が合格
であれば、自己検査が成功したと判明することと、を含み、
制御モジュール（ＫＺＭＫ）は、以下のメインプロセスを含み、すなわち
ステップｅ１：制御モジュール（ＫＺＭＫ）は自己検査ボタン（ＣＳ１）の状態を取得し
て、自己検査ボタン（ＣＳ１）が押されていない状態であれば、ステップｅ２に進み、一
方、自己検査ボタン（ＣＳ１）が押されている状態であれば、ステップｅ４に進むことと
、
ステップｅ２：制御モジュール（ＫＺＭＫ）は検査ボタン（ＣＳ２）のボタン状態を取得
して、検査ボタン（ＣＳ２）が押されている状態で、解放されていなければ、ステップｅ
３に進み、検査ボタン（ＣＳ２）が解放されている状態であれば、ステップｅ５に進むこ
とと、
ステップｅ３：検査プロセスを起動し、検査プロセスが終了すると、ステップｅ５に進む
ことと、
ステップｅ４：自己検査プロセスを起動し、自己検査プロセスが終了すると、ステップｅ
５に進むことと、および
ステップｅ５：ステップｅ１に進むこととを、含む。

提示モジュール（ＴＳＭＫ）をさらに含み、前記提示モジュール（ＴＳＭＫ）は表示装置
を含み、前記表示装置は赤色ＬＥＤライトと緑色ＬＥＤライトを含み、自己検査プロセス
では自己検査が失敗したら、赤色ＬＥＤライトを点灯し、一方、自己検査が成功したら、
緑色ＬＥＤライトを点灯する。

＜実施例２＞
実施例１のもとで、実施例２はさらに以下のように実施する。
図７に示されるように、抵抗検査回路は、マクロプロセッサＵ１、第１コンデンサＣ１１
、第２コンデンサＣ２１、結晶発振器ＣＲＹＳＴＡＬ、第３抵抗Ｒ３、第４抵抗Ｒ４、自
己検査ボタンＣＳ１、検査ボタンＣＳ２、および電源ＢＡＴ１、第１抵抗Ｒ１、第２抵抗
Ｒ２、赤色ＬＥＤライトＤ１１、緑色ＬＥＤライトＤ２１、第１サンプリングノードＣ１
、第２サンプリングノードＣ２、第１電源ノードＶ１、第２電源ノードＶ２、第１アクセ
スポイントＩＮ１および第２アクセスポイントＩＮ２を含む。
第１コンデンサＣ１１の第１端とグラウンドＧＮＤとが相互接続され、第１コンデンサＣ
１１の第２端とマクロプロセッサＵ１の第１３ピンとが相互接続されている。
第２コンデンサＣ２１の第１端とグラウンドＧＮＤとが相互接続され、第２コンデンサＣ
２１の第２端とマクロプロセッサＵ１の第１４ピンとが相互接続されている。
結晶発振器ＣＲＹＳＴＡＬの第１端と第１コンデンサＣ１１の第２端とが相互接続され、
結晶発振器ＣＲＹＳＴＡＬの第２端と第２コンデンサＣ１の第２端とが相互接続されてい
る。
第３抵抗Ｒ３の第１端と電源ノードＶＣＣとが相互接続され、第３抵抗Ｒ３の第２端とマ
クロプロセッサＵ１の第１９ピンとが相互接続されている。
第４抵抗Ｒ４の第１端と電源ノードＶＣＣとが相互接続され、第４抵抗Ｒ４の第２端とマ
クロプロセッサＵ１の第２０ピンとが相互接続されている。
電源ＢＡＴ１の第１端と電源ノードＶＣＣとが相互接続され、電源ＢＡＴ１の第２端とグ
ラウンドＧＮＤとが相互接続されている。
自己検査ボタンＣＳ１の第１端とマクロプロセッサＵ１の第１９ピンとが相互接続され、
自己検査ボタンＣＳ１の第２端とグラウンドＧＮＤとが相互接続されている。
検査ボタンＣＳ２の第１端とマクロプロセッサＵ１の第２０ピンとが相互接続され、検査
ボタンＣＳ２の第２端とグラウンドＧＮＤとが相互接続されている。
緑色ＬＥＤライトＤ２１の正極とノードＤＰ１とが相互接続され、緑色ＬＥＤライトＤ２
１の負極とグラウンドＧＮＤとが相互接続され、赤色ＬＥＤライトＤ１１の正極とノード
ＤＰ２とが相互接続され、赤色ＬＥＤライトＤ１１の負極とグラウンドＧＮＤとが相互接
続されている。
第１抵抗Ｒ１の第１端と第１サンプリングノードＣ１とが相互接続され、第１抵抗Ｒ１の
第２端と第２サンプリングノードＣ２とが相互接続され、第２抵抗Ｒ２の第１端と第２サ
ンプリングノードＣ２とが相互接続され、第２抵抗Ｒ２の第１端と第２電源ノードＶ２と
が相互接続され、第１抵抗Ｒ１の第１端と第１アクセスポイントＩＮ１とが相互接続され
、第１電源ノードＶ１と第２アクセスポイントＩＮ２とが相互接続されている。
第１アクセスポイントＩＮ１および第２アクセスポイントＩＮ２を介して被査抵抗ＲＶ１
やスタンダードサンプルへアクセスする。
マクロプロセッサＵ１は番型ＰＩＣ１６Ｆ８７７とする。本実施例のマクロプロセッサＵ
１のソースコードは、下記のとおりである。

#include <pic.h>
#include "main.h"
#include <xc.h>
#include <stdio.h>
#include <stdlib.h>
#include "config.h"

void GPIO_Init(void); //IO初期化
void AD_Init(void); //AD初期化
void Auto_SelfTest(void); //自己校正関数
void LED_Display(void); //ランプ表示関数
void Test_Mode(void); //テストモード
void AD_Convert1(unsigned char direction);//テストフローのADサンプル関数
void AD_Convert2(unsigned char direction);//自己キャリブレーションフローのADサン
プリング関数
void Calculate_Data(void); //誤差計算
unsigned int Voltage_X_Data = 1; //1%の誤差を表します
unsigned long Error_Percent = 10; //10%の誤差を表します
unsigned int T_Value = 0; // C 2の電圧値は100倍大きくなります
unsigned int L_Value = 0; // C 2の電圧値は100倍大きくなります
unsigned int H1_Value = 0; //H 1に対応して、データは100倍拡大します
unsigned int D1_Value = 0; //D 1に対応して、データは100倍拡大します
unsigned int D2_Value = 0; //D2 に対応して、データは100倍拡大します
unsigned int H2_Value = 0; //H2 に対応して、データは100倍拡大します
unsigned int X_Value = 0; //自己キャリブレーションフローの誤差値
unsigned int Y_Value = 0; //テストフローの誤差値
unsigned char Test_Result = 0; //テストモードの結論：1が合格を示し、0は不合
格を表します
unsigned char SelfTest_Flag = 0; //自己検査結果フラグ：1は正常を表し、0は正常で
はないことを示す

/***********************主函数******************/
int main(int argc, char** argv)
{
AD_Init(); //ADサンプリング初期化
GPIO_Init(); //IO口初期化
DP1 = 0; //青信号の初期化、消灯
DP2 = 0; //赤信号初期化、消灯
while(1)
{
if (Key_CS1 == 0) //キーCS 1を押して、セルフチェックを開始します

{
Auto_SelfTest(); //自己検証モード
if (SelfTest_Flag == 1) Test_Mode(); //チェックが正常で、テス
トモードに入ります
}
else
{
if (Key_CS2 == 0) //CS 2ボタンを押して、テスト開始
{
Test_Mode(); //テストモードに入り
ます
}
}
}
/*******************AD初始化函数****************/
void AD_Init(void)
{
TRISA = 0x03; //RA0 RA1 input mode
ADCON1 = 0x8D; //右揃え,ADCS2=0,1101
}
/*******************自己検証プロセス********************/
void Auto_SelfTest(void)
{
unsigned int X_Data_Per;
TRISA = 0x02;
RA0 = 1; //C 1出力ハイレベル
Set_V2 = 0; //V 2出力ローレベル
AD_Convert2(Left);
RA0 = 0; //C 1出力低レベル
Set_V2 = 1; //V 2出力ハイレベル
AD_Convert2(Right);
if (T_Value >= L_Value)
{
X_Value = T_Value - L_Value;
}
else
{
X_Value = L_Value - T_Value;
}
X_Data_Per = X_Value/5; // 電圧差/5V=誤差
if (X_Data_Per <= Voltage_X_Data)
{
SelfTest_Flag = 1; //自己検証が正常である
DP2 =0; //赤信号が消える
}
else
{
SelfTest_Flag = 0; //自己検証異常
DP2 =1; //赤信号が明るい
}
}
/*****************AD転化2流程*******************/
void AD_Convert2(unsigned char direction)
{
unsigned int AD_Value;
ADCON0 = 0x49; //ADCS1:ADCS0=01 fosc/8,AN1,,A/D On
GO = 1; //AD変換を開始
while(GO); //ADサンプリングカウント待ち
AD_Value = ADRESH; //ADデータ上位読み出す
AD_Value = AD_Value<<8|ADRESL; //サンプリングしたデータをAD_Valueに保存します。
if (direction == Left)
{
T_Value= ((unsigned long) AD_Value)*500/1023;
}
else
{
L_Value= ((unsigned long) AD_Value)*500/1023;
}
}
/**************AD転化1流程*****************/
void AD_Convert1(unsigned char direction)
{
unsigned int AD_Value;
ADCON0 = 0x41; //ADCS1:ADCS0=01 fosc/8,AN0,,A/D On
GO = 1; //AD変換を開始
while(GO); //ADサンプリングカウント待ち
AD_Value = ADRESH; //ADデータ上位読みだし
AD_Value = AD_Value<<8|ADRESL; //サンプリングしたデータをAD_Valueに保存します。
if (direction == Left)
{
H1_Value = ((unsigned long) AD_Value)*500/1023;
}
else
{
D2_Value= ((unsigned long) AD_Value)*500/1023;
}
ADCON0 = 0x49; //ADCS1:ADCS0=01 fosc/8,AN1,,A/D On
GO = 1; //AD変換を開始
while(GO); //ADサンプリングカウント待ち
AD_Value = ADRESH; //ADデータ上位読みだし
AD_Value = AD_Value<<8|ADRESL; //サンプリングしたデータをAD_Valueに保存します。
if (direction == Left)
{
D1_Value = ((unsigned long) AD_Value)*500/1023;
}
else
{
H2_Value = ((unsigned long) AD_Value)*500/1023;
}
}
/*******************テストの流れ********************/
void Test_Mode(void)
{
TRISA |= 0x03; //RA 0、RA 1はAD入力とする
Set_V1 = 1; //V1ハイレベル
Set_V2 = 0; //V2低レベル
AD_Convert1(Left);
Set_V1 = 0; //V1低レベル
Set_V2 = 1; //V2ハイレベル
AD_Convert1(Right);
Calculate_Data(); //誤差値の計算

LED_Display(); //ランプ表示関数
}
void LED_Display(void)
{
if (Test_Result == 1)
{
DP1 =1; //信号が青になる
DP2 =0; //赤信号が消える
}
else
{
DP1 =0; //青信号が消える
DP2 =1; //赤信号が明るい
}
}
/********************IO口初期化*****************/
void GPIO_Init(void)
{
TRISB = 0x00; //RC ポート出力
TRISD = 0xff; //RD ポート入力
}
/********************誤差計算*******************/
void Calculate_Data(void)
{
unsigned long Range; //誤差範囲
if (H2_Value >= H1_Value)
{
if (D2_Value >= D1_Value)
{
Y_Value = H2_Value - H1_Value + D2_Value - D1_Value;
}
else
{
Y_Value = H2_Value - H1_Value + D1_Value - D2_Value;
}
}
else
{
if (D2_Value >= D1_Value)
{
Y_Value = H1_Value - H2_Value + D2_Value - D1_Value;
}
else
{
Y_Value = H1_Value - H2_Value + D1_Value - D2_Value;
}
}
Range = ((1000-(100-Error_Percent)*10)*1000/(2000+(100-Error_Percent)*10));
if (Y_Value < Range)
{
Test_Result = 1; //合格
}
else
{
Test_Result = 0; //不合格
}
}

#ifndef XC_HEADER_TEMPLATE_H
#define XC_HEADER_TEMPLATE_H
#include <xc.h> // include processor files - each processor file is guarded.
#ifdef __cplusplus
extern "C" {
#endif /* __cplusplus */
#ifdef __cplusplus
}
#endif /* __cplusplus */
#endif /* XC_HEADER_TEMPLATE_H */
/*******************????***********************************/
#define Key_CS1 RD0 //CS1ボタン
#define Key_CS2 RD1 //CS2ボタン
/*******************????***********************************/
#define DP1 RB4 //DP1ランプ
#define DP2 RB5 //DP2ランプ
#define Set_V1 RB1//V1レベル設定脚
#define Set_V2 RB2//V2レベル設定脚
#define Left 1 //V 1高レベル、V 2低レベル
#define Right 0 //V 2ハイレベル、V1ローレベル


// CONFIG
#pragma config FOSC = HS // Oscillator Selection bits (HS oscillator)
#pragma config WDTE = OFF // Watchdog Timer Enable bit (WDT disabled)
#pragma config PWRTE = OFF // Power-up Timer Enable bit (PWRT disabled)
#pragma config CP = OFF // FLASH Program Memory Code Protection bits (Co
de protection off)
#pragma config BOREN = ON // Brown-out Reset Enable bit (BOR enabled)
#pragma config LVP = ON // Low Voltage In-Circuit Serial Programming Ena
ble bit (RB3/PGM pin has PGM function; low-voltage programming enabled)
#pragma config CPD = OFF // Data EE Memory Code Protection (Code Protecti
on off)
#pragma config WRT = ON // FLASH Program Memory Write Enable (Unprotecte
d program memory may be written to by EECON control)
#include <xc.h>ソースコードの終了。

以上述べたように、本発明のより良い具体的な実施形態のみであり、本発明の保護範囲は
これに限定されるものではない。本発明の技術分野に精通している技術者は、本発明が開
示した技術範囲内にあり、本発明の技術案及びその改善の構想に従って、同等に代替また
は変更される本発明の保護範囲内に含まれるべきであると理解すべきである。

Claims (10)

1. 抵抗検査方法であって、
   前記抵抗検査方法は、検査システムに基づいて実行する方法であり、
   前記検査システムは、制御モジュール（ＫＺＭＫ）および検測モジュール（ＪＣＭＫ）を
   含み、
   前記検測モジュール（ＪＣＭＫ）は、第１抵抗（Ｒ１）、第２抵抗（Ｒ２）および検査電
   源を含み、
   前記検測モジュール（ＪＣＭＫ）は、被査抵抗（ＲＶ１）の抵抗値が許容誤差の範囲内に
   あるか否かを検査し、
   前記被査抵抗（ＲＶ１）の第２端と第１抵抗（Ｒ１）の第１端とが相互接続され、前記第
   １抵抗（Ｒ１）の第２端と第２抵抗（Ｒ２）の第１端とが相互接続され、前記第１サンプ
   リングノード（Ｃ１）と被査抵抗（ＲＶ１）の第２端とが相互接続され、前記第２サンプ
   リングノード（Ｃ２）と第１抵抗（Ｒ１）の第２端とが相互接続され、前記第１電源ノー
   ド（Ｖ１）と被査抵抗（ＲＶ１）の第１端とが相互接続され、前記第２電源ノード（Ｖ２
   ）と第２抵抗（Ｒ２）の第２端とが相互接続されており、
   前記検測モジュール（ＪＣＭＫ）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており
   、
   前記制御モジュール（ＫＺＭＫ）は数学計算回路を有しており、
   前記制御モジュール（ＫＺＭＫ）は、以下の検査プロセスを含み、すなわち、
   ステップａ１：検査電源の正極と第１電源ノード（Ｖ１）とを相互接続させ、第２電源ノ
   ード（Ｖ２）と検査電源の負極とを相互接続させることと、
   ステップａ２：ＡＤサンプリングによって第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値をサ
   ンプリングするとともに、第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値を変数Ｈ１に記憶す
   ること、およびＡＤサンプリングによって第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値をサ
   ンプリングするとともに、第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を変数Ｄ１に記憶す
   ることと、
   ステップａ３：検査電源の負極と第１電源ノード（Ｖ１）とを相互接続させ、第２電源ノ
   ード（Ｖ２）と検査電源の正極とを相互接続させることと、
   ステップａ４：ＡＤサンプリングによって第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値をサ
   ンプリングするとともに、第１サンプリングノード（Ｃ１）の電圧値を変数Ｄ２に記憶す
   ること、およびＡＤサンプリングによって第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値をサ
   ンプリングするとともに、第２サンプリングノード（Ｃ２）の電圧値を変数Ｈ２に記憶す
   ることと、
   ステップａ５：制御モジュール（ＫＺＭＫ）の数学計算回路を呼び出し、下式
   Ｙ＝｜Ｈ２－Ｈ１｜＋｜Ｄ２－Ｄ１｜
   で計算を行うことと、および
   ステップａ６：制御モジュール（ＫＺＭＫ）を呼び出し、Ｙの値が許容の誤差閾値より小
   さいか否かを判断することであって、Ｙの値が許容の誤差閾値より小さければ、被査抵抗
   （ＲＶ１）が合格であると判定し、一方、Ｙの値が許容の誤差閾値より小さくなければ、
   被査抵抗（ＲＶ１）が不合格であると判定することと、を含む、
   ことを特徴とする前記抵抗検査方法。
2. 前記ステップａ６は、制御モジュール（ＫＺＭＫ）を呼び出し、Ｙの値を判断することで
   あって、Ｙの値が許容の誤差閾値と等しくまたはそれより小さい場合、被査抵抗（ＲＶ１
   ）が合格であると判定し、一方、Ｙの値が許容の誤差閾値より大きければ、被査抵抗（Ｒ
   Ｖ１）が不合格であると判定することを特徴とする請求項１に記載の抵抗検査方法。
3. 被査抵抗（ＲＶ１）は電位差計であり、電位差計に対して継続的に検査を実行するととも
   に、電位差計の抵抗値を所定の範囲内に調整することを特徴とする請求項１に記載の抵抗
   検査方法。
4. 被査抵抗（ＲＶ１）は厚膜抵抗であることを特徴とする請求項１に記載の抵抗検査方法。
5. 前記検査システムは、検査ボタン（ＣＳ２）をさらに含み、前記検査ボタン（ＣＳ２）と
   制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており、制御モジュール（ＫＺＭＫ）は、
   自己検査ボタン（ＣＳ１）のボタン状態を判断することが可能であり、検査ボタン（ＣＳ
   ２）が押されると、検査のプロセスが起動されることを特徴とする請求項１に記載の抵抗
   検査方法。
6. 前記検査システムは、提示モジュール（ＴＳＭＫ）をさらに含み、前記提示モジュール（
   ＴＳＭＫ）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており、提示モジュール（Ｔ
   ＳＭＫ）は表示装置を含み、提示モジュール（ＴＳＭＫ）はＹの値が誤差範囲内にあるか
   否かを表示することを特徴とする請求項１に記載の抵抗検査方法。
7. 前記検査システムは、提示モジュール（ＴＳＭＫ）をさらに含み、前記提示モジュール（
   ＴＳＭＫ）と制御モジュール（ＫＺＭＫ）とが電気接続されており、提示モジュール（Ｔ
   ＳＭＫ）は表示装置を含み、提示モジュール（ＴＳＭＫ）はＹの値を表示することを特徴
   とする請求項１に記載の抵抗検査方法。
8. 前記制御モジュール（ＫＺＭＫ）はマクロプロセッサを含み、マクロプロセッサの番型は
   ＰＩＣ１６Ｆ８７７とすることを特徴とする請求項１に記載の抵抗検査方法。
9. 前記検査電源は、マクロプロセッサのＩＯピンによって実現されることを特徴とする請求
   項１に記載の抵抗検査方法。
10. 前記ＡＤサンプリングは、マクロプロセッサのＩＯピンによって実現されることを特徴と
    する請求項１に記載の抵抗検査方法。

Images