JP2022021508A - Solder film, component for optical device, and optical device - Google Patents

Solder film, component for optical device, and optical device Download PDF

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宏和 田中
Hirokazu Tanaka
義正 山口
Yoshimasa Yamaguchi
浩輝 藤田
Hiroki Fujita
直樹 豊福
Naoki Toyofuku
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Abstract

To provide a solder film having an excellent surface smoothness and capable of effectively enhancing a bonding force.SOLUTION: A solder film 1 used for fixing a component 10 in an optical device includes an Au-Sn alloy film which is a single layer film composed of an alloy of Au and Sn. The Au-Sn alloy film preferably has no concentration gradient of Au and Sn in a thickness direction, and the Au-Sn alloy film is preferably a sputtered film deposited using a target composed of Au and Sn alloy. Furthermore, when a total mass of Au is MA and a total mass of Sn is MS in the Au-Sn alloy film, a ratio of a mass of Au to a total mass of Au and Sn, MA/(MA+MS), is preferably 0.60 or more and 0.85 or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、はんだ膜、並びに該はんだ膜を用いた光学デバイス用部品及び光学デバイスに関する。 The present invention relates to a solder film, and an optical device component and an optical device using the solder film.

近年、ディスプレイや、プロジェクタ、あるいは自動車のヘッドランプ等の用途においては、LD(Laser Diode)や、LED(Light Emitting Diode)などの光学素子が搭載された光学デバイスが用いられている。光学デバイスにおいて、光学素子などの部品は、はんだ膜を用いて実装基板に固定されている。はんだ膜としては、例えば、Au及びSnを含むはんだ膜が知られている。 In recent years, optical devices equipped with optical elements such as LDs (Laser Diodes) and LEDs (Light Emitting Diodes) have been used in applications such as displays, projectors, and automobile headlamps. In an optical device, components such as optical elements are fixed to a mounting substrate using a solder film. As the solder film, for example, a solder film containing Au and Sn is known.

例えば、下記の特許文献1には、Au層及びSn層を交互に積層したAuSn多層ハンダを用いて、光半導体素子を実装基板上にボンディングする方法が開示されている。特許文献1のAuSn多層ハンダでは、合計で7層のAu層及びSn層が積層されている。 For example, Patent Document 1 below discloses a method of bonding an optical semiconductor element onto a mounting substrate by using AuSn multilayer solder in which Au layers and Sn layers are alternately laminated. In the AuSn multilayer solder of Patent Document 1, a total of 7 Au layers and Sn layers are laminated.

また、下記の特許文献2には、Au及びSnを含むはんだ膜を形成する方法として、合金化したAuSnからなる蒸着源を第1の温度で加熱しSnを選択的に蒸発させてSnリッチな第1の層を形成した後に、蒸着源を第1の温度よりも高い第2の温度でさらに加熱しAuリッチな第2の層を形成する方法が開示されている。 Further, in Patent Document 2 below, as a method of forming a solder film containing Au and Sn, a vapor deposition source made of alloyed AuSn is heated at a first temperature to selectively evaporate Sn to be Sn-rich. Disclosed is a method of forming an Au-rich second layer by further heating the vapor deposition source at a second temperature higher than the first temperature after forming the first layer.

特開平10-006073号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-006073 特開2008-263130号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-263130

光学デバイスにおいては、光学素子に加えて、光学素子を搭載するためのサブマウントや、プリズムなどの部品なども搭載されることがあり、これらの接合においてもはんだ膜が用いられることが多い。しかしながら、特許文献1や特許文献2のようなはんだ膜は、表面の平坦性が十分でなく、上記のような部品をパッケージなどに実装するに際し、十分に接合力(接合強度)を高められない場合がある。 In an optical device, in addition to an optical element, a submount for mounting the optical element, a component such as a prism, and the like may be mounted, and a solder film is often used for joining these. However, the surface of the solder film as in Patent Document 1 and Patent Document 2 is not sufficiently flat, and the bonding force (bonding strength) cannot be sufficiently increased when the above-mentioned parts are mounted on a package or the like. In some cases.

本発明の目的は、表面の平坦性に優れ、接合力を効果的に高めることができる、はんだ膜、並びに該はんだ膜を用いた光学デバイス用部品及び光学デバイスを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a solder film which is excellent in surface flatness and can effectively enhance a bonding force, and an optical device component and an optical device using the solder film.

本発明に係るはんだ膜は、光学デバイスにおける部品の固定に用いられるはんだ膜であって、Au及びSnの合金からなる単層膜である、Au-Sn合金膜を備えることを特徴とする。 The solder film according to the present invention is a solder film used for fixing a component in an optical device, and is characterized by including an Au—Sn alloy film, which is a single layer film made of an alloy of Au and Sn.

本発明においては、前記Au-Sn合金膜が、厚み方向において、Au及びSnの濃度勾配を有さないことが好ましい。 In the present invention, it is preferable that the Au—Sn alloy film does not have a concentration gradient of Au and Sn in the thickness direction.

本発明においては、前記Au-Sn合金膜が、Au及びSnの合金からなるターゲットを用いて成膜されたスパッタ膜であることが好ましい。 In the present invention, it is preferable that the Au—Sn alloy film is a sputter film formed by using a target made of an alloy of Au and Sn.

本発明においては、前記Au-Sn合金膜において、厚み方向に結晶が配向していることが好ましい。 In the present invention, it is preferable that the crystals are oriented in the thickness direction in the Au—Sn alloy film.

本発明においては、前記Au-Sn合金膜におけるAuの質量の合計をMとし、Snの質量の合計をMとしたときに、Au及びSnの質量の合計に対するAuの質量の比M/(M+M)が、0.60以上、0.85以下であることが好ましい。 In the present invention, when the total mass of Au in the Au Sn alloy film is MA and the total mass of Sn is MS, the ratio of the mass of Au to the total mass of Au and Sn is MA . / ( MA + MS) is preferably 0.60 or more and 0.85 or less.

本発明においては、前記部品と前記Au-Sn合金膜との間に設けられる密着膜をさらに備えることが好ましい。前記密着膜は、前記部品側に設けられており、Cr、Ti、及びNiからなる群から選択される少なくとも1種を含む、第1の層と、前記第1の層上に設けられており、Ni、Pt、Pd、及びNi-Cr合金からなる群から選択される少なくとも1種を含む、第2の層と、前記第2の層上に設けられており、PtもしくはAuを含む、第3の層と、を有することがより好ましい。 In the present invention, it is preferable to further provide an adhesive film provided between the component and the Au—Sn alloy film. The adhesive film is provided on the component side, and is provided on a first layer and the first layer, which comprises at least one selected from the group consisting of Cr, Ti, and Ni. A second layer comprising, at least one selected from the group consisting of Ni, Pt, Pd, and Ni—Cr alloys, and a second layer provided on the second layer comprising Pt or Au. It is more preferable to have three layers.

本発明においては、前記Au-Sn合金膜における前記部品側とは反対側の主面上に設けられている、Au膜をさらに備え、前記Au膜が最外層であることが好ましい。 In the present invention, it is preferable that the Au—Sn alloy film is further provided with an Au film provided on the main surface opposite to the component side, and the Au film is the outermost layer.

本発明においては、前記はんだ膜における表面の算術平均粗さRaが、0.05μm以下であることが好ましい。 In the present invention, it is preferable that the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the solder film is 0.05 μm or less.

本発明においては、前記はんだ膜における表面の最大高さRzが、0.25μm以下であることが好ましい。 In the present invention, the maximum height Rz of the surface of the solder film is preferably 0.25 μm or less.

本発明においては、前記はんだ膜全体の厚みが、1μm以上、15μm以下であることが好ましい。 In the present invention, the thickness of the entire solder film is preferably 1 μm or more and 15 μm or less.

本発明に係る光学デバイス用部品は、主面を有する部品本体と、前記部品本体の前記主面上に設けられている、本発明に従って構成されるはんだ膜と、を備えることを特徴とする。 The component for an optical device according to the present invention is characterized by comprising a component body having a main surface and a solder film provided on the main surface of the component body and configured according to the present invention.

本発明においては、前記光学デバイス用部品が、プリズム、光学素子、前記光学素子を搭載するためのサブマウント、及び前記光学素子を搭載するためのパッケージ用部材からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。 In the present invention, the component for an optical device is at least one selected from the group consisting of a prism, an optical element, a submount for mounting the optical element, and a package member for mounting the optical element. Is preferable.

本発明に係る光学デバイスは、プリズムと、前記プリズムに光を出射する又は前記プリズムからの光を受光する光学素子と、前記プリズム及び前記光学素子が搭載されている、パッケージと、前記光学素子及び前記パッケージの間に設けられている、サブマウントと、を備え、本発明に従って構成されるはんだ膜によって、前記プリズム及び前記パッケージが接合され、前記光学素子及び前記サブマウントが接合され、前記サブマウント及び前記パッケージが接合され、又は前記パッケージを構成する部材同士が接合されていることを特徴とする。 The optical device according to the present invention includes a prism, an optical element that emits light to the prism or receives light from the prism, a package on which the prism and the optical element are mounted, the optical element, and the optical element. The prism and the package are joined, the optical element and the submount are joined, and the submount is provided by a solder film provided between the packages, which comprises a submount and is configured according to the present invention. The package is joined to each other, or the members constituting the package are joined to each other.

本発明によれば、表面の平坦性に優れ、接合力を効果的に高めることができる、はんだ膜、並びに該はんだ膜を用いた光学デバイス用部品及び光学デバイスを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a solder film which is excellent in surface flatness and can effectively enhance a bonding force, and an optical device component and an optical device using the solder film.

本発明の第1の実施形態に係るはんだ膜及び光学デバイス用部品を示す模式的断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the solder film and the component for an optical device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係るはんだ膜が設けられている部分を拡大して示す模式的断面図である。It is a schematic sectional drawing which enlarges and shows the part where the solder film which concerns on 1st Embodiment of this invention is provided. 本発明の第2の実施形態に係るはんだ膜が設けられている部分を拡大して示す模式的断面図である。It is a schematic sectional drawing which enlarges and shows the part where the solder film which concerns on 2nd Embodiment of this invention is provided. 本発明の一実施形態に係る光学デバイスを示す模式的断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the optical device which concerns on one Embodiment of this invention. 実施例及び比較例で作製した膜付き基板を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the substrate with a film produced in an Example and a comparative example. 実施例1で得られたはんだ膜の断面を示すSEM写真である。It is an SEM photograph which shows the cross section of the solder film obtained in Example 1. FIG.

以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。 Hereinafter, preferred embodiments will be described. However, the following embodiments are merely examples, and the present invention is not limited to the following embodiments. Further, in each drawing, members having substantially the same function may be referred to by the same reference numeral.

[はんだ膜及び光学デバイス用部品]
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るはんだ膜及び光学デバイス用部品を示す模式的断面図である。図2は、本発明の第1の実施形態に係るはんだ膜が設けられている部分を拡大して示す模式的断面図である。
[Solder film and parts for optical devices]
(First Embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a solder film and a component for an optical device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an enlarged portion of a portion provided with the solder film according to the first embodiment of the present invention.

プリズム10は、光学デバイスに用いられる光学デバイス用部品である。プリズム10は、プリズム本体11と、はんだ膜1と、反射膜12とを備える。 The prism 10 is an optical device component used in an optical device. The prism 10 includes a prism body 11, a solder film 1, and a reflective film 12.

プリズム本体11は、略台形の断面形状を有する。プリズム本体11は、底面11aと、底面11aに接続されている斜面11bと、底面11aに対向し、かつ斜面11bに接続されている上面11cとを有する。なお、プリズム本体11の断面形状は、特に限定されず、略三角形等であってもよい。また、本実施形態において、プリズム本体11は、適宜のガラス材料からなる。 The prism body 11 has a substantially trapezoidal cross-sectional shape. The prism main body 11 has a bottom surface 11a, a slope 11b connected to the bottom surface 11a, and an upper surface 11c facing the bottom surface 11a and connected to the slope 11b. The cross-sectional shape of the prism body 11 is not particularly limited and may be a substantially triangular shape or the like. Further, in the present embodiment, the prism main body 11 is made of an appropriate glass material.

プリズム本体11の斜面11b上には、反射膜12が設けられている。反射膜12は、例えば、高屈折率膜及び低屈折率膜が交互に積層された誘電体多層膜からなる。高屈折率膜の材料としては、例えば、TiO、Ta、ZrO、又はHfOが挙げられる。低屈折率膜の材料としては、例えば、SiO又はMgFが挙げられる。なお、反射膜12は、単層の金属膜であってもよく、特に限定されない。また、反射膜12は、プリズム本体11の斜面11bの少なくとも一部に設けられていればよく、例えば、斜面11bの全面に設けられていてもよい。斜面11bに反射膜12が設けられることにより、光源から出射された光を好適に反射させることができる。もっとも、反射膜12は、設けられていなくてもよい。反射膜12は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法等により、各層を積層することによって形成することができる。 A reflective film 12 is provided on the slope 11b of the prism body 11. The reflective film 12 is composed of, for example, a dielectric multilayer film in which high refractive index films and low refractive index films are alternately laminated. Examples of the material of the high refractive index film include TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , or HfO 2 . Examples of the material of the low refractive index film include SiO 2 or MgF 2 . The reflective film 12 may be a single-layer metal film and is not particularly limited. Further, the reflective film 12 may be provided on at least a part of the slope 11b of the prism main body 11, and may be provided on the entire surface of the slope 11b, for example. By providing the reflective film 12 on the slope 11b, the light emitted from the light source can be suitably reflected. However, the reflective film 12 may not be provided. The reflective film 12 can be formed by laminating each layer by, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or the like.

また、プリズム本体11の底面11a上には、はんだ膜1が設けられている。光学デバイス用部品であるプリズム10は、はんだ膜1により、パッケージや実装基板などに固定される。なお、はんだ膜1は、プリズム本体11の底面11a全体に設けられていることが好ましいが、プリズム本体11の底面11aの少なくとも一部に設けられていればよい。また、はんだ膜1は、プリズム本体11の側面に回り込んでいてもよい。その場合、はんだ膜1による接合力をより一層高めることができる。 Further, a solder film 1 is provided on the bottom surface 11a of the prism main body 11. The prism 10, which is a component for an optical device, is fixed to a package, a mounting substrate, or the like by a solder film 1. The solder film 1 is preferably provided on the entire bottom surface 11a of the prism body 11, but may be provided on at least a part of the bottom surface 11a of the prism body 11. Further, the solder film 1 may wrap around the side surface of the prism main body 11. In that case, the bonding force of the solder film 1 can be further increased.

図2に示すように、はんだ膜1は、Au-Sn合金膜2により構成されている。Au-Sn合金膜2は、Au及びSnの合金からなる単層膜である。 As shown in FIG. 2, the solder film 1 is composed of an Au—Sn alloy film 2. The Au—Sn alloy film 2 is a single-layer film made of an alloy of Au and Sn.

Au-Sn合金膜2は、対向している第1の主面2a及び第2の主面2bを有する。第1の主面2aは、プリズム本体11側の主面である。第2の主面2bは、プリズム本体11とは反対側の外側の主面である。なお、第1の主面2a及び第2の主面2bを結ぶ方向は、はんだ膜1の厚み方向とされている。本実施形態では、Au-Sn合金膜2の第1の主面2aが、プリズム本体11に接している。 The Au—Sn alloy film 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b facing each other. The first main surface 2a is the main surface on the prism body 11 side. The second main surface 2b is an outer main surface opposite to the prism body 11. The direction connecting the first main surface 2a and the second main surface 2b is the thickness direction of the solder film 1. In the present embodiment, the first main surface 2a of the Au—Sn alloy film 2 is in contact with the prism body 11.

本実施形態のはんだ膜1は、Au及びSnの合金からなる単層膜である、Au-Sn合金膜2を備えるので、表面の平坦性に優れる。また、光学デバイス用部品であるプリズム10をパッケージ等へ実装するに際し、接合力を効果的に高めることができる。この点については、以下のように説明することができる。 Since the solder film 1 of the present embodiment includes the Au—Sn alloy film 2, which is a single-layer film made of an alloy of Au and Sn, the surface is excellent in flatness. Further, when the prism 10 which is a component for an optical device is mounted on a package or the like, the bonding force can be effectively increased. This point can be explained as follows.

従来、Au層及びSn層が交互に積層されてなるはんだ膜では、Sn層が熱エネルギーを受けて結晶成長したり、あるいは酸化の影響を受けて膜表面の荒れが生じたりすることがあった。 Conventionally, in a solder film in which Au layers and Sn layers are alternately laminated, the Sn layer may receive thermal energy to grow crystals, or the film surface may be roughened due to the influence of oxidation. ..

これに対して、本実施形態のはんだ膜1は、Au及びSnの合金からなる単層膜である、Au-Sn合金膜2により構成されているので、Snが単独で結晶成長し難く、熱エネルギーによる結晶成長や酸化の影響を小さくすることができ、その結果、膜表面1aをより平坦にすることができる。よって、はんだ膜1では、光学デバイス用部品であるプリズム10をパッケージ等に実装するに際し、接合力を高めることができる。 On the other hand, since the solder film 1 of the present embodiment is composed of the Au—Sn alloy film 2 which is a single-layer film made of an alloy of Au and Sn, it is difficult for Sn to grow independently and heat. The influence of crystal growth and oxidation due to energy can be reduced, and as a result, the film surface 1a can be made flatter. Therefore, in the solder film 1, the bonding force can be increased when the prism 10, which is a component for an optical device, is mounted on a package or the like.

本実施形態において、Au-Sn合金膜2は、Au及びSnを95質量%以上含む合金層であることが好ましい。なお、AuやSnの精製の度合いにより、Fe、Cr、Ni等の不純物が合金層に混入することがある。この場合においては、Au及びSnの含有量が95質量%以上であれば、本発明の効果を損なわないことが確認されている。 In the present embodiment, the Au—Sn alloy film 2 is preferably an alloy layer containing 95% by mass or more of Au and Sn. Depending on the degree of purification of Au and Sn, impurities such as Fe, Cr, and Ni may be mixed in the alloy layer. In this case, it has been confirmed that if the contents of Au and Sn are 95% by mass or more, the effect of the present invention is not impaired.

また、Au-Sn合金膜2は、厚み方向において、Au及びSnの濃度勾配を有さないことが好ましい。この場合、融点の変動が生じ難いので、特定の温度以下で管理することにより、はんだ膜1を流動し難くすることができる。また、光学デバイスの製造時に、一定の製造条件下で安定して製造することができるので、歩留まりを向上させることができ、生産性を高めることができる。加えて、はんだ膜1による接合力をより一層効果的に高めることができる。 Further, it is preferable that the Au—Sn alloy film 2 does not have a concentration gradient of Au and Sn in the thickness direction. In this case, since the melting point is unlikely to fluctuate, the solder film 1 can be made difficult to flow by controlling the temperature below a specific temperature. Further, when the optical device is manufactured, it can be stably manufactured under certain manufacturing conditions, so that the yield can be improved and the productivity can be improved. In addition, the bonding force of the solder film 1 can be further effectively increased.

なお、本明細書において、Au-Sn合金膜2がAuの濃度勾配を有さないとは、Au-Sn合金膜2のうち第1の主面2a側のAuの濃度(金属全体に対する質量割合)と、第2の主面2b側のAuの濃度(金属全体に対する質量割合)との差の絶対値が、5%以下である場合をいうものとする。もっとも、Au-Sn合金膜2のうち第1の主面2a側のAuの濃度(金属全体に対する質量割合)と、第2の主面2b側のAuの濃度(金属全体に対する質量割合)との差の絶対値は、好ましくは3%以下であり、より好ましくは1%以下である。 In the present specification, the fact that the Au—Sn alloy film 2 does not have an Au concentration gradient means that the concentration of Au on the first main surface 2a side of the Au—Sn alloy film 2 (mass ratio with respect to the entire metal). ) And the absolute value of the difference between the concentration of Au on the second main surface 2b side (mass ratio to the entire metal) is 5% or less. However, in the Au—Sn alloy film 2, the concentration of Au on the first main surface 2a side (mass ratio to the entire metal) and the concentration of Au on the second main surface 2b side (mass ratio to the entire metal) The absolute value of the difference is preferably 3% or less, more preferably 1% or less.

また、Au-Sn合金膜2がSnの濃度勾配を有さないとは、Au-Sn合金膜2のうち第1の主面2a側のSnの濃度(金属全体に対する質量割合)と、第2の主面2b側のSnの濃度(金属全体に対する質量割合)との差の絶対値が、5%以下である場合をいうものとする。もっとも、Au-Sn合金膜2のうち第1の主面2a側のSnの濃度(金属全体に対する質量割合)と、第2の主面2b側のSnの濃度(金属全体に対する質量割合)との差の絶対値は、好ましくは3%以下であり、より好ましくは1%以下である。 Further, the fact that the Au—Sn alloy film 2 does not have a Sn concentration gradient means that the concentration of Sn on the first main surface 2a side of the Au—Sn alloy film 2 (mass ratio to the entire metal) and the second. It is assumed that the absolute value of the difference from the concentration of Sn on the main surface 2b side (mass ratio to the whole metal) is 5% or less. However, in the Au—Sn alloy film 2, the concentration of Sn on the first main surface 2a side (mass ratio to the entire metal) and the concentration of Sn on the second main surface 2b side (mass ratio to the entire metal) The absolute value of the difference is preferably 3% or less, more preferably 1% or less.

また、本明細書において、Au-Sn合金膜2の第1の主面2a側におけるAu又はSnの濃度とは、Au-Sn合金膜2のうち第1の主面2aから10%の厚み部分のAu又はSnの濃度をいうものとする。また、Au-Sn合金膜2の第2の主面2b側におけるAu又はSnの濃度とは、Au-Sn合金膜2のうち第2の主面2bから10%の厚み部分のAu又はSnの濃度をいうものとする。また、Au-Sn合金膜2の各主面側におけるAu又はSnの濃度は、例えば、SEM-EDXにより測定することができる。 Further, in the present specification, the concentration of Au or Sn on the first main surface 2a side of the Au—Sn alloy film 2 is a thickness portion of the Au—Sn alloy film 2 that is 10% from the first main surface 2a. Au or Sn concentration. Further, the concentration of Au or Sn on the second main surface 2b side of the Au—Sn alloy film 2 is the concentration of Au or Sn in the portion of the Au—Sn alloy film 2 having a thickness of 10% from the second main surface 2b. It shall refer to the concentration. Further, the concentration of Au or Sn on each main surface side of the Au—Sn alloy film 2 can be measured by, for example, SEM-EDX.

本実施形態では、Au-Sn合金膜2におけるAuの質量の合計をMとし、Snの質量の合計をMとしたときに、Au及びSnの質量の合計に対するAuの質量の比M/(M+M)が、好ましくは0.60以上、より好ましくは0.70以上、好ましくは0.85以下、より好ましくは0.82以下である。この場合には、Au及びSnの融点(共晶温度)を極小値である280℃により近づけることができ、パッケージ等への実装に際し、より低温で接合することができる。 In the present embodiment, when the total mass of Au in the Au Sn alloy film 2 is MA and the total mass of Sn is MS, the ratio of the mass of Au to the total mass of Au and Sn is MA . / ( MA + MS) is preferably 0.60 or more, more preferably 0.70 or more, preferably 0.85 or less, and more preferably 0.82 or less. In this case, the melting points (eutectic temperature) of Au and Sn can be brought closer to the minimum value of 280 ° C., and the bonding can be performed at a lower temperature when mounted on a package or the like.

本実施形態では、Au-Sn合金膜2において、厚み方向に結晶が配向していることが好ましい。この場合、パッケージ等への実装に際し、より短時間で確実に接合することができる。なお、Au-Sn合金膜2においては、厚み方向以外の方向に結晶が配向していてもよい。なお、本発明でいう結晶とは、重量比でAu9Sn1の成分比とAu6Sn4の成分比で形成される結晶をいう。結晶が配向したAu-Sn合金膜2を得るには、スパッタリングの成膜条件を調整すればよく、例えば、基板とターゲット間の電力量を大きくしたり、成膜圧力を低くすればよい。 In the present embodiment, it is preferable that the crystals are oriented in the thickness direction in the Au—Sn alloy film 2. In this case, when mounting on a package or the like, it is possible to reliably join in a shorter time. In the Au—Sn alloy film 2, the crystals may be oriented in a direction other than the thickness direction. The crystal referred to in the present invention means a crystal formed by the component ratio of Au9Sn1 and the component ratio of Au6Sn4 in terms of weight ratio. In order to obtain the Au—Sn alloy film 2 in which the crystals are oriented, the film forming conditions of sputtering may be adjusted, for example, the electric energy between the substrate and the target may be increased, or the film forming pressure may be lowered.

本実施形態において、Au-Sn合金膜2の厚みは、好ましくは1μm以上、より好ましくは3μm以上、好ましくは10μm以下、より好ましくは6μm以下である。Au-Sn合金膜2の厚みが上記下限値以上である場合、パッケージ等への実装に際し、はんだ膜1による接合力をより一層高めることができる。Au-Sn合金膜2の厚みが上記上限値以下である場合、膜応力による反りをより一層抑制することができる。また、パッケージ等への実装に際し、より短時間で確実に接合することができる。 In the present embodiment, the thickness of the Au—Sn alloy film 2 is preferably 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, preferably 10 μm or less, and more preferably 6 μm or less. When the thickness of the Au—Sn alloy film 2 is equal to or greater than the above lower limit value, the bonding force of the solder film 1 can be further increased when mounted on a package or the like. When the thickness of the Au—Sn alloy film 2 is not more than the above upper limit value, warpage due to film stress can be further suppressed. In addition, when it is mounted on a package or the like, it can be reliably joined in a shorter time.

本実施形態において、はんだ膜1の全体の厚みは、特に限定されないが、好ましくは1μm以上、より好ましくは2μm以上、さらに好ましくは4μm以上、好ましくは15μm以下、より好ましくは7μm以下である。はんだ膜1の全体の厚みが上記下限値以上である場合、パッケージ等への実装に際し、はんだ膜1による接合力をより一層高めることができる。他方、はんだ膜1の全体の厚みが上記上限値以下である場合、膜応力による反りをより一層抑制することができる。また、実装に際し、より短時間で確実に接合することができる。さらに、この場合、プリズム本体11の高さ方向の位置ずれが小さくなるため、光学デバイス用部品であるプリズム10の位置精度もより一層効果的に高めることができる。 In the present embodiment, the overall thickness of the solder film 1 is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more, more preferably 2 μm or more, still more preferably 4 μm or more, preferably 15 μm or less, and more preferably 7 μm or less. When the total thickness of the solder film 1 is at least the above lower limit value, the bonding force of the solder film 1 can be further increased when mounted on a package or the like. On the other hand, when the total thickness of the solder film 1 is not more than the above upper limit value, warpage due to film stress can be further suppressed. In addition, when mounting, it is possible to reliably join in a shorter time. Further, in this case, since the positional deviation of the prism body 11 in the height direction becomes small, the positional accuracy of the prism 10 which is a component for an optical device can be further effectively improved.

本実施形態において、はんだ膜1の膜表面1aにおける算術平均粗さRaは、好ましくは0.05μm以下、より好ましくは0.03μm以下である。はんだ膜1の膜表面1aにおける算術平均粗さRaが、上記上限値以下である場合、はんだ膜1とパッケージ等の密着性をより一層高めることができ、はんだ膜1による接合力をより一層高めることができる。なお、はんだ膜1の膜表面1aにおける算術平均粗さRaの下限値は、特に限定されないが、例えば、0.01μmとすることができる。また、算術平均粗さRaは、JIS B 0601:2013に準拠して測定することができる。 In the present embodiment, the arithmetic mean roughness Ra on the film surface 1a of the solder film 1 is preferably 0.05 μm or less, more preferably 0.03 μm or less. When the arithmetic mean roughness Ra on the film surface 1a of the solder film 1 is not more than the above upper limit value, the adhesion between the solder film 1 and the package or the like can be further enhanced, and the bonding force by the solder film 1 is further enhanced. be able to. The lower limit of the arithmetic mean roughness Ra on the film surface 1a of the solder film 1 is not particularly limited, but may be, for example, 0.01 μm. Further, the arithmetic mean roughness Ra can be measured according to JIS B 0601: 2013.

本実施形態において、はんだ膜1の膜表面1aにおける最大高さRzは、好ましくは0.25μm以下、より好ましくは0.15μm以下である。はんだ膜1の膜表面1aにおける最大高さRzが、上記上限値以下である場合、はんだ膜1とパッケージ等の密着性をより一層高めることができ、はんだ膜1による接合力をより一層高めることができる。なお、はんだ膜1の膜表面1aにおける最大高さRzの下限値は、特に限定されないが、例えば、0.01μmとすることができる。また、最大高さRzは、JIS B 0601:2013に準拠して測定することができる。 In the present embodiment, the maximum height Rz of the solder film 1 on the film surface 1a is preferably 0.25 μm or less, more preferably 0.15 μm or less. When the maximum height Rz of the solder film 1 on the film surface 1a is equal to or less than the above upper limit value, the adhesion between the solder film 1 and the package or the like can be further enhanced, and the bonding force of the solder film 1 can be further enhanced. Can be done. The lower limit of the maximum height Rz of the solder film 1 on the film surface 1a is not particularly limited, but may be, for example, 0.01 μm. Further, the maximum height Rz can be measured according to JIS B 0601: 2013.

はんだ膜1を構成するAu-Sn合金膜2は、例えば、Au-Snの合金からなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、成膜することで作製することができる。 The Au—Sn alloy film 2 constituting the solder film 1 can be produced, for example, by forming a film by a sputtering method using a target made of an Au—Sn alloy.

スパッタリングに際し、キャリアガスとしては、例えば、アルゴンガスなどの不活性ガスを用いることができる。また、成膜温度は、例えば、30℃以上、250℃以下とすることができる。また、基板とターゲット間の電力量は、例えば、500W以上、1500W以下とすることができ、成膜圧力は、例えば、0.1Pa以上、3.0Pa以下とすることができる。 For sputtering, an inert gas such as argon gas can be used as the carrier gas. Further, the film formation temperature can be, for example, 30 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. Further, the amount of electric power between the substrate and the target can be, for example, 500 W or more and 1500 W or less, and the film forming pressure can be, for example, 0.1 Pa or more and 3.0 Pa or less.

スパッタリング法では、Au-Snの合金からなるターゲットの質量比を維持したまま成膜することができるので、Au及びSnの濃度勾配を有さないAu-Sn合金膜2を成膜することができる。また、上記の製造条件で製造すれば、厚み方向に結晶が配向したAu-Sn合金膜2を成膜することができる。 In the sputtering method, since the film can be formed while maintaining the mass ratio of the target made of the Au—Sn alloy, the Au—Sn alloy film 2 having no concentration gradient of Au and Sn can be formed. .. Further, if it is manufactured under the above-mentioned manufacturing conditions, it is possible to form an Au—Sn alloy film 2 in which crystals are oriented in the thickness direction.

(第2の実施形態)
図3は、本発明の第2の実施形態に係るはんだ膜が設けられている部分を拡大して示す模式的断面図である。
(Second embodiment)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an enlarged portion of a portion provided with the solder film according to the second embodiment of the present invention.

図3に示すように、はんだ膜21は、さらに密着膜23を有する。密着膜23は、プリズム本体11とAu-Sn合金膜2との間に設けられている。従って、はんだ膜21では、密着膜23の上にAu-Sn合金膜2が積層されている。密着膜23を設けることにより、プリズム本体11との密着性を高めることができる。 As shown in FIG. 3, the solder film 21 further has an adhesion film 23. The adhesive film 23 is provided between the prism main body 11 and the Au—Sn alloy film 2. Therefore, in the solder film 21, the Au—Sn alloy film 2 is laminated on the adhesion film 23. By providing the adhesion film 23, the adhesion with the prism main body 11 can be improved.

密着膜23は、第1の層23a、第2の層23b、及び第3の層23cを有する。第1の層23aは、プリズム本体11側の層である。この第1の層23a上に、第2の層23bが積層されている。第2の層23b上に、第3の層23cが積層されている。なお、第3の層23cは、Au-Sn合金膜2側の層である。 The adhesive film 23 has a first layer 23a, a second layer 23b, and a third layer 23c. The first layer 23a is a layer on the prism body 11 side. A second layer 23b is laminated on the first layer 23a. A third layer 23c is laminated on the second layer 23b. The third layer 23c is a layer on the Au—Sn alloy film 2 side.

第1の層23aを構成する材料としては、例えば、Ni、Cr、Ti、W、TiW、Mo、又はNi-Cr合金等を用いることができる。なかでも、Cr、Ti、又はNiであることが好ましい。これらの材料は、1種を単独で用いてもよく、複数種を併用してもよい。なお、第1の層23aを構成する材料には、上記例示した材料が95%以上含まれていることが望ましい。もっとも、第1の層23aは、本発明の効果を阻害しない範囲において、不純物や添加物を含んでいてもよい。 As the material constituting the first layer 23a, for example, Ni, Cr, Ti, W, TiW, Mo, Ni—Cr alloy or the like can be used. Of these, Cr, Ti, or Ni is preferable. These materials may be used alone or in combination of two or more. It is desirable that the material constituting the first layer 23a contains 95% or more of the above-exemplified material. However, the first layer 23a may contain impurities and additives as long as the effects of the present invention are not impaired.

第1の層23aの厚みは、特に限定されないが、例えば、0.05μm以上、1.0μm以下とすることができる。第1の層23aは、めっき、蒸着、スパッタリング等の適宜の方法により形成することができる。 The thickness of the first layer 23a is not particularly limited, but can be, for example, 0.05 μm or more and 1.0 μm or less. The first layer 23a can be formed by an appropriate method such as plating, vapor deposition, or sputtering.

第2の層23bを構成する材料としては、例えば、Ni、Pt、Pd、Ni-Cr合金等を用いることができる。なかでも、Ni、Pt、Pd、又はNi-Cr合金であることが好ましい。これらの材料は、1種を単独で用いてもよく、複数種を併用してもよい。なお、第2の層23bを構成する材料には、上記例示した材料が95%以上含まれていることが望ましい。もっとも、第2の層23bは、本発明の効果を阻害しない範囲において、不純物や添加物を含んでいてもよい。 As the material constituting the second layer 23b, for example, Ni, Pt, Pd, Ni—Cr alloy or the like can be used. Of these, Ni, Pt, Pd, or Ni—Cr alloy is preferable. These materials may be used alone or in combination of two or more. It is desirable that the material constituting the second layer 23b contains 95% or more of the above-exemplified material. However, the second layer 23b may contain impurities and additives as long as the effects of the present invention are not impaired.

第2の層23bの厚みは、特に限定されないが、例えば、0.05μm以上、2.0μm以下とすることができる。第2の層23bは、めっき、蒸着、スパッタリング等の適宜の方法により形成することができる。なお、密着膜23において、第2の層23bは設けられていなくてもよい。 The thickness of the second layer 23b is not particularly limited, but can be, for example, 0.05 μm or more and 2.0 μm or less. The second layer 23b can be formed by an appropriate method such as plating, vapor deposition, or sputtering. The adhesive film 23 may not be provided with the second layer 23b.

第3の層23cは、拡散防止層としての機能を有していることが望ましい。例えば、Au-Sn合金膜2の成分が、第1の層23a及び第2の層23bへ拡散することを防止するための層であることが望ましい。これにより、はんだ膜21のパッケージ等への接合力をより一層高めることができる。 It is desirable that the third layer 23c has a function as a diffusion prevention layer. For example, it is desirable that the component of the Au—Sn alloy film 2 is a layer for preventing the components from diffusing into the first layer 23a and the second layer 23b. As a result, the bonding force of the solder film 21 to the package or the like can be further increased.

第3の層23cは、特に限定されないが、本実施形態では、Ptである。この場合、Au-Sn合金膜2の成分が、第1の層23a及び第2の層23bへ拡散することをより一層抑制することができる。もっとも、第3の層23cの材料は、Ptには限定されず、Au又はPd等であってもよい。これらの材料は、1種を単独で用いてもよく、複数種を併用してもよい。なお、第3の層23cには、上記例示した材料が95%以上含まれていることが望ましい。もっとも、第3の層23cには、密着性を阻害しない範囲において、不純物や添加物が含まれていてもよい。 The third layer 23c is not particularly limited, but in the present embodiment, it is Pt. In this case, the components of the Au—Sn alloy film 2 can be further suppressed from diffusing into the first layer 23a and the second layer 23b. However, the material of the third layer 23c is not limited to Pt, and may be Au, Pd, or the like. These materials may be used alone or in combination of two or more. It is desirable that the third layer 23c contains 95% or more of the above-exemplified material. However, the third layer 23c may contain impurities and additives as long as the adhesion is not impaired.

第3の層23cの厚みは、特に限定されないが、例えば、0.05μm以上、1.0μm以下とすることができる。 The thickness of the third layer 23c is not particularly limited, but can be, for example, 0.05 μm or more and 1.0 μm or less.

また、はんだ膜21は、さらにAu膜24を有する。Au膜24は、Au-Sn合金膜2の第2の主面2b上に積層されている。Au膜24は、はんだ膜21における最外層に設けられている。 Further, the solder film 21 further has an Au film 24. The Au film 24 is laminated on the second main surface 2b of the Au—Sn alloy film 2. The Au film 24 is provided on the outermost layer of the solder film 21.

なお、Au膜24には、Auが95%以上含まれていることが望ましい。もっとも、Au膜24には、密着性を阻害しない範囲において、不純物や添加物が含まれていてもよい。その他の点は、第1の実施形態と同様である。 It is desirable that the Au film 24 contains 95% or more of Au. However, the Au film 24 may contain impurities and additives as long as the adhesion is not impaired. Other points are the same as those of the first embodiment.

第2の実施形態におけるはんだ膜21のように、密着膜23をさらに備えていてもよい。また、最外層にAu膜24が設けられていてもよい。最外層をAu膜24とした場合、実装に際し、パッケージ等に接する最外層を酸化し難くすることができ、はんだ膜21による接合力をより確実に高めることができる。 As in the solder film 21 in the second embodiment, the adhesive film 23 may be further provided. Further, the Au film 24 may be provided on the outermost layer. When the outermost layer is the Au film 24, the outermost layer in contact with the package or the like can be made difficult to oxidize during mounting, and the bonding force due to the solder film 21 can be more reliably increased.

また、第2の実施形態においても、はんだ膜21が、Au及びSnの合金からなる単層膜である、Au-Sn合金膜2を備えるので、表面の平坦性に優れ、光学デバイス用部品であるプリズム20をパッケージ等に実装するに際し、接合力を高めることができる。 Further, also in the second embodiment, since the solder film 21 includes the Au—Sn alloy film 2, which is a single-layer film made of an alloy of Au and Sn, the surface is excellent in flatness, and it is a component for an optical device. When mounting a certain prism 20 on a package or the like, the bonding force can be increased.

なお、第1の実施形態及び第2の実施形態では、光学デバイス用部品としてプリズム10,20について説明した。もっとも、本発明において、光学デバイス用部品は、光学素子や、光学素子を搭載するためのサブマウント、あるいは光学素子を搭載するためのパッケージ用部材であってもよい。 In the first embodiment and the second embodiment, the prisms 10 and 20 have been described as components for optical devices. However, in the present invention, the component for an optical device may be an optical element, a submount for mounting the optical element, or a package member for mounting the optical element.

[光学デバイス]
図4は、本発明の一実施形態に係る光学デバイスを示す模式的断面図である。図4に示すように、光学デバイス31は、光学素子32と、サブマウント33と、プリズム10と、パッケージ34とを備える。パッケージ34内には、光学素子32、サブマウント33、及びプリズム10が収容されている。
[Optical device]
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an optical device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the optical device 31 includes an optical element 32, a submount 33, a prism 10, and a package 34. The optical element 32, the submount 33, and the prism 10 are housed in the package 34.

より具体的には、パッケージ34は、底部35と、底部35上に配置された側壁部36とを有する容器状の部材である。パッケージ34は、例えば、セラミック材料により構成することができる。セラミック材料としては、例えば、アルミナや窒化アルミニウム等を用いることができる。なかでも、放熱性をより一層高める観点からは、窒化アルミニウムであることが好ましい。 More specifically, the package 34 is a container-like member having a bottom portion 35 and a side wall portion 36 arranged on the bottom portion 35. The package 34 can be made of, for example, a ceramic material. As the ceramic material, for example, alumina, aluminum nitride, or the like can be used. Of these, aluminum nitride is preferable from the viewpoint of further enhancing heat dissipation.

底部35は、実装面35aを有する。側壁部36は、内面36aを有する。そして、底部35の実装面35a及び側壁部36の内面36aには、金属膜38が設けられている。 The bottom portion 35 has a mounting surface 35a. The side wall portion 36 has an inner surface 36a. A metal film 38 is provided on the mounting surface 35a of the bottom portion 35 and the inner surface 36a of the side wall portion 36.

本実施形態では、実装面35aにおける金属膜38上に、光学素子32及びプリズム10が配置されている。より具体的には、金属膜38上に、サブマウント33が設けられており、その上に光学素子32が配置されている。この際、サブマウント33の一方側主面33aが、図示しないはんだ膜1により光学素子32に接合されている。また、サブマウント33の他方側主面33bが、図示しないはんだ膜1により金属膜38に接合されている。また、プリズム10も、はんだ膜1により金属膜38に接合されている。 In this embodiment, the optical element 32 and the prism 10 are arranged on the metal film 38 on the mounting surface 35a. More specifically, the submount 33 is provided on the metal film 38, and the optical element 32 is arranged on the submount 33. At this time, the main surface 33a on one side of the submount 33 is joined to the optical element 32 by a solder film 1 (not shown). Further, the other side main surface 33b of the submount 33 is joined to the metal film 38 by a solder film 1 (not shown). Further, the prism 10 is also bonded to the metal film 38 by the solder film 1.

パッケージ34は、金属膜38を必ずしも有していなくてもよい。もっとも、パッケージ34は、本実施形態のように金属膜38を有していることが好ましい。このような構成は、特に、サブマウント33やプリズム10と、パッケージ34との熱膨張率差が比較的大きい場合に有効である。 The package 34 does not necessarily have to have the metal film 38. However, it is preferable that the package 34 has the metal film 38 as in the present embodiment. Such a configuration is particularly effective when the difference in thermal expansion rate between the submount 33 or prism 10 and the package 34 is relatively large.

金属膜38は、Au膜であることが好ましい。この場合、金属膜38が酸化し難いことから、光学デバイス31の製造に際し、サブマウント33やプリズム10と、パッケージ34との間の接合力をより一層高めることができる。 The metal film 38 is preferably an Au film. In this case, since the metal film 38 is difficult to oxidize, the bonding force between the submount 33 or the prism 10 and the package 34 can be further increased in the manufacture of the optical device 31.

なお、本実施形態では、底部35における実装面35aの全面及び側壁部36の内面36aの全面に、金属膜38が設けられている。もっとも、金属膜38は、少なくともサブマウント33及びプリズム10が配置される部分に設けられていればよい。 In this embodiment, the metal film 38 is provided on the entire surface of the mounting surface 35a on the bottom portion 35 and the entire surface of the inner surface 36a of the side wall portion 36. However, the metal film 38 may be provided at least in a portion where the submount 33 and the prism 10 are arranged.

パッケージ34の側壁部36上には、光学素子32及びプリズム10を封止するように、蓋体37が設けられている。蓋体37は、特に限定されないが、本実施形態ではガラス蓋である。また、蓋体37及び側壁部36は、図示しないはんだ膜1により接合されている。この場合には、接合後においてガスが生じないため、プリズム10の反射膜12に不純物が付着し難く、反射特性の劣化がより生じ難い。 A lid 37 is provided on the side wall portion 36 of the package 34 so as to seal the optical element 32 and the prism 10. The lid 37 is not particularly limited, but is a glass lid in the present embodiment. Further, the lid 37 and the side wall portion 36 are joined by a solder film 1 (not shown). In this case, since gas is not generated after the bonding, impurities are less likely to adhere to the reflective film 12 of the prism 10, and the reflection characteristics are less likely to be deteriorated.

本実施形態において、光学素子32は、プリズム10に光を出射する光源である。光源としては、特に限定されないが、例えば、LDやLED等を用いることができる。図4に示すように、光学素子32から出射した光Aは、プリズム10において反射され、蓋体37を通り、光学デバイス31外に出射される。なお、光学素子32は、プリズム10からの光を受光する受光素子であってもよい。 In the present embodiment, the optical element 32 is a light source that emits light to the prism 10. The light source is not particularly limited, but for example, an LD, an LED, or the like can be used. As shown in FIG. 4, the light A emitted from the optical element 32 is reflected by the prism 10, passes through the lid 37, and is emitted to the outside of the optical device 31. The optical element 32 may be a light receiving element that receives light from the prism 10.

サブマウント33は、光学素子32を搭載するために設けられている。また、サブマウント33は、ヒートシンクを兼ねている。そのため、光学素子32で発生した熱を、サブマウント33を通して、パッケージ34側へ効率よく放熱することができる。 The submount 33 is provided for mounting the optical element 32. Further, the sub mount 33 also serves as a heat sink. Therefore, the heat generated by the optical element 32 can be efficiently dissipated to the package 34 side through the submount 33.

光学デバイス31では、はんだ膜1により、プリズム10及びパッケージ34が接合され、光学素子32及びサブマウント33が接合され、サブマウント33及びパッケージ34が接合され、パッケージ34における蓋体37及び側壁部36が接合されている。そのため、光学デバイス31では、各部品間における接合力が高められている。従って、光学デバイス31では、信頼性が高められている。 In the optical device 31, the prism 10 and the package 34 are joined by the solder film 1, the optical element 32 and the submount 33 are joined, the submount 33 and the package 34 are joined, and the lid 37 and the side wall portion 36 in the package 34 are joined. Are joined. Therefore, in the optical device 31, the bonding force between each component is enhanced. Therefore, the reliability of the optical device 31 is enhanced.

また、光学デバイス31では、Sn-Agなどの融点が低いはんだ膜により、パッケージ34における蓋体37及び側壁部36が接合されていてもよい。この場合、その他の各部材を上記はんだ膜よりも融点の高いはんだ膜1によって接合すれば、光学素子32、サブマウント33、及びプリズム10を実装した後、蓋体37及び側壁部36を上記はんだ膜によって接合する際の加熱により、光学素子32、サブマウント33、及びプリズム10の高さ方向における位置ずれが生じ難い。そのため、光学デバイス31の信頼性をより一層高めることができる。 Further, in the optical device 31, the lid 37 and the side wall portion 36 in the package 34 may be joined by a solder film having a low melting point such as Sn—Ag. In this case, if the other members are joined by a solder film 1 having a melting point higher than that of the solder film, the optical element 32, the submount 33, and the prism 10 are mounted, and then the lid 37 and the side wall portion 36 are soldered. Due to heating when joining with a film, the optical element 32, the submount 33, and the prism 10 are unlikely to be displaced in the height direction. Therefore, the reliability of the optical device 31 can be further improved.

なお、光学素子32、サブマウント33、及びプリズム10を接合する際の温度は、例えば、290℃~320℃とすることができる。また、蓋体37及び側壁部36を接合する際の温度は、220℃~270℃とすることができる。このような温度範囲で接合させることにより、光学素子32、サブマウント33、及びプリズム10の高さ方向における位置精度をより高めることができる。 The temperature at which the optical element 32, the submount 33, and the prism 10 are joined can be, for example, 290 ° C to 320 ° C. The temperature at which the lid 37 and the side wall 36 are joined can be 220 ° C to 270 ° C. By joining in such a temperature range, the positional accuracy of the optical element 32, the submount 33, and the prism 10 in the height direction can be further improved.

なお、本発明においては、光学素子32、サブマウント33、プリズム10、及びパッケージ34を構成する部材の接合のうち、少なくとも1つの接合がはんだ膜1によって行われればよく、特に限定はされない。 In the present invention, at least one of the bonding of the members constituting the optical element 32, the submount 33, the prism 10, and the package 34 may be bonded by the solder film 1, and is not particularly limited.

以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on specific examples. The present invention is not limited to the following examples, and can be appropriately modified and implemented without changing the gist thereof.

(実施例1)
まず、Au-Snの合金からなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、図5に示すガラス基板42(日本電気硝子社製、OA-10G、厚み:0.197mm)上に、Au及びSnの合金からなる単層膜であるAu-Sn合金膜を形成し、はんだ膜41を得た。なお、スパッタリングに際し、ターゲットにおけるAuとSnとの質量比は、70:30とした。キャリアガスとしてはアルゴン(Ar)ガスを用い、成膜温度は、ヒータはOFFで成膜時のスパッタの運動エネルギーにより凡そ100℃とした。また、得られたAu-Sn合金膜の厚みは、5μmであった。
(Example 1)
First, an alloy of Au and Sn is used on a glass substrate 42 (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., OA-10G, thickness: 0.197 mm) shown in FIG. 5 by a sputtering method using a target made of an alloy of Au—Sn. An Au—Sn alloy film, which is a single-layer film composed of, was formed to obtain a solder film 41. At the time of sputtering, the mass ratio of Au and Sn at the target was set to 70:30. Argon (Ar) gas was used as the carrier gas, and the film formation temperature was set to about 100 ° C. by turning off the heater and kinetic energy of sputtering during film formation. The thickness of the obtained Au—Sn alloy film was 5 μm.

図6は、実施例1で得られたはんだ膜41の断面を示すSEM写真である。図6より、実施例1で得られたはんだ膜41では、厚み方向に結晶が配向していることがわかる。また、はんだ膜41では、Au及びSnの濃度勾配を有していないことが確認されている。 FIG. 6 is an SEM photograph showing a cross section of the solder film 41 obtained in Example 1. From FIG. 6, it can be seen that in the solder film 41 obtained in Example 1, the crystals are oriented in the thickness direction. Further, it has been confirmed that the solder film 41 does not have a concentration gradient of Au and Sn.

(比較例1)
ガラス基板42(日本電気硝子社製、OA-10G、厚み:0.197mm)上に、蒸着によって、Au層及びSn層を交互に合計で180層積層することにより、はんだ膜41を得た。なお、このとき、Au層の1層当たりの厚みをそれぞれ25.6nmとした。また、Sn層の1層当たりの厚みをそれぞれ29.4nmとした。なお、はんだ膜41全体の厚みは、5μmとした。
(Comparative Example 1)
A solder film 41 was obtained by alternately laminating a total of 180 layers of Au layers and Sn layers on a glass substrate 42 (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., OA-10G, thickness: 0.197 mm) by thin film deposition. At this time, the thickness of each Au layer was set to 25.6 nm. The thickness of each Sn layer was set to 29.4 nm. The thickness of the entire solder film 41 was set to 5 μm.

[評価]
(表面平坦性の評価)
膜付き基板40の膜表面40aにおける算術平均粗さRa及び最大高さRzは、JIS B 0601:2013に準拠して測定した。
[evaluation]
(Evaluation of surface flatness)
The arithmetic mean roughness Ra and the maximum height Rz on the film surface 40a of the film-attached substrate 40 were measured according to JIS B 0601: 2013.

(密着力の評価)
密着力の評価においては、パッケージとして、Auめっきされた部分を有する窒化アルミニウム基板を用意した。次に、膜付き基板40をはんだ膜41側から窒化アルミニウム基板のAuめっきされた部分に貼り付け、窒素雰囲気中で320℃に加熱することにより接合した。
(Evaluation of adhesion)
In the evaluation of the adhesion, an aluminum nitride substrate having an Au-plated portion was prepared as a package. Next, the substrate 40 with a film was attached to the Au-plated portion of the aluminum nitride substrate from the solder film 41 side, and bonded by heating to 320 ° C. in a nitrogen atmosphere.

次に、引張圧縮試験機(株式会社今田製作所製 SV-201)を用いて膜付き基板40を側面より押すことにより、密着力を評価した。なお、密着力の評価は、接合時間10秒の条件にて行った。 Next, the adhesion was evaluated by pushing the substrate 40 with a film from the side surface using a tensile compression tester (SV-201 manufactured by Imada Seisakusho Co., Ltd.). The adhesion was evaluated under the condition that the joining time was 10 seconds.

結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.

Figure 2022021508000002
Figure 2022021508000002

表1から明らかなように、Au及びSnの合金からなる単層膜である、Au-Sn合金膜を用いた実施例1のはんだ膜41では、表面の平坦性に優れ、パッケージとの接合力に優れることが確認できた。 As is clear from Table 1, the solder film 41 of Example 1 using the Au—Sn alloy film, which is a single-layer film composed of an alloy of Au and Sn, has excellent surface flatness and a bonding force with a package. It was confirmed that it was excellent.

1,21,41…はんだ膜
1a,21a,40a…膜表面
2…Au-Sn合金膜
2a…第1の主面
2b…第2の主面
10,20…プリズム
11…プリズム本体
11a…底面
11b…斜面
11c…上面
12…反射膜
23…密着膜
23a…第1の層
23b…第2の層
23c…第3の層
24…Au膜
31…光学デバイス
32…光学素子
33…サブマウント
33a…一方側主面
33b…他方側主面
34…パッケージ
35…底部
35a…実装面
36…側壁部
36a…内面
37…蓋体
38…金属膜
40…膜付き基板
42…ガラス基板
1,21,41 ... Solder film 1a, 21a, 40a ... Film surface 2 ... Au—Sn alloy film 2a ... First main surface 2b ... Second main surface 10,20 ... Prism 11 ... Prism body 11a ... Bottom surface 11b ... Slope 11c ... Top surface 12 ... Reflective film 23 ... Adhesive film 23a ... First layer 23b ... Second layer 23c ... Third layer 24 ... Au film 31 ... Optical device 32 ... Optical element 33 ... Submount 33a ... One side Side main surface 33b ... Other side main surface 34 ... Package 35 ... Bottom 35a ... Mounting surface 36 ... Side wall 36a ... Inner surface 37 ... Lid 38 ... Metal film 40 ... Film-coated substrate 42 ... Glass substrate

Claims (14)

光学デバイスにおける部品の固定に用いられるはんだ膜であって、
Au及びSnの合金からなる単層膜である、Au-Sn合金膜を備える、はんだ膜。
A solder film used to fix components in optical devices.
A solder film comprising an Au—Sn alloy film, which is a single-layer film composed of an alloy of Au and Sn.
前記Au-Sn合金膜が、厚み方向において、Au及びSnの濃度勾配を有さない、請求項1に記載のはんだ膜。 The solder film according to claim 1, wherein the Au—Sn alloy film does not have a concentration gradient of Au and Sn in the thickness direction. 前記Au-Sn合金膜が、Au及びSnの合金からなるターゲットを用いて成膜されたスパッタ膜である、請求項1又は2に記載のはんだ膜。 The solder film according to claim 1 or 2, wherein the Au—Sn alloy film is a sputter film formed by using a target made of an alloy of Au and Sn. 前記Au-Sn合金膜において、厚み方向に結晶が配向している、請求項1~3のいずれか1項に記載のはんだ膜。 The solder film according to any one of claims 1 to 3, wherein the crystals are oriented in the thickness direction in the Au—Sn alloy film. 前記Au-Sn合金膜におけるAuの質量の合計をMとし、Snの質量の合計をMとしたときに、Au及びSnの質量の合計に対するAuの質量の比M/(M+M)が、0.60以上、0.85以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載のはんだ膜。 When the total mass of Au in the Au—Sn alloy film is MA and the total mass of Sn is MS, the ratio of the mass of Au to the total mass of Au and Sn is MA / ( MA + M ). The solder film according to any one of claims 1 to 4, wherein S ) is 0.60 or more and 0.85 or less. 前記部品と前記Au-Sn合金膜との間に設けられる密着膜をさらに備える、請求項1~5のいずれか1項に記載のはんだ膜。 The solder film according to any one of claims 1 to 5, further comprising an adhesive film provided between the component and the Au—Sn alloy film. 前記密着膜が、
前記部品側に設けられており、Cr、Ti、及びNiからなる群から選択される少なくとも1種を含む、第1の層と、
前記第1の層上に設けられており、Ni、Pt、Pd、及びNi-Cr合金からなる群から選択される少なくとも1種を含む、第2の層と、
前記第2の層上に設けられており、PtもしくはAuを含む、第3の層と、
を有する、請求項6に記載のはんだ膜。
The adhesive film
A first layer provided on the component side and comprising at least one selected from the group consisting of Cr, Ti, and Ni.
A second layer, which is provided on the first layer and contains at least one selected from the group consisting of Ni, Pt, Pd, and Ni—Cr alloys.
A third layer, which is provided on the second layer and contains Pt or Au,
The solder film according to claim 6.
前記Au-Sn合金膜における前記部品側とは反対側の主面上に設けられている、Au膜をさらに備え、前記Au膜が最外層である、請求項1~7のいずれか1項に記載のはんだ膜。 The method according to any one of claims 1 to 7, further comprising an Au film provided on a main surface of the Au—Sn alloy film opposite to the component side, wherein the Au film is the outermost layer. The solder film described. 表面の算術平均粗さRaが、0.05μm以下である、請求項1~8のいずれか1項に記載のはんだ膜。 The solder film according to any one of claims 1 to 8, wherein the arithmetic average roughness Ra of the surface is 0.05 μm or less. 表面の最大高さRzが、0.25μm以下である、請求項1~9のいずれか1項に記載のはんだ膜。 The solder film according to any one of claims 1 to 9, wherein the maximum height Rz of the surface is 0.25 μm or less. 前記はんだ膜全体の厚みが、1μm以上、15μm以下である、請求項1~10のいずれか1項に記載のはんだ膜。 The solder film according to any one of claims 1 to 10, wherein the thickness of the entire solder film is 1 μm or more and 15 μm or less. 主面を有する部品本体と、
前記部品本体の前記主面上に設けられている、請求項1~11のいずれか1項に記載のはんだ膜と、
を備える、光学デバイス用部品。
The main body of the part with the main surface and
The solder film according to any one of claims 1 to 11, which is provided on the main surface of the component body, and the solder film.
Parts for optical devices.
プリズム、光学素子、前記光学素子を搭載するためのサブマウント、及び前記光学素子を搭載するためのパッケージ用部材からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項12に記載の光学デバイス用部品。 The optical device according to claim 12, which is at least one selected from the group consisting of a prism, an optical element, a submount for mounting the optical element, and a package member for mounting the optical element. parts. プリズムと、
前記プリズムに光を出射する又は前記プリズムからの光を受光する光学素子と、
前記プリズム及び前記光学素子が搭載されている、パッケージと、
前記光学素子及び前記パッケージの間に設けられている、サブマウントと、
を備え、
請求項1~11のいずれか1項に記載のはんだ膜によって、前記プリズム及び前記パッケージが接合され、前記光学素子及び前記サブマウントが接合され、前記サブマウント及び前記パッケージが接合され、又は前記パッケージを構成する部材同士が接合されている、光学デバイス。
With the prism
An optical element that emits light to the prism or receives light from the prism,
The package on which the prism and the optical element are mounted,
A submount provided between the optical element and the package,
Equipped with
The prism and the package are bonded, the optical element and the submount are bonded, the submount and the package are bonded, or the package is bonded by the solder film according to any one of claims 1 to 11. An optical device in which the members constituting the device are joined together.
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