JP2007134744A - Submount and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、サブマウントおよびそれを用いた半導体装置に関し、より特定的には、半導体発光素子を搭載するサブマウントおよびこのサブマウントを用いた半導体装置に関する。なお、本発明の「半導体発光素子」とは、たとえば、レーザーダイオードや発光ダイオードのようなものを指す。 The present invention relates to a submount and a semiconductor device using the submount, and more particularly to a submount on which a semiconductor light emitting element is mounted and a semiconductor device using the submount. The “semiconductor light emitting device” of the present invention refers to a laser diode or a light emitting diode.
従来、半導体発光素子を備える半導体装置が知られている。このような半導体装置の一種は、図5に示すようにサブマウント103に半導体発光素子を搭載することにより製造される。図5および図6は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図5を参照して、従来の半導体装置の製造方法を説明する。
Conventionally, a semiconductor device including a semiconductor light emitting element is known. One type of such a semiconductor device is manufactured by mounting a semiconductor light emitting element on a
図5に示すように、従来の半導体装置の製造方法では、まず半導体発光素子を搭載するためのサブマウント103を準備する。サブマウント103は、セラミックの基板104と、基板104上に形成されたチタン(Ti)を含む膜および白金(Pt)を含む膜の積層膜105(Ti/Pt積層膜105)と、このTi/Pt積層膜105上に形成された電極層としての金(Au)膜106と、このAu膜106上に形成された白金(Pt)を含むはんだバリア層107と、はんだバリア層107上に形成された金(Au)錫(Sn)系はんだを含むはんだ108とからなる。サブマウント103において、Ti/Pt積層膜105、Au膜106、はんだバリア層107およびはんだ108を形成する方法は、従来の蒸着法、スパッタリング法あるいはめっき法などの成膜方法およびフォトリソグラフィ法あるいはメタルマスク法などのパターニング方法を用いることができる。
As shown in FIG. 5, in the conventional method for manufacturing a semiconductor device, first, a
図5に示したようなサブマウント103を準備した後、サブマウント103のはんだ108を加熱・溶融する。検出手段200が、はんだ108が溶融したかどうかを画像認識する。具体的には、はんだ108が溶融する前は、はんだからの反射光が多いので、画像認識の2値化手法により、はんだ108の色を「白」と認識する。はんだ108が溶融すると、はんだ108からの反射光が少なくなるので、同様に、はんだ108の色を「黒」と認識する。
After the
図6で示すように、検出手段200がはんだ108の色を「黒」と認識した後、半導体発光素子としてのレーザーダイオード102をはんだ108上の所定の位置に搭載する(ダイボンド工程を実施する)。この後、はんだ108を冷却して凝固させる。この結果、はんだ108によってレーザーダイオード102がサブマウント103上に接着固定される。この後、図示しないヒートシンクにサブマウント103の裏面側をはんだなどで接続・固定することにより、半導体発光素子を備える半導体装置を得ることができる。
As shown in FIG. 6, after the detection means 200 recognizes the color of the
図5および図6に示したような工程により製造される従来の半導体装置では、以下のような問題があった。すなわち、検出手段200ではんだ108の色を認識する場合に、はんだ108の表面粗さが大きいと、はんだ108の表面で光が乱反射して、検出手段200に十分な量の光が入射しない。そのため、検出手段200が溶融前のはんだ108の色を黒と認識してしまう。その結果、ダイボンド装置にエラーが発生し停止してしまうか、溶融前のはんだ108にレーザーダイオード102が押し付けられ、レーザーダイオード102がサブマウント103に取りつけられないという問題があった。
The conventional semiconductor device manufactured by the process as shown in FIGS. 5 and 6 has the following problems. That is, when the
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、高い歩留りで半導体発光素子を正常に取り付けることができる溶融前はんだ層を具備したサブマウントおよびそのサブマウントを用いた半導体装置を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a submount including a pre-melting solder layer capable of normally attaching a semiconductor light emitting device with a high yield and its A semiconductor device using a submount is provided.
この発明は、サブマウント基板と、サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層とを備え、溶融前のはんだ層の、表面粗さRaは0.18μm以下、膜厚が0.1μm以上10μm以下であり、サブマウント基板の主表面の、平面度が5μm以下、表面粗さRaが0.10μm以下である、サブマウントに関する。 The present invention includes a submount substrate and a solder layer formed on the main surface of the submount substrate, and the solder layer before melting has a surface roughness Ra of 0.18 μm or less and a film thickness of 0.1 μm or more. The present invention relates to a submount that is 10 μm or less, has a flatness of 5 μm or less, and a surface roughness Ra of 0.10 μm or less on the main surface of the submount substrate.
好ましくは、溶融前のはんだ層の表面粗さRaが0.15μm以下である。
好ましくは、溶融前のはんだ層の表面粗さRaが0.10μm以下である。
Preferably, the surface roughness Ra of the solder layer before melting is 0.15 μm or less.
Preferably, the surface roughness Ra of the solder layer before melting is 0.10 μm or less.
好ましくは、溶融前のはんだ層が薄膜形成法により形成される。
好ましくは、はんだ層に含まれるはんだの平均粒径が3.5μm以下である。
Preferably, the solder layer before melting is formed by a thin film forming method.
Preferably, the average particle diameter of the solder contained in the solder layer is 3.5 μm or less.
好ましくは、サブマウント基板とはんだ層との間に形成されたはんだバリア層をさらに備える。 Preferably, a solder barrier layer formed between the submount substrate and the solder layer is further provided.
好ましくは、サブマウント基板とはんだバリア層との間に形成された電極層をさらに備える。 Preferably, an electrode layer formed between the submount substrate and the solder barrier layer is further provided.
好ましくは、サブマウント基板とはんだバリア層との間において、サブマウント基板の主表面に接触するように形成された密着層と、密着層上に形成された拡散防止層とをさらに備え、電極層は拡散防止層上に配置されている。 Preferably, the electrode layer further includes an adhesion layer formed to contact the main surface of the submount substrate between the submount substrate and the solder barrier layer, and a diffusion prevention layer formed on the adhesion layer. Is disposed on the diffusion barrier layer.
好ましくは、密着層はチタンを含み、拡散防止層は白金を含み、電極層は金を含み、はんだバリア層は白金を含み、はんだ層は金錫系はんだを含む。 Preferably, the adhesion layer includes titanium, the diffusion prevention layer includes platinum, the electrode layer includes gold, the solder barrier layer includes platinum, and the solder layer includes gold-tin solder.
好ましくは、サブマウント基板は窒化アルミニウム焼結体を含む。
好ましくは、この発明は、上記のサブマウントを用いた半導体装置であって、はんだ層上に搭載された半導体発光素子を備える。
Preferably, the submount substrate includes an aluminum nitride sintered body.
Preferably, the present invention is a semiconductor device using the above-mentioned submount, and includes a semiconductor light emitting element mounted on a solder layer.
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
図1は、本発明による半導体装置の実施の形態1を示す断面模式図である。
図1に示すように、半導体装置1は、サブマウント3に半導体発光素子としてのレーザーダイオード2が搭載された構造を有している。サブマウント3は、たとえば、窒化アルミニウム(AlN)を含む焼結体からなるサブマウント用の基板4と、密着層としてのチタン(Ti)膜5bおよび拡散防止層としての白金(Pt)膜5aの積層膜5(Ti/Pt積層膜5)と、このTi/Pt積層膜5上に形成された電極層としての金(Au)膜6と、このAu膜6上に形成され、白金(Pt)を含むはんだバリア層7と、はんだバリア層7上に形成された金(Au)錫(Sn)系はんだを含むはんだ層8とからなる。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a semiconductor device according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the semiconductor device 1 has a structure in which a
図1に示すように、レーザーダイオード2と、サブマウント3とは、はんだ層8によって接続されている。レーザーダイオード2の幅と、はんだ層8の幅と、はんだバリア層7の幅は、ほぼ等しい。はんだ層8の幅および長さは、レーザーダイオード2の幅および長さより大きくても小さくてもかまわない。また、はんだバリア層7の幅および長さは、はんだ層8の幅および長さよりも大きくても小さくてもかまわない。
As shown in FIG. 1, the
図1および図2に示した半導体装置においては、サブマウント3を構成する基板4の材料として、セラミック、半導体、あるいは金属を用いてもよい。基板4を構成する材料としてのセラミックとしては、たとえば上述した窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ケイ素(Si3N4)などを主成分としたものを挙げることができる。また基板4を構成する材料としての半導体としては、たとえばシリコン(Si)を挙げることができる。また基板4を構成する材料としての金属としては、たとえば銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)およびこれらを含む合金ならびに複合材料を用いることができる。
In the semiconductor device shown in FIGS. 1 and 2, ceramic, semiconductor, or metal may be used as the material of the
基板4としては、熱伝導率の高い材料を用いることが好ましい。基板4の熱伝導率としては、好ましくは100W/mK以上であり、より好ましくは170W/mK以上である。また、基板4の熱膨張係数は、レーザーダイオード2を構成する材料の熱膨張係数に近似していることが好ましい。たとえば、レーザーダイオード2を構成する材料としてガリウム砒素(GaAs)あるいはインジウムリン(InP)などを用いる場合、基板4の熱膨張係数は、好ましくは10×10-6/K以下であり、より好ましくは5×10-6/K以下である。
As the
基板4としてセラミックを用いた場合、基板4の上面とその上面に対向する下面との間を接続するようなスルーホールあるいはその内部に導体(ビアフィル)が充填されたビアホールが形成されていてもよい。ビアホールに充填される導体(ビアフィル)の主成分としては、望ましくは高融点金属、特にタングステン(W)やモリブデン(Mo)を用いることができる。なお、上述の導体としては、タングステンやモリブデンなどの金属導体にさらにチタン(Ti)などの遷移金属、あるいはガラス成分や基板4を形成する基材の材料(たとえば窒化アルミニウム(AlN))が含まれていてもよい。
When ceramic is used as the
また、基板4の平面度は5μm以下であることが好ましく、より好ましくは1μm以下である。平面度が5μmを超える場合、レーザーダイオード2の接合時にサブマウント3とレーザーダイオード2との間に隙間が発生し、レーザーダイオード2を冷却する効果が低下することがある。なお、平面度とは平面形体の幾何学的に正しい平面からの狂いの大きさを言い、JIS規格(JISB0621)に規定されている。
The flatness of the
また、Ti/Pt積層膜5を構成するTi膜(チタン(Ti)を含む膜)は、基板4の上部表面に接触するように形成された、基板4との密着性が良好な材料からなるいわゆる密着層である。この密着層を構成する材料としては、たとえば、上述したチタン(Ti)、さらにクロム(Cr)、ニッケルクロム合金(NiCr)、タンタル(Ta)、およびこれらの化合物を用いることができる。
The Ti film (film containing titanium (Ti)) constituting the Ti / Pt laminated
また、Ti/Pt積層膜5を構成する白金(Pt)膜は、Ti膜の上部表面上に形成されたいわゆる拡散防止層である。拡散防止層の材料としては、たとえば、上述した白金(Pt)、さらにパラジウム(Pd)、ニッケルクロム合金(NiCr)、タングステンチタニウム(TiW)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)などを用いることができる。また、Au膜6はいわゆる電極層であって、通常はAuを主成分とした膜が用いられる。
The platinum (Pt) film constituting the Ti / Pt laminated
はんだバリア層7の材料としては、たとえば、白金(Pt)、ニッケルクロム合金(NiCr)、ニッケル(Ni)などを用いることができる。また、はんだ層8の材料としては、たとえば、金錫(AuSn)系はんだ、金ゲルマニウム(AuGe)系はんだ、鉛錫(PbSn)系はんだ、インジウム錫(InSn)系はんだ、銀錫(AgSn)系はんだなどの合金はんだ、あるいはこれらの合金はんだもしくは上述の合金はんだを構成する金属の積層体を用いることができる。なお、はんだ層8として金錫(AuSn)系はんだを用いる場合、その組成比としては金(Au)が65質量%以上85質量%以下あるいは金(Au)が5質量%以上20質量%以下であることが好ましい。
As a material of the
なお、上述のTi/Pt積層膜5、Au膜6、はんだバリア層7およびはんだ層8を、以下メタライズ層ともいう。そして、これらのメタライズ層の形成方法としては、従来用いられる成膜方法を適宜用いることができる。具体的には、上述のメタライズ層の形成方法として、蒸着法、スパッタリング法などの薄膜形成方法、あるいはめっき法などを用いることができる。また、上述のTi/Pt積層膜5、Au膜6、はんだバリア層7およびはんだ層8を、所定のパターンを有するように形成するパターニング方法としては、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ法、化学エッチング法、ドライエッチング法や、メタルマスク法などを用いることができる。
The Ti / Pt laminated
上述のTi/Pt積層膜5を構成する密着層としてのチタン(Ti)膜5bの厚さは、好ましくは0.01μm以上1.0μm以下である。Ti/Pt積層膜5を構成する拡散防止層としての白金(Pt)膜5aの厚さは好ましくは0.01μm以上1.5μm以下である。電極層としてのAu膜6の厚さは好ましくは0.1μm以上10μm以下である。はんだバリア層7の厚さは好ましくは0.01μm以上1.5μm以下である。はんだ層8の厚さは好ましくは0.1μm以上10μm以下である。
The thickness of the titanium (Ti)
本発明の半導体発光素子とは、たとえばレーザーダイオードや発光ダイオードのようなものを指す。その半導体材料としては、たとえば、GaAs半導体あるいはInP半導体、すなわち、III−V族化合物半導体であってもよく、また、上面発光型もしくは下面発光型のいずれでもよい。なお、図1のレーザーダイオード2として、下面発光型(レーザーダイオード2とはんだ層8との接合部に対向するレーザーダイオード2の側面側においてレーザーダイオード2の発光部が形成されている方式)を用いた場合、発熱部である発光部が基板4により近い位置に配置されることから、半導体装置1の放熱性をより向上させることができる。
The semiconductor light emitting device of the present invention refers to a laser diode or a light emitting diode, for example. The semiconductor material may be, for example, a GaAs semiconductor or InP semiconductor, that is, a III-V group compound semiconductor, and may be either a top emission type or a bottom emission type. As the
レーザーダイオード2の表面にはシリコン酸化膜(SiO2)などの絶縁層および金(Au)などの電極層といったメタライズ層が形成される。電極層としての金(Au)層の厚さは、はんだ層8との良好な濡れ性を確保するために、0.1μm以上10μm以下であることが好ましい。
A metallized layer such as an insulating layer such as a silicon oxide film (SiO 2 ) and an electrode layer such as gold (Au) is formed on the surface of the
なお、図1に示した半導体装置1は、ヒートシンクにはんだなどを用いて接続されていてもよい。具体的には、基板4においてTi/Pt積層膜5が形成された表面とは反対側に位置する裏面上に密着層、拡散防止層などを形成した後、基板4の裏面側にシート状のはんだを介してヒートシンクを配置する。ヒートシンクと基板4とは、基板4の裏面側に配置された上記はんだにより接続・固定される。なお、ヒートシンクと基板4とを接合するためのはんだについては、上記のようなシート状のはんだ(はんだ箔)を用いてもよいし、あらかじめヒートシンクの表面上にはんだを配置しておいてもよい。また、あらかじめ基板4の裏面のメタライズ層上にはんだ層を形成してもよい。その場合は、レーザーダイオード2とヒートシンクを同時に基板4に接合することが好ましい。
1 may be connected to the heat sink using solder or the like. Specifically, after an adhesion layer, a diffusion prevention layer, and the like are formed on the back surface of the
ヒートシンクの材料としては、たとえば金属あるいはセラミックなどを用いることができる。ヒートシンクを構成する金属としては、たとえば銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、これらの金属を含む合金および複合材料を用いることができる。なお、ヒートシンクの表面にはニッケル(Ni)、金(Au)およびこれらの金属を含む膜を形成するのが好ましい。これらの膜は、蒸着法やめっき法で形成することができる。ヒートシンクの熱伝導率は高いことが好ましい。ヒートシンクの熱伝導率としては、好ましくは100W/mK以上である。 As a material of the heat sink, for example, metal or ceramic can be used. As a metal constituting the heat sink, for example, copper (Cu), tungsten (W), molybdenum (Mo), iron (Fe), an alloy containing these metals, and a composite material can be used. Note that it is preferable to form nickel (Ni), gold (Au), and a film containing these metals on the surface of the heat sink. These films can be formed by vapor deposition or plating. The heat conductivity of the heat sink is preferably high. The heat conductivity of the heat sink is preferably 100 W / mK or more.
次に、図1に示した半導体装置の製造方法を、窒化アルミニウム焼結体を基板とした場合を想定して説明する。図2は、図1に示した半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 Next, the manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG. 1 will be described on the assumption that the aluminum nitride sintered body is a substrate. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
まず第1工程として基板を製造する。基板のサイズとしては、たとえば幅を50mm、長さを50mm、厚さを0.4mmとすることができる。このように、サブマウント3の基板4よりサイズの大きな基板を準備して、その基板の表面に必要な構造を形成し、当該基板を後述する切断工程で切断、分割することにより、サブマウント3を得ることができる。サブマウント3の基板4となるべき基板は、通常の基板製造方法に基づいて作製される。基板4の材料としては窒化アルミニウム(AlN)焼結体を用いる。窒化アルミニウム焼結体のようなセラミックからなる基板4の製造方法としては、通常のセラミック構造体の製造方法を適用することができる。
First, a substrate is manufactured as a first step. As the size of the substrate, for example, the width can be 50 mm, the length can be 50 mm, and the thickness can be 0.4 mm. In this way, a substrate larger in size than the
次に、第2工程として、第1工程である基板製造工程において製造した窒化アルミニウム焼結体からなる基板の表面を研磨する。ここで、基板4となるべき窒化アルミニウム基板の表面粗さがRaで0.10μm以下、より好ましくは0.05μm以下となるまで研磨を行なうのが望ましい。研磨方法としては、たとえば、研磨方法として、研削盤による研磨、サンドブラスト、サンドペーパーや砥粒による研磨などの通常の方法を適用することができる。
Next, as the second step, the surface of the substrate made of the aluminum nitride sintered body manufactured in the substrate manufacturing step as the first step is polished. Here, it is desirable to perform polishing until the surface roughness of the aluminum nitride substrate to be the
次に、図2で示すように、密着層としてのTi膜5b、拡散防止層としてのPt膜5aおよび電極層としてのAu膜6を所定のパターンで形成するため、第3工程としてパターニング工程を行なう。このパターニング工程においては、フォトリソグラフィ法を用いて、Ti膜5b、Pt膜5aおよびAu膜6が形成されるべき領域以外の領域について、基板表面にレジスト膜を形成する。
Next, as shown in FIG. 2, in order to form a
次に、第4工程として、密着層を蒸着する。具体的には、密着層としてのTi膜5bとなるべきTi膜を基板表面に蒸着する。このとき形成されるTi膜の厚さはたとえば0.1μmとすることができる。
Next, as a fourth step, an adhesion layer is deposited. Specifically, a Ti film to be the
次に、第5工程として、密着層としてのTi膜5bとなるべきTi膜上に、拡散防止層としてのPt膜5aとなるべきPt膜を形成する。Pt膜の厚さとしては、たとえば0.2μmという値を用いることができる。
Next, as a fifth step, a Pt film to be the
次に、第6工程として、電極層としてのAu膜6を蒸着法によって形成する。Au膜の厚さとしては、たとえば0.6μmとすることができる。
Next, as a sixth step, an
次いで、第7工程としてリフトオフ工程を実施する。この工程では、第3工程のパターニング工程において形成したレジスト膜を、レジスト剥離液によって、そのレジスト膜上に位置していたTi膜、Pt膜およびAu膜の一部分をレジスト膜とともに除去する。この結果、基板上に所定のパターンを有するTi膜5b、Pt膜5aおよびAu膜6を形成することができる。
Next, a lift-off process is performed as a seventh process. In this step, the resist film formed in the patterning step of the third step is removed together with the resist film by using a resist stripping solution together with a part of the Ti film, Pt film and Au film located on the resist film. As a result, the
次に、第8工程としてはんだバリア層7を形成する。ここでは、メタルマスク法を用いて、Au膜6上に白金(Pt)からなるはんだバリア層7を形成する。はんだバリア層7の厚さは0.2μmとする。
Next, a
次に、第9工程として、真空蒸着法により、はんだバリア層7上にはんだ層8を形成する。
Next, as a ninth step, the
はんだ層8を形成する工程において、成膜前雰囲気であるチャンバ内の圧力(到達真空度)を小さくすると、はんだの結晶粒径が小さくなる。到達真空度は5.0×10-4Pa以下とするのが好ましい。到達真空度が5.0×10-4Paを超えると、水分や酸素などの不純物ガスがはんだ層中に残存し易くなり、はんだ層8中に、粒径の大きい異物が混入するおそれがある。より好ましくは、到達真空度は1.0×10-4Pa以下である。
In the step of forming the
また、はんだの成膜速度(成膜レート)を変化させることにより、結晶粒径および表面粗さRaを変化させることができる。成膜速度は、0.1nm/秒以上1.0nm/秒以下であることが好ましい。さらに好ましくは、成膜速度は0.3nm/秒以上0.7nm/秒以下である。成膜速度が、0.1nm/秒未満であれば、核成長が促進され、結晶粒径が大きくなるとともに、表面粗さRaも大きくなる。成膜速度が1.0nm/秒を超えると、基板温度が上昇し、後述の理由により、結晶粒径が大きくなり易く、その結果、表面粗さRaも大きくなり易い。 Further, the crystal grain size and the surface roughness Ra can be changed by changing the film formation rate (film formation rate) of the solder. The film formation rate is preferably 0.1 nm / second or more and 1.0 nm / second or less. More preferably, the film formation rate is not less than 0.3 nm / second and not more than 0.7 nm / second. If the film formation rate is less than 0.1 nm / second, the nucleus growth is promoted, the crystal grain size increases, and the surface roughness Ra also increases. When the film formation rate exceeds 1.0 nm / second, the substrate temperature rises, and the crystal grain size tends to increase for the reasons described later, and as a result, the surface roughness Ra tends to increase.
また、基板4の表面温度を変化させることにより、結晶粒径および表面粗さRaを変化させることができる。その温度は、20℃以上150℃以下、さらには20℃以上120℃以下が好ましい。温度が150℃を超えると、基板温度が上昇し、核成長が促進されることにより、結晶粒径が大きくなるとともに、表面粗さRaも大きくなる。
In addition, the crystal grain size and the surface roughness Ra can be changed by changing the surface temperature of the
なお、所定のパターンを有するはんだ層8の形成方法としては、メタルマスク法あるいは本発明による半導体装置の製造方法の第3工程から第7工程に示したようなフォトリソグラフィ法を用いてもよい。
As a method for forming the
次に、第10工程として、上述のように第1工程で準備した基板の表面に所定の構造が形成された後、その基板を切断する切断工程を実施する。この結果、図1に示すサブマウント3を得ることができる。 Next, as a tenth step, after a predetermined structure is formed on the surface of the substrate prepared in the first step as described above, a cutting step for cutting the substrate is performed. As a result, the submount 3 shown in FIG. 1 can be obtained.
次に、第11工程として、半導体発光素子としてのレーザーダイオード2の接合工程を実施する。具体的には、加熱によりはんだ層8を溶融させる。検出手段200が、はんだ層8が溶融したかどうかを画像認識する。具体的には、たとえば、検出手段に入射する光の照度の階調を256段階に分け、基板4の最も暗い部分の階調を0とし、Au膜6の最も明るい部分の階調を255とする。はんだ層8から入射光の階調が50を超えた時に、はんだ層8の色を「白」と認識し、はんだ層8が溶融していないと判断する。はんだ層8から入射光の階調が50以下の時に、はんだ層8の色を「黒」と認識し、はんだ層8が溶融したと判断する。このように画像認識の2値化手法により、はんだ層8の溶融のYes,Noを判定する。
Next, as an eleventh step, a step of bonding the
溶融したと判断されたはんだ層8に、レーザーダイオード2を配置する。このようにして、GaAsを用いたチップであるレーザーダイオード2をはんだ層8によってサブマウント3に接合する。このようにして、図1の半導体装置1が完成する。
The
以上のような本発明のサブマウントでは、溶融前のはんだ層8の表面8fの表面粗さRaが0.18μmと小さいので、はんだ層8の表面での光の乱反射を小さく抑えることができる。そのため、多くの反射光が検出手段200に入射する。その結果、ダイボンド工程において、検出手段200が溶融前のはんだ層8を「黒」、すなわち溶融状態と誤認する確率を小さく抑えることができるため、はんだ層8が溶融したかどうかをより高い確率でYes,No判定することができる。その結果、レーザーダイオード2をはんだ層の溶融した状態でタイミングよくサブマウント3にはんだづけすることができる。
In the submount of the present invention as described above, since the surface roughness Ra of the
(サンプルの作製と評価)
以下の手法により、表1および2で示す試料1から30を製造した。試料1から20が実施例に対応し、試料21から30が比較例に対応する。
(Sample preparation and evaluation)
Samples 1 to 30 shown in Tables 1 and 2 were manufactured by the following method. Samples 1 to 20 correspond to the examples, and samples 21 to 30 correspond to the comparative examples.
まず、基板として、縦×横×厚みが50mm×50mm×0.4mmの窒化アルミニウム焼結体を準備した。この窒化アルミニウム焼結体の表面を研磨して、主表面4fの粗さRaを表2で示す値とした。次に、フォトリソグラフィーを用いたリフトオフ法と真空蒸着により、厚みが0.1μmのTi膜5bと厚みが0.2μmのPt膜5aと厚みが0.6μmのAu膜6からなるメタライズ層を形成した。次に、試料10から12および27以外の試料に、厚みが0.2μmの白金からなるはんだバリア層7をメタルマスク法と真空蒸着でメタライズ層上に形成した。
First, an aluminum nitride sintered body having a length × width × thickness of 50 mm × 50 mm × 0.4 mm was prepared as a substrate. The surface of the aluminum nitride sintered body was polished, and the roughness Ra of the
その後、すべての試料に対し、厚みが3μmのはんだ層8をメタルマスク法と真空蒸着で形成した。はんだ層8の組成および蒸着の条件は表1に示した通りである。表1中の「はんだ組成」は、はんだ層8を構成する元素の質量比を示す。さらに、基板4を切断することにより、縦×横×厚みが1.2mm×1.5mm×0.3mmのサブマウントを、それぞれの試料1から30について、20個ずつ作製した。そして、それぞれの試料について、レーザーダイオード2をはんだづけするときに、検出手段200を用いた画像認識が成功した割合を調べた。その結果も表2に示されている。
Thereafter, a
表2中、「画像認識良品」とは、はんだ層8が溶融したと検出手段200が判断した場合に、実際にはんだ層8が溶融していた試料の数量割合をいう。この割合が1に近いほど、検出手段200が繰り返し実態に即しはんだ層8の溶融を検出できた確率が高いことを意味する。表2に示した結果より、本発明による半導体装置1(図1参照)を構成するサブマウント3においては、この確率を高めるためには、はんだ層8の表面8fの表面粗さRaは0.18μm以下であり、好ましくは、表面8fの表面粗さRaは0.15μm以下であり、さらに好ましくは、表面8fの表面粗さRaは0.10μm以下であることがわかる。さらに、同じ理由ではんだ層8を構成するはんだの平均粒径は、好ましくは3.5μm以下、さらに好ましくは2.0μm以下であること、さらに、基板4の主表面4fの表面粗さRaは、好ましくは0.10μm以下、さらに好ましくは0.05μm以下であることもわかる。
In Table 2, “image recognition non-defective product” refers to the quantity ratio of the sample in which the
(階調の具体的データ)
本発明の実施例である試料1について、検出手段200がサブマウント基板としての基板4、溶融前のはんだ層8およびAu膜6で反射した光の強度(照度)を測定した。その結果の一部を図3に示す。
(Specific data of gradation)
For the sample 1 which is an example of the present invention, the intensity (illuminance) of light reflected by the detection means 200 on the
図3の縦軸は、反射光の照度を256階調で示す。横軸は、サブマウント上での位置を示し、たとえば「4」、「8」および「6」は、それぞれ、図1および2の基板4、はんだ層8およびAu膜6での反射光の強度を示す。
The vertical axis in FIG. 3 indicates the illuminance of the reflected light in 256 gradations. The horizontal axis indicates the position on the submount. For example, “4”, “8”, and “6” indicate the intensity of the reflected light on the
図3より、本発明では、はんだ層8での反射光の強度が大きいため、検出手段200は、はんだ層8を溶融前の状態と認識しやすい。
From FIG. 3, in the present invention, since the intensity of the reflected light from the
また、比較例である試料21について、検出手段200が基板104、溶融前のはんだ108およびAu膜106で反射した光の強度(照度)を測定した。その結果の一部を図4に示す。
For the sample 21 as a comparative example, the intensity (illuminance) of light reflected by the detection means 200 on the
図4の縦軸は、反射光の照度を256階調で示す。横軸は、サブマウント上での位置を示し、たとえば「104」、「108」および「106」は、それぞれ、図5および図6の基板104、はんだ層108およびAu膜106での反射光の強度を示す。
The vertical axis in FIG. 4 indicates the illuminance of the reflected light in 256 gradations. The horizontal axis indicates the position on the submount. For example, “104”, “108”, and “106” indicate the reflected light on the
図4より、比較例の試料21では、はんだ層108での反射光の強度が小さいため、検出手段200は、はんだ層8を溶融前の状態と正常に認識することが困難である。
As shown in FIG. 4, in the sample 21 of the comparative example, since the intensity of the reflected light from the
このように、本発明によれば、検出手段を用いてはんだ層の溶融を認識することにより、半導体発光素子を確実に搭載することができる半導体装置を得ることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor device in which a semiconductor light emitting element can be reliably mounted by recognizing melting of the solder layer using the detecting means.
この発明に従ったサブマウントは、サブマウント基板と、サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層とを備える。このはんだ層の溶融前の表面粗さRaは0.18μm以下である。 The submount according to the present invention includes a submount substrate and a solder layer formed on the main surface of the submount substrate. The surface roughness Ra of the solder layer before melting is 0.18 μm or less.
このように構成されたサブマウントでは、溶融前のはんだ層の表面粗さRaが0.18μm以下と小さいため、はんだ層の表面での光の乱反射が少ない。このため、検出手段ではんだ層表面の色を画像認識する際に、層表面の状態変化に対し、より忠実に反応することができる。その結果、半導体発光素子が正常にはんだづけされる確率を高めることができる。好ましくは、はんだ層の表面粗さRaが0.15μm以下であり、さらに好ましくは、Raが0.10μm以下である。なお、はんだ層の表面粗さRaは、JISB0601で規定される方法で測定される。 In the submount configured as described above, since the surface roughness Ra of the solder layer before melting is as small as 0.18 μm or less, light irregular reflection on the surface of the solder layer is small. For this reason, when the color of the surface of the solder layer is recognized by the detection means, it is possible to react more faithfully to the state change of the layer surface. As a result, the probability that the semiconductor light emitting element is normally soldered can be increased. Preferably, the surface roughness Ra of the solder layer is 0.15 μm or less, and more preferably, Ra is 0.10 μm or less. Note that the surface roughness Ra of the solder layer is measured by a method defined in JIS B0601.
好ましくは、溶融前のはんだ層に含まれるはんだの平均粒径が3.5μm以下であり、さらに好ましくは、2μm以下である。この場合、はんだの平均粒径が小さくなるため、はんだ層の表面で、光の乱反射をさらに防止することができる。 Preferably, the average particle size of the solder contained in the solder layer before melting is 3.5 μm or less, more preferably 2 μm or less. In this case, since the average particle diameter of the solder becomes small, it is possible to further prevent the light from being irregularly reflected on the surface of the solder layer.
好ましくは、サブマウント基板の主表面の表面粗さRaは0.10μm以下、さらに好ましくは0.05μm以下である。基板の表面粗さRaが小さい程、基板の凹凸がはんだ層に転写されて、はんだ層の表面粗さRaが大きくなることを抑制することができる。その結果、はんだ層の表面での光の乱反射をより一層少なくすることができる。 Preferably, the surface roughness Ra of the main surface of the submount substrate is 0.10 μm or less, more preferably 0.05 μm or less. As the surface roughness Ra of the substrate is smaller, the unevenness of the substrate is transferred to the solder layer, and the surface roughness Ra of the solder layer can be suppressed from increasing. As a result, irregular reflection of light on the surface of the solder layer can be further reduced.
また、サブマウント基板とはんだ層との間に形成されたはんだバリア層をさらに備えていてもよい。 Moreover, you may further provide the solder barrier layer formed between the submount board | substrate and the solder layer.
また、サブマウント基板とはんだバリア層との間に形成された電極層をさらに備えていてもよい。この場合、電極層を、はんだ層の下地膜として利用することもできる。 Further, an electrode layer formed between the submount substrate and the solder barrier layer may be further provided. In this case, the electrode layer can also be used as a base film for the solder layer.
また、サブマウント基板とはんだバリア層との間において、サブマウント基板の表面に接触するように形成された密着層と、密着層上に形成された拡散防止層とを備えていてもよい。この場合、電極層は拡散防止層上に配置されている。 Further, an adhesion layer formed so as to be in contact with the surface of the submount substrate and a diffusion prevention layer formed on the adhesion layer may be provided between the submount substrate and the solder barrier layer. In this case, the electrode layer is disposed on the diffusion preventing layer.
また、密着層はチタンを含み、拡散防止層は白金を含み、電極層は金を含み、はんだバリア層は白金を含み、はんだ層は金錫系はんだを含む構成としてもよい。 The adhesion layer may include titanium, the diffusion prevention layer may include platinum, the electrode layer may include gold, the solder barrier layer may include platinum, and the solder layer may include gold-tin solder.
好ましくは、サブマウント基板は窒化アルミニウム焼結体を含む。この場合、窒化アルミニウムは熱伝導率が高いため、放熱特性の優れたサブマウントを得ることができる。 Preferably, the submount substrate includes an aluminum nitride sintered body. In this case, since aluminum nitride has a high thermal conductivity, a submount having excellent heat dissipation characteristics can be obtained.
この発明に従った半導体装置は、上述のいずれかのサブマウントと、はんだ層上に搭載された半導体発光素子を備える。このような半導体装置では、正常なはんだ層の状態でタイミングよくサブマウント上に半導体発光素子を搭載することができる。 A semiconductor device according to the present invention includes any of the above-described submounts and a semiconductor light emitting element mounted on a solder layer. In such a semiconductor device, the semiconductor light emitting element can be mounted on the submount in a normal solder layer state with good timing.
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is shown not by the embodiments and examples described above but by the scope of claims for patent, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.
1 半導体装置、2 レーザーダイオード、3 サブマウント、4 基板、4f 主表面、5 Ti/Pt積層膜、5a Pt膜、5b Ti膜、6 Au膜、7 はんだバリア層、8 はんだ層、8f 表面。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device, 2 Laser diode, 3 Submount, 4 Substrate, 4f Main surface, 5 Ti / Pt laminated film, 5a Pt film, 5b Ti film, 6 Au film, 7 Solder barrier layer, 8 Solder layer, 8f Surface.
Claims (11)
前記サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層とを備え、
溶融前の前記はんだ層の、表面粗さRaは0.18μm以下、膜厚が0.1μm以上10μm以下であり、
前記サブマウント基板の主表面の、平面度が5μm以下、表面粗さRaが0.10μm以下である、サブマウント。 A submount substrate,
A solder layer formed on the main surface of the submount substrate,
The surface roughness Ra of the solder layer before melting is 0.18 μm or less, and the film thickness is 0.1 μm or more and 10 μm or less,
A submount in which the main surface of the submount substrate has a flatness of 5 μm or less and a surface roughness Ra of 0.10 μm or less.
前記密着層上に形成された拡散防止層とをさらに備え、
前記電極層は前記拡散防止層上に配置されている、請求項7に記載のサブマウント。 An adhesion layer formed between the submount substrate and the solder barrier layer so as to be in contact with the main surface of the submount substrate;
Further comprising a diffusion prevention layer formed on the adhesion layer,
The submount according to claim 7, wherein the electrode layer is disposed on the diffusion prevention layer.
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