JP2022010816A - 積層体 - Google Patents
積層体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022010816A JP2022010816A JP2020111570A JP2020111570A JP2022010816A JP 2022010816 A JP2022010816 A JP 2022010816A JP 2020111570 A JP2020111570 A JP 2020111570A JP 2020111570 A JP2020111570 A JP 2020111570A JP 2022010816 A JP2022010816 A JP 2022010816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal particle
- containing layer
- base material
- metal
- material sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 140
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 134
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 27
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 8
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- -1 fluororesin Substances 0.000 description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 18
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 17
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 17
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 10
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N Geraniol Chemical compound CC(C)=CCCC(C)=CCO GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 4
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 3-(5,6,6-Trimethylbicyclo[2.2.1]hept-1-yl)cyclohexanol Chemical compound CC1(C)C(C)C2CC1CC2C1CCCC(O)C1 BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 3
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVONGHXFVOKBV-UHFFFAOYSA-N Carveol Chemical compound CC(=C)C1CC=C(C)C(O)C1 BAVONGHXFVOKBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 150000004651 carbonic acid esters Chemical group 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N citronellol Chemical compound OCCC(C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAVONGHXFVOKBV-ZJUUUORDSA-N (-)-trans-carveol Natural products CC(=C)[C@@H]1CC=C(C)[C@@H](O)C1 BAVONGHXFVOKBV-ZJUUUORDSA-N 0.000 description 1
- QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N (R)-(+)-citronellol Natural products OCC[C@H](C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-yl acetate Chemical compound COCC(C)OCC(C)OC(C)=O LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005968 1-Decanol Substances 0.000 description 1
- HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOC HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOC SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OC RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJRJDENLRJHEJO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylpentane-1,5-diol Chemical compound CCC(CO)CC(CC)CO OJRJDENLRJHEJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTVLEKBQSDTQGO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)CO MTVLEKBQSDTQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJBIZCOYFBKBIM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]propane Chemical compound COCCOCCOC(C)C RJBIZCOYFBKBIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTIFIMHZHDNQZ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylpropoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CC(C)COCCOCCO YJTIFIMHZHDNQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CC(C)CS(O)(=O)=O AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=C(OC(=O)C=C)C=CC2=C1 YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000005792 Geraniol Substances 0.000 description 1
- GLZPCOQZEFWAFX-YFHOEESVSA-N Geraniol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C/CO GLZPCOQZEFWAFX-YFHOEESVSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N Nerol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C\CO GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O Chemical compound OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical group CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N beta-citronellol Natural products OCCC(C)CCCC(C)=C JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical group C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229930007646 carveol Natural products 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 235000000484 citronellol Nutrition 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229940113087 geraniol Drugs 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229920000092 linear low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004707 linear low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001179 medium density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004701 medium-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N oxopalladium Chemical compound [Pd]=O HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N prop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC=C UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAYRWMCIKCRHIN-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CCCS(O)(=O)=O AAYRWMCIKCRHIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001862 ultra low molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J9/00—Working-up of macromolecular substances to porous or cellular articles or materials; After-treatment thereof
- C08J9/36—After-treatment
- C08J9/365—Coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
- B32B5/16—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer formed of particles, e.g. chips, powder or granules
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/04—Coating
- C08J7/0427—Coating with only one layer of a composition containing a polymer binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2250/00—Layers arrangement
- B32B2250/02—2 layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/20—Inorganic coating
- B32B2255/205—Metallic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/02—Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
- B32B2260/025—Particulate layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/04—Impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/046—Synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/10—Inorganic particles
- B32B2264/102—Oxide or hydroxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/10—Inorganic particles
- B32B2264/105—Metal
- B32B2264/1051—Silver or gold
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/10—Inorganic particles
- B32B2264/105—Metal
- B32B2264/1055—Copper or nickel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/202—Conductive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
- B32B2307/51—Elastic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
- B32B2307/536—Hardness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/14—Semiconductor wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2323/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
- C08J2323/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
- C08J2323/04—Homopolymers or copolymers of ethene
- C08J2323/06—Polyethene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
- C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
- C08J2327/18—Homopolymers or copolymers of tetrafluoroethylene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2367/00—Characterised by the use of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Derivatives of such polymers
- C08J2367/02—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2469/00—Characterised by the use of polycarbonates; Derivatives of polycarbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
- C08K2003/0806—Silver
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/27001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
- H01L2224/27003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the layer preform
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83986—Specific sequence of steps, e.g. repetition of manufacturing steps, time sequence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、転写性に優れた積層体を提供する。【解決手段】本発明は、基材シートと、該基材シートに積層され、且つ、金属粒子を含有する金属粒子含有層とを備えており、前記基材シートは、前記金属粒子含有層に接する接触面を有し、ナノインデンテーション法で前記接触面を測定することによって求められる前記基材シートの23℃でのヤング率が0.01~10GPaである、積層体である。【選択図】 図1
Description
本発明は、積層体に関する。
従来、半導体装置の製造において、半導体チップ(以下「ダイ」ともいう。)をリードフレーム等に接着するのに、金属粒子を含むペースト状組成物が用いられている(例えば、特許文献1、2)。
また、前記ペースト状組成物から膜を形成し、該膜の一部をダイに転写させ、該膜を介してダイをリードフレーム等に接着させる方法が知られている(例えば、特許文献3)。
また、前記ペースト状組成物から膜を形成し、該膜の一部をダイに転写させ、該膜を介してダイをリードフレーム等に接着させる方法が知られている(例えば、特許文献3)。
しかしながら、前記膜が十分に被着体(ダイ等)に転写されず、被着体とリードフレーム等とを十分に接着させることができないことがある。
そこで、本発明は、上記問題点に鑑み、転写性に優れた積層体を提供することを課題とする。
本発明に係る積層体は、基材シートと、該基材シートに積層され、且つ、金属粒子を含有する金属粒子含有層とを備えており、
前記基材シートは、前記金属粒子含有層に接する接触面を有し、
ナノインデンテーション法で前記接触面を測定することによって求められる前記基材シートの23℃でのヤング率が0.01~10GPaである。
前記基材シートは、前記金属粒子含有層に接する接触面を有し、
ナノインデンテーション法で前記接触面を測定することによって求められる前記基材シートの23℃でのヤング率が0.01~10GPaである。
前記基材シートは、前記ヤング率が0.01~10GPaであることにより、ほどよいクッション性を有する。
その結果、前記金属粒子含有層に被着体を押し付けた際に、前記基材シートのほどよいクッション性により、前記金属粒子含有層の一部が十分に前記被着体に転写され得る。
従って、斯かる積層体は、転写性に優れ得る。
その結果、前記金属粒子含有層に被着体を押し付けた際に、前記基材シートのほどよいクッション性により、前記金属粒子含有層の一部が十分に前記被着体に転写され得る。
従って、斯かる積層体は、転写性に優れ得る。
以上のように、本発明によれば、転写性に優れた積層体を提供し得る。
以下、添付図面を参照しつつ、本実施形態に係る積層体の金属粒子含有層が、焼結性層であり、且つ、被着体に焼結により接着されて用いられる層である場合を例に挙げて、本発明の一実施形態について説明する。
図1に示すように、本実施形態に係る積層体1は、基材シート3と、該基材シート3に積層され、且つ、金属粒子を含有する金属粒子含有層2とを備える。
前記基材シート3は、樹脂が含有された樹脂層31となっている。
また、前記基材シート3は、前記金属粒子含有層2に接する接触面3aを有する。具体的には、前記樹脂層31は、前記金属粒子含有層2に接する接触面3aを有する。
前記基材シート3は、樹脂が含有された樹脂層31となっている。
また、前記基材シート3は、前記金属粒子含有層2に接する接触面3aを有する。具体的には、前記樹脂層31は、前記金属粒子含有層2に接する接触面3aを有する。
前記金属粒子含有層2は、前記基材シート3から剥離可能な状態で該基材シート3に積層されている。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2の一部が前記基材シート3に向けて押圧されることによって切り離されて用いられ、切り離された前記一部が前記基材シート3から剥離されて被着体(例えば、ダイ等)に接着される。
より具体的には、本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2の一部を前記基材シート3に向けて押圧する押圧部材によって前記金属粒子含有層2が押圧されて前記金属粒子含有層2の一部が切り離されて用いられ、切り離された前記一部が前記基材シート3から剥離されて被着体(例えば、ダイ等)に接着される。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2の一部が前記基材シート3に向けて押圧されることによって切り離されて用いられ、切り離された前記一部が前記基材シート3から剥離されて被着体(例えば、ダイ等)に接着される。
より具体的には、本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2の一部を前記基材シート3に向けて押圧する押圧部材によって前記金属粒子含有層2が押圧されて前記金属粒子含有層2の一部が切り離されて用いられ、切り離された前記一部が前記基材シート3から剥離されて被着体(例えば、ダイ等)に接着される。
前記樹脂層31に含まれる樹脂としては、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド樹脂、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
また、前記樹脂は、アイオノマー樹脂となっていてもよい。
前記ポリオレフィン樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体等が挙げられる。
前記ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等が挙げられる。
前記ポリアミド樹脂としては、例えば、全芳香族ポリアミド(アラミド)等が挙げられる。
前記フッ素樹脂としては、ポリテトラフロオロエチレン(PTFE)等が挙げられる。
また、前記樹脂は、アイオノマー樹脂となっていてもよい。
前記ポリオレフィン樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体等が挙げられる。
前記ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等が挙げられる。
前記ポリアミド樹脂としては、例えば、全芳香族ポリアミド(アラミド)等が挙げられる。
前記フッ素樹脂としては、ポリテトラフロオロエチレン(PTFE)等が挙げられる。
前記樹脂層31は、フィルムで形成されていてもよい。
前記フィルムは、一軸延伸フィルムであってもよく、また、二軸延伸フィルムであってもよい。
前記樹脂層31は、多孔質体となっていてもよい。
前記フィルムは、一軸延伸フィルムであってもよく、また、二軸延伸フィルムであってもよい。
前記樹脂層31は、多孔質体となっていてもよい。
ナノインデンテーション法で前記接触面3aを測定することによって求められる前記基材シート3の23℃でのヤング率は、0.01~10GPaであることが重要であり、0.02~8GPaが好ましく、0.1~5GPaがより好ましく、0.3~3.4GPaが特に好ましい。
本実施形態に係る積層体1は、前記ヤング率が、10GPa以下であることにより、前記金属粒子含有層2に被着体(例えば、ダイ等)を押し付けた際に、被着体と接する金属粒子含有層2の部分全体に力がかかりやすくなり、その結果、前記金属粒子含有層2が十分に前記被着体に転写され得るという利点を有する。
また、本実施形態に係る積層体1は、前記ヤング率が0.01GPa以上であることにより、前記金属粒子含有層2に被着体を押し付けた際に、被着体を押し付けた方向に十分に力がかかりやすくなり、その結果、前記金属粒子含有層2が十分に前記被着体に転写され得るという利点を有する。
本実施形態に係る積層体1は、前記ヤング率が、10GPa以下であることにより、前記金属粒子含有層2に被着体(例えば、ダイ等)を押し付けた際に、被着体と接する金属粒子含有層2の部分全体に力がかかりやすくなり、その結果、前記金属粒子含有層2が十分に前記被着体に転写され得るという利点を有する。
また、本実施形態に係る積層体1は、前記ヤング率が0.01GPa以上であることにより、前記金属粒子含有層2に被着体を押し付けた際に、被着体を押し付けた方向に十分に力がかかりやすくなり、その結果、前記金属粒子含有層2が十分に前記被着体に転写され得るという利点を有する。
なお、前記ヤング率は、ISO14577(計装化押し込み試験)のナノインデンテーション法によって求めることができる。
具体的には、微小硬度計(島津製作所社製、DUH-211)を用いて、以下の条件で測定できる。
圧子:Berkovich圧子
試験モード:負荷-除荷試験
試験力:0.98mN
最小試験力:0.002mN
負荷、除荷速度:1.0mN/秒
負荷保持時間:5.0秒
除荷保持時間:5.0秒
Cf-Ap補正あり
具体的には、微小硬度計(島津製作所社製、DUH-211)を用いて、以下の条件で測定できる。
圧子:Berkovich圧子
試験モード:負荷-除荷試験
試験力:0.98mN
最小試験力:0.002mN
負荷、除荷速度:1.0mN/秒
負荷保持時間:5.0秒
除荷保持時間:5.0秒
Cf-Ap補正あり
なお、ナノインデンテーション法とは、試料の諸物性をナノメートルスケールで測る方法である。ナノインデンテーション法では、ステージ上にセットされた試料に圧子を押し込む過程(荷重印加過程)とそれより後に試料から圧子を引き抜く過程(除荷過程)とが少なくとも実施されて、一連の過程中、圧子-試料間に作用する荷重と、試料に対する圧子の相対変位とが測定される。その結果、荷重-変位曲線が得られる。この荷重-変位曲線から、ナノメートルスケール測定に基づく試料の物性(硬さ、弾性率、粘着力等)を求めることができる。
前記樹脂層31の合計の厚みは、好ましくは10~5000μm、より好ましくは20~4000μm、更に好ましくは30~3000μmである。
本実施形態に係る積層体1は、前記樹脂層31の合計の厚みが10μm以上であることにより、取り扱い性に優れるという利点を有する。
また、本実施形態に係る積層体1は、前記樹脂層31の合計の厚みが5000μm以下であることにより、材料費を低く抑えられるという利点を有する。
本実施形態に係る積層体1は、前記樹脂層31の合計の厚みが10μm以上であることにより、取り扱い性に優れるという利点を有する。
また、本実施形態に係る積層体1は、前記樹脂層31の合計の厚みが5000μm以下であることにより、材料費を低く抑えられるという利点を有する。
なお、本実施形態において、層の厚みは、ダイヤルゲージにより測定することができる。
前記金属粒子含有層2は、金属粒子、及び、バインダーを含む。また、前記金属粒子含有層2は、可塑剤などを含んでもよい。
前記バインダーは、高分子バインダーと、高分子以外のバインダー(以下、「低分子バインダー」ともいう。)とを有する。
また、前記金属粒子含有層2は、焼結性層である。
前記焼結性層は、加熱によって焼結できる層である。
前記バインダーは、高分子バインダーと、高分子以外のバインダー(以下、「低分子バインダー」ともいう。)とを有する。
また、前記金属粒子含有層2は、焼結性層である。
前記焼結性層は、加熱によって焼結できる層である。
前記金属粒子は、焼結性金属粒子である。
また、前記金属粒子は、導電性金属粒子である。前記金属粒子含有層2は、一面側と他面側とがそれぞれ被着体に接着される接着面となっており、該被着体どうしを電気的に接続すべく用いられる。
また、前記金属粒子は、導電性金属粒子である。前記金属粒子含有層2は、一面側と他面側とがそれぞれ被着体に接着される接着面となっており、該被着体どうしを電気的に接続すべく用いられる。
前記金属粒子としては、金、銀、銅、パラジウム、スズ、ニッケル、及び、これらの合金などが挙げられる。
また、前記金属粒子としては、金属酸化物も挙げられる。該金属酸化物としては、酸化銀、酸化銅、酸化パラジウム、酸化スズ等が挙げられる。
前記金属粒子は、コアシェル構造を有する粒子であってもよい。前記コアシェル構造を有する粒子としては、例えば、銅で形成されたコアと、該コアを被覆し、金、銀などで形成されたシェルとを含む粒子などが挙げられる。
前記金属粒子含有層2が焼結後において被着体に強固に接着される焼結層となり得るという観点から、前記金属粒子は、銀、銅、酸化銀、及び、酸化銅からなる群より選択される少なくとも1種の金属を含むことが好ましい。
また、前記金属粒子含有層2が焼結後において導電性及び熱伝導性に優れ得るという観点から、前記金属粒子は、銀、及び、銅からなる群より選択される少なくとも1種の金属を含むことが好ましい。
また、耐酸化性の観点から、前記金属粒子は、銀粒子を含むことが好ましい。空気雰囲気下で焼結させても銀粒子は酸化され難い。
前記金属粒子は、1次粒子として、又は、1次粒子が複数凝集した2次粒子となって前記金属粒子含有層2に含まれている。
また、前記金属粒子としては、金属酸化物も挙げられる。該金属酸化物としては、酸化銀、酸化銅、酸化パラジウム、酸化スズ等が挙げられる。
前記金属粒子は、コアシェル構造を有する粒子であってもよい。前記コアシェル構造を有する粒子としては、例えば、銅で形成されたコアと、該コアを被覆し、金、銀などで形成されたシェルとを含む粒子などが挙げられる。
前記金属粒子含有層2が焼結後において被着体に強固に接着される焼結層となり得るという観点から、前記金属粒子は、銀、銅、酸化銀、及び、酸化銅からなる群より選択される少なくとも1種の金属を含むことが好ましい。
また、前記金属粒子含有層2が焼結後において導電性及び熱伝導性に優れ得るという観点から、前記金属粒子は、銀、及び、銅からなる群より選択される少なくとも1種の金属を含むことが好ましい。
また、耐酸化性の観点から、前記金属粒子は、銀粒子を含むことが好ましい。空気雰囲気下で焼結させても銀粒子は酸化され難い。
前記金属粒子は、1次粒子として、又は、1次粒子が複数凝集した2次粒子となって前記金属粒子含有層2に含まれている。
前記金属粒子含有層2の表面の平坦性を確保しやすくなるという観点から、前記金属粒子の体積基準のメジアン径(D50)は、好ましくは10000nm以下、より好ましくは3000nm以下、更により好ましくは1000nm以下、特により好ましくは500nm以下である。
また、前記金属粒子含有層2において金属粒子の分散性を高めるという観点から、前記金属粒子の体積基準のメジアン径(D50)は、好ましくは1nm以上、より好ましくは10nm以上、更により好ましくは50nm以上である。
なお、前記金属粒子の体積基準のメジアン径(D50)は、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて求める。
すなわち、走査型電子顕微鏡(SEM)で一方向から見た各金属粒子の面積を求める。
次に、各金属粒子が真球であると仮定して各金属粒子の直径及び体積を求める。なお、金属粒子が2次粒子となっている場合には、2次粒子の直径及び体積を求める。
そして、各金属粒子の直径及び体積のデータから、体積基準の粒度分布を求め、この体積基準の粒度分布から、金属粒子の体積基準のメジアン径(D50)を求める。
また、前記金属粒子含有層2において金属粒子の分散性を高めるという観点から、前記金属粒子の体積基準のメジアン径(D50)は、好ましくは1nm以上、より好ましくは10nm以上、更により好ましくは50nm以上である。
なお、前記金属粒子の体積基準のメジアン径(D50)は、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて求める。
すなわち、走査型電子顕微鏡(SEM)で一方向から見た各金属粒子の面積を求める。
次に、各金属粒子が真球であると仮定して各金属粒子の直径及び体積を求める。なお、金属粒子が2次粒子となっている場合には、2次粒子の直径及び体積を求める。
そして、各金属粒子の直径及び体積のデータから、体積基準の粒度分布を求め、この体積基準の粒度分布から、金属粒子の体積基準のメジアン径(D50)を求める。
前記高分子バインダーは、好ましくは、熱分解性高分子バインダーである。
前記熱分解性高分子バインダーは、焼結温度で熱分解されるバインダーである。また、前記熱分解性高分子バインダーは、焼結するまでにおいて、金属粒子含有層2の形状を保持する要素である。
本実施形態では、金属粒子含有層2の形状を保持しやすくなるという観点から、前記熱分解性高分子バインダーは、常温(23℃)で固形であることが好ましい。斯かる熱分解性高分子バインダーとしては、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
前記熱分解性高分子バインダーは、焼結温度で熱分解されるバインダーである。また、前記熱分解性高分子バインダーは、焼結するまでにおいて、金属粒子含有層2の形状を保持する要素である。
本実施形態では、金属粒子含有層2の形状を保持しやすくなるという観点から、前記熱分解性高分子バインダーは、常温(23℃)で固形であることが好ましい。斯かる熱分解性高分子バインダーとしては、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
前記ポリカーボネート樹脂としては、例えば、脂肪族ポリカーボネート、芳香族ポリカーボネート等が挙げられる。
前記芳香族ポリカーボネートは、主鎖の炭酸エステル基(-O-CO-O-)間にベンゼン環を含む。
前記脂肪族ポリカーボネートは、主鎖の炭酸エステル基(-O-CO-O-)間にベンゼン環を含まずに脂肪族鎖を含む。
前記脂肪族ポリカーボネートとしては、例えば、ポリエチレンカーボネートおよびポリプロピレンカーボネートが挙げられる。
前記芳香族ポリカーボネートとしては、主鎖にビスフェノールA構造を含むポリカーボネート等が挙げられる。
前記芳香族ポリカーボネートは、主鎖の炭酸エステル基(-O-CO-O-)間にベンゼン環を含む。
前記脂肪族ポリカーボネートは、主鎖の炭酸エステル基(-O-CO-O-)間にベンゼン環を含まずに脂肪族鎖を含む。
前記脂肪族ポリカーボネートとしては、例えば、ポリエチレンカーボネートおよびポリプロピレンカーボネートが挙げられる。
前記芳香族ポリカーボネートとしては、主鎖にビスフェノールA構造を含むポリカーボネート等が挙げられる。
前記アクリル樹脂は、構成単位として、(メタ)アクリル酸エステルを含む。
前記(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、炭素数4~18の直鎖状又は分岐状のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。
該アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、およびオクタデシル基が挙げられる。
前記(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、炭素数4~18の直鎖状又は分岐状のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。
該アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、およびオクタデシル基が挙げられる。
前記アクリル樹脂は、構成単位として、(メタ)アクリル酸エステル以外のモノマーを含んでもよい。
(メタ)アクリル酸エステル以外のモノマーとしては、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー等が挙げられる。
(メタ)アクリル酸エステル以外のモノマーとしては、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー等が挙げられる。
前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。
前記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。
前記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリル、(メタ)アクリル酸4-(ヒドロキシメチル)シクロヘキシルメチル等が挙げられる。
前記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。
上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。
前記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。
前記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリル、(メタ)アクリル酸4-(ヒドロキシメチル)シクロヘキシルメチル等が挙げられる。
前記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。
上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。
なお、本実施形態において、「(メタ)アクリル」とは、アクリル、及び、メタアクリルを含む概念である。
また、「(メタ)アクリレート」とは、アクリレート、及び、メタクリレートを含む概念である。
また、「(メタ)アクリレート」とは、アクリレート、及び、メタクリレートを含む概念である。
前記高分子バインダーの重量平均分子量は、好ましくは10000以上である。
なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定し、ポリスチレン換算したものを意味する。
例えば、重量平均分子量は、装置として東ソー社製のGPC「HLC-8320GPC」を用い、カラムとして東ソー社製のカラム「TSK guardcolumn HHR(S)」と、東ソー社製のカラム「TSK GMHHR-H(S)」と、東ソー社製のカラム「TSK GMHHR-H(S)」との合計3本のカラムを直列に繋いだものを用い、リファレンスカラムとして「TSK gel SuperH-RC」を用い、溶離液としてテトラヒドロフランを用い、カラム温度40℃、流量0.5ml/分にてGPC測定を行なった結果から計算して、ポリスチレン換算の値として求めることができる。
なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定し、ポリスチレン換算したものを意味する。
例えば、重量平均分子量は、装置として東ソー社製のGPC「HLC-8320GPC」を用い、カラムとして東ソー社製のカラム「TSK guardcolumn HHR(S)」と、東ソー社製のカラム「TSK GMHHR-H(S)」と、東ソー社製のカラム「TSK GMHHR-H(S)」との合計3本のカラムを直列に繋いだものを用い、リファレンスカラムとして「TSK gel SuperH-RC」を用い、溶離液としてテトラヒドロフランを用い、カラム温度40℃、流量0.5ml/分にてGPC測定を行なった結果から計算して、ポリスチレン換算の値として求めることができる。
前記低分子バインダーは、熱分解性高分子バインダーの熱分解開始温度よりも沸点が低い低沸点バインダーを含むことが好ましい。
また、低分子バインダーは、23℃で液状または半液状であることが好ましい。
さらに、低分子バインダーは、23℃での粘度が1×105Pa・s以下を示すものであることが好ましい。
なお、前記粘度は、動的粘弾性測定装置(商品名「HAAKE MARS III」、Thermo Fisher Scientfic社製)で測定することができる。この測定では、治具として20mmφのパラレルプレートを使用し、プレート間ギャップを100μmとし、回転せん断におけるせん断速度を1s-1とする。
また、低分子バインダーは、23℃で液状または半液状であることが好ましい。
さらに、低分子バインダーは、23℃での粘度が1×105Pa・s以下を示すものであることが好ましい。
なお、前記粘度は、動的粘弾性測定装置(商品名「HAAKE MARS III」、Thermo Fisher Scientfic社製)で測定することができる。この測定では、治具として20mmφのパラレルプレートを使用し、プレート間ギャップを100μmとし、回転せん断におけるせん断速度を1s-1とする。
前記低分子バインダーとしては、例えば、アルコール類、エーテル類等が挙げられる。
前記アルコール類としては、テルペンアルコール類が挙げられる。
前記テルペンアルコール類としては、例えば、イソボルニルシクロヘキサノール、シトロネロール、ゲラニオール、ネロール、カルベオール、α-テルピネオール等が挙げられる。
テルペンアルコール類以外のアルコール類としては、例えば、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、1-デカノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、および2,4-ジエチル-1,5ペンタンジオールが挙げられる。
前記エーテル類としては、例えば、アルキレングリコールアルキルエーテル類が挙げられる。
前記アルキレングリコールアルキルエーテル類としては、例えば、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールイソブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。
前記アルキレングリコールアルキルエーテル類以外のエーテル類としては、例えば、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート等が挙げられる。
前記アルコール類としては、テルペンアルコール類が挙げられる。
前記テルペンアルコール類としては、例えば、イソボルニルシクロヘキサノール、シトロネロール、ゲラニオール、ネロール、カルベオール、α-テルピネオール等が挙げられる。
テルペンアルコール類以外のアルコール類としては、例えば、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、1-デカノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、および2,4-ジエチル-1,5ペンタンジオールが挙げられる。
前記エーテル類としては、例えば、アルキレングリコールアルキルエーテル類が挙げられる。
前記アルキレングリコールアルキルエーテル類としては、例えば、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールイソブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。
前記アルキレングリコールアルキルエーテル類以外のエーテル類としては、例えば、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート等が挙げられる。
前記低分子バインダーは、常温での安定性という観点から、好ましくはテルペンアルコール類であり、より好ましくはイソボルニルシクロヘキサノールである。
前記金属粒子含有層2における金属粒子の含有割合は、好ましくは85~97質量%、より好ましくは88~96質量%である。
前記金属粒子含有層2は、金属粒子を85質量%以上含有することにより、焼結後に導電性を十分に発揮しやすくなるという利点を有する。
また、前記金属粒子含有層2は、金属粒子を97質量%以下含有することにより、金属粒子含有層2の形状を保持しやすくなるという利点を有する。
前記金属粒子含有層2は、金属粒子を85質量%以上含有することにより、焼結後に導電性を十分に発揮しやすくなるという利点を有する。
また、前記金属粒子含有層2は、金属粒子を97質量%以下含有することにより、金属粒子含有層2の形状を保持しやすくなるという利点を有する。
前記金属粒子含有層2における高分子バインダーの含有割合は、好ましくは0.1~10質量%、より好ましくは0.5~5質量%である。
前記金属粒子含有層2は、高分子バインダーを0.1質量%以上含有することにより、金属粒子含有層2の形状を保持しやすくなるという利点を有する。
また、前記金属粒子含有層2は、高分子バインダーを10質量%以下含有することにより、焼結後において高分子バインダー由来の残渣成分を低減することができるという利点を有する。
前記金属粒子含有層2は、高分子バインダーを0.1質量%以上含有することにより、金属粒子含有層2の形状を保持しやすくなるという利点を有する。
また、前記金属粒子含有層2は、高分子バインダーを10質量%以下含有することにより、焼結後において高分子バインダー由来の残渣成分を低減することができるという利点を有する。
前記金属粒子含有層2における低分子バインダーの含有割合は、好ましくは1~20質量%、より好ましくは2~15質量%である。
前記金属粒子含有層2は、低分子バインダーを1質量%以上含有することにより、被着体への転写性に優れるという利点を有する。
また、前記金属粒子含有層2は、低分子バインダーを20質量%以下含有することにより、焼結後において低分子バインダー由来の残渣成分を低減することができるという利点を有する。
前記金属粒子含有層2は、低分子バインダーを1質量%以上含有することにより、被着体への転写性に優れるという利点を有する。
また、前記金属粒子含有層2は、低分子バインダーを20質量%以下含有することにより、焼結後において低分子バインダー由来の残渣成分を低減することができるという利点を有する。
前記金属粒子含有層2の厚みは、好ましくは5μm以上、より好ましくは10μm以上である。
また、前記金属粒子含有層2の厚みは、好ましくは300μm以下、より好ましくは150μm以下である。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2の厚みが5μm以上であることにより、金属粒子含有層2の表面をフラットにすることができるという利点を有する。
また、本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2の厚みが300μm以下であることにより、取り扱い時の割れを抑制できるという利点を有する。
また、前記金属粒子含有層2の厚みは、好ましくは300μm以下、より好ましくは150μm以下である。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2の厚みが5μm以上であることにより、金属粒子含有層2の表面をフラットにすることができるという利点を有する。
また、本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2の厚みが300μm以下であることにより、取り扱い時の割れを抑制できるという利点を有する。
前記金属粒子含有層2は、23℃でのせん断破壊強度が、好ましく2~40MPa、より好ましくは2~35MPa、更により好ましくは2~32MPaである。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における23℃でのせん断破壊強度が2MPa以上であることにより、金属粒子含有層2の形状を保持しやすくなるという利点を有する。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における23℃でのせん断破壊強度が40MPa以下であることにより、被着体への転写時において裁断性に優れるという利点を有する。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における23℃でのせん断破壊強度が2MPa以上であることにより、金属粒子含有層2の形状を保持しやすくなるという利点を有する。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における23℃でのせん断破壊強度が40MPa以下であることにより、被着体への転写時において裁断性に優れるという利点を有する。
前記金属粒子含有層2は、100℃でのせん断破壊強度が、好ましく20MPa以下、より好ましくは9MPa以下、更により好ましくは7MPa以下である。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における100℃でのせん断破壊強度が20MPa以下であることにより、被着体への転写時において裁断性に優れるという利点を有する。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における100℃でのせん断破壊強度が20MPa以下であることにより、被着体への転写時において裁断性に優れるという利点を有する。
なお、せん断破壊強度は、SAICAS法により求めることができる。
例えば、せん断破壊強度は、ダイプラ・ウィンテス株式会社製の装置であるSAICAS(Surface And Interfacial Cutting Analysis System)を用いて求めることができる。
具体的には、切刃(刃幅:1mm、すくい角:10°、逃げ角:10°)を用いて、金属粒子含有層2の面に対して平行な方向に10μm/秒の速度で、且つ、金属粒子含有層2の面に対して垂直な方向に0.5μm/秒の速度で、金属粒子含有層2を切削した際のせん断強度を求め、せん断強度をせん断破壊強度とする。
例えば、せん断破壊強度は、ダイプラ・ウィンテス株式会社製の装置であるSAICAS(Surface And Interfacial Cutting Analysis System)を用いて求めることができる。
具体的には、切刃(刃幅:1mm、すくい角:10°、逃げ角:10°)を用いて、金属粒子含有層2の面に対して平行な方向に10μm/秒の速度で、且つ、金属粒子含有層2の面に対して垂直な方向に0.5μm/秒の速度で、金属粒子含有層2を切削した際のせん断強度を求め、せん断強度をせん断破壊強度とする。
前記せん断破壊強度は、例えば、高分子バインダーの配合割合及び低分子バインダーの配合割合の少なくとも何れか一方の配合割合等を調整したり、高分子バインダーの粘弾性を調整したりすることで、調整することができる。
前記金属粒子含有層2は、23℃でのナノインデンテーション法による荷重-変位測定における除荷過程で達する最小荷重が、好ましくは30~100μN、より好ましくは32~80μN、更により好ましくは35~75μNである。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における23℃での前記最小荷重が30μN以上であることにより、金属粒子含有層2が被着体に密着しやすくなるという利点を有する。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における23℃での前記最小荷重が100μN以下であることにより、前記金属粒子含有層2を剥離基材で覆う場合に、必要時に前記金属粒子含有層2から当該剥離基材を剥離しやすくなるという利点を有する。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における23℃での前記最小荷重が30μN以上であることにより、金属粒子含有層2が被着体に密着しやすくなるという利点を有する。
本実施形態に係る積層体1は、前記金属粒子含有層2における23℃での前記最小荷重が100μN以下であることにより、前記金属粒子含有層2を剥離基材で覆う場合に、必要時に前記金属粒子含有層2から当該剥離基材を剥離しやすくなるという利点を有する。
前記ナノインデンテーション法は、ISO14577(計装化押し込み試験)のナノインデンテーション法である。
なお、ナノインデンテーション法による荷重-変位測定は、ナノインデンター(商品名「Triboindenter」、Hysitron社製)を使用して行うことができる。
また、ナノインデンテーション法による荷重-変位測定での測定条件は、以下の条件とすることができる。
測定モード:単一押込み測定
使用圧子:Berkovich(三角錐)型のダイヤモンド圧子
荷重印加過程で達する最大荷重(設定値):500μN
荷重印加過程での圧子の押込み速度:100μN/秒
除荷過程での圧子の引抜き速度:100μN/秒
なお、ナノインデンテーション法による荷重-変位測定は、ナノインデンター(商品名「Triboindenter」、Hysitron社製)を使用して行うことができる。
また、ナノインデンテーション法による荷重-変位測定での測定条件は、以下の条件とすることができる。
測定モード:単一押込み測定
使用圧子:Berkovich(三角錐)型のダイヤモンド圧子
荷重印加過程で達する最大荷重(設定値):500μN
荷重印加過程での圧子の押込み速度:100μN/秒
除荷過程での圧子の引抜き速度:100μN/秒
前記金属粒子含有層2は、以下のようにして基材シート3上に形成することができる。
まず、金属粒子含有層2の各材料と、溶剤とを混合することにより、ワニスを作製する。
次に、該ワニスを基材シート3に塗布して塗膜を形成し、塗膜を乾燥させること(塗膜中の溶剤を揮発させること)により、金属粒子含有層2を形成する。
該溶剤としては、例えば、ケトン、アルコールなどが挙げられる。ケトンとしては、例えば、メチルエチルケトン等が挙げられる。アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノールなどが挙げられる。
まず、金属粒子含有層2の各材料と、溶剤とを混合することにより、ワニスを作製する。
次に、該ワニスを基材シート3に塗布して塗膜を形成し、塗膜を乾燥させること(塗膜中の溶剤を揮発させること)により、金属粒子含有層2を形成する。
該溶剤としては、例えば、ケトン、アルコールなどが挙げられる。ケトンとしては、例えば、メチルエチルケトン等が挙げられる。アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノールなどが挙げられる。
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
まず、ダイシングテープ上でウエハを切断することにより、半導体チップを得る。
次に、図2に示すように、ダイシングテープAから半導体チップBを吸着コレットCで持ち上げる。
なお、半導体チップBは、一般的には、平面視矩形状となっており、より具体的には平面視正方形状となっている。半導体チップBの厚みは、例えば、10~500μm、より具体的には、20~400μmである。また、半導体チップBの平面視の面積は、例えば、0.01~1000mm2、より具体的には、0.04~500mm2である。
そして、図3に示すように、積層体1の金属粒子含有層2が上側となるように積層体1をステージG上に載置する。積層体1の金属粒子含有層2に半導体チップBを吸着コレットCで押し付けることにより、半導体チップBに金属粒子含有層2の一部が転写され(転写工程)、金属粒子含有層2付の半導体チップBが得られる。半導体チップBを金属粒子含有層2に押し付ける圧力は、好ましくは0.01~10MPa、より好ましくは0.1~5MPaである。また、半導体チップBを金属粒子含有層2に押し付ける際の吸着コレットC又はステージGの温度は、好ましくは40~150℃、より好ましくは50~120℃である。
次に、図4に示すように、積層体1から金属粒子含有層2付の半導体チップBを吸着コレットCで持ち上げる(ピックアップ工程)。
そして、図5に示すように、リードフレームDをステージH上に載置する。金属粒子含有層2付の半導体チップBを金属粒子含有層2側からリードフレームDに吸着コレットCで押し付けて、金属粒子含有層2を介して半導体チップBをリードフレームDに圧着させる。金属粒子含有層2付の半導体チップBを金属粒子含有層2側からリードフレームDに押し付ける圧力は、好ましくは0.01~10MPa、より好ましくは0.1~5MPaである。また、金属粒子含有層2付の半導体チップBを金属粒子含有層2側からリードフレームDに押し付ける際の吸着コレットC又はステージHの温度は、好ましくは40~150℃、より好ましくは50~120℃である。
なお、リードフレームDの厚みは、例えば、10~2000μm、より具体的には、400~1500μmである。
次に、図6に示すように、加圧加熱装置Eで金属粒子含有層2を加圧しながら加熱することにより、金属粒子含有層2の金属粒子を焼結させ(焼結工程)、半導体装置Fを得る。
なお、焼結工程後に、ボンディングワイヤーを必要箇所にボンディングしてもよい。
次に、図2に示すように、ダイシングテープAから半導体チップBを吸着コレットCで持ち上げる。
なお、半導体チップBは、一般的には、平面視矩形状となっており、より具体的には平面視正方形状となっている。半導体チップBの厚みは、例えば、10~500μm、より具体的には、20~400μmである。また、半導体チップBの平面視の面積は、例えば、0.01~1000mm2、より具体的には、0.04~500mm2である。
そして、図3に示すように、積層体1の金属粒子含有層2が上側となるように積層体1をステージG上に載置する。積層体1の金属粒子含有層2に半導体チップBを吸着コレットCで押し付けることにより、半導体チップBに金属粒子含有層2の一部が転写され(転写工程)、金属粒子含有層2付の半導体チップBが得られる。半導体チップBを金属粒子含有層2に押し付ける圧力は、好ましくは0.01~10MPa、より好ましくは0.1~5MPaである。また、半導体チップBを金属粒子含有層2に押し付ける際の吸着コレットC又はステージGの温度は、好ましくは40~150℃、より好ましくは50~120℃である。
次に、図4に示すように、積層体1から金属粒子含有層2付の半導体チップBを吸着コレットCで持ち上げる(ピックアップ工程)。
そして、図5に示すように、リードフレームDをステージH上に載置する。金属粒子含有層2付の半導体チップBを金属粒子含有層2側からリードフレームDに吸着コレットCで押し付けて、金属粒子含有層2を介して半導体チップBをリードフレームDに圧着させる。金属粒子含有層2付の半導体チップBを金属粒子含有層2側からリードフレームDに押し付ける圧力は、好ましくは0.01~10MPa、より好ましくは0.1~5MPaである。また、金属粒子含有層2付の半導体チップBを金属粒子含有層2側からリードフレームDに押し付ける際の吸着コレットC又はステージHの温度は、好ましくは40~150℃、より好ましくは50~120℃である。
なお、リードフレームDの厚みは、例えば、10~2000μm、より具体的には、400~1500μmである。
次に、図6に示すように、加圧加熱装置Eで金属粒子含有層2を加圧しながら加熱することにより、金属粒子含有層2の金属粒子を焼結させ(焼結工程)、半導体装置Fを得る。
なお、焼結工程後に、ボンディングワイヤーを必要箇所にボンディングしてもよい。
なお、本発明に係る積層体は、上記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係る積層体は、上記した作用効果によって限定されるものでもない。さらに、本発明に係る積層体は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、本実施形態に係る積層体では、金属粒子含有層が焼結性層であるが、本発明に係る積層体では、金属粒子含有層がダイボンドフィルムであってもよい。
また、本実施形態に係る積層体では、基材シートが樹脂層31であるが、本発明では、基材シートが、単層、又は、複数の層を有してもよい。また、基材シートが、樹脂層を2層以上有してもよい。
基材シートが樹脂層を2層以上有する場合には、前記樹脂層の合計の厚みは、各樹脂層の厚みを合計した値を意味する。
基材シートが樹脂層を2層以上有する場合には、前記樹脂層の合計の厚みは、各樹脂層の厚みを合計した値を意味する。
本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。
(1)
基材シートと、該基材シートに積層され、且つ、金属粒子を含有する金属粒子含有層とを備えており、
前記基材シートは、前記金属粒子含有層に接する接触面を有し、
該接触面をナノインデンテーション法で測定することによって求められる前記基材シートの23℃でのヤング率が0.01~10GPaである、積層体。
基材シートと、該基材シートに積層され、且つ、金属粒子を含有する金属粒子含有層とを備えており、
前記基材シートは、前記金属粒子含有層に接する接触面を有し、
該接触面をナノインデンテーション法で測定することによって求められる前記基材シートの23℃でのヤング率が0.01~10GPaである、積層体。
(2)
前記基材シートは、単層、又は、複数の層を有し、少なくとも1つの樹脂層を備え、
前記樹脂層の表面が前記接触面となっており、該樹脂層の厚みが、10~5000μmである、上記(1)に記載の積層体。
前記基材シートは、単層、又は、複数の層を有し、少なくとも1つの樹脂層を備え、
前記樹脂層の表面が前記接触面となっており、該樹脂層の厚みが、10~5000μmである、上記(1)に記載の積層体。
(3)
前記金属粒子含有層は、前記基材シートから剥離可能な状態で該基材シートに積層されており、
前記金属粒子含有層の一部が前記基材シートに向けて押圧されることによって切り離され、切り離された前記一部が前記基材シートから剥離されて被着体に接着されて用いられる、上記(1)又は(2)に記載の積層体。
前記金属粒子含有層は、前記基材シートから剥離可能な状態で該基材シートに積層されており、
前記金属粒子含有層の一部が前記基材シートに向けて押圧されることによって切り離され、切り離された前記一部が前記基材シートから剥離されて被着体に接着されて用いられる、上記(1)又は(2)に記載の積層体。
(4)
前記金属粒子含有層における前記金属粒子の含有割合が、85~97質量%である、上記(1)~(3)の何れかに記載の積層体。
前記金属粒子含有層における前記金属粒子の含有割合が、85~97質量%である、上記(1)~(3)の何れかに記載の積層体。
(5)
前記金属粒子は、銀、銅、酸化銀、及び、酸化銅からなる群より選択される少なくとも1種の金属を含む、上記(1)~(4)の何れかに記載の積層体。
前記金属粒子は、銀、銅、酸化銀、及び、酸化銅からなる群より選択される少なくとも1種の金属を含む、上記(1)~(4)の何れかに記載の積層体。
(6)
前記金属粒子含有層は、23℃でのせん断破壊強度が2~40MPaであり、23℃でのナノインデンテーション法による荷重-変位測定における除荷過程で達する最小荷重が30~100μNである、上記(1)~(5)の何れかに記載の積層体。
前記金属粒子含有層は、23℃でのせん断破壊強度が2~40MPaであり、23℃でのナノインデンテーション法による荷重-変位測定における除荷過程で達する最小荷重が30~100μNである、上記(1)~(5)の何れかに記載の積層体。
次に、実施例および比較例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。
なお、以下の実施例は、本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
なお、以下の実施例は、本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
(実施例1)
ハイブリッドミキサー(商品名「HM-500」、株式会社キーエンス製)を用いて該ハイブリッドミキサーの撹拌モードで下記の材料を下記の配合割合で3分間混合し、ワニスを調製した。
金属粒子としての銀粒子:59.76質量部
高分子バインダー(熱分解性高分子バインダー)としてのポリカーボネート樹脂(商品名「QPAC40」、重量平均分子量:150000、常温で固体、Empower Materials社製):0.87質量部
低分子バインダー(低沸点バインダー)としてのイソボルニルシクロヘキサノール(商品名「テルソルブMTPH」、常温で液体、日本テルペン化学工業株式会社製):0.87質量部
溶剤としてのメチルエチルケトン:35.91質量部
なお、前記銀粒子は、第1の銀粒子(体積基準のメジアン径(D50):60nm、DOWAエレクトロニクス株式会社製)と第2の銀粒子(体積基準のメジアン径(D50):1100nm、三井金属鉱業株式会社製)とを質量比9:1で含むものを用いた。
そして、得られたワニスを、基材シートとしての多孔質ポリエチレンシート(多孔質PEシート)(厚み:300μm)に塗布した後に乾燥させて、厚さ54μmの金属粒子含有層を形成し、積層体を得た。乾燥温度は110℃とし、乾燥時間は3分間とした。金属粒子含有層における金属粒子含有割合は95質量%であった。
ハイブリッドミキサー(商品名「HM-500」、株式会社キーエンス製)を用いて該ハイブリッドミキサーの撹拌モードで下記の材料を下記の配合割合で3分間混合し、ワニスを調製した。
金属粒子としての銀粒子:59.76質量部
高分子バインダー(熱分解性高分子バインダー)としてのポリカーボネート樹脂(商品名「QPAC40」、重量平均分子量:150000、常温で固体、Empower Materials社製):0.87質量部
低分子バインダー(低沸点バインダー)としてのイソボルニルシクロヘキサノール(商品名「テルソルブMTPH」、常温で液体、日本テルペン化学工業株式会社製):0.87質量部
溶剤としてのメチルエチルケトン:35.91質量部
なお、前記銀粒子は、第1の銀粒子(体積基準のメジアン径(D50):60nm、DOWAエレクトロニクス株式会社製)と第2の銀粒子(体積基準のメジアン径(D50):1100nm、三井金属鉱業株式会社製)とを質量比9:1で含むものを用いた。
そして、得られたワニスを、基材シートとしての多孔質ポリエチレンシート(多孔質PEシート)(厚み:300μm)に塗布した後に乾燥させて、厚さ54μmの金属粒子含有層を形成し、積層体を得た。乾燥温度は110℃とし、乾燥時間は3分間とした。金属粒子含有層における金属粒子含有割合は95質量%であった。
(実施例2)
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、ポリテトラフロオロエチレンシート(PTFEシート)(厚み:300μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、ポリテトラフロオロエチレンシート(PTFEシート)(厚み:300μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
(実施例3)
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、ポリエチレンフィルム(PEフィルム)(厚み:125μm)を2枚積層したシート(厚み:250μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、ポリエチレンフィルム(PEフィルム)(厚み:125μm)を2枚積層したシート(厚み:250μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
(実施例4)
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、ポリエチレンテレフタラートフィルム(PETフィルム)(厚み:100μm)を3枚積層したシート(厚み:300μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、ポリエチレンテレフタラートフィルム(PETフィルム)(厚み:100μm)を3枚積層したシート(厚み:300μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
(比較例1)
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、粘着剤層(厚み:20μm)とPEフィルム(厚み:210μm)とが積層された粘着シート(厚み:230μm)を用い、粘着剤層上にワニスを塗布したこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、粘着剤層(厚み:20μm)とPEフィルム(厚み:210μm)とが積層された粘着シート(厚み:230μm)を用い、粘着剤層上にワニスを塗布したこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
(比較例2)
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、ガラエポシート(厚み:350μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、ガラエポシート(厚み:350μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
(比較例3)
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、SUSシート(厚み:300μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
基材シートとして、多孔質PEシートの代わりに、SUSシート(厚み:300μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして積層体を得た。
<ヤング率>
基材シートにワニスを塗布する前に、基材シートにおける23℃でのヤング率を、ワニスを塗布しようとする面(積層体を作製した後は、金属粒子含有層と接する面となる面)で測定した。
ヤング率は、上述した方法で測定した。
基材シートにワニスを塗布する前に、基材シートにおける23℃でのヤング率を、ワニスを塗布しようとする面(積層体を作製した後は、金属粒子含有層と接する面となる面)で測定した。
ヤング率は、上述した方法で測定した。
<転写性の評価試験>
転写性の評価試験は、東レエンジニアリング社製のFC3000Wを用いた。
まず、90℃で加温されたコレットで、一面全体が銀でメッキされたSiミラーチップ(縦:5mm、横:5mm、厚み:200μm)を、前記一面側で、実施例及び比較例の積層体の金属粒子含有層側に押し付けることにより、50Nで5秒間荷重をかけた。
次に、前記Siミラーチップを積層体からコレットで0.3mm/秒の速度で引き離すことにより試料を得た。
そして、該試料から、VR-3000 G2を用いて、前記一面全体の面積R1と、前記一面に金属粒子含有層が転写された面積R2とを測定し、前記面積R1に対する前記面積R2の比率(R2/R1)を求め、この比率をパーセントで表したものを転写率とした。
VR-3000 G2を用いた測定では、具体的には、まず、前記試料を台の上に、金属粒子含有層が転写された面が上側となるように置き、該試料を低倍カメラで倍率25倍にて撮影した。そして、台からSiミラーチップの厚みの半分以上(台から100μm以上)突出している部分の面積A1を測定し、この面積A1を前記面積R1とした。また、
台から「Siミラーチップの厚み」と「金属粒子含有層の厚みの半分」との合計以上(台から154μm以上)突出している部分の面積A2を測定し、この面積A2を前記面積R2とした。
結果を下記表1に示す。なお、下記表1に示す転写率は、3回分の測定値を算術平均値した値である。
転写性の評価試験は、東レエンジニアリング社製のFC3000Wを用いた。
まず、90℃で加温されたコレットで、一面全体が銀でメッキされたSiミラーチップ(縦:5mm、横:5mm、厚み:200μm)を、前記一面側で、実施例及び比較例の積層体の金属粒子含有層側に押し付けることにより、50Nで5秒間荷重をかけた。
次に、前記Siミラーチップを積層体からコレットで0.3mm/秒の速度で引き離すことにより試料を得た。
そして、該試料から、VR-3000 G2を用いて、前記一面全体の面積R1と、前記一面に金属粒子含有層が転写された面積R2とを測定し、前記面積R1に対する前記面積R2の比率(R2/R1)を求め、この比率をパーセントで表したものを転写率とした。
VR-3000 G2を用いた測定では、具体的には、まず、前記試料を台の上に、金属粒子含有層が転写された面が上側となるように置き、該試料を低倍カメラで倍率25倍にて撮影した。そして、台からSiミラーチップの厚みの半分以上(台から100μm以上)突出している部分の面積A1を測定し、この面積A1を前記面積R1とした。また、
台から「Siミラーチップの厚み」と「金属粒子含有層の厚みの半分」との合計以上(台から154μm以上)突出している部分の面積A2を測定し、この面積A2を前記面積R2とした。
結果を下記表1に示す。なお、下記表1に示す転写率は、3回分の測定値を算術平均値した値である。
表1に示すように、実施例の積層体では、比較例の積層体に比べ、転写率が高かった。
従って、本発明によれば、転写性に優れた積層体を提供し得る。
従って、本発明によれば、転写性に優れた積層体を提供し得る。
1:積層体、2:金属粒子含有層、3:基材シート、3a:接触面、
31:樹脂層、
A:ダイシングテープ、B:半導体チップ、C:吸着コレット、D:リードフレーム、E:加圧加熱装置、F:半導体装置、G:ステージ、H:ステージ
31:樹脂層、
A:ダイシングテープ、B:半導体チップ、C:吸着コレット、D:リードフレーム、E:加圧加熱装置、F:半導体装置、G:ステージ、H:ステージ
Claims (6)
- 基材シートと、該基材シートに積層され、且つ、金属粒子を含有する金属粒子含有層とを備えており、
前記基材シートは、前記金属粒子含有層に接する接触面を有し、
該接触面をナノインデンテーション法で測定することによって求められる前記基材シートの23℃でのヤング率が0.01~10GPaである、積層体。 - 前記基材シートは、単層、又は、複数の層を有し、少なくとも1つの樹脂層を備え、
前記樹脂層の表面が前記接触面となっており、該樹脂層の合計の厚みが、10~5000μmである、請求項1に記載の積層体。 - 前記金属粒子含有層は、前記基材シートから剥離可能な状態で該基材シートに積層されており、
前記金属粒子含有層の一部が前記基材シートに向けて押圧されることによって切り離されて用いられ、切り離された前記一部が前記基材シートから剥離されて被着体に接着される、請求項1又は2に記載の積層体。 - 前記金属粒子含有層における前記金属粒子の含有割合が、85~97質量%である、請求項1~3の何れか1項に記載の積層体。
- 前記金属粒子は、銀、銅、酸化銀、及び、酸化銅からなる群より選択される少なくとも1種の金属を含む、請求項1~4の何れか1項に記載の積層体。
- 前記金属粒子含有層は、23℃でのせん断破壊強度が2~40MPaであり、23℃でのナノインデンテーション法による荷重-変位測定における除荷過程で達する最小荷重が30~100μNである、請求項1~5の何れか1項に記載の積層体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020111570A JP2022010816A (ja) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 積層体 |
CN202110709476.2A CN113861540A (zh) | 2020-06-29 | 2021-06-25 | 层叠体 |
US17/360,144 US11948907B2 (en) | 2020-06-29 | 2021-06-28 | Laminate |
EP21182173.1A EP3932658A1 (en) | 2020-06-29 | 2021-06-28 | Laminate |
TW110123607A TW202205315A (zh) | 2020-06-29 | 2021-06-28 | 積層體 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020111570A JP2022010816A (ja) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 積層体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022010816A true JP2022010816A (ja) | 2022-01-17 |
Family
ID=76999589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020111570A Pending JP2022010816A (ja) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 積層体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11948907B2 (ja) |
EP (1) | EP3932658A1 (ja) |
JP (1) | JP2022010816A (ja) |
CN (1) | CN113861540A (ja) |
TW (1) | TW202205315A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023039555A (ja) * | 2021-09-09 | 2023-03-22 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103262172B (zh) | 2010-11-03 | 2018-05-15 | 阿尔发装配解决方案有限公司 | 烧结材料及使用该材料的附着方法 |
JP5830302B2 (ja) | 2011-08-11 | 2015-12-09 | 古河電気工業株式会社 | 加熱接合用材料、加熱接合用シート体、及び加熱接合用成形体 |
JP5558547B2 (ja) | 2012-12-05 | 2014-07-23 | ニホンハンダ株式会社 | ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法 |
JP6407305B2 (ja) | 2014-05-05 | 2018-10-17 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | 転写基板を用いて乾燥金属焼結化合物を電子部品用キャリア上へ適用する方法および対応するキャリアおよび電子部品との焼結結合のためのその使用 |
EP3357988A4 (en) * | 2015-09-28 | 2019-06-12 | Lintec Corporation | ADHESIVE SHEET AND PROCESS FOR PRODUCING ADHESIVE SHEET |
US11130888B2 (en) * | 2016-03-08 | 2021-09-28 | Toyobo Co., Ltd. | Stretchable conductor sheet, stretchable conductor sheet having adhesiveness, and method for forming electrical wiring comprising stretchable conductor on fabric |
EP3476592B1 (en) * | 2016-06-24 | 2023-06-14 | Toray Industries, Inc. | Multilayer film |
JP6918445B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2021-08-11 | 日東電工株式会社 | 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート |
JP7331362B2 (ja) | 2017-07-24 | 2023-08-23 | 東レ株式会社 | フィルム |
WO2019054237A1 (ja) | 2017-09-15 | 2019-03-21 | リンテック株式会社 | フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料 |
EP3667707A4 (en) * | 2017-09-15 | 2021-09-08 | Lintec Corporation | BAKING MATERIAL IN THE FORM OF FILM AND BAKING EQUIPMENT IN THE FORM OF FILM EQUIPPED WITH A SUPPORT SHEET |
-
2020
- 2020-06-29 JP JP2020111570A patent/JP2022010816A/ja active Pending
-
2021
- 2021-06-25 CN CN202110709476.2A patent/CN113861540A/zh active Pending
- 2021-06-28 US US17/360,144 patent/US11948907B2/en active Active
- 2021-06-28 TW TW110123607A patent/TW202205315A/zh unknown
- 2021-06-28 EP EP21182173.1A patent/EP3932658A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210407952A1 (en) | 2021-12-30 |
TW202205315A (zh) | 2022-02-01 |
US11948907B2 (en) | 2024-04-02 |
CN113861540A (zh) | 2021-12-31 |
EP3932658A1 (en) | 2022-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7041669B2 (ja) | 加熱接合用シートおよび加熱接合用シート付きダイシングテープ | |
WO2017086043A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7440598B2 (ja) | 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ | |
JP6815133B2 (ja) | 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート | |
JP7350653B2 (ja) | 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ | |
JP2017069422A (ja) | 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート | |
KR102293573B1 (ko) | 필름상 소성 재료, 및 지지 시트를 가지는 필름상 소성 재료 | |
JP6815132B2 (ja) | 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート | |
JP7228577B2 (ja) | 半導体装置製造方法 | |
JP2020150189A (ja) | 焼結接合用シート、基材付き焼結接合用シート、および焼結接合用材料層付き半導体チップ | |
JP2022010816A (ja) | 積層体 | |
JP2023071703A (ja) | 焼結接合用シートおよび基材付き焼結接合用シート | |
JP7198693B2 (ja) | 焼結接合用シートおよび基材付き焼結接合用シート | |
JP2020147819A (ja) | 焼結接合用シートおよび基材付き焼結接合用シート | |
EP3709348A1 (en) | Wound body of sheet for sintering bonding with base material | |
JP2022111042A (ja) | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法。 | |
KR20220102132A (ko) | 필름상 소성 재료, 지지 시트 부착 필름상 소성 재료, 적층체, 및 장치의 제조 방법 | |
CN114823596A (zh) | 半导体装置、以及半导体装置的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240401 |