JP2021536685A - 量子アプリケーションにおける高密度接続のためのストリップライン形成 - Google Patents
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Abstract
Description
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Claims (20)
- 量子アプリケーションで使用するためのストリップライン(qストリップライン)であって、
第1のポリイミド膜と、
第2のポリイミド膜と、
前記第1のポリイミド膜と前記第2のポリイミド膜との間に形成された第1の中心導体および第2の中心導体と、
前記第2のポリイミド膜の第1の凹部を介して前記第1の中心導体と電気的かつ熱的に接触するように構成された第1のピンと
を備える、ストリップライン。 - 前記第1のポリイミド膜の厚さが、指定された絶縁体厚さBの少なくとも半分である、請求項1に記載のqストリップライン。
- 前記第1の中心導体と前記第2の中心導体との間のマイクロ波クロストークを−50デシベル未満とするように、前記第1の中心導体の第1の寸法と、前記第1の中心導体と前記第2の中心導体との間の分離距離との合計の3倍が、厚さBの2倍より大きくなるように、Bが選択される、請求項2に記載のqストリップライン。
- 前記第1の凹部が、第2の接地平面および前記第2のポリイミド膜を介して前記第1の中心導体の一部分を露出させるように形成された前記第1の凹部をさらに備える、請求項1に記載のqストリップライン。
- 弾性ピンをさらに備え、前記弾性ピンが、前記第1のピンとして使用され、前記弾性ピンが、はんだ付けすることなく、前記第1の中心導体に圧力を加えることのみによって電気的かつ熱的に接触する、請求項1に記載のqストリップライン。
- コネクタをさらに備え、前記コネクタが、マイクロ波ラインを前記第1のピンとインターフェースするように構成される、請求項1に記載のqストリップライン。
- 前記第1のポリイミド膜の第1の側に第1の接地平面をさらに備え、前記第1の中心導体および前記第2の中心導体が、前記第1のポリイミド膜の、前記第1の側の反対側に形成される、請求項1に記載のqストリップライン。
- 前記第2のポリイミド膜の第1の側に第2の接地平面をさらに備え、前記第1の中心導体および前記第2の中心導体が、前記第2のポリイミド膜の、前記第1の側の反対側に形成される、請求項7に記載のqストリップライン。
- 前記qストリップラインが、希釈冷凍機ステージ(ステージ)の極低温で動作し、前記qストリップラインが、前記ステージに対して閾値を超える熱化を示し、前記qストリップラインが、前記ステージの前記極低温で閾値を超える電気伝導率を示し、前記qストリップラインが、前記第1の中心導体と前記第2の中心導体の間のマイクロ波クロストークを−50デシベル未満とする、請求項1に記載のqストリップライン。
- 量子アプリケーションで使用するためのストリップライン(qストリップライン)を製造する方法であって、
第1のポリイミド膜を形成することと、
第2のポリイミド膜を形成することと、
前記第1のポリイミド膜と前記第2のポリイミド膜との間に第1の中心導体および第2の中心導体を形成することと、
前記第2のポリイミド膜の第1の凹部を介して前記第1の中心導体と電気的かつ熱的に接触するように、第1のピンを構成することと
を含む、方法。 - 前記第1のポリイミド膜の厚さが、指定された絶縁体厚さBの少なくとも半分である、請求項10に記載の方法。
- 前記第1の中心導体と前記第2の中心導体との間のマイクロ波クロストークを−50デシベル未満とするように、前記第1の中心導体の第1の寸法と、前記第1の中心導体と前記第2の中心導体との間の分離距離との合計の3倍が、厚さBの2倍より大きくなるように、Bが選択される、請求項11に記載の方法。
- 前記第1の凹部を形成することをさらに含み、前記第1の凹部が、第2の接地平面および前記第2のポリイミド膜を介して前記第1の中心導体の一部分を露出させるように形成される、請求項10に記載の方法。
- 弾性ピンを構成することをさらに含み、前記弾性ピンが、前記第1のピンとして使用され、前記弾性ピンが、はんだ付けすることなく、前記第1の中心導体に圧力を加えることのみによって電気的かつ熱的に接触する、請求項10に記載の方法。
- マイクロ波ラインを前記第1のピンとインターフェースするようにコネクタを構成することをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第1のポリイミド膜の第1の側に第1の接地平面を形成することをさらに含み、前記第1の中心導体および前記第2の中心導体が、前記第1のポリイミド膜の、前記第1の側の反対側に形成される、請求項10に記載の方法。
- 前記第2のポリイミド膜の第1の側に第2の接地平面を形成することをさらに含み、前記第1の中心導体および前記第2の中心導体が、前記第2のポリイミド膜の、前記第1の側の反対側に形成される、請求項16に記載の方法。
- 前記qストリップラインが、希釈冷凍機ステージ(ステージ)の極低温で動作し、前記qストリップラインが、前記ステージに対して閾値を超える熱化を示し、前記qストリップラインが、前記ステージの前記極低温で閾値を超える電気伝導率を示し、前記qストリップラインが、前記第1の中心導体と前記第2の中心導体の間のマイクロ波クロストークを−50デシベル未満とする、請求項10に記載の方法。
- 製造システムであって、量子アプリケーションで使用可能なストリップライン(qストリップライン)を製造するように動作されるとき、
第1のポリイミド膜を形成することと、
第2のポリイミド膜を形成することと、
前記第1のポリイミド膜と前記第2のポリイミド膜との間に第1の中心導体および第2の中心導体を形成することと、
前記第2のポリイミド膜の第1の凹部を介して前記第1の中心導体と電気的かつ熱的に接触するように、第1のピンを構成することと
を含む動作を実行する、製造システム。 - 前記第1のポリイミド膜の厚さが、指定された絶縁体厚さBの少なくとも半分である、請求項19に記載の製造システム。
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