JP2021531243A - 金属有機化合物 - Google Patents
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- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 70
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 46
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 43
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 29
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 29
- -1 C3 -C6 cyclic alkyl Chemical group 0.000 claims description 24
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 20
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 13
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 13
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 9
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000005913 (C3-C6) cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000006728 (C1-C6) alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000172 C5-C10 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 5
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical class C1(=CC=CC1)* 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000006727 (C1-C6) alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 2
- 125000002757 morpholinyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 2
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000719 pyrrolidinyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- SINKOGOPEQSHQD-UHFFFAOYSA-N cyclopentadienide Chemical class C=1C=C[CH-]C=1 SINKOGOPEQSHQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 abstract description 7
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 0 CCC*1C*CC1 Chemical compound CCC*1C*CC1 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- NXPHGHWWQRMDIA-UHFFFAOYSA-M magnesium;carbanide;bromide Chemical compound [CH3-].[Mg+2].[Br-] NXPHGHWWQRMDIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- DSNHSQKRULAAEI-UHFFFAOYSA-N 1,4-Diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(CC)C=C1 DSNHSQKRULAAEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000003538 pentan-3-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- NUMQCACRALPSHD-UHFFFAOYSA-N tert-butyl ethyl ether Chemical compound CCOC(C)(C)C NUMQCACRALPSHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAHFOPIILNICLA-UHFFFAOYSA-N Diphenamid Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C(=O)N(C)C)C1=CC=CC=C1 QAHFOPIILNICLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- YGUPAQDKOAPZHC-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphane Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1.C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 YGUPAQDKOAPZHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0046—Ruthenium compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F17/00—Metallocenes
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
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Abstract
本発明は、ALD及びCVDプロセスで使用するための、シクロペンタジエニド及びアルキル配位子と組み合わせたビス(アルキルイミン)グリオキサール及びビス(ジアルキルヒドラゾン)グリオキサール配位子に基づく、新規の部類の揮発性金属有機化合物の規定及び合成に関する。
Description
本発明は、文献に未だ言及又は使用されておらず、ALD及びCVDプロセスで使用するための、シクロペンタジエニド及びアルキル配位子と組み合わせたビス(アルキルイミン)グリオキサール及びビス(ジアルキルヒドラゾン)グリオキサール配位子に基づく、新規の部類の揮発性かつ液体のルテニウム化合物の規定及び合成に関する。
本発明の目的は、原子層堆積(atomic layer deposition、ALD)又は/及び化学気相成長(chemical vapor deposition、CVD)プロセスで使用するための、室温で又は室温よりもわずかに高い温度で液体かつ揮発性である革新的な群のルテニウム化合物の提供である。
この目的は、本明細書で同様に使用される一般式[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]によっても表され得る、下記一般式
の群の化合物によって達成される。(CpR21R22R23R24R25)形態のシクロペンタジエニル基は、通常、ルテニウムと共にη5−及びη3−錯体を形成することができる。
R21、R22、R23、R24、及びR25は、互いに独立して、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、及びNR31 2(式中、R31が、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、及びC3〜C6アリールからなる群から選択される)からなる群から選択されるか、
又は、R21、R22、R23、R24、及びR25は、互いに独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、及びNR31 2(式中、R31が、H、メチル、エチル、イソプロピルからなる群から選択される)からなる群から選択されるか、又は
R21、R22、R23、R24及びR25は、互いに独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル若しくはC3〜C6分岐状アルキルからなる群から選択され、特にR21、R22、R23、R24、及びR25は、互いに独立して、H、メチル、エチル、イソプロピル、及びtert−ブチルからなる群から選択される。別の特定の実施形態では、R21〜R25は同一ではないが、R21〜R25のうちの少なくとも1つは異なるか、
又はR21、R22、R23、R24、及びR25のうちの2つは、置換若しくは非置換であり得る縮環した環を形成するC3〜C6アルキル、アルケニル、アルカジエニル、若しくはアルカトリエニルによって相互接続される。本発明の特定の実施形態では、R21、R22、R23、R24、及びR25のうちの2つは、互いに連結して置換又は非置換であり得る縮環したフェニレンを形成する、要するに、置換又は非置換であり得るインデニル配位子である(CpR21R22R23R24R25)を生じる。
R21、R22、R23、R24、及びR25は、互いに独立して、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、及びNR31 2(式中、R31が、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、及びC3〜C6アリールからなる群から選択される)からなる群から選択されるか、
又は、R21、R22、R23、R24、及びR25は、互いに独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、及びNR31 2(式中、R31が、H、メチル、エチル、イソプロピルからなる群から選択される)からなる群から選択されるか、又は
R21、R22、R23、R24及びR25は、互いに独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル若しくはC3〜C6分岐状アルキルからなる群から選択され、特にR21、R22、R23、R24、及びR25は、互いに独立して、H、メチル、エチル、イソプロピル、及びtert−ブチルからなる群から選択される。別の特定の実施形態では、R21〜R25は同一ではないが、R21〜R25のうちの少なくとも1つは異なるか、
又はR21、R22、R23、R24、及びR25のうちの2つは、置換若しくは非置換であり得る縮環した環を形成するC3〜C6アルキル、アルケニル、アルカジエニル、若しくはアルカトリエニルによって相互接続される。本発明の特定の実施形態では、R21、R22、R23、R24、及びR25のうちの2つは、互いに連結して置換又は非置換であり得る縮環したフェニレンを形成する、要するに、置換又は非置換であり得るインデニル配位子である(CpR21R22R23R24R25)を生じる。
(R4R5(DAD)R6R7)は、一般式(R4)−N=CR5−CR6=N−(R7)のキレート化1,4−ジアザジエン又はそのビス−ヒドラゾン誘導体を表し、式中、R4及びR7が、独立して、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキルからなる群から選択され得るか、又はR4及びR7が、独立して、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキル、及びC3〜C6環状アルキルからなる群から選択され得るか、又はR4及びR7が、互いに独立して、C1〜C3直鎖状アルキル若しくはC3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択され、特にR4及びR7が、互いに独立して、メチル、エチル、イソプロピル、及びtert−ブチルからなる群から選択される。
R5及びR6は、独立して、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキルからなる群から選択され得るか、又はR5及びR6は、独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキル、及びC3〜C6環状アルキルからなる群から選択され得るか、又はR5及びR6は、互いに独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル若しくはC3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択され、特にR5及びR6は、互いに独立して、H、メチル、エチル、イソプロピル、及びtert−ブチルからなる群から選択される。
別の特定の実施形態では、R5及びR6は、独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキル、及びC3〜C6環状アルキルからなる群から選択されることができ、より具体的には、H、C1〜C3直鎖状アルキル、又はC3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択されることができ、特にH、メチル、エチル、イソプロピル及びtert−ブチルからなる群から選択されることができ、
R4及びR7は、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキル、及びC3〜C6環状アルキルからなる群から選択され、より具体的には、C1〜C3直鎖状アルキル、又はC3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択され、特に、メチル、エチル、イソプロピル、及びtert−ブチルからなる群から選択される。
R4及びR7は、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキル、及びC3〜C6環状アルキルからなる群から選択され、より具体的には、C1〜C3直鎖状アルキル、又はC3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択され、特に、メチル、エチル、イソプロピル、及びtert−ブチルからなる群から選択される。
別の特定の実施形態では、R4〜R7は同一ではないが、R4〜R7のうちの少なくとも1つは異なる、より具体的には、R4〜R7は互いに異なる。
別の特定の実施形態では、R4及びR7はまた、互いに独立して、それぞれ(R8,R9)N−及び(R12,R13)N−であり得る、すなわち、R4は、(R8,R9)N−であることができ、かつ/又はR7は、(R12,R13)N−であり得る。結果的に、これらの場合、(R4R5(DAD)R6R7)は、(R8,R9)N−N=CR5−CR6=N−N(R12,R13)、R4−N=CR5−CR6=N−N(R12,R13)、(R8,R9)N−N=CR5−CR6=N−R7,R4−N=CR5−CR6=N−R7、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され得る。
R8、R9、R12、及びR13は、独立して、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキルからなる群から選択され得るか、又はR8及びR9、若しくはR12及びR13などの2つの隣接する基は一緒になって、O若しくはSから選択されるヘテロ原子を含有し得るC3〜C6飽和若しくは不飽和環状アルキルを形成し得る。より具体的には、R8、R9、R12、及びR13は、独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択されることができ、かつR8及びR9、又はR12及びR13などの2つの隣接する基は一緒になって、ヘテロ原子を含有し得る飽和C3〜C6環状アルキルを形成するか、又は、R8、R9、R12、及びR13は、互いに独立して、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択され得るか、又はR8及びR9、若しくはR12及びR13などの2つの隣接する基は一緒になって、O若しくはSから選択されるヘテロ原子を含有し得る飽和C4〜C6環状アルキルを形成し、特に、R8、R9、R12、及びR13は、互いに独立して、メチル、エチル、イソプロピル、tert−ブチル、ピロリジニル、ピペリジニル、若しくはモルホリニルからなる群から選択され得る。
別の具体的な実施形態では、R4が(R8,R9)N−であるか、又はR7が(R12,R13)N−であるかのいずれかの場合、それぞれ互いに異なり、したがって、R4−N=CR5−CR6=N−N(R12,R13)(式中、R4が、(R8,R9)Nとは異なる)、(R8,R9)N−N=CR5−CR6=N−R7(式中、R7が、(R12,R13)Nとは異なる)、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、(R4R5(DAD)R6R7)を生じる。
R3は、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、C3〜C6ビニル、C3〜C6アリル、C3〜C6アルケニルからなる群から選択され得るか、又は、R3は、H、C1〜C3直鎖状アルキル、若しくはC3〜C5分岐状アルキルであることができ、特にR3は、H、メチル、エチルからなる群から選択され得る。
この実施形態では、R3〜R7、並びにR23〜R25は、上のように定義されるか、又はR23〜R25は、互いに独立して、水素、メチル若しくはエチルであり得るか、又はR23〜R25のうちの1つがメチル若しくはエチルである場合、他の2つは水素であるか、又は、R24がエチル若しくはメチル、特にメチルである場合、R23及びR25は、水素である。
本特許出願の範囲内で、C1〜C6アルキルとは、メチル(C1)、エチル(C2)、プロピル(C3)、ブチル(C4)、ペンチル(C5)、及びヘキシル(C6)を意味する。プロピルは、n−プロピル及びイソ−プロピルの両方を網羅する。ブチルは、n−ブチル、イソ−ブチル、sec−ブチル、及びtert−ブチルを網羅する。ペンチルは、n−ペンチル(アミル)、2−ペンチル(sec−ペンチル)、3−ペンチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル(イソ−ペンチル又はイソ−アミル)、3−メチルブタ−2−イル、2−メチルブタ−2−イル、及び2,2−ジメチルプロピル(ネオ−ペンチル)を網羅する。ヘキシルという用語は、同様に、全ての可能な異性体を網羅する。
本発明によれば、室温で液体であり、蒸留又は再凝縮による精製を可能にする、革新的な揮発性ルテニウム化合物の群が提供される。式[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]を有する本発明の化合物の群は、熱により誘発される分解によって表面上に、ルテニウム含有層(元素ルテニウム層、又は好適な共試薬(例えばRuO)を含む混合ルテニウム含有層)を堆積させることができる。Cp及び(R4R5(DAD)R6R7)配位子の置換パターンの範囲が変動する結果、揮発性及び熱分解は、様々なALD及びCVDプロセスでの用途に適合させることができる。
この点において、所定の配位子(CpR21R22R23R24R25)とは、不飽和形態の、並びに上で定義される置換基R21〜R25を有する、全てのシクロペンタジエニド配位子を指す。
例えば、Cpは、(式(CpR21R22R23R24R25)の、全ての置換基R21〜R25が水素である)非置換シクロペンタジエニド配位子であり、CpCH3又はCpMeは、モノメチル置換シクロペンタジエニド配位子であり、Cp*は、ペンタメチル置換シクロペンタジエニル配位子であり、C5Me5の短縮形として記載されることができ、EtCpは、C5H4Etの略称を有するモノエチル置換シクロペンタジエニル配位子である。これらは、最も一般的なシクロペンタジエニド配位子に属する。
所定の配位子(R4R5(DAD)R6R7)とは、一般式(R4)−N=CR5−CR6=N−(R7)を有するビス(アルキルイミン)グリオキサール、又は一般式(R8,R9)NN=CR5−CR6=N−N(R12,R13)を有するビス(ジアルキルヒドラゾン)グリオキサールの群の化合物を指し、式中、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R12、及びR13は、上で定義されるとおりである。
[((CpR21R22R23R24R25))Ru(PPh3)2CI]又は[((CpR21R22R23R24R25))RuCI]4のR4R5(DAD)R6R7との反応により、[((CpR21R22R23R24R25))Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]前駆体を通常60%以上の高収率で生成することができる。式R3MgX(式中、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択される)の適切なグリニャール化合物との、又は式R3Liのリチウムアルキル化合物とのこれらの前駆体の単純な反応により、前駆体を、それぞれのアルキル錯体[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]に変換することができる。
出発化合物として[(CpR21R22R23R24R25)Ru(PPh3)2CI]を用いることが有利である。上記のトリフェニルホスフィン、PPh3の代わりに、例えばトリシクロヘキシルホスフィンPCy3、トリ−オルト−トリルホスフィン、及び関連化合物を包含する他の好適なホスフィンを使用することができることも可能である。
一般に、P(R38)3のホスフィンのホスフィンで、R38は、置換又は非置換C1〜C6アルキル、置換又は非置換C1〜C6アルキルオキシ、置換又は非置換C1〜C6アルケニル、置換又は非置換C1〜C6アルキニル、置換又は非置換C1〜C6アルカジエニル、置換又は非置換C3〜C6シクロアルキル、置換又は非置換C5〜C10アリール、置換又は非置換C5〜C10アリールオキシ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、特に、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される1つ、2つ、又は3つの置換基で置換され、ここでは、R38が、具体的には、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、シクロヘキシル、フェニル、トリ−オルト−トリル、トリ−メタ−トリル、トリ−パラ−トリル、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシ、及びこれらの組み合わせであり得る。
また、一般式(R39)P−R40 2又は(R39)2P−R40のホスフィンであって、式中、R39が、置換又は非置換C1〜C6アルキル、置換又は非置換C1〜C6アルキルオキシ、置換又は非置換C1〜C6アルケニル、置換又は非置換C1〜C6アルキニル、置換又は非置換C1〜C6アルカジエニル、置換又は非置換C3〜C6シクロアルキル、置換又は非置換C5〜C10アリール、置換又は非置換C5〜C10アリールオキシ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、特に、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される1つ、2つ、又は3つの置換基で置換され、
R40が、R39とは異なり、置換又は非置換C1〜C6アルキル、置換又は非置換C5〜C10アルキルオキシ、置換又は非置換C1〜C6アルケニル、置換又は非置換C1〜C6アルキニル、置換又は非置換C1〜C6アルカジエニル、置換又は非置換C3〜C6シクロアルキル、置換又は非置換C5〜C10アリール、置換又は非置換C5〜C10アリールオキシ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、特に、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、シクロヘキシル、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される1つ、2つ、又は3つの置換基で置換される。
R40が、R39とは異なり、置換又は非置換C1〜C6アルキル、置換又は非置換C5〜C10アルキルオキシ、置換又は非置換C1〜C6アルケニル、置換又は非置換C1〜C6アルキニル、置換又は非置換C1〜C6アルカジエニル、置換又は非置換C3〜C6シクロアルキル、置換又は非置換C5〜C10アリール、置換又は非置換C5〜C10アリールオキシ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、特に、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、シクロヘキシル、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される1つ、2つ、又は3つの置換基で置換される。
より具体的には、R39及びR40は、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、シクロヘキシル、フェニル、トリ−オルト−トリル、トリ−メタ−トリル、トリ−パラ−トリル、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシ、及びこれらの組み合わせであることができ、かつ、互いに異なる。
C1〜C6アルキルとは、メチル(C1)、エチル(C2)、プロピル(C3)、ブチル(C4)、ペンチル(C5)、及びヘキシル(C6)を意味する。プロピルは、n−プロピル及びイソ−プロピルの両方を網羅する。ブチルは、n−ブチル、イソ−ブチル、sec−ブチル、及びtert−ブチルを網羅する。ペンチルは、n−ペンチル(アミル)、2−ペンチル(sec−ペンチル)、3−ペンチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル(イソ−ペンチル又はイソ−アミル)、3−メチルブタ−2−イル、2−メチルブタ−2−イル、及び2,2−ジメチルプロピル(ネオ−ペンチル)を網羅する。ヘキシルという用語は、同様に、全ての可能な異性体を網羅する。
結果的に、[(CpR21R22R23R24R25)Ru(P(R38)3)2CI]、[(CpR21R22R23R24R25)Ru((R39)2P−R40)2CI]、及び[(CpR21R22R23R24R25)Ru((R39)2P−R40)2CI]を、同様にR4R5(DAD)R6R7との反応のために用いて、前駆体[((CpR21R22R23R24R25))Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]を得ることができる。
驚くべきことに、純粋な酸素の存在下で反応を実施すると、70%の高い収率、最高99%のより高い純度、又はその両方を達成することができることが見出された。酸素の存在は、例えば、純粋な酸素ガスO2の流れを反応混合物に通すことによって達成することができる。
この場合、ホスフィンオキシドが形成され、((R4R5(DAD)R6R7)が反応混合物中のより強い配位配位子となることが見出され、したがって所望の生成物の増加した収率が見出され得たので、その発見後、この驚くべき効果を説明することができた。
したがって、本発明はまた、式[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]の化合物を製造するための方法であって、以下の
a)[(CpR21R22R23R24R25)Ru(PPh3)2CI]又は[(CpR21R22R23R24R25)RuCI]4をR4R5(DAD)R6R7と反応させて、[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]を得るステップと、
b)[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]をR3MgX又はR3Liと反応させて、
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]
(式中、Xは、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択される)を得るステップと、を含む、方法に関する。
a)[(CpR21R22R23R24R25)Ru(PPh3)2CI]又は[(CpR21R22R23R24R25)RuCI]4をR4R5(DAD)R6R7と反応させて、[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]を得るステップと、
b)[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]をR3MgX又はR3Liと反応させて、
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]
(式中、Xは、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択される)を得るステップと、を含む、方法に関する。
より具体的には、本発明はまた、式[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]の化合物を製造するための方法であって、以下の
a)純粋な酸素の存在下で[(CpR21R22R23R24R25)Ru(PPh3)2CI]をR4R5(DAD)R6R7と反応させて、
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]を得るステップと、
b)[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]をR3MgX又はR3Liと反応させて、
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]
(式中、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択される)を得るステップと、を含む、方法に関する。
a)純粋な酸素の存在下で[(CpR21R22R23R24R25)Ru(PPh3)2CI]をR4R5(DAD)R6R7と反応させて、
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]を得るステップと、
b)[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]をR3MgX又はR3Liと反応させて、
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]
(式中、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択される)を得るステップと、を含む、方法に関する。
別の実施形態はまた、式[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI]の化合物を製造するための方法であって、
a)純粋な酸素の存在下で[(CpR21R22R23R24R25)Ru(PPh3)2CI]をR4R5(DAD)R6R7と反応させて、
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI](式中、Xは、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択される)を得るステップを含む、方法に関する。特に、純粋な酸素の存在とは、純粋な酸素(O2)ガスの流れが反応混合物を通過することを意味する。
a)純粋な酸素の存在下で[(CpR21R22R23R24R25)Ru(PPh3)2CI]をR4R5(DAD)R6R7と反応させて、
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)CI](式中、Xは、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択される)を得るステップを含む、方法に関する。特に、純粋な酸素の存在とは、純粋な酸素(O2)ガスの流れが反応混合物を通過することを意味する。
本発明の一態様では、ステップa)及び/又はステップb)は、溶媒中で実施される。一般に、芳香族溶媒及びエーテルは、好適な溶媒である。特に、6〜15個の炭素原子を有する芳香族化合物は、好適な溶媒であり、ベンゼン、トルエン、オルト−メタ−若しくはパラ−キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、1,2−、1,3−、若しくは1,4−ジエチルベンゼン、又はトリエチルベンゼンなどの置換又は非置換化合物であることができ、溶媒として用いることができる。特に、ジメチルエーテル、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、2−メトキシ−2−メチルプロパン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、グリム、又はジグリムなどの、2〜20個の炭素原子を有する直鎖状又は環状エーテルを使用することができる。通常、良好な結果は、トルエン又はテトラヒドロフランで達成することができる。リチウム有機化合物が、ある特定の条件下で芳香族溶媒と反応することができることは、当業者には既知であり、Wiklund,T.,Olsson,S.& Lennartson,A Monatsh Chem(2011)142:813を参照されたい。したがって、R3Liなどのリチウム有機化合物を用いるとき、当業者は、副反応を回避するために、特定の反応に対する溶媒の適合性を確認し、芳香族溶媒よりもむしろ直鎖状又は環状エーテルを選択することができる。
本発明の別の態様では、ステップa)及び/又はステップb)は、一般に、約−78℃〜約40℃、又は約−30℃〜約30℃、又は約0℃〜約25℃の温度で実施され得る。良好な結果は、0℃以下の温度で反応を開始することによって得られ、通常、熱処理のための手段を用いることなく、反応過程で反応混合物を周囲温度まで加温することが可能になる。
本発明の更なる態様では、ステップa)及び/又はステップb)は、一般に、3分〜12時間、又は10分〜8時間、又は20分〜6時間、又は30分〜3時間の期間の間実施され得る。良好な結果は、約3時間以下の反応時間によって達成されている。
配位子上の置換パターンを変動させることによって、化合物の群[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]の熱特性もまた、用途に応じて適合させることができる。この点における一例として、2つの化合物[(CpMe)Ru(iPrDAD)Me]及び[(Cp*)Ru(iPrDAD)Me]が挙げられる。配位子(iPrDAD)において、R4及びR7はイソプロピルであり、R5及びR6はHである。
[(Cp*)Ru(iPrDAD)Me]は53℃の融点を有するが、[(CpMe)Ru(iPrDAD)Me]は室温で液体である。
単一分子として存在することと関連して、モル質量(例えば、[(CpMe)Ru(iPrDAD)Me]M=335.46g/モル)が低い結果、これらの新規化合物は、高揮発性化合物であり、昇華又は蒸留により卓越して精製することができる。
本発明による化合物[(MeCp)Ru(iPrDAD)Me]は、化合物が600℃まで加熱されると、狭い単一段階分解曲線を呈する。このプロセスでは、3%の分解は、163.26℃で既に現れる。化合物の50%分解は194℃で現れ、600℃での総質量損失は98.93%である。
既知の前駆体[(CpMe)Ru(PPh3)2Cl]を、酸化(O2)条件下で沸騰したトルエン中のビス(イソプロピルイミン)グリオキサールと反応させることにより、収率84%で前駆体[(CpMe)Ru(iPrDAD)Cl]を得ることができる。0℃〜室温までのMeMgBr溶液を用いる続く変換の結果、73%の収率で標的化合物[(CpMe)Ru(iPrDAD)Me]を得ることができる。合成経路の総収率は、61%で非常に良好である。蒸留により、更に化合物[(MeCp)Ru(iPrDAD)Me]は、大規模で容易に精製することができる。
[(MeCp)Ru(iPrDAD)Me]は、10−3mbarの圧力、70℃で既に高蒸気昇圧を呈する。化合物[(MeCp)Ru(iPrDAD)Me]は、化合物が600℃まで加熱されると、狭い単一段階分解曲線を呈する。このプロセスでは、3%の分解は、163.26℃で既に現れる。化合物の50%分解は194℃で現れ、600℃での総質量損失は98.93%である。
したがって、本発明はまた、元素ルテニウム又はルテニウム含有層を表面上に堆積させるための、式
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]の化合物の使用に関する。
[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]の化合物の使用に関する。
本発明の一態様では、堆積は、熱により誘発される分解によって達成される。
本発明の更なる態様では、堆積は、ALD(原子層堆積)又はCVD(化学気相成長)プロセス内で達成される。
本発明は、以下の非限定的な実施例によって更に例示される。
超水素化物(スーパーヒドリド)を介した[Cp*RuCl]4の合成
(Paquette,L.E−EROS:Encyclopedia of reagents for organic synthesis,Online ed.;WileyInterscience,2010)
(Paquette,L.E−EROS:Encyclopedia of reagents for organic synthesis,Online ed.;WileyInterscience,2010)
[Cp*RuCl]4の合成は、Kimpe,N.de;Verhe,R.;Buyck,L.de;Moens,L.;Schamp,N.Synthesis1982,1982(01),43−46に従って行った。5.10gの[Cp*RuCl2]n(16.58mmol、1当量)及び30mLのTHF(abs.)を、シュレンクフラスコに充填した。次いで、16.6mLのLiHBEt3溶液(THF中1M、16.6mmol、1.01当量)をゆっくりと添加した。添加している間に、ガスの発生が観察され得る。溶液は、暗褐色になり、橙色の沈殿物が形成される。固体を濾過し、少量のTHFですすいだ。真空乾燥後、橙褐色の固体3.56g(76%)として生成物を得た。
[Cp*RuCl]4を、Bellassed,M.;Aatar,J.;Bouzid,M.;Damak,M.Phosphorus,Sulfur,and Silicon and the Related Elements2010,185(9),1886−1895に従って合成した。アルゴン下で、18.0gのK2CO3(exc.)及び100mLのMeOH(abs.)を、フラスコに充填した。4.0gの[Cp*RuCl2]n(13.02mmol)を添加した。無色の懸濁液は、すぐに暗赤色になる。溶液を周囲温度で12時間撹拌し、赤色溶液をK2CO3で濾過し、フィルタパッドをペンタンで完全に洗浄した。溶液を体積の3分の1まで蒸発させ、少し過剰量のTMSClをゆっくりと添加した。溶液は、ゆっくりと褐色になる。30℃で2日間静置した後、橙色の沈殿物が形成され、これを濾過し、少量のペンタンですすいだ。定量的収率で橙褐色の固体として、生成物を得ることができた。
[(MeCp)RuCl(iPrDAD)]は、Zoet、R.;van Koten,G.;van der Panne,Albertus L.J.;Versloot,P.;Vrieze,K.;Stam,C.H.Inorganica Chimica Acta1988,149(2),177−185に基づく改善された合成によって調製した。
[(MeCp)RuCl(PPh3)2](1.66g、2.24mmol、1当量)及びiPrDAD(1.57g、11.21mmol、5当量)を200mLのトルエンに溶解させ、還流下で2時間加熱しながら、穏やかな酸素流(O2)を反応混合物に通した。反応の過程で、色は、橙赤色から明るい赤色に変化した。溶媒を減圧下で除去し、固体をジクロロメタンに溶解させた。この溶液をカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/ジエチルエーテル4:1)により精製した。第1の画分は、主に出発物質[(MeCp)RuCl(PPh3)2]を含有しており、廃棄された。第2の画分は、生成物を含有した。溶媒を除去し、暗赤色の粘稠な油として生成物[(MeCp)Ru(iPrDAD)Cl]を得た。収率:71%、純度:>99%。
1H−NMR(CDCl3,300MHz,300K):δ=8.43(s,2H),4.59(dt,2H),4.30(d,4H),1.88(s,3H),1.54(t,12H)。
[(Cp*)Ru(iPrDAD)Cl]の合成
は、Mbaye,M.D.;Demerseman,B;Renaud,J.−L.;Bruneau,C.Journal of Organometallic Chemistry 2005,690(8),2149−2158に従って行った。
は、Mbaye,M.D.;Demerseman,B;Renaud,J.−L.;Bruneau,C.Journal of Organometallic Chemistry 2005,690(8),2149−2158に従って行った。
10.56mLの[(MeCp)Ru(iPrDAD)Cl]溶液(THF中0.079M(abs.)、0.84mmol、1当量)をフラスコに充填した。0℃の0.28mLのMeMgBr溶液(Et2O(abs)中3M、0.84mmol、1当量)を、ゆっくりと添加した。反応混合物を室温まで20分間加温したところ、溶液は、濃い赤褐色から蛍光黄色がかった暗褐色に色が変化した。室温で更に1時間撹拌した後、溶媒を蒸発させ、残留物を1:9のトルエン(abs.)/ペンタン(abs.)の溶媒混合物で抽出した。組み合わせた抽出物を蒸発乾固させ、残留物をペンタン(abs.)で抽出した。溶媒の蒸発後、蛍光黄色の光沢を有する暗褐色の液体として、生成物を得た(219mg、73%)。
300mgの[(Cp*)Ru(iPrDAD)Cl](0.75mmol、1当量)をフラスコに充填し、10mLのトルエン(abs.)を添加した。0℃の0.243mLのMeMgBr溶液(Et2O(abs)中3M、0.75mmol、1当量)を、ゆっくりと添加した。反応混合物を室温まで20分間加温したところ、溶液は、濃い赤褐色から蛍光黄色がかった暗褐色に色が変化した。室温で更に3時間撹拌した後、反応混合物を濾過し、濾液の溶媒を蒸発させた。残留物をペンタン(abs.)で抽出し、組み合わせた抽出物の溶媒を蒸発させた。蛍光黄色の光沢を有する暗褐色の油として、生成物を得て、これはより長時間静置後、固化する。(268mg、68%)。
本発明の化合物について行った合成は、容易に再現可能である。これらの化合物の出発物質は、既知の文献及び十分に確立された経路を介して入手可能である。
本発明の化合物は、ALD加工に関して素晴らしい熱特性を示す。熱分解点は、およそ200℃にある。[(MeCp)Ru(iRrDAD)Me]の場合1ステップ、[(Cp*)Ru(iRrDAD)Me]では2ステップの分解が見出され得る。質量スペクトルによると、最も多く存在するフラグメントは、[(Cp)Ru(DAD)]又は[(Cp)Ru]フラグメントのいずれかである。特に、フラグメント[(Cp)Ru]は、高い揮発性及び熱安定性を呈するはずであり、そのため、これはALDにおいて最適な反応種となる。25〜600℃の熱測定では、98%の[(MeCp)Ru(DAD)Me]及び81%の[(Cp*)Ru(DAD)Me]は、分解又は蒸発する。
Claims (30)
- 一般式[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]によっても表すことができる、下記一般式:
式中、
R3が、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、C3〜C6ビニル、C3〜C6アリル、C3〜C6アルケニルからなる群から選択されることができ;
(R4R5(DAD)R6R7)が、一般式(R4)−N=CR5−CR6=N−(R7)のキレート化1,4−ジアザジエン又はそのビス−ヒドラゾン誘導体を表し、
R4及びR7が、独立して、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキルからなる群から選択されることができるか、又は
R4が、(R8,R9)N−であることができ、R7が、(R12,R13)N−であることができ、R8、R9、R12、及びR13が、独立して、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキルからなる群から選択されることができるか、又はR8及びR9、若しくはR12及びR13などの2つの隣接する基が一緒になって、O若しくはSから選択されるヘテロ原子を含有してもよいC3〜C6飽和若しくは不飽和環状アルキルを形成し;
R5及びR6が、独立して、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキルからなる群から選択されることができ;
R21、R22、R23、R24、及びR25が、互いに独立して、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、及びNR31 2(式中、R31が、H、C1〜C6直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、及びC3〜C6アリールからなる群から選択される)からなる群から選択されるか、又はR21、R22、R23、R24、及びR25のうちの2つが、置換若しくは非置換であることができる縮環した環を形成するC3〜C6アルキル、アルケニル、アルカジエニル、若しくはアルカトリエニルによって互いに結合されている、化合物。 - R3が、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択されることができ;
(R4R5(DAD)R6R7)が、一般式(R4)−N=CR5−CR6=N−(R7)のキレート化1,4−ジアザジエン又はそのビス−ヒドラゾン誘導体を表し、式中、
R4及びR7が、独立して、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキルからなる群から選択されることができる、又は
R4が、(R8,R9)N−であることができ、R7が、(R12,R13)N−であることができ、
R8、R9、R12、及びR13が、独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択されることができるか、又はR8及びR9、若しくはR12及びR13などの2つの隣接する基が一緒になって、O若しくはSから選択されるヘテロ原子を含有してもよいC4〜C6飽和若しくは不飽和環状アルキルを形成し;
R5及びR6が、独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキルからなる群から選択されることができ;
R21、R22、R23、R24、及びR25が、互いに独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキル、C3〜C6環状アルキル、及びNR31 2(式中、R31が、H、メチル、エチル、イソプロピルからなる群から選択される)からなる群から選択されるか、又はR21、R22、R23、R24、及びR25のうちの2つが、互いに連結して置換若しくは非置換であることができるフェニレンを形成する、すなわち、置換若しくは非置換であることができるインデニル配位子である(CpR21R22R23R24R25)となっている、請求項1に記載の化合物。 - (R4R5(DAD)R6R7)が、一般式(R4)−N=CR5−CR6=N−(R7)のキレート化1,4−ジアザジエン誘導体を表し、式中、R4及びR7が、独立して、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択されることができ;
R5及びR6が、独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキルからなる群から選択されることができ;
R21、R22、R23、R24、及びR25が、互いに独立して、H、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C6分岐状アルキルからなる群から選択される、請求項1又は2に記載の化合物。 - R21、R22、R23、R24、及びR25が、互いに独立して、H、メチル、エチル、イソプロピル、及びtert−ブチルからなる群から選択される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の化合物。
- R21〜R25が同一ではないか、又はR21〜R25のうちの少なくとも1つが異なる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物。
- R21〜R25が同一である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物。
- R4及びR7が、互いに独立して、メチル、エチル、イソプロピル、及びtert−ブチルからなる群から選択される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の化合物。
- R5及びR6が、互いに独立して、H、メチル、エチル、イソプロピル、及びtert−ブチルからなる群から選択される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の化合物。
- R4〜R7が同一ではないか、又はR4〜R7のうちの少なくとも1つが異なる、請求項1〜8のいずれか一項に記載の化合物。
- R4及びR7が同一である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の化合物。
- R8、R9、R12、及びR13が、互いに独立して、C1〜C3直鎖状アルキル、C3〜C5分岐状アルキルから選択されることができるか、又はR8及びR9、若しくはR12及びR13などの2つの隣接する基が一緒になって、O若しくはSから選択されるヘテロ原子を含有してもよいC4〜C6飽和環状アルキルを形成する、請求項1、2、4〜6、及び8〜10のいずれか一項に記載の化合物。
- R8、R9、R12、及びR13が、互いに独立して、メチル、エチル、イソプロピル、tert−ブチル、ピロリジニル、ピペリジニル、又はモルホリニルからなる群から選択されることができる、請求項1、2、4〜6、及び8〜11のいずれか一項に記載の化合物。
- (R4R5(DAD)R6R7)が、(R8,R9)N−N=CR5−CR6=N−N(R12,R13)、R4−N=CR5−CR6=N−N(R12,R13)(式中、R4が(R8,R9)Nとは異なる)、(R8,R9)N−N=CR5−CR6=N−R7(式中、R7が、(R12,R13)Nとは異なる)、R4−N=CR5−CR6=N−R7(式中、R4が、(R8,R9)Nとは異なり、R7が、(R12,R13)Nとは異なる)、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物。
- R3が、H、メチル、エチル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1〜13のいずれか一項に記載の化合物。
- 前記(CpR21R22R23R24R25)が、非置換シクロペンタジエニド配位子、Cp(式(CpR21R22R23R24R25)において全ての置換基R21〜R25が水素である)、モノメチル置換シクロペンタジエニル配位子CpMe、ペンタメチル置換シクロペンタジエニド配位子Cp*、モノエチル置換シクロペンタジエニド配位子EtCp、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1〜14のいずれか一項に記載の化合物。
- 請求項1〜15のいずれかに記載の化合物を製造する方法であって、以下のステップ:
a)[(CpR21R22R23R24R25)Ru(P(R38)3)2X]、[(CpR21R22R23R24R25)Ru((R39)P−R40 2)2X]、[(CpR21R22R23R24R25)Ru((R39)2P−R40)2X]、又は[(CpR21R22R23R24R25)RuX]4を、R4R5(DAD)R6R7と反応させて、[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)X]を得るステップと、
b)[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)X]を、R3MgX又はR3Liと反応させて、[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)R3]を得るステップと、を含み、
式中、R39及びR40は、互いに異なり、R38、R39、及びR40が、置換又は非置換C1〜C6アルキル、置換又は非置換C1〜C6アルキルオキシ、置換又は非置換C1〜C6アルケニル、置換又は非置換C1〜C6アルキニル、置換又は非置換C1〜C6アルカジエニル、置換又は非置換C3〜C6シクロアルキル、置換又は非置換C5〜C10アリール、置換又は非置換C5〜C10アリールオキシ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、特に、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、とりわけ、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、シクロヘキシル、フェニル、トリ−オルト−トリル、トリ−メタ−トリル、トリ−パラ−トリル、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシ、及びこれらの組み合わせであることができる、1つ、2つ、又は3つの置換基で置換され、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択される、方法。 - ステップa)が、純粋な酸素の存在下で実施され、かつ、[(CpR21R22R23R24R25)Ru(P(R38)3)2X]、[(CpR21R22R23R24R25)Ru((R39)P−R40 2)2X]、及び[(CpR21R22R23R24R25)Ru((R39)2P−R40)2X]のうちの少なくとも1つが用いられる、請求項16に記載の方法。
- 式[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)X]の化合物の製造方法であって、
a)純粋な酸素の存在下で[(CpR21R22R23R24R25)Ru(P(R38)3)2X]、[(CpR21R22R23R24R25)Ru((R39)P−R40 2)2X]、及び[(CpR21R22R23R24R25)Ru((R39)2P−R40)2X]のうちの少なくとも1つを、R4R5(DAD)R6R7と反応させて、[(CpR21R22R23R24R25)Ru(R4R5(DAD)R6R7)X]を得るステップを含み、
式中、Xは、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択され、式中、R39及びR40は、互いに異なり、R38、R39、及びR40が、置換又は非置換C1〜C6アルキル、置換又は非置換C1〜C6アルキルオキシ、置換又は非置換C1〜C6アルケニル、置換又は非置換C1〜C6アルキニル、置換又は非置換C1〜C6アルカジエニル、置換又は非置換C3〜C6シクロアルキル、置換又は非置換C5〜C10アリール、置換又は非置換C5〜C10アリールオキシ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、特に、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、及びこれらの組み合わせから選択され、とりわけ、エチル、メチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、シクロヘキシル、フェニル、トリ−オルト−トリル、トリ−メタ−トリル、トリ−パラ−トリル、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシ、及びこれらの組み合わせであることができる、1つ、2つ、又は3つの置換基で置換されている、方法。 - 前記純粋な酸素の存在とは、純粋な酸素(O2)ガスの流れが反応混合物を通過することを意味する、請求項16〜18のいずれか一項に記載の方法。
- ステップa及び/又はbが、芳香族溶媒及びエーテルからなる群から選択される溶媒の存在下で実施される、請求項16〜18のいずれか一項に記載の方法。
- ステップa)及び/又はステップb)が、トルエン又はテトラヒドロフランのいずれかの中で実施される、請求項20に記載の方法。
- ステップa)及び/又はステップb)が、約−78℃〜約40℃の温度で実施される、請求項16〜21のいずれか一項に記載の方法。
- ステップa)及び/又はステップb)が、0℃以下の温度で開始され、次いで反応混合物が、反応の過程で周囲温度まで加温される、請求項16〜21のいずれか一項に記載の方法。
- ステップa)及び/又はステップb)が、3分〜12時間の期間にわたって実施される、請求項16〜23のいずれか一項に記載の方法。
- 表面上に元素ルテニウム層又はルテニウム含有層を堆積させるための、請求項1〜15のいずれか一項に記載の化合物の使用。
- 堆積が、熱により誘発される分解によって達成される、請求項25に記載の使用。
- 堆積が、ALD(原子層堆積)又はCVD(化学気相成長)法において達成される、請求項25又は請求項26に記載の使用。
- 表面上に元素ルテニウム層又はルテニウム含有層を堆積させるための方法であって、
− 請求項1〜15のいずれか一項に記載の化合物を準備するステップと、
− 請求項1〜15のいずれか一項に記載の化合物を、表面上に元素ルテニウム層又はルテニウム含有層を堆積させるための方法に供するステップと、を含む、方法。 - 堆積が、熱により誘発される分解によって達成される、請求項28に記載の方法。
- 表面上に元素ルテニウム層又はルテニウム含有層を堆積させるための方法が、ALD(原子層堆積)又はCVD(化学気相成長)法である、請求項28又は29に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18186137.8A EP3599240A1 (en) | 2018-07-27 | 2018-07-27 | Metal organic compounds |
EP18186137.8 | 2018-07-27 | ||
PCT/EP2019/070206 WO2020021078A1 (en) | 2018-07-27 | 2019-07-26 | Metal organic compounds |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021531243A true JP2021531243A (ja) | 2021-11-18 |
Family
ID=63079860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020568807A Pending JP2021531243A (ja) | 2018-07-27 | 2019-07-26 | 金属有機化合物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210198299A1 (ja) |
EP (2) | EP3599240A1 (ja) |
JP (1) | JP2021531243A (ja) |
KR (1) | KR20210040991A (ja) |
CN (1) | CN112292383A (ja) |
TW (1) | TW202014426A (ja) |
WO (1) | WO2020021078A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2018-07-27 EP EP18186137.8A patent/EP3599240A1/en not_active Withdrawn
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- 2019-07-26 JP JP2020568807A patent/JP2021531243A/ja active Pending
- 2019-07-26 CN CN201980039184.3A patent/CN112292383A/zh active Pending
- 2019-07-26 WO PCT/EP2019/070206 patent/WO2020021078A1/en unknown
- 2019-07-26 US US17/263,195 patent/US20210198299A1/en active Pending
- 2019-07-26 TW TW108126574A patent/TW202014426A/zh unknown
- 2019-07-26 EP EP19742397.3A patent/EP3830096A1/en active Pending
- 2019-07-26 KR KR1020217005443A patent/KR20210040991A/ko active Search and Examination
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---|---|
EP3830096A1 (en) | 2021-06-09 |
WO2020021078A1 (en) | 2020-01-30 |
KR20210040991A (ko) | 2021-04-14 |
TW202014426A (zh) | 2020-04-16 |
CN112292383A (zh) | 2021-01-29 |
US20210198299A1 (en) | 2021-07-01 |
EP3599240A1 (en) | 2020-01-29 |
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A621 | Written request for application examination |
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