JP2021523294A - クレージングを低減させるための装置、システム、および方法 - Google Patents

Abstract

基板上のコーティングにクレージングを引き起こし得る、寄生電流を低減させる、コーティングシステム。一実施例では、本システムは、チャンバ内のプラズマから発生された寄生ＡＣ電流のための接地への一対の低インピーダンスシャント経路を含む。低インピーダンスシャントは、各チャンバの電力供給源と各チャンバのマグネトロンとの間の平衡された３軸接続を通して提供され得る。別の実施例では、隣接するチャンバ間の電位差が、チャンバ間の同期された電力供給源信号を通して最小限にされる。

Description

（関連出願の相互参照）
本特許協力条約（ＰＣＴ）出願は、その内容全体が、あらゆる目的のために参照することによって本明細書に組み込まれる、２０１８年５月６日に出願され、「Ａｐｐａｒａｔｕｓ， Ｓｙｓｔｅｍ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ Ｒｅｄｕｃｅ Ｃｒａｚｉｎｇ」と題された、米国特許出願第６２／６６７，５６９号に関し、その優先権を主張する。

本開示の側面は、コーティングされている基板内の寄生電流を低減させ、それによって、基板内にクレージングを引き起こす条件を低減させる、コーティングシステムを伴う。

ガラスシートは、金属および誘電体含有フィルムの層でコーティングされ、コーティングされたガラスシートの光学性質を変動させることができる。多くの事例では、ガラスは、透明から可視波長であるが、他の波長を遮断または低減させ得る、フィルムでコーティングされる。そのようなフィルムは、熱伝達を低減させ得、とりわけ、建築用ガラスおよび自動車用ガラスにおいて有用である。

ガラスコーティング、特に、大規模なものは、多くの場合、プラズマチャンバ内で適用され、コーティングされているガラススラブが、コンベヤベルト等を用いて、チャンバ間を移動し、そこで、種々の層が、ガラス上に堆積される。いくつかの大規模ガラスコーティング機は、長さが２００〜３００フィートであって、１５〜３０個のプラズマチャンバまたはそれよりも多くのものを有することができる。各堆積チャンバは、１つ以上のスパッタリング標的と、ガラスが各チャンバを通して通過するにつれて、異なる薄フィルム層が堆積されるような電力供給源とを含むことができる。一連の数十個のチャンバを前提として、ガラスのシートは、迅速かつ均質に、数十層の薄フィルム層でコーティングされることができる。類似プロセスが、ガラスに加え、他の基板と併用されてもよい。

ある場合には、堆積される層の縁の近傍のクレージング（時として、「電弧瑕疵」とも称される）が、引き起こされ得る。図１は、クレージング効果の代表的画像である。クレージングは、落雷のように現れ、故に、「電弧瑕疵」と称される、コーティング内に可視の瑕疵を伴う。クレージングは、有意である、または縁から離れて延在するとき、ガラスのスラブを破壊し、それを使用不可能にし得、故に、クレージングを低減または排除することは、本業界における継続中の課題である。

とりわけ、これらの観察を念頭において、本開示の側面が、想起された。

一実施形態によると、堆積システムは、第１の出力と、第２の出力とを含む、交流電流電力供給源を備える。本システムはさらに、第１の中心導体と、第１の伝導性遮蔽体とを備える、第１の接地された３軸ケーブルを備える。一実施例では、第１の３軸ケーブルは、システム接地に接続され、接地されたケーブルを提供する、外側伝導性遮蔽体を含む。本システムはさらに、第２の中心導体と、第２の伝導性遮蔽体とを備える、第２の接地された３軸ケーブルを備える。一実施例では、第２の３軸ケーブルは、システム接地に接続され、接地されたケーブルを提供する、外側伝導性遮蔽体を含む。本システムはさらに、第１の端子と、第２の端子とを有する、堆積チャンバを含む。電力供給源の第１の出力は、第１の中心導体と結合され、電力供給源の第２の出力は、第１の伝導性遮蔽体と結合される。電力供給源の第１の出力は、第２の伝導性遮蔽体と結合され、電力供給源の第２の出力は、第２の中心導体と結合される。第１の中心導体は、第１の端子と結合され、第２の内側伝導性遮蔽体は、第１の端子と結合される。最後に、第１の内側伝導性遮蔽体は、第２の端子と結合され、第２の中心導体は、第２の端子と結合される。１つの具体的実装では、堆積システムは、ガラスコーティングシステムであって、第１の３軸ケーブルおよび第２の３軸ケーブルは、そうでなければガラスコーティングシステム内で処理されている基板上に瑕疵を引き起こす、寄生電流のための接地への容量または低インピーダンス経路を提供する。

別の実施形態によると、堆積システムは、第１の出力と、第２の出力とを含む、電力供給源を備える。本システムはさらに、基板をコーティングするように構成される、プラズマ堆積チャンバの第１の端子と結合される第１の導体を備える、第１の伝導性アセンブリと、プラズマ堆積チャンバの第２の端子と結合される第２の導体を備える、第２の伝導性アセンブリとを備える。インピーダンス要素が、第１の端子と接地との間および第２の端子と接地との間に結合され、インピーダンス要素は、基板から離れるように寄生電流のための接地へのシャント経路を提供し、瑕疵発生を低減させる。

別の実施形態によると、堆積システムは、第１の端子と、第２の端子とを含む、第１の堆積チャンバを備える。第１の電力供給源は、第１の端子と、第２の端子と結合される。第２の堆積チャンバは、第３の端子と、第４の端子とを含み、第２の電力供給源が、第３の端子と、第４の端子と結合される。コンベヤシステムが、基板を第１の堆積チャンバと第２の堆積チャンバとの間で移動させ、第１の堆積チャンバは、第２の堆積チャンバに隣接して位置付けられる。第１の交流電流信号を第１の端子および第２の端子に提供する、第１の電力供給源は、第２の交流電流信号を第３の端子および第４の端子に提供する、第２の電力供給源と協調され、協調は、少なくとも、第１の堆積チャンバの第２の端子と第２の堆積チャンバの第３の端子との間の電位差を最小限にする。

別の例示的実施形態では、堆積システムは、第１の電力供給源と結合される第１の端子および第２の端子を含む、第１の堆積チャンバと、第２の電力供給源と結合される第３の端子および第４の端子を含む、第２の堆積チャンバとを備える。第２の堆積チャンバは、第１の堆積チャンバに隣接して位置付けられ、本システムは、基板を第１の堆積チャンバと第２の堆積チャンバとの間で移動させ、基板を処理するための運搬システムを含む。第１の堆積チャンバの第２の端子は、第２の堆積チャンバの第３の端子に近接し、第１の電力供給源は、ＡＣ電力信号を第２の端子に提供するように構成され、第２の端子における第１のＡＣ信号の第１の極性が、第３の端子における第２のＡＣ信号の第２の極性と同時に同一であるように、第２のＡＣ電力信号を第３の端子に提供する、第２の電力供給源と同期される。

本開示の側面はまた、第１のチャンバ内の基板のプラズマコーティングプロセスを駆動する、第１のＡＣ信号と、第２のチャンバ内の同一基板のプラズマコーティングプロセスを駆動する、第２のＡＣ信号とを伴い、第１のチャンバが、第２のチャンバに隣接する、システムにおいて、第１のＡＣ信号および第２のＡＣ信号を制御し、基板を横断した電位差または第１のチャンバと第２のチャンバとの間の電位プラズマ間の相互作用を最小限にするステップを含む、方法を伴い得る。

別の実施例では、堆積システムは、第１の出力と、第２の出力とを含む、交流電流電力供給源を備える。本システムは、接地される、第１の３軸ケーブルを含み、第１の３軸ケーブルは、第１の中心導体と、第１の伝導性遮蔽体とを備える。本システムはさらに、接地される、第２の３軸ケーブルを備え、第２の３軸ケーブルは、第２の中心導体と、第２の伝導性遮蔽体とを備える。本システムはさらに、第１の端子と、第２の端子とを有する、堆積チャンバを備え、第１の出力は、第１の中心導体と結合され、第２の出力は、第１の伝導性遮蔽体と結合される。第１の出力は、第２の伝導性遮蔽体と結合され、第２の出力は、第２の中心導体と結合される。第１の中心導体は、第１の端子と結合され、第２の内側伝導性遮蔽体は、第１の端子と結合される。第１の内側伝導性遮蔽体は、第２の端子と結合され、第２の中心導体は、第２の端子と結合される。

さらに別の実施例では、堆積システムは、第１の伝導性経路を提供する堆積チャンバの第１の端子と結合される、第１の出力を含む、電力供給源を備える。電力供給源はさらに、第２の伝導性経路を提供する堆積チャンバの第２の端子と結合される、第２の出力を含む。堆積チャンバは、基板を処理する。本システムはさらに、第１の伝導性経路と接地との間および第２の伝導性経路と接地との間のインピーダンス要素を含み、インピーダンス要素は、接地への、かつ基板から離れる、寄生電流のための平衡されたシャント経路を提供する。

さらに別の実施例では、堆積システムは、第１の電力供給源と結合される第１の端子および第２の端子を含む、第１の堆積チャンバを備える。本システムはさらに、第２の電力供給源と結合される第３の端子および第４の端子を含む、第２の堆積チャンバを含み、第２の堆積チャンバは、第１の堆積チャンバに隣接して位置付けられ、基板を第１の堆積チャンバと第２の堆積チャンバとの間で移動させ、基板を処理するための運搬システムを含む。第１の堆積チャンバの第２の端子は、第２の堆積チャンバの第３の端子に近接し、第１の電力供給源は、ＡＣ電力信号を第２の端子に提供するように構成され、第２の端子における第１のＡＣ信号の第１の極性が、第３の端子における第２のＡＣ信号の第２の極性と同時に同一であるように、第２のＡＣ電力信号を第３の端子に提供する、第２の電力供給源と同期される。

別の実施例では、方法は、第１のチャンバ内の基板のプラズマコーティングプロセスを駆動する、第１のＡＣ信号と、第２のチャンバ内の同一基板のプラズマコーティングプロセスを駆動する、第２のＡＣ信号とを伴い、第１のチャンバが、第２のチャンバに隣接する、システムにおいて、第１のＡＣ信号および第２のＡＣ信号を制御し、基板を横断した電位差、第１のチャンバと第２のチャンバとの間の電位差、および第１のチャンバ内のプラズマと第２のチャンバ内のプラズマからの電位差のうちの少なくとも１つを最小限にするステップを含む。

本開示のこれらおよび他の側面は、下記にさらに説明される。

図１は、その上のコーティングにクレージングを伴う、ガラス基板の代表的略図である。

図２は、本開示の側面による、電力供給源とコーティングシステムのプラズマチャンバのうちの１つとの間に低インピーダンスシャント経路を伴う、コーティングシステムの一部のブロック図であって、低インピーダンスシャント経路は、そうでなければ基板のコーティングにクレージングを引き起こし得る、寄生ＡＣ電流を迂回させる。

図３は、本開示の側面による、コーティングシステムのプラズマチャンバのモデルである。

図４Ａは、３軸ケーブルの断面図である。

図４Ｂは、図４の３軸ケーブルの中心導体と接地との間の容量結合の電気図である。

図４Ｃは、図４の３軸ケーブルの内側遮蔽体導体と接地との間の容量結合の電気図である。

図４Ｄは、本開示の側面による、一対の３軸ケーブルの使用を通した、プラズマチャンバの端子間の平衡された容量結合の電気図であって、図４Ａおよび４Ｂに示されるものと対照的に、平衡された接続が端子毎に提供されるように、プラズマチャンバの１つの端子は、１つの３軸ケーブルを用いて、電力供給源への中心導体接続を有し、端子はまた、別の３軸ケーブルを用いて、電力供給源への内側遮蔽体導体接続を有し、他の端子は、同一対のケーブルとの接続の鏡映を有する。

図５は、本開示の側面による、コーティングシステムのチャンバと結合される電力供給源を描写する、略図であって、電力供給源は、図４Ｃによって表される平衡された３軸ケーブル接続を使用して結合される。

図６は、本開示の側面による、コーティングシステムのチャンバと結合される電力供給源を描写する、略図であって、低インピーダンス経路が、チャンバの接地点と電力供給源の接地点との間に接続される。

図７Ａは、各チャンバへのＡＣ信号が、同期されず、チャンバ間に可能性として考えられる電位差をもたらすときにコーティングシステムのチャンバ間を流動し得る、寄生電流を描写する、略図である。

図７Ｂは、本開示の側面による、各プラズマチャンバへの平衡されたＡＣ信号波形を描写する、略図である。

図７Ｃは、本開示の側面による、チャンバ間のＡＣ信号極性同期を描写する、略図である。

図８は、本開示の側面による、コンピュータシステムを描写する、略図であって、これは、電力システムの制御システムまたはコントローラを実装するために使用される、またはそれと一体型であって、種々の方法を実装し得る。

本開示のいくつかの側面は、基板コーティングにおいて使用される堆積システムの新しいモデルと、それらのモデルがクレージングの可能性として考えられる原因を識別するために使用され得る方法とによって表される、新しい理解の認識によって理解され得る。従来、クレージングは、静電放電によって開始されると理解されている。放電は、堆積された層のうちの１つ以上のものを溶融または蒸発させ、ガラスの縁から始まり、ガラスの中心に向かって内向きに広がる、落雷のように現れる、基板を通して流動する電流を伴うと考えられる。本開示の目的のために、基板は、建築ガラス、ディスプレイ技術ガラス（例えば、ラップトップおよびＴＶ画面）、またはその上に薄フィルムコーティングが堆積され得る、任意の他の基板等のガラス基板であることができる。クレージングの可能性として考えられる原因の新しい認識では、基板およびその上の任意のコーティング内を流動する、寄生電流、必ずしもではないが、静電放電が、または放電に加え、フィルムの熱容量を超え、それを溶融および蒸発させるとき、電弧が引き起こされ得ると考えられる。基板フィルム電流は、意図されず、ガラス上の別個の面積間の電位差、システム接地への意図されないインピーダンス、およびフィルムインピーダンスに起因して引き起こされ得る。これらの電流は、常時、ある程度、存在し、スパッタリングゾーン内またはその間に引き起こされ得、単一ゾーン内でも引き起こされ得る。

図２は、処理ライン内に配列されるいくつかの堆積チャンバ２０２Ａ−２０２Ｃを含む、基板コーティングシステム２００の代表的略図である。種々の堆積チャンバは、電力供給源２０４を含む、種々の可能性として考えられる電力供給源によって給電され、これは、概して、ＡＣ供給源として表されるが、方形波、正弦波、他の可能性として考えられる波形、および交流信号を提供してもよい。ＡＣ供給源は、ＡＣまたはバイポーラＤＣ電源（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｆｏｒｔ Ｃｏｌｌｉｎｓ， Ｃｏ．）によって製造されたＣｒｙｓｔａｌ ＡＣ Ｐｏｗｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ ａｎｄ Ａｓｃｅｎｔ ＤＭＳ等）であってもよい。コーティングシステムは、基板２１０をチャンバからチャンバに移動させ、基板２１０が各チャンバを通して通過するにつれて、薄フィルムを持続的に堆積させる、または種々のチャンバの他の動作を行うように配列される、コンベヤローラ２０８等の基板支持を提供する、運搬システム２０６を含む。多くの場合、チャンバのある組み合わせは、任意の所与の瞬間に、フィルムを基板５０８上の異なる場所に堆積させる。

電力供給源２０４は、２つ以上の端子ＡおよびＢに結合されることができ、これは、本明細書では、チャンバの電極またはマグネトロンとも称され得る。２つの電極が、使用される場合、図示されるように、対の電極は、アノードレス対であることができ、各電極が、ＡＣ電力供給源のＡＣサイクルに応じて、カソードおよびアノードの役割を果たすことを意味する。ＡＣシステムでは、各端子に印加される電位は、プラズマをチャンバ内に発生させ、維持する、交流信号に従って、各端子間で変化する。電極は、任意の形状、形態、および配列をとることができ、そのような代替は、本開示の結果に影響を及ぼさないであろう。例えば、電極は、２つの非限定的実施例のみを挙げると、円筒形または立方体であることができる。電極はまた、その中にそれらが位置付けられる、堆積チャンバ２０２の側面に接触するように配列されることができる。

本開示の側面は、電力供給源とチャンバとの間の平衡された３軸接続の使用を伴い、これは、図示される実施形態では、各ケーブルの中心および外側導体の組み合わせられた使用を通して、電力供給源２０４を個別の電極ＡおよびＢに接続する、２つの接地された３軸ケーブル２１２Ａ、２１２Ｂによって提供される。一実施例では、個別の３軸ケーブルの外側伝導性遮蔽体は、電力供給源およびチャンバにおけるシステム接地に接続される。平衡された接続は、ケーブル内の固有の静電容量を利用して、寄生電流のための接地への代替低インピーダンス経路を提供し、クレージング等の瑕疵を引き起こし得る、条件を低減させる。従来、供給源とチャンバとの間の接続は、接続毎に別個の同軸ケーブル、電力供給源と堆積チャンバの端子との間に離散導体を伴う３軸ケーブル、ワイヤ、リード、または他の形態の接続等、単一ケーブル内に具現化され得る。ＡＣ供給源によって駆動されると、プラズマのバイアスが、ガラス基板に結合される電流源としてモデル化され得ることが認識されている。さらに、プラズマ内で発生された電流パルスは、接地への経路を模索するであろうことが認識されており、その寄生電流は、従来のシステムでは、少なくともある程度、基板（およびその上のコーティング）を通して流動すると認識されている。平衡された３軸ケーブルの使用は、基板およびコーティング内を流動する寄生電流を低減させ、それによって、クレージングを低減させ得る、接地へのインピーダンス経路（容量）を提供する。

一実施例では、接地への、かつ基板を通らない、チャンバ内に形成される電流パルスのための低インピーダンス経路を提供する、システムが、提案される。電流分割の原理を通して、一部の電流は、基板から方向転換され、クレージングを引き起こす条件を低減させる。接地への代替経路の概念および利点を文脈化かつ解説するために、図３は、チャンバシステム３０２、電力供給源３０４、基板３０６、および関連特徴の提案されるモデル３００であって、電流源３１０と並列のインピーダンス要素（例えば、本明細書に議論されるような対の３軸ケーブルを通した接地への平衡された容量結合によって提供されるように）は、ＡＣ給電プラズマからの電流パルスを表し、これは、基板への寄生電流結合と見なされ得る。モデルはさらに、ソースインピーダンス３１６（Ｒ_{ＳＯＵＲＣＥ}）と直列なプラズマバイアス３１４として図示されるその抵抗とともに、プラズマによって提示されるバイアスを図示する。コーティングの間、プラズマは、基板と接触し、故に、プラズマバイアスは、基板を通して、電流源を作成する。従来のシステムでは、電流は、Ｒ_{ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ}３１２によって表される、接地への基板を通した経路を見出すであろう。

効果は、クレージングが引き起こされ得る条件を作成することになるであろう。モデルを参照すると、高インピーダンスである可能性が高いが、それにもかかわらず、既存のチャンバのチャンバインピーダンス（Ｒ_{ＣＨＡＭＢＥＲ}）を通して、および可能性として、他のチャンバを通して、ローラを通して、および同等物（但し、モデル内には図示されない）を通して、接地への経路が存在する。基板上のコーティングまたはフィルムを通した意図されない寄生電流は、フィルム熱閾値を超え、クレージング事象を誘起させ得る（雷様パターンでフィルムを溶融および蒸発させる）と考えられる。クレージングは、電位が低減され、クレージング事象が消滅するまで、フィルム内に経路をエッチングし続け得る。本明細書に議論されるように、クレージングを開始し得る寄生レベルを回避するために、そのような寄生電流を迂回させる、種々の解決策が、提案される。

一実施例では、意図されない寄生電流の一部は、代わりに、インピーダンス要素３０８を通して、接地への経路を見出し、基板をバイパスし、それによって、クレージングを引き起こし得る条件を低減させ得る。１つの特定の実施形態では、所与のチャンバの各プラズマ端子から接地への平衡されたコンデンサを通して提供され得る、インピーダンス接続が、そのような寄生電流の一部が接地に流動するために、基板から離れる代替経路を提供するように提供される。より特定の形態、すなわち、平衡された３軸ケーブル配列の形態における、電力供給源とチャンバ端子との間の接続では、ケーブルの固有の静電容量が、平衡された接続では、チャンバのＡＣ寄生電流パルスのための接地への経路を提供し、それによって、電流の一部に基板をバイパスさせる。

図４Ａは、３軸ケーブル４００の断面図であって、その対は、本明細書に議論されるように、平衡された３軸接続を提供するために使用され得る。３軸ケーブル４００は、第１の絶縁体４０４によって囲繞される、中心導体４０２を含み、これは、第１の伝導性遮蔽体（第２の導体）４０６によって囲繞され、これは、外側伝導性遮蔽体（第３の導体）４１０と、外側（第３の）絶縁体４１２とを伴う、第２の絶縁体４０８によって囲繞される。３軸ケーブルは、その構造の性質上、コンデンサを形成し得る。より具体的には、中心導体４０２、第１の絶縁体４０４、および内側伝導性遮蔽体４０６の組み合わせは、第１のコンデンサ（Ｃ１）を形成し、第１の内側伝導性遮蔽体４０６、第２の絶縁体４０８、および外側伝導性遮蔽体４１０の組み合わせは、第２のコンデンサ（Ｃ２）を形成する。

いくつかの従来の構成では、単一従来の３軸ケーブルは、電力供給源をチャンバの端子に結合するために使用される。図４Ｂおよび４Ｃは、チャンバの１つの端子（例えば、Ａ）が、中心導体４０２（図４Ｂ）を用いて電力供給源２０４に接続され、チャンバの別の端子（例えば、Ｂ）が、第１の内側伝導性遮蔽体４０６（図４Ｃ）を用いて電力供給源に接続されるであろう、従来の配列の非平衡性質を図示する。図４Ｂを参照すると、非平衡方法において、（端子Ａのための）導体４０２は、コンデンサＣ１およびＣ２の両方を通して、接地への経路を提供する一方、（端子Ｂのための）導体４０６は、Ｃ２を通して接地に接続され、すなわち、１つの経路は、２つのコンデンサを有し、他の経路は、単一コンデンサを有することが分かる。中心導体と接地との間の経路において直列である２つのコンデンサＣ１およびＣ２として図示されるが（図４Ｂ）、内側遮蔽体４０６は、事実上、接地への中心導体を遮蔽し、これは、事実上、コンデンサが中心導体を接地することを可能にしない。故に、非平衡な従来の接続では、中心導体４０２は、特に、プラズマコーティングシステム内で被られる一部の高周波数寄生電流のための、接地への低インピーダンス経路を有していない。

図４Ｄは、電力供給源２０４とチャンバ２０２の端子（Ａ）および（Ｂ）との間の接続毎に２つの３軸ケーブルを使用することによって提供され得る、平衡された３軸接続の表現である。本配列では、Ａ側とＢ側との間の接続は両方とも、それぞれ、内側遮蔽体と接地との間の接続を有し、故に、両方とも、高周波数電流のための接地への低インピーダンス経路を有することが分かる。図５は、堆積チャンバの電力供給源と端子（Ａ）および（Ｂ）との間の平衡された二重３軸ケーブル接続を図示する、別の略図である。図５に図示される各３軸ケーブル５００Ａ、５００Ｂは、図４Ａに図示される断面を有する。平衡されたＡＣ電流シャントを達成するために、２つの３軸ケーブル５００Ａ、５００Ｂが、電力供給源２０４をチャンバの２つの端子ＡおよびＢに接続するために使用される。第１のケーブル５００Ａでは、端子Ａは、中心導体５０２Ａを介して、側（Ａ）において、電力供給源２０４に接続され、端子Ｂは、第１の内側遮蔽体導体５０６Ａを用いて、電力供給源側（Ｂ）に接続される。第２のケーブル５００Ｂでは、端子Ａは、中心導体５０２Ｂを介して、電力供給源側（Ｂ）に接続され、端子Ｂは、第１の内側遮蔽体導体５０６Ｂを用いて、電力供給源側（Ａ）に接続される。本接続は、図４Ｄに描写される平衡された配列を提供する。

さらに詳細に、３軸ケーブルの組み合わせられた使用を通して、第１のケーブルでは、電力供給源の片側（例えば、Ａ）から端子のうちの１つ（例えば、Ａ）までの１つの中心導体経路（第１のＡ接続）が存在し、電力供給源の他側（例えば、Ｂ）から他の端子（例えば、Ｂ）までの１つの遮蔽体導体経路（第１のＢ接続）が存在する。第１のケーブルでは、Ａ側とＡ端子との間の第１の接続内に接地への２つのコンデンサと、Ｂ側とＢ端子との間の第２の接続内に接地への１つのコンデンサとが存在する。第２のケーブルでは、平衡は、接地への１つのコンデンサを伴う内側遮蔽体導体を通して、電力供給源のＡ側とＡ端子との間の第２のＡ接続を提供することによって、Ａ側接続内と、接地への２つのコンデンサを伴う中心導体接続を通して、電力供給源のＢ側とＢ端子との間の第２のＢ接続を提供することによって、Ｂ側接続内とで達成される。したがって、Ａ側とＡ端子との間の接続には、第１の３軸ケーブル内の接地への２つのコンデンサを伴う、１つの経路と、他の第２の３軸ケーブル内の接地への１つのコンデンサを伴う、並列経路とが存在する。Ｂ側とＢ端子との間の接続では、第２の３軸ケーブル内の接地への２つのコンデンサを伴う、１つの経路と、第１の３軸ケーブル内の接地への１つのコンデンサを伴う、別の経路とが存在する。したがって、電力供給源の各側と個別の端子との間の接続は、各経路の組み合わせられた並列接続によって提供される接地への同一容量接続を伴う、各経路の並列接続によって提供される同一（平衡された）経路を有する。さらに、ＡおよびＢ接続はそれぞれ、内側遮蔽体によって提供される高周波数寄生電流および図４ＤにおけるＣ２によって表される接地への容量結合のための低インピーダンス経路を有する。

図６は、直接、その電力供給源６０４へのＡＣ接地を伴う、コーティングシステムの多くのうちの１つのチャンバであり得る、チャンバ６０２を図示する。本システムは、チャンバと電力供給源との間の低インピーダンス経路を提供する。低インピーダンス帰還経路が、提供され得、電力供給源は、直接、チャンバ上に、またはチャンバおよび供給源に相互接続される専用低インピーダンスフレームまたは他の部材を通して、搭載される。一実施例では、銅ストラップ６０６が、プラズマチャンバの接地点６０８と関連付けられた電力供給源６０４の接地点６１０との間に接続される。ストラップは、基板およびその上の任意のコーティングから離れるようなチャンバ内のプラズマからの寄生電流の迂回によって、クレージングを低減させる目的のために、チャンバとその電力供給源接地との間の専用低インピーダンス経路を提供する。銅ストラップが、一実施例では提供されるが、供給源接地とチャンバ接地との間の他の低インピーダンス接続も、可能性として考えられる。さらに、図６では、電力供給源とマグネトロンとの間の平衡された３軸結合も、図示され、チャンバと供給源接地との間のＡＣ帰還経路は、クレージングの可能性をさらに低減させる。しかしながら、ＡＣ帰還経路は、平衡された３軸アプローチまたは他のシャントインピーダンスアプローチを伴わずに使用されてもよい。

チャンバと電力供給源との間のＡＣ接地は、チャンバ内のプラズマから電力供給源への高周波数ＡＣ寄生電流のための専用帰還経路を提供する。図３に描写されるモデルに戻って参照すると、ＡＣ接地帰還経路は、シャントインピーダンス要素３０８、電流源３１０（プラズマを電流源としてモデル化する）、プラズマバイアス３１４および関連付けられたソースインピーダンス３１６、およびチャンバインピーダンス（Ｒ_{ＣＨＡＭＢＥＲ}）間の銅ストラップ相互接続によって提供される。ストラップは、基板から離れ、かつ供給源接地への、任意のＡＣ供給源誘発寄生電流のための専用低インピーダンス経路を提供する。

本開示の別の側面は、電位差は、コーティングを横断して、および電位差間に寄生電流流動をもたらす、チャンバ間に誘発され得ることを認識する。概して、図２に示されるように、基板コーティングシステム２００または処理ラインは、典型的には、多くのプラズマ堆積チャンバ（例えば、２０２Ａ−２０２Ｃ）を含み、それぞれ、絶縁体または導体のいずれかを堆積させるように構成される。建築ガラスのスラブ等の基板２１０が、本システム内に示される。基板は、複数のプラズマ堆積チャンバ内に跨架するように定寸され得、したがって、異なる層の堆積を同時に被り得る。基板がその間で移動し、各チャンバにおいてコーティングまたは別様に処理される、一連のプラズマ堆積チャンバを含む、従来のガラスコーティングシステムは、電力供給源および各堆積チャンバに提供されるエネルギーに対して同期されない。換言すると、堆積チャンバは、チャンバ間で移動する基板をコーティングまたは別様に処理するための全体的システムの一部であるが、各チャンバを駆動する電力および所与のチャンバのプロセスは、他のチャンバに対して同期または制御されない。

離散チャンバ内で、電力供給源は、差動電圧をマグネトロン（端子）間に発生させ、コーティングプロセスの一部として、プラズマを開始および持続させる。従来、１つのチャンバ内のプラズマプロセスは、隣接するチャンバ内のプロセスからのバイアスと異なる、バイアスを基板上に発生させ得る。故に、本開示の別の側面は、そのような隣接するチャンバ内に印加されている差動電圧からのチャンバ間の電位差に起因して、電流経路が隣接するチャンバ間に形成され得るという認識を伴う。チャンバ間の電流経路は、基板と、基板が隣接するチャンバ内で同時に処理されるにつれて基板上に存在する、あらゆるコーティングとを含み得る。

図７Ａは、３つの隣接するチャンバ（７０２Ａ、７０２Ｂ、および７０２Ｃ）と、運搬システム（例えば、図２のローラ２０６参照）上でチャンバからチャンバに移動されている、基板７１０との従来の配列を伴う、堆積システム７００を描写する、略図である。各チャンバは、各チャンバの個別のマグネトロンＡおよびＢに給電し、各チャンバ内でプラズマを点火および持続させる、個別のＡＣ電力供給源７０４Ａ、７０４Ｂ、および７０４Ａを有する。３つのチャンバは、単に、例証のために示され、本システムは、より多くのそのようなチャンバを有してもよい。基板は、基板がチャンバからチャンバに運搬されるにつれて、種々の隣接するチャンバ内で同時に処理され得る。図７Ａに示されるような従来のシステムでは、各チャンバのマグネトロンＡおよびＢは、典型的には、同一であって、Ｂマグネトロンは、示されるように、Ａマグネトロンに直に隣接する結果をもたらす。

各チャンバ内のＡＣ電力信号を制御しなければ、および／またはマグネトロン配列を改変しなければ、電位差がチャンバ間に引き起こされるであろうことが可能性として考えられ、実際、その可能性が高い。チャンバ毎に、Ａマグネトロンが、デューティサイクルの正の部分を引き受け、Ｂマグネトロンが、デューティサイクルの負の部分を引き受ける方式下では、チャンバ７０２Ａ内の端子（Ｂと標識される）は、負の電圧信号を受信し得る一方、隣接するチャンバ７０２Ｂ内の隣接する端子（Ａと標識される）は、正の電圧信号を受信し得ることが分かる。議論の目的のために、各信号が、同一であって、正の電圧が、＋５００Ｖであって、負の電圧が、−５００Ｖである場合、１００ボルトの電位差が、隣接するチャンバの端子間に作成され得る。そのような電位差は、２つの隣接するチャンバ間で電流を基板（および基板に適用され得るあらゆるコーティング）を通して流動させ得る。電流は、コーティング内にクレージングを開始させ得る。

クレージングを引き起こし得る、チャンバ間およびコーティングされた基板を横断した電流経路を低減または排除するために、本開示の側面は、隣接するチャンバの隣接する端子間の電位差が最小限にまたは排除されるように、（例えば、図７Ａに示されるような）隣接する信号間の電力信号の同期化と、単独で、または電力信号の同期と組み合わせて、隣接するチャンバの隣接する端子が、同様に同一または実質的に同一電圧であり得る、（例えば、図７Ｃに示されるような）同一極性の電力信号を受信するように、端子または隣接するチャンバの物理的配列とを伴う。

図７Ｂは、各チャンバの一対の端子と結合される個別の３つの電力供給源から印加され得る、ＡＣ信号を図示する。これらの信号は、同期形態で図示される（例えば、３つの信号は、５０％デューティサイクルを伴う同一方形波パターンを描写する）。信号同期に関して、各電力供給源のコントローラまたは複数の電力供給源を制御するように動作可能に結合されるコントローラが、隣接するチャンバ内のプロセスと同期するように、任意の所与の堆積チャンバ内のプロセスを制御し、隣接するチャンバの隣接するマグネトロン間の電位差を最小限にするように構成され得る。例証目的のための単純実施例では、図７Ｃのチャンバに印加されている図７Ｂに図示される信号を検討する。第１および第２のチャンバに印加される第１および第２の信号がそれぞれ、低いとき、各チャンバのマグネトロンＢは、同時に低くなるように同期されるであろう。故に、隣接するチャンバの隣接する端子は、同一極性を有する。これは、信号制御を通して、および／または個別の供給源とチャンバの端子との間の接続を通して、達成されてもよい。＋５００ボルトと−５００ボルトとの間のＡＣパターンを伴う上記に導入された実施例に戻ると、−５００ボルトが、チャンバ７０２ＡのＢに印加されると同時に、−５００ボルトが、チャンバ７０２ＢのＢに印加される。値は、同一であって、両方とも負であるため、チャンバ間の直の面積内に電位差は存在しないであろう。異なる電圧レベルを伴う波形が、チャンバ毎に使用される場合でも、信号の極性は、隣接する端子において同一であるため、電位差は、隣接する端子において、１つの信号が正であって、他の信号が負である場合未満となるであろう。それぞれ、第２および第３のチャンバに印加される、第２および第３の信号が、それぞれ、高いとき、各チャンバのマグネトロンＡは、同時に高くなるように同期されるであろう。Ａ隣接物およびＢ隣接物（例えば、チャンバ間のアノード隣接物およびカソード隣接物）のための各チャンバの電極Ａおよび電極Ｂの再配列の文脈で図示されるが、同期はまた、従来のチャンバ配列において管理され、信号を協調させ、隣接するチャンバのマグネトロン間の電位差を最小限にしてもよい。プロセス、故に、各チャンバへの信号は、異なり得るが、それにもかかわらず、そのような信号を同期させ、隣接するチャンバの隣接する（端子）マグネトロン間の電位差を最小限にすることが可能性として考えられる。

多くの場合、任意の所与のチャンバ内のプロセスを制御するＡＣ信号は、電圧レベルのみに差異を伴って、同一または類似であり得る。そのような事例では、特に、同一デューティサイクルを有する、同一タイプの信号では、各チャンバへの極性は、同一極性を有する隣接するチャンバの隣接する端子を用いて制御され得る。他の事例では、信号の周波数またはタイプの差異は、信号の協調をより複雑にし得る。それにもかかわらず、依然として、隣接するチャンバ間の信号極性におけるある重複が存在するように信号を制御する、または別様に、電位差が可能な限り最小限にされるように、信号を協調させることが可能性として考えられる。

図８は、コンピューティングデバイスまたはコンピュータシステム８００の実施例を図示する、ブロック図であって、これは、例えば、コントローラを実装する際に使用され得る。コントローラはまた、ＲＦ電力供給源または他の形態の供給源と統合される、インピーダンス整合ネットワーク内に統合される、または別様に、種々の可能性として考えられる形態で提供されてもよい。図８の実施例を参照すると、コンピューティングシステム８００は、上記に議論されるドライバ回路のためのスイッチングデバイスのうちのいずれかに任意の制御信号を提供するための、制御デバイスであってもよい。コンピュータシステム（システム）は、１つ以上のプロセッサ８０２−８０６を含む。プロセッサ８０２−８０６は、キャッシュ（図示せず）の１つ以上の内部レベルと、プロセッサバス８１２との相互作用を指示するための、バスコントローラまたはバスインターフェースユニットとを含んでもよい。ホストバスまたはフロントサイドバスとしても公知である、プロセッサバス８１２が、プロセッサ８０２−８０６をシステムインターフェース８１４と結合させるために使用されてもよい。システムインターフェース８１４が、システム８００の他のコンポーネントにプロセッサバス８１２とインターフェースをとらせるように、プロセッサバス８１２に接続されてもよい。例えば、システムインターフェース８１４は、メインメモリ８１６にプロセッサバス８１２とインターフェースをとらせるための、メモリコントローラ８１８を含んでもよい。メインメモリ８１６は、典型的には、１つ以上のメモリカードと、制御回路（図示せず）とを含む。システムインターフェース８１４はまた、１つ以上のＩ／ＯブリッジまたはＩ／Ｏデバイスにプロセッサバス８１２とインターフェースをとらせるための、入力／出力（Ｉ／Ｏ）インターフェース８２０を含んでもよい。１つ以上のＩ／Ｏコントローラおよび／またはＩ／Ｏデバイスは、図示されるような、Ｉ／Ｏコントローラ８２８およびＩ／Ｏデバイス８３０等のＩ／Ｏバス８２６と接続されてもよい。システムインターフェース８１４はさらに、プロセッサバス８１２および／またはＩ／Ｏバス８２６と相互作用するための、バスコントローラ８２２を含んでもよい。

Ｉ／Ｏデバイス８３０はまた、プロセッサ８０２−８０６に情報および／またはコマンド選択を通信するための、英数字キーおよび他のキーを含む、英数字入力デバイス等の入力デバイス（図示せず）を含んでもよい。別のタイプのユーザ入力デバイスは、プロセッサ８０２−８０６に方向情報およびコマンド選択を通信するための、および表示デバイス上でカーソル移動を制御するための、マウス、トラックボール、またはカーソル方向キー等のカーソル制御を含む。

システム８００は、メインメモリ８１６と称される、動的記憶デバイス、またはランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、またはプロセッサ８０２−８０６によって実行されるべき情報および命令を記憶するための、プロセッサバス８１２に結合される、他のコンピュータ可読デバイスを含んでもよい。メインメモリ８１６はまた、プロセッサ８０２−８０６による命令の実行の間に一時変数または他の中間情報を記憶するために使用されてもよい。システム８００は、プロセッサ８０２−８０６に関する静的情報および命令を記憶するための、プロセッサバス８１２に結合される、読取専用メモリ（ＲＯＭ）および／または他の静的記憶デバイスを含んでもよい。図８に記載のシステムは、本開示の側面に従って採用する、または構成され得る、コンピュータシステムの唯一の可能性として考えられる実施例である。

一実施形態によると、上記の技法は、メインメモリ８１６内に含有される、１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行するプロセッサ８０４に応答して、コンピュータシステム８００によって実施されてもよい。これらの命令は、記憶デバイス等の別の機械可読媒体からメインメモリ８１６の中に読み取られてもよい。メインメモリ８１６内に含有される命令のシーケンスの実行が、プロセッサ８０２−８０６に本明細書に説明されるプロセスステップを実施させてもよい。代替実施形態では、回路が、ソフトウェア命令の代わりに、またはそれと組み合わせられて使用されてもよい。したがって、本開示の実施形態は、ハードウェアとソフトウェアコンポーネントとの両方を含んでもよい。

機械可読媒体は、機械（例えば、コンピュータ）によって読取可能である形態（例えば、ソフトウェア、処理アプリケーション）で情報を記憶または伝送するための、任意の機構を含む。そのような媒体は、限定ではないが、不揮発性媒体および揮発性媒体の形態をとり得る。不揮発性媒体は、光学または磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ８１６等の動的メモリを含む。機械可読媒体の一般的形態は、限定ではないが、磁気記憶媒体、光学記憶媒体（例えば、ＣＤ−ＲＯＭ）、光磁気記憶媒体、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、消去可能なプログラマブルメモリ（例えば、ＥＰＲＯＭおよびＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリ、または電子命令を記憶するために好適な他のタイプの媒体を含んでもよい。

本開示の実施形態は、本明細書に説明される、種々のステップを含む。ステップは、ハードウェアコンポーネントによって実施されてもよい、または命令を用いてプログラムされた汎用目的または特殊目的プロセッサにステップを実施させるために使用され得る、機械実行可能命令に具現化されてもよい。代替として、ステップは、ハードウェア、ソフトウェア、および／またはファームウェアの組み合わせによって実施されてもよい。

上記の説明は、本開示の技法を具現化する、例示的システム、方法、技法、命令シーケンス、および／またはコンピュータプログラム製品を含む。しかしながら、説明される開示は、これらの具体的な詳細を用いずに実践され得ることを理解されたい。本開示では、開示される方法は、デバイスによって読取可能な命令またはソフトウェアのセットとして実装され得る。さらに、開示される方法のステップの具体的な順序または階層は、例示的アプローチの事例であることを理解されたい。設計選好に基づいて、本方法のステップの具体的な順序または階層は、開示される主題の範囲内に留まりながら、再配列され得ることを理解されたい。付随の方法請求項は、種々のステップの要素をサンプル順序で提示し、必ずしも提示される具体的な順序または階層に限定することを意図していない。

本開示およびその付随する利点の多くのものが、前述の説明によって理解されるはずであると考えられ、種々の変更が、開示される主題から逸脱することなく、またはその実質的な利点の全てを犠牲にすることなく、構成要素の形態、構成、および配列において成され得ることが明白となるはずである。説明される形態は、説明にすぎず、そのような変更を包含かつ含むことが、以下の請求項の意図である。

本開示は、種々の実施形態を参照して説明されているが、これらの実施形態は、例証的であり、本開示の範囲は、それらに限定されないことを理解されたい。多くの変形例、修正、追加、および改良が、可能性として考えられる。さらに一般的には、本開示による実施形態は、特定の実装の文脈において説明されている。機能性は、本開示の種々の実施形態において異なるように分離される、またはブロックに組み合わせられる、または異なる専門用語を用いて説明され得る。これらおよび他の変形例、修正、追加、および改良は、後に続く、請求項において定義されるような本開示の範囲内にあり得る。

Claims (25)

1. 堆積システムであって、
   第１の出力および第２の出力を含む交流電流電力供給源と、
   接地される第１の３軸ケーブルであって、前記第１の３軸ケーブルは、第１の中心導体および第１の伝導性遮蔽体を備える、第１の３軸ケーブルと、
   接地される第２の３軸ケーブルであって、前記第２の３軸ケーブルは、第２の中心導体および第２の伝導性遮蔽体を備える、第２の３軸ケーブルと、
   第１の端子および第２の端子を有する堆積チャンバと
   を備え、
   前記第１の出力は、前記第１の中心導体と結合され、前記第２の出力は、前記第１の伝導性遮蔽体と結合され、前記第１の出力は、前記第２の伝導性遮蔽体と結合され、前記第２の出力は、前記第２の中心導体と結合され、
   前記第１の中心導体は、前記第１の端子と結合され、第２の内側伝導性遮蔽体は、前記第１の端子と結合され、
   第１の内側伝導性遮蔽体は、前記第２の端子と結合され、前記第２の中心導体は、前記第２の端子と結合される、堆積システム。
2. 前記第１の３軸ケーブルはさらに、前記交流電流電力供給源および前記堆積チャンバにおいて接地される第１の外側伝導性遮蔽体を備え、前記第２の３軸ケーブルはさらに、前記交流電流電力供給源および前記堆積チャンバにおいて接地される第２の外側伝導性遮蔽体を備える、請求項１に記載の堆積システム。
3. 前記堆積システムは、ガラスコーティングシステムであり、前記第１の３軸ケーブルおよび前記第２の３軸ケーブルは、そうでなければ前記ガラスコーティングシステム内で処理されている基板上に瑕疵を引き起こす寄生電流のための接地への容量または低インピーダンス経路を提供する、請求項２に記載の堆積システム。
4. 前記電力供給源は、第１の接地接続を含み、前記堆積チャンバは、第２の接地接続を含み、前記システムはさらに、前記第１の接地接続と前記第２の接地接続との間に結合される低インピーダンス帰還経路を備える、請求項１に記載の堆積システム。
5. 前記低インピーダンス帰還経路は、前記チャンバからの高周波数電流のために前記低インピーダンス帰還経路を提供する接地ストラップである、請求項２に記載の堆積システム。
6. 堆積システムであって、
   第１の伝導性経路を提供する堆積チャンバの第１の端子と結合される第１の出力を含む電力供給源であって、前記電力供給源はさらに、第２の伝導性経路を提供する前記堆積チャンバの第２の端子と結合される第２の出力を含み、前記堆積チャンバは、基板を処理するためのものである、電力供給源と、
   前記第１の伝導性経路と接地との間および前記第２の伝導性経路と接地との間のインピーダンス要素であって、前記インピーダンス要素は、接地への、かつ、前記基板から離れる寄生電流のための平衡されたシャント経路を提供する、インピーダンス要素と
   を備える、堆積システム。
7. 前記インピーダンス要素は、前記第１の端子と接地との間に結合される第１のコンデンサと、前記第２の端子と接地との間に結合される第２のコンデンサとを備える、請求項６に記載の堆積システム。
8. 前記インピーダンス要素は、前記第１の出力と接地との間に結合される第１のコンデンサと、前記第２の出力と接地との間に結合される第２のコンデンサとを備える、請求項６に記載の堆積システム。
9. 前記インピーダンス要素は、前記第１の伝導性経路と接地との間の第１のインピーダンス要素と、前記第２の伝導性経路と接地との間の第２のインピーダンス要素とを備え、前記第１のインピーダンス要素および前記第２のインピーダンス要素は、同一インピーダンスを有し、前記平衡されたシャント経路を提供する、請求項６に記載の堆積システム。
10. 前記プラズマ堆積チャンバの第１の端子と結合される第１の導体を備える第１の伝導性アセンブリと、
    前記プラズマ堆積チャンバの第２の端子と結合される第２の導体を備える第２の伝導性アセンブリと
    をさらに備える、請求項６に記載の堆積システム。
11. 前記インピーダンス要素は、第１のインピーダンス要素と、第２のインピーダンス要素とを備え、
    前記第１の伝導性アセンブリは、前記第１の導体と、前記第１の導体と接地との間の前記第１のインピーダンス要素とを備え、
    前記第２の伝導性アセンブリは、前記第２の導体と、前記第２の導体と接地との間の前記第２のインピーダンス要素とを備え、前記第２のインピーダンス要素は、前記第１のインピーダンス要素と同一インピーダンスを提供し、
    前記第１のインピーダンス要素および前記第２のインピーダンス要素は、接地への前記平衡されたシャント経路を提供する、請求項１０に記載の堆積システム。
12. 前記第１のインピーダンス要素および前記第２のインピーダンス要素は、同一インピーダンスを有する、請求項１１に記載の堆積システム。
13. 前記第１の伝導性アセンブリは、第１の３軸ケーブルであり、前記第２の伝導性アセンブリは、第２の３軸ケーブルである、請求項１１に記載の堆積システム。
14. 前記第１の３軸ケーブルは、第１の中心導体と、第１の伝導性遮蔽体とを含み、
    前記第２の３軸ケーブルは、第２の中心導体と、第２の伝導性遮蔽体とを含み、
    前記第１の出力は、前記第１の中心導体と結合され、前記第２の出力は、前記第１の伝導性遮蔽体と結合され、前記第１の出力は、前記第２の伝導性遮蔽体と結合され、前記第２の出力は、前記第２の中心導体と結合され、
    前記第１の中心導体は、前記第１の端子と結合され、第２の内側伝導性遮蔽体は、前記第１の端子と結合され、
    第１の内側伝導性遮蔽体は、前記第２の端子と結合され、前記第２の中心導体は、前記第２の端子と結合され、
    前記第１のインピーダンス要素は、前記第１の中心導体および前記第１の伝導性遮蔽体ならびにそれらの間の第１の絶縁体によって形成される第１のコンデンサと、前記第１の伝導性遮蔽体および第１の外側遮蔽体ならびにそれらの間の第２の絶縁体によって形成される第２のコンデンサとを備え、
    前記第２のインピーダンス要素は、前記第２の中心導体および前記第２の伝導性遮蔽体ならびにそれらの間の第３の絶縁体によって形成される第３のコンデンサと、前記第２の伝導性遮蔽体および第２の外側遮蔽体ならびにそれらの間の第４の絶縁体によって形成される第４のコンデンサとを備える、請求項１３に記載の堆積システム。
15. 前記電力供給源は、第１の接地接続を含み、前記堆積チャンバは、第２の接地接続を含み、前記システムはさらに、前記第１の接地接続と前記第２の接地接続との間に結合される低インピーダンス経路を備える、請求項６に記載の堆積システム。
16. 前記低インピーダンス経路は、前記チャンバからの高周波数電流のための帰還経路を提供する接地ストラップを備える、請求項１５に記載の堆積システム。
17. 堆積システムであって、
    第１の端子および第２の端子を含む第１の堆積チャンバと、
    前記第１の端子および前記第２の端子と結合される第１の電力供給源と、
    第３の端子および第４の端子を含む第２の堆積チャンバと、
    前記第３の端子および前記第４の端子と結合される第２の電力供給源と、
    前記第１の堆積チャンバと前記第２の堆積チャンバとの間で基板を移動させるコンベヤシステムであって、前記第１の堆積チャンバは、前記第２の堆積チャンバに隣接して位置付けられ、第１の交流電流信号を前記第１の端子および前記第２の端子に提供する前記第１の電力供給源は、第２の交流電流信号を前記第３の端子および前記第４の端子に提供する前記第２の電力供給源と協調され、前記協調は、少なくとも、前記第１の堆積チャンバの第２の端子と前記第２の堆積チャンバの第３の端子との間の電位差を最小限にする、コンベヤシステムと
    を備える、堆積システム。
18. 前記第１の堆積チャンバの第２の端子は、前記第２の堆積チャンバの第３の端子に隣接する、請求項１７に記載の堆積システム。
19. 前記第１の堆積チャンバは、前記第２の堆積チャンバと同時に材料を前記基板上に堆積させるように動作されており、前記第１の電力供給源および前記第２の電力供給源の協調は、前記第２の端子および前記第３の端子に同一極性を同時に有するように、前記第１の交流電流信号および前記第２の交流電流信号を管理することを含む、請求項１８に記載の堆積システム。
20. 前記システムは、前記第１の堆積チャンバと前記第２の堆積チャンバとの間の前記基板上に課される周波数遷移を最小限にするように動作される、請求項１７に記載の堆積システム。
21. 前記システムは、前記第１の堆積チャンバと前記第２の堆積チャンバとの間の遷移を同期させるように動作される、請求項１７に記載の堆積システム。
22. 堆積システムであって、
    第１の電力供給源と結合される第１の端子および第２の端子を含む第１の堆積チャンバと、
    第２の電力供給源と結合される第３の端子および第４の端子を含む第２の堆積チャンバであって、前記第２の堆積チャンバは、前記第１の堆積チャンバに隣接して位置付けられ、基板を前記第１の堆積チャンバと前記第２の堆積チャンバとの間で移動させ、前記基板を処理するための運搬システムを含む、第２の堆積チャンバと
    を備え、
    前記第１の堆積チャンバの第２の端子は、前記第２の堆積チャンバの第３の端子に近接し、前記第１の電力供給源は、ＡＣ電力信号を前記第２の端子に提供するように構成され、前記第２の端子における前記第１のＡＣ信号の第１の極性が、前記第３の端子における前記第２のＡＣ信号の第２の極性と同時に同一であるように、第２のＡＣ電力信号を前記第３の端子に提供する前記第２の電力供給源と同期される、堆積システム。
23. 前記第２の端子および前記第３の端子はそれぞれ、同一タイプのマグネトロンを含む、請求項２２に記載の堆積システム。
24. 方法であって、
    第１のチャンバ内の基板のプラズマコーティングプロセスを駆動する第１のＡＣ信号と、第２のチャンバ内の同一基板のプラズマコーティングプロセスを駆動する第２のＡＣ信号とを伴い、前記第１のチャンバが前記第２のチャンバに隣接するシステムにおいて、前記第１のＡＣ信号および前記第２のＡＣ信号を制御し、前記基板を横断した電位差、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間の電位差、および前記第１のチャンバ内のプラズマと前記第２のチャンバ内のプラズマからの電位差のうちの少なくとも１つを最小限にすること
    を含む、方法。
25. 前記第１のＡＣ信号および前記第２のＡＣ信号を制御し、同一極性を前記第１のチャンバおよび前記第２のチャンバの隣接するマグネトロンに印加することをさらに含む、請求項２４に記載の方法。

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