JP2018063167A - 検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電磁波検出に対する温度変化の影響を抑制する。【解決手段】検出装置(1)は、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流(Its)を発生する第1検出部(D2)と、第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に基準電圧が印加されることにより第2電流(If)を発生する第2検出部(D1)と、第1電流及び第2電流に基づき前記電磁波の強度を出力する出力部(100)と、を備える。第2検出部に係るインダクタンスは、第1検出部に係るインダクタンスより大きい。【選択図】図4
Description
本発明は、検出装置の技術分野に関し、特に電磁波を検出する検出装置の技術分野に関する。
この種の装置で用いられる検出素子の一例として、特許文献1には、ショットキーバリアダイオードを備える検出素子が開示されている。特許文献1には、該検出素子の動作例として、検出素子にバイアス電圧が印加された状態で、赤外光(波長10.6μm)が照射されると、直流出力が得られることが開示されている。
この種の装置として、例えば、電磁波発生素子と、第一の偏波として発信された電磁波を第一の偏波として受信する第一のアンテナとを有する発信部と、第一の偏波として発信された電磁波を第二の偏波に変換する偏波変換部と、第二の偏波を受信する第二のアンテナとを有する受信部と、を備え、発信部と受信部とが同一基板上に配置されている装置が提案されている(特許文献2参照)。
検出素子は、動作温度によって最適なバイアス電圧が変化する。しかしながら、特許文献1には、バイアス電圧をどのように設定するかは開示されていない。また、特許文献2に記載の第一のアンテナ及び第二のアンテナを構成する素子に係るI−V特性(電流−電圧特性)には温度依存性があるため、第一のアンテナ及び第二のアンテナ間でI−V特性が異なると電磁波を正確に検出することができなくなる可能性がある。
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、電磁波検出に対する温度変化の影響を抑制することができる検出装置を提供することを課題とする。
本発明の第1の検出装置は、上記課題を解決するために、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、前記第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に前記基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、前記第1電流及び第2電流に基づき前記電磁波の強度を出力する出力部と、を備え、前記第2検出部に係るインダクタンスは、前記第1検出部に係るインダクタンスより大きい。
本発明の第2の検出装置は、上記課題を解決するために、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、前記第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に前記基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、前記第1電流及び第2電流に基づき前記電磁波の強度を出力する出力部と、を備え、前記第2検出部は、前記電磁波の波長に基づく所定長さより短いアンテナ長を有するアンテナ素子を含んでなる。
本発明の第3の検出装置は、上記課題を解決するために、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、前記第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に前記基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、前記第1電流及び第2電流に基づき前記電磁波の強度を出力する出力部と、を備え、前記第2検出部に係る電気容量は、前記第1検出部に係る電気容量より大きく、且つ、前記第2検出部に係る内部抵抗は、前記第1検出部に係る内部抵抗より大きい。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
本発明の検出装置に係る実施形態について説明する。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る検出装置は、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、該第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、第1電流及び第2電流に基づき電磁波の強度を出力する出力部と、を備える。当該検出装置では、第2検出部に係るインダクタンスが、第1検出部に係るインダクタンスより大きくなるように、第2検出部が構成されている。
第1実施形態に係る検出装置は、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、該第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、第1電流及び第2電流に基づき電磁波の強度を出力する出力部と、を備える。当該検出装置では、第2検出部に係るインダクタンスが、第1検出部に係るインダクタンスより大きくなるように、第2検出部が構成されている。
ここで、「電気的特性が等価」とは、第1検出部の電気的特性と第2検出部の電気的特性とが完全に等しい場合に限らず、第1検出部の電気的特性と第2検出部の電気的特性とが、実践上等しいとみなせる程度に、第1検出部の電気的特性と第2検出部の電気的特性とが異なっている場合も含む概念である。
この種の装置では、検出部に電磁波が入射すると、検出部に入射した電磁波の強度に応じた電流が発生する。このため、単純には、発生した電流の電流値から電磁波の強度を求めることができる。検出感度の向上を図るために検出部にバイアス電圧が印加される場合、バイアス電圧が一定であったとしても、検出部の動作温度が変化したときにバイアス電圧に起因して検出部に発生する電流が変化する。このため、検出部にバイアス電圧が印加されている場合、検出部の動作温度によっては正しい検出結果が得られないおそれがある。
当該検出装置は、電気的特性が等価である第1検出部及び第2検出部を備える。第1検出部及び第2検出部各々には、動作時に、バイアス電圧に相当する基準電圧が印加される。電磁波が入射したときに第1検出部に発生する電流と、該第1検出部と電気的特性が等価な第2検出部に発生する電流(即ち、基準電圧に起因して第1検出部に発生する電流に相当)とを比較すれば、電磁波のみに起因して第1検出部に発生する電流が求まる。
第1検出部及び第2検出部の電気的特性が等価であるので、当該検出装置の動作温度が変化し、基準電圧に起因して第1検出部及び第2検出部各々に発生する電流が変化しても、第1電流と第2電流とを比較すれば、電磁波に起因して第1検出部に発生する電流を正確に求めることができる。
ただし、第1検出部に入射する電磁波と同じ電磁波が第2検出部に入射しても、第2検出部に電磁波に起因する電流が発生しないように第2検出部を構成する必要がある。本実施形態では、第2検出部に係るインダクタンスを、第1検出部に係るインダクタンスより大きくすることによって、第2検出部に係る共振周波数を、第1検出部に係る共振周波数と異ならしめることによって、第2検出部に電磁波に起因する電流が発生しないようにしている。尚、第1検出部と第2検出部とでインダクタンスが異なっていても、例えばI−V特性である電気的特性は変化しない。
以上の結果、本実施形態に係る検出装置によれば、電磁波検出に対する温度変化の影響を抑制することができる。
本実施形態に係る検出装置の一態様では、第1検出部及び第2検出部各々は、カソードがアンテナの一部を構成する第1アンテナ要素に電気的に接続されると共に、アノードが該アンテナの他の部分を構成する第2アンテナ要素に電気的に接続されているショットキーバリアダイオードを有する。この態様によれば、電磁波を比較的高感度に検出することができる。
この態様では、第2検出部のアンテナに係るアンテナ長は、第1検出部のアンテナに係るアンテナ長よりも長くてよい。このように構成すれば、比較的容易にして、第2検出部に係るインダクタンスを、第1検出部に係るインダクタンスより大きくすることができる。
この態様では、第1検出部のアンテナ及び第2検出部のアンテナは、ループアンテナであってよい。このように構成すれば、電磁波の偏波面に依らずに電磁波を適切に検出することができる、更には、偏波面が変動する電磁波も適切に検出することができる。
この態様では、第1検出部の第1アンテナ要素と、第2検出部の第1アンテナ要素とは、同一部材により形成されていてよい。
本実施形態に係る検出装置の他の態様では、第1検出部及び第2検出部は、同一基板上に配置されている。この態様によれば、第1検出部及び第2検出部各々の熱的環境を同じにすることができる。
<第2実施形態>
第2実施形態に係る検出装置は、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、該第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、第1電流及び第2電流に基づき電磁波の強度を出力する出力部と、を備える。当該検出装置では、第2検出部は、電磁波の波長に基づく所定長さより短いアンテナ長を有するアンテナ素子を含んでなる。
第2実施形態に係る検出装置は、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、該第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、第1電流及び第2電流に基づき電磁波の強度を出力する出力部と、を備える。当該検出装置では、第2検出部は、電磁波の波長に基づく所定長さより短いアンテナ長を有するアンテナ素子を含んでなる。
本実施形態では、第2検出部に含まれるアンテナ素子のアンテナ長を、測定対象の電磁波の波長に基づく所定長さよりも短くすることにより、測定対象の電磁波に対する第2検出部の感度をなくしている。従って、当該検出装置によれば、電磁波検出に対する温度変化の影響を抑制することができる。ここで、「所定長さ」は、測定対象の電磁波に対する検出感度がなくなる長さを意味する。「所定長さ」は、例えば、測定対象の電磁波の波長の10分の1の長さ等である。
<第3実施形態>
第3実施形態に係る検出装置は、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、該第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、第1電流及び第2電流に基づき電磁波の強度を出力する出力部と、を備える。当該検出装置では、第2検出部に係る電気容量は、第1検出部に係る電気容量より大きく、且つ、第2検出部に係る内部抵抗は、第1検出部に係る内部抵抗より大きい。
第3実施形態に係る検出装置は、動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、該第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、第1電流及び第2電流に基づき電磁波の強度を出力する出力部と、を備える。当該検出装置では、第2検出部に係る電気容量は、第1検出部に係る電気容量より大きく、且つ、第2検出部に係る内部抵抗は、第1検出部に係る内部抵抗より大きい。
本実施形態では、主に、第2検出部に係る電気容量を第1検出部に係る電気容量より大きくすることによって、第2検出部に係る共振周波数を第1検出部に係る共振周波数と異ならしめている。他方で、電気容量を変化させると、例えばI−V特性である電気的特性も変化してしまう。そこで本実施形態では、第2検出部に係る内部抵抗を第1検出部に係る内部抵抗より大きくすることによって、第2検出部に係る電気的特性を第1検出部に係る電気的特性と等価にしている。
本実施形態では、第2検出部に係る電気的特性を第1検出部に係る電気的特性と等価にしつつ、第2検出部に電磁波に起因する電流が発生しないようにすることができる。従って、当該検出装置によれば、電磁波検出に対する温度変化の影響を抑制することができる。
本実施形態に係る検出装置の一態様では、第1検出部及び第2検出部各々は、半導体材料に不純物が添加された第1不純物層と、第1不純物層の上に積層され、半導体材料に添加される不純物が第1不純物層より少ない第2不純物層と、第2不純物層の上に積層され、第2不純物層とショットキー接触する第1金属層と、第1不純物層とオーミック接触する第2金属層と、を有する素子を含む。
ここで特に、(i)第1検出部に含まれる上記素子である第1素子の第1金属層と第2不純物層との接触面積よりも、第2検出部に含まれる上記素子である第2素子の第1金属層と第2不純物層との接触面積は大きく、且つ、(ii)第1素子の第1金属層と第2金属層との間の距離よりも、第2素子の第1金属層と第2金属層との間の距離は長い、及び/又は、第1素子の第1不純物層に添加された不純物よりも、第2素子の第1不純物層に添加された不純物は少ない、及び/又は、第1素子の第1不純物層と第2金属層との接触面積よりも、第2素子の第1不純物層と第2金属層との接触面積は小さい。
この態様によれば、比較的容易にして、第2検出部に係る電気的特性を第1検出部に係る電気的特性と等価にしつつ、第2検出部に電磁波に起因する電流が発生しないようにすることができる。
本発明の検出装置に係る実施例を図面に基づいて説明する。以下の実施例では、本発明に係る「検出装置」の一例として、本発明に係る「電磁波」の一具体例であるテラヘルツ波を検出する、「テラヘルツ波強度検出装置」を挙げる。尚、以下で参照する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
<第1実施例>
テラヘルツ波強度検出装置に係る第1実施例について、図1乃至図5を参照して説明する。
テラヘルツ波強度検出装置に係る第1実施例について、図1乃至図5を参照して説明する。
(テラヘルツ波強度検出装置の構成)
第1実施例に係るテラヘルツ波強度検出装置1の構成について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、第1実施例に係るテラヘルツ波強度検出装置の検出回路の要部の一例を示す図である。図2は、第1実施例に係る差電圧検出部の一例を示す図である。
第1実施例に係るテラヘルツ波強度検出装置1の構成について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、第1実施例に係るテラヘルツ波強度検出装置の検出回路の要部の一例を示す図である。図2は、第1実施例に係る差電圧検出部の一例を示す図である。
テラヘルツ波強度検出装置1は、図1に示す検出回路を有している。図1において、“D1”及び“D2”は、互いにI−V特性が等価なショットキーバリアダイオードであり、“OA”は、オペアンプである。
テラヘルツ波強度検出装置1では、その動作時に、ショットキーバリアダイオードD1(以降、適宜“ダイオードD1”と称する)に電流値Ifが発生するようにバイアス電圧が印加される。ここで、ダイオードD1に印加されるバイアス電圧を“Vf”とし、抵抗値を“R1”とすると、電位V1は、“V1=If×R1+Vf”と表せる。
尚、本実施例に係る「バイアス電圧Vf」は、ダイオードD1の両端に印加する順方向電圧であって、ダイオードD1をオンさせる電圧、つまり、ダイオードD1の順方向電流が、急激に増加しはじめる電圧である。より詳しくは、「バイアス電圧Vf」は、ダイオードD1にテラヘルツ波が入射していない場合において、ダイオードD1に順方向の小電流である電流Ifを流すために、ダイオードD1の両端に印加すべき順方向電圧を意味する。
図1に示すように、オペアンプOAのマイナスの入力端子と、オペアンプOAの出力端子とは電気的に接続されている(即ち、仮想接地されている)。このため、オペアンプOAのマイナスの入力端子の電位と、オペアンプOAのプラスの入力端子の電位とが同電位となる。
ダイオードD1にバイアス電圧Vfが印加されている場合、オペアンプOAのプラスの入力端子の電位は“Vf”であるので、オペアンプOAのマイナスの入力端子の電位も“Vf”となる。この結果、ダイオードD1にバイアス電圧Vfが印加されている場合、ショットキーバリアダイオードD2(以降、適宜“ダイオードD2”と称する)にも、電圧Vfがバイアス電圧として印加されることとなる。
ダイオードD2にテラヘルツ波が入射したときにダイオードD2に発生する電流値を“Its”とし、抵抗値を“R2”とすると、オペアンプOAの出力端子の電位V2は、“V2=Its×R2+Vf”と表せる。
差電圧検出部100のプラスの入力端子の電位は“V2”であり、差電圧検出部100のマイナスの入力端子の電位は“V1”である。従って、差電圧検出部100からは、“V2−V1=(Its×R2+Vf)−(If×R1+Vf)=Its×R2−If×R1”を示す信号が出力される。ここで、「抵抗値R1=抵抗値R2」となるように、当該テラヘルツ波強度検出装置1を構成すれば、抵抗値R1は既知であるので、ダイオードD2にテラヘルツ波が入射したことにより増加した電流値Isig(=Its−If)を求めることができる。電流値Isigは、テラヘルツ波の強度に応じた値であるので、差電圧検出部100の出力からダイオードD2に入射したテラヘルツ波の強度を検出することができる。尚、差電圧検出部100の具体的な構成としては、例えば図2に示す構成が挙げられる。
(ショットキーバリアダイオードの構造)
次に、ショットキーバリアダイオードD1及びD2に適用可能なショットキーバリアダイオードの構造について、図3を参照して説明する。図3は、ショットキーバリアダイオードの構造の一例を示す断面図である。
次に、ショットキーバリアダイオードD1及びD2に適用可能なショットキーバリアダイオードの構造について、図3を参照して説明する。図3は、ショットキーバリアダイオードの構造の一例を示す断面図である。
図3において、ショットキーバリアダイオード90は、半導体基板91の上に積層された高濃度ドープn型半導体層92a及び92bと、高濃度ドープn型半導体層92aの上に積層されたn型半導体層95と、n型半導体層95の上に積層されたショットキー電極96と、一端がショットキー電極96の上に積層され、他端が高濃度ドープn型半導体層92bの上に積層されたオーミック電極94と、高濃度ドープn型半導体層92aの上に積層されたオーミック電極93と、を備えて構成されている。
半導体基板91は、例えばInP(インジウム・リン)等からなる。高濃度ドープn型半導体層92a及び92bは、例えばInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)等の半導体材料に、例えばSi(ケイ素)等の不純物が、例えば2×1018(cm−3)以上添加されることにより形成されている。n型半導体層95は、例えばInGaAs等の半導体材料に、例えばSi等の不純物が、例えば1×1016〜1×1018(cm−3)添加されることにより形成されている。
ショットキー電極96は、例えばAl(アルミニウム)、Ti(チタン)等からなる。ショットキー電極96はn型半導体層95とショットキー接触しており、ショットキー電極96とn型半導体層95との接触界面には空乏層95aが形成される。オーミック電極93及び94は、例えばAuGeNi(金・ゲルマニウム・ニッケル)合金等からなる。オーミック電極93は、高濃度ドープn型半導体層92aとオーミック接触している。同様に、オーミック電極94は、高濃度ドープn型半導体層92bとオーミック接触している。
オーミック電極93及び94は、更に、ダイポールアンテナを構成している。つまり、ショットキーバリアダイオード90は、ショットキーバリアダイオードのカソードにダイポールアンテナの一方のアンテナ要素であるオーミック電極93が接続され、ショットキーバリアダイオードのアノードにダイポールアンテナの他方のアンテナ要素であるオーミック電極94が接続された構成を有すると言える。
このように構成されたショットキーバリアダイオード90の空乏層95aは、コンデンサ(そのキャパシタンスを“C”とする)として機能する。また、空乏層95aを除くn型半導体層95、高濃度ドープn型半導体層92a、及び高濃度ドープn型半導体層92aとオーミック電極93との接触面は、内部抵抗Rとして機能する。オーミック電極93及び94により構成されるダイポールアンテナのアンテナ長に適合した周波数を有するテラヘルツ波が、ショットキーバリアダイオード90に入射し、入射したテラヘルツ波の強度がある閾値を超えるとショットキーバリアダイオード90が動作し信号電流が流れる。
オーミック電極93及び94により構成されるダイポールアンテナを、インダクタンスLとみなすと、ショットキーバリアダイオード90は、RLC直列共振回路を形成しているとみなせる。このため、ショットキーバリアダイオード90に係る共振周波数fは、“f=1/2π√(LC)”と表され、カットオフ周波数fcは、“fc=1/2πRC”と表される。
(ショットキーバリアダイオードD1及びD2の構成)
テラヘルツ波強度検出装置1では、ダイオードD1にテラヘルツ波に起因する電流が発生してしまうと、ダイオードD2に入射したテラヘルツ波の強度を正しく検出することができない。このため、ダイオードD1は、テラヘルツ波に起因する電流が発生しないように、言い換えれば、テラヘルツ波を検波しないように、構成する必要がある。
テラヘルツ波強度検出装置1では、ダイオードD1にテラヘルツ波に起因する電流が発生してしまうと、ダイオードD2に入射したテラヘルツ波の強度を正しく検出することができない。このため、ダイオードD1は、テラヘルツ波に起因する電流が発生しないように、言い換えれば、テラヘルツ波を検波しないように、構成する必要がある。
本実施例では、ダイオードD1に係るインダクタンスLを変更することにより、ダイオードD1に係る共振周波数fをテラヘルツ波に係る周波数帯からずらし、その結果、ダイオードD1がテラヘルツ波を検波しないようにしている。
ここで、ダイオードD1及びD2の構成について、図4を参照して説明を加える。図4は、第1実施例に係るショットキーバリアダイオードを示す図である。
図4(b)において、ダイオードD1は、半導体基板11の上に積層された高濃度ドープn型半導体層12a及び12bと、高濃度ドープn型半導体層12aの上に積層されたn型半導体層15と、n型半導体層15の上に積層されたショットキー電極16と、一端がショットキー電極16の上に積層され、他端が高濃度ドープn型半導体層12bの上に積層されたオーミック電極14と、高濃度ドープn型半導体層12aの上に積層されたオーミック電極13と、を備えて構成されている。
同様に、図4(c)において、ダイオードD2は、半導体基板11の上に積層された高濃度ドープn型半導体層12a及び12cと、高濃度ドープn型半導体層12aの上に積層されたn型半導体層25と、n型半導体層25の上に積層されたショットキー電極26と、一端がショットキー電極26の上に積層され、他端が高濃度ドープn型半導体層12cの上に積層されたオーミック電極24と、高濃度ドープn型半導体層12aの上に積層されたオーミック電極13と、を備えて構成されている。
尚、図4における「半導体基板11」、「高濃度ドープn型半導体層12a、12b及び12c」、「n型半導体層15及び25」、「ショットキー電極16及び26」、「オーミック電極13」並びに「オーミック電極14及び24」は、夫々、図3における「半導体基板91」、「高濃度ドープn型半導体層92a及び92b」、「n型半導体層95」、「ショットキー電極96」、「オーミック電極93」並びに「オーミック電極94」に相当する。
図4に示すように、ダイオードD1に係るアンテナ長lは、ダイオードD2に係るアンテナ長lよりも長い。ここで、図5に示すように、インダクタンスLは、アンテナ長lが長くなるほど大きくなる。つまり、アンテナ長lが長くなるほどインダクタンスLが大きくなり、結果として、共振周波数fが小さくなる。
本実施例では、ダイオードD1に係るアンテナ長lは、ダイオードD1がテラヘルツ波を検波できないような長さに設定されている。他方で、ダイオードD2に係るアンテナ長lは、ダイオードD2がテラヘルツ波を検波できるような長さに設定されている。尚、ダイオードD1に係るアンテナ長lは、ダイオードD1に係る共振周波数とダイオードD2に係る共振周波数との比が、例えば2分の1以下となるように設定されることが望ましい。
(技術的効果)
本実施例では、ダイオードD1に係るアンテナ長lがダイオードD2に係るアンテナ長lよりも長く、結果として、ダイオードD1に係るインダクタンスLはダイオードD2に係るインダクタンスLよりも大きい。このため、ダイオードD1がテラヘルツ波を検波できないように構成できる一方で、ダイオードD2がテラヘルツ波を検波できるように構成できる。
本実施例では、ダイオードD1に係るアンテナ長lがダイオードD2に係るアンテナ長lよりも長く、結果として、ダイオードD1に係るインダクタンスLはダイオードD2に係るインダクタンスLよりも大きい。このため、ダイオードD1がテラヘルツ波を検波できないように構成できる一方で、ダイオードD2がテラヘルツ波を検波できるように構成できる。
ダイオードD1のインダクタンスLとダイオードD2のインダクタンスLとが異なっていても、ダイオードD1及びダイオードD2のI−V特性を等価にすることは可能であるので、バイアス電圧Vfに起因してダイオードD1及びD2各々に発生する電流値は等しくなる。
加えて、図4に示すように、ダイオードD1及びD2は、同一の半導体基板11上に形成(配置)されている。従って、ダイオードD1及びD2は、同一の熱的環境におかれていると言える。このため、テラヘルツ波強度検出装置1の動作時に、ダイオードD1の温度が変化する場合にはダイオードD2の温度も同様に変化する。つまり、動作温度が変化したとしても、ダイオードD1及びD2にバイアス電圧Vfに起因して発生する電流値は等しいままである。
以上の結果、本実施例に係るテラヘルツ波強度検出装置1によれば、テラヘルツ波検出に対する温度変化の影響を抑制しつつ、テラヘルツ波を適切に検出することができる。
尚、本実施例に係る「ダイオードD2」、「ダイオードD1」、「差電圧検出部100」及び「バイアス電圧Vf」は、夫々、本発明に係る「第1検出部」、「第2検出部」、「出力部」及び「基準電圧」の一例である。本実施例に係る「オーミック電極13」並びに「オーミック電極14及び24」は、夫々、本発明に係る「第1アンテナ要素」及び「第2アンテナ要素」の一例である。
<変形例>
第1実施例に係るテラヘルツ波強度検出装置1の変形例について、図6を参照して説明する。図6は、第1実施例の変形例に係るショットキーバリアダイオードを示す平面図である。
第1実施例に係るテラヘルツ波強度検出装置1の変形例について、図6を参照して説明する。図6は、第1実施例の変形例に係るショットキーバリアダイオードを示す平面図である。
第1実施例では、ダイオードD1のオーミック電極13及び14、並びに、ダイオードD2のオーミック電極13及び24は、ダイポールアンテナとして構成されている。しかしながら、ダイオードD1のオーミック電極13及び14、並びに、ダイオードD2のオーミック電極13及び24は、図6に示すように、ループアンテナとして構成されていてよい。
このように構成すれば、テラヘルツ波の偏波面に依らずに、ダイオードD2によりテラヘルツ波を適切に検出することができる。更には、ダイオードD2により偏波面が変動するテラヘルツ波も適切に検出することができる。加えて、図6に示すように、ループアンテナを同心円状に形成すれば、比較的容易にして、ダイオードD1のアンテナ長lをダイオードD2のアンテナ長lよりも長くすることができる。
<第2実施例>
テラヘルツ波強度検出装置に係る第2実施例について、図7を参照して説明する。第2実施例では、ショットキーバリアダイオードの構成が一部異なっている以外は、上述した第1実施例と同様である。よって、第2実施例について、第1実施例と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図7を参照して説明する。図7は、第2実施例に係るショットキーバリアダイオードを示す図である。
テラヘルツ波強度検出装置に係る第2実施例について、図7を参照して説明する。第2実施例では、ショットキーバリアダイオードの構成が一部異なっている以外は、上述した第1実施例と同様である。よって、第2実施例について、第1実施例と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図7を参照して説明する。図7は、第2実施例に係るショットキーバリアダイオードを示す図である。
本実施例では、ダイオードD1に係るアンテナ長l(図7(b)参照)を、テラヘルツ波の波長より著しく短くすることにより、ダイオードD1が電界アンテナとして機能しないようにし、その結果、ダイオードD1がテラヘルツ波を検波しないようにしている。
具体的には、ダイオードD1に係るアンテナ長lは、テラヘルツ波の波長を“λ”とし、オーミック電極13´又は14´の屈折率を“n”として、“l<λ/10n”の関係を満たすように設定されている。尚、ダイオードD1に係るアンテナ長lは、単純には、テラヘルツ波の波長の10分の1以下とすればよい。
ダイオードD1に係るアンテナ長lを変更することは、上述の如く、ダイオードD1に係るインダクタンスLを変更することと同義である。つまり、図7に示すように、ダイオードD1及びD2を構成しても、ダイオードD1及びダイオードD2のI−V特性は等価である。
従って、本実施例に係るテラヘルツ波強度検出装置1によれば、テラヘルツ波検出に対する温度変化の影響を抑制しつつ、テラヘルツ波を適切に検出することができる。
<第3実施例>
テラヘルツ波強度検出装置に係る第3実施例について、図8及び図11を参照して説明する。第3実施例では、ショットキーバリアダイオードの構成が一部異なっている以外は、上述した第1実施例と同様である。よって、第3実施例について、第1実施例と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図8乃至11を参照して説明する。
テラヘルツ波強度検出装置に係る第3実施例について、図8及び図11を参照して説明する。第3実施例では、ショットキーバリアダイオードの構成が一部異なっている以外は、上述した第1実施例と同様である。よって、第3実施例について、第1実施例と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図8乃至11を参照して説明する。
図8は、第3実施例に係るショットキーバリアダイオードを示す図である。図9は、アノードの半径とダイオード容量との関係の一例を示す特性図である。図10は、電極間距離とダイオードの内部抵抗との関係の一例を示す特性図である。図11は、ドーピング濃度と高濃度ドープ層の内部抵抗との関係の一例を示す特性図である。尚、図11は、両対数座標で表されている。
本実施例では、ダイオードD1のショットキー電極16´とn型半導体層15´との接触面積を変更することにより、ダイオードD1に係る共振周波数fをテラヘルツ波に係る周波数帯からずらし、その結果、ダイオードD1がテラヘルツ波を検波しないようにしている。
図9に示すように、ショットキー電極16´とn型半導体層15´との接触面積(図9の“アノードの半径”に相当)が増加すると、コンデンサとして機能する空乏層15aのキャパシタンスCが増加し、結果として、ダイオードD1のキャパシタンス(図9の“ダイオード容量”に相当)も増加する。ショットキー電極16´とn型半導体層15´との接触面積が増加して、ダイオードD1のキャパシタンスが増加すると、ダイオードD1に係る共振周波数fは低下する。
他方で、ショットキー電極16´とn型半導体層15´との接触面積が増加すると、空乏層15aを除くn型半導体層15´の内部抵抗が減少する。この結果、ダイオードD1の内部抵抗が減少し、ダイオードD1に係るI−V特性が変化してしまう。つまり、ダイオードD1のショットキー電極16´とn型半導体層15´との接触面積を、ダイオードD2のショットキー電極26とn型半導体層25との接触面積と異ならせると、ダイオードD1のI−V特性とダイオードD2のI−V特性とが等価ではなくなってしまう。
そこで本実施例では、(i)オーミック電極13´´とオーミック電極14´´との間の距離d(図8参照)の変更、(ii)高濃度ドープn型半導体層12a及び12bに係るドーピング濃度の変更、及び(iii)オーミック電極13´´と高濃度ドープn型半導体層12aとの接触面積の変更、の少なくとも一つにより、ショットキー電極16´とn型半導体層15´との接触面積の変化に起因するダイオードD1の内部抵抗の変化を相殺している。
ここで、図10に示すように、オーミック電極13´´とオーミック電極14´´との間の距離d(図10の“電極間距離”に相当)が増加すると、高濃度ドープn型半導体層12aの内部抵抗が増加し、結果として、ダイオードD1の内部抵抗が増加する。また、図11に示すように、高濃度ドープn型半導体層12a及び12bに係るドーピング濃度が減少すると、高濃度ドープn型半導体層12a及び12bに係るシート抵抗が増加し、結果として、ダイオードD1の内部抵抗が増加する。
オーミック電極13´´と高濃度ドープn型半導体層12aとの接触面積が減少すると、オーミック電極13´´と高濃度ドープn型半導体層12aとの接触面の内部抵抗が増加し、結果として、ダイオードD1の内部抵抗が増加する。加えて、オーミック電極13´´と高濃度ドープn型半導体層12aとの接触面積の減少に伴い、ダイオードD1のキャパシタンスが減少する。
本実施例では、(i)ダイオードD1のショットキー電極16´とn型半導体層15´との接触面積が、ダイオードD2のショットキー電極26とn型半導体層25との接触面積よりも大きくされると共に、(ii)ダイオードD1のオーミック電極13´´とオーミック電極14´´との間の距離dが、ダイオードD2のオーミック電極13´´とオーミック電極24との間の距離よりも長くされる、及び/又は、ダイオードD1の高濃度ドープn型半導体層12a及び12bのドーピング濃度が、ダイオードD2の高濃度ドープn型半導体層12a及び12cのドーピング濃度よりも低くされる、及び/又は、ダイオードD1のオーミック電極13´´と高濃度ドープn型半導体層12aとの接触面積が、ダイオードD2のオーミック電極13´´と高濃度ドープn型半導体層12aとの接触面積よりも小さくされる。
このように構成すれば、ダイオードD1のI−V特性とダイオードD2のI−V特性とを等価にしつつ、ダイオードD1に係る共振周波数fをダイオードD2に係る共振周波数fよりも低くすることができる。つまり、ダイオードD1及びダイオードD2のI−V特性を等価にしつつ、ダイオードD1がテラヘルツ波を検波しないようにすることができる。従って、本実施例に係るテラヘルツ波強度検出装置1によれば、テラヘルツ波検出に対する温度変化の影響を抑制しつつ、テラヘルツ波を適切に検出することができる。
尚、オーミック電極13´´と高濃度ドープn型半導体層12aとの接触面積を減少させる場合、例えば、オーミック電極13´´と接触する高濃度ドープn型半導体層12aの一部を絶縁体で構成する、オーミック電極13´´と高濃度ドープn型半導体層12aとの間にビアホールを形成する、又は、高濃度ドープn型半導体層12aに係るドーピング濃度を減少すればよい。
本実施例に係る「高濃度ドープn型半導体層12a」、「n型半導体層15´及び25」、「ショットキー電極16´及び26」並びに「オーミック電極13´´」は、夫々、本発明に係る「第1不純物層」、「第2不純物層」、「第1金属層」及び「第2金属層」の一例である。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う検出装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1…テラヘルツ波強度検出装置、11、91…半導体層、12a、12b、12c、92a、92b…高濃度ドープn型半導体層、13、13´、13´´、14、14´、14´´、24、93、94…オーミック電極、15、15´、25、95…n型半導体層、16、16´、26、96…ショットキー電極、D1、D2…ショットキーバリアダイオード
Claims (9)
- 動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、
前記第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に前記基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、
前記第1電流及び前記第2電流に基づき前記電磁波の強度を出力する出力部と、
を備え、
前記第2検出部に係るインダクタンスは、前記第1検出部に係るインダクタンスより大きい
ことを特徴とする検出装置。 - 前記第1検出部及び前記第2検出部各々は、カソードがアンテナの一部を構成する第1アンテナ要素に電気的に接続されると共に、アノードが前記アンテナの他の部分を構成する第2アンテナ要素に電気的に接続されているショットキーバリアダイオードを有することを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
- 前記第2検出部の前記アンテナに係るアンテナ長は、前記第1検出部の前記アンテナに係るアンテナ長よりも長いことを特徴とする請求項2に記載の検出装置。
- 前記第1検出部の前記アンテナ及び前記第2検出部の前記アンテナは、ループアンテナであることを特徴とする請求項2又は3に記載の検出装置。
- 前記第1検出部の前記第1アンテナ要素と、前記第2検出部の前記第1アンテナ要素とは、同一部材により形成されていることを特徴とする請求項2又は4のいずれか一項に記載の検出装置。
- 前記第1検出部及び前記第2検出部は、同一基板上に配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の検出装置。
- 動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、
前記第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に前記基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、
前記第1電流及び前記第2電流に基づき前記電磁波の強度を出力する出力部と、
を備え、
前記第2検出部は、前記電磁波の波長に基づく所定長さより短いアンテナ長を有するアンテナ素子を含んでなる
ことを特徴とする検出装置。 - 動作時に基準電圧が印加され、入射する電磁波の強度に応じた第1電流を発生する第1検出部と、
前記第1検出部と電気的特性が等価であり、動作時に前記基準電圧が印加されることにより第2電流を発生する第2検出部と、
前記第1電流及び前記第2電流に基づき前記電磁波の強度を出力する出力部と、
を備え、
前記第2検出部に係る電気容量は、前記第1検出部に係る電気容量より大きく、且つ、前記第2検出部に係る内部抵抗は、前記第1検出部に係る内部抵抗より大きい
ことを特徴とする検出装置。 - 前記第1検出部及び前記第2検出部各々は、半導体材料に不純物が添加された第1不純物層と、前記第1不純物層の上に積層され、前記半導体材料に添加される前記不純物が前記第1不純物層より少ない第2不純物層と、前記第2不純物層の上に積層され、前記第2不純物層とショットキー接触する第1金属層と、前記第1不純物層とオーミック接触する第2金属層と、を有する素子を含み、
(i)前記第1検出部に含まれる前記素子である第1素子の前記第1金属層と前記第2不純物層との接触面積よりも、前記第2検出部に含まれる前記素子である第2素子の前記第1金属層と前記第2不純物層との接触面積は大きく、且つ、(ii)前記第1素子の前記第1金属層と前記第2金属層との間の距離よりも、前記第2素子の前記第1金属層と前記第2金属層との間の距離は長い、及び/又は、前記第1素子の前記第1不純物層に添加された前記不純物よりも、前記第2素子の前記第1不純物層に添加された前記不純物は少ない、及び/又は、前記第1素子の前記第1不純物層と前記第2金属層との接触面積よりも、前記第2素子の前記第1不純物層と前記第2金属層との接触面積は小さい
ことを特徴とする請求項8に記載の検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016201442A JP2018063167A (ja) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | 検出装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN112136201A (zh) * | 2018-05-06 | 2020-12-25 | 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 | 减少裂纹的装置、系统和方法 |
-
2016
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