JP2021521312A - 半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物、プリプレグおよび金属箔積層板 - Google Patents

半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物、プリプレグおよび金属箔積層板 Download PDF

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Abstract

本発明は、両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）；熱硬化性樹脂；所定の弾性（共）重合体；および無機充填剤；を含む半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物と前記組成物を含むプリプレグおよび金属箔積層板に関するものである。

Description

関連出願との相互引用
本出願は２０１９年２月８日付韓国特許出願第１０−２０１９−００１５０９８号に基づいた優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として含まれる。
本発明は、半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物、プリプレグおよび金属箔積層板に関するものである。
最近、半導体基板、印刷回路基板、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などのような電子部品および情報通信機器の信号帯域が高まる傾向を示している。電気信号の伝送損失は誘電正接および周波数と比例する。したがって、周波数が高いだけ伝送損失は大きくなり、信号の減衰を招いて信号伝送の信頼性低下が発生する。また、伝送損失が熱に変換されて発熱の問題も引き起こされることがある。そのため、高周波領域では誘電正接が非常に小さい絶縁材料に対する関心が高まっている。
また、現在半導体機器およびＰＣＢ分野での高集積化、高微細化、高性能化などに対する要求が高まるので、半導体機器の集積および印刷回路基板の高密度化と同時に配線の間隔の簡潔性が要求される状況に次第に変化している。このような特性を満足させるためには伝送速度を速くする低誘電率と伝送損失を減少させるための低誘電損失物質を使用するのが好ましい。
従来はこのような絶縁材料開発のために優れた誘電特性を有する熱硬化性樹脂であるポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂を基盤にして絶縁材料が開発されたが、高い溶融粘度、ハンドリングの困難とプリプレグの成形加工性、金属箔との低い接着力などに問題点を有していた。また、ポリフェニレンエーテル樹脂に低誘電特性に有利な多孔性フィラーなどのフィラーを導入したが、フィラーの分散性が低くて加工性および耐熱性などに問題が発生し、高い含量でフィラーを適用しにくいという問題点があった。
本発明は、優れた加工性および耐熱性を示しながらも、低誘電特性および低誘電損失を同時に満足させる半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物を提供するためのものである。
また、本発明は、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物を含むプリプレグを提供するためのものである。
また、本発明は、前記プリプレグを含む金属箔積層板を提供するためのものである。
本明細書では、両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）；熱硬化性樹脂；ａ）１，５００〜１０，０００の数平均分子量を有するブタジエン系ゴム、ｂ）１，５００〜１０，０００の数平均分子量を有し１０〜４０重量％のスチレン含量を有するスチレン−ブタジエン系ゴム、ｃ）１０〜７０重量％の含量でスチレンを含む熱可塑性エラストマー、およびｄ）ポリブタジエン系ゴム、ポリジメチルシロキサンまたはフルオル化された熱可塑性樹脂を分子内に含むシアネートエステルからなる群より選択された１種以上の弾性（共）重合体；および無機充填剤；を含む、半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物が提供される。
本明細書ではまた、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸させて得られたプリプレグを提供する。
本明細書ではまた、前記プリプレグ；および加熱および加圧によって前記プリプレグと一体化されて含まれている金属箔；を含む金属箔積層板を提供する。
以下、発明の具体的な実施形態による半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物とこれを用いたプリプレグおよび金属箔積層板についてより詳細に説明する。
本明細書で、（共）重合体は、共重合体（ｃｏ−ｐｏｌｙｍｅｒ）と単一重合体（ｈｏｍｏ−ｐｏｌｙｍｅｒ）を全て含む意味である。
発明の一実施形態によれば、両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）；熱硬化性樹脂；ａ）１，５００〜１０，０００の数平均分子量を有するブタジエン系ゴム、ｂ）１，５００〜１０，０００の数平均分子量を有し１０〜４０重量％のスチレン含量を有するスチレン−ブタジエン系ゴム、ｃ）１０〜７０重量％の含量でスチレンを含む熱可塑性エラストマー、およびｄ）ポリブタジエン系ゴム、ポリジメチルシロキサンまたはフルオル化された熱可塑性樹脂を分子内に含むシアネートエステルからなる群より選択された１種以上の弾性（共）重合体；および無機充填剤；を含む、半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。
本発明者らは半導体パッケージ用材料に関する研究を行って、前述の成分を含む組成物が優れた加工性および耐熱性を示しながらも、低誘電特性および低誘電損失を同時に満足させることができるという点を実験を通じて確認し発明を完成した。
前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物が前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）を含むことによって、優れた加工性および耐熱性を確保しながらも硬化以後に比誘電率または誘電損失を大きく低めることができる。
前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）は、フェニレンエーテルオリゴマーまたはポリ（フェニレンエーテル）の両末端がエチレン性不飽和基（ｅｔｈｙｌｅｎｉｃａｌｌｙ ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｇｒｏｕｐ）で官能化されたものである。
前記エチレン性不飽和基としては、エテニル基（ｅｔｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、アリル基（ａｌｌｙｌ ｇｒｏｕｐ）、メタリル基（ｍｅｔｈａｌｌｙｌ ｇｒｏｕｐ）、プロペニル基（ｐｒｏｐｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ブテニル基（ｂｕｔｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ヘキセニル基（ｈｅｘｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、およびオクテニル基（ｏｃｔｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）などのアルケニル基；シクロペンテニル基（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）およびシクロヘキセニル基（ｃｙｃｌｏｈｅｘｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）などのシクロアルケニル基；アクリル基（ａｃｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）、メタクリル基（ｍｅｔｈａｃｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）；ビニルベンジル基（ｖｉｎｙｌｂｅｎｚｙｌ ｇｒｏｕｐ）およびビニルナフチル基（ｖｉｎｙｌｎａｐｈｔｈｙｌ ｇｒｏｕｐ）などのアルケニルアリール基が挙げられる。
前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）の両末端の２個のエチレン性不飽和基は、同一であるか異なってもよい。
前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）の製造方法は特に限定されない。例えば、ビニルベンジル基で官能化されたものは、２官能フェニレンエーテルオリゴマーとビニルベンゼンクロリドを溶剤に溶解させて、加熱攪拌下で塩基を添加して反応させた後、樹脂を固形化することによって製造することができる。
前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）は、前記実施形態の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物から形成されるプリプレグの取り扱い性、優れた誘電特性、成形性などを確保するために５００〜３０００ｇ／ｍｏｌ、または１０００〜２５００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（ＧＰＣ法によるポリスチレン換算）を有することができる。
一方、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物は前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）および熱硬化性樹脂と共に、前述の所定の弾性（共）重合体を含むことができ、これにより、低い比誘電率および低い誘電正接を有しながらプリプレグ製造時にクラックが発生する現象を防止し、高い銅箔接着力およびレーザビアホール加工性を実現することができる。
前記弾性（共）重合体の具体的な例としては、ａ）１，５００〜１０，０００の数平均分子量を有するブタジエン系ゴム；ｂ）１，５００〜１０，０００の数平均分子量を有し１０〜４０重量％のスチレン含量を有するスチレン−ブタジエン系ゴム；ｃ）１０〜７０重量％のスチレン含量を有する熱可塑性エラストマー；ｄ）ポリブタジエン系ゴム、ポリジメチルシロキサンまたはフルオル化された熱可塑性樹脂を分子内に含むシアネートエステル；またはこれらの２種以上の混合物や２種以上の共重合体が挙げられる。
前記１，５００〜１０，０００の数平均分子量を有し１０〜４０重量％のスチレン含量を有するスチレン−ブタジエン系ゴムは、−１００℃〜−２０℃のガラス転移温度を有することができる。
前記１０〜７０重量％のスチレン含量を有する熱可塑性エラストマーの例としては、１０〜７０重量％のスチレン含量を有するＴｕｆｔｅｃＰシリーズなどのスチレン−ブタジエン／ブチレン−スチレンブロック共重合体（Ｓｔｙｒｅｎｅ−ｂｕｔａｄｉｅｎｅ／ｂｕｔｙｌｅｎｅ−ｓｔｙｒｅｎｅ ｂｌｏｃｋ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）などが挙げられる。
前記スチレン−ブタジエン／ブチレン−スチレンブロック共重合体（Ｓｔｙｒｅｎｅ−ｂｕｔａｄｉｅｎｅ／ｂｕｔｙｌｅｎｅ−ｓｔｙｒｅｎｅ ｂｌｏｃｋ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）は、ＩＳＯ１１３３による１９０℃、２．１６ｋｇ Ｌｏａｄ基準で３．０〜５．０の溶融流速（ＭＦＲ）を有することができる。
前記ポリブタジエン系ゴム、ポリジメチルシロキサンまたはフルオル化された熱可塑性樹脂を分子内に含むシアネートエステルに含まれるポリブタジエン系ゴム、ポリジメチルシロキサンまたはフルオル化された熱可塑性樹脂の物性は大きく限定されるのではないが、例えば、前記化合物それぞれ１００〜１０，０００の重量平均分子量を有することができる。
一方、前記熱硬化性樹脂は、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂およびビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂を含むことができる。
前記ビスマレイミド樹脂は、通常半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物に使用されるものを制限なく使用することができ、その種類が限定されない。好ましい一例を挙げれば、前記ビスマレイミド樹脂は下記化学式１３で表されるジフェニルメタン型ビスマレイミド樹脂、下記化学式１４で表されるフェニレン型ビスマレイミド樹脂、下記化学式１５で表されるビスフェノールＡ型ジフェニルエーテルビスマレイミド樹脂、および下記化学式１６で表されるジフェニルメタン型ビスマレイミドおよびフェニルメタン型マレイミド樹脂のオリゴマーから構成されたビスマレイミド樹脂からなる群より選択された１種以上であってもよい。
［化学式１３］
Figure 2021521312
上記化学式１３中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、Ｈ、ＣＨ３またはＣ２Ｈ５である。
［化学式１４］
Figure 2021521312
［化学式１５］
Figure 2021521312
［化学式１６］
Figure 2021521312
上記化学式１６中、
ｎは、０または１〜５０の整数である。
また、前記シアネート系樹脂の具体的な例としてシアネートエステル樹脂が挙げられ、通常半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物に使用されるものを制限なく使用することができ、その種類が限定されない。
好ましい一例を挙げれば、前記シアネートエステル樹脂は、下記化学式１７で表されるノボラック型シアネート樹脂、下記化学式１８で表されるジシクロペンタジエン型シアネート樹脂、下記化学式１９で表されるビスフェノール型シアネート樹脂およびこれらの一部トリアジン化されたプレポリマーが挙げられ、これらは単独あるいは２種以上混合して使用することができる。
［化学式１７］
Figure 2021521312
上記化学式１７中、
ｎは、０または１〜５０の整数である。
［化学式１８］
Figure 2021521312
上記化学式１８中、
ｎは、０または１〜５０の整数である。
［化学式１９］
Figure 2021521312
上記化学式１９中、
Ｒは、
Figure 2021521312
 または
Figure 2021521312
 である。
より具体的に、前記化学式１９のシアネート樹脂は、Ｒの種類によって、それぞれビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、ビスフェノールＦ型シアネート樹脂、またはビスフェノールＭ型シアネート樹脂であってもよい。
そして、前記ビスマレイミド樹脂としてはビスマレイミド−トリアジン樹脂などが挙げられ、前記ビスマレイミド−トリアジン樹脂は通常半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物に使用されるものを制限なく使用することができ、その種類が限定されない。
一方、前記熱硬化性樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、テトラフェニルエタンエポキシ樹脂、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビフェニル系エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンエポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂とナフタレン系エポキシ樹脂の混合物からなる群より選択された１種以上のエポキシ樹脂をさらに含むことができる。
具体的に、前記エポキシ樹脂は、下記化学式５で表されるビスフェノール型エポキシ樹脂、下記化学式６で表されるノボラック型エポキシ樹脂、下記化学式７で表されるフェニルアラルキル系エポキシ樹脂、下記化学式８で表されるテトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、下記化学式９と１０で表されるナフタレン型エポキシ樹脂、下記化学式１１で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、および下記化学式１２で表されるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上を使用することができる。
［化学式５］
Figure 2021521312
上記化学式５中、
Ｒは、
Figure 2021521312
 または
Figure 2021521312
 であり、
ｎは、０または１〜５０の整数である。
より具体的に、前記化学式５のエポキシ樹脂は、Ｒの種類によって、それぞれビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、またはビスフェノールＳ型エポキシ樹脂であってもよい。
［化学式６］
Figure 2021521312
上記化学式６中、
Ｒは、ＨまたはＣＨ３であり、
ｎは、０または１〜５０の整数である。
より具体的に、前記化学式６のノボラック型エポキシ樹脂は、Ｒの種類によって、それぞれフェノールノボラック型エポキシ樹脂またはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂であってもよい。
［化学式７］
Figure 2021521312
［化学式８］
Figure 2021521312
［化学式９］
Figure 2021521312
［化学式１０］
Figure 2021521312
［化学式１１］
Figure 2021521312
上記化学式１１中、
ｎは、０または１〜５０の整数である。
［化学式１２］
Figure 2021521312
上記化学式１２中、ｎは、０または１〜５０の整数である。
また、前記一実施形態の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物は、無機充填剤を含むことができる。
前記無機充填剤は、通常半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物に使用されるものを制限なく使用することができ、具体的な例としてはシリカ、アルミニウムトリヒドロキシド、マグネシウムヒドロキシド、モリブデニウムオキシド、ジンクモリブデート、ジンクボレート、ジンクスタネート、アルミナ、クレー、カオリン、タルク、焼成カオリン、焼成タルク、マイカ、ガラス短繊維、ガラス微細パウダーおよび中空ガラスが挙げられ、これらからなる群より選択された１種以上であってもよい。
前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物は、前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）、熱硬化性樹脂および弾性（共）重合体の全体１００重量部に対して前記無機充填剤含量が３０重量部〜２００重量部を含むことができる。前記無機充填剤の含量が過度に小さければ、熱膨張係数が増加してリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程またはＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）モールディング工程時、反り（Ｗａｒｐａｇｅ）現象が深化するか、吸湿率増加による半導体パッケージの信頼性減少、印刷回路基板の剛性が減少する問題などが発生することがある。
前記無機充填剤は、耐湿性、分散性を向上させる観点でシランカップリング剤で表面処理されたシリカを使用することができる。
前記無機充填剤を表面処理する方法は、シランカップリング剤を表面処理剤として用いてシリカ粒子を乾式または湿式で処理する方法が使用できる。例えば、シリカ粒子１００重量部を基準にして０．０１〜１重量部のシランカップリング剤を使用して湿式方法でシリカを表面処理して使用することができる。
具体的に、前記シランカップリング剤としては、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、およびＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランのようなアミノシランカップリング剤、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランのようなエポキシシランカップリング剤、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシランなどのようなビニルシランカップリング剤、Ｎ−２−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランヒドロクロリドのような陽イオンシランカップリング剤およびフェニルシランカップリング剤が挙げられ、シランカップリング剤は単独で使用でき、または必要によって少なくとも二つのシランカップリング剤を組み合わせて使用することができる。
前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物に含まれる成分の含量などは、最終製造される製品の物性および特徴などを考慮して選択できる。
例えば、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物は、前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）、熱硬化性樹脂、および弾性（共）重合体の全体１００重量部に対して前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）５〜７０重量部、熱硬化性樹脂１０〜５０重量部、および弾性（共）重合体５〜７０重量部を含むことができる。
一方、前記半導体パッケージ用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂をさらに含むこともできる。前記熱可塑性樹脂はプリプレグの硬化後、靭性（Ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）を増加させる効果があり、熱膨張係数および弾性率を低くして半導体パッケージの反り（Ｗａｒｐａｇｅ）を緩和させる役割を果たすことができる。前記熱可塑性樹脂の具体的な例としては、（メタ）アクリレート系高分子が挙げられる。
前記（メタ）アクリレート系高分子の例が大きく限定されるのではなく、例えば、（メタ）アクリレート系単量体由来の繰り返し単位と（メタ）アクリロニトリル由来の繰り返し単位が含まれるアクリル酸エステル共重合体；またはブタジエン由来の繰り返し単位が含まれるアクリル酸エステル共重合体であってもよい。例えば、前記（メタ）アクリレート系高分子は、ブチルアクリレート、エチルアクリレート、アクリロニトリル、メチルメタクリレート、グリシジルメタクリレートなどの単量体をそれぞれ１〜４０重量％の範囲内（単量体全体の総重量に対して）で使用して共重合した共重合体であってもよい。
前記（メタ）アクリレート系高分子は、５００，０００〜１，０００，０００の重量平均分子量を有することができる。前記（メタ）アクリレート系高分子の重量平均分子量が過度に小さければ、硬化後、プリプレグの靭性（Ｔｏｕｇｈｎｅｓ）増加や熱膨張率および弾性率減少の効果が減少して技術的に不利なこともある。また、前記（メタ）アクリレート系高分子の重量平均分子量が過度に大きければ、プリプレグの流動性を減少させることがある。
前記熱可塑性樹脂は最終製品の用途および特性などを考慮して使用される含量を決定することができ、例えば、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物は前記熱硬化性樹脂１００重量部に対して前記熱可塑性樹脂１０〜２００重量部を含むことができる。
前記半導体パッケージ用樹脂組成物は、アルコキシシランオリゴマーをさらに含むことができる。前記アルコキシシランオリゴマーは、前記半導体パッケージ用樹脂組成物を使用して形成されたプリプレグが金属箔に対して優れた接着力を示すことができるようにする。
一般に金属箔積層板またはプリプレグの製造時、金属箔との接着力改善のためにモノマータイプのカップリング剤が添加される。しかし、前記目的達成のためにモノマータイプのカップリング剤を多量で添加する場合、カップリング剤が有する低い沸点によって金属箔とプリプレグのデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）、耐熱性の低下、誘電率の増加などの問題を誘発することがある。
前記アルコキシシランオリゴマーはアルコキシシラン骨格のオリゴマーとして多量で添加しても耐熱性の低下や誘電率の増加を抑制することができながらも金属箔に対する優れた接着力を有するプリプレグの提供を可能にする。
好ましくは、前記アルコキシシランオリゴマーは、下記化学式１で表される繰り返し単位を含むオリゴマーであってもよい：
［化学式１］
Figure 2021521312
上記化学式１中、
ＸおよびＹは、それぞれ独立して、アルケニル、メタクリル、アクリル、フェニル、メチル、またはエポキシであり、
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、メチルまたはエチルであり、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１より大きい整数である。
具体的に、前記アルコキシシランオリゴマーは、メトキシ官能性ビニルシロキサンオリゴマー、エトキシ官能性ビニルシロキサンオリゴマー、およびメトキシ官能性ビニル／フェニルオリゴマーからなる群より選択された１種以上の化合物であってもよい。
前記アルコキシシランオリゴマーは、前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）、熱硬化性樹脂および弾性（共）重合体の全体１００重量部に対して５〜３０重量部であってもよい。前述の効果が十分に発現されるようにするために、前記アルコキシシランオリゴマーの含量は５重量部以上であるのが好ましい。但し、前記アルコキシシランオリゴマーが過量で添加される場合、比誘電率および誘電正接が上昇する問題点が現れることがあるので３０重量部以下で含まれるのが好ましい。
前記半導体パッケージ用樹脂組成物は、キノン化合物をさらに含むことができる。前記キノン化合物は添加できる。
前記キノン化合物の例としては、１，４−ナフトキノン（１，４−ｎａｐｈｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ）および１，４−ベンゾキノン（１，４−ｂｅｎｚｏｑｕｉｎｏｎｅ）などが挙げられる。
そして、前記一実施形態の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物は、必要によって溶剤を添加して溶液として使用することができる。前記溶剤としては樹脂成分に対して良好な溶解性を示すものであればその種類が特に限定されず、アルコール系、エーテル系、ケトン系、アミド系、芳香族炭化水素系、エステル系、ニトリル系などを使用することができ、これらは単独または２種以上併用した混合溶剤を用いることもできる。また、前記溶媒の含量は、プリプレグ製造時ガラス繊維に樹脂組成物を含浸することができる程度であれば特に限定されない。
また、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物は、樹脂組成物固有の特性を損傷させない限り、その他の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂およびこれらのオリゴマーおよびエラストマーのような多様な高分子化合物、その他の難燃性化合物または添加剤をさらに含むこともできる。これらは通常使用されるものから選択されるものであれば特に限定しない。例えば、添加剤としては紫外線吸収剤、酸化防止剤、光重合開始剤、蛍光増白剤、光増感剤、顔料、染料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリング剤、光沢剤などがあり、目的に合うように混合して使用することも可能である。
一方、発明の他の実施形態によれば、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物および有機または無機繊維を含むプリプレグを提供することができる。
前記プリプレグは、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物が半硬化状態で繊維基材に含浸されているものを意味する。
前記有機または無機繊維はその種類が特に限定されないが、ガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維などのポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、前芳香族ポリエステル樹脂繊維などのポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、フッ素樹脂繊維などを主成分とする織布または不織布から構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙などを主成分とする紙基材などが使用でき、好ましくはガラス繊維を使用する。
前記ガラス繊維はプリプレグの強度が向上し吸収率を低下させることができ、また熱膨張係数を小さくすることができる。
前記ガラス繊維は、多様な印刷回路基板物質用として使用されるガラス基材から選択できる。これらの例としては、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｓガラス、Ｔガラス、ＮＥガラスおよびＬガラス、Ｑガラスのようなガラス繊維を含むが、これに限定されるのではない。必要によって意図された用途または性能によって、前記ガラス繊維を選択することができる。ガラス繊維の形態は、典型的に織布、不織布、ロビング（ｒｏｖｉｎｇ）、チョップドストランドマット（ｃｈｏｐｐｅｄ ｓｔｒａｎｄ ｍａｔ）またはサーフェーシングマット（ｓｕｒｆａｃｉｎｇ ｍａｔ）である。前記ガラス繊維基材の厚さは特に限定されないが、約０．０１〜０．３ｍｍなどを使用することができる。前記物質のうち、ガラス繊維物質が強度および水分吸収特性面でさらに好ましい。
また、前記プリプレグを製造する方法は特に限定されなく、この分野によく知られた方法によって製造できる。例えば、前記プリプレグの製造方法は、含浸法、各種コーターを用いるコーティング法、スプレー噴射法などを用いることができる。
前記含浸法の場合、ワニスを製造した後、前記繊維基材をワニスに含浸する方法でプリプレグを製造することができる。
即ち、前記プリプレグの製造条件などは特に制限するのではないが、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物に溶剤を添加したワニス状態で使用することが好ましい。前記樹脂ワニス用溶剤は、前記樹脂成分と混合可能であり良好な溶解性を有するものであれば特に限定しない。これらの具体的な例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンおよびシクロヘキサノンのようなケトン、ベンゼン、トルエンおよびキシレンのような芳香族ヒドロカーボン、およびジメチルホルムアミドおよびジメチルアセトアミドのようなアミド、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブのようなアリファティックアルコールなどがある。
また、前記プリプレグとして製造時、使用された溶剤が８０重量％以上揮発するのが好ましい。このため、製造方法や乾燥条件なども制限はなく、乾燥時の温度は約８０℃〜２００℃、時間はワニスのゲル化時間との均衡で特に制限はない。また、ワニスの含浸量は、ワニスの樹脂固形分と基材の総量に対してワニスの樹脂固形分が約３０〜８０重量％になるようにすることが好ましい。
また、発明のまた他の実施形態によれば、シート形状を有する前述のプリプレグ；および前記プリプレグの少なくとも一面に形成された金属箔；を含む金属箔積層板を提供することができる。
前記金属箔は、銅箔；アルミ箔；ニッケル、ニッケル−リン、ニッケル−スズ合金、ニッケル−鉄合金、鉛または鉛−スズ合金を中間層とし、この両面に互いに異なる厚さの銅層を含む３層構造の複合箔；またはアルミニウムと銅箔を複合した２層構造の複合箔を含む。
好ましい一例によれば、前記金属箔は銅箔やアルミ箔が用いられ、約２〜２００μｍの厚さを有するものを使用することができるが、その厚さが約２〜３５μｍであるのが好ましい。好ましくは、前記金属箔としては銅箔を使用する。また、前記金属箔としてニッケル、ニッケル−リン、ニッケル−スズ合金、ニッケル−鉄合金、鉛、または鉛−スズ合金などを中間層とし、その両面に０．５〜１５μｍの銅層と１０〜３００μｍの銅層を設置した、３層構造の複合箔またはアルミニウムと銅箔を複合した２層構造複合箔を使用することもできる。
このように製造されたプリプレグを含む金属積層板は１枚以上に積層した後、両面または多層印刷回路基板の製造に使用することができる。前記金属箔積層板を回路加工して両面または多層印刷回路基板を製造することができ、前記回路加工は一般的な両面または多層印刷回路基板製造工程で行われる方法を適用することができる。
一方、発明のまた他の実施形態によれば、前記一実施形態の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物またはその硬化物と１５μｍ〜９０μｍの厚さを有する有機または無機繊維を含む第１層；前記第１層の両面に形成され、前記一実施形態の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物またはその硬化物と１０μｍ〜３０μｍの厚さを有する有機または無機繊維を含む第２層；および前記第２層それぞれの外部面に形成される金属薄膜；を含む、金属薄膜積層体を提供することができる。
前述のように、前記一実施形態の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物をそれぞれ含む第１層および第２層を含むことによって、前記金属薄膜積層体は優れた加工性および耐熱性を示しながらも、低誘電特性および低誘電損失を同時に満足することができる。
また、前記一実施形態の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物を含むことによって、前記第２層は前記金属薄膜とのより高い接着力を有することができる。具体的に、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．４．８のテスト方法の測定した前記第２層と前記金属薄膜間の剥離力が０．５０ｋｇｆ／ｃｍ以上であり得る。
前記第１層および第２層の厚さなどは前記金属薄膜積層体の最終用途および特徴によって決定でき、より具体的に前記第１層に対する前記第２層の厚さ比率は０．２〜０．７であってもよい。
本発明によれば、優れた加工性および耐熱性を示しながらも、低誘電特性および低誘電損失を同時に満足させる半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物と、前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物を用いて提供されるプリプレグと、前記プリプレグを含む金属箔積層板を提供することができる。
発明を下記の実施例でより詳細に説明する。但し、下記の実施例は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の内容が下記の実施例によって限定されるのではない。
＜実施例および比較例：半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物、プリプレグおよび銅箔積層板＞
（１）半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表１および２の組成によって、各成分をシクロヘキサノンに固形分５０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍ速度で一日間常温攪拌して実施例および比較例の半導体パッケージ用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（２）プリプレグＡ−１の製造
前記製造された半導体パッケージ用樹脂組成物（樹脂ワニス）を１５μｍのガラス繊維（Ｎｉｔｔｏｂｏ社製造、ＮＥ−ｇｌａｓｓ ＃１０１７）に含浸させた後、１３０℃の温度で２〜５分間熱風乾燥して３０μｍのプリプレグＡ−１を製造した。
（３）プリプレグＢ−１の製造
前記製造された半導体パッケージ用樹脂組成物（樹脂ワニス）を３０μｍのガラス繊維（Ｎｉｔｔｏｂｏ社製造、ＮＥ−ｇｌａｓｓ ＃１０６７）に含浸させた後、１７０℃の温度で２〜５分間熱風乾燥して４０μｍのプリプレグＢ−１を製造した。
（４）銅箔積層板Ａ−２の製造（比誘電率および誘電正接測定用）
前記で製造されたプリプレグＡ−１を２枚を積層した後、その両面にＭＴ１８Ｅｘ銅箔（銅箔厚さ２μｍ／キャリア厚さ１８ｕｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製造）を位置させて積層し、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１２０分間硬化させて絶縁層厚さ６０μｍの銅箔積層板を製造した。
（５）銅箔積層板Ｂ−２の製造（比誘電率および誘電正接測定用）
前記で製造されたプリプレグＢ−１を２枚を積層した後、その両面にＭＴ１８Ｅｘ銅箔（銅箔厚さ２μｍ／キャリア厚さ１８ｕｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製造）を位置させて積層し、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１２０分間硬化させて絶縁層厚さ８０μｍの銅箔積層板を製造した。
（６）銅箔積層板Ｂ−３の製造（銅箔接着力測定用）
前記で製造されたプリプレグＢ−１を２枚を積層した後、その両面に３ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ銅箔（銅箔厚さ１２μｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製造）を位置させて積層し、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１２０分間硬化させて絶縁層の厚さ８０μｍの銅箔積層板を製造した。
（７）銅箔積層板Ａ／Ｂ／Ａの製造（銅箔接着力測定用）
前記で（５）で製造された銅箔積層板Ｂ−２の両面の銅箔をエッチングして除去した後、その両面にプリプレグＡ−１を位置させて積層し、その両面に３ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ銅箔（銅箔厚さ１２μｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製造）を位置させて積層した後、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１２０分間硬化させて銅箔積層板Ａ／Ｂ／Ａを製造した。
（８）銅箔積層板Ａ／Ｂ／Ａの製造（レーザビアホール加工性実験用）
前記で（５）で製造された銅箔積層板Ｂ−２の両面の銅箔をエッチングして除去した後、その両面にプリプレグＡ−１を位置させて積層し、その両面にＭＴ１８Ｅｘ銅箔（銅箔厚さ２μｍ／キャリア厚さ１８ｕｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製造）を位置させて積層した後、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１２０分間硬化させて銅箔積層板Ａ／Ｂ／Ａを製造した。
＜実験例：実施例および比較例で得られた半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物、プリプレグおよび銅箔積層板の物性測定＞
前記実施例および比較例で得られた半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物、プリプレグおよび銅箔積層板の物性を下記方法で測定し、その結果を表１および２に示した。
１．プリプレグクラック発生有無確認
前記プリプレグＡ−１製造時、半導体パッケージ用樹脂組成物（樹脂ワニス）を１５μｍのガラス繊維（Ｎｉｔｔｏｂｏ社製造、ＮＥ−ｇｌａｓｓ ＃１０１７）に含浸させた後、１３０℃の温度で２〜５分間熱風乾燥後、常温に冷却した時、プリプレグ表面でのクラック発生有無を肉眼で観察した。
２．比誘電率（Ｄｋ＠１ＧＨｚ）および誘電正接（Ｄｆ＠１ＧＨｚ）
前記実施例および比較例で得られた銅箔積層板（Ａ−２、Ｂ−２）の銅箔をエッチングして除去した後、比誘電率測定装置（Ｃａｖｉｔｙ ｒｅｓｏｎａｔｏｒ法）を用いて１ＧＨｚでの比誘電率および誘電正接を測定した。具体的に、Ｎｅｔｗｏｒｋ ａｎａｌｙｚｅｒ（Ｅ５０７１Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）とＳＰＤＲ（Ｓｐｌｉｔ Ｐｏｓｔ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ、ＱＷＥＤ）を用いて測定した。
３．銅箔接着力（ｐｅｅｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ、Ｐ／Ｓ、ｋｇｆ／ｃｍ）
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．４．８のテスト方法に基づいて、前記実施例および比較例の（６）および（７）でそれぞれ得られた銅箔積層板の銅箔接着力を測定した。
４．レーザビアホール加工性評価
前記実施例および比較例の（８）でそれぞれ製造された銅箔積層板Ａ／Ｂ／Ａから両面のキャリアのみ除去した後、ＣＯ２レーザを用いて、ダイレクトレーザドリル技法（ＭＬ６０５ＧＴＷ４−５３５０Ｕ、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）で直径９０ｕｍのビアホールを加工した。
＊ホール周辺で銅箔ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ発生時Ｘ、異常ない時Ｏと評価した。
実施例の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物の組成およびプリプレグの物性確認（単位：ｇ）
Figure 2021521312
比較例の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物の組成およびプリプレグの物性確認（単位：ｇ）
Figure 2021521312
＊（ａ１）ＯＰＥ−２Ｓｔ−１２００（両末端にビニルベンジル基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマー、数平均分子量１１８７ｇ／ｍｏｌ、ｖｉｎｙｌ ｇｒｏｕｐ ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ：５９０ｇ／ｅｑ．、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ Ｇａｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｉｎｃ．製造）
（ａ２）ＯＰＥ−２Ｓｔ−２２００（両末端にビニルベンジル基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマー、数平均分子量２２５０ｇ／ｍｏｌ、ｖｉｎｙｌ ｇｒｏｕｐ ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ：１１８９ｇ／ｅｑ．、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ Ｇａｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｉｎｃ．製造）
（ａ３）ＳＡ−９０００（両末端にメタクリル基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマー、数平均分子量２３００ｇ／ｍｏｌ、ｖｉｎｙｌ ｇｒｏｕｐ ｆｕｃｔｉｏｎａｌｉｔｙ：１．９、Ｓａｂｉｃ Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｐｌａｓｔｉｃｓ製造）
（ａ４）ＳＡ−９０（両末端に水酸基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマー、数平均分子量１６００ｇ／ｍｏｌ、ｈｙｄｒｏｘｙ ｇｒｏｕｐ ｆｕｃｔｉｏｎａｌｉｔｙ：１．９、Ｓａｂｉｃ Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｐｌａｓｔｉｃｓ製造）
（ｂ１）ＢＭＩ−５１００（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ、Ｄａｉｗａ ｋａｓｅｉ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｃｏ．Ｌｔｄ．製造、ＣＡＳ＃１０５３９１−３３−１）
（ｃ１）Ｒｉｃｏｎ１８１（ｌｉｑｕｉｄ ＳＢＲ ｐｏｌｙｍｅｒ、Ｃｒａｙ Ｖａｌｌｅｙ製造、Ｔｇ−６４℃、数平均分子量３２００ｇ／ｍｏｌ、スチレン含量２８％）
（ｃ２）Ｔｕｆｔｅｃ Ｐ１５００（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅｌｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ Ｓｔｙｒｅｎｅ−Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ ｂｌｏｃｋ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ、Ａｓａｈｉ Ｋａｓｅｉ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製造）
（ｃ３）ＵＬＬ−９５０Ｓ（ポリブタジエン含有シアネートエステル、Ｌｏｎｚａ製造）
（ｃ４）ＮＺ−３７５（ジシクロペンタジエン含有シアネートエステル、ナノコ製造）
（ｃ５）Ｂ−１０００（１，２−ｖｉｎｙｌ含有量８５％以上のｐｏｌｙｂｕｔａｄｉｅｎｅ ｌｉｑｕｉｄ ｒｅｓｉｎ、数平均分子量９００〜１３００ｇ／ｍｏｌ、Ｎｉｐｐｏｎ Ｓｏｄａ Ｌｔｄ．製造）
（ｃ６）ＴＡＩＣ（Ｔｒｉａｌｌｙｌ Ｉｓｏｃｙａｎｕｒａｔｅ、Ｔｏｋｙｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｃｏ．、Ｌｔｄ．製造、ＣＡＳ＃１０２５−１５−６）
（ｄ１）ＳＣ２０５０ＨＮＪ（ビニルトリメトキシシラン処理されたスラリータイプのマイクロシリカ、平均粒径０．５μｍ、Ａｄｍａｔｅｃｈｓ社製造）
（ｅ１）Ｄｙｎａｓｙｌａｎ６４９０（メトキシ官能性ビニルシロキサンオリゴマー、Ｅｖｏｎｉｋ Ｄｅｇｕｓｓａ ＧｍｂＨ製造）
前記表１に示されているように、実施例で提供されるプリプレグまたは金属積層板は３．５０以下の低い比誘電率と０．００３５以下の低い誘電正接を有しながらも、プリプレグ製造時、クラックが発生せず、銅箔接着力およびレーザビアホール加工性が相対的に優れているという点が確認された。
これに反し、比較例で提供されるプリプレグまたは金属積層板はプリプレグ製造時、クラックが発生するか、大部分低い銅箔接着力を示し、レーザホール加工時、銅箔剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）が発生するという点が確認された。

Claims (15)

  1. 両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）；
    熱硬化性樹脂；
    ａ）１，５００〜１０，０００の数平均分子量を有するブタジエン系ゴム、ｂ）１，５００〜１０，０００の数平均分子量を有し１０〜４０重量％のスチレン含量を有するスチレン−ブタジエン系ゴム、ｃ）１０〜７０重量％のスチレン含量を有する熱可塑性エラストマー、およびｄ）ポリブタジエン系ゴム、ポリジメチルシロキサンまたはフルオル化された熱可塑性樹脂を分子内に含むシアネートエステル；からなる群より選択された１種以上の弾性（共）重合体；および
    無機充填剤；
    を含む、
    半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物。
  2. 前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）は、１，０００〜３，０００の数平均分子量を有する、
    請求項１に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物。
  3. 前記両末端のエチレン性不飽和基は、エテニル基（ｅｔｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、アリル基（ａｌｌｙｌ ｇｒｏｕｐ）、メタリル基（ｍｅｔｈａｌｌｙｌ ｇｒｏｕｐ）、プロペニル基（ｐｒｏｐｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ブテニル基（ｂｕｔｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ヘキセニル基（ｈｅｘｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、オクテニル基（ｏｃｔｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、シクロペンテニル基（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、シクロヘキセニル基（ｃｙｃｌｏｈｅｘｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、アクリル基（ａｃｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）、メタクリル基（ｍｅｔｈａｃｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ビニルベンジル基（ｖｉｎｙｌｂｅｎｚｙｌ ｇｒｏｕｐ）、またはビニルナフチル基（ｖｉｎｙｌｎａｐｈｔｈｙｌ ｇｒｏｕｐ）である、
    請求項１または２に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物。
  4. 前記熱硬化性樹脂は、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、およびビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂を含む、
    請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物。
  5. 前記熱硬化性樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、テトラフェニルエタンエポキシ樹脂、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビフェニル系エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンエポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂とナフタレン系エポキシ樹脂の混合物からなる群より選択された１種以上のエポキシ樹脂をさらに含む、
    請求項４に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物。
  6. 前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）、熱硬化性樹脂および弾性（共）重合体の全体１００重量部に対して、
    前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）５〜７０重量部、
    熱硬化性樹脂１０〜５０重量部、および
    弾性（共）重合体５〜７０重量部
    を含む、
    請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物。
  7. 前記両末端にエチレン性不飽和基を有する変性フェニレンエーテルオリゴマーまたは変性ポリ（フェニレンエーテル）、熱硬化性樹脂および弾性（共）重合体の全体１００重量部に対して、前記無機充填剤含量が３０重量部〜２００重量部である、
    請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物。
  8. 前記半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物は、アルコキシシランオリゴマーをさらに含む、
    請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物。
  9. 前記アルコキシシランオリゴマーは、下記化学式１で表される繰り返し単位を含む、
    請求項８に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物：
    ［化学式１］
    Figure 2021521312
     上記化学式１中、
    ＸおよびＹは、それぞれ独立して、アルケニル、メタクリル、アクリル、フェニル、メチル、またはエポキシであり、
    Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、メチルまたはエチルであり、
    ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１より大きい整数である。
  10. 前記アルコキシシランオリゴマーは、メトキシ官能性ビニルシロキサンオリゴマー、エトキシ官能性ビニルシロキサンオリゴマーおよびメトキシ官能性ビニル／フェニルオリゴマーからなる群より選択された１種以上の化合物である、
    請求項８に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物。
  11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物および
    有機または無機繊維
    を含む、
    プリプレグ。
  12. シート形状を有する請求項１１に記載のプリプレグ；および
    前記プリプレグの少なくとも一面に形成された金属箔；
    を含む、
    金属箔積層板。
  13. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物またはその硬化物と１５μｍ〜９０μｍの厚さを有する有機または無機繊維を含む第１層；
    前記第１層の両面に形成され、請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物またはその硬化物と１０μｍ〜３０μｍの厚さを有する有機または無機繊維を含む第２層；および
    前記第２層それぞれの外部面に形成される金属薄膜；
    を含む、
    金属薄膜積層体。
  14. 前記第１層に対する前記第２層の厚さ比率は０．２〜０．７である、
    請求項１３に記載の金属薄膜積層体。
  15. ＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．４．８のテスト方法の測定した前記第２層と前記金属薄膜間の剥離力が０．５０ｋｇｆ／ｃｍ以上である、
    請求項１３または１４に記載の金属薄膜積層体。
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