JP2021197496A - Sealing-resin sheet - Google Patents

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祐作 清水
yusaku Shimizu
剛志 土生
Tsuyoshi Habu
大樹 ▲浜▼名
Daiki Hamana
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Abstract

To provide a sealing-resin sheet suitable for machining the surface of a sealing resin for sealing an electronic component chip with good precision in a manufacturing process of a resin seal body of the electronic component chip mounted on a substrate.SOLUTION: A sealing-resin sheet X according to the present invention comprises a thermosetting resin. The sealing-resin sheet is 80% or larger in warp-recovery R given by the formula (1) below in a warp-recovery evaluation test arranged to perform a predetermined first treatment, a first measurement, a second treatment and a second measurement in this order. Formula (1): R=[(D1-D2)/D1]×100.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、封止用樹脂シートに関する。 The present invention relates to a sealing resin sheet.

従来、実装基板に搭載された半導体チップなどの電子部品チップが、熱硬化性樹脂含有のシート状の封止樹脂材(封止用樹脂シート)によって基板上で封止されて、電子部品チップの樹脂封止体が製造されることがある。その封止過程では、例えば、基板の同一面上に接合された、互いに離隔する複数の電子部品チップに対し、平板プレス機によって所定厚さの封止用樹脂シートが加熱軟化状態で押圧されて、当該シートが塑性変形して各電子部品チップが被覆される(プレス工程)。そして、電子部品チップを被覆している封止用樹脂シートが、高温での加熱によって硬化される(硬化工程)。この後、例えばブレードダイシングにより、硬化された封止用樹脂シートが所定の切断予定ラインに沿って切断されて、各樹脂封止体への個片化がなされる。封止用樹脂シートによる電子部品チップの樹脂封止に関する技術については、例えば、下記の特許文献1に記載されている。 Conventionally, an electronic component chip such as a semiconductor chip mounted on a mounting substrate is sealed on the substrate by a sheet-shaped encapsulating resin material (encapsulating resin sheet) containing a thermosetting resin to form an electronic component chip. Resin encapsulation may be manufactured. In the sealing process, for example, a sealing resin sheet having a predetermined thickness is pressed against a plurality of electronic component chips bonded on the same surface of a substrate and separated from each other in a heat-softened state by a flat plate press. , The sheet is plastically deformed to cover each electronic component chip (pressing process). Then, the sealing resin sheet covering the electronic component chip is cured by heating at a high temperature (curing step). After that, for example, by blade dicing, the cured encapsulating resin sheet is cut along a predetermined cutting schedule line, and individualized into each resin encapsulating body. A technique relating to resin encapsulation of an electronic component chip by an encapsulation resin sheet is described in, for example, Patent Document 1 below.

特開2015−220350号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-220350

硬化工程で加熱硬化された封止用樹脂シート(封止樹脂材)には、内部応力が生じる。この内部応力は、硬化工程を経て得られるワーク(例えば、基板上の複数の電子部品チップが封止用樹脂シートによって封止されている)に、反りを生じさせることがある。そして、ワークサイズが大きいほど、即ち、用いられる封止用樹脂シートが大判であるほど、ワークが反ることによって当該ワーク表面に生ずる高低差は大きい。ワーク表面の高低差が大きすぎると、当該ワークにおける電子部品チップごとに封止樹脂表面に対して実施されるレーザー印字などの表面加工を、ワーク全体にわたって精度よく実施することが、できない。 Internal stress is generated in the sealing resin sheet (sealing resin material) that has been heat-cured in the curing step. This internal stress may cause warpage in the work obtained through the curing step (for example, a plurality of electronic component chips on a substrate are sealed by a sealing resin sheet). The larger the work size, that is, the larger the size of the sealing resin sheet used, the larger the height difference generated on the surface of the work due to the warping of the work. If the height difference on the work surface is too large, surface processing such as laser printing performed on the surface of the encapsulating resin for each electronic component chip in the work cannot be performed accurately over the entire work.

本発明は、基材に実装されている電子部品チップの樹脂封止体の製造過程において、電子部品チップを封止する封止樹脂の表面を精度よく加工するのに適した、封止用樹脂シートを提供する。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is a sealing resin suitable for accurately processing the surface of a sealing resin for encapsulating an electronic component chip in the process of manufacturing a resin encapsulating body for an electronic component chip mounted on a base material. Provide a sheet.

本発明[1]は、熱硬化性樹脂を含有する封止用樹脂シートであって、下記の第1処理と、第1測定と、第2処理と、第2測定とをこの順で実施する反り回復評価試験において、下記の式(1)で示される反り回復率Rが、80%以上である、封止用樹脂シートを含む。 The present invention [1] is a sealing resin sheet containing a thermosetting resin, and the following first treatment, first measurement, second treatment, and second measurement are carried out in this order. In the warp recovery evaluation test, a sealing resin sheet having a warp recovery rate R represented by the following formula (1) of 80% or more is included.

第1処理:90mm×90mm×厚さ150μmのサイズの42アロイ板と、当該42アロイ板の厚さ方向一方面の全体に貼り合わされた前記封止用樹脂シートとを備える積層体サンプルを、150℃で1時間加熱した後、25℃で1時間静置する。
第1測定:前記積層体サンプルの前記42アロイ板を下側にして前記積層体サンプルが載置される載置面と、前記積層体サンプルの縁端との間の距離の最大値を、第1反り長さD1として測定する。
第2処理:前記積層体サンプルを、100℃の加熱板の表面上で1分静置する。
第2測定:前記加熱板の表面と前記積層体サンプルの縁端との間の距離の最大値を、第2反り長さD2として測定する。
First treatment: A laminate sample comprising a 42-alloy plate having a size of 90 mm × 90 mm × 150 μm and the sealing resin sheet bonded to the entire one surface of the 42 alloy plate in the thickness direction is prepared as 150. After heating at ° C. for 1 hour, let stand at 25 ° C. for 1 hour.
First measurement: The maximum value of the distance between the mounting surface on which the laminated body sample is placed and the edge of the laminated body sample with the 42 alloy plate of the laminated body sample facing down is set. 1 Measure as the warp length D1.
Second treatment: The laminated body sample is allowed to stand on the surface of a hot plate at 100 ° C. for 1 minute.
Second measurement: The maximum value of the distance between the surface of the heating plate and the edge of the laminated body sample is measured as the second warp length D2.

式(1):R=〔(D1−D2)/D1〕×100 Equation (1): R = [(D1-D2) / D1] × 100

上記反り回復評価試験において示す反り回復率Rが80%以上である構成は、本封止用樹脂シートが用いられる電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、ワーク表面の高低差を抑制して、封止樹脂表面を精度よく加工するのに適する。 The configuration in which the warp recovery rate R shown in the warp recovery evaluation test is 80% or more suppresses the height difference of the work surface in the manufacturing process of the electronic component chip resin encapsulation body in which the main encapsulation resin sheet is used. , Suitable for processing the sealing resin surface with high accuracy.

本発明[2]は、前記第2反り長さD2が2mm以下である、上記[1]に記載の封止用樹脂シートを含む。 The present invention [2] includes the sealing resin sheet according to the above [1], wherein the second warp length D2 is 2 mm or less.

このような構成は、本封止用樹脂シートが用いられる電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、封止樹脂表面を精度よく加工するのに適する。 Such a configuration is suitable for accurately processing the surface of the encapsulating resin in the manufacturing process of the electronic component chip resin encapsulation body in which the present encapsulation resin sheet is used.

本発明[3]は、前記封止用樹脂シートは、第1封止樹脂層と第2封止樹脂層とを厚さ方向に順に備え、前記第1封止樹脂層は、第1の熱硬化性樹脂と、層状ケイ酸塩化合物とを含有し、前記第2封止樹脂層は、第2の熱硬化性樹脂を含有する、上記[1]または[2]に記載の封止用樹脂シートを含む。 In the present invention [3], the sealing resin sheet includes a first sealing resin layer and a second sealing resin layer in order in the thickness direction, and the first sealing resin layer has a first heat. The sealing resin according to the above [1] or [2], which contains a curable resin and a layered silicate compound, and the second sealing resin layer contains a second thermosetting resin. Includes sheet.

このような第1および第2封止樹脂層を備える本封止用樹脂シートは、例えば、基材に対して空隙を介して対向する状態で当該基材に実装されている電子部品チップを、次のようなプレス工程および硬化工程を経て封止するのに使用することができる。プレス工程では、基材上の上記電子部品チップに本封止用樹脂シートの第1封止樹脂層側が接する状態で、当該シートが加熱軟化されつつ基材に向けて押圧される(電子部品チップ周りで基材に密着される第1封止樹脂層により、上記空隙の開縁端は閉塞される)。このようなプレス工程において、本封止用樹脂シートは、第2封止樹脂層とともに第1封止樹脂層が、押圧力を受けて軟化流動して、電子部品チップの外形に追従した変形をするのに適する(第1封止樹脂層が層状ケイ酸塩化合物を含有する構成は、第1封止樹脂層を増粘させつつ、当該第1封止樹脂層において、押圧力を受けるときには受けないときより低粘度化するチキソトロピック性を発現させるのに好適である)。プレス工程の後の硬化工程では、電子部品チップを被覆している本封止用樹脂シートが、さらに昇温されて硬化される。第1封止樹脂層は、層状ケイ酸塩化合物を含有することから、当該硬化工程において、昇温に起因する粘度低下が抑制され、上記空隙への過度の進入が抑制される(これに対し、第2封止樹脂層は、硬化前に一旦粘度低下して流動化し、第1封止樹脂層とは反対側の露出面の平坦化が進む)。すなわち、本封止用樹脂シートは、電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、基板と電子部品チップとの間の空隙内への封止樹脂進入長さを制御するのに適する。 The main encapsulation resin sheet provided with such first and second encapsulation resin layers is, for example, an electronic component chip mounted on the substrate in a state of facing the substrate via a gap. It can be used for sealing through the following pressing and curing steps. In the pressing process, the sheet is pressed toward the base material while being heated and softened in a state where the first sealing resin layer side of the main sealing resin sheet is in contact with the electronic component chip on the base material (electronic component chip). The open edge of the void is closed by the first sealing resin layer that is in close contact with the substrate around it). In such a pressing process, in the present encapsulation resin sheet, the first encapsulation resin layer and the second encapsulation resin layer are softened and flowed under the pressing force to be deformed according to the outer shape of the electronic component chip. (The structure in which the first encapsulating resin layer contains the layered silicate compound, while thickening the first encapsulating resin layer, receives the pressing force in the first encapsulating resin layer. It is suitable for developing a thixotropic property that makes the viscosity lower than when it is not present). In the curing step after the pressing step, the main sealing resin sheet covering the electronic component chip is further heated and cured. Since the first sealing resin layer contains the layered silicate compound, the decrease in viscosity due to the temperature rise is suppressed in the curing step, and the excessive entry into the voids is suppressed (in contrast to this). , The viscosity of the second sealing resin layer is once lowered and fluidized before curing, and the exposed surface on the opposite side of the first sealing resin layer is flattened). That is, the present encapsulation resin sheet is suitable for controlling the length of the encapsulating resin entering into the gap between the substrate and the electronic component chip in the manufacturing process of the electronic component chip resin encapsulation body.

本発明[4]は、下記の第1ステップ〜第4ステップが実施される進入長さ評価試験において示す下記の進入長さLが、0μm以上50μm以下である、上記[3]に記載の封止用樹脂シートを含む。 In the present invention [4], the seal according to the above [3], wherein the following entry length L shown in the entry length evaluation test in which the following steps 1 to 4 are carried out is 0 μm or more and 50 μm or less. Includes a resin sheet for stopping.

第1ステップ:ガラス基板と、3mm×3mm×厚さ200μmのサイズのダミーチップとを備え、前記ダミーチップが、前記ガラス基板に対して空隙を介して対向する状態で当該ガラス基板にバンプを介して接合されており、前記空隙における前記ガラス基板から前記ダミーチップまでの長さが20μmである、ダミーチップ実装基板を用意する。
第2ステップ:前記ガラス基板上の前記ダミーチップに前記封止用樹脂シートの前記第1封止樹脂層側が接する状態で、真空平板プレスにより、前記封止用樹脂シートを、温度65℃、真空度1.6kPa以下、加圧力0.1MPa、および加圧時間40秒の条件で前記ガラス基板に向けて押圧し、前記ダミーチップ周りで前記ガラス基板に密着する前記第1封止樹脂層によって前記空隙の開縁端を閉塞する。
第3ステップ:前記第2ステップの後に、大気圧下における150℃で1時間の加熱により、前記封止用樹脂シートを硬化させる。
第4ステップ:前記第3ステップの後に、前記封止用樹脂シートにおける前記空隙内への進入長さLを測定する。
First step: A glass substrate and a dummy chip having a size of 3 mm × 3 mm × thickness of 200 μm are provided, and the dummy chip is opposed to the glass substrate through a gap through a bump on the glass substrate. A dummy chip mounting substrate having a length from the glass substrate to the dummy chip in the gap of 20 μm is prepared.
Second step: With the dummy chip on the glass substrate in contact with the first sealing resin layer side of the sealing resin sheet, the sealing resin sheet is evacuated at a temperature of 65 ° C. by a vacuum plate press. The first sealing resin layer, which is pressed toward the glass substrate under the conditions of a degree of 1.6 kPa or less, a pressing force of 0.1 MPa, and a pressurizing time of 40 seconds, is in close contact with the glass substrate around the dummy chip. Close the open edge of the void.
Third step: After the second step, the sealing resin sheet is cured by heating at 150 ° C. for 1 hour under atmospheric pressure.
Fourth step: After the third step, the entry length L of the sealing resin sheet into the void is measured.

上記進入長さ評価試験において示す進入長さLが0μm以上50μm以下である構成は、本封止用樹脂シートが用いられる上述のようなプレス工程および硬化工程を含む電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、基板と電子部品チップとの間の空隙内への封止樹脂進入長さを制御するのに適する。 The configuration in which the penetration length L shown in the penetration length evaluation test is 0 μm or more and 50 μm or less is an electronic component chip resin encapsulation body including the above-mentioned pressing step and curing step in which the present encapsulation resin sheet is used. It is suitable for controlling the length of the sealing resin entering into the gap between the substrate and the electronic component chip in the manufacturing process.

本発明[5]は、前記第1封止樹脂層が、150℃で1時間の加熱処理後に、25℃において3.5GPa以上の第1引張貯蔵弾性率を有する、上記[3]または[4]に記載の封止用樹脂シートを含む。 In the present invention [5], the first sealing resin layer has a first tensile storage elastic modulus of 3.5 GPa or more at 25 ° C. after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour, as described above [3] or [4]. ] Is included in the sealing resin sheet described in.

このような構成は、本封止用樹脂シートが用いられる電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、ブレードダイシングによる個片化時に、電子部品チップが実装されている基材にクラックやチッピングなどの損傷が発生するのを抑制するのに適する。 In such a configuration, in the manufacturing process of the electronic component chip resin encapsulation body in which the resin sheet for encapsulation is used, cracks, chipping, etc. are formed on the base material on which the electronic component chip is mounted at the time of individualization by blade dicing. Suitable for suppressing the occurrence of damage.

本発明[6]は、前記第2封止樹脂層が、150℃で1時間の加熱処理後に、100℃以下のガラス転移温度を有する、上記[3]から[5]のいずれか一つに記載の封止用樹脂シートを含む。 In the present invention [6], the second sealing resin layer has a glass transition temperature of 100 ° C. or lower after being heat-treated at 150 ° C. for 1 hour, according to any one of the above [3] to [5]. Includes the encapsulation resin sheet described.

このような構成は、加熱硬化後の本封止用樹脂シートに反りが生じている場合において、当該封止用樹脂シートを100℃程度の加熱によって一旦軟化させて、当該シートの反りを低減するのに適する。 With such a configuration, when the main sealing resin sheet after heat curing is warped, the sealing resin sheet is once softened by heating at about 100 ° C. to reduce the warp of the sheet. Suitable for.

本発明[7]は、前記第2封止樹脂層が、150℃で1時間の加熱処理後に、100℃において0.5GPa以下の第2引張貯蔵弾性率を有する、上記[3]から[6]のいずれか一つに記載の封止用樹脂シートを含む。 In the present invention [7], the second sealing resin layer has a second tensile storage elastic modulus of 0.5 GPa or less at 100 ° C. after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour, from the above [3] to [6]. ] Is included in the sealing resin sheet according to any one of the above.

このような構成は、加熱硬化後の本封止用樹脂シートに反りが生じている場合において、当該封止用樹脂シートを100℃程度の加熱によって一旦軟化させて、当該シートの反りを低減するのに適する。 With such a configuration, when the main sealing resin sheet after heat curing is warped, the sealing resin sheet is once softened by heating at about 100 ° C. to reduce the warp of the sheet. Suitable for.

本発明[8]は、150℃で1時間の加熱処理後の前記第1封止樹脂層の、25℃における第1引張貯蔵弾性率に対する、150℃で1時間の加熱処理後の前記第2封止樹脂層の、100℃における第2引張貯蔵弾性率の比率が、0.12以下である、上記[1]から[4]のいずれか一つに記載の封止用樹脂シートを含む。 INDUSTRIAL APPLICABILITY [8] The present invention [8] is the second after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour with respect to the first tensile storage elastic modulus of the first sealing resin layer after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour. The sealing resin sheet according to any one of the above [1] to [4], wherein the ratio of the second tensile storage elastic modulus of the sealing resin layer at 100 ° C. is 0.12 or less.

このような構成は、上述の反りの抑制と上述の損傷の抑制とを両立するのに適する。 Such a configuration is suitable for both the above-mentioned suppression of warpage and the above-mentioned suppression of damage.

本発明の封止用樹脂シートの一実施形態の断面模式図である。It is sectional drawing of one Embodiment of the resin sheet for sealing of this invention. 図1に示す封止用樹脂シートを用いて基材上の電子部品チップを封止する方法を表す。図2Aは、封止用樹脂シートを用意する工程を表し、図2Bは、平板プレス機におけるプレス板間にワークおよび封止用樹脂シートを配置する工程を表し、図2Cはプレス工程を表し、図2Dは硬化工程を表す。A method of sealing an electronic component chip on a base material using the sealing resin sheet shown in FIG. 1 is shown. FIG. 2A represents a process of preparing a sealing resin sheet, FIG. 2B represents a process of arranging a work and a sealing resin sheet between the press plates in a flat plate press, and FIG. 2C represents a pressing process. FIG. 2D represents a curing process. 実施例および比較例における進入長さ評価試験を表す。図3Aは、封止用樹脂シートを用意する工程を表し、図3Bは、平板プレス機におけるプレス板間にワークおよび封止用樹脂シートを配置する工程を表し、図3Cはプレス工程を表し、図3Dは硬化工程を表す。Represents an approach length evaluation test in Examples and Comparative Examples. FIG. 3A represents a process of preparing a sealing resin sheet, FIG. 3B represents a process of arranging a work and a sealing resin sheet between the press plates in a flat plate press, and FIG. 3C represents a pressing process. FIG. 3D represents a curing process.

封止用樹脂シートXは、半導体チップなどの電子部品チップを封止するためのシート状の封止樹脂材であり、第1封止樹脂層11と第2封止樹脂層12とを厚さ方向に順に備える。封止用樹脂シートXは、好ましくは、第1封止樹脂層11、および、第1封止樹脂層11の厚さ方向一方面上に位置する第2封止樹脂層12のみからなる。 The sealing resin sheet X is a sheet-shaped sealing resin material for sealing electronic component chips such as semiconductor chips, and has a thickness of a first sealing resin layer 11 and a second sealing resin layer 12. Prepare in order in the direction. The sealing resin sheet X preferably consists of only the first sealing resin layer 11 and the second sealing resin layer 12 located on one surface of the first sealing resin layer 11 in the thickness direction.

第1封止樹脂層11は、熱硬化性組成物(第1熱硬化性組成物)から形成される層であり、本実施形態では、少なくとも熱硬化性樹脂と、層状ケイ酸塩化合物とを含有し、無機充填材(第1無機充填材)を含有してもよい。第1封止樹脂層11は、未硬化状態(Aステージの状態)または半硬化状態(Bステージの状態)にある。 The first sealing resin layer 11 is a layer formed from a thermosetting composition (first thermosetting composition), and in the present embodiment, at least a thermosetting resin and a layered silicate compound are provided. It may be contained and may contain an inorganic filler (first inorganic filler). The first sealing resin layer 11 is in an uncured state (A stage state) or a semi-cured state (B stage state).

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、および不飽和ポリエステル樹脂が挙げられる。これら熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。第1熱硬化性組成物における熱硬化性樹脂の含有割合は、好ましくは10質量%以上、より好ましくは15質量%以上である。第1熱硬化性組成物における熱硬化性樹脂の含有割合は、好ましくは50質量%以下、より好ましくは40質量%以下である。 Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, silicone resin, urethane resin, polyimide resin, urea resin, melamine resin, and unsaturated polyester resin. These thermosetting resins may be used alone or in combination of two or more. The content ratio of the thermosetting resin in the first thermosetting composition is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more. The content ratio of the thermosetting resin in the first thermosetting composition is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less.

熱硬化性樹脂としては、好ましくはエポキシ樹脂が用いられる。エポキシ樹脂は、例えば、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物として調製される。 As the thermosetting resin, an epoxy resin is preferably used. The epoxy resin is prepared, for example, as an epoxy resin composition containing a main agent, a curing agent and a curing accelerator.

主剤としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの2官能エポキシ樹脂、および、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの3官能以上の多官能エポキシ樹脂が挙げられる。これら主剤は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。主剤としては、好ましくは2官能エポキシ樹脂が用いられ、より好ましくは、ビスフェノールA型エポキシ樹脂およびビスフェノールF型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも一種が用いられる。 Examples of the main agent include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin, and phenol novolac type epoxy resin. , Cresol novolak type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylol ethane type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin and other trifunctional or higher functional epoxy resins can be mentioned. These main agents may be used alone or in combination of two or more. As the main agent, a bifunctional epoxy resin is preferably used, and more preferably at least one selected from the group consisting of a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin is used.

主剤のエポキシ当量は、例えば10g/eq.以上であり、好ましくは100g/eq. 以上である。主剤のエポキシ当量は、例えば500g/eq.以下であり、好ましくは450g/eq.以下である。 The epoxy equivalent of the main agent is, for example, 10 g / eq. Or more, preferably 100 g / eq. Or more. The epoxy equivalent of the main agent is, for example, 500 g / eq. Or less, preferably 450 g / eq. Or less.

主剤の軟化点は、好ましくは50℃以上、より好ましくは60℃以上、さらに好ましくは72℃以上、特に好ましくは75℃以上である。主剤の軟化点は、好ましくは130℃以下、より好ましくは110℃以下、さらに好ましくは90℃以下である。このような構成によると、第1熱硬化性組成物の調製時に同組成物を混合しやすく、また、混合後の同組成物の流動特性を制御しやすい。 The softening point of the main agent is preferably 50 ° C. or higher, more preferably 60 ° C. or higher, still more preferably 72 ° C. or higher, and particularly preferably 75 ° C. or higher. The softening point of the main agent is preferably 130 ° C. or lower, more preferably 110 ° C. or lower, still more preferably 90 ° C. or lower. According to such a configuration, it is easy to mix the composition at the time of preparing the first thermosetting composition, and it is easy to control the flow characteristics of the composition after mixing.

第1熱硬化性組成物における主剤の割合は、例えば3質量%以上であり、好ましくは5質量%以上である。第1熱硬化性組成物における主剤の割合は、例えば17質量%以下であり、好ましくは15質量%以下である。 The proportion of the main agent in the first thermosetting composition is, for example, 3% by mass or more, preferably 5% by mass or more. The proportion of the main agent in the first thermosetting composition is, for example, 17% by mass or less, preferably 15% by mass or less.

硬化剤としては、好ましくはフェノール樹脂が用いられる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、およびノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂が挙げられる。硬化剤としては、好ましくは、フェノールノボラック樹脂およびフェノールアラルキル樹脂からなる群より選択される少なくとも一種が用いられる。 As the curing agent, a phenol resin is preferably used. Examples of the phenol resin include novolak-type phenol resins such as phenol novolac resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, and nonylphenol novolak resin. As the curing agent, at least one selected from the group consisting of a phenol novolac resin and a phenol aralkyl resin is preferably used.

エポキシ樹脂組成物において、主剤であるエポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対する、硬化剤であるフェノール樹脂中の水酸基量は、例えば0.7当量以上であり、好ましくは0.9当量以上である。また、主剤であるエポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対する、硬化剤であるフェノール樹脂中の水酸基量は、例えば1.5当量以下であり、好ましくは1.2当量以下である。 In the epoxy resin composition, the amount of hydroxyl groups in the phenolic resin as a curing agent is, for example, 0.7 equivalents or more, preferably 0.9 equivalents or more, with respect to 1 equivalent of epoxy groups in the epoxy resin as the main agent. The amount of hydroxyl groups in the phenolic resin as a curing agent is, for example, 1.5 equivalents or less, preferably 1.2 equivalents or less, with respect to 1 equivalent of epoxy groups in the epoxy resin as the main agent.

硬化促進剤は、加熱によって主剤の硬化を促進する触媒(熱硬化触媒)である。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物および有機リン化合物が挙げられる。イミダゾール化合物としては、例えば、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、および2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールが挙げられる。有機リン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチルホスフィン、およびメチルジフェニルホスフィンが挙げられる。硬化促進剤としては、好ましくはイミダゾール化合物が用いられ、より好ましくは2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールが用いられる。主剤100質量部に対する硬化促進剤の配合量は、例えば0.05質量部以上である。主剤100質量部に対する硬化促進剤の配合量は、例えば5質量部以下である。 The curing accelerator is a catalyst (thermosetting catalyst) that accelerates the curing of the main agent by heating. Examples of the curing accelerator include imidazole compounds and organophosphorus compounds. Examples of the imidazole compound include 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole. Examples of the organophosphorus compound include triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine, tributylphosphine, and methyldiphenylphosphine. As the curing accelerator, an imidazole compound is preferably used, and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole is more preferably used. The blending amount of the curing accelerator with respect to 100 parts by mass of the main agent is, for example, 0.05 parts by mass or more. The blending amount of the curing accelerator with respect to 100 parts by mass of the main agent is, for example, 5 parts by mass or less.

層状ケイ酸塩化合物は、第1熱硬化性組成物にチキソトロピック性を発現させつつ第1熱硬化性組成物を増粘させる成分であり、第1熱硬化性組成物中に分散している。 The layered silicate compound is a component that thickens the first thermosetting composition while exhibiting thixotropic properties in the first thermosetting composition, and is dispersed in the first thermosetting composition. ..

層状ケイ酸塩化合物としては、例えば、スメクタイト、カオリナイト、ハロイサイト、タルク、およびマイカが挙げられる。スメクタイトとしては、例えば、モンモリロナイト、バイデライト、ノントロナイト、サポナイト、ヘクトライト、ソーコナイト、およびスチーブンサイトが挙げられる。層状ケイ酸塩化合物としては、熱硬化性樹脂と混合しやすいことから、好ましくはスメクタイトが用いられ、より好ましくはモンモリロナイトが用いられる。 Layered silicate compounds include, for example, smectite, kaolinite, halloysite, talc, and mica. Smectite includes, for example, montmorillonite, byderite, nontronite, saponite, hectorite, saponite, and stephensite. As the layered silicate compound, smectite is preferably used, and more preferably montmorillonite, because it is easy to mix with a thermosetting resin.

層状ケイ酸塩化合物は、表面が変性されていない未変性物でもよく、また、表面が有機成分により変性された変性物でもよい。例えば熱硬化性樹脂との親和性の観点からは、好ましくは、表面が有機成分により変性された層状ケイ酸塩化合物が用いられ、より好ましくは、表面が有機成分で変性された有機化スメクタイトが用いられ、さらに好ましくは、表面が有機成分で変性された有機化ベントナイトが用いられる。 The layered silicate compound may be an unmodified product having an unmodified surface, or a modified product having a surface modified by an organic component. For example, from the viewpoint of compatibility with a thermosetting resin, a layered silicate compound whose surface is modified with an organic component is preferably used, and more preferably an organic smectite whose surface is modified with an organic component is used. It is used, and more preferably, an organic bentonite whose surface is modified with an organic component is used.

有機成分としては、例えば、アンモニウム、イミダゾリウム、ピリジニウム、フォスフォニウムなどの有機カチオン(オニウムイオン)が挙げられる。 Examples of the organic component include organic cations (onium ions) such as ammonium, imidazolium, pyridinium, and phosphonium.

アンモニウムとしては、例えば、ジメチルジステアリルアンモニウム、ジステアリルアンモニウム、オクタデシルアンモニウム、ヘキシルアンモニウム、オクチルアンモニウム、2−ヘキシルアンモニウム、ドデシルアンモニウム、およびトリオクチルアンモニウムが挙げられる。イミダゾリウムとしては、例えば、メチルステアリルイミダゾリウム、ジステアリルイミダゾリウム、メチルヘキシルイミダゾリウム、ジヘキシルイミダゾリウム、メチルオクチルイミダゾリウム、ジオクチルイミダゾリウム、メチルドデシルイミダゾリウム、およびジドデシルイミダゾリウムが挙げられる。ピリジニウムとしては、例えば、ステアリルピリジニウム、ヘキシルピリジニウム、オクチルピリジニウム、およびドデシルピリジニウムが挙げられる。フォスフォニウムとしては、例えば、ジメチルジステアリルフォスフォニウム、ジステアリルフォスフォニウム、オクタデシルフォスフォニウム、ヘキシルフォスフォニウム、オクチルフォスフォニウム、2−ヘキシルフォスフォニウム、ドデシルフォスフォニウム、およびトリオクチルフォスフォニウムが挙げられる。有機カチオンは、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。有機カチオンとしては、好ましくはアンモニウムが用いられ、より好ましくはジメチルジステアリルアンモニウムが用いられる。 Ammoniums include, for example, dimethyl distearyl ammonium, disstearyl ammonium, octadecyl ammonium, hexyl ammonium, octyl ammonium, 2-hexyl ammonium, dodecyl ammonium, and trioctyl ammonium. Examples of the imidazolium include methylstearyl imidazolium, distearyl imidazolium, methylhexyluimidazole, dihexyluimidazole, methyloctylimidazolium, dioctylimidazolium, methyldodecylimidazolium, and zidodecylimidazolium. Examples of pyridiniums include stearylpyridinium, hexylpyridinium, octylpyridinium, and dodecylpyridinium. Phosphoniums include, for example, dimethyl distearyl phosphonium, disstearyl phosphonium, octadecylphosphonium, hexylphosphonium, octylphosphonium, 2-hexylphosphonium, dodecylphosphonium, and birds. Octylphosphonium can be mentioned. The organic cations may be used alone or in combination of two or more. As the organic cation, ammonium is preferably used, and more preferably dimethyl distearyl ammonium is used.

有機化層状ケイ酸塩化合物としては、好ましくは、表面がアンモニウムで変性された有機化スメクタイトが用いられ、より好ましくは、表面がジメチルジステアリルアンモニウムで変性された有機化ベントナイトが用いられる。 As the organic layered silicate compound, preferably, an organic smectite having a surface modified with ammonium is used, and more preferably, an organic bentonite having a surface modified with dimethyl distearyl ammonium is used.

層状ケイ酸塩化合物の平均粒子径は、例えば1nm以上、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上である。層状ケイ酸塩化合物の平均粒子径は、例えば100μm以下、好ましくは50μm以下、より好ましくは10μm以下である。層状ケイ酸塩化合物の平均粒子径は、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、D50値(累積50%メジアン径)として求められる。 The average particle size of the layered silicate compound is, for example, 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and more preferably 10 nm or more. The average particle size of the layered silicate compound is, for example, 100 μm or less, preferably 50 μm or less, and more preferably 10 μm or less. The average particle size of the layered silicate compound is determined as a D50 value (cumulative 50% median diameter) based on, for example, the particle size distribution determined by the particle size distribution measurement method in the laser scattering method.

層状ケイ酸塩化合物としては、市販品を用いることができる。有機化ベントナイトの市販品としては、例えば、エスベンシリーズ(ホージュン社製)が挙げられる。 As the layered silicate compound, a commercially available product can be used. Examples of commercially available organic bentonite products include the Esben series (manufactured by Hojun).

第1封止樹脂層11における層状ケイ酸塩化合物の含有割合(即ち、第1熱硬化性樹脂組成物における層状ケイ酸塩化合物の含有割合)は、好ましくは1.2質量%以上であり、より好ましくは1.5質量%以上である。第1封止樹脂層11における層状ケイ酸塩化合物の含有割合は、好ましくは5.5質量%以下であり、より好ましくは5質量%以下である。第1封止樹脂層11が1.2質量%以上5.5質量%以下の層状ケイ酸塩化合物を含有する構成は、第1封止樹脂層11を増粘させつつ、当該第1封止樹脂層11において、押圧力を受けるときには受けないときより低粘度化するチキソトロピック性を発現させるのに好適である。 The content ratio of the layered silicate compound in the first sealing resin layer 11 (that is, the content ratio of the layered silicate compound in the first thermosetting resin composition) is preferably 1.2% by mass or more. More preferably, it is 1.5% by mass or more. The content ratio of the layered silicate compound in the first sealing resin layer 11 is preferably 5.5% by mass or less, and more preferably 5% by mass or less. The configuration in which the first sealing resin layer 11 contains 1.2% by mass or more and 5.5% by mass or less of the layered silicate compound causes the first sealing resin layer 11 to be thickened while the first sealing resin layer 11 is thickened. In the resin layer 11, it is suitable for exhibiting a thixotropic property that makes the viscosity lower when a pressing force is applied than when the pressing force is applied.

第1無機充填材は、層状ケイ酸塩化合物以外の無機フィラーであって、例えば、シリカや窒化ケイ素などのケイ素化合物(層状ケイ酸塩化合物以外のケイ素化合物)、および、オルトケイ酸塩、ソロケイ酸塩、イノケイ酸塩などの層状ケイ酸塩化合物以外のケイ酸塩化合物が挙げられる。第1無機充填材としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、および窒化ホウ素も挙げられる。第1無機充填材は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。第1無機充填材としては、好ましくは、層状ケイ酸塩化合物以外のケイ素化合物が用いられ、より好ましくはシリカが用いられる。 The first inorganic filler is an inorganic filler other than the layered silicate compound, for example, a silicon compound such as silica or silicon nitride (a silicon compound other than the layered silicate compound), orthosilicate, orthosilicate. Examples thereof include silicate compounds other than layered silicate compounds such as salts and innosilicates. Examples of the first inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, and boron nitride. The first inorganic filler may be used alone or in combination of two or more. As the first inorganic filler, a silicon compound other than the layered silicate compound is preferably used, and silica is more preferably used.

第1無機充填材の形状としては、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、および不定形状が挙げられ、好ましくは略球形状が挙げられる。 Examples of the shape of the first inorganic filler include a substantially spherical shape, a substantially plate shape, a substantially needle shape, and an indefinite shape, and a substantially spherical shape is preferable.

第1無機充填材の最大長さの平均値(略球形状の第1無機充填材であれば平均粒子径)は、例えば50μm以下、好ましくは20μm以下、より好ましくは10μm以下である。第1無機充填材の最大長さの平均値は、例えば0.1μm以上、好ましくは0.5μm以上である。第1無機充填材の平均粒子径は、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、D50値(累積50%メジアン径)として求められる。 The average value of the maximum lengths of the first inorganic filler (average particle diameter in the case of a substantially spherical first inorganic filler) is, for example, 50 μm or less, preferably 20 μm or less, and more preferably 10 μm or less. The average value of the maximum length of the first inorganic filler is, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.5 μm or more. The average particle size of the first inorganic filler is determined as a D50 value (cumulative 50% median diameter) based on, for example, the particle size distribution obtained by the particle size distribution measuring method in the laser scattering method.

第1無機充填材は、その表面が、部分的あるいは全体的に、シランカップリング剤などの表面処理剤によって表面処理されていてもよい。 The surface of the first inorganic filler may be partially or wholly surface-treated with a surface treatment agent such as a silane coupling agent.

第1封止樹脂層11における第1無機充填材の含有割合(即ち、第1熱硬化性組成物における第1無機充填材の含有割合)は、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上である。このような構成は、第1封止樹脂層11において、温度変化による膨張収縮の程度を抑制するのに適する。また、第1封止樹脂層11における第1無機充填材の含有割合は、好ましくは90質量%以下、より好ましくは80質量%以下である。このような構成は、後述のプレス工程における第1封止樹脂層11の流動性を確保するのに適する。 The content ratio of the first inorganic filler in the first sealing resin layer 11 (that is, the content ratio of the first inorganic filler in the first thermosetting composition) is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass. % Or more. Such a configuration is suitable for suppressing the degree of expansion and contraction due to a temperature change in the first sealing resin layer 11. The content ratio of the first inorganic filler in the first sealing resin layer 11 is preferably 90% by mass or less, more preferably 80% by mass or less. Such a configuration is suitable for ensuring the fluidity of the first sealing resin layer 11 in the pressing process described later.

第1熱硬化性組成物は、他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、熱可塑性樹脂、顔料、およびシランカップリング剤が挙げられる。 The first thermosetting composition may contain other components. Other components include, for example, thermoplastics, pigments, and silane coupling agents.

熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂(6−ナイロンや6,6−ナイロンなど)、フェノキシ樹脂、飽和ポリエステル樹脂(PETなど)、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、およびスチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体が挙げられる。これら熱可塑性樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。 Examples of the thermoplastic resin include acrylic resin, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, and the like. Polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin (6-nylon, 6,6-nylon, etc.), phenoxy resin, saturated polyester resin (PET, etc.), polyamideimide resin, fluororesin, and styrene-isobutylene-styrene block co-weight Coalescence is mentioned. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.

熱可塑性樹脂としては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との相溶性を確保する観点から、好ましくはアクリル樹脂が用いられる。 As the thermoplastic resin, an acrylic resin is preferably used from the viewpoint of ensuring compatibility between the thermosetting resin and the thermoplastic resin.

アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルと、その他のモノマー(共重合性モノマー)とを含むモノマー成分の重合物である(メタ)アクリルポリマーが挙げられる。 Examples of the acrylic resin include a (meth) acrylic polymer which is a polymer of a monomer component containing a (meth) acrylic acid alkyl ester having a linear or branched alkyl group and another monomer (copolymerizable monomer). Can be mentioned.

(メタ)アクリル酸アルキルエステルのアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシルなどの炭素数1〜6のアルキル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group of the (meth) acrylic acid alkyl ester include alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, isobutyl, pentyl and hexyl.

共重合性モノマーとしては、例えば、カルボキシル基含有モノマー、酸無水物モノマー、グリシジル基含有モノマー、水酸基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、およびアクリロニトリルが挙げられる。カルボキシル基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、および無水イタコン酸が挙げられる。グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、グリシジルアクリレート、およびグリシジルメタクリレートが挙げられる。水酸基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、および(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、および(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸が挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば、2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。これら共重合性モノマーは、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。 Examples of the copolymerizable monomer include a carboxyl group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a glycidyl group-containing monomer, a hydroxyl group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphoric acid group-containing monomer, and an acrylonitrile. Examples of the carboxyl group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Examples of the acid anhydride monomer include maleic anhydride and itaconic anhydride. Examples of the glycidyl group-containing monomer include glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Examples of the hydroxyl group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, and (meth). ) 8-Hydroxyoctyl acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, and 12-hydroxylauryl (meth) acrylate. Examples of the sulfonic acid group-containing monomer include styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth). ) Acryloyloxynaphthalene sulfonic acid can be mentioned. Examples of the phosphoric acid group-containing monomer include 2-hydroxyethylacryloyl phosphate. These copolymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more.

熱可塑性樹脂のガラス転移温度(Tg)は、例えば−70℃以上である。同ガラス転移温度は、例えば0℃以下、好ましくは−5℃以下である。ガラス転移温度は、例えば、Fox式により求められる理論値であって、その具体的な算出手法は、例えば、特開2016−175976号公報などに記載されている。 The glass transition temperature (Tg) of the thermoplastic resin is, for example, −70 ° C. or higher. The glass transition temperature is, for example, 0 ° C. or lower, preferably −5 ° C. or lower. The glass transition temperature is, for example, a theoretical value obtained by the Fox formula, and a specific calculation method thereof is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-175976.

熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、例えば10万以上、好ましくは30万以上である。熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、例えば200万以下、好ましくは100万以下である。樹脂の重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー(GPC)により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。 The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is, for example, 100,000 or more, preferably 300,000 or more. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is, for example, 2 million or less, preferably 1 million or less. The weight average molecular weight of the resin is measured by gel permeation chromatography (GPC) based on standard polystyrene conversion values.

第1熱硬化性組成物における熱可塑性樹脂の含有割合は、例えば1質量%以上であり、好ましくは2質量%以上である。熱硬化性組成物における熱可塑性樹脂の含有割合は、例えば80質量%以下であり、好ましくは60質量%以下である。 The content ratio of the thermoplastic resin in the first thermosetting composition is, for example, 1% by mass or more, preferably 2% by mass or more. The content ratio of the thermoplastic resin in the thermosetting composition is, for example, 80% by mass or less, preferably 60% by mass or less.

顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの黒色顔料が挙げられる。顔料の粒子径は、例えば0.001μm以上である。顔料の粒子径は、例えば1μm以下である。顔料の粒子径は、顔料を電子顕微鏡で観察して求めた算術平均径である。また、熱硬化性組成物における顔料の含有割合は、例えば0.1質量%以上である。同含有割合は、例えば2質量%以下である。 Examples of the pigment include a black pigment such as carbon black. The particle size of the pigment is, for example, 0.001 μm or more. The particle size of the pigment is, for example, 1 μm or less. The particle size of the pigment is an arithmetic mean diameter obtained by observing the pigment with an electron microscope. Further, the content ratio of the pigment in the thermosetting composition is, for example, 0.1% by mass or more. The content ratio is, for example, 2% by mass or less.

シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基を含有するシランカップリング剤が挙げられる。エポキシ基含有のシランカップリング剤としては、例えば、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランや3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどの3−グリシドキシジアルキルジアルコキシシラン、および、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランや3−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどの3−グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。シランカップリング剤としては、好ましくは、3−グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが用いられ、より好ましくは、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランが用いられる。第1熱硬化性組成物におけるシランカップリング剤の含有割合は、例えば0.1質量%以上であり、好ましくは1質量%以上である。熱硬化性組成物におけるシランカップリング剤の含有割合は、例えば10質量%以下であり、好ましくは5質量%以下である。 Examples of the silane coupling agent include a silane coupling agent containing an epoxy group. Examples of the epoxy group-containing silane coupling agent include 3-glycidoxydialkyldialkoxysilanes such as 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane and 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and 3-glyci. Examples thereof include 3-glycidoxyalkyltrialkoxysilanes such as sidoxypropyltrimethoxysilane and 3-glycidoxypropyltriethoxysilane. As the silane coupling agent, 3-glycidoxyalkyltrialkoxysilane is preferably used, and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane is more preferably used. The content ratio of the silane coupling agent in the first thermosetting composition is, for example, 0.1% by mass or more, preferably 1% by mass or more. The content ratio of the silane coupling agent in the thermosetting composition is, for example, 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less.

第1封止樹脂層11が、150℃で1時間の加熱処理後に有するガラス転移温度は、好ましくは135℃以下、より好ましくは130℃以下、さらに好ましくは125℃以下である。同ガラス転移温度は、例えば60℃以上である。第1封止樹脂層11のガラス転移温度は、実施例に関して後述する動的粘弾性測定における損失正接(tanδ)の極大値に基づき求めることができる(第2封止樹脂層12の後出のガラス転移温度も同様である)。 The glass transition temperature of the first sealing resin layer 11 after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is preferably 135 ° C. or lower, more preferably 130 ° C. or lower, still more preferably 125 ° C. or lower. The glass transition temperature is, for example, 60 ° C. or higher. The glass transition temperature of the first sealing resin layer 11 can be obtained based on the maximum value of the loss tangent (tan δ) in the dynamic viscoelasticity measurement described later with respect to the examples (described later in the second sealing resin layer 12). The same applies to the glass transition temperature).

第1封止樹脂層11が、150℃で1時間の加熱処理後に有する25℃での引張貯蔵弾性率(第1引張貯蔵弾性率)は、好ましくは3.5GPa以上、より好ましくは3.8GPa以上、さらに好ましくは4GPa以上である。第1引張貯蔵弾性率は、好ましくは9GPa以下、より好ましくは8GPa以下、さらに好ましくは7.7GPa以下である。引張貯蔵弾性率の値は、実施例に関して後述する動的粘弾性測定によって求められる値とする(後出の引張貯蔵弾性率の値も同様である)。 The tensile storage elastic modulus (first tensile storage elastic modulus) at 25 ° C. that the first sealing resin layer 11 has after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is preferably 3.5 GPa or more, more preferably 3.8 GPa. Above, more preferably 4 GPa or more. The first tensile storage elastic modulus is preferably 9 GPa or less, more preferably 8 GPa or less, and further preferably 7.7 GPa or less. The value of the tensile storage elastic modulus is a value obtained by the dynamic viscoelasticity measurement described later with respect to the examples (the same applies to the value of the tensile storage elastic modulus described later).

第1封止樹脂層11が、150℃で1時間の加熱処理後に有する100℃での引張貯蔵弾性率は、好ましくは0.35GPa以上、より好ましくは0.38GPa以上、さらに好ましくは0.4GPa以上である。当該引張貯蔵弾性率は、好ましくは3GPa以下、より好ましくは2.8GPa以下、さらに好ましくは2.5GPa以下である。 The tensile storage elastic modulus at 100 ° C. that the first sealing resin layer 11 has after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is preferably 0.35 GPa or more, more preferably 0.38 GPa or more, still more preferably 0.4 GPa. That is all. The tensile storage elastic modulus is preferably 3 GPa or less, more preferably 2.8 GPa or less, and further preferably 2.5 GPa or less.

150℃で1時間の加熱処理後の第1封止樹脂層11についてナノインデンテーション法により測定される25℃での弾性率は、好ましくは3.5GPa以上、より好ましくは3.8GPa以上、さらに好ましくは4GPa以上である。当該弾性率は、好ましくは9GPa以下、より好ましくは8GPa以下、さらに好ましくは7.7GPa以下である。 The elastic modulus of the first sealing resin layer 11 after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour at 25 ° C. measured by the nanoindentation method is preferably 3.5 GPa or more, more preferably 3.8 GPa or more, and further. It is preferably 4 GPa or more. The elastic modulus is preferably 9 GPa or less, more preferably 8 GPa or less, still more preferably 7.7 GPa or less.

ナノインデンテーション法による弾性率の測定には、例えば、ナノインデンター(商品名「Triboindenter」,Hysitron社製)を使用できる(ナノインデンテーション法により測定される後記の各弾性率についても同様である)。本測定において、測定モードは単一押込み測定とし、測定温度は25℃とし、使用圧子はBerkovich(三角錐)型のダイヤモンド圧子とし、測定対象物に対する圧子の押込み深さは300nmとし、その圧子の押込み速度は10nm/秒とし、測定対象物からの圧子の引抜き速度は10nm/秒とする。ナノインデンテーション法に基づく弾性率は、使用装置にて導出される。具体的な導出手法については、例えば、Handbook of Micro/nano Tribology (Second Edition) Edited by Bharat Bhushan, CRC Press (ISBN 0-8493-8402-8)に説明されているとおりである。 For the measurement of the elastic modulus by the nanoindentation method, for example, a nanoindenter (trade name “Triboinder”, manufactured by Hysiron) can be used (the same applies to each elastic modulus measured by the nanoindentation method described later). ). In this measurement, the measurement mode is single indentation measurement, the measurement temperature is 25 ° C., the indenter used is a Berkovich (triangular pyramid) type diamond indenter, and the indentation depth of the indenter with respect to the object to be measured is 300 nm. The pushing speed is 10 nm / sec, and the withdrawal speed of the indenter from the object to be measured is 10 nm / sec. The elastic modulus based on the nanoindentation method is derived by the device used. The specific derivation method is as described in, for example, the Handbook of Micro / nano Tribology (Second Edition) Edited by Bharat Bhushan, CRC Press (ISBN 0-8493-8402-8).

150℃で1時間の加熱処理後の第1封止樹脂層11についてナノインデンテーション法により測定される100℃での弾性率は、好ましくは0.35GPa以上、より好ましくは0.38GPa以上、さらに好ましくは0.4GPa以上である。当該引張貯蔵弾性率は、好ましくは3GPa以下、より好ましくは2.8GPa以下、さらに好ましくは2.5GPa以下である。 The elastic modulus of the first sealing resin layer 11 after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour at 100 ° C. measured by the nanoindentation method is preferably 0.35 GPa or more, more preferably 0.38 GPa or more, and further. It is preferably 0.4 GPa or more. The tensile storage elastic modulus is preferably 3 GPa or less, more preferably 2.8 GPa or less, and further preferably 2.5 GPa or less.

第2封止樹脂層12は、熱硬化性組成物(第2熱硬化性組成物)から形成される層であり、本実施形態では、少なくとも熱硬化性樹脂を含有し、第2無機充填材を含有してもよい。第2封止樹脂層12は、未硬化状態(Aステージの状態)または半硬化状態(Bステージの状態)にある。 The second sealing resin layer 12 is a layer formed from a thermosetting composition (second thermosetting composition), and in the present embodiment, contains at least a thermosetting resin and is a second inorganic filler. May be contained. The second sealing resin layer 12 is in an uncured state (A stage state) or a semi-cured state (B stage state).

熱硬化性樹脂としては、例えば、第1熱硬化性組成物に関して上述した熱硬化性樹脂が挙げられる。第2熱硬化性組成物における熱硬化性樹脂の含有割合は、好ましくは13質量%以上、より好ましくは15質量%以上である。第2熱硬化性組成物における熱硬化性樹脂の含有割合は、好ましくは35質量%以下、より好ましくは30質量%以下である。 Examples of the thermosetting resin include the thermosetting resins described above for the first thermosetting composition. The content ratio of the thermosetting resin in the second thermosetting composition is preferably 13% by mass or more, more preferably 15% by mass or more. The content ratio of the thermosetting resin in the second thermosetting composition is preferably 35% by mass or less, more preferably 30% by mass or less.

第2熱硬化性組成物における熱硬化性樹脂としては、好ましくはエポキシ樹脂が用いられる。エポキシ樹脂は、例えば、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物として調製される。 As the thermosetting resin in the second thermosetting composition, an epoxy resin is preferably used. The epoxy resin is prepared, for example, as an epoxy resin composition containing a main agent, a curing agent and a curing accelerator.

主剤としては、例えば、第1熱硬化性組成物に関して上述した主剤が挙げられ、好ましくは2官能エポキシ樹脂が用いられ、より好ましくはビスフェノールF型エポキシ樹脂が用いられる。第2熱硬化性組成物に関し、主剤のエポキシ当量の範囲、主剤の軟化点の範囲、および、エポキシ樹脂組成物中の主剤の割合の範囲は、第1熱硬化性組成物に関して上述した主剤のエポキシ当量の範囲、主剤の軟化点の範囲、および、エポキシ樹脂組成物中の主剤の割合の範囲と同様である。 As the main agent, for example, the above-mentioned main agent for the first thermosetting composition can be mentioned, preferably a bifunctional epoxy resin is used, and more preferably a bisphenol F type epoxy resin is used. With respect to the second thermosetting composition, the range of the epoxy equivalent of the main agent, the range of the softening point of the main agent, and the range of the ratio of the main agent in the epoxy resin composition are the ranges of the above-mentioned main agent with respect to the first thermosetting composition. It is the same as the range of the epoxy equivalent, the range of the softening point of the main agent, and the range of the ratio of the main agent in the epoxy resin composition.

硬化剤としては、第1熱硬化性組成物に関して上述したのと同様に、好ましくはフェノール樹脂が用いられ、より好ましくはフェノールノボラック樹脂が用いられる。 As the curing agent, a phenol resin is preferably used, and more preferably a phenol novolac resin is used, as described above for the first thermosetting composition.

第2熱硬化性組成物に関し、主剤であるエポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対する、硬化剤であるフェノール樹脂中の水酸基量の範囲は、第1熱硬化性組成物に関して上述した、フェノール樹脂中の水酸基量の範囲(対エポキシ基1当量)と同様である。 With respect to the second thermosetting composition, the range of the amount of hydroxyl groups in the phenolic resin as a curing agent with respect to one equivalent of the epoxy group in the epoxy resin as the main agent is the range of the amount of hydroxyl groups in the phenolic resin described above with respect to the first thermosetting composition. It is the same as the range of the amount of hydroxyl groups (1 equivalent to epoxy group).

硬化促進剤としては、例えば、第1熱硬化性組成物に関して上述した主剤が挙げられ、好ましくはイミダゾール化合物が用いられ、より好ましくは2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールが用いられる。主剤100質量部に対する硬化促進剤の配合量は、例えば0.05質量部以上であり、同配合量は、例えば5質量部以下である。 Examples of the curing accelerator include the main agent described above for the first thermosetting composition, preferably an imidazole compound, and more preferably 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole. The blending amount of the curing accelerator with respect to 100 parts by mass of the main agent is, for example, 0.05 parts by mass or more, and the blending amount is, for example, 5 parts by mass or less.

第2無機充填材としては、例えば、第1熱硬化性組成物に関して上述した第1無機充填材が挙げられ、好ましくは、層状ケイ酸塩化合物以外のケイ素化合物が用いられ、より好ましくはシリカが用いられる。 Examples of the second inorganic filler include the first inorganic filler described above for the first thermosetting composition, preferably a silicon compound other than the layered silicate compound, and more preferably silica. Used.

第2無機充填材の形状としては、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、および不定形状が挙げられ、好ましくは略球形状が挙げられる。第2無機充填材の最大長さの平均値(略球形状の第2無機充填材であれば平均粒子径)の範囲は、第1無機充填材の最大長さの平均値として上述したのと同様である。第2無機充填材は、その表面が、部分的あるいは全体的に、シランカップリング剤などの表面処理剤によって表面処理されていてもよい。 Examples of the shape of the second inorganic filler include a substantially spherical shape, a substantially plate shape, a substantially needle shape, and an indefinite shape, and a substantially spherical shape is preferable. The range of the average value of the maximum length of the second inorganic filler (the average particle size in the case of the substantially spherical second inorganic filler) is as described above as the average value of the maximum length of the first inorganic filler. The same is true. The surface of the second inorganic filler may be partially or wholly surface-treated with a surface treatment agent such as a silane coupling agent.

第2封止樹脂層12における第2無機充填材の含有割合(即ち、第2熱硬化性組成物における第2無機充填材の含有割合)は、好ましくは60質量%以上であり、より好ましくは65質量%以上、より好ましくは70質量%以上である。このような構成は、第2封止樹脂層11において、温度変化による膨張収縮の程度を抑制するのに適する。第2封止樹脂層12における第2無機充填材の含有割合は、好ましくは90質量%以下、より好ましくは87質量%以下、さらに好ましくは85質量%以下である。このような構成は、後述のプレス工程における第2封止樹脂層12の流動性を確保するのに適する。 The content ratio of the second inorganic filler in the second sealing resin layer 12 (that is, the content ratio of the second inorganic filler in the second thermosetting composition) is preferably 60% by mass or more, more preferably. It is 65% by mass or more, more preferably 70% by mass or more. Such a configuration is suitable for suppressing the degree of expansion and contraction due to a temperature change in the second sealing resin layer 11. The content ratio of the second inorganic filler in the second sealing resin layer 12 is preferably 90% by mass or less, more preferably 87% by mass or less, still more preferably 85% by mass or less. Such a configuration is suitable for ensuring the fluidity of the second sealing resin layer 12 in the pressing process described later.

第2熱硬化性組成物は、他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、第1熱硬化性組成物に関して上述したのと同様の熱可塑性樹脂、顔料、およびシランカップリング剤が挙げられる。 The second thermosetting composition may contain other components. Other components include, for example, thermoplastic resins, pigments, and silane coupling agents similar to those described above for the first thermosetting composition.

第2封止樹脂層12が、150℃で1時間の加熱処理後に有するガラス転移温度は、好ましくは100℃以下、より好ましくは95℃以下、さらに好ましくは90℃以下である。同ガラス転移温度は、例えば60℃以上である。 The glass transition temperature of the second sealing resin layer 12 after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is preferably 100 ° C. or lower, more preferably 95 ° C. or lower, still more preferably 90 ° C. or lower. The glass transition temperature is, for example, 60 ° C. or higher.

第2封止樹脂層12が、150℃で1時間の加熱処理後に有する100℃での引張貯蔵弾性率(第2引張貯蔵弾性率)は、好ましくは0.5GPa以下、より好ましくは0.4GPa以下、さらに好ましくは0.38GPa以下である。第2引張貯蔵弾性率は、好ましくは0.03GPa以上、より好ましくは0.05GPa以上、さらに好ましくは0.07GPa以上である。 The tensile storage elastic modulus (second tensile storage elastic modulus) at 100 ° C. that the second sealing resin layer 12 has after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is preferably 0.5 GPa or less, more preferably 0.4 GPa or less. Below, it is more preferably 0.38 GPa or less. The second tensile storage elastic modulus is preferably 0.03 GPa or more, more preferably 0.05 GPa or more, and further preferably 0.07 GPa or more.

第2封止樹脂層12が、150℃で1時間の加熱処理後に有する25℃での引張貯蔵弾性率は、好ましくは3GPa以上、より好ましくは4GPa以上、さらに好ましくは5GPa以上である。当該引張貯蔵弾性率は、好ましくは11GPa以下、より好ましくは10GPa以下、さらに好ましくは9GPa以下である。 The tensile storage elastic modulus at 25 ° C. that the second sealing resin layer 12 has after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is preferably 3 GPa or more, more preferably 4 GPa or more, still more preferably 5 GPa or more. The tensile storage elastic modulus is preferably 11 GPa or less, more preferably 10 GPa or less, still more preferably 9 GPa or less.

第1引張貯蔵弾性率(150℃で1時間の加熱処理後の第1封止樹脂層の25℃における引張貯蔵弾性率)に対する、第2引張貯蔵弾性率(150℃で1時間の加熱処理後の第2封止樹脂層の100℃における引張貯蔵弾性率)の比率は、好ましくは0.12以下、より好ましくは0.1以下、さらに好ましくは0.08以下である。同比率は、好ましくは0.005以上、より好ましくは0.01以上である。 The second tensile storage elastic modulus (after the heat treatment at 150 ° C. for 1 hour) with respect to the first tensile storage elastic modulus (the tensile storage elastic modulus at 25 ° C. of the first sealing resin layer after the heat treatment at 150 ° C. for 1 hour). The ratio of the tensile storage elastic modulus of the second sealing resin layer at 100 ° C.) is preferably 0.12 or less, more preferably 0.1 or less, still more preferably 0.08 or less. The ratio is preferably 0.005 or more, more preferably 0.01 or more.

150℃で1時間の加熱処理後の第2封止樹脂層12についてナノインデンテーション法により測定される100℃での弾性率は、好ましくは0.5GPa以下、より好ましくは0.4GPa以下、さらに好ましくは0.38GPa以下である。当該弾性率は、好ましくは0.03GPa以上、より好ましくは0.05GPa以上、さらに好ましくは0.07GPa以上である。 The elastic modulus of the second sealing resin layer 12 after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour at 100 ° C. measured by the nanoindentation method is preferably 0.5 GPa or less, more preferably 0.4 GPa or less, and further. It is preferably 0.38 GPa or less. The elastic modulus is preferably 0.03 GPa or more, more preferably 0.05 GPa or more, and further preferably 0.07 GPa or more.

150℃で1時間の加熱処理後の第2封止樹脂層12についてナノインデンテーション法により測定される25℃での弾性率は、好ましくは3GPa以上、より好ましくは4GPa以上、さらに好ましくは5GPa以上である。当該弾性率は、好ましくは11GPa以下、より好ましくは10GPa以下、さらに好ましくは9GPa以下である。 The elastic modulus of the second sealing resin layer 12 after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour at 25 ° C. measured by the nanoindentation method is preferably 3 GPa or more, more preferably 4 GPa or more, still more preferably 5 GPa or more. Is. The elastic modulus is preferably 11 GPa or less, more preferably 10 GPa or less, still more preferably 9 GPa or less.

封止用樹脂シートXは、例えば、第1封止樹脂層11および第2封止樹脂層12をそれぞれ形成した後、第1封止樹脂層11および第2封止樹脂層12を貼り合わせることによって作製する。或いは、封止用樹脂シートXは、基材上に第1封止樹脂層11を形成し、その第1封止樹脂層11上に第2封止樹脂層12を形成してもよい。或いは、封止用樹脂シートXは、基材上に第2封止樹脂層12を形成し、その第2封止樹脂層12上に第1封止樹脂層11を形成してもよい。 For the sealing resin sheet X, for example, the first sealing resin layer 11 and the second sealing resin layer 12 are formed, and then the first sealing resin layer 11 and the second sealing resin layer 12 are bonded together. Made by. Alternatively, the sealing resin sheet X may form the first sealing resin layer 11 on the base material and form the second sealing resin layer 12 on the first sealing resin layer 11. Alternatively, the sealing resin sheet X may form the second sealing resin layer 12 on the base material and form the first sealing resin layer 11 on the second sealing resin layer 12.

第1封止樹脂層11は、例えば、次のようにして形成することができる。まず、第1熱硬化性組成物に関して上記した各成分を所定割合で配合して第1熱硬化性組成物を調製する。組成物には、必要に応じて、メチルエチルケトンなどの溶媒をさらに配合する。その後、当該組成物を剥離シートなどの基材の上に塗布して塗膜を形成した後、当該塗膜を加熱によって乾燥させる。このようにして、シート形状を有して半硬化状態にある第1封止樹脂層11を形成することができる。 The first sealing resin layer 11 can be formed, for example, as follows. First, the first thermosetting composition is prepared by blending each of the above-mentioned components in a predetermined ratio with respect to the first thermosetting composition. If necessary, a solvent such as methyl ethyl ketone is further added to the composition. Then, the composition is applied onto a substrate such as a release sheet to form a coating film, and then the coating film is dried by heating. In this way, the first sealing resin layer 11 having a sheet shape and being in a semi-cured state can be formed.

第2封止樹脂層12は、例えば、次のようにして形成することができる。まず、第2熱硬化性組成物に関して上記した各成分を所定割合で配合して第2熱硬化性組成物を調製する。組成物には、必要に応じて、メチルエチルケトンなどの溶媒をさらに配合する。その後、当該組成物を剥離シートなどの基材の上に塗布して塗膜を形成した後、当該塗膜を加熱によって乾燥させる。このようにして、シート形状を有して半硬化状態にある第2封止樹脂層12を形成することができる。 The second sealing resin layer 12 can be formed, for example, as follows. First, the second thermosetting composition is prepared by blending each of the above-mentioned components in a predetermined ratio with respect to the second thermosetting composition. If necessary, a solvent such as methyl ethyl ketone is further added to the composition. Then, the composition is applied onto a substrate such as a release sheet to form a coating film, and then the coating film is dried by heating. In this way, the second sealing resin layer 12 having a sheet shape and being in a semi-cured state can be formed.

以上のようにして形成された第1封止樹脂層11および第2封止樹脂層12を、例えば貼り合わせることにより、封止用樹脂シートXを作製する。 The sealing resin sheet X is produced by, for example, laminating the first sealing resin layer 11 and the second sealing resin layer 12 formed as described above.

封止用樹脂シートXにおいて、第1封止樹脂層11の厚さは、例えば10μm以上、好ましくは25μm以上、より好ましくは30μm以上である。第1封止樹脂層11の厚さは、例えば3000μm以下、好ましくは1000μm以下、より好ましくは500μm以下、さらに好ましくは300μm以下、とりわけ好ましくは100μm以下である。 In the sealing resin sheet X, the thickness of the first sealing resin layer 11 is, for example, 10 μm or more, preferably 25 μm or more, and more preferably 30 μm or more. The thickness of the first sealing resin layer 11 is, for example, 3000 μm or less, preferably 1000 μm or less, more preferably 500 μm or less, still more preferably 300 μm or less, and particularly preferably 100 μm or less.

また、第2封止樹脂層12の厚さは、例えば10μm以上、好ましくは30μm以上、より好ましくは50μm以上である。第2封止樹脂層12の厚さは、例えば3000μm以下、好ましくは1000μm以下、より好ましくは500μm以下である。 The thickness of the second sealing resin layer 12 is, for example, 10 μm or more, preferably 30 μm or more, and more preferably 50 μm or more. The thickness of the second sealing resin layer 12 is, for example, 3000 μm or less, preferably 1000 μm or less, and more preferably 500 μm or less.

第1封止樹脂層11の厚さに対する第2封止樹脂層12の厚さの比率は、好ましくは0.4以上、より好ましくは0.7以上、さらに好ましくは1以上である。同比率は、好ましくは12以下、より好ましくは11以下、さらに好ましくは10以下である。 The ratio of the thickness of the second sealing resin layer 12 to the thickness of the first sealing resin layer 11 is preferably 0.4 or more, more preferably 0.7 or more, still more preferably 1 or more. The ratio is preferably 12 or less, more preferably 11 or less, still more preferably 10 or less.

封止用樹脂シートXの厚さは、例えば20μm以上、好ましくは30μm以上、より好ましくは50μm以上である。封止用樹脂シートXの厚さは、例えば6000μm以下、好ましくは3000μm以下、より好ましくは1500μm以下、さらに好ましくは1000μm以下、とりわけ好ましくは500μm以下、最も好ましくは300μm以下である。 The thickness of the sealing resin sheet X is, for example, 20 μm or more, preferably 30 μm or more, and more preferably 50 μm or more. The thickness of the sealing resin sheet X is, for example, 6000 μm or less, preferably 3000 μm or less, more preferably 1500 μm or less, still more preferably 1000 μm or less, particularly preferably 500 μm or less, and most preferably 300 μm or less.

封止用樹脂シートXは、下記の第1処理と、第1測定と、第2処理と、第2測定とが実施される反り回復評価試験において下記の式(1)で示される反り回復率Rが、80%以上であり、好ましくは82%以上である。 The sealing resin sheet X has a warp recovery rate represented by the following formula (1) in a warp recovery evaluation test in which the following first treatment, first measurement, second treatment, and second measurement are carried out. R is 80% or more, preferably 82% or more.

第1処理:90mm×90mm×厚さ150μmのサイズの42アロイ板と、当該42アロイ板の厚さ方向一方面の全体に貼り合わされた封止用樹脂シートXとを備える積層体サンプルを、150℃で1時間加熱した後、25℃で1時間静置する。
第1測定:前記積層体サンプルの前記42アロイ板を下側にして前記積層体サンプルが載置される載置面と、前記積層体サンプルの縁端との間の距離の最大値を、第1反り長さD1として測定する。
第2処理:前記積層体サンプルを、100℃の加熱板の表面上で1分静置する。
第2測定:前記加熱板の表面と前記積層体サンプルの縁端との間の距離の最大値(積層体サンプル縁端が加熱板から浮き上がる態様で、積層体サンプルが湾曲している場合における、加熱板の表面と積層体サンプル縁端の下面との間の、鉛直方向における最大距離)を、第2反り長さD2として測定する。
First treatment: A laminate sample comprising a 42-alloy plate having a size of 90 mm × 90 mm × 150 μm in thickness and a sealing resin sheet X bonded to the entire one surface in the thickness direction of the 42 alloy plate is prepared as 150. After heating at ° C. for 1 hour, let stand at 25 ° C. for 1 hour.
First measurement: The maximum value of the distance between the mounting surface on which the laminated body sample is placed and the edge of the laminated body sample with the 42 alloy plate of the laminated body sample facing down is set. 1 Measure as the warp length D1.
Second treatment: The laminated body sample is allowed to stand on the surface of a hot plate at 100 ° C. for 1 minute.
Second measurement: Maximum value of the distance between the surface of the heating plate and the edge of the laminated body sample (when the laminated body sample is curved in such a manner that the edge of the laminated body sample is lifted from the heating plate). The maximum distance in the vertical direction between the surface of the heating plate and the lower surface of the edge of the laminated body sample) is measured as the second warp length D2.

式(1):R=〔(D1−D2)/D1〕×100 Equation (1): R = [(D1-D2) / D1] × 100

上記の第2反り長さD2は、好ましくは2mm以下、より好ましくは1.8mm以下、さらに好ましくは1.5mm以下である。 The second warp length D2 is preferably 2 mm or less, more preferably 1.8 mm or less, still more preferably 1.5 mm or less.

上記の反り回復率Rは、好ましくは120%以下、より好ましくは110%以下である。反り長さD2が負の値をとるとき、反り回復率Rは100%を超える。上記第2測定時に、積層体サンプルにおいてその縁端全周に囲まれた内側領域が加熱板から浮き上がる態様で、積層体サンプルが湾曲している場合、その内側領域の下面と加熱板の表面との間の鉛直方向における最大距離に負の符号を付した長さを、第2反り長さD2とする。 The warp recovery rate R is preferably 120% or less, more preferably 110% or less. When the warp length D2 takes a negative value, the warp recovery rate R exceeds 100%. At the time of the second measurement, when the inner region surrounded by the entire circumference of the edge of the laminated body sample is lifted from the heating plate and the laminated body sample is curved, the lower surface of the inner region and the surface of the heating plate are used. The length obtained by adding a negative sign to the maximum distance between the two in the vertical direction is defined as the second warp length D2.

また、封止用樹脂シートXは、下記の第1ステップ〜第4ステップが実施される進入長さ評価試験において示す下記の進入長さLが、好ましくは50μm以下、より好ましくは30μm以下である。また、進入長さLは、好ましくは0μm以上である。 Further, in the sealing resin sheet X, the following entry length L shown in the entry length evaluation test in which the following first step to the fourth step is carried out is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less. .. The approach length L is preferably 0 μm or more.

第1ステップ:ガラス基板と、3mm×3mm×厚さ200μmのサイズのダミーチップとを備え、前記ダミーチップが、前記ガラス基板に対して空隙を介して対向する状態で当該ガラス基板にバンプを介して接合されており、前記空隙における前記ガラス基板から前記ダミーチップまでの長さが20μmである、ダミーチップ実装基板を用意する。
第2ステップ:前記ガラス基板上の前記ダミーチップに封止用樹脂シートXの第1封止樹脂層11側が接する状態で、真空平板プレスにより、封止用樹脂シートXを、温度65℃、真空度1.6kPa以下、加圧力0.1MPa、および加圧時間40秒の条件で前記ガラス基板に向けて押圧し、前記ダミーチップ周りで前記ガラス基板に密着する第1封止樹脂層11によって前記空隙の開縁端を閉塞する。
第3ステップ:前記第2ステップの後に、大気圧下における150℃で1時間の加熱により、封止用樹脂シートXを熱硬化させる。
第4ステップ:前記第3ステップの後に、封止用樹脂シートXにおける前記空隙内への進入長さLを測定する。
First step: A glass substrate and a dummy chip having a size of 3 mm × 3 mm × thickness of 200 μm are provided, and the dummy chip is opposed to the glass substrate through a gap through a bump on the glass substrate. A dummy chip mounting substrate having a length from the glass substrate to the dummy chip in the gap of 20 μm is prepared.
Second step: In a state where the first sealing resin layer 11 side of the sealing resin sheet X is in contact with the dummy chip on the glass substrate, the sealing resin sheet X is vacuumed at a temperature of 65 ° C. by a vacuum plate press. The first sealing resin layer 11 that presses against the glass substrate under the conditions of a degree of 1.6 kPa or less, a pressing force of 0.1 MPa, and a pressurizing time of 40 seconds and adheres to the glass substrate around the dummy chip is used. Close the open edge of the void.
Third step: After the second step, the sealing resin sheet X is thermally cured by heating at 150 ° C. for 1 hour under atmospheric pressure.
Fourth step: After the third step, the entry length L of the sealing resin sheet X into the void is measured.

図2は、封止用樹脂シートXを用いて基材上の電子部品チップを封止する方法を表す。 FIG. 2 shows a method of sealing an electronic component chip on a base material using a sealing resin sheet X.

本方法では、まず、図2Aに示すように、封止用樹脂シートXを用意する(用意工程)。 In this method, first, as shown in FIG. 2A, a sealing resin sheet X is prepared (preparation step).

次に、図2Bに示すように、平板プレス機が備える第1プレス板P1と第2プレス板P2との間に、ワークWおよび封止用樹脂シートXを配置する(配置工程)。 Next, as shown in FIG. 2B, the work W and the sealing resin sheet X are arranged between the first press plate P1 and the second press plate P2 provided in the flat plate press machine (arrangement step).

ワークWは、基板Sと、複数のチップ21とを備える。基板Sは、後に単一の実装基板に個片化される基材であり、実装面Saを有する。実装面Saには、実装用の端子(図示せず)が設けられている。チップ21は、半導体チップなどの電子部品チップであり、主面21aおよび側面21bを有する。主面21aには、外部接続用の端子(図示せず)が設けられている。チップ21は、基板Sに対して空隙Gを介して対向する状態で、バンプ電極22を介して基板Sに実装されている。各バンプ電極22は、基板Sの実装面Saに設けられた端子と、チップ21の主面21aに設けられた端子との間に介在して、基板Sとチップ21とを電気的に接続している。 The work W includes a substrate S and a plurality of chips 21. The substrate S is a base material that is later separated into a single mounting substrate, and has a mounting surface Sa. The mounting surface Sa is provided with terminals (not shown) for mounting. The chip 21 is an electronic component chip such as a semiconductor chip, and has a main surface 21a and a side surface 21b. The main surface 21a is provided with terminals for external connection (not shown). The chip 21 is mounted on the substrate S via the bump electrode 22 in a state of facing the substrate S via the gap G. Each bump electrode 22 is interposed between a terminal provided on the mounting surface Sa of the substrate S and a terminal provided on the main surface 21a of the chip 21 to electrically connect the substrate S and the chip 21. ing.

基板Sとチップ21との間の離隔距離は、 基板Sとチップ21との間の離隔距離は、例えば10μm以上、好ましくは13μm以上、より好ましくは15μm以上である。同離隔距離は、例えば60μm以下、好ましくは55mm以下、より好ましくは50μm以下である。 The separation distance between the substrate S and the chip 21 is such that the separation distance between the substrate S and the chip 21 is, for example, 10 μm or more, preferably 13 μm or more, and more preferably 15 μm or more. The separation distance is, for example, 60 μm or less, preferably 55 mm or less, and more preferably 50 μm or less.

また、複数のチップ21は、基板Sの実装面Sa上において、面方向に互いに間隔を空けて実装されている。隣り合うチップ21の間隔は、例えば50μm以上、好ましくは100μm以上、より好ましくは200μm以上である。隣り合うチップ21の間隔は、例えば10mm以下、好ましくは5mm以下、より好ましくは1mm以下である。 Further, the plurality of chips 21 are mounted on the mounting surface Sa of the substrate S at intervals in the surface direction. The distance between the adjacent chips 21 is, for example, 50 μm or more, preferably 100 μm or more, and more preferably 200 μm or more. The distance between the adjacent chips 21 is, for example, 10 mm or less, preferably 5 mm or less, and more preferably 1 mm or less.

本工程において、ワークWは、その基板Sが第1プレス板P1に接するように、第1プレス板P1上に載置される。封止用樹脂シートXは、その第1封止樹脂層11がワークWのチップ21に接するように、ワークWに対して積層される。 In this step, the work W is placed on the first press plate P1 so that the substrate S is in contact with the first press plate P1. The sealing resin sheet X is laminated with respect to the work W so that the first sealing resin layer 11 is in contact with the chip 21 of the work W.

次に、図2Cに示すように、封止用樹脂シートXおよびワークWを、第1プレス板P1と第2プレス板P2とによって厚さ方向にプレスする(プレス工程)。具体的には、基板S上のチップ21に封止用樹脂シートXの第1封止樹脂層11側が接する状態で、封止用樹脂シートXを加熱軟化しつつ基板Sに向けて押圧する。 Next, as shown in FIG. 2C, the sealing resin sheet X and the work W are pressed in the thickness direction by the first press plate P1 and the second press plate P2 (pressing step). Specifically, the sealing resin sheet X is pressed toward the substrate S while being heated and softened in a state where the first sealing resin layer 11 side of the sealing resin sheet X is in contact with the chip 21 on the substrate S.

プレス圧は、例えば0.01MPa以上、好ましくは0.05MPa以上である。プレス圧は、例えば10MPa以下、好ましくは5MPa以下である。プレス時間は、例えば0.3分以上、好ましくは0.5分以上である。プレス時間は、例えば10分以下、好ましくは5分以下である。また、プレス時における加熱温度は、例えば40℃以上、好ましくは60℃以上である。当該加熱温度は、例えば100℃以下、好ましくは95℃以下である。 The press pressure is, for example, 0.01 MPa or more, preferably 0.05 MPa or more. The press pressure is, for example, 10 MPa or less, preferably 5 MPa or less. The press time is, for example, 0.3 minutes or more, preferably 0.5 minutes or more. The press time is, for example, 10 minutes or less, preferably 5 minutes or less. The heating temperature during pressing is, for example, 40 ° C. or higher, preferably 60 ° C. or higher. The heating temperature is, for example, 100 ° C. or lower, preferably 95 ° C. or lower.

本工程において、封止用樹脂シートXは、Bステージを維持しながら、チップ21の外形に対応して変形し、各チップ21のチップ21の側面21bを被覆しつつ、平面視においてチップ21と重複しない基板Sの実装面Saに接触する。チップ21周りで基板Sに密着される第1封止樹脂層11により、空隙Gの開縁端は閉塞される。 In this step, the sealing resin sheet X is deformed corresponding to the outer shape of the chip 21 while maintaining the B stage, and covers the side surface 21b of the chip 21 of each chip 21 while being formed with the chip 21 in a plan view. It contacts the mounting surface Sa of the non-overlapping substrate S. The open edge of the gap G is closed by the first sealing resin layer 11 that is in close contact with the substrate S around the chip 21.

第1封止樹脂層11が層状ケイ酸塩化合物を含有する構成は、上述のように、第1封止樹脂層11を増粘させつつ、当該第1封止樹脂層11において、押圧力を受けるときには受けないときより低粘度化するチキソトロピック性を発現させるのに好適である。そのため、封止用樹脂シートXは、本工程において、第2封止樹脂層12とともに第1封止樹脂層11が、押圧力を受けて軟化流動して、チップ21の外形に追従した変形をするのに適する。 In the configuration in which the first sealing resin layer 11 contains the layered silicate compound, as described above, the pressing force is applied to the first sealing resin layer 11 while thickening the first sealing resin layer 11. It is suitable for developing thixotropic properties that make the viscosity lower when it is received than when it is not received. Therefore, in this step, the sealing resin sheet X is deformed by the first sealing resin layer 11 together with the second sealing resin layer 12 softening and flowing under the pressing force to follow the outer shape of the chip 21. Suitable for doing.

変形した封止用樹脂シートXは、基板Sとチップ21のチップ21との間の空隙Gにわずかに進入することが許容される。具体的には、封止用樹脂シートXは、チップ21の側面21bを基準として、空隙G内に入り込んだ進入長さL’(図3C参照)を有することが許容される。進入長さL’は、好ましくは50μm以下、より好ましくは30μm以下である。進入長さL’は、好ましくは−20μm以上、より好ましくは−10μm以上、さらに好ましくは−5μm以上である。 The deformed sealing resin sheet X is allowed to slightly enter the gap G between the substrate S and the chip 21 of the chip 21. Specifically, the sealing resin sheet X is allowed to have an entry length L'(see FIG. 3C) that has entered the gap G with reference to the side surface 21b of the chip 21. The approach length L'is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less. The entry length L'is preferably −20 μm or more, more preferably −10 μm or more, still more preferably −5 μm or more.

次に、封止用樹脂シートXによって封止がなされたワークWを平板プレス機から取り出した後、図2Dに示すように、封止用樹脂シートXを加熱して硬化させる(硬化工程)。 Next, the work W sealed by the sealing resin sheet X is taken out from the flat plate press, and then the sealing resin sheet X is heated and cured as shown in FIG. 2D (curing step).

加熱温度(キュア温度)は、例えば100℃以上、好ましくは120℃以上である。加熱温度(キュア温度)は、例えば200℃以下、好ましくは180℃以下である。加熱時間は、例えば10分以上、好ましくは30分以上である。加熱時間は、例えば180分以下、好ましくは120分以下である。 The heating temperature (cure temperature) is, for example, 100 ° C. or higher, preferably 120 ° C. or higher. The heating temperature (cure temperature) is, for example, 200 ° C. or lower, preferably 180 ° C. or lower. The heating time is, for example, 10 minutes or more, preferably 30 minutes or more. The heating time is, for example, 180 minutes or less, preferably 120 minutes or less.

硬化工程では、第1封止樹脂層11は、層状ケイ酸塩化合物を含有することから、昇温に起因する粘度低下が抑制され、空隙Gへの更なる進入が抑制される。これに対し、第2封止樹脂層12は、硬化前に一旦粘度低下して流動化し、第1封止樹脂層11とは反対側の露出面の平坦化が進む。 In the curing step, since the first sealing resin layer 11 contains the layered silicate compound, the decrease in viscosity due to the temperature rise is suppressed, and further entry into the void G is suppressed. On the other hand, the viscosity of the second sealing resin layer 12 is once lowered and fluidized before curing, and the exposed surface on the opposite side of the first sealing resin layer 11 is flattened.

硬化した封止用樹脂シートXにおける空隙G内の進入長さL(図3D参照)は、好ましくは50μm以下、より好ましくは30μm以下である。進入長さLは、好ましくは0μm以上である。 The entry length L (see FIG. 3D) in the void G in the cured sealing resin sheet X is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less. The approach length L is preferably 0 μm or more.

次に、電子部品チップごとに、封止樹脂(硬化した封止用樹脂シートX)の表面に対して、レーザー印字(レーザーマーキングによる印字)などの表面加工を実施する。 Next, surface treatment such as laser printing (printing by laser marking) is performed on the surface of the sealing resin (cured sealing resin sheet X) for each electronic component chip.

この後、ブレードダイシングにより、硬化された封止用樹脂シートXおよび基板Sが所定の切断予定ラインに沿って切断されて、電子部品チップ樹脂封止体への個片化がなされる。 After that, the cured encapsulation resin sheet X and the substrate S are cut along a predetermined cutting schedule line by blade dicing, and are individualized into an electronic component chip resin encapsulation body.

封止用樹脂シートXでは、上記反り回復評価試験において示す反り回復率Rが、上述のように、80%以上であり、好ましくは82%以上であり、また、好ましくは120%以下、より好ましくは110%以下である。このような構成は、封止用樹脂シートXが用いられる電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、ワーク表面の高低差を抑制するのに適する。ワーク表面の高低差の抑制は、当該ワークにおいて、封止樹脂表面に対する電子部品チップごとのレーザー印字などの表面加工を、ワーク全体にわたって精度よく実施するのに適する。 In the sealing resin sheet X, the warp recovery rate R shown in the warp recovery evaluation test is 80% or more, preferably 82% or more, and preferably 120% or less, more preferably 120% or less, as described above. Is 110% or less. Such a configuration is suitable for suppressing the height difference of the work surface in the manufacturing process of the electronic component chip resin encapsulation body in which the encapsulation resin sheet X is used. Suppressing the height difference on the surface of the work is suitable for accurately performing surface treatment such as laser printing for each electronic component chip on the surface of the encapsulating resin on the entire work.

封止用樹脂シートXでは、上記反り回復評価試験において示す第2反り長さD2が、上述のように、好ましくは2mm以下、より好ましくは1.8mm以下、さらに好ましくは1.5mm以下である。このような構成は、本封止用樹脂シートが用いられる電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、ワークW表面の高低差を抑制して、封止樹脂(硬化後の封止用樹脂シートX)表面を精度よく加工するのに適する。 In the sealing resin sheet X, the second warp length D2 shown in the warp recovery evaluation test is preferably 2 mm or less, more preferably 1.8 mm or less, still more preferably 1.5 mm or less, as described above. .. Such a configuration suppresses the height difference of the surface of the work W in the manufacturing process of the electronic component chip resin encapsulation body in which the present encapsulation resin sheet is used, and the encapsulation resin (encapsulating resin sheet after curing). X) Suitable for processing the surface with high accuracy.

図2Cを参照して上述したプレス工程において、封止用樹脂シートXの第2封止樹脂層12は、押圧力を受けて流動化し、第1封止樹脂層11とは反対側の露出面の平坦化が進む。また、当該プレス工程において、封止用樹脂シートXは、上述のように、第2封止樹脂層12とともに第1封止樹脂層11が、押圧力を受けて軟化流動して、電子部品チップの外形に追従した変形をするのに適する。このようなプレス工程では、封止用樹脂シートXの一部が、基板Sとチップ21のチップ21との間の空隙Gにわずかに進入することが許容される。そして、図2Dを参照して上述のした硬化工程では、上述のように、第1封止樹脂層11は、昇温に起因する粘度低下による流動化が抑制され、空隙Gへの過度の進入が抑制される。すなわち、封止用樹脂シートXは、電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、基板Sとチップ21との間の空隙G内への封止樹脂進入長さを制御するのに適する。 In the press process described above with reference to FIG. 2C, the second sealing resin layer 12 of the sealing resin sheet X is fluidized by receiving a pressing force, and the exposed surface on the opposite side of the first sealing resin layer 11 Flattening progresses. Further, in the pressing step, as described above, in the sealing resin sheet X, the first sealing resin layer 11 together with the second sealing resin layer 12 softens and flows under the pressing force, and the electronic component chip Suitable for deformation that follows the outer shape of. In such a pressing step, it is allowed that a part of the sealing resin sheet X slightly enters the gap G between the substrate S and the chip 21 of the chip 21. Then, in the curing step described above with reference to FIG. 2D, as described above, the first sealing resin layer 11 is suppressed from being fluidized due to the decrease in viscosity due to the temperature rise, and excessive entry into the void G. Is suppressed. That is, the sealing resin sheet X is suitable for controlling the length of the sealing resin entering into the gap G between the substrate S and the chip 21 in the process of manufacturing the electronic component chip resin encapsulation body.

封止用樹脂シートXでは、上述のように、第1封止樹脂層11が、150℃で1時間の加熱処理後に有する25℃での引張貯蔵弾性率(第1引張貯蔵弾性率)は、好ましくは3.5GPa以上、より好ましくは3.8GPa以上、さらに好ましくは4GPa以上である。このような構成は、封止用樹脂シートXが用いられる電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、ブレードダイシングによる個片化時に、電子部品チップが実装されている基材にクラックやチッピングなどの損傷が発生するのを抑制するのに適する。 In the sealing resin sheet X, as described above, the tensile storage elastic modulus (first tensile storage elastic modulus) at 25 ° C. that the first sealing resin layer 11 has after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is determined. It is preferably 3.5 GPa or more, more preferably 3.8 GPa or more, and further preferably 4 GPa or more. In such a configuration, in the manufacturing process of the electronic component chip resin encapsulation body in which the encapsulating resin sheet X is used, cracks, chipping, etc. are formed on the base material on which the electronic component chip is mounted at the time of individualization by blade dicing. Suitable for suppressing the occurrence of damage.

封止用樹脂シートXでは、上述のように、第2封止樹脂層12が、150℃で1時間の加熱処理後に有するガラス転移温度は、好ましくは100℃以下、より好ましくは95℃以下、さらに好ましくは90℃以下である。このような構成は、加熱硬化後の封止用樹脂シートXに反りが生じている場合において、当該封止用樹脂シートを100℃程度の加熱によって一旦軟化させて、当該シートの反りを低減するのに適する。 In the sealing resin sheet X, as described above, the glass transition temperature of the second sealing resin layer 12 after the heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is preferably 100 ° C. or lower, more preferably 95 ° C. or lower. More preferably, it is 90 ° C. or lower. With such a configuration, when the sealing resin sheet X after heat curing is warped, the sealing resin sheet is once softened by heating at about 100 ° C. to reduce the warp of the sheet. Suitable for.

封止用樹脂シートXでは、上述のように、第2封止樹脂層12が、150℃で1時間の加熱処理後に有する100℃での引張貯蔵弾性率(第2引張貯蔵弾性率)は、好ましくは0.5GPa以下、より好ましくは0.4GPa以下、さらに好ましくは0.38GPa以下である。このような構成は、加熱硬化後の封止用樹脂シートXに反りが生じている場合において、当該封止用樹脂シートを100℃程度の加熱によって一旦軟化させて、当該シートの反りを低減するのに適する。 In the sealing resin sheet X, as described above, the tensile storage elastic modulus (second tensile storage elastic modulus) at 100 ° C. that the second sealing resin layer 12 has after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is determined. It is preferably 0.5 GPa or less, more preferably 0.4 GPa or less, still more preferably 0.38 GPa or less. With such a configuration, when the sealing resin sheet X after heat curing is warped, the sealing resin sheet is once softened by heating at about 100 ° C. to reduce the warp of the sheet. Suitable for.

封止用樹脂シートXでは、上述のように、第1引張貯蔵弾性率に対する第2引張貯蔵弾性率の比率は、好ましくは0.12以下、より好ましくは0.1以下、さらに好ましくは0.08以下である。このような構成は、上述の反りの抑制と上述の損傷の抑制とを両立するのに適する。 In the sealing resin sheet X, as described above, the ratio of the second tensile storage elastic modulus to the first tensile storage elastic modulus is preferably 0.12 or less, more preferably 0.1 or less, still more preferably 0. It is 08 or less. Such a configuration is suitable for both the above-mentioned suppression of warpage and the above-mentioned suppression of damage.

封止用樹脂シートXでは、上述のように、第1封止樹脂層11の厚さに対する第2封止樹脂層12の厚さの比率は、好ましくは0.4以上、より好ましくは0.7以上、さらに好ましくは1以上である。このような構成は、封止用樹脂シートXが用いられる上述のようなプレス工程および硬化工程を含む電子部品チップ樹脂封止体の製造過程において、基板Sと電子部品チップ21との間の空隙G内への封止樹脂進入長さを制御するのに適する。 In the sealing resin sheet X, as described above, the ratio of the thickness of the second sealing resin layer 12 to the thickness of the first sealing resin layer 11 is preferably 0.4 or more, more preferably 0. 7 or more, more preferably 1 or more. Such a configuration is a gap between the substrate S and the electronic component chip 21 in the manufacturing process of the electronic component chip resin encapsulation body including the pressing step and the curing step as described above in which the sealing resin sheet X is used. Suitable for controlling the penetration length of the sealing resin into G.

封止用樹脂シートXにおいては、第1封止樹脂層11および第2封止樹脂層12が、好ましくはエポキシ樹脂を含有し、当該エポキシ樹脂の軟化点は、好ましくは50℃以上、より好ましくは60℃以上、さらに好ましくは72℃以上、特に好ましくは75℃以上であり、また、好ましくは130℃以下、より好ましくは110℃以下、さらに好ましくは90℃以下である。このような構成は、プレス工程における第1および第2封止樹脂層の流動性を確保するのに適し、従って、プレス工程の時間短縮、および、プレス工程における第2封止樹脂層の露出面(第2封止樹脂層において第1封止樹脂層とは反対側の面)の平坦化に、役立つ。 In the sealing resin sheet X, the first sealing resin layer 11 and the second sealing resin layer 12 preferably contain an epoxy resin, and the softening point of the epoxy resin is preferably 50 ° C. or higher, more preferably. Is 60 ° C. or higher, more preferably 72 ° C. or higher, particularly preferably 75 ° C. or higher, and preferably 130 ° C. or lower, more preferably 110 ° C. or lower, still more preferably 90 ° C. or lower. Such a configuration is suitable for ensuring the fluidity of the first and second sealing resin layers in the pressing process, thus shortening the time of the pressing process and the exposed surface of the second sealing resin layer in the pressing process. It is useful for flattening (the surface of the second sealing resin layer opposite to the first sealing resin layer).

封止用樹脂シートXでは、好ましくは、第1封止樹脂層11および第2封止樹脂層12が、エポキシ樹脂とともにフェノール樹脂を含有する。このような構成は、本封止用樹脂シートが、その硬化後において、高い耐熱性と高い耐薬品性を示すのに適し、従って、封止信頼性に優れた封止材をなすのに適する。 In the sealing resin sheet X, preferably, the first sealing resin layer 11 and the second sealing resin layer 12 contain a phenol resin together with the epoxy resin. Such a configuration is suitable for the present encapsulation resin sheet to exhibit high heat resistance and high chemical resistance after its curing, and therefore suitable for forming a encapsulant having excellent encapsulation reliability. ..

また、本発明において、封止用樹脂シートXは、第2封止樹脂層12を備えずに、第1封止樹脂層11の単層構造を有してもよい。 Further, in the present invention, the sealing resin sheet X may have a single-layer structure of the first sealing resin layer 11 without providing the second sealing resin layer 12.

以下に実施例を示して本発明をさらに具体的に説明するものの、本発明は、実施例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合量(含有量)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合量(含有量)、物性値、パラメータなど該当記載の上限(「以下」または「未満」として定義されている数値)または下限(「以上」または「超過」として定義されている数値)に代替することができる。 Although the present invention will be described in more detail with reference to Examples below, the present invention is not limited to the Examples. In addition, specific numerical values such as the compounding amount (content), physical property values, parameters, etc. used in the following description are the compounding amounts corresponding to those described in the above-mentioned "form for carrying out the invention" (forms for carrying out the invention). It can be replaced with the upper limit (value defined as "less than or equal to" or "less than") or lower limit (value defined as "greater than or equal to" or "excess") such as content), physical property value, parameter, etc. can.

〔作製例1〜5〕
第1封止樹脂層形成用の作製例1〜5の各第1樹脂膜を、次のようにして作製した。まず、表1に示す配合処方で各成分を混合し、組成物(ワニス)を調製した(表1において、組成を表す各数値の単位は、相対的な「質量部」である)。次に、表面がシリコーン離型処理されている厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)上に、組成物を塗布して塗膜を形成した。次に、この塗膜を、120℃で2分間、加熱乾燥し、PETフィルム上に厚さ50μmの第1樹脂膜を作製した(形成された第1樹脂膜はBステージの状態にある)。
[Production Examples 1 to 5]
Each of the first resin films of Production Examples 1 to 5 for forming the first sealing resin layer was prepared as follows. First, each component was mixed according to the formulation shown in Table 1 to prepare a composition (varnish) (in Table 1, the unit of each numerical value representing the composition is a relative "part by mass"). Next, the composition was applied onto a polyethylene terephthalate film (PET film) having a thickness of 50 μm whose surface was mold-released with silicone to form a coating film. Next, this coating film was heated and dried at 120 ° C. for 2 minutes to prepare a first resin film having a thickness of 50 μm on a PET film (the formed first resin film is in the B stage state).

〔作製例6〜9〕
第2封止樹脂層形成用の作製例6〜9の各第2樹脂膜を、次のようにして作製した。まず、表2に示す配合処方で各成分を混合し、組成物(ワニス)を調製した(表2において、組成を表す各数値の単位は、相対的な「質量部」である)。次に、表面がシリコーン離型処理されている厚さ50μmのPETフィルム上に、組成物を塗布して塗膜を形成した。次に、この塗膜を、120℃で2分間、加熱乾燥し、PETフィルム上に厚さ52.5μmの樹脂膜を形成した(形成された樹脂膜はBステージの状態にある)。そして、同一組成のワニスから以上のようにして形成された厚さ52.5μmの樹脂膜4枚を貼り合わせて、厚さ210μmの第2樹脂膜を作製した。
[Production Examples 6-9]
Each of the second resin films of Production Examples 6 to 9 for forming the second sealing resin layer was prepared as follows. First, each component was mixed according to the formulation shown in Table 2 to prepare a composition (varnish) (in Table 2, the unit of each numerical value representing the composition is a relative "part by mass"). Next, the composition was applied onto a PET film having a thickness of 50 μm whose surface was subjected to a silicone mold release treatment to form a coating film. Next, this coating film was heated and dried at 120 ° C. for 2 minutes to form a resin film having a thickness of 52.5 μm on the PET film (the formed resin film is in the B stage state). Then, four resin films having a thickness of 52.5 μm formed as described above from varnishes having the same composition were bonded together to prepare a second resin film having a thickness of 210 μm.

Figure 2021197496
Figure 2021197496

Figure 2021197496
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作製例1〜9で用いた各成分は、以下のとおりである。
エポキシ樹脂E1:新日鐵化学社製の「YSLV−80XY」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂,高分子量エポキシ樹脂,エポキシ当量200g/eq.,常温で固体,軟化点80℃)
エポキシ樹脂E2:DIC社製の「EPICLON EXA−4850−150」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂,分子量900,エポキシ当量450g/eq.,常温で液状)
フェノール樹脂F1:群栄化学社製の「LVR−8210DL」(ノボラック型フェノール樹脂,潜在性硬化剤,水酸基当量104g/eq.,常温で固体,軟化点60℃)
フェノール樹脂F2:明和化成社製の「MEHC−7851SS」(フェノールアラルキル樹脂,潜在性硬化剤,水酸基当量201〜220g/eq.,常温で固体,軟化点64〜85℃)
アクリル樹脂:根上工業社製の「HME−2006M」(カルボキシル基含有のアクリル樹脂,酸価32mgKOH/g,重量平均分子量129万、ガラス転移温度(Tg)−13.9℃,固形分濃度20質量%のメチルエチルケトン溶液)
シランカップリング剤:信越化学社製の「KBM−403」(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)
層状ケイ酸塩化合物:ホージュン社製の「エスベンNX」(表面がジメチルジステアリルアンモニウムで変性された有機化ベントナイト)
無機充填材f1:デンカ株式会社製の「FB−8SM」(球状シリカ粒子、平均粒子径7.0μm,表面処理なし)
無機充填材f2:アドマテックス社製の「SC220G−SMJ」(シリカ粒子,平均粒径0.5μm)を3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製の「KBM−503」)で表面処理したもの(表面処理に用いたシランカップリング剤は、シリカ粒子100質量部に対して1質量部)
硬化促進剤:四国化成工業社製の「2PHZ−PW」(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)
溶媒:メチルエチルケトン(MEK)
カーボンブラック:三菱化学社製の#20,平均粒子径50nm
The components used in Production Examples 1 to 9 are as follows.
Epoxy resin E1: "YSLV-80XY" manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin, high molecular weight epoxy resin, epoxy equivalent 200 g / eq., Solid at room temperature, softening point 80 ° C)
Epoxy resin E2: "EPICLON EXA-4850-150" manufactured by DIC (bisphenol A type epoxy resin, molecular weight 900, epoxy equivalent 450 g / eq., Liquid at room temperature)
Phenol resin F1: "LVR-8210DL" manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd. (Novolak type phenol resin, latent curing agent, hydroxyl equivalent 104 g / eq., Solid at room temperature, softening point 60 ° C)
Phenol resin F2: "MEHC-7851SS" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. (Phenol aralkyl resin, latent curing agent, hydroxyl group equivalent 201-220 g / eq., Solid at room temperature, softening point 64 to 85 ° C)
Acrylic resin: "HME-2006M" manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd. (Carboxyl group-containing acrylic resin, acid value 32 mgKOH / g, weight average molecular weight 1.29 million, glass transition temperature (Tg) -13.9 ° C, solid content concentration 20 mass % Methyl ethyl ketone solution)
Silane coupling agent: "KBM-403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Layered silicate compound: "Esben NX" manufactured by Hojun Co., Ltd. (organized bentonite whose surface is modified with dimethyl distearyl ammonium)
Inorganic filler f1: "FB-8SM" manufactured by Denka Co., Ltd. (spherical silica particles, average particle diameter 7.0 μm, no surface treatment)
Inorganic filler f2: Surface treatment of "SC220G-SMJ" (silica particles, average particle size 0.5 μm) manufactured by Admatex with 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane ("KBM-503" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). (Silane coupling agent used for surface treatment is 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of silica particles)
Curing accelerator: "2PHZ-PW" (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Chemicals Corporation
Solvent: Methyl ethyl ketone (MEK)
Carbon black: # 20, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, average particle size 50 nm

〔実施例1〜4,比較例1〜3〕
実施例1〜4および比較例1〜3の各封止用樹脂シートを作製した。具体的には、表3に示す組合せで第1樹脂膜(第1封止樹脂層)および第2樹脂膜(第2封止樹脂層)を貼り合わせることによって、厚さ260μmの封止用樹脂シートを作製した。
[Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3]
Resin sheets for sealing of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 were prepared. Specifically, by laminating the first resin film (first sealing resin layer) and the second resin film (second sealing resin layer) in the combination shown in Table 3, a sealing resin having a thickness of 260 μm is used. A sheet was prepared.

〈引張貯蔵弾性率の測定〉
実施例1〜4および比較例1〜3の各封止用樹脂シートの硬化後の第1封止樹脂層および硬化後の第2封止樹脂層について、動的粘弾性測定により、25℃での引張貯蔵弾性率および100℃での引張貯蔵弾性率を測定した。測定には、動的粘弾性測定装置(商品名「RSA−G2」,TAインスツルメンツ社製)を使用した。測定用の試料片(第1封止樹脂層の試料片,第2封止樹脂層の試料片)は、150℃で1時間の加熱処理によって硬化したものであり、幅10mm×長さ40mmのサイズを有する。また、測定においては、試料片保持用チャックの初期チャック間距離を20mmとし、測定モードを引張りモードとし、測定温度範囲を−10℃〜260℃とし、昇温速度を10℃/分とし、周波数を1Hzとし、動的ひずみを0.05%とした。硬化後の第1封止樹脂層について測定された25℃での引張貯蔵弾性率M1(第1引張貯蔵弾性率)および100℃での引張貯蔵弾性率M1’と、硬化後の第2封止樹脂層について測定された25℃での引張貯蔵弾性率M2および100℃での引張貯蔵弾性率M2’(第2引張貯蔵弾性率)を、表3に示す。表3には、引張貯蔵弾性率M1に対する引張貯蔵弾性率M2’の比率(M2’/M1)、および、引張貯蔵弾性率M2’に対する引張貯蔵弾性率M2の比率(M2/M2’)も示す。
<Measurement of tensile storage elastic modulus>
The first sealing resin layer after curing and the second sealing resin layer after curing of the sealing resin sheets of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 were measured at 25 ° C. by dynamic viscoelasticity measurement. The tensile storage elastic modulus and the tensile storage elastic modulus at 100 ° C. were measured. A dynamic viscoelasticity measuring device (trade name "RSA-G2", manufactured by TA Instruments) was used for the measurement. The sample piece for measurement (sample piece of the first sealing resin layer, sample piece of the second sealing resin layer) was cured by heat treatment at 150 ° C. for 1 hour, and had a width of 10 mm and a length of 40 mm. Has a size. In the measurement, the initial distance between the chucks for holding the sample piece is 20 mm, the measurement mode is the tension mode, the measurement temperature range is -10 ° C to 260 ° C, the temperature rise rate is 10 ° C / min, and the frequency. Was set to 1 Hz, and the dynamic strain was set to 0.05%. The tensile storage elastic modulus M1 (first tensile storage elastic modulus) at 25 ° C. and the tensile storage elastic modulus M1'at 100 ° C. measured for the first sealed resin layer after curing, and the second sealing after curing. Table 3 shows the tensile storage elastic modulus M2 at 25 ° C. and the tensile storage elastic modulus M2'(second tensile storage elastic modulus) at 100 ° C. measured for the resin layer. Table 3 also shows the ratio of the tensile storage elastic modulus M2'to the tensile storage elastic modulus M1 (M2'/ M1) and the ratio of the tensile storage elastic modulus M2 to the tensile storage elastic modulus M2'(M2 / M2'). ..

〈ガラス転移温度の測定〉
実施例1〜4および比較例1〜3の各封止用樹脂シートにおける硬化後の第1封止樹脂層および硬化後の第2封止樹脂層のガラス転移温度を、動的粘弾性測定を使用して測定される損失正接(tanδ)の極大値により、求めた。測定用の試料片(第1封止樹脂層の試料片,第2封止樹脂層の試料片)は、150℃で1時間の加熱処理によって硬化したものである。測定には、動的粘弾性測定装置(商品名「RSA−G2」,TAインスツルメンツ社製)を使用した(測定条件は、引張貯蔵弾性率の測定に関して上記した測定条件と同じである)。その結果を表3に示す。
<Measurement of glass transition temperature>
Dynamic viscoelasticity measurement was performed to measure the glass transition temperature of the first sealed resin layer after curing and the second sealed resin layer after curing in each of the encapsulating resin sheets of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3. It was determined by the maximum value of the loss tangent (tan δ) measured using. The sample piece for measurement (sample piece of the first sealing resin layer, sample piece of the second sealing resin layer) was cured by heat treatment at 150 ° C. for 1 hour. A dynamic viscoelasticity measuring device (trade name "RSA-G2", manufactured by TA Instruments) was used for the measurement (the measurement conditions are the same as the above-mentioned measurement conditions for the measurement of the tensile storage elastic modulus). The results are shown in Table 3.

〈進入長さの評価〉
実施例1〜4および比較例1〜3の各封止用樹脂シートについて、電子部品チップが空隙を介して基材に対向する状態で当該基材に実装されている電子部品チップを封止して硬化した状態での、基材と電子部品チップとの間の空隙への進入長さを測定した。
<Evaluation of approach length>
For each of the sealing resin sheets of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3, the electronic component chips mounted on the substrate are sealed with the electronic component chips facing the substrate through the voids. The length of entry into the gap between the base material and the electronic component chip in the cured state was measured.

まず、図3Aに示すように、各実施例および各比較例の封止用樹脂シートから、縦10mm×横10mm×厚さ150μmのサンプルシートX’を用意した。サンプルシートX’は、第1封止樹脂層11および第2封止樹脂層12を厚さ方向に順に備える。 First, as shown in FIG. 3A, a sample sheet X'with a length of 10 mm, a width of 10 mm, and a thickness of 150 μm was prepared from the sealing resin sheets of each Example and each Comparative Example. The sample sheet X'includes the first sealing resin layer 11 and the second sealing resin layer 12 in order in the thickness direction.

一方、ワークWとして、ダミーチップ実装基板を用意した(第1ステップ)。ダミーチップ実装基板は、ガラス製の基板Sと、3mm×3mm×厚さ200μmのサイズのダミーチップ21’とを備え、ダミーチップ21’が、基板Sに対して空隙Gを介して対向する状態で基板Sにバンプ22を介して接合されており、空隙Gにおける基板Sからダミーチップ21’までの長さが20μmである。 On the other hand, a dummy chip mounting board was prepared as the work W (first step). The dummy chip mounting substrate includes a glass substrate S and a dummy chip 21'with a size of 3 mm × 3 mm × thickness of 200 μm, and the dummy chip 21'is opposed to the substrate S via a gap G. It is bonded to the substrate S via the bump 22 and the length from the substrate S to the dummy chip 21'in the gap G is 20 μm.

次に、図3Bに示すように、平板プレス機が備える第1プレス板P1と第2プレス板P2との間に、上述のワークWおよびサンプルシートX’を配置した。 Next, as shown in FIG. 3B, the work W and the sample sheet X'described above were arranged between the first press plate P1 and the second press plate P2 provided in the flat plate press machine.

次に、図3Cに示すように、サンプルシートX’によって、基板S上のダミーチップ21’を、真空平板プレスにより、温度65℃、真空度1.6kPa以下、加圧力0.1MPa、および加圧時間40秒の封止条件で封止した(第2ステップ)。 Next, as shown in FIG. 3C, the dummy chip 21'on the substrate S is pressed by the sample sheet X'with a vacuum plate press at a temperature of 65 ° C., a vacuum degree of 1.6 kPa or less, a pressing force of 0.1 MPa, and a pressing force. Sealing was performed under a sealing condition with a pressure time of 40 seconds (second step).

次に、図3Dに示すように、サンプルシートX’を、大気圧下における150℃で1時間の加熱により、硬化させた(第3ステップ)。 Next, as shown in FIG. 3D, the sample sheet X'was cured by heating at 150 ° C. for 1 hour under atmospheric pressure (third step).

そして、図3Dの拡大図に示すように、ダミーチップ21’の側面21b’を基準として、側面21b’からダミーチップ21’と基板Sとの空隙GにサンプルシートX’由来の封止樹脂(第1封止樹脂層11の一部)が進入した長さを進入長さLとして測定した(第4ステップ)。その結果を表3に示す(進入長さLが負の値をとることは、ダミーチップ21’の側面21b’より外側に突出する空間(図3Dの太い破線参照)が形成されることを意味する。「マイナス」の絶対値が、その空間の突出長さに相当する)。 Then, as shown in the enlarged view of FIG. 3D, the sealing resin derived from the sample sheet X'is formed in the gap G between the dummy chip 21'and the substrate S from the side surface 21b'with reference to the side surface 21b' of the dummy chip 21'. The length into which the first encapsulating resin layer 11) entered was measured as the entry length L (fourth step). The results are shown in Table 3 (when the approach length L takes a negative value, it means that a space protruding outward from the side surface 21b'of the dummy chip 21'(see the thick broken line in FIG. 3D) is formed. The absolute value of "minus" corresponds to the protruding length of the space).

〈反りの評価〉
下記の第1処理と、第1測定と、第2処理と、第2測定とをこの順で実施した。
<Evaluation of warpage>
The following first treatment, first measurement, second treatment, and second measurement were carried out in this order.

まず、第1処理では、90mm×90mm×厚さ150μmのサイズの42アロイ板と、当該42アロイ板の厚さ方向一方面の全体に貼り合わされた封止用樹脂シートとを備える積層体サンプルを、150℃で1時間加熱し、その後、25℃で1時間静置した。 First, in the first treatment, a laminated body sample including a 42 alloy plate having a size of 90 mm × 90 mm × thickness 150 μm and a sealing resin sheet bonded to the entire one surface in the thickness direction of the 42 alloy plate is prepared. , The mixture was heated at 150 ° C. for 1 hour and then allowed to stand at 25 ° C. for 1 hour.

次に、第1測定では、積層体サンプルの42アロイ板を下側にして積層体サンプルが載置される載置面と、積層体サンプルの縁端との間の距離の最大値を、反り長さD1として測定した。 Next, in the first measurement, the maximum value of the distance between the mounting surface on which the laminated body sample is placed with the 42 alloy plate of the laminated body sample on the lower side and the edge of the laminated body sample is warped. Measured as length D1.

次に、第2処理では、積層体サンプルを、100℃の加熱板の表面上で1分静置した。 Next, in the second treatment, the laminated body sample was allowed to stand on the surface of a hot plate at 100 ° C. for 1 minute.

次に、反り測定では、加熱板の表面と積層体サンプルの縁端との間の距離の最大値を、反り長さD2として測定した。その結果を表3に示す。また、表3には、下記の式(1)で表される反り回復率R(%)も示す。 Next, in the warp measurement, the maximum value of the distance between the surface of the heating plate and the edge of the laminated body sample was measured as the warp length D2. The results are shown in Table 3. Table 3 also shows the warp recovery rate R (%) represented by the following formula (1).

式(1):R=〔(D1−D2)/D1〕×100 Equation (1): R = [(D1-D2) / D1] × 100

〈基板の損傷〉
実施例1〜4および比較例1〜3の各封止用樹脂シートについて、次のようにして、基板に対する損傷抑制効果を調べた。
<Damage to the board>
For each of the sealing resin sheets of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3, the damage suppressing effect on the substrate was investigated as follows.

まず、100mm×100mm×厚さ200μmのサイズのアルミナ基板に対し、同サイズの封止用樹脂シート(厚さ260μm)を貼り合わせて、サンプルワークを作製した。具体的には、アルミナ基板の厚さ方向一方面の全体に、封止用樹脂シートを、真空平板プレスにより、温度65℃、真空度1.6kPa以下、加圧力0.1MPa、および加圧時間40秒の条件で貼り合わせた。 First, a sealing resin sheet (thickness 260 μm) of the same size was bonded to an alumina substrate having a size of 100 mm × 100 mm × thickness of 200 μm to prepare a sample work. Specifically, a resin sheet for encapsulation is applied to the entire one surface of the alumina substrate in the thickness direction by a vacuum plate press at a temperature of 65 ° C., a vacuum degree of 1.6 kPa or less, a pressing force of 0.1 MPa, and a pressurizing time. They were pasted together under the condition of 40 seconds.

次に、サンプルワークを大気圧下にて150℃で1時間加熱し、サンプルワークにおける封止用樹脂シートを硬化させた。 Next, the sample work was heated at 150 ° C. for 1 hour under atmospheric pressure to cure the sealing resin sheet in the sample work.

次に、ダイシング装置(商品名「DFD651」,ディスコ社製)およびダイシングブレード(商品名「GIA850」,ディスコ社製)を使用したブレードダイシングにより、サンプルワークを1mm×1mmのサイズに個片化し、複数のサンプル個片を得た。このダイシングでは、ダイシングブレードの回転数を30000rpmとした。 Next, by blade dicing using a dicing device (trade name "DFD651", manufactured by Disco Corporation) and a dicing blade (trade name "GIA850", manufactured by Disco Corporation), the sample work is individually separated into a size of 1 mm x 1 mm. Multiple sample pieces were obtained. In this dicing, the rotation speed of the dicing blade was set to 30,000 rpm.

次に、サンプル個片における基板の側面を光学顕微鏡によって観察し、基板におけるクラックやチッピングなどの損傷の有無を調べた(観察したサンプル個片の数は30である)。観察した30個のサンプル個片のうち、基板に損傷が生じていたサンプル個片の数を表3に示す。 Next, the side surface of the substrate in the sample piece was observed with an optical microscope, and the presence or absence of damage such as cracks and chipping in the substrate was examined (the number of sample pieces observed was 30). Table 3 shows the number of sample pieces whose substrate was damaged among the 30 sample pieces observed.

Figure 2021197496
Figure 2021197496

X 封止用樹脂シート
11 第1封止樹脂層
12 第2封止樹脂層
W ワーク
S 基板
Sa 実装面
21 チップ
21a 主面
21b 側面
22 バンプ電極
P1 第1プレス平板
P2 第2プレス平板
X Sealing resin sheet 11 1st sealing resin layer 12 2nd sealing resin layer W Work S Substrate Sa Mounting surface 21 Chip 21a Main surface 21b Side surface 22 Bump electrode P1 1st press flat plate P2 2nd press flat plate

Claims (8)

熱硬化性樹脂を含有する封止用樹脂シートであって、
下記の第1処理と、第1測定と、第2処理と、第2測定とをこの順で実施する反り回復評価試験において、下記の式(1)で示される反り回復率Rが、80%以上であることを特徴とする、封止用樹脂シート。
第1処理:90mm×90mm×厚さ150μmのサイズの42アロイ板と、当該42アロイ板の厚さ方向一方面の全体に貼り合わされた前記封止用樹脂シートとを備える積層体サンプルを、150℃で1時間加熱した後、25℃で1時間静置する。
第1測定:前記積層体サンプルの前記42アロイ板を下側にして前記積層体サンプルが載置される載置面と、前記積層体サンプルの縁端との間の距離の最大値を、第1反り長さD1として測定する。
第2処理:前記積層体サンプルを、100℃の加熱板の表面上で1分静置する。
第2測定:前記加熱板の表面と前記積層体サンプルの縁端との間の距離の最大値を、第2反り長さD2として測定する。
式(1):R=〔(D1−D2)/D1〕×100
A sealing resin sheet containing a thermosetting resin.
In the warp recovery evaluation test in which the following first treatment, first measurement, second treatment, and second measurement are carried out in this order, the warp recovery rate R represented by the following formula (1) is 80%. A resin sheet for sealing, characterized by the above.
First treatment: A laminate sample comprising a 42-alloy plate having a size of 90 mm × 90 mm × 150 μm and the sealing resin sheet bonded to the entire one surface of the 42 alloy plate in the thickness direction is prepared as 150. After heating at ° C. for 1 hour, let stand at 25 ° C. for 1 hour.
First measurement: The maximum value of the distance between the mounting surface on which the laminated body sample is placed and the edge of the laminated body sample with the 42 alloy plate of the laminated body sample facing down is set. 1 Measure as the warp length D1.
Second treatment: The laminated body sample is allowed to stand on the surface of a hot plate at 100 ° C. for 1 minute.
Second measurement: The maximum value of the distance between the surface of the heating plate and the edge of the laminated body sample is measured as the second warp length D2.
Equation (1): R = [(D1-D2) / D1] × 100
前記第2反り長さD2が2mm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の封止用樹脂シート。 The sealing resin sheet according to claim 1, wherein the second warp length D2 is 2 mm or less. 前記封止用樹脂シートは、第1封止樹脂層と第2封止樹脂層とを厚さ方向に順に備え、
前記第1封止樹脂層は、第1の熱硬化性樹脂と、層状ケイ酸塩化合物とを含有し、
前記第2封止樹脂層は、第2の熱硬化性樹脂を含有することを特徴とする、請求項1または2に記載の封止用樹脂シート。
The sealing resin sheet includes a first sealing resin layer and a second sealing resin layer in order in the thickness direction.
The first sealing resin layer contains a first thermosetting resin and a layered silicate compound, and contains the first thermosetting resin.
The sealing resin sheet according to claim 1 or 2, wherein the second sealing resin layer contains a second thermosetting resin.
下記の第1ステップ〜第4ステップが実施される進入長さ評価試験において示す下記の進入長さLが、0μm以上50μm以下であることを特徴とする、請求項3に記載の封止用樹脂シート。
第1ステップ:ガラス基板と、3mm×3mm×厚さ200μmのサイズのダミーチップとを備え、前記ダミーチップが、前記ガラス基板に対して空隙を介して対向する状態で当該ガラス基板にバンプを介して接合されており、前記空隙における前記ガラス基板から前記ダミーチップまでの長さが20μmである、ダミーチップ実装基板を用意する。
第2ステップ:前記ガラス基板上の前記ダミーチップに前記封止用樹脂シートの前記第1封止樹脂層側が接する状態で、真空平板プレスにより、前記封止用樹脂シートを、温度65℃、真空度1.6kPa以下、加圧力0.1MPa、および加圧時間40秒の条件で前記ガラス基板に向けて押圧し、前記ダミーチップ周りで前記ガラス基板に密着する前記第1封止樹脂層によって前記空隙の開縁端を閉塞する。
第3ステップ:前記第2ステップの後に、大気圧下における150℃で1時間の加熱により、前記封止用樹脂シートを硬化させる。
第4ステップ:前記第3ステップの後に、前記封止用樹脂シートにおける前記空隙内への進入長さLを測定する。
The sealing resin according to claim 3, wherein the following entry length L shown in the entry length evaluation test in which the following first step to the fourth step is carried out is 0 μm or more and 50 μm or less. Sheet.
First step: A glass substrate and a dummy chip having a size of 3 mm × 3 mm × thickness of 200 μm are provided, and the dummy chip is opposed to the glass substrate through a gap through a bump on the glass substrate. A dummy chip mounting substrate having a length from the glass substrate to the dummy chip in the gap of 20 μm is prepared.
Second step: With the dummy chip on the glass substrate in contact with the first sealing resin layer side of the sealing resin sheet, the sealing resin sheet is evacuated at a temperature of 65 ° C. by a vacuum plate press. The first sealing resin layer, which is pressed toward the glass substrate under the conditions of a degree of 1.6 kPa or less, a pressing force of 0.1 MPa, and a pressurizing time of 40 seconds, is in close contact with the glass substrate around the dummy chip. Close the open edge of the void.
Third step: After the second step, the sealing resin sheet is cured by heating at 150 ° C. for 1 hour under atmospheric pressure.
Fourth step: After the third step, the entry length L of the sealing resin sheet into the void is measured.
前記第1封止樹脂層が、150℃で1時間の加熱処理後に、25℃において3.5GPa以上の第1引張貯蔵弾性率を有することを特徴とする、請求項3または4に記載の封止用樹脂シート。 The seal according to claim 3 or 4, wherein the first sealing resin layer has a first tensile storage elastic modulus of 3.5 GPa or more at 25 ° C. after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour. Resin sheet for stopping. 前記第2封止樹脂層が、150℃で1時間の加熱処理後に、100℃以下のガラス転移温度を有することを特徴とする、請求項3から5のいずれか一つに記載の封止用樹脂シート。 The sealing according to any one of claims 3 to 5, wherein the second sealing resin layer has a glass transition temperature of 100 ° C. or lower after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour. Resin sheet. 前記第2封止樹脂層が、150℃で1時間の加熱処理後に、100℃において0.5GPa以下の第2引張貯蔵弾性率を有することを特徴とする、請求項3から6のいずれか一つに記載の封止用樹脂シート。 Any one of claims 3 to 6, wherein the second sealing resin layer has a second tensile storage elastic modulus of 0.5 GPa or less at 100 ° C. after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour. The sealing resin sheet described in 1. 150℃で1時間の加熱処理後の前記第1封止樹脂層の、25℃における第1引張貯蔵弾性率に対する、150℃で1時間の加熱処理後の前記第2封止樹脂層の、100℃における第2引張貯蔵弾性率の比率が、0.12以下であることを特徴とする、請求項3から7のいずれか一つに記載の封止用樹脂シート。
100 of the second encapsulation resin layer after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour with respect to the first tensile storage elastic modulus of the first encapsulation resin layer after heat treatment at 150 ° C. for 1 hour. The sealing resin sheet according to any one of claims 3 to 7, wherein the ratio of the second tensile storage elastic modulus at ° C. is 0.12 or less.
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