JP2021192074A - ハードマスク形成用組成物及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エッチング耐性、クラック耐性及び低アウトガス性に優れたハードマスク形成用組成物及びこのハードマスク形成用組成物を用いた電子部品の製造方法の提供。【解決手段】一般式（ｕ１−１）で表される構成単位、又は、一般式（ｕ１−２）で表される構成単位と、芳香環及び極性基を有する構成単位とを有する樹脂と、一般式（ｃ−１）で表される化合物とを含有する、ハードマスク形成用組成物。式中、Ｒ１１及びＲ１２は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。式中、Ｙは有機基であり、Ｒ０１は、炭化水素基であり、Ｒ０２は、アルキル基であり、ｎ１は、０〜３の整数であり、ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ３は、１〜３の整数であり、ｎ４は、３以上の整数であり、−ＣＨ２ＯＲ０２の数は６以上である。[化１]【選択図】なし

Description

本発明は、ハードマスク形成用組成物及び電子部品の製造方法に関する。

一般に、半導体製造に際しては、シリコンウェーハ等の基板上にレジスト膜を形成した積層体に、ドライエッチングを含む処理、たとえばレジスト膜に選択的露光を施すことにより該レジスト膜にレジストパターンを形成し、これをマスクとしてドライエッチングを行い、基板上にパターンを形成する等の処理が行われている。

レジスト膜を用いたパターン形成方法としては、３層レジスト法が知られている（例えば、特許文献１参照）。３層レジスト法は、まず、支持体上に、有機材料を用いて有機ハードマスク層を形成し、その上に無機材料を用いて無機ハードマスク層を形成した後、さらにその上にレジスト膜を形成する。次いで、通常のリソグラフィ技術によりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして無機ハードマスク層をエッチングすることにより無機ハードマスクパターンを形成し、次いで無機ハードマスク層パターンをマスクとして、有機ハードマスク層をエッチングすることにより、有機ハードマスクパターンを形成する。そして、該有機ハードマスクパターンをマスクとして支持体のエッチングを行い、支持体を加工する。
また、３層レジスト法よりも工程数が少ない２層レジスト法も提案されている（例えば、特許文献２、３参照）。２層レジスト法では、支持体上に、３層レジスト法と同様にして有機ハードマスク層を設けた後、その上にレジスト膜を設ける。次いで、通常のリソグラフィ技術によりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、有機ハードマスク層をエッチングすることにより、有機ハードマスクパターンを形成する。そして、該有機ハードマスクパターンをマスクとして支持体のエッチングを行い、支持体を加工する。

有機ハードマスク層を形成する方法としては、従来、化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法ということがある）が知られている。ＣＶＤ法では、ハードマスク形成材料としてアモルファスカーボンが用いられるが、スループットが遅い、高額な設備投資が必要である等の問題がある。
そのため、近年、スピンオンコーティング（ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｃｏａｔｉｎｇ）法による成膜が導入されており、該方法に適用可能な有機ハードマスク形成材料が提案されている（例えば、特許文献４参照）。スピンオンコーティング法は、ＣＶＤ法と比較して、スループットが高く、かつ既存のスピンコーターを使用可能であるというメリットがある。
有機ハードマスク形成材料としては、例えば、高いエッチング耐性を得るために多環芳香族基を有する特定の樹脂を含有する組成物が用いられる。

特開２００１−５１４２２号公報 特開昭６１−２３９２４３号公報 特開昭６２−２５７４４号公報 特開２０１５−９１７７５号公報

高いエッチング耐性を有する従来のハードマスク形成材料を用いて形成されたハードマスク層は、硬いが脆く、クラック耐性が低い傾向にあり、エッチング耐性とクラック耐性との両立は困難である。また、従来のハードマスク形成材料は、支持体上に、ハードマスク層を形成する際にアウトガスが発生するという課題もある。

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、エッチング耐性、クラック耐性及び低アウトガス性に優れたハードマスク形成用組成物及び前記ハードマスク形成用組成物を用いた電子部品の製造方法を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、リソグラフィで用いられるハードマスクを形成するハードマスク形成用組成物であって、下記一般式（ｕ１−１）で表される構成単位（ｕ１１）、又は、下記一般式（ｕ１−２）で表される構成単位（ｕ１２）と、芳香環及び極性基を有する構成単位（ｕ２）とを有する樹脂（Ｐ１）、及び下記一般式（ｃ−１）で表される化合物（Ｃ１）を含有する、ハードマスク形成用組成物である。

［式（ｕ１−１）中、Ｒ^１１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
式（ｕ１−２）中、Ｒ^１２は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。］

［式中、Ｙは有機基である。Ｒ^０１は、炭素原子数１〜４０の炭化水素基である。Ｒ^０２は、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基を有してもよい炭素原子数１〜１０のアルキル基である。ｎ１は、０〜３の整数であり、ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ３は、１〜３の整数であり、２≦ｎ１＋ｎ２＋ｎ３≦５である。ｎ４は、３以上の整数であり、複数のＲ^０１、Ｒ^０２、ｎ１、ｎ２、及び、ｎ３はそれぞれ同一でも、異なっていてもよい。但し、式中の−ＣＨ_２ＯＲ^０２の数は化合物（Ｃ１）全体として６以上である。］

本発明の第２の態様は、支持体上に、前記第１の態様にかかるハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、及び前記ハードマスク層（ｍ１）をマスクとして前記支持体を加工する工程を有する、電子部品の製造方法である。

本発明の第３の態様は、支持体上に、前記第１の態様にかかるハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターンを形成する工程、前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程を有する、電子部品の製造方法である。

本発明の第４の態様は、支持体上に、前記第１の態様にかかるハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなる無機パターンを形成する工程、前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程を有する、電子部品の製造方法である。

本発明によれば、エッチング耐性、クラック耐性及び低アウトガス性に優れたハードマスク形成用組成物及び前記ハードマスク形成用組成物を用いた電子部品の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法に用いる支持体の一例を示す断面図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法におけるハードマスク層（ｍ１）を形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法におけるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法におけるレジスト膜を形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法におけるレジストパターンを形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法における無機パターンを形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法における樹脂パターンを形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法における支持体を加工する工程の一例を説明する図である。

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「置換基を有していてもよい」又は「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子（−Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（−ＣＨ_２−）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るものがあるが、その場合は一つの式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。

（ハードマスク形成用組成物）
本発明の第１の態様に係るハードマスク形成用組成物は、リソグラフィで用いられるハードマスクを形成するための組成物である。本実施形態のハードマスク形成用組成物は、下記一般式（ｕ１−１）で表される構成単位（ｕ１１）、又は、下記一般式（ｕ１−２）で表される構成単位（ｕ１２）と、芳香環及び極性基を有する構成単位（ｕ２）とを有する樹脂（Ｐ１）と、下記一般式（ｃ−１）で表される化合物（Ｃ１）とを含有する。

＜樹脂（Ｐ１）＞
樹脂（Ｐ１）は、下記一般式（ｕ１−１）で表される構成単位（ｕ１１）、又は、下記一般式（ｕ１−２）で表される構成単位（ｕ１２）と、芳香環及び極性基を有する構成単位（ｕ２）とを有する。

・構成単位（ｕ１１）
構成単位（ｕ１１）は、下記一般式（ｕ１−１）で表される構成単位である。

［式（ｕ１−１）中、Ｒ^１１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。］

式（ｕ１−１）中、Ｒ^１１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。該置換基としては、カルボニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。
Ｒ^１１における芳香族炭化水素基は、炭素原子数６〜３０が好ましく、炭素原子数６〜２５がより好ましい。Ｒ^１１における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５〜２０であることが好ましく、５〜１８がより好ましく、６〜１６がさらに好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピロリジン環、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。

Ｒ^１１における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。

式（ｕ１−１）におけるＲ^１１の具体例を下記に示す。＊は結合手を示す。

式（ｕ１−１）におけるＲ^１１は、上記の中でも、ナフチル基、ピレニル基及びビフェニル基が好ましい。

本実施形態における構成単位（ｕ１１）として、具体的には、下記に示す構成単位が好ましい。

本実施形態における構成単位（ｕ１１）としては、上記の中でも、上記式（ｕ１−１−１）〜（ｕ１−１−３）のいずれかで表される構成単位が好ましく、上記式（ｕ１−１−１）又は（ｕ１−１−２）で表される構成単位がより好ましい。
樹脂（Ｐ１）が有する構成単位（ｕ１１）は、１種でもよく２種以上でもよい。

・構成単位（ｕ１２）
構成単位（ｕ１２）は、下記一般式（ｕ１−２）で表される構成単位である。

［式（ｕ１−２）中、Ｒ^１２は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。］

式（ｕ１−２）中、Ｒ^１２は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、上述した式（ｕ１−１）中のＲ^１１と同様のものが挙げられる。

構成単位（ｕ１２）の具体例を以下に示す。

樹脂（Ｐ１）が有する構成単位（ｕ１２）は、１種でもよく２種以上でもよい。

樹脂（Ｐ１）は、構成単位（ｕ１１）及び構成単位（ｕ１２）のうち、構成単位（ｕ１１）を有することが好ましい。

・構成単位（ｕ２）
構成単位（ｕ２）は、芳香環及び極性基を有する構成単位である。

構成単位（ｕ２）が有する芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５〜３０であることが好ましく、炭素原子数５〜２０がより好ましく、炭素原子数６〜１６がさらに好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。なお、芳香族複素環（例えば、ピリジン環、チオフェン環）は、芳香環及び極性基を有するものである。
構成単位（ｕ２）が有する芳香環は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。

構成単位（ｕ２）が有する極性基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、アルコキシ基、エポキシ基等の１価の極性基；−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝ＮＨ）−（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、一般式−Ｙ^２１−Ｏ−Ｙ^２２−、−Ｙ^２１−Ｏ−、−Ｙ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｙ^２１−、−［Ｙ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ”−Ｙ^２２−、−Ｙ^２１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ^２２−または−Ｙ^２１−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−Ｙ^２２−で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０〜３の整数である。］等の２価の極性基などが挙げられる。また、構成単位（ｕ２）が有する極性基は、該２価の極性基と炭化水素基とで環状構造を形成しているものでもよい。
構成単位（ｕ２）が有する極性基は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。

構成単位（ｕ２１）として、具体的には、フェノール化合物から誘導される構成単位が挙げられる。該フェノール化合物は、アルデヒドと縮合して、ノボラック樹脂又はレゾール樹脂を形成できるものが好ましい。そのようなフェノール化合物としては、例えば、フェノール；ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール類；２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール等のアルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノール、２−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類；フェニルフェノール等のアリールフェノール類；４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン等のポリヒドロキシフェノール類等が挙げられる。

構成単位（ｕ２）としては、下記一般式（ｕ２−１）で表される構成単位（ｕ２１）、下記一般式（ｕ２−２）で表される構成単位（ｕ２２）、又は、下記一般式（ｕ２−３）で表される構成単位（ｕ２３）が好ましい。

［式（ｕ２−１）中、Ｒ^２１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。式（ｕ２−２）中、Ｒｎ^１及びＲｎ^２は、それぞれ独立に水素原子又は炭化水素基である。式（ｕ２−３）中、Ｒｎ^３〜Ｒｎ^５は、それぞれ独立に水素原子又は炭化水素基である。Ｒｎ^４及びＲｎ^５は、相互に結合して、式中の窒素原子と共に縮合環を形成してもよい。］

式（ｕ２−１）中、Ｒ^２１における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。該芳香環は、構成単位（ｕ２）が有する芳香環で説明した内容と同様である。該置換基としては、カルボニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基として、炭素原子数１〜５のものが好ましく、炭素原子数１〜３がより好ましい。

式（ｕ２−１）中、Ｒ^２１における芳香族炭化水素基は、エッチング耐性をより高める観点から、置換基を有しないものが好ましい。

構成単位（ｕ２１）の具体例を以下に示す。

［式（ｕ２−１−１）、（ｕ２−１−２）、及び（ｕ２−１−４）中、ｎは０〜３の整数である。］

構成単位（ｕ２１）は上記の中でも、上記式（ｕ２１−２）〜（ｕ２１−４）のいずれかで表される構成単位が好ましく、上記式（ｕ２１−２）又は（ｕ２１−３）で表される構成単位がより好ましい。
樹脂（Ｐ１）が有する構成単位（ｕ２１）は、１種でもよく２種以上でもよい。

・構成単位（ｕ２２）
構成単位（ｕ２２）は、下記一般式（ｕ２−２）で表される構成単位である。

［式（ｕ２−２）中、Ｒｎ^１及びＲｎ^２は、それぞれ独立に水素原子又は炭化水素基である。］

Ｒｎ^１及びＲｎ^２における炭化水素基は、鎖状炭化水素基もしくは環状炭化水素基、又は、鎖状と環状とを組み合わせた炭化水素基が挙げられる。
鎖状炭化水素基としては、直鎖状のアルキル基、分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
該直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基が好ましく、メチル基が好ましい。
該分岐鎖状のアルキル基としては、１−メチルエチル基、１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基等が挙げられる。

環状炭化水素基は、脂環式炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよい。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよい。
単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等が挙げられる。

式（ｕ２−２）中、Ｒｎ^１は、上記の中でも、水素原子又は炭素原子数１〜５の直鎖状のアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。

式（ｕ２−２）中、Ｒｎ^２は、上記の中でも、水素原子又は芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
樹脂（Ｐ１）が有する構成単位（ｕ２２）は、１種でもよく２種以上でもよい。

構成単位（ｕ２２）の好ましい具体例を以下に示す。

・構成単位（ｕ２３）
構成単位（ｕ２３）は、下記一般式（ｕ２−３）で表される構成単位である。

［式（ｕ２−３）中、Ｒｎ^３〜Ｒｎ^５は、それぞれ独立に水素原子又は炭化水素基である。Ｒｎ^４及びＲｎ^５は、相互に結合して、式中の窒素原子と共に縮合環を形成してもよい。］

式（ｕ２−３）中、Ｒｎ^３〜Ｒｎ^５は、それぞれ独立に水素原子又は炭化水素基である。該炭化水素基としては、上式（ｕ２−３）中のＲｎ^１及びＲｎ^２と同様のものが挙げられる。

式（ｕ２−３）中、Ｒｎ^４及びＲｎ^５は、相互に結合して、式中の窒素原子と共に縮合環を形成してもよい。該縮合環としては、カルバゾール環であることが好ましい。

式（ｕ２−３）中、Ｒｎ^３は、上記の中でも、水素原子又は芳香族炭化水素基であることが好ましく、水素原子又はナフチル基であることがより好ましい。
式（ｕ２−３）中、Ｒｎ^４及びＲｎ^５は、上記の中でも、いずれも水素原子であるか、又は式中の窒素原子と共にカルバゾール環を形成していることが好ましく、式中の窒素原子と共にカルバゾール環を形成していることがより好ましい。
樹脂（Ｐ１）が有する構成単位（ｕ２３）は、１種でもよく２種以上でもよい。

構成単位（ｕ２３）の好ましい具体例を以下に示す。

樹脂（Ｐ１）としては、構成単位（ｕ１１）と、構成単位（ｕ２１）、構成単位（ｕ２２）及び構成単位（ｕ２３）からなる群から選択される一種以上の構成単位とを有する樹脂；構成単位（ｕ１２）と、構成単位（ｕ２１）、構成単位（ｕ２２）及び構成単位（ｕ２３）からなる群から選択される一種以上の構成単位とを有する樹脂が挙げられる。

上記の中でも、樹脂（Ｐ１）としては、構成単位（ｕ１１）と、構成単位（ｕ２１）、構成単位（ｕ２２）及び構成単位（ｕ２３）からなる群から選択される一種以上の構成単位とを有する樹脂、すなわち、構成単位（ｕ１１）を誘導するモノマーと、構成単位（ｕ２１）、構成単位（ｕ２２）及び構成単位（ｕ２３）からなる群から選択される一種以上の構成単位を誘導するモノマーとの共重合体が好ましい。

樹脂（Ｐ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜５０００００が好ましく、１０００〜２００００がより好ましく、１０００〜１００００がさらに好ましい。樹脂（Ｐ１）のＭｗが、前記好ましい範囲内であると、エッチング耐性及び耐熱性が良好である。
樹脂（Ｐ１）の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜４．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

樹脂（Ｐ１）の具体例を以下に示す。

本実施形態のハードマスク形成用組成物は、上述した樹脂（Ｐ１）以外の樹脂を含んでいてもよいが、ハードマスク形成用組成物中の樹脂（Ｐ１）の割合は、ハードマスク形成用組成物に含まれる全ての樹脂の総質量に対し、７０〜１００質量％が好ましく、８０〜１００質量％がより好ましく、９０〜１００質量％がさらに好ましく、９５〜１００質量％が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。該割合が前記好ましい範囲の下限値以上であると、ハードマスク形成用組成物のエッチング耐性、クラック耐性及び低アウトガス性がより向上する。

樹脂（Ｐ１）は、例えば、構成単位（ｕ１１）又は構成単位（ｕ１２）を誘導するモノマーと、構成単位（ｕ２）を誘導するモノマーと、任意に、その他の構成単位を誘導するモノマーと、を酸触媒又は塩基触媒の存在下で縮合させることにより製造することができる。酸触媒としては、特に限定されないが、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸等が例示される。

＜化合物（Ｃ１）＞
化合物（Ｃ１）は、下記一般式（ｃ−１）で表される化合物である。

［式中、Ｙは有機基である。Ｒ^０１は、炭素原子数１〜４０の炭化水素基である。Ｒ^０２は、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基を有してもよい炭素原子数１〜１０のアルキル基である。ｎ１は、０〜３の整数であり、ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ３は、１〜３の整数であり、２≦ｎ１＋ｎ２＋ｎ３≦５である。ｎ４は、３以上の整数であり、複数のＲ^０１、Ｒ^０２、ｎ１、ｎ２、及び、ｎ３はそれぞれ同一でも、異なっていてもよい。但し、式中の−ＣＨ_２ＯＲ^０２の数は化合物（Ｃ１）全体として６以上である。］

式中、Ｙは有機基であり、より具体的には、ｎ４価（３価以上）の置換基を有してもよい炭化水素基である。該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよい。

脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、炭素原子数１〜４０が好ましく、炭素原子数１〜３０がより好ましく、炭素原子数１〜２５がさらに好ましく、炭素原子数１〜２０が特に好ましい。
脂肪族炭化水素基は、脂肪族飽和炭化水素基であっても、脂肪族不飽和炭化水素基であってもよい。
脂肪族炭化水素基は、鎖状の脂肪族炭化水素基であっても、環状の脂肪族炭化水素基であってもよい。

芳香族炭化水素基の炭素原子数は、炭素原子数６〜３０が好ましく、炭素原子数６〜２５がより好ましく、炭素原子数６〜２０がさらに好ましい。
芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の芳香族炭化水素環が挙げられる。
芳香族炭化水素基が有する芳香環は、前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環でもよい。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピロリジン環、ピリジン環、チオフェン環、トリアジン環等が挙げられる。

該炭化水素基は、該炭化水素基が有する水素原子が１価の置換基で置換されていてもよく、該炭化水素基が有するメチレン基が２価の置換基で置換されていてもよい。
該１価の置換基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基等が挙げられる。
該２価の置換基としては、例えば、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝ＮＨ）−（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、一般式−Ｙ^２１−Ｏ−Ｙ^２２−、−Ｙ^２１−Ｏ−、−Ｙ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｙ^２１−、−［Ｙ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ”−Ｙ^２２−、−Ｙ^２１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ^２２−または−Ｙ^２１−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−Ｙ^２２−で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０〜３の整数である。］等が挙げられる。

式中、Ｙは、上記の中でも、炭素原子数１〜４０の脂肪族炭化水素基又は炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基が好ましく、炭素原子数１〜４０の脂肪族不飽和炭化水素基又は炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基がより好ましく、エッチング耐性をより向上させる観点から、炭素原子数１〜２０の脂肪族不飽和炭化水素基又は炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基がさらに好ましい。

Ｙにおける有機基の好適な具体例を以下に示す。＊は、上記（ｃ−１）中のフェニル基との結合手を示す。

式中、Ｙは、上記の中でも、上記式（ｏｒｇ−２）、（ｏｒｇ−６）〜（ｏｒｇ−９）、及び（ｏｒｇ−１３）のいずれかで表される有機基が好ましく、上記式（ｏｒｇ−６）〜（ｏｒｇ−９）、及び（ｏｒｇ−１３）のいずれかで表される有機基がより好ましく、上記式（ｏｒｇ−９）で表される有機基がさらに好ましい。

式中、Ｒ^０１は、炭素原子数１〜４０の炭化水素基である。該炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよく、また、多環式基でも単環式基でもよい。

式中、Ｒ^０２は、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基を有してもよい炭素原子数１〜１０のアルキル基である。

該アルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基が挙げられる。該アルコキシ基としては、該アルキル基と酸素原子（−Ｏ−）とが連結した基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基が挙げられる。

式中、Ｒ^０２は、上記の中でも、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。

式中、ｎ１は、０〜３の整数であり、ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ３は、１〜３の整数であり、２≦ｎ１＋ｎ２＋ｎ３≦５である。
式中、ｎ１は、０〜３の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
式中、ｎ２は、１〜４の整数であり、１又は２が好ましく、２がより好ましい。
式中、ｎ３は、１〜３の整数であり、１又は２が好ましく、１がより好ましい。

式中、ｎ４は、３以上の整数であり、複数のＲ^０１、Ｒ^０２、ｎ１、ｎ２、及び、ｎ３はそれぞれ同一でも、異なっていてもよい。ここで、「複数のＲ^０１及びＲ^０２は、それぞれ同一でも、異なっていてもよい」とは、式中の１つのフェニル基が複数のＲ^０１又はＲ^０２を有する場合、それらは同一でも、異なっていてもよいということ、及び、式中の複数のフェニル基がそれぞれ異なるＲ^０１又はＲ^０２を有してもよいということを意味する。また、「ｎ１、ｎ２、及び、ｎ３はそれぞれ同一でも、異なっていてもよい」とは、式中の複数のフェニル基がそれぞれ異なる数の置換基を有してもよいということを意味する。
但し、式中の−ＣＨ_２ＯＲ^０２の数は、化合物（Ｃ１）全体として６以上である。

式中、ｎ４は、３以上の整数であり、３〜１０が好ましく、３〜６がより好ましく、３又は４がさらに好ましく、３が特に好ましい。
式中、ｎ４が３である場合、化合物（Ｃ１）は、式中のＹと結合する３つのフェニル基を有することとなる。この３つのフェニル基は、それぞれ異なる数のヒドロキシ基、Ｒ^０１及び−ＣＨ_２ＯＲ^０２を有してもよく、それぞれ異なる種類のＲ^０１及び−ＣＨ_２ＯＲ^０２を有してもよい。また、１つのフェニル基が有するＲ^０１及び−ＣＨ_２ＯＲ^０２はそれぞれ異なっていてもよい。

化合物（Ｃ１）の好適な具体例を以下に示す。

（Ｃ１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態のハードマスク形成用組成物における（Ｃ１）成分の含有量は、樹脂（Ｐ１）１００質量部に対して、１〜４０質量部であることが好ましく、５〜３５質量部がより好ましく、１０〜３０質量部がさらに好ましい。
（Ｃ１）成分の含有量が、前記の好ましい下限値以上であれば、樹脂（Ｐ１）と（Ｃ１）成分との架橋反応がより円滑に進行し、クラック耐性及び低アウトガス性がより向上する。
（Ｃ１）成分の含有量が、前記の好ましい上限値以下であれば、（Ｃ１）成分由来のアウトガス発生をより抑制することができる。

＜任意成分＞
本実施形態のハードマスク形成用組成物は、上述した樹脂（Ｐ１）及び化合物（Ｃ１）に加えて、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、フェノール化合物、熱酸発生剤、界面活性剤、架橋剤、架橋促進触媒、光酸発生剤、吸光剤、レオロジー調整剤、接着補助剤、溶剤等が挙げられる。

・フェノール化合物
本実施形態のハードマスク形成用組成物においては、フェノール化合物を含有することが好ましい。
本実施形態のハードマスク形成用組成物は、フェノール化合物を含有することにより、上述した樹脂（Ｐ１）と後述する架橋剤との架橋反応をより促進させることができ、低アウトガス性をより向上させることができる。
本実施形態におけるフェノール化合物は、芳香環にヒドロキシ基が結合した化合物である。該芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の芳香族炭化水素環が挙げられる。

本実施形態におけるフェノール化合物として、具体的には、フェノール；レゾルシノール、ヒドロキノン、カテコール等の２価のフェノール；ピロガロール等の３価のフェノール；４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン等の２つのヒドロキシフェニル基を有する化合物；ナフトール；１，１−メチレンジ−２−ナフトール等の２つのヒドロキシナフチル基を有する化合物；ピレロール；下記化学式（ｐｈ−１）で表される化合物のような２つのヒドロキシピレニル基を有する化合物等が挙げられる。

本実施形態におけるフェノール化合物としては、上記の中でも、２つのヒドロキシフェニル基を有する化合物、２つのヒドロキシナフチル基を有する化合物、又は２つのヒドロキシピレニル基を有する化合物が好ましい。

本実施形態におけるフェノール化合物の具体例を下記に示す。

本実施形態におけるフェノール化合物としては、上記の中でも、上記式（ｐｈ−１）、（ｐｈ−２）、（ｐｈ−９）〜（ｐｈ−１１）のいずれかで表される化合物が好ましく、上記式（ｐｈ−１）又は（ｐｈ−２）で表される化合物がより好ましい。

フェノール化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態のハードマスク形成用組成物におけるフェノール化合物の含有量は、樹脂（Ｐ１）１００質量部に対して、１〜９０質量部であることが好ましく、１０〜８０質量部がより好ましく、２０〜７０質量部がさらに好ましい。
フェノール化合物の含有量が、前記の好ましい下限値以上であれば、樹脂（Ｐ１）と（Ｃ１）成分との架橋反応がより円滑に進行し、クラック耐性及び低アウトガス性がより向上する。
フェノール化合物の含有量が、前記の好ましい上限値以下であれば、フェノール化合物由来のアウトガス発生をより抑制することができる。

・熱酸発生剤
本実施形態のハードマスク形成用組成物においては、熱酸発生剤（以下「（Ｔ）成分」ともいう。）を含有することが好ましい。
かかる（Ｔ）成分としては、例えば、パーフルオロアルキルスルホン酸塩（トリフルオロメタンスルホン酸塩、パーフルオロブタンスルホン酸塩等）六フッ化リン酸塩、三フッ化ホウ素塩、三フッ化ホウ素エーテル錯化合物等が挙げられる。
好ましい（Ｔ）成分としては、下記一般式（Ｔ−１）で表されるカチオン部とアニオン部とからなる化合物（Ｔ１）（以下「（Ｔ１）成分」ともいう。）、下記一般式（Ｔ−２）で表されるカチオン部とアニオン部とからなる化合物（Ｔ２）（以下「（Ｔ２）成分」ともいう。）が挙げられる。

［式（Ｔ−１）中、Ｒ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基及びアリール基からなる群より選択される基であり、Ｒ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４のうちの少なくとも１つは、アリール基である。前記のアルキル基又はアリール基は、置換基を有していてもよい。Ｘ_Ｔ１ ⁻は、対アニオンである。
式（Ｔ−２）中、Ｒ^ｈ０５〜Ｒ^ｈ０７は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜２０のアルキル基及びアリール基からなる群より選択される基であり、Ｒ^ｈ０５〜Ｒ^ｈ０７のうちの少なくとも１つは、アリール基である。前記のアルキル基又はアリール基は、置換基を有していてもよい。Ｘ_Ｔ２ ⁻は、対アニオンである。］

・・・（Ｔ１）成分及び（Ｔ２）成分のアニオン部について
式（Ｔ−１）中のＸ_Ｔ１ ⁻及び式（Ｔ−２）中のＸ_Ｔ２ ⁻としては、６フッ化リン酸アニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン（トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオン等）、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸アニオン等が挙げられる。
これらの中でも、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオンが好ましく、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン又はパーフルオロブタンスルホン酸アニオンがより好ましく、トリフルオロメタンスルホン酸アニオンがさらに好ましい。

・・・（Ｔ１）成分のカチオン部について
前記式（Ｔ−１）中、Ｒ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４におけるアルキル基は、炭素原子数が１〜２０であり、炭素原子数１〜１０が好ましく、炭素原子数１〜５がより好ましく、炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましい。

Ｒ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４におけるアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、環式基等が挙げられる。

アルキル基の置換基としてのアルコキシ基は、炭素原子数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基がさらに好ましい。
アルキル基の置換基としてのハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
アルキル基の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、炭素原子数１〜５のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
アルキル基の置換基としてのカルボニル基は、アルキル基を構成するメチレン基（−ＣＨ_２−）を置換する基（＞Ｃ＝Ｏ）である。
アルキル基の置換基としての環式基は、芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基（多環式であってもよく、単環式であってもよい）が挙げられる。ここでの芳香族炭化水素基は、後述のＲ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４におけるアリール基と同様のものが挙げられる。ここでの脂環式炭化水素基において、単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３〜６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７〜３０のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。

前記式（Ｔ−１）中、Ｒ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４におけるアリール基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５〜３０であることが好ましく、５〜２０がより好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１２が特に好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ｒ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４におけるアリール基として具体的には、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基；２つ以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。これらの中でも、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基がより好ましく、前記芳香族炭化水素環から水素原子を１つ除いた基、前記芳香族炭化水素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基がさらに好ましい。

Ｒ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４におけるアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、環式基、アルキルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

アリール基の置換基としてのアルキル基は、炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが好ましい。
アリール基の置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、環式基についての説明は、上述したアルキル基の置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、環式基についての説明と同様である。
アリール基の置換基としてのアルキルカルボニルオキシ基において、アルキル部分の炭素原子数は１〜５が好ましく、アルキル部分はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられ、これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

但し、前記式（Ｔ１）中、Ｒ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４のうちの少なくとも１つは、置換基を有していてもよいアリール基である。
以下に、（Ｔ１）成分のカチオン部として好ましいカチオンを示す。

・・・（Ｔ２）成分のカチオン部について
前記式（Ｔ−２）中、Ｒ^ｈ０５〜Ｒ^ｈ０７におけるアルキル基、アリール基についての説明は、それぞれ、上述したＲ^ｈ０１〜Ｒ^ｈ０４におけるアルキル基、アリール基についての説明と同様である。

但し、前記式（Ｔ−２）中、Ｒ^ｈ０５〜Ｒ^ｈ０７のうちの少なくとも１つは、置換基を有していてもよいアリール基である。
以下に、（Ｔ２）成分のカチオン部として好ましいカチオンを示す。

本実施形態のハードマスク形成用組成物が含有する（Ｔ）成分は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態のハードマスク形成用組成物は、上記の中でも、（Ｔ１）成分を含有することが好ましい。なお、（Ｔ１）成分としては、例えば、商品名がＴＡＧ−２６８９（ＫＩＮＧ ＩＮＤＵＳＴＲＹ社製）等の市販品を用いてもよい。

本実施形態のハードマスク形成用組成物が（Ｔ）成分を含有する場合、（Ｔ）成分の含有量は、樹脂（Ｐ１）１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましく、０．５〜５質量部がさらに好ましい。
（Ｔ）成分の含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、架橋反応の反応性がより高められ、低アウトガス性がより向上する。

・界面活性剤
本実施形態のハードマスク形成用組成物においては、さらに、界面活性剤を含有することが好ましい。
界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類；ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類；ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類；及びポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類；等のノニオン系界面活性剤、並びにエフトップ〔登録商標〕ＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２［三菱マテリアル電子化成（株）（旧（株）トーケムプロダクツ）製、商品名］、メガファック〔登録商標〕Ｆ１７１、同Ｆ１７３、同Ｒ−３０、同Ｒ−４０［ＤＩＣ（株）（旧大日本インキ（株））製、商品名］、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製、商品名）、アサヒガード〔登録商標〕ＡＧ７１０、サーフロン〔登録商標〕Ｓ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子（株）製、商品名）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等が挙げられる。

本実施形態のハードマスク形成用組成物が含有する界面活性剤は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態のハードマスク形成用組成物は、上記の中でも、フッ素系界面活性剤を含有することが好ましい。

本実施形態のハードマスク形成用組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、樹脂（Ｐ１）１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましく、０．０５〜５質量部がより好ましく、０．０８〜１質量部がさらに好ましい。
界面活性剤の含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、ハードマスク形成用組成物を塗布する際の膜表面を均一化し、ストリエーション(波模様・縞模様のような塗布欠陥)をより防止することができる。

・架橋剤
本実施形態のハードマスク形成用組成物は、上述した化合物（Ｃ１）以外の架橋剤を含んでいてもよい。該架橋剤としては、メチロール基もしくはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、及びメラミン系架橋剤等が挙げられる。具体例としては、例えば、（株）三和ケミカルのニカラック〔登録商標〕シリーズ（ニカラックＭＸ２７０など）が挙げられる。架橋剤成分の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して１〜５０質量部であることが好ましく、１〜４０質量部であることがより好ましい。
架橋剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

・架橋促進触媒
架橋促進触媒としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、及びナフタレンカルボン酸等の酸性化合物が挙げられる。
架橋促進触媒は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

・光酸発生剤
光酸発生剤としては、例えば、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩系光酸発生剤類；フェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等のハロゲン含有化合物系光酸発生剤類；及びベンゾイントシレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等のスルホン酸系光酸発生剤類；等が挙げられる。光酸発生剤の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して、０．２〜１０質量部であることが好ましく、０．４〜５質量部であることが好ましい。
光酸発生剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

・吸光剤
吸光剤としては、例えば、「工業用色素の技術と市場」（ＣＭＣ出版）や「染料便覧」（有機合成化学協会編）に記載の市販の吸光剤、例えば、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ １，３，４，５，７，８，１３，２３，３１，４９，５０，５１，５４，６０，６４，６６，６８，７９，８２，８８，９０，９３，１０２，１１４及び１２４；Ｃ．Ｉ．Ｄ ｉｓｐｅｒｓｅ Ｏｒａｎｇｅ１，５，１３，２５，２９，３０，３１，４４，５７，７２及び７３；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ １，５，７，１３，１７，１９，４３，５０，５４，５８，６５，７２，７３，８８，１１７，１３７，１４３，１９９及び２１０；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｖｉｏｌｅｔ ４３；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ９６；Ｃ．Ｉ．Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｂｒｉｇｈｔｅｎｉｎｇ Ａｇｅｎｔ １１２，１３５及び１６３；Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ２及び４５；Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｒｅｄ １，３，８，２３，２４，２５，２７及び４９；Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ １０；Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｒｏｗｎ２等が挙げられる。吸光剤の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して１０質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。
吸光剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

・レオロジー調整剤
レオロジー調整剤としては、例えば、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体；ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体；ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体；メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体；及びノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体；等が挙げられる。レオロジー調整剤の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して、３０質量部未満が好ましい。
レオロジー調整剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

・接着補助剤
接着補助剤としては、例えばｍトリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類；トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類；ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類；ビニルトリクロロシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類；ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環式化合物；１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア等の尿素；及びチオ尿素化合物；等が挙げられる。接着補助剤の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して、５質量部未満であることが好ましく、２質量部未満であることがより好ましい。
接着補助剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

・溶剤
溶剤は、樹脂（Ｐ１）、化合物（Ｃ１）及び前記任意成分を溶解するために用いられる。
溶剤としては、例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等が挙げられる。
これらの中でも、レベリング性をより向上させる観点から、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、乳酸エチル、乳酸ブチル、γ−ブチロラクトン、及びシクロヘキサノン並びにこれらの混合溶剤等が好ましい。

溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤としてもよい。混合溶剤としては、例えば、ＰＧＭＥ及びγ−ブチロラクトンの混合溶剤が例示される。
溶剤の使用量は、特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。例えば、ハードマスク形成用組成物中の樹脂成分濃度が１〜５０質量％、好ましくは１５〜３５質量％の範囲内となるように、溶剤を配合することができる。

本実施形態のハードマスク形成用組成物は、樹脂（Ｐ１）と、化合物（Ｃ１）とを含有する。
樹脂（Ｐ１）は、比較的剛直性の高い構成単位（ｕ１１）又は構成単位（ｕ１２）と、芳香環及び極性基を有する構成単位（ｕ２）とを有するため、耐エッチング性が優れる。
化合物（Ｃ１）は、樹脂との反応性が高い特定の構造を有するため、樹脂と化合物（Ｃ１）との架橋反応を円滑に進行させることができる。そのため本実施形態のハードマスク形成用組成物を用いて形成されたハードマスク層は、架橋反応が十分に進行し、分子の絡み合いが増え、耐クラック性が優れる。
加えて、樹脂（Ｐ１）と化合物（Ｃ１）とを併用することにより、架橋反応がより円滑に進行し、架橋反応が不十分であるために、アウトガスが発生してしまうことを抑制できるため、低アウトガス性が優れる。
以上より、実施形態のハードマスク形成用組成物は、高いエッチング耐性を維持したまま、高いクラック耐性及び低アウトガス性を実現させることができる。

（電子部品の製造方法）
本発明の第２〜４の態様に係る電子部品の製造方法について、図１〜図８を参照しながら具体例を説明する。

≪第１実施形態≫
本実施形態の電子部品の製造方法は、支持体上に、上述した第１の態様にかかるハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程（以下「工程（ｉ−ｉ）」という。）、及び前記ハードマスク層（ｍ１）をマスクとして前記支持体を加工する工程（ｉ−ａ）（以下「工程（ｉ−ａ）」という。）を有する。

図１は、基板１１及び加工層１２からなる支持体１０を示す。
まず、支持体１０上に、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する（図２；工程（ｉ−ｉ））。

［工程（ｉ−ｉ）］
工程（ｉ−ｉ）は、支持体１０上に、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程である。

基板１１としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等が挙げられる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
加工層１２としては、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ｐ−Ｓｉ、α−Ｓｉ、Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等種々のＬｏｗ−ｋ膜及びそのストッパー膜等が挙げられる。加工層１２の厚さは、通常、５０〜１０，０００ｎｍとすることができる。また、深掘加工を行なう場合、加工層１２の厚さは、１０００〜１００００ｎｍとすることができる。
なお、支持体１０は加工層１２を有していなくてもよいが、加工層１２を成膜する場合は、基板１１と加工層１２とは、通常、異なる材質のものが用いられる。

ハードマスク層（ｍ１）の形成には、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いる。具体的には、支持体１０上に、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を、スピンコート法等で塗布する。次いで、ベークして硬化させることにより、ハードマスク層（ｍ１）を形成する。ベークは、通常、１００℃〜５００℃、好ましくは２００℃〜４５０℃、より好ましくは２５０℃〜４００℃の範囲で行う。ベーク温度を前記範囲の上限値以下とすることにより、樹脂の酸化反応によるエッチング耐性の低下を抑制することができる。また、ベーク温度を前記範囲の下限値以上とすることにより、後述の工程での高温による変質を抑制することができる。ベーク時間は、通常、１０〜６００秒、好ましくは３０〜３００秒、より好ましくは５０〜２００秒とすることができる。

ハードマスク層（ｍ１）の膜厚は、特に限定されず、加工層１２の厚さに応じて適宜設定可能である。ハードマスク層（ｍ１）の膜厚は、例えば、３０〜２０，０００ｎｍとすることができる。また、深掘加工を行なう場合、ハードマスク層（ｍ１）の膜厚は、１，０００ｎｍ以上とすることが好ましい。この場合、ハードマスク層（ｍ１）の膜厚としては、１，０００〜２０，０００ｎｍが好ましく、１，０００〜１５，０００ｎｍがより好ましい。

［工程（ｉ−ａ）］
工程（ｉ−ａ）は、ハードマスク層（ｍ１）をマスクとして支持体１０を加工する工程である。支持体１０の加工は、例えば、ハードマスク層（ｍ１）をマスクとしてエッチング処理を施すことにより行うことができる。エッチング処理の方法は、特に限定されず、一般的なドライエッチング方法等を用いることができる。

≪第２実施形態≫
本実施形態の電子部品の製造方法は、
支持体上に、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程（以下「工程（ｉｉ−ｉ）」という。）、
前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程（以下、「工程（ｉｉ−ｉｉ）」という。）、
前記ハードマスク層（ｍ２）上に、レジスト膜を形成する工程（以下、「工程（ｉｉ−ｉｉｉ）」）、
前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターンを形成する工程（以下、「工程（ｉｉ−ｉｖ）」という。）、
前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターンを形成する工程（以下、「工程（ｉｉ−ｖ）」という）、
前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程（以下、「工程（ｉｉ−ｖｉ）」という）、及び
前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程（以下、「工程（ｉｉ−ｖｉｉ）」という。）
を有する。

図１は、基板１１及び加工層１２からなる支持体１０を示す。
まず、支持体１０上に、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する（図２；工程（ｉｉ−ｉ））。
次に、ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する（図３；工程（ｉｉ−ｉｉ））。また、必要に応じて、ハードマスク層（ｍ２）上に反射防止膜（ＢＡＲＣ）２０を成膜する。
次に、ハードマスク層（ｍ２）上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜３０を形成する（図４；工程（ｉｉ−ｉｉｉ））。
次に、レジスト膜を露光し、現像することにより、ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターン３０ｐを形成する（図５；工程（ｉｉ−ｉｖ））。
次に、レジストパターン３０ｐをマスクとしてハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターン（ｍ２ｐ）を形成する（図６；工程（ｉｉ−ｖ））。
次に、無機パターン（ｍ２ｐ）をマスクとしてハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターン（ｍ１ｐ）を形成する（図７；工程（ｉｉ−ｖｉ））。
次に、樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして支持体１０を加工し、パターン１２ｐを形成する（図８；工程（ｉｉ−ｖｉｉ））。
このようにして、基板１１にパターン１２ｐを備えた電子部品１００を製造することができる。

［工程（ｉｉ−ｉ）］
工程（ｉｉ−ｉ）は、上述した工程（ｉ−ｉ）と同様である。

［工程（ｉｉ−ｉｉ）］
工程（ｉｉ−ｉｉ）は、ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程である。

ハードマスク層（ｍ２）を形成するための無機材料は、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。無機材料としては、例えば、ケイ素酸化膜（ＳｉＯ_２膜）、ケイ素窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４膜）、及びケイ素酸化窒化膜（ＳｉＯＮ膜）等が挙げられる。中でも、反射防止膜としての効果が高いＳｉＯＮ膜が好ましい。ハードマスク層（ｍ２）の形成には、ＣＶＤ法やＡＬＤ法等を用いることができる。
ハードマスク層（ｍ２）の膜厚としては、５〜２００ｎｍ程度が例示され、１０〜１００ｎｍ程度が好ましい。

ハードマスク層（ｍ２）の形成にＣＶＤ法やＡＬＤ法を用いる場合、温度が高温（４００℃程度）となるため、ハードマスク層（ｍ１）には高温耐性が求められる。上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物は、耐熱性に優れ、４００℃程度の高温に曝露されてもシュリンク等が生じにくい。そのため、ＣＶＤ法やＡＬＤ法で成膜される無機ハードマスク層と組み合わせて、好適に用いることができる。

ハードマスク層（ｍ２）を形成後、必要に応じて、ハードマスク層（ｍ２）上に、反射防止膜（ＢＡＲＣ）２０を形成してもよい。ＢＡＲＣ２０は、有機ＢＡＲＣであってもよく、無機ＢＡＲＣであってもよい。ＢＡＲＣは、従来公知の方法を用いて形成することができる。

［工程（ｉｉ−ｉｉｉ）］
工程（ｉｉ−ｉｉｉ）は、ハードマスク層（ｍ２）上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜３０を形成する工程である。

レジスト組成物は、特に限定されず、一般に、露光工程を用いた方法に好適なレジスト材料として提案されているものを使用することができる。レジスト組成物は、ポジ型であってもよく、ネガ型であってもよい。レジスト組成物としては、例えば、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有するもの等が例示される。

レジスト膜３０の形成は、特に限定されず、レジスト膜３０の形成に一般的に用いられる方法を用いればよい。例えば、ハードマスク層（ｍ２）上に（ＢＡＲＣ２０を形成した場合はハードマスク層（ｍ２）上のＢＡＲＣ２０上に）、レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））処理を、例えば８０〜１５０℃の温度条件にて４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施してレジスト膜３０を形成することができる。
レジスト膜３０の膜厚は、特に限定されないが、一般的に、３０〜５００ｎｍ程度が例示される。

［工程（ｉｉ−ｉｖ）］
工程（ｉｉ−ｉｖ）は、レジスト膜３０を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターン３０ｐを形成する工程である。

レジスト膜３０の露光は、ＡｒＦ露光装置、ＫｒＦ露光装置、電子線描画装置、ＥＵＶ露光装置等の露光装置を用いて行なうことができる。露光に用いる波長は、特に限定されず、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、並びにＸ線及び軟Ｘ線等の放射線等を用いて行うことができる。レジスト膜３０の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光（ドライ露光）であってもよく、液浸露光（Ｌｉｑｕｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）であってもよい。

例えば、レジスト膜３０に対して、所定のパターンが形成されたフォトマスク（マスクパターン）を介した露光、又はフォトマスクを介さない電子線の直接照射による描画等により選択的露光を行う。その後、ベーク（ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ））処理を、たとえば８０〜１５０℃の温度条件にて４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施す。

次に、前記レジスト膜３０を現像処理する。現像処理に用いる現像液は、レジスト組成物の種類、現像方法に応じて、一般的に使用される現像液から適宜選択することができる。例えば、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液（有機系現像液）を用いて行う。
アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液が挙げられる。
溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、ニトリル系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。

現像処理は、公知の現像方法により実施することが可能であり、たとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法（パドル法）、支持体表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法（ダイナミックディスペンス法）等が挙げられる。

現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を、超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。
現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。

このようにして、ハードマスク層（ｍ２）上に、レジストパターン３０ｐを形成することができる。

［工程（ｉｉ−ｖ）］
工程（ｉｉ−ｖ）は、前記レジストパターン３０ｐをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターン（ｍ２ｐ）を形成する工程である。

ハードマスク層（ｍ２）のエッチング処理の方法は、特に限定されず、一般的なドライエッチング法等を用いることができる。エッチングの方法としては、例えば、ダウンフローエッチングやケミカルドライエッチング等の化学的エッチング；スパッタエッチングやイオンビームエッチング等の物理的エッチング；ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）等の化学的・物理的エッチングが例示される。
例えば、平行平板型ＲＩＥでは、ＲＩＥ装置のチャンバーに多層積層体を入れ、必要なエッチングガスを導入する。チャンバー内の、上部電極と平行に置かれた多層積層体のホルダーに高周波電圧を加えると、エッチングガスがプラズマ化される。プラズマ中では正・負のイオンや電子などの電荷粒子、中性活性種などのエッチング種が存在している。これらのエッチング種が下部レジスト層に吸着すると、化学反応が生じ、反応生成物が表面から離脱して外部へ排気され、エッチングが進行する。

ハードマスク層（ｍ２）をエッチングするために用いられるエッチングガスとしては、例えば、ハロゲン系のガスが挙げられる。ハロゲン系のガスとしては、水素原子の一部または全部がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換された炭化水素ガスが例示される。より具体的には、テトラフルオロメタン（ＣＦ_４）ガス、トリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）ガス等のフッ化炭素系ガス；テトラクロロメタン（ＣＣｌ_４）ガス等の塩化炭素系ガス等が挙げられる。

［工程（ｉｉ−ｖｉ）］
工程（ｉｉ−ｖｉ）は、前記無機パターン（ｍ２ｐ）をマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターン（ｍ１ｐ）を形成する工程である。

エッチング処理の方法は、特に限定されず、上記工程（ｉｉ−ｖｉ）と同様に、一般的なドライエッチング方法等を用いることができる。ハードマスク層（ｍ１）をエッチングするために用いられるエッチングガスとしては、例えば、酸素ガス、二酸化硫黄ガス、ハロゲン系ガス等が挙げられる。例えば、エッチングガスとして酸素ガスを用いた酸素プラズマエッチング等が好ましく例示される。

［工程（ｉｉ−ｖｉｉ）］
工程（ｉｉ−ｖｉｉ）は、前記樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして前記支持体１０を加工する工程である。

支持体１０の加工は、例えば、樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして加工層１２にエッチング処理を施すことにより行うことができる。エッチング処理の方法は、特に限定されず、上記工程（ｉｉ−ｖｉ）と同様に、一般的なドライエッチング方法等を用いることができる。加工層１２をエッチングするために用いられるエッチングガスとしては、例えば、ハロゲン系ガスが挙げられる。

本実施形態の電子部品の製造方法においては、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いて、ハードマスク層（ｍ１）を形成するため、ハードマスク層（ｍ１）の厚膜化（１μｍ以上）が可能である。そのため、ハードマスク層（ｍ１）から形成される樹脂パターンを、深掘加工のマスクとして好適に用いることができる。

なお、上記では、３層レジスト法により電子部品を製造する方法を説明したが、２層レジスト法により電子部品を製造してもよい。その場合、ハードマスク層（ｍ１）上には、ハードマスク層（ｍ２）ではなく、レジスト膜３０を形成する。
そして、前記工程（ｉｖ）と同様に、レジスト膜３０を露光し、現像することにより、ハードマスク層（ｍ１）上にレジストパターン３０ｐを形成する。
次に、前記工程（ｖｉ）と同様に、レジストパターン３０ｐをマスクとしてハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターン（ｍ１ｐ）を形成する。
その後は、前記工程（ｖｉｉ）と同様に、樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして支持体１０を加工し、パターン１２ｐを形成する。
このようにして、２層レジスト法によっても電子部品を製造することができる。

したがって、本発明は、
支持体上に、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、
前記ハードマスク層（ｍ１）上にレジスト膜を形成する工程、
前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ１）上にレジストパターンを形成する工程、
前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び
前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程
を有する、電子部品の製造方法、もまた提供する。

≪第３実施形態≫
本実施形態の電子部品の製造方法は、
支持体上に、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程（以下、「工程（ｉｉｉ−ｉ）」という。）、
前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなる無機パターンを形成する工程、（以下、「工程（ｉｉｉ−ｖ）」という。）
前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程（以下、「工程（ｉｉｉ−ｖｉ）」という。）、及び
前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程（以下、「工程（ｉｉｉ−ｖｉｉ）」という。）
を有する。

第４の態様に係る電子部品の製造方法は、レジスト膜の形成を行わず、無機材料からなる無機パターンを直接ハードマスク層（ｍ１）上に形成することを除いて、前記第３の態様に係る電子部品の製造方法と同様である。
以下、本実施形態の電子部品の製造方法について、図１、図２及び図６〜８を参照しながら具体例を説明する。ただし、本実施形態に係る製造方法は、これに限定されるものではない。

まず、支持体１０上、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する（図１〜図２；工程（ｉｉｉ−ｉ））。本工程は、上述した工程（ｉｉ−ｉ）と同様である。

次に、ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなる無機パターン（ｍ２ｐ）を形成する（図６；工程（ｉｉｉ−ｖ））。無機パターン（ｍ２ｐ）を形成するための無機材料としては、上記工程（ｉｉ−ｉｉ）で例示した無機材料と同様のもの、及び前記無機材料を含有するレジスト組成物等が挙げられる。無機パターン（ｍ２ｐ）の形成方法は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料を含有するレジスト組成物を用いて、無機レジスト膜を形成し、露光及び現像を行なうことで、ハードマスク層（ｍ１）上に無機パターン（ｍ２ｐ）を形成することができる。

次に、無機パターン（ｍ２ｐ）をマスクとしてハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターン（ｍ１ｐ）を形成する（図７；工程（ｉｉｉ−ｖｉ））。本工程は、上記工程（ｉｉ−ｖｉ）と同様である。
次に、樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして支持体１０を加工し、パターン１２ｐを形成する（図８；工程（ｉｉｉ−ｖｉｉ））。本工程は、上記工程（ｉｉ−ｖｉｉ）と同様である。
このようにしても、基板１１にパターン１２ｐを備えた電子部品１００を製造することができる。

以上説明した各実施形態の電子部品の製造方法においては、上述した第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いて、ハードマスク層（ｍ１）を形成するため、エッチング耐性、クラック耐性及び低アウトガス性に優れ、電子部品を高品質で安定的に製造することができる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

＜樹脂（Ｐ１）の製造例＞
≪樹脂（Ｐ１−１）≫
温度計、還流管、窒素導入管を繋いだ三口フラスコに、１−ナフトアルデヒド９．２８ｇ（５９．８１ｍｍｏｌ）、カルバゾール１０．００ｇ（５９．８１ｍｍｏｌ）、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）２６．６２ｇに溶解した後、メタンスルホン酸２０％ＧＢＬ溶液２．８７ｇを添加し、反応温度を１２０℃で８時間加熱撹拌した。その後、反応液を室温まで冷却した。
得られた反応液をメタノール（ＭｅＯＨ）／５％アンモニア水の９／１混合溶液１５０ｇへ滴下して重合体を析出させる操作を行い、沈殿した褐色粉体を１５０ｇのＭｅＯＨにて２回洗浄後、減圧乾燥して目的物である樹脂（Ｐ１−１）を得た。
この樹脂（Ｐ１−１）について、ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）は４５００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０７であった。

≪樹脂（Ｐ１−２）〜（Ｐ１−８）≫
モノマーを変更したこと以外は、≪樹脂（Ｐ１−１）≫の製造例と同様の方法で、表１に示す組成比の樹脂（Ｐ１−２）〜（Ｐ１−８）を製造した。
得られた樹脂について、仕込み量から算出される該樹脂の共重合組成比（樹脂の各構成単位の割合（モル比））、ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を表１に併記した。
製造した樹脂（Ｐ１−１）〜（Ｐ１−８）をそれぞれ以下に示す。

（実施例１〜１５、比較例１〜６）
＜ハードマスク形成用組成物の調製＞
表２及び３に示す各成分を混合して溶解し、各例のハードマスク形成用組成物をそれぞれ調製した。

表２及び３中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［ ］内の数値は配合量（質量部）である。
（Ｐ１）−１〜（Ｐ１）−８：上記の樹脂（Ｐ１−１）〜（Ｐ１−８）。
（Ｐ２）−１：下記化学式（Ｐ２−１）で表される樹脂（Ｐ２−１）。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は１５０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２４．４。

（Ｃ１）−１：下記化学式（Ｃ１−１）で表される化合物。
（Ｃ１）−２：下記化学式（Ｃ１−２）で表される化合物。
（Ｘ）−１：下記化学式（Ｘ−１）で表される化合物。
（Ｘ）−２：下記化学式（Ｘ−２）で表される化合物。
（Ｘ）−３：下記化学式（Ｘ−３）で表される化合物。

（ｐｈ）−１：下記化学式（ｐｈ−１）で表される化合物。
（ｐｈ）−２：下記化学式（ｐｈ−２）で表される化合物。
（Ｔ）−１：下記化学式（Ｔ−１）で表される化合物。

（Ａ）−１：フッ素系界面活性剤、ＤＩＣ株式会社製の商品名「Ｒ−４０」。
（Ｓ）−１：γ−ブチロラクトン。
（Ｓ）−２：プロピレングリコールモノメチルエーテル。
（Ｓ）−３：シクロヘキサノン。

＜ハードマスク層の形成＞
シリコンウェーハ上に、各例のハードマスク形成用組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布した。その後、温度４００℃で９０秒間ベーク処理を行うことにより、厚さ１．０μｍ（実施例８及び９については２．０μｍ）のハードマスク層を形成した。なお、実施例８及び９については、より過酷な（クラックの入りやすい）条件で評価するために、ハードマスク層の厚さを２．０μｍとした。

＜評価＞
各例のハードマスク層について、以下に示す方法により、エッチング耐性、クラック耐性及び低アウトガス性をそれぞれ評価した。これらの結果を、「エッチング」、「クラック」及び「アウトガス」として、表４及び５に示す。

［エッチング耐性の評価］
上記＜ハードマスク層の形成＞により形成された各例のハードマスク層について、ドライエッチング処理を行い、膜減り量を測定してエッチング速度比を求めた。
ドライエッチング処理による膜減り量の測定条件を以下のように設定した。
処理時間：ＴＣＰ型ドライエッチング装置で３分間処理
ガス：ＣＦ_４／Ｎ_２（８０／２０）

エッチング速度比は、一般的なクレゾールノボラック樹脂である上述した樹脂（Ｐ２−１）からなるハードマスク層の膜減り量に対する、各例のハードマスク層の膜減り量の割合として算出した（エッチング速度比＝（各例のハードマスク層の膜減り量）／（樹脂（Ｐ２−１）からなるハードマスク層の膜減り量）×１００）。
この値が低いほど、エッチング耐性が高いことを意味する。
得られた値から以下の基準で評価した。
Ａ：エッチング速度比が６５％未満
Ｂ：エッチング速度比が６５％以上８０％未満
Ｃ：エッチング速度比が８０％以上

［クラック耐性の評価］
上記＜ハードマスク層の形成＞により形成された各例のハードマスク層について、オプトデジタルマイクロスコープ ＤＳＸ５００により、各例のハードマスク層をそれぞれ観察し、以下の基準でクラックの発生を評価した。
評価基準
Ａ：ハードマスク層にクラックが観測されない
Ｂ：ハードマスク層にクラックが１０本程度観測された
Ｃ：ハードマスク層に多数のクラックが観測された

［低アウトガス性の評価］
上記＜ハードマスク層の形成＞により形成された各例のハードマスク層について、熱重量示差熱分析装置（ＴＧ−ＤＴＡ）を用い、昇温速度１０℃／ｍｉｎで、温度２４０〜４００℃まで昇温した。２４０℃加熱時に比べ、４００℃加熱時では、どの程度ハードマスク層の重量が減少したか測定し、以下の基準でハードマスク層のアウトガスの発生を評価した。
評価基準
Ａ：重量減少率が５％以下
Ｂ：重量減少率が５％超１０％以下
Ｃ：重量減少率が１０％超

表４及び５に示すように、実施例のハードマスク形成用組成物により形成されたハードマスク層は、エッチング耐性、クラック耐性及び低アウトガス性がいずれも優れることが確認できた。

また、実施例３のハードマスク形成用組成物と、実施例４のハードマスク形成用組成物とを比較すると、化合物（Ｃ１）として、上記化学式（Ｃ１−１）で表される化合物を含有する実施例３のハードマスク形成用組成物により形成されたハードマスク層の方が、エッチング耐性、クラック耐性及び低アウトガス性がいずれも優れていた。
また、実施例５のハードマスク形成用組成物と、実施例６のハードマスク形成用組成物とを比較すると、化合物（Ｃ１）として、上記化学式（Ｃ１−１）で表される化合物を含有する実施例５のハードマスク形成用組成物により形成されたハードマスク層の方が、エッチング耐性、クラック耐性及び低アウトガス性がいずれも優れていた。

Claims (8)

1. リソグラフィで用いられるハードマスクを形成するハードマスク形成用組成物であって、
   下記一般式（ｕ１−１）で表される構成単位（ｕ１１）、又は、下記一般式（ｕ１−２）で表される構成単位（ｕ１２）と、芳香環及び極性基を有する構成単位（ｕ２）とを有する樹脂（Ｐ１）、及び
   下記一般式（ｃ−１）で表される化合物（Ｃ１）を含有する、ハードマスク形成用組成物。
   

   

   ［式（ｕ１−１）中、Ｒ^１１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
   式（ｕ１−２）中、Ｒ^１２は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。］
   

   

   ［式中、Ｙは有機基である。Ｒ^０１は、炭素原子数１〜４０の炭化水素基である。Ｒ^０２は、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基を有してもよい炭素原子数１〜１０のアルキル基である。ｎ１は、０〜３の整数であり、ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ３は、１〜３の整数であり、２≦ｎ１＋ｎ２＋ｎ３≦５である。ｎ４は、３以上の整数であり、複数のＲ^０１、Ｒ^０２、ｎ１、ｎ２、及び、ｎ３はそれぞれ同一でも、異なっていてもよい。但し、式中の−ＣＨ_２ＯＲ^０２の数は化合物（Ｃ１）全体として６以上である。］
2. 前記構成単位（ｕ２）は、下記一般式（ｕ２−１）で表される構成単位（ｕ２１）、下記一般式（ｕ２−２）で表される構成単位（ｕ２２）、又は、下記一般式（ｕ２−３）で表される構成単位（ｕ２３）である、請求項１に記載のハードマスク形成用組成物。
   

   

   ［式（ｕ２−１）中、Ｒ^２１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。式（ｕ２−２）中、Ｒｎ^１及びＲｎ^２は、それぞれ独立に水素原子又は炭化水素基である。式（ｕ２−３）中、Ｒｎ^３〜Ｒｎ^５は、それぞれ独立に水素原子又は炭化水素基である。Ｒｎ^４及びＲｎ^５は、相互に結合して、式中の窒素原子と共に縮合環を形成してもよい。］
3. さらに、フェノール化合物を含有する、請求項１又は２に記載のハードマスク形成用組成物。
4. 前記化合物（Ｃ１）の含有量は、前記樹脂（Ｐ１）１００質量部に対して、１０〜３０質量部である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のハードマスク形成用組成物。
5. さらに、熱酸発生剤成分を含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のハードマスク形成用組成物。
6. 支持体上に、請求項１〜５のいずれか一項に記載のハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、及び
   前記ハードマスク層（ｍ１）をマスクとして前記支持体を加工する工程
   を有する、電子部品の製造方法。
7. 支持体上に、請求項１〜５のいずれか一項に記載のハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、
   前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程、
   前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジスト膜を形成する工程、
   前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターンを形成する工程、
   前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターンを形成する工程、
   前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び
   前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程
   を有する、電子部品の製造方法。
8. 支持体上に、請求項１〜５のいずれか一項に記載のハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、
   前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなる無機パターンを形成する工程、
   前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び
   前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程
   を有する、電子部品の製造方法。

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