JP2021190512A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】研削処理後の基板の平坦度を向上させる。【解決手段】基板を処理する基板処理方法であって、基板保持部で前記基板を保持することと、前記基板保持部に保持された前記基板を研削することと、研削された前記基板の厚み分布を測定することと、測定された前記基板の厚み分布に基づいて、当該基板の処理対象部分に局所的にブラスト処理を行うことと、を含む。【選択図】図５

Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。

特許文献１には、ウェハの研削手段と、当該研削手段の回転軸の傾きを調整する傾斜調整手段と、ウェハの研削条件を記憶する研削条件記憶手段と、を備えるウェハの研削加工装置が開示されている。特許文献１に記載の研削加工装置によれば、研削条件記憶手段に記憶された情報に基づいて研削手段の回転軸の傾きを調整することにより、ウェハの厚みのばらつきを最小限に抑えることを図っている。

特開２００９−０９０３８９号公報

本開示にかかる技術は、研削処理後の基板の平坦度を向上させる。

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理方法であって、基板保持部で前記基板を保持することと、前記基板保持部に保持された前記基板を研削することと、研削された前記基板の厚み分布を測定することと、測定された前記基板の厚み分布に基づいて、当該基板の処理対象部分に局所的にブラスト処理を行うことと、を含む。

本開示によれば、研削処理後の基板の平坦度を向上させることができる。

ウェハ処理システムで処理される重合ウェハの構成例を示す側面図である。 本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成を示す平面図である。 本実施形態にかかるウェハ処理システムの内部構成を示す側面図である。 本実施形態にかかるブラスト処理装置の構成を示す縦断面図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示す説明図である。 他の実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示す説明図である。 他の実施形態において凸部のブラスト処理の様子を示す説明図である。 他の実施形態にかかるブラスト処理装置の構成を示す縦断面図である。 他の実施形態にかかるブラスト処理装置の構成を示す縦断面図である。

近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体基板（以下、「第１のウェハ」という。）と、第２のウェハとが接合された重合ウェハに対し、第１のウェハの裏面を研削して薄化することが行われている。

第１のウェハの薄化は、第２のウェハの裏面をチャックにより保持した状態で、第１のウェハの裏面に研削手段が備える研削砥石を当接させ、研削することにより行われる。しかしながら、このように第１のウェハの研削を行う場合、研削後の第１のウェハの平坦度（ＴＴＶ：Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が悪化するおそれがある。

具体的には、例えば第１のウェハの研削時に当該第１のウェハ（詳細には第２のウェハの裏面）を保持するチャックの保持面の形状が平坦でない場合や、第１のウェハの研削時に研削手段が振動する場合等により、第１のウェハＷ１のＴＴＶが悪化する場合がある。例えば、第１のウェハの裏面において、中央部に局所的な凸部が形成され、或いは中央部以外の局所的な位置に凸部が形成される。また例えば、周縁部に局所的な環状の凸部が形成される。

上述した特許文献１に記載の方法は、研削砥石（研削手段）の回転軸の傾きを調整することで、第１のウェハを均一な厚みで研削することを図っている。しかしながら、特許文献１に記載の方法では、上述したような局所的な凸部が形成された場合、当該局所的な凸部を研削することはできない。したがって、従来の基板の研削処理には改善の余地がある。

本開示にかかる技術は、研削処理後の基板の平坦度を向上させる。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理システム、及び基板処理方法としてのウェハ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

本実施形態にかかる後述のウェハ処理システム１では、図１に示すように基板としての第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２とが接合された重合ウェハＴに対して処理を行う。そしてウェハ処理システム１では、第１のウェハＷ１を薄化する。以下、第１のウェハＷ１において、第２のウェハＷ２に接合される側の面を表面Ｗ１ａといい、表面Ｗ１ａと反対側の面を裏面Ｗ１ｂという。同様に、第２のウェハＷ２において、第１のウェハＷ１に接合される側の面を表面Ｗ２ａといい、表面Ｗ２ａと反対側の面を裏面Ｗ２ｂという。

第１のウェハＷ１は、例えばシリコン基板等の半導体ウェハであって、表面Ｗ１ａに複数のデバイスを含むデバイス層Ｄ１が形成されている。また、デバイス層Ｄ１にはさらに表面膜Ｆ１が形成され、当該表面膜Ｆ１を介して第２のウェハＷ２と接合されている。表面膜Ｆ１としては、例えば酸化膜（ＳｉＯ_２膜、ＴＥＯＳ膜）、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜又は接着剤などが挙げられる。

第２のウェハＷ２は、例えば第１のウェハＷ１と同様の構成を有しており、表面Ｗ２ａにはデバイス層Ｄ２及び表面膜Ｆ２が形成されている。なお、第２のウェハＷ２はデバイス層Ｄ２が形成されたデバイスウェハである必要はなく、例えば第１のウェハＷ１を支持する支持ウェハであってもよい。かかる場合、第２のウェハＷ２は第１のウェハＷ１のデバイス層Ｄ１を保護する保護材として機能する。

なお、以降の説明で用いられる図面においては、図示の煩雑さを回避するため、デバイス層Ｄ１、Ｄ２及び表面膜Ｆ１、Ｆ２の図示を省略する場合がある。

図２及び図３に示すようにウェハ処理システム１は、搬入出ステーション２と処理ステーション３を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣが搬入出される。処理ステーション３は、重合ウェハＴに対して所望の処理を施す各種処理装置を備えている。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば２つのカセットＣをＹ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されるカセットＣの個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０のＸ軸正方向側において、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。

処理ステーション３には、例えば３つの処理ブロックＧ１〜Ｇ３が設けられている。第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２及び第３の処理ブロックＧ３は、Ｘ軸負方向側（搬入出ステーション２側）から正方向側にこの順で並べて配置されている。

第１の処理ブロックＧ１には、エッチング処理部としてのエッチング処理装置３０、第１の洗浄装置３１、及びウェハ搬送装置４０が設けられている。エッチング処理装置３０は、例えば鉛直方向に２段に積層して設けられている。第１の洗浄装置３１は、例えばエッチング処理装置３０の下段に積層して設けられている。ウェハ搬送装置４０は、エッチング処理装置３０のＹ軸正方向側に配置されている。なお、エッチング処理装置３０、第１の洗浄装置３１、及びウェハ搬送装置４０の数や配置はこれに限定されない。

エッチング処理装置３０は、後述するブラスト処理装置５１でブラスト処理が行われた第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ、詳細には処理対象領域Ｑ１をエッチングする。例えば裏面Ｗ１ｂに対してエッチング液（薬液）を供給し、当該裏面Ｗ１ｂをウェットエッチングする。エッチング液には、例えばＨＦ、ＨＮＯ_３、Ｈ_３ＰＯ_４、ＴＭＡＨ、Ｃｈｏｌｉｎｅ、ＫＯＨなどが用いられる。

第１の洗浄装置３１は、後述する加工装置７０において研削処理を行う前の第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ及び第２のウェハの裏面Ｗ２ｂを洗浄する。例えば裏面Ｗ１ｂ、Ｗ２ｂに対して洗浄液を供給し、当該裏面Ｗ１ｂを洗浄する。

なお、本実施形態では、エッチング処理装置３０と第１の洗浄装置３１は別々に設けたが、同一装置としてもよい。例えばこの装置は、エッチング液を供給するノズルと、洗浄液を供給するノズルとを有し、これらのノズルを切り替えることで、エッチング処理と洗浄処理を行うことができる。

ウェハ搬送装置４０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、２つの搬送アーム４１を有している。各搬送アーム４１は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム４１の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。また、ウェハ搬送装置４０における搬送アーム４１の数も本実施形態に限定されず、任意の数の搬送アーム４１を設けることができ、例えば１つでもよい。そして、ウェハ搬送装置４０は、カセット載置台１０のカセットＣ、エッチング処理装置３０、第１の洗浄装置３１、後述するアライメント装置５０、後述するブラスト処理装置５１、及び後述する第２の洗浄装置５２に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

第２の処理ブロックＧ２には、アライメント装置５０、ブラスト処理部としてのブラスト処理装置５１、第２の洗浄装置５２、及びウェハ搬送装置６０が設けられている。アライメント装置５０は、例えば鉛直方向に２段に積層して設けられている。ブラスト処理装置５１は、例えばアライメント装置５０の下段に積層して設けられている。第２の洗浄装置５２は、例えばブラスト処理装置５１のさらに下段に積層して設けられている。ウェハ搬送装置６０は、アライメント装置５０、ブラスト処理装置５１及び第２の洗浄装置５２のＹ軸負方向側に配置されている。なお、アライメント装置５０、ブラスト処理装置５１、第２の洗浄装置５２及びウェハ搬送装置６０の数や配置はこれに限定されない。

アライメント装置５０は、後述する加工装置７０において研削処理を行う前の重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持された重合ウェハＴを回転させながら、検出部（図示せず）で第１のウェハＷ１のノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する。

ブラスト処理装置５１は、後述する加工装置７０において研削処理を行った後の第１のウェハＷ１に対して局所的にブラスト処理を行う。詳細には、研削処理後の第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂに形成された凸部に対して局所的にブラスト処理を行う。なお、ブラスト処理装置５１の詳細な構成については後述する。

第２の洗浄装置５２は、後述する加工装置７０において研削処理を行った後の第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを洗浄する。例えば裏面Ｗ１ｂにブラシを当接させて、当該裏面Ｗ１ｂをスクラブ洗浄する。なお裏面Ｗ１ｂの洗浄には、加圧された洗浄液を用いてもよい。また、第２の洗浄装置５２は、第１のウェハＷ１を洗浄する際、当該第１のウェハＷ１の表裏両面を同時に洗浄可能に構成されていてもよい。

ウェハ搬送装置６０は、重合ウェハＴを吸着保持面（図示せず）により吸着保持して搬送する、２つの搬送アーム６１を有している。各搬送アーム６１は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム６１の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。また、ウェハ搬送装置６０における搬送アーム６１の数も本実施形態に限定されず、任意の数の搬送アーム６１を設けることができ、例えば１つでもよい。そして、ウェハ搬送装置６０は、アライメント装置５０、ブラスト処理装置５１、第２の洗浄装置５２及び加工装置７０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

第３の処理ブロックＧ３には、加工装置７０が１つ設けられている。なお、加工装置７０の数や配置はこれに限定されない。

加工装置７０は、回転テーブル７１を有している。回転テーブル７１は、回転機構（図示せず）によって、鉛直な回転中心線７２を中心に回転自在に構成されている。回転テーブル７１上には、重合ウェハＴを吸着保持する、基板保持部としてのチャック７３が４つ設けられている。チャック７３は、回転テーブル７１と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック７３は、回転テーブル７１が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１〜Ａ３に移動可能になっている。なお、チャック７３は回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。

受渡位置Ａ０は回転テーブル７１の第２の処理ブロックＧ２側（Ｘ軸負方向側且つＹ軸負方向側）の位置であり、重合ウェハＴの受け渡しが行われる。受渡位置Ａ０には、チャック７３上に保持された第１のウェハＷ１の厚みを測定する測定部７４が設けられている。測定部７４の構成は特に限定されないが、例えば非接触式のセンサ（図示せず）を備えている。測定部７４は、移動機構（図示せず）によって鉛直方向及び水平方向に移動自在に構成されている。そして、後述するように測定部７４は、研削処理後の第１のウェハＷ１の複数点において厚みを測定し、当該第１のウェハＷ１の厚み分布を測定することができる。また、測定部７４（後述する制御装置８０）は、第１のウェハＷ１の厚み分布から、第１のウェハＷ１のＴＴＶデータを算出することができる。

なお、測定部７４の設置位置は本実施形態に限定されない。例えば測定部７４は、第３の加工位置Ａ３に設けられていてもよい。

第１の加工位置Ａ１は回転テーブル７１のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、粗研削ユニット７５が設けられる。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル７１のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット７６が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル７１のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、研削部としての仕上研削ユニット７７が配置される。

粗研削ユニット７５では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを粗研削する。粗研削ユニット７５は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた第１の研削部７５ａを有している。また、第１の研削部７５ａは、支柱７５ｂに沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。そして、チャック７３に保持された第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを研削砥石に当接させた状態で、チャック７３と研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗ１ｂを粗研削する。

中研削ユニット７６では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを中研削する。中研削ユニット７６は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた第２の研削部７６ａを有している。また、第２の研削部７６ａは、支柱７６ｂに沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。そして、チャック７３に保持された第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを研削砥石に当接させた状態で、チャック７３と研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗ１ｂを中研削する。

仕上研削ユニット７７では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを仕上研削する。仕上研削ユニット７７は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた第３の研削部７７ａを有している。また、第３の研削部７７ａは、支柱７７ｂに沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。そして、チャック７３に保持された第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを研削砥石に当接させた状態で、チャック７３と研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗ１ｂを仕上研削する。

以上のウェハ処理システム１には、制御部としての制御装置８０が設けられている。制御装置８０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置８０にインストールされたものであってもよい。

本実施形態にかかるウェハ処理システム１は以上のように構成されている。次に、上述したブラスト処理装置５１について説明する。

図４に示すようにブラスト処理装置５１は、重合ウェハＴを上面で保持するチャック１００を有している。チャック１００は、第１のウェハＷ１が上側、第２のウェハＷ２が下側に配置された状態で、第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂを保持する。またチャック１００は回転機構（図示せず）により鉛直軸周りに回転可能に構成され、これによりチャック１００上に保持された重合ウェハＴを回転可能に構成されている。

チャック１００の上方には、ブラストノズル１０１、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３が設けられている。これらブラストノズル１０１、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３は、重合ウェハＴの上方において水平方向に移動自在に構成され、これにより第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂの凸部に局所的にブラスト処理を行うことが可能に構成されている。なお、ブラストノズル１０１、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３は、水平方向に対して一体に移動可能に構成されてもよいし、それぞれ独立して移動可能に構成されてもよい。

ブラストノズル１０１は、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂの凸部に、スラリー（研磨材と液体の混合液）を噴射する。ブラストノズル１０１には、当該ブラストノズル１０１に対してスラリーを供給するためのスラリー供給ユニット１０１ａと、当該ブラストノズル１０１からスラリーを噴射するためのガス供給源１０１ｂと、が接続されている。

なお、ブラストノズル１０１としてはチューブノズルやスリットノズル等、任意のノズルを選択することができるが、スラリーの噴射孔が細い（例えば１０ｍｍ程度）ノズルが選択されることが好ましい。

洗浄液ノズル１０２は、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂに洗浄液を供給し、これによりブラストノズル１０１から噴射されたスラリー（研磨材）を除去する。洗浄液ノズル１０２には、当該洗浄液ノズル１０２に対して洗浄液を供給するための洗浄液供給ユニット１０２ａが接続されている。

ガスノズル１０３は、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂにガスを供給し、これにより第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂに供給された液体を除去する。ガスノズル１０３には、当該ガスノズル１０３に対してガスを供給するためのガス供給源１０３ａが接続されている。

またチャック１００の周囲には、ブラスト処理に際して重合ウェハＴから飛散するスラリーや洗浄液を受け止めて排出するためのカップ体１０４が、当該チャック１００を取り囲むように設けられている。カップ体１０４の下部には、排出部１０５が設けられ、回収したスラリーや洗浄液、及びブラスト処理により除去されたパーティクル（凸部）等を排液ラインに排出する。

次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１及びブラスト処理装置５１を用いて行われるウェハ処理について説明する。なお、本実施形態では、ウェハ処理システム１の外部に設けられた接合装置（図示せず）において第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２が接合され、予め重合ウェハＴが形成されている。

先ず、重合ウェハＴを複数収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。次に、ウェハ搬送装置４０によりカセットＣ内の重合ウェハＴが取り出され、第１の洗浄装置３１に搬送される。第１の洗浄装置３１では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ及び第２のウェハの裏面Ｗ２ｂに洗浄液が供給されて、当該裏面Ｗ１ｂ、Ｗ２ｂが洗浄される（図５のステップＳ１）。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置４０によりアライメント装置５０に搬送される。アライメント装置５０では、第１のウェハＷ１に形成されたノッチ部（図示せず）の位置を調節することで、重合ウェハＴの水平方向の向きが調節される（図５のステップＳ２）。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置６０により加工装置７０に搬送される。加工装置７０では、重合ウェハＴは、図６（ａ）に示すように受渡位置Ａ０のチャック７３に受け渡される。

次に、回転テーブル７１を回転させて、重合ウェハＴを第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、粗研削ユニット７５によって、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂが粗研削される（図５のステップＳ３）。

次に、回転テーブル７１を回転させて、重合ウェハＴを第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、中研削ユニット７６によって、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂが中研削される（図５のステップＳ４）。

次に、回転テーブル７１を回転させて、重合ウェハＴを第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット７７によって、図６（ｂ）に示すように第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂが仕上研削される（図５のステップＳ５）。この仕上研削を行うことで、第１のウェハＷ１が所望の厚みに薄化される。

次に、回転テーブル７１を回転させて、重合ウェハＴを受渡位置Ａ０に移動させる。そして、図６（ｃ）に示すように、測定部７４によって第１のウェハＷ１のウェハ面内における厚み分布が測定される（図５のステップＳ６）。厚み分布の測定にあたっては、チャック７３（第１のウェハＷ１）を回転させるとともに、測定部７４を第１のウェハＷ１の上方で径方向に水平移動させて、第１のウェハＷ１の複数点において厚みを測定し、当該第１のウェハＷ１の厚み分布を測定する。測定部７４による測定結果は、制御装置８０に出力される。

ここで、上記ステップＳ３〜Ｓ５の研削処理を行う際、裏面Ｗ１ｂに局所的な凸部が形成される場合がある。

そこで、本実施形態では、第１のウェハＷ１のＴＴＶを小さくして改善するため、後述するようにブラスト処理装置５１において、凸部Ｐ１に対して局所的にブラスト処理を行う。制御装置８０では、第１のウェハＷ１の厚み分布に基づいて、この凸部Ｐ１のブラスト処理に必要な処理条件を導出する（図５のステップＳ７）。

具体的に制御装置８０では、上記ステップＳ６において測定された第１のウェハＷ１の厚み分布に基づいて、裏面Ｗ１ｂに形成された凸部Ｐ１を特定する。例えば、凸部Ｐ１の位置、凸部Ｐ１の平面視の大きさ、凸部Ｐ１の高さ等が特定される。

また、制御装置８０では、凸部Ｐ１のブラスト処理の処理時間を算出する。先ず、上記ステップＳ６において測定された第１のウェハＷ１の厚み分布に基づいて、凸部Ｐ１に対するブラスト処理の目標加工量を算出する。この目標加工量は、裏面Ｗ１ｂからの凸部Ｐ１の突出量であり、すなわち凸部Ｐ１の高さである。また、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理を行う前に、例えば実験によって、ブラスト処理装置５１における単位時間当たりのブラスト処理の加工量を算出しておく。そして、目標加工量を、単位時間当たりの加工量で除すると、凸部Ｐ１のブラスト処理の処理時間が算出される。

そして、この凸部Ｐ１のブラスト処理の処理条件（凸部Ｐ１の情報、ブラスト処理の目標加工量及びブラスト処理時間）は、制御装置８０からブラスト処理装置５１に出力される。

加工装置７０における処理が終了した重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置６０により第２の洗浄装置５２に搬送される。第２の洗浄装置５２では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂがスクラブ洗浄される（図５のステップＳ８）。なお、第２の洗浄装置５２では、裏面Ｗ１ｂと共に、表面Ｗ１ａが洗浄されてもよい。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置６０によりブラスト処理装置５１に搬送される。ブラスト処理装置５１では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂに形成された凸部Ｐ１に対して、ブラスト処理が行われる（図５のステップＳ９）。

ステップＳ９では、図６（ｄ）に示すように、ブラストノズル１０１を移動させて凸部Ｐ１の上方に配置する。続いて、重合ウェハＴの回転を停止させた状態で、ブラストノズル１０１から凸部Ｐ１にスラリーを噴射して吹き付け、当該凸部Ｐ１が除去される。その結果、裏面Ｗ１ｂが平坦化され、第１のウェハＷ１のＴＴＶを小さくして改善することができる。またこの際、上述のように噴射孔の細い（例えば１０ｍｍ程度）ノズルを選択することで、ブラストノズル１０１からのスラリーの噴射領域が狭くなり、凸部Ｐ１に対して的確にスラリーを噴射することができる。

なお、ステップＳ９における凸部Ｐ１のブラスト処理は、上記ステップＳ７において制御装置８０からブラスト処理装置５１に出力された処理条件に基づいて行われる。処理条件は、例えば、凸部Ｐ１の位置、凸部Ｐ１の平面視の大きさ、凸部Ｐ１の高さ等の情報、ブラスト処理の目標加工量、及びブラスト処理時間等である。

次に、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂにおいて凸部Ｐ１が形成されていた領域（処理対象部分）を洗浄する（図５のステップＳ１０）。なお、以下の説明では、ブラスト処理後の凸部Ｐ１が形成されていた領域を処理対象領域Ｑ１という。

ステップＳ１０では、図６（ｅ）に示すように、洗浄液ノズル１０２を処理対象領域Ｑ１の上方に配置する。この際、洗浄液ノズル１０２を移動させてもよいし、或いは洗浄液ノズル１０２がブラストノズル１０１に近接して配置されている場合には、洗浄液ノズル１０２を移動させなくてもよい。続いて、重合ウェハＴを回転させながら、洗浄液ノズル１０２から処理対象領域Ｑ１に洗浄液を供給し、ブラストノズル１０１から第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ上に噴射されたスラリー（研磨材）が除去される。

また、ステップＳ１０ではさらに、図６（ｆ）に示すように、ガスノズル１０３を処理対象領域Ｑ１の上方に配置する。この際、ガスノズル１０３を移動させてもよいし、或いはガスノズル１０３がブラストノズル１０１に近接して配置されている場合には、ガスノズル１０３を移動させなくてもよい。続いて、重合ウェハＴを回転させながら、ガスノズル１０３から処理対象領域Ｑ１にガスを供給し、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ上の液体（スラリー及び洗浄液）が除去される。

本実施形態においては、このようにブラストノズル１０１による凸部Ｐ１のブラスト処理後、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３から処理対象領域Ｑ１に洗浄液及びガスを供給する。これにより、ブラスト処理後の第１のウェハＷ１に砥粒等のパーティクルが残渣することが抑制され、ブラスト処理後の裏面Ｗ１ｂや、ウェハ処理システム１及び後工程の処理チャンバの内部が汚染されるのを適切に抑制できる。さらに、このようにウェットブラスト処理の直後にガスを用いて第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ上の液体（スラリー及び洗浄液）を除去することにより、裏面Ｗ１ｂに対するウォーターマークの発生を適切に抑制できる。

ブラスト処理により第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂの凸部Ｐ１が除去された重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置４０によりエッチング処理装置３０に搬送される。エッチング処理装置３０では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂに対してウェットエッチング処理（洗浄処理）が行われる（図５のステップＳ１１）。

ここで、ブラスト処理が行われた処理対象領域Ｑ１は、当該ブラスト処理によるインパクトにより表面が荒れてしまうおそれがある。例えばブラスト処理で処理対象領域Ｑ１の表面が荒れた場合であっても、表面が荒れた処理対象領域Ｑ１は、エッチングされることにより整えられ、裏面Ｗ１ｂを平坦化することができる。

その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置４０によりカセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。

以上の実施形態によれば、ステップＳ３〜Ｓ５において第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを研削した後、ステップＳ６において第１のウェハＷ１の厚み分布を測定し、さらに厚み分布の測定結果に基づいて、ステップＳ９において凸部Ｐ１のブラスト処理を行う。このように凸部Ｐ１の局所的なブラスト処理を行うことで、当該凸部Ｐ１を除去し、裏面Ｗ１ｂを平坦化して、第１のウェハＷ１のＴＴＶを小さくして改善することができる。

また、ステップＳ１０において、ブラストノズル１０１から噴射されるスラリーを洗浄液ノズル１０２から供給される洗浄液により裏面Ｗ１ｂ上から除去するため、ブラスト処理後の裏面Ｗ１ｂ上やウェハ処理システム１の内部が汚染されるのを適切に抑制できる。またさらに、ブラスト処理において裏面Ｗ１ｂ上に供給された液体をガスノズル１０３から供給されるガスにより除去することで、裏面Ｗ１ｂ上にウォーターマークが発生することを適切に抑制できる。

以上の実施形態では、図６において、凸部Ｐ１が裏面Ｗ１ｂの中央部に形成された例が図示されたが、局所的な凸部の形成位置はこれに限定されず、中央部以外の局所的な位置にも凸部は形成され得る。このような凸部に対しても、ステップＳ９における凸部の局所的なブラスト処理を行うことで、裏面Ｗ１ｂを平坦化して、第１のウェハＷ１のＴＴＶを小さくして改善することができる。

また、以上の実施形態では、ステップＳ９において、重合ウェハＴの回転を停止させた状態で、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂに形成された局所的な凸部Ｐ１に対してブラスト処理を行ったが、このブラスト処理は重合ウェハＴを回転させながら行ってもよい。

また、以上の実施形態では、ステップＳ３〜Ｓ５の研削処理を行った後、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂに局所的な凸部Ｐ１が形成された例について説明したが、凸部が形成される位置はこれに限定されない。例えば、図７（ａ）に示すように裏面Ｗ１ｂの周縁部に環状の凸部Ｐ２が形成される場合がある。

かかる場合、ステップＳ９ではブラスト処理装置５１において、凸部Ｐ２にブラスト処理が行われる。図７（ｂ）に示すように、ブラストノズル１０１を移動させて凸部Ｐ２の上方に配置する。続いて、重合ウェハＴを回転させながら、ブラストノズル１０１から凸部Ｐ２にスラリーを噴射して吹き付け、当該凸部Ｐ２が除去される。その結果、裏面Ｗ１ｂが平坦化され、第１のウェハＷ１のＴＴＶを小さくして改善することができる。

また、ステップＳ９では、図８に示すように、重合ウェハＴを回転させながら、凸部Ｐ２に対して、重合ウェハＴの接線方向に沿ってスラリーを噴射して吹き付けてもよい。これにより、凸部Ｐ２に噴射されたスラリーは重合ウェハＴの外側方向へと飛散し、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂにパーティクル等が付着することが抑制される。

次に、ステップＳ１０では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂにおいて凸部Ｐ２が形成されていた領域（処理対象部分）を洗浄する。なお、以下の説明では、ブラスト処理後の凸部Ｐ２が形成されていた領域を処理対象領域Ｑ２という。

ステップＳ１０では、図７（ｃ）に示すように、洗浄液ノズル１０２を処理対象領域Ｑ１の上方に配置する。この際、洗浄液ノズル１０２を移動させてもよいし、或いは洗浄液ノズル１０２がブラストノズル１０１に近接して配置されている場合には、洗浄液ノズル１０２を移動させなくてもよい。続いて、重合ウェハＴを回転させながら、洗浄液ノズル１０２から処理対象領域Ｑ１に洗浄液を供給し、ブラストノズル１０１から第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ上に噴射されたスラリー（研磨材）が除去される。

また、ステップＳ１０ではさらに、図７（ｄ）に示すように、ガスノズル１０３を処理対象領域Ｑ２の上方に配置する。この際、ガスノズル１０３を移動させてもよいし、或いはガスノズル１０３がブラストノズル１０１に近接して配置されている場合には、ガスノズル１０３を移動させなくてもよい。続いて、重合ウェハＴを回転させながら、ガスノズル１０３から処理対象領域Ｑ２にガスを供給し、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ上の液体（スラリー及び洗浄液）が除去される。

なお、ステップＳ１０では、処理対象領域Ｑ２に対して、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３により、重合ウェハＴの径方向外側に向けて洗浄液及びガスを供給してもよい。このようにスラリーの供給面に対して洗浄液を供給することにより、処理対象領域Ｑ１に噴射されたスラリーが重合ウェハＴの径方向外側に除去され、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂにパーティクル等が付着することが抑制される。

次に、ステップＳ１１ではエッチング処理装置３０において、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂに対してウェットエッチング処理が行われる。

本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、ステップＳ６において研削処理後の第１のウェハＷ１の厚み分布を測定し、この厚み分布の測定結果に基づいて、ステップＳ９において凸部Ｐ２のブラスト処理を行う。このように凸部Ｐ２の局所的なブラスト処理を行うことで、当該凸部Ｐ２を除去し、裏面Ｗ１ｂを平坦化して、第１のウェハＷ１のＴＴＶを小さくして改善することができる。

なお、本実施形態では、裏面Ｗ１ｂの周縁部に環状の凸部Ｐ２が形成されたが、周縁部に部分的な凸部が形成される場合もある。かかる場合、ステップＳ９では、重合ウェハＴを回転させながら、ブラストノズル１０１からのスラリーの噴射タイミングを、凸部だけにスラリーが噴射されるように制御すればよい。

以上の実施形態では、ステップＳ９における凸部Ｐ１のブラスト処理は、ステップＳ７において制御装置８０からブラスト処理装置５１に出力された処理条件に基づいて行われていたが、ブラスト処理の制御方法はこれに限定されない。

例えば、ブラスト処理の他の実施形態として、ブラスト処理後の処理対象領域Ｑ１における第１のウェハＷ１の厚みを測定し、測定された厚みが所望の厚みになるまで、ブラスト処理を繰り返し行ってもよい。

図９に示すようにブラスト処理装置５１には、ブラスト処理が行われた処理対象領域Ｑ１（凸部Ｐ１）における第１のウェハＷ１の厚みを測定する測定センサ２００が設けられている。測定センサ２００の構成は特に限定されないが、例えば非接触式のセンサ（図示せず）が用いられる。測定センサ２００は、ブラストノズル１０１、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３と同様に、重合ウェハＴの上方において水平方向に移動自在に構成されている。なお、測定センサ２００は、ブラストノズル１０１、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３と、水平方向に対して一体に移動可能に構成されてもよいし、独立して移動可能に構成されてもよい。

かかる場合、ステップＳ９において、ブラストノズル１０１から凸部Ｐ１にスラリーを噴射してブラスト処理を行った後、測定センサ２００を処理対象領域Ｑ１（凸部Ｐ１）の上方に配置する。この際、測定センサ２００を移動させてもよいし、或いは測定センサ２００がブラストノズル１０１に近接して配置されている場合には、測定センサ２００を移動させなくてもよい。続いて、測定センサ２００によって、ブラスト処理が行われた処理対象領域Ｑ１（凸部Ｐ１）における第１のウェハＷ１の厚みを測定する。測定センサ２００による測定結果は、制御装置８０に出力される。

制御装置８０では、測定センサ２００によって測定された、処理対象領域Ｑ１における第１のウェハＷ１の厚みが所望の厚みになっている場合、すなわち処理対象領域Ｑ１以外の第１のウェハＷ１の厚みと同じになっている場合には、凸部Ｐ１が適切にブラスト処理されて、除去されたと判断される。この場合、次のステップＳ１０の処理対象領域Ｑ１の洗浄処理に進む。

一方、制御装置８０において、測定センサ２００によって測定された、処理対象領域Ｑ１（凸部Ｐ１）における第１のウェハＷ１の厚みが所望の厚みになっていない場合、凸部Ｐ１が裏面Ｗ１ｂに残っていると判断される。この場合、再度、ブラストノズル１０１を移動させて凸部Ｐ１の上方に配置し、当該ブラストノズル１０１から凸部Ｐ１にスラリーを噴射して吹き付けて、ブラスト処理を行う。そして、処理対象領域Ｑ１（凸部Ｐ１）における第１のウェハＷ１の厚みが所望の厚みになるまで、ブラストノズル１０１による凸部Ｐ１のブラスト処理と、測定センサ２００による第１のウェハＷ１の厚み測定とを繰り返し行う。

本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、凸部Ｐ１の局所的なブラスト処理を行うことで、当該凸部Ｐ１を除去し、裏面Ｗ１ｂを平坦化して、第１のウェハＷ１のＴＴＶを小さくして改善することができる。しかも、ブラストノズル１０１による凸部Ｐ１のブラスト処理と、測定センサ２００による第１のウェハＷ１の厚み測定とを繰り返し行って、処理対象領域Ｑ１（凸部Ｐ１）における第１のウェハＷ１の厚みを所望の厚みにすることができる。したがって、裏面Ｗ１ｂをより確実に平坦化することができる。

また、例えば、ブラスト処理の他の実施形態として、ブラスト処理をリアルタイム制御してもよい。

図１０に示すようにブラスト処理装置５１には、ブラスト処理が行われた凸部Ｐ１を含む測定領域の第１のウェハＷ１の厚み分布を測定する測定センサ２１０が設けられている。測定センサ２１０は、第１のウェハＷ１の厚みを測定領域の面内で測定し、当該測定領域における第１のウェハＷ１の厚み分布を測定することができる。測定センサ２１０の構成は特に限定されないが、例えば非接触式のセンサ（図示せず）が用いられる。測定センサ２１０は、チャック１００の上方、例えばカップ体１０４の天井面に設けられる。

かかる場合、ステップＳ９では、測定センサ２１０によって測定領域における第１のウェハＷ１の厚み分布を測定しながら、ブラストノズル１０１から凸部Ｐ１にスラリーを噴射してブラスト処理を行う。測定センサ２１０による測定結果は、制御装置８０に出力される。制御装置８０では、測定センサ２１０による測定結果に基づいて、ブラストノズル１０１による凸部Ｐ１のブラスト処理を制御する。すなわち、凸部Ｐ１における第１のウェハＷ１の厚みが所望の厚みになり、測定領域における第１のウェハＷ１の厚み分布が均一になるまで、凸部Ｐ１のブラスト処理を行う。

本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、凸部Ｐ１の局所的なブラスト処理を行うことで、当該凸部Ｐ１を除去し、裏面Ｗ１ｂを平坦化して、第１のウェハＷ１のＴＴＶを小さくして改善することができる。しかも、ブラストノズル１０１による凸部Ｐ１のブラスト処理をリアルタイム制御するので、裏面Ｗ１ｂをより確実に平坦化することができる。

なお、本実施形態では、ステップＳ６において研削処理後の第１のウェハＷ１の全面の厚み分布を測定して凸部Ｐ１を特定した後、ステップＳ９においてブラスト処理を行う際、測定センサ２１０によって測定領域における第１のウェハＷ１の厚み分布を測定した。この点、ステップＳ６を省略し、ブラスト処理装置５１でブラスト処理を行う前に、測定センサ２１０を用いて、第１のウェハＷ１の全面の厚み分布を測定し、凸部Ｐ１を特定してもよい。かかる場合、加工装置７０の測定部７４を省略できる。

以上の実施形態のブラスト処理装置５１では、チャック１００の上方にブラストノズル１０１、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３を設けたが、洗浄液ノズル１０２又はガスノズル１０３のいずれか一方が省略されてもよい。また上記実施形態においては、このようにチャック１００の上方にブラストノズル１０１、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３を設けることで、ブラスト処理装置５１においてブラスト処理後の第１のウェハＷ１の洗浄を行うように構成したが、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３を省略し、洗浄装置（図示せず）をブラスト処理装置５１の外部に独立して設けてもよい。

また、以上の実施形態のブラスト処理装置５１には、第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂに洗浄液を供給するための洗浄液ノズル（図示せず）がさらに設けられていてもよい。かかる場合、チャック１００により重合ウェハＴを下方から保持することに代え、保持機構（図示せず）により重合ウェハＴの端部を保持してもよい。かかる場合であっても、ブラスト処理を第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂの全面に対して適切に行うため、重合ウェハＴは鉛直軸周りに回転可能に保持されることが好ましい。

また、以上の実施形態のブラスト処理装置５１では、ブラストノズル１０１によるブラスト処理（ステップＳ９）、洗浄液ノズル１０２による洗浄液の供給及びガスノズル１０３によるガスの供給（ステップＳ１０）を順次行ったが、これらステップＳ９とステップＳ１０は同時に行われてもよい。

また、以上の実施形態のブラスト処理装置５１は、内部にブラストノズル１０１、洗浄液ノズル１０２及びガスノズル１０３を設けることにより、ブラスト処理及び裏面Ｗ１ｂの洗浄を行った。換言すれば、上記実施形態にかかるウェハ処理システム１においては、ブラスト処理装置と洗浄装置を一体に構成した。一方、これらブラスト処理装置と洗浄装置は、別装置として設けられていてもよい。

また、以上の実施形態では、ブラスト処理後の第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ（処理対象領域Ｑ１、Ｑ２）のウェットエッチング処理をエッチング処理装置３０で行ったが、当該ウェットエッチング処理は、ブラスト処理装置５１の内部で行ってもよい。

また、以上の実施形態のブラスト処理装置５１では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂの凸部Ｐ１、Ｐ２にウェットブラスト処理を行ったが、ブラスト処理装置５１において行われるブラスト処理はドライブラスト処理であってもよい。

また、以上の実施形態のウェハ処理システム１では、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２とが接合された重合ウェハＴにおいて、第１のウェハＷ１を研削して薄化する場合を例に説明を行ったが、薄化される第１のウェハＷ１は第２のウェハＷ２と接合されていなくてもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ ウェハ処理システム
５１ ブラスト処理装置
７３ チャック
７４ 測定部
７７ 仕上研削ユニット
１０１ ブラストノズル
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ１ 第１のウェハ
Ｗ２ 第２のウェハ

Claims (18)

1. 基板を処理する基板処理方法であって、
   基板保持部で前記基板を保持することと、
   前記基板保持部に保持された前記基板を研削することと、
   研削された前記基板の厚み分布を測定することと、
   測定された前記基板の厚み分布に基づいて、当該基板の処理対象部分に局所的にブラスト処理を行うことと、を含む、基板処理方法。
2. 測定された前記基板の厚み分布に基づいて、前記処理対象部分に対する前記ブラスト処理の目標加工量を算出することと、
   予め求めた単位時間当たりの前記ブラスト処理の加工量を用いて、前記目標加工量から前記ブラスト処理の処理時間を算出することと、を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記ブラスト処理が行われた前記処理対象部分における前記基板の厚みを測定することを含み、
   測定された前記処理対象部分における前記基板の厚みが所望の厚みになるまで、前記処理対象部分に対する前記ブラスト処理と、前記処理対象部分における前記基板の厚みの測定とを繰り返し行う、請求項１に記載の基板処理方法。
4. 研削された前記基板の厚み分布を測定しながら、測定された前記基板の厚み分布に基づいて、前記処理対象部分に前記ブラスト処理を行う、請求項１に記載の基板処理方法。
5. 前記処理対象部分は、前記基板に形成された凸部であり、
   前記ブラスト処理では、ブラストノズルを前記処理対象部分の上方に配置した状態で、前記基板を回転させながら、前記ブラストノズルから前記処理対象部分にスラリーを噴射する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 前記処理対象部分は、前記基板に形成された凸部であり、
   前記ブラスト処理では、前記基板を停止させた状態で、ブラストノズルを前記処理対象部分の上方に配置し、当該ブラストノズルから前記処理対象部分にスラリーを噴射する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 前記処理対象部分に前記ブラスト処理を行った後、当該処理対象部分に洗浄液を供給する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
8. 前記処理対象部分に前記ブラスト処理を行った後、当該処理対象部分にガスを供給する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
9. 前記ブラスト処理が行われた前記処理対象部分に対してウェットエッチングを行うことを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
10. 基板を処理する基板処理装置であって、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された前記基板を研削する研削部と、
    前記研削部で研削された前記基板の厚み分布を測定する測定部と、
    前記基板にスラリーを噴射するブラストノズルを備え、前記測定部で測定された前記基板の厚み分布に基づいて、前記処理対象部分に局所的にブラスト処理を行うブラスト処理部と、を有する、基板処理装置。
11. 前記ブラスト処理部を制御する制御部を有し、
    前記制御部は、
    前記測定部で測定された前記基板の厚み分布に基づいて、前記処理対象部分に対する前記ブラスト処理の目標加工量を算出し、
    予め求めた単位時間当たりの前記ブラスト処理の加工量を用いて、前記目標加工量から前記ブラスト処理の処理時間を算出する、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記ブラスト処理部を制御する制御部を有し、
    前記ブラスト処理部は、前記ブラスト処理が行われた前記処理対象部分における前記基板の厚みを測定する測定センサを備え、
    前記制御部は、
    前記測定センサで測定された前記処理対象部分における前記基板の厚みが所望の厚みになるまで、前記ブラストノズルによる前記ブラスト処理と、前記測定センサによる前記基板の厚みの測定とを繰り返し行うように、前記ブラスト処理部を制御する、請求項１０に記載の基板処理装置。
13. 前記ブラスト処理部を制御する制御部を有し、
    前記ブラスト処理部は、前記ブラスト処理が行われた前記処理対象部分を含む領域の前記基板の厚み分布を測定する測定センサを備え、
    前記制御部は、
    前記測定センサによって前記基板の厚み分布を測定しながら、測定された前記基板の厚み分布に基づいて、前記ブラスト処理部による前記ブラスト処理を行うように、前記測定部と前記ブラスト処理部を制御する、請求項１０に記載の基板処理装置。
14. 前記ブラスト処理を制御する制御部を有し、
    前記処理対象部分は、前記基板の周縁部に環状に形成された凸部であり、
    前記制御部は、
    前記ブラスト処理において、前記ブラストノズルを前記処理対象部分の上方に配置した状態で、前記基板を回転させながら、前記ブラストノズルから前記処理対象部分にスラリーを噴射するように、前記ブラスト処理部を制御する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
15. 前記ブラスト処理を制御する制御部を有し、
    前記処理対象部分は、前記基板の中心部に形成された凸部であり、
    前記制御部は、
    前記ブラスト処理において、前記基板を停止させた状態で、前記ブラストノズルを前記処理対象部分の上方に配置し、当該ブラストノズルから前記処理対象部分にスラリーを噴射するように、前記ブラスト処理部を制御する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
16. 前記ブラスト処理部は、前記処理対象部分に洗浄液を供給する洗浄液ノズルを備える、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
17. 前記ブラスト処理部は、前記処理対象部分にガスを供給するガスノズルを備える、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
18. 前記ブラスト処理部で前記ブラスト処理が行われた前記処理対象部分に対してウェットエッチングを行うエッチング処理部を有する、請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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