JP2021180268A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus.
特許文献1には、上下方向に配置された複数の階層を備える基板処理装置が開示されている。この基板処理装置では、第1の階層が、所定の処理液を用いて基板の処理を行う第1の処理部を備え、第2の階層が、基板に対して温度処理を行う第2の処理部を備える。 Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus having a plurality of layers arranged in the vertical direction. In this substrate processing apparatus, the first layer includes a first processing unit that processes a substrate using a predetermined processing liquid, and the second layer is a second processing that performs temperature treatment on the substrate. It has a part.
本開示は、スループットの向上に有効な基板処理装置を提供する。 The present disclosure provides a substrate processing apparatus effective for improving throughput.
本開示の一側面に係る基板処理装置は、第1状態の基板を外部から受け入れて、第2状態の基板を外部に送り出す基板入出部と、互いに異なる処理を行う2つの処理部を含み、第1状態を第2状態にするための一連の処理を、第1状態の基板に対して行う第1グループの処理部と、互いに異なる処理を行う2つの処理部を含み、第1グループの処理部によって行われる一連の処理と同じ一連の処理を、第1状態の基板に対して行う第2グループの処理部と、第1状態の基板を基板入出部から第1グループの処理部に搬送し、第1グループの処理部により第2状態とされた基板を第1グループの処理部から基板入出部に搬送する第1搬送部と、第1状態の基板を基板入出部から第2グループの処理部に搬送し、第2グループの処理部により第2状態とされた基板を第2グループの処理部から基板入出部に搬送する第2搬送部とを備える。 The substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a substrate input / output unit that receives a substrate in the first state from the outside and sends the substrate in the second state to the outside, and two processing units that perform different processing. The processing unit of the first group includes a processing unit of the first group that performs a series of processing for changing one state to the second state and two processing units that perform different processing from each other. The same series of processing as the series of processing performed by the above is carried out to the processing unit of the second group that performs the same series of processing on the substrate in the first state and the substrate in the first state from the substrate inlet / output unit to the processing unit of the first group. The first transport section that transports the substrate in the second state by the processing section of the first group from the processing section of the first group to the board entry / exit section, and the processing section of the second group that transports the substrate in the first state from the substrate entry / exit section to the second group processing section. It is provided with a second transport section for transporting the substrate, which has been brought into the second state by the processing section of the second group, from the processing section of the second group to the substrate entry / exit section.
本開示によれば、スループットの向上に有効な基板処理装置が提供される。 According to the present disclosure, a substrate processing apparatus effective for improving throughput is provided.
以下、図面を参照して実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。一部の図面にはX軸、Y軸及びZ軸により規定される直交座標系が示される。以下の実施形態では、Z軸が上下方向に対応し、X軸及びY軸が水平方向に対応する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In the description, the same elements or elements having the same function are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted. Some drawings show a Cartesian coordinate system defined by the X, Y and Z axes. In the following embodiments, the Z-axis corresponds to the vertical direction, and the X-axis and the Y-axis correspond to the horizontal direction.
[第1実施形態]
まず、図1〜図5を参照して、基板処理装置の一例として、第1実施形態に係る基板処理装置1について説明する。図1に示される基板処理装置1は、複数のワークWに対して予め定められた一連の処理を施す装置である。処理対象のワークWは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークWに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークW(基板)は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークWは、ガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。
[First Embodiment]
First, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment will be described as an example of the substrate processing apparatus with reference to FIGS. 1 to 5. The substrate processing device 1 shown in FIG. 1 is a device that performs a predetermined series of processing on a plurality of work Ws. The work W to be processed is, for example, a substrate or a substrate in which a film, a circuit, or the like is formed by being subjected to a predetermined treatment. The substrate included in the work W is, for example, a wafer containing silicon. The work W (substrate) may be formed in a circular shape. The work W to be processed may be a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display), or the like, or may be an intermediate obtained by subjecting these substrates or the like to a predetermined treatment.
基板処理装置1による一連の処理としては、例えば、感光性被膜、上層膜、下層膜又はハードマスク等の被膜を形成するための一連の処理、及び露光処理後の感光性被膜に対する現像を行うための一連の処理が挙げられる。基板処理装置1は、被膜の形成を行う場合に、ワークWの表面Wa上に1種類の被膜を形成してもよく、2種類以上の被膜を形成してもよい。基板処理装置1は、現像処理を行わずに被膜の形成を行ってもよく、被膜の形成を行わずに現像処理を行ってもよい。 The series of treatments by the substrate processing apparatus 1 includes, for example, a series of treatments for forming a coating film such as a photosensitive film, an upper layer film, an lower layer film, or a hard mask, and development of the photosensitive film after the exposure treatment. A series of processing of. When forming a film, the substrate processing apparatus 1 may form one type of film on the surface Wa of the work W, or may form two or more types of film. The substrate processing apparatus 1 may form a film without performing the development process, or may perform the development process without forming the film.
基板処理装置1は、一連の処理前の状態(以下、「第1状態」という。)の複数のワークWを外部から受け入れて、受け入れた第1状態の複数のワークWそれぞれに一連の処理を施す。基板処理装置1は、一連の処理が施されることで得られる処理後の状態(以下、「第2状態」という。)の複数のワークWを外部に送り出す。1種類の被膜の形成を行う場合、第1状態のワークWでは、当該ワークWの表面Waに上記被膜が形成されておらず、第2状態のワークWでは、表面Wa上に上記被膜が形成されている。2種類以上の多層の被膜の形成を行う場合、第1状態のワークWでは、当該ワークWの表面Waに上記多層の被膜が形成されておらず、第2状態のワークWでは、表面Wa上に上記多層の被膜が形成されている。以下の第1実施形態の説明では、1種類の被膜の形成を行う基板処理装置1を例示する。 The substrate processing apparatus 1 accepts a plurality of work Ws in a state before a series of processes (hereinafter referred to as "first state") from the outside, and performs a series of processes for each of the received plurality of work Ws in the first state. Give. The substrate processing apparatus 1 sends out a plurality of work Ws in a state after processing (hereinafter, referred to as “second state”) obtained by performing a series of processing to the outside. When forming one type of film, in the work W in the first state, the film is not formed on the surface Wa of the work W, and in the work W in the second state, the film is formed on the surface Wa. Has been done. When forming two or more types of multilayer coatings, the multilayer coating is not formed on the surface Wa of the work W in the first state, and on the surface Wa in the work W in the second state. The above-mentioned multilayer film is formed on the surface. In the following description of the first embodiment, the substrate processing apparatus 1 for forming one type of coating film is illustrated.
基板処理装置1は、例えば、図1に示されるように、入出ブロック2(基板入出部)と、処理ブロック4と、制御装置100とを備える。入出ブロック2は、第1状態の複数のワークWを基板処理装置1の外部から受け入れて、第2状態の複数のワークWを基板処理装置1の外部に送り出す。入出ブロック2は、例えば、図2に示されるように、キャリアステーション6と、搬入搬出部8と、収容部12とを有する。
As shown in FIG. 1, the substrate processing device 1 includes, for example, an entry / exit block 2 (board entry / exit section), a
キャリアステーション6は、ワークW用の複数のキャリアCを支持する。キャリアCは、例えば円形の複数枚のワークWを収容する。キャリアCの一つの側面には、ワークWを出し入れするための開閉扉(不図示)が設けられている。キャリアCは、開閉扉が設けられている側面が搬入搬出部8に面するように、キャリアステーション6上に着脱自在に設置される。キャリアステーション6は、図3に示されるように、水平な一方向(図示のX軸方向)に沿って並ぶように複数の(4個の)キャリアCを支持してもよい。
The
搬入搬出部8は、図1に示されるように、キャリアステーション6と処理ブロック4との間に位置している。搬入搬出部8は、複数の開閉扉8aを有する。キャリアステーション6上にキャリアCが載置される際には、キャリアCの上記開閉扉が開閉扉8aに面した状態とされる。開閉扉8a及びキャリアCの開閉扉を同時に開放することで、キャリアC内と搬入搬出部8とが連通する。搬入搬出部8は、図2及び図3に示されるように、搬入出ユニット10を内蔵している。
As shown in FIG. 1, the carry-in / carry-
搬入出ユニット10は、第1状態のワークW(例えば、上記被膜が形成される前のワークW)をキャリアCから取り出して収容部12に搬送し、第2状態のワークW(例えば、上記被膜が形成された後のワークW)を収容部12から取り出してキャリアC内に戻す。これにより、第1状態のワークWが基板処理装置1内に受け入れられ、第2状態のワークWが基板処理装置1の外に送り出される。搬入出ユニット10は、例えば、ワークWを保持する保持アーム10aと、X軸方向に沿って並ぶ4個のキャリアCそれぞれと収容部12との間でワークWを搬送するように保持アーム10aを移動させる駆動機構10bとを有する。
The carry-in / out
収容部12は、第1状態の複数のワークWを一時的に収容し、第2状態の複数のワークWを一時的に収容する。収容部12は、例えば、複数のワークWがそれぞれ載置される複数のセルを有しており、当該複数のセルは、上下方向(図示のZ軸方向)に沿って並んで配置されている。収容部12の一のセルには、搬入出ユニット10によって第1状態のワークWが搬入され、収容部12の一のセルに収容されている第2状態のワークWは、搬入出ユニット10によって搬出される。収容部12は、図3に示されるように、搬入搬出部8と処理ブロック4との間に位置しており、X軸方向において入出ブロック2(基板処理装置1)の略中央に配置されている。
The
処理ブロック4は、図3に示されるように、搬送部20A(第1搬送部)と、搬送部20B(第2搬送部)と、第1状態の複数のワークWそれぞれに一連の処理を施す基板処理部16とを備える。搬送部20Aは、複数のワークWの一部を搬送する。搬送部20Bは、複数のワークWの残りの一部を搬送する。例えば、搬送部20Aの搬送対象となる複数のワークWは、搬送部20Bによって搬送されずに、搬送部20Bの搬送対象となる複数のワークWは、搬送部20Aによって搬送されない。
As shown in FIG. 3, the
搬送部20Aと搬送部20Bとは、水平な一方向(図示のX軸方向)において異なる位置に配置されており、収容部12のX軸方向における位置が、搬送部20Aと搬送部20BとのX軸方向における位置の間に位置している。搬送部20Aは、収容部12に収容されている第1状態のワークWを基板処理部16に搬送する。搬送部20Aは、第2状態のワークWを基板処理部16から収容部12に搬送する。搬送部20Bは、収容部12に収容されているワークWを基板処理部16に搬送する。搬送部20Bは、第2状態のワークWを基板処理部16から収容部12に搬送する。搬送部20A,20Bの詳細については後述する。
The
(基板処理部)
基板処理部16は、複数のワークWそれぞれに対して予め定められた一連の処理を順に施す複数の処理部を有する。基板処理部16に含まれる複数の処理部は、搬送部20Aによって搬送されるワークWに対する一連の処理を行う複数の処理部と、搬送部20Bによって搬送されるワークWに対する一連の処理を行う複数の処理部とに分けることができる。以下、搬送部20Aによって搬送されるワークWに対する一連の処理を行う複数の処理部を「第1グループの処理部」とし、搬送部20Bによって搬送されるワークWに対する一連の処理を行う複数の処理部を「第2グループの処理部」とする。基板処理部16が所定の被膜を形成するための一連の処理を行う場合、第2グループの処理部によって一連の処理が施されて得られる第2状態のワークW上の被膜は、第1グループの処理部によって一連の処理が施されて得られる第2状態のワークW上の被膜と同じものとなる。
(Board processing unit)
The
複数の処理部には、第1グループの処理部と第2グループの処理部との両方に属する処理部が含まれていてもよい。この場合、基板処理部16に含まれる複数の処理部は、第1グループの処理部と第2グループの処理部との両方に属する共通処理部と、第2グループの処理部に属さずに第1グループの処理部に属する個別処理部と、第1グループの処理部に属さずに第2グループの処理部に属する個別処理部とに分類することができる。本開示では、少なくとも一部の部材について上述の二つの一連の処理に共通して使用する処理部を共通処理部とする。基板処理部16は、例えば、処理液を用いた液処理、熱処理、及び検査処理を含む一連の処理を複数のワークWそれぞれに対して行う。以下、一連の処理に含まれる各処理を行うユニットについて説明する。
The plurality of processing units may include processing units that belong to both the processing unit of the first group and the processing unit of the second group. In this case, the plurality of processing units included in the
基板処理部16は、ワークWに対して液処理を行う複数の液処理ユニット40を有する。複数の液処理ユニット40は、図2に示されるように、上下方向において互いに積層されて(例えば3層に)配置されている。図3に示されるように、液処理ユニット40は、Y軸方向において収容部12との間に搬送部20A,20Bを挟むように配置されている。液処理ユニット40のX軸方向における中央部分は、Y軸方向において収容部12と対向している。
The
液処理ユニット40は、回転させている状態のワークWの表面Waに処理液(例えば、被膜形成用の処理液)を供給することで、処理液の塗布膜を形成する。液処理ユニット40は、例えば、図3に示されるように、回転保持部42A(第1保持ユニット)と、回転保持部42B(第2保持ユニット)と、液供給部44(液供給ユニット)とを有する。
The
回転保持部42Aは、搬送部20Aにより搬送されるワークWを保持する。回転保持部42Aは、例えば、ワークWを保持した状態で当該ワークWを鉛直な軸線周りに回転させる。回転保持部42Bは、搬送部20Bにより搬送されるワークWを保持する。回転保持部42Bは、例えば、ワークWを保持した状態で当該ワークWを鉛直な軸線周りに回転させる。搬送部20Aにより搬送されるワークWは、回転保持部42Bに保持されずに回転保持部42Aに保持される。搬送部20Bにより搬送されるワークWは、回転保持部42Aに保持されずに回転保持部42Bに保持される。
The
回転保持部42Aと回転保持部42Bとは、水平方向(図示のX軸方向)において互いに異なる位置に配置されており、互いに間隔を設けて配置されている。回転保持部42Aは、Y軸方向において搬送部20Aと対向するように配置され、回転保持部42Bは、Y軸方向において搬送部20Bと対向するように配置される。液処理ユニット40の筐体の搬送部20A,20Bに面する外壁には、回転保持部42Aに対するワークWの搬入出を行うための搬入出口と、回転保持部42Bに対するワークWの搬入出を行うための搬入出口とが形成されていてもよい。
The
液供給部44は、回転保持部42Aに保持されているワークWに処理液を供給可能であり、回転保持部42Bに保持されているワークWに処理液を供給可能である。液供給部44は、例えば、ノズル46と、保持アーム48aと、駆動部48bとを有する。
The
ノズル46は、回転保持部42A又は回転保持部42Bに保持されているワークWに向けて処理液を吐出する。ノズル46は、例えば、その吐出口が下方を向いた状態で、回転保持部42A,42Bに保持されているワークWに上方から処理液を吐出する。保持アーム48aは、ノズル46を保持する部材である。保持アーム48aは、回転保持部42A,42Bが並ぶ方向に垂直な方向(図示のY軸方向)に延びるように形成されており、保持アーム48aのY軸方向における一端部にノズル46が設けられる。保持アーム48aのY軸方向における他端部は、駆動部48bに接続されている。
The
駆動部48bは、保持アーム48a(ノズル46)を、回転保持部42A,42Bが並ぶ方向に沿って移動させるように構成されている。駆動部48bは、回転保持部42Aに保持されているワークWに処理液を供給する際に回転保持部42Aの上方にノズル46を配置し、回転保持部42Bに保持されているワークWに処理液を供給する際に回転保持部42Bの上方にノズル46を配置する。これにより、液供給部44は、回転保持部42A上のワークWと回転保持部42B上のワークWとのどちらにも処理液の供給が可能となる。
The
以上のように、液供給部44は、搬送部20Aの搬送対象となるワークWに対する液処理と、搬送部20Bの搬送対象となるワークWに対する液処理とに共通して使用される。液処理ユニット40における液処理では、一のワークWについての全体の処理時間に対して、回転保持部42A又は回転保持部42Bに保持されているワークWに処理液を供給する時間が占める割合が小さいので、液供給部44が共通して使用される。液処理ユニット40では、処理液をワークWに供給する液供給部44が共通して使用されるので、液処理ユニット40は、共通処理部(第1共通処理部)に分類される。
As described above, the
基板処理部16は、ワークWに対して熱処理を行う複数の熱処理ユニット50を更に有する。基板処理部16は、例えば、図3に示されるように、搬送部20A,20Bが並ぶ方向(図示のX軸方向)における処理ブロック4内の一端部に配置されている複数の熱処理ユニット50と、X軸方向における処理ブロック4内の他端部に配置されている複数の熱処理ユニット50とを含む。以下では、搬送部20Aに近い処理ブロック4内の一端部に配置されている熱処理ユニット50を「熱処理ユニット50A」と称し、搬送部20Bに近い処理ブロック4内の他端部に配置されている熱処理ユニット50を「熱処理ユニット50B」と称する。
The
複数の熱処理ユニット50Aは、図2に示されるように、上下方向において互いに積層されて(例えば4層に)配置されており、複数の熱処理ユニット50Bは、上下方向において互いに積層されて(例えば4層に)配置されている。各層の熱処理ユニット50A,50Bの高さ位置は互いに略一致しており、複数の熱処理ユニット50Aのうちの下から数えて1〜3層目の熱処理ユニット50Aの高さ位置は、3層の液処理ユニット40の高さ位置にそれぞれ対応(略一致)していてもよい。図3に示されるように、熱処理ユニット50A及び熱処理ユニット50Bは、搬送部20A,20B及び液処理ユニット40を間に挟むように配置されている。
As shown in FIG. 2, the plurality of heat treatment units 50A are stacked and arranged in the vertical direction (for example, in four layers), and the plurality of heat treatment units 50B are stacked in the vertical direction (for example, 4). (In layers) are arranged. The height positions of the heat treatment units 50A and 50B of each layer are substantially the same as each other, and the height positions of the heat treatment units 50A of the first to third layers counting from the bottom of the plurality of heat treatment units 50A are the liquids of the three layers. It may correspond to (substantially match) the height position of the
熱処理ユニット50(熱処理ユニット50A,50Bのそれぞれ)は、ワークWを冷却し、ワークWの表面Wa上に形成された処理液の塗布膜を加熱してもよい。熱処理ユニット50によって熱処理が行われることで、ワークWの表面Wa上に形成された処理液の塗布膜が固化する(被膜が形成される)。熱処理ユニット50は、例えば、搬入出部52と、加熱部54と、駆動部56とを有する。搬入出部52は、搬送部20A,20Bとの間でワークWの受け渡しを行う。搬入出部52は、例えば、ワークWが載置される(ワークWを保持する)プレートを含む。搬入出部52は、ワークWを冷却するための冷却プレートを含んでいてもよい。
The heat treatment unit 50 (each of the heat treatment units 50A and 50B) may cool the work W and heat the coating film of the treatment liquid formed on the surface Wa of the work W. By performing the heat treatment by the
加熱部54は、熱処理ユニット50の長手方向において搬入出部52と並んで配置されている。加熱部54は、熱板を含んでおり、熱板上にワークWを載置させた状態で当該ワークWを加熱する。駆動部56は、熱処理ユニット50の長手方向において、搬入出部52のプレート(プレート上のワークW)を移動させることで、当該プレートと加熱部54との間でワークWの受け渡しを可能にする。
The
熱処理ユニット50Aの筐体のうち搬送部20Aに面する外壁(当該外壁のうちの搬送部20Aと対向する部分)には、熱処理ユニット50A(搬入出部52)に対するワークWの搬入出を行うための搬入出口が形成されていてもよい。熱処理ユニット50Bの筐体のうちの搬送部20Bに面する外壁(当該外壁のうちの搬送部20Bと対向する部分)には、熱処理ユニット50B(搬入出部52)に対するワークWの搬入出を行うための搬入出口が形成されていてもよい。
In order to carry in and out the work W to the heat treatment unit 50A (carry-in / out part 52) on the outer wall of the heat treatment unit 50A facing the
熱処理ユニット50A,50Bそれぞれは、その長手方向(搬入出部52と駆動部56とが並ぶ方向)が、液処理ユニット40の回転保持部42A,42Bが並ぶ方向に垂直な方向(図示のY軸方向)に沿うように配置されている。熱処理ユニット50A,50Bそれぞれは、搬入出部52から水平な一方向に張り出すように配置されている。例えば、熱処理ユニット50A,50Bそれぞれは、搬入出口の近傍に位置する搬入出部52から、Y軸方向に沿って収容部12から離れる方向(Y軸正方向)に張り出している。熱処理ユニット50A,50Bの少なくとも一部のY軸方向における位置は、液処理ユニット40のY軸方向における位置と重なっている。例えば、熱処理ユニット50Aの加熱部54と熱処理ユニット50Bの加熱部54とは、回転保持部42A,42Bが並ぶ方向(X軸方向)において液処理ユニット40を挟んでいる。
The longitudinal direction of each of the heat treatment units 50A and 50B (the direction in which the loading /
以上のように、熱処理ユニット50A,50Bそれぞれは、共通して使用される部材を有しないので個別処理部に分類される。熱処理ユニット50Aは、搬送部20AからワークWを受け取るので第1グループの処理部に含まれ、熱処理ユニット50Bは、搬送部20BからワークWを受け取るので第2グループの処理部に含まれる。
As described above, each of the heat treatment units 50A and 50B does not have a member commonly used, and is therefore classified as an individual processing unit. The heat treatment unit 50A is included in the processing unit of the first group because it receives the work W from the
基板処理部16は、図2及び図4に示されるように、ワークWに対する検査を行う複数の(例えば2個の)検査ユニット60を更に有する。なお、図4には、検査ユニット60を含めた状態での平面図が示されており、上述の説明に用いた図3には、検査ユニット60を除いた状態での平面図が示されている。複数の検査ユニット60それぞれは、搬送部20Aによって搬送されるワークWの検査と搬送部20Bによって搬送されるワークWの検査とのいずれも行う。
As shown in FIGS. 2 and 4, the
複数の検査ユニット60は、互いに積層されて配置されており、複数の液処理ユニット40の上又は下に配置されてもよい。例えば、複数の検査ユニット60は、図2に示されるように、最上層の液処理ユニット40上に順に重ねて配置されている。この場合、複数の検査ユニット60の高さ位置は、最上層の熱処理ユニット50の高さ位置に対応(略一致)している。検査ユニット60の少なくとも一部は、図4に示されるように、液処理ユニット40の回転保持部42A及び回転保持部42Bの間の位置において当該液処理ユニット40の上又は下に(例えば上に)重なっていてもよい。検査ユニット60は、回転保持部42A,42Bが並ぶ方向に垂直な方向(図示のY軸方向)に沿って延びるように形成されていてもよい。
The plurality of
検査ユニット60は、ワークWの撮像を行うことで当該ワークWの検査を行ってもよい。検査ユニット60は、例えば、回転保持部62と、水平駆動部64と、撮像部66とを有する。回転保持部62は、ワークWを保持した状態で鉛直な回転軸まわりに当該ワークWを回転させる。水平駆動部64は、ワークWを保持した状態の回転保持部62を検査ユニット60の長手方向(図示のY軸方向)に沿って移動させる。
The
撮像部66は、ワークWを撮像可能に構成されている。撮像部66は、例えば、水平駆動部64により移動している回転保持部62上のワークWを撮像可能なラインセンサを含んでいてもよい。撮像部66は、検査ユニット60内の長手方向における一端部(収容部12から遠い方の端部)に回転保持部62が配置された状態で、回転保持部62により回転しているワークWの周縁を撮像可能なカメラを含んでいてもよい。検査ユニット60の筐体のうちの長手方向の一端部(収容部12に近い方の端部)に位置する外壁には、検査ユニット60に対するワークWの搬入出を行うための搬入出口が形成されていてもよい。
The
このように、検査ユニット60では、搬送部20A,20Bとの間で搬入出口を介してワークWの受け渡しが行われる受渡位置と検査(撮像)が行われる検査位置とが、検査ユニット60の長手方向に沿って並んでいる。そして、受渡位置と収容部12との間の距離が、検査位置と収容部12との間の距離よりも短くなるように、受渡位置と検査位置とが並んでいてもよい。以上の検査ユニット60では、全体が共通して使用されるので、検査ユニット60は共通処理部(第2共通処理部)に分類される。検査ユニット60のスループット(単位時間あたりのワークWの処理枚数)は、熱処理ユニット50のスループットよりも大きい。このため、検査ユニット60を共通して使用しても、基板処理装置1全体でのスループットへの影響が小さい。
As described above, in the
上述した基板処理部16の一例では、第1グループの処理部は、液処理ユニット40と、熱処理ユニット50Aと、検査ユニット60とを含み、第2グループの処理部は、液処理ユニット40と、熱処理ユニット50Bと、検査ユニット60とを含む。なお、基板処理部16は、第1グループ及び第2グループの処理部の両方に属する処理部として、ワークWの検査以外の処理を行う処理ユニットを含んでいてもよい。基板処理部16は、第2グループに属さずに第1グループの処理部に属する液処理ユニットと、第1グループに属さずに第2グループの処理部に属する別の液処理ユニットとを含んでもよい。
In the above-mentioned example of the
(搬送部)
ここで、図5(a)及び図5(b)も参照しつつ、搬送部20A,20Bの一例について詳細に説明する。搬送部20Aと搬送部20Bとは、互いに同様に構成されている。搬送部20A,20Bは、例えば、図5(a)に示されるように、保持アーム22と、水平駆動部24と、回転駆動部26と、基台28と、昇降駆動部30とを有する。
(Transport section)
Here, an example of the
保持アーム22は、ワークWを保持するように構成されている。保持アーム22は、例えば、ワークWの表面Waが上方を向くように保持する。保持アーム22は、ワークWの表面Waとは反対側の裏面Wbの周縁部を支持するように形成されていてもよい。搬送部20A,20Bは、保持アーム22を移動させることによって、ワークWの搬送を行う。
The holding
水平駆動部24は、例えば、モータ等の動力源によって、水平な一方向に沿って保持アーム22を往復移動させる水平アクチュエータである。水平駆動部24は、保持アーム22を移動させる方向(保持アーム22の延在方向)に沿って延びるように形成されていてもよい。水平駆動部24は、図5(b)に示されるように、回転駆動部26を介して基台28に支持されている。水平駆動部24が保持アーム22を支持しているので、保持アーム22も基台28に支持されている。回転駆動部26は、モータ等の動力源によって、水平駆動部24を鉛直な回転軸まわりに回転させるように構成された回転アクチュエータである。
The
回転駆動部26が水平駆動部24を鉛直な回転軸まわりに回転させることで、水平駆動部24による保持アーム22の移動方向(基台28の長手方向に対する傾き)が変化する。水平駆動部24が保持アーム22を移動させることで、基台28に対する保持アーム22(ワークW)の位置が変化する。一例では、水平駆動部24は、保持アーム22の先端部(ワークWを保持する部分)が基台28と重なる位置と、保持アーム22の先端部が基台28と重ならない位置との間で保持アーム22を移動させる。基台28のX軸方向における一端部には、昇降駆動部30が接続されている。
When the
昇降駆動部30は、モータ等の動力源によって、基台28を上下方向に沿って移動させる昇降アクチュエータである。昇降駆動部30は、例えば、上下方向に沿って延びるように形成されており、その下端部が処理ブロック4の底面に固定されている。そのため、上面視において、昇降駆動部30及び基台28の位置は一定である。昇降駆動部30により基台28が上下方向に移動することで、保持アーム22(ワークW)も上下方向に移動する。
The elevating
以上のように構成された搬送部20AによってワークWが搬送される領域(以下、「搬送領域RA」という。)の外縁は、上面視において、図4に示されるように、搬送部20Aの回転駆動部26による回転軸を中心とした環状となる。搬送部20BによってワークWが搬送される領域(以下、「搬送領域RB」という。)の外縁は、搬送部20Bの回転駆動部26による回転軸を中心とした環状となる。上面視において、搬送部20Aの搬送領域RAの環状の外縁に沿って、収容部12、熱処理ユニット50A(搬入出部52)、液処理ユニット40(回転保持部42A)、及び検査ユニット60(収容部12に近い方の一端部)が並んでいる。搬送部20Bの搬送領域RBの環状の外縁に沿って、収容部12、熱処理ユニット50B(搬入出部52)、液処理ユニット40(回転保持部42B)、及び検査ユニット60(収容部12に近い方の一端部)が並んでいる。
As shown in FIG. 4, the outer edge of the region where the work W is transported by the
(制御装置)
続いて、図4及び図6を参照して制御装置100の一例について説明する。制御装置100は、基板処理装置1を制御する。図4に示されるように、制御装置100は、機能上の構成(以下、「機能モジュール」という。)として、例えば、受入制御部102と、第1処理制御部104と、第2処理制御部106と、送出制御部108とを有する。
(Control device)
Subsequently, an example of the
受入制御部102は、基板処理装置1での処理前の第1状態のワークWを外部から受け入れるように入出ブロック2を制御する。受入制御部102は、例えば、キャリアステーション6上のいずれかのキャリアCからワークWを取り出すように搬入出ユニット10を制御する。受入制御部102は、キャリアCから取り出して保持アーム10aに保持されているワークWを収容部12のいずれかのセルに収容するように搬入出ユニット10を制御する。これにより、キャリアC内(基板処理装置1の外部)から基板処理装置1内にワークWが受け入れられる。
The
第1処理制御部104は、収容部12に収容されている第1状態のワークWに対して、基板処理装置1での一連の処理が行われるように搬送部20A及び基板処理部16(第1グループの処理部)を制御する。第1処理制御部104は、収容部12に収容されている第1状態のワークWを第1グループの処理部に搬送するように搬送部20Aを制御する。第1処理制御部104は、第1状態のワークWに対して、液処理、熱処理及び検査処理を含む一連の処理を行うように、第1グループの処理部(液処理ユニット40、熱処理ユニット50A、及び検査ユニット60)と搬送部20Aとを制御する。第1処理制御部104は、第1グループの処理部により第2状態とされたワークWを、第1グループの処理部から収容部12に搬送するように搬送部20Aを制御する。
The first
第2処理制御部106は、収容部12に収容されている第1状態のワークWに対して、基板処理装置1での一連の処理が行われるように搬送部20B及び基板処理部16(第2グループの処理部)を制御する。第2処理制御部106は、収容部12に収容されている第1状態のワークWを第2グループの処理部に搬送するように搬送部20Bを制御する。第2処理制御部106は、第1状態のワークWに対して、液処理、熱処理及び検査処理を含む一連の処理を行うように、第2グループの処理部(液処理ユニット40、熱処理ユニット50B、及び検査ユニット60)と搬送部20Bとを制御する。第2処理制御部106は、第2グループの処理部により第2状態とされたワークWを、第2グループの処理部から収容部12に搬送するように搬送部20Bを制御する。
The second
送出制御部108は、基板処理装置1での処理後の第2状態のワークWを外部に送り出すように入出ブロック2を制御する。送出制御部108は、例えば、第1グループの処理部又は第2グループの処理部により第2状態とされ、収容部12に収容されているワークWを取り出すように搬入出ユニット10を制御する。送出制御部108は、収容部12から取り出して保持アーム10aに保持されているワークWを、キャリアステーション6上のいずれかのキャリアCに搬入するように搬入出ユニット10を制御する。これにより基板処理装置1内からキャリアC内(基板処理装置1の外部)にワークWが送り出される。
The
制御装置100は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置100は、図6に示される回路120を有する。回路120は、一つ又は複数のプロセッサ122と、メモリ124と、ストレージ126と、入出力ポート128とを有する。ストレージ126は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する基板処理方法を制御装置100に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ124は、ストレージ126の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ122による演算結果を一時的に記憶する。
The
プロセッサ122は、メモリ124と協働して上記プログラムを実行する。入出力ポート128は、プロセッサ122からの指令に従って、入出ブロック2、搬送部20A,20B、液処理ユニット40、熱処理ユニット50、及び検査ユニット60等との間で電気信号の入出力を行う。なお、制御装置100のハードウェア構成は、専用の論理回路又はこれを集積したASIC(Application Specific Integrated Circuit)により構成されていてもよい。
The
(基板処理方法)
続いて、図7を参照して、基板処理方法の一例として基板処理装置1において実行される被膜の形成処理について説明する。図7は、一つのワークWに対する被膜の形成処理の一例を示すフローチャートである。
(Board processing method)
Subsequently, with reference to FIG. 7, a film forming process executed in the substrate processing apparatus 1 will be described as an example of the substrate processing method. FIG. 7 is a flowchart showing an example of a film forming process for one work W.
図7に示されるように、制御装置100は、まず、ステップS11を実行する。ステップS11では、例えば、受入制御部102が、キャリアステーション6上のいずれかのキャリアCからワークWを取り出すように搬入出ユニット10を制御する。そして、受入制御部102は、キャリアCから取り出して保持アーム10aに保持されているワークWを収容部12のいずれかのセルに収容するように搬入出ユニット10を制御する。
As shown in FIG. 7, the
次に、制御装置100は、ステップS12を実行する。ステップS12では、例えば、制御装置100が、処理対象のワークWを、第1グループの処理部及び第2グループの処理部のいずれのグループによってワークWを処理するかを選択する。制御装置100は、第1グループの処理部を選択した場合には、処理対象のワークWを搬送する搬送部として搬送部20Aを選択し、第2グループの処理部を選択した場合には、処理対象のワークWを搬送する搬送部として搬送部20Bを選択する。
Next, the
例えば、制御装置100は、予め定められた動作スケジュールに基づいて、処理対象のワークWについての処理を行うグループ及び搬送を行う搬送部を選択する。あるいは、制御装置100は、第1グループの処理部及び第2グループの処理部の処理状況に応じて、グループを選択してもよい。例えば、第1グループの処理部で処理中のワークWの枚数が第2グループの処理部で処理中のワークWの枚数よりも多い場合には、制御装置100は、第2グループの処理部(搬送部20B)を選択する。一方、第1グループの処理部で処理中のワークWの枚数が第2グループの処理部で処理中のワークWの枚数よりも少ない場合には、制御装置100は、第1グループの処理部(搬送部20A)を選択する。以下では、ステップS02において選択されたグループの処理部及び搬送部を「選択グループの処理部」及び「選択搬送部」とそれぞれ称する。第1処理制御部104及び第2処理制御部106のうちの選択グループの処理部及び選択搬送部の制御を行う処理制御部を「選択処理制御部」と称する。
For example, the
次に、制御装置100は、ステップS13,S14を実行する。ステップS13では、例えば、選択処理制御部が、収容部12に収容されている第1状態のワークWを、いずれかの検査ユニット60に搬送するように選択搬送部を制御する。ステップS15では、選択処理制御部が、検査ユニット60に搬入された第1状態のワークWの検査を行うように検査ユニット60を制御する。一例では、選択処理制御部は、第1状態のワークWの表面Wa全体を撮像部66により撮像させることで、検査ユニット60にワークWを検査させる。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS15を実行する。ステップS15では、例えば、選択処理制御部が、検査ユニット60による検査後のワークWを検査ユニット60から液処理ユニット40に搬送するように選択搬送部を制御する。この際、選択処理制御部は、検査後のワークWが、回転保持部42A,42Bのうちの選択グループの処理部に属する回転保持部に載置されるように選択搬送部及び液処理ユニット40を制御する。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS16を実行する。ステップS16では、例えば、選択搬送部が、ステップS15において回転保持部に載置されたワークWの表面Wa上に処理液の塗布膜を形成するように液処理ユニット40を制御する。一例では、選択処理制御部は、上記回転保持部により回転しているワークWの表面Waに液供給部44により処理液を供給させる。そして、選択処理制御部は、液供給部44による処理液の供給を停止した状態で、上記回転保持部によりワークWを所定時間回転させる。これにより、ワークWの表面Wa上に処理液の塗布膜が形成される。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS17を実行する。ステップS17では、例えば、選択処理制御部が、処理液の塗布膜が形成されたワークWを液処理ユニット40から、選択グループの処理部に属する熱処理ユニット50に搬送するように選択搬送部を制御する。この際、選択処理制御部は、塗布膜の形成後のワークWが熱処理ユニット50の搬入出部52(例えば冷却プレート)に配置されるように選択搬送部及びその熱処理ユニット50を制御する。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS18を実行する。ステップS18では、例えば、選択処理制御部が、処理液の塗布膜が形成されたワークWに対して熱処理を施すように、ステップS17においてワークWが搬入された熱処理ユニット50を制御する。一例では、選択処理制御部は、加熱部54によりワークWの表面Wa上の塗布膜を加熱させ、当該加熱後において、搬入出部52によりワークWを冷却させる。これにより、ワークWの表面Wa上に被膜が形成される。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS19,S20を実行する。ステップS19では、例えば、選択処理制御部が、被膜形成後のワークWを熱処理ユニット50から検査ユニット60に搬送するように選択搬送部を制御する。ステップS19では、例えば、選択処理制御部が、検査ユニット60に搬入された被膜形成後のワークWの検査を行うように検査ユニット60を制御する。一例では、選択処理制御部は、ワークWの表面Wa全体を撮像部66により撮像させることで、検査ユニット60にワークW(表面Wa上の被膜の状態)を検査させる。以上のステップS20までの処理に含まれる一連の処理が実行されることで、被膜が形成された状態である第2状態のワークWが得られる。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS21,S22を実行する。ステップS21では、例えば、選択処理制御部が、選択グループの処理部によって第2状態とされたワークWを検査ユニット60から収容部12のいずれかのセルに搬送するように選択搬送部を制御する。ステップS22では、例えば、送出制御部108が、選択グループの処理部により第2状態とされたワークWを、収容部12から取り出すように搬入出ユニット10を制御する。そして、送出制御部108は、収容部12から取り出して保持アーム10aに保持されているワークWを、キャリアステーション6上のいずれかのキャリアCに搬入するように搬入出ユニット10を制御する。以上により、一つのワークWに対する被膜の形成処理が終了する。この一のワークWに対する被膜の形成処理では、選択されていない搬送部によってワークWの搬送は行われず、選択されていないグループの処理部によってワークWの処理が行われない。
Next, the
制御装置100は、上述のステップS11〜S22と同様に、複数のワークWそれぞれに対する被膜の形成処理を行うように基板処理装置1を制御してもよい。この場合、制御装置100は、複数のワークWの一部それぞれに対して、搬送部20A及び第1グループの処理部によって一連の処理を実行させてもよい。搬送部20A及び第1グループの処理部は、一のワークWに対する一連の処理と、別のワークWに対する一連の処理とを並行して行ってもよい。例えば、ステップS16において一のワークWについての液処理が行われている間に、制御装置100は、搬送部20A及び第1グループの処理部に、別のワークWについてのステップS13,S14の処理を実行させてもよい。
The
制御装置100は、搬送部20A及び第1グループの処理部の搬送・処理対象となる複数のワークWとは別の複数のワークWそれぞれに対して、搬送部20B及び第2グループの処理部によって一連の処理を実行させる。制御装置100は、一のグループのワークWに対する搬送部20A及び第1グループの処理部による一連の処理と、別のグループのワークWに対する搬送部20B及び第2グループの処理部による一連の処理とを並行して基板処理装置1に実行させる。
The
搬送部20B及び第2グループの処理部による一連の処理についてのステップS16では、第2処理制御部106が、回転保持部42Bにより回転させているワークWの表面Waに液供給部44により処理液を供給させる。回転保持部42B上のワークWへの処理液の供給は、第1処理制御部104が処理液供給後に回転保持部42AによりワークWを回転させている期間の少なくとも一部と重複する期間において行われてもよい。
In step S16 regarding a series of processing by the
上述した被膜の形成処理は一例であり、適宜変更可能である。例えば、上述したステップ(処理)の一部が省略されてもよいし、別の順序で各ステップが実行されてもよい。また、上述したステップのうちの任意の2以上のステップが組み合わされてもよいし、ステップの一部が修正または削除されてもよい。あるいは、上記の各ステップに加えて他のステップが実行されてもよい。一例として、ステップS13,S14の処理とステップS19,S20の処理とのいずれか一方が省略されてもよい。ステップS13,S14の処理とステップS19,S20の処理とが省略されてもよい。この場合、基板処理部16は、複数の検査ユニット60を備えていなくてもよい。
The above-mentioned film forming treatment is an example and can be changed as appropriate. For example, some of the steps (processes) described above may be omitted, or the steps may be executed in a different order. Further, any two or more steps among the above-mentioned steps may be combined, or a part of the steps may be modified or deleted. Alternatively, other steps may be performed in addition to each of the above steps. As an example, either the process of steps S13 and S14 and the process of steps S19 and S20 may be omitted. The processing of steps S13 and S14 and the processing of steps S19 and S20 may be omitted. In this case, the
(第1実施形態の効果)
以上に説明した基板処理装置1は、第1状態のワークWを外部から受け入れて、第2状態のワークWを外部に送り出す入出ブロック2と、互いに異なる処理を行う2つの処理部を含み、第1状態を第2状態にするための一連の処理を、第1状態のワークWに対して行う第1グループの処理部と、互いに異なる処理を行う2つの処理部を含み、第1グループの処理部によって行われる一連の処理と同じ一連の処理を、第1状態のワークWに対して行う第2グループの処理部と、第1状態のワークWを入出ブロック2から第1グループの処理部に搬送し、第1グループの処理部により第2状態とされたワークWを第1グループの処理部から入出ブロック2に搬送する搬送部20Aと、第1状態のワークWを入出ブロック2から第2グループの処理部に搬送し、第2グループの処理部により第2状態とされたワークWを第2グループの処理部から入出ブロック2に搬送する搬送部20Bと、を備える。
(Effect of the first embodiment)
The substrate processing apparatus 1 described above includes an input /
この基板処理装置1では、ワークWに対する一連の処理を第1グループの処理部と第2グループの処理部とによって並行して行うことができる。そして、第1グループの処理部と入出ブロック2との間でワークWを搬送する搬送部20Aが備えられ、第2グループの処理部と入出ブロック2との間でワークWを搬送する搬送部20B(搬送部20Aとは別の搬送部20B)が備えられる。このため、一連の処理に伴う搬送処理についても並行して行うことができ、基板処理装置1のスループットの向上に有効である。
In this substrate processing apparatus 1, a series of processing for the work W can be performed in parallel by the processing unit of the first group and the processing unit of the second group. Then, a
以上の基板処理装置1において、第1グループの処理部は、第2グループの処理部にも属する共通処理部と、第2グループの処理部には属さない個別処理部とを含んでもよい。共通処理部のスループットは、個別処理部のスループットよりも大きくてもよい。共通処理部において、第1グループの処理部による一連の処理の一部と、第2グループの処理部による一連の処理の一部とが行われても、当該共通処理部のスループットは大きいので、基板処理装置1全体でのスループットに対する影響は小さい。従って、スループットの向上と基板処理装置1の簡素化との両立に有効である。 In the above-mentioned substrate processing apparatus 1, the processing unit of the first group may include a common processing unit that also belongs to the processing unit of the second group and an individual processing unit that does not belong to the processing unit of the second group. The throughput of the common processing unit may be larger than the throughput of the individual processing unit. Even if a part of the series of processing by the processing unit of the first group and a part of the series of processing by the processing unit of the second group are performed in the common processing unit, the throughput of the common processing unit is large, so that the throughput of the common processing unit is large. The effect on the throughput of the entire substrate processing device 1 is small. Therefore, it is effective in achieving both improvement in throughput and simplification of the substrate processing apparatus 1.
以上の基板処理装置1において、共通処理部は、搬送部20Aによって搬送されるワークWと搬送部20Bによって搬送されるワークWとの検査を行う検査ユニットを含んでもよい。この場合、検査ユニットを共通に使用することで、検査結果の装置間ばらつきの抑制に有効である。
In the above-mentioned substrate processing apparatus 1, the common processing unit may include an inspection unit that inspects the work W conveyed by the
以上の基板処理装置1において、第1グループの処理部は、第2グループの処理部にも属する第1共通処理部を含んでもよい。第1共通処理部は、搬送部20Aによって搬送されるワークWを保持する回転保持部42Aと、水平方向において回転保持部42Aと異なる位置に配置され、搬送部20Bによって搬送されるワークWを保持する回転保持部42Bと、回転保持部42Aに保持されているワークWと、回転保持部42Bに保持されているワークWとに処理液を供給可能な液供給部44とを含んでもよい。この場合、第1共通処理部の一部である液供給部44が共通に使用される。そのため、並行処理によるスループットの向上と一連の処理の一部の処理を行う処理部の簡素化との両立に有効である。
In the above-mentioned substrate processing apparatus 1, the processing unit of the first group may include the first common processing unit that also belongs to the processing unit of the second group. The first common processing unit is arranged at a position different from the
以上の基板処理装置1において、第1グループの処理部は、第2グループの処理部にも属する第2共通処理部を更に含んでもよい。第2共通処理部の少なくとも一部は、回転保持部42Aと回転保持部42Bとの間の位置において第1共通処理部の上又は下に重なっていてもよい。回転保持部42A,42Bを第1グループでの処理及び第2グループでの処理にそれぞれ使用しようとすると、回転保持部42A,42Bとの間にある程度の領域が必要となる場合がある。上記構成では、回転保持部42A,42Bとの間に生じる領域に第2共通処理部の少なくとも一部を重ねることで、上面視において当該領域を有効に使用している。従って、基板処理装置1の設置面積の増加を抑制するのに有用である。
In the above-mentioned substrate processing apparatus 1, the processing unit of the first group may further include a second common processing unit that also belongs to the processing unit of the second group. At least a part of the second common processing unit may overlap above or below the first common processing unit at a position between the
[第2実施形態]
基板処理装置の入出ブロック(基板入出部)は、1つの収容部及び1つの搬入出ユニットに代えて、2つの収容部と、当該2つの収容部にそれぞれ対応する2つの搬入出ユニットとを備えてもよい。図8及び図9には、第2実施形態に係る基板処理装置1Aが示されている。基板処理装置1Aは、入出ブロック2に代えて入出ブロック2A(基板入出部)を備え、処理ブロック4に代えて処理ブロック4Aを備える点において基板処理装置1と相違する。
[Second Embodiment]
The loading / unloading block (board loading / unloading section) of the board processing device is provided with two housing sections and two loading / unloading units corresponding to the two storage sections in place of one storage section and one loading / unloading unit. You may. 8 and 9 show the
入出ブロック2Aは、搬入出ユニット10に代えて、搬入出ユニット10A及び搬入出ユニット10Bを有する点、及び収容部12に代えて、収容部12A及び収容部12Bを有する点において入出ブロック2と相違する。図9に示されるように、キャリアステーション6に支持されている複数のキャリアCが並ぶ方向(X軸方向)において、収容部12A及び収容部12Bは、互いに異なる位置に配置されている。収容部12Aは、搬入出ユニット10Aと搬送部20Aとの間に配置されており、収容部12Bは、搬入出ユニット10Bと搬送部20Bとの間に配置されている。
The loading /
搬入出ユニット10A,10Bは、搬入出ユニット10と同様に構成されているが、キャリアステーション6上の複数のキャリアCのうちの一部(例えば、2個)からワークWを取り出す点で搬入出ユニット10と異なる。一例では、搬入出ユニット10Aは、キャリアステーション6のX軸方向の一端から数えて1番目と2番目に位置する2個のキャリアCから第1状態のワークWを取り出し、搬入出ユニット10Bは、3番目と4番目に位置する2個のキャリアCから第1状態のワークWを取り出す。
The loading /
搬入出ユニット10Aは、キャリアCから取り出したワークWを収容部12Aに収容する(搬入する)。搬入出ユニット10Bは、キャリアCから取り出したワークWを収容部12Bに収容する(搬入する)。搬入出ユニット10A及び搬入出ユニット10Bによって、第1状態の複数のワークWが収容部12Aと収容部12Bとに振り分けられる。このように、搬入出ユニット10A及び搬入出ユニット10Bは、第1状態のワークWを収容部12A及び収容部12Bのいずれか一方に収容する基板振分部として機能する。搬入出ユニット10Aは、第2状態のワークWを収容部12Aから搬出し、搬出した第2状態のワークWを対応するキャリアCに搬入する。搬入出ユニット10Bは、第2状態のワークWを収容部12Bから搬出し、搬出した第2状態のワークWを対応するキャリアCに搬入する。
The carry-in / out
収容部12A,12Bそれぞれは、収容部12と同様に、上下方向に並ぶ複数のセルを有する。上面視において、収容部12Aは、基板処理装置1AのX軸方向における一端と、基板処理装置1AのX軸方向における中央との間に配置されており、X軸方向において上記中央寄りに配置されている。上面視において、収容部12Bは、基板処理装置1AのX軸方向における他端と、基板処理装置1AのX軸方向における中央との間に配置されており、X軸方向において上記中央寄りに配置されている。一例では、X軸方向において、収容部12Aの位置は搬送部20Aに対応(略一致)しており、収容部12Bの位置は搬送部20Bに対応(略一致)している。
Each of the
収容部12Aは、第1状態のワークW及び第2状態のワークWの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット60A(第1検査ユニット)を含む。検査ユニット60Aは、収容部12Aに含まれる複数のセルの1つに配置されていてもよい。この場合、検査ユニット60Aは、長手方向が収容部12Aと収容部12Bとが並ぶ方向(X軸方向)に沿うように配置されてもよく、収容部12Aに重ならない部分が収容部12AよりもX軸方向における外側に位置していてもよい。検査ユニット60Aは、収容部12Aのセルと重なる部分にワークWの搬入出口を有してもよい。検査ユニット60A内のワークWの受け渡しを行う受渡位置が収容部12Aに重なり、検査ユニット60A内の搬入出口を基準とした奥に位置する検査位置が収容部12Aに重なっていなくてもよい。
The
収容部12Bは、第1状態のワークW及び第2状態のワークWの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット60B(第2検査ユニット)を含む。検査ユニット60Bは、収容部12Bに含まれる複数のセルの1つに配置されていてもよい。この場合、検査ユニット60Bは、その長手方向がX軸方向に沿うように配置されてもよく、収容部12Bに重ならない部分が収容部12BよりもX軸方向における外側に位置していてもよい。検査ユニット60Aと検査ユニット60Bとの間隔は、収容部12Aと収容部12Bとの間の間隔と略一致していてもよい。検査ユニット60Bは、収容部12Bのセルと重なる部分にワークWの搬入出口を有してもよい。検査ユニット60B内のワークWの受け渡しを行う受渡位置が収容部12Bに重なり、検査ユニット60B内の搬入出口を基準とした奥に位置する検査位置が収容部12Bに重なっていなくてもよい。
The
搬入出ユニット10Aは、第1状態又は第2状態のワークWを、収容部12Aのセルと検査ユニット60Aとの間で搬送してもよく、第1状態のワークWをキャリアCから検査ユニット60Aまで搬送してもよく、第2状態のワークWを検査ユニット60AからキャリアCまで搬送してもよい。搬入出ユニット10Bは、第1状態又は第2状態のワークWを、収容部12Bのセルと検査ユニット60Bとの間で搬送してもよく、第1状態のワークWをキャリアCから検査ユニット60Bまで搬送してもよく、第2状態のワークWを検査ユニット60BからキャリアCまで搬送してもよい。
The loading /
処理ブロック4Aは、複数の検査ユニット60に代えて、3層の液処理ユニット40に重ねて配置されている1つの液処理ユニット40を更に有する点において処理ブロック4と相違する。処理ブロック4Aでは、第1グループの処理部が、熱処理ユニット50Aと液処理ユニット40とを含み、第2グループの処理部が、熱処理ユニット50Bと液処理ユニット40とを含む。処理ブロック4Aの搬送部20Aは、収容部12A、液処理ユニット40、及び熱処理ユニット50Aの間でワークWを搬送する。上面視において、搬送部20Aの搬送領域RAの外縁に沿って、収容部12A、熱処理ユニット50A、及び液処理ユニット40(回転保持部42A)が並ぶ。
The
処理ブロック4Aの搬送部20Bは、収容部12B、液処理ユニット40、及び熱処理ユニット50Bの間でワークWを搬送する。上面視において、搬送部20Bの搬送領域RBの外縁に沿って、収容部12B、熱処理ユニット50B、及び液処理ユニット40(回転保持部42B)が並ぶ。X軸方向において、搬送部20Aの昇降駆動部30(第1昇降アクチュエータ)、搬送部20Aの基台28(第1基台)、搬送部20Bの基台28(第2基台)、及び搬送部20Bの昇降駆動部30(第2昇降アクチュエータ)は、この順で配置されていてもよい。搬送部20Aの基台28と搬送部20Bの基台28とは、X軸方向において互いに間隔を設けて配置されていてもよい。
The
搬送部20Aは、第1状態のワークWを収容部12Aから搬出し、第1グループの処理部(液処理ユニット40及び熱処理ユニット50A)によって第2状態とされたワークWを収容部12Aに搬入する。搬送部20Aは、第1状態のワークWを収容部12Aから搬出する際に、当該ワークWを収容部12Aのセルから搬出してもよく、当該ワークWを検査ユニット60Aから搬出してもよい。搬送部20Aは、第2状態のワークWを収容部12Aに搬入する際に、当該ワークWを収容部12Aのセルに搬入してもよく、当該ワークWを検査ユニット60Aに搬入してもよい。
The
搬送部20Bは、第1状態のワークWを収容部12Bから搬出し、第2グループの処理部(液処理ユニット40及び熱処理ユニット50B)によって第2状態とされたワークWを収容部12Bに搬入する。搬送部20Bは、第1状態のワークWを収容部12Bから搬出する際に、当該ワークWを収容部12Bのセルから搬出してもよく、当該ワークWを検査ユニット60Bから搬出してもよい。搬送部20Bは、第2状態のワークWを収容部12Bに搬入する際に、当該ワークWを収容部12Bのセルに搬入してもよく、当該ワークWを検査ユニット60Bに搬入してもよい。
The
基板処理装置1Aにおいて実行される被膜の形成処理では、外部からのワークWの受け入れを行う処理の途中において、検査ユニット60A,60Bによって第1状態のワークWの検査が行われてもよい。例えば、制御装置100(受入制御部102)は、第1状態のワークWをキャリアCから検査ユニット60Aに搬送するように搬入出ユニット10Aを制御し、搬入されたワークWの検査を検査ユニット60Aに実行させてもよい。受入制御部102は、搬入出ユニット10Aによる搬送対象のワークWとは別の第1状態のワークWをキャリアCから検査ユニット60Bに搬送するように搬入出ユニット10Bを制御し、搬入されたワークWの検査を検査ユニット60Bに実行させてもよい。
In the film forming process executed by the
基板処理装置1Aにおいて実行される被膜の形成処理では、外部へのワークWの送り出しを行う処理の途中において、検査ユニット60A,60Bによって第2状態のワークWの検査が行われてもよい。例えば、制御装置100(送出制御部108)は、搬送部20Aにより検査ユニット60Aに搬入された第2状態のワークWの検査を、検査ユニット60Aに実行させてもよい。送出制御部108は、搬送部20Bにより検査ユニット60Bに搬入された第2状態のワークWの検査を、検査ユニット60Bに実行させてもよい。
In the film forming process executed by the
(第2実施形態の効果)
以上に説明した基板処理装置1Aにおいても、基板処理装置1と同様に、第1グループの処理部による一連の処理と第2グループの処理部による一連の処理とに伴う搬送処理について並行して行うことができ、スループットの向上に有効である。
(Effect of the second embodiment)
In the
以上の基板処理装置1Aにおいて、入出ブロック2は、水平方向において互いに異なる位置に配置されている収容部12A及び収容部12Bと、第1状態のワークWを収容部12A及び収容部12Bのいずれか一方に収容する基板振分部とを有してもよい。搬送部20Aは、第1状態のワークWを収容部12Aから搬出し、第2状態のワークWを収容部12Aに搬入してもよい。搬送部20Bは、第1状態のワークWを収容部12Bから搬出し、第2状態のワークWを収容部12Bに搬入してもよい。この場合、一つの収容部が設けられる場合に比べて、収容部に対する搬送部20A及び搬送部20BによるワークWの搬入出動作を互いの影響を受けずに行うことができる。
In the above-mentioned
以上の基板処理装置1Aにおいて、入出ブロック2は、第1状態のワークWを収容部12Aに搬入し、第2状態のワークWを収容部12Aから搬出する搬入出ユニット10Aと、第1状態のワークWを収容部12Bに搬入し、第2状態のワークWを収容部12Bから搬出する搬入出ユニット10Bとを有してもよい。搬送動作も含めて一連の処理を並行して行うので、ワークWの受け入れ及び送り出し動作(入出動作)がボトルネックとなる場合がある。上記構成では、入出動作も並行して行うことができるので、基板処理装置のスループットの向上に更に有効である。
In the above-mentioned
以上の基板処理装置1Aにおいて、収容部12Aは、第1状態のワークW及び第2状態のワークWの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット60Aを含んでもよい。収容部12Bは、第1状態のワークW及び第2状態のワークWの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット60Bを含んでもよい。この場合、収容部において一時的にワークWを待機させる機会を利用して、ワークWの検査を行うことができる。従って、基板処理装置のスループットの向上に更に有効である。
In the above-mentioned
以上の基板処理装置1Aにおいて、搬送部20Aは、ワークWを保持する第1保持アームと、第1保持アームを支持する第1基台と、第1基台を昇降させる第1昇降アクチュエータとを有してもよい。搬送部20Bは、ワークWを保持する第2保持アームと、第2保持アームを支持する第2基台と、第2基台を昇降させる第2昇降アクチュエータとを有してもよい。水平な一方向において、第1昇降アクチュエータ、第1基台、第2基台、及び第2昇降アクチュエータがこの順で配置されており、第1基台及び第2基台は、互いに間隔を空けて配置されていてもよい。この場合、第1基台及び第2基台の間の領域を利用して、搬送部20A,20Bのメンテナンスを行うことができる。
In the above-mentioned
第1実施形態に係る基板処理装置1の一部の要素が、以上の基板処理装置1Aに適用されてもよい。例えば、基板処理装置1Aの入出ブロック2Aは、搬入出ユニット10A,10Bに代えて、一つの搬入出ユニット10を有してもよい。この場合、搬入出ユニット10が、収容部12A又は収容部12BにワークWを振り分ける基板振分部として機能する。
Some elements of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment may be applied to the above
第2実施形態に係る基板処理装置1Aの一部の要素が、第1実施形態に係る基板処理装置1に適用されてもよい。例えば、基板処理装置1の入出ブロック2は、一つの搬入出ユニット10に代えて、搬入出ユニット10A,10Bを備えてもよい。入出ブロック2は、搬入出ユニット10を備え、一つの収容部12に代えて、収容部12A,12Bを備えてもよい。
Some elements of the
[第3実施形態]
基板処理装置において、第1グループの処理部及び第1グループの処理部に対応する搬送部と、第2グループの処理部及び第2グループの処理部に対応する搬送部とが、上下方向において互いに異なる位置に配置されていてもよい。図10及び図11には、第3実施形態に係る基板処理装置1Bが示されている。基板処理装置1Bは、入出ブロック2Aに代えて入出ブロック2B(基板入出部)を備え、処理ブロック4Aに代えて処理ブロック4Bを備える点において基板処理装置1Aと相違する。処理ブロック4Aは、処理モジュール78A〜78Dを有する。処理モジュール78A〜78Dは、上からこの順に積層されている。処理モジュール78A〜78Dの一例については後述する。
[Third Embodiment]
In the substrate processing apparatus, the transport unit corresponding to the processing unit of the first group and the processing unit of the first group and the transport unit corresponding to the processing unit of the second group and the processing unit of the second group are mutually in the vertical direction. It may be arranged in different positions. 10 and 11 show the
入出ブロック2Bは、収容部12A,12Bに代えて、収容部18A,18B及び収容部68を有する点、搬入出ユニット14A,14Bを更に有する点において入出ブロック2Aと装置する。図11に示されるように、収容部18A(第3収容部)は、Y軸方向において搬入出ユニット10Aに並んで配置され、収容部18B(第4収容部)は、Y軸方向において搬入出ユニット10Bに並んで配置されている。収容部18A及び収容部18Bは、X軸方向において互いに異なる位置に配置されている。
The entry /
収容部18Aは、第1状態のワークW及び第2状態のワークWの少なくとも一方の検査を行う複数の検査ユニット60A(第1検査ユニット)を含んでもよい。複数の検査ユニット60Aは、上下方向に並んで配置されている。収容部18Bは、第1状態のワークW及び第2状態のワークWの少なくとも一方の検査を行う複数の検査ユニット60B(第2検査ユニット)を含んでもよい。複数の検査ユニット60Bは、上下方向に並んで配置されている。検査ユニット60A,60Bそれぞれは、その長手方向がX軸方向に沿うように配置されている。
The
検査ユニット60Aとキャリアステーション6との間に位置する搬入出ユニット10A(第3搬入出ユニット)は、基板処理装置1Bでの処理前の第1状態のワークWをキャリアCから取り出し、取り出した第1状態のワークWを収容部18A(検査ユニット60A)に搬入する。搬入出ユニット10Aは、基板処理装置1Bでの処理後の第2状態のワークWを収容部18A(検査ユニット60A)から搬出し、搬出した第2状態のワークWをキャリアCに搬入する。検査ユニット60Bとキャリアステーション6との間に位置する搬入出ユニット10B(第4搬入出ユニット)は、第1状態のワークWをキャリアCから取り出し、取り出した第1状態のワークWを収容部18B(検査ユニット60B)に搬入する。搬入出ユニット10Bは、第2状態のワークWを収容部18B(検査ユニット60B)から搬出し、搬出した第2状態のワークWをキャリアCに搬入する。
The loading /
収容部68は、Y軸方向において収容部18A,18Bと処理ブロック4Bとの間に配置されており、X軸方向において収容部18A,18Bの間に配置されている。収容部68は、図10に示されるように、収容部68A〜68Dを含む。収容部68A〜68Dそれぞれは、第1状態の複数のワークWを一時的に収容し、第2状態の複数のワークWを一時的に収容する。収容部68A〜68Dそれぞれは、例えば、複数のワークWがそれぞれ載置される複数のセルを有しており、当該複数のセルは、上下方向に沿って並んで配置されている。収容部68A〜68Dは、上からこの順に積層されている。収容部68Aの高さ位置は、処理モジュール78Aの高さ位置に対応(略一致)している。収容部68B〜68Dの高さ位置は、収容部68Aと処理モジュール78Aとの高さ位置の関係と同様に、処理モジュール78B〜78Dの高さ位置にそれぞれ対応(略一致)している。
The
搬入出ユニット14A(第1搬入出ユニット)は、Y軸方向において搬入出ユニット10Aとの間に収容部18Aを挟むように配置されている。搬入出ユニット14B(第2搬入出ユニット)は、Y軸方向において搬入出ユニット10Bとの間に収容部18Bを挟むように配置されている。搬入出ユニット14A及び搬入出ユニット14Bは、X軸方向において互いに異なる位置に配置されている。搬入出ユニット14Aと搬入出ユニット14Bとは、収容部68を間に挟んでいる。
The carry-in / out
搬入出ユニット14Aは、例えば、ワークWを保持する保持アーム14aと、収容部18Aと収容部68との間でワークWを搬送するように保持アーム14aを移動させる駆動機構14bとを有する。搬入出ユニット14Bは、例えば、ワークWを保持する保持アーム14aと、収容部18Bと収容部68との間でワークWを搬送するように保持アーム14aを移動させる駆動機構14bとを有する。
The carry-in / out
搬入出ユニット14Aは、第1状態のワークWを収容部18Aから収容部68A〜68Dのいずれか一つに搬送する。搬入出ユニット14Aは、第2状態のワークWを収容部68(収容部68A〜68D)から収容部18Aに搬送する。搬入出ユニット14Bは、第1状態のワークWを収容部18Bから収容部68A〜68Dのいずれか一つに搬送する。搬入出ユニット14Bは、第2状態のワークWを収容部68(収容部68A〜68D)から収容部18Bに搬送する。搬入出ユニット14A及び搬入出ユニット14Bによって、基板処理装置1B内に受け入れた第1状態の複数のワークWが、収容部68A〜68Dに振り分けられる。このように、搬入出ユニット14A及び搬入出ユニット14Bは、第1状態のワークWを収容部68A〜68Dのいずれか一つに収容する基板振分部として機能する。
The carry-in / out
収容部68A〜68Dに振り分けられた第1状態の複数のワークWは、処理モジュール78A〜78Dによって一連の処理が施される。処理モジュール78A〜78Dは、互いに同様に構成されており、第1状態を第2状態にするための互いに同じ一連の処理(例えば、同じ被膜を形成するための同じ処理)をワークWに施す。
The plurality of work Ws in the first state distributed to the
処理モジュール78Aは、収容部68A(第1収容部)に振り分けられた第1状態のワークWに対して一連の処理を行う複数の処理部を有する。処理モジュール78Aは、例えば、液処理ユニット40と複数の熱処理ユニット50とを有する。液処理ユニット40と複数の熱処理ユニット50とは、互いに同じ高さ位置に配置されている。処理モジュール78Aは、収容部68Aと液処理ユニット40及び熱処理ユニット50との間でワークWを搬送する搬送部70(第1搬送部)を更に有する。上面視において、搬送部70は、複数の熱処理ユニット50が並ぶ方向に直交する方向(図示のX軸方向)において、熱処理ユニット50と液処理ユニット40との間に配置されている。
The
搬送部70は、液処理ユニット40と複数の熱処理ユニット50との間に位置する搬送領域においてワークWを搬送する。搬送部70によってワークWが搬送される搬送領域は、複数の熱処理ユニット50が並ぶ方向(図示のY軸方向)に延びている。搬送部70は、例えば、水平駆動部72を更に有する点、昇降駆動部30が水平駆動部72に支持されている点において搬送部20A,20Bと相違する。水平駆動部72は、モータ等の駆動力によって、昇降駆動部30をY軸方向に沿って移動させるように構成された水平アクチュエータである。以上の搬送部70は、第1状態のワークWを収容部68Aから液処理ユニット40に搬送し、処理モジュール78Aの液処理ユニット40及び熱処理ユニット50によって第2状態とされたワークWを収容部68Aまで搬送する。
The
処理モジュール78Bは、収容部68B(第2収容部)に振り分けられた第1状態のワークWに対して、処理モジュール78Aによる一連の処理と同じ一連の処理を行う複数の処理部を有する。処理モジュール78Bは、例えば、処理モジュール78Aと同様に、液処理ユニット40と、複数の熱処理ユニット50と、搬送部70(第2搬送部)とを有する。処理モジュール78Bにおいて、液処理ユニット40、熱処理ユニット50、及び搬送部70の配置は、処理モジュール78Aでの対応する部材の配置と同じである。処理モジュール78Bの搬送部70は、第2状態のワークWを収容部68Bから液処理ユニット40に搬送し、処理モジュール78Bの液処理ユニット40及び熱処理ユニット50によって第2状態とされたワークWを収容部68Bまで搬送する。
The
処理モジュール78C,78Dも、処理モジュール78A,78Bと同様に、一連の処理を行う液処理ユニット40及び熱処理ユニット50と、これらの複数の処理部と収容部68C,68Dとの間でワークWを搬送する搬送部70とを有する。以下では、第1状態のワークWに対して一連の処理を行う処理モジュール78Aの複数の処理部を「第1グループの処理部」とし、第1状態のワークWに対して上記一連の処理と同じ一連の処理を行う処理モジュール78Bの複数の処理部を「第2グループの処理部」とする。基板処理装置1Bにおいては、第1グループの処理部は、処理モジュール78Aの液処理ユニット40と熱処理ユニット50とを含んでおり、第2グループの処理部は、処理モジュール78Bの液処理ユニット40と熱処理ユニット50とを含んでいる。処理モジュール78Aと処理モジュール78Bとの高さ位置が互いに異なるので、第1グループの処理部と第2グループの処理部との高さ位置も互いに異なる。
Similar to the
基板振分部として機能する搬入出ユニット14A及び搬入出ユニット14Bは、第1グループの処理部及び第2グループの処理部の処理対象となる第1状態のワークWを、収容部68Aと収容部68Bのいずれか一方に収容する(振り分ける)。搬入出ユニット14Aは、第1グループの処理部及び第2グループの処理部の処理対象となる第1状態のワークWを、収容部18Aから収容部68A及び収容部68Bのいずれか一方に搬送する。搬入出ユニット14Bは、第1グループの処理部及び第2グループの処理部の処理対象となる第1状態のワークWを、収容部18Bから収容部68A及び収容部68Bのいずれか一方に搬送する。
The carry-in / out
基板処理装置1Bにおいて実行される被膜の形成処理のワークWの受け入れでは、受入制御部102は、第1状態のワークWをキャリアCから検査ユニット60Aに搬送するように搬入出ユニット10Aを制御し、搬入出ユニット10Aの搬送対象とは別の第1状態のワークWをキャリアCから検査ユニット60Bに搬送するように搬入出ユニット10Bを制御する。受入制御部102は、搬入出ユニット10Aにより搬入された第1状態のワークWの検査を検査ユニット60Aに実行させ、搬入出ユニット10Bにより搬入された第1状態のワークWの検査を検査ユニット60Bに実行させる。受入制御部102は、検査後の第1状態のワークWを検査ユニット60Aから収容部68A〜68Dのいずれかに搬送するように搬入出ユニット14Aを制御し、検査後の第1状態のワークWを検査ユニット60Bから収容部68A〜68Dのいずれかに搬送するように搬入出ユニット14Bを制御する。
In accepting the work W of the film forming process executed in the
基板処理装置1Bにおいて実行される被膜の形成処理の一連の処理では、第1処理制御部104は、第1グループの処理部によって第1状態のワークWに一連の処理が行われ、第2状態のワークWを収容部68Aに搬入するように処理モジュール78Aを制御する。第2処理制御部106は、第2グループの処理部によって第1状態のワークWに一連の処理が行われ、第2状態のワークWを収容部68Bに搬入するように処理モジュール78Bを制御する。
In a series of processing of the film forming process executed in the
基板処理装置1Bにおいて実行される被膜の形成処理のワークWの送り出しでは、送出制御部108は、第2状態のワークWを収容部68から検査ユニット60Aに搬送するように搬入出ユニット14Aを制御する。また、送出制御部108は、搬入出ユニット14Aの搬送対象とは別の第2状態のワークWを収容部68から検査ユニット60Bに搬送するように搬入出ユニット10Bを制御する。送出制御部108は、搬入出ユニット14Aにより搬入された第2状態のワークWの検査を検査ユニット60Aに実行させ、搬入出ユニット14Bにより搬入された第2状態のワークWの検査を検査ユニット60Bに実行させる。送出制御部108は、検査後の第2状態のワークWを検査ユニット60AからキャリアCに搬送するように搬入出ユニット10Aを制御し、検査後の第2状態のワークWを検査ユニット60BからキャリアCに搬送するように搬入出ユニット10Bを制御する。
In the delivery of the work W for the film forming process executed in the
(変形例)
基板処理装置は、ワークWの受け入れと送り出しとを行う入出ブロックに代えて、外部から第1状態のワークWを受け入れる受入ブロックと、第2状態のワークWを外部に送り出す送出ブロックとを備えてもよい。図12は、変形例に係る基板処理装置1Cが示されており、基板処理装置1Cは、入出ブロック2Bに代えて受入ブロック2Cと送出ブロック80とを備える点、及び処理ブロック4Bに代えて処理ブロック4Cを備える点において、基板処理装置1Bと相違する。処理ブロック4Cは、処理モジュール78C,78Dを有しない点において処理ブロック4Bと相違する。
(Modification example)
The substrate processing apparatus includes an accepting block that accepts the work W in the first state from the outside and a sending block that sends the work W in the second state to the outside, instead of the input / output block that accepts and sends out the work W. May be good. FIG. 12 shows a
受入ブロック2Cは、第2状態のワークWを基板処理装置の外に送り出す機能を有していない点、及び収容部68が収容部68C,68Dを含んでいない点において入出ブロック2Bと相違する。制御装置100(受入制御部102)は、基板処理装置1Bへの制御と同様に、外部から複数のワークWを受け入れるように受入ブロック2Cを制御する。なお、入出ブロック2B及び受入ブロック2Cは、搬入出ユニット10A,10Bに代えて搬入出ユニット10を有し、収容部18B及び搬入出ユニット14Bを有さずに収容部18A及び搬入出ユニット14Aを有してもよい。
The receiving
送出ブロック80は、露光装置86に接続されており、処理モジュール78A,78Bによって第2状態とされたワークWを露光装置86(基板処理装置1Cの外)に送り出す。送出ブロック80は、例えば、処理モジュール78A,78Bの下に配置されており、収容部82と搬入出ユニット84とを有する。収容部82は、搬入出ユニット14A,14Bによって搬入された第2状態のワークWを一時的に収容する。搬入出ユニット84は、収容部82から第2状態のワークWを取り出して、露光装置86に送り出す。基板処理装置1Cにおいては、受入ブロック2Cと送出ブロック80とが、第1状態のワークWを外部から受け入れ、第2状態のワークWを外部へ送り出す基板入出部として機能する。
The
以上に説明した基板処理装置1B,1Cにおいても、基板処理装置1と同様に、第1グループの処理部による一連の処理と第2グループの処理部による一連の処理とに伴う搬送処理について並行して行うことができ、スループットの向上に有効である。
In the
以上の基板処理装置1B,1Cにおいて、第1グループの処理部と第2グループの処理部とは、互いに異なる高さ位置に配置されていてもよい。基板入出部は、第1グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている収容部68Aと、第2グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている収容部68Bと、第1状態のワークWを収容部68A及び収容部68Bのいずれか一方に収容する基板振分部とを有してもよい。この場合、上面視において、同じ一連の処理を行う一のグループの処理部と他のグループの処理部とを同じ領域に配置することができるので、並行して一連の処理を行う2以上のグループの処理部による設置面積の増加の抑制に有効である。
In the above
以上の基板処理装置1B,1Cにおいて、基板振分部は、搬入出ユニット14A及び搬入出ユニット14Bを有してもよい。基板入出部は、水平方向において互いに異なる位置に配置されている収容部18A及び収容部18Bと、収容部18Aに第1状態のワークWを搬入する搬入出ユニット10Aと、収容部18Bに第1状態のワークWを搬入する搬入出ユニット10Bとを更に有してもよい。搬入出ユニット14Aは、第1状態のワークWを収容部18Aから収容部68A及び収容部68Bのいずれか一方に搬送してもよい。搬入出ユニット14Bは、第1状態のワークWを収容部18Bから収容部68A及び収容部68Bのいずれか一方に搬送してもよい。この場合、水平に分配された2グループのワークWを上下方向において異なるグループに振り分ける2つの動作を並行して行うことができるので、この上下方向へのワークWの振り分けにおける処理速度の向上に有効である。
In the above-mentioned
収容部18Aは、第1状態のワークW及び第2状態のワークWの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット60Aを含んでもよい。収容部18Bは、第1状態のワークW及び第2状態のワークWの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット60Bを含んでもよい。この場合、収容部において一時的にワークWを待機させる機会を利用して、ワークWの検査を行うことができる。従って、基板処理装置のスループットの向上に更に有効である。
The
[第4実施形態]
基板処理装置は、感光性被膜(例えばレジスト膜)を含む2種類以上の被膜を形成する処理と、露光処理後の感光性被膜の現像処理とを行ってもよい。図13及び図14には、第4実施形態に係る基板処理装置200が示されている。基板処理装置200は、処理前の第1状態のワークWに対して、レジスト膜を含む複数の被膜の形成処理を含む一連の処理を施す。基板処理装置200は、一連の処理を施すことで得られる第2状態のワークWを外部の露光装置に送り出し、露光処理後のワークWを受け入れる。基板処理装置200は、露光処理後のワークWに現像処理を施して、現像処理後のワークWを外部に送り出す。
[Fourth Embodiment]
The substrate processing apparatus may perform a process of forming two or more types of films including a photosensitive film (for example, a resist film) and a process of developing the photosensitive film after the exposure process. 13 and 14 show the
基板処理装置200は、例えば、入出ブロック202と、処理ブロック204と、インターフェースブロック206とを備える。入出ブロック202は、第1状態の複数のワークWを外部から受け入れ、現像処理後のワークWを外部に送り出す。処理ブロック204は、複数の被膜の形成処理を行う処理モジュール220A〜220Cと、現像処理を行う処理モジュール220Dとを有する。処理モジュール220A〜220Dは、下からこの順で積層されている。これらの処理モジュールの詳細については後述する。
The
入出ブロック202は、例えば、キャリアステーション6と、搬入搬出部8と、収容部216とを有する。収容部216は、図13に示されるように、収容部216A〜216Dを含む。収容部216A〜216Cそれぞれは、第1状態の複数のワークWを一時的に収容し、収容部216Dは、現像処理後の複数のワークWを一時的に収容する。収容部68A〜68Dそれぞれは、例えば、複数のワークWがそれぞれ載置される複数のセルを有しており、当該複数のセルは、上下方向に沿って並んで配置されている。
The loading /
収容部216A〜216Dは、下からこの順に積層されている。収容部216Aの高さ位置は、処理モジュール220Aの高さ位置に対応(略一致)している。収容部216B〜216Dの高さ位置は、収容部216Aと処理モジュール220Aとの高さ位置の関係と同様に、処理モジュール220B〜220Dの高さ位置にそれぞれ対応(略一致)している。搬入搬出部8の搬入出ユニット10は、第1状態のワークWをキャリアCから収容部216A〜216Cのいずれかに搬送する(振り分ける)。搬入出ユニット10は、現像処理後のワークWを収容部216DからキャリアCに搬送する。
The
収容部216A〜216Cに搬送された複数のワークWは、処理モジュール220A〜220Cによって一連の処理が施される。処理モジュール220A〜220Cは、互いに同様に構成されており、互いに同じ一連の処理をワークWに施す。処理モジュール220A〜220Cのそれぞれは、例えば、一連の処理として、下層膜、レジスト膜、及び上層膜の形成と、ワークWの洗浄処理とを行う。
The plurality of work W conveyed to the
処理モジュール220Aは、収容部216A(第1収容部)に搬送された(振り分けられた)第1状態のワークWに対して一連の処理を行う複数の処理部を有する。処理モジュール220Aは、例えば、図14に示されるように、液処理ユニットU11,U12,U13と、複数の洗浄処理ユニットU14と、複数の熱処理ユニットU2とを有する。これらの複数の処理ユニットは、互いに同じ高さ位置に配置されている。
The
液処理ユニットU11は、第1状態のワークWの表面Waに下層膜形成用の処理液を供給する。いずれかの熱処理ユニットU2は、下層膜形成用の処理液の塗布膜が形成されたワークWの熱処理を行う。液処理ユニットU12は、下層膜形成後のワークWの表面Waにレジスト膜形成用の処理液(例えばレジスト)を供給する。いずれかの熱処理ユニットU2は、レジストの塗布膜が形成されたワークWの熱処理を行う。液処理ユニットU13は、レジスト膜形成後のワークWの表面Waに上層膜形成用の処理液を供給する。いずれかの熱処理ユニットU2は、上層膜形成用の処理液の塗布膜が形成されたワークWの熱処理を行う。洗浄処理ユニットU14は、上層膜形成後のワークWの裏面Wbに対して洗浄液を用いた洗浄処理を行う。 The liquid treatment unit U11 supplies a treatment liquid for forming an underlayer film to the surface Wa of the work W in the first state. One of the heat treatment units U2 heat-treats the work W on which the coating film of the treatment liquid for forming the lower layer film is formed. The liquid treatment unit U12 supplies a treatment liquid (for example, resist) for forming a resist film to the surface Wa of the work W after forming the lower layer film. One of the heat treatment units U2 heat-treats the work W on which the resist coating film is formed. The liquid treatment unit U13 supplies a treatment liquid for forming an upper layer film to the surface Wa of the work W after forming the resist film. One of the heat treatment units U2 heat-treats the work W on which the coating film of the treatment liquid for forming the upper layer film is formed. The cleaning treatment unit U14 performs a cleaning treatment using a cleaning liquid on the back surface Wb of the work W after the upper layer film is formed.
処理モジュール220Aは、搬送部230を更に有する。搬送部230は、収容部216A、上記の複数の処理ユニット、及びインターフェースブロック206の間においてワークWを搬送する。
The
処理モジュール220Aは、一連の処理を行う中間において、処理対象のワークWを一時的に収容する中間収容部240を更に有する。中間収容部240に一連の処理の途中でワークWを収容することで、一連の処理を「前段の処理」と「後段の処理」とに分けることができる。以下では、一連の処理のうちの中間収容部240によって収容される前の前段の処理を行う1又は複数の処理部を「前段処理部」という。一連の処理のうちの中間収容部240によって収容された後の後段の処理を行う1又は複数の処理部を「後段処理部」という。例えば、前段処理部は、液処理ユニットU11,U12,U13と、複数の熱処理ユニットU2とを含み、後段処理部は、少なくとも1つの洗浄処理ユニットU14(図14に示す例では、2個の洗浄処理ユニットU14)を含む。
The
搬送部230は、前段処理部に対応する搬送アーム232(第1搬送アーム)と、後段処理部に対応する搬送アーム234(第2搬送アーム)とを含む。搬送アーム232は、収容部216Aに収容されているワークWを前段処理部に搬送し、前段処理部の処理に伴うワークWの搬送を行う。搬送アーム232は、前段処理部による前段の処理が行われた後のワークWを中間収容部240に搬入する。搬送アーム234は、搬送アーム232により中間収容部240に搬入されたワークWを、中間収容部240から後段処理部に搬送する。搬送アーム234は、後段処理部による後段の処理後のワークW(一連の処理後の第2状態のワークW)をインターフェースブロック206に搬送する。
The
処理モジュール220Aには、搬送部230によってワークWの搬送が行われる搬送領域TRが含まれる。搬送領域TRは、処理モジュール220AのX軸方向の中央部分に位置しており、Y軸方向に延びている。処理モジュール220Aには、搬送領域TRが延びる方向と上下方向とに垂直な方向(X軸方向)において、搬送領域TRを間に挟む第1処理領域PR1と第2処理領域PR2とが更に含まれる。第1処理領域PR1において、複数の熱処理ユニットU2及び一の洗浄処理ユニットU14(複数の第1処理部)が、Y軸方向に並んで配置されている。第2処理領域PR2において、液処理ユニットU11,U12,U13及び一の洗浄処理ユニットU14(複数の第2処理部)が、Y軸方向に並んで配置されている。
The
上下方向から見て、中間収容部240の少なくとも一部は、第2処理領域PR2に重なっている。例えば、中間収容部240は、搬送領域TRと第2処理領域PR2とに跨るように配置されている。中間収容部240は、X軸方向において、第1処理領域PR1に配置されている複数の第1処理部の一部と対向している。例えば、中間収容部240は、複数の熱処理ユニットU2のうちの収容部216から最も離れる熱処理ユニットU2と、搬送アーム232の一部の部材を間に挟んで対向している。図14に示される例では、第1処理領域PR1のY軸方向における幅に対して、複数の第1処理部(5個の熱処理ユニットU2と洗浄処理ユニットU14)の幅の合計が占める割合に比べて、第2処理領域PR2のY軸方向における幅に対して、複数の第2処理部(液処理ユニットU11,U12,U13と洗浄処理ユニットU14)の幅の合計が占める割合が小さい。
When viewed from the vertical direction, at least a part of the intermediate
処理モジュール220Aの上に重ねられる処理モジュール220Bは、収容部216B(第2収容部)に搬入された第1状態のワークWに対して、処理モジュール220Aによる一連の処理と同じ一連の処理を行う複数の処理部を有する。処理モジュール220Bは、例えば、処理モジュール220Aと同様に、液処理ユニットU11,U12,U13と、複数の洗浄処理ユニットU14と、複数の熱処理ユニットU2と、搬送部230と、中間収容部240とを有する。処理モジュール220Bにおいて、これらの複数の処理部等の配置は、処理モジュール220Aでの対応する処理部等の配置と同じである。処理モジュール220Bの搬送部230(搬送アーム232,234)は、収容部216B、複数の処理部、中間収容部240及びインターフェースブロック206の間でワークWを搬送する。
The
処理モジュール220Cも、処理モジュール220A,220Bと同様に、下層膜の形成から洗浄処理までの一連の処理を行う複数の処理部と、搬送部230と、中間収容部240とを有する。処理モジュール220Dは、現像処理を行う現像処理ユニットU15と、現像処理に伴う熱処理を行う熱処理ユニットU2と、処理モジュール220D内でワークWを搬送する搬送部238とを有する。以下では、第1状態のワークWに対して一連の処理を行う処理モジュール220Aの複数の処理部を「第1グループの処理部」とし、第1状態のワークWに対して上記一連の処理と同じ一連の処理を行う処理モジュール220Bの複数の処理部を「第2グループの処理部」とする。第1状態のワークWに対して上記一連の処理と同じ一連の処理を行う処理モジュール220Cの複数の処理部を「第3グループの処理部」とする。
Similar to the
第1グループの処理部の処理対象となるワークWは、第2グループの処理部及び第3グループの処理部により処理されない。また、第2グループの処理部の処理対象となるワークWは、第2グループの処理部及び第3グループの処理部により処理されない。処理モジュール220Aの搬送部230の搬送対象となるワークWは、他の処理モジュール220B,220Cの搬送部230により搬送されない。処理モジュール220Bの搬送部230の搬送対象となるワークWは、他の処理モジュール220A,220Cの搬送部230により搬送されない。
The work W to be processed by the processing unit of the first group is not processed by the processing unit of the second group and the processing unit of the third group. Further, the work W to be processed by the processing unit of the second group is not processed by the processing unit of the second group and the processing unit of the third group. The work W to be transported by the
インターフェースブロック206は、露光装置に接続されており、例えば、図13に示されるように、収容部262と、搬入出ユニット264と有する。収容部262の一部は、処理モジュール220A,220Bの第1グループの処理部及び第2グループの処理部等によって第2状態とされたワークWを収容し、収容部262の残りの一部は露光処理後のワークWを収容する。搬入出ユニット264は、第2状態のワークWを収容部262から露光装置(基板処理装置200の外部)に送り出す。搬入出ユニット264は、露光装置から露光処理後のワークWを受け入れて、収容部262のうちの処理モジュール220Dに対応する部分に搬送する。基板処理装置200においては、入出ブロック202とインターフェースブロック206とが、第1状態のワークWを外部から受け入れ、第2状態のワークWを外部へ送り出す基板入出部として機能する。
The
続いて、図15を参照して、基板処理方法の一例として基板処理装置200において実行される塗布現像処理について説明する。図15は、一つのワークWに対する塗布現像処理の一例を示すフローチャートである。以下では、図7に示される被膜の形成処理の説明と同様に、第1グループの処理部、第2グループの処理部及び第3グループの処理部(処理モジュール78A〜78C)の中から選択されたグループを選択グループの処理部とする。処理モジュール78A〜78Cの搬送部70のうち、選択グループの処理部による一連の処理に伴う搬送を行う搬送部を選択搬送部とし、選択グループの処理部及び選択搬送部を制御する処理制御部を選択処理制御部とする。
Subsequently, with reference to FIG. 15, the coating and developing process executed in the
図15に示されるように、制御装置100は、まず、ステップS31を実行する。ステップS31では、例えば、制御装置100が、処理対象のワークWを、第1グループの処理部、第2グループの処理部及び第3グループの処理部のいずれのグループによってワークWを処理するかを選択する。制御装置100は、第1グループの処理部を選択した場合には、選択搬送部として処理モジュール78Aの搬送部230を選択し、第2グループの処理部を選択した場合には、選択搬送部として処理モジュール78Bの搬送部230を選択する。制御装置100は、第3グループの処理部を選択した場合には、選択搬送部として処理モジュール78Cの搬送部230を選択する。制御装置100は、予め定められた動作スケジュールに基づいて、あるいは、各グループの処理部の処理状況に応じて、処理対象のワークWについての処理を行うグループ及び搬送を行う搬送部を選択してもよい。
As shown in FIG. 15, the
次に、制御装置100は、ステップS32を実行する。ステップS32では、例えば、受入制御部102が、キャリアステーション6上のいずれかのキャリアCからワークWを取り出すように搬入出ユニット10を制御する。そして、受入制御部102は、キャリアCから取り出したワークWを収容部216A〜216Cのうちの選択グループの処理部に対応する収容部に収容するように搬入出ユニット10を制御する。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS33を実行する。ステップS33では、例えば、選択処理制御部が、第1状態のワークWの表面Wa上に下層膜を形成するように選択グループの処理部及び選択搬送部を制御する。一例では、選択処理制御部は、第1状態のワークWを、収容部216A〜216Cのうちの選択グループに対応する収容部から液処理ユニットU11に搬送するように搬送部230の搬送アーム232を制御する。そして、選択処理制御部は、ワークWの表面Wa上に下層膜形成用の処理液の塗布膜を形成するように液処理ユニットU11を制御する。その後、選択処理制御部は、上記塗布膜が形成されたワークWを液処理ユニットU11からいずれかの熱処理ユニットU2に搬送するように搬送アーム232を制御し、当該ワークWに熱処理を施すようにその熱処理ユニットU2を制御する。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS34を実行する。ステップS34では、例えば、選択処理制御部が、下層膜形成後のワークWの表面Wa上にレジスト膜を形成するように選択グループの処理部及び選択搬送部を制御する。一例では、選択処理制御部は、下層膜形成後のワークWを熱処理ユニットU2から液処理ユニットU12に搬送するように搬送アーム232を制御する。そして、選択処理制御部は、ワークWの表面Wa上にレジストの塗布膜を形成するように液処理ユニットU12を制御する。その後、選択処理制御部は、レジストの塗布膜が形成されたワークWを液処理ユニットU12からいずれかの熱処理ユニットU2に搬送するように搬送アーム232を制御し、当該ワークWに熱処理を施すようにその熱処理ユニットU2を制御する。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS35を実行する。ステップS35では、例えば、選択処理制御部が、レジスト膜形成後のワークWの表面Wa上に上層膜を形成するように選択グループの処理部及び選択搬送部を制御する。一例では、選択処理制御部は、レジスト膜形成後のワークWを熱処理ユニットU2から液処理ユニットU13に搬送するように搬送アーム232を制御する。そして、選択処理制御部は、ワークWの表面Wa上に上層膜形成用の処理液の塗布膜を形成するように液処理ユニットU13を制御する。その後、選択処理制御部は、上記塗布膜が形成されたワークWを液処理ユニットU12からいずれかの熱処理ユニットU2に搬送するように搬送アーム232を制御し、当該ワークWに熱処理を施すようにその熱処理ユニットU2を制御する。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS36,S37を実行する。ステップS36では、例えば、選択処理制御部が、上層膜形成後のワークW(前段の処理が行われたワークW)を熱処理ユニットU2から中間収容部240に搬送するように搬送アーム232を制御する。ステップS37では、例えば、選択処理制御部が、搬送アーム232により中間収容部240に収容されたワークWをいずれかの洗浄処理ユニットU14に搬送するように、搬送アーム234を制御する。そして、選択処理制御部は、ワークWの裏面Wbに対して洗浄液を用いた洗浄処理を施すように洗浄処理ユニットU14を制御する。その後、選択処理制御部は、洗浄処理後のワークW(第2状態のワークW)をインターフェースブロック206の収容部262に搬送するように搬送アーム234を制御する。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS38,S39を実行する。ステップS38では、例えば、送出制御部108が、収容部262に収容されている第2状態のワークWを露光装置に送り出すように搬入出ユニット264を制御する。ステップS39では、例えば、制御装置100が、露光処理後のワークWを受け入れて、収容部262のうちの処理モジュール220D用のセルに当該ワークWを搬送するように搬入出ユニット264を制御する。そして、制御装置100は、露光処理後のワークWに現像処理及び熱処理を施し、現像処理後のワークWを収容部216Dに搬送するように、現像処理ユニットU15、熱処理ユニットU2、及び搬送部238を制御する。
Next, the
次に、制御装置100は、ステップS40を実行する。ステップS40では、例えば、制御装置100が、現像処理後のワークWを収容部12からキャリアCに搬送するように搬入出ユニット10を制御する。以上により、一つのワークWに対する塗布現像処理が終了する。以上の一つのワークWに対する塗布現像処理において、処理対象のワークWについての一連の処理(下層膜の形成から洗浄処理までの処理)は、選択されていないグループの処理部によって行われずに、選択されていない搬送部によって搬送されない。
Next, the
制御装置100は、一のグループのワークWに対する処理モジュール220Aの搬送部230及び第1グループの処理部による一連の処理と、別のグループのワークWに対する処理モジュール220Bの搬送部230及び第2グループの処理部による一連の処理とを並行して基板処理装置200に実行させる。制御装置100は、更に別のグループのワークWに対する処理モジュール220Cの搬送部230及び第3グループの処理部の一連の処理も、第1グループの処理部及び第2グループの処理部による一連の処理と並行して基板処理装置200に実行させる。
The
(変形例)
中間収容部240の配置は、上述の例に限られない。中間収容部240は、第1処理領域PR1と搬送領域TRとに重なって配置されてもよく、第1処理領域PR1及び第2処理領域PR2とに重ならずに、搬送領域TR内に配置されていてもよい。
(Modification example)
The arrangement of the intermediate
中間収容部240は、Y軸方向において、液処理ユニットU11,U12と、液処理ユニットU13との間に配置されてもよい。この場合、一連の処理のうちの前段の処理を行う前段処理部が、液処理ユニットU11,U12を含んでおり、後段の処理を行う後段処理部が、液処理ユニットU13と洗浄処理ユニットU14とを含んでもよい。この構成では、一の処理モジュール内において、搬送アーム232と搬送アーム234との間で、ワークWの搬入出を行う処理ユニット(洗浄処理ユニットU14を含む)の数が概ね均等になり、搬送アームの負担が分散され稼働率がより最適化される。この構成において行われる基板処理方法では、図15に示されるステップS35とステップS36とが、これらの順序が逆となって実行される。すなわち、中間収容部240にワークWが収容され、中間収容部240から搬出された後に当該ワークWに上層膜の形成処理が施される。
The intermediate
図16に示されるように、処理モジュール220Aと処理モジュール220Bとを区切るフロア(フロアの少なくとも一部)が取り除かれてもよい。この場合、処理モジュール220A及び処理モジュール220Bにおいて、1つの搬送アーム232A、1つの搬送アーム234A及び1つの中間収容部240Aを共用させるように処理ブロック204が構成されてもよい。これにより装置構成が簡素化される。処理モジュール220A及び処理モジュール220Bにおいて、図13に示される例と同様に、2つの液処理ユニットU11が上下方向に並んでいてもよく、2つの液処理ユニットU11と同様に、2つの液処理ユニットU12,U13及び2つの洗浄処理ユニットU14が上下方向に並んでいてもよい。
As shown in FIG. 16, the floor (at least a part of the floor) separating the
搬送アーム232Aは、昇降機構を更に有する点を除き搬送アーム232と同様に構成されており、搬送アーム234Aは、昇降機構を更に有する点を除き搬送アーム234と同様に構成されている。搬送アーム232Aは、処理モジュール220A及び処理モジュール220Bに渡って配置された2つの液処理ユニットU11及び2つの液処理ユニットU12と、これらの液処理ユニットにX軸方向において対向する熱処理ユニットとに対してワークWの搬入出を行ってもよい。搬送アーム234Aは、処理モジュール220A及び処理モジュール220Bに渡って配置された2つの液処理ユニットU13及び2つの洗浄処理ユニットU14と、これらの処理ユニットにX軸方向において対向する熱処理ユニットとに対してワークWの搬入出を行ってもよい。中間収容部240Aは、処理モジュール220A及び処理モジュール220Bの双方の高さ位置に対応する複数の収容セルを有する点において中間収容部240と相違する。中間収容部240Aの収容セルの数は、1つの中間収容部240の収容セルの数よりも多くてもよい。図13に示される例での搬送アーム232と比べて搬送アーム232Aの稼働率を低くしているので、以上の構成の実現が容易となる。
The
処理モジュール220A,220B間のフロア(フロアの一部)を取り除く上記の構成では、同種の処理を行う処理ユニットを上下方向に並べているが(異なる種類の複数の処理ユニットがY軸方向に沿って順に並んでいるが)、同種の処理を行う複数の処理ユニットが上下に並んでいなくてもよい。搬送アーム232A,234Aを処理モジュール220A,220Bで共用させており、各搬送アームが上下に並ぶ処理モジュール220A,220Bの双方にアクセス可能であるため、同種の処理を行う複数の処理ユニットを水平方向(例えばY軸方向)に沿って並べて配置してもよい。例えば、図16に示されるように、2つの液処理ユニットU11が処理モジュール220A内において横に並べて配置され、2つの液処理ユニットU12が2つの液処理ユニットU11の上方(処理モジュール220B内)において横に並べて配置されてもよい。
In the above configuration in which the floor (a part of the floor) between the
以上の構成において、同種の処理を行うユニット間で共有するポンプ及び液供給用ノズル等の液供給機器が、対象となる処理モジュールと同じ高さを有する領域に共通化又は統一したうえで配置されてもよい。対象となる処理モジュールと同じ高さを有する領域とは、例えばその処理モジュール内で液処理ユニットの横に隣接する空きスペース、又は入出ブロック202内において対象となる処理モジュールに隣接するスペースである。上記のように構成することで、装置内部構成をよりコンパクトにすることができる。また、複数の同種ユニットを横に並べて配置するため、それらのユニット間において揚程差が抑制された、より均等な処理液の供給が可能となる。
In the above configuration, the liquid supply equipment such as the pump and the liquid supply nozzle shared between the units performing the same type of processing are arranged in common or unified in the area having the same height as the target processing module. You may. The area having the same height as the target processing module is, for example, an empty space adjacent to the liquid processing unit in the processing module, or a space adjacent to the target processing module in the entry /
同種の液処理ユニットを横に並べる場合に、第1実施形態及び第2実施形態における液処理ユニットU1と同様に、2つの液処理ユニットが一体化され、一部の部材が共用されてもよい。例えば、2つの液処理ユニットU11に代えて、1つの液処理ユニットU11が、同じ高さ位置に配置される2つの回転保持部を有し、2つの回転保持部にそれぞれ保持されるワークWに対して処理液を供給可能な1つの供給用ノズル及び1つの駆動部を含む1つの液供給部を有していてもよい。 When the same type of liquid treatment units are arranged side by side, the two liquid treatment units may be integrated and some members may be shared as in the case of the liquid treatment units U1 in the first embodiment and the second embodiment. .. For example, instead of the two liquid treatment units U11, one liquid treatment unit U11 has two rotation holding portions arranged at the same height position, and the work W is held by each of the two rotation holding portions. On the other hand, it may have one liquid supply unit including one supply nozzle and one drive unit capable of supplying the processing liquid.
上述の例では、複数の処理モジュールのうち、上下に隣り合う処理モジュール220A,220Bにおいて搬送アーム232A及び搬送アーム234Aを共用化させている。処理ブロック204は、さらに処理効率を上げるために同種の処理モジュールを更に有してもよい。例えば、処理モジュール220Cの上に別の処理モジュールが設けられ、処理モジュール220Cと別の処理モジュールとが、処理モジュール220A,220Bの組合せと同様に構成されていてもよい。
In the above example, among the plurality of processing modules, the
入出ブロック202は、第3実施形態に係る基板処理装置1Bの入出ブロック2Bと同様に構成されていてもよい。処理ブロック204は、処理モジュール78Cを備えていなくてもよく、処理モジュール78Aと同様に構成された1以上の処理モジュールを更に有してもよい。一の処理モジュール内において、各処理ユニットが上下方向において2層以上に積層されていてもよい。
The entry /
処理ブロック204は、処理モジュール220Dにおいて実行される現像処理を含む一連の処理と同じ一連の処理を行う別の処理モジュール220Dを更に備えてもよい。この場合、一連の処理前の第1状態は、複数の被膜形成後に露光処理が施され、現像処理が施される前の状態であり、一連の処理後の第2状態は、露光処理後に現像処理が施された後の状態である。一の処理モジュール220Dは、一連の処理を行う複数の処理部(第1グループの処理部)として現像処理ユニットU15と熱処理ユニットU2とを有し、別の処理モジュール220Dは、一連の処理を行う複数の処理部(第2グループの処理部)として現像処理ユニットU15と熱処理ユニットU2とを有する。
The
(第4実施形態の効果)
以上に説明した基板処理装置200においても、基板処理装置1と同様に、第1グループの処理部による一連の処理と第2グループの処理部による一連の処理とに伴う搬送処理について並行して行うことができ、基板処理装置のスループットの向上に有効である。
(Effect of Fourth Embodiment)
In the
以上の基板処理装置200において、第1グループの処理部及び第2グループの処理部それぞれが行う一連の処理は、互いに異なる処理液を用いた2以上の液処理を含んでもよい。この場合、2以上の液処理に伴う搬送動作についても並行して行うことができ、第1グループの処理部及び第2グループの処理部それぞれのスループットが向上する。従って、2以上の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置のスループットの向上に有効である。
In the above-mentioned
以上の基板処理装置200において、第1グループの処理部は、中間収容部240と、第2状態にするための一連の処理のうちの前段の処理を行う前段処理部と、当該一連の処理のうちの後段の処理を行う後段処理部とを含んでいてもよい。搬送部230は、前段処理部によって処理が行われたワークWを中間収容部240に搬入する搬送アーム232と、搬送アーム232により中間収容部240に搬入されたワークWを中間収容部240から後段処理部に搬送する搬送アーム234とを有する。この場合、一連の処理に伴う搬送動作を2つの搬送アームに分担させることができるので、一の搬送アームによって一連の処理に伴う搬送動作を行う場合に比べて、搬送部を簡素化することができる。
In the above-mentioned
以上の基板処理装置200において、後段処理部は、ワークWに対して洗浄液を用いた洗浄を行う洗浄処理ユニットU14を含む。この場合、後段処理部に対応する搬送アームは、前段処理部に起因して汚染され難いので、洗浄後のワークWの裏面Wbに対する搬送部を介した汚れの付着の防止に有効である。
In the above-mentioned
以上の基板処理装置200は、搬送部230によってワークWが搬送され、水平な第1方向に延びる搬送領域TRと、第1方向及び上下方向に垂直な第2方向において、搬送領域TRを間に挟む第1処理領域PR1及び第2処理領域PR2とを更に備えてもよい。第1グループの処理部は、第1処理領域PR1において第1方向に並ぶ複数の第1処理部と、第2処理領域PR2において第1方向に並ぶ複数の第2処理部とを含んでもよい。上下方向から見て、中間収容部240の少なくとも一部は、第2処理領域PR2に重なっており、複数の第1処理部の一部は、第2方向において、搬送領域TRを間に挟んで中間収容部240に対向していてもよい。この場合、複数の第1処理部の幅の合計と、複数の第2処理部の幅の合計と差に起因して生じ得るデットスペースを有効に利用できる。
In the above-mentioned
以上の基板処理装置200は、中間収容部240は、第2処理領域PR2において前段処理部と後段処理部との間に配置されていてもよい。この場合、前段処理部に対応する搬送アームの搬送領域と後段処理部に対応する搬送アームの搬送領域との重複部分を小さくすることができる。従って、搬送部の簡素化に更に有用である。
In the above-mentioned
1,1A,1B,1C,200…基板処理装置、2,2A,2B,202…入出ブロック、10,10A,10B…搬入出ユニット、14A,14B…搬入出ユニット、12,12A,12B,68,216…収容部、18A,18B…収容部、20A,20B,70,230…搬送部,22…保持アーム、28…基台、30…昇降駆動部、232,234…搬送アーム、40,U11,U12,U13…液処理ユニット、42A,42B…回転保持部、44…液供給部、50,50A,50B,U2…熱処理ユニット、60,60A,60B…検査ユニット、80…送出ブロック、206…インターフェースブロック。 1,1A, 1B, 1C, 200 ... Board processing device, 2,2A, 2B, 202 ... In / out block, 10,10A, 10B ... Import / export unit, 14A, 14B ... Import / export unit, 12, 12A, 12B, 68 , 216 ... Accommodating section, 18A, 18B ... Accommodating section, 20A, 20B, 70, 230 ... Conveying section, 22 ... Holding arm, 28 ... Base, 30 ... Elevating drive section, 232,234 ... Conveying arm, 40, U11 , U12, U13 ... Liquid treatment unit, 42A, 42B ... Rotation holding unit, 44 ... Liquid supply unit, 50, 50A, 50B, U2 ... Heat treatment unit, 60, 60A, 60B ... Inspection unit, 80 ... Sending block, 206 ... Interface block.
Claims (17)
互いに異なる処理を行う2つの処理部を含み、前記第1状態を前記第2状態にするための一連の処理を、前記第1状態の基板に対して行う第1グループの処理部と、
互いに異なる処理を行う2つの処理部を含み、前記第1グループの処理部によって行われる一連の処理と同じ一連の処理を、前記第1状態の基板に対して行う第2グループの処理部と、
前記第1状態の基板を前記基板入出部から前記第1グループの処理部に搬送し、前記第1グループの処理部により前記第2状態とされた基板を前記第1グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第1搬送部と、
前記第1状態の基板を前記基板入出部から前記第2グループの処理部に搬送し、前記第2グループの処理部により前記第2状態とされた基板を前記第2グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第2搬送部と、を備える基板処理装置。 A board inlet / output section that accepts the board in the first state from the outside and sends the board in the second state to the outside.
A processing unit of a first group that includes two processing units that perform different processing from each other and performs a series of processing for changing the first state to the second state on the substrate of the first state.
A second group processing unit that includes two processing units that perform different processing from each other and performs the same series of processing as the series of processing performed by the first group processing unit on the substrate in the first state.
The substrate in the first state is transported from the substrate entry / exit section to the processing section of the first group, and the substrate in the second state by the processing section of the first group is transferred from the processing section of the first group to the substrate. The first transport section that transports to the input / output section and
The substrate in the first state is transported from the substrate entry / exit section to the processing section of the second group, and the substrate in the second state by the processing section of the second group is transferred from the processing section of the second group to the substrate. A substrate processing device including a second transport section for transporting to the input / output section.
前記共通処理部のスループットは、前記個別処理部のスループットよりも大きい、請求項1記載の基板処理装置。 The processing unit of the first group includes a common processing unit that also belongs to the processing unit of the second group and an individual processing unit that does not belong to the processing unit of the second group.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the throughput of the common processing unit is larger than the throughput of the individual processing unit.
前記第1共通処理部は、
前記第1搬送部によって搬送される基板を保持する第1保持ユニットと、
水平方向において前記第1保持ユニットと異なる位置に配置され、前記第2搬送部によって搬送される基板を保持する第2保持ユニットと、
前記第1保持ユニットに保持されている基板と、前記第2保持ユニットに保持されている基板とに処理液を供給可能な液供給ユニットとを含む、請求項1記載の基板処理装置。 The processing unit of the first group includes a first common processing unit that also belongs to the processing unit of the second group.
The first common processing unit is
A first holding unit that holds the substrate transported by the first transport unit, and
A second holding unit, which is arranged at a position different from that of the first holding unit in the horizontal direction and holds a substrate transported by the second transport unit, and a second holding unit.
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a substrate held in the first holding unit and a liquid supply unit capable of supplying the processing liquid to the substrate held in the second holding unit.
前記第2共通処理部の少なくとも一部は、前記第1保持ユニットと前記第2保持ユニットとの間の位置において前記第1共通処理部の上又は下に重なっている、請求項4記載の基板処理装置。 The processing unit of the first group further includes a second common processing unit that also belongs to the processing unit of the second group.
The substrate according to claim 4, wherein at least a part of the second common processing unit overlaps above or below the first common processing unit at a position between the first holding unit and the second holding unit. Processing equipment.
水平方向において互いに異なる位置に配置されている第1収容部及び第2収容部と、
前記第1状態の基板を前記第1収容部及び前記第2収容部のいずれか一方に収容する基板振分部とを有し、
前記第1搬送部は、前記第1状態の基板を前記第1収容部から搬出し、前記第2状態の基板を前記第1収容部に搬入し、
前記第2搬送部は、前記第1状態の基板を前記第2収容部から搬出し、前記第2状態の基板を前記第2収容部に搬入する、請求項1〜5のいずれか一項記載の基板処理装置。 The board entry / exit section is
The first and second accommodations, which are arranged at different positions in the horizontal direction,
It has a substrate distribution unit for accommodating the substrate in the first state in either the first accommodating portion or the second accommodating portion.
The first transport unit carries out the substrate in the first state from the first storage unit, and carries the substrate in the second state into the first storage unit.
13. Board processing equipment.
前記第1状態の基板を前記第1収容部に搬入し、前記第2状態の基板を前記第1収容部から搬出する第1搬入出ユニットと、
前記第1状態の基板を前記第2収容部に搬入し、前記第2状態の基板を前記第2収容部から搬出する第2搬入出ユニットとを有する、請求項6記載の基板処理装置。 The substrate distribution unit is
A first loading / unloading unit that carries the substrate in the first state into the first accommodating portion and carries out the substrate in the second state from the first accommodating portion.
The substrate processing apparatus according to claim 6, further comprising a second loading / unloading unit that carries the substrate in the first state into the second accommodating portion and carries out the substrate in the second state from the second accommodating portion.
前記第2収容部は、前記第1状態の基板及び前記第2状態の基板の少なくとも一方の検査を行う第2検査ユニットを含む、請求項6又は7記載の基板処理装置。 The first accommodating unit includes a first inspection unit that inspects at least one of the substrate in the first state and the substrate in the second state.
The substrate processing apparatus according to claim 6 or 7, wherein the second accommodating portion includes a second inspection unit that inspects at least one of the substrate in the first state and the substrate in the second state.
前記第2搬送部は、基板を保持する第2保持アームと、前記第2保持アームを支持する第2基台と、前記第2基台を昇降させる第2昇降アクチュエータとを有し、
水平な一方向において、前記第1昇降アクチュエータ、前記第1基台、前記第2基台、及び前記第2昇降アクチュエータがこの順で配置されており、前記第1基台及び前記第2基台は、互いに間隔を空けて配置されている、請求項1〜8のいずれか一項記載の基板処理装置。 The first transport unit has a first holding arm for holding a substrate, a first base for supporting the first holding arm, and a first elevating actuator for raising and lowering the first base.
The second transport unit has a second holding arm for holding the substrate, a second base for supporting the second holding arm, and a second elevating actuator for raising and lowering the second base.
The first elevating actuator, the first base, the second base, and the second elevating actuator are arranged in this order in one horizontal direction, and the first base and the second base are arranged in this order. Is a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, which is arranged at intervals from each other.
前記基板入出部は、
前記第1グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている第1収容部と、
前記第2グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている第2収容部と、
前記第1状態の基板を前記第1収容部及び前記第2収容部のいずれか一方に収容する基板振分部とを有する、請求項1又は2記載の基板処理装置。 The processing unit of the first group and the processing unit of the second group are arranged at different height positions.
The board entry / exit section is
The first accommodating portion arranged so as to correspond to the height position of the processing unit of the first group,
A second accommodating unit arranged so as to correspond to the height position of the processing unit of the second group,
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a substrate distribution portion for accommodating the substrate in the first state in either the first accommodating portion or the second accommodating portion.
前記基板入出部は、
水平方向において互いに異なる位置に配置されている第3収容部及び第4収容部と、
前記第3収容部に前記第1状態の基板を搬入する第3搬入出ユニットと、
前記第4収容部に前記第1状態の基板を搬入する第4搬入出ユニットとを更に有し、
前記第1搬入出ユニットは、前記第1状態の基板を前記第3収容部から前記第1収容部及び前記第2収容部のいずれか一方に搬送し、
前記第2搬入出ユニットは、前記第1状態の基板を前記第4収容部から前記第1収容部及び前記第2収容部のいずれか一方に搬送する、請求項10記載の基板処理装置。 The board distribution unit has a first loading / unloading unit and a second loading / unloading unit.
The board entry / exit section is
The third and fourth accommodations, which are arranged at different positions in the horizontal direction,
A third loading / unloading unit for loading the substrate in the first state into the third housing unit, and a third loading / unloading unit.
The fourth accommodating portion further has a fourth loading / unloading unit for loading the substrate in the first state.
The first loading / unloading unit transports the substrate in the first state from the third accommodating portion to either the first accommodating portion or the second accommodating portion.
The substrate processing device according to claim 10, wherein the second loading / unloading unit conveys the substrate in the first state from the fourth accommodating portion to either the first accommodating portion or the second accommodating portion.
前記第4収容部は、前記第1状態の基板及び前記第2状態の基板の少なくとも一方の検査を行う第2検査ユニットを含む、請求項11記載の基板処理装置。 The third accommodating unit includes a first inspection unit that inspects at least one of the substrate in the first state and the substrate in the second state.
The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the fourth accommodating portion includes a second inspection unit that inspects at least one of the substrate in the first state and the substrate in the second state.
前記第1搬送部は、
前記前段処理部によって処理が行われた基板を前記中間収容部に搬入する第1搬送アームと、
前記第1搬送アームにより前記中間収容部に搬入された基板を前記中間収容部から前記後段処理部に搬送する第2搬送アームとを有する、請求項10〜13のいずれか一項記載の基板処理装置。 The processing unit of the first group performs the intermediate accommodating unit, the pre-stage processing unit that performs the pre-stage processing in the series of processing for setting the second state, and the post-stage processing in the series of processing. Including the post-stage processing unit
The first transport unit is
A first transfer arm that carries the substrate processed by the pre-stage processing unit into the intermediate storage unit, and
The substrate processing according to any one of claims 10 to 13, further comprising a second transport arm for transporting the substrate carried into the intermediate accommodating portion by the first transport arm from the intermediate accommodating portion to the post-stage processing unit. Device.
前記第1方向及び上下方向に垂直な第2方向において、前記搬送領域を間に挟む第1処理領域及び第2処理領域とを更に備え、
前記第1グループの処理部は、前記第1処理領域において前記第1方向に並ぶ複数の第1処理部と、前記第2処理領域において前記第1方向に並ぶ複数の第2処理部とを含み、
上下方向から見て、前記中間収容部の少なくとも一部は、前記第2処理領域に重なっており、
前記複数の第1処理部の一部は、前記第2方向において、前記搬送領域を間に挟んで前記中間収容部に対向している、請求項14又は15記載の基板処理装置。 A transport area in which the substrate is transported by the first transport unit and extends in the horizontal first direction, and
Further, a first processing region and a second processing region sandwiching the transport region are provided in the first direction and the second direction perpendicular to the vertical direction.
The processing unit of the first group includes a plurality of first processing units arranged in the first direction in the first processing area, and a plurality of second processing units arranged in the first direction in the second processing area. ,
When viewed from the vertical direction, at least a part of the intermediate accommodating portion overlaps with the second processing region.
The substrate processing apparatus according to claim 14 or 15, wherein a part of the plurality of first processing units faces the intermediate storage unit with the transport region interposed therebetween in the second direction.
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