JP4887329B2 - Substrate processing system - Google Patents

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Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板の処理システムに係り、特に各処理装置に基板を搬送する装置に関する。
に関する。 The present invention relates to a substrate processing system for performing predetermined processing on a substrate, and more particularly to an apparatus for transporting a substrate to each processing apparatus.
About.

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等の各種処理が行われている。   For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, for example, a resist coating process for applying a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a resist film, and exposure for exposing a predetermined pattern on the resist film Various kinds of processing such as processing and development processing for developing the exposed resist film are performed.

これらの一連の処理は、通常、塗布現像処理システムを用いて行われる。塗布現像処理システムは、例えばカセット単位でウェハを搬入出するための搬入出ステーションと、各種処理を行う複数の処理装置が配置された処理ステーションと、隣接する露光装置と処理ステーションとの間でウェハの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション等を有している。   A series of these processes is usually performed using a coating and developing processing system. The coating and developing processing system includes, for example, a loading / unloading station for loading / unloading wafers in a cassette unit, a processing station in which a plurality of processing devices for performing various processes are arranged, and a wafer between adjacent exposure apparatuses and processing stations. Has an interface station and the like.

処理ステーションには、複数の処理装置が鉛直方向に多段に積層され、かつ水平方向に直列に配置された処理ブロックと、処理ブロックと対向する位置に配置され、各処理装置にウェハを搬送する搬送装置とが設けられている。搬送装置には、ウェハを保持して搬送する１基の搬送アームと、搬送アームを処理ブロックに沿って鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構とが設けられている。そして搬送アームは、鉛直方向及び水平方向に移動することで、ウェハを各処理装置に搬送することができる（特許文献１）。   In the processing station, a plurality of processing devices are stacked in multiple stages in the vertical direction and arranged in series in the horizontal direction, and the processing block is disposed at a position facing the processing block, and transports wafers to each processing device. Device. The transfer device is provided with one transfer arm that holds and transfers the wafer, and a moving mechanism that moves the transfer arm in the vertical direction and the horizontal direction along the processing block. The transfer arm can move the wafer to each processing apparatus by moving in the vertical direction and the horizontal direction (Patent Document 1).

特開２００１−５７３３６号公報JP 2001-57336 A

ところで、この塗布現像処理システムを用いてウェハに一連の処理を行う場合、ウェハ処理のスループットを向上させるために、各処理装置へのウェハの搬送を効率よく行うことが要求されている。しかしながら、搬送アームの動作を高速化するには技術的な限界があるため、従来のように１基の搬送アームのみを有する搬送装置では、スループットを向上させるには至らなかった。   Incidentally, when a series of processing is performed on a wafer using this coating and developing processing system, it is required to efficiently transport the wafer to each processing apparatus in order to improve the throughput of the wafer processing. However, since there is a technical limit in speeding up the operation of the transfer arm, the conventional transfer device having only one transfer arm cannot improve the throughput.

また、従来の搬送装置を複数設けることによってウェハの搬送を効率よく行い、ウェハ処理のスループットを向上させることも考えられる。しかしながら、単純に従来の構成の搬送装置を複数設けただけでは、各搬送装置の干渉を避けるために、各搬送装置の移動範囲の自由度が小さくなる。そうすると、各搬送装置がウェハを搬送できる範囲が制限されてしまうため、スループットを向上させることはできない。   In addition, by providing a plurality of conventional transfer apparatuses, it is possible to efficiently transfer a wafer and improve the throughput of wafer processing. However, simply providing a plurality of conventional conveying devices reduces the degree of freedom of the movement range of each conveying device in order to avoid interference between the conveying devices. As a result, the range in which each transfer apparatus can transfer the wafer is limited, and thus the throughput cannot be improved.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it efficiently transports a substrate and improves the throughput of substrate processing.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板に所定の処理を行う複数の処理装置を、鉛直方向に多段に積層し、かつ水平方向に直列に配置した基板の処理システムであって、前記複数の処理装置に基板を搬送するための搬送領域は、前記複数の処理装置が対向して配置された間において当該複数の処理装置の鉛直方向及び水平方向に沿って形成され、前記搬送領域は、鉛直方向に複数の搬送領域に分割され、前記分割された各搬送領域には、基板を保持して搬送する複数の搬送アームがそれぞれ配置され、前記複数の搬送アームは、平面視において、前記複数の処理装置の水平方向に沿った基板の搬送経路が重なるように配置され、且つ前記分割された各搬送領域において、前記複数の処理装置の鉛直方向に沿った基板の搬送径路が同一になるように配置され、前記複数の搬送アームは、各々独立して鉛直方向、水平方向及び水平回転方向に移動自在であることを特徴としている。 To achieve the above object, the present invention, a plurality of processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate, stacked in multiple stages in the vertical direction, and a substrate processing system arranged in series in the horizontal direction, the transport region for transporting the substrate into a plurality of processing devices, said plurality of processing devices are formed along the vertical direction and the horizontal direction of the plurality of processing devices during disposed opposite the conveyance region is divided into a plurality of transfer region in the vertical direction, the split each transport region is a plurality of transfer arm holding and transporting the substrate are disposed, respectively, the plurality of transport arms, in a plan view, the transportation path of the substrate along the horizontal direction of the plurality of processing units are arranged to overlap, and in the divided respective conveying regions, the I conveyance path of the substrate along the vertical direction of the plurality of processing devices in the same Is arranged to the plurality of transfer arms is characterized in that each independently vertically, is movable in the horizontal direction and the horizontal direction of rotation.

本発明によれば、一の搬送領域に複数の搬送アームが配置され、各々の搬送アームが独立して鉛直方向及び水平方向に移動自在になっているので、従来のように１基の搬送アームが配置されていた場合に比べて、基板の搬送を効率よく行うことができる。これによって、基板処理のスループットを向上させることができる。また、複数の搬送アームは、平面視において前記複数の処理装置の水平方向に沿った基板の搬送経路が重なるように配置されているので、例えば各搬送アームが鉛直方向に移動することで、各搬送アームの干渉を容易に防止することができ、しかも搬送領域を大きくする必要がない。したがって、基板処理システムの占有面積を小さく維持することができる。   According to the present invention, a plurality of transfer arms are arranged in one transfer area, and each transfer arm is independently movable in the vertical direction and the horizontal direction. As compared with the case where the is disposed, the substrate can be transported more efficiently. Thereby, the throughput of the substrate processing can be improved. Further, since the plurality of transfer arms are arranged so that the substrate transfer paths along the horizontal direction of the plurality of processing apparatuses overlap in a plan view, for example, each transfer arm moves in the vertical direction, Interference of the transfer arm can be easily prevented, and there is no need to increase the transfer area. Therefore, the area occupied by the substrate processing system can be kept small.

前記複数の搬送アームは、各々独立して前記分割された各搬送領域に対向するすべての処理装置に基板を搬送するようにしてもよい。 The plurality of transfer arms may independently transfer the substrate to all the processing apparatuses facing the divided transfer areas.

前記分割された各搬送領域には、前記複数の搬送アームとして２基の搬送アームが設けられ、第１の搬送アームには、当該第１の搬送アームを支持して鉛直方向及び水平方向に移動させる第１の移動機構が設けられ、第２の搬送アームには、当該第２の搬送アームを支持して鉛直方向及び水平方向に移動させる第２の移動機構が設けられ、前記第１の移動機構と前記第２の移動機構は、前記分割された各搬送領域の上部又は下部にそれぞれ配置されていてもよい。 Each of the divided transfer areas is provided with two transfer arms as the plurality of transfer arms, and the first transfer arm supports the first transfer arm and moves in the vertical and horizontal directions. A first moving mechanism is provided, and the second transfer arm is provided with a second moving mechanism that supports the second transfer arm and moves the second transfer arm in a vertical direction and a horizontal direction. The mechanism and the second moving mechanism may be arranged above or below each of the divided transport areas.

前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームの鉛直方向及び水平方向の位置をそれぞれ検出する位置検出装置と、前記位置検出装置からの検出結果に基づいて、前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームが互いに干渉しないように、前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームの鉛直方向の移動を制御する制御装置と、をさらに有していてもよい。   A position detection device that detects vertical and horizontal positions of the first transfer arm and the second transfer arm, respectively, and based on a detection result from the position detection device, the first transfer arm and the The apparatus may further include a control device that controls movement of the first transfer arm and the second transfer arm in the vertical direction so that the second transfer arms do not interfere with each other.

前記制御装置は、干渉を回避するために、前記第１の搬送アームを鉛直上方に移動させ、前記第２の搬送アームを鉛直下方に移動させるようにしてもよい。また、前記第１の搬送アームの鉛直方向の位置を固定して移動させ、前記第２の搬送アームを鉛直方向上方又は下方のいずれかに移動させるようにしてもよい。   In order to avoid interference, the control device may move the first transfer arm vertically upward and move the second transfer arm vertically downward. Further, the vertical position of the first transfer arm may be fixed and moved, and the second transfer arm may be moved either upward or downward in the vertical direction.

本発明によれば、基板の搬送を効率よく行うことができ、基板処理のスループットを向上させることができる。   According to the present invention, the substrate can be efficiently transferred, and the throughput of the substrate processing can be improved.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a coating and developing treatment system 1 as a substrate processing system according to the present invention.

塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部から塗布現像処理システム１に対して複数枚のウェハＷをカセット単位で搬入出するための搬入出部としてのカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。   As shown in FIG. 1, the coating and developing treatment system 1 includes, for example, a cassette station 2 as a loading / unloading unit for loading and unloading a plurality of wafers W from the outside to the coating and developing processing system 1 in units of cassettes, and photolithography. A processing station 3 including a plurality of various processing apparatuses that perform predetermined processing in a single-wafer manner during processing, and an interface station 5 that transfers the wafer W between the exposure apparatuses 4 adjacent to the processing station 3. It has the structure connected integrally.

カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられ、当該カセット載置台１０には、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置できる。カセットステーション２には、例えば２基のウェハ搬送装置１１、１２が設けられている。ウェハ搬送装置１１、１２は、Ｘ方向に延びる搬送路１３上を移動自在である。ウェハ搬送装置１１、１２は、水平方向、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在な搬送アームを有し、カセット載置台１０上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。   The cassette station 2 is provided with a cassette mounting table 10, and a plurality of cassettes C can be mounted on the cassette mounting table 10 in a row in the X direction (vertical direction in FIG. 1). The cassette station 2 is provided with, for example, two wafer transfer apparatuses 11 and 12. Wafer transfer apparatuses 11 and 12 are movable on a transfer path 13 extending in the X direction. The wafer transfer apparatuses 11 and 12 have transfer arms that are movable in the horizontal direction, the vertical direction, and the vertical axis (θ direction), and a cassette C on the cassette mounting table 10 and a third of the processing station 3 to be described later. The wafer W can be transferred to and from the delivery device of the block G3.

処理ステーション３には、各種装置を備えた複数、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。   The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 having various devices. For example, the first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1), and the second side is provided on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1). Block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 2 side (Y direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 3, and the processing station 3 interface station 5 side (Y direction positive direction side in FIG. 1). Is provided with a fourth block G4.

例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下から順に４段に重ねられている。例えば現像装置３０と下部反射防止膜形成装置３１との間には、空間があり、この空間の高さには後述するシャトル搬送装置１００が配置されている。   For example, in the first block G1, as shown in FIG. 2, a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a developing apparatus 30 for developing the wafer W, an antireflection film (hereinafter referred to as “lower antireflection film” below the resist film of the wafer W). )), A resist coating device 32 for applying a resist solution to the wafer W to form a resist film, and an antireflection film (hereinafter referred to as “upper antireflection”) on the resist film of the wafer W. The upper antireflection film forming apparatus 33 for forming a film is stacked in four stages from the bottom. For example, there is a space between the developing device 30 and the lower antireflection film forming device 31, and a shuttle transport device 100 described later is disposed at the height of this space.

例えば第１のブロックＧ１の各処理装置３０〜３３は、図１に示すように処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。   For example, each processing apparatus 30-33 of the first block G1 has a plurality of horizontal cups F that accommodate wafers W during processing, as shown in FIG. 1, and processes a plurality of wafers W in parallel. it can.

例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０や、アドヒージョン装置４１が鉛直方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、例えば第１のブロックＧ１の各処理装置３０〜３３に対応する高さに設けられている。なお、熱処理装置４０とアドヒージョン装置４１の数や配置は、任意に選択できる。例えば熱処理装置４０は、図１に示すようにウェハＷを載置して加熱する熱板４０ａと、ウェハＷを載置して冷却する冷却板４０ｂを有し、加熱と冷却の両方を行うことができる。   For example, in the second block G2, as shown in FIG. 3, a heat treatment apparatus 40 for performing heat treatment of the wafer W and an adhesion apparatus 41 are provided side by side in the vertical direction and the horizontal direction. The heat treatment apparatus 40 is provided at a height corresponding to each of the processing apparatuses 30 to 33 of the first block G1, for example. In addition, the number and arrangement | positioning of the heat processing apparatus 40 and the adhesion apparatus 41 can be selected arbitrarily. For example, as shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 40 includes a hot plate 40a for placing and heating the wafer W and a cooling plate 40b for placing and cooling the wafer W, and performs both heating and cooling. Can do.

例えば第３のブロックＧ３には、図２に示すように複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３が下から順に設けられている。各受け渡し装置５０〜５３は、第１のブロックＧ１の各処理装置３０〜３３に対応する高さに設けられている。また、現像装置３０と反射防止膜形成装置３１との間のシャトル搬送装置１００と同程度の高さには、受け渡し装置５４が配置されている。   For example, in the third block G3, as shown in FIG. 2, a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53 are provided in order from the bottom. Each delivery device 50-53 is provided at a height corresponding to each processing device 30-33 of the first block G1. Further, a delivery device 54 is disposed at the same height as the shuttle transport device 100 between the developing device 30 and the antireflection film forming device 31.

例えば第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置７０、７１が下から順に設けられている。受け渡し装置７０は、現像装置３０と同程度の高さに設けられ、受け渡し装置７１は、第１のブロックＧ１のシャトル搬送装置１００と同程度の高さに設けられている。   For example, in the fourth block G4, a plurality of delivery devices 70 and 71 are provided in order from the bottom. The delivery device 70 is provided at the same height as the developing device 30, and the delivery device 71 is provided at the same height as the shuttle transport device 100 of the first block G <b> 1.

図１に示すように第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２との間には、Ｙ方向に延びる搬送領域Ｒが設けられている。搬送領域Ｒは、ウェハＷを各搬送装置に搬送するための空間であり、第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２に対向して設けられている。また搬送領域Ｒは、例えば図２に示すように、鉛直方向に複数の搬送領域Ｒ１〜Ｒ５に分割されている。搬送領域Ｒ１〜Ｒ４は、各処理装置３０〜３３に対応する高さにそれぞれ形成されている。搬送領域Ｒ５は、現像装置３０と反射防止膜形成装置３１との間の空間と同じ高さに形成されている。   As shown in FIG. 1, a conveyance region R extending in the Y direction is provided between the first block G1 and the second block G2. The transfer region R is a space for transferring the wafer W to each transfer device, and is provided to face the first block G1 and the second block G2. Moreover, the conveyance area | region R is divided | segmented into the some conveyance area | region R1-R5 in the perpendicular direction, for example, as shown in FIG. The transport regions R1 to R4 are formed at heights corresponding to the processing devices 30 to 33, respectively. The transport region R5 is formed at the same height as the space between the developing device 30 and the antireflection film forming device 31.

各搬送領域Ｒ１〜Ｒ４には、ウェハＷを搬送する２基のメイン搬送装置がそれぞれ配置されている。すなわち、搬送機構Ｒ１にはメイン搬送装置８０、８１が配置され、搬送機構Ｒ２にはメイン搬送装置８２、８３が配置され、搬送機構Ｒ３にはメイン搬送装置８４、８５が配置され、搬送機構Ｒ４にはメイン搬送装置８５、８６がそれぞれ配置されている。   In each of the transfer areas R1 to R4, two main transfer apparatuses that transfer the wafer W are arranged. That is, the main transport devices 80 and 81 are disposed in the transport mechanism R1, the main transport devices 82 and 83 are disposed in the transport mechanism R2, the main transport devices 84 and 85 are disposed in the transport mechanism R3, and the transport mechanism R4. The main transfer devices 85 and 86 are respectively disposed in the.

例えば搬送領域Ｒ１に配置されたメイン搬送装置８０、８１は、例えば図１に示すように平面視において、それぞれのＹ方向のウェハＷの搬送経路（図中の左右方向）が重なるように配置されている。すなわち、搬送領域Ｒ１のＸ方向（図中の上下方向）の幅は、メイン搬送装置８０、８１が１基分配置できる幅となっている。またメイン搬送装置８０、８１は、例えば図２〜図４に示すように搬送領域Ｒ１の上部と下部にそれぞれ設けられている。メイン搬送装置８０、８１は、第２のブロックＧ２に取り付けられたＹ方向に延びるレール９０、９１上をそれぞれ移動可能になっている。メイン搬送装置８０が配置されたレール９０は、例えば熱処理装置４０の下方に設けられ、メイン搬送装置８１が配置されたレール９１は、例えば熱処理装置４０の上方に設けられている。   For example, the main transfer apparatuses 80 and 81 arranged in the transfer region R1 are arranged so that the transfer paths (left and right directions in the drawing) of the wafers W in the Y direction overlap each other in plan view as shown in FIG. ing. That is, the width of the transport region R1 in the X direction (vertical direction in the drawing) is such that the main transport devices 80 and 81 can be arranged for one group. The main transfer devices 80 and 81 are provided at the upper and lower portions of the transfer region R1, for example, as shown in FIGS. The main transfer devices 80 and 81 are movable on rails 90 and 91 extending in the Y direction attached to the second block G2. The rail 90 on which the main transfer device 80 is disposed is provided, for example, below the heat treatment apparatus 40, and the rail 91, on which the main transfer device 81 is disposed, is provided, for example, above the heat treatment apparatus 40.

メイン搬送装置８０は、例えば図５に示すようにウェハＷを支持して搬送する、２基のメイン搬送アーム９２を有している。メイン搬送アーム９２は、例えば図６に示すようにウェハＷより僅かに大きい径の略Ｃ字型の本体部９３を有している。本体部９３の内側には、内側に向かって突出し、ウェハＷの外周部を支持するウェハ支持部９４が複数箇所、例えば４箇所に設けられている。メイン搬送アーム９２は、このウェハ支持部９４上にウェハＷを水平に支持することができる。   The main transfer device 80 includes two main transfer arms 92 that support and transfer the wafer W, for example, as shown in FIG. The main transfer arm 92 includes a substantially C-shaped main body 93 having a diameter slightly larger than that of the wafer W, for example, as shown in FIG. On the inner side of the main body 93, wafer support portions 94 that protrude inward and support the outer peripheral portion of the wafer W are provided at a plurality of locations, for example, four locations. The main transfer arm 92 can horizontally support the wafer W on the wafer support portion 94.

メイン搬送装置８０は、例えば図５及び図６に示すように、本体部９３に設けられた支持部９５に支持されている。支持部９５の下面には、シャフト９６を介して、例えば図示しないモータなどを内蔵した駆動機構９７が設けられている。この駆動機構９７によって、メイン搬送アーム９２は、鉛直方向及び水平方向に移動可能であり、かつ回転することができる。駆動機構９７はレール９０に取り付けられ、メイン搬送装置８０はレール９０に沿って移動可能になっている。このような構成により、メイン搬送装置８０は、搬送領域Ｒ１を移動し、当該搬送領域Ｒ１に対向する、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４のすべての処理装置に対してウェハＷを搬送することができる。なお、これら支持部９５、シャフト９６、駆動機構９７が本発明の移動機構を構成している。   For example, as shown in FIGS. 5 and 6, the main conveyance device 80 is supported by a support portion 95 provided in the main body portion 93. On the lower surface of the support portion 95, a drive mechanism 97 containing, for example, a motor (not shown) is provided via a shaft 96. By this drive mechanism 97, the main transport arm 92 can move in the vertical direction and the horizontal direction, and can rotate. The drive mechanism 97 is attached to the rail 90, and the main transport device 80 is movable along the rail 90. With such a configuration, the main transport device 80 moves in the transport region R1 and faces the transport region R1, the first block G1, the second block G2, the third block G3, and the fourth block G4. The wafer W can be transferred to all the processing apparatuses. The support portion 95, the shaft 96, and the drive mechanism 97 constitute the moving mechanism of the present invention.

メイン搬送装置８１の構成は、上述したメイン搬送装置８０の構成と同様であり、例えば図４に示すようにメイン搬送アーム９２が駆動機構９７の下方に設けられている。また、メイン搬送装置８１は、メイン搬送装置８０と同様に、搬送領域Ｒ１を移動し、当該搬送領域Ｒ１に対向する、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４のすべての処理装置に対してウェハＷを搬送することができる。   The configuration of the main transfer device 81 is the same as the configuration of the main transfer device 80 described above, and a main transfer arm 92 is provided below the drive mechanism 97 as shown in FIG. Similarly to the main transport device 80, the main transport device 81 moves in the transport region R1 and faces the transport region R1, the first block G1, the second block G2, the third block G3, and the second block The wafers W can be transferred to all the processing apparatuses in the fourth block G4.

これらメイン搬送装置８０、８１の移動は、例えば図７に示す制御装置２００と位置検出装置２０１によって制御される。位置検出装置２０１は、例えばメイン搬送装置８０、８１の駆動機構９７のエンコーダを検出して、メイン搬送装置８０、８１の鉛直方向及び水平方向の位置をそれぞれ検出することができる。位置検出装置２０１は、常時、メイン搬送装置８０、８１の鉛直方向及び水平方向の位置を検出し、その検出結果は制御装置２００に出力される。制御装置２００では、位置検出装置２０１からの検出結果に基づいて、メイン搬送装置８０、８１の移動を制御する。   The movements of the main transfer devices 80 and 81 are controlled by, for example, the control device 200 and the position detection device 201 shown in FIG. The position detection device 201 can detect, for example, the encoders of the drive mechanisms 97 of the main transport devices 80 and 81 to detect the vertical and horizontal positions of the main transport devices 80 and 81, respectively. The position detection device 201 always detects the vertical and horizontal positions of the main conveyance devices 80 and 81, and the detection result is output to the control device 200. The control device 200 controls the movement of the main transport devices 80 and 81 based on the detection result from the position detection device 201.

制御装置２００と位置検出装置２０１は、上述の制御によりメイン搬送装置８０、８１を干渉しないように移動させることができる。例えば図７（ａ）に示すように、メイン搬送装置８０、８１が互いに移動して水平方向の距離が所定の距離Ｌになった場合に、図７（ｂ）に示すようにメイン搬送装置８０を鉛直下方（図中の下方向）に移動させると共に、メイン搬送装置８１を鉛直上方（図中の上方向）に移動させる。そして、メイン搬送装置８０とメイン搬送装置８１は干渉せずに水平方向に移動する。なお、所定の距離Ｌは、メイン搬送装置８０、８１の水平移動速度等を考慮して制御装置２００で設定される。また、メイン搬送装置８０、８１の鉛直方向の移動距離も同様に制御装置２００で設定される。   The control device 200 and the position detection device 201 can move the main transport devices 80 and 81 so as not to interfere by the above-described control. For example, as shown in FIG. 7A, when the main transfer devices 80 and 81 move to each other and the horizontal distance reaches a predetermined distance L, the main transfer device 80 as shown in FIG. Is moved vertically downward (downward in the figure), and the main transport device 81 is moved vertically upward (upward in the figure). The main transfer device 80 and the main transfer device 81 move in the horizontal direction without interference. The predetermined distance L is set by the control device 200 in consideration of the horizontal movement speed of the main transfer devices 80 and 81 and the like. Further, the movement distance in the vertical direction of the main transfer devices 80 and 81 is similarly set by the control device 200.

なお、他の搬送領域Ｒ２〜Ｒ４に設けられたメイン搬送装置８２〜８７の構成は、上述した搬送領域Ｒ１のメイン搬送装置８０、８１と同様であるので、説明を省略する。   In addition, since the structure of the main conveyance apparatuses 82-87 provided in other conveyance area | region R2-R4 is the same as that of the main conveyance apparatuses 80 and 81 of conveyance area | region R1 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

搬送領域Ｒ５には、図２に示すようにシャトル搬送装置１００が配置されている。シャトル搬送装置１００は、メイン搬送装置８１とメイン搬送装置８２との間に設けられている。なお、搬送領域Ｒ５と搬送領域Ｒ１との間と、搬送領域Ｒ５と搬送領域Ｒ２との間には、図示しない仕切り板が設けられている。   As shown in FIG. 2, the shuttle transport device 100 is arranged in the transport region R5. The shuttle transfer device 100 is provided between the main transfer device 81 and the main transfer device 82. A partition plate (not shown) is provided between the transport region R5 and the transport region R1 and between the transport region R5 and the transport region R2.

シャトル搬送装置１００は、水平方向及びθ方向に移動自在なシャトル搬送アームを有している。また、シャトル搬送装置１００は、第２のブロックＧ２に取り付けられたＹ方向に延びるレール１０１上を移動自在になっている。シャトル搬送装置１００は、搬送領域Ｒ５を移動し、例えば第３のブロックＧ３の受け渡し装置５４と第４のブロックＧ４の受け渡し装置７１との間でウェハＷを搬送できる。   The shuttle transport device 100 has a shuttle transport arm that is movable in the horizontal direction and the θ direction. Further, the shuttle transport device 100 is movable on a rail 101 that is attached to the second block G2 and extends in the Y direction. The shuttle transfer device 100 moves in the transfer region R5 and can transfer the wafer W between the transfer device 54 of the third block G3 and the transfer device 71 of the fourth block G4, for example.

図１に示すように第３のブロックＧ３の隣には、ウェハ搬送装置１１０が設けられている。ウェハ搬送装置１１０は、鉛直方向、水平方向に移動自在な搬送アームを有し、第３のブロックＧ３の各受け渡し装置５０〜５４間でウェハＷを搬送できる。   As shown in FIG. 1, a wafer transfer device 110 is provided next to the third block G3. The wafer transfer device 110 has a transfer arm that is movable in the vertical direction and the horizontal direction, and can transfer the wafer W between the transfer devices 50 to 54 of the third block G3.

インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送装置１２０が設けられている。ウェハ搬送装置１２０は、鉛直方向、水平方向及びθ方向に移動自在な搬送アームを有し、インターフェイスステーション５に隣接した露光装置４と、第４のブロックＧ４の受け渡し装置７０、７１との間でウェハＷを搬送できる。   The interface station 5 is provided with a wafer transfer device 120. The wafer transfer device 120 has a transfer arm that is movable in the vertical direction, the horizontal direction, and the θ direction. Between the exposure device 4 adjacent to the interface station 5 and the transfer devices 70 and 71 of the fourth block G4. The wafer W can be transferred.

以上の塗布現像処理システム１の動作や処理ステーション３の各種装置、搬送装置等の動作は、上述した制御装置２００により制御されている。制御装置２００は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム１におけるウェハＷの処理方法を実現できる。当該ウェハＷの処理方法を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なＣＤなどの記憶媒体Ｈに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置２００にインストールされたものが用いられている。   The above-described operation of the coating and developing treatment system 1 and the operations of the various apparatuses and the conveying device of the processing station 3 are controlled by the control device 200 described above. The control device 200 is configured by, for example, a computer including a CPU, a memory, and the like. For example, the processing method of the wafer W in the coating and developing processing system 1 can be realized by executing a program stored in the memory. Various programs for realizing the processing method of the wafer W are stored in a storage medium H such as a computer-readable CD, and are installed in the control device 200 from the storage medium H. It is used.

次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１を用いて行われるウェハＷの処理方法について説明する。   Next, a processing method of the wafer W performed using the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described.

先ず、カセットＣ内のウェハＷがウェハ搬送装置１１によって処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置５１に搬送される。その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８２によって例えば第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、温度調整される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８２によって下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、再び熱処理装置４０に搬送され、加熱され、その後受け渡し装置５１に戻される。なお、メイン搬送装置８３をさらに用いることで、別のウェハＷに上述した処理を行うことができる。   First, the wafer W in the cassette C is transferred by the wafer transfer device 11 to the transfer device 51 of the third block G3 of the processing station 3. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, for example, by the main transfer apparatus 82, and the temperature is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the lower antireflection film forming apparatus 31 by the main transfer apparatus 82, and a lower antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is again transferred to the heat treatment apparatus 40, heated, and then returned to the delivery apparatus 51. Note that the above-described processing can be performed on another wafer W by further using the main transfer device 83.

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１１０によって受け渡し装置５２に搬送される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８４によってアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。次にウェハＷは、メイン搬送装置８４によって熱処理装置４０に搬送され、温度調節され、その後レジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８４によって熱処理装置４０に搬送されて、加熱（プリベーク処理）され、その後受け渡し装置５２に戻される。なお、メイン搬送装置８５をさらに用いることで、別のウェハＷに上述した処理を行うことができる。   Next, the wafer W is transferred to the delivery device 52 by the wafer transfer device 110. Thereafter, the wafer W is transferred to the adhesion device 41 by the main transfer device 84 and subjected to an adhesion process. Next, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the main transfer apparatus 84, the temperature is adjusted, and then transferred to the resist coating apparatus 32, and a resist film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the main transfer apparatus 84, heated (pre-baked), and then returned to the delivery apparatus 52. Note that the above-described processing can be performed on another wafer W by further using the main transfer device 85.

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１１０によって受け渡し装置５３に搬送される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８６によって上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８６によって熱処理装置４０に搬送されて、加熱され、その後受け渡し装置５３に戻される。なお、メイン搬送装置８７をさらに用いることで、別のウェハＷに上述した処理を行うことができる。   Next, the wafer W is transferred to the delivery device 53 by the wafer transfer device 110. Thereafter, the wafer W is transferred to the upper antireflection film forming device 33 by the main transfer device 86, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the main transfer apparatus 86, heated, and then returned to the delivery apparatus 53. Note that the above-described processing can be performed on another wafer W by further using the main transfer device 87.

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１１０によって受け渡し装置５４に搬送され、シャトル搬送装置１００によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置７１に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション５のウェハ搬送装置１２０によって露光装置４に搬送され、露光処理される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer device 54 by the wafer transfer device 110 and transferred to the transfer device 71 of the fourth block G4 by the shuttle transfer device 100. Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure device 4 by the wafer transfer device 120 of the interface station 5 and subjected to exposure processing.

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１２０によって露光装置４から処理ステーション３の第４のブロックＧ４の受け渡し装置７０に搬送される。その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって熱処理装置４０に搬送され、加熱（露光後ベーク処理）される。その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって現像装置３０に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって熱処理装置４０に搬送され、加熱（ポストベーク処理）される。なお、メイン搬送装置８１をさらに用いることで、別のウェハＷに上述した処理を行うことができる。   Next, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 120 from the exposure device 4 to the delivery device 70 in the fourth block G4 of the processing station 3. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the main transfer apparatus 80 and heated (post-exposure baking process). Thereafter, the wafer W is transferred to the developing device 30 by the main transfer device 80 and developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the main transfer apparatus 80 and heated (post-baking process). Note that the above-described processing can be performed on another wafer W by further using the main transfer device 81.

その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０に搬送され、その後カセットステーション２のウェハ搬送装置１２によってカセット載置台１０上のカセットＣに戻される。こうして一連のフォトリソグラフィー処理であるウェハ処理が終了する。   Thereafter, the wafer W is transferred to the delivery device 50 of the third block G3 by the main transfer device 80, and then returned to the cassette C on the cassette mounting table 10 by the wafer transfer device 12 of the cassette station 2. In this way, a series of photolithography processes as a wafer process is completed.

以上の実施の形態によれば、搬送領域Ｒ１に２基のメイン搬送装置８０、８１が配置され、各々のメイン搬送装置８０、８１が鉛直方向及び水平方向に移動自在になっているので、従来のように１基の搬送装置が配置されていた場合に比べて、ウェハＷの搬送を効率よく行うことができる。これによって、ウェハ処理のスループットを向上させることができ、ウェハ製品の生産性を向上させることができる。   According to the above embodiment, the two main transport devices 80 and 81 are arranged in the transport region R1, and each main transport device 80 and 81 is movable in the vertical direction and the horizontal direction. As compared with the case where one transfer apparatus is arranged as described above, the wafer W can be transferred more efficiently. Thereby, the throughput of wafer processing can be improved, and the productivity of wafer products can be improved.

また、２基のメイン搬送装置８０、８１は平面視においてウェハＷの搬送経路が重なるように配置されているので、メイン搬送装置８０、８１の干渉を容易に防止することができる。本実施の形態においては、制御装置２００と位置検査装置２０１によって、メイン搬送装置８０、８１の移動は、それぞれの鉛直方向及び水平方向の位置を検出しながら制御されるので、メイン搬送装置８０、８１を干渉させずに移動させることができる。   Further, since the two main transfer apparatuses 80 and 81 are arranged so that the transfer paths of the wafers W overlap in a plan view, interference between the main transfer apparatuses 80 and 81 can be easily prevented. In the present embodiment, the movement of the main conveyance devices 80 and 81 is controlled by the control device 200 and the position inspection device 201 while detecting the respective vertical and horizontal positions. 81 can be moved without interference.

また、このように２基のメイン搬送装置８０、８１は平面視においてウェハＷの搬送経路が重なるように配置されているので、搬送領域Ｒ１を大きくする必要がない。したがって、ウェハ処理システム１の占有面積を小さく維持することができる。   In addition, since the two main transfer apparatuses 80 and 81 are arranged so that the transfer paths of the wafer W overlap in a plan view, it is not necessary to enlarge the transfer area R1. Therefore, the occupation area of the wafer processing system 1 can be kept small.

また、搬送領域Ｒは、鉛直方向に複数の搬送領域Ｒ１〜Ｒ４に分割され、各搬送領域Ｒ１〜Ｒ４にそれぞれ２基のメイン搬送装置８０〜８７が配置されているので、ウェハＷの搬送をより効率よく行うことができる。   In addition, the transfer area R is divided into a plurality of transfer areas R1 to R4 in the vertical direction, and two main transfer apparatuses 80 to 87 are arranged in the transfer areas R1 to R4, respectively. It can be performed more efficiently.

以上の実施の形態では、搬送領域Ｒ１にメイン搬送装置８０、８１のレール９０、９１は第２のブロックＧ２に取り付けられていたが、例えば図８に示すようにレール９０、９１のいずれか一方を第１のブロックＧ１に取り付けてもよく、またレール９０、９１の両方を第１のブロックＧ１に取り付けてもよい。また、例えば図９に示すように、メイン搬送装置８０、８１の両方を搬送領域Ｒ１の下部に配置してもよい。この場合、メイン搬送装置８０のレール９０は第１のブロックＧ１に取り付けられ、メイン搬送装置８１のレール９１は第２のブロックＧ２に取り付けられる。さらに、例えば図１０に示すように、メイン搬送装置８０、８１の両方を搬送領域Ｒ１の上部に配置してもよい。この場合においても、イン搬送装置８０のレール９０は第１のブロックＧ１に取り付けられ、メイン搬送装置８１のレール９１は第２のブロックＧ２に取り付けられる。以上のいずれの場合においても、搬送領域Ｒ１内でメイン搬送装置８０、８１を独立して移動させることができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。なお、他の搬送領域Ｒ２〜Ｒ４におけるメイン搬送装置８２〜８７の配置についても同様に変更してもよい。   In the above embodiment, the rails 90 and 91 of the main transfer devices 80 and 81 are attached to the second block G2 in the transfer region R1, but one of the rails 90 and 91, for example, as shown in FIG. May be attached to the first block G1, and both rails 90 and 91 may be attached to the first block G1. Further, for example, as shown in FIG. 9, both of the main transfer devices 80 and 81 may be disposed below the transfer region R1. In this case, the rail 90 of the main transport device 80 is attached to the first block G1, and the rail 91 of the main transport device 81 is attached to the second block G2. Further, for example, as shown in FIG. 10, both of the main transfer devices 80 and 81 may be arranged above the transfer region R1. Also in this case, the rail 90 of the in-transport device 80 is attached to the first block G1, and the rail 91 of the main transport device 81 is attached to the second block G2. In any of the above cases, the main transfer apparatuses 80 and 81 can be moved independently in the transfer region R1, and the throughput of wafer processing can be improved. Note that the arrangement of the main transfer apparatuses 82 to 87 in the other transfer areas R2 to R4 may be similarly changed.

以上の実施の形態では、各メイン搬送装置８０〜８７には、２基のメイン搬送アーム９２が設けられていたが、例えば図１１に示すように３基以上のメイン搬送アーム９２を設けてもよい。かかる場合、一度の搬送で複数のウェハＷを搬送することができるので、ウェハＷの搬送をより効率よく行うことができる。   In the above embodiment, each of the main transfer devices 80 to 87 is provided with two main transfer arms 92. However, for example, as shown in FIG. 11, three or more main transfer arms 92 may be provided. Good. In such a case, since a plurality of wafers W can be transferred by a single transfer, the transfer of the wafers W can be performed more efficiently.

以上の実施の形態では、制御装置２００は、メイン搬送装置８０、８１の干渉を回避するために、メイン搬送装置８０、８１の両方を鉛直方向に移動させていたが、例えば図１２に示すようにいずれか一方を鉛直方向に移動させるようにしてもよい。かかる場合、例えば図１２（ａ）に示すように、メイン搬送装置８０、８１が互いに移動して水平方向の距離が所定の距離Ｌになった場合に、図１２（ｂ）に示すようにメイン搬送装置８０を鉛直下方（図中の下方向）に移動させ、メイン搬送装置８１の鉛直方向の位置を固定する。この状態でメイン搬送装置８０、８１を水平方向に移動させることで、メイン搬送装置８０、８１の干渉を回避することができる。なお、メイン搬送装置８０の鉛直方向の位置を固定し、メイン搬送装置８１を鉛直上方に移動させて、メイン搬送装置８０、８１の干渉を回避してもよい。   In the above embodiment, the control device 200 moves both the main conveyance devices 80 and 81 in the vertical direction in order to avoid interference between the main conveyance devices 80 and 81. For example, as shown in FIG. One of them may be moved in the vertical direction. In such a case, for example, as shown in FIG. 12A, when the main transport apparatuses 80 and 81 move to each other and the horizontal distance reaches a predetermined distance L, the main as shown in FIG. The conveyance device 80 is moved vertically downward (downward in the figure), and the vertical position of the main conveyance device 81 is fixed. By moving the main transport apparatuses 80 and 81 in the horizontal direction in this state, interference of the main transport apparatuses 80 and 81 can be avoided. Note that the vertical position of the main transfer device 80 may be fixed and the main transfer device 81 may be moved vertically upward to avoid interference between the main transfer devices 80 and 81.

以上の実施の形態の搬送領域Ｒ１内のメイン搬送装置８０、８１の構成は、他のステーションにおけるウェハＷの搬送にも用いることができる。例えばカセットステーション２におけるウェハＷの搬送や、インターフェイスステーション５におけるウェハＷの搬送にも用いることができる。かかる場合、カセットステーション２やインターフェイスステーション５におけるウェハＷの搬送も効率よく行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。   The configuration of the main transfer apparatuses 80 and 81 in the transfer region R1 of the above embodiment can also be used for transferring the wafer W in another station. For example, it can be used for transporting the wafer W in the cassette station 2 and transporting the wafer W in the interface station 5. In such a case, since the wafer W can be efficiently transferred in the cassette station 2 or the interface station 5, the throughput of the wafer processing can be further improved.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

本発明は、基板に所定の処理の処理を行う基板処理システムにおいて、各処理装置に基板を搬送する際に有用である。   The present invention is useful when a substrate is transferred to each processing apparatus in a substrate processing system that performs a predetermined processing on the substrate.

本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the application | coating development processing system concerning this Embodiment. 塗布現像処理システムの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a coating and developing treatment system. 塗布現像処理システムの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a coating and developing treatment system. 第１のブロックの現像装置、第２のブロックの熱処理装置及びメイン搬送装置の配置を示す側面図である。It is a side view which shows arrangement | positioning of the developing apparatus of a 1st block, the heat processing apparatus of a 2nd block, and a main conveyance apparatus. メイン搬送装置の側面図である。It is a side view of a main conveyance apparatus. メイン搬送アームの平面図である。It is a top view of a main conveyance arm. メイン搬送装置の移動の制御方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the control method of the movement of a main conveying apparatus. 他の実施の形態にかかる第１のブロックの現像装置、第２のブロックの熱処理装置及びメイン搬送装置の配置を示す側面図である。It is a side view which shows arrangement | positioning of the developing apparatus of the 1st block concerning 2nd Embodiment, the heat processing apparatus of a 2nd block, and the main conveying apparatus. 他の実施の形態にかかる第１のブロックの現像装置、第２のブロックの熱処理装置及びメイン搬送装置の配置を示す側面図である。It is a side view which shows arrangement | positioning of the developing apparatus of the 1st block concerning 2nd Embodiment, the heat processing apparatus of a 2nd block, and the main conveying apparatus. 他の実施の形態にかかる第１のブロックの現像装置、第２のブロックの熱処理装置及びメイン搬送装置の配置を示す側面図である。It is a side view which shows arrangement | positioning of the developing apparatus of the 1st block concerning 2nd Embodiment, the heat processing apparatus of a 2nd block, and the main conveying apparatus. 他の実施の形態にかかるメイン搬送装置の側面図である。It is a side view of the main conveying apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかるメイン搬送装置の移動の制御方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the control method of the movement of the main conveying apparatus concerning other embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ 塗布現像処理システム
３ 処理ステーション
Ｇ１ 第１のブロック
Ｇ２ 第２のブロック
Ｇ３ 第３のブロック
Ｇ４ 第４のブロック
８０〜８７ メイン搬送装置
９０、９１ レール
９２ メイン搬送アーム
９５ 支持部
９６ シャフト
９７ 駆動機構
２００ 制御装置
２０１ 位置検出装置
Ｒ、Ｒ１〜Ｒ５ 搬送領域
Ｗ ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating and developing processing system 3 Processing station G1 1st block G2 2nd block G3 3rd block G4 4th block 80-87 Main conveyance apparatus 90, 91 Rail 92 Main conveyance arm 95 Support part 96 Shaft 97 Drive mechanism 200 Control Device 201 Position Detection Device R, R1 to R5 Transport Area W Wafer

Claims (6)

基板に所定の処理を行う複数の処理装置を、鉛直方向に多段に積層し、かつ水平方向に直列に配置した基板の処理システムであって、
前記複数の処理装置に基板を搬送するための搬送領域は、前記複数の処理装置が対向して配置された間において当該複数の処理装置の鉛直方向及び水平方向に沿って形成され、
前記搬送領域は、鉛直方向に複数の搬送領域に分割され、
前記分割された各搬送領域には、基板を保持して搬送する複数の搬送アームがそれぞれ配置され、
前記複数の搬送アームは、平面視において、前記複数の処理装置の水平方向に沿った基板の搬送経路が重なるように配置され、且つ前記分割された各搬送領域において、前記複数の処理装置の鉛直方向に沿った基板の搬送径路が同一になるように配置され、
前記複数の搬送アームは、各々独立して鉛直方向、水平方向及び水平回転方向に移動自在であることを特徴とする、基板処理システム。 A substrate processing system in which a plurality of processing apparatuses that perform predetermined processing on a substrate are stacked in multiple stages in the vertical direction and arranged in series in the horizontal direction,
Transport region for transporting the substrate to the plurality of processing devices, said plurality of processing devices are formed along the vertical direction and the horizontal direction of the plurality of processing devices during disposed to face,
The transport area is divided into a plurality of transport areas in the vertical direction,
In each of the divided transfer areas , a plurality of transfer arms that hold and transfer the substrate are respectively disposed.
The plurality of transfer arms are arranged such that the substrate transfer paths along the horizontal direction of the plurality of processing apparatuses overlap in a plan view, and the plurality of transfer arms are vertically arranged in the divided transfer areas. Arranged so that the substrate transport path along the direction is the same,
The substrate processing system, wherein each of the plurality of transfer arms is independently movable in a vertical direction , a horizontal direction, and a horizontal rotation direction . 前記複数の搬送アームは、各々独立して前記分割された各搬送領域に対向するすべての処理装置に基板を搬送することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。2. The substrate processing system according to claim 1, wherein each of the plurality of transfer arms independently transfers a substrate to all the processing apparatuses facing the divided transfer regions. 前記分割された各搬送領域には、前記複数の搬送アームとして２基の搬送アームが設けられ、Each of the divided transfer areas is provided with two transfer arms as the plurality of transfer arms,
第１の搬送アームには、当該第１の搬送アームを支持して鉛直方向及び水平方向に移動させる第１の移動機構が設けられ、The first transfer arm is provided with a first moving mechanism that supports the first transfer arm and moves it in the vertical direction and the horizontal direction.
第２の搬送アームには、当該第２の搬送アームを支持して鉛直方向及び水平方向に移動させる第２の移動機構が設けられ、The second transfer arm is provided with a second moving mechanism that supports the second transfer arm and moves the second transfer arm in the vertical direction and the horizontal direction.
前記第１の移動機構と前記第２の移動機構は、前記分割された各搬送領域の上部又は下部にそれぞれ配置されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板処理システム。3. The substrate processing system according to claim 1, wherein the first moving mechanism and the second moving mechanism are arranged above or below each of the divided transport areas. 前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームの鉛直方向及び水平方向の位置をそれぞれ検出する位置検出装置と、A position detection device that detects vertical and horizontal positions of the first transfer arm and the second transfer arm;
前記位置検出装置からの検出結果に基づいて、前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームが互いに干渉しないように、前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームの鉛直方向の移動を制御する制御装置と、をさらに有することを特徴とする、請求項３に記載の基板処理システム。Based on the detection result from the position detection device, the first transfer arm and the second transfer arm move in the vertical direction so that the first transfer arm and the second transfer arm do not interfere with each other. The substrate processing system according to claim 3, further comprising a control device that controls the apparatus. 前記制御装置は、干渉を回避するために、前記第１の搬送アームを鉛直上方に移動させ、前記第２の搬送アームを鉛直下方に移動させることを特徴とする、請求項４に記載の基板処理システム。5. The substrate according to claim 4, wherein the control device moves the first transfer arm vertically upward and moves the second transfer arm vertically downward in order to avoid interference. 6. Processing system. 前記制御装置は、干渉を回避するために、前記第１の搬送アームの鉛直方向の位置を固定して移動させ、前記第２の搬送アームを鉛直方向上方又は下方のいずれかに移動させることを特徴とする、請求項４に記載の基板処理システム。In order to avoid interference, the control device fixes and moves the vertical position of the first transfer arm, and moves the second transfer arm either upward or downward in the vertical direction. The substrate processing system according to claim 4, wherein the substrate processing system is characterized.
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