JP2021176008A - 光ファイバ - Google Patents
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Abstract
Description
まず、|dΔ(r)/dr|(0〜r1)は、0.3%/μm以下とすることが好ましい。急激な屈折率変化がないすなわちガラス組成の大きな変化を抑制することで構造不整損失の低減が可能である。
まず、VAD法により、コアおよび中間層からなる多孔質ガラス母材を一体合成した。コアには屈折率を上昇させるためのゲルマニウムをドープした。この多孔質ガラス母材を、塩素ガスを毎分1リットルと四フッ化シランガスを毎分0.1リットルとArガスを毎分20リットルの混合ガス流雰囲気中にて約1200℃に加熱し、多孔質ガラス母材を10mm/minで引き下げ、脱水およびフッ素ドープを行った。続いて、約1500℃に加熱し、中実な透明ガラスコア母材とした。なお、四フッ化シランガスに代えて、四フッ化メタンや六フッ化エタンなどを使用してもよい。
まず、VAD法により、コアおよび中間層からなる多孔質ガラス母材を一体合成した。コアには屈折率を上昇させるためのゲルマニウムをドープした。この多孔質ガラス母材を、塩素ガスを毎分1.5リットルと四フッ化シランガスを毎分0.12リットルとArガスを毎分20リットルの混合ガス流雰囲気中にて約1200℃に加熱し、多孔質ガラス母材を10mm/minで引き下げ、脱水およびフッ素ドープを行った。その後、表面のフッ素を抜く工程として1300℃で1時間多孔質ガラス母材を加熱する工程を加えた。その際、Heを毎分20リットル流した。続いて、約1500℃に加熱し、中実な透明ガラスコア母材とした。その後は実施例1−1と同様の方法で光ファイバを得た。
まず、VAD法により、コアおよび中間層からなる多孔質ガラス母材を一体合成した。コアには屈折率を上昇させるためのゲルマニウムをドープした。この多孔質ガラス母材を、塩素ガスを毎分2.0リットルと四フッ化シランガスを毎分0.14リットルとArガスを毎分20リットルの混合ガス流雰囲気中にて約1200℃に加熱し、多孔質ガラス母材を10mm/minで引き下げ、脱水およびフッ素ドープを行った。その後、表面のフッ素を抜く工程として1300℃で4時間多孔質ガラス母材を加熱する工程を加えた。その際、Heを毎分20リットル流した。続いて、約1500℃に加熱し、中実な透明ガラスコア母材とした。その後は実施例1−1と同様の方法で光ファイバを得た。
まず、VAD法により、コアおよび中間層からなる多孔質ガラス母材を一体合成した。コアには屈折率を上昇させるためのゲルマニウムをドープした。この多孔質ガラス母材を、塩素ガスを毎分0.5リットルと四フッ化シランガスを毎分0.1リットルとArガスを毎分20リットルの混合ガス流雰囲気中にて約1200℃に加熱し、多孔質ガラス母材を10mm/minで引き下げ、脱水およびフッ素ドープを行った。続いて、約1500℃に加熱し、中実な透明ガラスコア母材とした。その後は実施例1−1と同様の方法で光ファイバを得た。
2 コア
3 第一クラッド層
4 第二クラッド層
5 第三クラッド層
Claims (12)
- 中心部に半径r1のコア、該コアに半径位置r1で隣接してその外周を覆い最外半径r2の第一クラッド層、該第一クラッド層に半径位置r2で隣接してその外周を覆い最外半径r3の第二クラッド層、及び該第二クラッド層に半径位置r3で隣接してその外周を覆う第三クラッド層からなる光ファイバにおいて、
前記第一クラッド層の屈折率が、内側から外側に向かって連続的になだらかに低下して半径位置r1で最大値をとり、半径位置r2で最小値をとり、且つ、
前記第二クラッド層の屈折率が、内側から外側に向かって連続的になだらかに上昇して半径位置r2で最小値をとり、半径位置r3で最大値をとることを特徴とする光ファイバ。 - rが0〜r1の範囲で|dΔ(r)/dr|≦0.3%/μmが成り立ち、かつrがr1〜r2の範囲で|dΔ(r)/dr|≦0.05%/μmが成り立ち、かつrがr2〜r3の範囲で|dΔ(r)/dr|≦0.1%/μmが成り立つことを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ。
- 前記コアは最大比屈折率差Δ1maxを有し、前記第一クラッド層は半径位置r1において比屈折率差Δ2及び半径位置r2において最小比屈折率差Δ3minを有し、前記第二クラッド層は半径位置r3において比屈折率差Δ4を有し、
Δ1max>Δ2、Δ2>Δ3min、Δ4>Δ3min、Δ2=Δ4
であることを特徴とする請求項1または2に記載の光ファイバ。 - 前記第一クラッド層と前記第二クラッド層とが接する半径位置r2付近において、屈折率分布形状曲線の傾きが負から正に変化することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光ファイバ。
- 前記コアに添加した正のドーパントは半径方向に濃度分布を持ち、その最大値は、第三クラッドの平均屈折率を基準とした比屈折率差が0.30〜0.50%となるように添加されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の光ファイバ。
- 前記第一クラッド層および第二クラッド層に添加した負のドーパントは、第三クラッドの平均屈折率を基準とした比屈折率差が−0.20〜−0.03%となるように添加されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の光ファイバ。
- 前記正のドーパントがゲルマニウムおよび/または塩素であり、負のドーパントがフッ素であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の光ファイバ。
- 1550nmの波長で約0.1845dB/km未満の減衰を有することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の光ファイバ。
- 半径10mmの曲げを与えた際の波長1550nmにおける曲げ損失が0.5dB/turn以下であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の光ファイバ。
- 零分散波長が1300〜1324nmであることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の光ファイバ。
- 1310nmにおけるモードフィールド直径が8.8〜9.6μmであることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の光ファイバ。
- 22mのファイバ長で測定したカットオフ波長が1260nm以下である請求項1から11のいずれか1項に記載の光ファイバ。
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