JP2021174929A - 光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、DSCやOPV、PSC等の太陽電池を実用化するためには、耐光性が課題として挙げられる。DSCやPSCは、色素や電荷輸送層が一般的に有機物で構成されていることが多い。また、OPVは、P/N半導体層が有機物で構成されていることが多い。そのため、前記の太陽電池は、紫外線に対する耐光性が低いと言われている。
そこで、例えば、特許文献1では、光電極を構成する基材に紫外線遮蔽皮膜を形成し、耐久性に優れたDSCが提案されている。
また、特許文献2では、樹脂基材の中に紫外線吸収材を混合することで、耐久性に優れたDSCが提案されている。
一方、特許文献3、特許文献4では、紫外線を可視光に変換する波長変換材料を基材側に積層することで、耐光性と発電効率の両方を改善したDSCが提案されている。
[1]半導体層を有する光電極と、前記光電極と離間して対向する対向電極と、前記光電極と前記対向電極との間に位置する電荷移動体と、前記光電極の光入射面側に設けた光制御層と、を備える、光電変換素子。
[2]前記光制御層は、光吸収材を含む、[1]に記載の光電変換素子。
[3]前記光制御層は、光反射材を含む、[1]に記載の光電変換素子。
[4]前記光制御層は、光拡散材を含む、[1]に記載の光電変換素子。
[5]前記光制御層は、フォトクロミック材を含む、[1]に記載の光電変換素子。
[6]前記フォトクロミック材は、消色状態で400nm以下の領域に光吸収ピークを有し、有色状態で400nm以上の領域に光吸収ピークを有する、[5]に記載の光電変換素子。
[7]前記光制御層は、エレクトロクロミック材を含む、[1]に記載の光電変換素子。
[8]前記エレクトロクロミック材は、消色状態で400nm以下の領域に光吸収ピークを有し、有色状態で400nm以上の領域に光吸収ピークを有する、[7]に記載の光電変換素子。
[9]前記光制御層は、サーモクロミック材を含む、[1]に記載の光電変換素子。
[10]前記サーモクロミック材は、消色状態で400nm以下の領域に光吸収ピークを有し、有色状態で400nm以上の領域に光吸収ピークを有する、[9]に記載の光電変換素子。
[11]有機系太陽電池またはペロブスカイト結晶を有する太陽電池である、[1]〜[10]のいずれかに記載の光電変換素子。
図1に示すように、本発明を適用した光電変換素子1は、光電極10と、対向電極20と、電荷移動体30と、封止材40と、導電材50と、光制御層60と、を有する。
光電極10と対向電極20とは離間して対向する。
電荷移動体30は、光電極10と対向電極20の間に位置する。
封止材40は、光電極10と対向電極20との間に位置して電荷移動体30を封止する。
電荷移動体30は、光電極10、対向電極20および封止材40で囲まれた領域に存在する。電荷移動体30は、光電極10および対向電極20の双方に接する。
導電材50は、光電極10と対向電極20の間に位置して、光電極10と対向電極20を導通可能とする。
光制御層60は、光電極10の光入射面(対向電極20とは反対側の面)10a側に設けられる。
光制御層60は、太陽光または白色発光ダイオード、蛍光灯等の発光波長域(例えば、400nm〜800nmの波長領域)において、透過率が90%以下の波長域を有する材料で形成されたものが好ましく、透過率70%以下の波長域を有する材料で形成されたものがより好ましく、透過率50%以下の波長域を有する材料で形成されたものがさらに好ましく、透過率20%以下の波長域を有する材料で形成されたものが最も好ましい。
光吸収型のNDフィルターとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂基材、またはガラス基材中に光吸収材料を添加したフィルターや、前記の基材上に誘電体膜や金属膜を多層に成膜したフィルター等が挙げられる。
光学フィルターとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂基材、またはガラス基材中に光吸収材料(機能性色素)を添加したフィルターや、前記の基材上に光吸収材料(機能性色素)からなる膜を成膜したフィルター等が挙げられる。機能性色素としては、例えば、クマリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ペリレン誘導体、シアニン誘導体、スクアリウム誘導体等が挙げられる。
光反射型のNDフィルターとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂基材、またはガラス基材上に金属膜を成膜したフィルター等が挙げられる。金属膜の材質としては、屈折率の大きな金属が挙げられる。このような金属としては、例えば、ニッケル、クロム、アルミニウム、金、銀、銅等が挙げられる。
反射フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂基材、またはガラス基材中に高屈折率な微粒子を添加したフィルター等が挙げられる。微粒子の材料としては、特に限定されないが、例えば、屈折率の観点から、酸化ケイ素や酸化チタン等の無機系微粒子やアクリル系樹脂等からなる有機系微粒子等が挙げられる。微粒子の粒子径は、特に限定されないが、例えば、光を効果的に反射する観点から、400nm以上であることが好ましい。
光拡散フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂基材、またはガラス基材中に高屈折率な微粒子を添加したフィルム等が挙げられる。微粒子の材料としては、特に限定されないが、例えば、屈折率の観点から、酸化ケイ素や酸化チタン等の無機系微粒子やアクリル系樹脂等からなる有機系微粒子等が挙げられる。微粒子の粒子径は、特に限定されないが、例えば、光を効果的に反射する観点から、400nm以上であることが好ましい。
光拡散ガラスとしては、すりガラス、フロストガラス、型板ガラス等が挙げられる。
フォトクロミック材料としては、例えば、無機系材料や有機系材料(色素)等が挙げられる。
無機系材料としては、例えば、ハロゲン化銀や酸化タングステン等が挙げられる。
有機系材料としては、例えば、Tタイプ型色素(色変換の過程が光以外の熱によっても起きる色素)や、Pタイプ型色素(色変換の過程が光によってのみ起きる色素)等が挙げられる。Tタイプ型色素としては、例えば、アゾベンゼン誘導体、スピロピラン誘導体、スピロオキサジン誘導体等が挙げられる。Pタイプ型色素としては、例えば、ジアリールエテン誘導体等が挙げられる。
フォトクロミック材料は、例えば、消色状態で400nm以下の領域に光吸収ピークを有し、有色状態で400nm以上の領域に光吸収ピークを有することが好ましい。フォトクロミック材料が有色状態から消色状態へ変化する場合、光吸収ピークの吸収端は1000nm以下であることがより好ましい。フォトクロミック材料は、400nm以下の光を吸収することで、有色状態から消色状態へ変化する。有色状態から消色状態への変化は、フォトクロミック材料が400nm以上の光を吸収するか、Tタイプ型色素の場合、熱によっても、有色状態から消色状態へ変化する。
エレクトロクロミック材料としては、例えば、無機系材料や有機系材料等が挙げられる。
無機系材料としては、例えば、酸化モリブデンや酸化タングステン等の酸化物半導体が挙げられる。
有機系材料としては、例えば、ビオロゲン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等が挙げられる。
エレクトロクロミック材料は、例えば、消色状態で400nm以下の領域に光吸収ピークを有し、有色状態で400nm以上の領域に光吸収ピークを有することが好ましい。エレクトロクロミック材料が有色状態である場合、光吸収ピークの吸収端は1000nm以下であることがより好ましい。エレクトロクロミック材料は、外部から電圧を印加し、酸化反応または還元反応を起こすことで、消色状態から有色状態へ変化する。また、エレクトロクロミック材料は、外部から電圧を印加し、還元反応または酸化反応を起こすことで、有色状態から消色状態へ変化する。
本実施形態では、外部電圧として、光電変換素子1で発電した電気を直接用いてもよいし、光電変換素子1で発電した電気を一旦、蓄電池に蓄電し、その電気を用いてもよい。また、一次電池等のバックアップ電池から得た電気を用いてもよい。
サーモクロミック材料としては、例えば、液晶材料や色素系材料等が挙げられる。
液晶材料としては、例えば、コレステロール誘導体やシアノビフェニル等が挙げられる。
色素系材料としては、例えば、ロイコ色素等が挙げられる。
サーモクロミック材料は、例えば、消色状態で400nm以下の領域に光吸収ピークを有し、有色状態で400nm以上の領域に光吸収ピークを有することが好ましい。サーモクロミック材料が有色状態である場合、光吸収ピークの吸収端は1000nm以下であることがより好ましい。
サーモクロモック材料は、例えば、太陽光の照射下で光制御層60の温度が50℃以上になった場合に、消色状態から有色状態に変化する。また太陽光が照射されない環境下で光制御層60の温度が50℃以下になった場合に、有色状態から消色状態に変化する特徴を有する。
光制御層60を透過した光の強度が90mW/cm2以下であれば、紫外線による劣化、および高強度の光による劣化を抑制し、長期にわたって光電変換素子1の発電量を維持することができる。
光制御層60を通過した光の強度が0.01mW/cm2以上であれば、センサー等の機器を駆動させるための電力を光電変換素子1で発電させることができる。
光電極支持体12の表面に平行な面内において、導電材50が延長する方向をP1方向、P1方向に垂直な方向をP2方向とする。
無機半導体層16は、電荷移動体30に接する。無機半導体層16は、光電極導電層14の一部を覆う。無機半導体層16の外方で、光電極導電層14の一部は、電荷移動体30と接する。無機半導体層16は増感色素を担持する。
なお、電荷移動体30が存在する領域において、無機半導体層16が光電極導電層14の全面を覆ってもよい。
光電極導電層14は、導電性を有すれば、特に制限されない。光電極導電層14は、従来公知の色素増感太陽電池用の導電層である。光電極10が光入射面を形成する場合、光電極導電層14は光透過性を有する。すなわち、光電極導電層14としては、いわゆる透明導電層が好ましい。
光電極導電層14の材料としては、例えば、金、白金、銀、銅、クロム、タングステン、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ニッケル、マンガン、亜鉛、鉄およびこれらの合金等の金属;フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/Al2O3混合物、Al/LiF混合物、CuI、インジウムスズ酸化物(ITO)、SnO2、アルミニウム亜鉛酸化物(AZO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、ガリウム亜鉛酸化物(GZO)等の導電性透明無機材料;導電性透明ポリマー等が挙げられる。これらの材料は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせ用いてもよい。
光電極導電層14の厚みは、光電極支持体12の面と直交する断面の画像における、任意の10点の測定値の平均値である。
半導体材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム等の酸化物、硫化スズ、硫化インジウム、硫化亜鉛、酸化第一銅、三酸化モリブデン、五酸価バナジウム、酸化タングステン等の酸化物、チオシアン酸銅(I)、ヨウ化銅、二硫化モリブデン、二セレン化モリブデン、硫化銅(I)等が挙げられる。
無機半導体層16は、稠密層でもよく、多孔質層でもよい。光電変換素子1の光電変換効率のさらなる向上の点から、無機半導体層16は、多孔質層が好ましい。
無機半導体層16の厚みは、500nm以上100μm以下であることが好ましい。無機半導体層16の厚みは、光電極支持体12の面と直交する断面の画像における、任意の10点の測定値の平均値である。
光電極10と対向電極20とは、無機半導体層16と対向電極導電層24とを向き合わせて、対向する。
対向電極導電層24の好ましい厚みは、光電極導電層14の好ましい厚みと同様である。対向電極導電層24の厚みは、光電極導電層14の厚みと同じでもよいし、異なってもよい。
触媒層26の材料としては、例えば、PEDOT、プラチナ、ITO、ポリアニリン、またはカーボン等が挙げられる。
触媒層26の厚みは、2nm以上500μm以下であることが好ましい。触媒層26の厚みは、光電極支持体12の面と直交する断面の画像における、任意の10点の測定値の平均値である。
電解液は、分散媒(以下「電解液分散媒」ということがある。)と、電解液分散媒に分散している酸化還元対とを有する。ゲル電解質は電解液をゲル状にしたものである。ゲル電解質の製造方法は、例えば、電解液にゲル化剤または増粘剤を加えてゲル状にする。ゲル電解質の電荷移動体30は光電変換素子1の耐久性を高めることができる。
酸化還元対は、支持電解質とハロゲン分子との組み合わせである。
支持電解質は、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム等の金属ヨウ化物、テトラアルキルアンモニウムヨーダイド、ピリジニウムヨーダイド、イミダゾリウムヨーダイド等のヨウ素塩等のヨウ化物;臭化ナトリウム、臭化カリウム等の金属臭化物、テトラアルキルアンモニウムブロマイド、ピリジニウムブロマイド、イミダゾリウムブロマイド等の臭素塩等の臭素化合物である。
ハロゲン分子は、ヨウ素分子、臭素分子等である。
支持電解質とハロゲン分子との組み合わせとしては、ヨウ化物とヨウ素分子との組み合わせ、臭素化合物と臭素分子との組み合わせが好ましい。
本実施形態において、封止材40の厚み方向の両端は、光電極導電層14および対向電極導電層24にそれぞれ接合する。
封止材40は、電荷移動体30を封止できればよく、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等、従来公知の封止材を使用できる。
封止材40の厚みは、10μm以上200μm以下であることが好ましい。封止材40の厚みは、光電極支持体12の面と直交する断面の画像における、任意の10点の測定値の平均値である。
導電材50は導電粒子と接着剤を含有する。
具体例としては、金、銀、銅、クロム、チタン、白金、ニッケル、錫、亜鉛、鉛、タングステン、鉄、アルミニウム等の金属からなる金属粒子;これらの金属を含む化合物からなる粒子;導電性樹脂からなる粒子;カーボンブラック等の炭素系粒子;が挙げられる。さらに、樹脂製の粒子に無電解ニッケル等の導電性を有する金属を被覆した粒子等の複合粒子も使用できる。
導電粒子の形状は前記スペーサーの役割を果たせば、特に制限されない。球状、楕円形状、立方形状、多角体形状等が挙げられる。最大の内包体積を有し、かつ抵抗が少ない観点から、導電粒子は球状が好ましい。
導電粒子の平均粒子径は、5μm以上500μm以下であることが好ましく、10μm以上500μm以下であることがより好ましい。
導電粒子の平均粒子径は、導電材の画像における任意の10個の測定値の平均値である。導電粒子が球状でない場合は、導電材の画像における導電粒子の面積を計測し、同面積の円の直径を前記導電粒子の直径として、10個の平均値を求める。
前記樹脂材料としては、例えば、酢酸ビニル樹脂系エマルション形接着剤、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂、EVA(エチレン−酢酸ビニル−塩化ビニルの三元共重合体)系エマルション形接着剤、α−オレフィン(イソブテン−無水マレイン酸樹脂)系接着剤、アクリル樹脂系エマルション形接着剤、スチレン・ブタジエンゴム系ラテックス形接着剤、酢酸ビニル樹脂系溶剤形接着剤、アクリル樹脂系溶剤形接着剤、塩化ビニル樹脂系溶剤形接着剤、クロロプレンゴム系溶剤形接着剤、クロロプレンゴム系溶剤形マスチックタイプ接着剤、ニトリルゴム系溶剤形接着剤、再生ゴム系溶剤形スチレンブタジエンラバー(styrene−butadiene rubber:SBR)系溶剤形接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、シリコーン樹脂系接着剤、変成シリコーン樹脂系接着剤、エポキシ・変成シリコーン樹脂系接着剤、アクリル樹脂系(second generation of acrylic adhesives:SGA)接着剤、でん粉系接着剤、ポリマーセメントモルタル、エポキシ樹脂モルタル、シリル化ウレタン樹脂系接着剤、ホットメルト形接着剤等が挙げられる。
補助導電物質としては、導電性を有し、導電粒子の導通性を阻害しないものであればよい。導電粒子よりも小径の粒子状または繊維状の補助導電物質が挙げられる。
補助導電物質の材料としては、金、銀、銅、クロム、チタン、白金、ニッケル、錫、亜鉛、鉛、タングステン、鉄、アルミニウム等の金属、これらの金属を含む化合物、導電性樹脂、またはカーボンブラック等の炭材料料が挙げられる。導電粒子と同じ材料であってもよい。
補助導電物質が粒子状である場合の平均粒子径は、補助導電物質が導電粒子同士の隙間に存在しやすい点で、導電粒子の平均粒子径に対いて80%以下であることが好ましく、50%以下であることがより好ましく、30%以下であることがさらに好ましい。
補助導電物質の平均粒子径の測定方法は、前記導電粒子の平均粒子径の測定方法と同じである。
補助導電物質が導電性繊維である場合の平均繊維径は、導電粒子の平均粒子径に対して45%以下であることが好ましく、30%以下であることがより好ましく、15%以下であることがさらに好ましい。
前記導電性繊維の繊維長は、導電粒子の導通性を阻害しないように適宜調整することが好ましい。例えば、繊維長/繊維径で表されるアスペクト比の平均値が2以上500以下であることが好ましい。
補助導電物質の平均繊維径は、導電材の画像における任意の10個の測定値の平均値である。
第一絶縁部は、光電極導電層14を貫通する切断部である。第一絶縁部は、光電極導電層14を分断して電気的に絶縁している。
第二絶縁部は、対向電極導電層24を貫通する切断部である。第二絶縁部は、対向電極導電層24を分断して電気的に絶縁している。
P2方向において、第一絶縁部と第二絶縁部は交互に存在する。
本実施形態の光電変換素子は、例えば、以下の方法で製造できる。
本実施形態の光電変換素子の製造方法は、図2に例示する製造装置100を用いて、光電極10をP1方向に搬送しながら、光電極10上に、封止材40、導電材50および電荷移動体30を設け、対向電極20をP1方向に搬送しながら、光電極10と対向電極20と貼り合わせて、図1に示す構成の光電変換素子1を連続的に製造する方法である。導電材50は、例えば、導電ペーストを塗布して形成する。
光電極導電層14を形成した後、無機半導体層16を形成する前の状態で、一旦ロール状に巻き取ってもよい。また、光電極10を形成した後、巻き取らずに、次工程を行ってもよい。
対向電極導電層24を形成した後、触媒層26を形成する前の状態で、一旦ロール状に巻き取ってもよい。また、対向電極20を形成した後、巻き取らずに、次工程を行ってもよい。
光電極10をP3方向に繰り出して搬送しながら、図示略の絶縁部形成装置を用いて、図示略の第一の絶縁部を形成する。絶縁部形成装置としては、例えば、ダイカットロールを備えた加工装置、レーザー加工装置等が挙げられる。
続いて、導電材塗布装置102を用いて導電ペーストを塗布し、未硬化の導電材50を形成する。続いて、電解液塗布装置103を用いて電解液を塗布し、電荷移動体30を形成する。
続いて、押圧ロール111、112を通過した直後に、図示略の硬化装置を用いて、未硬化の封止材40および導電材50を硬化させて、封止材40および導電材50と光電極10とを貼り合わせるとともに、封止材40および導電材50と対向電極20とを貼り合わせる。例えば、未硬化の封止材40が光硬化性樹脂である場合、硬化装置としてUVランプを用いて紫外線を照射して封止材40を硬化させる。未硬化の導電材50が熱硬化性樹脂である場合、加熱して導電材50を硬化させる。このようにして光電極10と対向電極20を、封止材40および導電材50を介して貼り合わせる。
超音波付与部115の先端部と、台座116の先端部は、それぞれ複数の凹凸を有する。両者の凹凸は互いに噛み合う形状である。超音波付与部115と台座116の間の距離は可変である。
貼り合された対向電極20と光電極10に、超音波付与部115の先端部と、台座116の先端部をそれぞれ接触させて、超音波付与部115と台座116との距離を縮小する。このようにして超音波振動を付与しながら加圧すると、光電極支持体12、対向電極支持体22、およびこれらの間に存在する封止材40等の構造物に、振動エネルギーが伝達されて摩擦熱が発生し、融点が低い構造物は溶融して流動する。また、前記構造物に金属のような剛体が存在する場合、該剛体は超音波振動によって破壊され、破壊された粒径が比較的小さければ拡散(移動)する。
その結果、光電極支持体12と対向電極支持体22との間に存在していた封止材40等の構造物が、融着部に隣接する部分に押し出され、光電極支持体12と対向電極支持体22とが融着した融着部となる。
(光電変換素子の作製)
以下に示す材料を用いて、上記実施形態に示した光電変換素子の製造方法の手順で、図1に示す光電変換素子を作製した。
・光電極支持体および対向電極支持体:材料PEN。
・光電極導電層および対向電極導電層:材料ITO。
・無機半導体層:酸化チタン(1次粒子径15nm)からなる多孔質層(膜厚10μm)。
・増感色素:ルテニウム系色素(通称N719)。
・触媒層:白金(膜厚10nm)。
・電荷移動体:電解液。
・封止材:紫外線硬化性樹脂。
・導電ペースト:接着剤(紫外線硬化性樹脂)と、導電粒子(表面に金めっきを施したミクロパール(登録商標)AU−250)との混合物。
・光制御層:NDフィルター(HOYA製吸収型NDフィルター、光学濃度OD=0.3、厚さ2.5mm、透過率50%)。
光電変換素子の初期発電量を200ルクス下で測定した後、1SUN耐光性試験機(キセノン促進耐候試験機、商品名:Q−SUN Xe−3、三洋貿易社製)で500時間保管した。
500時間経過後、再度、光電変換素子の発電量を200Lux下で測定した。
光電変換素子の発電量は、次のようにして測定した。
面発光白色LED装置、色彩照度計:CL−200A(コニカミノルタジャパン社製)を用いて光電変換素子に200Luxの光が照射されるように調整した。光照射下でソースメーター(ケースレー社製)を用い、光電変換素子に電圧を印加し、発生した電流量から発電量を算出した。
結果を表1に示す。
光制御層として、光反射NDフィルター(商品名:ND204B、Thorlabs社製、光学濃度OD=0.4、厚さ2.5mm、透過率40%)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例2の光電変換素子を作製した。
得られた光電変換素子の耐光性を、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
光制御層として、光反射フィルム(商品名:IJ5000、3M社製、厚さ0.1mm、透過率5%)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例3の光電変換素子を作製した。
得られた光電変換素子の耐光性を、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
光制御層として、光拡散ガラス(すりガラス)(フショク型拡散板、商品名:FS50C502、渋谷光学社製、厚さ2mm、透過率30%)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例4の光電変換素子を作製した。
得られた光電変換素子の耐光性を、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
光制御層として、光拡散フィルム(3M社製、厚さ0.06mm、透過率60%)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例5の電変換素子を作製した。
得られた電変換素子の耐光性を、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
光制御層として、フォトクロミック材(フォトクロミックセラミックウィンドウフィルム(65%)、TintDept社製、消色状態透過率=65%、380nm以下の光で着色状態に変化、着色状態透過率=45%、450nm以上の光で消色状態に変化、厚さ0.1mm)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例6の光電変換素子を作製した。
得られた光電変換素子の耐光性を、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
白色LEDでの発電特性測定中は、380nm以下の光が照射されないため、光制御層は消色状態であった。耐光性試験機での加速試験中は、380nm以下の光が照射されたため、着色状態であった。再度、白色LEDでの発電特性測定時には、380nm以下の光が照射されないため、光制御層は消色状態に戻った。
光制御層として、エレクトロクロミック材(エレクトロクロミックフィルム、TintDept社製、消色状態透過率=80%、着色状態透過率=5%、厚さ0.2mm)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例7の光電変換素子を作製した。
得られた光電変換素子の耐光性を、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
白色LEDでの発電特性測定は、光制御層に電圧を印加せずに無色状態で行い、加速試験中は電圧(2V)を印加し、有色状態とした。加速試験500時間経過後、光制御層に逆電圧(−2V)を印加し、無色状態に変更後、再度、白色LED下で発電特性を測定した。
光制御層として、サーモクロミック材(サーモクロミックガラス、日本板硝子社製、消色状態透過率=63%、着色状態透過率=13%)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例8の光電変換素子を作製した。
白色LEDでの発電特性測定中は、光制御層は50℃以下だったため、光制御層は消色状態であった。耐光性試験機での加速試験中は、光照射で50℃以上に昇温され、着色状態であった。再度、白色LEDでの発電特性測定時には、光制御層は50℃以下であったため、光制御層は消色状態に戻った。
光制御層を設けないこと以外は実施例1と同様にして、比較例の光電変換素子を作製した。
得られた光電変換素子の耐光性を、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
一方、比較例の光電変換素子は、初期発電量は高いものの、維持率が低いことが分かった。
10 光電極
12 光電極支持体
14 光電極導電層
20 対向電極
22 対向電極支持体
24 対向電極導電層
30 電荷移動体
40 封止材
50 導電材
60 光制御層
Claims (11)
- 光電極と、前記光電極と離間して対向する対向電極と、前記光電極と前記対向電極との間に位置する電荷移動体と、前記光電極の光入射面側に設けた光制御層と、を備える、光電変換素子。
- 前記光制御層は、光吸収材を含む、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記光制御層は、光反射材を含む、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記光制御層は、光拡散材を含む、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記光制御層は、フォトクロミック材を含む、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記フォトクロミック材は、消色状態で400nm以下の領域に光吸収ピークを有し、有色状態で400nm以上の領域に光吸収ピークを有する、請求項5に記載の光電変換素子。
- 前記光制御層は、エレクトロクロミック材を含む、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記エレクトロクロミック材は、消色状態で400nm以下の領域に光吸収ピークを有し、有色状態で400nm以上の領域に光吸収ピークを有する、請求項7に記載の光電変換素子。
- 前記光制御層は、サーモクロミック材を含む、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記サーモクロミック材は、消色状態で400nm以下の領域に光吸収ピークを有し、有色状態で400nm以上の領域に光吸収ピークを有する、請求項9に記載の光電変換素子。
- 有機系太陽電池またはペロブスカイト結晶を有する太陽電池である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の光電変換素子。
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