JP2021173785A - 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】硬化温度が２００℃以下であっても、高温条件での保存後に高い接着性を有する硬化膜を形成可能な感光性樹脂組成物、それを用いたパターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品を提供する。【解決手段】（Ａ）重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体、（Ｂ）脂肪族環状骨格を有する重合性モノマー、（Ｃ）光重合開始剤、及び（Ｄ）テトラゾール及びテトラゾール誘導体からなる群から選択される１以上の化合物を含有する感光性樹脂組成物。【選択図】なし

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品に関する。

従来、半導体素子の表面保護膜及び層間絶縁膜には、優れた耐熱性と電気特性、機械特性等を併せ持つポリイミドやポリベンゾオキサゾールが用いられている。近年、これらの樹脂自身に感光特性を付与した感光性樹脂組成物が用いられており、これを用いるとパターン硬化膜の製造工程が簡略化でき、煩雑な製造工程を短縮できる（例えば、特許文献１参照）。

近年、コンピュータの高性能化を支えてきたトランジスタの微細化はスケーリング則の限界に直面しており、さらなる高性能化や高速化のために半導体素子を３次元的に積層する積層デバイス構造が注目を集めている（例えば、非特許文献１参照）。積層デバイス構造の中でも、マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｉｅ Ｆａｎｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）は、１つのパッケージの中に複数のダイを一括封止して製造するパッケージであり、従来から提案されているファンアウトウエハレベルパッケージ（１つのパッケージの中に１つのダイを封止して製造する）よりも低コスト化及び高性能化が期待できるため注目を集めている。

マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージの作製においては、高性能なダイの保護や耐熱性の低い封止材を保護し、歩留まりを向上させる観点から、低温硬化性が強く求められている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００９−２６５５２０号公報 国際公開第２００８／１１１４７０号

「半導体技術年鑑２０１３ パッケージング／実装編」、株式会社日経ＢＰ、２０１２年１２月、ｐ．４１−５０

硬化膜を例えば再配線層に用いる場合、微細なパターニングを行うために高解像度であることに加え、高い接着性が必要となる。しかしながら、従来の樹脂組成物では、十分な接着性を有する硬化膜を得ることができなかった。
本発明の目的は、硬化温度が２００℃以下であっても、高温条件での保存後に高い接着性を有する硬化膜を形成可能な感光性樹脂組成物、それを用いたパターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品を提供することである。

本発明者らは、上記問題に鑑みて鋭意検討を重ねた結果、特定のポリイミド前駆体、脂肪族環状骨格を有する重合性モノマー及び光重合開始剤に、テトラゾール及びテトラゾール誘導体からなる群から選択される１以上の化合物を組み合わせることで、硬化温度が２００℃以下であっても、高温条件での保存後に高い接着性を有する硬化膜を形成できることを見出し、本発明を完成させた。

本発明によれば、以下の感光性樹脂組成物等が提供される。
１．（Ａ）重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体、
（Ｂ）脂肪族環状骨格を有する重合性モノマー、
（Ｃ）光重合開始剤、及び
（Ｄ）テトラゾール及びテトラゾール誘導体からなる群から選択される１以上の化合物
を含有する感光性樹脂組成物。
２．前記（Ａ）成分が、下記式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体である１に記載の感光性樹脂組成物。

（式（１）中、Ｘ^１は４価の芳香族基である。Ｙ^１は２価の芳香族基である。Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、下記式（２）で表される基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基であり、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも一方は下記式（２）で表される基である。−ＣＯＯＲ^１基と−ＣＯ−基とは、互いにオルト位置にあり、−ＣＯＯＲ^２基と−ＣＯＮＨ−基とは、互いにオルト位置にある。）

（式（２）中、Ｒ^３〜Ｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基であり、ｍは１〜１０の整数である。）
３．前記（Ｄ）成分が、下記式（１１）〜（１３）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物を含む１又は２に記載の感光性樹脂組成物。

（式（１１）中、Ｒ^１１は、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基である。）
４．前記（Ｄ）成分が、前記式（１１）〜（１３）で表される化合物からなる群から選択される２以上の化合物を含む３に記載の感光性樹脂組成物。
５．前記（Ｄ）成分が、前記式（１１）で表される化合物を含み、さらに、前記式（１２）及び（１３）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物を含む３又は４に記載の感光性樹脂組成物。
６．さらに、（Ｆ）熱重合開始剤を含む１〜５のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
７．１〜６のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜をパターン露光して、樹脂膜を得る工程と、
前記パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて、現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、を含むパターン硬化膜の製造方法。
８．前記加熱処理の温度が２００℃以下である７に記載のパターン硬化膜の製造方法。
９．１〜６のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜。
１０．パターン硬化膜である９に記載の硬化膜。
１１．９又は１０に記載の硬化膜を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
１２．１１に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を含む電子部品。

本発明によれば、硬化温度が２００℃以下であっても、高温条件での保存後に高い接着性を有する硬化膜を形成可能な感光性樹脂組成物、それを用いたパターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品が提供できる。

本発明の一実施形態に係る電子部品の製造工程を示す概略図である。

以下に、本発明の感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品の実施の形態を詳細に説明する。尚、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。

本明細書において「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。本明細書において、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本明細書における「（メタ）アクリル基」とは、「アクリル基」及び「メタクリル基」を意味する。

［感光性樹脂組成物］
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体（以下、「（Ａ）成分」ともいう。）、（Ｂ）脂肪族環状骨格を有する重合性モノマー（以下、「（Ｂ）成分」ともいう。）、（Ｃ）光重合開始剤（以下、「（Ｃ）成分」ともいう。）、及び（Ｄ）テトラゾール及びテトラゾール誘導体からなる群から選択される１以上の化合物（以下、「（Ｄ）成分」ともいう。）を含有する。本発明の感光性樹脂組成物は、好ましくはネガ型感光性樹脂組成物である。

本発明の感光性樹脂組成物は、上記の成分を含有することにより優れた感光特性を示す。また、２００℃以下で硬化を行っても、特に銅に対して、高温硬化で得られる硬化膜と同等の接着性を示す硬化膜を形成できる。また、高温多湿条件での耐久性試験及び空気中での高温放置試験後も高接着性を示し、外観変化が少ない硬化膜を形成できる。
以下、各成分について説明する。

（（Ａ）成分：重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体）
（Ａ）成分は、重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体であれば特に限定されないが、パターン露光時の光源にｉ線を用いた場合の透過率が高く、２００℃以下の低温硬化時にも高い硬化膜特性を示すポリイミド前駆体が好ましい。
重合性の不飽和結合としては、炭素原子間の二重結合等が挙げられる。

（Ａ）成分は、好ましくは下記式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体である。これにより、ｉ線の透過率が高く、２００℃以下の低温で硬化を行った場合であっても良好な硬化膜を形成できる。

（式（１）中、Ｘ^１は４価の芳香族基である。Ｙ^１は２価の芳香族基である。Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、下記式（２）で表される基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基であり、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも一方は下記式（２）で表される基である。−ＣＯＯＲ^１基と−ＣＯ−基とは、互いにオルト位置にあり、−ＣＯＯＲ^２基と−ＣＯＮＨ−基とは、互いにオルト位置にある。）

（式（２）中、Ｒ^３〜Ｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基であり、ｍは１〜１０（好ましくは２〜５の整数、より好ましくは２又は３）の整数である。）

Ｘ^１の４価の芳香族基は、芳香族炭化水素構造を含む４価の基（炭素数は例えば６〜２０）であってもよく、芳香族複素環構造を含む４価の基（原子数は例えば５〜２０）であってもよい。Ｘ^１は芳香族炭化水素構造を含む４価の基が好ましい。

Ｘ^１の芳香族炭化水素構造を含む４価の基としては、例えば以下に示す基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（式中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立に、各々が結合するベンゼン環と共役しない２価の基又は単結合である。Ｚ^３は、エーテル結合（−Ｏ−）又はスルフィド結合（−Ｓ−）である。）

Ｚ^１及びＺ^２の２価の基は、−Ｏ−、−Ｓ−、メチレン基、ビス（トリフルオロメチル）メチレン基、又はジフルオロメチレン基であることが好ましく、−Ｏ−がより好ましい。
Ｚ^３は、−Ｏ−が好ましい。

Ｙ^１の２価の芳香族基は、２価の芳香族炭化水素基（炭素数は例えば６〜２０）であってもよく、２価の芳香族複素環基（原子数は例えば５〜２０）であってもよい。Ｙ^１は２価の芳香族炭化水素基が好ましい。

Ｙ^１の２価の芳香族炭化水素基としては、例えば下記式（２３）で表される基が挙げられるが、これに限定されるものではない。

（式（２１）中、Ｒ^２１〜Ｒ^２８は、それぞれ独立に、水素原子、１価の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を有する１価の有機基である。）

Ｒ^２１〜Ｒ^２８の１価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜６）としてはメチル基が好ましい。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８のハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有する１価の有機基は、ハロゲン原子を有する１価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜６）が好ましく、トリフルオロメチル基がより好ましい。

式（２１）において、例えば、Ｒ^２２及びＲ^２３が１価の脂肪族炭化水素基（例えばメチル基）であって、かつＲ^２１及びＲ^２４〜Ｒ^２８が水素原子であってもよい。

式（１）のＲ^１及びＲ^２の炭素数１〜４（好ましくは１又は２）の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられる。

式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも一方が式（２）で表される１価の基であり、好ましくはＲ^１及びＲ^２の両方が式（２）で表される基である。

式（２）のＲ^３〜Ｒ^５の炭素数１〜３（好ましくは１又は２）の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基等が挙げられる。メチル基が好ましい。

式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体は、例えば、下記式（２２）で表されるテトラカルボン酸二無水物と、下記式（２３）で表されるジアミノ化合物とを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下「ＮＭＰ」という。）等の有機溶剤中にて反応させてポリアミド酸を製造し、下記式（２４）で表される化合物を加え、有機溶剤中で反応させて全体的又は部分的にエステル基を導入することで製造することができる。

（式（２２）中、Ｘ^１は式（１）で定義した通りである。式（２３）中、Ｙ^１は式（１）で定義した通りである。式（２４）中、Ｒ^３〜Ｒ^５及びｍは式（２）で定義した通りである。）

式（２２）で表されるテトラカルボン酸二無水物及び式（２３）で表されるジアミノ化合物は、１種単独であってもよく、２種以上であってもよい。

式（１）で表される構造単位の含有量は、（Ａ）成分の全構造単位に対して、５０モル％以上であることが好ましく、８０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に限定されず、１００モル％でもよい。

（Ａ）成分は、式（１）で表される構造単位以外の構造単位を有してもよい。式（１）で表される構造単位以外の構造単位としては、下記式（３１）で表される構造単位等が挙げられる。

（式（３１）中、Ｘ^２は４価の芳香族基である。Ｙ^２は２価の芳香族基である。Ｒ^３１及びＲ^３２は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基である。−ＣＯＯＲ^３２基と−ＣＯＮＨ−基とは、互いにオルト位置にあり、−ＣＯＯＲ^３１基と−ＣＯ−基とは、互いにオルト位置にある。）

式（３１）のＸ^２の４価の芳香族基としては、式（１）のＸ^１の４価の芳香族基と同じ基が挙げられる。Ｙ^２の２価の芳香族基としては、式（１）のＹ^１の２価の芳香族基と同じ基が挙げられる。Ｒ^３１及びＲ^３２の炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基としては、式（１）のＲ^１及びＲ^２の炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基と同じ基が挙げられる。

式（１）で表される構造単位以外の構造単位の含有量は、（Ａ）成分の全構造単位に対して５０モル％未満であることが好ましい。
式（１）で表される構造単位以外の構造単位は、１種単独であってもよく、２種以上であってもよい。

（Ａ）成分において、ポリイミド前駆体中の全カルボキシ基及び全カルボキシエステルに対して、式（２）で表される基でエステル化されたカルボキシ基の割合が、５０モル％以上であることが好ましく、６０〜１００モル％がより好ましく、７０〜９０モル％がより好ましい。

（Ａ）成分の分子量に特に制限はないが、数平均分子量で１０，０００〜２００，０００であることが好ましい。
数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法によって測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算することによって求める。具体的には実施例に記載の方法により測定する。

（（Ｂ）成分：脂肪族環状骨格を有する重合性モノマー）
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ｂ）成分を含むことにより、得られる硬化膜に疎水性を付与でき、高温多湿条件下での硬化膜と基板間の接着性低下を抑制できる。

脂肪族環状骨格の環形成炭素数は、好ましくは４〜１５であり、より好ましくは５〜１２である。

（Ｂ）成分は、重合性の不飽和二重結合含有基を有することが好ましく、架橋密度及び光感度の向上、現像後のパターンの膨潤の抑制のため、重合性の不飽和二重結合含有基を２つ又は３つ有することが好ましい。
（Ｂ）成分は、光重合開始剤により重合可能な（メタ）アクリル基を有する化合物であることが好ましい。

（Ｂ）成分としては、例えば下記式（４１）〜（４４）で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（式（４１）〜（４４）中、Ｒ^４１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立に、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基又は下記式（４５）で表される基である。
ａは１〜１０の整数であり、少なくとも１つ（好ましくは２つ又は３つ）のＲ^４１は下記式（４５）で表される基である。
ｂは１〜１２の整数であり、少なくとも１つ（好ましくは２つ又は３つ）のＲ^４２は下記式（４５）で表される基である。
ｃは１〜１６の整数であり、少なくとも１つ（好ましくは２つ又は３つ）のＲ^４３は下記式（４５）で表される基である。
ｄは１〜１６の整数であり、少なくとも１つ（好ましくは２つ）のＲ^４４は下記式（４５）で表される基である。
式（４３）においてＲ^４３は脂肪族環状骨格の全ての置換位置に結合可能であり、式（４４）においてＲ^４４は脂肪族環状骨格の全ての置換位置に結合可能である。）

（式（４５）中、Ｒ^４５〜Ｒ^４７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基である。ｌは０〜１０の整数（好ましくは０、１又は２）である。）

式（４１）〜（４４）のＲ^４１〜Ｒ^４４の炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基としては、式（１）のＲ^１及びＲ^２の炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基と同じ基が挙げられる。

式（４５）のＲ^４５〜Ｒ^４７の炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基としては、式（２）のＲ^３〜Ｒ^５の炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基と同じ基が挙げられる。

（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、１〜５０質量部が好ましく、硬化膜の疎水性向上の観点から、より好ましくは５〜５０質量部であり、さらに好ましくは５〜３０質量部である。上記範囲内である場合、実用的なレリ−フパターンが得られやすく、未露光部の現像後残滓を抑制しやすい。

（（Ｃ）成分：光重合開始剤）
（Ｃ）成分としては、例えば、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体；２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体；ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン誘導体；１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニルプロパントリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシプロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、下記式で表される化合物等のオキシムエステル類等が好ましく挙げられるが、これらに限定されるものではない。光感度の点で、オキシムエステル類が好ましい。

（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、より好ましくは０．１〜１０質量部であり、さらに好ましくは０．１〜８質量部である。上記範囲内の場合、光架橋が膜厚方向で均一となりやすく、実用的なレリ−フパターンを得やすくなる。

（（Ｄ）成分：テトラゾール及びテトラゾール誘導体からなる群から選択される１以上の化合物）
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ｄ）成分を含むことにより高温条件での保存後であっても、接着性に優れる硬化物を形成できる。また、（Ｂ）成分と（Ｄ）成分とを組み合わせて用いることにより、２００℃以下の低温硬化時における接着性をさらに向上し、硬化膜の外観変化を抑制することができる。

（Ｄ）成分としては、例えば下記式（１１）〜（１３）で表される化合物が挙げられる。

（式（１１）中、Ｒ^１１は、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基である。）

式（１１）のＲ^１１の炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基としては、式（１）のＲ^１及びＲ^２の炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基と同じ基が挙げられる。

（Ｄ）成分は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。例えば、上記式（１１）〜（１３）で表される化合物からなる群から選択される２以上の化合物を用いてもよい。

（Ｄ）成分は、好ましくは上記式（１１）で表される化合物を含み、より好ましくは、式（１１）で表される化合物に加えて、さらに上記式（１２）及び（１３）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物を含む。このようにすることで、硬化膜の外観変化をより抑制することが可能となる。

（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１〜５０質量部が好ましく、０．１〜２０質量部がより好ましく、現像時の残渣発生の観点から０．１〜１０質量部がさらに好ましい。

（（Ｅ）成分：溶剤）
本発明の感光性樹脂組成物は、通常、（Ｅ）溶剤（以下、「（Ｅ）成分」ともいう。）を含む。
溶剤としては、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ＫＪＣＭＰＡ−１００（ＫＪケミカルズ株式会社製、製品名）、Ｎ−ジメチルモルホリン等の有機溶剤等が挙げられる。
溶剤の含有量は、特に限定されないが、通常、（Ａ）成分１００質量部に対して、５０〜１０００質量部である。

（（Ｆ）成分：熱重合開始剤）
本発明の感光性樹脂組成物は、さらに、（Ｆ）熱重合開始剤（以下、「（Ｆ）成分」ともいう。）を含んでもよい。
（Ｆ）成分としては、感光性樹脂膜の成膜時に溶剤を除去するための加熱（乾燥）では分解せず、硬化時の加熱により分解してラジカルを発生し、（Ｂ）成分同士、又は（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の重合反応を促進する化合物が好ましい。そのため、（Ｆ）成分は、分解点が１１０℃以上２００℃以下の化合物が好ましく、より低温で重合反応を促進する観点から、１１０℃以上１７５℃以下の化合物がより好ましい。
（Ｆ）成分としては、ビス（１−フェニル−１−メチルエチル）ペルオキシド等が挙げられる。

（Ｆ）成分を含有する場合、（Ｆ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．５〜２０質量部が好ましく、良好な耐フラックス性の確保のために１〜２０質量部がより好ましく、乾燥時の分解による溶解性低下抑制の観点から１〜１０質量部がさらに好ましい。

（他の成分）
本発明の感光性樹脂組成物は、上記成分以外に、カップリング剤、界面活性剤又はレベリング剤、及び重合禁止剤等を含有してもよい。

（カップリング剤）
カップリング剤は、通常、現像後の加熱処理において、（Ａ）成分と反応して架橋するか、又は加熱処理する工程においてカップリング剤自身が重合する。これにより、得られる硬化膜と基板との接着性をより向上させることができる。

カップリング剤としてはシランカップリング剤が好ましい。
好ましいシランカップリング剤としては、ウレア結合（−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）を有する化合物が挙げられる。これにより、２００℃以下の低温下で硬化を行った場合も基板との接着性をさらに高めることができる。
低温での硬化を行った際の接着性の発現に優れる点で、下記式（５１）で表される化合物がより好ましい。

（式（５１）中、Ｒ^５１及びＲ^５２は、それぞれ独立に、炭素数１〜５のアルキル基である。ｊは１〜１０の整数であり、ｋは１〜３の整数である。）

式（５１）で表される化合物の具体例としては、ウレイドメチルトリメトキシシラン、ウレイドメチルトリエトキシシラン、２−ウレイドエチルトリメトキシシラン、２−ウレイドエチルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、４−ウレイドブチルトリメトキシシラン、４−ウレイドブチルトリエトキシシラン等が挙げられ、好ましくは３−ウレイドプロピルトリエトキシシランである。

シランカップリング剤として、ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤を用いてもよい。ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤、及び分子内にウレア結合を有するシランカップリング剤を併用すると、さらに低温硬化時の硬化膜の基板への接着性を向上することができる。

ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤としては、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、ｎ−プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、ｎ−ブチルフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、ｎ−プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、ｎ−ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ−ブチルメチルフェニルシラノール、エチルｎ−プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、ｎ−ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ−ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、ｎ−プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、ｎ−ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、１，４−ビス（トリヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（メチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（エチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（プロピルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ブチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジメチルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジエチルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジプロピルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジブチルヒドロキシシリル）ベンゼン、及び下記式（５２）で表わされる化合物等が挙げられる。中でも、特に、基板との接着性をより向上させるため、式（５２）で表される化合物が好ましい。

（式（５２）中、Ｒ^５３はヒドロキシ基又はグリシジル基を有する１価の有機基であり、Ｒ^５４及びＲ^５５は、それぞれ独立に、炭素数１〜５のアルキル基である。ｏは１〜１０の整数であり、ｐは１〜３の整数である。）

式（５２）で表される化合物としては、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、４−ヒドロキシブチルトリメトキシシラン、４−ヒドロキシブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、４−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、４−グリシドキシブチルトリエトキシシラン等が挙げられる。

ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤は、さらに、窒素原子を含むことが好ましく、アミノ基又はアミド結合を有するシランカップリング剤が好ましい。
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、ビス（２−ヒドロキシメチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシメチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ビス（２−グリシドキシメチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−グリシドキシメチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

アミド結合を有するシランカップリング剤としては、下記式（５３）で表される化合物等が挙げられる。
Ｒ^５６−（ＣＨ_２）_ｑ−ＣＯ−ＮＨ−（ＣＨ_２）_ｒ−Ｓｉ（ＯＲ^５７）_３ （５３）
（式（５３）中、Ｒ^５６はヒドロキシ基又はグリシジル基であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、１〜３の整数であり、Ｒ^５７はメチル基、エチル基又はプロピル基である。）

シランカップリング剤を用いる場合、シランカップリング剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましく、０．３〜１０質量部がさらに好ましい。

（界面活性剤又はレベリング剤）
界面活性剤又はレベリング剤を含むことで、塗布性（例えばストリエーション（膜厚のムラ）の抑制）及び現像性を向上させることができる。

界面活性剤又はレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等が挙げられ、市販品としては、商品名「メガファックスＦ１７１」、「Ｆ１７３」、「Ｒ−０８」（以上、ＤＩＣ株式会社製）、商品名「フロラードＦＣ４３０」、「ＦＣ４３１」（以上、スリーエム ジャパン株式会社製）、商品名「オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１」、「ＫＢＭ３０３」、「ＫＢＭ４０３」、「ＫＢＭ８０３」（以上、信越化学工業株式会社製）等が挙げられる。

界面活性剤又はレベリング剤を含む場合、界面活性剤又はレベリング剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１〜１０質量部が好ましく、０．０５〜５質量部がより好ましく、０．０５〜３質量部がさらに好ましい。

防錆剤を用いる場合、防錆剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましく、０．５〜３質量部がさらに好ましい。

（重合禁止剤）
重合禁止剤を含有することで、良好な保存安定性を確保することができる。
重合禁止剤としては、ラジカル重合禁止剤、ラジカル重合抑制剤等が挙げられる。

重合禁止剤としては、例えば、ｐ−メトキシフェノール、ジフェニル−ｐ−ベンゾキノン、ベンゾキノン、ハイドロキノン、ピロガロール、フェノチアジン、レゾルシノール、オルトジニトロベンゼン、パラジニトロベンゼン、メタジニトロベンゼン、フェナントラキノン、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン、クペロン、２，５−トルキノン、タンニン酸、パラベンジルアミノフェノール、ニトロソアミン類等が挙げられる。

重合禁止剤を含有する場合、重合禁止剤の含有量としては、感光性樹脂組成物の保存安定性及び得られる硬化膜の耐熱性の観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１〜３０質量部が好ましく、０．０１〜１０質量部がより好ましく、０．０５〜５質量部がさらに好ましい。

本発明の感光性樹脂組成物は、溶剤を除いて、本質的に、（Ａ）〜（Ｄ）成分、及び任意に（Ｆ）成分、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、重合禁止剤からなっており、本発明の効果を損なわない範囲で他に不可避不純物を含んでもよい。
本発明の感光性樹脂組成物の、例えば、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９８質量％以上、９９質量％以上、９９．５質量％以上、９９．９質量％以上又は１００質量％が、溶剤を除いて、
（Ａ）〜（Ｄ）成分、
（Ａ）〜（Ｄ）成分及び（Ｆ）成分、又は
（Ａ）〜（Ｄ）成分、及び任意に（Ｆ）成分、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、重合禁止剤からなっていてもよい。

［硬化膜］
本発明の硬化膜は、上述の感光性樹脂組成物の硬化することで得ることができる。本発明の硬化膜は、パターン硬化膜として用いてもよく、パターンがない硬化膜として用いてもよい。本発明の硬化膜の膜厚は、５〜２０μｍが好ましい。

［パターン硬化膜の製造方法］
本発明のパターン硬化膜の製造方法では、上述の感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、感光性樹脂膜をパターン露光して、樹脂膜を得る工程と、パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む。これにより、パターン硬化膜を得ることができる。

パターンがない硬化膜を製造する方法は、例えば、上述の感光性樹脂膜を形成する工程と加熱処理する工程とを備える。さらに、露光する工程を備えてもよい。

基板としては、ガラス基板、Ｓｉ基板（シリコンウエハ）等の半導体基板、ＴｉＯ_２基板、ＳｉＯ_２基板等の金属酸化物絶縁体基板、窒化ケイ素基板、銅基板、銅合金基板等が挙げられる。

塗布方法に特に制限はないが、スピナー等を用いて行うことができる。

乾燥は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。
乾燥温度は９０〜１５０℃が好ましく、溶解コントラスト確保の観点から、（Ａ）成分と（Ｄ）成分の反応を抑制するために９０〜１２０℃がより好ましい。
乾燥時間は、３０秒間〜５分間が好ましい。
乾燥は、２回以上行ってもよい。
これにより、上述の感光性樹脂組成物を膜状に形成した感光性樹脂膜を得ることができる。

感光性樹脂膜の膜厚は、５〜１００μｍが好ましく、８〜５０μｍがより好ましく、１０〜３０μｍがさらに好ましい。

パターン露光は、例えばフォトマスクを介して所定のパターンに露光する。
照射する活性光線は、ｉ線等の紫外線、可視光線、放射線等が挙げられるが、ｉ線であることが好ましい。
露光装置としては、平行露光機、投影露光機、ステッパ、スキャナ露光機等を用いることができる。

現像することで、パターン形成された樹脂膜（パターン樹脂膜）を得ることができる。一般的に、ネガ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、未露光部を現像液で除去する。
現像液として用いる有機溶剤は、感光性樹脂膜の良溶媒を単独で、又は良溶媒と貧溶媒を適宜混合して用いることができる。
良溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ガンマブチロラクトン、α−アセチル−ガンマブチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
貧溶媒としては、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及び水等が挙げられる。

現像液に界面活性剤を添加してもよい。添加量としては、現像液１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。

現像時間は、例えば感光性樹脂膜を浸漬して完全に溶解するまでの時間の２倍とすることができる。
現像時間は、用いる（Ａ）成分によっても異なるが、１０秒間〜１５分間が好ましく、１０秒間〜５分間より好ましく、生産性の観点からは、２０秒間〜５分間がさらに好ましい。

現像後、リンス液により洗浄を行ってもよい。
リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を単独又は適宜混合して用いてもよく、また段階的に組み合わせて用いてもよい。

パターン樹脂膜を加熱処理することにより、パターン硬化膜を得ることができる。
（Ａ）成分のポリイミド前駆体が、加熱処理工程によって、脱水閉環反応を起こし、対応するポリイミドとなってもよい。

加熱処理の温度は、２５０℃以下が好ましく、１２０〜２５０℃がより好ましく、２００℃以下又は１６０〜２００℃がさらに好ましい。
上記範囲内であることにより、基板やデバイスへのダメージを小さく抑えることができ、デバイスを歩留り良く生産することが可能となり、プロセスの省エネルギー化を実現することができる。

加熱処理の時間は、５時間以下が好ましく、３０分間〜３時間がより好ましい。上記範囲内であることにより、架橋反応又は脱水閉環反応を充分に進行することができる。
加熱処理の雰囲気は大気中であっても、窒素等の不活性雰囲気中であってもよいが、パターン樹脂膜の酸化を防ぐことができる観点から、窒素雰囲気下が好ましい。

加熱処理に用いられる装置としては、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉等が挙げられる。

［層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、電子部品］
本発明の硬化膜は、パッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜等として用いることができる。
上記パッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜、カバーコート層及び表面保護膜等からなる群から選択される１以上を用いて、信頼性の高い、半導体装置、多層配線板、各種電子デバイス等の電子部品などを製造することができる。

本発明の電子部品である半導体装置の製造工程の一例を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品である多層配線構造の半導体装置の製造工程図である。
図１において、回路素子を有するＳｉ基板等の半導体基板１は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜２などで被覆され、露出した回路素子上に第１導体層３が形成される。その後、前記半導体基板１上に層間絶縁膜４が形成される。

次に、塩化ゴム系、フェノールノボラック系等の感光樹脂層５が、層間絶縁膜４上に形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜４が露出するように窓６Ａが設けられる。

窓６Ａが露出した層間絶縁膜４は、選択的にエッチングされ、窓６Ｂが設けられる。
次いで、窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食することなく、感光樹脂層５を腐食するようなエッチング溶液を用いて感光樹脂層５が除去される。

さらに公知の写真食刻技術を用いて、第２導体層７を形成し、第１導体層３との電気的接続を行う。
３層以上の多層配線構造を形成する場合には、上述の工程を繰り返して行い、各層を形成することができる。

次に、上述の感光性樹脂組成物を用いて、パターン露光により窓６Ｃを開口し、表面保護膜８を形成する。表面保護膜８は、第２導体層７を外部からの応力、α線等から保護するものであり、得られる半導体装置は信頼性に優れる。
尚、前記例において、層間絶縁膜を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成することも可能である。

以下、実施例及び比較例に基づき、本発明についてさらに具体的に説明する。尚、本発明は下記実施例に限定されるものではない。

合成例１（ポリマーＩの合成）
３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）７．０７ｇと２，２’−ジメチルビフェニル−４，４’−ジアミン（ＤＭＡＰ）４．１２ｇとをＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３０ｇに溶解し、３０℃で４時間、その後室温下で一晩撹拌し、ポリアミド酸を得た。そこに水冷下で無水トリフルオロ酢酸を９．４５ｇ加え、４５℃で３時間攪拌し、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル（ＨＥＭＡ）７．０８ｇを加えた。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体を得た（以下、ポリマーＩとする）。
ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法を用いて、標準ポリスチレン換算により、以下の条件で、数平均分子量を求めた。ポリマーＩの数平均分子量は４０，０００であった。

０．５ｍｇのポリマーＩに対して溶剤［テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）／ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）＝１／１（容積比）］１ｍＬの溶液を用いて測定した。

測定装置：検出器 株式会社日立製作所製Ｌ４０００ＵＶ
ポンプ：株式会社日立製作所製Ｌ６０００
株式会社島津製作所製Ｃ−Ｒ４Ａ Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃ
測定条件：カラムＧｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ｓ３００ＭＤＴ−５×２本
溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）
ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／Ｌ）、Ｈ_３ＰＯ_４（０．０６ｍｏｌ／Ｌ）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ、検出器：ＵＶ２７０ｎｍ

また、ポリマーＩのエステル化率（ＯＤＰＡのカルボキシ基のＨＥＭＡとの反応率）を、以下の条件でＮＭＲ測定を行い、算出した。エステル化率は、全カルボキシ基に対し８０％であった（残り２０％はカルボキシ基）。
測定機器：ブルカー・バイオスピン社製 ＡＶ４００Ｍ
磁場強度：４００ＭＨｚ
基準物質：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
溶媒：ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）

実施例１〜７及び比較例１〜２
［感光性樹脂組成物の調製］
表１に示した成分及び配合量にて、実施例１〜７及び比較例１〜２の感光性樹脂組成物を調製した。表１の配合量は、１００質量部のポリマーＩに対する、（Ｂ）〜（Ｅ）成分の質量部である。
用いた各成分は以下の通りである。

（（Ａ）成分：重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体）
ポリマーＩ：合成例１で得られたポリマーＩ

（（Ｂ）成分：脂肪族環状骨格を有する重合性モノマー）
Ｂ１：Ａ−ＤＣＰ（新中村化学工業株式会社製、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、下記式で表される化合物）

（（Ｂ’）成分）
Ｂ’１：Ａ−ＴＭＭＴ（新中村化学工業株式会社製、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、下記式で表される化合物）

尚、（Ｂ’）成分とは、本発明で用いる（Ｂ）成分とは異なる成分を意味する。

（（Ｃ）成分：光重合開始剤）
Ｃ１：ＰＤＯ（ランブソン社製、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、下記式で表される化合物）

（（Ｄ）成分：テトラゾール及びテトラゾール誘導体からなる群から選択される１以上）
Ｄ１：５−メチルテトラゾール（東京化成工業株式会社製、下記式で表される化合物）
Ｄ２：５−アミノテトラゾール（東京化成工業株式会社製、下記式で表される化合物）
Ｄ３：テトラゾール（東京化成工業株式会社製、下記式で表される化合物）

（（Ｄ’）成分）
Ｄ’１：ベンゾトリアゾール（東京化成工業株式会社製、下記式で表される化合物）

尚、（Ｄ’）成分とは、本発明で用いる（Ｄ）成分とは異なる成分を意味する。

（（Ｅ）成分：溶媒）
Ｅ１：Ｎ−メチルピロリドン
Ｅ２：ＫＪＣＭＰＡ−１００（ＫＪケミカルズ株式会社製、下記式で表される化合物）

［感光性樹脂組成物の評価］
得られた感光性樹脂組成物について以下の各評価を行った。結果を表１に示す。

（感度）
感光性樹脂組成物を、塗布装置「Ａｃｔ８」（東京エレクトロン株式会社製）を用いて、シリコンウエハ上にスピンコートし、１００℃で２分間乾燥後、１１０℃で２分間乾燥して乾燥膜厚が１２μｍの感光性樹脂膜を形成した。得られた感光性樹脂膜をシクロペンタノンに浸漬して完全に溶解するまでの時間の２倍を現像時間として設定した。
上記と同様に感光性樹脂膜を作製し、得られた感光性樹脂膜に、ｉ線ステッパ「ＦＰＡ−３０００ｉＷ」（キヤノン株式会社製）を用いて、１００〜１１００ｍＪ／ｃｍ^２のｉ線を、１００ｍＪ／ｃｍ^２刻みの照射量で、所定のパターンに照射して、露光を行った。露光後の樹脂膜を、「Ａｃｔ８」（東京エレクトロン株式会社製）により、シクロペンタノンを用いて上記現像時間でパドル現像した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）でリンス洗浄を行い、パターン樹脂膜を得た。
下記式で算出される残膜率（ＦＲ）が８０％になるのに必要な露光量を感度と設定した。感度の数値（必要な露光量）が小さいほど、高感度な材料となる。
ＦＲ（％）＝現像後の膜厚／露光前の膜厚×１００

（解像度）
フォトマスクをラインアンドスペース用フォトマスクとし、表１に記載の露光量とした以外は、（感度）と同じ方法でパターン樹脂膜を得た。得られたパターン樹脂膜を観察し、はがれ及び残渣なくパターニングできている最小のラインの線幅を解像度とした。表１中、「※」はパターンを形成できなかったことを示す。

（接着性）
感光性樹脂組成物を、「Ａｃｔ８」（東京エレクトロン株式会社製）を用いて、Ｃｕめっきウエハ上にスピンコートし、１００℃で２分間乾燥後、１１０℃で２分間乾燥して感光性樹脂膜を形成した。得られた感光性樹脂膜にプロキシミティ露光機（ズース・マイクロテック社製「マスクアライナーＭＡ８」）を用いて５００ｍＪ／ｃｍ^２の露光を行った。
露光後の樹脂膜について、縦型拡散炉μ−ＴＦ（光洋サーモシステム株式会社製）を用いて、窒素雰囲気下、１７３℃で１時間加熱し、硬化膜（硬化後膜厚１０μｍ）を得た。

得られた硬化膜を、飽和型プレッシャークッカ装置（株式会社平山製作所製）に配置し、温度１２１℃、相対湿度１００％の条件で、１６８時間処理した（ＰＣＴ：Pressure Cooker Storage Test）。また、上記と同じ方法で得た他の硬化膜を、１５０℃のオーブン中で空気雰囲気下１６８時間保持した（ＨＴＳ：High Temperature Storage Test）。

上記処理後に各硬化膜を取り出し、アルミニウム製スタッドの先端にあるエポキシ樹脂層を硬化膜表面に固定して、１２０℃のオーブン中で１時間加熱してエポキシ樹脂層と硬化膜を接着した。そして、薄膜密着強度測定装置ロミュラス（ＱＵＡＤ Ｇｒｏｕｐ社製）を用いて、５ｋｇ／分で荷重を増加させ垂直方向にスタッドを引張り、剥離時の剥離状態を観察し、以下の基準で評価した。

○：凝集破壊した（硬化膜とＣｕめっきウエハとの間での剥離は生じなかった）。
△：剥離強度５００ｋｇ／ｃｍ^２以上で、硬化膜とＣｕめっきウエハとの間で剥離が生じた。
×：剥離強度５００ｋｇ／ｃｍ^２未満で、硬化膜とＣｕめっきウエハとの間で剥離が生じた。
凝集破壊の場合、硬化膜の凝集破壊強さよりも、硬化膜とＣｕめっきウエハの接着強さが強いことを示す。

（外観変化）
（接着性）評価において、ＰＣＴ処理前後及びＨＴＳ処理前後における、硬化膜の外観及びＣｕめっきウエハの外観を目視で確認し、以下の基準で評価した。
○：処理前後で、硬化膜及びＣｕめっきのいずれにも変色がなかった。
△：処理前後で、Ｃｕめっきが変色した。
×：処理前後で、硬化膜及びＣｕめっきの両方に変色があった。

表１より、本発明の感光性樹脂組成物を用いて得られた硬化膜は、高温条件での保存後に高い接着性を有することが分かる。また、当該感光性樹脂組成物は感度と解像度に優れ、得られた硬化膜は外観変化が少ないことも分かる。
一方、特定の（Ｄ）成分を用いない比較例１〜２で得られた硬化膜は、高温条件保存後の接着性が低いことが分かる。

本発明の感光性樹脂組成物は、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜等に用いることができ、本発明の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜は、電子部品等に用いることができる。

１ 半導体基板
２ 保護膜
３ 第１導体層
４ 層間絶縁膜
５ 感光樹脂層
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ 窓
７ 第２導体層
８ 表面保護膜

Claims (12)

1. （Ａ）重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体、
   （Ｂ）脂肪族環状骨格を有する重合性モノマー、
   （Ｃ）光重合開始剤、及び
   （Ｄ）テトラゾール及びテトラゾール誘導体からなる群から選択される１以上の化合物
   を含有する感光性樹脂組成物。
2. 前記（Ａ）成分が、下記式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体である請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
   

   

   （式（１）中、Ｘ^１は４価の芳香族基である。Ｙ^１は２価の芳香族基である。Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、下記式（２）で表される基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基であり、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも一方は下記式（２）で表される基である。−ＣＯＯＲ^１基と−ＣＯ−基とは、互いにオルト位置にあり、−ＣＯＯＲ^２基と−ＣＯＮＨ−基とは、互いにオルト位置にある。）
   

   

   （式（２）中、Ｒ^３〜Ｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基であり、ｍは１〜１０の整数である。）
3. 前記（Ｄ）成分が、下記式（１１）〜（１３）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物を含む請求項１又は２に記載の感光性樹脂組成物。
   

   

   （式（１１）中、Ｒ^１１は、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基である。）
4. 前記（Ｄ）成分が、前記式（１１）〜（１３）で表される化合物からなる群から選択される２以上の化合物を含む請求項３に記載の感光性樹脂組成物。
5. 前記（Ｄ）成分が、前記式（１１）で表される化合物を含み、さらに、前記式（１２）及び（１３）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物を含む請求項３又は４に記載の感光性樹脂組成物。
6. さらに、（Ｆ）熱重合開始剤を含む請求項１〜５のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
   前記感光性樹脂膜をパターン露光して、樹脂膜を得る工程と、
   前記パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて、現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、
   前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、を含むパターン硬化膜の製造方法。
8. 前記加熱処理の温度が２００℃以下である請求項７に記載のパターン硬化膜の製造方法。
9. 請求項１〜６のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜。
10. パターン硬化膜である請求項９に記載の硬化膜。
11. 請求項９又は１０に記載の硬化膜を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
12. 請求項１１に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を含む電子部品。

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