JP2021170561A - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

To prevent the distribution of luminance in an organic EL element while allowing a part of the organic EL element to function as a mirror as a non-light emitting part.SOLUTION: An organic layer 120 is positioned between a first electrode 110 and a second electrode 130. An intermediate layer 160 is positioned between the first electrode 110 and the organic layer 120 and is formed of a material whose work function is smaller than that of the first electrode 110. The intermediate layer 160 reflects visible light. In addition, a light emitting device 10 has a first region 142. The first region 142 is a region not overlapping with the intermediate layer 160 and where the first electrode 110 and the second electrode 130 overlap with each other with the organic layer 120 interposed therebetween.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、透明電極である第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。第１電極が透明電極である場合、第２電極には、金属が用いられる場合が多い。第１電極、第２電極、及び有機層を広い範囲に形成すると、有機ＥＬ素子は面発光型の素子になる。 One of the light sources of the light emitting device is an organic EL element. The organic EL element has a configuration in which an organic layer is arranged between a first electrode and a second electrode, which are transparent electrodes. When the first electrode is a transparent electrode, a metal is often used for the second electrode. When the first electrode, the second electrode, and the organic layer are formed in a wide range, the organic EL element becomes a surface emitting type element.

一方、人が鏡を使うためには、鏡の周囲に光源を配置する必要がある。例えば特許文献１には、基板の中央部に第１電極を形成しないことにより、有機ＥＬ素子の中央部を非発光部として、この非発光部に位置する第２電極を鏡として使用することが記載されている。 On the other hand, in order for a person to use a mirror, it is necessary to arrange a light source around the mirror. For example, in Patent Document 1, by not forming the first electrode in the central portion of the substrate, the central portion of the organic EL element can be used as a non-light emitting portion, and the second electrode located in this non-light emitting portion can be used as a mirror. Have been described.

また特許文献２には、基板の中央部に第１電極及び有機層を形成しないことにより、有機ＥＬ素子の中央部を非発光部として、この非発光部に位置する第２電極を鏡として使用することが記載されている。 Further, in Patent Document 2, by not forming the first electrode and the organic layer in the central portion of the substrate, the central portion of the organic EL element is used as a non-light emitting portion, and the second electrode located in this non-light emitting portion is used as a mirror. It is stated that it should be done.

特開２０００−４１８０７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-41807 特開２００３−２１７８６８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-217868

特許文献１，２の構造では、透明電極材料からなる第１電極を、基板の中央部に形成していない。しかし、透明電極材料は金属と比較して抵抗が高いため、特許文献１，２の構造では、第１電極の寄生抵抗が高くなってしまう。このため、有機ＥＬ素子のうち第１電極に接続する端子から離れている領域の輝度は、他と比較して低くなってしまう。 In the structures of Patent Documents 1 and 2, the first electrode made of a transparent electrode material is not formed in the central portion of the substrate. However, since the transparent electrode material has a higher resistance than the metal, the parasitic resistance of the first electrode becomes higher in the structures of Patent Documents 1 and 2. Therefore, the brightness of the region of the organic EL element that is separated from the terminal connected to the first electrode is lower than that of the others.

本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子の一部を非発光部として鏡として機能させつつ、第１電極への導電性を向上させ、その結果、有機ＥＬ素子に輝度の分布が生じないようにすることが一例として挙げられる。 The problem to be solved by the present invention is to improve the conductivity to the first electrode while making a part of the organic EL element function as a mirror as a non-light emitting part, and as a result, the distribution of brightness in the organic EL element is distributed. One example is to prevent it from occurring.

第１の発明は、光透過性を有する第１電極と、
仕事関数が前記第１電極よりも小さい第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
前記第１電極と前記有機層の間に位置し、前記第１電極と電気的に接続される中間層と、
を備え、
前記中間層及び前記第２電極の少なくとも一方は光反射性を有し、
前記中間層と重なっていない領域であり、かつ前記有機層を挟んで前記第１電極及び前記第２電極が互いに重なっている第１領域を有している発光装置である。 The first invention includes a first electrode having light transmission and a first electrode.
A second electrode whose work function is smaller than that of the first electrode,
An organic layer located between the first electrode and the second electrode,
An intermediate layer located between the first electrode and the organic layer and electrically connected to the first electrode,
With
At least one of the intermediate layer and the second electrode has light reflectivity and has light reflectivity.
It is a light emitting device having a region that does not overlap with the intermediate layer and has a first region in which the first electrode and the second electrode overlap each other with the organic layer interposed therebetween.

第２の発明は、光透過性を有する第１電極と、
仕事関数が前記第１電極よりも小さい第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
前記第１電極と前記有機層の間に位置し、仕事関数が前記第１電極よりも小さい中間層と、
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記中間層と重なっていない領域であり、かつ互いに重なっている第１領域を有しており、
前記第１領域は前記中間層よりも小さい発光装置である。 The second invention includes a first electrode having light transmission and a first electrode.
A second electrode whose work function is smaller than that of the first electrode,
An organic layer located between the first electrode and the second electrode,
An intermediate layer located between the first electrode and the organic layer and having a work function smaller than that of the first electrode.
With
The first electrode and the second electrode have a first region that does not overlap with the intermediate layer and overlaps with each other.
The first region is a light emitting device smaller than the intermediate layer.

実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on embodiment. 図１から第２電極を取り除いた図である。It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG. 図２から有機層を取り除いた図である。It is the figure which removed the organic layer from FIG. 図３から中間層を取り除いた図である。It is the figure which removed the intermediate layer from FIG. 図１のＡ−Ａ断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 図１のＢ−Ｂ断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 第１電極と第２電極の間に電圧を印加したときの発光装置を、基板の第２面側から見た図である。It is a figure which looked at the light emitting device when the voltage was applied between the 1st electrode and the 2nd electrode from the 2nd surface side of the substrate.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１から第２電極１３０を取り除いた図である。図３は、図２から有機層１２０を取り除いた図であり、図４は、図３から中間層１６０を取り除いた図である。図５は図１のＡ−Ａ断面図であり、図６は図１のＢ−Ｂ断面図である。 FIG. 1 is a plan view of the light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 2 is a diagram in which the second electrode 130 is removed from FIG. FIG. 3 is a diagram in which the organic layer 120 is removed from FIG. 2, and FIG. 4 is a diagram in which the intermediate layer 160 is removed from FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.

実施形態に係る発光装置１０は、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、及び中間層１６０を有している。第１電極１１０は可視光を透過する性質（光透過性）を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。第２電極１３０は、仕事関数が第１電極１１０よりも小さい材料によって形成されている。中間層１６０は第１電極１１０と有機層１２０の間に位置しており、第１電極１１０と電気的に接続している。中間層１６０は、例えば、仕事関数が第１電極１１０よりも小さい材料によって形成されている。中間層１６０及び第２電極１３０の少なくとも一方は、光反射性を有する。ここで光反射性を有するとは、例えば、可視光を反射することを意味する。また、発光装置１０は、第１領域１４２を有している。第１領域１４２は、中間層１６０と重なっていない領域であり、かつ有機層１２０を挟んで第１電極１１０及び第２電極１３０が互いに重なっている領域である。以下、詳細に説明する。 The light emitting device 10 according to the embodiment has a first electrode 110, an organic layer 120, a second electrode 130, and an intermediate layer 160. The first electrode 110 has a property of transmitting visible light (light transmission). The organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130. The second electrode 130 is made of a material having a work function smaller than that of the first electrode 110. The intermediate layer 160 is located between the first electrode 110 and the organic layer 120, and is electrically connected to the first electrode 110. The intermediate layer 160 is formed of, for example, a material having a work function smaller than that of the first electrode 110. At least one of the intermediate layer 160 and the second electrode 130 has light reflectivity. Here, having light reflectivity means, for example, reflecting visible light. Further, the light emitting device 10 has a first region 142. The first region 142 is a region that does not overlap with the intermediate layer 160, and is a region in which the first electrode 110 and the second electrode 130 overlap each other with the organic layer 120 interposed therebetween. Hereinafter, a detailed description will be given.

発光装置１０が後述のボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０が後述のトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００の形状は、例えば矩形などの多角形や円形など、発光装置１０の形状によって適宜選択される。ここで、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。基板１００が可撓性を有する場合において、曲げた状態で発光装置１０を固定するための固定用の基材をさらに有していてもよい。 When the light emitting device 10 is a bottom emission type described later, the substrate 100 is formed of a translucent material such as glass or a translucent resin. However, when the light emitting device 10 is a top emission type described later, the substrate 100 may be made of a material having no translucency. The shape of the substrate 100 is appropriately selected depending on the shape of the light emitting device 10, such as a polygon such as a rectangle or a circle. Here, the substrate 100 may have flexibility. When the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less. In particular, when the substrate 100 is made flexible with a glass material, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 μm or less. When the substrate 100 is made of a resin material to have flexibility, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyether sulphon), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide is included as the material of the substrate 100. It is formed. Further, when the substrate 100 contains a resin material, an inorganic barrier membrane such as SiN x or SiON is formed on at least the light emitting surface (preferably both sides) of the substrate 100 in order to prevent moisture from permeating through the substrate 100. ing. When the substrate 100 has flexibility, it may further have a fixing base material for fixing the light emitting device 10 in a bent state.

基板１００の第１面１０２には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、発光を生じさせるための構造、例えば有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。第１電極１１０は例えば陽極であり、第２電極１３０は例えば陰極である。 A light emitting unit 140 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. The light emitting unit 140 has a structure for generating light emission, for example, an organic EL element. This organic EL element has a configuration in which the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are laminated in this order. The first electrode 110 is, for example, an anode, and the second electrode 130 is, for example, a cathode.

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。 The first electrode 110 is a transparent electrode having light transmittance. The transparent conductive material constituting the transparent electrode is a material containing a metal, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide). be. The thickness of the first electrode 110 is, for example, 10 nm or more and 500 nm or less. The first electrode 110 is formed by using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有しており、かつ、有機層１２０からの光を反射する。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。第２電極１３０を構成する材料の仕事関数は、第１電極１１０を構成する材料の仕事関数よりも小さい。 The second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of the metal selected from the first group. Contains a metal layer. In this case, the second electrode 130 has a light-shielding property and reflects the light from the organic layer 120. The thickness of the second electrode 130 is, for example, 10 nm or more and 500 nm or less. However, the second electrode 130 may be formed by using the material exemplified as the material of the first electrode 110. The second electrode 130 is formed by using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The work function of the material constituting the second electrode 130 is smaller than the work function of the material constituting the first electrode 110.

有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。また、有機層１２０はいわゆるタンデム構造などの複数の発光層を有するマルチフォトン構造であってもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。 The organic layer 120 has, for example, a structure in which a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are laminated in this order. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. Further, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. Further, the organic layer 120 may have a multiphoton structure having a plurality of light emitting layers such as a so-called tandem structure. The organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method. Further, at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layer of the organic layer 120 is formed by a thin-film deposition method. Further, all the layers of the organic layer 120 may be formed by using a coating method.

中間層１６０は、第１電極１１０と有機層１２０の間に位置している。詳細には、中間層１６０は、第１電極１１０に接しており、また、第１電極１１０よりも仕事関数が小さい材料により形成されている。この材料としては、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｐｄ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層が挙げられる。中間層１６０は、第２電極１３０と同じ材料を用いて形成されてもよい。この場合、中間層１６０を第２電極１３０と同一の装置を用いて形成することができるため、発光装置１０の製造コストを低くすることができる。中間層１６０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、中間層１６０の厚さは、例えば１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。 The intermediate layer 160 is located between the first electrode 110 and the organic layer 120. Specifically, the intermediate layer 160 is in contact with the first electrode 110 and is made of a material having a work function smaller than that of the first electrode 110. The material is selected from a metal selected from the first group consisting of, for example, Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, Nd, Cu, Bi, Pd, and In, or a metal selected from the first group. Examples include a metal layer made of an alloy of metals. The intermediate layer 160 may be formed by using the same material as the second electrode 130. In this case, since the intermediate layer 160 can be formed by using the same device as the second electrode 130, the manufacturing cost of the light emitting device 10 can be reduced. The intermediate layer 160 is formed by using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The thickness of the intermediate layer 160 is, for example, 1 nm or more and 500 nm or less.

また、中間層１６０の縁にバリなどの凸部が形成される可能性もあるが、中間層１６０の縁は有機層１２０によって覆われているため、中間層１６０が第２電極１３０に短絡することは抑制される。 Further, there is a possibility that a convex portion such as a burr is formed on the edge of the intermediate layer 160, but since the edge of the intermediate layer 160 is covered with the organic layer 120, the intermediate layer 160 is short-circuited to the second electrode 130. That is suppressed.

また、基板１００の上には、中間層１６０と第１電極１１０とが重なっている領域は一つある。そして、中間層１６０は、第１電極１１０の一部を覆っていない。図２及び図３に示す例において、第１電極１１０は、第１端子１１２となる部分を除くと、ほぼ矩形である。中間層１６０は、第１電極１１０のうち互いに対向する２辺に沿う領域を覆っていない。この領域（第１領域１４２）において、第１電極１１０は有機層１２０に直接接する。後述するように、発光部１４０のうち第１領域１４２は発光する。一方、中間層１６０と重なっている領域（第２領域１４４）は発光しないため、中間層１６０が例えば５０ｎｍ以下の厚みの場合は中間層１６０が光を透過し第２電極１３０で反射することで、中間層１６０の厚みがそれ以上の場合は中間層１６０自体が光反射性を有するので鏡として使用できる。図１〜図６に示す例において、２つの第１領域１４２は第２領域１４４を挟んでいる。ただし、第１領域１４２は第２領域１４４の平面レイアウトは、図２及び図３に示す例に限定されない。 Further, on the substrate 100, there is one region where the intermediate layer 160 and the first electrode 110 overlap. The intermediate layer 160 does not cover a part of the first electrode 110. In the examples shown in FIGS. 2 and 3, the first electrode 110 is substantially rectangular except for the portion serving as the first terminal 112. The intermediate layer 160 does not cover the regions of the first electrode 110 along the two opposite sides. In this region (first region 142), the first electrode 110 is in direct contact with the organic layer 120. As will be described later, the first region 142 of the light emitting unit 140 emits light. On the other hand, since the region overlapping the intermediate layer 160 (second region 144) does not emit light, when the intermediate layer 160 has a thickness of, for example, 50 nm or less, the intermediate layer 160 transmits light and is reflected by the second electrode 130. When the thickness of the intermediate layer 160 is larger than that, the intermediate layer 160 itself has light reflectivity and can be used as a mirror. In the example shown in FIGS. 1 to 6, the two first regions 142 sandwich the second region 144. However, the plan layout of the first region 142 and the second region 144 is not limited to the examples shown in FIGS. 2 and 3.

なお、第１領域１４２の面積は、第２領域１４４の面積よりも小さい。また、基板１００の一辺に平行かつ発光部１４０の中心を通る断面において、第１領域１４２の幅ｗ１（図５参照）は、第２領域１４４の幅ｗ２（図５参照）すなわち中間層１６０の幅よりも小さい。幅ｗ１は、例えば幅ｗ２より短い。なお、図１に示す例において、この断面は、図５又は図６に示す断面とほぼ同様である。 The area of the first region 142 is smaller than the area of the second region 144. Further, in a cross section parallel to one side of the substrate 100 and passing through the center of the light emitting portion 140, the width w 1 of the first region 142 (see FIG. 5) is the width w 2 of the second region 144 (see FIG. 5), that is, the intermediate layer. It is smaller than the width of 160. The width w 1 is shorter than, for example, the width w 2. In the example shown in FIG. 1, this cross section is substantially the same as the cross section shown in FIG. 5 or FIG.

第１電極１１０の縁は、絶縁層によって覆われていてもよい。この場合、絶縁層は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。絶縁層は、絶縁層となる樹脂材料を塗布した後、この樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。この工程は、例えば第１電極１１０を形成した後、有機層１２０を形成する前に行われる。 The edge of the first electrode 110 may be covered with an insulating layer. In this case, the insulating layer is formed of a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion of the first electrode 110 that becomes a light emitting region of the light emitting portion 140. By providing the insulating layer, it is possible to prevent the first electrode 110 and the second electrode 130 from being short-circuited at the edge of the first electrode 110. The insulating layer is formed by applying a resin material to be an insulating layer and then exposing and developing the resin material. This step is performed, for example, after forming the first electrode 110 and before forming the organic layer 120.

発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に電気的に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に電気的に接続している。図１〜図４に示す例において、第１端子１１２及び第２端子１３２は、基板１００の同一の辺に沿って配置されている。ただし第１端子１１２及び第２端子１３２の位置は、これに限定されない。また、第１端子１１２は第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有しており、第２端子１３２は、第２電極１３０と同一の材料で形成された層を有している。言い換えると、第１端子１１２は第１電極１１０と一体になっており、第２端子１３２は第２電極１３０と一体になっている。 The light emitting device 10 has a first terminal 112 and a second terminal 132. The first terminal 112 is electrically connected to the first electrode 110, and the second terminal 132 is electrically connected to the second electrode 130. In the examples shown in FIGS. 1 to 4, the first terminal 112 and the second terminal 132 are arranged along the same side of the substrate 100. However, the positions of the first terminal 112 and the second terminal 132 are not limited to this. Further, the first terminal 112 has a layer made of the same material as the first electrode 110, and the second terminal 132 has a layer made of the same material as the second electrode 130. .. In other words, the first terminal 112 is integrated with the first electrode 110, and the second terminal 132 is integrated with the second electrode 130.

発光部１４０は、封止部（図示せず）によって封止されている。封止部は、例えばガラス、アルミニウムなどの金属、又は樹脂を用いて形成されており、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部の縁は接着材で基板１００又はその上に形成された膜に固定されている。これにより、封止部と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、この封止された空間の中に位置している。 The light emitting portion 140 is sealed by a sealing portion (not shown). The sealing portion is formed of, for example, a metal such as glass or aluminum, or a resin, and has a shape having a recess in the center. The edge of the sealing portion is fixed to the substrate 100 or a film formed on the substrate 100 with an adhesive. As a result, the space surrounded by the sealing portion and the substrate 100 is sealed. The light emitting unit 140 is located in this sealed space.

封止部は、封止膜であってもよい。封止膜は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、封止膜の段差被覆性は高くなる。またこの場合、封止膜は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、封止膜は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。ただし、封止膜は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、封止膜は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。 The sealing portion may be a sealing film. The sealing film is formed by using, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method. In this case, the step covering property of the sealing film becomes high. Further, in this case, the sealing film may have a multilayer structure in which a plurality of layers are laminated. In this case, it may have a structure in which a first sealing layer made of a first material (for example, aluminum oxide) and a second sealing layer made of a second material (for example, titanium oxide) are repeatedly laminated. .. The bottom layer may be either a first sealing layer or a second sealing layer. Further, the uppermost layer may be either a first sealing layer or a second sealing layer. Further, the sealing film may be a single layer in which the first material and the second material are mixed. However, the sealing film may be formed by using another film forming method, for example, a CVD method or a sputtering method. In this case, the sealing film is formed of an insulating film such as SiO 2 or SiN, and the film thickness is, for example, 10 nm or more and 1000 nm or less.

なお、図１〜図６に示す例において、発光装置１０の第１領域１４２は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子である。ただし、第１領域１４２はトップエミッション型の有機ＥＬ素子であってもよい。この場合、発光装置１０からの発光は、基板１００を透過しないで行われる。第１領域１４２がトップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、第１電極１１０と第２電極１３０の積層順はボトムエミッション型と逆になる。すなわち、基板１００の上には、第２電極１３０、有機層１２０、中間層１６０、及び第１電極１１０の順に積層される。ただし、有機ＥＬ素子の構成は上記した２例に限定されない。 In the examples shown in FIGS. 1 to 6, the first region 142 of the light emitting device 10 is a bottom emission type organic EL element. However, the first region 142 may be a top emission type organic EL element. In this case, the light emitted from the light emitting device 10 is performed without passing through the substrate 100. When the first region 142 is a top emission type organic EL element, the stacking order of the first electrode 110 and the second electrode 130 is opposite to that of the bottom emission type. That is, the second electrode 130, the organic layer 120, the intermediate layer 160, and the first electrode 110 are laminated in this order on the substrate 100. However, the configuration of the organic EL element is not limited to the above two examples.

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２も形成される。次いで、中間層１６０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する。次いで、封止部を用いて発光部１４０を封止する。 Next, a method of manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, the first electrode 110 is formed on the substrate 100. In this step, the first terminal 112 is also formed. Next, the intermediate layer 160, the organic layer 120, and the second electrode 130 are formed in this order. Next, the light emitting portion 140 is sealed using the sealing portion.

その後、第１端子１１２及び第２端子１３２に、導電部材（例えばボンディングワイヤ、リード部材、又はＦＰＣ（Flexible Printed Circuit））を接続する。 After that, a conductive member (for example, a bonding wire, a lead member, or an FPC (Flexible Printed Circuit)) is connected to the first terminal 112 and the second terminal 132.

図７は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に電圧を印加したときの発光装置１０を、基板１００の第２面１０４側（すなわち発光部１４０とは逆側の面）から見た図である。発光部１４０の第１領域１４２において、第１電極１１０と有機層１２０の間には中間層１６０が形成されていない。このため、第１領域１４２の有機層１２０は発光する。 FIG. 7 shows the light emitting device 10 when a voltage is applied between the first electrode 110 and the second electrode 130 as viewed from the second surface 104 side of the substrate 100 (that is, the surface opposite to the light emitting unit 140). It is a figure. In the first region 142 of the light emitting unit 140, the intermediate layer 160 is not formed between the first electrode 110 and the organic layer 120. Therefore, the organic layer 120 of the first region 142 emits light.

一方、第２領域１４４において、第１電極１１０と有機層１２０の間には中間層１６０が位置している。中間層１６０は、第１電極１１０よりも仕事関数が小さい。このため、中間層１６０と有機層１２０の間のキャリア（正孔）の注入障壁は大きくなり、その結果、中間層１６０から有機層１２０にはキャリアがほとんど注入されない。このため、第２領域１４４に位置する有機層１２０は、ほとんど発光しない。また、中間層１６０は可視光を反射する。従って、第２領域１４４は鏡として機能する。 On the other hand, in the second region 144, the intermediate layer 160 is located between the first electrode 110 and the organic layer 120. The intermediate layer 160 has a smaller work function than the first electrode 110. Therefore, the injection barrier of carriers (holes) between the intermediate layer 160 and the organic layer 120 becomes large, and as a result, carriers are hardly injected from the intermediate layer 160 to the organic layer 120. Therefore, the organic layer 120 located in the second region 144 hardly emits light. Further, the intermediate layer 160 reflects visible light. Therefore, the second region 144 functions as a mirror.

以上のことから、発光装置１０は、鏡である第２領域１４４の両脇に、発光素子である第１領域１４２を配置した構成を有している。また、第１電極１１０には開口が形成されず、かつ、第１電極１１０の上には中間層１６０が形成されている。従って、第１電極１１０の寄生抵抗は小さくなり、その結果、第１領域１４２の輝度に分布が生じることを抑制できる。 From the above, the light emitting device 10 has a configuration in which the first region 142, which is a light emitting element, is arranged on both sides of the second region 144, which is a mirror. Further, no opening is formed in the first electrode 110, and an intermediate layer 160 is formed on the first electrode 110. Therefore, the parasitic resistance of the first electrode 110 becomes small, and as a result, it is possible to suppress the occurrence of distribution in the brightness of the first region 142.

また、中間層１６０の形状のパターンを変えることにより、第１領域１４２及び第２領域１４４の形状を変えることができる。このため、第１領域１４２及び第２領域１４４の形状を容易に変えることができる。 Further, by changing the shape pattern of the intermediate layer 160, the shapes of the first region 142 and the second region 144 can be changed. Therefore, the shapes of the first region 142 and the second region 144 can be easily changed.

また、第２領域１４４は発光しないため、第１領域１４２で発生した熱を放熱する放熱部としても機能する。このため、第１領域１４２や発光部１４０、発光装置１０の温度が上がることを抑制できる。 Further, since the second region 144 does not emit light, it also functions as a heat radiating unit that dissipates heat generated in the first region 142. Therefore, it is possible to prevent the temperature of the first region 142, the light emitting unit 140, and the light emitting device 10 from rising.

なお、上記したように、第２電極１３０は光を反射する材料を用いて形成されている。このため、発光部１４０の外側にも第２電極１３０を形成すると、第２電極１３０のうち発光部１４０の外側に位置する部分を鏡として使用することもできる。 As described above, the second electrode 130 is formed by using a material that reflects light. Therefore, if the second electrode 130 is also formed on the outside of the light emitting portion 140, the portion of the second electrode 130 located outside the light emitting portion 140 can be used as a mirror.

また、中間層１６０は、光を反射する導電材料からなる第１層と、絶縁材料からなる第２層とを積層した構成であってもよい。この場合、中間層１６０を構成する導電材料の仕事関数を限定する必要はない。第２層は、光を透過してもよいし、透過しなくてもよい。また第２層は、第１層の表面を処理（例えば酸化処理、還元処理）することにより形成されてもよい。また、第１層が半導体材料に不純物を導入することにより形成されている場合、第２層は、第１層の表層に逆導電型の不純物を導入することにより、形成されてもよい。 Further, the intermediate layer 160 may have a configuration in which a first layer made of a conductive material that reflects light and a second layer made of an insulating material are laminated. In this case, it is not necessary to limit the work function of the conductive material constituting the intermediate layer 160. The second layer may or may not transmit light. Further, the second layer may be formed by treating the surface of the first layer (for example, oxidation treatment, reduction treatment). When the first layer is formed by introducing impurities into the semiconductor material, the second layer may be formed by introducing reverse conductive impurities into the surface layer of the first layer.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 Although the embodiments and examples have been described above with reference to the drawings, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.

１０ 発光装置
１００ 基板
１１０ 第１電極
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 発光部
１４２ 第１領域
１４４ 第２領域
１６０ 中間層 10 Light emitting device 100 Substrate 110 First electrode 120 Organic layer 130 Second electrode 140 Light emitting unit 142 First region 144 Second region 160 Intermediate layer

Claims (1)

光透過性を有する第１電極と、
仕事関数が前記第１電極よりも小さい第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
前記第１電極と前記有機層の間に位置し、前記第１電極と電気的に接続される中間層と、
を備え、
前記中間層及び前記第２電極の少なくとも一方は光反射性を有し、
前記中間層と重なっていない領域であり、かつ前記有機層を挟んで前記第１電極及び前記第２電極が互いに重なっている第１領域を有している発光装置。 The first electrode with light transmission and
A second electrode whose work function is smaller than that of the first electrode,
An organic layer located between the first electrode and the second electrode,
An intermediate layer located between the first electrode and the organic layer and electrically connected to the first electrode,
With
At least one of the intermediate layer and the second electrode has light reflectivity and has light reflectivity.
A light emitting device having a region that does not overlap with the intermediate layer and has a first region in which the first electrode and the second electrode overlap each other with the organic layer interposed therebetween.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH05307997A (en) * 1992-04-30 1993-11-19 Pioneer Electron Corp Organic electroluminescent element
WO2005062678A2 (en) * 2003-12-19 2005-07-07 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence device, conductive laminate and display

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05307997A (en) * 1992-04-30 1993-11-19 Pioneer Electron Corp Organic electroluminescent element
WO2005062678A2 (en) * 2003-12-19 2005-07-07 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence device, conductive laminate and display

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