JP2021169202A - Laminated substrate, method for manufacturing laminate, laminate, laminate with member for electronic device, and method for manufacturing electronic device - Google Patents

Laminated substrate, method for manufacturing laminate, laminate, laminate with member for electronic device, and method for manufacturing electronic device Download PDF

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Abstract

To provide a laminated substrate which prevents peeling of a polyimide film to be formed when the polyimide film is formed by coating polyimide varnish onto a surface of the laminated substrate.SOLUTION: A laminated substrate has a glass support base material and an adsorption layer arranged on the support base material, in which there is a peripheral region where the adsorption layer is not arranged on a surface on the side of the adsorption layer of the support base material, the adsorption layer has a first main surface on the side of the support base material, a second main surface opposite to the first main surface and an end face connected to the first main surface and the second main surface, the end face is an inclined surface projecting from the second main surface toward the first main surface, and an angle formed by the inclined surface and the first main surface is less than 10° .SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、積層基板、積層体の製造方法、積層体、電子デバイス用部材付き積層体、および、電子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a laminated substrate, a method for manufacturing a laminated body, a laminated body, a laminated body with a member for an electronic device, and a method for manufacturing an electronic device.

太陽電池（ＰＶ）；液晶パネル（ＬＣＤ）；有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）；電磁波、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線などを感知する受信センサーパネル；などの電子デバイスの薄型化、軽量化が進行している。それに伴い、電子デバイスに用いるポリイミド樹脂基板などの基板の薄板化も進行している。薄板化により基板の強度が不足すると、基板のハンドリング性が低下し、基板上に電子デバイス用部材を形成する工程（部材形成工程）などにおいて問題が生じる場合がある。 Electronic devices such as solar cells (PV); liquid crystal panels (LCD); organic EL panels (OLED); receiving sensor panels that detect electromagnetic waves, X-rays, ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, etc. are becoming thinner and lighter. doing. Along with this, thinning of substrates such as polyimide resin substrates used for electronic devices is also progressing. If the strength of the substrate is insufficient due to the thinning of the plate, the handleability of the substrate is lowered, and a problem may occur in a step of forming a member for an electronic device on the substrate (member forming step).

そこで、最近では、基板のハンドリング性を良好にするため、支持基材上にポリイミド樹脂基板を配置した積層体を用いる技術が提案されている（特許文献１）。より具体的には、特許文献１では、熱硬化性樹脂組成物硬化体層上にポリイミドワニスを塗布して、樹脂ワニス硬化フィルム（ポリイミド膜に該当）を形成して、樹脂ワニス硬化フィルム上に精密素子を配置できることが開示されている。 Therefore, recently, in order to improve the handleability of the substrate, a technique of using a laminate in which a polyimide resin substrate is arranged on a supporting base material has been proposed (Patent Document 1). More specifically, in Patent Document 1, a polyimide varnish is applied onto a cured body layer of a thermosetting resin composition to form a resin varnish cured film (corresponding to a polyimide film), and the resin varnish cured film is coated. It is disclosed that precision elements can be placed.

特開２０１８−１９３５４４号公報JP-A-2018-193544

一方で、本発明者が特許文献１に記載されるポリイミドワニスを塗布してポリイミド膜を作製するプロセスを実施したところ、ポリイミドワニスを塗布してポリイミド膜を形成した際に、ポリイミド膜の剥離が生じやすいことを知見した。特に、ポリイミド膜の端部において、剥離が生じやすいことを知見した。 On the other hand, when the present inventor carried out a process of applying the polyimide varnish described in Patent Document 1 to prepare a polyimide film, when the polyimide varnish was applied to form the polyimide film, the polyimide film was peeled off. It was found that it is likely to occur. In particular, it was found that peeling is likely to occur at the end of the polyimide film.

本発明は、その表面上にポリイミドワニスを塗布してポリイミド膜を形成した際に、形成されるポリイミド膜の剥離が生じにくい、積層基板を提供することを課題とする。
本発明は、積層体の製造方法、積層体、電子デバイス用部材付き積層体、および、電子デバイスの製造方法を提供することも課題とする。 An object of the present invention is to provide a laminated substrate in which when a polyimide varnish is applied on the surface thereof to form a polyimide film, the formed polyimide film is less likely to be peeled off.
It is also an object of the present invention to provide a method for manufacturing a laminated body, a laminated body, a laminated body with a member for an electronic device, and a method for manufacturing an electronic device.

本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上述の課題を解決できることを見出した。 As a result of diligent studies, the present inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by the following configurations.

（１） ガラス製の支持基材と、支持基材上に配置された吸着層と、を有し、
支持基材の吸着層側の表面には、吸着層が配置されていない周縁領域があり、
吸着層は、支持基材側の第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面と、第１主面と第２主面とに接続する端面とを有し、
端面が、第２主面から第１主面に向かうに従い突出する傾斜面であり、
傾斜面と第１主面とのなす角度が、１０°未満である、積層基板。
（２） 吸着層の第１主面と第２主面との間の厚みが、５０μｍ以下である、（１）に記載の積層基板。
（３） 周縁領域の幅が１〜３０ｍｍである、（１）または（２）に記載の積層基板。
（４） 吸着層がシリコーン樹脂層である、（１）〜（３）のいずれかに記載の積層基板。
（５） 吸着層上に配置される保護フィルムをさらに備える、（１）〜（４）のいずれかに記載の積層基板。
（６） （１）〜（４）のいずれかに記載の積層基板の吸着層側に、ポリイミドまたはその前駆体および溶媒を含むポリイミドワニスを塗布して、周縁領域上および吸着層上にポリイミド膜を形成して、支持基材と、吸着層と、ポリイミド膜とを有する積層体を形成する、積層体の製造方法。
（７） （１）〜（４）のいずれかに記載の積層基板と、
積層基板中の周縁領域上および吸着層上に配置されるポリイミド膜と、を有する積層体。
（８） （７）に記載の積層体と、
積層体中のポリイミド膜上に配置される電子デバイス用部材と、を有する電子デバイス用部材付き積層体。
（９） （７）に記載の積層体のポリイミド膜上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
電子デバイス用部材付き積層体から、ポリイミド膜および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。 (1) It has a supporting base material made of glass and an adsorption layer arranged on the supporting base material.
On the surface of the support base material on the adsorption layer side, there is a peripheral region where the adsorption layer is not arranged.
The adsorption layer has a first main surface on the support base material side, a second main surface on the side opposite to the first main surface, and an end surface connecting the first main surface and the second main surface.
The end face is an inclined surface that protrudes from the second main surface toward the first main surface.
A laminated substrate in which the angle between the inclined surface and the first main surface is less than 10 °.
(2) The laminated substrate according to (1), wherein the thickness between the first main surface and the second main surface of the adsorption layer is 50 μm or less.
(3) The laminated substrate according to (1) or (2), wherein the width of the peripheral region is 1 to 30 mm.
(4) The laminated substrate according to any one of (1) to (3), wherein the adsorption layer is a silicone resin layer.
(5) The laminated substrate according to any one of (1) to (4), further comprising a protective film arranged on the adsorption layer.
(6) A polyimide varnish containing polyimide or a precursor thereof and a solvent is applied to the adsorption layer side of the laminated substrate according to any one of (1) to (4), and a polyimide film is applied on the peripheral region and the adsorption layer. A method for producing a laminated body, which forms a laminated body having a supporting base material, an adsorption layer, and a polyimide film.
(7) The laminated substrate according to any one of (1) to (4) and
A laminate having a polyimide film arranged on a peripheral region and an adsorption layer in a laminated substrate.
(8) With the laminate according to (7)
A laminate with an electronic device member having an electronic device member arranged on a polyimide film in the laminate.
(9) A member forming step of forming a member for an electronic device on the polyimide film of the laminate according to (7) to obtain a laminate with a member for an electronic device.
A method for manufacturing an electronic device, comprising a separation step of obtaining an electronic device having a polyimide film and an electronic device member from a laminate with an electronic device member.

本発明によれば、その表面上にポリイミドワニスを塗布してポリイミド膜を形成した際に、形成されるポリイミド膜の剥離が生じにくい、積層基板を提供できる。
本発明によれば、積層体の製造方法、積層体、電子デバイス用部材付き積層体、および、電子デバイスの製造方法を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide a laminated substrate in which when a polyimide varnish is applied on the surface of the polyimide film to form a polyimide film, the formed polyimide film is less likely to be peeled off.
According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a laminated body, a laminated body, a laminated body with a member for an electronic device, and a method for manufacturing an electronic device.

本発明の積層基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the laminated substrate of this invention schematically. 図２は、図１に示す積層基板の上面図である。FIG. 2 is a top view of the laminated substrate shown in FIG. 本発明の積層体の一実施形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the laminated body of this invention schematically. 部材形成工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the member forming process. 分離工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the separation process.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態は本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す実施形態に制限されることはない。なお、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, in the present invention, the following embodiments are exemplary for explaining the present invention, and are not limited to the embodiments shown below. Various modifications and substitutions can be added to the following embodiments without departing from the scope of the present invention.
The numerical range represented by "~" means a range including the numerical values before and after "~" as the lower limit value and the upper limit value.

本発明の積層基板の特徴点としては、吸着層の端面を傾斜面としている点、傾斜面の傾斜角度を所定の範囲に調整している点、および、支持基材の表面に吸着層が配置されていない周縁領域を設けている点が挙げられる。
上記のような構成を採用することにより、所望の効果が得られることを知見している。所望の効果が得られる詳細は不明だが、まず、支持基材の表面に周縁領域を設けて、この周縁領域とポリイミド膜とが接するようにポリイミド膜を積層基板上に配置することにより、ポリイミド膜とガラス製の支持基材との相互作用に基づいてポリイミド膜と端部の剥離が抑制されていると考えられる。また、所定の傾斜角度を有する傾斜面を端部に設けることにより、ポリイミド膜と、吸着層および支持基材との間に空隙などが生じることが抑制され、結果としてポリイミド膜の剥離が抑制されていると考えられる。 The features of the laminated substrate of the present invention are that the end surface of the adsorption layer is an inclined surface, the inclination angle of the inclined surface is adjusted within a predetermined range, and the adsorption layer is arranged on the surface of the support base material. One point is that a peripheral area that is not provided is provided.
It has been found that a desired effect can be obtained by adopting the above configuration. Although the details for obtaining the desired effect are unknown, first, a polyimide film is provided by providing a peripheral region on the surface of the supporting base material and arranging the polyimide film on the laminated substrate so that the peripheral region and the polyimide film are in contact with each other. It is considered that the peeling of the polyimide film and the end portion is suppressed based on the interaction between the polyimide film and the glass supporting base material. Further, by providing an inclined surface having a predetermined inclination angle at the end portion, it is possible to suppress the formation of voids or the like between the polyimide film and the adsorption layer and the supporting base material, and as a result, the peeling of the polyimide film is suppressed. It is thought that it is.

＜積層基板＞
図１は本発明の積層基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。図２は、図１に示す積層基板の上面図である。
積層基板１０は、ガラス製の支持基材１２と、支持基材１２上に配置される吸着層１４とを備える。
図１および図２に示すように、吸着層１４は、支持基材１２側の第１主面１４ａ、第１主面１４ａとは反対側の第２主面１４ｂ、および、第１主面１４ａと第２主面１４ｂとに接続する端面１４ｃを有する。
吸着層１４の端面１４ｃは、第２主面１４ｂから第１主面１４ａに向かうに従い突出する傾斜面である。なお、吸着層１４の形状（主面の形状）は矩形状であり、４つある端面１４ｃの全てが傾斜面である。
また、図１および図２に示すように、支持基材１２の吸着層１４側の表面には、吸着層１４が配置されていない周縁領域１２ａがある。言い換えれば、吸着層１４は、支持基材１２に吸着層１４と接触しない額縁状の領域（周縁領域１２ａ）が残るように、支持基材１２上に配置されている。
上記のような態様においては、吸着層１４の配置領域の面積は支持基材１２の表面（主面）の面積よりも狭く、上記周縁領域１２ａは支持基材１２の外周縁より内側に位置する領域に該当する。
なお、図１および図２においては、支持基材１２の形状（主面の形状）および吸着層１４の形状（主面の形状）はいずれも矩形状であり、支持基材１２の外周縁を構成する一辺と、吸着層１４の外周縁を構成する一辺が平行となるように、支持基材１２上に吸着層１４が配置されている。 <Laminated board>
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of the laminated substrate of the present invention. FIG. 2 is a top view of the laminated substrate shown in FIG.
The laminated substrate 10 includes a glass supporting base material 12 and an adsorption layer 14 arranged on the supporting base material 12.
As shown in FIGS. 1 and 2, the adsorption layer 14 includes a first main surface 14a on the support base material 12 side, a second main surface 14b on the side opposite to the first main surface 14a, and a first main surface 14a. And an end surface 14c connected to the second main surface 14b.
The end surface 14c of the adsorption layer 14 is an inclined surface that protrudes from the second main surface 14b toward the first main surface 14a. The shape of the adsorption layer 14 (the shape of the main surface) is rectangular, and all of the four end faces 14c are inclined surfaces.
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, there is a peripheral region 12a on the surface of the support base material 12 on the adsorption layer 14 side where the adsorption layer 14 is not arranged. In other words, the adsorption layer 14 is arranged on the support base material 12 so that a frame-shaped region (peripheral region 12a) that does not come into contact with the adsorption layer 14 remains on the support base material 12.
In the above aspect, the area of the arrangement region of the adsorption layer 14 is smaller than the area of the surface (main surface) of the support base material 12, and the peripheral edge region 12a is located inside the outer peripheral edge of the support base material 12. Corresponds to the area.
In addition, in FIGS. 1 and 2, the shape of the support base material 12 (the shape of the main surface) and the shape of the adsorption layer 14 (the shape of the main surface) are both rectangular, and the outer peripheral edge of the support base material 12 is formed. The adsorption layer 14 is arranged on the support base material 12 so that one side constituting the adsorption layer 14 and one side constituting the outer peripheral edge of the adsorption layer 14 are parallel to each other.

詳細は後述するが、積層基板１０の支持基材１２の周縁領域上、および、吸着層１４の第２主面１４ｂ上にポリイミドワニスが塗布され、その後、ポリイミド膜が形成される。このポリイミド膜上に電子デバイス用部材を形成し、その後、電子デバイス用部材が形成されたポリイミド膜（すなわち、電子デバイス）を分離する。こうして、電子デバイスを製造する。
以下では、積層基板１０を構成する各層（支持基材１２、吸着層１４）について詳述し、その後、積層基板１０の製造方法について詳述する。 Although the details will be described later, the polyimide varnish is applied on the peripheral region of the supporting base material 12 of the laminated substrate 10 and on the second main surface 14b of the adsorption layer 14, and then the polyimide film is formed. An electronic device member is formed on the polyimide film, and then the polyimide film (that is, the electronic device) on which the electronic device member is formed is separated. In this way, the electronic device is manufactured.
In the following, each layer (supporting base material 12, adsorption layer 14) constituting the laminated substrate 10 will be described in detail, and then a method for manufacturing the laminated substrate 10 will be described in detail.

（支持基材）
支持基材１２は、ポリイミド膜を支持して補強する部材であり、例えば、ガラス板である。
ガラスの種類としては、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。
ガラス板の製造方法は、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法が挙げられる。 (Supporting base material)
The support base material 12 is a member that supports and reinforces the polyimide film, and is, for example, a glass plate.
As the type of glass, non-alkali borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and other oxide-based glass containing silicon oxide as a main component are preferable. As the oxide-based glass, glass having a silicon oxide content of 40 to 90% by mass in terms of oxide is preferable.
More specific examples of the glass plate include a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (trade name "AN100" manufactured by AGC Inc.).
The method for manufacturing a glass plate is usually obtained by melting a glass raw material and molding molten glass into a plate shape. Such a molding method may be a general one, and examples thereof include a float method, a fusion method, and a slot down draw method.

支持基材１２の形状（主面の形状）は特に制限されないが、矩形状が好ましい。 The shape of the support base material 12 (the shape of the main surface) is not particularly limited, but a rectangular shape is preferable.

上述したように、支持基材１２表面の周縁領域１２ａ上には吸着層１４は配置されていない。つまり、支持基材１２の周縁領域１２ａの表面は露出している。
周縁領域１２ａの幅Ｗは特に制限されないが、１〜３０ｍｍが好ましく、３〜１０ｍｍがより好ましい。周縁領域１２ａの幅Ｗとは、図２に示すように、支持基材１２の外周縁から吸着層１４の外周縁までの距離に該当する。
周縁領域１２ａの幅が３０ｍｍ以下であれば、後述する電子デバイスを形成する際の有効面積がより広くなり、電子デバイスの作製効率が向上する。また、周縁領域の１２ａの幅が１ｍｍ以上であることにより、ポリイミド膜の剥離がより生じにくくなる。 As described above, the adsorption layer 14 is not arranged on the peripheral region 12a on the surface of the support base material 12. That is, the surface of the peripheral region 12a of the support base material 12 is exposed.
The width W of the peripheral region 12a is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 mm, more preferably 3 to 10 mm. As shown in FIG. 2, the width W of the peripheral region 12a corresponds to the distance from the outer peripheral edge of the supporting base material 12 to the outer peripheral edge of the adsorption layer 14.
When the width of the peripheral region 12a is 30 mm or less, the effective area for forming the electronic device described later becomes wider, and the manufacturing efficiency of the electronic device is improved. Further, when the width of 12a in the peripheral region is 1 mm or more, the polyimide film is less likely to be peeled off.

支持基材１２は、フレキシブルでないことが好ましい。そのため、支持基材１２の厚みは、０．３ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましい。
一方、支持基材１２の厚みは、１．０ｍｍ以下が好ましい。 The support base material 12 is preferably not flexible. Therefore, the thickness of the support base material 12 is preferably 0.3 mm or more, more preferably 0.5 mm or more.
On the other hand, the thickness of the support base material 12 is preferably 1.0 mm or less.

（吸着層）
吸着層１４は、その上に配置されるポリイミド膜の剥離を防止するための膜である。
吸着層１４は、支持基材１２に吸着層１４と接触しない周縁領域１２ａが残るように、支持基材１２上に配置されている。 (Adsorption layer)
The adsorption layer 14 is a film for preventing peeling of the polyimide film arranged on the adsorption layer 14.
The adsorption layer 14 is arranged on the support base material 12 so that the peripheral region 12a that does not come into contact with the adsorption layer 14 remains on the support base material 12.

上述したように、吸着層１４の端面１４ｃは、第２主面１４ｂから第１主面１４ａに向かうに従い突出する傾斜面である。複数の端面１４ｃの全部が傾斜面であることが好ましい。 As described above, the end surface 14c of the adsorption layer 14 is an inclined surface that protrudes from the second main surface 14b toward the first main surface 14a. It is preferable that all of the plurality of end faces 14c are inclined faces.

吸着層１４において、傾斜面と第１主面１４ａとのなす角度θは、１０°未満である。なかでも、ポリイミドワニスを塗布してポリイミド膜を形成した際のポリイミド膜の剥離がより抑制される点で、角度θは８°以下が好ましく、５°以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、１°以上が好ましい。
吸着層１４における、傾斜面と第１主面１４ａとのなす角度θは、三鷹光器株式会社社製の非接触表面性状測定装置「ＰＦ−６０」を用いて、吸着層１４の断面形状から求める。より詳細には、図１に示すように、吸着層１４の断面図から、線分ＡＢの長さ、および、線分ＡＣの長さを測定し、下記式から、角度θを算出する。
θ＝ａｒｃｔａｎ（ＡＣ／ＡＢ） In the adsorption layer 14, the angle θ formed by the inclined surface and the first main surface 14a is less than 10 °. Among them, the angle θ is preferably 8 ° or less, and more preferably 5 ° or less, in that the peeling of the polyimide film when the polyimide varnish is applied to form the polyimide film is further suppressed. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 1 ° or more.
The angle θ formed by the inclined surface and the first main surface 14a in the adsorption layer 14 is determined from the cross-sectional shape of the adsorption layer 14 by using the non-contact surface property measuring device “PF-60” manufactured by Mitaka Kohki Co., Ltd. Ask. More specifically, as shown in FIG. 1, the length of the line segment AB and the length of the line segment AC are measured from the cross-sectional view of the adsorption layer 14, and the angle θ is calculated from the following formula.
θ = arctan (AC / AB)

吸着層１４は、有機層であっても、無機層であってもよい。
有機層の材質としては、例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂、フッ素樹脂が挙げられる。また、いくつかの種類の樹脂を混合して吸着層１４を構成することもできる。
無機層の材質としては、例えば、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物、弗化物が挙げられる。酸化物（好ましくは、金属酸化物）、窒化物（好ましくは、金属窒化物）、酸窒化物（好ましくは、金属酸窒化物）としては、例えば、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｒ、Ｓｎ、ＩｎおよびＢａから選ばれる１種以上の元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が挙げられる。
炭化物（好ましくは、金属炭化物）、炭窒化物（好ましくは、金属炭窒化物）としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、および、Ｎｂから選ばれる１種以上の元素の炭化物、炭窒化物、炭酸化物が挙げられる。
珪化物（好ましくは、金属珪化物）としては、例えば、Ｍｏ、Ｗ、および、Ｃｒから選ばれる１種以上の元素の珪化物が挙げられる。
弗化物（好ましくは、金属弗化物）としては、例えば、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、および、Ｂａから選ばれる１種以上の元素の弗化物が挙げられる。 The adsorption layer 14 may be an organic layer or an inorganic layer.
Examples of the material of the organic layer include acrylic resin, polyolefin resin, polyurethane resin, polyimide resin, silicone resin, polyimide silicone resin, and fluororesin. Further, several kinds of resins can be mixed to form the adsorption layer 14.
Examples of the material of the inorganic layer include oxides, nitrides, oxynitrides, carbides, carbonitrides, silicified woods, and fluorides. Examples of the oxide (preferably metal oxide), nitride (preferably metal nitride), and oxynitride (preferably metal oxynitride) include Si, Hf, Zr, Ta, Ti, and Y. , Nb, Na, Co, Al, Zn, Pb, Mg, Bi, La, Ce, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, Sr, Sn, In and Ba. Examples include objects, nitrides, and oxynitrides.
Examples of the carbide (preferably metal carbide) and carbonitride (preferably metal carbide) include carbides and carbonitrides of one or more elements selected from, for example, Ti, W, Si, Zr, and Nb. Examples include objects and carbides.
Examples of the silicified wood (preferably metal silicified wood) include silicified wood of one or more elements selected from Mo, W, and Cr.
Examples of the fluoride (preferably a metal fluoride) include fluorides of one or more elements selected from Mg, Y, La, and Ba.

吸着層１４は、プラズマ重合膜であってもよい。
吸着層１４がプラズマ重合膜である場合、プラズマ重合膜を形成する材料は、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ6、Ｃ2Ｈ2、ＣＨ3Ｆ、Ｃ4Ｈ8などのフルオロカーボンモノマー、メタン、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、アセチレン、ベンゼン、トルエンなどのハイドロカーボンモノマー、水素、ＳＦ6などが挙げられる。 The adsorption layer 14 may be a plasma polymerized film.
When the adsorption layer 14 is a plasma polymerized film, the materials forming the plasma polymerized film are CF 4 , CHF 3 , C 2 H 6 , C 3 H 6 , C 2 H 2 , CH 3 F, C 4 H 8, and the like. Fluorocarbon monomers, methane, ethane, propane, ethylene, propylene, acetylene, benzene, toluene and other hydrocarbon monomers, hydrogen, SF 6 and the like.

なかでも、耐熱性や剥離性の点から、吸着層１４の材質として、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂が好ましく、シリコーン樹脂がより好ましく、縮合反応型シリコーンより形成されるシリコーン樹脂がより好ましい。
以下では、吸着層がシリコーン樹脂層である態様について詳述する。 Among them, from the viewpoint of heat resistance and peelability, silicone resin and polyimide silicone resin are preferable as the material of the adsorption layer 14, silicone resin is more preferable, and silicone resin formed from condensation reaction type silicone is more preferable.
Hereinafter, the embodiment in which the adsorption layer is a silicone resin layer will be described in detail.

シリコーン樹脂とは、所定のオルガノシロキシ単位を含む樹脂であり、通常、硬化性シリコーンを硬化させて得られる。硬化性シリコーンは、その硬化機構により付加反応型シリコーン、縮合反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用できる。なかでも、縮合反応型シリコーンが好ましい。 縮合反応型シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物若しくはその混合物（モノマー混合物）、または、モノマーまたはモノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）を好適に用いることができる。
この縮合反応型シリコーンを用いて、加水分解・縮合反応（ゾルゲル反応）を進行させることにより、シリコーン樹脂を形成することができる。 The silicone resin is a resin containing a predetermined organosiloxy unit, and is usually obtained by curing a curable silicone. Curable silicones are classified into addition reaction type silicones, condensation reaction type silicones, ultraviolet curable silicones and electron beam curable silicones according to the curing mechanism, and any of them can be used. Of these, condensation reaction type silicone is preferable. The condensation reaction type silicone includes a hydrolyzable organosilane compound which is a monomer or a mixture thereof (monomer mixture), or a partial hydrolysis condensation product (organopolysiloxane) obtained by partially hydrolyzing and condensing a monomer or a monomer mixture. Can be preferably used.
A silicone resin can be formed by advancing a hydrolysis / condensation reaction (solgel reaction) using this condensation reaction type silicone.

吸着層１４は、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を用いて形成されることが好ましい。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンのほかに、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤、金属化合物などを含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素としては、例えば、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）が挙げられる。金属化合物の含有量は、特に制限されず、適宜調整される。 The adsorption layer 14 is preferably formed using a curable composition containing curable silicone.
The curable composition may contain, in addition to the curable silicone, a solvent, a platinum catalyst (when an addition reaction type silicone is used as the curable silicone), a leveling agent, a metal compound and the like. Examples of the metal element contained in the metal compound include 3d transition metal, 4d transition metal, lanthanoid metal, bismuth (Bi), aluminum (Al), and tin (Sn). The content of the metal compound is not particularly limited and is appropriately adjusted.

吸着層１４は、ヒドロキシ基を有することが好ましい。吸着層１４のシリコーン樹脂を構成するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の一部が切れて、ヒドロキシ基が現れ得る。また、縮合反応型シリコーンを用いる場合には、そのヒドロキシ基が、吸着層１４のヒドロキシ基になり得る。 The adsorption layer 14 preferably has a hydroxy group. A part of the Si—O—Si bond constituting the silicone resin of the adsorption layer 14 may be broken and a hydroxy group may appear. When a condensation reaction type silicone is used, the hydroxy group can be the hydroxy group of the adsorption layer 14.

吸着層１４の第１主面１４ａと第２主面１４ｂとの間の厚みは、５０μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がより好ましく、１２μｍ以下がさらに好ましい。一方、吸着層１４の厚みは、１μｍ超が好ましく、異物埋め込み性がより優れる点で、６μｍ以上がより好ましい。上記厚みは、５点以上の任意の位置における吸着層１４の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
なお、異物埋め込み性に優れるとは、支持基材１２と吸着層１４との間に異物があっても、吸着層１４によって異物が埋め込まれことを意味する。異物の埋め込み性が優れると、吸着層に異物による凸部が生じにくく、ポリイミド膜上に電子デバイス用部材を形成した際に、凸部による電子デバイス用部材中での断線などのリスクが抑制される。なお、上記凸部の発生の際に形成される空隙が気泡として観察されるため、気泡の発生の有無により異物埋め込み性を評価できる。 The thickness between the first main surface 14a and the second main surface 14b of the adsorption layer 14 is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, still more preferably 12 μm or less. On the other hand, the thickness of the adsorption layer 14 is preferably more than 1 μm, and more preferably 6 μm or more in that the foreign matter embedding property is more excellent. The thickness is obtained by measuring the thickness of the adsorption layer 14 at an arbitrary position of 5 points or more with a contact type film thickness measuring device and arithmetically averaging them.
The excellent foreign matter embedding property means that even if there is a foreign matter between the support base material 12 and the adsorption layer 14, the foreign matter is embedded by the adsorption layer 14. If the foreign matter is excellently embedded, convex portions due to foreign matter are less likely to occur in the adsorption layer, and when the electronic device member is formed on the polyimide film, the risk of disconnection in the electronic device member due to the convex portion is suppressed. NS. Since the voids formed when the convex portions are generated are observed as bubbles, the foreign matter embedding property can be evaluated depending on the presence or absence of bubbles.

ガラス製の支持基材１２上にポリイミド膜を形成し、高温熱処理を行うと、ポリイミド膜が黄変するため、透明な電子デバイスへの適用が難しくなる。ところが、メカニズムは不明だが、ガラス上に吸着層１４を形成し、吸着層１４上にポリイミド膜を形成することで、高温熱処理によるポリイミド膜の黄変を抑制することができる。 When a polyimide film is formed on a glass supporting base material 12 and heat-treated at a high temperature, the polyimide film turns yellow, which makes it difficult to apply it to a transparent electronic device. However, although the mechanism is unknown, the yellowing of the polyimide film due to the high temperature heat treatment can be suppressed by forming the adsorption layer 14 on the glass and forming the polyimide film on the adsorption layer 14.

（保護フィルム）
積層基板１０は、吸着層１４を覆うように配置された保護フィルムを有していてもよい。
保護フィルムは後述するポリイミドワニスが吸着層１４上に塗布されるまで、吸着層１４の表面を保護するフィルムである。 (Protective film)
The laminated substrate 10 may have a protective film arranged so as to cover the adsorption layer 14.
The protective film is a film that protects the surface of the adsorption layer 14 until a polyimide varnish, which will be described later, is applied onto the adsorption layer 14.

保護フィルムを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリオレフィン樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン）、ポリウレタン樹脂が挙げられる。なかでも、ポリエステル樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレートがより好ましい。 Examples of the material constituting the protective film include a polyimide resin, a polyester resin (for example, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate), a polyolefin resin (for example, polyethylene and polypropylene), and a polyurethane resin. Of these, polyester resin is preferable, and polyethylene terephthalate is more preferable.

保護フィルムの厚みは、外部から受けた力の影響を低減するために、２０μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、５０μｍ以上がさらに好ましい。保護フィルムの厚みの上限値としては、５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましい。 The thickness of the protective film is preferably 20 μm or more, more preferably 30 μm or more, still more preferably 50 μm or more in order to reduce the influence of the force received from the outside. The upper limit of the thickness of the protective film is preferably 500 μm or less, more preferably 300 μm or less, and even more preferably 100 μm or less.

保護フィルムは、吸着層１４側の表面に、さらに密着層を有していてもよい。
密着層としては、公知の粘着層を用いることができる。粘着層を構成する粘着剤としては、例えば、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤が挙げられる。
また、密着層は樹脂で構成されていてもよく、樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレンエラストマーが挙げられる。
保護フィルムの表面粗さ（Ｒａ）は、保護フィルムを剥離した際の剥離力が低減するため、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以下がさらに好ましい。また、Ｒａは、保護フィルムと吸着層が密着した状態を維持できるため、０．１ｎｍ以上が好ましく、０．５ｎｍ以上がより好ましい。表面粗さ（Ｒａ）は、菱化システム社製の非接触表面・層断面形状計測システム「Ｖｅｒｔｓｃａｎ Ｒ３３００−lite」を用いて測定する。 The protective film may further have an adhesion layer on the surface on the adsorption layer 14 side.
As the adhesive layer, a known adhesive layer can be used. Examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer include (meth) acrylic pressure-sensitive adhesives, silicone-based pressure-sensitive adhesives, and urethane-based pressure-sensitive adhesives.
The adhesive layer may be made of a resin, and examples of the resin include vinyl acetate resin, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, (meth) acrylic resin, and butyral resin. , Polyurethane resin, polystyrene elastomer.
The surface roughness (Ra) of the protective film is preferably 50 nm or less, more preferably 30 nm or less, still more preferably 15 nm or less, because the peeling force when the protective film is peeled off is reduced. Further, Ra is preferably 0.1 nm or more, more preferably 0.5 nm or more, because the protective film and the adsorption layer can be maintained in close contact with each other. The surface roughness (Ra) is measured using a non-contact surface / layer cross-sectional shape measuring system "Vertscan R3300-lite" manufactured by Ryoka System Co., Ltd.

＜積層基板の製造方法＞
積層基板の製造方法は、特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
なかでも、生産性がより優れる点で、仮支持体と仮支持体上に配置された加熱処理後に吸着層となる前駆体膜とを有する転写フィルムを用意して、転写フィルム中の前駆体膜をガラス製の支持基材上の所定の位置に貼り合わせて、得られたガラス製の支持基材、前駆体膜、および、仮支持体を有する積層体に対して加熱処理を施す方法が挙げられる。加熱処理を施すことにより、前駆体膜の端部が流動化して、上述した所定の傾斜面を有する吸着層が形成される。なお、前駆体膜を支持基材上に貼り合わせる際には、上述した周縁領域が形成されるように、前駆体膜を支持基材上に貼り合わせる。
また、上記以外にも、ガラス製の支持基材の所定の位置に加熱処理後に吸着層となる前駆体膜を塗布により配置して、加熱処理を施すことにより、上述した所定の傾斜面を有する吸着層が形成される。
上記前駆体膜としては、例えば、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を塗布して、形成される塗膜に加熱処理を施して形成される膜が挙げられる。塗膜の加熱処理の加熱温度としては、５０〜２００℃が好ましく、加熱時間としては５〜２０分間が好ましい。 <Manufacturing method of laminated substrate>
The method for manufacturing the laminated substrate is not particularly limited, and known methods can be mentioned.
Among them, in terms of higher productivity, a transfer film having a temporary support and a precursor film arranged on the temporary support and serving as an adsorption layer after heat treatment is prepared, and the precursor film in the transfer film is prepared. Is attached to a predetermined position on the glass support base material, and the obtained glass support base material, the precursor film, and the laminate having the temporary support are heat-treated. Be done. By performing the heat treatment, the end portion of the precursor film is fluidized to form the adsorption layer having the above-mentioned predetermined inclined surface. When the precursor film is attached to the support base material, the precursor film is attached to the support base material so that the above-mentioned peripheral region is formed.
In addition to the above, a precursor film to be an adsorption layer after heat treatment is placed at a predetermined position on a glass supporting base material by coating, and the heat treatment is performed to obtain the above-mentioned predetermined inclined surface. An adsorption layer is formed.
Examples of the precursor film include a film formed by applying a curable composition containing curable silicone and heat-treating the coating film formed. The heating temperature for the heat treatment of the coating film is preferably 50 to 200 ° C., and the heating time is preferably 5 to 20 minutes.

上記のように、前駆体膜に対して加熱処理を施すことにより、吸着層の端面の形状を傾斜面とすることができる。なお、加熱処理の際には、圧力をかけながら実施することが好ましい。具体的には、オートクレーブを用いて加熱処理および加圧処理を実施することが好ましい。
加熱処理の際の加熱温度としては、５０〜３５０℃が好ましく、５５〜３００℃がより好ましく、６０〜２５０℃がさらに好ましい。加熱時間としては、１０〜６０分間が好ましく、２０〜４０分間がより好ましい。
加圧処理の際の圧力としては、０．５〜１．５ＭＰａが好ましく、０．８〜１．０ＭＰａがより好ましい。 By heat-treating the precursor membrane as described above, the shape of the end face of the adsorption layer can be made an inclined surface. It is preferable that the heat treatment is carried out while applying pressure. Specifically, it is preferable to carry out heat treatment and pressure treatment using an autoclave.
The heating temperature during the heat treatment is preferably 50 to 350 ° C, more preferably 55 to 300 ° C, and even more preferably 60 to 250 ° C. The heating time is preferably 10 to 60 minutes, more preferably 20 to 40 minutes.
The pressure during the pressurization treatment is preferably 0.5 to 1.5 MPa, more preferably 0.8 to 1.0 MPa.

また、加熱処理は、複数回行ってもよい。加熱処理を複数回実施する場合、それぞれの加熱条件は変更してもよい。
例えば、複数回の加熱処理を実施する場合、加熱温度を変えてもよい。例えば、２回の加熱処理を実施する場合、１回目の加熱処理を１００℃未満の温度条件で実施して、２回目の加熱処理を１００℃以上の温度条件で実施してもよい。
また、複数回の加熱処理を実施する場合、加圧処理の有無を変えてもよい。例えば、２回の加熱処理を実施する場合、１回目の加熱処理では加圧処理を合わせて実施し、２回目の加熱処理では加圧処理を実施しない形であってもよい。
なお、転写フィルムを用いて積層基板を製造する際、仮支持体を剥離した後、上記加熱処理を実施してもよいし、仮支持体が吸着層上に配置された状態のまま加熱処理を実施してもよい。また、複数回の加熱処理を実施する場合、各加熱処理の間で仮支持体を剥離してもよい。例えば、１回目の加熱処理を実施した後、仮支持体を剥離して、２回目の加熱処理を実施してもよい。 Moreover, the heat treatment may be performed a plurality of times. When the heat treatment is carried out a plurality of times, the heating conditions for each may be changed.
For example, when performing the heat treatment a plurality of times, the heating temperature may be changed. For example, when the heat treatment is carried out twice, the first heat treatment may be carried out under a temperature condition of less than 100 ° C., and the second heat treatment may be carried out under a temperature condition of 100 ° C. or higher.
Further, when the heat treatment is performed a plurality of times, the presence or absence of the pressure treatment may be changed. For example, when the heat treatment is performed twice, the pressure treatment may be performed together in the first heat treatment, and the pressure treatment may not be performed in the second heat treatment.
When the laminated substrate is manufactured using the transfer film, the temporary support may be peeled off and then the heat treatment may be performed, or the heat treatment may be performed with the temporary support arranged on the adsorption layer. It may be carried out. Further, when the heat treatment is performed a plurality of times, the temporary support may be peeled off between the heat treatments. For example, after performing the first heat treatment, the temporary support may be peeled off and the second heat treatment may be performed.

積層基板の吸着層の表面には、表面処理を施してもよい。
表面処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶオゾン処理が挙げられ、コロナ処理が好ましい。
後述するように吸着層の上にポリイミド膜を形成する場合、吸着層の表面粗さ（Ｒａ）は、ポリイミド膜の表面粗さが低減されるため、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以下がさらに好ましい。また、Ｒａは、ポリイミド膜と吸着層が密着した状態を維持できるため、０．１ｎｍ以上が好ましく、０．５ｎｍ以上がより好ましい。 The surface of the adsorption layer of the laminated substrate may be surface-treated.
Examples of the surface treatment include corona treatment, plasma treatment, and UV ozone treatment, and corona treatment is preferable.
When a polyimide film is formed on the adsorption layer as described later, the surface roughness (Ra) of the adsorption layer is preferably 50 nm or less, more preferably 30 nm or less because the surface roughness of the polyimide film is reduced. It is more preferably 15 nm or less. Further, Ra is preferably 0.1 nm or more, more preferably 0.5 nm or more, because the polyimide film and the adsorption layer can be maintained in close contact with each other.

上述した積層基板１０を用いて、支持基材１２と、吸着層１４と、被支持材をこの順に有する構造体を製造できる。被支持材としては、ポリイミド膜１８以外の材料も積層できる。被支持材としては、例えば、ポリイミド樹脂フィルム、エポキシ樹脂フィルム、感光性レジスト、ポリエステル樹脂フィルム（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリオレフィン樹脂フィルム（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン）、ポリウレタン樹脂フィルム、金属箔（例えば、銅箔、アルミ箔）、スパッタ膜（例えば、銅、チタン、アルミニウム、タングステン、窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコン）、ＴＧＶ基板、薄板ガラス基板、犠牲層付き薄板ガラス基板、ＡＢＦ、サファイア基板、シリコン基板、ＴＳＶ基板、ＬＥＤチップ、ディスプレイパネル（例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、μ−ＬＥＤ）、人工ダイヤ、合紙などが挙げられる。 Using the laminated substrate 10 described above, a structure having a supporting base material 12, an adsorption layer 14, and a supported material in this order can be manufactured. As the supported material, a material other than the polyimide film 18 can be laminated. Examples of the supported material include a polyimide resin film, an epoxy resin film, a photosensitive resist, a polyester resin film (for example, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate), a polyolefin resin film (for example, polyethylene and polypropylene), a polyurethane resin film, and a metal. Foil (eg copper foil, aluminum foil), sputter film (eg copper, titanium, aluminum, tungsten, silicon nitride, silicon oxide, amorphous silicon), TGV substrate, thin glass substrate, thin glass substrate with sacrificial layer, ABF, Examples thereof include sapphire substrates, silicon substrates, TSV substrates, LED chips, display panels (for example, LCDs, OLEDs, μ-LEDs), artificial diamonds, and interleaving papers.

＜積層体およびその製造方法＞
上述した積層基板１０を用いて、図３に示す、支持基材１２と、吸着層１４と、ポリイミド膜１８とを有する積層体１６を製造することができる。
具体的には、積層体１６の製造方法としては、積層基板１０の吸着層１４側に、ポリイミドおよび溶媒を含むポリイミドワニスを塗布して、周縁領域１２ａ上および吸着層１４上にポリイミド膜１８を形成して、支持基材１２と、吸着層１４と、ポリイミド膜１８とをこの順に有する積層体を形成する方法が挙げられる。
以下では、上記製造方法について詳述し、その後、ポリイミド膜１８の構成について詳述する。 <Laminated body and its manufacturing method>
Using the above-mentioned laminated substrate 10, the laminated body 16 having the supporting base material 12, the adsorption layer 14, and the polyimide film 18 shown in FIG. 3 can be manufactured.
Specifically, as a method for producing the laminated body 16, a polyimide varnish containing polyimide and a solvent is applied to the adsorption layer 14 side of the laminated substrate 10, and the polyimide film 18 is formed on the peripheral region 12a and the adsorption layer 14. Examples thereof include a method of forming a laminate having the support base material 12, the adsorption layer 14, and the polyimide film 18 in this order.
In the following, the manufacturing method will be described in detail, and then the configuration of the polyimide film 18 will be described in detail.

（ポリイミドワニス）
ポリイミドワニスは、ポリイミドまたはその前駆体および溶媒を含む。
ポリイミドは、通常、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを重縮合し、イミド化することにより得られる。ポリイミドとしては、溶剤可溶性を有することが好ましい。
用いるテトラカルボン酸二無水物としては、芳香族テトラカルボン酸二無水物、脂肪族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。用いるジアミンとしては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミンが挙げられる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸（１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物）、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、環式または非環式の脂肪族テトラカルボン酸二無水物があり、環式脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられ、非環式脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ペンタンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。
芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−オキシジアミノベンゼン（４，４’−ジアミノジフェニルエーテル）、１，３−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス−（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、１，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼンが挙げられる。
脂肪族ジアミンとしては、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ポリエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、ポリプロピレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテルなどの非環式脂肪族ジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジアミンなどの環式脂肪族ジアミンが挙げられる。 (Polyimide varnish)
The polyimide varnish contains polyimide or a precursor thereof and a solvent.
Polyimide is usually obtained by polycondensing tetracarboxylic dianhydride and diamine and imidizing them. The polyimide is preferably solvent-soluble.
Examples of the tetracarboxylic dianhydride used include aromatic tetracarboxylic dianhydride and aliphatic tetracarboxylic dianhydride. Examples of the diamine used include aromatic diamines and aliphatic diamines.
Examples of the aromatic tetracarboxylic acid dianhydride include pyromellitic anhydride (1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid dianhydride), 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride. Examples thereof include anhydrides, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydrides, and 3,3', 4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid dianhydrides.
The aliphatic tetracarboxylic acid dianhydride includes cyclic or acyclic aliphatic tetracarboxylic acid dianhydride, and the cyclic aliphatic tetracarboxylic acid dianhydride includes 1,2,3,4-. Cyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,4,5-cyclopentanetetracarboxylic acid dianhydride and the like can be mentioned. Examples of the tetracarboxylic acid dianhydride include 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid dianhydride and 1,2,3,4-pentanetetracarboxylic acid dianhydride.
Examples of the aromatic diamine include 4,4'-oxydiaminobenzene (4,4'-diaminodiphenyl ether), 1,3-bis- (3-aminophenoxy) benzene, and 4,4'-bis- (3-). Aminophenoxy) Biphenyl, 1,4-diaminobenzene, 1,3-diaminobenzene can be mentioned.
Examples of the aliphatic diamine include acyclic aliphatic diamines such as ethylenediamine, hexamethylenediamine, polyethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether and polypropylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, and 1,3-bis (aminomethyl). ) Cyclohexane, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, isophoronediamine, norbornandiamine and other cyclic aliphatic diamines can be mentioned.

ポリイミドの前駆体とは、イミド化する前の状態であるポリアミド酸（いわゆる、ポリアミック酸および／またはポリアミック酸エステル）を意味する。 The polyimide precursor means a polyamic acid (so-called polyamic acid and / or polyamic acid ester) which is in a state before imidization.

溶媒は、ポリイミドまたはその前駆体を溶解する溶媒であればよく、例えば、フェノール系溶媒（例えば、ｍ−クレゾール）、アミド系溶媒（例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ラクトン系溶媒（例えば、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン、ε−カプロラクトン、γ−クロトノラクトン、γ−ヘキサノラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、δ−ヘキサノラクトン）、スルホキシド系溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシド）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン）、エステル系溶媒（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、炭酸ジメチル）が挙げられる。 The solvent may be a solvent that dissolves polyimide or a precursor thereof, for example, a phenol-based solvent (for example, m-cresol), an amide-based solvent (for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide). , N, N-dimethylacetamide), lactone-based solvents (eg, γ-butyrolactone, δ-valerolactone, ε-caprolactone, γ-crotonolactone, γ-hexanolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, γ- Valerolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, δ-hexanolactone), sulfoxide-based solvent (eg, N, N-dimethylsulfoxide), ketone-based solvent (eg, acetone, methylethylketone, methylisobutylketone, cyclohexanone), ester System solvents (for example, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, dimethyl carbonate) can be mentioned.

（手順）
積層基板１０の吸着層１４側にポリイミドワニスを塗布する方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法が挙げられる。 (procedure)
The method of applying the polyimide varnish to the adsorption layer 14 side of the laminated substrate 10 is not particularly limited, and known methods can be mentioned. For example, a spray coating method, a die coating method, a spin coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a screen printing method, and a gravure coating method can be mentioned.

塗布後、必要に応じて、加熱処理を実施してもよい。
加熱処理の条件として、温度条件は、５０〜５００℃が好ましく、５０〜４５０℃がより好ましい。加熱時間は、１０〜３００分間が好ましく、２０〜２００分間がより好ましい。
また、加熱処理は、複数回行ってもよい。加熱処理を複数回実施する場合、それぞれの加熱条件は変更してもよい。 After coating, heat treatment may be carried out if necessary.
As the heat treatment conditions, the temperature condition is preferably 50 to 500 ° C, more preferably 50 to 450 ° C. The heating time is preferably 10 to 300 minutes, more preferably 20 to 200 minutes.
Moreover, the heat treatment may be performed a plurality of times. When the heat treatment is carried out a plurality of times, the heating conditions for each may be changed.

（積層体）
積層体１６は、図３に示すように、支持基材１２と、吸着層１４と、ポリイミド膜１８とを有する。
支持基材１２および吸着層１４の構成は上述した通りである。 (Laminated body)
As shown in FIG. 3, the laminate 16 has a support base material 12, an adsorption layer 14, and a polyimide film 18.
The configurations of the support base material 12 and the adsorption layer 14 are as described above.

ポリイミド膜１８は、支持基材１２の周縁領域上および吸着層１４上（吸着層１４の第２主面１４ｂ上および端面１４ｃ上）に配置される。 The polyimide film 18 is arranged on the peripheral region of the support base material 12 and on the adsorption layer 14 (on the second main surface 14b and the end surface 14c of the adsorption layer 14).

ポリイミド膜１８の厚みは、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましい。柔軟性の点からは、１ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましい。
ポリイミド膜１８上に電子デバイスの高精細な配線などを形成するために、ポリイミド膜１８の表面は平滑であることが好ましい。具体的には、ポリイミド膜１８の表面粗度Ｒａは、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
ポリイミド膜１８の熱膨張係数は、支持基材１２との熱膨張係数差が小さい方が加熱後または冷却後の積層体１６の反りを抑制できるため好ましい。具体的には、ポリイミド膜１８と支持基材１２との熱膨張係数の差は、０〜９０×１０-６／℃が好ましく、０〜３０×１０-６／℃がより好ましい。
ポリイミド膜１８の面積は、特に制限されないが、電子デバイスの生産性の点から、３００ｃｍ２以上が好ましい。
ポリイミド膜１８は、有色であっても、無色透明であってもよい。 The thickness of the polyimide film 18 is preferably 1 μm or more, more preferably 5 μm or more. From the viewpoint of flexibility, 1 mm or less is preferable, and 0.2 mm or less is more preferable.
In order to form high-definition wiring of an electronic device on the polyimide film 18, the surface of the polyimide film 18 is preferably smooth. Specifically, the surface roughness Ra of the polyimide film 18 is preferably 50 nm or less, more preferably 30 nm or less, still more preferably 10 nm or less.
As for the coefficient of thermal expansion of the polyimide film 18, it is preferable that the difference in the coefficient of thermal expansion from that of the supporting base material 12 is small because the warp of the laminated body 16 after heating or cooling can be suppressed. Specifically, the difference in thermal expansion coefficient between the polyimide film 18 and the supporting base material 12 is preferably 0 to 90 × 10 -6 / ° C, more preferably 0 to 30 × 10 -6 / ° C.
The area of the polyimide film 18 is not particularly limited, but is preferably 300 cm 2 or more from the viewpoint of productivity of electronic devices.
The polyimide film 18 may be colored or colorless and transparent.

積層体１６は、種々の用途に使用でき、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウエハ、受信センサーパネルなどの電子部品を製造する用途が挙げられる。これらの用途では、積層体が大気雰囲気下にて、高温条件（例えば、４５０℃以上）で曝される（例えば、２０分以上）場合もある。
表示装置用パネルは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、マイクロＬＥＤディスプレイパネル、ＭＥＭＳシャッターパネルなどを含む。
受信センサーパネルは、電磁波受信センサーパネル、Ｘ線受光センサーパネル、紫外線受光センサーパネル、可視光線受光センサーパネル、赤外線受光センサーパネルなどを含む。受信センサーパネルに用いる基板は、樹脂などの補強シートなどによって補強されていてもよい。 The laminate 16 can be used for various purposes, for example, for manufacturing electronic components such as a display device panel, PV, a thin film secondary battery, a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface, and a receiving sensor panel, which will be described later. Can be mentioned. In these applications, the laminate may be exposed to high temperature conditions (eg, 450 ° C. or higher) under atmospheric atmosphere (eg, 20 minutes or longer).
Display device panels include LCDs, OLEDs, electronic papers, plasma display panels, field emission panels, quantum dot LED panels, micro LED display panels, MEMS shutter panels, and the like.
The receiving sensor panel includes an electromagnetic wave receiving sensor panel, an X-ray receiving sensor panel, an ultraviolet receiving sensor panel, a visible light receiving sensor panel, an infrared receiving sensor panel, and the like. The substrate used for the receiving sensor panel may be reinforced with a reinforcing sheet such as resin.

＜電子デバイスの製造方法＞
積層体を用いて、ポリイミド膜および後述する電子デバイス用部材を含む電子デバイスが製造される。
電子デバイスの製造方法は、例えば、図４および５に示すように、積層体１６のポリイミド膜１８上（ポリイミド膜１８の吸着層１４側とは反対側の表面上）に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体２２から、ポリイミド膜１８および電子デバイス用部材２０を有する電子デバイス２４を得る分離工程と、を備える方法である。 <Manufacturing method of electronic devices>
Using the laminate, an electronic device including a polyimide film and a member for an electronic device described later is manufactured.
As a method for manufacturing an electronic device, for example, as shown in FIGS. 4 and 5, an electronic device member 20 is placed on the polyimide film 18 of the laminate 16 (on the surface of the polyimide film 18 opposite to the adsorption layer 14 side). It includes a member forming step of forming and obtaining a laminate 22 with a member for an electronic device, and a separation step of obtaining an electronic device 24 having a polyimide film 18 and a member 20 for an electronic device from the laminate 22 with a member for an electronic device. The method.

以下、電子デバイス用部材２０を形成する工程を「部材形成工程」、電子デバイス２４と吸着層付き支持基材２６とに分離する工程を「分離工程」という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。 Hereinafter, the step of forming the member 20 for the electronic device is referred to as a "member forming step", and the step of separating the electronic device 24 and the support base material 26 with an adsorption layer is referred to as a "separation step".
The materials and procedures used in each step will be described in detail below.

（部材形成工程）
部材形成工程は、積層体１６のポリイミド膜１８上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図４に示すように、ポリイミド膜１８上（ポリイミド膜１８の吸着層１４側とは反対側の表面上）に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。
なお、電子デバイスの信頼性向上のため、ポリイミド膜１８上にバリア層を形成してもよい。バリア層の材料は、特に制限されず、公知の材料を用いることができる。バリア層を構成する材料としては、例えば、窒化シリコン、酸化シリコンが挙げられる。また、バリア層は１層であっても、２層以上であってもよいし、複数の材料を組み合わせてもよい。成膜方法は、特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、プラズマＣＶＤ、スパッタなどの方法が挙げられる。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。 (Member forming process)
The member forming step is a step of forming a member for an electronic device on the polyimide film 18 of the laminated body 16. More specifically, as shown in FIG. 4, the electronic device member 20 is formed on the polyimide film 18 (on the surface of the polyimide film 18 opposite to the adsorption layer 14 side), and the electronic device member is laminated. Gain body 22.
A barrier layer may be formed on the polyimide film 18 in order to improve the reliability of the electronic device. The material of the barrier layer is not particularly limited, and known materials can be used. Examples of the material constituting the barrier layer include silicon nitride and silicon oxide. Further, the barrier layer may be one layer, two or more layers, or a plurality of materials may be combined. The film forming method is not particularly limited, and known methods can be mentioned. For example, methods such as plasma CVD and sputtering can be mentioned.
First, the electronic device member 20 used in this step will be described in detail, and then the procedure of the step will be described in detail.

（電子デバイス用部材）
電子デバイス用部材２０は、積層体１６のポリイミド膜１８上に形成される電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウエハなどの電子部品、受信センサーパネルなどに用いられる部材（例えば、ＬＴＰＳなどの表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路、受信センサー用部材）が挙げられ、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０１９２］に記載された太陽電池用部材、同段落［０１９３］に記載された薄膜２次電池用部材、同段落［０１９４］に記載された電子部品用回路が挙げられる。 (Members for electronic devices)
The electronic device member 20 is a member that constitutes at least a part of the electronic device formed on the polyimide film 18 of the laminated body 16. More specifically, the electronic device member 20 is used for a display device panel, a solar cell, a thin-film secondary battery, an electronic component such as a semiconductor wafer having a circuit formed on its surface, a receiving sensor panel, or the like. Members (for example, a member for a display device such as LTPS, a member for a solar cell, a member for a thin film secondary battery, a circuit for an electronic component, a member for a receiving sensor) can be mentioned, for example, US Patent Application Publication No. 2018/0178492. Examples thereof include the solar cell member described in paragraph [0192] of the book, the thin-film secondary battery member described in paragraph [0193], and the circuit for electronic components described in paragraph [0194].

（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は特に制限されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、積層体１６のポリイミド膜１８上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
電子デバイス用部材２０は、ポリイミド膜１８に最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。吸着層１４から剥離された部分部材付き基板を、その後の工程で全部材付き基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
吸着層１４から剥離された、全部材付き基板には、その剥離面に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。さらに、２枚の電子デバイス用部材付き積層体２２の電子デバイス用部材２０同士を対向させて、両者を貼り合わせて全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の吸着層付き支持基材を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。 (Process procedure)
The method for manufacturing the laminated body 22 with the electronic device member described above is not particularly limited, and the electronic device is placed on the polyimide film 18 of the laminated body 16 by a conventionally known method according to the type of the constituent member of the electronic device member. The member 20 is formed.
The member 20 for an electronic device may be a part of all the members (hereinafter referred to as "partial member") instead of all of the members finally formed on the polyimide film 18 (hereinafter referred to as "all members"). good. The substrate with partial members peeled off from the adsorption layer 14 can be made into a substrate with all members (corresponding to an electronic device described later) in a subsequent step.
On the substrate with all members peeled from the adsorption layer 14, other electronic device members may be formed on the peeled surface. Further, the electronic device members 20 of the two electronic device member-equipped laminates 22 face each other, and the two members are bonded to each other to assemble the all-members laminate, and then two sheets are adsorbed from the all-members laminate. The layered support substrate can also be peeled off to manufacture an electronic device.

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、積層体１６のポリイミド膜１８の吸着層１４側とは反対側の表面上に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層などを蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、などの各種の層形成や処理が行なわれる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理などが挙げられる。 For example, in the case of manufacturing an OLED, a transparent electrode is formed in order to form an organic EL structure on the surface of the polyimide film 18 of the laminate 16 opposite to the adsorption layer 14 side. Various layers such as depositing a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, etc. on the surface on which the transparent electrode is formed, forming a back electrode, and sealing using a sealing plate, etc. Processing is performed. Specific examples of these layer formations and treatments include a film forming process, a thin film deposition process, and a sealing plate bonding process.

（分離工程）
分離工程は、図５に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から、吸着層１４とポリイミド膜１８との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２０が積層したポリイミド膜１８と、吸着層付き支持基材２６とに分離して、電子デバイス用部材２０およびポリイミド膜１８を含む電子デバイス２４を得る工程である。 (Separation process)
In the separation step, as shown in FIG. 5, the electronic device member 20 is separated from the electronic device member-attached laminate 22 obtained in the member forming step by using the interface between the adsorption layer 14 and the polyimide film 18 as a peeling surface. This is a step of separating the laminated polyimide film 18 and the support base material 26 with an adsorption layer to obtain an electronic device 24 including the electronic device member 20 and the polyimide film 18.

剥離されたポリイミド膜１８上の電子デバイス用部材２０が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をポリイミド膜１８上に形成することもできる。 When the electronic device member 20 on the peeled polyimide film 18 is a part of the formation of all the necessary constituent members, the remaining constituent members can be formed on the polyimide film 18 after separation.

ポリイミド膜１８と吸着層１４とを剥離する方法は、特に制限されない。例えば、ポリイミド膜１８と支持基材１２との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離できる。
好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２を、支持基材１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し、この状態でまず刃物状のものをポリイミド膜１８と支持基材１２との界面に侵入させる。その後、支持基材１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物状のものを差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると、吸着層付き支持基材２６を容易に剥離できる。 The method of peeling the polyimide film 18 and the adsorption layer 14 is not particularly limited. For example, a sharp blade-like object is inserted into the interface between the polyimide film 18 and the supporting base material 12, and after giving a trigger for peeling, the mixture can be peeled off by spraying a mixed fluid of water and compressed air.
Preferably, the laminate 22 with the electronic device member is installed on the surface plate so that the support base material 12 is on the upper side and the electronic device member 20 side is on the lower side, and the electronic device member 20 side is on the surface plate. Vacuum adsorption is performed, and in this state, a blade-like object is first penetrated into the interface between the polyimide film 18 and the supporting base material 12. After that, the support base material 12 side is sucked by a plurality of vacuum suction pads, and the vacuum suction pads are raised in order from the vicinity of the place where the blade-shaped object is inserted. Then, the support base material 26 with the adsorption layer can be easily peeled off.

電子デバイス用部材付き積層体２２から電子デバイス２４を分離する際においては、イオナイザーによる吹き付けや湿度を制御することにより、吸着層１４の欠片が電子デバイス２４に静電吸着することをより抑制できる。
上述した電子デバイスの製造方法は、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０２１０］に記載された表示装置の製造に好適であり、電子デバイス２４としては、例えば、同段落［０２１１］に記載されたものが挙げられる。 When the electronic device 24 is separated from the laminated body 22 with the member for the electronic device, it is possible to further suppress the electrostatic adsorption of the fragments of the adsorption layer 14 to the electronic device 24 by controlling the spraying and the humidity by the ionizer.
The method for manufacturing an electronic device described above is suitable for manufacturing a display device described in paragraph [0210] of, for example, US Patent Application Publication No. 2018/0178492, and the electronic device 24 is, for example, the same paragraph. Examples thereof include those described in [0211].

また、上記分離工程を実施する前に、積層体の電子デバイス用部材が配置されていない領域を切断して除去してもよい。 Further, before carrying out the separation step, a region in which the electronic device member of the laminated body is not arranged may be cut and removed.

以下に、実施例などにより本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.

以下では、支持基材として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（線膨張係数３８×１０-７／℃、ＡＧＣ株式会社製 商品名「ＡＮ１００」）を使用した。積層前のガラス板の表面には、顕微赤外分光分析により、ヒドロキシ基（ＯＨ基）が存在することが確認された。
以下、例１〜例５は実施例であり、例６〜例７は比較例である。 In the following, as a supporting base material, a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (coefficient of linear expansion 38 × 10 -7 / ° C., trade name “AN100” manufactured by AGC Inc.) was used. It was confirmed by microinfrared spectroscopic analysis that hydroxy groups (OH groups) were present on the surface of the glass plate before stacking.
Hereinafter, Examples 1 to 5 are Examples, and Examples 6 to 7 are Comparative Examples.

＜外観評価＞
後段での手順で得られたガラス板、シリコーン樹脂層、および、ポリイミド膜をこの順で有する積層体中のポリイミド膜を目視により観察して、以下の基準に従って評価した。Ａ：ポリイミド膜の剥離が生じていなかった。
Ｂ：ポリイミド膜の一部で剥離が生じていたが、実用上問題のない範囲だった。
Ｃ：ポリイミド膜の大部分または全面で剥離が生じていたが、実用上問題のない範囲だった。 <Appearance evaluation>
The glass plate, the silicone resin layer, and the polyimide film in the laminate having the polyimide film in this order obtained in the procedure in the latter stage were visually observed and evaluated according to the following criteria. A: The polyimide film was not peeled off.
B: Peeling occurred in a part of the polyimide film, but it was within the range where there was no problem in practical use.
C: Peeling occurred on most or the entire surface of the polyimide film, but it was within the range where there was no problem in practical use.

＜周縁領域の幅評価＞
支持基材の周縁領域の幅を、以下の基準に従って評価した。なお、各例の周縁領域の幅はいずれも１ｍｍ以上であった。
Ａ：幅が１０ｍｍ以下
Ｂ：幅が１０ｍｍ超３０ｍｍ以下
Ｃ：幅が３０ｍｍ超 <Evaluation of width of peripheral area>
The width of the peripheral region of the supporting substrate was evaluated according to the following criteria. The width of the peripheral region of each example was 1 mm or more.
A: Width is 10 mm or less B: Width is more than 10 mm and 30 mm or less C: Width is more than 30 mm

＜異物埋め込み性＞
後段での手順で得られたガラス板、シリコーン樹脂層、および、ＰＥＴフィルムがこの順で配置された積層体を目視により観察して、以下の基準に従って評価した。
Ａ：ガラス板／シリコーン樹脂層界面の異物による界面気泡が５個以下だった。
Ｂ：ガラス板／シリコーン樹脂層界面の異物による界面気泡が５個より多く、１０個以下だった。
Ｃ：ガラス板／シリコーン樹脂層界面の異物による界面気泡が１０個より多かった。 <Foreign matter embedding property>
The glass plate, the silicone resin layer, and the laminate in which the PET film was arranged in this order obtained in the subsequent procedure were visually observed and evaluated according to the following criteria.
A: The number of interfacial bubbles due to foreign matter at the glass plate / silicone resin layer interface was 5 or less.
B: The number of interfacial bubbles due to foreign matter at the glass plate / silicone resin layer interface was more than 5 and 10 or less.
C: There were more than 10 interfacial bubbles due to foreign matter at the glass plate / silicone resin layer interface.

＜例１＞
（硬化性シリコーンの調製）
１Ｌのフラスコに、トリエトキシメチルシラン（１７９ｇ）、トルエン（３００ｇ）、酢酸（５ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、６０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液にクロロトリメチルシラン（７０ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、５０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液からトルエンを減圧留去し、スラリー状態にした後、真空乾燥機で終夜乾燥することにより、白色のオルガノポリシロキサン化合物である硬化性シリコーン１を得た。硬化性シリコーン１は、Ｔ単位の個数：Ｍ単位の個数＝８７：１３（モル比）であった。なお、Ｍ単位は、（Ｒ）3ＳｉＯ1/2で表される１官能オルガノシロキシ単位を意味する。Ｔ単位は、ＲＳｉＯ3/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表される３官能オルガノシロキシ単位を意味する。 <Example 1>
(Preparation of curable silicone)
Triethoxymethylsilane (179 g), toluene (300 g) and acetic acid (5 g) were added to a 1 L flask, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 20 minutes and then heated to 60 ° C. for 12 hours. The obtained crude reaction solution was cooled to 25 ° C., and then the crude reaction solution was washed 3 times with water (300 g). Chlorotrimethylsilane (70 g) was added to the washed crude reaction solution, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 20 minutes and then heated to 50 ° C. for 12 hours. The obtained crude reaction solution was cooled to 25 ° C., and then the crude reaction solution was washed 3 times with water (300 g). Toluene was distilled off from the washed crude reaction solution under reduced pressure to form a slurry, which was then dried overnight in a vacuum dryer to obtain curable silicone 1 which is a white organopolysiloxane compound. The number of T units: the number of M units = 87:13 (molar ratio) of the curable silicone 1. The M unit means a monofunctional organosiloxy unit represented by (R) 3 SiO 1/2. The T unit means a trifunctional organosiloxy unit represented by RSiO 3/2 (R represents a hydrogen atom or an organic group).

（硬化性組成物の調製）
硬化性シリコーン１とヘキサンとを混合し、さらに有機ジルコニウム系化合物（オクチル酸ジルコニウム化合物）および有機ビスマス系化合物（２−エチルヘキサン酸ビスマス）を添加した。溶媒量は、固形分濃度が５０質量％となるように調整した。また、金属化合物の添加量は、金属元素が樹脂１００質量部に対して、０．０１質量部となるように調整した。得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物を得た。 (Preparation of curable composition)
The curable silicone 1 and hexane were mixed, and an organic zirconium compound (zincyl octylate compound) and an organic bismuth compound (bismuth 2-ethylhexanoate) were further added. The amount of solvent was adjusted so that the solid content concentration was 50% by mass. The amount of the metal compound added was adjusted so that the amount of the metal element was 0.01 part by mass with respect to 100 parts by mass of the resin. The obtained mixed solution was filtered using a filter having a pore size of 0.45 μm to obtain a curable composition.

（積層基板の作製）
ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）（東洋紡社製、コスモシャインＡ４１００）の表面上に調製した硬化性組成物を塗布し、ホットプレートを用いて１４０℃で１０分間加熱することにより、シリコーン樹脂層を形成した。シリコーン樹脂層の厚みは、８μｍであった。
続いて、水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＣＧ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した２００×２００ｍｍ、厚み０．５ｍｍのガラス板「ＡＮ１００」（支持基材）と、シリコーン樹脂層が形成されたＰＥＴフィルムとを貼合して、ガラス板、シリコーン樹脂層、およびＰＥＴフィルムがこの順で配置された積層体を作製した。なお、上記貼合の際には、ガラス板の表面の周縁領域にシリコーン樹脂層が配置されない領域が残るように、貼合を行った（図２参照）。周縁領域の幅Ｗは５ｍｍであった。
次に、得られた積層体をオートクレーブ内に配置して、６０℃、１ＭＰａの条件にて３０分間加熱した。その後、ＰＥＴフィルムを剥離して、ガラス板およびシリコーン樹脂層からなる積層基板に対して、２５０℃で３０分間アニール処理を施した後、シリコーン樹脂層にコロナ処理を施した。得られたシリコーン樹脂層は、ガラス板側の第1主面と第１主面とは反対側の第２主面と、第１主面および第２主面とに接続する端面とを有し、上記端面は第２主面から第１主面に向かうに従って突出する傾斜面であった。上記傾斜面と第１主面とのなす角度は、３°であった。シリコーン樹脂層の第１主面と第２主面との間の厚みは、８μｍであった。 (Manufacturing of laminated substrate)
A silicone resin layer is formed by applying the prepared curable composition on the surface of a polyethylene terephthalate film (PET film) (Cosmo Shine A4100 manufactured by Toyobo Co., Ltd.) and heating at 140 ° C. for 10 minutes using a hot plate. bottom. The thickness of the silicone resin layer was 8 μm.
Subsequently, a 200 × 200 mm, 0.5 mm thick glass plate “AN100” (supporting base material) washed with pure water after cleaning with an aqueous glass cleaning agent (“PK-LCG213” manufactured by Parker Corporation) and silicone. The PET film on which the resin layer was formed was bonded to prepare a laminated body in which the glass plate, the silicone resin layer, and the PET film were arranged in this order. At the time of the above bonding, the bonding was performed so that a region where the silicone resin layer was not arranged remained in the peripheral region of the surface of the glass plate (see FIG. 2). The width W of the peripheral region was 5 mm.
Next, the obtained laminate was placed in an autoclave and heated at 60 ° C. and 1 MPa for 30 minutes. Then, the PET film was peeled off, and the laminated substrate composed of the glass plate and the silicone resin layer was annealed at 250 ° C. for 30 minutes, and then the silicone resin layer was corona-treated. The obtained silicone resin layer has a first main surface on the glass plate side, a second main surface on the side opposite to the first main surface, and an end surface connected to the first main surface and the second main surface. The end face was an inclined surface that protruded from the second main surface toward the first main surface. The angle formed by the inclined surface and the first main surface was 3 °. The thickness between the first main surface and the second main surface of the silicone resin layer was 8 μm.

（積層体の作製）
上記で得られた積層基板のシリコーン樹脂層側の表面にポリイミドワニス（宇部興産社製、ユピア−ＳＴ−１００３）を塗布して、６０℃で３０分間加熱した後、さらに１２０℃で３０分間加熱して、ガラス板、シリコーン樹脂層、および、ポリイミド膜（厚み：７μｍ）をこの順に有する積層体を得た。ポリイミド膜は、ガラス板の周縁領域上およびシリコーン樹脂層上に配置されていた（図３参照）。 (Preparation of laminate)
Polyimide varnish (Yupia-ST-1003, manufactured by Ube Industries, Ltd.) is applied to the surface of the laminated substrate obtained above on the silicone resin layer side, heated at 60 ° C. for 30 minutes, and then further heated at 120 ° C. for 30 minutes. Then, a laminate having a glass plate, a silicone resin layer, and a polyimide film (thickness: 7 μm) was obtained in this order. The polyimide film was arranged on the peripheral region of the glass plate and on the silicone resin layer (see FIG. 3).

＜例２〜例７＞
シリコーン樹脂層の第１主面と第２主面との間の厚み、周縁領域の幅、および、角度を後述する表１に示すように調整した以外は、例１と同様の手順に従って、積層体を得た。 なお、例６および７に関しては、ガラス板の全面に硬化性組成物を塗布して、塗膜を２５０℃で３０分間加熱して硬化させ、ガラス板全面上にシリコーン樹脂層を作製した後、得られたシリコーン樹脂層付きガラス板の周縁部を切断して、ガラス板とシリコーン樹脂層とを有し、かつ、平滑な側面を有する積層体（以下、「積層体Ｃ」ともいう。）を得た後、積層体Ｃを用いて上記（積層体の作製）を実施した。つまり、例６および７で使用した積層体Ｃは、シリコーン樹脂層のガラス板側の主面の面積と、ガラス板側とは反対側の主面の面積とが同じで、θが９０°に該当するシリコーン樹脂層を有していた。 <Examples 2 to 7>
Laminating according to the same procedure as in Example 1 except that the thickness, the width of the peripheral region, and the angle between the first main surface and the second main surface of the silicone resin layer were adjusted as shown in Table 1 described later. I got a body. In Examples 6 and 7, a curable composition was applied to the entire surface of the glass plate, the coating film was heated at 250 ° C. for 30 minutes to cure, and then a silicone resin layer was formed on the entire surface of the glass plate. A laminate having a glass plate and a silicone resin layer and having smooth side surfaces (hereinafter, also referred to as "laminate C") is obtained by cutting the peripheral portion of the obtained glass plate with a silicone resin layer. After obtaining the product, the above (preparation of the laminated body) was carried out using the laminated body C. That is, in the laminate C used in Examples 6 and 7, the area of the main surface of the silicone resin layer on the glass plate side and the area of the main surface on the side opposite to the glass plate side are the same, and θ is 90 °. It had a corresponding silicone resin layer.

表１中、「吸着層厚み（μｍ）」欄は、シリコーン樹脂層の第１主面と第２主面との間の厚みを表す。
表１中、「周縁領域幅（ｍｍ）」欄は、周縁領域の幅（図２のＷ）を表す。
表１中、「角度（°）」欄は、シリコーン樹脂層の第１主面と傾斜面とのなす角度を表す。角度の測定方法は、上述した通りである。 In Table 1, the "adsorption layer thickness (μm)" column represents the thickness between the first main surface and the second main surface of the silicone resin layer.
In Table 1, the "peripheral region width (mm)" column represents the width of the peripheral region (W in FIG. 2).
In Table 1, the "angle (°)" column represents the angle formed by the first main surface and the inclined surface of the silicone resin layer. The method for measuring the angle is as described above.

Figure 2021169202
Figure 2021169202

表１に示すように、本発明の積層基板は、所望の効果を示した。
特に、例１〜３および５と、例４との比較より、吸着層の厚みが６μｍ以上の場合、異物埋め込み性がより優れることが確認された。
また、例１と３との比較より、吸着層の厚みが１２μｍ以下の場合、外観特性がより優れることが確認された。 As shown in Table 1, the laminated substrate of the present invention showed a desired effect.
In particular, by comparing Examples 1 to 3 and 5 with Example 4, it was confirmed that the foreign matter embedding property was more excellent when the thickness of the adsorption layer was 6 μm or more.
Further, from the comparison between Examples 1 and 3, it was confirmed that the appearance characteristics were more excellent when the thickness of the adsorption layer was 12 μm or less.

＜有機ＥＬ表示装置（電子デバイスに該当）の製造＞
例１〜５で得られた積層体を用いて、以下の手順に従って、有機ＥＬ表示装置を製造した。
まず、積層基板のポリイミド膜のガラス板側とは反対側の表面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜した。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、加熱処理し脱水素処理を行った。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理を行った。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴエリアを形成した。
次に、ポリイミド膜のガラス板側とは反対側に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをＮ型、Ｐ型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成した。
次に、ポリイミド膜のガラス板側とは反対側に、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりＴＦＴ電極を形成した。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理を行った後に、プラズマＣＶＤ法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成した。
次に、ポリイミド膜のガラス板側とは反対側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成した。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成した。続いて、蒸着法により、ポリイミド膜のガラス板側とは反対側に、正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ3をこの順に成膜した。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。
次に、ポリイミド膜のガラス板側とは反対側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス板を貼り合わせて封止した。上記手順によって、ポリイミド膜上に有機ＥＬ構造体を形成した。ポリイミド膜上に有機ＥＬ構造体を有する構造物（以下、パネルＡという。）が、電子デバイス用部材付き積層体である。
続いて、パネルＡの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＡのコーナー部のポリイミド膜とガラス板との界面に、厚み０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ポリイミド膜とガラス板との界面に剥離のきっかけを与えた。そして、パネルＡの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させた。ここで刃物の差し込みは、イオナイザー（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザーからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げた。その結果、定盤上に有機ＥＬ構造体が形成されたポリイミド膜のみを残し、シリコーン樹脂層付き支持基材を剥離することができた。
続いて、分離されたポリイミド膜をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機ＥＬ構造体が形成されたポリイミド膜と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施して有機ＥＬ表示装置を作製した。 <Manufacturing of organic EL display devices (corresponding to electronic devices)>
Using the laminates obtained in Examples 1 to 5, an organic EL display device was manufactured according to the following procedure.
First, silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon were deposited in this order on the surface of the polyimide film of the laminated substrate on the side opposite to the glass plate side by the plasma CVD method. Next, a low concentration of boron was injected into the amorphous silicon layer by an ion doping device, and heat treatment was performed to perform dehydrogenation treatment. Next, the amorphous silicon layer was crystallized by a laser annealing device. Next, a low-concentration phosphorus was injected into the amorphous silicon layer by an etching and ion doping apparatus using a photolithography method to form N-type and P-type TFT areas.
Next, a silicon oxide film was formed by a plasma CVD method on the side opposite to the glass plate side of the polyimide film to form a gate insulating film, and then molybdenum was formed by a sputtering method, and a photolithography method was used. A gate electrode was formed by etching. Next, high concentrations of boron and phosphorus were injected into the desired areas of N-type and P-type by a photolithography method and an ion doping device to form a source area and a drain area.
Next, on the side of the polyimide film opposite to the glass plate side, an interlayer insulating film is formed by filming silicon oxide by the plasma CVD method, and a TFT electrode is formed by filming aluminum by the sputtering method and etching using the photolithography method. bottom. Next, after heat treatment and hydrogenation treatment in a hydrogen atmosphere, a passivation layer was formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method.
Next, an ultraviolet curable resin was applied to the side of the polyimide film opposite to the glass plate side, and a flattening layer and contact holes were formed by a photolithography method. Next, indium tin oxide was formed into a film by a sputtering method, and a pixel electrode was formed by etching using a photolithography method. Subsequently, by the vapor deposition method, 4,4', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine as a hole injection layer and a hole transport layer on the side opposite to the glass plate side of the polyimide film. Bis [(N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine, 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as a light emitting layer with 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] amino Styryl] Naphthalene-1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) mixed in 40% by volume, Alq 3 was formed as an electron transport layer in this order. Next, aluminum was formed by a sputtering method, and a photo was formed. Opposite electrodes were formed by etching using a lithography method.
Next, another glass plate was bonded and sealed on the side of the polyimide film opposite to the glass plate side via an ultraviolet curable adhesive layer. An organic EL structure was formed on the polyimide film by the above procedure. A structure having an organic EL structure on a polyimide film (hereinafter referred to as panel A) is a laminate with a member for an electronic device.
Subsequently, after vacuum-adsorbing the sealing body side of the panel A to the platen, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm is inserted into the interface between the polyimide film and the glass plate at the corner of the panel A to form the polyimide film. The interface with the glass plate was given a trigger for peeling. Then, the surface of the supporting base material of the panel A was sucked by the vacuum suction pad, and then the suction pad was raised. Here, the cutting tool was inserted while spraying a static elimination fluid from an ionizer (manufactured by KEYENCE CORPORATION) onto the interface. Next, the vacuum suction pad was pulled up while continuously spraying the static elimination fluid from the ionizer toward the formed voids and pouring water into the peeling front. As a result, the supporting base material with the silicone resin layer could be peeled off, leaving only the polyimide film on which the organic EL structure was formed on the surface plate.
Subsequently, the separated polyimide film is cut using a laser cutter or a scribing-break method, divided into a plurality of cells, and then the polyimide film on which the organic EL structure is formed and the facing substrate are assembled to form a module. The process was carried out to produce an organic EL display device.

１０ 積層基板
１２ 支持基材
１４ シリコーン樹脂層
１６ 積層体
１８ ポリイミド膜
２０ 電子デバイス用部材
２２ 電子デバイス用部材付き積層体
２４ 電子デバイス
２６ 吸着層付き支持基材 10 Laminated substrate 12 Supporting base material 14 Silicone resin layer 16 Laminated body 18 Polyimide film 20 Electronic device member 22 Laminated body with electronic device member 24 Electronic device 26 Supporting base material with adsorption layer

Claims (9)

ガラス製の支持基材と、前記支持基材上に配置された吸着層と、を有し、
前記支持基材の前記吸着層側の表面には、前記吸着層が配置されていない周縁領域があり、
前記吸着層は、前記支持基材側の第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とに接続する端面とを有し、
前記端面が、前記第２主面から前記第１主面に向かうに従い突出する傾斜面であり、
前記傾斜面と前記第１主面とのなす角度が、１０°未満である、積層基板。 It has a support base material made of glass and an adsorption layer arranged on the support base material.
On the surface of the support base material on the adsorption layer side, there is a peripheral region in which the adsorption layer is not arranged.
The adsorption layer includes a first main surface on the support base material side, a second main surface on the side opposite to the first main surface, and an end surface connecting the first main surface and the second main surface. Have,
The end surface is an inclined surface that protrudes from the second main surface toward the first main surface.
A laminated substrate in which the angle between the inclined surface and the first main surface is less than 10 °. 前記吸着層の前記第１主面と前記第２主面との間の厚みが、５０μｍ以下である、請求項１に記載の積層基板。 The laminated substrate according to claim 1, wherein the thickness between the first main surface and the second main surface of the adsorption layer is 50 μm or less. 前記周縁領域の幅が１〜３０ｍｍである、請求項１または２に記載の積層基板。 The laminated substrate according to claim 1 or 2, wherein the width of the peripheral region is 1 to 30 mm. 前記吸着層がシリコーン樹脂層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層基板。 The laminated substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the adsorption layer is a silicone resin layer. 前記吸着層上に配置される保護フィルムをさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層基板。 The laminated substrate according to any one of claims 1 to 4, further comprising a protective film arranged on the adsorption layer. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層基板の前記吸着層側に、ポリイミドまたはその前駆体および溶媒を含むポリイミドワニスを塗布して、前記周縁領域上および前記吸着層上にポリイミド膜を形成して、前記支持基材と、前記吸着層と、前記ポリイミド膜とを有する積層体を形成する、積層体の製造方法。 A polyimide varnish containing polyimide or a precursor thereof and a solvent is applied to the adsorption layer side of the laminated substrate according to any one of claims 1 to 4, and a polyimide film is applied on the peripheral region and the adsorption layer. A method for producing a laminated body, which forms a laminated body having the supporting base material, the adsorption layer, and the polyimide film. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層基板と、
前記積層基板中の前記周縁領域上および前記吸着層上に配置されるポリイミド膜と、を有する積層体。 The laminated substrate according to any one of claims 1 to 4, and the laminated substrate.
A laminate having a polyimide film arranged on the peripheral region and the adsorption layer in the laminated substrate. 請求項７に記載の積層体と、
前記積層体中の前記ポリイミド膜上に配置される電子デバイス用部材と、を有する電子デバイス用部材付き積層体。 The laminate according to claim 7 and
A laminate with an electronic device member having an electronic device member arranged on the polyimide film in the laminate. 請求項７に記載の積層体の前記ポリイミド膜上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体から、前記ポリイミド膜および前記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。 A member forming step of forming a member for an electronic device on the polyimide film of the laminate according to claim 7 to obtain a laminate with a member for an electronic device.
A method for manufacturing an electronic device, comprising a separation step of obtaining the polyimide film and an electronic device having the electronic device member from the laminated body with the electronic device member.
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