JP2021163873A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】不活性ガスの消費量を抑制しつつ、搬送中の基板の酸化を抑制可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、基板処理部１と搬送室ＣＨＢと搬送部ＣＲと仕切り部材３００Ａ、３００Ｂとガス供給部１５０と駆動部３０６とを備える。基板処理部１の各々は、基板Ｗが通過する出入口部１１を含む。搬送部ＣＲは搬送室ＣＨＢに配置される。搬送部ＣＲは、出入口部１１を通して基板Ｗの搬入及び搬出を行う。仕切り部材３００Ａ、３００Ｂは、搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と第２室３５２Ａ、３５２Ｂとに分割する。ガス供給部１５０は、第１室３５１に不活性ガスＧＡ１を供給する。駆動部３０６は、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂを搬送室ＣＨＢ内で移動する。【選択図】図５

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

基板処理装置は、例えば、半導体基板又はガラス基板の製造に用いられる。基板処理装置では、処理液で基板を処理した後で、基板を乾燥させる。近年、基板構造の微細化が進められており、基板の洗浄及び乾燥が問題となっている（特許文献１）。特許文献１の基板処理装置では、不活性ガスを供給することにより、処理液の乾燥を促進させている。不活性ガスは排気口から排気される。

国際公開第２０１６／１９９７６９号公報

近年、基板の微細処理がますます重要視されている。特許文献１の基板処理装置では、基板処理時には不活性ガスを基板に供給しているものの、基板の搬送中に基板が酸素雰囲気に暴露されることがあり、基板の酸化によって基板の特性が低下するおそれがあった。また、不活性ガスを流し続けることで、不活性ガスの消費量が多くなるおそれがあった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、不活性ガスの消費量を抑制しつつ、搬送中の基板の酸化を抑制可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板処理部と、搬送室と、搬送部と、仕切り部材と、ガス供給部と、駆動部とを備える。基板処理部の各々が、前記基板が通過する出入口部を含み、前記基板を処理する。搬送室は、前記複数の基板処理部に隣接する。搬送部は、前記搬送室に配置され、前記基板処理部に対して前記出入口部を通して前記基板の搬入及び搬出を行う。仕切り部材は、前記搬送室を、第１室と少なくとも１つの第２室とに分割する。ガス供給部は、前記第１室に不活性ガスを供給する。駆動部は、前記仕切り部材を前記搬送室内で移動する。

本発明の基板処理装置において、前記複数の基板処理部のうちの２以上の基板処理部は、鉛直方向に沿って積み重なることが好ましい。前記仕切り部材は、前記鉛直方向に交差する方向に沿って広がることが好ましい。前記第１室と前記第２室とは、前記鉛直方向に沿って並ぶことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記駆動部は、前記仕切り部材を上昇又は下降することが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記複数の基板処理部のうちの２以上の基板処理部は、水平面に沿って配置されることが好ましい。前記仕切り部材は、前記水平面に交差する方向に沿って延びることが好ましい。前記第１室と前記第２室とは、前記水平面に沿って並ぶことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記駆動部は、前記仕切り部材を、鉛直方向に沿った回動軸線を中心に回動することが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記第１室の酸素濃度は、前記第２室の酸素濃度よりも低いことが好ましい。

本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板が通過する出入口部を含む複数の基板処理部を備える基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、前記出入口部を通して前記基板の搬入及び搬出を行う搬送部が配置される搬送室を仕切り部材によって仕切り、前記搬送室を、第１室と少なくとも１つの第２室とに分割する工程と、前記第１室に不活性ガスを供給する工程と、前記仕切り部材を前記搬送室内で移動する工程とを含む。

本発明の基板処理方法において、前記仕切り部材を移動する前記工程では、前記基板の処理内容及び処理手順を規定するレシピ情報に基づいて、前記仕切り部材を移動することが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記複数の基板処理部のうちの２以上の基板処理部は、鉛直方向に沿って積み重なることが好ましい。前記搬送室を分割する前記工程では、前記第１室と前記第２室とが前記鉛直方向に沿って並ぶように、前記仕切り部材によって前記搬送室が分割されることが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記仕切り部材を移動する前記工程では、前記仕切り部材を上昇又は下降することが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記複数の基板処理部のうちの２以上の基板処理部は、水平面に沿って配置されることが好ましい。前記搬送室を分割する前記工程では、前記第１室と前記第２室とが前記水平面に沿って並ぶように、前記仕切り部材によって前記搬送室が分割されることが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記仕切り部材を移動する前記工程では、前記仕切り部材を、鉛直方向に沿った回動軸線を中心に回動することが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記不活性ガスを供給する前記工程では、前記第１室に前記不活性ガスを供給することで、前記第１室から酸素を追い出して、前記第１室の酸素濃度を前記第２室の酸素濃度よりも低くすることが好ましい。

本発明によれば、不活性ガスの消費量を抑制しつつ、搬送中の基板の酸化を抑制可能な基板処理装置および基板処理方法を提供できる。

本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的な平面図である。 実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的な側面図である。 実施形態１に係る基板処理装置における基板処理部の模式図である。 実施形態１に係る基板処理装置における不活性ガスの循環経路を示す模式図である。 実施形態１に係る基板処理装置における制御対象搬送室の第１状態を示す概念図である。 実施形態１に係る基板処理装置における制御対象搬送室の第２状態を示す概念図である。 実施形態１に係る基板処理装置における制御対象搬送室の第３状態を示す概念図である。 実施形態１に係る基板処理装置における制御対象搬送室の第４状態を示す概念図である。 実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置を示す模式的な平面図である。 実施形態２に係る基板処理装置における仕切り部材を模式的に示す断面図である。 （ａ）は、実施形態２に係る基板処理装置における制御対象搬送室の第１状態を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、実施形態２に係る基板処理装置における制御対象搬送室の第２状態を模式的に示す平面図である。

以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置の実施形態を説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向を記載することがある。典型的には、Ｘ方向及びＹ方向は水平面に平行であり、Ｚ方向は鉛直方向に平行である。また、「平面視」は鉛直上方から対象物を見ることを示す。

（実施形態１）
図１〜図９を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。

まず、図１及び図２を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、実施形態１に係る基板処理装置１００を示す模式的な平面図である。図２は、基板処理装置１００を示す模式的な側面図である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサー部Ｕ１と、処理部Ｕ２と、複数の処理液キャビネットＵ３と、第１ガス循環キャビネットＵ４と、第２ガス循環キャビネットＵ５と、制御装置Ｕ６とを備える。

制御装置Ｕ６は、インデクサー部Ｕ１、処理部Ｕ２、複数の処理液キャビネットＵ３、第１ガス循環キャビネットＵ４、及び、第２ガス循環キャビネットＵ５を制御する。制御装置Ｕ６は、制御部Ｕ６１と、記憶部Ｕ６３とを含む。制御部Ｕ６１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。記憶部Ｕ６３は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部Ｕ６３は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部Ｕ６３は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶部Ｕ６３は、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体の一例に相当する。

インデクサー部Ｕ１は、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、搬送室ＣＨ１とを含む。インデクサーロボットＩＲは、搬送室ＣＨ１に配置される。処理部Ｕ２は、センターロボットＣＲと、複数の基板処理部１と、受渡室ＣＨＡと、制御対象搬送室ＣＨＢと、境界壁ＷＬとを含む。センターロボットＣＲは、制御対象搬送室ＣＨＢに配置される。インデクサー部Ｕ１と処理部Ｕ２とは、受渡室ＣＨＡによって連絡される。受渡室ＣＨＡは、受渡出入口部２０１と、受渡部２０３とを含む。

センターロボットＣＲは「搬送部」の一例に相当する。制御対象搬送室ＣＨＢは「搬送室」の一例に相当する。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。具体的には、インデクサーロボットＩＲは、複数のロードポートＬＰのうちのいずれかのロードポートＬＰから基板Ｗを取り出して、基板Ｗを受渡部２０３に渡す。受渡部２０３には、ロードポートＬＰから取り出された基板Ｗが載置される。

センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部１との間で基板Ｗを搬送する。具体的には、センターロボットＣＲは、受渡部２０３から基板Ｗを受け取って、複数の基板処理部１のうちのいずれかの基板処理部１に基板Ｗを搬入する。詳細には、センターロボットＣＲは、ハンド３８０を含む。そして、センターロボットＣＲは、ハンド３８０によって基板Ｗを把持して、基板Ｗを搬送する。

基板処理部１は、基板Ｗを処理する。基板処理部１は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板処理部１は、例えば、処理液によって基板Ｗを処理する。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。

また、本明細書において、処理液は、基板Ｗに接触する液体である限りは、特に限定されない。処理液は、例えば、薬液又はリンス液である。

薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ₃）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、又は、腐食防止剤である。

リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。

複数の処理液キャビネットＵ３の各々から、各基板処理部１に処理液が供給される。

センターロボットＣＲは、基板処理部１による基板Ｗの処理後に、処理済みの基板Ｗを基板処理部１から取り出して、基板Ｗを受渡部２０３に渡す。そして、受渡部２０３には、基板処理部１で処理された基板Ｗが載置される。

インデクサーロボットＩＲは、受渡部２０３から処理済みの基板Ｗを受け取って、複数のロードポートＬＰのうちのいずれかのロードポートＬＰに基板Ｗを収容する。

境界壁ＷＬは、処理部Ｕ２の設置された領域と、処理液キャビネットＵ３及び第１ガス循環キャビネットＵ４の設置された領域との境界に位置する。

処理部Ｕ２において、複数の基板処理部１の各々は側壁部１ａを含む。側壁部１ａは、例えば、鉛直方向ＶＤに沿って延びる。また、側壁部１ａは、基板Ｗが通過する出入口部１１を含む。そして、センターロボットＣＲは、基板処理部１に対して出入口部１１を通して基板Ｗの搬入及び搬出を行う。

複数の基板処理部１は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（実施形態１では４つのタワーＴＷ）を形成する。図２に示すように、各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部１（実施形態１では３つの基板処理部１）を含む。つまり、複数の基板処理部１のうち２以上の基板処理部１は略鉛直方向ＶＤに沿って積み重なる。境界壁ＷＬの高さは、タワーＴＷの高さと同程度であることが好ましい。以下、上段の基板処理部１を基板処理部１Ａと記載し、中段の基板処理部１を基板処理部１Ｂと、下段の基板処理部１を基板処理部１Ｃと記載する場合がある。

図１及び図２に示すように、制御対象搬送室ＣＨＢは、第１壁部ＷＬ１と、第２壁部ＷＬ２と、天壁部ＷＬ３と、底壁部ＷＬ４とを含む。図２では、理解を容易にするために、便宜上、制御対象搬送室ＣＨＢの概略を破線ＤＬ１で示している。

第１壁部ＷＬ１及び第２壁部ＷＬ２の各々は、例えば、略平板形状を有し、略鉛直方向ＶＤに沿って延びる。また、第１壁部ＷＬ１と第２壁部ＷＬ２とは、水平方向に一定間隔をあけて配置される。例えば、第１壁部ＷＬ１と第２壁部ＷＬ２とは、略平行に配置される。天壁部ＷＬ３及び底壁部ＷＬ４の各々は、例えば、略平板形状を有し、略水平面に沿って延びる。また、天壁部ＷＬ３と底壁部ＷＬ４とは、鉛直方向ＶＤに一定間隔をあけて配置される。例えば、天壁部ＷＬ３と底壁部ＷＬ４とは、略平行に配置される。

具体的には、制御対象搬送室ＣＨＢは、第１壁部ＷＬ１と、第２壁部ＷＬ２と、天壁部ＷＬ３と、底壁部ＷＬ４と、各基板処理部の側壁部１ａ（図１）とで区画される。制御対象搬送室ＣＨＢは、複数の基板処理部１に隣接する。なお、図２では、理解を容易にするために、便宜上、受渡室ＣＨＡの概略を破線ＤＬ２で示している。

また、処理部Ｕ２は、少なくとも１つの仕切り部材３００をさらに含む。実施形態１では、処理部Ｕ２は、複数の仕切り部材３００を含む。図２の例では、処理部Ｕ２は、２つの仕切り部材３００を含む。

仕切り部材３００は、例えば、略平板形状を有する。仕切り部材３００は、鉛直方向ＶＤに交差する方向に沿って広がる。図２の例では、仕切り部材３００は、鉛直方向ＶＤに略直交する方向に沿って広がる。つまり、仕切り部材３００は、水平面に沿って広がる。複数の仕切り部材３００は、制御対象搬送室ＣＨＢに配置される。仕切り部材３００の詳細は後述する。

以下、２つの仕切り部材３００のうち、上側の仕切り部材３００を仕切り部材３００Ａと記載し、下側の仕切り部材３００を仕切り部材３００Ｂと記載する場合がある。また、仕切り部材３００Ａを第１仕切り部材３００Ａと記載し、仕切り部材３００Ｂを第２仕切り部材３００Ｂと記載することもできる。

次に、図３を参照して、基板処理部１を説明する。図３は、基板処理装置１００における基板処理部１の模式図である。図３に示すように、基板処理部１は、チャンバー３と、スピンチャック５と、スピンモーター７と、ノズル９と、ノズル移動部１３と、ガード１５と、開閉部材移動部１７と、ガス供給部１９と、排気管２１と、ダンパーＤＭと、バルブＶ１と、配管Ｐ１とを備える。

チャンバー３は略箱形状を有する。チャンバー３は、基板Ｗ、スピンチャック５、スピンモーター７、ノズル９、ノズル移動部１３、ガード１５、開閉部材移動部１７と、ガス供給部１９と、排気管２１と、ダンパーＤＭと、バルブＶ１と、配管Ｐ１とを備える。チャンバー３は、スピンチャック５、スピンモーター７、ノズル９、ノズル移動部１３、ガード１５、開閉部材移動部１７、及び、配管Ｐ１の一部を収容する。チャンバー３は、側壁部１ａと、天壁部１ｂとを含む。つまり、チャンバー３の側壁部１ａが、基板処理部１の側壁部１ａである。

スピンチャック５は、基板Ｗを保持して回転する。具体的には、スピンチャック５は、チャンバー３内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸの回りに基板Ｗを回転させる。

スピンチャック５は、複数のチャック部材５１と、スピンベース５３とを備える。複数のチャック部材５１はスピンベース５３に設けられる。複数のチャック部材５１は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース５３は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材５１を支持する。スピンモーター７は、スピンベース５３を回転軸線ＡＸの回りに回転させる。従って、スピンベース５３は回転軸線ＡＸの回りに回転する。その結果、スピンベース５３に設けられた複数のチャック部材５１に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸの回りに回転する。具体的には、スピンモーター７は、モーター本体７１と、シャフト７３とを備える。シャフト７３はスピンベース５３に結合される。そして、モーター本体７１は、シャフト７３を回転させることで、スピンベース５３を回転させる。

ノズル９は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けて処理液を吐出する。配管Ｐ１はノズル９に処理液を供給する。バルブＶ１は、配管Ｐ１を開閉し、ノズル９に対する処理液の供給と供給停止とを切り替える。

ノズル移動部１３は、略鉛直方向および略水平方向にノズル９を移動する。具体的には、ノズル移動部１３は、アーム１３１と、回動軸１３３と、ノズル移動機構１３５とを備える。アーム１３１は略水平方向に沿って延びる。アーム１３１の先端部にはノズル９が配置される。アーム１３１は回動軸１３３に結合される。回動軸１３３は、略鉛直方向に沿って延びる。ノズル移動機構１３５は、回動軸１３３を略鉛直方向に沿った回動軸線のまわりに回動させて、アーム１３１を略水平面に沿って回動させる。その結果、ノズル９が略水平面に沿って移動する。また、ノズル移動機構１３５は、回動軸１３３を略鉛直方向に沿って昇降させて、アーム１３１を昇降させる。その結果、ノズル９が略鉛直方向に沿って移動する。ノズル移動機構１３５は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを備える。

ガード１５は略筒形状を有する。ガード１５は、基板Ｗから排出された処理流体を受け止める。ガード１５は、上昇又は下降することが可能である。

ガス供給部１９は、天壁部１ｂに配置される。ガス供給部１９は、チャンバー３の内部に向けて不活性ガスを供給する。従って、チャンバー３の内部は、酸素濃度が低下する。チャンバー３内部の酸素濃度は、例えば、１００ｐｐｍ（ｐａｒｔ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。不活性ガスは、窒素である。ただし、不活性ガスは、窒素に限定されず、例えば、アルゴンでもよい。

具体的には、ガス供給部１９は、ファンと、フィルターとを含む。フィルターは、不活性ガスをろ過する。ファンは、不活性ガスを吸い込んで、フィルターによってろ過された不活性ガスをチャンバー３内に供給する。ガス供給部１９は、例えば、ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）である。

排気管２１は、チャンバー３の下部に配置され、チャンバー３から気体を排出する。ダンパーＤＭは、排気管２１を通って排出される気体の流量を調節する。

出入口部１１は、側壁部１ａの一部を構成する。出入口部１１は、開口１１ａと、開閉部材１１ｂとを有する。開口１１ａは側壁部１ａに設けられる。開口１１ａは、チャンバー３と搬送室ＣＨ１（図２）とを連通する。開口１１ａを通して基板Ｗの搬入及び搬出が行われる。具体的には、開閉部材１１ｂは、開口１１ａを閉塞する閉位置と、開口１１ａを開放する開位置との間で移動する。

開閉部材移動部１７は、開閉部材１１ｂに結合されて、閉位置と開位置との間で開閉部材１１ｂを移動させる。開閉部材移動部１７は、例えば、シリンダー、および、シリンダーを移動する駆動機構を含む。

次に、図４を参照して、制御対象搬送室ＣＨＢ及び搬送室ＣＨ１を低酸素にする構成を説明する。図４は、基板処理装置１００における不活性ガスの循環経路を示す模式図である。図４では、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面が示される。

図４に示すように、基板処理装置１００は、第１ガス循環部１４０と、第１ガス供給部１５０と、第１流路部１６０と、第２流路部１７０と、第２ガス循環部１８０と、第２ガス供給部１９０とをさらに備える。第１ガス供給部１５０は「ガス供給部」の一例に相当する。

第１ガス循環部１４０は、制御対象搬送室ＣＨＢに供給する不活性ガスＧＡ１を循環させる。不活性ガスＧＡ１は、窒素である。ただし、不活性ガスＧＡ１は、窒素に限定されず、例えば、アルゴンでもよい。

具体的には、第１ガス循環部１４０は、循環配管１４２と、排気管１４６と、バルブ１４８と、ダンパー１４９とを含む。循環配管１４２の一部は、第１ガス循環キャビネットＵ４に収容される。

循環配管１４２は、制御対象搬送室ＣＨＢの排気口ＥＸ１と、第１ガス供給部１５０とを連絡する。循環配管１４２の上流には、制御対象搬送室ＣＨＢの排気口ＥＸ１が配置され、循環配管１４２の下流には、第１ガス供給部１５０が配置される。循環配管１４２により、制御対象搬送室ＣＨＢ内の不活性ガスＧＡ１を循環できる。これにより、不活性ガスＧＡ１の消費量を削減できる。

排気管１４６は、循環配管１４２と接続する。制御対象搬送室ＣＨＢ内の不活性ガスＧＡ１は、循環配管１４２を介して排気管１４６を通過することにより、外部に排気される。

循環配管１４２と排気管１４６との接続部分には、ダンパー１４９が設けられる。ダンパー１４９は、排気管１４６を通過する不活性ガスＧＡ１の流れを調整する。ダンパー１４９によって排気管１４６が閉塞されると、循環配管１４２は、排気管１４６を介して外部と接続されない。その結果、制御対象搬送室ＣＨＢの不活性ガスＧＡ１は、排気口ＥＸ１を介して循環配管１４２を通過して、再び、第１ガス供給部１５０を介して制御対象搬送室ＣＨＢに戻る。

バルブ１４８は、循環配管１４２への不活性ガスＧＡ１の供給と供給停止とを切り替える。バルブ１４８は、循環配管１４２に不活性ガスＧＡ１を供給する。循環配管１４２に供給された不活性ガスＧＡ１は、第１ガス供給部１５０を介して制御対象搬送室ＣＨＢに流れる。

第１ガス供給部１５０は、制御対象搬送室ＣＨＢの上部に配置される。具体的には、第１ガス供給部１５０は、制御対象搬送室ＣＨＢの天壁部ＷＬ３に配置される。第１ガス供給部１５０は、制御対象搬送室ＣＨＢの内部に向けて不活性ガスＧＡ１を供給する。

具体的には、第１ガス供給部１５０は、ファンと、フィルターとを含む。フィルターは、不活性ガスＧＡ１をろ過する。ファンは、不活性ガスＧＡ１を吸い込んで、フィルターによってろ過された不活性ガスＧＡ１を制御対象搬送室ＣＨＢに供給する。第１ガス供給部１５０は、例えば、ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）である。

仕切り部材３００Ａは、少なくとも１つの通風孔ＨＬ１を有する。実施形態１では、仕切り部材３００Ａは、複数の通風孔ＨＬ１を有する。また、仕切り部材３００Ｂは、少なくとも１つの通風孔ＨＬ２を有する。実施形態１では、仕切り部材３００Ｂは、１つの通風孔ＨＬ２を有する。

第１流路部１６０は、第１ガス供給部１５０の供給口１５１と、仕切り部材３００Ａの複数の通風孔ＨＬ１とを連通して、供給口１５１から供給される不活性ガスＧＡ１を複数の通風孔ＨＬ１まで案内する。第１流路部１６０は、鉛直方向ＶＤに伸縮自在である。第１流路部１６０は、例えば、中空の蛇腹である。第１流路部１６０は、制御対象搬送室ＣＨＢの天壁部ＷＬ３と仕切り部材３００Ａとの間に配置される。

第２流路部１７０は、仕切り部材３００Ｂの通風孔ＨＬ２と、制御対象搬送室ＣＨＢの排気口ＥＸ１とを連通して、複数の通風孔ＨＬ１から供給される不活性ガスＧＡ１を排気口ＥＸ１まで案内する。第２流路部１７０は、鉛直方向ＶＤに伸縮自在である。第２流路部１７０は、例えば、中空の蛇腹である。第２流路部１７０は、仕切り部材３００Ｂと制御対象搬送室ＣＨＢの底壁部ＷＬ４との間に配置される。

第１ガス供給部１５０が供給する不活性ガスＧＡ１は、第１流路部１６０、複数の通風孔ＨＬ１、通風孔ＨＬ２、及び、排気口ＥＸ１を通って、循環配管１４２に流れる。不活性ガスＧＡ１が、仕切り部材３００Ａと仕切り部材３００Ａとの間の内部空間ＳＰ１に供給されて、内部空間ＳＰ１から酸素を排出することで、内部空間ＳＰ１の酸素濃度が低下する。内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、例えば、１００ｐｐｍ以下である。なお、第１流路部１６０を設けることなく、第１ガス供給部１５０が複数の通風孔ＨＬ１に向けて不活性ガスＧＡ１を供給してもよい。

また、受渡室ＣＨＡの受渡出入口部２０１は、第１壁部ＷＬ１の一部を構成する。受渡出入口部２０１は、開閉部材２０４と、開口２０７とを有する。開口２０７は第１壁部ＷＬ１に設けられる。開口２０７は、受渡室ＣＨＡと搬送室ＣＨ１とを連通する。開口２０７を通して基板Ｗの受け渡しが行われる。

具体的には、開閉部材２０５は、開口２０７を閉塞する閉位置と、開口２０７を開放する開位置との間で移動する。開閉部材移動部（不図示）は、開閉部材２０５に結合されて、閉位置と開位置との間で開閉部材２０５を移動させる。開閉部材移動部は、例えば、シリンダー、および、シリンダーを移動する駆動機構を含む。

第２ガス循環部１８０は、搬送室ＣＨ１に供給する不活性ガスＧＡ２を循環させる。不活性ガスＧＡ２は、窒素である。ただし、不活性ガスＧＡ２は、窒素に限定されず、例えば、アルゴンでもよい。

具体的には、第２ガス循環部１８０は、循環配管１８２と、排気管１８４と、バルブ１８６と、ダンパー１８８とを含む。循環配管１８２の一部は、第２ガス循環キャビネットＵ５に収容される。

循環配管１８２は、搬送室ＣＨ１の排気口ＥＸ２と、第２ガス供給部１９０とを連絡する。循環配管１８２の上流には、搬送室ＣＨ１の排気口ＥＸ２が配置され、循環配管１８２の下流には、第２ガス供給部１９０が配置される。循環配管１８２により、搬送室ＣＨ１内の不活性ガスＧＡ２を循環できる。これにより、不活性ガスＧＡ２の消費量を削減できる。

排気管１８４は、循環配管１８２と接続する。搬送室ＣＨ１内の不活性ガスＧＡ２は、循環配管１８２を介して排気管１８４を通過することにより、外部に排気される。

循環配管１８２と排気管１８４との接続部分には、ダンパー１８８が設けられる。ダンパー１８８は、排気管１８４を通過する不活性ガスＧＡ２の流れを調整する。ダンパー１８８によって排気管１８４が閉鎖されると、循環配管１８２は、排気管１８４を介して外部と接続されない。その結果、搬送室ＣＨ１の不活性ガスＧＡ２は、排気口ＥＸ２を介して循環配管１８２を通過して、再び、第２ガス供給部１９０を介して搬送室ＣＨ１に戻る。

バルブ１８６は、循環配管１８２への不活性ガスＧＡ２の供給と供給停止とを切り替える。バルブ１８６は、循環配管１８２に不活性ガスＧＡ２を供給する。循環配管１８２に供給された不活性ガスＧＡ２は、第２ガス供給部１９０を介して搬送室ＣＨ１に流れる。

第２ガス供給部１９０は、搬送室ＣＨ１の上部に配置される。具体的には、第２ガス供給部１９０は、搬送室ＣＨ１の天壁部ＷＬＴに配置される。第２ガス供給部１９０は、搬送室ＣＨ１及び受渡室ＣＨＡの内部に向けて不活性ガスＧＡ２を供給する。不活性ガスＧＡ２が、搬送室ＣＨ１及び受渡室ＣＨＡに供給されて搬送室ＣＨ１及び受渡室ＣＨＡから酸素を排出することで、搬送室ＣＨ１及び受渡室ＣＨＡの酸素濃度が低下する。搬送室ＣＨ１及び受渡室ＣＨＡの酸素濃度は、例えば、１００ｐｐｍ以下である。

具体的には、第２ガス供給部１９０は、ファンと、フィルターとを含む。フィルターは、不活性ガスＧＡ２をろ過する。ファンは、不活性ガスＧＡ２を吸い込んで、フィルターによってろ過された不活性ガスＧＡ２を搬送室ＣＨ１及び受渡室ＣＨＡに供給する。第２ガス供給部１９０は、例えば、ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）である。

次に、図４〜図８を参照して、仕切り部材３００の動作を説明する。なお、図５〜図８は、概念図であり、各構成の物理的配置を示していない。また、図５〜図８において、低酸素空間をドットハッチングで示している。低酸素空間では、酸素濃度は、例えば、１００ｐｐｍ以下である。

図４に示すように、少なくとも１つの仕切り部材３００は、制御対象搬送室ＣＨＢを仕切り、制御対象搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と少なくとも１つの第２室３５２とに分割する。実施形態１では、複数の仕切り部材３００は、制御対象搬送室ＣＨＢを仕切り、制御対象搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と複数の第２室３５２とに分割する。図４の例では、仕切り部材３００Ａ及び仕切り部材３００Ｂは、制御対象搬送室ＣＨＢを仕切って、制御対象搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と、２つの第２室３５２Ａ、３５２Ｂとに分割する。

そして、第１ガス供給部１５０が不活性ガスＧＡ１を第１室３５１に供給する。その結果、第１室３５１から酸素が排出されて、第１室３５１の酸素濃度が低下する。従って、第１室３５１の内部空間ＳＰ１は低酸素空間になる。具体的には、第１ガス供給部１５０は、第１流路部１６０及び複数の通風孔ＨＬ１を通して、第１室３５１に不活性ガスＧＡ１を供給する。

一方、第２室３５２には、不活性ガスが供給されないため、第２室３５２の内部空間ＳＰ２の酸素濃度は、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度よりも高い。つまり、第２室３５２に対しては、酸素濃度を低下する処理が実行されない。

実施形態１では、制御対象搬送室ＣＨＢを第１室３５１と第２室３５２とに分割することで、制御対象搬送室ＣＨＢの全てに不活性ガスＧＡ１を供給せずに、第１室３５１にだけ不活性ガスＧＡ１が供給される。従って、不活性ガスＧＡ１の消費量を抑制できるとともに、低酸素になるまでの時間を短縮できる。加えて、センターロボットＣＲのハンド３８０は第１室３５１に位置する。従って、センターロボットＣＲは、不活性ガスＧＡ１によって低酸素空間となった第１室３５１の内部空間ＳＰ１において、基板Ｗを搬送する。その結果、搬送中の基板Ｗの酸化を抑制可能である。

また、処理部Ｕ２は、少なくとも１つの仕切り部材３００に対応して少なくとも１つの駆動部３０６をさらに含む。実施形態１では、処理部Ｕ２は、複数の仕切り部材３００にそれぞれ対応して複数の駆動部３０６を含む。図４の例では、２つの仕切り部材３００Ａ、３００Ｂにそれぞれ対応して複数の駆動部３０６Ａ、３０６Ｂを含む。

駆動部３０６Ａは、仕切り部材３００Ａを制御対象搬送室ＣＨＢ内で移動する。その結果、仕切り部材３００Ａは、鉛直方向ＶＤに沿って上昇又は下降する。また、駆動部３０６Ｂは仕切り部材３００Ｂを制御対象搬送室ＣＨＢ内で移動する。その結果、仕切り部材３００Ｂは、鉛直方向ＶＤに沿って上昇又は下降する。駆動部３０６Ａ及び駆動部３０６Ｂの各々は、例えば、シリンダー、および、シリンダーを移動する駆動機構を含む。制御部Ｕ６１は、記憶部Ｕ６３に記憶されたコンピュータープログラムを実行して、駆動部３０６Ａ及び駆動部３０６Ｂを制御する。制御部Ｕ６１は、駆動部３０６Ａ及び駆動部３０６Ｂを個別に制御することができる。

図５は、実施形態１に係る制御対象搬送室ＣＨＢの第１状態を示す概念図である。図５に示すように、第１状態は、制御対象搬送室ＣＨＢが、低酸素状態の基板処理部１Ｂに対向する第１室３５１と、非低酸素状態の基板処理部１Ａに対向する第２室３５２Ａと、非低酸素状態の基板処理部１Ｃに対向する第２室３５２Ｂとに分割されて、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が低酸素空間である状態を示す。

仕切り部材３００Ａ、３００Ｂは、制御対象搬送室ＣＨＢを仕切って、制御対象搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と２つの第２室３５２Ａ、３５２Ｂとに分割する。

第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、水平方向ＨＤにおいて、基板処理部１Ｂの出入口部１１に面する。基板処理部１Ｂのチャンバー３の内部空間ＳＰＢは、低酸素空間である。第１室３５１の酸素は不活性ガスＧＡ１によって排出されるため、第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、低酸素空間である。つまり、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、基板処理部１Ｂのチャンバー３の内部空間ＳＰＡの酸素濃度と略同じである。仕切り部材３００Ａが第１室３５１の上壁を構成し、仕切り部材３００Ｂが第１室３５１の底壁を構成する。第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、仕切り部材３００Ａと仕切り部材３００Ａとの間の空間である。また、第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、水平方向ＨＤにおいて、受渡室ＣＨＡの受渡出入口部２０１に面する。

また、センターロボットＣＲのハンド３８０は第１室３５１に位置する。従って、センターロボットＣＲは、第１室３５１において、ハンド３８０によって基板Ｗを把持して、基板Ｗを搬送する。つまり、センターロボットＣＲは、第１室３５１の内部空間ＳＰ１に面する出入口部１１を通して、基板処理部１Ｂに対して基板Ｗの搬入及び搬出を行う。

第２室３５２Ａの内部空間ＳＰ２１は、水平方向ＨＤにおいて、基板処理部１Ａの出入口部１１に面する。基板処理部１Ａのチャンバー３の内部空間ＳＰＡの酸素濃度は、例えば、基板処理部１Ｂのチャンバー３の内部空間ＳＰＢの酸素濃度よりも高い。第２室３５２Ａの内部空間ＳＰ２１の酸素濃度は、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度よりも高い。つまり、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、第２室３５２Ａの内部空間ＳＰ２１の酸素濃度よりも低い。天壁部ＷＬ３が第２室３５２Ａの上壁を構成し、仕切り部材３００Ａが第２室３５２Ａの底壁を構成する。第２室３５２Ａの内部空間ＳＰ２１は、天壁部ＷＬ３と仕切り部材３００Ａとの間の空間である。

第２室３５２Ｂの内部空間ＳＰ２２は、水平方向ＨＤにおいて、基板処理部１Ｃの出入口部１１に面する。基板処理部１Ｃのチャンバー３の内部空間ＳＰＣの酸素濃度は、例えば、基板処理部１Ｂのチャンバー３の内部空間ＳＰＢの酸素濃度よりも高い。第２室３５２Ｂの内部空間ＳＰ２２の酸素濃度は、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度よりも高い。つまり、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、第２室３５２Ｂの内部空間ＳＰ２２の酸素濃度よりも低い。仕切り部材３００Ｂが第２室３５２Ｂの上壁を構成し、底壁部ＷＬ４が第２室３５２Ｂの底壁を構成する。第２室３５２Ｂの内部空間ＳＰ２２は、仕切り部材３００Ｂと底壁部ＷＬ４との間の空間である。

図６は、実施形態１に係る制御対象搬送室ＣＨＢの第２状態を示す概念図である。図６に示すように、第２状態は、制御対象搬送室ＣＨＢが、低酸素状態の基板処理部１Ａ、１Ｂに対向する第１室３５１と、非低酸素状態の基板処理部１Ｃに対向する第２室３５２Ｂとに分割されて、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が低酸素空間である状態を示す。

仕切り部材３００Ａ、３００Ｂは、制御対象搬送室ＣＨＢを仕切って、制御対象搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と第２室３５２Ｂとに分割する。

第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、水平方向ＨＤにおいて、基板処理部１Ａ及び基板処理部１Ｂの出入口部１１に面する。基板処理部１Ａのチャンバー３の内部空間ＳＰＡ及び基板処理部１Ｂのチャンバー３の内部空間ＳＰＢは、低酸素空間である。第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、低酸素空間である。つまり、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、内部空間ＳＰＡ、ＳＰＢの酸素濃度と略同じである。また、センターロボットＣＲのハンド３８０は第１室３５１に位置する。

その他、図６に示す第１室３５１の構成は、図５に示す第１室３５１の構成と同様である。また、図６に示す第２室３５２Ｂの構成は、図５に示す第２室３５２Ｂの構成と同様である。

図７は、実施形態１に係る制御対象搬送室ＣＨＢの第３状態を示す概念図である。図７に示すように、第３状態は、制御対象搬送室ＣＨＢが、低酸素状態の基板処理部１Ｃに対向する第１室３５１と、非低酸素状態の基板処理部１Ａ、１Ｂに対向する第２室３５２Ａとに分割されて、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が低酸素空間である状態を示す。

仕切り部材３００Ａ、３００Ｂは、制御対象搬送室ＣＨＢを仕切って、制御対象搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と第２室３５２Ａとに分割する。

第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、水平方向ＨＤにおいて、基板処理部１Ｃの出入口部１１に面する。基板処理部１Ｃのチャンバー３の内部空間ＳＰＣは、低酸素空間である。第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、低酸素空間である。つまり、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、内部空間ＳＰＣの酸素濃度と略同じである。また、センターロボットＣＲのハンド３８０は第１室３５１に位置する。その他、図７に示す第１室３５１の構成は、図５に示す第１室３５１の構成と同様である。

第２室３５２Ａの内部空間ＳＰ２１は、水平方向ＨＤにおいて、基板処理部１Ａ及び基板処理部１Ｂの出入口部１１に面する。基板処理部１Ａのチャンバー３の内部空間ＳＰＡの酸素濃度及び基板処理部１Ｂのチャンバー３の内部空間ＳＰＢの酸素濃度は、例えば、基板処理部１Ｃのチャンバー３の内部空間ＳＰＣの酸素濃度よりも高い。第２室３５２Ａの内部空間ＳＰ２１の酸素濃度は、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度よりも高い。その他、図７に示す第２室３５２Ａの構成は、図５に示す第２室３５２Ａの構成と同様である。

図８は、実施形態１に係る制御対象搬送室ＣＨＢの第４状態を示す概念図である。図８に示すように、第４状態は、制御対象搬送室ＣＨＢが、低酸素状態の基板処理部１Ａ〜１Ｃに対向する第１室３５１を有し、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が低酸素空間である状態を示す。

仕切り部材３００Ａが制御対象搬送室ＣＨＢの上端部に位置する。一方、仕切り部材３００Ｂが制御対象搬送室ＣＨＢの下端部に位置する。従って、実質的には、制御対象搬送室ＣＨＢは第１室３５１だけから構成される。

第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、水平方向ＨＤにおいて、基板処理部１Ａ〜１Ｃの出入口部１１に面する。基板処理部１Ａ〜１Ｃのチャンバー３の内部空間ＳＰＡ〜ＳＰＣは、低酸素空間である。第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、低酸素空間である。つまり、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、内部空間ＳＰＡ〜ＳＰＣの酸素濃度と略同じである。また、センターロボットＣＲのハンド３８０は第１室３５１に位置する。その他、図８に示す第１室３５１の構成は、図５に示す第１室３５１の構成と同様である。

なお、制御対象搬送室ＣＨＢは、第１状態〜第４状態に加えて、第５状態及び第６状態をとることができる。第５状態は、制御対象搬送室ＣＨＢが、低酸素状態の基板処理部１Ａに対向する第１室３５１と、非低酸素状態の基板処理部１Ｂ、１Ｃに対向する第２室３５２Ｂとに分割されて、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が低酸素空間である状態を示す。第６状態は、制御対象搬送室ＣＨＢが、低酸素状態の基板処理部１Ｂ、１Ｃに対向する第１室３５１と、非低酸素状態の基板処理部１Ａに対向する第２室３５２Ａとに分割されて、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が低酸素空間である状態を示す。

また、図５〜図８において、搬送室ＣＨ１の内部空間及び受渡室ＣＨＡの内部空間は、低酸素空間である。従って、搬送室ＣＨ１及び受渡室ＣＨＡの内部空間の酸素濃度は、制御対象搬送室ＣＨＢの第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度と略同じである。

以上、図５〜図８に示すように、実施形態１によれば、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂによって制御対象搬送室ＣＨＢを第１室３５１と第２室３５２とに分割することで、制御対象搬送室ＣＨＢの全てに不活性ガスＧＡ１を供給せずに、第１室３５１にだけ不活性ガスＧＡ１が供給される。従って、不活性ガスＧＡ１の消費量を抑制しつつ、第１室３５１において搬送中の基板Ｗの酸化を抑制可能である。加えて、低酸素になるまでの時間を短縮できる。

特に、実施形態１では、駆動部３０６Ａ、３０６Ｂは、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂを移動する。その結果、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置と容積とのうちの少なくとも一方が変化される。実施形態１では、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置及び容積が変化される。これに伴い、複数の基板処理部１Ａ〜１Ｃのそれぞれの複数の出入口部１１のうち、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が面する出入口部１１も変化する。従って、複数の基板処理部１のうちのいずれの基板処理部１について、不活性ガスＧＡ１の消費量を抑制しつつ低酸素状態で基板Ｗの搬送を行うかを任意に変更できる。その結果、ユーザーの利便性を向上できる。

また、実施形態１では、複数の基板処理部１のうちの２以上の基板処理部１Ａ〜１Ｃは、鉛直方向ＶＤに沿って積み重なる。そして、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂは、鉛直方向ＶＤに交差する方向（具体的には鉛直方向ＶＤに略直交する方向）に沿って広がる。従って、第１室３５１と第２室３５２Ａ、３５２Ｂとは、鉛直方向ＶＤに沿って並ぶ。その結果、鉛直方向ＶＤに、つまり、上下方向に、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂによって制御対象搬送室ＣＨＢを分割できる。よって、複数の基板処理部１のうちのいずれの基板処理部１について、不活性ガスＧＡ１の消費量を抑制しつつ低酸素状態で基板Ｗの搬送を行うかを、上下方向において任意に変更できる。その結果、ユーザーの利便性を更に向上できる。

さらに、実施形態１では、駆動部３０６Ａ、３０６Ｂは、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂを上昇又は下降して、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させる。これに伴い、複数の基板処理部１Ａ〜１Ｃのそれぞれの複数の出入口部１１のうち、第１室３５１が面する出入口部１１も変化する。従って、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂによる制御対象搬送室ＣＨＢの仕切り状態、つまり、不活性ガスＧＡ１によって低酸素状態にする第１室３５１を、上下方向において容易に変更できる。

さらに、実施形態１では、第１室３５１の酸素濃度は、第２室３５２Ａ、３５２Ｂの酸素濃度よりも低い。従って、第１室３５１で基板Ｗを搬送する場合は、第２室３５２Ａ、３５２Ｂで基板Ｗを搬送する場合と比較して、基板Ｗの酸化を抑制できる。

次に、図５及び図９を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図９は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図９に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１〜工程Ｓ７を含む。基板処理方法は、基板Ｗが通過する出入口部１１を含む複数の基板処理部１を備える基板処理装置１００によって実行される。

図５及び図９に示すように、工程Ｓ１において、制御部Ｕ６１（図４）の制御によって、駆動部３０６Ａ、３０６Ｂは、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂを制御対象搬送室ＣＨＢ内で移動して、制御対象搬送室ＣＨＢを仕切り部材３００Ａ、３００Ｂによって仕切って、制御対象搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と第２室３５２Ａ、３５２Ｂとに分割する。

具体的には、駆動部３０６Ａ、３０６Ｂは、第１室３５１と第２室３５２Ａ、３５２Ｂとが鉛直方向ＶＤに沿って並ぶように、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂによって制御対象搬送室ＣＨＢを分割する。この場合、駆動部３０６Ａ、３０６Ｂは、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂを上昇又は下降して、制御対象搬送室ＣＨＢを分割する。

次に、工程Ｓ２において、制御部Ｕ６１の制御によって、第１ガス供給部１５０は、不活性ガスを第１室３５１に供給する。

次に、工程Ｓ３において、制御部Ｕ６１の制御によって、センターロボットＣＲは、第１室３５１から基板処理部１へ基板Ｗを搬入する。

次に、工程Ｓ４において、制御部Ｕ６１の制御によって、基板処理部１は、処理液によって基板Ｗを処理する。具体的には、基板処理部１は、レシピ情報に従って、処理液によって基板Ｗを処理する。レシピ情報は、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。レシピ情報は記憶部Ｕ６３（図１）に記憶される。

次に、工程Ｓ５において、制御部Ｕ６１の制御によって、センターロボットＣＲは、基板処理部１から第１室３５１へ基板Ｗを搬出する。

次に、工程Ｓ６において、制御部Ｕ６１は、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させる命令を受けたか否かを判定する。

工程Ｓ６で第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させる命令を受けていないと判定された場合、処理は工程Ｓ３に進み、第１室３５１を変更する命令を受けるまで、工程Ｓ３〜工程Ｓ６を繰り返す。

一方、工程Ｓ６で第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させる命令を受けたと判定された場合、処理は工程Ｓ７に進む。

工程Ｓ７において、制御部Ｕ６１の制御によって、駆動部３０６Ａ、３０６Ｂは、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂを移動して第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させる。この結果、複数の基板処理部１のそれぞれの複数の出入口部１１のうち、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が面する出入口部１１が変化する。そして、処理は工程Ｓ３に進む。従って、工程Ｓ３〜工程Ｓ７の処理が繰り返される。

具体的には、駆動部３０６Ａ、３０６Ｂは、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂを上昇又は下降して第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させる。この結果、複数の基板処理部１のそれぞれの複数の出入口部１１のうち、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が面する出入口部１１が変化する。

特に、工程Ｓ７では、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定するレシピ情報に基づいて、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂを移動することが好ましい。この場合は、工程Ｓ４での基板Ｗの処理に使用する基板処理部１に応じて、低酸素状態にされる第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させることができる。

以上、図９を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法によれば、仕切り部材３００Ａ、３００Ｂによって制御対象搬送室ＣＨＢを第１室３５１と第２室３５２とに分割することで、制御対象搬送室ＣＨＢの全てに不活性ガスＧＡ１を供給せずに、第１室３５１にだけ不活性ガスＧＡ１が供給される。従って、不活性ガスＧＡ１の消費量を抑制しつつ、第１室３５１において搬送中の基板Ｗの酸化を抑制可能である。

なお、処理部Ｕ２は、１つの仕切り部材３００を有していてもよいし、３以上の仕切り部材３００を有していてもよい。つまり、制御対象搬送室ＣＨＢの分割数は特に限定されない。

（実施形態２）
図１０〜図１２を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００を説明する。実施形態２に係る仕切り部材３７０が鉛直方向ＶＤに延びる回動軸線ＡＸＳを中心に回動する点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。

まず、図１０を参照して、基板処理装置１００Ａを説明する。図１０は、実施形態２に係る基板処理装置１００Ａを示す模式的な平面図である。図１０に示すように、基板処理装置１００ＡのセンターロボットＣＲは、ハンド３８０を含む。センターロボットＣＲは制御対象搬送室ＣＨＢに配置される。また、制御対象搬送室ＣＨＢの上部には、第１ガス供給部１５０が配置される。さらに、制御対象搬送室ＣＨＢは、複数の基板処理部１に隣接する。

また、基板処理装置１００Ａは、図１を参照して説明した基板処理装置１００の仕切り部材３００に代えて、仕切り部材３７０を備える。なお、実施形態２では、基板処理部１は鉛直方向ＶＤに積み重ねられていない。つまり、基板処理部１は、１段構成であり、複数の基板処理部１が同一平面上に配置される。

仕切り部材３７０は、制御対象搬送室ＣＨＢに配置される。仕切り部材３７０は、略平板形状を有し、鉛直方向ＶＤに沿って延びる。仕切り部材３７０は、回動軸線ＡＸＳを中心に回動可能である。回動軸線ＡＸＳは、鉛直方向ＶＤに沿って延びる。

次に、図１１を参照して、仕切り部材３７０を説明する。図１１は、仕切り部材３７０を模式的に示す断面図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿った仕切り部材３７０の断面を示す。

図１１に示すように、仕切り部材３７０は配置部３７０ａを有する。配置部３７０ａには、センターロボットＣＲが配置される。配置部３７０ａとセンターロボットＣＲとは、離隔しており、干渉しない。配置部３７０ａは、例えば、仕切り部材３７０の底部から上部に向かって切り欠かれた切欠部である。回動軸線ＡＸＳは配置部３７０ａを通る。

処理部Ｕ２は、駆動部３７２を含む。駆動部３７２は、仕切り部材３７０を制御対象搬送室ＣＨＢ内で移動する。具体的には、駆動部３７２は、回動軸線ＡＸＳを中心に仕切り部材３７０を回動させる。駆動部３７２は、例えば、回動軸線ＡＸＳ上に配置されるシャフトと、動力伝達機構（例えば、ギア）と、モーターとを含む。制御部Ｕ６１は駆動部３７２を制御する。

次に、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）を参照して、仕切り部材３７０の動作を説明する。図１２（ａ）は、制御対象搬送室ＣＨＢの第１状態を模式的に示す平面図であり、図１２（ｂ）は、制御対象搬送室ＣＨＢの第２状態を模式的に示す平面図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）において、低酸素空間をドットハッチングで示している。低酸素空間では、酸素濃度は、例えば、１００ｐｐｍ以下である。

図１２（ａ）に示すように、制御対象搬送室ＣＨＢの第１状態は、制御対象搬送室ＣＨＢが、低酸素状態の基板処理部１ｗ、１ｘに対向する第１室３５１と、非低酸素状態の基板処理部１ｙ、１ｚに対向する第２室３５２とに分割されて、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が低酸素空間である状態を示す。

仕切り部材３７０は、制御対象搬送室ＣＨＢを仕切って、制御対象搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と第２室３５２とに分割する。

第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、水平方向において、基板処理部１ｗ、１ｘの出入口部１１に面する。基板処理部１ｗ、１ｘのチャンバー３の内部空間ＳＰＷ、ＳＰＸは、低酸素空間である。第１室３５１の酸素は不活性ガスＧＡ１によって排出されるため、第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、低酸素空間である。つまり、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、基板処理部１ｗ、１ｘのチャンバー３の内部空間ＳＰＷ、ＳＰＸの酸素濃度と略同じである。仕切り部材３７０が第１室３５１の一側壁を構成する。また、第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、水平方向ＨＤにおいて、受渡室ＣＨＡの受渡出入口部２０１に面する。

また、センターロボットＣＲのハンド３８０は第１室３５１に位置する。従って、センターロボットＣＲは、第１室３５１において、ハンド３８０によって基板Ｗを把持して、基板Ｗを搬送する。つまり、センターロボットＣＲは、第１室３５１の内部空間ＳＰ１に面する出入口部１１を通して、基板処理部１ｗ、１ｘに対して基板Ｗの搬入及び搬出を行う。

第２室３５２の内部空間ＳＰ２は、水平方向において、基板処理部１ｙ、１ｚの出入口部１１に面する。基板処理部１ｙ、１ｚのチャンバー３の内部空間ＳＰＹ、ＳＰＺの酸素濃度は、例えば、基板処理部１ｗ、１ｘのチャンバー３の内部空間ＳＰＷ、ＳＰＸの酸素濃度よりも高い。第２室３５２の内部空間ＳＰ２の酸素濃度は、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度よりも高い。つまり、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、第２室３５２の内部空間ＳＰ２の酸素濃度よりも低い。仕切り部材３７０が第２室３５２の一側壁を構成する。

図１２（ｂ）に示すように、制御対象搬送室ＣＨＢの第２状態は、制御対象搬送室ＣＨＢが、低酸素状態の基板処理部１ｙ、１ｚに対向する第１室３５１と、非低酸素状態の基板処理部１ｗ、１ｘに対向する第２室３５２とに分割されて、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が低酸素空間である状態を示す。

仕切り部材３７０は、制御対象搬送室ＣＨＢを仕切って、制御対象搬送室ＣＨＢを、第１室３５１と第２室３５２とに分割する。

第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、水平方向において、基板処理部１ｚ、１ｙの出入口部１１に面する。基板処理部１ｚ、１ｙのチャンバー３の内部空間ＳＰＺ、ＳＰＹは、低酸素空間である。第１室３５１の酸素は不活性ガスＧＡ１によって排出されるため、第１室３５１の内部空間ＳＰ１は、低酸素空間である。つまり、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の酸素濃度は、基板処理部１ｚ、１ｙのチャンバー３の内部空間ＳＰＺ、ＳＰＹの酸素濃度と略同じである。その他、第２状態における第１室３５１の構成は、第１状態における第１室３５１の構成と同様である。

また、センターロボットＣＲのハンド３８０は第１室３５１に位置する。従って、センターロボットＣＲは、第１室３５１において、ハンド３８０によって基板Ｗを把持して、基板Ｗを搬送する。つまり、センターロボットＣＲは、第１室３５１の内部空間ＳＰ１に面する出入口部１１を通して、基板処理部１ｚ、１ｙに対して基板Ｗの搬入及び搬出を行う。

第２室３５２の内部空間ＳＰ２は、水平方向において、基板処理部１ｗ、１ｘの出入口部１１に面する。基板処理部１ｗ、１ｘのチャンバー３の内部空間ＳＰＷ、ＳＰＸの酸素濃度は、例えば、基板処理部１ｚ、１ｙのチャンバー３の内部空間ＳＰＺ、ＳＰＹの酸素濃度よりも高い。その他、第２状態における第２室３５２の構成は、第１状態における第２室３５２の構成と同様である。

以上、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、実施形態２によれば、仕切り部材３７０によって制御対象搬送室ＣＨＢを第１室３５１と第２室３５２とに分割することで、制御対象搬送室ＣＨＢの全てに不活性ガスＧＡ１を供給せずに、第１室３５１にだけ不活性ガスＧＡ１が供給される。従って、不活性ガスＧＡ１の消費量を抑制しつつ、第１室３５１において搬送中の基板Ｗの酸化を抑制可能である。加えて、低酸素になるまでの時間を短縮できる。その他、実施形態２では、実施形態１と同様の効果を有する。

特に、実施形態２では、駆動部３７２は、仕切り部材３７０を移動して第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させる。この結果、複数の基板処理部１ｗ、１ｘ、１ｙ、１ｚのそれぞれの複数の出入口部１１のうち、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が面する出入口部１１が変化する。従って、第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させることにより、不活性ガスＧＡ１の消費量を抑制しつつも、低酸素状態で基板Ｗの搬送を行う第１室３５１及び低酸素状態で基板Ｗの処理を行う基板処理部１を任意に変更できる。その結果、ユーザーの利便性を向上できる。

また、実施形態２では、複数の基板処理部１ｗ、１ｘ、１ｙ、１ｚは、水平面に沿って配置される。そして、仕切り部材３７０は、水平面に交差する方向（具体的には鉛直方向ＶＤ）に沿って延びる。従って、第１室３５１と第２室３５２とは、水平方向に沿って並ぶ。その結果、水平方向、つまり、横方向（例えば、左右方向又は前後方向）に、仕切り部材３７０によって制御対象搬送室ＣＨＢを分割できる。よって、不活性ガスＧＡ１の消費量を抑制しつつ、横方向において、低酸素状態で基板Ｗの搬送を行う第１室３５１及び低酸素状態で基板Ｗの処理を行う基板処理部１を任意に変更できる。その結果、ユーザーの利便性を更に向上できる。

さらに、実施形態２では、駆動部３７２は、仕切り部材３７０を、鉛直方向ＶＤに沿った回動軸線ＡＸＳを中心に回動して第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させる。この結果、複数の基板処理部１ｗ、１ｘ、１ｙ、１ｚのそれぞれの複数の出入口部１１のうち、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が面する出入口部１１が変化する。従って、仕切り部材３７０による制御対象搬送室ＣＨＢの仕切り状態、つまり、不活性ガスＧＡ１によって低酸素状態にする第１室３５１を、横方向（例えば、左右方向又は前後方向）において容易に変更できる。

ここで、実施形態２に係る基板処理方法は、図９を参照して説明した実施形態１に係る基板処理方法と同様である。

ただし、実施形態２において、図９に示すフローチャートでは、工程Ｓ１において、駆動部３７２は、第１室３５１と第２室３５２とが水平面に沿って並ぶように、仕切り部材３７０によって制御対象搬送室ＣＨＢを分割する。この場合、駆動部３７２は、仕切り部材３７０を、鉛直方向ＶＤに沿った回動軸線ＡＸＳを中心に回動して、制御対象搬送室ＣＨＢを分割する。

また、実施形態２において、工程Ｓ７では、駆動部３７２は、仕切り部材３７０を、鉛直方向ＶＤに沿った回動軸線ＡＸＳを中心に回動して第１室３５１の内部空間ＳＰ１の位置や容積を変化させる。この結果、複数の基板処理部１ｗ、１ｘ、１ｙ、１ｚのそれぞれの複数の出入口部１１のうち、第１室３５１の内部空間ＳＰ１が面する出入口部１１が変化する。

実施形態２に係る基板処理方法では、仕切り部材３７０によって制御対象搬送室ＣＨＢを分割することで、実施形態１と同様に、不活性ガスＧＡ１の消費量を抑制しつつ、搬送中の基板Ｗの酸化を抑制可能である。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

例えば、図４に示すように、第１流路部１６０は、第１ガス供給部１５０から供給される不活性ガスＧＡ１を、仕切り部材３００Ａの下方の内部空間ＳＰ１へと供給する機能を有するが、仕切り部材３００Ａの下方の内部空間ＳＰ１に不活性ガスＧＡ１を供給する構成としては、本発明の要旨を逸脱しない範囲で別構成を用いてもよい。また、仕切り部材３００、３００Ａ、３００Ｂ、３７０の具体構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で別形態や別材料を用いてもよい。

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。

１、１Ａ〜１Ｃ、１ｗ、１ｘ、１ｙ、１ｚ 基板処理部
１００、１００Ａ 基板処理装置
１５０ 第１ガス供給部（ガス供給部）
３００、３００Ａ、３００Ｂ、３７０ 仕切り部材
３０６、３０６Ａ、３０６Ｂ、３７２ 駆動部
ＣＲ センターロボット（搬送部）
ＣＨＢ 制御対象搬送室（搬送室）

Claims (13)

1. 各々が、基板が通過する出入口部を含み、前記基板を処理する複数の基板処理部と、
   前記複数の基板処理部に隣接する搬送室と、
   前記搬送室に配置され、前記基板処理部に対して前記出入口部を通して前記基板の搬入及び搬出を行う搬送部と、
   前記搬送室を、第１室と少なくとも１つの第２室とに分割する仕切り部材と、
   前記第１室に不活性ガスを供給するガス供給部と、
   前記仕切り部材を前記搬送室内で移動する駆動部と
   を備える、基板処理装置。
2. 前記複数の基板処理部のうちの２以上の基板処理部は、鉛直方向に沿って積み重なり、
   前記仕切り部材は、前記鉛直方向に交差する方向に沿って広がり、
   前記第１室と前記第２室とは、前記鉛直方向に沿って並ぶ、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記駆動部は、前記仕切り部材を上昇又は下降する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記複数の基板処理部のうちの２以上の基板処理部は、水平面に沿って配置され、
   前記仕切り部材は、前記水平面に交差する方向に沿って延び、
   前記第１室と前記第２室とは、前記水平面に沿って並ぶ、請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記駆動部は、前記仕切り部材を、鉛直方向に沿った回動軸線を中心に回動する、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記第１室の酸素濃度は、前記第２室の酸素濃度よりも低い、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 基板が通過する出入口部を含む複数の基板処理部を備える基板処理装置が実行する基板処理方法であって、
   前記出入口部を通して前記基板の搬入及び搬出を行う搬送部が配置される搬送室を仕切り部材によって仕切り、前記搬送室を、第１室と少なくとも１つの第２室とに分割する工程と、
   前記第１室に不活性ガスを供給する工程と、
   前記仕切り部材を前記搬送室内で移動する工程と
   を含む、基板処理方法。
8. 前記仕切り部材を移動する前記工程では、前記基板の処理内容及び処理手順を規定するレシピ情報に基づいて、前記仕切り部材を移動する、請求項７に記載の基板処理方法。
9. 前記複数の基板処理部のうちの２以上の基板処理部は、鉛直方向に沿って積み重り、
   前記搬送室を分割する前記工程では、前記第１室と前記第２室とが前記鉛直方向に沿って並ぶように、前記仕切り部材によって前記搬送室が分割される、請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記仕切り部材を移動する前記工程では、前記仕切り部材を上昇又は下降する、請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記複数の基板処理部のうちの２以上の基板処理部は、水平面に沿って配置され、
    前記搬送室を分割する前記工程では、前記第１室と前記第２室とが前記水平面に沿って並ぶように、前記仕切り部材によって前記搬送室が分割される、請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
12. 前記仕切り部材を移動する前記工程では、前記仕切り部材を、鉛直方向に沿った回動軸線を中心に回動する、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記不活性ガスを供給する前記工程では、前記第１室に前記不活性ガスを供給することで、前記第１室から酸素を追い出して、前記第１室の酸素濃度を前記第２室の酸素濃度よりも低くする、請求項７から請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。

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