JP2021152195A - マスク群、有機デバイスの製造方法及び有機デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】有機デバイスの電極の電気抵抗及び面積を調整することができる、マスク群の提供。【解決手段】マスク群は、マスク第１方向Ｅ１と、マスク第１方向に直交するマスク第２方向Ｅ２とを有する。マスク群は、マスク第１方向に並ぶ第１貫通孔と、第１遮蔽領域とを含む第１マスクと、マスク第１方向に並ぶ第２貫通孔５３Ｂと、第２遮蔽領域５４Ｂとを含む第２マスク５０Ｂと、を備える。第１マスクと第２マスクとを重ね合わせた場合、第２貫通孔は、第１貫通孔に部分的に重なり、且つ、第２遮蔽領域は、マスク第１方向に並ぶ２以上の第１貫通孔に重なるようにマスク第１方向に広がる拡張遮蔽領域５４ｘを含む。【選択図】図１０

Description

本開示の実施形態は、マスク群、有機デバイスの製造方法及び有機デバイスに関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の電子デバイスにおいて、高精細な表示装置が、市場から求められている。表示装置は、例えば、４００ｐｐｉ以上または８００ｐｐｉ以上等の素子密度を有する。

応答性の良さと、または／およびコントラストの高さと、を有するため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の素子を形成する方法として、素子を構成する材料を蒸着により基板に付着させる方法が知られている。例えば、まず、素子に対応するパターンで陽極が形成されている基板を準備する。続いて、マスクの貫通孔を介して有機材料を陽極の上に付着させ、陽極の上に有機層を形成する。続いて、マスクの貫通孔を介して導電性材料を有機層の上に付着させ、有機層の上に陰極を形成する。

特許第３５３９５９７号公報

有機ＥＬ表示装置などの有機デバイスの陰極は、基板の法線方向に沿って見た場合に陽極及び有機層と重なる部分だけでなく、陽極及び有機層と重ならない部分にも形成されることがある。陰極の面積が大きいほど、陰極の電気抵抗が低くなる。一方、陰極の面積が大きいほど、基板、陽極、有機層及び陰極を含む有機デバイスにおける光の透過率が低下する。

本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得るマスク群を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態による、マスク第１方向と、マスク第１方向に直交するマスク第２方向とを有するマスク群は、マスク第１方向に並ぶ第１貫通孔と、第１遮蔽領域とを含む第１マスクと、前記マスク第１方向に並ぶ第２貫通孔と、第２遮蔽領域とを含む第２マスクと、を備える。前記第１マスクと前記第２マスクとを重ね合わせた場合、前記第２貫通孔は、前記第１貫通孔に部分的に重なり、且つ、前記第２遮蔽領域は、前記マスク第１方向に並ぶ２以上の前記第１貫通孔に重なるように前記マスク第１方向に広がる拡張遮蔽領域を含む。

本開示の一実施形態によれば、有機デバイスの第２電極の電気抵抗及び面積を調整することができる。

本開示の一実施形態による有機デバイスの一例を示す平面図である。 図１の有機デバイスにおいて符号Ａ１が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 図２の有機デバイスにおいて符号Ｂ１が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 図３の有機デバイスから第２電極を取り除いた状態を示す平面図である。 図３の有機デバイスのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 図３の有機デバイスのＤ−Ｄ線に沿った断面図である。 マスク装置を備えた蒸着装置の一例を示す図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 第１マスクを備えたマスク装置を拡大して示す平面図である。 第２マスクを備えたマスク装置を拡大して示す平面図である。 マスクの断面構造の一例を示す図である。 図９の第１マスクにおいて符号Ａ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 図１２の第１マスクにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 図１０の第２マスクにおいて符号Ａ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 図１４の第２マスクにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 第１マスクと第２マスクとを重ねた場合を示す図である。 図１６において符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 第１電極が形成されている基板を準備する工程を説明するための図である。 第１マスクを用いる第１蒸着工程を説明するための図である。 有機デバイスの一例を示す平面図である。 図２０の有機デバイスから第２電極を取り除いた状態を示す平面図である。 図２０の有機デバイスの第２電極の第１層を形成するために用いられる第１マスクを示す平面図である。 図２０の有機デバイスの第２電極の第２層を形成するために用いられる第１マスクを示す平面図である。 第１マスクと第２マスクとを重ねた場合を示す図である。 有機デバイスの一例を示す平面図である。 図２５の有機デバイスから第２電極を取り除いた状態を示す平面図である。 図２５の有機デバイスの第２電極の第１層を形成するために用いられる第１マスクを示す平面図である。 図２５の有機デバイスの第２電極の第２層を形成するために用いられる第１マスクを示す平面図である。 第１マスクと第２マスクとを重ねた場合を示す図である。 有機デバイスの一例を示す平面図である。 有機デバイスの一例を示す平面図である。 有機デバイスの一例を示す平面図である。 図３２の有機デバイスにおいて符号Ｂ１が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 図３３の有機デバイスから第２電極を取り除いた状態を示す平面図である。 図３２の有機デバイスの第２電極の第１層を形成するために用いられる第１マスクを示す平面図である。 図３５の第１マスクにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 図３２の有機デバイスの第２電極の第２層を形成するために用いられる第１マスクを示す平面図である。 図３７の第２マスクにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 第１マスクと第２マスクとを重ねた場合を示す図である。 図３９において符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。 有機デバイスの透過領域の一例を示す断面図である。 有機デバイスの透過領域の一例を示す断面図である。 有機デバイスの透過領域の一例を示す断面図である。 有機デバイスの透過領域の一例を示す断面図である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられてもよい。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「〜」という記号によって表現される数値範囲は、「〜」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４〜３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

本明細書の一実施形態においては、複数のマスクを備えるマスク群が、有機ＥＬ表示装置を製造する際に電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスク群の用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスク群に対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。

本開示の第１の態様は、マスク第１方向と、マスク第１方向に直交するマスク第２方向とを有するマスク群であって、
マスク第１方向に並ぶ第１貫通孔と、第１遮蔽領域とを含む第１マスクと、
前記マスク第１方向に並ぶ第２貫通孔と、第２遮蔽領域とを含む第２マスクと、を備え、
前記第１マスクと前記第２マスクとを重ね合わせた場合、前記第２貫通孔は、前記第１貫通孔に部分的に重なり、且つ、前記第２遮蔽領域は、前記マスク第１方向に並ぶ２以上の前記第１貫通孔に重なるように前記マスク第１方向に広がる拡張遮蔽領域を含む、マスク群である。

本開示の第２の態様は、上述した第１の態様によるマスク群において、
前記第１貫通孔は、前記マスク第１方向におけるマスク第１寸法を有し、
前記マスク第１寸法は、５０μｍ以上であってもよい。

本開示の第３の態様は、上述した第２の態様または上述した第３の態様のいずれかによるマスク群において、
前記第１貫通孔は、前記マスク第２方向におけるマスク第２寸法を有し、
前記マスク第２寸法は、前記マスク第１寸法よりも大きくてもよい。

本開示の第４の態様は、上述した第３の態様によるマスク群において、
前記マスク第１寸法に対する前記マスク第２寸法の比は、２以上であってもよい。

本開示の第５の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによるマスク群において、
前記第２貫通孔は、前記マスク第１方向におけるマスク第３寸法を有し、
前記マスク第３寸法は５０μｍ以上であってもよい。

本開示の第６の態様は、上述した第１の態様から上述した第５の態様のそれぞれによるマスク群において、
前記第２貫通孔は、前記マスク第２方向におけるマスク第４寸法を有し、
前記マスク第４寸法は、前記マスク第３寸法よりも大きくてもよい。

本開示の第７の態様は、上述した第６の態様によるマスク群において、
前記前記マスク第３寸法に対する前記マスク第４寸法の比は、２以上であってもよい。

本開示の第８の態様は、上述した第１の態様から上述した第７の態様のそれぞれによるマスク群において、
前記第１マスク及び前記第１マスクに重なる前記第２マスクを備えるマスク積層体は、前記第１遮蔽領域と前記第２遮蔽領域とが重なるマスク重なり領域を含み、
前記マスク重なり領域は、前記マスク第１方向に並び、
前記マスク重なり領域は、前記マスク第１方向における遮蔽第１寸法と、前記マスク第２方向における遮蔽第２寸法と、を有し、
前記遮蔽第２寸法は、前記遮蔽第１寸法よりも大きくてもよい。

本開示の第９の態様は、上述した第８の態様によるマスク群において、
前記マスク積層体は、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とが重なる貫通孔重なり領域を含み、
前記貫通孔重なり領域は、前記マスク第１方向に並び、
前記貫通孔重なり領域は、前記マスク第１方向における貫通第１寸法と、前記マスク第２方向における貫通第２寸法と、を有し、
前記貫通第２寸法は、前記貫通第１寸法の１０倍以上であってもよい。

本開示の第１０の態様は、上述した第１の態様から上述した第７の態様のそれぞれによるマスク群において、
前記第１マスク及び前記第１マスクに重なる前記第２マスクを備えるマスク積層体は、前記第１遮蔽領域と前記第２遮蔽領域とが重なるマスク重なり領域を含み、
前記マスク重なり領域は、前記マスク第１方向に並び、且つ前記マスク第２方向に並んでいてもよい。

本開示の第１１の態様は、上述した第１０の態様によるマスク群において、
前記マスク積層体は、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とが重なる貫通孔重なり領域を含み、
前記貫通孔重なり領域は、前記マスク第１方向に並び、且つ前記マスク第２方向に並んでいてもよい。

本開示の第１２の態様は、有機デバイスの製造方法であって、
基板上の第１電極上の有機層上に、上述した第１の態様から上述した第１１の態様のいずれかによるマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備え、
前記第２電極形成工程は、
前記第１マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、
前記第２マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備える、有機デバイスの製造方法である。

本開示の第１３の態様は、素子第１方向と、素子第１方向に直交する素子第２方向とを有する有機デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置し、前記素子第１方向に並ぶ有機層と、
前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
前記有機デバイスを前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１表示領域と、前記第１表示領域よりも小さい面積を有する第２表示領域と、を含み、
前記第１表示領域において、
前記有機層は、素子第１間隔で前記素子第１方向に並び、
前記第２電極は、前記素子第１方向に並ぶ第１層及び第２層と、前記第１層と前記第２層とが重なる電極重なり領域と、を含み、
電極重なり領域は、前記素子第１間隔以上の間隔で前記素子第１方向に並ぶ、
有機デバイスである。

本開示の第１４の態様は、上述した第１３の態様による有機デバイスにおいて、
前記第２表示領域は、前記第１層を含む標準領域と、前記標準領域の間に位置し、前記標準領域よりも高い透過率を有する透過領域と、を含み、
前記透過領域は、前記素子第１方向に並び、
前記透過領域は、前記素子第１方向において前記素子第１間隔以上の寸法を有していてもよい。

本開示の第１５の態様は、素子第１方向と、素子第１方向に直交する素子第２方向とを有する有有機デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置し、前記素子第１方向に並ぶ有機層と、
前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
前記有機デバイスを前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１表示領域と、前記第１表示領域よりも小さい面積を有する第２表示領域と、を含み、
前記第１表示領域において、
前記有機層は、素子第１間隔で前記素子第１方向に並び、
前記第２電極は、前記素子第１方向並ぶ第１層及び第２層を含み、
前記第２表示領域は、前記第１層を含む標準領域と、前記標準領域の間に位置し、前記標準領域よりも高い透過率を有する透過領域と、を含み、
前記透過領域は、前記素子第１方向に並び、
前記透過領域は、前記素子第１方向において前記素子第１間隔以上の寸法を有する、有機デバイスである。

本開示の第１６の態様は、上述した第１４の態様または上述した第１５の態様のいずれかによる有機デバイスにおいて、
前記透過領域は前記第２電極を含んでいなくてもよい。

本開示の第１７の態様は、上述した第１４の態様から上述した第１６の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、
前記透過領域は、前記素子第１方向における透過第１寸法と、前記素子第２方向における透過第２寸法と、を有し、
前記透過第２寸法は、前記透過第１寸法よりも大きくてもよい。

本開示の第１８の態様は、上述した第１４の態様から上述した第１６の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、
前記第２表示領域は、前記第２表示領域は、素子第２方向に並ぶ前記透過領域を含んでいてもよい。

本開示の第１９の態様は、上述した第１３の態様または上述した第１４の態様のいずれかによる有機デバイスにおいて、
前記第２電極は、前記素子第２方向に並ぶ前記電極重なり領域を含んでいてもよい。

本開示の第２０の態様は、上述した第１５の態様による有機デバイスにおいて、
前記第２電極は、前記第１層と前記第２層とが重なる電極重なり領域を含み、
前記電極重なり領域は、前記素子第１方向に並び、且つ前記素子第２方向に並んでいてもよい。

本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

まず、本実施形態のマスク群を用いることにより形成される電極を備える有機デバイス１００について説明する。図１は、有機デバイス１００の基板の法線方向に沿って見た場合の有機デバイス１００の一例を示す平面図である。以下の説明において、基板などの基礎となる物質の面方向に沿って見ることを、平面視とも称する。

有機デバイス１００は、基板と、基板の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。素子１１５は、例えば画素である。有機デバイス１００は、図１に示すように、平面視において第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１よりも小さい面積を有していてもよい。

図２は、図１の有機デバイスにおいて符号Ａ１が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。第１表示領域１０１において、素子１１５は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。図１及び図２に示す例において、第１表示領域１０１の２以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に沿って素子第１基本周期Ｓ１１で並んでいてもよい。また、第１表示領域１０１の２以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に直交する素子第２方向Ｇ２に沿って素子第２基本周期２１で並んでいてもよい。

第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１に比べて小さい素子密度で素子１１５を含んでいてもよい。例えば図２に示すように、第２表示領域１０２は、標準領域１０３及び透過領域１０４を含んでいてもよい。標準領域１０３は、素子第２方向Ｇ２に並ぶ素子１１５を含んでいてもよい。標準領域１０３の素子１１５の素子第２方向Ｇ２における周期は、第１表示領域１０１の素子１１５の素子第２方向Ｇ２における周期と同一であってもよい。透過領域１０４は、素子１１５を含んでいなくてもよい。

標準領域１０３の透過率を、第１透過率とも称する。透過領域１０４の透過率を、第２透過率とも称する。透過領域１０４が素子１１５を含まないことにより、第２透過率を第１透過率よりも高くすることができる。このため、透過領域１０４を含む第２表示領域１０２においては、有機デバイス１００に到達した光が透過領域１０４を透過して基板の裏側の光学部品などに到達することができる。光学部品は、例えばカメラなどの、光を検出することにより何らかの機能を実現する部品である。また、第２表示領域１０２が標準領域１０３を含むので、素子１１５が画素である場合、第２表示領域１０２に映像を表示することができる。このように、第２表示領域１０２は、光を検出するとともに映像を表示することができる。光を検出することによって実現される第２表示領域１０２の機能は、例えば、カメラ、指紋センサなどのセンサなどである。

素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における標準領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれかが１ｍｍ以下である場合、顕微分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率を測定する。顕微分光光度計としては、オリンパス株式会社製ＯＳＰ−ＳＰ２００又は大塚電子株式会社製ＬＣＦシリーズのいずれかを用いることができる。いずれの顕微分光光度計も、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視域で透過率を測定できる。石英又はＴＦＴ液晶用ホウケイ酸ガラスのいずれかをレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率及び第２透過率として用いる。
素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における標準領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれもが１ｍｍより大きい場合、分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率を測定する。分光光度計としては、株式会社島津製作所製の紫外可視分光光度計ＵＶ−２６００ｉ又はＵＶ−３６００ｉ Ｐｌｕｓのいずれかを用いることができる。分光光度計に微小光束絞りユニットを取り付けることにより、最大で１ｍｍの寸法を有する領域の透過率を測定できる。大気をレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率及び第２透過率として用いる。

第１透過率ＴＲ１に対する第２透過率ＴＲ２の比であるＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、２以上でもよく、３以上でもよく、５以上でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、１０以下でもよく、２０以下でもよく、５０以下でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、２、３及び５からなる第１グループ、及び／又は、１０、２０及び５０からなる第２グループによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２以上５０以下でもよく、２以上２０以下でもよく、２以上１０以下でもよく、２以上５以下でもよく、２以上３以下でもよく、３以上５０以下でもよく、３以上２０以下でもよく、３以上１０以下でもよく、３以上５以下でもよく、５以上５０以下でもよく、５以上２０以下でもよく、５以上１０以下でもよく、１０以上５０以下でもよく、１０以上２０以下でもよく、２０以上５０以下でもよい。

第１表示領域１０１の画素密度を第１画素密度とも称する。第２表示領域１０２の画素密度を第２画素密度とも称する。第２表示領域１０２は透過領域１０４を含むので、第２表示領域１０２に表示される映像の解像度は、第１表示領域１０１に表示される映像の解像度よりも低い。第１画素密度に対する第２画素密度の比は、例えば、１／１００以上でもよく、１０／１００以上でもよく、２０／１００以上でもよく、４０／１００以上でもよい。第１画素密度に対する第２画素密度の比は、例えば、６０／１００以下でもよく、８０／１００以下でもよく、９０／１００以下でもよく、９９／１００以下でもよい。第１画素密度に対する第２画素密度の比の範囲は、１／１００、１０／１００、２０／１００及び４０／１００からなる第１グループ、及び／又は、６０／１００、８０／１００、９０／１００及び９９／１００からなる第２グループによって定められてもよい。第１画素密度に対する第２画素密度の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１画素密度に対する第２画素密度の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１画素密度に対する第２画素密度の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１／１００以上９９／１００以下でもよく、１／１００以上９０／１００以下でもよく、１／１００以上８０／１００以下でもよく、１／１００以上６０／１００以下でもよく、１／１００以上４０／１００以下でもよく、１／１００以上２０／１００以下でもよく、１／１００以上１０／１００以下でもよく、１０／１００以上９９／１００以下でもよく、１０／１００以上９０／１００以下でもよく、１０／１００以上８０／１００以下でもよく、１０／１００以上６０／１００以下でもよく、１０／１００以上４０／１００以下でもよく、１０／１００以上２０／１００以下でもよく、２０／１００以上９９／１００以下でもよく、２０／１００以上９０／１００以下でもよく、２０／１００以上８０／１００以下でもよく、２０／１００以上６０／１００以下でもよく、２０／１００以上４０／１００以下でもよく、４０／１００以上９９／１００以下でもよく、４０／１００以上９０／１００以下でもよく、４０／１００以上８０／１００以下でもよく、４０／１００以上６０／１００以下でもよく、６０／１００以上９９／１００以下でもよく、６０／１００以上９０／１００以下でもよく、６０／１００以上８０／１００以下でもよく、８０／１００以上９９／１００以下でもよく、８０／１００以上９０／１００以下でもよく、９０／１００以上９９／１００以下でもよい。

図２に示すように、第２表示領域１０２は、素子第１方向Ｇ１に並ぶ複数の透過領域１０４を含んでいてもよい。透過領域１０４は、素子第１方向Ｇ１において標準領域１０３の間に位置していてもよい。すなわち、標準領域１０３及び透過領域１０４が素子第１方向Ｇ１に交互に並んでいてもよい。

素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の端部は、第１表示領域１０１に接していてもよい。言い換えると、素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の範囲が、素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の範囲を定めてもよい。

図２に示すように、透過領域１０４は、素子第１方向Ｇ１における透過第１寸法ＦＳ１と、素子第２方向Ｇ２における透過第２寸法ＦＳ２と、を有する。透過第１寸法ＦＳ１は、素子１１５の寸法ＧＳ１よりも大きくてもよい。

透過第２寸法ＦＳ２は、寸法ＦＳ１よりも大きくてもよい。透過第１寸法ＦＳ１に対する透過第２寸法ＦＳ２の比であるＦＳ２／ＦＳ１は、例えば、２以上でもよく、５以上でもよく、１０以上でもよく、２０以上でもよい。ＦＳ２／ＦＳ１は、例えば、５０以下でもよく、１００以下でもよく、２００以下でもよく、５００以下でもよい。ＦＳ２／ＦＳ１の範囲は、２、５、１０及び２０からなる第１グループ、及び／又は、５０、１００、２００及び５００からなる第２グループによって定められてもよい。ＦＳ２／ＦＳ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＦＳ２／ＦＳ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＦＳ２／ＦＳ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２以上５００以下でもよく、２以上２００以下でもよく、２以上１００以下でもよく、２以上５０以下でもよく、２以上２０以下でもよく、２以上１０以下でもよく、２以上５以下でもよく、５以上５００以下でもよく、５以上２００以下でもよく、５以上１００以下でもよく、５以上５０以下でもよく、５以上２０以下でもよく、５以上１０以下でもよく、１０以上５００以下でもよく、１０以上２００以下でもよく、１０以上１００以下でもよく、１０以上５０以下でもよく、１０以上２０以下でもよく、２０以上５００以下でもよく、２０以上２００以下でもよく、２０以上１００以下でもよく、２０以上５０以下でもよく、５０以上５００以下でもよく、５０以上２００以下でもよく、５０以上１００以下でもよく、１００以上５００以下でもよく、１００以上２００以下でもよく、２００以上５００以下でもよい。

透過領域１０４の透過第１寸法ＦＳ１は、例えば、１００μｍ以上でもよく、１５０μｍ以上でもよく、２００μｍ以上でもよい。透過第１寸法ＦＳ１は、例えば、２５０μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよく、５００μｍ以下でもよい。透過第１寸法ＦＳ１の範囲は、１００μｍ、１５０μｍ及び２００μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５０μｍ、３００μｍ及び５００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。透過第１寸法ＦＳ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。透過第１寸法ＦＳ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。透過第１寸法ＦＳ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上５００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、２５０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、２５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、３００μｍ以上５００μｍ以下でもよい。

有機デバイス１００の構成要素及び第１表示領域１０１について詳細に説明する。図３は、図２の有機デバイス１００において符号Ｂ１が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。図４は、図３の有機デバイス１００から第２電極を取り除いた状態を示す平面図である。図５は、図３の有機デバイス１００の第１表示領域１０１のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。

図５に示すように、有機デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０上に位置する素子１１５と、を備える。素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を有していてもよい。

有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。

有機デバイス１００は、アクティブ・マトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、有機デバイス１００は、複数の素子１１５のそれぞれに電気的に接続されているスイッチを備えていてもよい。スイッチは、例えばトランジスタである。スイッチは、対応する素子１１５に対する電圧又は電流のＯＮ／ＯＦＦを制御することができる。

基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１１０は、好ましくは、光を透過させる透明性を有する。

基板１１０が、所定の透明性を有する場合、基板１１０の透明性は、有機層１３０からの発光を透過させて表示を行うことができる程度の透明性であることが好ましい。例えば、可視光領域における基板１１０の透過率が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。基板１１０の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１に準ずるプラスチック−透明材料の全光透過率の試験方法により測定することができる。

基板１１０は、可撓性を有していてもよく、有していなくてもよい。有機デバイス１００の用途に応じて基板１１０を適宜選択することができる。

基板１１０の材料としては、例えば、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のないリジッド材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができる。また、基材は、樹脂フィルムの片面または両面にバリア層を有する積層体であってもよい。

基板１１０の厚みは、基板１１０に用いられる材料や有機デバイス１００の用途等に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．００５ｍｍ以上であってもよい。また、基板１１０の厚みは、５ｍｍ以下であってもよい。

素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現するよう構成されている。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出することができる。

第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。

第１電極１２０を構成する材料としては、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ等の金属；ＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯと称される酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物；金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等を用いることができる。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金等を用いることができる。

有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０に通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮することができる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層、通電により光の透過率や屈折率が変化する層などを用いることができる。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。

図４及び図５に示すように、有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ及び第２有機層１３０Ｂを含んでいてもよい。また、図４に示すように、有機層１３０は、第３有機層１３０Ｃを更に含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃは、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。以下の説明において、有機層の構成のうち、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃに共通する構成を説明する場合には、「有機層１３０」という用語及び符号を用いる。

第１電極１２０、第１有機層１３０Ａ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第１素子１１５Ａとも称する。第１電極１２０、第２有機層１３０Ｂ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第２素子１１５Ｂとも称する。第１電極１２０、第３有機層１３０Ｃ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第３素子１１５Ｃとも称する。有機デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃはそれぞれサブピクセルである。

以下の説明において、素子の構成のうち、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃに共通する構成を説明する場合には、「素子１１５」という用語及び符号を用いる。図４のような平面図において、素子１１５の輪郭は、平面視において第１電極１２０及び第２電極１４０と重なる有機層１３０の輪郭であってもよい。有機デバイス１００が絶縁層１６０を備える場合、素子１１５の輪郭は平面視において第１電極１２０及び第２電極１４０と重なるとともに絶縁層１６０と重ならない有機層１３０の輪郭であってもよい。

第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃそれぞれの配列について説明する。図４に示すように、第１表示領域１０１において、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃはそれぞれ、素子第１方向Ｇ１に沿って上述の素子第１基本周期Ｓ１１で並んでいてもよい。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃはそれぞれ、素子第２方向Ｇ２に沿って上述の素子第２基本周期Ｓ２１で並んでいてもよい。

第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃの相対的な位置関係について説明する。図４に示すように、第１表示領域１０１は、素子第２方向Ｇ２において交互に並ぶ第１素子１１５Ａ及び第３素子１１５Ｃの列と、素子第２方向Ｇ２に並ぶ第２素子１１５Ｂの列と、を含んでいてもよい。第１表示領域１０１は、素子第１方向Ｇ１において交互に並ぶ第１素子１１５Ａ及び第２素子１１５Ｂの行と、素子第１方向Ｇ１において交互に並ぶ第３素子１１５Ｃ及び第２素子１１５Ｂの行と、を含んでいてもよい。

第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。

有機層１３０が、通電により光を放出する発光層を含む場合、有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを更に含んでいてもよい。
例えば、第１電極１２０が陽極である場合、有機層１３０は、発光層と第１電極１２０との間に正孔注入輸送層を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、正孔注入輸送層は、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよい。
第２電極１４０が陰極である場合、有機層１３０は、発光層と第２電極１４０との間に電子注入輸送層を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、電子注入輸送層は、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよい。

発光層は、発光材料を含む。発光層は、レベリング性を良くする添加剤を含んでいてもよい。

発光材料としては、公知の材料を用いることができ、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料を用いることができる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を用いることができる。
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を用いることができる。
高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を用いることができる。

発光層は、発光効率の向上や発光波長を変化させる等の目的で、ドーパントを含んでいてもよい。ドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体等を用いることができる。また、ドーパントとして、白金やイリジウム等の重金属イオンを中心に有し、燐光を示す有機金属錯体を使用することもできる。ドーパントは、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。

また、発光材料およびドーパントしては、例えば、特開２０１０−２７２８９１号公報の［００９４］〜［００９９］や、国際公開第２０１２／１３２１２６号の［００５３］〜［００５７］に記載の材料も用いることができる。

発光層の膜厚は、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる膜厚であれば特に限定されるものではなく、例えば１ｎｍ以上とすることができ、また、５００ｎｍ以下とすることができる。

正孔注入輸送層に用いられる正孔注入輸送性材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、フェニルアミン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリルアミン誘導体等を用いることができる。また、スピロ化合物、フタロシアニン化合物、金属酸化物等を例示することができる。また、例えば、特開２０１１−１１９６８１号公報、国際公開第２０１２／０１８０８２号、特開２０１２−０６９９６３号公報、国際公開第２０１２／１３２１２６号の［０１０６］に記載の化合物も適宜選択して用いることができる。

なお、正孔注入輸送層が、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものである場合には、正孔注入層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔注入層および正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよい。添加剤Ａは、低分子化合物であってもよく、高分子化合物であってもよい。具体的には、フッ素系化合物、エステル系化合物、炭化水素系化合物等を用いることができる。

電子注入輸送層に用いられる電子注入輸送性材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、アルカリ金属類、アルカリ金属の合金、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属類、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属の有機錯体、マグネシウムのハロゲン化物や酸化物、酸化アルミニウム等を用いることができる。また、電子注入輸送性材料としては、例えば、バソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンやペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリノール錯体等の金属錯体、フタロシアニン化合物、ジスチリルピラジン誘導体等を用いることができる。

また、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入輸送層とすることもできる。電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の金属錯体、及びこれらの高分子誘導体等を用いることができる。また、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等を用いることができる。

第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極１４０は、後述するマスクを用いる蒸着法によって有機層１３０の上に形成される。第２電極１４０を構成する材料としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、炭素等を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等を用いることができる。

図３及び図５に示すように、第１表示領域１０１の第２電極１４０は、素子第２方向Ｇ２に延びる第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいてもよい。第１層１４０Ａは、後述する第１マスク５０Ａを用いる蒸着法によって形成される層である。第１層１４０Ａは、素子第１方向Ｇ１に並んでいてもよい。第２層１４０Ｂは、後述する第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって形成される層である。第２層１４０Ｂは、第１層１４０Ａの間に位置し、素子第１方向Ｇ１に並んでいてもよい。

第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂは、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃを含む少なくとも１つの素子１１５と平面視で重なるように広がっていてもよい。図３に示すように、素子第１方向Ｇ１における第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂの寸法は、素子１１５の寸法ＧＳ１の１倍よりも大きくてもよい。素子第１方向Ｇ１における第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂの寸法は、素子１１５の寸法ＧＳ１の２倍よりも小さくてもよい。素子第２方向Ｇ２における第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂの寸法はいずれも、素子１１５の寸法ＧＳ２の２倍よりも大きくてもよい。

第１層１４０Ａの厚みは、例えば、１０ｎｍ以上でもよく、２０ｎｍ以上でもよく、５０ｎｍ以上でもよく、１００ｎｍ以上でもよい。第１層１４０Ａの厚みは、例えば、２００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以下でもよく、１μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。第１層１４０Ａの厚みの範囲は、１０ｎｍ、２０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第１層１４０Ａの厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１層１４０Ａの厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１層１４０Ａの厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

第２層１４０Ｂの厚みは、第１層１４０Ａの厚みと同一であってもよい。また、第２層１４０Ｂの厚みは、第１層１４０Ａの厚みよりも大きくてもよく、小さくてもよい。第２層１４０Ｂの厚みは、第１層１４０Ａの厚みと同様に、１０ｎｍ、２０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。

図３及び図５に示すように、第１表示領域１０１において、素子第１方向Ｇ１における第１層１４０Ａの端部と第２層１４０Ｂの端部とが部分的に重なっていてもよい。第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが重なっている領域のことを、電極重なり領域１４５とも称する。第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが重なることにより、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとを電気的に接続することができる。

図３に示すように、２以上の電極重なり領域１４５が素子第１方向Ｇ１に並んでいてもよい。電極重なり領域１４５は、素子第２方向Ｇ２に延びていてもよい。複数の電極重なり領域１４５が基板１１０の面内方向に並ぶことにより、第２電極１４０の電気抵抗が局所的に高くなることを抑制できる。

図３において、符号ＯＳ１は、素子第１方向Ｇ１における電極重なり領域１４５の寸法を表す。電極重なり領域１４５の寸法ＯＳ１は、例えば、１μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよい。寸法ＯＳ１は、例えば、１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよい。寸法ＯＳ１の範囲は、１μｍ、３μｍ及び５μｍからなる第１グループ、及び／又は、１０μｍ、２０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法ＯＳ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法ＯＳ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法ＯＳ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１μｍ以上５μｍ以下でもよく、１μｍ以上３μｍ以下でもよく、３μｍ以上５０μｍ以下でもよく、３μｍ以上２０μｍ以下でもよく、３μｍ以上１０μｍ以下でもよく、３μｍ以上５μｍ以下でもよく、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよい。

素子第２方向Ｇ２における電極重なり領域１４５の寸法は、素子第２方向Ｇ２における第２層１４０Ｂの寸法と同一であってもよい。すなわち、素子第１方向Ｇ１における第２層１４０Ｂの端部が、素子第２方向Ｇ２の全域にわたって第１層１４０Ａに重なっていてもよい。若しくは、素子第２方向Ｇ２における電極重なり領域１４５の寸法は、素子第２方向Ｇ２における第２層１４０Ｂの寸法よりも小さくてもよい。素子第２方向Ｇ２における電極重なり領域１４５の寸法は、素子第１方向Ｇ１における電極重なり領域１４５の寸法ＯＳ１の５倍以上であってもよく、１０倍以上であってもよく、５０倍以上であってもよく、１００倍以上であってもよい。

図３及び図５において、符号ＯＧ１は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの電極重なり領域１４５の間の間隔を表す。好ましくは、素子第１方向Ｇ１における電極重なり領域１４５の間の間隔ＯＧ１は、素子第１間隔よりも大きい。

素子第１間隔は、図３及び図４に示す間隔ＧＧ１１、間隔ＧＧ１２及び間隔ＧＧ１３の中で最も小さい間隔である。間隔ＧＧ１１は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの第１有機層１３０Ａの間の間隔である。間隔ＧＧ１２は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの第２有機層１３０Ｂの間の間隔である。間隔ＧＧ１３は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの第３有機層１３０Ｃの間の間隔である。

次に、第２表示領域１０２について詳細に説明する。図６は、図３の有機デバイス１００の第２表示領域１０２のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。

図３及び図６に示すように、第２表示領域１０２は、第１層１４０Ａと、平面視において第１層１４０Ａと重なる有機層１３０及び第１電極１２０と、を含んでいてもよい。第２表示領域１０２の第１層１４０Ａは、素子第２方向Ｇ２において第１表示領域１０１の第１層１４０Ａと連続していてもよい。また、第２表示領域１０２は、第２層１４０Ｂを含んでいなくてもよい。すなわち、第２表示領域１０２は、平面視において第２電極１４０が存在しない領域を含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、平面視において、第２電極１４０が存在しない複数の領域を囲む領域として画定されてもよい。

第２表示領域１０２の上述の標準領域１０３は、第１層１４０Ａを含む領域として定義されてもよい。標準領域１０３は、第１層１４０Ａに重なる第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含んでいてもよい。素子第１方向Ｇ１において透過領域１０４の間に位置する標準領域１０３が、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含んでいてもよい。

上述の透過領域１０４は、平面視において第２電極１４０が存在しない領域として定義されてもよい。図６に示すように、透過領域１０４は、第１電極１２０、有機層１３０及び第２電極１４０を含んでいなくてもよい。

図３に示すように、平面視において、透過領域１０４は、素子第２方向Ｇ２において第１表示領域１０１の第２層１４０Ｂに接していてもよい。好ましくは、素子第１方向Ｇ１における透過領域１０４の寸法ＦＳ１は、上述の素子第１間隔よりも大きい。

ＦＳ１、ＦＳ２、ＧＳ１、ＧＳ２、ＧＧ１１、ＧＧ１２、ＧＧ１３、ＯＳ１、ＯＧ１などの、有機デバイス１００の各構成要素の寸法、間隔などは、走査型電子顕微鏡を用いて有機デバイス１００の断面の画像を観察することによって測定することができる。

基板１１０の厚み、第２電極１４０の厚みなどの、有機デバイス１００の各構成要素の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて有機デバイス１００の断面の画像を観察することによって測定することができる。

次に、上述の有機デバイス１００の第２電極１４０を蒸着法によって形成する方法について説明する。図７は、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置１０を示す図である。

図７に示すように、蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置４０を備えていてもよい。また、蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼであり、有機発光材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置４０は、るつぼ６と対向するよう配置されている。

図７に示すように、マスク装置４０は、少なくとも１つのマスク５０と、マスク５０を支持するフレーム４１と、を備えていてもよい。フレーム４１は、マスク５０が固定されている第１フレーム面４１ａと、第１フレーム面４１ａの反対側に位置する第２フレーム面４１ｂと、を含んでいてもよい。また、フレーム４１は、第１フレーム面４１ａから第２フレーム面４１ｂに貫通する開口４２を含んでいてもよい。マスク５０は、平面視において開口４２を横切るようにフレーム４１に固定されていてもよい。また、フレーム４１は、マスク５０が撓むことを抑制するように、マスク５０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。

マスク装置４０のマスク５０としては、後述する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂが用いられてもよい。以下の説明において、マスクの構成のうち、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに共通する構成を説明する場合には、「マスク５０」という用語及び符号を用いる。後述するセルなどのマスクの構成要素についても同様に、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに共通する内容を説明する場合には、符号として、「２２」などの、アルファベットが付されていない、数字のみの符号を用いる。一方、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのそれぞれに特有の内容を説明する場合には、数字の後に「Ａ」、「Ｂ」などの対応するアルファベットを付した符号を用いる。

マスク装置４０は、図７に示すように、蒸着材料７を付着させる対象物である基板１１０にマスク５０が対面するよう、蒸着装置１０内に配置されている。マスク５０は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる複数の貫通孔５３を含む。以下の説明において、マスク５０の面のうち、基板１１０の側に位置する面を第１面５１ａと称し、第１面５１ａの反対側に位置する面を第２面５１ｂと称する。

蒸着装置１０は、図７に示すように、基板１１０を保持する基板ホルダ２を備えていてもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の厚み方向において移動可能であってもよい。また、基板ホルダ２は、基板１１０の面方向において移動可能であってもよい。また、基板ホルダ２は、基板１１０の傾きを制御するよう構成されていてもよい。例えば、基板ホルダ２は、基板１１０の外縁に取り付けられた複数のチャックを含み、各チャックは、基板１１０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。

蒸着装置１０は、図７に示すように、マスク装置４０を保持するマスクホルダ３を備えていてもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の厚み方向において移動可能であってもよい。また、マスクホルダ３は、マスク５０の面方向において移動可能であってもよい。例えば、マスクホルダ３は、フレーム４１の外縁に取り付けられた複数のチャックを含み、各チャックは、マスク５０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。

基板ホルダ２又はマスクホルダ３の少なくともいずれか一方を移動させることにより、基板１１０に対するマスク装置４０のマスク５０の位置を調整することができる。

蒸着装置１０は、図７に示すように、基板１１０の面のうちマスク装置４０とは反対側の面である第２面１１２側に配置されている冷却板４を備えていてもよい。冷却板４は、冷却板４の内部に冷媒を循環させるための流路を有していてもよい。冷却板４は、蒸着工程の際に基板１１０の温度が上昇することを抑制することができる。

蒸着装置１０は、図７に示すように、基板１１０の面のうちマスク装置４０とは反対側の面である第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。磁石５は、図３に示すように、冷却板４の面のうちマスク装置４０とは反対の側の面に配置されていてもよい。磁石５は、磁力によってマスク装置４０のマスク５０を基板１１０側に引き寄せることができる。これにより、マスク５０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができ、有機層１３０の寸法精度や位置精度を高めることができる。本願において、シャドーとは、マスク５０と基板１１０との間の隙間に蒸着材料７が入り込み、これによって有機層１３０の厚みが不均一になる現象のことである。また、静電気力を利用する静電チャックを用いてマスク５０を基板１１０側に引き寄せてもよい。

次に、マスク装置４０について詳細に説明する。図８は、マスク装置４０をマスク５０の第１面５１ａ側から見た場合を示す平面図である。図８に示すように、マスク装置４０は、フレーム第１方向Ｄ１に並ぶ２以上のマスク５０を備えていてもよい。本実施の形態において、マスク５０は、フレーム第１方向Ｄ１に延びる辺、及びフレーム第１方向Ｄ１に直交するフレーム第２方向Ｄ２に延びる辺を含んでいてもよい。図８に示すように、フレーム第２方向Ｄ２に延びる辺は、フレーム第１方向Ｄ１に延びる辺よりも長くてもよい。マスク５０は、フレーム第２方向Ｄ２の両端部において、例えば溶接によってフレーム４１の第１フレーム面４１ａに固定されていてもよい。

フレーム４１は、フレーム第１方向Ｄ１に延びる一対の第１辺４１１と、フレーム第２方向Ｄ２に延びる一対の第２辺４１２と、を含む矩形の輪郭を有していてもよい。第１辺４１１には、フレーム第２方向Ｄ２において張力を加えられた状態のマスク５０が固定されていてもよい。図８に示すように、マスク５０が固定されている第１辺４１１が、第２辺４１２よりも長くてもよい。フレーム４１の開口４２は、一対の第１辺４１１及び一対の第２辺４１２によって囲まれていてもよい。

マスク５０は、少なくとも１つのセル５２を含む。セル５２は、貫通孔５３及び遮蔽領域５４を含む。マスク５０は、フレーム第２方向Ｄ２に並ぶ複数のセル５２を含んでいてもよい。マスク５０を用いて有機ＥＬ表示装置などの表示装置を作製する場合、１つのセル５２は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に、すなわち１つの画面に対応していてもよい。なお、１つのセル５２が複数の表示領域に対応していてもよい。また、図示はしないが、フレーム第１方向Ｄ１においても複数のセル５２が並んでいてもよい。マスク５０は、セル５２の間に位置する遮蔽領域５４を含んでいてもよい。図示はしないが、マスク５０は、セル５２の間に位置する貫通孔５３を含んでいてもよい。

セル５２は、例えば、平面視において略四角形、さらに正確には平面視において略矩形の輪郭を有していてもよい。なお図示はしないが、各セル５２は、有機ＥＬ表示装置の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各セル５２は、円形の輪郭を有していてもよい。

図９は、上述の第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する際に用いられる第１マスク５０Ａを備える第１マスク装置４０Ａの一部を拡大して示す平面図である。第１マスク５０Ａは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ複数の第１貫通孔５３Ａを含む。図９に示す例において、マスク第１方向Ｅ１は、マスク５０の幅方向であるフレーム第１方向Ｄ１に平行である。

図１０は、上述の第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する際に用いられる第２マスク５０Ｂを備える第２マスク装置４０Ｂの一部を拡大して示す平面図である。第２マスク５０Ｂは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ複数の第２貫通孔５３Ｂを含む。図１０に示す例において、マスク第１方向Ｅ１は、マスク５０の幅方向であるフレーム第１方向Ｄ１に平行である。

第２電極１４０を形成する工程においては、例えば、蒸着装置１０において第１マスク装置４０Ａを用いて基板１１０に第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する。続いて、蒸着装置１０において第２マスク装置４０Ｂを用いて基板１１０に第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する。このように、有機デバイス１００の第２電極１４０を形成する工程においては、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂなどの複数のマスク５０が順に用いられる。有機デバイス１００の第２電極１４０を形成するために用いられる複数のマスク５０の群のことを、「マスク群」とも称する。

図１１は、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂなどのマスク５０の断面構造の一例を示す図である。マスク５０は、金属板５１に形成されている複数の貫通孔５３を有する。貫通孔５３は、第１面５１ａから第２面５１ｂへ金属板５１を貫通している。

貫通孔５３は、金属板５１の第１面５１ａ側に位置する第１凹部５３１と、第２面５１ｂ側に位置し、第１凹部５３１に接続されている第２凹部５３２と、を含んでいてもよい。平面視において、第２凹部５３２の寸法ｒ２は、第１凹部５３１の寸法ｒ１よりも大きくてもよい。第１凹部５３１は、金属板５１を第１面５１ａ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第２凹部５３２は、金属板５１を第２面５１ｂ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。

第１凹部５３１と第２凹部５３２とは、周状の接続部５３３において接続されている。接続部５３３は、マスク５０の平面視において貫通孔５３の開口面積が最小になる貫通部５３４を画成していてもよい。

マスク５０を用いた蒸着法においては、第２面５１ｂ側から第１面５１ａ側へ貫通孔５３の貫通部５３４を通過した蒸着材料７が基板１１０に付着することによって、基板１１０に上述の第１層１４０Ａや第２層１４０Ｂなどの層が形成される。基板１１０に形成される層の、基板１１０の面内方向における輪郭は、平面視における貫通部５３４の輪郭によって定まる。後述する図１２〜図１７などの平面図において示されている貫通孔５３の輪郭は、貫通部５３４の輪郭である。

貫通部５３４以外の金属板５１の領域は、基板１１０に向かう蒸着材料７を遮蔽することができる。貫通部５３４以外の金属板５１の領域のことを、遮蔽領域５４とも称する。図９、図１０、図１２〜図１５などのマスク５０の平面図においては、遮蔽領域５４に斜線の網掛けが施されている。

マスク５０の厚みＴは、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよく、２０μｍ以上でもよい。マスク５０の厚みＴは、例えば、２５μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ及び２０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５μｍ、３０μｍ、５０μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

マスク５０の厚みＴを測定する方法としては、接触式の測定方法を採用することができる。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MT1271」を用いることができる。

なお、マスク５０の貫通孔５３の断面形状は、図１１に示す形状には限られない。また、マスク５０の貫通孔５３の形成方法は、エッチングに限られることはなく、様々な方法を採用可能である。例えば、貫通孔５３が生じるようにめっきを行うことによってマスク５０を形成してもよい。

マスク５０を構成する材料としては、例えば、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、マスク５０の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系めっき合金などを用いることができる。このような鉄合金を用いることにより、マスク５０の熱膨張係数を低くすることができる。例えば、基板１１０としてガラス基板が用いられる場合に、マスク５０の熱膨張係数を、ガラス基板と同等の低い値にすることができる。これにより、蒸着工程の際、基板１１０に形成される蒸着層の寸法精度や位置精度がマスク５０と基板１１０との間の熱膨張係数の差に起因して低下することを抑制することができる。

次に、第１マスク５０Ａについて詳細に説明する。図１２は、図９の第１マスク５０Ａにおいて符号Ａ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。領域Ａ２は、有機デバイス１００の領域Ａ１に対応している。有機デバイス１００の領域Ａ１に位置する第２電極１４０の第１層１４０Ａは、第１マスク５０Ａの領域Ａ２の第１貫通孔５３Ａを通った蒸着材料によって形成される。

図９及び図１２に示すように、第１マスク５０Ａは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ複数の第１貫通孔５３Ａと、第１遮蔽領域５４Ａとを含む。第１貫通孔５３Ａは、平面視において、マスク第１寸法ＥＳ１１及びマスク第２寸法ＥＳ２１を有する。マスク第１寸法ＥＳ１１は、マスク第１方向Ｅ１における第１貫通孔５３Ａの寸法である。マスク第２寸法ＥＳ２１は、マスク第２方向Ｅ２における第１貫通孔５３Ａの寸法である。第１貫通孔５３Ａは、平面視において、マスク第１方向Ｅ１に直交するマスク第２方向Ｅ２に延びていてもよい。例えば、マスク第２寸法ＥＳ２１がマスク第１寸法ＥＳ１１よりも大きくてもよい。第１遮蔽領域５４Ａは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ第１貫通孔５３Ａの間に位置している。

マスク第１寸法ＥＳ１１に対するマスク第２寸法ＥＳ２１の比であるＥＳ２１／ＥＳ１１は、例えば、２以上でもよく、３以上でもよく、５以上でもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１は、例えば、１０以下でもよく、２０以下でもよく、５０以下でもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲は、２、３及び５からなる第１グループ、及び／又は、１０、２０及び５０からなる第２グループによって定められてもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２以上５０以下でもよく、２以上２０以下でもよく、２以上１０以下でもよく、２以上５以下でもよく、２以上３以下でもよく、３以上５０以下でもよく、３以上２０以下でもよく、３以上１０以下でもよく、３以上５以下でもよく、５以上５０以下でもよく、５以上２０以下でもよく、５以上１０以下でもよく、１０以上５０以下でもよく、１０以上２０以下でもよく、２０以上５０以下でもよい。

第１貫通孔５３Ａのマスク第１寸法ＥＳ１１は、例えば、５０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、１５０μｍ以上でもよい。マスク第１寸法ＥＳ１１は、例えば、２００μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよく、５００μｍ以下でもよい。マスク第１寸法ＥＳ１１の範囲は、５０μｍ、１００μｍ及び１５０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２００μｍ、３００μｍ及び５００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。マスク第１寸法ＥＳ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。マスク第１寸法ＥＳ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク第１寸法ＥＳ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上５００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上５００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、３００μｍ以上５００μｍ以下でもよい。

図９に示すように、第１マスク５０Ａは、アライメントマークＭＡを有していてもよい。アライメントマークＭＡは、例えば第１マスク５０Ａのセル５２Ａの隅に形成されている。アライメントマークＭＡは、第１マスク５０Ａを用いて蒸着法によって基板１１０に第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する工程において、基板１１０に対する第１マスク５０Ａの位置合わせのために利用されてもよい。

図１３は、図１２の第１マスク５０Ａにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。領域Ｂ２は、有機デバイス１００の領域Ｂ１に対応している。有機デバイス１００の領域Ｂ１に位置する第２電極１４０の第１層１４０Ａは、第１マスク５０Ａの領域Ｂ２の第１貫通孔５３Ａを通った蒸着材料によって形成される。

図１３においては、第１マスク５０Ａと基板１１０とを組み合わせた場合の、平面視における有機層１３０の位置を点線で示している。図１３に示す例において、マスク第１方向Ｅ１は上述の素子第１方向Ｇ１に平行であり、マスク第２方向Ｅ２は上述の素子第２方向Ｇ２に平行である。

図１３に示すように、第１貫通孔５３Ａは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なるようにマスク第２方向Ｅ２に延びている。第１遮蔽領域５４Ａは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なる領域と、有機層１３０に重ならない領域と、を含む。有機層１３０に重ならない第１遮蔽領域５４Ａの領域は、マスク第１方向Ｅ１において、有機層１３０に重なる第１貫通孔５３Ａの間に位置する。

次に、第２マスク５０Ｂについて詳細に説明する。図１４は、図１０の第２マスク５０Ｂにおいて符号Ａ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。第１マスク５０Ａの場合と同様に、領域Ａ２は、有機デバイス１００の領域Ａ１に対応している。有機デバイス１００の領域Ａ１に位置する第２電極１４０の第２層１４０Ｂは、第２マスク５０Ｂの領域Ａ２の第２貫通孔５３Ｂを通った蒸着材料によって形成される。

図１０及び図１４に示すように、第２マスク５０Ｂは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ複数の第２貫通孔５３Ｂと、第２遮蔽領域５４Ｂとを含む。第２貫通孔５３Ｂは、平面視において、マスク第３寸法ＥＳ１２及びマスク第４寸法ＥＳ２２を有する。マスク第３寸法ＥＳ１２は、マスク第１方向Ｅ１における第２貫通孔５３Ｂの寸法である。マスク第４寸法ＥＳ２２は、マスク第２方向Ｅ２における第２貫通孔５３Ｂの寸法である。第２貫通孔５３Ｂは、平面視において、マスク第１方向Ｅ１に直交するマスク第２方向Ｅ２に延びていてもよい。例えば、マスク第４寸法ＥＳ２２がマスク第１寸法ＥＳ１２よりも大きくてもよい。図１０に示すように、第２遮蔽領域５４Ｂは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ第２貫通孔５３Ｂの間に位置する領域を含んでいてもよい。また、第２遮蔽領域５４Ｂは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ複数の第２貫通孔５３Ｂに接続されている拡張遮蔽領域５４ｘを含んでいてもよい。拡張遮蔽領域５４ｘは、マスク第２方向Ｅ２において第２貫通孔５３Ｂの間に位置していてもよい。言い換えると、マスク第２方向Ｅ２に延びる第２貫通孔５３Ｂを拡張遮蔽領域５４ｘが分断していてもよい。

拡張遮蔽領域５４ｘに接続されていない第２貫通孔５３Ｂのマスク第４寸法ＥＳ２２は、マスク第３寸法ＥＳ１２よりも大きくてもよい。マスク第３寸法ＥＳ１２に対するマスク第４寸法ＥＳ２２の比であるＥＳ２２／ＥＳ１２の範囲としては、上述の第１貫通孔５３ＡのＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲を採用することができる。マスク第３寸法ＥＳ１２の範囲としては、上述の第１貫通孔５３Ａのマスク第１寸法ＥＳ１１の範囲を採用することができる。拡張遮蔽領域５４ｘに接続されている第２貫通孔５３Ｂは、上述のＥＳ２２／ＥＳ１２の範囲を満たしていなくてもよい。

図１４において、符号ＥＳ１３は、マスク第１方向Ｅ１における拡張遮蔽領域５４ｘの最大の寸法を表す。符号ＥＳ２３は、マスク第２方向Ｅ２における拡張遮蔽領域５４ｘの最大の寸法を表す。寸法ＥＳ１３を、拡張遮蔽第１寸法とも称する。寸法ＥＳ２３を、拡張遮蔽第２寸法とも称する。拡張遮蔽第１寸法ＥＳ１３及び拡張遮蔽第２寸法ＥＳ２３は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における上述の第２表示領域１０２の寸法に相当する。

拡張遮蔽第１寸法ＥＳ１３及び拡張遮蔽第２寸法ＥＳ２３は、例えば、１ｍｍ以上でもよく、３ｍｍ以上でもよく、５ｍｍ以上でもよい。寸法ＥＳ１３及び寸法ＥＳ２３は、例えば、１０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以下でもよい。寸法ＥＳ１３及び寸法ＥＳ２３の範囲は、１ｍｍ、３ｍｍ及び５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１０ｍｍ、２０ｍｍ及び５０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法ＥＳ１３及び寸法ＥＳ２３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法ＥＳ１３及び寸法ＥＳ２３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法ＥＳ１３及び寸法ＥＳ２３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、１ｍｍ以上５ｍｍ以下でもよく、１ｍｍ以上３ｍｍ以下でもよく、３ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、３ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、３ｍｍ以上５ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよい。

拡張遮蔽第１寸法ＥＳ１３と拡張遮蔽第２寸法ＥＳ２３とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、拡張遮蔽第１寸法ＥＳ１３が拡張遮蔽第２寸法ＥＳ２３よりも大きくてもよい。拡張遮蔽第１寸法ＥＳ１３が拡張遮蔽第２寸法ＥＳ２３よりも小さくてもよい。

第２貫通孔５３Ｂのマスク第３寸法ＥＳ１２に対する拡張遮蔽第１寸法ＥＳ１３の比であるＥＳ１３／ＥＳ１２は、例えば、２以上でもよく、５以上でもよく、１０以上でもよい。ＥＳ１３／ＥＳ１２は、例えば、２０以下でもよく、５０以下でもよく、１００以下でもよい。ＥＳ１３／ＥＳ１２の範囲は、２、５及び１０からなる第１グループ、及び／又は、２０、５０及び１００からなる第２グループによって定められてもよい。ＥＳ１３／ＥＳ１２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＥＳ１３／ＥＳ１２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＥＳ１３／ＥＳ１２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２以上１００以下でもよく、２以上５０以下でもよく、２以上２０以下でもよく、２以上１０以下でもよく、２以上５以下でもよく、５以上１００以下でもよく、５以上５０以下でもよく、５以上２０以下でもよく、５以上１０以下でもよく、１０以上１００以下でもよく、１０以上５０以下でもよく、１０以上２０以下でもよく、２０以上１００以下でもよく、２０以上５０以下でもよく、５０以上１００以下でもよい。

図１５は、図１４の第２マスク５０Ｂにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。領域Ｂ２は、有機デバイス１００の領域Ｂ１に対応している。有機デバイス１００の領域Ｂ１に位置する第２電極１４０の第２層１４０Ｂは、第２マスク５０Ｂの領域Ｂ２の第２貫通孔５３Ｂを通った蒸着材料によって形成される。

図１５においては、第２マスク５０Ｂと基板１１０とを組み合わせた場合の、平面視における有機層１３０の位置を点線で示している。図１５に示すように、第２貫通孔５３Ｂは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なる。第２遮蔽領域５４Ｂは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なる領域と、上述の拡張遮蔽領域５４ｘと、を含む。拡張遮蔽領域５４ｘは、平面視において、上述の間隔ＧＧ１１、間隔ＧＧ１２又は間隔ＧＧ１３よりも大きい間隔でマスク第１方向Ｅ１に並ぶ有機層１３０に重なるようにマスク第１方向Ｅ１に広がっている。

次に、第１マスク５０Ａに対する第２マスク５０Ｂの相対的な位置について説明する。図１６は、図１２の第１マスク５０Ａと、第１マスク５０Ａに重ねられた図１４の第２マスク５０Ｂとを備えるマスク積層体５５を示す平面図である。図１７は、図１６において符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。また、図１７は、図１３の第１マスク５０Ａと、第１マスク５０Ａに重ねられた図１５の第２マスク５０Ｂとを備えるマスク積層体５５を示す平面図でもある。マスク積層体５５においては、第１マスク５０Ａの第１アライメントマークＭＡと第２マスク５０Ｂの第２アライメントマークＭＢとが重なるように第１マスク５０Ａと第２マスク５０Ｂとが重ねられていてもよい。若しくは、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａ又は第１遮蔽領域５４Ａの配置と、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂ又は第２遮蔽領域５４Ｂの配置とに基づいて、第１マスク５０Ａと第２マスク５０Ｂとが重ねられていてもよい。例えば、マスク第１方向Ｅ１において第２貫通孔５３Ｂが第１貫通孔５３Ａの間に位置するように、第１マスク５０Ａと第２マスク５０Ｂとが重ねられていてもよい。これにより、図１６及び図１７に示す状態を実現できる。
第１マスク５０Ａと第２マスク５０Ｂとを重ねる際、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂには、マスクの長手方向であるフレーム第２方向Ｄ２に沿って張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。

なお、複数のマスク５０を重ねた状態の、図１６及び図１７のような図は、各マスク５０の画像データを重ねることによって得られてもよい。例えば、まず、撮影装置を用いて、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａの輪郭及び第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂの輪郭に関する画像データをそれぞれ取得する。続いて、画像処理装置を用いて、第１マスク５０Ａの画像データと第２マスク５０Ｂの画像データとを重ねる。これにより、図１６及び図１７のような図を作製することができる。画像データを取得する際、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂには、フレーム第２方向Ｄ２に沿って張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。

図１６及び図１７においては、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａが一点鎖線で示され、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂが実線で示されている。また、第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂには斜線の網掛けが施されている。

まず、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂと第１マスク５０Ａとの位置関係について説明する。図１６及び図１７に示すように、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂは、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａに部分的に重なっていてもよい。具体的には、マスク第１方向Ｅ１における第１貫通孔５３Ａの端部とマスク第１方向Ｅ１における第２貫通孔５３Ｂの端部とが重なっていてもよい。第１貫通孔５３Ａと第２貫通孔５３Ｂとが重なるマスク積層体５５の領域を、貫通孔重なり領域５６とも称する。貫通孔重なり領域５６は、図１６及び図１７に示すように、マスク第１方向Ｅ１に沿って並んでいてもよい。また、貫通孔重なり領域５６は、マスク第２方向Ｅ２に延びていてもよい。

図１７に示すように、符号ＯＳ３は、マスク第１方向Ｅ１における貫通孔重なり領域５６の寸法を表す。寸法ＯＳ３を、貫通第１寸法とも称する。貫通第１寸法ＯＳ３は、例えば、１μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよい。貫通第１寸法ＯＳ３は、例えば、１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよい。貫通第１寸法ＯＳ３の範囲は、１μｍ、３μｍ及び５μｍからなる第１グループ、及び／又は、１０μｍ、２０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。貫通第１寸法ＯＳ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。貫通第１寸法ＯＳ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。貫通第１寸法ＯＳ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１μｍ以上５μｍ以下でもよく、１μｍ以上３μｍ以下でもよく、３μｍ以上５０μｍ以下でもよく、３μｍ以上２０μｍ以下でもよく、３μｍ以上１０μｍ以下でもよく、３μｍ以上５μｍ以下でもよく、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよい。

貫通孔重なり領域５６は、マスク第２方向Ｅ２において貫通第２寸法ＯＳ４を有する。貫通孔重なり領域５６の貫通第２寸法ＯＳ４は、第２貫通孔５３Ｂのマスク第４寸法ＥＳ２２と同一であってもよい。すなわち、マスク第１方向Ｅ１における第２貫通孔５３Ｂの端部が、マスク第２方向Ｅ２の全域にわたって第１貫通孔５３Ａに重なっていてもよい。貫通第２寸法ＯＳ４は、貫通第１寸法ＯＳ３よりも大きくてもよい。貫通第２寸法ＯＳ４は、貫通第１寸法ＯＳ３の寸法ＯＳ３の５倍以上であってもよく、１０倍以上であってもよく、５０倍以上であってもよく、１００倍以上であってもよい。

図１７において、符号ＯＧ３は、マスク第１方向Ｅ１において隣り合う２つの貫通孔重なり領域５６の間の間隔を表す。好ましくは、マスク第１方向Ｅ１における貫通孔重なり領域５６の間の間隔ＯＧ３は、素子第１方向Ｇ１における素子１１５の間の間隔である上述の素子第１間隔よりも大きい。

次に、第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂと第１マスク５０Ａとの位置関係について説明する。図１６及び図１７に示すように、第２遮蔽領域５４Ｂは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ２以上の第１貫通孔５３Ａに重なるようにマスク第１方向Ｅ１に広がっていてもよい。

第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数は、例えば、２個以上でもよく、５個以上でもよく、１０個以上でもよく、５０個以上でもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数は、例えば、１００個以下でもよく、２００個以下でもよく、５００個以下でもよく、１０００個以下でもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数の範囲は、２個、５個、１０個及び５０個からなる第１グループ、及び／又は、１００個、２００個、５００個及び１０００個からなる第２グループによって定められてもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２個以上１０００個以下でもよく、２個以上５００個以下でもよく、２個以上２００個以下でもよく、２個以上１００個以下でもよく、２個以上５０個以下でもよく、２個以上１０個以下でもよく、２個以上５個以下でもよく、５個以上１０００個以下でもよく、５個以上５００個以下でもよく、５個以上２００個以下でもよく、５個以上１００個以下でもよく、５個以上５０個以下でもよく、５個以上１０個以下でもよく、１０個以上１０００個以下でもよく、１０個以上５００個以下でもよく、１０個以上２００個以下でもよく、１０個以上１００個以下でもよく、１０個以上５０個以下でもよく、５０個以上１０００個以下でもよく、５０個以上５００個以下でもよく、５０個以上２００個以下でもよく、５０個以上１００個以下でもよく、１００個以上１０００個以下でもよく、１００個以上５００個以下でもよく、１００個以上２００個以下でもよく、２００個以上１０００個以下でもよく、２００個以上５００個以下でもよく、５００個以上１０００個以下でもよい。

第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂは、第１マスク５０Ａの第１遮蔽領域５４Ａに重なっていてもよい。例えば、第２遮蔽領域５４Ｂは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ２以上の第１遮蔽領域５４Ａに重なるようにマスク第１方向Ｅ１に広がっていてもよい。第１遮蔽領域５４Ａと第２遮蔽領域５４Ｂとが重なるマスク積層体５５の領域を、マスク重なり領域５７とも称する。マスク重なり領域５７は、図１６及び図１７に示すように、マスク第１方向Ｅ１に沿って並んでいてもよい。また、マスク重なり領域５７は、マスク第２方向Ｅ２に延びていてもよい。

図１６及び図１７に示すように、マスク重なり領域５７は、マスク第１方向Ｅ１における遮蔽第１寸法ＦＳ３と、マスク第２方向Ｅ２における遮蔽第２寸法ＦＳ４と、を有する。マスク重なり領域５７の遮蔽第１寸法ＦＳ３は、素子１１５の上述の寸法ＧＳ１よりも大きくてもよい。

遮蔽第２寸法ＦＳ４は、遮蔽第１寸法ＦＳ３よりも大きくてもよい。遮蔽第１寸法ＦＳ３に対する遮蔽第２寸法ＦＳ４の比であるＦＳ４／ＦＳ３は、例えば、２以上でもよく、３以上でもよく、５以上でもよい。ＦＳ４／ＦＳ３は、例えば、１０以下でもよく、２０以下でもよく、５０以下でもよい。ＦＳ４／ＦＳ３の範囲は、２、３及び５からなる第１グループ、及び／又は、１０、２０及び５０からなる第２グループによって定められてもよい。ＦＳ４／ＦＳ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＦＳ４／ＦＳ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＦＳ４／ＦＳ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２以上５０以下でもよく、２以上２０以下でもよく、２以上１０以下でもよく、２以上５以下でもよく、２以上３以下でもよく、３以上５０以下でもよく、３以上２０以下でもよく、３以上１０以下でもよく、３以上５以下でもよく、５以上５０以下でもよく、５以上２０以下でもよく、５以上１０以下でもよく、１０以上５０以下でもよく、１０以上２０以下でもよく、２０以上５０以下でもよい。

遮蔽第１寸法ＦＳ３は、例えば、１００μｍ以上でもよく、１５０μｍ以上でもよく、２００μｍ以上でもよい。遮蔽第１寸法ＦＳ３は、例えば、２５０μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよく、５００μｍ以下でもよい。遮蔽第１寸法ＦＳ３の範囲は、１００μｍ、１５０μｍ及び２００μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５０μｍ、３００μｍ及び５００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。遮蔽第１寸法ＦＳ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。遮蔽第１寸法ＦＳ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。遮蔽第１寸法ＦＳ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上５００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、２５０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、２５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、３００μｍ以上５００μｍ以下でもよい。

ＥＳ１１、ＥＳ２１、ＥＳ１２、ＥＳ２２、ＥＳ１３、ＥＳ２３、ＦＳ３、ＦＳ４、ＯＳ３、ＯＧ３などの、マスク５０又はマスク積層体５５の各構成要素の寸法、間隔などは、走査型電子顕微鏡を用いてマスク５０又はマスク積層体５５の断面の画像を観察することによって測定することができる。

次に、有機デバイス１００を製造する方法の一例について、図３、図４、図１８及び図１９を参照して説明する。図３、図４、図１８及び図１９に示されている範囲はいずれも、図２の有機デバイス１００において符号Ｂ１が付された二点鎖線で囲まれた領域に相当する。

まず、図１８に示すように、第１電極１２０が形成されている基板１１０を準備する。第１電極１２０は、例えば、第１電極１２０を構成する導電層をスパッタリング法などによって基板１１０に形成した後、フォトリソグラフィー法などによって導電層をパターニングすることによって形成される。図示はしないが、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０が基板１１０に形成されていてもよい。

続いて、図４に示すように、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含む有機層１３０を第１電極１２０上に形成する。第１有機層１３０Ａは、例えば、第１有機層１３０Ａに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。例えば、マスクを介して第１有機層１３０Ａに対応する第１電極１２０上に有機材料などを蒸着させることにより、第１有機層１３０Ａを形成することができる。第２有機層１３０Ｂも、第２有機層１３０Ｂに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。第３有機層１３０Ｃも、第３有機層１３０Ｃに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。

続いて、有機層１３０上に上述のマスク群を用いて第２電極１４０を形成する第２電極形成工程を実施してもよい。まず、図１９に示すように、第１マスク５０Ａを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する工程を実施してもよい。例えば、第１マスク５０Ａを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させることにより、第１層１４０Ａを形成することができる。続いて、第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する工程を実施してもよい。例えば、第２マスク５０Ｂを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させることにより、第２層１４０Ｂを形成することができる。このようにして、図３に示すように、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含む第２電極１４０を形成することができる。

なお、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを形成する順序は特には限定されない。例えば、第２層１４０Ｂを形成した後に第１層１４０Ａを形成してもよい。

第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを備えるマスク群を用いて第２電極１４０を形成することによって実現されることができる効果を説明する。

互いに重ねられた第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを含むマスク積層体５５において、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂは、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａに部分的に重なっている。このため、第１貫通孔５３Ａに対応して形成される第２電極１４０の第１層１４０Ａと、第２貫通孔５３Ｂに対応して形成される第２電極１４０の第２層１４０Ｂとが、部分的に重なることができる。これにより、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとを電気的に接続することができる。また、平面視において第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含む電極重なり領域１４５は、その他の第２電極１４０に比べて、低い電気抵抗を有することができる。これにより、第２電極１４０全体の電気抵抗を低減することができる。また、図３に示すように複数の電極重なり領域１４５が基板１１０の面内方向に並ぶことにより、第２電極１４０の電気抵抗が局所的に高くなることを抑制できる。

また、第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂは拡張遮蔽領域５４ｘを含んでいる。拡張遮蔽領域５４ｘは、マスク積層体５５において、第１マスク５０Ａの複数の第１貫通孔５３Ａに重なるように広がっている。これにより、第２マスク５０Ｂの拡張遮蔽領域５４ｘが、第１マスク５０Ａの第１遮蔽領域５４Ａに重なることができる。拡張遮蔽領域５４ｘと第１遮蔽領域５４Ａとが重なるマスク重なり領域５７においては第２電極１４０が形成されない。これにより、有機デバイス１００が、第２電極１４０を含まない透過領域１０４を備えることができる。このため、有機デバイス１００に到達した光が透過領域１０４を透過して基板１１０の裏側の光学部品に到達することができる。また、第１貫通孔５３Ａと拡張遮蔽領域５４ｘとが重なる領域においては、第２電極１４０の第１層１４０Ａを含む素子１１５を形成することができる。このため、透過領域１０４を備える上述の第２表示領域１０２に映像を表示することができる。

また、２枚のマスクを含むマスク群を用いて第２電極１４０を形成することにより、３枚のマスクを含むマスク群を用いて第２電極１４０を形成する場合に比べて、第２電極１４０の位置精度を高めることができる。

また、マスク群の各マスク５０Ａ，５０Ｂは、マスク第２方向Ｅ２に延びる貫通孔５３を含んでいる。マスク第２方向Ｅ２が、マスク５０に加えられる張力の方向であるフレーム第２方向Ｄ２に平行である場合、貫通孔５３が延びる方向が、張力の方向に一致することができる。これにより、マスク５０に張力を加えることによってマスク５０の貫通孔５３が変形することを抑制できる。

好ましくは、上述のとおり、第１貫通孔５３Ａのマスク第１寸法ＥＳ１１及び第２貫通孔５３Ｂのマスク第２寸法ＥＳ２１が、素子１１５の寸法ＧＳ１よりも大きい。これにより、上述の特許文献１のようにマスクの貫通孔が画素と同等の配列や寸法を有する場合に比べて、第２電極１４０の寸法を大きくできる。このため、第２電極１４０の電気抵抗を低減し易い。
また、貫通孔５３の寸法を大きくすることにより、マスク第１方向Ｅ１における第１マスク５０Ａの第１遮蔽領域５４Ａの寸法及び第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂの寸法を同様に大きくすることができる。このため、上述の特許文献１のようにマスクの貫通孔が画素と同等の配列や寸法を有する場合に比べて、マスク５０の強度を高くすることができる。また、磁石５を用いる場合にマスク５０に生じる磁力を高くすることができるので、マスク５０を基板１１０の側により強く引き寄せることができる。

次に、マスク群を用いて有機デバイス１００の第２電極１４０を形成するその他の例について、図２０〜図２４を参照して説明する。図２０〜図２４に示す実施の形態において、図１〜図１９に示す実施の形態と同様に構成される部分については、図１〜図１９に示す実施の形態と同一の符号を用いて、重複する説明を省略する場合がある。

図２０は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を拡大して示す平面図である。図２０に示す有機デバイス１００の範囲は、上述の図３と同様に、図２の有機デバイス１００において符号Ｂ１が付された二点鎖線で囲まれた領域に対応している。図２１は、図２０の有機デバイス１００から第２電極１４０を取り除いた状態を示す平面図である。

図２１に示すように、第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２は、素子第２方向Ｇ２に並ぶ第１素子１１５Ａの列と、素子第２方向Ｇ２に並ぶ第２素子１１５Ｂの列と、素子第２方向Ｇ２に並ぶ第３素子１１５Ｃの列と、を含んでいてもよい。第１表示領域１０１は、素子第１方向Ｇ１において順に並ぶ第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃの行を含んでいてもよい。

図２０及び図２１に示す例においても、第１表示領域１０１の第２電極１４０は、素子第２方向Ｇ２に延びる第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいてもよい。第１表示領域１０１において、素子第１方向Ｇ１における第１層１４０Ａの端部と第２層１４０Ｂの端部とが部分的に重なっていてもよい。複数の電極重なり領域１４５が基板１１０の面内方向に並ぶことにより、第２電極１４０の電気抵抗が局所的に高くなることを抑制できる。

図２０及び図２１に示す例においても、第２表示領域１０２は、第１層１４０Ａを含む素子１１５を備える標準領域１０３と、第２電極１４０を含まない透過領域１０４と、を含んでいてもよい。これにより、第２表示領域１０２は、例えば、光を検出するとともに映像を表示することができる。

図２２は、図２０に示す第１層１４０Ａを形成するために用いられる第１マスク５０Ａを示す平面図である。図２２に示す第１マスク５０Ａの範囲は、上述の図１３と同様に、図１２の第１マスク５０Ａにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域に対応している。

図２２に示すように、第１貫通孔５３Ａは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なるようにマスク第２方向Ｅ２に延びている。第１遮蔽領域５４Ａは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なる領域と、有機層１３０に重ならない領域と、を含む。有機層１３０に重ならない第１遮蔽領域５４Ａの領域は、マスク第１方向Ｅ１において、有機層１３０に重なる第１貫通孔５３Ａの間に位置する。

図２３は、図２０に示す第２層１４０Ｂを形成するために用いられる第２マスク５０Ｂを示す平面図である。図２３に示す第２マスク５０Ｂの範囲は、上述の図１５と同様に、図１４の第２マスク５０Ｂにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域に対応している。

図２３に示すように、第２貫通孔５３Ｂは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なる。第２遮蔽領域５４Ｂは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なる領域と、拡張遮蔽領域５４ｘと、を含む。拡張遮蔽領域５４ｘは、平面視において、上述の間隔ＧＧ１１、間隔ＧＧ１２又は間隔ＧＧ１３よりも大きい間隔でマスク第１方向Ｅ１に並ぶ有機層１３０に重なるようにマスク第１方向Ｅ１に広がっている。

図２４は、図２２の第１マスク５０Ａと、第１マスク５０Ａに重ねられた図２３の第２マスク５０Ｂとを備えるマスク積層体５５を示す平面図である。図２４においては、上述の図１６及び図１７と同様に、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａが一点鎖線で示され、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂが実線で示されている。また、第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂには斜線の網掛けが施されている。第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂは、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａに部分的に重なっていてもよい。これにより、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが部分的に重なることができる。貫通孔重なり領域５６は、マスク第１方向Ｅ１に沿って並んでいてもよい。また、貫通孔重なり領域５６は、マスク第２方向Ｅ２に延びていてもよい。

図２４に示すように、第２遮蔽領域５４Ｂは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ２以上の第１貫通孔５３Ａに重なるようにマスク第１方向Ｅ１に広がっていてもよい。これにより、第２マスク５０Ｂの拡張遮蔽領域５４ｘが、第１マスク５０Ａの第１遮蔽領域５４Ａに重なることができる。このため、有機デバイス１００が、第２電極１４０を含まない透過領域１０４を備えることができる。また、第１貫通孔５３Ａと拡張遮蔽領域５４ｘとが重なる領域においては、第２電極１４０の第１層１４０Ａを含む素子１１５を形成することができる。このため、透過領域１０４を備える上述の第２表示領域１０２に映像を表示することができる。

次に、マスク群を用いて有機デバイス１００の第２電極１４０を形成するその他の例について、図２５〜図２９を参照して説明する。図２５〜図２９に示す実施の形態において、図１〜図１９に示す実施の形態と同様に構成される部分については、図１〜図１９に示す実施の形態と同一の符号を用いて、重複する説明を省略する場合がある。

図２５は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を拡大して示す平面図である。図２５に示す有機デバイス１００の範囲は、上述の図３と同様に、図２の有機デバイス１００において符号Ｂ１が付された二点鎖線で囲まれた領域に対応している。図２６は、図２５の有機デバイス１００から第２電極１４０を取り除いた状態を示す平面図である。

図２６に示すように、第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２は、素子第２方向Ｇ２に沿って交互に並ぶ第１素子１１５Ａ及び第２素子１１５Ｂの列と、素子第２方向Ｇ２に沿って並ぶ第３素子１１５Ｃの列と、を含んでいてもよい。素子第２方向Ｇ２における第３素子１１５Ｃの位置は、第１素子１１５Ａ又は第２素子１１５Ｂの位置に対して、素子第１方向Ｇ１における素子１１５の周期Ｓ１５の半分の距離でずれていてもよい。また、第１表示領域１０１は、素子第１方向Ｇ１に沿って交互に並ぶ第１素子１１５Ａ及び第２素子１１５Ｂの列と、素子第１方向Ｇ１に沿って並ぶ第３素子１１５Ｃの列と、を含んでいてもよい。素子第１方向Ｇ１における第３素子１１５Ｃの位置は、第１素子１１５Ａ又は第２素子１１５Ｂの位置に対して、素子第２方向Ｇ２における素子１１５の周期Ｓ２５の半分の距離でずれていてもよい。１つの素子１１５は、１つの第１素子１１５Ａ、１つの第２素子１１５Ｂ及び２つの第３素子１１５Ｃを含んでいてもよい。

図２５及び図２６に示す例においても、第１表示領域１０１の第２電極１４０は、素子第２方向Ｇ２に延びる第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいてもよい。第１表示領域１０１において、素子第１方向Ｇ１における第１層１４０Ａの端部と第２層１４０Ｂの端部とが部分的に重なっていてもよい。複数の電極重なり領域１４５が基板１１０の面内方向に並ぶことにより、第２電極１４０の電気抵抗が局所的に高くなることを抑制できる。

図２５及び図２６に示す例においても、第２表示領域１０２は、第１層１４０Ａを含む素子１１５を備える標準領域１０３と、第２電極１４０を含まない透過領域１０４と、を含んでいてもよい。これにより、第２表示領域１０２は、例えば、光を検出するとともに映像を表示することができる。

図２７は、図２５に示す第１層１４０Ａを形成するために用いられる第１マスク５０Ａを示す平面図である。図２７に示す第１マスク５０Ａの範囲は、上述の図１３と同様に、図１２の第１マスク５０Ａにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域に対応している。

図２７に示すように、第１貫通孔５３Ａは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なるようにマスク第２方向Ｅ２に延びている。第１遮蔽領域５４Ａは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なる領域と、有機層１３０に重ならない領域と、を含む。有機層１３０に重ならない第１遮蔽領域５４Ａの領域は、マスク第１方向Ｅ１において、有機層１３０に重なる第１貫通孔５３Ａの間に位置する。

図２８は、図２５に示す第２層１４０Ｂを形成するために用いられる第２マスク５０Ｂを示す平面図である。図２８に示す第２マスク５０Ｂの範囲は、上述の図１５と同様に、図１４の第２マスク５０Ｂにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域に対応している。

図２８に示すように、第２貫通孔５３Ｂは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なる。第２遮蔽領域５４Ｂは、平面視において、マスク第２方向Ｅ２に沿って周期的に並ぶ有機層１３０に重なる領域と、拡張遮蔽領域５４ｘと、を含む。拡張遮蔽領域５４ｘは、平面視において、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ有機層１３０に重なるようにマスク第１方向Ｅ１に広がっている。

図２９は、図２７の第１マスク５０Ａと、第１マスク５０Ａに重ねられた図２８の第２マスク５０Ｂとを備えるマスク積層体５５を示す平面図である。図２９においては、上述の図１６及び図１７と同様に、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａが一点鎖線で示され、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂが実線で示されている。また、第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂには斜線の網掛けが施されている。第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂは、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａに部分的に重なっていてもよい。これにより、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが部分的に重なることができる。貫通孔重なり領域５６は、マスク第１方向Ｅ１に沿って並んでいてもよい。また、貫通孔重なり領域５６は、マスク第２方向Ｅ２に延びていてもよい。

図２９に示すように、第２遮蔽領域５４Ｂは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ２以上の第１貫通孔５３Ａに重なるようにマスク第１方向Ｅ１に広がっていてもよい。これにより、第２マスク５０Ｂの拡張遮蔽領域５４ｘが、第１マスク５０Ａの第１遮蔽領域５４Ａに重なることができる。このため、有機デバイス１００が、第２電極１４０を含まない透過領域１０４を備えることができる。また、第１貫通孔５３Ａと拡張遮蔽領域５４ｘとが重なる領域においては、第２電極１４０の第１層１４０Ａを含む素子１１５を形成することができる。このため、透過領域１０４を備える上述の第２表示領域１０２に映像を表示することができる。

図３０は、有機デバイス１００の一変形例を示す平面図である。上述の実施の形態においては、素子第１方向Ｇ１に並ぶ電極重なり領域１４５の間の間隔ＯＧ１が、素子第１方向Ｇ１における素子１１５の寸法ＧＳ１にほぼ等しい例を示した。しかしながら、間隔ＯＧ１が上述の素子第１間隔よりも大きい限りにおいて、間隔ＯＧ１は任意である。例えば図３０に示すように、間隔ＯＧ１は、素子１１５の寸法ＧＳ１に比べて、素子第１方向Ｇ１における１つのサブピクセルの寸法の分だけ大きくてもよい。

図３０は、有機デバイス１００の一変形例を示す平面図である。図３１に示すように、第１表示領域１０１から第２表示領域１０２へ連続的に延びる第１層１４０Ａは、第２表示領域１０２において、有機層１３０と重ならない領域を含んでいてもよい。

次に、マスク群を用いて有機デバイス１００の第２電極１４０を形成するその他の例について、図３２〜図４０を参照して説明する。図３２〜図４０に示す実施の形態において、図１〜図１９に示す実施の形態と同様に構成される部分については、図１〜図１９に示す実施の形態と同一の符号を用いて、重複する説明を省略する場合がある。

図３２は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を示す平面図である。図３２に示す有機デバイス１００の範囲は、上述の図２と同様に、図１の有機デバイス１００において符号Ａ１が付された二点鎖線で囲まれた領域に対応している。

第１表示領域１０１は、素子第１方向Ｇ１に沿って交互に並ぶ第１の列１４６Ａ及び第２の列１４６Ｂを含む。第１の列１４６Ａ及び第２の列１４６Ｂはいずれも、素子第２基本周期Ｓ２１で素子第２方向Ｇ２に並ぶ素子１１５を含む。素子１１５の第２電極１４０は、第１層１４０Ａ又は第２層１４０Ｂである。具体的には、第１の列１４６Ａは、素子第２方向Ｇ２に沿って素子第２基本周期Ｓ２１で交互に並ぶ第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含む。同様に、第２の列１４６Ｂも、素子第２方向Ｇ２に沿って素子第２基本周期Ｓ２１で交互に並ぶ第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含む。素子第２方向Ｇ２における第２の列１４６Ｂの第１層１４０Ａの位置は、第１の列１４６Ａの第１層１４０Ａの位置に対して、素子第２基本周期Ｓ２１の距離でずれている。同様に、素子第２方向Ｇ２における第２の列１４６Ｂの第２層１４０Ｂの位置は、第１の列１４６Ａの第２層１４０Ｂの位置に対して、素子第２基本周期Ｓ２１の距離でずれていてもよい。

図３２に示す第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂの配列はそれぞれ、千鳥配列と表現することもできる。第２層１４０Ｂは、素子第１方向Ｇ１に並ぶ２つの第１層１４０Ａの間に位置している。また、第２層１４０Ｂは、素子第２方向Ｇ２に並ぶ２つの第１層１４０Ａの間に位置している。

図３３は、図３２の有機デバイス１００において符号Ｂ１が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。図３２及び図３３に示すように、第２表示領域１０２は、素子第１方向Ｇ１に沿って交互に並ぶ第１の列１４７Ａ及び第２の列１４７Ｂを含む。第１の列１４７Ａは、素子第２基本周期Ｓ２１で素子第２方向Ｇ２に並ぶ素子１１５を含む。言い換えると、第１の列１４７Ａは、素子第２基本周期Ｓ２１で素子第２方向Ｇ２に並ぶ標準領域１０３を含む。第１の列１４７Ａは、素子第２方向Ｇ２に沿って素子第２基本周期Ｓ２１で交互に並ぶ第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいてもよい。第１表示領域１０１の第１の列１４６Ａと第２表示領域１０２の第１の列１４７Ａとが素子第２方向Ｇ２において並んでいてもよい。

一方、第２表示領域１０２の第２の列１４７Ｂは、素子第２方向Ｇ２に沿って素子第２基本周期Ｓ２１で交互に並ぶ第１層１４０Ａ及び透過領域１０４を含む。言い換えると、第２の列１４７Ｂは、素子第２方向Ｇ２に沿って素子第２基本周期Ｓ２１で交互に並ぶ標準領域１０３及び透過領域１０４を含む。透過領域１０４は、素子１１５を含んでいない。例えば、透過領域１０４は、第２電極１４０を含んでいない。図３２に示すように、透過領域１０４は、素子第１拡張周期Ｓ１２で素子第１方向Ｇ１に並んでいてもよい。第２層１４０Ｂ、すなわち標準領域１０３も、透過領域１０４と同様に、素子第１拡張周期Ｓ１２で素子第１方向Ｇ１に並んでいてもよい。素子第１拡張周期Ｓ１２は、素子第１基本周期Ｓ１１の２倍であってもよい。また、透過領域１０４は、素子第２拡張周期Ｓ２２で素子第２方向Ｇ２に並んでいてもよい。第２層１４０Ｂも透過領域１０４と同様に、素子第２拡張周期Ｓ２２で素子第２方向Ｇ２に並んでいてもよい。素子第２拡張周期Ｓ２２は、素子第２基本周期Ｓ２１の２倍であってもよい。

第２表示領域１０２が標準領域１０３及び透過領域１０４を含むことにより、第２表示領域１０２は、例えば、光を検出するとともに映像を表示することができる。

図３４は、図３３の有機デバイス１００から第２電極を取り除いた状態を示す平面図である。図３４に示す例において、第１表示領域１０１における第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃの配列は、上述の図４に示す配列と同一である。図示はしないが、図３２〜図４０に示す例において、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃのその他の配列が採用されてもよい。例えば、図２１に示す配列、図２６に示す配列などを採用してもよい。

図３３及び図３４に示すように、透過領域１０４の透過第１寸法ＦＳ１は、素子１１５の寸法ＧＳ１よりも大きくてもよい。透過第１寸法ＦＳ１は、素子第１間隔よりも大きくてもよい。素子第１間隔は、間隔ＧＧ１１、間隔ＧＧ１２及び間隔ＧＧ１３の中で最も小さい間隔である。同様に、透過領域１０４の透過第２寸法ＦＳ２は、素子１１５の寸法ＧＳ１よりも大きくてもよい。

透過第１寸法ＦＳ１に対する透過第２寸法ＦＳ２の比であるＦＳ２／ＦＳ１は、例えば、０．５以上でもよく、０．７以上でもよく、０．９以上でもよい。ＦＳ２／ＦＳ１は、例えば、１．１以下でもよく、１．３以下でもよく、１．５以下でもよい。ＦＳ２／ＦＳ１の範囲は、０．５、０．７及び０．９からなる第１グループ、及び／又は、１．１、１．３及び１．５からなる第２グループによって定められてもよい。ＦＳ２／ＦＳ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＦＳ２／ＦＳ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＦＳ２／ＦＳ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．５以上１．５以下でもよく、０．５以上１．３以下でもよく、０．５以上１．１以下でもよく、０．５以上０．９以下でもよく、０．５以上０．７以下でもよく、０．７以上１．５以下でもよく、０．７以上１．３以下でもよく、０．７以上１．１以下でもよく、０．７以上０．９以下でもよく、０．９以上１．５以下でもよく、０．９以上１．３以下でもよく、０．９以上１．１以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよい。

図３３に示すように、第２層１４０Ｂは、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２において第１層１４０Ａに隣接していてもよい。素子第１方向Ｇ１における第１層１４０Ａの端部と第２層１４０Ｂの端部とが部分的に重なっていてもよい。また、素子第２方向Ｇ２における第１層１４０Ａの端部と第２層１４０Ｂの端部とが部分的に重なっていてもよい。この場合、電極重なり領域１４５は、素子第１方向Ｇ１に並ぶ第１電極重なり領域１４５Ａと、素子第２方向Ｇ２に並ぶ第２電極重なり領域１４５Ｂと、を含んでいてもよい。第１電極重なり領域１４５Ａは、素子第１方向Ｇ１における第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとの間の境界に位置し、素子第２方向Ｇ２に延びていてもよい。第２電極重なり領域１４５Ｂは、素子第２方向Ｇ２における第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとの間の境界に位置し、素子第１方向Ｇ１に延びていてもよい。

電極重なり領域１４５が素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に並ぶことにより、第２電極１４０の電気抵抗が局所的に高くなることを抑制できる。

素子第１方向Ｇ１における電極重なり領域１４５の間の間隔ＯＧ１は、上述の素子第１間隔よりも大きくてもよい。同様に、素子第２方向Ｇ２における電極重なり領域１４５の間の間隔ＯＧ２は、上述の素子第１間隔よりも大きくてもよい。

素子第１方向Ｇ１における電極重なり領域１４５の寸法ＯＳ１は、上述の実施の形態の場合と同様に、例えば、１μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよい。寸法ＯＳ１は、例えば、１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよい。寸法ＯＳ１の範囲は、１μｍ、３μｍ及び５μｍからなる第１グループ、及び／又は、１０μｍ、２０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。

素子第２方向Ｇ２における電極重なり領域１４５の寸法ＯＳ２は、寸法ＯＳ１と同様に、例えば、１μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよい。寸法ＯＳ２は、例えば、１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよい。寸法ＯＳ２の範囲は、１μｍ、３μｍ及び５μｍからなる第１グループ、及び／又は、１０μｍ、２０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。

図３５は、図３２に示す有機デバイス１００の第１層１４０Ａを形成するために用いられる第１マスク５０Ａを示す平面図である。第１マスク５０Ａは、マスク第１方向Ｅ１に沿って交互に並ぶ第１の列５８Ａ及び第２の列５８Ｂを含む。第１の列５８Ａ及び第２の列５８Ｂはいずれも、貫通孔第２拡張周期Ｓ２４でマスク第２方向Ｅ２に並ぶ第１貫通孔５３Ａを含む。マスク第２方向Ｅ２における第２の列５８Ｂの第１貫通孔５３Ａの位置は、第１の列５８Ａの第１貫通孔５３Ａの位置に対して、貫通孔第２拡張周期Ｓ２４の半分の距離でずれていてもよい。

図３５に示す第１貫通孔５３Ａの配列は、千鳥配列と表現することもできる。第１貫通孔５３Ａは、マスク第１方向Ｅ１において貫通孔第１拡張周期Ｓ１４で並び、マスク第２方向Ｅ２において貫通孔第２拡張周期Ｓ２４で並んでいる。第１貫通孔５３Ａの間には第１遮蔽領域５４Ａが存在している。

マスク第１寸法ＥＳ１１は、上述の実施の形態の場合と同様に、例えば、５０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、１５０μｍ以上でもよい。マスク第１寸法ＥＳ１１は、例えば、２００μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよく、５００μｍ以下でもよい。マスク第１寸法ＥＳ１１の範囲は、５０μｍ、１００μｍ及び１５０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２００μｍ、３００μｍ及び５００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。

マスク第２寸法ＥＳ２１は、マスク第１寸法ＥＳ１１と同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、マスク第２寸法ＥＳ２１がマスク第１寸法ＥＳ１１よりも大きくてもよい。マスク第２寸法ＥＳ２１がマスク第１寸法ＥＳ１１よりも小さくてもよい。

マスク第１寸法ＥＳ１１に対するマスク第２寸法ＥＳ２１の比であるＥＳ２１／ＥＳ１１は、例えば、０．５以上でもよく、０．７以上でもよく、０．９以上でもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１は、例えば、１．１以下でもよく、１．３以下でもよく、１．５以下でもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲は、０．５、０．７及び０．９からなる第１グループ、及び／又は、１．１、１．３及び１．５からなる第２グループによって定められてもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．５以上１．５以下でもよく、０．５以上１．３以下でもよく、０．５以上１．１以下でもよく、０．５以上０．９以下でもよく、０．５以上０．７以下でもよく、０．７以上１．５以下でもよく、０．７以上１．３以下でもよく、０．７以上１．１以下でもよく、０．７以上０．９以下でもよく、０．９以上１．５以下でもよく、０．９以上１．３以下でもよく、０．９以上１．１以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよい。

図３６は、図３５の第１マスク５０Ａにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。領域Ｂ２は、図３３に示す有機デバイス１００に対応している。図３３に示す有機デバイス１００の第２電極１４０の第１層１４０Ａは、図３６の第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａを通った蒸着材料によって形成される。

第１遮蔽領域５４Ａは、平面視において、有機層１３０に重なる領域と、有機層１３０に重ならない領域と、を含む。第１遮蔽領域５４Ａは、マスク第１方向Ｅ１及びマスク第２方向Ｅ２に対して傾斜した方向において隣り合う２つの領域を連結する連結領域５４ｃを含んでいてもよい。連結領域５４ｃの幅は任意である。第１貫通孔５３Ａの形状を調整することにより、連結領域５４ｃの幅を調整することができる。

図３７は、図３２に示す有機デバイス１００の第２層１４０Ｂを形成するために用いられる第２マスク５０Ｂを示す平面図である。第２マスク５０Ｂは、第１マスク５０Ａと同様に、マスク第１方向Ｅ１に沿って交互に並ぶ第１の列５９Ａ及び第２の列５９Ｂを含む。第１の列５８Ａ及び第２の列５８Ｂはいずれも、貫通孔第２拡張周期Ｓ２４でマスク第２方向Ｅ２に並ぶ第２貫通孔５３Ｂを含む。マスク第２方向Ｅ２における第２の列５９Ｂの第２貫通孔５３Ｂの位置は、第１の列５９Ａの第２貫通孔５３Ｂの位置に対して、貫通孔第２拡張周期Ｓ２４の半分の距離でずれていてもよい。第２貫通孔５３Ｂの間には第２遮蔽領域５４Ｂが存在している。

第２遮蔽領域５４Ｂは、マスク第１方向Ｅ１及びマスク第２方向Ｅ２に並ぶ複数の第２貫通孔５３Ｂに接続されている拡張遮蔽領域５４ｘを含んでいてもよい。例えば、拡張遮蔽領域５４ｘは、貫通孔第１拡張周期Ｓ１４でマスク第１方向Ｅ１に並ぶ複数の第２貫通孔５３Ｂを含む第１の行及び第２の行の間で、素子第１方向Ｇ１に広がっていてもよい。また、拡張遮蔽領域５４ｘは、貫通孔第２拡張周期Ｓ２４でマスク第２方向Ｅ２に並ぶ複数の第２貫通孔５３Ｂを含む第２の列及び第２の列の間で、マスク第２方向Ｅ２に広がっていてもよい。

第２貫通孔５３Ｂのマスク第３寸法ＥＳ１２の範囲としては、上述の第１貫通孔５３Ａのマスク第１寸法ＥＳ１１の範囲を採用することができる。マスク第３寸法ＥＳ１２に対する、第２貫通孔５３Ｂのマスク第４寸法ＥＳ２２の比であるＥＳ２２／ＥＳ１２の範囲としては、上述の第１貫通孔５３ＡのＥＳ２１／ＥＳ１１の範囲を採用することができる。

図３７において、符号ＥＳ１３は、上述の実施の形態の場合と同様に、マスク第１方向Ｅ１における拡張遮蔽領域５４ｘの最大の寸法である拡張遮蔽第１寸法を表す。符号ＥＳ２３は、マスク第２方向Ｅ２における拡張遮蔽領域５４ｘの最大の寸法である拡張遮蔽第２寸法を表す。上述の実施の形態の場合と同様に、拡張遮蔽領域５４ｘの範囲内における第２貫通孔５３Ｂの分布密度は、第２マスク５０Ｂのその他の領域における第２貫通孔５３Ｂの分布密度よりも小さい。

拡張遮蔽領域５４ｘの拡張遮蔽第１寸法ＥＳ１３及び拡張遮蔽第２寸法ＥＳ２３は、上述の実施の形態の場合と同様に、例えば、１ｍｍ以上でもよく、３ｍｍ以上でもよく、５ｍｍ以上でもよい。寸法ＥＳ１３及び寸法ＥＳ２３は、例えば、１０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以下でもよい。寸法ＥＳ１３及び寸法ＥＳ２３の範囲は、１ｍｍ、３ｍｍ及び５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１０ｍｍ、２０ｍｍ及び５０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。ＥＳ１３／ＥＳ１２は、上述の実施の形態の場合と同様に、例えば、２以上でもよく、５以上でもよく、１０以上でもよい。ＥＳ１３／ＥＳ１２は、例えば、２０以下でもよく、５０以下でもよく、１００以下でもよい。ＥＳ１３／ＥＳ１２の範囲は、２、５及び１０からなる第１グループ、及び／又は、２０、５０及び１００からなる第２グループによって定められてもよい。

図３８は、図３７の第２マスク５０Ｂにおいて符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。領域Ｂ２は、図３３に示す有機デバイス１００に対応している。図３３に示す有機デバイス１００の第２電極１４０の第２層１４０Ｂは、図３８の第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂを通った蒸着材料によって形成される。

第２遮蔽領域５４Ｂは、平面視において、有機層１３０に重なる領域と、有機層１３０に重ならない領域と、を含む。有機層１３０に重ならない第２遮蔽領域５４Ｂの領域は、マスク第１方向Ｅ１及びマスク第２方向Ｅ２において、有機層１３０に重なる第２遮蔽領域５４Ｂの領域の間に位置していてもよい。

図３９は、図３５の第１マスク５０Ａと、第１マスク５０Ａに重ねられた図３７の第２マスク５０Ｂとを備えるマスク積層体５５を示す平面図である。図４０は、図３９において符号Ｂ２が付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。また、図４０は、図３６の第１マスク５０Ａと、第１マスク５０Ａに重ねられた図３８の第２マスク５０Ｂとを備えるマスク積層体５５を示す平面図でもある。図３９及び図４０においては、上述の図１６及び図１７と同様に、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａが一点鎖線で示され、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂが実線で示されている。また、第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂには斜線の網掛けが施されている。

マスク積層体５５においては、第１マスク５０Ａの第１アライメントマークＭＡと第２マスク５０Ｂの第２アライメントマークＭＢとが重なるように第１マスク５０Ａと第２マスク５０Ｂとが重ねられていてもよい。若しくは、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａ又は第１遮蔽領域５４Ａの配置と、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂ又は第２遮蔽領域５４Ｂの配置とに基づいて、第１マスク５０Ａと第２マスク５０Ｂとが重ねられていてもよい。例えば、マスク第１方向Ｅ１及びマスク第２方向Ｅ２において第２貫通孔５３Ｂが第１貫通孔５３Ａの間に位置するように、第１マスク５０Ａと第２マスク５０Ｂとが重ねられていてもよい。これにより、図３９及び図４０に示す状態を実現できる。

図３９に示すように、マスク積層体５５は、マスク第１方向Ｅ１に沿って貫通孔第１基本周期Ｓ１３で交互に並ぶ第１貫通孔５３Ａ及び第２貫通孔５３Ｂを含んでいてもよい。貫通孔第１基本周期Ｓ１３は、貫通孔第１拡張周期Ｓ１４の半分であってもよい。また、マスク積層体５５は、マスク第２方向Ｅ２に沿って貫通孔第２基本周期Ｓ２３で交互に並ぶ第１貫通孔５３Ａ及び第２貫通孔５３Ｂを含んでいてもよい。貫通孔第２基本周期Ｓ２３は、貫通孔第２拡張周期Ｓ２４の半分であってもよい。

図３９に示すように、第２マスク５０Ｂの拡張遮蔽領域５４ｘを含む領域においては、マスク第１方向Ｅ１に沿って貫通孔第１拡張周期Ｓ１４で第１貫通孔５３Ａが並んでいてもよい。同様に、第２マスク５０Ｂの拡張遮蔽領域５４ｘを含む領域においては、マスク第２方向Ｅ２に沿って貫通孔第２拡張周期Ｓ２４で第１貫通孔５３Ａが並んでいてもよい。

図３９及び図４０に示すように、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂは、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａに部分的に重なっていてもよい。具体的には、マスク第１方向Ｅ１における第１マスク５０Ａの端部とマスク第１方向Ｅ１における第２貫通孔５３Ｂの端部とが重なっていてもよい。また、マスク第２方向Ｅ２における第１マスク５０Ａの端部とマスク第２方向Ｅ２における第２貫通孔５３Ｂの端部とが重なっていてもよい。この場合、貫通孔重なり領域５６は、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ第１貫通孔重なり領域５６Ａと、マスク第２方向Ｅ２に並ぶ第２貫通孔重なり領域５６Ｂと、を含んでいてもよい。第１貫通孔重なり領域５６Ａは、マスク第１方向Ｅ１における第１貫通孔５３Ａと第２貫通孔５３Ｂとの間の境界に位置し、マスク第２方向Ｅ２に延びていてもよい。第２貫通孔重なり領域５６Ｂは、マスク第２方向Ｅ２における第１貫通孔５３Ａと第２貫通孔５３Ｂとの間の境界に位置し、マスク第１方向Ｅ１に延びていてもよい。

第１貫通孔重なり領域５６Ａの貫通第１寸法ＯＳ３は、上述の実施の形態の場合と同様に、例えば、１μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよい。貫通第１寸法ＯＳ３は、例えば、１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよい。貫通第１寸法ＯＳ３の範囲は、１μｍ、３μｍ及び５μｍからなる第１グループ、及び／又は、１０μｍ、２０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。

第２貫通孔重なり領域５６Ｂの貫通第２寸法ＯＳ４の範囲としては、上述の貫通第１寸法ＯＳ３の範囲を採用することができる。

マスク第１方向Ｅ１における第１貫通孔重なり領域５６Ａの間の間隔ＯＧ３は、上述の素子第１間隔よりも大きくてもよい。また、マスク第２方向Ｅ２における第２貫通孔重なり領域５６Ｂの間の間隔ＯＧ４は、上述の素子第１間隔よりも大きくてもよい。

図３９及び図４０に示すように、第２遮蔽領域５４Ｂは、マスク第１方向Ｅ１に並ぶ２以上の第１貫通孔５３Ａに重なるようにマスク第１方向Ｅ１に広がっていてもよい。また、第２遮蔽領域５４Ｂは、マスク第２方向Ｅ２に並ぶ２以上の第１貫通孔５３Ａに重なるようにマスク第２方向Ｅ２に広がっていてもよい。

第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数は、例えば、４個以上でもよく、１０個以上でもよく、５０個以上でもよく、１００個以上でもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数は、例えば、２００個以下でもよく、５００個以下でもよく、１０００個以下でもよく、２０００個以下でもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数の範囲は、４個、１０個、５０個及び１００個からなる第１グループ、及び／又は、２００個、５００個、１０００個及び２０００個からなる第２グループによって定められてもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２遮蔽領域５４Ｂに重なっている第１貫通孔５３Ａの数の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、４個以上２０００個以下でもよく、４個以上１０００個以下でもよく、４個以上５００個以下でもよく、４個以上２００個以下でもよく、４個以上１００個以下でもよく、４個以上５０個以下でもよく、４個以上１０個以下でもよく、１０個以上２０００個以下でもよく、１０個以上１０００個以下でもよく、１０個以上５００個以下でもよく、１０個以上２００個以下でもよく、１０個以上１００個以下でもよく、１０個以上５０個以下でもよく、５０個以上２０００個以下でもよく、５０個以上１０００個以下でもよく、５０個以上５００個以下でもよく、５０個以上２００個以下でもよく、５０個以上１００個以下でもよく、１００個以上２０００個以下でもよく、１００個以上１０００個以下でもよく、１００個以上５００個以下でもよく、１００個以上２００個以下でもよく、２００個以上２０００個以下でもよく、２００個以上１０００個以下でもよく、２００個以上５００個以下でもよく、５００個以上２０００個以下でもよく、５００個以上１０００個以下でもよく、１０００個以上２０００個以下でもよい。

第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂは、第１マスク５０Ａの第１遮蔽領域５４Ａに重なっていてもよい。第１遮蔽領域５４Ａと第２遮蔽領域５４Ｂとが重なるマスク重なり領域５７は、図３９及び図４０に示すように、マスク第１方向Ｅ１及びマスク第２方向Ｅ２に沿って並んでいてもよい。

図３２〜図４０に示す形態においても、上述の実施の形態の場合と同様に、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５３Ｂは、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５３Ａに部分的に重なっている。このため、第１貫通孔５３Ａに対応して形成される第２電極１４０の第１層１４０Ａと、第２貫通孔５３Ｂに対応して形成される第２電極１４０の第２層１４０Ｂとが、部分的に重なることができる。これにより、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとを電気的に接続することができる。また、平面視において第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含む電極重なり領域１４５は、その他の第２電極１４０に比べて、低い電気抵抗を有することができる。これにより、第２電極１４０全体の電気抵抗を低減することができる。また、電極重なり領域１４５が素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に並ぶことにより、第２電極１４０の電気抵抗が局所的に高くなることを抑制できる。

また、第２マスク５０Ｂの第２遮蔽領域５４Ｂは拡張遮蔽領域５４ｘを含んでいる。拡張遮蔽領域５４ｘは、マスク積層体５５において、第１マスク５０Ａの複数の第１貫通孔５３Ａに重なるように広がっている。これにより、第２マスク５０Ｂの拡張遮蔽領域５４ｘが、第１マスク５０Ａの第１遮蔽領域５４Ａに重なることができる。このため、有機デバイス１００が、第２電極１４０を含まない透過領域１０４を備えることができる。これにより、有機デバイス１００に到達した光が透過領域１０４を透過して基板１１０の裏側の光学部品に到達することができる。また、第１貫通孔５３Ａと拡張遮蔽領域５４ｘとが重なる領域においては、第２電極１４０の第１層１４０Ａを含む素子１１５を形成することができる。このため、透過領域１０４を備える第２表示領域１０２に映像を表示することができる。

図６においては、第２表示領域１０２の透過領域１０４が、第１電極１２０、有機層１３０、第２電極１４０などの素子１１５の構成要素を含まない例を示した。しかしながら、透過領域１０４の透過率が標準領域１０３の透過率よりも高い限りにおいて、透過領域１０４の構成は任意である。例えば図４１に示すように、透過領域１０４は、第１電極１２０を含んでいてもよい。また、図４２に示すように、透過領域１０４は、絶縁層１６０を含んでいてもよい。また、図４３に示すように、透過領域１０４は、第１電極１２０及び絶縁層１６０を含んでいてもよい。また、図４４に示すように、透過領域１０４は、標準領域１０３の絶縁層１６０の一部を含んでいなくてもよい。

上述の各実施の形態においては、第２表示領域１０２が、第１表示領域１０１の素子１１５と同一の構成の素子１１５を部分的に含む例を示した。例えば、第１表示領域１０１における第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃの配列が、第２表示領域１０２の一部にまで連続的に続いている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第２表示領域１０２が、第１表示領域１０１の素子１１５と同一の構成の素子１１５を含んでいなくてもよい。

Claims (20)

1. マスク第１方向と、マスク第１方向に直交するマスク第２方向とを有するマスク群であって、
   マスク第１方向に並ぶ第１貫通孔と、第１遮蔽領域とを含む第１マスクと、
   前記マスク第１方向に並ぶ第２貫通孔と、第２遮蔽領域とを含む第２マスクと、を備え、
   前記第１マスクと前記第２マスクとを重ね合わせた場合、前記第２貫通孔は、前記第１貫通孔に部分的に重なり、且つ、前記第２遮蔽領域は、前記マスク第１方向に並ぶ２以上の前記第１貫通孔に重なるように前記マスク第１方向に広がる拡張遮蔽領域を含む、マスク群。
2. 前記第１貫通孔は、前記マスク第１方向におけるマスク第１寸法を有し、
   前記マスク第１寸法は、５０μｍ以上である、請求項１に記載のマスク群。
3. 前記第１貫通孔は、前記マスク第２方向におけるマスク第２寸法を有し、
   前記マスク第２寸法は、前記マスク第１寸法よりも大きい、請求項１又は２に記載のマスク群。
4. 前記マスク第１寸法に対する前記マスク第２寸法の比は、２以上である、請求項３に記載のマスク群。
5. 前記第２貫通孔は、前記マスク第１方向におけるマスク第３寸法を有し、
   前記マスク第３寸法は５０μｍ以上である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマスク群。
6. 前記第２貫通孔は、前記マスク第２方向におけるマスク第４寸法を有し、
   前記マスク第４寸法は、前記マスク第３寸法よりも大きい、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のマスク群。
7. 前記前記マスク第３寸法に対する前記マスク第４寸法の比は、２以上である、請求項６に記載のマスク群。
8. 前記第１マスク及び前記第１マスクに重なる前記第２マスクを備えるマスク積層体は、前記第１遮蔽領域と前記第２遮蔽領域とが重なるマスク重なり領域を含み、
   前記マスク重なり領域は、前記マスク第１方向に並び、
   前記マスク重なり領域は、前記マスク第１方向における遮蔽第１寸法と、前記マスク第２方向における遮蔽第２寸法と、を有し、
   前記遮蔽第２寸法は、前記遮蔽第１寸法よりも大きい、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のマスク群。
9. 前記マスク積層体は、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とが重なる貫通孔重なり領域を含み、
   前記貫通孔重なり領域は、前記マスク第１方向に並び、
   前記貫通孔重なり領域は、前記マスク第１方向における貫通第１寸法と、前記マスク第２方向における貫通第２寸法と、を有し、
   前記貫通第２寸法は、前記貫通第１寸法の５倍以上である、
   請求項８に記載のマスク群。
10. 前記第１マスク及び前記第１マスクに重なる前記第２マスクを備えるマスク積層体は、前記第１遮蔽領域と前記第２遮蔽領域とが重なるマスク重なり領域を含み、
    前記マスク重なり領域は、前記マスク第１方向に並び、且つ前記マスク第２方向に並ぶ、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のマスク群。
11. 前記マスク積層体は、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とが重なる貫通孔重なり領域を含み、
    前記貫通孔重なり領域は、前記マスク第１方向に並び、且つ前記マスク第２方向に並ぶ、請求項１０に記載のマスク群。
12. 有機デバイスの製造方法であって、
    基板上の第１電極上の有機層上に、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備え、
    前記第２電極形成工程は、
    前記第１マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、
    前記第２マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備える、有機デバイスの製造方法。
13. 素子第１方向と、素子第１方向に直交する素子第２方向とを有する有機デバイスであって、
    基板と、
    前記基板上に位置する第１電極と、
    前記第１電極上に位置し、前記素子第１方向に並ぶ有機層と、
    前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
    前記有機デバイスを前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１表示領域と、前記第１表示領域よりも小さい面積を有する第２表示領域と、を含み、
    前記第１表示領域において、
    前記有機層は、素子第１間隔で前記素子第１方向に並び、
    前記第２電極は、前記素子第１方向に並ぶ第１層及び第２層と、前記第１層と前記第２層とが重なる電極重なり領域と、を含み、
    電極重なり領域は、前記素子第１間隔以上の間隔で前記素子第１方向に並ぶ、
    有機デバイス。
14. 前記第２表示領域は、前記第１層を含む標準領域と、前記標準領域の間に位置し、前記標準領域よりも高い透過率を有する透過領域と、を含み、
    前記透過領域は、前記素子第１方向に並び、
    前記透過領域は、前記素子第１方向において前記素子第１間隔以上の寸法を有する、請求項１３に記載の有機デバイス。
15. 素子第１方向と、素子第１方向に直交する素子第２方向とを有する有機デバイスであって、
    基板と、
    前記基板上に位置する第１電極と、
    前記第１電極上に位置し、前記素子第１方向に並ぶ有機層と、
    前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
    前記有機デバイスを前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１表示領域と、前記第１表示領域よりも小さい面積を有する第２表示領域と、を含み、
    前記第１表示領域において、
    前記有機層は、素子第１間隔で前記素子第１方向に並び、
    前記第２電極は、前記素子第１方向に並ぶ第１層及び第２層を含み、
    前記第２表示領域は、前記第１層を含む標準領域と、前記標準領域の間に位置し、前記標準領域よりも高い透過率を有する透過領域と、を含み、
    前記透過領域は、前記素子第１方向に並び、
    前記透過領域は、前記素子第１方向において前記素子第１間隔以上の寸法を有する、有機デバイス。
16. 前記透過領域は前記第２電極を含まない、請求項１４又は１５に記載の有機デバイス。
17. 前記透過領域は、前記素子第１方向における透過第１寸法と、前記素子第２方向における透過第２寸法と、を有し、
    前記透過第２寸法は、前記透過第１寸法よりも大きい、請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の有機デバイス。
18. 前記第２表示領域は、素子第２方向に並ぶ前記透過領域を含む、請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の有機デバイス。
19. 前記第２電極は、前記素子第２方向に並ぶ前記電極重なり領域を含む、請求項１３又は１４に記載の有機デバイス。
20. 前記第２電極は、前記第１層と前記第２層とが重なる電極重なり領域を含み、
    前記電極重なり領域は、前記素子第１方向に並び、且つ前記素子第２方向に並ぶ、請求項１５に記載の有機デバイス。

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