JP2021147256A - SiC被覆黒鉛部材の接合体 - Google Patents
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Abstract
Description
このような半導体製造装置用部品によれば、高純度で緻密なSiC被膜で覆われた半導体製造装置用部品が得られ、またパーツ同士の組み合わせ部の間隔がCVD析出物で埋まり、且つ、接合されているのでパーツのガタつきがないことが記載されている。
また、薄いCVD−SiC層にすると隙間を充分に埋められず、気密性が低下するトレードオフがあり、接合強度と寸法精度、気密性を同時に満足させるSiC被覆黒鉛材料の接合体を得るのは難しいという課題があった。
上記少なくとも一方の基材は、上記組み合わせ面の一端側に周囲よりも高い凸部と、他端側に、他の基材と組み合わせた際、外部に開口した凹部を有し、上記CVD―SiC層は、上記組み合わせ面の凸部の外側で上記基材を接合体の外表面に沿って接合する第一の接合部を有するとともに、上記組み合わせ面の凹部の外側で凹部に貫入し、上記基材を対向する面同士接合する第二の接合部と、を有することを特徴とする。
なお、上記組み合わせ面とは、接合するCVD―SiC層を有する基材を組み合わせる際に、両者が対向する面をいい、凸部と凹部が含まれる。
すなわち、本発明のSiC被覆黒鉛部材の接合体によれば、薄いCVD―SiC層でありながら、一端側の第一の接合部で気密性を保持し、他端側の第2の接合部では接合強度を確保するよう役割分担することにより、接合強度が高く、気密性を有するSiC被覆黒鉛部材の接合体を提供することができる。
基材に形成したCVD−SiC層の表面は粗面で固く、加工性が悪いため、凸部の頂部の表面の内側CVD−SiC層に研磨面を形成しないと、凸部の表面に形成したCVD−SiC層同士を押し付けても、気密性の高い接合体を得ることは難しい。
しかし、本発明のSiC被覆黒鉛部材の接合体において、上記凸部の頂部の表面のCVD−SiC層が研磨面であると、CVD−SiC層の表面は高精度で平坦となり、気密性の高いSiC被覆黒鉛部材を容易に得ることができる。
本発明のSiC被覆黒鉛部材の接合体において、上記凸部の頂部に形成されたCVD−SiC層の表面が、他方の基材の表面に形成されたCVD−SiC層の表面と同一平面上にあると、凸部に形成されたCVD−SiC層の表面同士が一平面となる。従って、製膜後の加工が単に平面加工のみで対応でき、凸部が形成された部分は、単純な加工で高精度の隙間のない組み合わせ面となる。よって、気密性の高いSiC被覆黒鉛部材となる。
本発明のSiC被覆黒鉛部材の接合体において、上記組み合わせ面において、対向する前記基材の上記凸部側の端部同士と他端側の端部同士の間隔差が40μm以上であると、上記凹部の内部まで貫入したCVD−SiC層が得られやすく、高強度の接合体が得られる。また、上記間隔差が100μm以下であると、上記凹部を薄いCVD−SiC層で塞ぎやすく、寸法精度の高いSiC被覆黒鉛部材の接合体を得ることができる。
本発明のSiC被覆黒鉛部材の接合体の製造方法において、上記組み合わせ面の面積に対する上記凸部の頂部の面積の比の百分率が5%以上であると、形成される空洞が少なく、上記凸部の周辺に応力集中が起こりにくいので、一端側のCVD−SiC層に歪みを加わりにくくすることができる。また、上記組み合わせ面の面積に対する上記凸部の頂部の面積の比の百分率が、60%以下であると接合面を大きくとることができ、高強度の接合体を得ることができる。
上記少なくとも一方の基材は、上記組み合わせ面の一端側に周囲よりも高い凸部と、他端側に、他の基材と組み合わせた際、外部に開口した凹部を有し、上記CVD―SiC層は、上記組み合わせ面の凸部の外側で上記基材を接合体の外表面に沿って接合する第一の接合部を有するとともに、上記組み合わせ面の凹部の外側で凹部に貫入し上記基材を対向する面同士接合する第二の接合部を有することを特徴とする。
図1(a)は、SiC被覆黒鉛部材の接合体用の基材の一例を示す斜視図であり、図1(b)は、図1(a)に示した基材のA−A線断面図である。
なお、上記等方性黒鉛材においては、原料粉の平均粒子径は、例えば10〜50μmであり、等方性黒鉛材が細かな組織を有していることが特徴である。
上記基材の気孔率が5%以上であると、開気孔を含有しているため、開気孔の内部に内側CVD−SiC層が含侵し易く、アンカー効果により、内側CVD−SiC層が基材としっかり密着する。一方、上記基材の気孔率が20%以下であると、気孔の含有割合が高すぎないため、基材自体の機械的強度が大きい。
なお、C/C複合材は、例えば、炭素繊維の基材に熱分解炭素を沈積する方法、炭素繊維の基材に樹脂を含浸したのち炭素化する方法等により得られる。C/C複合材は、高強度炭素繊維で補強されているので、高温でも破壊靭性があり、機械的強度を保つことができる。
凸部の頂部は、平面であることが望ましい。凹部は、凸部に比べて一段低い平面で、凸部と凹部とが階段状になっていてもよく、凸部から少しずつ低くなるように傾斜面が形成されていてもよい。
上記基材と組み合わせる他の基材の組み合わせ面は、単なる平面で構成されていてもよく、上記した一の基材と同様の形状であってもよいが、必ずしも両者が同じ形状である必要はない。
両側の壁部22は、一端側に周囲よりも高い凸部23と凸部23に比べて低い凹部24とを有する。
図中、第一の接合部28aが形成されている領域を領域Aとして示しており、第二の接合部28bが形成されている領域を領域Bとして示している。
従って、製造されたSiC被覆黒鉛部材の接合体は、内部に上述した形状の基材が凸部を対向させた状態で埋設されており、表面にCVD−SiC層が形成され、長さ方向に垂直な貫通孔の断面の形状が矩形で、管の厚さが一定の管状体である。
本発明のSiC被覆黒鉛部材の接合体は、内側CVD−SiC層形成工程、組み合わせ工程、及び、接合工程を経て製造される。以下、各工程について、説明する。
内側CVD−SiC層形成工程では、図1に示した基材の表面に内側CVD−SiC層を形成する。
CVD法により内側CVD−SiC層を形成する方法としては、特に限定されず、熱CVD法、プラズマ有機CVD法、光CVD法、減圧CVD法、有機金属CVD法、CVI法(化学気相含浸法)等が挙げられる。
開気孔内部に含浸されやすい条件を設定し、CVI法を用いると、基材の開孔にも内側CVD−SiC層が侵入し、剥がれにくいCVD−SiC層を形成することができる。
内側CVD−SiC層は、黒鉛からなる基材の全面に形成されていなくてもよいが、面全体に内側CVD−SiC層が形成されていることが望ましい。
この内側CVD−SiC層形成工程を経ることにより、図2に示すSiC被覆黒鉛部材20が製造される。
本発明では、接合しようとする複数の他の基材に対しても、内側CVD−SiC層を形成することにより内側CVD−SiC層が形成された複数のSiC被覆黒鉛部材を製造する。
組み合わせ工程では、組み合わせ面で内側CVD−SiC層を有するSiC被覆黒鉛部材を複数組み合わせる。
図4は、内側CVD−SiC層が形成されたSiC被覆黒鉛部材を2個組み合わせた様子を模式的に示す断面図である。
図4に示すように、組み合わせ面を構成する凸部23の頂部23a同士が互いに当接するように、2つのSiC被覆黒鉛部材20を組み合わせる。なお、組み合わせ面とは、凸部23と凹部24の両方をいうこととする。凹部24が外側CVD−SiC層を形成して、2つSiC被覆黒鉛部材を接合する際に、重要な役割を果たすからである。
また、SiC被覆黒鉛部材を複数組み合わせた後、外側CVD−SiC層を形成することにより、接合される構造を有するものであれば、一のSiC被覆黒鉛部材を含む3個以上のSiC被覆黒鉛部材を組み合わせてもよい。
接合工程では、組み合わされた複数のSiC被覆黒鉛部材を、さらに外側から外側CVD−SiC層で覆う。
このようにして、図3(a)及び(b)に示すSiC被覆黒鉛部材の接合体200が製造される。
図5(a)では、内側CVD−SiC層36が形成された2個の同形状のSiC被覆黒鉛部材30を組み合わせようとしているが、内側CVD−SiC層36の凸部33の頂部33aの表面は粗面となり易く、頂部33a同士を当接させても、隙間が形成され易く、外側CVD−SiC層を形成しても組み合わせ部分の気密性を保つことが難しい。
しかしながら、領域Aには、第一の接合部38aが形成され、領域Bには、凹部34に貫入し、2個のSiC被覆黒鉛部材を接合する第二の接合部38bが形成されているので、2個のSiC被覆黒鉛部材が強固に接合されたSiC被覆黒鉛部材の接合体300となる。
また、凸部43の頂部は、CVD−SiC層の表面にできた突起を除去し、平坦面となるように研磨されている。
この実施形態においては、凹部44の内部全体に外側CVD−SiC層48が形成されず、凹部44の入り口のみに外側CVD−SiC層48が形成され、内部には、空洞49が形成されている。
しかしながら、領域Aには、第一の接合部48aが形成されて、領域Bには、凹部44に貫入し、2個のSiC被覆黒鉛部材を接合する第二の接合部48bが形成されているので、2個のSiC被覆黒鉛部材40が強固に接合されたSiC被覆黒鉛部材の接合体400となる。
また、フランジ状のSiC被覆黒鉛部材60の傾斜面にも、中心軸側に、一端部となる凸部63が形成され、外周側には、他端となる凹部64が形成されている。これらの頂部は、共摺りなどの方法により平坦化されている。
図8(b)によれば、基材71の表面に内側CVD−SiC層76が形成されたSiC被覆黒鉛部材70同士が組み合わせ面で組み合わされ、凹部74に外側CVD−SiC層78が形成され、この外側CVD−SiC層78により、2個のSiC被覆黒鉛部材70が接合されている。
SiC被覆黒鉛部材70に外側CVD−SiC層78を形成する際、図面の右側(外側)から原料ガスが凹部74に供給されるが、通常、凹部74の奥になるほど原料ガスの濃度は薄くなっていくため、原料ガスの条件によっては、表層部分で第二の接合部78bを形成した後は、凹部74の中に接合部は形成されず、空洞となる場合がある。しかし、第二の接合部78b及び写真には示していないが、凸部側に第一の接合部が形成されており、接合強度が高く、気密性を有するSiC被覆黒鉛部材の接合体をとなる。
図9(a)〜(d)において、d1は、SiC被覆黒鉛部材を組み合わせた際の凸部における基材同士の間隔を示しており、d2は、凹部における基材同士の間隔の最も長い距離を表している。d1が短いということは、挟まれる内側CVD−SiC層の厚さが薄いことを意味する。また、(d2−d1)は、組み合わせ面において、凸部側の端部同士と他端側(凹部側)の端部同士の間隔差となる。
10a 底面
12、22 壁部
13、23、33、43、53、63 凸部
13a、23a、33a 頂部
14、24、34、44、54、64、74 凹部
15、25 溝部
20、30、40、50、60、70 SiC被覆黒鉛部材
80、90、100、110 SiC被覆黒鉛部材
27 CVD−SiC層
26、36、46、56、76 内側CVD−SiC層
28、38、48、58、78 外側CVD−SiC層
28a、38a、48a、58a 第一の接合部
28b、38b、48b、58b、78b 第二の接合部
39、49 空洞
200、300、400、500、700 SiC被覆黒鉛部材の接合体
330a 平坦化頂部
Claims (6)
- CVD−SiC層が、黒鉛からなる基材の表面を覆うととともに、前記基材が組み合わせ面を介して前記CVD−SiC層により複数個接合されているSiC被覆黒鉛部材の接合体であって、
前記少なくとも一方の基材は、前記組み合わせ面の一端側に周囲よりも高い凸部と、他端側に、他の基材と組み合わせた際、外部に開口した凹部を有し、
前記CVD―SiC層は、
前記組み合わせ面の凸部の外側で前記基材を接合体の外表面に沿って接合する第一の接合部を有するとともに、
前記組み合わせ面の凹部の外側で凹部に貫入し、前記基材を対向する面同士接合する第二の接合部を有することを特徴とするSiC被覆黒鉛部材の接合体。 - 前記組み合わせ面では、双方の黒鉛からなる前記基材の表面にCVD−SiC層を有することを特徴とする請求項1に記載のSiC被覆黒鉛部材の接合体。
- 前記凸部の頂部に形成されたCVD−SiC層は、研磨面であることを特徴とする請求項2に記載のSiC被覆黒鉛部材の接合体。
- 前記凸部の頂部に形成されたCVD−SiC層の表面は、他方の基材の表面に形成されたCVD−SiC層の表面と同一平面上にあることを特徴とする請求項3に記載のSiC被覆黒鉛部材の接合体。
- 前記組み合わせ面において、対向する前記基材の前記凸部側の端部同士と他端側の端部同士の間隔差は40〜100μmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のSiC被覆黒鉛部材の接合体。
- 前記組み合わせ面の面積に対する凸部の頂部の面積の比の百分率は、5〜60%であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のSiC被覆黒鉛部材の接合体。
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