JP2021141964A - 肌水分量測定装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】安全で、精度よく肌水分量を測定できる肌水分量測定装置を提供する。【解決手段】肌水分量測定装置1は、肌表面12に配置された電極10と、電極に並列に配置された外部抵抗Rgと、電極と外部抵抗との間に設けられた第1の切り替えスイッチSrとを備え、肌表面の静電容量と外部抵抗とで、ハイパスフィルタが構成され、第1の切り替えスイッチを切り替えて、電極に外部抵抗が接続されていないとき、及び、電極に外部抵抗が接続されているときに、電極に生じる第1及び第2の電圧の周波数特性を測定し、第1及び第2の電圧の周波数特性から、ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性を算出して、ハイパスフィルタの遮断周波数を求め、遮断周波数に基づいて、肌表面の静電容量を求めることにより、肌表面の水分量を測定する。【選択図】図1

Description

本発明は、生体の肌表面における静電容量を求めることにより、肌表面の水分量を測定する肌水分量測定装置に関する。
生体の肌表面の静電容量を求めることにより、肌表面の水分量を測定する方法が知られている。例えば、特許文献1には、絶縁膜で覆われた電極対を、生体の肌表面に押しつけ、電極対に高周波電圧を印加することによって、肌表面の静電容量を求め、静電容量に基づいて、肌表面の水分量を測定する方法が開示されている。この方法は、水の比誘電率が大きいため、肌表面の水分量が多いと、肌表面における静電容量が大きくなり、肌表面の水分量が少ないと、肌表面における静電容量が小さくなることを利用したものである。
の水分量の評価は、皮膚表面の電気伝導度又は電気容量を測定することにより行われてきた。例えば、田上らは、3.5MHzの高周波を用いて電気伝導度及び電気容量を測定することにより、肌水分量を測定している(香粧会誌、Vol.4、No.2、1980年)。
特開2019−105604号公報
特許文献1に開示された方法は、生体に高周波電圧を印加する必要があるため、皮膚疾患などで肌が弱い場合には、生体を傷つけるおそれがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、その主な目的は、安全で、精度よく肌水分量を測定できる肌水分量測定装置を提供することにある。
本発明に係る肌水分量測定装置は、肌表面に配置された電極と、電極に並列に配置された外部抵抗と、電極と外部抵抗との間に設けられた第1の切り替えスイッチとを備え、肌表面における生体の静電容量と外部抵抗とで、ハイパスフィルタが構成されており、第1の切り替えスイッチを切り替えて、電極に外部抵抗が接続されていないときに電極に生じる第1の電圧の周波数特性、及び、電極に外部抵抗が接続されているときに電極に生じる第2の電圧の周波数特性を測定し、第1の電圧の周波数特性、及び第2の電圧の周波数特性から、ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性を算出することにより、ハイパスフィルタの遮断周波数を求め、遮断周波数に基づいて、肌表面における生体の静電容量を求めることにより、肌表面の水分量を測定する。
本発明によれば、安全で、精度よく肌水分量を測定できる肌水分量測定装置を提供することができる。
本発明の一実施形態における肌水分量測定装置の構成を模式的に示した回路図である。 肌表面における生体の静電容量を求めるステップを説明したフローチャートである。 (a)、(b)は、Vの波形、及びVの波形の一例を示した図である。 (a)、(b)は、Vの周波数特性、及びVの周波数特性の一例を示した図である。 ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性の一例を示した図である。 (a)〜(c)は、肌表面の水分量における静電容量と遮断周波数との関係を示した図である。 本実施形態における変形例1を示した回路図である。 (a)、(b)は、静電容量と遮断周波数との関係を示した図である。 本実施形態における変形例2を示した回路図である。 本実施形態における変形例3を示した回路図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本発明の効果を奏する範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。
図1は、本発明の一実施形態における肌水分量測定装置の構成を模式的に示した回路図である。
図1に示すように、本実施形態における肌水分量測定装置1は、生体の肌表面12に配置された電極10と、電極10に並列に配置された外部抵抗Rgと、電極10と外部抵抗Rgとの間に設けられた第1の切り替えスイッチSrとを備えている。外部抵抗Rgの一端は、グランド電極11に接続されている。
生体内の信号源Vbで発生した電気信号は、肌表面12に配置した電極10で検出される。電極10で生じた電圧は、増幅器20で増幅されて、出力電圧Voutとして計測される。
ここで、肌表面12における生体の静電容量Ccは、従来の方法の測定によれば、大凡、数十pF程度であることが知られている。一方、肌表面12以外の生体の静電容量Cbは、生体組織の比誘電率が、生体電位の周波数帯域において、大凡6×10程度であることから、大凡、数百nF程度となる。
肌表面12に配置した電極で生体電位を測定した場合、CcとCbとが直列に接続されていると仮定すると、Cb≫Ccであることから、CcとCbの合成容量は、Ccが支配的になる。すなわち、Ccが、肌表面12における生体の静電容量を反映していると考えられる。従って、本実施形態において、肌表面12における生体の静電容量Ccと、外部抵抗Rgとで、ハイパスフィルタが構成されていると考えられる。
次に、図2を参照しながら、図1に示した構成の回路を用いて、肌表面12における生体の静電容量Ccを求めるステップを説明する。
まず、第1の切り替えスイッチSrをオフに切り替えて、電極10に外部抵抗Rgが接続されていないときに、電極10に生じる第1の電圧Vの波形を測定する。同様に、第1の切り替えスイッチSrをオンに切り替えて、電極10に外部抵抗Rgが接続されているときに、電極10に生じる第2の電圧Vの波形を測定する(ステップS1)。図3(a)、(b)に、Vの波形、及びVの波形の一例を示す。なお、縦軸の電圧の大ききは任意である。
次に、測定したVの波形、及びVの波形を、公知の手法を用いて、それぞれ周波数特性に変換する(ステップS2)。図4(a)、(b)に、Vの周波数特性、及びVの周波数特性の一例を示す。なお、縦軸の電圧の大ききは任意である。
次に、変換したV1の周波数特性、及びVの周波数特性から、静電容量Ccと外部抵抗Rgとで構成されたハイパスフィルタにおけるゲイン(V/V)の周波数特性を算出する(ステップS3)。図5に、ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性の一例を示す。
次に、算出したハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性から、ハイパスフィルタの遮断周波数を求める(ステップS4)。具体的には、図5に例示したゲインの周波数特性のグラフを用いて、ゲインが(1/2)1/2(約0.7)になる周波数fcを求める。
ここで、ハイパスフィルタにおける遮断周波数fcは、下記の式(1)で表される。
Figure 2021141964
従って、肌表面12における生体の静電容量Ccは、外部抵抗Rgと遮断周波数fcとを用いて、下記の式(2)から求められる(ステップS5)。
Figure 2021141964
最後に、求めた生体の静電容量Ccから、予め求めておいた静電容量Ccと肌表面12の水分量との関係を用いて、肌表面12の水分量を求める(ステップS6)。
以上、説明したように、本実施形態では、図1に示した回路構成により、肌表面12における生体の静電容量Ccと、外部抵抗Rgとで、ハイパスフィルタを構成し、このハイパスフィルタの遮断周波数fcから、肌表面12における生体の静電容量Ccを求めることにより、肌表面12の水分量を求めることができる。
ここで、ハイパスフィルタの遮断周波数fcは、電極10に外部抵抗Rgが接続されていないときに電極10に生じる第1の電圧Vの周波数特性、及び、電極10に外部抵抗Rgが接続されているときに電極10に生じる第2の電圧Vの周波数特性を測定し、第1の電圧Vの周波数特性、及び第2の電圧Vの周波数特性から、ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性を算出することにより求めることができる。
本実施形態によれば、生体内で発生した電気信号を、肌表面12に配置した電極10で検出することによって、生体に高周波電圧を印加することなく、肌表面12における生体の静電容量Ccを求めることができる。これにより、皮膚疾患などで肌が弱い場合でも、生体を傷つけることなく、安全で、精度よく、肌表面12の水分量を求めることができる。
ところで、肌表面12の水分量が変動すると、肌表面12における生体の静電容量Ccも変動する。従って、ハイパスフィルタにおける遮断周波数fcは、上記の式(1)で表されるように、外部抵抗Rgが一定であるため、肌表面12における生体の静電容量Ccが変動すると、遮断周波数fcも変動する。
例えば、図6(a)に示すように、肌表面12のある水分量における静電容量Ccに対して、遮断周波数fcが求められた場合、水分量の減少に伴い静電容量Ccが減少したとき、遮断周波数fcは、図6(b)に示すように、高周波数側にシフトする。また、水分量の増加に伴い静電容量Ccが増加したとき、遮断周波数fcは、図6(c)に示すように、低周波数側にシフトする。
生体内の信号源Vbの電気信号は、低周波(0.01〜1000Hz)であるため、肌表面12に配置した電極10で検出される電圧V、Vの周波数も低い。例えば、図6(a)〜(c)に示すように、電圧V、Vの周波数範囲が、幅Wであるとすると、ゲイン(V/V)が、図6(a)に示したような周波数特性であれば、遮断周波数fcを求めることができるが、もし、図6(b)、(c)に示したような周波数特性であれば、遮断周波数fcを求めることができない。
そのため、外部抵抗Rgは、静電容量Ccの想定される範囲において、遮断周波数fcの変動が、生体内の信号源Vbの周波数範囲内に収まるように、その大きさを調整することが好ましい。
(変形例1)
図7は、本実施形態における変形例1を示した回路図である。
図7に示すように、本変形例における肌水分量測定装置1は、図1に示した肌水分量測定装置1の構成に加えて、電極10に直列に配置された外部容量Cgと、電極10と外部容量Cgとの間に設けられた第2の切り替えスイッチSC0、SC1とをさらに備えている。
本変形例1においては、肌表面12における生体の静電容量Cc及び外部容量Cgと、外部抵抗Rgとで、ハイパスフィルタが構成されている。
図7に示した構成の回路を用いて、肌表面12における生体の静電容量Ccを求めるステップは、以下の通りである。
まず、第1の切り替えスイッチSrをオフ、第2の切り替えスイッチSC0をオン、SC1をオフに切り替えて、電極10に外部容量Cg及び外部抵抗Rgが接続されていないときに、電極10に生じる第1の電圧Vの波形を測定する。同様に、第1の切り替えスイッチSrをオン、第2の切り替えスイッチSC0をオフ、SC1をオンに切り替えて、電極10に外部容量Cg及び外部抵抗Rgが接続されているときに、電極10に生じる第2の電圧Vの波形を測定する。
次に、測定したVの波形、及びVの波形を、公知の手法を用いて、それぞれ周波数特性に変換する。
次に、変換したV1の周波数特性、及びVの周波数特性から、静電容量Cc及び外部容量Cgと、外部抵抗Rgとで構成されたハイパスフィルタにおけるゲイン(V/V)の周波数特性を算出する。
次に、算出したハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性から、ハイパスフィルタの遮断周波数fcを求める。
ここで、静電容量Cc及び外部容量Cgの合成容量C’は、下記の式(3)で表される。
Figure 2021141964
従って、合成容量C’と外部抵抗Rgで構成されたハイパスフィルタにおける遮断周波数fcは、下記の式(4)で表される。
Figure 2021141964
上記の式(4)から、合成容量C’は、外部抵抗Rgと遮断周波数fcとを用いて、下記の式(5)から求められる。
Figure 2021141964
従って、上記の式(3)より、肌表面12における生体の静電容量Ccは、下記の式(6)を用いて求めることができる。
Figure 2021141964
上述したように、静電容量Ccが小さいとき、遮断周波数fcは、図8(a)の周波数特性Aに示すように、高周波数側にシフトする。この場合、上記の式(4)に示すように、外部抵抗Rgを大きくすることによって、図8(a)の周波数特性Bに示すように、遮断周波数fc’を、生体内の信号源Vbの周波数範囲W内に収めることができる。
また、静電容量Ccが大きいとき、遮断周波数fcは、図8(b)の周波数特性Cに示すように、低周波数側にシフトする。この場合、上記の式(4)に示すように、外部容量Cgを小さくすることによって、図8(b)の周波数特性Bに示すように、遮断周波数fc’を、生体内の信号源Vbの周波数範囲W内に収めることができる。
従って、想定される静電容量Ccが一番小さいときに、第1の切り替えスイッチSrをオン、第2の切り替えスイッチSC0をオン、SC1をオフに切り替えて、静電容量Ccと外部抵抗Rgとで、ハイパスフィルタを構成し、外部抵抗Rgを、ハイパスフィルタの遮断周波数fcが、生体内の信号源Vbの周波数範囲W内に収まる大きさに調整することが好ましい。
また、想定される静電容量Ccが一番大きいときに、第1の切り替えスイッチSrをオン、第2の切り替えスイッチSC0をオフ、SC1をオンに切り替えて、静電容量Cc及び外部容量Cgと外部抵抗Rgとで、ハイパスフィルタを構成し、外部容量Cgを、ハイパスフィルタの遮断周波数fcが、生体内の信号源Vbの周波数範囲W内に収まる大きさに調整することが好ましい。
このように、外部抵抗Rg及び外部容量Cgの大きさを調整することによって、想定される静電容量Ccの変動に対して、ハイパスフィルタの遮断周波数fcを、生体内の信号源Vbの周波数範囲W内に収めることができる。これにより、肌水分量をより精度よく測定することができる。
(変形例2)
図9は、本実施形態における変形例2を示した回路図である。
図9に示すように、本変形例における肌水分量測定装置1は、図1に示した肌水分量測定装置1の構成において、外部抵抗Rgが、抵抗値の異なる複数の外部抵抗Rg、Rg、Rg(図9では3つの外部抵抗を例示)からなる。
図9に示した構成の回路を用いて、肌表面12における生体の静電容量Ccを求めるステップは、以下の通りである。
まず、第1の切り替えスイッチSr、Sr、Srをオフに切り替えて、電極10に外部抵抗Rg、Rg、Rgが接続されていないときに、電極10に生じる第1の電圧Vの波形を測定する。同様に、第1の切り替えスイッチSr、Sr、Srの少なくも一つをオンに切り替えて、電極10に外部抵抗Rg、Rg、Rgの少なくとも一つが接続されているときに、電極10に生じる第2の電圧Vの波形を測定する。
次に、測定したVの波形、及びVの波形を、公知の手法を用いて、それぞれ周波数特性に変換する。
次に、変換したV1の周波数特性、及びVの周波数特性から、静電容量Ccと、外部抵抗Rg、Rg、Rgの少なくとも一つとで構成されたハイパスフィルタにおけるゲイン(V/V)の周波数特性を算出する。
次に、算出したハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性から、ハイパスフィルタの遮断周波数fcを求める。
最後に、求めた遮断周波数fcから、肌表面12における生体の静電容量Ccを求めることにより、肌表面12の水分量を測定する。
本変形例においては、複数の外部抵抗Rg、Rg、Rgを切り替えることによって、ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性を、よりきめ細やかに調整することができる。これにより、遮断周波数をより精度よく求めることができるため、肌水分量をより精度よく測定することができる。
(変形例3)
図10は、本実施形態における変形例3を示した回路図である。
図10に示すように、本変形例における肌水分量測定装置1は、図7に示した肌水分量測定装置1の構成において、外部容量Cgが、容量値の異なる複数の外部容量Cg、Cg、Cg(図10では3つの外部容量を例示)からなる。
図10に示した構成の回路を用いて、肌表面12における生体の静電容量Ccを求めるステップは、以下の通りである。
まず、第1の切り替えスイッチSrをオフ、第2の切り替えスイッチSC0をオン、SC1、SC2、SC3をオフに切り替えて、電極10に外部容量Cg、Cg、Cg及び外部抵抗Rgが接続されていないときに、電極10に生じる第1の電圧Vの波形を測定する。同様に、第1の切り替えスイッチSrをオン、第2の切り替えスイッチSC0をオフ、SC1、SC2、SC3の少なくとも一つをオンに切り替えて、電極10に外部容量Cg、Cg、Cgの少なくとも一つ、及び外部抵抗Rgが接続されているときに、電極10に生じる第2の電圧Vの波形を測定する。
次に、測定したVの波形、及びVの波形を、公知の手法を用いて、それぞれ周波数特性に変換する。
次に、変換したV1の周波数特性、及びVの周波数特性から、静電容量Cc及び外部容量Cg、Cg、Cgの少なくとも一つと、外部抵抗Rgとで構成されたハイパスフィルタにおけるゲイン(V/V)の周波数特性を算出する。
次に、算出したハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性から、ハイパスフィルタの遮断周波数fcを求める。
最後に、求めた遮断周波数fcから、肌表面12における生体の静電容量Ccを求めることにより、肌表面12の水分量を測定する。
本変形例においては、複数の外部容量Cg、Cg、Cgを切り替えることによって、ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性を、よりきめ細やかに調整することができる。これにより、遮断周波数をより精度よく求めることができるため、肌水分量をより精度よく測定することができる。
以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、もちろん、種々の改変が可能である。例えば、図1に示した回路構成において、電極10を、絶縁体を介して、肌表面12に配置してもよい。この場合、肌表面12における生体の静電容量Ccと、絶縁体による静電容量との合成容量を、上記式(2)を用いて求め、その後、求めた合成容量と、絶縁体による静電容量の容量値から、肌表面12における生体の静電容量Ccを求めることができる。絶縁体としては、生体が着る衣服等でもよい。
1 肌水分量測定装置
10 電極
11 グランド電極
12 肌表面
20 増幅器
Cg、Cg、Cg、Cg 外部容量
Rg、Rg、Rg、Rg 外部抵抗
Sr、Sr、Sr 第1の切り替えスイッチ
Sc、Sc、Sc、Sc 第2の切り替えスイッチ

Claims (7)

  1. 生体の肌表面の水分量を測定する肌水分量測定装置であって、
    前記肌表面に配置された電極と、
    前記電極に並列に配置された外部抵抗と、
    前記電極と前記外部抵抗との間に設けられた第1の切り替えスイッチと
    を備え、
    前記肌表面における生体の静電容量と、前記外部抵抗とで、ハイパスフィルタが構成されており、
    前記第1の切り替えスイッチを切り替えて、前記電極に前記外部抵抗が接続されていないときに前記電極に生じる第1の電圧の周波数特性、及び、前記電極に前記外部抵抗が接続されているときに前記電極に生じる第2の電圧の周波数特性を測定し、
    前記第1の電圧の周波数特性、及び第2の電圧の周波数特性から、前記ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性を算出することにより、前記ハイパスフィルタの遮断周波数を求め、
    前記遮断周波数に基づいて、前記肌表面における生体の静電容量を求めることにより、前記肌表面の水分量を測定する、肌水分量測定装置。
  2. 前記電極に直列に配置された外部容量と、
    前記電極と前記外部容量との間に設けられた第2の切り替えスイッチと、
    をさらに備え、
    前記肌表面における生体の静電容量及び前記外部容量と、前記外部抵抗とで、ハイパスフィルタが構成されており、
    前記第1の切り替えスイッチ及び前記第2の切り替えスイッチを切り替えて、前記電極に前記外部容量及び前記外部抵抗が接続されていないときに前記電極に生じる第1の電圧の周波数特性、及び、前記電極に前記外部容量及び前記外部抵抗が接続されているときに前記電極に生じる第2の電圧の周波数特性を測定し、
    前記第1の電圧の周波数特性、及び第2の電圧の周波数特性から、前記ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性を算出することにより、前記ハイパスフィルタの遮断周波数を求め、
    前記遮断周波数に基づいて、前記肌表面における生体の静電容量を求めることにより、前記肌表面の水分量を測定する、請求項1に記載の肌水分量測定装置。
  3. 前記外部抵抗は、抵抗値の異なる複数の外部抵抗からなり、
    前記第1の切り替えスイッチを切り替えて、前記電極に前記複数の外部抵抗が接続されていないときに前記電極に生じる第1の電圧の周波数特性、及び、前記電極に前記複数の外部抵抗の少なくとも一つに接続されているときに前記電極に生じる第2の電圧の周波数特性を測定し、
    前記第1の電圧の周波数特性、及び第2の電圧の周波数特性から、前記ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性を算出することにより、前記ハイパスフィルタの遮断周波数を求め、
    前記遮断周波数に基づいて、前記肌表面における生体の静電容量を求めることにより、前記肌表面の水分量を測定する、請求項1に記載の肌水分量測定装置。
  4. 前記外部容量は、容量値の異なる複数の外部容量からなり、
    前記第1の切り替えスイッチ及び前記第2の切り替えスイッチを切り替えて、前記電極に前記複数の外部容量及び前記外部抵抗が接続されていないときに前記電極に生じる第1の電圧の周波数特性、及び、前記電極に前記複数の外部容量の少なくとも一つ、及び前記外部抵抗が接続されているときに前記電極に生じる第2の電圧の周波数特性を測定し、
    前記第1の電圧の周波数特性、及び第2の電圧の周波数特性から、前記ハイパスフィルタにおけるゲインの周波数特性を算出することにより、前記ハイパスフィルタの遮断周波数を求め、
    前記遮断周波数に基づいて、前記肌表面における生体の静電容量を求めることにより、前記肌表面の水分量を測定する、請求項2に記載の肌水分量測定装置。
  5. 前記外部抵抗の抵抗値をRg、前記遮断周波数をfcとしたとき、前記肌表面における生体の静電容量Ccは、以下の式(1)に基づいて求められる、請求項1に記載の肌水分量測定装置。
    Figure 2021141964
  6. 前記外部容量の容量値をCg、前記外部抵抗の抵抗値をRg、前記遮断周波数をfcとしたとき、前記肌表面における生体の静電容量Ccは、以下の式(2)に基づいて求められる、請求項2に記載の肌水分量測定装置。
    Figure 2021141964
  7. 前記電極は、絶縁体を介して、前記肌表面に配置されている、請求項1〜4の何れかに記載の肌水分量測定装置。

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