JP2021141180A - Manufacturing method of substrate processing device, jig, semiconductor device and calibration method of substrate processing device - Google Patents
Manufacturing method of substrate processing device, jig, semiconductor device and calibration method of substrate processing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021141180A JP2021141180A JP2020037321A JP2020037321A JP2021141180A JP 2021141180 A JP2021141180 A JP 2021141180A JP 2020037321 A JP2020037321 A JP 2020037321A JP 2020037321 A JP2020037321 A JP 2020037321A JP 2021141180 A JP2021141180 A JP 2021141180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- port
- jig
- opening
- temperature measuring
- measuring device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本開示は、基板処理装置、治具および半導体装置の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a method for manufacturing a substrate processing device, a jig, and a semiconductor device.
半導体装置(IC等)の製造において、基板を熱処理するため、バッチ式縦形熱処理装置が広く使用されている。従来のこの種の熱処理装置の処理炉においては、上端が閉塞し下端が開放された略円筒形の縦型反応管の内部に、複数枚のウエハを搭載したボートを下方から挿入し、反応管の外側を囲むように設けられたヒータにより、ボート上のウエハを熱処理する。ボート上において、複数枚のウエハは、水平姿勢、かつ互いにウエハの中心を揃えた状態で多段に積層されて保持される。 In the manufacture of semiconductor devices (ICs and the like), batch-type vertical heat treatment devices are widely used for heat-treating substrates. In the processing furnace of the conventional heat treatment apparatus of this type, a boat with a plurality of wafers is inserted from below into a substantially cylindrical vertical reaction tube in which the upper end is closed and the lower end is open, and the reaction tube is used. The wafer on the boat is heat-treated by a heater provided so as to surround the outside of the boat. On a boat, a plurality of wafers are stacked and held in multiple stages in a horizontal posture and with the centers of the wafers aligned with each other.
また、上述の熱処理装置においては、反応管の内部に保護管に収納して構成される熱電対を配置して反応管内部の温度を計測し、その計測温度に基づいてヒータをフィードバック制御している。反応管の内部に配置される熱電対は、反応管の開口を閉じるシールキャップに設けられたポートの下方から挿入して、反応管に突出して固定される。 Further, in the above-mentioned heat treatment apparatus, a thermocouple configured to be housed in a protective tube is arranged inside the reaction tube to measure the temperature inside the reaction tube, and the heater is feedback-controlled based on the measured temperature. There is. The thermocouple arranged inside the reaction tube is inserted from below the port provided in the seal cap that closes the opening of the reaction tube, and is projected and fixed to the reaction tube.
シールキャップに設けられたポートから熱電対を挿入する際に、熱電対の保護管の先端や側面とポートの金属面とが擦れ、保護管に金属が付着し、付着した金属により金属汚染が発生するおそれがある。 When inserting a thermocouple from the port provided on the seal cap, the tip and side of the thermocouple protection tube rub against the metal surface of the port, metal adheres to the protection tube, and metal contamination occurs due to the attached metal. There is a risk of
本開示の課題は、保護管の金属汚染を低減する技術を提供することである。 An object of the present disclosure is to provide a technique for reducing metal contamination of a protective tube.
本開示によれば、基板を処理する処理容器と、前記処理容器内に、保護管を有する温度測定器を上向きに挿通させる開口を形成する、金属製のポートと、前記ポートの前記開口の内周面を覆い、且つ、前記処理容器の内側から前記ポートに装着可能な筒形状に形成される、非金属製の治具と、を有し、前記ポートに挿入された前記治具は、前記ポートに前記温度測定器が装着されるときに、前記温度測定器とともに上下移動可能に構成された技術が提供される。 According to the present disclosure, a processing container for processing a substrate, a metal port for forming an opening through which a temperature measuring device having a protective tube is inserted upward in the processing container, and the inside of the opening of the port. The jig inserted into the port has a non-metal jig that covers the peripheral surface and is formed in a tubular shape that can be attached to the port from the inside of the processing container. When the temperature measuring device is attached to the port, a technique configured to be movable up and down together with the temperature measuring device is provided.
本開示によれば、保護管の金属汚染を低減することが可能である。 According to the present disclosure, it is possible to reduce metal contamination of the protective tube.
本開示の実施形態として、半導体装置の製造工程の1工程としての熱処理による基板処理工程を実施する基板処理装置の構成例について図1を用いて説明する。 As an embodiment of the present disclosure, a configuration example of a substrate processing apparatus for carrying out a substrate processing step by heat treatment as one step of the manufacturing process of the semiconductor device will be described with reference to FIG.
基板処理装置1は、処理炉10の内側に備える処理容器としての反応管11にシリコンウエハ等の基板100を収容し、この基板100を所定の雰囲気下で所定の温度に加熱して薄膜を形成する。処理炉10は、反応管11と、反応管11の外周に設けられ、炉軸方向に複数に分割された加熱部としてのヒータユニット12と、を備えている。反応管11は、一端が開口した中空状をなし、第二開口としての炉口18が蓋としてのシールキャップ(ベース)13により閉止される。反応管11内には処理対象の基板100がボート14に支持されて収容され、減圧下でヒータユニット12により加熱して基板100に薄膜を形成する。ヒータユニット12は、コントローラ17に接続され、コントローラ17により制御されて反応管11内を加熱する。
The
複数の加熱ゾーンに分割されたヒータユニット12には、それぞれ温度測定器としてのヒータ熱電対15が、シールキャップ13には温度測定器としてのプロファイル熱電対20が設けられ、ヒータ熱電対15およびプロファイル熱電対20がコントローラ17に接続される。なお、図1において図示されていないが、上の三つのヒータ熱電対15はコントローラ17に接続されている。
The
ヒータ熱電対15で測定されたヒータユニット12付近の測定温度と設定温度とに応じて、コントローラ17で制御されるサイリスタ16によりヒータユニット12の各加熱ゾーンへの電力供給を制御して、反応管11の内部の温度分布が一定になるようにしている。なお、図1において図示されていないが、上の三つのヒータユニット12は、一番下のヒータユニット12と同様にコントローラ17で制御されるサイリスタに接続されている。
The
プロファイル熱電対20は、シールキャップ13に設けられた開口を貫通して反応管11内に突出して設けられ、反応管11の内部の温度を測定する。プロファイル熱電対20は、例えば、保護管21内に複数の絶縁管により保護された四対の熱電対素線22a,22bをそれぞれ配索して構成される。保護管21は、石英、SiC(炭化珪素)、アルミナあるいはセラミック等の高耐熱性材料から構成される。
The
保護管21は先端が閉止、基端が開口し、また、基端側に外径が拡径した大径部21aと、先端と大径部21aとの間に設けられる小径部21bと、小径部21bから大径部21aに径が徐々に拡大するテーパー部21c、とが形成される。基端開口がテフロンキャップ28で閉止される。なお、反応管11内の温度を1000℃以上とするようなかなりの高温条件下で用いる場合には、耐熱性の高いSiCやアルミナで保護管21を形成するのが好ましい。保護管21から引き出された熱電対素線22a,22bは、可撓性の絶縁被覆28により保護され、端子台(コネクタ)27により中継されて補償導線29と接続される。補償導線29は、端子コネクタ26でコントローラ17と接続される。
The
このように構成されたプロファイル熱電対20は、その保護管21がシールキャップ13に設けた金属製のポート19から反応管11内に炉軸方向に挿入され、反応管11内のボート14に沿うようにセッティングされ、ポート19で保護管21の下部が固定される。この保護管21の内部に通された複数組の熱電対素線22a,22bは、反応管11の外部に設けたヒータユニット12によって加熱される反応管11のボート14付近の温度を複数のゾーン毎に測定する。
The
このような反応管11内に基板100を支えた石英製のボート14が搬入される。ボート14の下部に設けられてボート14を支持するシールキャップ13が反応管11の炉口18を閉塞して、反応管11内を気密にする。反応管11内に挿入した基板100を反応管11の外側に設けられるヒータユニット12によりゾーン毎に加熱するとともに、ガス供給口(図示略)よりプロセスガスを供給して流通させ、排気口(図示略)より排気することにより基板100に膜を形成する。
A
ところで、プロファイル熱電対20は、ゾーン分割された反応管11内の各ゾーン温度を校正するためのものであって、薄膜の形成等の製造運転時に反応管11内のボート14付近の温度を目標とする温度に設定するために、ヒータユニット12に埋め込んだ各ヒータ熱電対15の測定温度と比較される設定温度を調整するようになっている。
By the way, the
一例として、薄膜の形成の製造運転に先立って、コントローラ17は、反応管11をヒータユニット12により加熱し、反応管11外側の温度をヒータ熱電対15により測定すると共に、反応管11内の上下方向の温度分布をプロファイル熱電対20により測定し、ヒータ熱電対15およびプロファイル熱電対20の測定データから校正データを予め作成することができる。コントローラ17は、反応管11内を均一に加熱するために、プロファイル熱電対20の測定温度に対応する目標値(管内設定温度)を全て同じにして、ヒータユニット12をゾーン毎に制御する。そして制御が収束し、定常状態となったときに、ヒータ熱電対15の温度を取得し、ヒータ熱電対15に対応する目標値(ヒータ設定温度)として記憶する。これを複数の設定温度について行うと、管内設定温度をヒータ設定温度に変換するテーブルが得られる。このテーブルを用いれば、ヒータ熱電対15の温度を、ヒータ設定温度に近づける制御によって、プロファイル熱電対20無しに、反応管11内を均一に加熱することができる。
As an example, prior to the manufacturing operation of forming the thin film, the
コントローラ17は、より高度な多変量モデル予測制御を行うために、ステップ応答等の処理炉10の熱特性を、プロファイル熱電対20を用いて取得しうる。変換テーブルの取得を含むこのような測定を校正と呼び、校正により得られるデータを校正データと呼ぶ。この場合、基板処理装置1の運用に際しては、プロファイル熱電対20を取り去ってポート19部分の開口を塞ぎ、ヒータ熱電対15のみで温度を測定する。そして、このヒータ熱電対15の測定温度を校正データに基づいて反応管11内部の温度データに修正し、この修正したデータによりヒータユニット12を制御する。一方、校正は装置の据付や保守の際に網羅的に行われることが多いが、運用中に部分的な校正を行うこともできる。
The
プロファイル熱電対20の取り付けについて図3から図6を用いて説明する。図3(b)に示すように、シールキャップは、石英製の円盤状のキャップ(ベース)13aと、キャップ13aの底面に接触して保持する金属製のキャップ受け13bを有する。キャップ13aには、開口としての円形の孔13cが設けられると共にキャップ受け13bには、金属製のポート19が設けられている。ポート19は、上下方向に伸び、一端がキャップ受け13bの下面に接続された管部19aと、管部19aの一端側に設けられた締結部としての継手19bと、で構成されている。管部19aの内側の空間は、キャップ受け13bの上面側に連通している。孔13cは、キャップ13aに、管部19aと同心に形成され、反応管11内にプロファイル熱電対20を上向きに挿通させる開口19cを構成している。管部19aは、挿通方向において一定の直径を有する円管である。管部19aの内径は孔13cの径よりも小さい。継手19bの外周部には、プロファイル熱電対20を締結するために、袋ナット(ユニオンナット)と締結される雄ネジやフランジ等が設けられうる。継手19bの内周には、プロファイル熱電対20との間を気密にシールするための後述のOリング32に対応して、テーパー面若しくは段差が設けられうる。
The attachment of the
図3(a)に示すように、治具31は石英等の非金属により筒形状に形成され、図3(b)に示すように、ポート19の開口19cの内面を覆い、シールキャップ13の上方の反応管11側からポート19に装着可能である。治具31は、管部19aの内側に隙間嵌めされる筒状部31aと、筒状部31aの一端に管部19aの内側の形状よりも大きく形成された係止部31bを有する。例えば、筒状部31aは、挿通方向において一定の直径を有する円管であり、筒状部31aの外径は管部19aの内径よりも小さく構成されている。係止部31bは、挿通方向において一定の直径を有する円管であり、係止部31bの外径は管部19aの内径よりも大きく構成されている。
As shown in FIG. 3A, the
係止部31bの下面はキャップ受け13b或いはポート19の上面と当接するように構成されている。これにより、治具31は下に抜け落ちない。治具31は筒状部31aの長さはポート19の管部19aと同程度である。治具31の筒状部31aおよび係止部31bの内径はプロファイル熱電対20の保護管21よりも大きく、保護管21の大径部21aの外径よりも小さく構成されている。係止部31bの挿通方向の長さは、キャップ13aの挿通方向の長さよりも長く構成されている。なお、係止部31bが反応管11と接触する恐れがある場合、係止部31bの一部を切り欠いてもよい。
The lower surface of the locking
まず、図4に示すように、治具31がキャップ13aの孔13cの上方からポート19に挿入される。これにより、開口19c(管部19a)の内面が治具31で覆われる。治具31の筒状部31aがポート19に挿入され、係止部31bによってポート19に係止されたときに、筒状部31aのポート19に挿入される側の先端(下端)の上下方向の位置はポート19の管部19aの下端と同じか下端よりも下に位置する。
First, as shown in FIG. 4, the
次に、図5に示すように、保護管21は、ポート19の下方から治具31の筒状部31a内に挿入され、反応管11内に突出するように上方に押し込まれる。この際、ポート19の管部19aおよびシールキャップ13の孔13cの内面が治具31で覆われているので、ポート19およびシールキャップ13に擦れることはない。
Next, as shown in FIG. 5, the
その後、図6に示すように、ポート19に挿入された治具31は、ポート19にプロファイル熱電対20が装着されるときに、保護管21の太さが拡大するテーパー部21cに当接することによってプロファイル熱電対20とともに持ち上げられ、治具31の係止部31bが孔13cから離脱するとともに筒状部31aの一部がポート19の管部19aの内面から離脱する。固定位置まで挿入されたプロファイル熱電対20は継手19bによってポート19に締結される。このときテーパー部21cに設けられたOリング32によりプロファイル熱電対20と継手19bの間の気密性を保つことができる。この場合Oリング32なお大気圧に近い条件で校正が行われるような場合、Oリング32及び継手19bに設けたテーパー面は必須ではない。このように、ポート19にプロファイル熱電対20が装着されるときに、治具31は、筒状部31aの一部が開口であるポート19の管部19aの内面から離脱しつつ、他の一部が管部19aの内面に留まる。
After that, as shown in FIG. 6, the
装置を運用する際は、図3〜図6に示したキャップ13aに代えて、孔13cを有しないキャップを用いることができ、これによって炉口における金属の露出を完全になくすことができる。或いは、孔13cを塞ぐ非金属製の栓を装着してもよい。なおシールキャップ13は、気密を維持するキャップと機械的な強度を担保するキャップ受けとに分離したものに限らず、金属で一体に形成されてもよい。その場合、シールキャップ13に溶接によって接続されたポート19は、継手19bに装着された気密性の蓋によって完全に閉塞することができる。
When operating the device, instead of the
なお、本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。例えば、大径部21aやテーパー部21cは、小径部21b(プロファイル熱電対20)と一体に形成されるものに制限されず、フェルール等の様態で別体に用意されるものも含む。ポート19への装着時に大径部21aと同様に機能し、プロファイル熱電対20と一体に固定されるフェルールは、大径部21aを構成しているとみなすことができる。また、プロファイル熱電対20は、運用時に撤去されるものに限らず、運用中も治具31と共に反応管11内に残され、それによって測定された内部温度が高精度の温度制御に利用されてもよい。
It goes without saying that the present disclosure is not limited to each of the above-described embodiments, and various changes can be made without departing from the gist thereof. For example, the large-
また、上述した実施形態では、処理がウエハに施される場合について説明したが、処理対象はウエハ以外の基板であってもよく、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクあるいは磁気ディスク等であってもよい。
また、本開示は、半導体製造装置だけでなく、LCD製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、CVD、PVD、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。
Further, in the above-described embodiment, the case where the processing is applied to the wafer has been described, but the processing target may be a substrate other than the wafer, and may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like. There may be.
Further, the present disclosure can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus but also to an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD manufacturing apparatus and other substrate processing apparatus. The processing content of the substrate processing may be not only a film forming process for forming a CVD, PVD, oxide film, nitride film, metal-containing film, etc., but also an exposure process, lithography, coating process, and the like.
1:基板処理装置
11:反応管(処理容器)
19:ポート
20:プロファイル熱電対(温度測定器)
21:保護管
31:治具
1: Substrate processing device 11: Reaction tube (processing container)
19: Port 20: Profile thermocouple (temperature measuring instrument)
21: Protective tube 31: Jig
Claims (6)
前記処理容器内に、保護管を有する温度測定器を上向きに挿通させる開口を形成する、金属製のポートと、
前記ポートの前記開口の内周面を覆い、且つ、前記処理容器の内側から前記ポートに装着可能な筒形状に形成される、非金属製の治具と、を有し、
前記ポートに挿入された前記治具は、前記ポートに前記温度測定器が装着されるときに、前記温度測定器とともに上下移動可能に構成される、基板処理装置。 A processing container for processing the substrate and
A metal port and an opening for inserting a temperature measuring device having a protective tube upward in the processing container.
It has a non-metal jig that covers the inner peripheral surface of the opening of the port and is formed in a tubular shape that can be attached to the port from the inside of the processing container.
The jig inserted into the port is a substrate processing device configured to be movable up and down together with the temperature measuring device when the temperature measuring device is mounted on the port.
前記ポートは、上下方向に伸び、一端が前記蓋に接続され、その内側に前記開口を構成する管部と、前記管部の他端に接続され、装着される前記温度測定器を前記太さが拡大する部分において固定する締結部と、と有する請求項2記載の基板処理装置。 Further provided with a lid for closing the second opening provided below the processing container for loading and unloading the substrate.
The port extends in the vertical direction, one end of which is connected to the lid, and a tube portion that constitutes the opening inside the port, and the temperature measuring device that is connected to and mounted on the other end of the tube portion. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a fastening portion that is fixed at a portion where the area is expanded.
前記治具は、前記管部の内側に隙間嵌めされる筒状部と、前記筒状部の一端に前記開口の内側の形状よりも大きく形成された係止部を有し、前記ポートに挿入され前記係止部によって前記開口に係止されたときに、前記ポートに挿入される側の先端が、前記ポートの前記管部と前記締結部の接続位置に対応するか、前記接続位置よりも前記締結部側に位置する請求項3記載の基板処理装置。 The tube portion is a circular tube having a constant diameter in the insertion direction.
The jig has a tubular portion to be gap-fitted inside the pipe portion and a locking portion formed at one end of the tubular portion to be larger than the shape inside the opening, and is inserted into the port. When locked in the opening by the locking portion, the tip on the side inserted into the port corresponds to or more than the connection position of the pipe portion and the fastening portion of the port. The substrate processing apparatus according to claim 3, which is located on the fastening portion side.
前記ポートの前記開口の内面を覆い、且つ、前記処理容器の内側から前記ポートに装着可能な筒形状に形成され、前記ポートの内側に隙間嵌めされる筒状部と、前記筒状部の一端に前記開口の内側の形状よりも大きく形成された係止部を有し、
前記ポートに前記温度測定器が装着されるときに、前記保護管の太さが拡大する部分に当接することによって前記温度測定器とともに持ち上げられ、前記筒状部の一部が前記開口の内面から離脱する、治具。 A non-metallic jig inserted into a metal port that forms an opening in the processing container for processing the substrate through which a temperature measuring instrument having a protective tube is inserted upward.
A cylindrical portion that covers the inner surface of the opening of the port and is formed in a cylindrical shape that can be attached to the port from the inside of the processing container and is gap-fitted inside the port, and one end of the tubular portion. Has a locking portion formed larger than the shape of the inside of the opening.
When the temperature measuring device is attached to the port, it is lifted together with the temperature measuring device by abutting on a portion where the thickness of the protective tube is increased, and a part of the tubular portion is from the inner surface of the opening. A jig to separate.
前記処理容器の内側から前記ポートに装着されたときに前記ポートの前記開口の内面を覆う筒形状に形成された非金属製の治具を通して、前記ポートに装着された前記温度測定器によって測定された温度に基づいて、処理容器のヒータを制御する工程と、
前記ヒータによって加熱された基板を処理する工程と、を備え、
前記ポートに装着された前記温度測定器は、前記温度測定器の保護管の太さが拡大する部分が前記治具に当接することによって、前記治具を持ち上げ、前記治具の一部が前記開口の内面から離脱する、半導体装置の製造方法。 The substrate is carried into the processing container of the substrate processing apparatus having a processing container for processing the substrate and a metal port for forming an opening in the processing container through which a temperature measuring device having a protective tube is inserted upward. Process and
Measured by the temperature measuring device mounted on the port through a non-metal jig formed in a tubular shape covering the inner surface of the opening of the port when mounted on the port from the inside of the processing container. The process of controlling the heater of the processing container based on the temperature
A step of processing a substrate heated by the heater is provided.
The temperature measuring device mounted on the port lifts the jig when a portion where the thickness of the protective tube of the temperature measuring device is enlarged comes into contact with the jig, and a part of the jig is said to be said. A method of manufacturing a semiconductor device that separates from the inner surface of an opening.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020037321A JP6916920B1 (en) | 2020-03-04 | 2020-03-04 | Manufacturing method of substrate processing equipment, jigs, semiconductor equipment and calibration method of substrate processing equipment |
PCT/JP2021/002288 WO2021176879A1 (en) | 2020-03-04 | 2021-01-22 | Substrate processing device, jig, calibration method for substrate processing device, and method for manufacturing semiconductor device |
TW110106025A TWI834024B (en) | 2020-03-04 | 2021-02-22 | Substrate processing device, jig, calibration method of substrate processing device, and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020037321A JP6916920B1 (en) | 2020-03-04 | 2020-03-04 | Manufacturing method of substrate processing equipment, jigs, semiconductor equipment and calibration method of substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6916920B1 JP6916920B1 (en) | 2021-08-11 |
JP2021141180A true JP2021141180A (en) | 2021-09-16 |
Family
ID=77172660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020037321A Active JP6916920B1 (en) | 2020-03-04 | 2020-03-04 | Manufacturing method of substrate processing equipment, jigs, semiconductor equipment and calibration method of substrate processing equipment |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6916920B1 (en) |
WO (1) | WO2021176879A1 (en) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031062A (en) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Kokusai Electric Co Ltd | Furnace temperature measuring instrument |
JP2004022943A (en) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Semiconductor manufacturing equipment |
JP2008096215A (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Kawasaki Precision Machinery Ltd | Sheathed thermocouple for measuring temperature in high pressure domain, and its manufacturing method |
US7465086B1 (en) * | 2005-03-05 | 2008-12-16 | Foreman Instrumentation & Controls, Inc. | Adjustable length thermowell |
JP2010021385A (en) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing device and method of manufacturing semiconductor device |
WO2013180010A1 (en) * | 2012-05-28 | 2013-12-05 | 株式会社日立国際電気 | Substrate treatment device, temperature measurement system, method for measuring temperature of treatment device, transportation device, and memory medium |
-
2020
- 2020-03-04 JP JP2020037321A patent/JP6916920B1/en active Active
-
2021
- 2021-01-22 WO PCT/JP2021/002288 patent/WO2021176879A1/en active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031062A (en) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Kokusai Electric Co Ltd | Furnace temperature measuring instrument |
JP2004022943A (en) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Semiconductor manufacturing equipment |
US7465086B1 (en) * | 2005-03-05 | 2008-12-16 | Foreman Instrumentation & Controls, Inc. | Adjustable length thermowell |
JP2008096215A (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Kawasaki Precision Machinery Ltd | Sheathed thermocouple for measuring temperature in high pressure domain, and its manufacturing method |
JP2010021385A (en) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing device and method of manufacturing semiconductor device |
WO2013180010A1 (en) * | 2012-05-28 | 2013-12-05 | 株式会社日立国際電気 | Substrate treatment device, temperature measurement system, method for measuring temperature of treatment device, transportation device, and memory medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021176879A1 (en) | 2021-09-10 |
JP6916920B1 (en) | 2021-08-11 |
TW202142101A (en) | 2021-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7479619B2 (en) | Thermal processing unit | |
KR101504937B1 (en) | Temperature detecting apparatus, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
KR100260119B1 (en) | Semiconductor process apparatus | |
KR101374442B1 (en) | Placing table apparatus, processing apparatus, temperature control method and storage medium storing program | |
KR101264786B1 (en) | Vertical heat processing apparatus, component for same, and heat-insulating cylinder for same, for forming high dielectric constant film | |
KR20100110822A (en) | Heat treatment apparatus, and method for controlling the same | |
TWI466216B (en) | Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device and roof insulator | |
KR100615763B1 (en) | Method of temperature-calibrating heat treating apparatus | |
JP4527449B2 (en) | Cylinder for heat treatment chamber | |
JP6916920B1 (en) | Manufacturing method of substrate processing equipment, jigs, semiconductor equipment and calibration method of substrate processing equipment | |
TW564503B (en) | Heat treatment method and device | |
JP5352156B2 (en) | Heat treatment equipment | |
TWI834024B (en) | Substrate processing device, jig, calibration method of substrate processing device, and manufacturing method of semiconductor device | |
JP4880408B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, main controller, and program | |
JP2001308085A (en) | Heat-treating method | |
TWI837793B (en) | Support member, substrate processing device, and method of manufacturing semiconductor device | |
WO2020189176A1 (en) | Gas supply part, substrate processing device, and method for manufacturing semiconductor device | |
KR20180050709A (en) | Substrate processing apparatus, joint part, and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2005333032A (en) | Forming method of temperature conversion function of processed materials for monitor, calculating method of temperature distribution, and sheet-fed type heat treatment equipment | |
JPH07273050A (en) | Temperature measuring apparatus for vacuum heat treatment device | |
JP2007324478A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2009016532A (en) | Substrate treatment equipment and manufacturing method for semiconductor device | |
KR20240042452A (en) | Support device, substrate processing device, temperature measurement method, semiconductor device manufacturing method, and recording medium | |
KR20050091691A (en) | Heat treatment method and heat treatment device | |
JP2003249456A (en) | Substrate treating apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210629 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210716 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6916920 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |