JP2021141118A - Integration method - Google Patents

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Abstract

To provide an integration method which makes an outer periphery of a thermocompression sheet hard to be peeled from a ring frame even when integrating the ring frame and a wafer which is positioned in an opening of the ring frame, by the thermocompression sheet.SOLUTION: An integration method includes: a loading step of loading a ring frame 16 on a table 20 and positioning and loading a wafer 10 in an opening 16a of the ring frame 16; a laying step of laying a thermocompression sheet 18A over the wafer 10 and the ring frame 16; a thermocompression step of heating and pressing the thermocompression sheet 18A and adhering the thermocompression sheet 18A to the wafer 10 and the ring frame 16; a cutting step of cutting an excessive portion in such a manner that an outer periphery of the thermocompression sheet 18A is included within a sheet arrangement area 16b of the ring frame 16; and an additional thermocompression step of heating an outer periphery 19 of the thermocompression sheet 18A to follow the ring frame 16 in such a manner a step between the outer periphery 19 and the ring frame 16 after the cutting of the thermocompression sheet 18A is decreased.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、ウエーハを収容する開口部を中央に備えると共にシート配設領域を備えたリングフレームと該開口部に位置付けたウエーハとを熱圧着シートによって一体化にする一体化方法に関する。 The present invention relates to an integration method in which a ring frame having an opening for accommodating a wafer in the center and a sheet arrangement area and a wafer located in the opening are integrated by a thermocompression bonding sheet.

IC、LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、切削ブレードを回転可能に備えた切削装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A wafer in which a plurality of devices such as ICs and LSIs are partitioned by a planned division line and formed on the surface is divided into individual device chips by a cutting device equipped with a cutting blade rotatably and a laser processing device, and is divided into individual device chips, such as a mobile phone and a personal computer. It is used for electrical equipment such as.

また、ウエーハは、切削装置、レーザー加工装置に搬入される前にウエーハを収容する開口部を有するリングフレームの該開口部に位置付けられて、裏面から粘着層を有するダイシングテープが貼着されて該リングフレームと一体化される。 Further, the wafer is positioned at the opening of the ring frame having an opening for accommodating the wafer before being carried into the cutting device or the laser processing device, and a dicing tape having an adhesive layer is attached from the back surface to the wafer. It is integrated with the ring frame.

そして、リングフレームと一体になったウエーハは、切削装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、デバイスチップはピックアップ工程においてダイシングテープからピックアップされて配線基板等にボンディングされる(例えば特許文献1を参照)。 Then, the wafer integrated with the ring frame is divided into individual device chips by a cutting device and a laser processing device, and the device chips are picked up from the dicing tape in the pick-up process and bonded to a wiring board or the like (for example, Patent Documents). See 1).

上記したダイシングテープは、例えば、塩化ビニルシートの上面に糊剤が敷設され粘着層を構成していることから、切削ブレードでウエーハを切削すると、該糊剤が切削水と共に飛散してデバイスチップの表面に付着し、デバイスの品質を低下させるという問題がある。また、レーザー光線をウエーハの分割予定ラインに沿って照射して分割する場合においても、レーザー光線の照射によって粘着層の一部がデバイスチップの裏面に付着して、デバイスの品質を低下させるという問題がある。 In the above-mentioned dicing tape, for example, a glue is laid on the upper surface of a vinyl chloride sheet to form an adhesive layer. Therefore, when a wafer is cut with a cutting blade, the glue scatters together with cutting water to form a device chip. There is a problem that it adheres to the surface and deteriorates the quality of the device. Further, even when the laser beam is irradiated along the scheduled division line of the wafer to divide the wafer, there is a problem that a part of the adhesive layer adheres to the back surface of the device chip due to the irradiation of the laser beam, which deteriorates the quality of the device. ..

そこで、本出願人は、従来一般的に採用されている粘着層を有するダイシングテープに替え、加熱することにより粘着力を発揮する熱圧着シートによってウエーハとリングフレームとを一体にしてウエーハをダイシング、又はレーザー加工することにより、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する技術を提案している(特許文献2を参照)。 Therefore, the applicant has replaced the dicing tape having an adhesive layer, which is generally used in the past, with a thermocompression bonding sheet that exerts adhesive force by heating, and the wafer and the ring frame are integrated to dice the wafer. Alternatively, a technique for dividing a wafer into individual device chips by laser processing has been proposed (see Patent Document 2).

特許第3076179号公報Japanese Patent No. 3076179 特開2019−201016号公報JP-A-2019-201016

上記した特許文献2に記載の技術によれば、従来のダイシングテープが粘着層を有することによって生じる問題は解消されるものの、熱圧着シートとウエーハとに比べ、熱圧着シートとリングフレームとの馴染みが悪いことから、ウエーハとリングフレームとを一体とした後に加工装置に搬送する際の過程において、熱圧着シートの外周がリングフレームから剥がれやすいという問題が新たに発生した。 According to the technique described in Patent Document 2 described above, although the problem caused by the conventional dicing tape having an adhesive layer is solved, the thermocompression bonding sheet and the ring frame are more familiar than the thermocompression bonding sheet and the wafer. Therefore, in the process of transporting the wafer and the ring frame to the processing apparatus after integrating them, a new problem has arisen that the outer periphery of the thermocompression bonding sheet is easily peeled off from the ring frame.

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、リングフレームとリングフレームの開口部に位置付けたウエーハとを熱圧着シートによって一体にする場合であっても、熱圧着シートの外周がリングフレームから剥がれ難い一体化方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and the main technical problem thereof is a thermocompression bonding sheet even when the ring frame and the wafer located at the opening of the ring frame are integrated by the thermocompression bonding sheet. It is an object of the present invention to provide an integration method in which the outer periphery of the ring is not easily peeled off from the ring frame.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを収容する開口部を中央に備えると共にシート配設領域を備えたリングフレームと該開口部に位置付けたウエーハとを熱圧着シートによって一体にする一体化方法であって、テーブルにリングフレームを載置すると共に、該リングフレームの開口部にウエーハを位置付けて載置する載置工程と、ウエーハとリングフレームとに熱圧着シートを敷設する敷設工程と、熱圧着シートを加熱すると共に押圧してウエーハとリングフレームとに熱圧着シートを貼着する熱圧着工程と、熱圧着シートの外周がリングフレームのシート配設領域に収まるように、余剰部分を切断する切断工程と、該熱圧着シートの切断後の外周とリングフレームとの段差を減少させるように該熱圧着シートの外周を加熱してリングフレームに馴染ませる追加熱圧着工程と、を含み構成される一体化方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a ring frame having an opening for accommodating a waiha in the center and a sheet arrangement area and a waha positioned in the opening are integrated by a heat-bonding sheet. The ring frame is placed on the table, and the waha is positioned and placed in the opening of the ring frame, and the heat-bonded sheet is laid on the waha and the ring frame. The laying process, the heat crimping process of heating and pressing the heat-bonding sheet to attach the heat-bonding sheet to the wafer and the ring frame, and the heat-bonding process so that the outer circumference of the heat-bonding sheet fits in the sheet arrangement area of the ring frame. A cutting step of cutting the excess portion, and an additional heat crimping step of heating the outer circumference of the heat crimping sheet so as to reduce the step between the outer circumference of the heat crimping sheet after cutting and the ring frame so as to be adapted to the ring frame. An integrated method is provided that includes and is configured.

また、上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを収容する開口部を中央に備えると共にシート配設領域を備えたリングフレームと該開口部に位置付けたウエーハとを熱圧着シートによって一体にする一体化方法であって、テーブルにリングフレームを載置すると共に、該リングフレームの開口部にウエーハを位置付けて載置する載置工程と、ウエーハとリングフレームとに該シート配設領域に対応する大きさの熱圧着シートを敷設する敷設工程と、熱圧着シートを加熱すると共に押圧してウエーハとリングフレームとに熱圧着シートを貼着する熱圧着工程と、該熱圧着シートの外周とリングフレームとの段差を減少させるように該熱圧着シートの外周を加熱してリングフレームに馴染ませる追加熱圧着工程と、を含み構成される一体化方法が提供される。 Further, in order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a ring frame having an opening for accommodating a waiha in the center and a sheet arrangement area and a waha positioned in the opening are thermocompression-bonded sheets. This is an integration method in which the ring frame is placed on the table and the waiha is positioned and placed in the opening of the ring frame, and the sheet is arranged on the waha and the ring frame. The laying process of laying a thermocompression bonding sheet of a size corresponding to the area, the thermocompression bonding process of heating and pressing the thermocompression bonding sheet to attach the thermocompression bonding sheet to the wafer and the ring frame, and the thermocompression bonding sheet. An integrated method comprising an additional thermocompression bonding step of heating the outer periphery of the thermocompression bonding sheet so as to reduce the step between the outer periphery and the ring frame so as to be adapted to the ring frame is provided.

該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートであことが好ましい。該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかから選択することができ、該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシート、のいずれかから選択することができる。また、該リングフレームと該ウエーハとを該熱圧着シートによって一体とする際の加熱温度は、該熱圧着シートとしてポリエチレンシートが選択された場合は120℃〜140℃、ポリプロピレンシートが選択された場合は160℃〜180℃、ポリスチレンシートが選択された場合は220℃〜240℃、ポリエチレンテレフタレートシートが選択された場合は250℃〜270℃、ポリエチレンナフタレートが選択された場合は160℃〜180℃であることが好ましい。 The thermocompression bonding sheet is preferably a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet. The polyolefin-based sheet can be selected from any of a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, and a polystyrene sheet, and the polyester-based sheet can be selected from any of a polyethylene terephthalate sheet and a polyethylene naphthalate sheet. The heating temperature when the ring frame and the wafer are integrated by the thermocompression bonding sheet is 120 ° C. to 140 ° C. when a polyethylene sheet is selected as the thermocompression bonding sheet, and 120 ° C. to 140 ° C. when a polypropylene sheet is selected. 160 ° C to 180 ° C, 220 ° C to 240 ° C when polystyrene sheet is selected, 250 ° C to 270 ° C when polyethylene terephthalate sheet is selected, 160 ° C to 180 ° C when polyethylene naphthalate is selected. Is preferable.

該ウエーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成されることが好ましい。 The wafer is preferably composed of any of Si, GaN, GaAs, and glass.

本発明の一体化方法は、ウエーハを収容する開口部を中央に備えると共にシート配設領域を備えたリングフレームと該開口部に位置付けたウエーハとを熱圧着シートによって一体にする一体化方法であって、テーブルにリングフレームを載置すると共に、該リングフレームの開口部にウエーハを位置付けて載置する載置工程と、ウエーハとリングフレームとに熱圧着シートを敷設する敷設工程と、熱圧着シートを加熱すると共に押圧してウエーハとリングフレームとに熱圧着シートを貼着する熱圧着工程と、熱圧着シートの外周がリングフレームのシート配設領域に収まるように、余剰部分を切断する切断工程と、該熱圧着シートの切断後の外周とリングフレームとの段差を減少させるように該熱圧着シートの外周を加熱してリングフレームに馴染ませる追加熱圧着工程と、を含み構成されることにより、熱圧着シートとリングフレームとの馴染みがよくなり、熱圧着シートの外周がリングフレームから剥がれやすい、という問題が解消する。 The integration method of the present invention is an integration method in which a ring frame having an opening for accommodating a waha in the center and a sheet arrangement area and a waha located in the opening are integrated by a heat-bonding sheet. Then, the ring frame is placed on the table, and the waha is positioned and placed in the opening of the ring frame. A heat crimping process in which the heat crimping sheet is attached to the wafer and the ring frame by heating and pressing, and a cutting process in which the excess portion is cut so that the outer periphery of the heat crimping sheet fits in the sheet arrangement area of the ring frame. And an additional heat crimping step of heating the outer circumference of the heat crimping sheet so as to reduce the step between the outer circumference of the heat crimping sheet after cutting and the ring frame so as to be adapted to the ring frame. , The heat-bonded sheet and the ring frame become more familiar, and the problem that the outer circumference of the heat-bonded sheet is easily peeled off from the ring frame is solved.

また、本発明の一体化方法は、ウエーハを収容する開口部を中央に備えると共にシート配設領域を備えたリングフレームと該開口部に位置付けたウエーハとを熱圧着シートによって一体にする一体化方法であって、テーブルにリングフレームを載置すると共に、該リングフレームの開口部にウエーハを位置付けて載置する載置工程と、ウエーハとリングフレームとに該シート配設領域に対応する大きさの熱圧着シートを敷設する敷設工程と、熱圧着シートを加熱すると共に押圧してウエーハとリングフレームとに熱圧着シートを貼着する熱圧着工程と、該熱圧着シートの外周とリングフレームとの段差を減少させるように該熱圧着シートの外周を加熱してリングフレームに馴染ませる追加熱圧着工程と、を含み構成されることにより、熱圧着シートとリングフレームとの馴染みがよくなり、熱圧着シートの外周がリングフレームから剥がれやすい、という問題が解消することに加え、熱圧着シートをリングフレーム上で切削手段の切削ブレードによって切断する工程が無く、熱圧着シートを切削する際に生じる粉塵や、リングフレームに切削ブレードが触れることにより生じる金属粉塵が、加工を実施している空間(クリーンルーム等)で発生することがなく、該空間が汚染することを防止することができる。 Further, the integration method of the present invention is an integration method in which a ring frame having an opening for accommodating a waha in the center and a sheet arrangement area and a waha located in the opening are integrated by a heat-bonding sheet. Therefore, the ring frame is placed on the table, and the waiha is positioned and placed in the opening of the ring frame, and the waha and the ring frame have a size corresponding to the sheet arrangement area. The laying process of laying the heat-bonding sheet, the heat-bonding process of heating and pressing the heat-bonding sheet to attach the heat-bonding sheet to the wafer and the ring frame, and the step between the outer circumference of the heat-bonding sheet and the ring frame. By including an additional heat crimping step of heating the outer periphery of the heat crimping sheet to fit the ring frame so as to reduce the amount of heat, the heat crimping sheet and the ring frame become more familiar with each other. In addition to solving the problem that the outer circumference of the heat-bonded sheet is easily peeled off from the ring frame, there is no process of cutting the heat-bonded sheet on the ring frame by the cutting blade of the cutting means, and dust generated when cutting the heat-bonded sheet and dust Metal dust generated by the contact of the cutting blade with the ring frame does not occur in the space (clean room or the like) where the processing is performed, and it is possible to prevent the space from being contaminated.

載置工程を実施する態様を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mode to carry out the mounting process. 敷設工程を実施する態様を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mode to carry out the laying process. 熱圧着工程を実施する態様を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mode which carries out the thermocompression bonding process. 切断工程を実施する態様を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mode of carrying out a cutting process. 敷設工程の他の実施態様を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other embodiment of the laying process. 熱圧着工程の他の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other embodiment of the thermocompression bonding process. (a)追加熱圧着工程において熱圧着シートの外周を加熱する態様を示す一部拡大側面図、(b)(a)に示す工程を実施した後、熱圧着シートの外周をリングフレームにより馴染ませる態様を示す一部拡大側面図である。(A) A partially enlarged side view showing a mode in which the outer periphery of the thermocompression bonding sheet is heated in the additional thermocompression bonding step, and after performing the steps shown in (b) and (a), the outer periphery of the thermocompression bonding sheet is adapted by the ring frame. It is a partially enlarged side view which shows the aspect. (a)切削装置によりウエーハを分割する態様を示す斜視図、(b)(a)に示す工程を実施し個々のデバイスチップに分割されたウエーハを示す斜視図である。(A) is a perspective view showing a mode in which a wafer is divided by a cutting device, and (b) is a perspective view showing a wafer divided into individual device chips by performing the steps shown in (a). ピックアップ工程の実施態様を示す側面図(一部断面図)である。It is a side view (partial sectional view) which shows the embodiment of a pick-up process.

以下、本発明に基づいて構成される一体化方法に係る実施形態について添付図面を参照しながら、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments relating to the integration method configured based on the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

本発明の一体化方法を実施するに際し、図1に示すように、被加工物であるウエーハ10と、リングフレーム16と、該一体化方法を実施するテーブル20を用意する。 When carrying out the integration method of the present invention, as shown in FIG. 1, a wafer 10 as a work piece, a ring frame 16, and a table 20 for carrying out the integration method are prepared.

ウエーハ10は、例えばシリコン(Si)からなり、複数のデバイス12が分割予定ライン14によって区画され表面10aに形成されている。ウエーハ10の外周の所定の位置には、ウエーハ10の結晶方位を示すノッチ10cが形成されている。リングフレーム16は、環状の板状部材であり、ウエーハ10を収容可能な寸法に形成された開口部16aを中央に備えると共に、開口部16aを形成するリングフレーム16の内周と、リングフレーム16の外周とにより囲まれたシート配設領域16bを備えている。リングフレーム16の外周には、収容容器(例えばカセット)に収容する際に機能する直線部や、切り欠き等が形成されている。テーブル20は、円筒状の枠部材22と、枠部材22に囲繞された吸着面24とにより構成される。吸着面24は、上面が平坦であって、通気性を有する部材で形成され、枠部材22の内部を介して図示しない吸引手段に接続されている。吸着面24は、該リングフレーム16の外径寸法よりも大きい寸法に設定されている。 The wafer 10 is made of, for example, silicon (Si), and a plurality of devices 12 are partitioned by a planned division line 14 and formed on the surface 10a. A notch 10c indicating the crystal orientation of the wafer 10 is formed at a predetermined position on the outer circumference of the wafer 10. The ring frame 16 is an annular plate-shaped member, and includes an opening 16a formed in a size capable of accommodating the wafer 10 in the center, and an inner circumference of the ring frame 16 forming the opening 16a and the ring frame 16 It is provided with a sheet arrangement area 16b surrounded by an outer circumference of the sheet. A straight portion, a notch, or the like that functions when the ring frame 16 is stored in a storage container (for example, a cassette) is formed on the outer periphery of the ring frame 16. The table 20 is composed of a cylindrical frame member 22 and a suction surface 24 surrounded by the frame member 22. The suction surface 24 has a flat upper surface and is formed of a breathable member, and is connected to a suction means (not shown) via the inside of the frame member 22. The suction surface 24 is set to a dimension larger than the outer diameter dimension of the ring frame 16.

上記したようにウエーハ10、リングフレーム16、及びテーブル20を用意したならば、図2に示すように、リングフレーム16をテーブル20の吸着面24に載置し、反転して裏面10bを上方に向けたウエーハ10をリングフレーム16の開口部16aの中央に載置する(載置工程)。なお、ウエーハ10をテーブル20に載置する際には、ノッチ10cの位置をリングフレーム16に対して所定の方向に位置付ける。 When the wafer 10, the ring frame 16, and the table 20 are prepared as described above, as shown in FIG. 2, the ring frame 16 is placed on the suction surface 24 of the table 20, inverted, and the back surface 10b is turned upward. The oriented wafer 10 is placed in the center of the opening 16a of the ring frame 16 (mounting step). When the wafer 10 is placed on the table 20, the position of the notch 10c is positioned in a predetermined direction with respect to the ring frame 16.

次いで、予め用意した熱圧着シート18Aを、少なくともウエーハ10、及びリングフレーム16の上方を覆うように敷設する(敷設工程)。なお、本実施形態における熱圧着シート18Aは、リングフレーム16の外径寸法よりも大きく、その外周がテーブル20の枠部材22に対応する大きさに設定されている。 Next, the thermocompression bonding sheet 18A prepared in advance is laid so as to cover at least the upper side of the wafer 10 and the ring frame 16 (laying step). The thermocompression bonding sheet 18A in the present embodiment is larger than the outer diameter of the ring frame 16 and its outer circumference is set to a size corresponding to the frame member 22 of the table 20.

熱圧着シート18Aは、熱圧着に適する素材から選択される。熱圧着に適する素材とは、所定の温度範囲に加熱することにより軟化して粘着性を発揮する素材である。より具体的には、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから選択することができる。 The thermocompression bonding sheet 18A is selected from materials suitable for thermocompression bonding. A material suitable for thermocompression bonding is a material that softens and exhibits adhesiveness when heated to a predetermined temperature range. More specifically, it can be selected from a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet.

熱圧着シート18Aをポリオレフィン系のシートから選択する場合は、ポリエチレン(PE)シート、ポリプロピレン(PP)シート、ポリスチレン(PS)シートのいずれかから選択することが好ましい。また、熱圧着シート18Aをポリエステル系のシートから選択する場合は、ポリエチレンテレフタレート(PET)シート、ポリエチレンナフタレート(PEN)シートのいずれかから選択することが好ましい。なお、以下説明する実施形態においては、熱圧着シート18Aとして、ポリエチレンシートを選択したものとして説明を続ける。 When the thermocompression bonding sheet 18A is selected from polyolefin-based sheets, it is preferable to select from any of polyethylene (PE) sheet, polypropylene (PP) sheet, and polystyrene (PS) sheet. When the thermocompression bonding sheet 18A is selected from polyester-based sheets, it is preferable to select from either a polyethylene terephthalate (PET) sheet or a polyethylene naphthalate (PEN) sheet. In the embodiments described below, the description will be continued assuming that the polyethylene sheet is selected as the thermocompression bonding sheet 18A.

上記した載置工程を実施したならば、図3に示すように、テーブル20の上方に、熱圧着装置30(一部のみを図示)を位置付ける。熱圧着装置30は、長手方向の軸Oを中心に矢印R1で示す方向に回転可能に保持されテーブル20の吸着面24と平行な矢印R2で示す方向に移動可能に構成された加熱ローラ32を備える。加熱ローラ32の表面には、熱圧着シート18Aが加熱されることによって粘着力を発揮しても付着しないように、フッ素樹脂がコーティング(図示は省略)されている。加熱ローラ32の内部には、電気ヒータ及び温度センサが内蔵(図示は省略する)されており、別途用意される制御装置によって、加熱ローラ32の表面を所望の温度に調整することができる。 When the above-mentioned mounting step is carried out, the thermocompression bonding device 30 (only a part thereof is shown) is positioned above the table 20 as shown in FIG. The thermocompression bonding device 30 rotatably holds the heating roller 32 in the direction indicated by the arrow R1 about the axis O in the longitudinal direction and is movable in the direction indicated by the arrow R2 parallel to the suction surface 24 of the table 20. Be prepared. The surface of the heating roller 32 is coated with a fluororesin (not shown) so that the thermocompression bonding sheet 18A does not adhere even if it exerts adhesive force by being heated. An electric heater and a temperature sensor are built in the heating roller 32 (not shown), and the surface of the heating roller 32 can be adjusted to a desired temperature by a separately prepared control device.

熱圧着装置30の加熱ローラ32をテーブル20上に位置付けたならば、図3に示すように、熱圧着シート18Aの表面に沿って押圧しながら矢印R2で示す方向に移動させ加熱ローラ32を矢印R1で示す方向に回転させる。このとき、図示しない吸引手段を作動し、枠部材22を介して負圧Vmを作用させて、吸着面24にウエーハ10、リングフレーム16、及び熱圧着シート18Aを吸引してもよい。加熱ローラ32によって熱圧着シート18Aを加熱する際の加熱温度は、本実施形態においては、120℃〜140℃の範囲に設定される。この加熱温度は、本実施形態において熱圧着シート18Aを構成するポリエチレンシートの融点近傍の温度であり、熱圧着シート18Aが過度に溶融せず、且つ軟化して粘着性を発揮する温度である。このようにすることで、ウエーハ10の裏面10b、及びリングフレーム16のシート配設領域16bに熱圧着シート18Aが熱圧着され一体とされる。 When the heating roller 32 of the thermocompression bonding device 30 is positioned on the table 20, as shown in FIG. 3, the heating roller 32 is moved in the direction indicated by the arrow R2 while being pressed along the surface of the thermocompression bonding sheet 18A, and the heating roller 32 is moved by the arrow. Rotate in the direction indicated by R1. At this time, a suction means (not shown) may be operated to apply a negative pressure Vm via the frame member 22, and the wafer 10, the ring frame 16, and the thermocompression bonding sheet 18A may be sucked onto the suction surface 24. In this embodiment, the heating temperature when the thermocompression bonding sheet 18A is heated by the heating roller 32 is set in the range of 120 ° C. to 140 ° C. This heating temperature is a temperature near the melting point of the thermocompression bonding sheet 18A constituting the thermocompression bonding sheet 18A in the present embodiment, and is a temperature at which the thermocompression bonding sheet 18A does not excessively melt and softens to exhibit adhesiveness. By doing so, the thermocompression bonding sheet 18A is thermocompression bonded to the back surface 10b of the wafer 10 and the sheet arrangement region 16b of the ring frame 16 to be integrated.

上記したように熱圧着工程が実施されたならば、図4に示すように、熱圧着シート18Aがリングフレーム16のシート配設領域16bからはみ出す外側の余剰部分を除去する切断工程を実施する。この切断工程は、図に示す切断手段40(一部のみを図示)を使用する。切断手段40は、切断ユニット42を備え、切断ユニット42によって回転軸44が支持されており、回転軸44の先端部に矢印R3で示す方向に回転可能に支持された円盤状のカッター46が装着されている。 When the thermocompression bonding step is carried out as described above, as shown in FIG. 4, a cutting step is carried out in which the thermocompression bonding sheet 18A removes the outer excess portion protruding from the sheet arrangement region 16b of the ring frame 16. This cutting step uses the cutting means 40 (only a part is shown) shown in the figure. The cutting means 40 includes a cutting unit 42, the rotating shaft 44 is supported by the cutting unit 42, and a disk-shaped cutter 46 rotatably supported in the direction indicated by the arrow R3 is attached to the tip of the rotating shaft 44. Has been done.

切断工程を実施するには、テーブル20を、切断手段40の下方に位置付け、熱圧着シート18Aにおいて、リングフレーム16のシート配設領域16bから外側にはみ出す領域を含む余剰部分と、シート配設領域16bとウエーハ10とに貼着された領域を含む内側の領域との境界として設定された切断ラインS(破線で示す)にカッター46を位置付ける。次いで、上方からカッター46を下降させて熱圧着シート18Aを押圧して切り込み送りし、カッター46の先端をリングフレーム16に接触させてテーブル20を矢印R4で示す方向に相対的に回転させる。これにより、カッター46が矢印R3で示す方向に回転し、切断溝100(実線で示す)が切断ラインSに沿って形成される。このようにして切断溝100をリングフレーム16のシート配設領域16bに沿って形成したならば、該余剰部分が熱圧着シート18Aから切り離されて除去される。該余剰部分が除去されたならば、テーブル20に作用していた図示しない吸引手段を停止する(切断工程)。この結果、ラインSに対応する熱圧着シート18Aの新たな外周がリングフレーム16のシート配設領域16bに収まるように形成される。 In order to carry out the cutting step, the table 20 is positioned below the cutting means 40, and in the thermocompression bonding sheet 18A, a surplus portion including an area protruding outward from the sheet arrangement area 16b of the ring frame 16 and a sheet arrangement area. The cutter 46 is positioned at the cutting line S (indicated by the broken line) set as a boundary between the 16b and the inner region including the region attached to the wafer 10. Next, the cutter 46 is lowered from above to press and feed the thermocompression bonding sheet 18A, the tip of the cutter 46 is brought into contact with the ring frame 16, and the table 20 is relatively rotated in the direction indicated by the arrow R4. As a result, the cutter 46 rotates in the direction indicated by the arrow R3, and the cutting groove 100 (indicated by the solid line) is formed along the cutting line S. When the cutting groove 100 is formed along the sheet arrangement region 16b of the ring frame 16 in this way, the excess portion is separated from the thermocompression bonding sheet 18A and removed. When the excess portion is removed, the suction means (not shown) acting on the table 20 is stopped (cutting step). As a result, the new outer periphery of the thermocompression bonding sheet 18A corresponding to the line S is formed so as to fit in the sheet arrangement region 16b of the ring frame 16.

なお、上記した実施形態では、熱圧着シート18Aを、テーブル20の枠部材22に至る寸法で形成し、切断工程を実施することにより余剰部分を除去して、熱圧着シート18Aの外周がリングフレーム16のシート配設領域16bに収まるように形成したが、本発明はこれに限定されない。例えば、上記した熱圧着シート18Aに替えて、図5に示すように、リングフレーム16のシート配設領域16bに対応する大きさの熱圧着シート18Bを予め用意しておき、熱圧着シート18Bを、テーブル20上に載置したウエーハ10と、リングフレーム16とに敷設する。次いで、図6に示すように、上記した熱圧着装置30を使用して、熱圧着シート18Bを加熱すると共に押圧してウエーハ10とリングフレーム16とに熱圧着シート18Bを貼着する熱圧着工程を実施する。なお、熱圧着シート18Bは、熱圧着シート18Aと同一の材質で形成され、外径寸法のみが相違している。 In the above-described embodiment, the thermocompression bonding sheet 18A is formed with dimensions reaching the frame member 22 of the table 20, and the excess portion is removed by performing a cutting step, and the outer periphery of the thermocompression bonding sheet 18A is a ring frame. Although it is formed so as to fit in the sheet arrangement region 16b of 16, the present invention is not limited to this. For example, instead of the thermocompression bonding sheet 18A described above, as shown in FIG. 5, a thermocompression bonding sheet 18B having a size corresponding to the sheet arrangement area 16b of the ring frame 16 is prepared in advance, and the thermocompression bonding sheet 18B is used. , The wafer 10 placed on the table 20 and the ring frame 16 are laid. Next, as shown in FIG. 6, the thermocompression bonding device 30 described above is used to heat and press the thermocompression bonding sheet 18B to attach the thermocompression bonding sheet 18B to the wafer 10 and the ring frame 16. To carry out. The thermocompression bonding sheet 18B is made of the same material as the thermocompression bonding sheet 18A, and differs only in the outer diameter dimension.

熱圧着シート18Bを使用した熱圧着工程について、より具体的に説明すると、先に説明した熱圧着工程で使用した熱圧着装置30の加熱ローラ32を熱圧着シート18B上に位置付け、図6に示すように、熱圧着シート18Bを、加熱ローラ32で加熱しながら押圧し、熱圧着シート18Bの表面に沿って矢印R2で示す方向に移動させて、加熱ローラ32を矢印R1で示す方向に回転させる。このとき、図示しない吸引手段を作動し、枠部材22を介して負圧Vmを作用させて、吸着面24にウエーハ10、リングフレーム16、及び熱圧着シート18Bを吸引してもよい。加熱ローラ32によって熱圧着シート18Bを加熱する際の加熱温度は、上記したのと同様に、120℃〜140℃の範囲に設定される。このようにすることで、ウエーハ10の裏面10b、及びリングフレーム16のシート配設領域16bに熱圧着シート18Bが熱圧着され一体とされる。なお、熱圧着シート18Bは予めリングフレーム16のシート配設領域16bに対応する大きさに設定されていることから、上記した切断工程を実施する必要はない。 More specifically, the thermocompression bonding process using the thermocompression bonding sheet 18B will be described. The heating roller 32 of the thermocompression bonding device 30 used in the thermocompression bonding process described above is positioned on the thermocompression bonding sheet 18B and is shown in FIG. As described above, the thermocompression bonding sheet 18B is pressed while being heated by the thermocompression bonding sheet 18B, moved along the surface of the thermocompression bonding sheet 18B in the direction indicated by the arrow R2, and the heating roller 32 is rotated in the direction indicated by the arrow R1. .. At this time, a suction means (not shown) may be operated to apply a negative pressure Vm via the frame member 22, and the wafer 10, the ring frame 16, and the thermocompression bonding sheet 18B may be sucked onto the suction surface 24. The heating temperature when the thermocompression bonding sheet 18B is heated by the heating roller 32 is set in the range of 120 ° C. to 140 ° C. in the same manner as described above. By doing so, the thermocompression bonding sheet 18B is thermocompression bonded to the back surface 10b of the wafer 10 and the sheet arrangement region 16b of the ring frame 16 to be integrated. Since the thermocompression bonding sheet 18B is set to a size corresponding to the sheet arrangement region 16b of the ring frame 16 in advance, it is not necessary to carry out the above-mentioned cutting step.

図4に基づいて先に説明した切断工程を実施することによって得られた状態と、図6に基づいて実施される熱圧着工程によって得られる状態とは、熱圧着シート18A、18Bの外周がリングフレーム16のシート配設領域16bに収まるように形成され、リングフレーム16とウエーハ10とが熱圧着シート18A、18Bを介して一体化されている点で同一の状態である。この状態では、熱圧着シート18A、18Bとウエーハ10とが良好に貼着されているのに比べ、熱圧着シート18A、18Bとリングフレーム16との馴染みはあまり良くない。これに対処すべく、本実施形態では、図7を参照しながら以下に説明する追加熱圧着工程を実施する。 The state obtained by carrying out the cutting step described above based on FIG. 4 and the state obtained by carrying out the thermocompression bonding step based on FIG. It is formed so as to fit in the sheet arrangement region 16b of the frame 16, and is in the same state in that the ring frame 16 and the wafer 10 are integrated via the thermocompression bonding sheets 18A and 18B. In this state, the thermocompression bonding sheets 18A and 18B and the wafer 10 are well adhered to each other, whereas the thermocompression bonding sheets 18A and 18B and the ring frame 16 are not very familiar with each other. In order to deal with this, in the present embodiment, the additional thermocompression bonding step described below is carried out with reference to FIG. 7.

追加熱圧着工程の第一の実施形態について説明すると、まず、図7(a)の左方に示すように、リングフレーム16と一体化された熱圧着シート18A、18Bの外周19の端部19aの上方に、加熱手段50を位置付ける。加熱手段50は、例えば、ブロア52の先端から、熱風Wを下方に向けて噴射する手段である。熱風Wの温度は、熱圧着シート18A、18Bを構成するポリエチレンシートの融点温度である120℃〜140℃、又は該融点温度領域よりも少し高い温度に設定されている。ブロア52から熱風Wを噴射しながら、チャックテーブル22を相対的に回転して、熱圧着シート18A、18Bの外周19全域を加熱する。そうすることによって、外周19の端部19aが軟化して溶融に近い状態となり、改めてリングフレーム16に対する粘着力が発揮されると共に、図7(a)の右方に19a’で示すように、外周19の端部19aに形成されていた段差が減少、又は消滅されてリングフレーム16に熱圧着シート18A、18Bの外周19を馴染ませることができる。なお、追加熱圧着工程を実施する態様はこれに限定されず、例えば、次に示す第二の実施形態よって実施するものであってもよい。より具体的には、図7(b)に示すように、下端部に傾斜面54aを有し内部に加熱手段(図示は省略する)を備えたコテ54を使用する。コテ54の表面をポリエチレンシートの融点温度である120℃〜140℃に加熱し、テーブル20を回転させながら該傾斜面54aによって外周19を上方から押圧することで、熱圧着シート18A、18Bの外周19とリングフレーム16との間に形成されていた段差を減少、又は消滅させて、図に19a’で示すようにリングフレーム16に熱圧着シート18A、18Bを馴染ませることができる。以上により、追加熱圧着工程が完了すると共に、本実施形態の一体化方法が完了する。 Explaining the first embodiment of the additional thermocompression bonding step, first, as shown on the left side of FIG. 7A, the end 19a of the outer periphery 19 of the thermocompression bonding sheets 18A and 18B integrated with the ring frame 16 The heating means 50 is positioned above. The heating means 50 is, for example, a means for injecting hot air W downward from the tip of the blower 52. The temperature of the hot air W is set to 120 ° C. to 140 ° C., which is the melting point temperature of the polyethylene sheets constituting the thermocompression bonding sheets 18A and 18B, or a temperature slightly higher than the melting point temperature range. While injecting hot air W from the blower 52, the chuck table 22 is relatively rotated to heat the entire outer circumference 19 of the thermocompression bonding sheets 18A and 18B. By doing so, the end portion 19a of the outer peripheral 19 is softened to a state close to melting, and the adhesive force to the ring frame 16 is exhibited again, and as shown by 19a'on the right side of FIG. 7A, as shown by 19a'. The step formed on the end 19a of the outer peripheral 19 is reduced or eliminated, and the outer peripherals 19 of the thermocompression bonding sheets 18A and 18B can be adapted to the ring frame 16. The mode in which the additional thermocompression bonding step is carried out is not limited to this, and may be carried out by, for example, the second embodiment shown below. More specifically, as shown in FIG. 7B, a trowel 54 having an inclined surface 54a at the lower end and a heating means (not shown) inside is used. The surface of the iron 54 is heated to 120 ° C. to 140 ° C., which is the melting point temperature of the polyethylene sheet, and the outer periphery 19 is pressed from above by the inclined surface 54a while rotating the table 20, whereby the outer periphery of the thermocompression bonding sheets 18A and 18B is pressed. By reducing or eliminating the step formed between the 19 and the ring frame 16, the thermocompression bonding sheets 18A and 18B can be adapted to the ring frame 16 as shown by 19a'in the figure. As described above, the additional thermocompression bonding step is completed, and the integration method of the present embodiment is completed.

本実施形態によれば、剥がれやすい熱圧着シート18A、18bの外周19を改めて加熱し、リングフレーム16との間で形成される段差を減少、又は消滅させていることにより、熱圧着シート18A、18Bと、リングフレーム16との馴染みが良くなり、ウエーハ10を後の工程に搬送する際、さらには、次工程を実施している最中に熱圧着シート18A、18Bがリングフレーム16から剥がれやすいという問題が解消する。また、図5、図6に基づいて説明したように、予めリングフレーム16のシート配設領域16bに対応する大きさに加工した熱圧着シート18Bを使用して熱圧着工程を実施することにより、リングフレーム16のシート配設領域16b上で切断工程を実施する必要がないため、熱圧着シート18Aから発生する粉塵や、熱圧着シート18Aと共にリングフレーム16を切削することにより発生する金属粉塵等が、加工が実施される空間(クリーンルーム)を汚染することが防止される。 According to the present embodiment, the thermocompression bonding sheets 18A, 18b, which are easily peeled off, are heated again to reduce or eliminate the step formed between the thermocompression bonding sheets 18A and 18b, thereby reducing or eliminating the steps formed between the thermocompression bonding sheets 18A and 18b. The compatibility between 18B and the ring frame 16 is improved, and the thermocompression bonding sheets 18A and 18B are easily peeled off from the ring frame 16 when the wafer 10 is transported to a later process and further during the next process. The problem is solved. Further, as described with reference to FIGS. 5 and 6, the thermocompression bonding step is performed by using the thermocompression bonding sheet 18B that has been previously processed to a size corresponding to the sheet arrangement region 16b of the ring frame 16. Since it is not necessary to carry out the cutting step on the sheet arrangement region 16b of the ring frame 16, dust generated from the thermocompression bonding sheet 18A, metal dust generated by cutting the ring frame 16 together with the thermocompression bonding sheet 18A, and the like are generated. , It is prevented from contaminating the space (clean room) where processing is performed.

上記した一体化方法に基づいてリングフレーム16とウエーハ10とを熱圧着シート18A、18Bを介して一体化したならば、例えば、図8、図9に示すように、ウエーハ10を分割して個々のデバイスチップ12’とする加工を良好に実施することができる。以下に、ウエーハ10を個々のデバイスチップに分割すべく実施される切削工程、及びピックアップ工程について説明する。 When the ring frame 16 and the wafer 10 are integrated via the thermocompression bonding sheets 18A and 18B based on the above-mentioned integration method, for example, as shown in FIGS. 8 and 9, the wafer 10 is divided and individually. The processing of the device chip 12'in the above can be carried out satisfactorily. The cutting process and the pick-up process performed to divide the wafer 10 into individual device chips will be described below.

上記した一体化方法によって熱圧着シート18A、18Bを介してリングフレーム16と一体化されたウエーハ10を、図8に示す切削装置60(一部のみ図示)に搬送し、図示を省略するチャックテーブルに保持させる。切削装置60は、切削手段62を備えている。切削手段62は、スピンドルハウジング62aと、スピンドルハウジング62aに回転自在に保持された回転スピンドル62bと、回転スピンドル62bの先端部に固定され外周に切り刃を有する切削ブレード62cと、切削ブレード62cを保護するブレードカバー62dとを備えている。ブレードカバー62dには、切削ブレード62cに隣接するように切削水供給手段62eが配設されており、ブレードカバー62dを介して導入される切削水を切削位置に向けて供給する。スピンドルハウジング62aの他端側には図示しないモータ等の回転駆動源が収容されており、該モータは回転スピンドル62dを回転させることで切削ブレード62cを回転させる。 A wafer 10 integrated with the ring frame 16 via the thermocompression bonding sheets 18A and 18B by the above-mentioned integration method is conveyed to a cutting device 60 (only a part of which is shown) shown in FIG. 8, and a chuck table (not shown) is omitted. To hold. The cutting device 60 includes a cutting means 62. The cutting means 62 protects the spindle housing 62a, the rotary spindle 62b rotatably held by the spindle housing 62a, the cutting blade 62c fixed to the tip of the rotary spindle 62b and having a cutting edge on the outer periphery, and the cutting blade 62c. It is provided with a blade cover 62d. A cutting water supply means 62e is arranged on the blade cover 62d so as to be adjacent to the cutting blade 62c, and the cutting water introduced through the blade cover 62d is supplied toward the cutting position. A rotary drive source such as a motor (not shown) is housed on the other end side of the spindle housing 62a, and the motor rotates the cutting blade 62c by rotating the rotary spindle 62d.

ウエーハ10を切削装置60に搬送したならば、適宜のアライメント工程を実施することにより、ウエーハ10の分割予定ライン14を検出する。分割予定ライン14を検出したならば、切削手段62の直下にウエーハ10を位置付けて、図8(a)に示すように、該アライメント工程において検出した分割予定ライン14の位置情報に基づいて、切削手段62を作動して切削ブレード62cを回転させて、所定方向に形成された分割予定ライン14に沿って分割溝110を形成する。該所定の分割予定ライン14に沿って分割溝110を形成したならば、矢印Yで示すY軸方向にウエーハ10を割り出し送りしながら、ウエーハ10の所定の方向に形成された全ての分割予定ライン14に沿って分割溝110を形成する。次いで、図示しないチャックテーブルと共にウエーハ10を90度回転させて、先に分割溝110を形成した所定の方向と直交する方向の全ての分割予定ライン14に沿って、上記したのと同様に分割溝110を形成し、ウエーハ10を個々のデバイスチップ12’に分割する(図8(b)を参照)。このようにして、ウエーハ10の表面10aに形成された全ての分割予定ライン14に沿って分割溝110を形成する。 When the wafer 10 is transported to the cutting device 60, the planned division line 14 of the wafer 10 is detected by performing an appropriate alignment step. When the scheduled division line 14 is detected, the wafer 10 is positioned directly under the cutting means 62, and as shown in FIG. 8A, cutting is performed based on the position information of the scheduled division line 14 detected in the alignment step. The means 62 is operated to rotate the cutting blade 62c to form the split groove 110 along the scheduled split line 14 formed in a predetermined direction. When the division groove 110 is formed along the predetermined division schedule line 14, all the division schedule lines formed in the predetermined direction of the wafer 10 while indexing and feeding the wafer 10 in the Y-axis direction indicated by the arrow Y. A dividing groove 110 is formed along the 14. Next, the wafer 10 is rotated 90 degrees together with a chuck table (not shown), and the dividing grooves are formed in the same manner as described above along all the planned division lines 14 in the direction orthogonal to the predetermined direction in which the dividing groove 110 is formed. The 110 is formed and the wafer 10 is divided into individual device chips 12'(see FIG. 8 (b)). In this way, the dividing groove 110 is formed along all the planned division lines 14 formed on the surface 10a of the wafer 10.

上記したように分割溝110を形成したならば、熱圧着シート18A、18Bからデバイスチップ12’をピックアップするピックアップ工程を実施する。ピックアップ工程は、たとえば、図9に示すピックアップ装置70を用いて実施することができる。ピックアップ装置70は、熱圧着シート18A、18Bを拡張して、隣接するデバイスチップ12’同士の間隔を拡張する拡張手段74と、デバイスチップ12’を吸着して搬送するピックアップコレット72とを備える。 After the dividing groove 110 is formed as described above, a pick-up step of picking up the device chip 12'from the thermocompression bonding sheets 18A and 18B is performed. The pickup step can be carried out using, for example, the pickup device 70 shown in FIG. The pickup device 70 includes an expansion means 74 that expands the thermocompression bonding sheets 18A and 18B to expand the distance between adjacent device chips 12', and a pickup collet 72 that sucks and conveys the device chips 12'.

図9に示すとおり、拡張手段74は、円筒状の拡張ドラム74aと、拡張ドラム74aに隣接し、周方向に間隔をおいて上方に延びる複数のエアシリンダ74bと、エアシリンダ74bのそれぞれの上端に連結された環状の保持部材74cと、保持部材74cの外周縁部に周方向に間隔をおいて配置された複数のクランプ74dとを含む。拡張ドラム74aの内径はウエーハ10の直径よりも大きく、拡張ドラム74aの外径はリングフレーム16の内径よりも小さい。また、保持部材74cは、リングフレーム16に対応しており、保持部材74cの平坦な上面にリングフレーム16が載せられるようになっている。 As shown in FIG. 9, the expansion means 74 includes a cylindrical expansion drum 74a, a plurality of air cylinders 74b adjacent to the expansion drum 74a and extending upward at intervals in the circumferential direction, and the upper ends of the air cylinders 74b. The annular holding member 74c connected to the holding member 74c and a plurality of clamps 74d arranged at intervals in the circumferential direction on the outer peripheral edge portion of the holding member 74c. The inner diameter of the expansion drum 74a is larger than the diameter of the wafer 10, and the outer diameter of the expansion drum 74a is smaller than the inner diameter of the ring frame 16. Further, the holding member 74c corresponds to the ring frame 16, and the ring frame 16 is placed on the flat upper surface of the holding member 74c.

図9に示すように、複数のエアシリンダ74bは、保持部材74cの上面が拡張ドラム74aの上端とほぼ同じ高さの基準位置(実線で示す)と、保持部材74cの上面が拡張ドラム46の上端よりも下方に位置する拡張位置(二点鎖線で示す)との間で、拡張ドラム74aに対して相対的に保持部材74cを昇降させるようになっている。図に示すように、拡張ドラム74aの内部には、デバイスチップ12’を押し上げる押し上げ手段74eが配置されている。この押し上げ手段74eは、拡張ドラム74a内において水平方向に移動自在に構成されており、上下方向に進退するプッシュロッド74fを備えている。 As shown in FIG. 9, in the plurality of air cylinders 74b, the upper surface of the holding member 74c is at a reference position (indicated by a solid line) at substantially the same height as the upper end of the expansion drum 74a, and the upper surface of the holding member 74c is the expansion drum 46. The holding member 74c is moved up and down relative to the expansion drum 74a from the expansion position (indicated by the alternate long and short dash line) located below the upper end. As shown in the figure, a pushing-up means 74e for pushing up the device chip 12'is arranged inside the expansion drum 74a. The pushing-up means 74e is configured to be movable in the horizontal direction in the expansion drum 74a, and includes a push rod 74f that moves forward and backward in the vertical direction.

図9に示すピックアップコレット72は、水平方向および上下方向に移動自在に構成されている。また、ピックアップコレット72には吸引手段が接続されており、ピックアップコレット72の先端下面でデバイスチップ12’を吸着するようになっている。 The pickup collet 72 shown in FIG. 9 is configured to be movable in the horizontal direction and the vertical direction. Further, a suction means is connected to the pickup collet 72 so that the device chip 12'is sucked on the lower surface of the tip of the pickup collet 72.

図9を参照して説明を続けると、ピックアップ工程では、まず、個々のデバイスチップ12’に分割されたウエーハ10を上に向けて、基準位置に位置する保持部材74cの上面にリングフレーム16を載せる。次いで、複数のクランプ74dでリングフレーム16を固定する。次いで、保持部材74cを拡張位置に下降させることによって、熱圧着シート18A、18Bに放射状の張力を作用させる。そうすると、図9に二点鎖線で示すとおり、熱圧着シート18A、18Bに貼着されているデバイスチップ12’同士の間隔が拡張する。 Continuing the description with reference to FIG. 9, in the pick-up process, first, the ring frame 16 is placed on the upper surface of the holding member 74c located at the reference position with the wafer 10 divided into the individual device chips 12'facing upward. Put it on. Next, the ring frame 16 is fixed by the plurality of clamps 74d. Next, by lowering the holding member 74c to the extended position, radial tension is applied to the thermocompression bonding sheets 18A and 18B. Then, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 9, the distance between the device chips 12'attached to the thermocompression bonding sheets 18A and 18B is expanded.

次いで、ピックアップ対象のデバイスチップ12’の上方にピックアップコレット72を位置づけると共に、ピックアップ対象のデバイスチップ12’の下方に押し上げ手段74eを位置づける。次いで、押し上げ手段74eのプッシュロッド74fを伸張させてデバイスチップ12’を下方から押し上げる。また、ピックアップコレット72を下降させ、ピックアップコレット72の先端下面でデバイスチップ12’の上面を吸着する。次いで、ピックアップコレット72を上昇させ、デバイスチップ12’を熱圧着シート18A、18Bから剥離しピックアップする。次いで、ピックアップしたデバイスチップ12’をトレー等に搬送するか、又は次工程の所定の搬送位置に搬送する。そして、このようなピックアップ作業をすべてのデバイスチップ12’に対して順次行う。 Next, the pickup collet 72 is positioned above the device chip 12'to be picked up, and the pushing-up means 74e is positioned below the device chip 12'to be picked up. Next, the push rod 74f of the pushing means 74e is extended to push up the device chip 12'from below. Further, the pickup collet 72 is lowered, and the upper surface of the device chip 12'is adsorbed on the lower surface of the tip of the pickup collet 72. Next, the pickup collet 72 is raised, and the device chip 12'is peeled off from the thermocompression bonding sheets 18A and 18B for pickup. Next, the picked up device chip 12'is transported to a tray or the like, or is transported to a predetermined transport position in the next step. Then, such a pickup operation is sequentially performed on all the device chips 12'.

上記したように、リングフレーム16とウエーハ10とを熱圧着シート18A、18Bを介して一体化する際に、上記した本実施形態の一体化方法を実施していることにより、熱圧着シート18A、18Bの外周19とリングフレーム16との馴染みが向上し、熱圧着シート18A、18Bの外周19がリングフレーム16から剥がれやすいというという問題が解消していることから、上記した切削工程、ピックアップ工程を実施する際にも、リングフレーム16から熱圧着シート18A、18Bが剥がれることが防止される。 As described above, when the ring frame 16 and the wafer 10 are integrated via the thermocompression bonding sheets 18A and 18B, the thermocompression bonding sheet 18A, Since the familiarity between the outer circumference 19 of 18B and the ring frame 16 is improved and the problem that the outer circumference 19 of the thermocompression bonding sheets 18A and 18B is easily peeled off from the ring frame 16 is solved, the above-mentioned cutting process and pick-up process are performed. The thermocompression bonding sheets 18A and 18B are prevented from being peeled off from the ring frame 16 during the implementation.

なお、上記した実施形態では、熱圧着シート18A、18Bをポリエチレンシートとしたが、本発明はこれに限定されず、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから適宜選択することができる。 In the above-described embodiment, the thermocompression bonding sheets 18A and 18B are polyethylene sheets, but the present invention is not limited to this, and a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet can be appropriately selected.

熱圧着シート18A、18Bを、ポリオレフィン系のシートから選択する場合、ポリエチレンシートの他に、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかから選択することができる。 When the thermocompression bonding sheets 18A and 18B are selected from polyolefin-based sheets, they can be selected from polypropylene sheets and polystyrene sheets in addition to polyethylene sheets.

熱圧着シート18A、18Bとして、ポリプロピレンシートを選択した場合は、熱圧着工程、追加熱圧着工程において加熱する際の温度を160℃〜180℃とすることが好ましい。また、熱圧着シート18A、18Bとして、ポリスチレンシートを選択した場合は、熱圧着工程、追加熱圧着工程において加熱する際の温度を220℃〜240℃とすることが好ましい。 When polypropylene sheets are selected as the thermocompression bonding sheets 18A and 18B, the temperature at the time of heating in the thermocompression bonding step and the additional thermocompression bonding step is preferably 160 ° C. to 180 ° C. When polystyrene sheets are selected as the thermocompression bonding sheets 18A and 18B, the temperature at the time of heating in the thermocompression bonding step and the additional thermocompression bonding step is preferably 220 ° C. to 240 ° C.

熱圧着シート18A、18Bを、ポリエステル系のシートとする場合、ポリエチレンテレフタレートシート、又はポリエチレンナフタレートシートから選択することができる。 When the thermocompression bonding sheets 18A and 18B are polyester-based sheets, they can be selected from polyethylene terephthalate sheets and polyethylene naphthalate sheets.

熱圧着シート18A、18Bとして、ポリエチレンテレフタレートシートを選択した場合は、熱圧着工程において加熱する際の温度を250℃〜270℃とすることが好ましい。また、熱圧着シート18A、18Bとして、ポリエチレンナフタレートシートを選択した場合は、熱圧着工程、追加熱圧着工程において加熱する際の温度を160℃〜180℃とすることが好ましい。 When polyethylene terephthalate sheets are selected as the thermocompression bonding sheets 18A and 18B, the temperature at the time of heating in the thermocompression bonding step is preferably 250 ° C. to 270 ° C. When polyethylene naphthalate sheets are selected as the thermocompression bonding sheets 18A and 18B, the temperature at the time of heating in the thermocompression bonding step and the additional thermocompression bonding step is preferably 160 ° C. to 180 ° C.

上記した実施形態では、ウエーハ10が、シリコン(Si)からなる例を示したが、本発明はこれに限定されない。ウエーハ10は、例えば、窒化ガリウム(GaN)、ガリウムヒ素(GaAs)、ガラスから構成されるものであってよい。 In the above-described embodiment, an example in which the wafer 10 is made of silicon (Si) is shown, but the present invention is not limited thereto. The wafer 10 may be composed of, for example, gallium nitride (GaN), gallium arsenide (GaAs), and glass.

10:ウエーハ
10a:表面
10b:裏面
10c:ノッチ
12:デバイス
12’:デバイスチップ
14:分割予定ライン
16:リングフレーム
16a:開口部
16b:シート配設領域
18A、18B:熱圧着シート
19:外周
20:テーブル
22:枠部材
24:吸着面
30:熱圧着装置
32:加熱ローラ
40:切断手段
42:切断ユニット
44:回転軸
46:カッター
50:加熱手段
52:ブロア
54:コテ
54a:傾斜面
60:切削装置
62:切削手段
62c:切削ブレード
70:ピックアップ装置
72:ピックアップコレット
74:拡張手段
74a:拡張ドラム
74b:エアシリンダ
74c:保持部材
74e:押し上げ手段
74f:プッシュロッド
100:切削溝
110:分割溝
10: Waha 10a: Front surface 10b: Back surface 10c: Notch 12: Device 12': Device chip 14: Scheduled division line 16: Ring frame 16a: Opening 16b: Sheet arrangement area 18A, 18B: Thermocompression bonding sheet 19: Outer circumference 20 : Table 22: Frame member 24: Suction surface 30: Thermocompression bonding device 32: Heating roller 40: Cutting means 42: Cutting unit 44: Rotating shaft 46: Cutter 50: Heating means 52: Blower 54: Iron 54a: Inclined surface 60: Cutting device 62: Cutting means 62c: Cutting blade 70: Pickup device 72: Pickup collet 74: Expansion means 74a: Expansion drum 74b: Air cylinder 74c: Holding member 74e: Push-up means 74f: Push rod 100: Cutting groove 110: Dividing groove

Claims (6)

ウエーハを収容する開口部を中央に備えると共にシート配設領域を備えたリングフレームと該開口部に位置付けたウエーハとを熱圧着シートによって一体にする一体化方法であって、
テーブルにリングフレームを載置すると共に、該リングフレームの開口部にウエーハを位置付けて載置する載置工程と、
ウエーハとリングフレームとに熱圧着シートを敷設する敷設工程と、
熱圧着シートを加熱すると共に押圧してウエーハとリングフレームとに熱圧着シートを貼着する熱圧着工程と、
熱圧着シートの外周がリングフレームのシート配設領域に収まるように、余剰部分を切断する切断工程と、
該熱圧着シートの切断後の外周とリングフレームとの段差を減少させるように該熱圧着シートの外周を加熱してリングフレームに馴染ませる追加熱圧着工程と、
を含み構成される一体化方法。
It is an integrated method in which a ring frame having an opening for accommodating a wafer in the center and a sheet arrangement area and a wafer positioned at the opening are integrated by a thermocompression bonding sheet.
A mounting process in which the ring frame is placed on the table and the wafer is positioned and placed in the opening of the ring frame.
The laying process of laying a thermocompression bonding sheet on the wafer and ring frame,
A thermocompression bonding process in which the thermocompression bonding sheet is heated and pressed to attach the thermocompression bonding sheet to the wafer and ring frame.
A cutting process that cuts the excess portion so that the outer circumference of the thermocompression bonding sheet fits in the sheet arrangement area of the ring frame.
An additional thermocompression bonding step of heating the outer circumference of the thermocompression bonding sheet so as to reduce the step between the outer circumference of the thermocompression bonding sheet after cutting and the ring frame so as to be adapted to the ring frame.
An integrated method that includes.
ウエーハを収容する開口部を中央に備えると共にシート配設領域を備えたリングフレームと該開口部に位置付けたウエーハとを熱圧着シートによって一体にする一体化方法であって、
テーブルにリングフレームを載置すると共に、該リングフレームの開口部にウエーハを位置付けて載置する載置工程と、
ウエーハとリングフレームとに該シート配設領域に対応する大きさの熱圧着シートを敷設する敷設工程と、
熱圧着シートを加熱すると共に押圧してウエーハとリングフレームとに熱圧着シートを貼着する熱圧着工程と、
該熱圧着シートの外周とリングフレームとの段差を減少させるように該熱圧着シートの外周を加熱してリングフレームに馴染ませる追加熱圧着工程と、
を含み構成される一体化方法。
It is an integrated method in which a ring frame having an opening for accommodating a wafer in the center and a sheet arrangement area and a wafer positioned at the opening are integrated by a thermocompression bonding sheet.
A mounting process in which the ring frame is placed on the table and the wafer is positioned and placed in the opening of the ring frame.
The laying process of laying a thermocompression bonding sheet of a size corresponding to the sheet arrangement area on the wafer and the ring frame, and
A thermocompression bonding process in which the thermocompression bonding sheet is heated and pressed to attach the thermocompression bonding sheet to the wafer and ring frame.
An additional thermocompression bonding step of heating the outer circumference of the thermocompression bonding sheet so as to reduce the step between the outer circumference of the thermocompression bonding sheet and the ring frame so that the outer circumference of the thermocompression bonding sheet is adapted to the ring frame.
An integrated method that includes.
該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートである請求項1又は2に記載の一体化方法。 The integration method according to claim 1 or 2, wherein the thermocompression bonding sheet is a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet. 該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかであり、
該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシート、のいずれかである請求項3に記載の一体化方法。
The polyolefin-based sheet is any one of a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, and a polystyrene sheet.
The integration method according to claim 3, wherein the polyester-based sheet is either a polyethylene terephthalate sheet or a polyethylene naphthalate sheet.
該リングフレームと該ウエーハとを該熱圧着シートによって一体とする際の加熱温度は、該熱圧着シートとしてポリエチレンシートが選択された場合は120℃〜140℃であり、ポリプロピレンシートが選択された場合は160℃〜180℃であり、ポリスチレンシートが選択された場合は220℃〜240℃であり、ポリエチレンテレフタレートシートが選択された場合は250℃〜270℃であり、ポリエチレンナフタレートが選択された場合は160℃〜180℃である請求項4に記載の一体化方法。 The heating temperature when the ring frame and the wafer are integrated by the thermocompression bonding sheet is 120 ° C. to 140 ° C. when a polyethylene sheet is selected as the thermocompression bonding sheet, and 120 ° C. to 140 ° C. when a polypropylene sheet is selected. Is 160 ° C to 180 ° C, 220 ° C to 240 ° C when polystyrene sheet is selected, 250 ° C to 270 ° C when polyethylene terephthalate sheet is selected, and when polyethylene naphthalate is selected. The integration method according to claim 4, wherein the temperature is 160 ° C to 180 ° C. ウエーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成される請求項1から5のいずれかに記載の一体化方法。
The integration method according to any one of claims 1 to 5, wherein the wafer is composed of any of Si, GaN, GaAs, and glass.
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