JP2019186489A - Wafer processing method - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 19
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 60
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 54
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 17
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Abstract
Description
本発明は、ウエーハの裏面を研削するウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method for grinding a back surface of a wafer.
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに形成された後、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A plurality of devices such as ICs, LSIs, etc., are partitioned by division lines, and the wafer formed on the front surface is ground to a predetermined thickness by the grinding device and then divided into individual devices by the dicing device. Used for electric devices such as mobile phones and personal computers.
研削装置は、ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの上面を研削する研削ホイールを回転可能に備えた研削手段と、研削砥石を研削送りする送り手段と、から少なくとも構成されていて、ウエーハを所望の厚みに加工することができる（たとえば、特許文献１を参照。）。 A grinding apparatus includes: a chuck table having a holding surface for holding a wafer; a grinding unit rotatably provided with a grinding wheel for grinding an upper surface of the wafer held by the chuck table; and a feeding unit for grinding and feeding a grinding wheel The wafer can be processed into a desired thickness (see, for example, Patent Document 1).
また、研削装置によってウエーハが研削される際には、チャックテーブルの保持面とウエーハの表面との接触によってウエーハの表面に形成された複数のデバイスに傷が付かないようにウエーハの表面に粘着層を有する保護テープが貼着される。 In addition, when the wafer is ground by the grinding apparatus, the adhesive layer is applied to the surface of the wafer so that a plurality of devices formed on the surface of the wafer are not damaged by contact between the holding surface of the chuck table and the surface of the wafer. The protective tape which has is stuck.
上記特許文献１に記載の技術によれば、ウエーハの表面に形成されたデバイスに傷を付けることなく研削加工を実施することができる。しかし、ウエーハを研削する際、ウエーハの裏面を研削砥石で強く押圧することから、研削後にウエーハの表面から保護テープを剥離する剥離工程を実施すると、貼着時に付与された糊剤を含む粘着層の一部がウエーハの表面に残存してしまい、個々に分割した後のデバイスの品質を低下させるという問題がある。 According to the technique described in Patent Document 1, grinding can be performed without scratching a device formed on the surface of the wafer. However, when grinding the wafer, the back surface of the wafer is strongly pressed with a grinding wheel, and therefore, when a peeling process is performed to peel off the protective tape from the wafer surface after grinding, an adhesive layer containing a glue applied at the time of sticking There is a problem in that a part of the wafer remains on the surface of the wafer, and the quality of the device after being divided individually is deteriorated.
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの表面に保護テープを貼着して裏面を研削しても、ウエーハの表面に粘着層が残存する問題を解消するウエーハの加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to solve the problem that an adhesive layer remains on the surface of the wafer even when a protective tape is applied to the surface of the wafer and the back surface is ground. Another object is to provide a method for processing a wafer.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面にポリエステル系シートを敷設するポリエステル系シート敷設工程と、少なくともポリエステル系シートを加熱し熱圧着してウエーハとポリエステル系シートとを一体化する一体化工程と、ポリエステル系シートをチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、ウエーハの表面からポリエステル系シートを剥離する剥離工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, there is provided a wafer processing method for grinding a back surface of a wafer having a plurality of devices formed on the surface, wherein a polyester-based sheet is laid on the wafer surface. A sheet laying step, an integration step in which at least the polyester sheet is heated and thermocompression bonded to integrate the wafer and the polyester sheet, and a back grinding step in which the polyester sheet is held on the chuck table and the back surface of the wafer is ground. There is provided a wafer processing method comprising at least a peeling step of peeling a polyester-based sheet from the surface of the wafer.
該一体化工程は、赤外線の照射によって熱圧着するものであってよい。該剥離工程において、ウエーハの裏面をチャックテーブルで保持し、ポリエステル系シートを加熱、又は冷却して剥離することができる。また、本発明のウエーハの加工方法には、該一体化工程の後、ウエーハの外周からはみ出したポリエステル系シートを切断する切断工程を含むことができる。さらに、該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）シートのいずれかから選択することができる。 The integration step may be thermocompression bonding by infrared irradiation. In the peeling step, the back surface of the wafer can be held by a chuck table, and the polyester sheet can be peeled off by heating or cooling. Further, the wafer processing method of the present invention can include a cutting step of cutting the polyester sheet protruding from the outer periphery of the wafer after the integration step. Furthermore, the polyester sheet can be selected from a polyethylene terephthalate (PET) sheet and a polyethylene naphthalate (PEN) sheet.
該一体化工程において、ポリエステル系シートとして該ポリエチレンテレフタレートシートが選択された場合の加熱温度は２５０〜２７０℃が好ましく、該ポリエチレンナフタレートシートが選択された場合の加熱温度は１６０〜１８０℃が好ましい。また、該ウエーハは、シリコン（Ｓｉ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ガラスのいずれかで構成することができる。 In the integration step, the heating temperature when the polyethylene terephthalate sheet is selected as the polyester-based sheet is preferably 250 to 270 ° C, and the heating temperature when the polyethylene naphthalate sheet is selected is preferably 160 to 180 ° C. . The wafer can be made of silicon (Si), gallium nitride (GaN), gallium arsenide (GaAs), or glass.
本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハの表面にポリエステル系シートを敷設するポリエステル系シート敷設工程と、少なくともポリエステル系シートを加熱し熱圧着してウエーハとポリエステル系シートとを一体化する一体化工程と、ポリエステル系シートをチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、ウエーハの表面からポリエステル系シートを剥離する剥離工程と、から少なくとも構成されることにより、ウエーハの表面から保護テープを剥離しても、粘着層がウエーハの表面に残存することがなく、粘着層の一部がウエーハの表面に残存してデバイスの品質を低下させるという問題が解消する。 The wafer processing method of the present invention includes a polyester sheet laying step for laying a polyester sheet on the surface of the wafer, and an integration step for integrating the wafer and the polyester sheet by heating and thermocompression of at least the polyester sheet. A protective tape from the front surface of the wafer by comprising at least a back grinding process for holding the polyester sheet on the chuck table and grinding the back surface of the wafer, and a peeling process for peeling the polyester sheet from the wafer surface. Even if the film is peeled off, the adhesive layer does not remain on the surface of the wafer, and the problem that part of the adhesive layer remains on the surface of the wafer and deteriorates the quality of the device is solved.
以下、本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法の各工程について、順を追って説明する。 Hereafter, each process of the processing method of the wafer comprised based on this invention is demonstrated later on.
（ポリエステル系シート敷設工程）
図１には、ポリエステル系シート敷設工程の実施態様を示す斜視図が示されている。ポリエステル系シート敷設工程は、後述する裏面研削工程に先立ち実施されるものである。ポリエステル系シート敷設工程を実施するに際し、まず、図１（ａ）に示すように、加工対象であるウエーハ１０と、ポリエステル系シート敷設工程を実施するための第一チャックテーブル２０を用意する。ウエーハ１０は、たとえば、シリコン（Ｓｉ）からなり、表面１０ａ側に複数のデバイス１２が形成されている。第一チャックテーブル２０は、通気性を有する多孔質のポーラスセラミックからなる円盤形状の吸着チャック２０ａと、吸着チャック２０ａの外周を囲繞する円形枠部２０ｂとからなり、第一チャックテーブル２０は、図示しない吸引手段に接続され、吸着チャック２０ａの上面（保持面）に載置されるウエーハ１０を吸引保持することができる。
(Polyester sheet laying process)
The perspective view which shows the embodiment of the polyester-type sheet | seat laying process is shown by FIG. The polyester-based sheet laying step is performed prior to the back grinding step described later. When performing the polyester sheet laying step, first, as shown in FIG. 1A, a wafer 10 to be processed and a first chuck table 20 for performing the polyester sheet laying step are prepared. The wafer 10 is made of, for example, silicon (Si), and a plurality of devices 12 are formed on the surface 10a side. The first chuck table 20 includes a disk-shaped suction chuck 20a made of porous porous ceramic having air permeability, and a circular frame portion 20b surrounding the outer periphery of the suction chuck 20a. It is possible to suck and hold the wafer 10 that is connected to the suction means that is not mounted and is placed on the upper surface (holding surface) of the suction chuck 20a.
ウエーハ１０と、第一チャックテーブル２０とを用意したならば、図に示すように、吸着チャック２０ａの保持面に対して、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を下にして、第一チャックテーブル２０の吸着チャック２０ａの中心に載置する。吸着チャック２０ａにウエーハ１０を載置したならば、図１（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａに、２０〜１００μｍの厚みで形成された円形のポリエステル系シート、たとえば、ポリエチレンテレフタレートシート３０を載置する。図１（ｂ）から理解されるように、吸着チャック２０ａの直径は、裏面研削されるウエーハ１０の直径よりもやや大きく設定されており、ウエーハ１０が吸着チャック２０ａの中心に載置されることにより、ウエーハ１０の外周を囲むように吸着チャック２０ａが露出する。さらに、ポリエチレンテレフタレートシート３０は、吸着チャック２０ａの直径よりも大きい直径で形成され、好ましくは、第一チャックテーブル２０の円形枠部２０ｂよりも僅かに小さい直径で形成される。これにより、吸着チャック２０ａは、全面がウエーハ１０及びポリエチレンテレフタレートシート３０で覆われる。なお、ポリエチレンテレフタレートシート３０のウエーハ１０に載置される載置面側に糊剤等の粘着層は形成されていない。 If the wafer 10 and the first chuck table 20 are prepared, as shown in the figure, the suction of the first chuck table 20 with the back surface 10b side of the wafer 10 facing down the holding surface of the suction chuck 20a. It is placed at the center of the chuck 20a. When the wafer 10 is placed on the suction chuck 20a, as shown in FIG. 1 (b), a circular polyester sheet, for example, a polyethylene terephthalate sheet, formed on the surface 10a of the wafer 10 with a thickness of 20 to 100 μm. 30 is placed. As can be understood from FIG. 1B, the diameter of the suction chuck 20a is set slightly larger than the diameter of the wafer 10 to be back-ground, and the wafer 10 is placed at the center of the suction chuck 20a. Thus, the chucking chuck 20a is exposed so as to surround the outer periphery of the wafer 10. Furthermore, the polyethylene terephthalate sheet 30 is formed with a diameter larger than the diameter of the suction chuck 20a, and preferably with a diameter slightly smaller than the circular frame portion 20b of the first chuck table 20. As a result, the entire surface of the suction chuck 20 a is covered with the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30. Note that an adhesive layer such as a glue is not formed on the surface of the polyethylene terephthalate sheet 30 placed on the wafer 10.
第一チャックテーブル２０にウエーハ１０、及びポリエチレンテレフタレートシート３０を載置したならば、吸引ポンプ等を含む図示しない吸引手段を作動させて、吸引力Ｖｍを吸着チャック２０ａに作用させ、ウエーハ１０、及びポリエチレンテレフタレートシート３０を吸引する。上記したように、ウエーハ１０及びポリエチレンテレフタレートシート３０によって、吸着チャック２０ａの上面（保持面）全面が覆われているため、吸引力Ｖｍは、ウエーハ１０及びポリエチレンテレフタレートシート３０全体に作用し、ウエーハ１０とポリエチレンテレフタレートシート３０とを吸着チャック２０ａ上に吸引保持すると共に、ウエーハ１０とポリエチレンテレフタレートシート３０との間に残存していた空気を吸引して両者を密着させる。ウエーハ１０の表面１０ａには、複数のデバイス１２によって微小な凹凸が形成されており、第一チャックテーブル２０の図示しない吸引手段によって吸引保持されることにより、ウエーハ１０の表面１０ａの凹凸面にポリエチレンテレフタレートシート３０が密着した状態になる。以上により、ポリエステル系シート敷設工程が完了する。 If the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30 are placed on the first chuck table 20, a suction means (not shown) including a suction pump or the like is operated to cause the suction force Vm to act on the suction chuck 20a. The polyethylene terephthalate sheet 30 is sucked. As described above, since the entire upper surface (holding surface) of the suction chuck 20a is covered with the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30, the suction force Vm acts on the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30 as a whole. And the polyethylene terephthalate sheet 30 are sucked and held on the suction chuck 20a, and the air remaining between the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30 is sucked to bring them into close contact with each other. On the surface 10 a of the wafer 10, minute irregularities are formed by the plurality of devices 12, and when sucked and held by a suction means (not shown) of the first chuck table 20, polyethylene is formed on the irregular surface of the surface 10 a of the wafer 10. The terephthalate sheet 30 comes into close contact. The polyester sheet laying process is thus completed.
（一体化工程）
上記したポリエステル系シート敷設工程を実施したならば、次いで、一体化工程を実施する。一体化工程について、図２、及び図３を参照しながら説明する。
(Integration process)
If the above-described polyester-based sheet laying step is performed, then an integration step is performed. The integration process will be described with reference to FIG. 2 and FIG.
一体化工程を実施するに際し、図２（ａ）に示すように、ウエーハ１０及びポリエチレンテレフタレートシート３０を吸引保持した状態の第一チャックテーブル２０の上方に、ポリエチレンテレフタレートシート３０を加熱するための赤外線照射手段４０（一部のみ示す。）を位置付ける。赤外線照射手段４０を第一チャックテーブル２０の上方に位置付けたならば、赤外線照射手段４０によってポリエチレンテレフタレートシート３０が覆うウエーハ１０全体に赤外線Ｌを照射し、ポリエチレンテレフタレートシート３０が２５０〜２７０℃になるように加熱する。ポリエチレンテレフタレートシート３０は、ポリエステル系シートであり、２５０〜２７０℃に加熱されることにより、徐々に軟化する。上記したように、ウエーハ１０の表面１０ａのデバイス１２によって形成された微小な凹凸面にポリエチレンテレフタレートシート３０が密着した状態であることから、赤外線照射手段４０によって加熱されることで軟化したポリエチレンテレフタレートシート３０が、第一チャックテーブル２０側の負圧と、外部の圧力（大気圧）との圧力差によってウエーハ１０に熱圧着されて密着度が増しさらに一体化する。なお、ポリエチレンテレフタレートシート３０を加熱してウエーハ１０と熱圧着する一体化工程を実施する手段は、図２（ａ）に示す赤外線照射手段４０に限定されず、他の手段を選択することも可能である。図２（ｂ）、図２（ｃ）を参照しながら、他の手段について説明する。 In carrying out the integration step, as shown in FIG. 2A, infrared rays for heating the polyethylene terephthalate sheet 30 above the first chuck table 20 in a state where the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30 are sucked and held. The irradiation means 40 (only a part is shown) is positioned. If the infrared irradiation means 40 is positioned above the first chuck table 20, the infrared irradiation means 40 irradiates the entire wafer 10 covered by the polyethylene terephthalate sheet 30 with infrared L, and the polyethylene terephthalate sheet 30 reaches 250 to 270 ° C. To heat. The polyethylene terephthalate sheet 30 is a polyester sheet and is gradually softened by being heated to 250 to 270 ° C. As described above, since the polyethylene terephthalate sheet 30 is in close contact with the minute irregular surface formed by the device 12 on the surface 10a of the wafer 10, the polyethylene terephthalate sheet softened by being heated by the infrared irradiation means 40 30 is thermocompression-bonded to the wafer 10 by the pressure difference between the negative pressure on the first chuck table 20 side and the external pressure (atmospheric pressure) to increase the degree of adhesion and further integrate. The means for performing the integration step of heating the polyethylene terephthalate sheet 30 and thermocompression bonding with the wafer 10 is not limited to the infrared irradiation means 40 shown in FIG. 2A, and other means can be selected. It is. Other means will be described with reference to FIGS. 2B and 2C.
他の手段として、図２（ｂ）に示す熱風吹付け手段５０（一部のみ示す。）が選択されてもよい。より具体的には、ウエーハ１０及びポリエチレンテレフタレートシート３０を吸引保持した状態の第一チャックテーブル２０の上方に、ポリエチレンテレフタレートシート３０を加熱するための熱風吹付け手段５０を位置付ける。詳細は省略するが、熱風吹付け手段５０は、第一チャックテーブル２０側と対面する出口側（図中下側）にサーモスタット等の温度調整手段を備えたヒータ部を配設し、反対側（図中上側）にモータ等により駆動されるファン部を配設し、該ヒータ部、及びファン部を駆動することにより第一チャックテーブル２０に向けて熱風Ｗを吹き付けるように構成される。熱風吹付け手段５０を第一チャックテーブル２０の上方に位置付けたならば、熱風吹付け手段５０によってポリエチレンテレフタレートシート３０が覆うウエーハ１０の表面１０ａ側全体に熱風Ｌを吹き付け、ポリエチレンテレフタレートシート３０が２５０〜２７０℃になるように加熱する。この加熱により、上記赤外線照射手段４０によって一体化されるのと同様に、ウエーハ１０の表面１０ａのデバイス１２によって形成された微小な凹凸面にポリエチレンテレフタレートシート３０が密着した状態で熱圧着されて、ウエーハ１０とポリエチレンテレフタレートシート３０とが一体化する。 As another means, the hot air blowing means 50 (only a part is shown) shown in FIG. 2B may be selected. More specifically, the hot air spraying means 50 for heating the polyethylene terephthalate sheet 30 is positioned above the first chuck table 20 in a state where the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30 are sucked and held. Although the details are omitted, the hot air spraying means 50 is provided with a heater portion provided with a temperature adjusting means such as a thermostat on the outlet side (lower side in the figure) facing the first chuck table 20 side, and the opposite side ( A fan unit driven by a motor or the like is disposed on the upper side in the drawing, and the heater unit and the fan unit are driven to blow hot air W toward the first chuck table 20. If the hot air blowing means 50 is positioned above the first chuck table 20, the hot air blowing means 50 blows hot air L over the entire surface 10 a side of the wafer 10 covered by the polyethylene terephthalate sheet 30, and the polyethylene terephthalate sheet 30 is 250. Heat to ~ 270 ° C. As a result of this heating, the polyethylene terephthalate sheet 30 is thermocompression-bonded in a state where the polyethylene terephthalate sheet 30 is in close contact with the minute uneven surface formed by the device 12 on the surface 10a of the wafer 10, as in the case of being integrated by the infrared irradiation means 40. The wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30 are integrated.
さらに、別の手段として、図２（ｃ）に示す加熱ローラ手段６０（一部のみ示す。）が選択されてもよい。より具体的には、ウエーハ１０及びポリエチレンテレフタレートシート３０を吸引保持した状態の第一チャックテーブル２０の上方に、ポリエチレンテレフタレートシート３０を加熱し押圧するための加熱ローラ手段６０を位置付ける。詳細は省略するが、加熱ローラ手段６０は、図示しないヒータを内蔵する加熱ローラ６２と、加熱ローラ６２を回転させるための回転軸６４とを備え、加熱ローラ６２の表面には、フッ素樹脂加工が施されている。加熱ローラ手段６０を第一チャックテーブル２０の上方に位置付けたならば、加熱ローラ６２に内蔵されたヒータを作動し、ポリエチレンテレフタレートシート３０が覆うウエーハ１０の表面１０ａ側全体を押圧して加熱ローラ６２を矢印Ｒ１で示す方向に回転させながら、矢印Ｘ方向に移動させる。加熱ローラ６２に内蔵された図示しないヒータは、ポリエチレンテレフタレートシート３０が２５０〜２７０℃になるように調整される。この加熱、及び押圧により、上記赤外線照射手段４０、又は熱風吹付け手段５０によって一体化されるのと同様に、ウエーハ１０の表面１０ａのデバイス１２によって形成された微小な凹凸面にポリエチレンテレフタレートシート３０を密着させた状態で熱圧着することで、ウエーハ１０とポリエチレンテレフタレートシート３０とが一体化する。なお、一体化工程を実施する別の手段として、上記した加熱ローラ６２に代えて、ヒータを備えた板状の押圧部材を採用し、ポリエチレンテレフタレートシート３０を押圧しウエーハ１０と熱圧着することもできる。 Furthermore, as another means, the heating roller means 60 (only a part is shown) shown in FIG. 2C may be selected. More specifically, the heating roller means 60 for heating and pressing the polyethylene terephthalate sheet 30 is positioned above the first chuck table 20 in a state where the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30 are sucked and held. Although not described in detail, the heating roller means 60 includes a heating roller 62 incorporating a heater (not shown) and a rotating shaft 64 for rotating the heating roller 62. The surface of the heating roller 62 is processed with fluororesin. It has been subjected. If the heating roller means 60 is positioned above the first chuck table 20, a heater built in the heating roller 62 is operated to press the entire surface 10 a side of the wafer 10 covered by the polyethylene terephthalate sheet 30 to heat the heating roller 62. Is moved in the direction of arrow X while rotating in the direction indicated by arrow R1. A heater (not shown) built in the heating roller 62 is adjusted so that the polyethylene terephthalate sheet 30 has a temperature of 250 to 270 ° C. By this heating and pressing, the polyethylene terephthalate sheet 30 is formed on the minute irregular surface formed by the device 12 on the surface 10a of the wafer 10 in the same manner as that by the infrared irradiation means 40 or the hot air blowing means 50. The wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30 are integrated with each other by thermocompression bonding in a state where the two are in close contact with each other. As another means for carrying out the integration step, a plate-like pressing member provided with a heater may be employed instead of the heating roller 62 described above, and the polyethylene terephthalate sheet 30 may be pressed and thermocompression bonded to the wafer 10. it can.
本実施例では、上記した一体化工程に続き、後工程で実施される研削工程に配慮して、ポリエチレンテレフタレートシート３０をウエーハ１０の形状に沿って切断する切断工程を実施する。なお、この切断工程は、必ずしも実施される必要はないが、実施した方がポリエチレンテレフタレートシート３０と一体化されたウエーハ１０が扱い易くなり、研削工程にとって好都合である。以下に、図３を参照しながら切断工程について説明する。 In the present embodiment, following the integration process described above, a cutting process for cutting the polyethylene terephthalate sheet 30 along the shape of the wafer 10 is performed in consideration of a grinding process performed in a subsequent process. Although this cutting step is not necessarily performed, it is easier to handle the wafer 10 integrated with the polyethylene terephthalate sheet 30 and it is convenient for the grinding step. Below, a cutting process is demonstrated, referring FIG.
（切断工程）
図３に示すように、ウエーハ１０及びポリエチレンテレフタレートシート３０を吸引保持した第一チャックテーブル２０上に、切断手段７０（一部のみ示す。）を位置付ける。より具体的には、切断手段７０は、ポリエチレンテレフタレートシート３０を切断するための円盤形状のブレードカッター７２と、ブレードカッター７２を矢印Ｒ２で示す方向に回転駆動するためのモータ７４とを備え、ブレードカッター７２の刃先を、ウエーハ１０の外周位置になるように位置付ける。ブレードカッター７２がウエーハ１０の外周位置に位置付けられたならば、ブレードカッター７２をポリエチレンテレフタレートシート３０の厚みだけ切込み送りし、第一チャックテーブル２０を矢印Ｒ３で示す方向に回転させる。これにより、ポリエチレンテレフタレートシート３０が、ウエーハ１０の外周に沿って切断され、ウエーハ１０の外周からはみ出したポリエチレンテレフタレートシート３０の外周部を切断して切り離すことができる。以上により、切断工程が完了する。
(Cutting process)
As shown in FIG. 3, the cutting means 70 (only a part is shown) is positioned on the first chuck table 20 that sucks and holds the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30. More specifically, the cutting means 70 includes a disk-shaped blade cutter 72 for cutting the polyethylene terephthalate sheet 30, and a motor 74 for rotationally driving the blade cutter 72 in the direction indicated by the arrow R2. The cutting edge of the cutter 72 is positioned so as to be the outer peripheral position of the wafer 10. When the blade cutter 72 is positioned at the outer peripheral position of the wafer 10, the blade cutter 72 is cut and fed by the thickness of the polyethylene terephthalate sheet 30, and the first chuck table 20 is rotated in the direction indicated by the arrow R3. Thereby, the polyethylene terephthalate sheet 30 is cut along the outer periphery of the wafer 10, and the outer peripheral portion of the polyethylene terephthalate sheet 30 protruding from the outer periphery of the wafer 10 can be cut and separated. Thus, the cutting process is completed.
（裏面研削工程）
ウエーハ１０とポリエチレンテレフタレートシート３０が一体化され、切断工程によりポチエチレンシート３０の外周部が切断されたならば、裏面研削工程を実施する。裏面研削工程を実施すべく、図４、及び図５に示す研削装置８０（一部のみ示す。）にウエーハ１０を搬送する。以下、図４、及び図５を参照しながら説明する。
(Back grinding process)
If the wafer 10 and the polyethylene terephthalate sheet 30 are integrated and the outer peripheral portion of the polyethylene sheet 30 is cut by the cutting process, a back grinding process is performed. In order to perform the back grinding process, the wafer 10 is conveyed to a grinding apparatus 80 (only a part is shown) shown in FIGS. 4 and 5. Hereinafter, a description will be given with reference to FIGS. 4 and 5.
図４に示すように、デバイス１２が形成された表面１０ａ側にポリエチレンテレフタレートシート３０が一体化されたウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に向け、ポリエチレンテレフタレートシート３０側を下にして、研削装置８０の第二チャックテーブル８１の吸着チャック８１ａ上に載置する。第二チャックテーブル８１は、図示しない回転駆動機構により回転可能に構成されている。
また、吸着チャック８１ａは、通気性を有する多孔質のポーラスセラミックからなり、図示しない吸引手段に接続され、該吸引手段を作動することにより吸引力を作用させてウエーハ１０を第二チャックテーブル８１上に吸引保持する。
As shown in FIG. 4, a grinding apparatus 80 with the back surface 10 b side of the wafer 10 in which the polyethylene terephthalate sheet 30 is integrated on the front surface 10 a side on which the device 12 is formed facing upward and the polyethylene terephthalate sheet 30 side facing down. The second chuck table 81 is placed on the suction chuck 81a. The second chuck table 81 is configured to be rotatable by a rotation drive mechanism (not shown).
The suction chuck 81a is made of porous porous ceramic having air permeability, and is connected to a suction means (not shown). By operating the suction means, a suction force is applied to move the wafer 10 onto the second chuck table 81. Hold on to suck.
図５に示すように、研削装置８０は、第二チャックテーブル８１上に載置されたウエーハ１０を研削して薄化するための研削手段８２を備えている。研削手段８２は、図示しない回転駆動機構により回転させられる回転スピンドル８４と、回転スピンドル８４の下端に装着されたマウンター８６と、マウンター８６の下面に取り付けられた研削ホイール８８とを備え、研削ホイール８８の下面には研削砥石８８ａが環状に配設されている。 As shown in FIG. 5, the grinding device 80 includes grinding means 82 for grinding and thinning the wafer 10 placed on the second chuck table 81. The grinding means 82 includes a rotary spindle 84 that is rotated by a rotation drive mechanism (not shown), a mounter 86 that is mounted on the lower end of the rotary spindle 84, and a grinding wheel 88 that is attached to the lower surface of the mounter 86. A grinding wheel 88a is annularly arranged on the lower surface of the.
ウエーハ１０を第二チャックテーブル８１上に吸引保持したならば、研削手段８２の回転スピンドル８４を図５において矢印Ｒ４で示す方向に例えば３０００ｒｐｍで回転させつつ、第二チャックテーブル８１を図５において矢印Ｒ５で示す方向にたとえば３００ｒｐｍで回転させる。そして、研削砥石８８ａをウエーハ１０の裏面１０ｂに接触させ、研削ホイール８８を、例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方、すなわち、第二チャックテーブル８１に対し垂直な方向に研削送りする。この際、図示しない接触式の測定ゲージによりウエーハ１０の厚みを測定しながら研削を進めることができ、ウエーハ１０の裏面１０ｂが研削されてウエーハ１０を所定の厚さ、例えば６０μｍとして、裏面研削工程が完了する。 If the wafer 10 is sucked and held on the second chuck table 81, the rotary spindle 84 of the grinding means 82 is rotated in the direction indicated by the arrow R4 in FIG. For example, it is rotated at 300 rpm in the direction indicated by R5. Then, the grinding wheel 88 a is brought into contact with the back surface 10 b of the wafer 10, and the grinding wheel 88 is ground and fed at a grinding feed rate of 1 μm / second, for example, in a direction perpendicular to the second chuck table 81. At this time, the grinding can be performed while measuring the thickness of the wafer 10 with a contact-type measurement gauge (not shown), and the back surface 10b is ground so that the wafer 10 has a predetermined thickness, for example, 60 μm. Is completed.
（剥離工程）
上記した裏面研削工程が完了したならば、ウエーハ１０の表面１０ａ側からポリエステル系シート敷設工程において貼着したポリエチレンテレフタレートシート３０を剥離する剥離工程を実施する。剥離工程について、図６、図７を参照しながら、以下に説明する。
(Peeling process)
When the above-described back grinding process is completed, a peeling process for peeling the polyethylene terephthalate sheet 30 attached in the polyester-based sheet laying process from the front surface 10a side of the wafer 10 is performed. The peeling process will be described below with reference to FIGS.
剥離工程を実施するに際し、剥離装置９０を用意する。剥離装置９０は、中央に通気性を有する多孔質のポーラスセラミックからなる円盤形状の吸着チャック９２ａを備えた第三チャックテーブル９２を有している。吸着チャック９２ａは、図示しない吸引手段に接続されている。図６に示すように、裏面研削工程が施されたウエーハ１０は、ポリエチレンテレフタレートシート３０が貼着された表面１０ａ側を上方に向けられ、裏面１０ｂ側を吸着チャック９２ａに載置し吸引保持される。そして、図７に示すように、ウエーハ１０を吸着チャック９２ａに吸引保持した状態で、ポリエチレンテレフタレートシート３０を剥離し、剥離工程が完了する。 In carrying out the peeling step, a peeling device 90 is prepared. The peeling device 90 has a third chuck table 92 provided with a disk-shaped suction chuck 92a made of porous porous ceramic having air permeability at the center. The suction chuck 92a is connected to suction means (not shown). As shown in FIG. 6, the wafer 10 that has been subjected to the back grinding process has the front surface 10 a side to which the polyethylene terephthalate sheet 30 is adhered facing upward, and the back surface 10 b side is placed on the suction chuck 92 a and sucked and held. The Then, as shown in FIG. 7, the polyethylene terephthalate sheet 30 is peeled off in a state where the wafer 10 is sucked and held by the suction chuck 92a, and the peeling step is completed.
上記した剥離工程において、ポリエチレンテレフタレートシート３０をウエーハ１０から剥離する際には、ポリエチレンテレフタレートシート３０を、加熱、又は冷却して剥離することが好ましい。ポリエステル系シートは、加熱により軟化することから、加熱して剥離工程を実施する場合は、ウエーハ１０の表面１０ａから剥がし易くなるという利点を有する。また、冷却して剥離する場合は、ポリエステル系シートが硬化するため、シートの一部がウエーハの表面に残存して、デバイスの品質をより低下させるという問題をより効果的に解消することができる。剥離工程時に加熱するか、冷却するかについては、選択するポリエステル系シートの状態に応じて適宜選択すればよい。 In the peeling step described above, when the polyethylene terephthalate sheet 30 is peeled from the wafer 10, it is preferable to peel the polyethylene terephthalate sheet 30 by heating or cooling. Since the polyester-based sheet is softened by heating, when the peeling step is performed by heating, there is an advantage that the polyester-based sheet is easily peeled off from the surface 10a of the wafer 10. In the case of peeling by cooling, since the polyester sheet is cured, the problem that a part of the sheet remains on the surface of the wafer and further deteriorates the quality of the device can be more effectively solved. . What is necessary is just to select suitably according to the state of the polyester-type sheet | seat selected about whether to heat at the peeling process or to cool.
上記した実施例では、ポリエステル系シートとして、ポリエチレンテレフタレートシート３０を選択したが、本発明はこれに限定されない。他のポリエステル系シートとしては、たとえば、ポリプロピレンシートであってもよい。 In the above-described embodiment, the polyethylene terephthalate sheet 30 is selected as the polyester sheet, but the present invention is not limited to this. As another polyester sheet, for example, a polypropylene sheet may be used.
上記した実施例では、一体化工程における加熱温度を２５０〜２７０℃になるように設定したが、本発明はこれに限定されず、選択したポリエステル系シートの種類に応じて加熱温度を調整することが好ましい。例えば、ポリエステル系シートとしてポリエチレンナフタレートシートを選択した場合は、加熱温度を１６０〜１８０℃とすることが好ましい。 In the above-described embodiment, the heating temperature in the integration step is set to be 250 to 270 ° C., but the present invention is not limited to this, and the heating temperature is adjusted according to the type of the selected polyester sheet. Is preferred. For example, when a polyethylene naphthalate sheet is selected as the polyester sheet, the heating temperature is preferably 160 to 180 ° C.
上記した実施例では、加工対象とするウエーハを、シリコン（Ｓｉ）としたが、本発明はこれに限定されず、他の素材、たとえば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ガラスからなるように構成してもよい。 In the above embodiment, the wafer to be processed is silicon (Si), but the present invention is not limited to this, and other materials such as gallium nitride (GaN), gallium arsenide (GaAs), and glass are used. You may comprise so that it may become.
１０：ウエーハ
１２：デバイス
２０ａ：第一チャックテーブル
２０ｂ：吸着チャック
２４：円形枠部
３０：ポリエチレンテレフタレートシート
４０：赤外線照射手段
５０：熱風吹付け手段
６０：加熱ローラ手段
７０：切断手段
８０：研削装置
８１：第二チャックテーブル
８１ａ：吸着チャック
８２：研削手段
８４：回転スピンドル
８６：マウント
８８：研削ホイール
８８ａ：研削砥石
９０：剥離装置
９２：第三チャックテーブル
９２ａ：吸着チャック
10: wafer 12: device 20a: first chuck table 20b: suction chuck 24: circular frame 30: polyethylene terephthalate sheet 40: infrared irradiation means 50: hot air spraying means 60: heating roller means 70: cutting means 80: grinding apparatus 81: second chuck table 81a: suction chuck 82: grinding means 84: rotating spindle 86: mount 88: grinding wheel 88a: grinding wheel 90: peeling device 92: third chuck table 92a: suction chuck
Claims (7)
ウエーハの表面にポリエステル系シートを敷設するポリエステル系シート敷設工程と、
少なくともポリエステル系シートを加熱し熱圧着してウエーハとポリエステル系シートとを一体化する一体化工程と、
ポリエステル系シートをチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、
ウエーハの表面からポリエステル系シートを剥離する剥離工程と、
から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。 A wafer processing method for grinding a back surface of a wafer having a plurality of devices formed on the surface,
A polyester sheet laying step of laying a polyester sheet on the surface of the wafer;
An integration step in which at least the polyester sheet is heated and thermocompression bonded to integrate the wafer and the polyester sheet;
A backside grinding process for holding a polyester sheet on a chuck table and grinding the backside of the wafer;
A peeling step of peeling the polyester sheet from the surface of the wafer;
A method for processing a wafer comprising at least
The wafer processing method according to claim 1, wherein the wafer is made of any one of silicon, gallium nitride, gallium arsenide, and glass.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
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| JP (1) | JP2019186489A (en) |
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|---|---|---|---|---|
| CN113199390A (en) * | 2020-01-16 | 2021-08-03 | 株式会社迪思科 | Method for processing wafer |
| US11735463B2 (en) * | 2019-08-19 | 2023-08-22 | Disco Corporation | Processing method for wafer |
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