JP2021121120A - 撮像装置、撮像システムおよび光検出方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ある。しかしながら、露光期間を短縮すると、露光期間に撮像セルに到達する光子数が減少することにより、光電変換によって生成される電荷量(信号電荷量)が減少する。光センサでは、光の照射以外の原因により発生する偽の信号電荷(ノイズ)が不可避であるので、信号電荷量の減少によって信号ノイズ比(いわゆるS/N)が悪化してしまう。
強度が時間的に変化する光を被写体に放射する少なくとも1つの照明装置と、
被写体からの光を検出する少なくとも1つの撮像装置と、
を備え、
少なくとも1つの撮像装置は、
それぞれが感度を変更可能な少なくとも1つの撮像セルと、
少なくとも1つの撮像セルに電気的に接続された少なくとも1つの感度制御線と、
を有し、
少なくとも1つの撮像セルは、
被写体からの光を受けて信号電荷を生成する光電変換部と、
信号電荷を検出する信号検出回路と、
を有し、
少なくとも1つの感度制御線は、少なくとも1つの撮像セルのリセットから、露光によって少なくとも1つの撮像セルに蓄積される信号電荷の読み出しまでの露光期間において、直交系をなす関数系の基底のうちの1つに定数を加えた、正の値をとる関数によって表される波形を有する感度制御信号を少なくとも1つの撮像セルに供給する、撮像システム。
照明装置は、光の強度を周期的に変化させる、項目1に記載の撮像システム。
少なくとも1つの撮像装置は、感度制御信号を光の強度の時間的変化に同期させる同期化回路を有する、項目1または2に記載の撮像システム。
少なくとも1つの照明装置および少なくとも1つの撮像装置は、
第1照明装置および第1撮像装置の組と、第2照明装置および第2撮像装置の組と、
を含み、
第1撮像装置における感度制御信号の波形は、基底のうちの1つに第1定数を加えた、正の値をとる第1関数によって表される波形を有し、
第2撮像装置における感度制御信号の波形は、基底のうちの他の1つに第2定数を加えた、正の値をとる第2関数によって表される波形を有する、項目1から3のいずれかに記載の撮像システム。
基底のうちの1つは、三角関数である、項目1から4のいずれかに記載の撮像システム。
基底のうちの1つは、定数関数ではないウォルシュ関数である、項目1から4のいずれかに記載の撮像システム。
少なくとも1つの感度制御線は、
露光期間において、正の値をとる関数によって表される波形を有する第1感度制御信号を少なくとも1つの撮像セルに供給し、
露光期間よりも後の第2の露光期間において、正の値をとる関数を時間的にシフトさせた関数によって表される波形を有する第2感度制御信号を少なくとも1つの撮像セルに供給する、項目1から6のいずれかに記載の撮像システム。
少なくとも1つの感度制御線は、
露光期間において、正の値をとる関数によって表される波形を有する第1感度制御信号を少なくとも1つの撮像セルに供給し、
露光期間よりも後の第2の露光期間において、定数関数によって表される波形を有する第2感度制御信号を少なくとも1つの撮像セルに供給する、項目1から6のいずれかに記載の撮像システム。
少なくとも1つの撮像セルは、第1撮像セルおよび第2撮像セルを含み、
少なくとも1つの感度制御線は、第1撮像セルに電気的に接続された第1感度制御線および第2撮像セルに電気的に接続された第2感度制御線を含み、
第1感度制御線は、露光期間において、正の値をとる関数によって表される波形を有する第1感度制御信号を第1撮像セルに供給し、
第2感度制御線は、露光期間において、正の値をとる関数を時間的にシフトさせた関数によって表される波形を有する第2感度制御信号を第2撮像セルに供給する、項目1から6のいずれかに記載の撮像システム。
少なくとも1つの撮像セルは、第1撮像セルおよび第2撮像セルを含み、
少なくとも1つの感度制御線は、第1撮像セルに電気的に接続された第1感度制御線および第2撮像セルに電気的に接続された第2感度制御線を含み、
第1感度制御線は、露光期間において、正の値をとる関数によって表される波形を有する第1感度制御信号を第1撮像セルに供給し、
第2感度制御線は、露光期間において、定数関数によって表される波形を有する第2感度制御信号を第2撮像セルに供給する、項目1から6のいずれかに記載の撮像システム。
直交系は、完全直交系である、項目1から10のいずれかに記載の撮像システム。
強度がパルス状に変化する光を被写体に放射する少なくとも1つの照明装置と、
被写体からの光を検出する少なくとも1つの撮像装置と、
を備え、
少なくとも1つの撮像装置は、
それぞれが感度を変更可能な少なくとも1つの撮像セルと、
少なくとも1つの撮像セルに電気的に接続された少なくとも1つの感度制御線と、
を有し、
少なくとも1つの撮像セルは、
被写体からの光を受けて信号電荷を生成する光電変換部と、
信号電荷を検出する信号検出回路と、
を有し、
少なくとも1つの感度制御線は、少なくとも1つの撮像セルのリセットから、露光によって少なくとも1つの撮像セルに蓄積される信号電荷の読み出しまでの露光期間において、パルス波形を有する感度制御信号を少なくとも1つの撮像セルに供給する、撮像システム。
少なくとも1つの撮像装置は、感度制御信号を光の強度の時間的変化に同期させる同期化回路を有する、項目12に記載の撮像システム。
少なくとも1つの撮像セルは、複数の撮像セルである、項目12または13に記載の撮像システム。
少なくとも1つの感度制御線は、複数の撮像セルに共通の感度制御信号を供給する、項目14に記載の撮像システム。
それぞれが感度を変更可能な少なくとも1つの撮像セルと、
少なくとも1つの撮像セルに電気的に接続された少なくとも1つの感度制御線と、
を備え、
少なくとも1つの撮像セルは、
光の入射によって信号電荷を生成する光電変換部と、
信号電荷を検出する信号検出回路と、
を有し、
少なくとも1つの感度制御線は、少なくとも1つの撮像セルのリセットから、露光によって少なくとも1つの撮像セルに蓄積される信号電荷の読み出しまでの露光期間において、直交系をなす関数系の基底のうちの1つに定数を加えた、正の値をとる関数によって表される波形を有する感度制御信号を少なくとも1つの撮像セルに供給する、撮像装置。
信号検出回路は、少なくとも1つの感度制御線に接続された増幅器を有し、
増幅器の露光期間における増幅率は、正の値をとる関数によって表される変化を示す、項目16に記載の撮像装置。
信号検出回路は、
信号検出トランジスタと、
信号検出トランジスタの入力に接続された電荷蓄積領域と、
電荷排出領域と、
光電変換部と電荷蓄積領域および電荷排出領域との間に接続された切り替え回路であって、少なくとも1つの感度制御線に接続された切り替え回路と、
を有し、
切り替え回路は、感度制御信号に基づいて、露光期間の一部において光電変換部を電荷蓄積領域に接続し、露光期間の残余の期間において光電変換部を電荷排出領域に接続する、項目16に記載の撮像装置。
光電変換部は、少なくとも1つの感度制御信号線に接続された電極を有するアバランシェフォトダイオードを含む、項目16に記載の撮像装置。
光電変換部は、
第1電極と、
少なくとも1つの感度制御線に接続された、透光性の第2電極と、
第1電極および第2電極の間に配置された光電変換層と、
を有する、項目16から18のいずれかに記載の撮像装置。
少なくとも1つの撮像セルは、複数の撮像セルである、項目16から20のいずれかに記載の撮像装置。
少なくとも1つの感度制御線は、複数の撮像セルに共通の感度制御信号を供給する、項目21に記載の撮像装置。
輝度が時間的に変化する被写体に、1以上の撮像セルを有する撮像装置の撮像面を向ける工程(a)と、
1以上の撮像セルのリセット後、1以上の撮像セルのうちの少なくとも一部の撮像セルにおける第1感度を変化させながら露光を実行する工程(b)と、
を含み、
工程(b)において、第1感度の変化を表す波形は、直交系をなす関数系の基底のうちの1つに第1定数を加えた、正の値をとる第1関数によって表される形状を有する、光検出方法。
工程(a)は、
強度が時間的に変化する光で被写体を照射する工程(a1)
を含む、項目23に記載の光検出方法。
工程(b)は、
第1感度の変化を光の時間的な強度の変化に同期させる工程(b1)
を含む、項目24に記載の光検出方法。
1以上の撮像セルのリセット後、1以上の撮像セルのうちの他の一部の撮像セルにおける第2感度を変化させながら露光を実行する工程(c)
をさらに含み、
第1関数は、周期関数であり、
第2感度の変化を示す波形は、第1感度の変化を表す波形に対して位相および/または周期が異なる、項目23から25のいずれかに記載の光検出方法。
1以上の撮像セルのリセット後、1以上の撮像セルのうちの他の一部の撮像セルにおける第2感度を固定して露光を実行する工程(c)
をさらに含む、項目23から25のいずれかに記載の光検出方法。
工程(c)は、工程(b)の後に実行される、項目26または27に記載の光検出方法。
工程(b)および工程(c)は、同時に実行される、項目26または27に記載の光検出方法。
工程(b)において取得される画像信号と、工程(c)において取得される画像信号との間の差分に基づいて画像を形成する工程(d)をさらに含む、項目26から29のいずれかに記載の光検出方法。
輝度が時間的に変化する被写体に、1以上の撮像セルを有する撮像装置の撮像面を向ける工程(a)と、
1以上の撮像セルのリセット後、1以上の撮像セルのうちの少なくとも一部の撮像セルにおける第1感度を変化させながら露光を実行する工程(b)と、
を含み、
工程(b)において、第1感度の変化を表す波形は、パルス形状を有する、光検出方法。
工程(a)は、
強度がパルス状に変化する光で被写体を照射する工程(a1)
を含む、項目31に記載の光検出方法。
工程(b)は、
第1感度の変化を光の時間的な強度の変化に同期させる工程(b1)
を含む、項目32に記載の光検出方法。
それぞれが第1光電変換部を有する1以上の第1撮像セルと、
第1信号線と、
それぞれが第2光電変換部を有する1以上の第2撮像セルと、
第2信号線と、
を備え、
第1光電変換部は、
第1電極と、
第1信号線に電気的に接続された、透光性の第2電極と、
第1電極および第2電極の間に配置された第1光電変換層と、
を含み、
第2光電変換部は、
第3電極と、
第2信号線に電気的に接続された、透光性の第4電極と、
第3電極および第4電極の間に配置された第2光電変換層と、
を含み、
第1信号線は、1以上の第1撮像セルのリセットから、露光によって1以上の第1撮像セルに蓄積される信号電荷の読み出しまでの露光期間において、直交系をなす関数系の基底のうちの1つに定数を加えた、正の値をとる関数によって表される波形を有する第1信号を1以上の第1撮像セルに供給し、
第2信号線は、露光期間において、第1信号とは異なる時間変化を示す波形を有する第2信号を1以上の第2撮像セルに供給する、撮像装置。
第1信号線に第1信号を供給する第1信号源と、
第2信号線に第2信号を供給する第2信号源と、
をさらに備える、項目34に記載の撮像装置。
第1信号線に接続された信号源と、
第2信号線および信号源との間に接続された移相器と、
をさらに備える、項目34に記載の撮像装置。
第1信号および第2信号は、露光期間において周期的な変化を示す信号であり、
第1信号および第2信号の周期および位相の少なくとも一方は、互いに異なる、項目34から36のいずれかに記載の撮像装置。
第2信号源は、直流信号源である、項目35に記載の撮像装置。
第1光電変換層および第2光電変換層は、連続した単一の層である、項目34から38のいずれかに記載の撮像装置。
1以上の第1撮像セルは、複数の第1撮像セルであり、
1以上の第2撮像セルは、複数の第2撮像セルである、項目34から39のいずれかに記載の撮像装置。
第1信号線は、複数の第1撮像セルに共通の第1信号を供給し、
第2信号線は、複数の第2撮像セルに共通の第2信号を供給する、項目40に記載の撮像装置。
図1は、本開示の第1の実施形態による撮像装置の例示的な構成を模式的に示す。図1に示す撮像装置100は、1以上の撮像セル10を有する。ここでは、撮像装置100が
複数の撮像セル10を含む構成を例示する。撮像セル10の数は、特定の数に限定されない。例えば撮像セル10の数が1つであれば、撮像装置100を光検出素子として利用し得るし、撮像セル10の数が複数、かつ、それらの撮像セル10が1次元または2次元に配列されていれば、撮像装置100をイメージセンサとして利用し得る。後述するように、撮像セル10の各々は、感度を変更可能な構成を有する。
の読み出しを行うことができる。行走査回路90を垂直走査回路と呼んでもよい。また、行走査回路90は、リセット制御線86に所定の電圧を印加することにより、選択された撮像セル10に対してリセット動作を実行することが可能である。
する。
積領域に蓄積されるような動作が実行されてもよい。すなわち、本開示の実施形態においては、露光期間と信号電荷の蓄積期間とは、必ずしも一致しない。
図3は、撮像セル10の例示的なデバイス構造を模式的に示す。図3に例示する構成では、上述の信号検出トランジスタ22、アドレストランジスタ24およびリセットトランジスタ26が、半導体基板20に形成されている。半導体基板20は、その全体が半導体である基板に限定されない。半導体基板20は、撮像領域が形成される側の表面に半導体層が設けられた絶縁基板などであってもよい。ここでは、半導体基板20としてP型シリコン(Si)基板を用いる例を説明する。
極12cは、光電変換層12bにおいて光が入射される側に配置される。したがって、光
電変換層12bには、透明電極12cを透過した光が入射する。透明電極12c上には、保護層、カラーフィルタなどが配置され得る。なお、撮像装置100によって検出される光は、可視光の波長範囲(例えば、380nm以上780nm以下)内の光に限定されない。本明細書における「透明」および「透光性」の用語は、検出しようとする波長範囲の光の少なくとも一部を透過することを意味し、可視光の波長範囲全体にわたって光を透過することは必須ではない。本明細書では、赤外線および紫外線を含めた電磁波全般を、便宜上「光」と表現する。
いた無機半導体フォトダイオードにおいては、光電変換によって生成された、フォトダイオード内部の正および負の電荷は、アノードおよびカソード間にバイアス電圧を印加しなくてもカソードおよびアノードにそれぞれ移動する。これに対し、図3に例示されるようなサンドイッチ構造を有する光電変換素子では、光電変換層にバイアス電圧が印加されていない状態では、光電変換によって生成された正および負の電荷は、光電変換層内においてあまり移動しない。したがって、アノードまたはカソードに到達する前に再結合によって消失する割合が高い。バイアス電圧が増大するに従い、アノードまたはカソードに到達する電荷の割合、換言すれば、光電変換層に単位時間に吸収された光子数に対する、電荷蓄積領域に蓄積される単位時間当たりの信号電荷数の割合(以下、「外部量子効率」と呼ぶことがある)が増加する。
量子効率はバイアス電圧に対して一次関数ではない。そのため、量子効率を正弦波+定数の形にするには、バイアス電圧は単純な正弦波+定数ではない非線形な形で変化させなければならない。ただし、上記手順により所望のバイアス電圧の時間変化が求められること、およびそのような制御が可能であることは自明である。
一般に困難である。これに対し、図3を参照して説明したような構成によれば、アノードまたはカソードの一方を電荷蓄積領域に電気的に接続して信号電荷の蓄積に利用しながら、他方にバイアス電圧を印加することが容易である。例えば、透明電極12cに感度制御線82を接続し、バイアス電圧として感度制御信号を透明電極12cに印加することにより、感度制御信号によって撮像セル10の感度を電気的に変調し得る。本発明者の検討によれば、外部量子効率は、バイアス電圧の変化に追従して高速に変化する。そのため、特定の関数によって表される波形を有する感度制御信号を用いることによって、撮像セル10の感度を、その関数の波形に従って比較的容易に時間的に変化させ得る。
次に、露光期間中の照度の変化から特定の成分を抽出する原理を説明する。理解を容易にするために、以下では、まず、具体例として、露光期間中の照度の変化から、特定の振動数で変動する振幅を有する成分を抽出する方法を説明する。
積に応じた量の信号電荷が蓄積される。上述したように、従来の撮像装置では、露光期間において感度Sが一定に固定される。この例では、撮像セルの感度がある値Sfに固定さ
れているので、時刻t1において電荷蓄積領域には、結局、時刻t1における照度L1と感度Sfとの積に比例した量の信号電荷Q1が蓄積される。ここでは、露光期間における
感度Sが一定であることから、電荷蓄積領域に蓄積される信号電荷量Q(τ)は、図5において一番下に模式的に示すように、撮像セルに対する照度L(τ)の時間変化に対応した変化を示す。
1)に示すように、露光期間中の各時刻における感度S(τ)および照度L(τ)の積の、時刻τ=0からτ=Tまでの積分として表される。
される信号電荷の総量Qtは、下記の式(2)のように表される。
(3)に示す展開が、光電変換素子に入射する光の振動数(波長といってもよい)ごとの展開ではなく、光電変換素子に入射する光の強度における振動数ごとの展開であることに注意されたい。なお、式(3)中、正弦関数に1を加えているのは、各瞬間のL(τ)≧0であることから和の各項が負とならないようにするためである。
示すように、撮像セル10における感度Sを周期的に変化させることが可能である。
て、露光期間が十分に長ければ、Tに比例する項の影響が支配的となり、結局、信号電荷の総量Qtを表す式として、下記の式(7)を得る。
いる。すなわち、露光期間中の照度の変化を示すL(τ)を構成する成分のうちから、特定の振動数(ここではωs)で変動する振幅を有する成分に関する情報が得られている。
換言すれば、撮像セル10における感度Sを特定の振動数で周期的に変化させることにより、被写体の輝度の変化のうち、特定の振動数に対応した量の信号電荷を電荷蓄積領域に蓄積することが可能である。
式(7)中の第2項は、照度Lおよび感度Sが負の値をとらないことに起因してオフセットが生じることを示している。このオフセットは、式(7)で示される信号電荷量に対応する画像信号から、第2項に示される信号電荷量に対応する画像信号を減算することによってキャンセルすることができる。
相θsと、感度S(τ)における位相θとが等しいときに最大値QtMをとり、位相θsとθとの差がπ(または−π)であるときに最小値Qtmをとる。最大値QtMおよび最小値Qtmは、それぞれ、下記の式(8)および式(9)によって表される。
写体の輝度に周期的な変化を与え、透明電極12cに印加するバイアス電圧(感度調整信号)を3kHzの周期で正弦関数的に変化させることにより、撮像セル10の感度を3kHzの周期で変化させている。いずれも、撮影における露光期間は、およそ20m秒(ミリ秒)としている。
、πに限定されない。
が最小となるような位相差Δθmを回帰分析などによって求め、位相差ΔθMおよびΔθm
に対応する画像信号に基づいて、オフセットのキャンセルされた画像を形成してもよい。
わかるように、オフセットに対応するレベルよりも有意に高い信号レベルを得る観点からは、露光期間が長い方が有利である。例えば、十分に長い露光期間を適用することにより、第2の撮影を省略し得る。ただし、位相を変えて第1および第2の撮影を行うことにより、第1の撮影において十分に高い信号レベルが得られなかった場合に、位相差Δθが偶然πに近かったために画像が暗かったのか、あるいは、撮像セル10に対する照度が低かったのかを区別することが可能である。
ークのうち、最大のピークは、Δω=0におけるピークであり、露光期間を長くするほど、このピークは、鋭くなる。したがって、他の振動数成分の影響を低減しながら、特定の振動数成分に関する情報を選択的に取得したいといった場合には、露光期間を長くとることによってオフセットの影響を低減することが可能である。
置されている。3行目には、青の波長域の光を透過するカラーフィルタ36Bが配置されている。つまり、この例では、透過する波長域が共通するカラーフィルタを有する撮像セル10Aおよび撮像セル10Bが、複数の撮像セル10の行の延びる方向(行方向)に沿って隣接している。
像セル10Bの組の出力が、最終的に得られる画像中のある画素の輝度値の決定に利用される。したがって、最終的に得られる画像の行方向における画素数は、撮像領域において行方向に沿って配置された撮像セル10の数の半分である。カラーフィルタの配置、各撮像セルの受光領域の形状は、図13に示す例に限定されず、任意に設定可能である。
上述の例では、照度L(τ)が、振幅がωmの振動数で変化する光の重ねあわせによっ
て表現可能であると仮定している。厳密には、光電変換部12に入射する光が、振動数ωmで振幅が変化するような光の重ねあわせであるとは限らない。しかしながら、後述する
ように、被写体に向けて光を照射することによって、被写体に積極的に輝度の変化を生じさせることが可能であり、例えば周期的に強度が変化するような光を被写体に照射すれば、被写体表面で反射した光に周期的な変化を生じさせ得る。すなわち、周期Tの周期関数によって表現されるような照度の変化を実現し得る。
とが知られている(nは0以上の整数)。完全系をなす関数系であれば、適当な線形結合により、互いに直交する基底を選び、完全直交系{φn(τ)}を構成することができる
。つまり、完全直交系をなす関数系の基底のうちの1つに定数を加えた、正の値をとる関数によって表される波形を有する信号を感度制御信号として用い得る。上述の関数系{1,cosω1τ,sinω1τ,cosω2τ,sinω2τ,…}は、完全直交系の一例である。
展開の係数である。
式(1)の右辺が、関数L(τ)およびS(τ)の内積<L,S>の形となっていることに着目すれば、各基底の直交性から、φs(τ)同士の内積だけが残り、結局、以下の式
(12)を得る。
として、完全直交系をなす関数系の基底を用いることにより、露光期間内の照度L(τ)の変化から、その基底に対応した成分に関する情報を抽出できることを意味している。換言すれば、被写体の輝度の時間的変化が周期的でない場合であっても、被写体の輝度の時間的変化から、特定の成分に関する情報を抽出することが可能である。
値をとり得ることに対し、感度S(τ)が負の値をとらないことから、S(τ)として完全直交系{φn(τ)}の基底をそのまま適用することはできない。そのため、閉区間[
0,T]においてS(τ)≧0の条件を満たすように、関数χn(τ)=φn(τ)+χ0
を定義し、このχn(τ)をS(τ)として用いる。ここで、χ0は、閉区間[0,T]においてχn(τ)≧0となるように選んだ適当な定数である。
期関数であるか否かによらずに、L(τ)を構成する成分のうちから、特定の成分に関する情報を抽出することができる。関数L(τ)が周期関数であれば、式(5)を用いて説明したように、例えば、正弦関数(または余弦関数)に定数を加えた、正の値をとる関数を用いればよい。この場合は、露光期間中の照度の変化を示すL(τ)を構成する成分のうちから、振幅が特定の振動数で変化する成分に関する情報が抽出される。
撮像セルの感度に変調を与える構成は、上述した例に限定されない。図17は、感度の変調が可能な撮像セルの回路構成の例を示す。図17に示す撮像セル50は、感度制御線82に接続された増幅器52を含む信号検出回路14Gを有する。図17に例示する構成において、増幅器52は、光電変換部12と信号検出トランジスタ22の入力との間に接続されている。増幅器52は、例えば可変ゲインアンプであり、感度制御線82は、可変ゲインアンプのゲイン制御端子に接続される。なお、この例では、光電変換部12に電圧線81が接続されている。電圧線81は、透明電極12c(図17において不図示)に接続されており、撮像装置100の動作時、透明電極12cに所定のバイアス電圧を供給する。このバイアス電圧は、典型的には、固定された電圧である。
以上に説明したように、被写体の輝度がある規則に従って変化するような場合、その規則に関連を有する規則に従って撮像セルの感度を露光期間において変化させることにより、被写体の輝度の時間的変化から、特定の成分に関する情報を抽出することが可能である。例えば、被写体の輝度の変化が、ある振動数で変化する成分を含むとき、撮像セルの感度の変調における振動数をその振動数に一致させることにより、その振動数で強度が変化する光で選択的に被写体を照射したときと同様の画像が得られる。
例えば、撮像装置100と、強度が時間的に変化する光を発する照明装置とを用いて、分光イメージングシステムを実現し得る。本開示の撮像システムの有利な点の理解を容易とするために、まず、従来のフーリエ変換型赤外分光光度計の構成および動作を説明する。
とにより、強度において正弦的な波形を有する干渉光を形成することができる。つまり、測定対象SPには、強度が時間的に変化する光が入射する。したがって、図21に例示する構成において、光源252および干渉計240の全体を、強度が時間的に変化する光を被写体(ここでは測定対象SP)に放射する照明装置250とみなすことができる。
腫瘍に特異的に蓄積される蛍光色素分子を利用して腫瘍の位置を特定する蛍光診断が知られている。蛍光診断においては、患者に5−アミノレブリン酸(5-ALA)を投与し、施
術を行うとする部位を励起光で照射する。5−アミノレブリン酸は、腫瘍に特異的に蓄積されるので、5−アミノレブリン酸から発せられる蛍光を標識として、腫瘍の形状および位置を特定することができる。しかしながら、この蛍光があまり強くないために、蛍光を観察するには、周囲の照明を落とす必要がある。
図26は、本開示の実施形態による撮像システムを物標検出システムに適用した例を示す。図26に示す撮像システム200Aおよび200Bは、それぞれ、照明装置250Aと撮像装置100Aとの組、および、照明装置250Bと撮像装置100Bとの組を含む。撮像装置100Aおよび100Bとしては、上述の撮像装置100と同様の構成を適用し得る。撮像システム200Aおよび200Bは、例えば乗用車などの車両に搭載され得る物標検出システムであり得る。撮像システム200Aおよび200Bは、位置が固定された定点撮像システムであってもよい。
によって再帰的に与えられ、例えば次元が16のウォルシュ行列W(16)は、以下の式(17)の形に表される。
では、0≦α≦1とし、位相αを周期に対する割合で指定する。
よび−1の配列{1,−1,1,−1,−1,1,−1,1,1,−1,1,−1,−1,1,−1,1}によって決まる。同様に、W16,14(0,τ)は、W(16)の第14
行における1および−1の配列{1,−1,1,−1,−1,1,−1,1,−1,1,−1,1,1,−1,1,−1}によって決まる。図27および図28は、それぞれ、W16,13(0,τ)およびW16,14(0,τ)の具体的なグラフを示す。図27および図28における横軸は、時間τを表し、周期をTとしている。図27および図28からわかるように、各ウォルシュ関数は、各点でとり得る値が1または−1のいずれかの区分的に連続な関数である。定数関数でない(すなわち、k≠1)ウォルシュ関数の一周期にわたる積分値は、0である。
つ、互いに異なる、定数関数ではないウォルシュ関数を適用する。例えば、撮像システム200Aの照明装置250Aの光源に供給する駆動信号として、第1のウォルシュ関数に第1の定数を加えた、正の値をとる第1の関数によって表される波形を有する信号を用いる。また、撮像システム200Bの照明装置250Bの光源に供給する駆動信号として、第2のウォルシュ関数に第2の定数を加えた、正の値をとる第2の関数によって表される波形を有する信号を用いる。第1のウォルシュ関数および第2のウォルシュ関数は、同じ長さのウォルシュ関数の群から選択された、定数関数ではない互いに異なるウォルシュ関数である。
)および撮像システム200Bの照明装置250Bから出射される光の強度I2(τ)は
、それぞれ、下記の式(18)および式(19)のように表される。式(18)および式(19)中、A1およびA2は、正の定数であり、C1およびC2は、1よりも大きな定数である。
の強度の時間的変化に対応した成分であるL2(τ)とを含んでいる。したがって、照度
L(τ)を下記の式(20)のように書ける。
、ならびに、物標TGの反射率により決まる定数である。B2は、物標TG、撮像システ
ム200Bの照明装置250Bおよび撮像システム200Aの撮像装置100Aの間の相対的な位置関係、および、物標TGの反射率により決まる定数である。位相β1は、撮像
システム200Aと物標TGとの間の距離に応じて決まる。撮像システム200Aと物標TGとの間の距離をD、光の速度をcとすれば、β1=α1+(2D/c)である。距離Dが仮に0であるとすれば、β1=α1であり、照明装置250Aから出射される光の変調における位相と、撮像セル10が検出する照度の変化のうち、照明装置250Aから出射される光に対応する成分の位相とは、一致する。なお、位相β1は、距離Dの増大に従って
周期的な変化を示す。以下では、説明が過度に複雑となることを避けるために、2D<cTとする。このように仮定しても一般性は失われない。
光期間に撮像セル10の電荷蓄積領域に蓄積される信号電荷の総量Qtは、下記の式(2
1)のように書ける。露光期間の長さは、ウォルシュ関数の周期Tの自然数倍と等しくなるように設定する。式(21)中のFは、比例定数である。
第1の関数を適用する。
位相を表す。式(22)および上述の式(18)からわかるように、撮像装置100Aの撮像セル10の感度の変調においては、照明装置250Aから出射される光の変調に適用したウォルシュ関数と同じウォルシュ関数を適用する。撮像システム200Aが撮像装置100Aおよび照明装置250Aの組を含むことから、撮像システム200A内において、撮像セル10の感度変調と、照明装置250Aからの出射光の変調とに同一のウォルシュ関数を適用することは、容易である。必要に応じて、同期化回路により、撮像セル10の感度変調における位相と、照明装置250Aからの出射光の変調における位相とを一致させてもよい。
像セル10の感度変調における位相γ1との間の差に応じて変化し、かつ、露光期間に比
例して大きくなる。第1項の一周期平均は、例えば、ある長さの露光期間のもとでは、位相β1と、位相γ1とが一致したときに極大値または極小値をとる。
を行い、電荷蓄積領域に蓄積される信号電荷の総量Qtが極大または極小となるようなγ1の値を調べれば、β1=α1+(2D/c)の関係に基づき、撮像システム200Aと物標TGとの間の距離を算出することが可能である。なお、図13を参照して説明したように、複数の撮像セル10をグルーピングし、そのグループごとに、感度変調における位相を変えて撮影すれば、電荷蓄積領域に蓄積される信号電荷の総量Qtが極大または極小とな
るような位相をより高速に算出し得る。
を復元することができない。すなわち、暗号通信が可能である。暗号通信には、可視光を使用することも可能である。
感度の変調に有用な関数としてデルタ関数も例示できる。以下に説明するように、パルス波形を有する感度制御信号を用いることにより、例えば、生体組織内の酸素濃度のマッピングが可能である。以下では、生体組織に取り込まれた発光プローブからの燐光を撮像装置100を用いて撮影する例を説明する。
号の波形の典型例を示す。ここでは、感度制御線82は、デルタ関数の波形に相当するパルス波形を有する感度制御信号を各撮像セル10に供給する。ただし、厳密な意味では感度制御信号においてデルタ関数の波形を実現することは不可能なので、露光期間に対して十分に短い期間(例えば100n秒(ナノ秒)程度)においてハイレベルとなる波形を有する矩形パルスの感度制御信号によって、デルタ関数の波形を近似する。感度制御信号がデルタ関数の波形に相当するパルス波形を有するので、この例では、各撮像セル10の感度の変化を示す波形もパルス形状を有する。
、生体組織内のpHのマッピングが可能である。照明装置からの光の出射から特定の時間遅らせたタイミングにおいて感度を増大させる上述の撮像は、TOF法を利用した測距にも適用が可能である。このように、本開示の実施形態によれば、酸素濃度に関するマッピング、pHのマッピングなどを実現し得る。特に、サンドイッチ構造を有する光電変換素子を光電変換部12に適用することにより、比較的簡易な構成でありながら、酸素濃度、pHなどに関するマッピングが可能になる。
50、60、70 撮像セル
12、12A、12B、12P 光電変換部
12a、12aA、12aB 画素電極
12b、12bA、12bB 光電変換層
12c、12cA、12cB 透明電極
14、14D、14G 信号検出回路
22 信号検出トランジスタ
52 増幅器
62 切り替え回路
72 アバランシェフォトダイオード
82、82A、82B 感度制御線
92、92A〜92C 電圧供給回路
92D 直流信号源
93 移相器
99 制御回路
100、100A、100B 撮像装置
200A、200B 撮像システム(物標検出システム)
200E 腫瘍観察システム
200F 燐光観察システム
200P 分光イメージングシステム
250、250A、250B 照明装置
250E、250F、250P 照明装置
256 同期化回路
300 物標検出システム
Claims (13)
- 強度が時間的に変化する光を被写体に放射する第1照明装置と、
前記被写体からの光を検出する第1撮像装置と、
を備え、
前記第1撮像装置は、
第1撮像セルと、
第1バイアス電圧制御線と、
を有し、
前記第1撮像セルは、
第1電極と、前記第1バイアス電圧制御線に電気的に接続された透光性の第2電極と、前記第1電極および前記第2電極の間に配置された光電変換層とを有し、前記被写体からの光を受けて信号電荷を生成する光電変換部と、
前記信号電荷を検出する信号検出回路と、
を有し、
前記第1バイアス電圧制御線は、前記第1撮像セルのリセットから、露光によって前記第1撮像セルに蓄積される前記信号電荷の読み出しまでの第1露光期間において、第1バイアス電圧制御信号を前記第2電極に供給し、
前記第1バイアス電圧制御信号は、前記第1照明装置の光の強度の時間的変化に同期している、撮像システム。 - 前記第1照明装置は、前記光の強度を周期的に変化させる、請求項1に記載の撮像システム。
- 前記光の強度の変化の周期は、前記第1バイアス電圧制御信号の変化の周期に一致している、請求項2に記載の撮像システム。
- 前記光の強度の変化の位相は、前記第1バイアス電圧制御信号の変化の位相に一致している、請求項3記載の撮像システム。
- 前記第1バイアス電圧制御信号の波形は、定数関数ではないウォルシュ関数で表される波形である、請求項1から4のいずれか一項に記載の撮像システム。
- 第2照明装置および第2撮像装置をさらに備え、
前記第2撮像装置は、
第2撮像セルと、
前記第2撮像セルに電気的に接続された第2バイアス電圧制御線と、
を有し、
前記第2バイアス電圧制御線は、前記第2撮像セルのリセットから、露光によって前記第2撮像セルに蓄積される信号電荷の読み出しまでの第2露光期間において、第2バイアス電圧制御信号を前記第2撮像セルに供給し、
前記第2撮像装置における前記第2バイアス電圧制御信号の波形は、前記第1バイアス電圧制御信号とは異なる波形を有する、請求項1に記載の撮像システム。 - 前記第1バイアス電圧制御信号の波形は、三角関数で表される波形である、請求項1に記載の撮像システム。
- 前記第2バイアス電圧制御信号の波形は、定数関数ではないウォルシュ関数で表される波形である、請求項6に記載の撮像システム。
- 前記第1バイアス電圧制御線は、
前記第1露光期間よりも後の第2露光期間において、前記第1バイアス電圧制御信号の波形とは周期の異なる波形を有する第2バイアス電圧制御信号を前記第1撮像セルに供給する、請求項1に記載の撮像システム。 - 前記第1撮像装置は、第2撮像セルと、
前記第2撮像セルに電気的に接続された第2バイアス電圧制御線とを有し、
前記第2バイアス電圧制御線は、前記第1露光期間において、前記第1バイアス電圧制御信号の波形とは周期および位相の少なくとも一方が異なる波形を有する第2バイアス電圧制御信号を前記第2撮像セルに供給する、請求項1に記載の撮像システム。 - 前記第1撮像装置は、第2撮像セルと、
前記第2撮像セルに電気的に接続された第2バイアス電圧制御線とを有し、
前記第2バイアス電圧制御線は、前記第1露光期間において、定数関数によって表される波形を有する第2バイアス電圧制御信号を前記第2撮像セルに供給する、請求項1に記載の撮像システム。 - 前記第1撮像装置は、前記第1撮像セルを含む複数の撮像セルを有し、
前記第1バイアス電圧制御線は、前記複数の撮像セルに共通の前記第1バイアス電圧制御信号を供給する、請求項1に記載の撮像システム。 - 前記第1撮像装置は、前記第1露光期間において、グローバルシャッタによる撮影を実行する、請求項12に記載の撮像システム。
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