JP2021118368A - 圧電振動片の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属膜の膜厚に応じたエッチング時間で金属膜をエッチングしても所定の形状にならない。【解決手段】互いに対向する表面を有する圧電基板を用意する工程と、圧電基板の表面に金属膜を成膜する工程と、金属膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜を圧電振動片の外形形状にパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、を有する圧電振動片の製造方法において、レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングする前に、金属膜の膜密度を測定する工程と、金属膜の膜密度の測定値から金属膜のエッチング時間を算出する工程と、レジストパターンをマスクとして金属膜の膜密度の測定値に基づき算出した金属膜のエッチング時間で金属膜をエッチングして圧電基板の表面を露出させる工程と、を有する圧電振動片の製造方法とする。【選択図】図１３

Description

この発明は圧電振動片の製造方法に関する。

近年、電子機器のタイムスタンダード等として使用される圧電振動片は電子機器の小型化に伴い、圧電振動片のサイズが小型で、しかもＣＩ値（クリスタルインピーダンスまたは等価直列抵抗）の小さいものが要求されるようになってきており、例えば、振動腕に溝部を備えない音叉型圧電振動片が知られている（図１（ａ）、（ｂ））。または、特許文献１に記載されているような振動腕に溝部を備える音叉型圧電振動片が知られている。（図２（ａ）、（ｂ））。

ここで、図２（ａ）は音叉型圧電振動片１´の上面図であって、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ―Ａ断面図である。音叉型圧電振動片１´は基部３´と、基部３´から延びる２本の振動脚２´を有し、それぞれの振動脚２´の表裏面には長溝よりなる溝部４が形成されており、図１（ｄ）に示すように、音叉型圧電振動片の振動脚２´の断面形状は略Ｈ型となっている。このような断面が略Ｈ型の音叉型圧電振動片１´は、振動片の大きさを小型化しても、電気機械変換係数を高くすることができるため、ＣＩ値（クリスタルインピーダンスまたは等価直列抵抗）を低く抑えることができるという特性を有する。

この略Ｈ型の音叉型圧電振動片１´のように溝部４が形成された音叉型圧電振動片の製造方法として、例えば、特許文献２の製造方法が提案されている。特許文献２では逆メサ型ＡＴカット水晶振動片を実施形態としているが、ここでは音叉型圧電振動片１´の振動脚２´に形成される、溝部４に適用した場合の製造方法を説明する。

図８〜図１０は音叉型圧電振動片１´の振動脚２´に形成される溝部４の製造方法を示す図である。まず、圧電基板１０１を用意する（図８（ａ））。次に、圧電基板１０１の表裏両面に下地（Ｃｒ）膜１０２、表面（Ａｕ）膜１０３からなる金属膜を蒸着またはスパッタリングで形成する（図８（ｂ））。次に、金属膜の表面にレジストを塗布し、レジスト膜１０４を形成する（図８（ｃ））。次に、レジスト膜１０４を音叉型圧電振動片の外形形状にパターニングしてレジストパターン１０５を形成する（図８（ｄ））。次に、レジストパターン１０５をマスクとして、表面（Ａｕ）膜１０３、下地（Ｃｒ）膜１０２の順番でエッチングにより除去する（図９（ａ））。続いて、残存するレジストパターン１０５を溝部形状にパターニングしてレジストパターン１０６を形成する（図９（ｂ））。次に、水晶エッチング用のエッチング液で露出した圧電基板１０１をエッチングする。エッチングの結果、音叉型圧電振動片の外形形状が形成される（図９（ｃ））。続いて、残存しているレジストパターン１０６をマスクとして、露出している表面（Ａｕ）膜１０３、下地（Ｃｒ）膜１０２の順番で除去する（図９（ｄ））。次に、水晶エッチング用のエッチング液によって、溝部に露出した圧電基板１０１を所定の深さエッチングを行い、溝部１０７を形成する（図１０（ａ））。残存するレジストパターン１０６及び金属膜を除去して略Ｈ型の音叉型圧電振動片の形状が完成する（図１０（ｂ））。

特開２００９−８８７５３号公報 特開２００２−２６１５５７号公報

前述した音叉型圧電振動片の製造方法において、例えば、圧電基板の表裏両面に成膜された金属膜をエッチングするときは触針式膜厚計で金属膜の膜厚を測定し膜厚に応じたエッチング時間でエッチングを行っていた。しかしながら、膜厚に応じたエッチング時間でエッチングを行うと以下のような不具合が起きやすい。一つは、金属膜が部分的にエッチングされない場合である。例として、下地（Ｃｒ）膜１０２が部分的にエッチングされない場合を示す（図１１（ａ））。下地（Ｃｒ）膜１０２が部分的にエッチングされない場合は次工程で圧電基板１０１をエッチングすると所定の形状にならない。この場合、音叉型圧電振動片の振動脚の寸法が狙いの寸法にならないので周波数が狙いの周波数にならない。もう一つは、金属膜がエッチングされすぎることで金属膜が所定量よりもサイドエッチングされる場合である。例として、表面（Ａｕ）膜１０３及び下地（Ｃｒ）膜１０２がサイドエッチングされた場合を示す（図１１（ｂ））。特に下地（Ｃｒ）膜１０２がサイドエッチングされると、次工程で前工程までに露出した圧電基板１０１をエッチングにより除去する工程において、音叉型圧電振動片の振動脚の寸法が狙いの寸法より小さくなり周波数が狙いの周波数にならない。また、サイドエッチング量がばらつくことで周波数ばらつきが生じてしまう。すなわち、金属膜の膜厚に応じたエッチング時間で金属膜をエッチングしても所定の形状にならない課題があった。

本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、金属膜のエッチングばらつきを小さくし所定の形状にすることができる圧電振動片の製造方法を提供することにある。

互いに対向する表面を有する圧電基板を用意する工程と、圧電基板の表面に金属膜を成膜する工程と、金属膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、を有する圧電振動片の製造方法において、レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングする前に、金属膜の膜密度を測定する工程と、金属膜の膜密度の測定値から金属膜のエッチング時間を算出する工程と、レジストパターンをマスクとして金属膜の膜密度の測定値に基づき算出した金属膜のエッチング時間で金属膜をエッチングして圧電基板の表面を露出させる工程と、を有する圧電振動片の製造方法とする。

金属膜の膜密度を測定する工程は、圧電基板の表面に金属膜を成膜する工程の後、または、レジストパターンを形成する工程の後のいずれかである圧電振動片の製造方法とする。

互いに対向する表面を有する圧電基板を用意する工程と、圧電基板の表面に金属膜を成膜する工程と、金属膜の膜密度を測定する工程と、金属膜の膜密度の測定値から金属膜のエッチング時間を算出する工程と、金属膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジストパターンをマスクとして、金属膜の膜密度の測定値に基づき算出した金属膜のエッチング時間で金属膜をエッチングして圧電基板の表面を露出させる工程と、第１レジストパターン及び金属膜をマスクとして圧電基板をエッチングして圧電振動片の外形を形成する工程と、第２のレジストパターンを形成する工程と、第２のレジストパターンをマスクとして、第２のレジストパターンの開口部に露出した金属膜を前工程で算出した金属膜のエッチング時間でエッチングして圧電基板を露出させる工程と、第２のレジストパターン及び金属膜をマスクとして圧電基板を一定量除去して溝部を形成する工程と、第２のレジストパターン及び金属膜を除去する工程と、を有する圧電振動片の製造方法とする。

金属膜の膜密度を測定する工程は、圧電基板の表面に金属膜を成膜する工程の後、または、第１のレジストパターンを形成する工程の後のいずれかである圧電振動片の製造方法とする。

金属膜は、単層膜または、多層膜のいずれかである圧電振動片の製造方法とする。

金属膜の膜密度は、Ｘ線反射率法で測定する圧電振動片の製造方法とする。

本発明の圧電振動片の製造方法によれば、金属膜のエッチングばらつきを小さくし圧電振動片の形状を所定の形状にすることができる。

振動腕に溝部を備えない音叉型圧電振動片の図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図。 振動腕に溝部を備える音叉型圧電振動片の図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図。 本発明の圧電振動片の製造方法を示す図（実施例１）。 本発明の圧電振動片の製造方法を示す図（実施例１）。 本発明の圧電振動片の製造方法を示す図（実施例２）。 本発明の圧電振動片の製造方法を示す図（実施例２）。 本発明の圧電振動片の製造方法を示す図（実施例２）。 従来技術の圧電振動片の製造方法を示す図。 従来技術の圧電振動片の製造方法を示す図。 従来技術の圧電振動片の製造方法を示す図。 金属膜の膜厚に応じたエッチング時間でエッチングしたときの不具合を示す図。 下地膜の膜密度を示す図。（ａ）は（ｂ）よりも下地膜の膜密度が小さい。（ｂ）は（ａ）よりも下地膜の膜密度が大きい。 下地（Ｃｒ）膜の膜厚が２５０Åのときの下地膜の膜密度（ｇ／ｃｍ^３）と下地膜のエッチング時間（秒）との関係を示す図。

以下に本発明を実施するための形態を、図面を用いて説明する。図３〜図７は、本発明の圧電振動片の製造方法を示す図である。本実施例の圧電振動片の製造方法は、図１に示す音叉型圧電振動片１を製造する実施例１と図２に示す略Ｈ型の音叉型圧電振動片１´を製造する実施例２とする。なお、金属膜は下地膜と表面膜とからなる多層膜とする。金属膜の膜密度を測定する工程は、説明を分かりやすくするために圧電基板の表面に金属膜を成膜する工程の後とする。金属膜の膜密度を測定する工程は、レジストパターン、第１のレジストパターンを形成する工程の後でもよいが説明を省略する。また、金属膜の膜密度から金属膜のエッチング時間を算出し、算出したエッチング時間で金属膜をエッチングする例については同じく説明を分かりやすくするために下地膜を例とする。

図１（ａ）は基部３と、基部３から延びる２本の振動脚２を有する音叉型圧電振動片１の上面図であって、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ―Ａ断面図である。図１（ａ）、（ｂ）のような音叉型圧電振動片１の製造方法は以下の通りである。

まず、板状に加工された例えば水晶からなる圧電基板１０を用意する（図３（ａ））。

次に、圧電基板１０の互いに対向する表面に蒸着またはスパッタリングによって下地膜１１と表面膜１２とを成膜する。下地膜１１としてＣｒを２５０Å程度成膜する。表面膜１２としてＡｕを１２００Å程度成膜する（図３（ｂ））。Ｃｒ膜はＡｕ膜と圧電基板１０との密着性を向上させる中間層として作用する。またＡｕ膜は後ほど圧電基板１０をエッチングする際に用いるフッ酸とフッ化アンモニウム溶液の混合液に対する耐蝕膜として作用する。

次に、圧電基板１０の表面に成膜した下地膜１１と表面膜１２それぞれの膜密度を、Ｘ線反射率法を用いて測定をする。膜密度は例えば（ｇ／ｃｍ^３）で表され値が大きいほど膜密度が大きい。膜密度の測定は下地膜１１と表面膜１２とが成膜された圧電基板１０を複数枚測定して膜密度の平均値を求めることが望ましい。本実施例では下地膜１１の膜密度の平均値が６．９ｇ／ｃｍ^３であった。図１２は圧電基板に成膜された下地膜の膜密度を示す図である。図１２（ａ）は図１２（ｂ）より下地膜の膜密度が小さい状態である。図１２（ｂ）は図１２（ａ）より下地膜の膜密度が大きい状態である。下地膜の膜密度がばらついた状態でエッチングを行うと以下のような不具合が起きやすい。下地膜の膜密度が小さい状態のときは下地膜が所定量よりもサイドエッチングされる。また、下地膜の膜密度が大きい状態のときは下地膜が部分的にエッチングされない。

下地膜１１のエッチング時間の算出方法は、事前に下地膜の膜密度を変えたサンプルを作製してＸ線反射率法で膜密度（ｇ／ｃｍ^３）を測定後、このサンプルをエッチングしてエッチング時間（秒）求める。図１３は、下地（Ｃｒ）膜の膜厚が２５０Åのときの下地膜の膜密度（ｇ／ｃｍ^３）と下地膜のエッチング時間（秒）との関係を示すグラフである。下地膜のエッチング時間は下地膜の膜密度と比例関係にあり、膜密度が大きいものは下地膜１１と下地膜１１との隙間が小さいためエッチング液は下地膜１１と下地膜１１との隙間に入りにくいので下地膜のエッチング時間が長くなる。これに対して、膜密度が小さいものは下地膜と下地膜との隙間が大きいためエッチング液が下地膜１１と下地膜１１との隙間に入りやすくなり下地膜のエッチング時間が短くなる。得られたデータから近似式を求めると１次関数（Ｙ＝３．７Ｘ−４．７）で表すことができる。１次関数のＸは下地膜の膜密度（ｇ／ｃｍ^３）であり、Ｙは下地膜のエッチング時間（秒）である。本実施例の下地膜の膜密度は６．９ｇ／ｃｍ^３であるため、下地膜のエッチング時間は約２１秒と求めることができる。

次に、表面膜１２の表面にレジストを塗布し、かつ乾燥させてレジスト膜１３を形成する（図３（ｃ））。レジストとしては例えばポジ型フォトレジストであるロームアンドハース電子材料（株）製のＳ１８００Ｇを用いる。

次に、レジスト膜１３を音叉型圧電振動片の外形形状にパターニングしてレジストパターン１４を形成する（図３（ｄ））。圧電基板の表面に下地膜１１と表面膜１２とを成膜する工程の後に下地膜１１と表面膜１２との膜密度を測定しない場合は、レジストパターン１４を形成後、露出している下地膜１１と表面膜１２との膜密度を測定する。なお、圧電基板１０に下地膜１１を成膜後下地膜１１の膜密度を測定し、下地膜１１の表面に表面膜１２成膜後表面膜１２の膜密度を測定してもよい。下地膜１１と表面膜１２との膜密度を測定する工程は、圧電基板の表面に下地膜１１と表面膜１２とを成膜する工程の後とレジストパターンを形成後、露出している下地膜１１と表面膜１２との膜密度の両方を測定してもよい。

次に、レジストパターン１４をマスクとして表面膜１２をエッチングして下地膜１１を露出させる（図４（ａ））。なお、表面膜１２のエッチング時間の算出方法は、前述したように膜密度からエッチング時間を算出する。これにより、表面膜１２が所定量よりもサイドエッチングされる不具合は起きない。また、表面膜１２が部分的にエッチングされない不具合は起きない。表面膜１２のエッチングには例えばヨウ素をヨウ化カリウム溶液に溶かしたエッチング液を用いる。

次に、レジストパターン１４と表面膜１２とをマスクとして算出した下地膜１１のエッチング時間で下地膜１１をエッチングして圧電基板１０を露出させる（図４（ｂ））。これにより、下地膜１１が所定量よりもサイドエッチングされる不具合は起きない。また、下地膜１１が部分的にエッチングされない不具合は起きない。エッチングには例えば硝酸セリウムアンモニウムを含有したエッチング液を用いる。

次に、レジストパターン１４、表面膜１２及び下地膜１１をマスクとして、露出した圧電基板１０をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を用いてエッチングして音叉型圧電振動片１の外形を形成する。次に、残存するレジストパターン１４、表面膜１２及び下地膜１１を除去して音叉型圧電片の形状が完成する（図４（ｃ））。

前述した図２（ａ）、（ｂ）のような音叉型圧電振動片１´の製造方法は以下の通りである。

まず、板状に加工された例えば水晶からなる圧電基板１０´を用意する（図５（ａ））。

次に、圧電基板１０´の互いに対向する表面に蒸着またはスパッタリングによって下地膜１１´と表面膜１２´とを成膜する。下地膜１１´としてＣｒを２５０Å程度成膜する。表面膜１２´としてＡｕを１２００Å程度成膜する（図５（ｂ））。Ｃｒ膜はＡｕ膜と圧電基板１０´との密着性を向上させる中間層として作用する。またＡｕ膜は後ほど圧電基板１０´をエッチングする際に用いるフッ酸とフッ化アンモニウム溶液の混合液に対する耐蝕膜として作用する。

次に、圧電基板１０´の表面に成膜した下地膜１１´と表面膜１２´それぞれの膜密度を、Ｘ線反射率法を用いて測定する。Ｘ線反射率法については実施例１で説明しているので省略する。また、便宜上、実施例２では下地膜１１´の膜密度の値を実施例１と同じ６．９ｇ／ｃｍ^３とする。

次に、表面膜１２´の表面にレジストを塗布し、かつ乾燥させてレジスト膜１３´を形成する（図５（ｃ））。レジストとしては例えばポジ型フォトレジストであるロームアンドハース電子材料（株）製のＳ１８００Ｇを用いる。

次に、レジスト膜１３´を音叉型圧電振動片の外形形状にパターニングして第１のレジストパターン１４´を形成する（図５（ｄ））。圧電基板の表面に下地膜１１´と表面膜１２´とを成膜する工程の後に膜密度を測定しない場合は、第１のレジストパターン１４´を形成後、露出している下地膜１１´と表面膜１２´との膜密度を測定する。なお、圧電基板１０´に下地膜１１´を成膜後下地膜１１´の膜密度を測定し、下地膜１１´の表面に表面膜１２´成膜後表面膜１２´の膜密度を測定してもよい。下地膜１１´と表面膜１２´との膜密度を測定する工程は、圧電基板の表面に下地膜１１´と表面膜１２´とを成膜する工程の後とレジストパターンを形成後、露出している下地膜１１´と表面膜１２´との膜密度の両方を測定してもよい。

次に、第１のレジストパターン１４´をマスクとして表面膜１２´をエッチングして下地膜１１´を露出させる（図６（ａ））。なお、表面膜１２´のエッチング時間の算出方法は、前述したように膜密度からエッチング時間を算出する。これにより、表面膜１２´が所定量よりもサイドエッチングされる不具合は起きない。また、表面膜１２´が部分的にエッチングされない不具合は起きない。表面膜１２´のエッチングには例えばヨウ素をヨウ化カリウム溶液に溶かしたエッチング液を用いる。

次に、残存する第１のレジストパターン１４´を溝部形状にパターニングして第２のレジストパターン１５を形成する（図６（ｂ））。

下地膜１１´のエッチング時間の算出については実施例１で説明しているので省略する。実施例２の下地膜１１´の膜密度は実施例１と同じ６．９ｇ／ｃｍ^３であるため、下地膜１１´のエッチン時間は実施例１と同じ約２１秒となる。次に、第２のレジストパターン１５と表面膜１２´とをマスクとして算出した下地膜１１´のエッチング時間で下地膜１１´をエッチングして圧電基板１０´を露出させる（図６（ｃ））。これにより、下地膜１１´が所定量よりもサイドエッチングされる不具合は起きない。また、下地膜１１´が部分的にエッチングされない不具合は起きない。エッチングには例えば硝酸セリウムアンモニウムを含有したエッチング液を用いる。

次に、第２レジストパターン１５、表面膜１２´及び下地膜１１´をマスクとして、露出した圧電基板１０´をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を用いてエッチングしたあと音叉型圧電振動片１´の外形を形成する（図６（ｄ））。

次に、第２のレジストパターン１５をマスクとして露出している表面膜１２´をエッチングする。表面膜１２´のエッチングを行うときは、前述した表面膜１２´の膜密度から算出したエッチング時間でエッチングする。続いて、第２レジストパターン及び表面膜をマスクとして、第２のレジストパターンの開口部に露出した下地膜１１´をエッチングする（図６（ｅ））。なお、下地膜１１´のエッチングを行うときは、前述した下地膜１１´の膜密度から算出したエッチング時間でエッチングする。表面膜１２´のエッチングには例えばヨウ素をヨウ化カリウム溶液に溶かしたエッチング液を用いる。下地膜１１´のエッチングには例えば硝酸セリウムアンモニウムを含油したエッチング液を用いる。

その後、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を用いて、第２のレジストパターン１５、表面膜１２´及び下地膜１１´をマスクとして露出した圧電基板１０´のエッチングを行い、上下両面に所定深さの溝部１６を形成する（図７（ａ））。最後に第２のレジストパターン１５と表面膜１２´及び下地膜１１´を除去し断面が略Ｈ型の音叉型水晶振動子の形状が完成する（図７（ｂ））。ここでは、第２のレジストパターン１５の除去を溝部１６のエッチング工程（図７（ａ））の後に行う例を示したが、溝部のエッチング工程前に第２のレジスト１５を除去しても良い。

本発明の圧電振動片の製造方法によれば、金属膜の膜密度に基づき算出した金属膜のエッチング時間でエッチングすることで金属膜エッチング後のパターンが狙い通りになることで狙いの周波数にできる。また、周波数ばらつきも低減された圧電振動片を精度良く製造することが可能となる。

以上、本発明の実施例では音叉型圧電振動片１、略Ｈ型の音叉型圧電振動片１´で説明してきたが、圧電材料の材質も水晶に限定するものではなく、他の圧電材料を用いても本発明を適宜適用することができる。また、圧電振動子の形状についても、音叉型圧電振動片１、略Ｈ型の音叉型圧電振動片１´に限定するものではなく例えば厚み滑り振動片や逆メサ型ＡＴカット水晶振動片に適用できることは明らかである。また、単層膜の金属膜にも適用できることも明らかである。

１、１´ 音叉型圧電振動片
２、２´ 振動脚
３、３´ 基部
４、１６、１０７ 溝部
１０、１０´１０１ 圧電基板
１１、１１´１０２ 下地膜（Ｃｒ膜）
１２、１２´１０３ 表面膜（Ａｕ膜）
１３、１３´１０４ レジスト膜
１４、１０５、１０６ レジストパターン
１４´ 第１のレジストパターン
１５ 第２のレジストパターン

Claims (6)

1. 互いに対向する表面を有する圧電基板を用意する工程と、
   前記圧電基板の前記表面に金属膜を成膜する工程と、
   前記金属膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、を有する圧電振動片の製造方法において、
   前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする前に、
   前記金属膜の膜密度を測定する工程と、
   前記金属膜の膜密度の測定値から前記金属膜のエッチング時間を算出する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜の膜密度の測定値に基づき算出した金属膜のエッチング時間で前記金属膜をエッチングして前記圧電基板の表面を露出させる工程と、を備えることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
2. 前記金属膜の膜密度を測定する工程は、
   前記圧電基板の前記表面に前記金属膜を成膜する工程の後、
   または、前記レジストパターンを形成する工程の後のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
3. 互いに対向する表面を有する圧電基板を用意する工程と、
   前記圧電基板の前記表面に金属膜を成膜する工程と、
   前記金属膜の膜密度を測定する工程と、
   前記金属膜の膜密度の測定値から前記金属膜のエッチング時間を算出する工程と、
   前記金属膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜をパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、
   前記第１のレジストパターンをマスクとして、前記金属膜の膜密度の測定値に基づき算出した前記金属膜のエッチング時間で前記金属膜をエッチングして前記圧電基板の表面を露出させる工程と、
   前記第１レジストパターン及び前記金属膜をマスクとして前記圧電基板をエッチングして圧電振動片の外形を形成する工程と、
   第２のレジストパターンを形成する工程と、
   前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記第２のレジストパターンの開口部に露出した前記金属膜を前工程で算出した前記金属膜のエッチング時間でエッチングして前記圧電基板を露出させる工程と、
   前記第２のレジストパターン及び前記金属膜をマスクとして前記圧電基板を一定量除去して溝部を形成する工程と、
   前記第２のレジストパターン及び前記金属膜を除去する工程と、を有することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
4. 前記金属膜の膜密度を測定する工程は、
   前記圧電基板の前記表面に前記金属膜を成膜する工程の後、
   または、前記第１のレジストパターンを形成する工程の後のいずれかであることを特徴とする請求項３に記載の圧電振動片の製造方法。
5. 前記金属膜は、単層膜または、多層膜のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧電振動片の製造方法。
6. 前記金属膜の膜密度は、Ｘ線反射率法で測定することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧電振動片の製造方法。
   
   

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