JP2017169008A - 音叉型圧電振動片の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 圧電基板に下地膜を成膜する工程において、下地膜厚は、圧電基板内でばらつきがある。このため、音叉外形形状に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして、圧電基板をエッチングする工程において、圧電基板をエッチング液に浸漬してから、圧電基板がエッチングされるまでの時間に差が生じることにより、音叉外形形状がばらつく課題があった。【解決手段】 圧電基板の表面に成膜される下地膜は、島形状に成膜され島と島との間に隙間を有するように下地膜を形成し、圧電基板をエッチングする工程において、下地膜の島と島との隙間よりエッチング液が浸透し、圧電基板をエッチングする。【選択図】 図1
Description
本発明は、音叉型圧電振動片の製造方法に関する。
近年電子機器の軽薄小型により電子機器を構成する部品の軽薄小型化の要求は強い。電子機器を構成する部品の一つである音叉型圧電振動子は、フォトリソグラフィ技術を利用して音叉型圧電振動片の軽薄小型化を行っている。
図2は、フォトリソグラフィ技術を利用した圧電基板10の上面図である。圧電基板10は、音叉型圧電振動片11を保持するための枠部16と音叉型圧電振動片11と枠部16とを連結するための連結部17とで構成されている。音叉型圧電振動片11は、基部12とそれぞれ溝部15を有する第1の脚13と第2の脚14とを有し第1の脚13と第2の脚14とは基部12の一端から突出した状態で並設している。特許文献1には、圧電材料からなる圧電基板に、フォトリソグラフィ技術を用い、溝部を有する圧電振動子の製造方法が記載されている。
図3〜図5は、圧電基板に溝部を有する音叉型圧電振動片を形成する工程の説明図で、音叉型圧電振動片11の断面図(図2のA−A断面)である。なお、図3(a)〜図4(a)までは音叉型圧電振動片は形成されていないが、「音叉型圧電振動片の断面図」と表現する。図3(a)は、金属膜を成膜する前の音叉型圧電振動片の断面図で、図3(b)は、金属膜を成膜した音叉型圧電振動片の断面図で、図3(c)は、レジスト膜を形成した音叉型圧電振動片の断面図で、図3(d)は、音叉外形形状を形成する第1のレジストパターンを形成した音叉型圧電振動片の断面図で、図3(e)は、第1のレジストパターンの開口部に露出している金属膜をエッチングした音叉型圧電振動片の断面図で、図4(a)は、第1のレジストパターンをパターニングし溝部外形形状を形成する第2のレジストパターンを形成した音叉型圧電振動片の断面図で、図4(b)は、音叉外形形状の外側をエッチングした音叉型圧電振動片の断面図で、図4(c)は、第2のレジストパターンの溝部に露出している金属膜をエッチングした音叉型圧電振動片の断面図で、図5(a)は、第2のレジストパターンの溝部に露出している圧電基板をエッチングした音叉型圧電振動片の断面図で、図5(b)は、第2のレジストパターンと第2のレジストパターンの下部に形成されている金属膜を除去した音叉型圧電振動片の断面図で、図5(c)は、音叉型圧電振動片の表面に励振電極が形成された音叉型圧電振動片の断面図である。
図2に示すように、圧電基板10には、フォトリソグラフィ技術などを用いて複数の音叉型圧電振動片11が形成されている。
先ず、図3(a)に示す圧電基板10を用意する。次に図3(b)に示すように、圧電基板10に蒸着またはスパッタリングによって、金属膜18を成膜する。金属膜は下地膜18aと表面膜18bからなり、下地膜18aは、クロム(Cr)膜を200Å程度成膜し、表面膜18bは、金(Au)を1200Å程度積層し形成する。
図3(c)に示すように、圧電基板10の金属膜18の表面層上にスプレーコート法などによって、レジストを塗布し金属膜18の表面層上にレジスト膜19を形成する。
圧電基板10のレジスト膜19にフォトマスクを用いてレジストパターンを露光後、現像し不要なレジスト膜19を除去し、図3(d)に示すように、音叉型圧電振動片11の外形形状となる第1のレジストパターン20を形成する。
第1のレジストパターン20の開口部に露出している表面膜18bをエッチングするために、エッチング用のバスケットに複数枚の圧電基板10を互いに隔てて収納して、バスケットをエッチング液に浸漬して、図3(e)に示すように、表面膜18bをエッチングする。第1のレジストパターン20の下部に形成されている表面膜18bは、第1のレジストパターン20がマスクとなり、エッチングされない。以降、第1のレジストパターン20の下部に形成されている表面膜を18b´とする。なお、表面膜18bをエッチングする溶液として、金(Au)はヨウ素とヨウ化カリウムとの混合液を用いる。
ここで、表面膜18bをエッチング後、下地膜18aをエッチングしない理由について説明する。クロム(Cr)膜をエッチングする溶液、例えば、硝酸第2セリウムアンモニウム溶液は、第1のレジストパターン20の感光特性を破壊し、第1のレジストパターン20を別のレジストパターンに変えられないためである。
次に音叉型圧電振動片11の第1の脚13と第2の脚14それぞれに溝部15を形成するため、第1のレジストパターン20を溝部外形形状にパターニングし、図4(a)に示すように第2のレジストパターン21を形成する。
次に圧電基板10をエッチングし、音叉外形形状を形成する。エッチング用のバスケットに複数枚の圧電基板10を互いに隔てて収納して、バスケットをエッチング液に浸漬して、下地膜18aのクロム(Cr)層の隙間より、エッチング液が浸透し、図4(b)に示すように圧電基板10をエッチングし、第1の脚13と第2の脚14とを形成する。このとき、圧電基板10に成膜された下地膜18aのクロム(Cr)の膜厚がばらつくと、圧電基板内でエッチングされるまでの時間に差が生じる。なお、音叉外形形状の下部に形成されている下地膜18aは、音叉外形形状がマスクとなり、エッチングされない。以降、音叉外形形状の下部に形成されている下地膜を18a´とする。
圧電基板10をエッチングする溶液として、フッ酸とフッ化アンモニュウムの混合液を用いて、圧電基板10をエッチングする。圧電基板10がエッチングされることにより、圧電基板上に形成された下地膜18aは除去される。
第2のレジストパターン21の溝部15に露出している金属膜18を除去することによって、図4(c)に示すように、溝部形成前の第1の脚13と第2の脚14とを形成する。表面膜18b´をエッチングする溶液として、金(Au)はヨウ素とヨウ化カリウムとの混合液を用い、下地膜18a´をエッチングする溶液として、クロム(Cr)は硝酸第2セリウムアンモニウム溶液を用いる。
次に音叉型圧電振動片11の第1の脚13と第2の脚14それぞれに溝部15を形成するため、第2のレジストパターン21の開口部に露出している第1の脚13と第2の脚14とをエッチングし、第1の脚13と第2の脚14とを所望の深さにエッチングすることによって、図5(a)に示すように、音叉型圧電振動片11の第1の脚13と第2の脚14それぞれに溝部15が形成される。第1の脚13と第2の脚14とをエッチングする溶液として、フッ酸とフッ化アンモニュウムの混合液を用いて、第1の脚13と第2の脚14とをエッチングする。
第2のレジストパターン21と第2のレジストパターンの下部に形成されている金属膜18を除去することによって、図5(b)に示すように、略H型の溝を有する音叉型圧電振動片11の外形形状が完成する。この後、図5(c)に示すように、音叉型圧電振動片の表面に励振電極22を形成し、略H型の音叉型圧電振動片が完成する。
しかしながら、圧電基板に下地膜を成膜する工程において、下地膜厚は、圧電基板内でばらつきがある。このため、音叉外形形状に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして、圧電基板をエッチングする工程において、圧電基板をエッチング液に浸漬してから、圧電基板内でエッチングされるまでの時間に差が生じることにより、音叉外形形状がばらつく。特に音叉振動脚の幅方向の寸法がばらつくと周波数不良となる課題があった。
本発明の目的は、音叉外形形状に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして、圧電基板をエッチングする工程において、音叉外形形状のばらつきを抑える音叉型圧電振動片の製造方法を提供する。
圧電材料からなる溝部を有する音叉型圧電振動片の製造方法において、圧電材料からなる圧電基板の表面に下地膜と表面膜からなる金属膜を成膜する工程と、金属膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜を音叉型圧電振動片の外形形状にパターニングして第1のレジストパターンを形成する工程と、第1のレジストパターンをマスクとして表面膜をエッチングする工程と、第1レジストパターンの表面を音叉型圧電振動片の溝部の外形形状にパターニングして第2のレジストパターンを形成する工程と、第1のレジストパターンをマスクとして圧電基板をエッチングして下地膜を除去し、音叉型圧電振動片の外形形状を形成する工程と、第2のレジストパターンをマスクとして、下地膜と表面膜をエッチングし圧電基板の溝部を形成するために、圧電基板表面を露出させる工程と、第2のレストパターンと第2のレジストパターンの下部の下地膜と表面膜とをエッチングマスクとして、圧電基板の溝部に対応した圧電基板をエッチングにより一定量除去して溝部を形成する工程とを有し、下地膜は島形状に成膜された音叉型圧電振動片の製造方法。
圧電基板の表面に成膜される下地膜は、島形状に成膜され島と島との間に隙間を有しているため圧電基板をエッチングする工程にて、下地膜の島と島との隙間よりエッチング液が浸透し、圧電基板がエッチングされることにより圧電基板の表面に成膜された下地膜もエッチングされる音叉型圧電振動片の製造方法。
下地膜の材質はクロム(Cr)である音叉型圧電振動片の製造方法。
下地膜の膜厚は50〜200Åである音叉型圧電振動片の製造方法。
本発明によれば、圧電基板の表面に成膜される下地膜は、島形状に成膜され島と島との間に隙間を有しているため、圧電基板をエッチングすると下地膜の島と島との隙間よりエッチング液が浸透し圧電基板がエッチングされるため、圧電基板内でエッチングされるまでの時間に差がなく、音叉外形形状のばらつきがない、音叉型圧電振動片となる。また、圧電基板がエッチングされることにより、圧電基板上に形成された下地膜を除去することができ、エッチングプロセスを簡素化することができる。
以下に本発明を実施する形態を、図面を参照しながら説明する。
本実施例では、水晶からなる溝部を有する音叉型圧電振動片の製造方法について説明する。なお本発明の範囲は以下の実施の形態に限定されるものでなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
図2は、フォトリソグラフィ技術を利用した圧電基板10の上面図である。圧電基板10は、音叉型圧電振動片11を保持するための枠部16と音叉型圧電振動片11と枠部16とを連結するための連結部17とで構成されている。音叉型圧電振動片11は、基部12とそれぞれ溝部15を有する第1の脚13と第2の脚14とを有し第1の脚13と第2の脚14とは基部の一端から突出した状態で並設している。
音叉型圧電振動片は、水晶原石からZカットと呼ばれる切断角度で切り出された圧電基板を、フォトリソグラフィ加工を用いて溝部を有する音叉型圧電振動片にする。近年では、小型化の音叉型圧電振動片の要求が強く、そのため微細で精密な加工が可能なウエットエッチング加工で加工されることが多い。
先ず、圧電基板に蒸着またはスパッタリングによって、金属膜を成膜する。金属膜は下地膜と表面膜とからなり、下地膜の金属膜としてクロム(Cr)膜を100Å程度成膜し、表面膜の金属膜として金(Au)を1200Å程度積層し形成する。
図1(a)〜(e)は、本実施例の溝部を有する音叉型圧電振動片を形成する工程の説明図で音叉型圧電振動片11の断面図(図2のA−A断面)である。本実施例では、スパッタリング(装置名アネルバ製のILC−702)によって、水晶からなる圧電基板1に下地膜18aにクロム(Cr)と表面膜18bに金(Au)とを成膜した。クロム(Cr)と金(Au)との成膜時の真空度は、1×10−3Pa以下とし、不活性ガスにアルゴン(Ar)を用いた。クロム(Cr)と金(Au)とを成膜するとき、アルゴン(Ar)のガス圧を1〜3Paとした。通常アルゴン(Ar)のガス圧は、0.5Pa以下のため、本実施例のアルゴン(Ar)のガス圧は高い。アルゴン(Ar)のガス圧が高いため、圧電基板1に成膜されるクロム(Cr)は、均一に成膜されない。また、クロム(Cr)膜厚を100Å程度と薄く成膜するため、圧電基板上に成膜される下地膜18aのクロム(Cr)は、図1(b)に示すように、島形状に成膜され、島と島との間に隙間2を有している。なお、図1(b)は、図1(a)のA部拡大図である。本実施例では、島と島との間の隙間2を略0.5nmとした。なお、島と島との間の隙間2は、圧電基板1をエッチングするフッ酸とフッ化アンモニュウムの混合液が浸透する隙間であれば良い。次に図1(c)に示すように、下地膜18aのクロム(Cr)成膜後、表面膜18bの金(Au)を成膜する。アルゴン(Ar)のガス圧は1〜3Paと高いが、金(Au)膜厚を1200Å程度成膜するため、膜と膜との間に隙間がないように成膜される。この後、前述した従来技術を用いて圧電基板1に形成した金属膜18の表面に第2のレジストパターン21を形成する。なお、プロセスの説明は省略する。
次に、圧電基板1をエッチングし、音叉外形形状を形成する。エッチング用のバスケットに複数枚の圧電基板1を互いに隔てて収納して、バスケットをエッチング液に浸漬して、図1(d)に示すように下地膜18aのクロム(Cr)膜と下地膜18aのクロム(Cr)膜との間の隙間2より、エッチング液が圧電基板1に浸透し、圧電基板1をエッチングする。
圧電基板1をエッチングする溶液として、フッ酸とフッ化アンモニュウムの混合液を用いて、圧電基板1をエッチングする。圧電基板1がエッチングされることにより、図1(e)に示すように第1の脚13と第2の脚14とを形成する。なお圧電基板1がエッチングされることにより、圧電基板上に形成された下地膜18a´のクロム(Cr)は除去される。圧電基板1上に成膜した下地膜18aは、島形状に成膜されているため、圧電基板1をエッチング液に浸漬すると島と島との間の隙間2からエッチング液が浸透するので、圧電基板内でエッチングされるまでの時間に差がない。これにより圧電基板内での音叉外形形状のばらつきがない、音叉型圧電振動片となる。また、圧電基板がエッチングされることにより、圧電基板上に成膜された下地膜を除去することができ、エッチングプロセスを簡素化することができる。
1、10 圧電基板
2 隙間
11 音叉型圧電振動片
12 基部
13 第1の脚
14 第2の脚
15 溝部
16 枠部
17 連結部
18 金属膜
18a、18a´ 下地膜(クロム(Cr)膜)
18b、18b´ 表面膜(金(Au)膜)
19 レジスト膜
20 第1のレジストパターン
21 第2のレジストパターン
22 励振電極
2 隙間
11 音叉型圧電振動片
12 基部
13 第1の脚
14 第2の脚
15 溝部
16 枠部
17 連結部
18 金属膜
18a、18a´ 下地膜(クロム(Cr)膜)
18b、18b´ 表面膜(金(Au)膜)
19 レジスト膜
20 第1のレジストパターン
21 第2のレジストパターン
22 励振電極
Claims (4)
- 圧電材料からなる溝部を有する音叉型圧電振動片の製造方法において、圧電材料からなる圧電基板の表面に下地膜と表面膜からなる金属膜を成膜する工程と、前記金属膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を前記音叉型圧電振動片の外形形状にパターニングして第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記表面膜をエッチングする工程と、前記第1レジストパターンの表面を前記音叉型圧電振動片の前記溝部の外形形状にパターニングして第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記圧電基板をエッチングして前記下地膜を除去し、前記音叉型圧電振動片の外形形状を形成する工程と、前記第2のレジストパターンをマスクとして、前記下地膜と前記表面膜をエッチングし前記圧電基板の溝部を形成するために、圧電基板表面を露出させる工程と、前記第2のレストパターンと前記第2のレジストパターンの下部の前記下地膜と前記表面膜とをエッチングマスクとして、前記圧電基板の溝部に対応した前記圧電基板をエッチングにより一定量除去して溝部を形成する工程とを有し、前記下地膜は島形状に成膜されたことを特徴とする音叉型圧電振動片の製造方法。
- 前記圧電基板の表面に成膜される下地膜は、島形状に成膜され島と島との間に隙間を有しているため前記圧電基板をエッチングする工程において、前記下地膜の島と島との隙間よりエッチング液が浸透し、前記圧電基板がエッチングされることにより前記圧電基板の表面に成膜された下地膜も除去されることを特徴とする請求項1記載の音叉型圧電振動片の製造方法。
- 前記下地膜の材質はクロム(Cr)であることを特徴とする請求項1〜2いずれか記載の音叉型圧電振動片の製造方法。
- 前記下地膜の膜厚は50〜200Åであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項の音叉型圧電振動片の製造方法。
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