JP2021117485A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】開口率の低下を抑え、かつバスラインの欠陥修正のための導電層を新たに追加することなく、バスラインの欠陥修正を行うことができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】第一のメタル層に設けられた複数本のゲートバスラインと、上記第一のメタル層に、上記複数本のゲートバスラインと交互に設けられた複数本の補助容量配線と、上記第一のメタル層上に設けられた絶縁層と、上記絶縁層上の第二のメタル層に、上記複数本のゲートバスライン及び上記複数本の補助容量配線と交差するように設けられた複数本のソースバスラインと、上記第二のメタル層に設けられ、かつ、隣り合う２本のソースバスライン間の各領域に各ゲートバスラインと交差するように配置された複数本の修正用配線と、を備え、上記各修正用配線は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線に重畳する液晶表示装置。【選択図】 図２Ａ

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、表示のために液晶組成物を利用する表示装置であり、その代表的な表示方式は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えるＴＦＴ基板と対向基板との間に封入された液晶組成物に対して電圧を印加し、印加した電圧に応じて液晶組成物中の液晶分子の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御するものである。このような液晶表示装置は、薄型、軽量及び低消費電力といった特長を活かし、幅広い分野で用いられている。

ＴＦＴ基板に関する技術として、例えば、特許文献１には、可撓性基板よりなる基板と、上記基板に設けられた複数の絶縁膜と、上記基板と上記複数の絶縁膜との間、または上記複数の絶縁膜の二層間に設けられた主導電層と、上記複数の絶縁膜の上記主導電層とは異なる二層間に、上記主導電層と同じ材料により構成され、上記主導電層に接続された副導電層とを備えた薄膜トランジスタアレイが開示されている。

上記特許文献１に開示された薄膜トランジスタアレイは、主導電層と同じ材料により構成され、かつ、主導電層に接続された副導電層を備えることにより、主導電層に断線部が生じて主導電層に正常に電圧が印加されない場合でも、副導電層がバイパス配線となって、断線部以降にも電圧が印加される。そのため、特許文献１の薄膜トランジスタアレイ基板を用いて表示装置を構成した場合には、断線部に起因する欠陥を抑えることができる。

特開２０１３−２５４０８５号公報

図２１は、比較形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。比較形態１の液晶表示装置は、図２１に示すＴＦＴ基板１００Ｒを備える。ＴＦＴ基板１００Ｒは、互いに平行に延設された複数本のゲートバスライン１０１Ｒと、複数本のゲートバスライン１０１Ｒと交互に設けられた複数本の補助容量配線１０２Ｒと、複数本のゲートバスライン１０１Ｒ及び複数本の補助容量配線１０２Ｒと交差するように設けられた複数本のソースバスライン１０３Ｒと、を備える。各ソースバスライン１０３Ｒは、互いに接続された２本のソースバスライン部分１０３ＡＲ及び１０３ＢＲから構成される二重構造（Ｓ梯子構造ともいう。）となっているため、例えばソースバスライン部分１０３ＢＲが断線部Ｂを有していても、ソースバスライン部分１０３ＡＲを経由して信号が印加されるため、ソースバスライン１０３Ｒの断線にならない。しかしながら、このようなＳ梯子構造は、１本のソースバスライン１０３Ｒが二重構造となるため、開口率が低下するという課題がある。

図２２は、比較形態２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。図２２中の黒丸印は、レーザーメルトを行う位置を表す。比較形態２の液晶表示装置は、図２２に示すＴＦＴ基板１００Ｒを備える。ＴＦＴ基板１００Ｒは、互いに平行に延設された複数本のゲートバスラインと、複数本のゲートバスラインと交差するように設けられた複数本のソースバスライン１０３Ｒと、を備える。また、ＴＦＴ基板１００Ｒには、ＴＦＴ基板１００Ｒの周縁部及びドライバ領域ＤＡを経由してソースバスライン１０３Ｒの一端１０３１Ｒから他端１０３２Ｒへと延設された予備配線１０５Ｒが設けられている。このような態様とすることにより、ソースバスライン１０３Ｒに断線部Ｂが生じた場合に、ソースバスライン１０３Ｒの一端１０３１Ｒと予備配線１０５Ｒとが重畳する領域１０３１ＡＲ、及び、ソースバスライン１０３Ｒの他端１０３２Ｒと予備配線１０５Ｒとが重畳する領域１０３２ＡＲをレーザーでメルトすることにより、ソースバスライン１０３Ｒを予備配線１０５Ｒと接続し、開口率の低下を抑えつつ、ソースバスライン１０３Ｒの断線を修正することができる。

ここで、液晶表示装置が高解像度である場合やトリプルスキャン方式である場合は、下記の２つの要因で画素の充電を充分に行うことが難しくなる。１点目の要因としては、ＴＦＴに充電する時間が短くなることが挙げられ、２点目の要因としては、ゲートバスラインとソースバスラインとが交差する部分の数が増えることにより、ソースバスラインの電圧が鈍ることが挙げられる。

比較形態２の液晶表示装置が、高解像度やトリプルスキャンの機種のように、画素の充電を充分に行うことが困難な機種である場合、予備配線１０５Ｒを用いてソースバスライン１０３Ｒの断線の修正を行うと、断線を修正したソースバスライン１０３Ｒが充電不足により輝線化又は黒線化することがある。この理由は次のように考えられる。

図２３は、比較形態２の液晶表示装置の信号遅延について説明した、ＴＦＴ基板の平面模式図である。比較形態２の液晶表示装置では、断線していない通常のソースバスライン（以下、非断線ソースバスラインともいう。）１０３Ｒ１にはドライバ領域ＤＡから信号経路ＳＰを通って信号が入力される。一方、断線部Ｂを有するソースバスライン（以下、断線ソースバスラインともいう。）１０３Ｒ２には、断線部Ｂまでは信号経路ＳＰを通って信号が入力されるが、断線部Ｂ以降については、予備配線１０５Ｒを通してドライバ領域ＤＡと反対側から信号が入力される。

より具体的には、ドライバ領域ＤＡから信号経路ＳＰを通って非断線ソースバスライン１０３Ｒ１に入力された信号（Ｓ波形）は、ドライバ領域ＤＡから離れるにつれて徐々に遅延が生じる。すなわち、パネル領域ＡＡのドライバ領域ＤＡ側では信号に遅延が生じていないが、パネル領域ＡＡの中央付近では小さな遅延が生じ、パネル領域ＡＡのドライバ領域ＤＡと反対側では中程度の遅延が生じる。

一方、ドライバ領域ＤＡから信号経路ＳＰを通って断線ソースバスライン１０３Ｒ２に入力された信号は、断線部Ｂに至るまで、非断線ソースバスライン１０３Ｒ１と同様に信号に遅延は生じない。しかしながら、断線ソースバスライン１０３Ｒ２の断線部Ｂ以降では、予備配線１０５Ｒを介してドライバ領域ＤＡと反対側から信号が入力されるため、予備配線１０５Ｒでの遅延が生じて、パネル領域ＡＡのドライバ領域ＤＡと反対側で信号に大きな遅延が生じ、断線部Ｂに到達するまでに更に遅延が生じて、パネル領域ＡＡの断線部Ｂ付近では信号に更に大きな遅延が生じる。

このように、比較形態２の液晶表示装置では、断線ソースバスライン１０３Ｒ２の信号の鈍りが、非断線ソースバスライン１０３Ｒ１の信号の鈍りと異なるため、画素への充電が異なってしまう。その結果、輝度が異なり、ソースバスライン１０３Ｒ上に線が視認されることとなる。通常は、遅延が発生するので充電率が下がり黒点化してしまう。但し、輝点化するケースもある。これは、予備配線１０５Ｒを使用する場合に、遅延が発生することを想定して、ドライバが予備配線１０５Ｒに強力な信号を予め供給してしまうケースである。この場合は、断線ソースバスライン１０３Ｒ２に強力な信号が供給されてしまうため、充電率が上がる方向になるためである。

また、近年は狭額額縁化が求められていることから、予備配線１０５Ｒを配置するスペースを確保することが困難な場合もある。

このような状況においては、ソースバスラインの修正ができず、ソースバスラインの断線、又は、ソースバスライン及びゲートバスライン間でのリークが発生した際に修正を行うことができず、歩留まりが低いという課題が発生していた。

上記特許文献１では、主導電層と同じ材料により構成されており、かつ、主導電層に接続されている副導電層を配置するために、薄膜トランジスタアレイ基板に対して新たに導電層を１層追加する必要がある。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、開口率の低下を抑え、かつバスラインの欠陥修正のための導電層を新たに追加することなく、バスラインの欠陥修正を行うことができる液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

（１）本発明の一実施形態は、第一のメタル層に設けられた複数本のゲートバスラインと、上記第一のメタル層に、上記複数本のゲートバスラインと交互に設けられた複数本の補助容量配線と、上記第一のメタル層上に設けられた絶縁層と、上記絶縁層上の第二のメタル層に、上記複数本のゲートバスライン及び上記複数本の補助容量配線と交差するように設けられた複数本のソースバスラインと、上記第二のメタル層に設けられ、かつ、隣り合う２本のソースバスライン間の各領域に各ゲートバスラインと交差するように配置された複数本の修正用配線と、を備え、上記各修正用配線は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線に重畳する液晶表示装置。

（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、上記複数本の修正用配線の少なくとも１本は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続されている、液晶表示装置。

（３）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、上記複数本の修正用配線の少なくとも１本は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続されていない、液晶表示装置。

（４）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、上記複数本の修正用配線は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続された少なくとも１本の修正用配線と、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続されていない少なくとも１本の修正用配線とを含む、液晶表示装置。

（５）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）又は上記（４）の構成に加え、上記第二のメタル層上に設けられた第二の絶縁層と、上記第二の絶縁層上に設けられた複数の画素電極と、上記第二のメタル層に設けられ、かつ、上記各画素電極にそれぞれ接続された複数の追加配線と、を更に備え、上記各追加配線は、上記複数本の補助容量配線の少なくとも１本と重畳する、液晶表示装置。

（６）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）又は上記（４）の構成に加え、上記複数本のソースバスラインは、断線部を有するソースバスラインを含み、上記断線部を有する上記ソースバスラインは、上記断線部を挟んで隣り合う２本の補助容量配線と、上記隣り合う２本の補助容量配線の間の１本の修正用配線とを経由して上記断線部を迂回する信号経路を有する、液晶表示装置。

（７）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）又は上記（４）の構成に加え、上記複数本のゲートバスラインは、断線部を有するゲートバスラインを含み、上記断線部を有する上記ゲートバスラインは、上記断線部を有する上記ゲートバスラインの隣の１本の補助容量配線と、上記断線部を挟んで隣り合う２本の修正用配線とを経由して上記断線部を迂回する信号経路を有する、液晶表示装置。

（８）また、本発明のある実施形態は、上記（７）の構成に加え、上記第二のメタル層上に設けられた第二の絶縁層と、上記第二の絶縁層上に設けられた複数の画素電極と、上記各画素電極に対してそれぞれ設けられた複数の薄膜トランジスタと、上記第二のメタル層に設けられ、かつ、上記各画素電極にそれぞれ接続された複数の追加配線と、を更に備え、上記各追加配線は、上記複数本の補助容量配線の少なくとも１本と重畳し、上記複数の薄膜トランジスタは、上記隣り合う２本の修正用配線の間に設けられた第一の薄膜トランジスタを含み、上記複数の画素電極は、上記第一の薄膜トランジスタに対して設けられ、かつ、上記第一の薄膜トランジスタとは接続されていない第一の画素電極を含み、上記第一の画素電極に接続された追加配線は、重畳する少なくとも１本の前記補助容量配線と接続されている、液晶表示装置。

（９）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）又は上記（４）の構成に加え、前記複数本のゲートバスライン及び前記複数本のソースバスラインは、それぞれ、リーク部を介して互いにリークするゲートバスライン及びソースバスラインを含み、上記リーク部を有する上記ゲートバスラインは、上記リーク部を有する上記ゲートバスラインの隣の１本の補助容量配線と、上記リーク部を挟んで隣り合う２本の修正用配線とを経由して上記リーク部を迂回する信号経路を有し、かつ、上記リーク部と上記２本の修正用配線との間でそれぞれ断線している、液晶表示装置。

本発明によれば、開口率の低下を抑え、かつバスラインの欠陥修正のための導電層を新たに追加することなく、バスラインの欠陥修正を行うことができる液晶表示装置を提供することができる。

実施形態１の液晶表示装置の断面模式図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。 実施形態１の液晶表示装置が備える補助容量配線の配置を示す平面模式図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるソースバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図であって、ソースバスラインの断線を修正する前の図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図であって、ソースバスラインの断線を修正する前の図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図であって、ソースバスラインの断線を修正した後の図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図であって、ソースバスラインの断線を修正した後の図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるゲートバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図であって、ゲートバスラインの断線を修正した後の図である。 実施形態１の液晶表示装置が備えるゲートバスライン及びソースバスラインが互いにリークするリーク部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。 実施形態２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。 実施形態２の液晶表示装置が備えるソースバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。 実施形態２の液晶表示装置が備えるゲートバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置が備えるゲートバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図であって、ゲートバスラインの断線を修正した後の図である。 実施形態４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図であり、修正用配線が補助容量配線と接続されている状態を示した図である。 実施形態４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図であり、修正用配線が補助容量配線と接続されていない状態を示した図である。 比較形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。 比較形態２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。 比較形態２の液晶表示装置の信号遅延について説明した、ＴＦＴ基板の平面模式図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に記載された内容に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。なお、実施形態に記載された各構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。

本発明の実施形態の液晶表示装置は、第一のメタル層に設けられた複数本のゲートバスラインと、上記第一のメタル層に、上記複数本のゲートバスラインと交互に設けられた複数本の補助容量配線と、上記第一のメタル層上に設けられた絶縁層と、上記絶縁層上の第二のメタル層に、上記複数本のゲートバスライン及び上記複数本の補助容量配線と交差するように設けられた複数本のソースバスラインと、上記第二のメタル層に設けられ、かつ、隣り合う２本のソースバスライン間の各領域に各ゲートバスラインと交差するように配置された複数本の修正用配線と、を備え、上記各修正用配線は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線に重畳する。

このような態様とすることにより、ソースバスラインが断線部を有する場合には、上記断線部を有するソースバスラインと、上記断線部を挟んで隣り合う２本の補助容量配線とをそれぞれ接続し、かつ、上記隣り合う２本の補助容量配線の間の１本の修正用配線と、上記隣り合う２本の補助容量配線とをそれぞれ接続することにより、上記隣り合う２本の補助容量配線と上記１本の修正用配線とを用いて、断線部を有するソースバスラインに断線部を迂回する信号経路を形成することが可能となり、ソースバスラインの欠陥を修正することができる。また、ゲートバスラインが断線部を有する場合には、上記断線部を有するゲートバスラインと、上記断線部を挟んで隣り合う２本の修正用配線とをそれぞれ接続し、かつ、上記断線部を有するゲートバスラインの隣の１本の補助容量配線と、上記隣り合う２本の修正用配線とをそれぞれ接続することにより、上記隣り合う２本の修正用配線と上記１本の補助容量配線とを用いて、断線部を有するゲートバスラインに断線部を迂回する信号経路を形成することが可能となり、ゲートバスラインの欠陥を修正することができる。更に、ゲートバスライン及びソースバスラインが互いにリークするリーク部を有する場合には、上記リーク部を有するゲートバスラインと、上記リーク部を挟んで隣り合う２本の修正用配線とをそれぞれ接続し、かつ、上記リーク部を有するゲートバスラインの隣の１本の補助容量配線と、上記隣り合う２本の修正用配線とをそれぞれ接続することにより、上記隣り合う２本の修正用配線と上記１本の補助容量配線とを用いて、リーク部を有するゲートバスラインにリーク部を迂回する信号経路を形成することが可能となる。更に、リーク部を有するゲートバスラインを、リーク部と上記２本の修正用配線との間でそれぞれ断線させることより、リーク部においてリークしているゲートバスラインとソースバスラインとの接続をカットし、当該ソースバスラインの信号経路を確保することが可能となり、ゲートバスライン及びソースバスラインの欠陥を修正することができる。

更に、本実施形態では、補助容量配線を用いてバスラインの欠陥を修正しているため、開口率の低下を抑えることができ、かつ、バスラインの欠陥修正に用いる補助容量配線及び修正用配線は、それぞれ、ゲートバスライン及びソースバスラインと同じメタル層に設けられる配線であるため、バスラインの欠陥修正のために導電層を新たに追加する必要がない。以下、本実施形態の液晶表示装置について、より詳細に説明する。

本実施形態の液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板と、ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板と、ＴＦＴ基板及び対向基板に挟持された液晶層とを備えている。ＴＦＴ基板は、絶縁基板と、第一のメタル層と、絶縁層（以下、第一の絶縁層ともいう。）と、第二のメタル層とを液晶層側に向かって順に備える。ＴＦＴ基板は、表示領域において、互いに平行に延設され、かつ、第一のメタル層に設けられた複数本のゲートバスラインと、第一のメタル層に、複数本のゲートバスラインと交互に設けられた複数本の補助容量配線と、各ゲートバスラインと交差する方向に互いに平行に延設され、かつ、第二のメタル層に設けられた複数本のソースバスラインと、第二のメタル層に設けられ、かつ、隣り合う２本のソースバスライン間の各領域に各ゲートバスラインと交差するように配置された複数本の修正用配線と、を備える。複数本のゲートバスライン及び複数本のソースバスラインは、各画素を区画するように全体として格子状に形成されている。各ソースバスラインと各ゲートバスラインとの交点にはスイッチング素子としてのＴＦＴが配置されている。各ＴＦＴは、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層を有する。ＴＦＴの構造は特に限定されず、ＴＦＴが備える半導体層は、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ系酸化物半導体、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等である。なお、本明細書においてゲートバスライン及びソースバスラインは、単にバスラインともいう。

上記複数本の修正用配線は、ソースバスラインの延在方向に隣接する画素間の境界にそれぞれ配置される。また、各修正用配線は、当該修正用配線が交差するゲートバスラインを介してソースバスラインの延在方向に隣接する２本の補助容量配線と重畳する。各修正用配線は、一部、特に両端部が上記２本の補助容量配線に重畳する。

ＴＦＴ基板は、更に、上記第二のメタル層上に設けられた第二の絶縁層と、第二の絶縁層上に設けられた複数の画素電極と、を液晶層側に向かって順に有している。

画素電極は、互いに隣接する２本のソースバスラインと互いに隣接する２本のゲートバスラインとに囲まれた各領域に配置された電極であり、ドレイン電極から延設されたドレイン配線に接続されることにより、対応するソースバスラインと電気的に接続されている。画素電極は、対応するＴＦＴを介して供給されるデータ信号に応じた電位に設定される。

ＴＦＴ基板又は対向基板は、共通電極を有している。共通電極は、画素の境界に関わらず、画素電極とドレイン配線との接続部等の特定部分を除いて、ほぼ一面に形成された電極である。共通電極に対しては一定値に保たれた共通信号が供給され、共通電極は一定の電位に保たれる。

ＴＦＴ基板と液晶層との間、及び、対向基板と液晶層との間には、それぞれ、液晶層に含まれる液晶分子の配向を制御する機能を有する配向膜が配置されている。

上記ゲートバスラインは、複数のゲート電極に接続された配線であり、接続されたＴＦＴのゲート電極に走査信号（ＴＦＴのオン状態及びオフ状態を制御する信号）を印加する。上記ソースバスラインは、複数のソース電極に接続された配線であり、接続されたＴＦＴにデータ信号（例えば映像信号）を印加する。

上記補助容量配線は、全画素に対応して設けられた配線であり、本実施形態では、上記ゲートバスラインに並行に配置された複数本の補助容量配線が、パネル領域の外側（例えば、パネル領域の左右）で互いに接続され、更にドライバ領域まで延設されて、ドライバ領域に配置されたドライバ１０９に接続されている。

上記複数本の修正用配線の少なくとも１本は、当該修正用配線が交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続されていることが好ましい。このような態様とすることにより、上記複数本の補助容量配線を低抵抗化することが可能となり、複数本の補助容量配線における信号の遅延を抑え、横シャドーを抑制することができる。ここで、横シャドーとは、中間調の背景に白色領域を複数表示した場合に、互いに隣接する白色領域間に挟まれた背景部分で、中間調の色がわずかにずれる現象であり、補助容量配線の遅延が大きくなると悪化する現象である。

上記２本の補助容量配線と接続される修正用配線は、通常、上記第一の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して２本の補助容量配線のそれぞれと接続される。

また、上記複数本の修正用配線の少なくとも１本は、当該修正用配線が交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続されていないことも好ましい。このような態様とすることにより、ゲートバスラインの遅延を抑制しながら、どのバスラインが断線しても必要に応じて修正を行うことができる。

上記２本の補助容量配線と接続されない修正用配線は、通常、上記第一の絶縁層を介して２本の補助容量配線上に重畳することによって、それらと電気的に絶縁されている。

また、上記複数本の修正用配線は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続された少なくとも１本の修正用配線と、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続されていない少なくとも１本の修正用配線とを含むことが好ましい。このような態様とすることにより、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続された少なくとも１本の修正用配線により補助容量配線の低抵抗化を必要な分だけ行いつつ、ゲートバスラインの遅延を抑制しながら、どのバスラインが断線しても必要に応じて修正を行うことができる。

また、上記複数本の修正用配線の少なくとも１本は、当該修正用配線の両端部のうちの一方の端部が、当該修正用配線が交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のうちの一方の補助容量配線と接続され、修正用配線の他方の端部が、他方の補助容量配線と接続されていないことも好ましい。修正用配線の両端部が、それぞれ、一方及び他方の補助容量配線に接続されている場合は、バスラインの断線を修正する際に、修正用配線の両端部、すなわち２箇所で補助容量配線との接続をカットする必要があるが、修正用配線の両端部のうちの一方の端部が一方の補助容量配線と接続され、修正用配線の他方の端部は他方の補助容量配線と接続されていない態様とすることにより、バスラインの断線を修正する際に、修正用配線の一方の端部、すなわち１箇所で補助容量配線との接続をカットすればよく、修正用配線をカットする回数を削減することが可能となる。ここで、配線に対してカット等の修正を行う場合、修正箇所１箇所当たりの、修正が成功する確率（修正確率）が１００％未満となることがある。そのため、修正箇所が複数ある場合は、修正箇所が増えるほど修正確率が低下してしまう。例えば、１箇所の修正確率が９０％である場合、修正箇所が２箇所あれば修正確率は８１％となり、修正箇所が３箇所あれば修正確率は７３％となってしまう。そのため、修正箇所が少ない方が、修正確率を向上させることができる。本実施形態では、上述の通り、修正用配線をカットする回数を削減することが可能となるため、修正確率を向上させることができる。

上記第二のメタル層上に設けられた第二の絶縁層と、上記第二の絶縁層上に設けられた複数の画素電極と、上記第二のメタル層に設けられ、かつ、上記各画素電極にそれぞれ接続された複数の追加配線と、を更に備え、上記各追加配線は、上記複数本の補助容量配線の少なくとも１本と重畳することが好ましい。バスラインの断線を修正する際、ドレイン配線をレーザーカットにより断線してドレイン電極と画素電極との接続をカットする必要が生じた場合に、画素電極に電位が入力されなくなるが、追加配線と補助容量配線とを重畳する部分で接続することにより、ドレイン配線との接続がカットされた画素電極に対して、補助容量配線から電位を安定して印加することができる。その結果、当該画素電極が配置された画素を黒点として視認させることが可能となるため、輝点の発生を抑えることが可能となる。

上記複数の追加配線は、通常、それぞれ、第二の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、各画素電極に接続されている。また、各追加配線は、通常、当該追加配線が接続された画素電極との間で補助容量を形成する補助容量配線と重畳する。

上記第一のメタル層及び上記第二のメタル層は、それぞれ、金属を含む導電膜から形成された配線層であり、各種配線が設けられる。第一のメタル層及び記第二のメタル層の材料は特に限定されないが、第一のメタル層及び第二のメタル層は、例えば、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の金属、又は、それらの合金を含む層である。上記第一のメタル層及び上記第二のメタル層は、例えば、スパッタリング法等により、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の金属、又は、それらの合金を、単層又は複数層で成膜することにより得られる。これらの層の形成される各種配線（ゲートバスライン、ソースバスライン、補助容量配線、修正用配線、追加配線等）及び電極（ゲート電極、ソース電極等）は、成膜後、フォトリソグラフィ法等でパターニングを行うことにより得られる。

画素電極及び共通電極は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等の透明導電材料、又は、それらの合金を、スパッタリング法等により単層又は複数層で成膜して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行うことで形成することができる。

上記第一の絶縁層は、上記第一のメタル層及び上記第二のメタル層の間に設けられた配線レイヤー間の層間絶縁膜である。上記第二の絶縁層は、第二のメタル層と上記画素電極間に設けられた層間絶縁膜である。第一の絶縁層及び第二の絶縁層としては、例えば、無機絶縁膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層体等を挙げることができる。無機絶縁膜としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の無機膜や、それらの積層膜を用いることができる。有機絶縁膜としては、例えば、感光性アクリル樹脂等の有機膜や、それらの積層膜を用いることができる。

次に、本実施形態の液晶表示装置が備える上記複数本のソースバスラインが、断線部を有するソースバスラインを含む場合について説明する。

この場合、上記複数本のソースバスラインは、断線部を有するソースバスラインを含み、上記断線部を有する上記ソースバスラインは、上記断線部を挟んで隣り合う２本の補助容量配線と、上記隣り合う２本の補助容量配線の間の１本の修正用配線とを経由して上記断線部を迂回する信号経路を有することが好ましい。このような態様とすることにより、ソースバスラインが断線部を有していても、断線部より先にデータ信号を送ることが可能となる。

より詳細には、上記断線部を有する上記ソースバスラインは、断線部を挟んでソースバスラインの延在方向に隣り合う２本の補助容量配線と、上記隣り合う２本の補助容量配線間に設けられたゲートバスラインと交差し、かつ、上記２本の補助容量配線のそれぞれと一部が重畳する１本の修正用配線とを経由して、断線部を迂回する信号経路を有する。断線部を有するソースバスラインへ入力された信号は、断線部より手前で、上記２本の補助容量配線のうちの一方の補助容量配線へと送られ、更に、上記１本の修正用配線と、上記２本の補助容量配線のうちの他方の補助容量配線とを順に経由し、断線部より後方で、再度、断線部を有するソースバスラインへと送られる。

次に、本実施形態の液晶表示装置が備える上記複数本のゲートバスラインが、断線部を有するゲートバスラインを含む場合について説明する。

この場合、上記複数本のゲートバスラインは、断線部を有するゲートバスラインを含み、上記断線部を有する上記ゲートバスラインは、上記断線部を有する上記ゲートバスラインの隣の１本の補助容量配線と、上記断線部を挟んで隣り合う２本の修正用配線とを経由して上記断線部を迂回する信号経路を有することが好ましい。このような態様とすることにより、ゲートバスラインが断線部を有していても、断線部より先に走査信号を送ることが可能となる。

より詳細には、上記断線部を有する上記ゲートバスラインは、断線部を有するゲートバスラインと一部が重畳し、かつ、断線部を挟んでゲートバスラインの延在方向に隣り合う２本の修正用配線と、上記２本の修正用配線のそれぞれと一部が重畳する１本の補助容量配線とを経由して、断線部を迂回する信号経路を有する。断線部を有するゲートバスラインへ入力された信号は、断線部より手前で、上記２本の修正用配線のうち一方の修正用配線へと送られ、更に、上記１本の補助容量配線と、上記２本の修正用配線のうち他方の修正用配線とを順に経由し、断線部より後方で、再度、断線部を有するゲートバスラインへと送られる。

なお、各画素電極に対してそれぞれ複数の薄膜トランジスタが設けられるとは、画素電極一つ当たりに少なくとも一つの薄膜トランジスタが設けられることを意味する。

本実施形態の液晶表示装置は、上記第二のメタル層上に設けられた第二の絶縁層と、上記第二の絶縁層上に設けられた複数の画素電極と、上記各画素電極に対してそれぞれ設けられた複数の薄膜トランジスタと、上記第二のメタル層に設けられ、かつ、上記各画素電極にそれぞれ接続された複数の追加配線と、を更に備え、上記各追加配線は、上記複数本の補助容量配線の少なくとも１本と重畳し、上記複数の薄膜トランジスタは、上記隣り合う２本の修正用配線の間に設けられた第一の薄膜トランジスタを含み、上記複数の画素電極は、上記第一の薄膜トランジスタに対して設けられ、かつ、上記第一の薄膜トランジスタとは接続されていない第一の画素電極を含み、上記第一の画素電極に接続された追加配線は、重畳する少なくとも１本の前記補助容量配線と接続されていることが好ましい。断線部Ｂが第一のＴＦＴよりも信号入力側から遠い場所にある場合は第一の画素電極にゲート信号が供給されるが、断線部Ｂが第一のＴＦＴよりも信号入力側に近い場所にある場合は第一の画素電極にゲート信号が供給されない。そのため、ドレイン配線をレーザーカットにより断線して第一の薄膜トランジスタと第一の画素電極とが接続されていない状態とし、かつ、追加配線と補助容量配線とを接続することにより、ドレイン配線との接続がカットされた第一の画素電極に対して、補助容量配線から電位を安定して印加することができる。その結果、第一の画素電極が配置された画素を黒点として視認させることが可能となるため、輝点の発生を抑えることが可能となる。

上記複数の追加配線は、通常、それぞれ、上記第二の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して各画素電極に接続されている。また、各追加配線は、通常、当該追加配線が接続された画素電極との間で補助容量を形成する補助容量配線と重畳する。

以下、図面を用いて、本発明の他の実施形態に係る配向処理装置についてより具体的に説明する。なお、以下の説明において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して適宜用い、その繰り返しの説明は適宜省略する。

（実施形態１）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。図１は、実施形態１の液晶表示装置の断面模式図である。図２Ａは、実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。図２Ｂは、実施形態１の液晶表示装置が備える補助容量配線の配置を示す平面模式図である。図３は、実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図である。図３は、図２ＡのＡ１−Ａ２線での断面模式図である。

図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１は、ＴＦＴ基板１００と、ＴＦＴ基板１００に対向して配置された対向基板２００と、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間に配置された液晶層３００とを備える。

図２Ａ及び図３に示すように、ＴＦＴ基板１００は、第一のメタル層Ｍ１に設けられた複数本のゲートバスライン１０１と、第一のメタル層Ｍ１に、複数本のゲートバスライン１０１と交互に設けられた複数本の補助容量配線１０２と、第一のメタル層Ｍ１上に設けられた絶縁層（第一の絶縁層）Ｎ１と、絶縁層Ｎ１上の第二のメタル層Ｍ２に、複数本のゲートバスライン１０１及び複数本の補助容量配線１０２と交差するように設けられた複数本のソースバスライン１０３と、第二のメタル層Ｍ２に設けられ、かつ、隣り合う２本のソースバスライン１０３間の各領域に各ゲートバスライン１０１と交差するように配置された複数本の修正用配線１０４と、第二のメタル層Ｍ２上に設けられた第二の絶縁層Ｎ２と、第二の絶縁層Ｎ２上に設けられた複数の画素電極１０７と、各画素電極１０７に対してそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ１０６と、を備え、各修正用配線１０４は、交差するゲートバスライン１０１の隣にある２本の補助容量配線１０２に重畳する。複数本の補助容量配線１０２は、複数本のゲートバスライン１０１と並行に配置され、図２Ｂに示すように、パネル領域ＡＡの左右で複数本の補助容量配線１０２の全てが接続され、パネル領域ＡＡの上部の２箇所で、ドライバ１０９に接続されている。ドライバ１０９は、補助容量配線１０２に所定の共通電圧を供給する。

各ソースバスライン１０３と各ゲートバスライン１０１との交点にはスイッチング素子としてのＴＦＴ１０６が配置されており、各ＴＦＴ１０６のソース電極及びゲート電極は、それぞれ、対応するソースバスライン１０３及びゲートバスライン１０１に接続されている。各ＴＦＴ１０６のドレイン電極は、対応する画素電極１０７に接続されている。より詳細には、各ＴＦＴ１０６のドレイン電極は、第二のメタル層Ｍ２に設けられたドレイン配線１０６Ｄと接続され、各ドレイン配線１０６Ｄは、第二の絶縁層Ｎ２に設けられたコンタクトホールＣＨ３を介して、対応する画素電極１０７に接続されている。

また、図２Ａ及び図３に示すように、複数本の修正用配線１０４は、交差するゲートバスライン１０１の隣にある２本の補助容量配線１０２のそれぞれと、第一の絶縁層Ｎ１に設けられたコンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２を介して接続されている。本実施形態では、互いに隣接して配置された２つの画素Ｐ１及びＰ２間に冗長配線としての修正用配線１０４が設けられており、２本の補助容量配線１０２のそれぞれと修正用配線１０４とがコンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２を介して接続されている。このような態様とすることにより、バスラインを修正しない時は、互いに隣接して配置された補助容量配線１０２同士が繋がっている状態（補助容量配線１０２が縦方向に繋がった構造）となり、補助容量配線１０２に入力された信号が遅延するのを抑えることができる。その結果、横シャドーを抑えることが可能となる。

本実施形態の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板１００は画素電極１０７を備え、対向基板２００は共通電極を備える。また、ＴＦＴ基板１００と液晶層３００との間、及び、対向基板２００と液晶層３００との間には、それぞれ、液晶層３００に含まれる液晶分子の配向を制御する機能を有する配向膜が配置されており、画素電極１０７及び共通電極間に電圧が印加されていない電圧無印加状態において、液晶層に含まれる液晶分子は、一対の基板の各々の主面に対して略垂直に配向している。

本実施形態の液晶表示装置１に含まれる画素は、複数の配向領域（ドメイン）に分割されており、配向領域ごとに液晶分子を異なる方位に配向させることで、視野角特性を向上させることができる。

本実施形態の液晶表示装置１は、ソースバスライン１０３に電気的に接続されたソースドライバ、及び、ゲートバスライン１０１に電気的に接続されたゲートドライバ、及び、コントローラを更に備える。ゲートドライバは、コントローラによる制御に基づいて、ゲートバスライン１０１に走査信号を順次供給する。ソースドライバは、ＴＦＴ１０６が走査信号によって電圧印加状態となるタイミングで、コントローラによる制御に基づいてソースバスライン１０３にデータ信号を供給する。画素電極１０７は各々、対応するＴＦＴ１０６を介して供給されるデータ信号に応じた電位に設定され、画素電極１０７と共通電極との間で縦電界が発生し、液晶層３００中の液晶分子の配向が制御される。そして、液晶表示装置１では、各画素において、液晶層３００に印加する電圧の大きさによって液晶分子の配向状態を変えることにより、液晶層３００での光透過率を調整して画像が表示される。本実施形態の液晶表示装置１は、１つの画素あたりのドメイン数が４つである４Ｄ−ＲＴＮ（４Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｖｅｒｓｅ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの液晶表示装置である。液晶表示装置１が備える１つの画素当たりのドメインの数は特に限定されず、例えば、８ドメインであってもよい。

４Ｄ−ＲＴＮモードの液晶表示装置では、ドメインの暗線が発生するが、当該暗線の発生箇所に修正用配線１０４を配置することにより、修正用配線１０４を設けることによる透過率の更なる低下を抑えることができる。

なお、本実施形態では４Ｄ−ＲＴＮモードの液晶表示装置について説明するが、表示モードはこれに限定されず、例えば、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等の表示モードでもよい。ＩＰＳモード及びＦＦＳモードの液晶表示装置では、共通電極はＴＦＴ基板１００に配置される。

本実施形態の液晶表示装置１は、図２Ａに示すように横画素（トリプルスキャン）であるがこれに限定されず、縦画素であってもよい。ここで、縦画素の液晶表示装置が備えるバスラインが断線部を有し、ＴＦＴ基板の周縁部を引き回した予備配線を用いてバスラインの断線を修正する場合、８Ｋ等の高精細になると、予備配線の信号遅延により、修正したバスラインで充電率が通常の画素と異なってしまう。そのため、予備配線を用いて断線部の修正を行うことはできない。一方、本実施形態の液晶表示装置１は、縦画素であってもバスラインの断線を修正することができる。

以下では、実施形態１の液晶表示装置１が備えるバスラインが断線部を有する場合の修正方法について説明する。まず、ソースバスライン１０３が断線部を有する場合について説明する。

図４は、実施形態１の液晶表示装置が備えるソースバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。図４中、黒丸印はレーザーメルトを行う位置を表し、Ｘ印は、レーザーカットを行う位置を表す。絶縁層を介して少なくとも一部が互いに重畳する２本の配線は、２本の配線が重畳する領域をレーザーメルトすることにより、上記重畳する領域に設けられた絶縁層が溶融し、２本の配線同士が接続される。また、レーザーカットにより、配線を断線することができる。図５は、実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図であって、ソースバスラインの断線を修正する前の図である。図６は、実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図であって、ソースバスラインの断線を修正する前の図である。図７は、実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図であって、ソースバスラインの断線を修正した後の図である。図８は、実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図であって、ソースバスラインの断線を修正した後の図である。図６及び図８は、図４のＢ１−Ｂ２線での断面模式図である。

図４に示すように、実施形態１の液晶表示装置１が備える複数のソースバスライン１０３が、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３を含む場合、図４に示す２箇所の黒丸印でレーザーメルトを行って、図５〜図８に示すように、断線部Ｂを挟んで隣り合う２本の補助容量配線１０２を、それぞれ、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３と接続する。また、図４に示す６箇所のＸ印でレーザーカットを行って、図５〜図８に示すように、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３と、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２と、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２間に設けられた修正用配線１０４とが互いに接続された状態としつつ、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２と、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２以外の補助容量配線１０２とが互いに接続されていない状態とすることにより、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３の断線を迂回するルート（信号経路ＳＰ）を形成することができる。より詳細には、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３は、断線部Ｂを挟んで隣り合う２本の補助容量配線１０２と、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２の間の１本の修正用配線１０４とを経由して断線部Ｂを迂回する信号経路を有することが可能となる。その結果、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３に起因したライン欠陥を抑えることが可能となり、パネルの歩留まりを向上させることができる。

本実施形態では、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３の左側に位置する修正用配線１０４を用いて断線の修正を行うが、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３の右側に位置する修正用配線１０４を用いて断線の修正を行ってもよい。また、本実施形態では、断線部Ｂに隣接する２本の補助容量配線１０２を用いて修正を行うが、修正に用いる補助容量配線１０２は、断線部Ｂに隣接していても隣接していなくてもよい。

次に、ゲートバスライン１０１が断線部を有する場合について説明する。図９は、実施形態１の液晶表示装置が備えるゲートバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。図９中、黒丸印はレーザーメルトを行う位置を表し、Ｘ印は、レーザーカットを行う位置を表す。図１０は、実施形態１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図であって、ゲートバスラインの断線を修正した後の図である。図１０は、図９のＢ３−Ｂ４線での断面模式図である。

図９に示すように、実施形態１の液晶表示装置１が備える複数のゲートバスライン１０１が、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１を含む場合、図９に示す２箇所の黒丸印でレーザーメルトを行って、図１０に示すように、断線部Ｂを挟んで隣り合う２本の修正用配線１０４を、それぞれ、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１と接続する。また、図９に示す６箇所のＸ印でレーザーカットを行って、図１０に示すように、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１と、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の隣に配置された補助容量配線１０２と、上記隣り合う２本の修正用配線１０４とが互いに接続された状態としつつ、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の隣に配置された補助容量配線１０２と他の補助容量配線１０２とが互いに接続されていない状態とする。また、上記隣り合う２本の修正用配線１０４の間に設けられた第一のＴＦＴ１０６１と、第一のＴＦＴ１０６１に対して設けられた第一の画素電極１０７１とが接続されていない状態とする。このような態様とすることにより、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の断線を迂回するルート（信号経路ＳＰ）を形成することができる。より詳細には、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１は、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の隣の１本の補助容量配線１０２と、断線部Ｂを挟んで隣り合う２本の修正用配線１０４とを経由して断線部Ｂを迂回する信号経路を有することが可能となる。その結果、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１に起因したライン欠陥を抑えることが可能となり、パネルの歩留まりを向上させることができる。

本実施形態では、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の下側に位置する補助容量配線１０２を用いて断線の修正を行うが、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の上側に位置する補助容量配線１０２を用いて断線の修正を行ってもよい。また、本実施形態では、断線部Ｂに隣接する２本の修正用配線１０４を用いて修正を行うが、修正に用いる修正用配線１０４は、断線部Ｂに隣接していても隣接していなくてもよい。

次に、ゲートバスライン１０１及びソースバスライン１０２が互いにリークするリーク部を有する場合について説明する。図１１は、実施形態１の液晶表示装置が備えるゲートバスライン及びソースバスラインが互いにリークするリーク部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。図１１中、黒丸印はレーザーメルトを行う位置を表し、Ｘ印は、レーザーカットを行う位置を表す。

図１１に示すように、実施形態１の液晶表示装置１が備える複数のゲートバスライン１０１及び複数のソースバスライン１０２が、それぞれ、リーク部Ｃを介して互いにリークするゲートバスライン１０１及びソースバスライン１０２を含む場合、図１１に示す箇所の黒丸印でレーザーメルトを行って、リーク部Ｃを挟んで隣り合う２本の修正用配線１０４を、それぞれ、リーク部Ｃを有するゲートバスライン１０１と接続する。また、図１１に示す８箇所のＸ印でレーザーカットを行って、リーク部Ｃで互いに接続されているゲートバスライン１０１とソースバスライン１０２との接続をカットすると共に、リーク部Ｃを有するゲートバスライン１０１と、リーク部Ｃを有するゲートバスライン１０１の隣に配置された補助容量配線１０２と、上記隣り合う２本の修正用配線１０４とが互いに接続された状態としつつ、リーク部Ｃを有するゲートバスライン１０１の隣に配置された補助容量配線１０２と他の補助容量配線１０２とが互いに接続されていない状態とする。このような態様とすることにより、リーク部Ｃを有するゲートバスライン１０１は、リーク部Ｃを有するゲートバスライン１０１の隣の１本の補助容量配線１０２と、リーク部Ｃを挟んで隣り合う２本の修正用配線１０４とを経由してリーク部Ｃを迂回する信号経路ＳＰ１を有することが可能となる。また、リーク部Ｃでゲートバスライン１０１とリークしていたソースバスライン１０２は、ゲートバスライン１０１と接続されていない信号経路ＳＰ２を有することが可能となる。その結果、リーク部Ｃに起因したライン欠陥を抑えることが可能となり、パネルの歩留まりを向上させることができる。

（実施形態２）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。図１２は、実施形態２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。実施形態２の液晶表示装置１は、図１２に示すように、修正用配線１０４が、交差するゲートバスライン１０１の隣にある２本の補助容量配線１０２のそれぞれと接続されていないこと以外は、実施形態１の液晶表示装置１と同様の構成を有する。

以下では、実施形態２の液晶表示装置１が備えるバスラインが断線部を有する場合の修正方法について説明する。まず、ソースバスライン１０３が断線部を有する場合について説明する。

図１３は、実施形態２の液晶表示装置が備えるソースバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。図１３中、黒丸印はレーザーメルトを行う位置を表し、Ｘ印は、レーザーカットを行う位置を表す。

図１３に示すように、実施形態２の液晶表示装置１が備える複数のソースバスライン１０３が、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３を含む場合、図１３に示す４箇所の黒丸印でレーザーメルトを行って、断線部Ｂを挟んで隣り合う２本の補助容量配線１０２を、それぞれ、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３と接続し、かつ、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２間に配置された修正用配線１０４と接続する。また、図１３に示す４箇所のＸ印でレーザーカットを行って、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３と、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２と、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２間に設けられた修正用配線１０４とが互いに接続された状態としつつ、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２と、上記隣り合う２本の補助容量配線１０２以外の補助容量配線１０２とが互いに接続されていない状態とすることにより、断線部Ｂを有するソースバスライン１０３の断線を迂回するルート（信号経路ＳＰ）を形成することができる。

次に、ゲートバスライン１０１が断線部を有する場合について説明する。図１４は、実施形態２の液晶表示装置が備えるゲートバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。図１４中、黒丸印はレーザーメルトを行う位置を表し、Ｘ印は、レーザーカットを行う位置を表す。

図１４に示すように、実施形態２の液晶表示装置１が備える複数のゲートバスライン１０１が、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１を含む場合、図１４に示す４箇所の黒丸印でレーザーメルトを行って、断線部Ｂを挟んで隣り合う２本の修正用配線１０４を、それぞれ、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１と接続し、かつ、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の隣に配置された補助容量配線１０２と接続する。また、図１４に示す２箇所のＸ印でレーザーカットを行って、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１と、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の隣に配置された補助容量配線１０２と、上記隣り合う２本の修正用配線１０４とが互いに接続された状態としつつ、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の隣に配置された補助容量配線１０２と他の補助容量配線１０２とが互いに接続されていない状態とする。このような態様とすることにより、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の断線を迂回するルート（信号経路ＳＰ）を形成することができる。

（実施形態３）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。図１５は、実施形態３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図である。図１６は、実施形態３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図である。図１６は、図１５のＤ１−Ｄ２線での断面模式図である。

本実施形態の液晶表示装置１は、第二のメタル層Ｍ２上に設けられた第二の絶縁層Ｎ２と、第二の絶縁層Ｎ２上に設けられた複数の画素電極１０７と、第二のメタル層Ｍ２に設けられ、かつ、各画素電極１０７にそれぞれ接続された複数の追加配線１０８と、を更に備え、各追加配線１０８は、複数本の補助容量配線１０２の１本と重畳している。画素電極１０７と追加配線１０８とは、第二の絶縁層Ｎ２に設けられたコンタクトホールＣＨ４を介して互いに接続されている。

ここからは、実施形態３の液晶表示装置１が備えるゲートバスラインが断線部を有する場合の修正方法について説明する。

図１７は、実施形態３の液晶表示装置が備えるゲートバスラインが断線部を有する場合の、ＴＦＴ基板の平面模式図である。図１７中、黒丸印はレーザーメルトを行う位置を表し、Ｘ印は、レーザーカットを行う位置を表す。図１８は、実施形態３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の断面模式図であって、ゲートバスラインの断線を修正した後の図である。図１８は、図１７のＥ１−Ｅ２線での断面模式図である。

本実施形態の液晶表示装置１が備える複数本のゲートバスライン１０１は、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１を含み、複数のＴＦＴ１０６は、断線部Ｂを挟んで隣り合う２本の修正用配線１０４の間に設けられた第一のＴＦＴ１０６１を含み、複数の画素電極１０７は、第一のＴＦＴ１０６１に対して設けられた第一の画素電極１０７１を含む。

図１７に示すように、実施形態３の液晶表示装置１が備える複数のゲートバスライン１０１が、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１を含む場合、図１７に示す３箇所の黒丸印でレーザーメルトを行って、図１７及び図１８に示すように、断線部Ｂを挟んで隣り合う２本の修正用配線１０４を、それぞれ、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１と接続し、かつ、第一の画素電極１０７１に接続された追加配線１０８を、当該追加配線１０８に重畳する補助容量配線１０２と接続する。また、図１７に示す７箇所のＸ印でレーザーカットを行って、図１７及び図１８に示すように、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１と、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の隣に配置された補助容量配線１０２と、上記隣り合う２本の修正用配線１０４とが互いに接続された状態としつつ、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の隣に配置された補助容量配線１０２と他の補助容量配線１０２とが互いに接続されていない状態とする。また、ドレイン配線１０６Ｄを断線することにより、第一のＴＦＴ１０６１と第一の画素電極１０７１とが互いに接続されていない状態とする。このような態様とすることにより、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１は、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１の隣の１本の補助容量配線１０２と、断線部Ｂを挟んで隣り合う２本の修正用配線１０４とを経由して断線部Ｂを迂回する信号経路ＳＰを有することが可能となる。その結果、断線部Ｂを有するゲートバスライン１０１に起因したライン欠陥を抑えることが可能となり、パネルの歩留まりを向上させることができる。更に、追加配線１０８と重畳して配置されている補助容量配線１０２と、第一の画素電極１０７１とを、追加配線１０８を介して互いに接続することにより、第一の画素電極１０７１に安定した電位（補助容量電位）を印加することができる。上記実施形態１の液晶表示装置１が備えるゲートバスライン１０１の断線を修正する場合は、画素電極１０７に供給される電位がなく、画素が不安定な動きになる場合があるが、本実施形態ではこの不安定な動きを抑えることができる。本実施形態では、断線部Ｂが第一のＴＦＴ１０６１よりも信号入力側から遠い場所にあるため、位置Ｅでレーザーカットを行わずとも第一の画素電極１０７１にゲート信号が供給されるが、断線部Ｂが第一のＴＦＴ１０６１よりも信号入力側に近い場所にある場合は、第一の画素電極１０７１にゲート信号が供給されないため、本実施形態のように位置Ｅでレーザーカットを行った上で、追加配線１０８と重畳して配置されている補助容量配線１０２と、第一の画素電極１０７１とを、追加配線１０８を介して互いに接続することにより、第一の画素電極１０７１に安定した電位（補助容量電位）を印加することができる。その結果、第一の画素電極１０７１が配置された画素を黒点として視認させることが可能となるため、輝点の発生を抑えることが可能となる。

本実施形態では、ゲートバスライン１０１が断線部Ｂを有する場合について説明したが、ソースバスライン１０３が断線部を有する場合についても、本実施形態と同様に追加配線１０８を用いて断線部の修正を行うことができる。

（実施形態４）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。図１９は、実施形態４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図であり、修正用配線が補助容量配線と接続されている状態を示した図である。図２０は、実施形態４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の平面模式図であり、修正用配線が補助容量配線と接続されていない状態を示した図である。

本実施形態の液晶表示装置１が備える複数本の修正用配線１０４は、図１９に示すように、交差するゲートバスライン１０１の隣にある２本の補助容量配線１０２のそれぞれと接続された複数本の修正用配線１０４と、図２０に示すように、交差するゲートバスライン１０１の隣にある２本の補助容量配線１０２のそれぞれと接続されていない複数本の修正用配線１０４とを含む。

図１９に示すように、複数本の修正用配線１０４が、交差するゲートバスライン１０１の隣にある２本の補助容量配線１０２のそれぞれと接続された複数本の修正用配線１０４を含むことにより、隣接する補助容量配線１０２同士を互いに接続することが可能となり、複数本の補助容量配線１０２を低抵抗化することができる。一方、図１９に示す構造とすることにより、ゲートバスライン１０１の負荷が増える可能性がある。また、図２０に示すように、複数本の修正用配線１０４が、交差するゲートバスライン１０１の隣にある２本の補助容量配線１０２のそれぞれと接続されていない複数本の修正用配線１０４とを含むことにより、どのバスラインが断線しても、修正することができる。一方、図２０に示す構造では、補助容量配線１０２の低抵抗化を行うことはできない。

本実施形態では、複数本の修正用配線１０４のうち、補助容量配線１０２の低抵抗化に必要な分だけを図１９に示す構造とし、その他の修正用配線１０４を図２０に示す構造とすることにより、補助容量配線１０２の低抵抗化と、ゲートバスライン１０１の遅延アップを調整して、最適な品位となるように液晶表示装置１を設計することができる。

以上に示した本発明の各態様は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。

１：液晶表示装置
１００、１００Ｒ：ＴＦＴ基板
２００：対向基板
３００：液晶層
１０１、１０１Ｒ：ゲートバスライン
１０２、１０２Ｒ：補助容量配線
１０３、１０３Ｒ：ソースバスライン
１０３Ｒ１：断線していない通常のソースバスライン（非断線ソースバスライン）
１０３Ｒ２：断線を修正したソースバスライン（断線ソースバスライン）
１０３ＡＲ、１０３ＢＲ：ソースバスライン部分
１０４：修正用配線
１０５Ｒ：予備配線
１０６、１０６１：ＴＦＴ
１０６Ｄ：ドレイン配線
１０７、１０７１：画素電極
１０８：追加配線
１０９：ドライバ
１０３１Ｒ：一端
１０３１ＡＲ、１０３２ＡＲ：重畳する領域
１０３２Ｒ：他端
ＡＡ：パネル領域
Ｂ：断線部
Ｃ：リーク部
ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３：コンタクトホール
ＤＡ：ドライバ領域
Ｅ：位置
Ｍ１：第一のメタル層
Ｍ２：第二のメタル層
Ｎ１：絶縁層（第一の絶縁層）
Ｎ２：第二の絶縁層
Ｐ１、Ｐ２：画素
ＳＰ、ＳＰ１、ＳＰ２：信号経路

Claims (9)

1. 第一のメタル層に設けられた複数本のゲートバスラインと、
   前記第一のメタル層に、前記複数本のゲートバスラインと交互に設けられた複数本の補助容量配線と、
   前記第一のメタル層上に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層上の第二のメタル層に、前記複数本のゲートバスライン及び前記複数本の補助容量配線と交差するように設けられた複数本のソースバスラインと、
   前記第二のメタル層に設けられ、かつ、隣り合う２本のソースバスライン間の各領域に各ゲートバスラインと交差するように配置された複数本の修正用配線と、を備え、
   前記各修正用配線は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線に重畳することを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記複数本の修正用配線の少なくとも１本は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記複数本の修正用配線の少なくとも１本は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続されていないことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記複数本の修正用配線は、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続された少なくとも１本の修正用配線と、交差するゲートバスラインの隣にある２本の補助容量配線のそれぞれと接続されていない少なくとも１本の修正用配線とを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記第二のメタル層上に設けられた第二の絶縁層と、
   前記第二の絶縁層上に設けられた複数の画素電極と、
   前記第二のメタル層に設けられ、かつ、前記各画素電極にそれぞれ接続された複数の追加配線と、を更に備え、
   前記各追加配線は、前記複数本の補助容量配線の少なくとも１本と重畳することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. 前記複数本のソースバスラインは、断線部を有するソースバスラインを含み、
   前記断線部を有する前記ソースバスラインは、前記断線部を挟んで隣り合う２本の補助容量配線と、前記隣り合う２本の補助容量配線の間の１本の修正用配線とを経由して前記断線部を迂回する信号経路を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
7. 前記複数本のゲートバスラインは、断線部を有するゲートバスラインを含み、
   前記断線部を有する前記ゲートバスラインは、前記断線部を有する前記ゲートバスラインの隣の１本の補助容量配線と、前記断線部を挟んで隣り合う２本の修正用配線とを経由して前記断線部を迂回する信号経路を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 前記第二のメタル層上に設けられた第二の絶縁層と、
   前記第二の絶縁層上に設けられた複数の画素電極と、
   前記各画素電極に対してそれぞれ設けられた複数の薄膜トランジスタと、
   前記第二のメタル層に設けられ、かつ、前記各画素電極にそれぞれ接続された複数の追加配線と、を更に備え、
   前記各追加配線は、前記複数本の補助容量配線の少なくとも１本と重畳し、
   前記複数の薄膜トランジスタは、前記隣り合う２本の修正用配線の間に設けられた第一の薄膜トランジスタを含み、
   前記複数の画素電極は、前記第一の薄膜トランジスタに対して設けられ、かつ、前記第一の薄膜トランジスタとは接続されていない第一の画素電極を含み、
   前記第一の画素電極に接続された追加配線は、重畳する少なくとも１本の前記補助容量配線と接続されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記複数本のゲートバスライン及び前記複数本のソースバスラインは、それぞれ、リーク部を介して互いにリークするゲートバスライン及びソースバスラインを含み、
   前記リーク部を有する前記ゲートバスラインは、前記リーク部を有する前記ゲートバスラインの隣の１本の補助容量配線と、前記リーク部を挟んで隣り合う２本の修正用配線とを経由して前記リーク部を迂回する信号経路を有し、かつ、前記リーク部と前記２本の修正用配線との間でそれぞれ断線していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
   
   

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