JP2021109806A - エピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(2)エビタキシャル成長の前段階において行われるプリベイクの加熱中において、SiPは溶解し、SFが結晶に残る。
(3)結晶成長における冷却過程において570℃±70℃(500℃から640℃)の温度区間の間の滞在時間が短い場合には、SiPのサイズが小さいので、発生するSFのサイズも小さく、プリベイクの過程において表層付近のSF(スタッキングフォルト)はアニールアウトされ、エピタキシャル成長を開始した時には表層にSFは残らない。
(4)一方、結晶成長における冷却過程において570℃±70℃(500℃から640℃)の温度区間の間の滞在時間が長い場合には、SiPのサイズが大きくなるので、発生するSF(スタッキングフォルト)のサイズも大きく、プリベイクの過程において表層付近のSF(スタッキングフォルト)はアニールアウトされない。そして、エピタキシャル成長を開始した時に表層に残ったSFは、エピタキシャル膜の中にSFとして伝搬する。
(1)結晶成長中の冷却カーブを計算により求める。
(2)リン濃度と冷却カーブにより、冷却中におけるSiPの発生と成長を計算する。
(3)冷却後のSiPのサイズ分布を求める。
(4)対応するリン濃度と冷却カーブについてのエピタキシャル膜のSF(スタッキングフォルト)の密度を実験により評価する。
(5)SiPのサイズ分布とエピタキシャル膜におけるSF(スタッキングフォルト)との関係を把握する。
PS++I+2e−=Pi− ・・・(2)
CIN/CPi=KI(ni/n)2 ・・・(4)
ここで、CVは空孔濃度、Nはリンの濃度、CPVはPVの濃度であり、CIは格子間シリコンの濃度、CPiはPiの濃度、nは電子の濃度、niはイントリンシックな電子濃度である。ここで、niは式(5)により表される。
ここで、Tは絶対温度(K)、kBはボルツマン定数8.6257×10−5(eV/K)である。
n=N/2+[N2/4+ni 2]1/2 ・・・(6)
V+I=0 ・・・(7)
dCV/dt=dCI/dt=−KIV(CVCI−CV eq CI eq) ・・・(8)
ここで、CV eq,CI eqは、それぞれ空孔と格子間シリコンの熱平衡濃度である。
KIV=4πac(DV+DI)exp(−ΔG/kBT) ・・・(9)
ここで、ac=0.543×10−7cmであり,DVとDIはそれぞれ空孔と格子間シリコンの拡散係数である。ΔGは対消滅反応のバリアであり、一般にΔGはゼロとされるのでここではゼロとした。
CV T=CV+CPV ・・・(10)
(CV T−CPV)N/CPV=KV ・・・(11)
CPV=CV T/(KV/N+1) ・・・(12)
R=CPi eq/N ・・・(13)
CIN/CPi=CI eqN/CPi eq ・・・(14)
CIN/CPi=CI eq/R ・・・(15)
R=CI eq(n/ni)2/KI ・・・(16)
CI T=CI+CPi ・・・(17)
CPi/N=R(CI T−CPi)/CI eq ・・・(18)
CPi=CI T/{CI eq/(NR)+1} ・・・(19)
CI=CI eq at 1685K
CPV=CV eqN/KV at 1685K
CPi=NR at 1685K ・・・(20)
CI eq=4.84×1014exp[−4.05{1/(kBT)−1/(1685kB)}] ・・・(22)
DV=4.45×10−5exp[−0.3{1/(kBT)−1/(1685kB)}] ・・・(23)
DI=5.0×10−4exp[−0.9{1/(kBT)−1/(1685kB)}] ・・・(24)
KV=9.61×1019exp[−1.0{1/(kBT)−1/(1685kB)}] ・・・(25)
KI=3.5×1020exp[−1.2{1/(kBT)−1/(1685kB)}] ・・・(26)
ここでのkBは、8.6257×10−5 (eV/K)である。
f=kBTln(CPi/CPi eq) ・・・(28)
ΔG*=16πσ3Ω2/(3f)2 ・・・(30)
ここで、βは臨界核への元素の捕獲速度であり、Zは、Zeldovich因子と呼ばれ熱平衡密度と定常状態における密度の比を補正する係数である。ρeqは臨界核の熱平衡密度である。
ここで、ρはシリコンサイトの密度である(5×1022cm−3)。
ここで、DPiは格子間リンの拡散係数である。
dR/dt =ΩDPi(CPi−CPi eq)/R ・・・(36)
ここでkBは、8.6257×10−5 (eV/K)である。
評価に用いた結晶は、結晶1および結晶2の2本の結晶であり、直径は200mmである。図2は、結晶1および結晶2の直胴各位置における抵抗率を示すグラフである。図2に示されるように、結晶1は、抵抗率が0.9mΩcmから0.7mΩcmに変化し、結晶2は、抵抗率が0.75mΩcmから0.55mΩcmに変化する。結晶1および結晶2を用いることにより、広範囲の抵抗率における欠陥の発生を評価する。
エピタキシャル膜の製造条件は、以下のとおりである。まず、プリベイクとして、1130℃の水素雰囲気で60秒のプリベイクを行う。その後、エピタキシャル成長として、1130℃で3μmのエピタキシャル膜を成長させる。
上記のように作成したエピタキシャルシリコンウェーハにおけるスタッキングフォルトの検査行う。エッチングによりSF(スタッキングフォルト)は検出でき、肉眼や光学顕微鏡下で確認でき、密度が分かる。
2 原料融液
3 石英ルツボ
4 サイドヒータ
5 ボトムヒータ
6 輻射シールド
7 ワイヤ
8 種結晶
9 結晶
Claims (6)
- リンをドープしたシリコン単結晶を基板に用いてエピタキシャル膜を成長させて製造するエピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法であって、
前記シリコン単結晶を製造する引き上げ装置を含めた温度特性と引き上げ速度から前記シリコン単結晶の冷却カーブを計算する熱履歴計算ステップと、
前記シリコン単結晶にドープしたリンの濃度から、前記冷却カーブの各温度過程における少なくとも格子間リンの濃度を計算する濃度計算ステップと、
前記シリコン単結晶の冷却中の格子間リンの過飽和度から、冷却完了時におけるリンとシリコンの析出物のサイズおよび密度を計算する析出物計算ステップと、
前記リンとシリコンの析出物のサイズおよび密度から、エピタキシャル成長後のシリコンウェーハにおける欠陥の密度を推定する欠陥推定ステップと、
を含むエピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法。 - 前記濃度計算ステップでは、前記格子間リンの濃度のみではなく、空孔、格子間シリコン、リンと空孔との反応物の濃度も併せて計算する、請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法。
- 前記欠陥推定ステップでは、事前の実験で定められた検出すべきリンとシリコンの析出物のサイズの閾値を用いて、前記エピタキシャル成長後のシリコンウェーハにおける欠陥の密度を推定する、請求項1または請求項2に記載のエピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法。
- 前記リンとシリコンの析出物のサイズの閾値を12nmとする、請求項3に記載のエピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法。
- 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の欠陥の発生予測を行い、予測される欠陥の密度が規定の水準を満たさない場合、引き上げ速度の調整を行うことによって予測される欠陥の密度が規定の水準を満たす条件でリンをドープしたシリコン単結晶を製造し、前記シリコン単結晶を基板に用いてエピタキシャル膜を成長させて製造するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- さらにエビタキシャル成長の前段階において行われるプリベイクの条件を調整する請求項5に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
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