JP2021092780A - 微細構造化構成要素を処理するためのデバイスおよび方法 - Google Patents

Abstract

【課題】微細構造化構成要素を処理するための、特にはマイクロリソグラフィのためのデバイスおよび方法を提供すること。【解決手段】微細構造化構成要素を処理するためのデバイスは、イオンビーム（１３５、２３５）を少なくとも構成要素（１００、２００）の領域に加えるためのイオンビーム源（１３０、２３０）であって、このイオンビームのイオンエネルギーは５ｋｅＶ以下である、イオンビーム源（１３０、２３０）、および、構成要素（１００）において後方散乱される粒子を検出するための検出器（１５０、２５０）を備える。【選択図】図１

Description

本願は、２０１９年１２月１０日出願の、ドイツ特許出願第１０ ２０１９ １３３ ６５８．９号の優先権を主張する。本願の内容は参照により本明細書に組み込まれる。

本発明は、微細構造化（ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ：マイクロ構造化）構成要素を処理するための、特にはマイクロリソグラフィのためのデバイスおよび方法に関する。

マイクロリソグラフィは、たとえば集積回路またはＬＣＤなどの、微細構造化構成要素の製造に使用される。マイクロリソグラフィプロセスは、照明デバイスおよび投影レンズを備える、いわゆる投影露光装置において行われる。照明デバイスによって照明されるマスク（＝レチクル）の像は、この場合、マスク構造を基板の感光性コーティングに転写するために、感光層（フォトレジスト）でコーティングされ、また投影レンズの像面内に配置された基板（たとえば、シリコンウェーハ）上に、投影レンズによって投影される。

リソグラフィプロセスにおいて使用されるマスクとマイクロリソグラフィ構造化ウェーハとの構造サイズは、どちらもかなり小さくなってきているため、これらの構成要素の処理または修復はそれぞれ、実際には、かなり要求の厳しい課題になりつつある。電子またはイオンビームを使用して、マスクまたはウェーハなどの対応する構成要素を処理または修復するための既知の手法の場合に生じる問題は、処理するべき微細構造化構成要素のそれぞれの構造サイズのニーズに合わせるために、「ツール」または粒子ビームそれぞれによって取得可能な分解能が十分に高くなければならないことである。

実際には、横分解能（すなわち、処理するべき構成要素の表面に対して平行な平面内で取得される分解能）だけではなく、縦方向に取得される分解能（すなわち、処理するべき構成要素の表面に対して垂直方向に延在する分解能）も考慮する必要があるという事実によって、特には約１０ｎｍ以下の構造サイズの場合、相応に高い分解能の実現がより困難になるため、望ましくない過剰な材料除去（ｕｎｗａｎｔｅｄ ｅｘｃｅｓｓｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ ａｂｌａｔｉｏｎ）を回避するために、処理するべき構成要素内への粒子ビームの侵入深さも制限する必要がある。とりわけ、それぞれの粒子ビームの必要な合焦は、この場合、要求の厳しい現実的課題を表す。

従来技術に関して、単なる例として、L. Reimer et al.: “Measuring the Backscattering Coefficient and Secondary Electron Yield Inside a Scanning Electron Microscope”, SCANNING Vol. 3, 35-39 (1980)、A. V. Steele et al.: “New Ion Source for High Precision FIB Nanomachining and Circuit Edit”, Conference Proceedings from the International Symposium for Testing and Failure Analysis (2014)、およびK. A. Twedt et al.: “Scanning Ion Microscopy with Low Energy Lithium Ions”, Ultramicroscopy Vol. 142, 24-31 (2014)の文献が参照される。

L. Reimer et al.: "Measuring the Backscattering Coefficient and Secondary Electron Yield Inside a Scanning Electron Microscope", SCANNING Vol. 3, 35-39 (1980) A. V. Steele et al.: "New Ion Source for High Precision FIB Nanomachining and Circuit Edit", Conference Proceedings from the International Symposium for Testing and Failure Analysis (2014) K. A. Twedt et al.: "Scanning Ion Microscopy with Low Energy Lithium Ions", Ultramicroscopy Vol. 142, 24-31 (2014)

本発明の目的は、微細構造化構成要素を処理するための、特にはマイクロリソグラフィのためのデバイスおよび方法を提供することであり、たとえナノメートル範囲での構造サイズの場合であっても、できる限り精密な処理を容易にする。

この目的は、独立請求項１の特徴に従ったデバイス、および代替の独立請求項１３の特徴に従った方法によって達成される。

微細構造化構成要素を処理するための、特にはマイクロリソグラフィのための装置は、
・イオンビームを少なくとも構成要素の領域に加える（ａｐｐｌｙ：適用する）ためのイオンビーム源であって、このイオンビームのイオンエネルギーは５ｋｅＶ以下である、イオンビーム源、および、
・構成要素において後方散乱される粒子を検出するための検出器、
を備える。

一実施形態によれば、検出器は、構成要素において後方散乱される帯電粒子、特にはイオンまたは電子を検出するように設計される。

特には、本発明は、第１に、イオンビームと処理するべき構成要素の材料との間の比較的少量の相互作用の結果、マイクロリソグラフィマスクまたはウェーハなどの微細構造化構成要素を処理するとき、比較的低エネルギーのイオンビームを使用することによって、取得可能な分解能における増加を達成する概念に基づく。第２に、下記で説明するように、処理するべき構成要素において後方散乱されるイオンを検出することによって、（位置および／または時間に関する）処理の終わりを精密に定義することが可能である。

ここで本発明は、特には、材料処理のために電子ビームの代わりにイオンビームが使用されるとき、それぞれの粒子ビーム（すなわち、イオンまたは電子ビーム）のより低いエネルギーへの遷移に付随して、処理の間に「材料コントラスト（ｍａｔｅｒｉａｌ ｃｏｎｔｒａｓｔ）」の減少が生じないことの発見から発生する。むしろ本発明は、下記でより詳細に説明するように、本発明による材料処理に使用される低エネルギーイオンが、第１に、後方散乱係数（ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）のそれぞれのターゲット材料への所望の依存を有し、第２に、全体として十分に高い後方散乱率も（したがって処理の終わりを定義するのに十分に強い信号も）有するという、環境を利用する。

全体として、本発明によれば、たとえばマスクまたはウェーハなどの微細構造化構成要素の処理または修復が提供され、どちらも、約１０ｎｍ以下の構造サイズで、現在および将来の需要に必要とされる分解能を提供し、処理または修復プロセスをそれぞれ精密に終わらせる目的のために、（処理の間に、異なるターゲット材料間の遷移において十分な材料コントラストが存在することにより）それぞれに処理される材料に対して十分に敏感でもある。

一実施形態によれば、イオンビームのイオンエネルギーは３ｋｅＶ以下であり、特には２ｋｅＶ以下である。

一実施形態によれば、イオンビームのイオンエネルギーは、（０．１〜５）ｋｅＶの範囲、特には（０．５〜３）ｋｅＶの範囲、さらに特には（１〜２）ｋｅＶの範囲の値を有する。

一実施形態によれば、装置は、検出器によって供給される検出器信号に基づいて、処理の終わりを定義するように構成される。

一実施形態によれば、イオンビームは、水素（Ｈ）イオン、リチウム（Ｌｉ）イオン、ナトリウム（Ｎａ）イオン、カリウム（Ｋ）イオン、ルビジウム（Ｒｂ）イオン、セシウム（Ｃｓ）イオン、窒素（Ｎ）イオン、ヘリウム（Ｈｅ）イオン、ネオン（Ｎｅ）イオン、アルゴン（Ａｒ）イオン、クリプトン（Ｋｒ）イオン、およびキセノン（Ｘｅ）イオンを含む群からの、イオンを含む。

一実施形態によれば、イオンビームは１０ｎｍ未満の、特には５ｎｍ未満の、さらに好ましくは２ｎｍ未満の、焦点直径（ｆｏｃａｌ ｄｉａｍｅｔｅｒ）を有する。

一実施形態によれば、装置は、プロセスガスを構成要素にさらに加えるためのガス供給部をさらに備える。結果として、イオンビームによって生成される処理済み構成要素のそれぞれの材料内へのエネルギー流入は、揮発性化合物の生成を伴うプロセスガスと材料との間の反応に、したがって、イオンによって直接発生する物理的（スパッタリング）除去（ａｂｌａｔｉｏｎ）を補足する材料除去のための追加の機構に、使用可能である。

一実施形態によれば、微細構造化構成要素上に存在する構造は、１０ｎｍ未満の構造サイズを有する。

一実施形態によれば、微細構造化構成要素の処理は、微細構造化構成要素上に存在する構造間に位置する材料の除去を含む。

一実施形態によれば、構成要素はマイクロリソグラフィマスクである。

一実施形態によれば、構成要素はマイクロリソグラフィ構造化ウェーハである。

本発明は、微細構造化構成要素を処理するための方法にも関し、方法は、
・イオンビームを構成要素に加えるステップであって、このイオンビームのイオンエネルギーは５ｋｅＶ以下である、加えるステップ、および、
・構成要素において後方散乱される粒子を検出するための検出器を使用するステップ、
を含む。

一実施形態によれば、粒子は帯電粒子であり、特にはイオンまたは電子である。

一実施形態によれば、方法は、検出器によって供給される検出器信号に基づいて、処理の終わりを定義するステップをさらに含む。

一実施形態によれば、方法は、前述の特徴を有するデバイスを使用して実施される。方法の利点および好ましい実施形態に関して、本発明によるデバイスに関連して上記の説明に言及している。

本発明のさらなる構成は、説明および従属請求項から集めることができる。

本発明は、添付の図面に示された例示の実施形態に基づいて、下記でより詳細に説明する。

マイクロリソグラフィマスクの形の微細構造化構成要素を処理するための、本発明によるデバイスの構造および機能を説明するための、概略図を示す。 マイクロリソグラフィ構造化ウェーハの形の微細構造化構成要素を処理するための、本発明によるデバイスの構造および機能を説明するための、概略図を示す。 本発明のさらなる態様を説明するための図を示す。 本発明のさらなる態様を説明するための図を示す。 ａ）〜ｃ）は、微細構造化構成要素の処理または修復の終わりの定義の、可能な実現を説明するための概略図を示す。 従来のデバイスにおいて生じる問題を説明するための図を示す。 従来のデバイスにおいて生じるさらなる問題を説明するための概略図を示す。 従来のデバイスにおいて生じるさらなる問題を説明するための概略図を示す。 ＥＵＶ範囲内での動作向けに設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の、可能な構造を説明するための概略図を示す。

図１は、微細構造化構成要素を処理するための本発明によるデバイスの構造および機能を説明するための、単なる概略図を示す。

ここで、図１の例示の実施形態において処理するべき微細構造化構成要素１００は、マイクロリソグラフィマスクであり、再度例示的に言えば、ＥＵＶ範囲内で（すなわち、３０ｎｍ未満、特には１５ｎｍ未満の、動作波長において）使用するための反射マスクとして設計される。

構成要素１００は、本発明がこれに限定されるわけではないが、基板１０５、たとえばモリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層との交互の順序で作られた多層システム１１０、および、単なる例として、窒化タンタル（ＴａＮ）から形成され得る構造化層１２０を、備える。

図１に、概略的に、およびかなり簡略化して示されているように、構造化層１２０によって形成されるマスク構造は、処理によって除去するべき過剰材料の集まりの形の欠陥１６０を有する。

構成要素１００を処理するために、本発明によるデバイスはイオンビーム源１３０を備え、これを用いて、比較的低エネルギー（特には、５ｋｅＶ以下）を伴うイオンビーム１３５を構成要素１００に加えることができる。特定の例示の実施形態において、イオンは単なる例として、１ｋｅＶのイオンエネルギーを伴うリチウム（Ｌｉ）イオンであってよい。

プロセスガスを追加として構成要素１００に加えるための任意選択のガス供給部は「１４０」と示され、単なる例として二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）であってよい。こうしたプロセスガスが使用される場合、イオンビーム１３５によって生成される構成要素１００のそれぞれの材料内へのエネルギー流入は、プロセスガスと揮発性化合物（たとえば、フッ素化合物）を生成するための材料との間の反応に使用することができる。

さらに、図１のように本発明によるデバイスは、構成要素１００において後方散乱される粒子を検出するための検出器１５０を備える。特には、粒子は帯電粒子とすること、より特にはイオンまたは電子とすることが可能である。さらに、後方散乱粒子はイオンであると想定される（本発明はこれに限定されない）。検出器１５０によって、イオンの後方散乱率（それぞれのターゲット材料に依存する）の決定によってそれぞれ供給される検出器信号に基づき、後方散乱係数に関して材料コントラストに基づいて、処理プロセスの終わりを定義することが可能であり、図４ａ〜図４ｃを参照しながら下記でより詳細に説明する。

図２は、微細構造化構成要素を処理するための本発明によるデバイスの構造および機能のさらなる概略図を示し、処理するべき微細構造化構成要素２００はこの場合マイクロリソグラフィ構造化ウェーハであり、「２２０」と示されるこのウェーハのマイクロリソグラフィ生成構造を伴う。その他の場合、図１に比べて類似しているかまたは機能的にほぼ同一である構成要素は、「１００」増やされた参照番号で示される。

本発明は、図３ａ〜図３ｂを参照しながら下記で説明するように、本発明による比較的低エネルギーのイオン（５ｋｅＶ以下のエネルギーを伴う）の使用により、処理プロセスの終わりを定義するのに十分な材料コントラストを供給する環境を利用する。

このため、図３ａは、１ｋｅＶのエネルギーを伴うリチウムイオンおよび５ｋｅＶのエネルギーを伴うリチウムイオンの両方について精密であるように、それぞれのターゲット材料の原子番号（すなわち、処理の間、イオンビームが衝突する材料の原子番号）関数としての、後方散乱係数のシミュレーションの結果を示す。図３ｂは、後方散乱係数が、選択されたターゲット材料（炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、および金（Ａｕ））についてのイオンエネルギーの関数としてプロットされる、対応する図を示す。

図３ａおよび図３ｂから明らかなように、後方散乱係数は第１に、イオンエネルギーが５ｋｅＶの値から１ｋｅＶの値まで減少するときに増加し、第２に、材料コントラストに基づく処理プロセスの終わりに有利なように、どちらのイオンエネルギーにおいてもそれぞれのターゲット材料に明らかに依存する。その結果として、処理または処理の間の修復プロセスの終わりを定義するのに十分な材料コントラスト、したがって処理プロセスの精密な制御可能性も、本発明により提供される。

図５は、本発明により使用されるイオンビームの代わりに電子ビームが使用される場合の、図３ａに類似した図を示す。図３ａ〜図３ｂに基づいて上記で示したように、本発明により取得される効果とは対照的に、電子ビームの使用についての図５の図は、第１に、電子ビームのエネルギーの減少に伴う後方散乱係数の減少を示し、第２に、ターゲット材料のＺ≧３０の原子番号について、１ｋｅＶの電子エネルギーにおける後方散乱係数の大部分が一定であるプロファイルのために、比較的低い材料コントラストを示す（すなわち、後方散乱係数の、ターゲット材料の原子番号Ｚへの依存の抑制であり、材料コントラストに基づいて処理プロセスを終了するためには不利である）。

図４ａ〜図４ｃは、処理または修復プロセスの終わりの定義の根底にある原理を説明するための単なる概略図を示す。ここで、図４ａのような処理するべき微細構造化構成要素は、第２の材料の平面連続層４０５上の第１の材料の領域４１０、４２０で作られるライン構造を有し、図４ａのような領域４１０、４２０は、初めは、本発明による処理または修復プロセスの間に除去するべき、第１の材料の過剰の形の欠陥４３０を介して接続される。処理または修復プロセスの間に後方散乱されるイオンの検出は、図４ｂのように、典型的には、処理または修復プロセスの間、イオンビームを用いて繰り返し「スキャン」される、処理するべき構成要素内に導入される全線量（ｅｎｔｉｒｅ ｄｏｓｅ）に依存したグレースケール値としてプロット可能な、測定結果を提供する。結果として、図４ｂのような曲線から、欠陥の実施済みの除去（ａｂｌａｔｉｏｎ）を確認することが可能であり、したがって、処理または修復プロセスの終わり（図４ｃに示される状態に達したとき）を定義することが可能である。

本発明により得られるさらなる利点が、図１の概略図と図６ａおよび図６ｂの図（図１と比べて類似しているかまたは機能的にほぼ同一である構成要素は、図６ａ〜図６ｂでは「５００」増やされた参照番号で示される）との比較によって解明される。

本発明によれば、特には約１０ｎｍ以下の構造サイズを伴う、微細構造化構成要素の精密な処理または修復は、横方向（すなわち、処理するべき構成要素の表面に対して平行な平面内に延在する方向）および縦方向（すなわち、処理するべき構成要素の表面に対して垂直に延在する方向）の両方において、十分な分解能を保証することによって、実施される。

図６ａのように、処理目的で使用されるイオンビーム６３０のイオンエネルギーが低過ぎるように選択された場合、実際の欠陥６６０に関してのみならず、近接する（使用される）構造に関しても材料除去が存在するという結果を伴って、取得可能な横分解能は低過ぎる。しかしながら、横分解能を増加させるという目標を伴うイオンエネルギーの過剰な増加は、図６ｂで対応するイオンビーム６３５について示されるように、処理するべき構成要素６００の材料内への進入深さの増加の結果として、欠陥６６１を超えて、また微細構造化構成要素６００の下位層内への（たとえば、図６ｂのように反射層システム６１０の層内への）十分なエネルギー流入につながり、したがって、構成要素６００の望ましくない変更およびそれらの光学特性の悪化につながる。

それに対して、５ｋｅＶ以下の、特には１ｋｅＶ〜２ｋｅＶの範囲内のイオンエネルギーを伴う、本発明によるイオンビーム１３５または２３５の使用は、図１および図２に示すように、横方向および縦方向の両方での十分な分解能の獲得を容易にする。

高い横分解能に必要なイオンビーム１３５、２３５の合焦を取得するために、特には、いわゆる低温イオン源（ＬｏＴＩＳ）をイオンビーム源１３０、２３０として使用することが可能であり、それによって、従来のＦＩＢ（合焦イオンビーム）技術に比べて減少した横速度分布、および、既に実際の合焦の上流での事実上完全なビームコリメーションを取得することが可能である。

低温イオン源の場合、たとえば、文献K. A. Twedt et al.: “Scanning Ion Microscopy with Low Energy Lithium Ions”, Ultramicroscopy Vol. 142, 24-31 (2014) に記載されるように、中性リチウム原子は、磁気光学トラップ内でおよそ６００μＫまでレーザ冷却される。リチウム−７（⁷Ｌｉ）原子の場合、これは１ｍｓ^-1未満の速度に対応し、さらに最小横速度変動を定義する。さらなるレーザの助けにより、リチウム原子は中程度の電場内で光イオン化することが可能であり、加速管において所望のエネルギーまで加速可能である。リチウム−７（⁷Ｌｉ）原子の場合、２ｋｅＶのエネルギーはおよそ２×１０⁵ｍｓ^-1の縦速度に対応する。その結果として、上記で説明した技術により、鮮明なエネルギー分布（１００ｍｅＶ）を伴う平行またはコリメートされたイオンビームの実現が可能となり、次にさらなるステップにおいて、たとえ低エネルギーであっても小さなスポット寸法への合焦が可能となる。比較のために、典型的な電子顕微鏡におけるエネルギー幅は、エミッタタイプに応じて少なくとも５００ｍｅＶに制限される。

図７は、ＥＵＶ範囲内での動作のために設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の可能な構造を説明するための、単なる概略図を示す。ここで、本発明により処理されるマスクが、図７の投影露光装置内に挿入可能であり、または、図７の投影露光装置によって構造化されたウェーハが、本発明によるデバイスまたは本発明による方法を用いて処理可能である。

図７によれば、ＥＵＶのために設計された投影露光装置７００における照明デバイスは、視野ファセットミラー７０３および瞳ファセットミラー７０４を備える。プラズマ光源７０１およびコレクタミラー７０２を備える光源ユニットからの光は、視野ファセットミラー７０３において誘導される。第１の望遠鏡ミラー７０５および第２の望遠鏡ミラー７０６は、瞳ファセットミラー７０４の下流の光路内に配置される。偏向ミラー７０７が、光路内の下流に配置され、当該偏向ミラーは、６つのミラー７５１〜７５６を備える投影レンズの対物面内の対物視野において、偏向ミラー上に入射する放射を誘導する。対物視野の位置において、反射性構造付きマスク７２１がマスクステージ７２０上に配置され、当該マスクは、投影レンズの助けによって、感光層（フォトレジスト）によってコーティングされた基板７６１がウェーハステージ７６０上に位置する、像面内に結像（ｉｍａｇｅ）される。

特定の実施形態に基づいて本発明を説明してきたが、当業者であれば、たとえば個々の実施形態の特徴の組合せおよび／または交換を介して、多数の変形および代替の実施形態が明らかとなろう。したがって、当業者であれば言うまでもなく、こうした変形および代替の実施形態も本発明に包含され、本発明の範囲は、添付の特許請求項およびそれらの等価物の意図内にのみ制限される。

１００ 構成要素
１０５ 基板
１１０ 多層システム
１２０ 構造化層
１３０ イオンビーム源
１３５ イオンビーム
１４０ ガス供給部
１５０ 検出器
１６０ 欠陥

Claims (16)

1. 微細構造化構成要素を処理するためのデバイスであって、
   ・イオンビーム（１３５、２３５）を少なくとも構成要素（１００、２００）の領域に加えるためのイオンビーム源（１３０、２３０）であって、前記イオンビームのイオンエネルギーは５ｋｅＶ以下である、イオンビーム源（１３０、２３０）、および、
   ・前記構成要素（１００、２００）において後方散乱される粒子を検出するための検出器（１５０、２５０）、
   を備える、デバイス。
2. 前記検出器は、前記構成要素において後方散乱される帯電粒子、特にはイオンまたは電子を検出するように設計されることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記イオンビーム（１３５、２３５）のイオンエネルギーは３ｋｅＶ以下であり、特には２ｋｅＶ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載のデバイス。
4. 前記イオンビーム（１３５、２３５）のイオンエネルギーは、（０．１〜５）ｋｅＶの範囲、特には（０．５〜３）ｋｅＶの範囲、さらに特には（１〜２）ｋｅＶの範囲の値を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデバイス。
5. 前記デバイスは、前記検出器（１５０、２５０）によって供給される検出器信号に基づいて、前記処理の終わりを定義するように構成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
6. 前記イオンビーム（１３５、２３５）は、水素（Ｈ）イオン、リチウム（Ｌｉ）イオン、ナトリウム（Ｎａ）イオン、カリウム（Ｋ）イオン、ルビジウム（Ｒｂ）イオン、セシウム（Ｃｓ）イオン、窒素（Ｎ）イオン、ヘリウム（Ｈｅ）イオン、ネオン（Ｎｅ）イオン、アルゴン（Ａｒ）イオン、クリプトン（Ｋｒ）イオン、およびキセノン（Ｘｅ）イオンを含む群からの、イオンを含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のデバイス。
7. 前記イオンビーム（１３５、２３５）は１０ｎｍ未満の、特には５ｎｍ未満の、さらに好ましくは２ｎｍ未満の、焦点直径を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイス。
8. プロセスガスを前記構成要素（１００、２００）にさらに加えるためのガス供給部（１４０、２４０）をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のデバイス。
9. 前記微細構造化構成要素（１００、２００）上に存在する構造は、１０ｎｍ未満の構造サイズを有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のデバイス。
10. 前記微細構造化構成要素の前記処理は、前記微細構造化構成要素（１００、２００）上に存在する構造間に位置する材料の除去を含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載のデバイス。
11. 前記構成要素（１００）はマイクロリソグラフィマスクであることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のデバイス。
12. 前記構成要素（２００）はマイクロリソグラフィ構造化ウェーハであることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のデバイス。
13. 微細構造化構成要素を処理するための方法であって、前記方法は、
    ・イオンビーム（１３５、２３５）を前記構成要素（１００、２００）に加えるステップであって、前記イオンビームのイオンエネルギーは５ｋｅＶ以下である、加えるステップ、および、
    ・前記構成要素（１００、２００）において後方散乱される粒子を検出するための検出器（１５０、２５０）を使用するステップ、
    を含む、方法。
14. 前記粒子は帯電粒子であり、特にはイオンまたは電子であることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
15. ・前記検出器（１５０、２５０）によって供給される検出器信号に基づいて、前記処理の終わりを定義するステップ、
    をさらに含むことを特徴とする、請求項１３または１４に記載の方法。
16. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載のデバイスを使用して実施されることを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の方法。

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