JP2021089931A - 希土類焼結磁石 - Google Patents

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Abstract

【解決手段】R(Rは希土類元素から選ばれる1種以上の元素であり、Ndを必須とする。)、T(Tは鉄族元素から選ばれる1種以上で、Feは必須)、X(XはB、Cから選ばれる1種又は2種で、Bは必須)、M1(M1はAl、Si、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn、W、Pb、Biから選ばれる1種以上)、0.1質量%以下のO、0.05質量%以下のN、0.07質量%以下のCを含み、平均結晶粒径が4.0μm以下であり、かつ配向度をOr[%]、平均結晶粒径をD[μm]とした場合に、次の関係式(1)0.26×D+97≦Or≦0.26×D+99 ・・・(1)を満たすことを特徴とする希土類焼結磁石を提供する。【効果】本発明の希土類焼結磁石によれば、高いBrと高いHcJを両立した優れた磁気特性を得ることができる。【選択図】なし

Description

本発明は、高いBrと高いHcJとを両立した優れた磁気特性を有する希土類焼結磁石及びその製造方法に関するものである。
希土類焼結磁石は、省エネや高機能化に必要不可欠な機能性材料として、その応用範囲と生産量は年々拡大している。希土類焼結磁石の中でも特にNd系焼結磁石(以下、「Nd磁石」という。)は高い残留磁束密度(以下、「Br」という。)を有し、例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車の駆動用モータ、電動パワーステアリング用モータ、エアコンのコンプレッサー用モータ、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ(VCM)などに用いられている。このように、多様な用途におけるモータにおいて、高いBrを有するNd磁石が用いられているが、例えばモータを更に小型化するために、Nd磁石にはより高いBrが求められている。
一方で、高温下では、希土類焼結磁石の保磁力(以下、「HcJ」という。)が低下するため、不可逆熱減磁が起こる。そのため、特に電気自動車用モータなどの自動車向けに使用される希土類焼結磁石では、高いHcJを有することが要求されている。
従来、Nd磁石のBrを高める手法としては、組成におけるアプローチと、作製工程におけるアプローチとがあり、組成におけるアプローチとしては、Nd磁石中のR214X相の割合を増加させるためにRの含有量を減らす方法や、R214X相に固溶してBrを低下させる添加元素量を減らす方法が知られている。
しかしながら、Rやその他添加元素量を低減することによって、希土類焼結磁石の耐熱性に関わるHcJが低下してしまうことが知られている。特に、R量を低減させた場合、液相の生成を伴って緻密化が起こるNd磁石の焼結工程においては、その焼結性が低下すると共に、異常粒成長が起こるリスクもある。そのため、より高特性なNd磁石を得るには、Rやその他添加元素量を低減することによるHcJの低下を抑えつつ、高いBrを達成することが重要である。この場合、HcJの低下を抑える又は増大させるためにはDyやTb等の重希土類元素を添加することが一般に知られているが、その添加によってBrの低下を招くことや、DyやTb等の重希土類元素は資源的にも希少であり高価であることから、この手法は必ずしも好ましいものとは言えない。
また、作製工程におけるアプローチとしては、R214X相の配向度を向上させるため成形前の粉末に添加する潤滑剤(飽和脂肪酸やそのエステル等)を増量させる手法や、成形時の印加磁場を増大させる等の条件の調整を行う手法が知られている。
しかしながら、成形前の粉末に添加する潤滑剤を増量させた場合、配向度の向上によってBrの増大は得られるものの、一般的にはそこから得られるNd磁石は潤滑剤由来のCが多く存在することによってHcJが大きく低下することが分かっている。また、成形時にR214X相を配向させる印加磁場を増大させるには、磁場を発生させるための電磁石の大型化し、ひいては設備の大型化と磁場空間を小さくすることが必要となり、工業的な効率化を図ることができない。
一方、Nd磁石のHcJを増大させる手法としては、結晶粒径の微細化が知られている。これは主に、成形前に原料合金を微粉砕する時に微粉粒度を細かくすることで、焼結後の結晶粒径の微細化を行うものであり、ある一定の粒径範囲においては、粒径微細化に応じて直線的にHcJが増大することが知られている。
しかしながら、一定以上の微細化を行う場合、微粉砕時の粉砕能力低下や微粉の反応性向上などによって微粉の不純物(主に酸素、窒素)濃度が増大するため、Nd磁石のHcJが低下するか、あるいは増大した場合でも後述の粒界拡散法の適用が困難になる。これを改善するために、微粉砕時の粉砕ガスをHe、Ar等の不活性ガスに変更する方法が提示されている(特許文献1)。
その他のNd磁石のHcJ増加手法としては、Nd磁石中の粒界相に選択的に重希土類元素(Dy、Tb等)を集積させる手法(以下、「粒界拡散法」という。)が知られている(特許文献2、3)。この手法は、DyやTbなどの重希土類元素化合物を磁石表面に塗布などの手法によって付着させた後、高温で加熱処理を行う手法であり、Nd磁石中の主相粒子の粒界にごく近い領域においてのみDyやTbの濃度が高い組織を形成することで、Brの低下を抑制しながら高いHcJ増大効果を得ることができるものである。
国際公開第2014/142137号 国際公開第2006/044348号 国際公開第2013/100010号
しかしながら、上記特許文献1に記載の方法や上記特許文献1,2等に記載の粒界拡散法には、以下の課題がある。
即ち、上記特許文献1で提案されている微粉砕時の粉砕ガスをHe、Ar等の不活性ガスに変更する方法では、窒素ガスとの価格差を考慮すると、工業的な生産は困難である。また、粒界拡散法は、高保磁力化に非常に有用であるが、Nd磁石のBr向上のために、磁石中の添加元素や余分なR量を減少させた場合や、あるいは潤滑剤の増量による配向向上などを行うことで不純物元素(炭素、酸素、窒素)が増大した場合は、HcJ増大効果が著しく低下するという問題点がある。また、HcJ増大効果量にも限度があるため、電気自動車等の高い耐熱性が要求される用途に対しては、粒界拡散法を行う前の磁石素材自体のHcJ保磁力を高める必要がある。
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、従来提案されている製造時の微細化や粒界拡散の実施と、これらとは異なるアプローチにより、高いBrと高いHcJとが達成される希土類焼結磁石を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成するため、希土類焼結磁石における不純物量、平均結晶粒径及び配向度に着目して鋭意検討を行った結果、一般的に希土類焼結磁石において不純物と評されるO、N、C量を低減した上で希土類焼結磁石の平均結晶粒径を4.0μm以下に抑え、かつ配向度が平均結晶粒径に対して特定の関係を満たす場合に、高いBrと高いHcJとを両立した優れた磁気特性を有する希土類焼結磁石が得られることを見出し、本発明を完成したものである。
従って、本発明は、下記の希土類焼結磁石を提供する。
〔1〕
R(Rは希土類元素から選ばれる1種以上の元素であり、Ndを必須とする。)、T(Tは鉄族元素から選ばれる1種以上の元素であり、Feを必須とする。)、X(XはB、Cから選ばれる1種又は2種の元素であり、Bを必須とする。)、M1(M1はAl、Si、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn、W、Pb、Biから選ばれる1種以上の元素である。)を含む希土類焼結磁石であって、0.1質量%以下のO、0.05質量%以下のN、0.07質量%以下のCを含み、該希土類焼結磁石の平均結晶粒径が4.0μm以下であり、かつ配向度について、配向度をOr[%]、平均結晶粒径をD[μm]とした場合に、次の関係式(1)
0.26×D+97≦Or≦0.26×D+99 ・・・(1)
を満たすことを特徴とする希土類焼結磁石。
〔2〕
上記Rの一部として、焼結後の磁石に粒界拡散により導入されたR元素を含む〔1〕の希土類焼結磁石。
〔3〕
上記粒界拡散により導入されたR元素が、Dy、Tb及びHoから選ばれる1種以上の元素である〔2〕の希土類焼結磁石。
〔4〕
上記R、T、Xの原子百分率をそれぞれ[R]、[T]、[X]とした場合に、次の関係式(2)
[T]/14≦[X]≦[R]/2 ・・・(2)
を満たす〔1〕〜〔3〕のいずれかの希土類焼結磁石。
〔5〕
2(M2はTi、V、Zr、Nb、Hf、Taから選ばれる1種以上の元素である。)を更に含み、上記R、T、X、M2の原子百分率をそれぞれ[R]、[T]、[X]、[M2]とした場合に、次の関係式(3)
([T]/14)+([M2]×2)≦[X]≦([R]/2)+([M2]×2) ・・・(3)
を満たす〔1〕〜〔3〕のいずれかの希土類焼結磁石。
〔6〕
上記M2が0.5原子%以下である〔5〕の希土類焼結磁石。
〔7〕
Rは12.5原子%〜16.0原子%、M1は0.1原子%〜2.0原子%である〔1〕〜〔6〕のいずれかの希土類焼結磁石。
本発明の希土類焼結磁石によれば、希土類焼結磁石におけるO量、N量、C量、平均結晶粒径、配向度を特定の範囲に調整すると共に、平均結晶粒径と配向度との関係を最適化したことで、高いBrと高いHcJを両立した優れた磁気特性を得ることができる。
本発明の希土類焼結磁石は、上記のとおり、R(Rは希土類元素から選ばれる1種以上の元素であり、Ndを必須とする)、T(Tは鉄族元素から選ばれる1種以上の元素であり、Feを必須とする)、X(XはB、Cから選ばれる1種又は2種の元素であり、Bを必須とする)、M1(M1はAl、Si、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn、W、Pb、Biから選ばれる1種以上の元素)からなる組成を有し、かつO、C、N及び不可避不純物を含むものである。
上記Rは、上記のように、希土類元素から選ばれる1種以上の元素であり、Ndを必須とする。Rの含有量は、特に制限されるものではないが、溶解した合金のα−Feの晶出抑制や焼結時に正常な緻密化を促すという観点から12.5原子%以上が好ましく、より好ましくは13.0原子%以上である。また、高いBrを得る観点から16.0原子%以下が好ましく、より好ましくは15.5原子%以下である。
R中のNdの割合は、特に限定されるものではないが、全R元素の60原子%以上であることが好ましく、より好ましくは75原子%以上である。また、Nd以外のR元素としては、特に制限されるものではないが、Pr、Dy、Tb、Ho、Ce、Yなどを好ましく含有することができる。
上記Tは、上記のとおり、鉄族元素、即ちFe、Co、Niから選ばれる1種以上の元素であり、Feを必須とする。Tの含有量は、上記R,X、M1、O、C、N及び後述するM2以外の残部とされるが、好ましくは70原子%以上80原子%以下である。なお、Feの含有割合は、希土類磁石全体の70原子%以上85原子%以下であることが好ましく、より好ましくは75原子%以上80原子%以下である。
上記Xは、上記のとおり、B、Cから選ばれる1種又は2種であり、Bを必須とする。Xの含有量は、十分に主相を形成させて十分なBrを確保する観点から、5.0原子%以上の含有が好ましく、5.5原子%以上の含有がより好ましい。また、Xの含有量が高すぎる場合のNd1Fe44相の析出によるBrへの影響を考慮して、8.0原子%以下が好ましく、7.0原子%以下がより好ましい。
ここで、特に制限されるものではないが、上記R、T及びXの含有量は、これらの原子百分率をそれぞれ[R]、[T]および[X]とした場合に、次の関係式(2)を満たすことが好ましい。

[T]/14≦[X]≦[R]/2 ・・・(2)

即ち、Xの含有量は、R214X相比率の減少によるBrへの影響やR217相が形成されることによるHcJへの影響の観点から、[T]/14以上であることが好ましく、また、R1.1Fe44相のようなXリッチ相が形成されることによるR214X相比率の変動のBrへの影響を考慮し、[R]/2以下であることが好ましい。
上記M1は、上記のとおり、Al、Si、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn、W、Pb、Biから選ばれる1種以上の元素である。M1の含有量は、良好な生産性を確保するための熱処理における最適温度に十分な幅を確保するという観点、更にはHcJの低下を抑制するという観点から0.1原子%以上が好ましく、より好ましくは0.3原子%以上であり、さらに好ましくは0.5原子%以上である。また、高いBrを得る観点から2.0原子%以下が好ましく、より好ましくは1.5原子%以下である。
上記Oの含有量は0.1質量%以下であり、好ましくは0.08質量%以下である。Oの含有量が0.1質量%を超えた場合、磁気特性、特にHcJが低下する。また、上記Nの含有量は0.05質量%以下であり、好ましくは0.03質量%以下である。Nの含有量が0.05質量%を超えた場合、HcJが低下する。更に、上記Cの含有量は、上記X元素の一部として含有する場合を含めて0.07質量%以下であり、好ましくは0.05質量%以下である。Cの含有量が0.07質量%を超えた場合、HcJは低下する。なお、本発明において、これらO、N、Cの含有量は少ないほど良いが、通常、これらの元素は完全に排除することが困難な不可避的な元素である。
また、本発明の希土類焼結磁石では、平均結晶粒径を4μm以下とするものであり、より好ましい平均結晶粒径は3.5μm以下である。平均結晶粒径が4μmを超える場合、高いHcJを得ることが難しく、本発明の目的を達成し得ない場合がある。なお、平均結晶粒径の測定は、例えば次の手順で行うことができる。まず、焼結磁石の断面を鏡面になるまで研磨した後、例えばビレラ液(例えば、混合比がグリセリン:硝酸:塩酸=3:1:2の混合液)などのエッチング液に浸漬して粒界相を選択的にエッチングした断面を、レーザー顕微鏡にて観察する。次に、得られた観察像をもとに、画像解析にて個々の粒子の断面積を測定し、等価な円としての直径を算出する。そして、各粒度の占める面積分率のデータを基に、平均径を求める。なお、平均径は、複数箇所の画像における多数の粒子の平均とすることが好ましく、例えば、特に制限されるものではないが、異なる20箇所以上の画像における合計約2,000個以上の粒子の平均とするなどの方法により、平均径を測定することが好ましい。
更に、本発明の希土類焼結磁石では、配向度について、配向度をOr[%]、上記平均結晶粒径をD[μm]としたとき、次の関係式(1)を満たすように調整される。

0.26×D+97≦Or≦0.26×D+99 ・・・(1)
このような関係を満たすことにより、高いBrと高いHcJを得ることが出来る。その理由は必ずしも明らかでないが、以下のように推測することができる。一般的に結晶粒径の微細化は成形・焼結前の微粉粒径の微細化によって行うことになるが、微粉粒径が微細化するほど微粉の表面積割合が大きくなることで微粉間の摩擦抵抗が増大するため、磁場成形時に微粉が配向し難くなる。この変化量について、本発明者らの実験からは、平均結晶粒径が4μm以下となるような微粉粒度に対して、1μmの結晶粒径微細化に対して0.26%悪化することが示されている。また、微粉の配向度が低いと高いBrが達成できないが、一方で配向度が高すぎる場合、急激にHcJが低下することが知られている。本発明者らは、これらを総合して検討し、高いBrと高いHcJを安定して得られるのは、配向度が上記関係式(1)の範囲であることを見出したものである。
ここで、上記配向度Or[%]は、特に制限されるものではないが、素材のポテンシャルを引き出し、良好なBrを得る観点から、96%以上であることが好ましく、更に好ましくは97%以上であり、この好ましい配向度及び上記平均結晶粒径4μm以下の要件を満足する範囲で、上記関係式(1)の関係が達成されることが好ましい。なお、配向度Or[%]は、電子線後方散乱回折法(EBSD)などの公知の方法により測定することができる。
本発明の希土類焼結磁石には、M2としてTi、V、Zr、Nb、Hf、Taから選ばれる1種以上の元素を含有させることができる。このM2の含有により、焼結過程における結晶粒の異常粒成長を抑制して、Brの低下を防ぐ効果が得られる。このM2の含有量は、特に制限されるものではないが、0.5原子%以下とすることが好ましく、より好ましくは0.3原子%以下であり、さらに好ましくは0.2原子%以下である。M2含有量が0.5原子%を超えると、場合によってはM2元素によって形成されるM2−X相がR214X相比率を減少させてBrの低下を招くことがある。
このM2元素を含有する場合、特に制限されるものではないが、上記R、T、X及び当該M2の含有量について、これらの原子百分率をそれぞれ[R]、[T]、[X]及び[M2]とした場合に、次の関係(3)を満足することが好ましい。

([T]/14)+([M2]×2)≦[X]≦([R]/2)+([M2]×2) ・・・(3)

即ち、M2を含有する場合のXの含有量は、R214X相比率の減少によるBrへの影響やR217相が形成されることによるHcJへの影響の観点から、([T]/14)+([M2]×2)以上であることが好まく、またR1.1Fe44相のようなXリッチ相が形成されることによるR214X相比率の変動のBrへの影響を考慮し、([R]/2)+([M2]×2)以下であることが好ましい。
本発明の希土類焼結磁石は、上記元素以外に、不可避不純物として、H、F、Mg、P、S、Cl、Caなどの元素を含有することがある。この場合、これら不可避不純物の含有量は、上述した磁石の構成元素と不可避不純物との合計に対し、不可避不純物の合計として0.1質量%以下まで許容するが、これらの不可避不純物の含有は少ない方が好ましい。
次に、本発明の希土類焼結磁石を製造する方法について説明する。
本発明の希土類焼結磁石を作製する工程は、基本的には、通常の粉末冶金法と同様であり、特に制限されるものではないが、通常は、原料を溶解して所定の組成を有する原料合金を得る溶解工程、原料合金を粉砕して合金微粉末を調製する粉砕工程、合金微粉末を磁場印加中で圧粉成形して成形体を得る成形工程、成形体を熱処理して焼結体を得る熱処理工程を含む。
まず、溶解工程においては、所定の組成となるように各元素の原料となる金属又は合金を秤量する。所定の組成に秤量した後、例えば、高周波溶解により原料を溶解し、冷却して原料合金を製造する。原料合金の鋳造は、平型やブックモールドに鋳込む溶解鋳造法やストリップキャスト法が一般的には採用される。また、主相であるR2Fe14B化合物組成に近い合金と焼結温度で液相助剤となるRリッチな合金とを別々に作製し、粗粉砕後に秤量混合する、いわゆる二合金法も本発明には適用可能である。ただし、主相組成に近い合金は、鋳造時の冷却速度や合金組成に依存してα−Fe相が晶出しやすいことから、組織を均一化し、α−Fe相を消去する目的で、必要に応じて真空あるいはAr雰囲気中にて700〜1,200℃で1時間以上の均質化処理を施すことが好ましい。なお、主相組成に近い合金をストリップキャスト法にて作製した場合は均質化を省略することもできる。液相助剤となるRリッチな合金については上記鋳造法のほかに、いわゆる液体急冷法も適用できる。
上記粉砕工程は、例えば粗粉砕工程と微粉砕工程を含む複数段階の工程とすることができる。粗粉砕工程では、例えば、ジョークラッシャー、ブラウンミル、ピンミルあるいは水素粉砕を用いることができる。この場合、本発明においては、特に制限されるものではないが、O、N、C量の低減を図り優れた磁気特性を得る観点から、水素粉砕が好ましく採用される。特に、ストリップキャストにより作製された合金の場合には、水素粉砕を適用することが好ましく、通常0.05mm〜3mm、特に0.05mm〜1.5mmに粗粉砕された粗粉を得ることができる。
上記微粉砕工程においては、上記粗粉を、例えばN2、He、Arなどの非酸化性ガス気流によるジェットミルを用いて粉砕する方法を採用することができる。本発明においては、この微粉砕工程で、上記粗粉を、好ましくは0.2μm〜15μm、より好ましくは0.5μm〜10μmに微粉砕する。希土類焼結磁石のO、Nは主に微粉砕工程で混入することから、希土類焼結磁石中のO、Nの含有量を調整するためにはジェットミル雰囲気の制御が必要である。希土類焼結磁石中のO含有量の調整はジェットミル雰囲気中のO量および露点の制御によって行い、粉砕時の雰囲気中のO量は1ppm以下、露点は−60℃以下にすることが好適である。
また、希土類焼結磁石中のN含有量は、例えば、(A)He、Arガス気流によるジェットミルで微粉砕を行う方法、(B)N2ガス気流のジェットミル中に水素を導入して微粉砕を行う方法、もしくは(C)水素を含有した粗粉を用いてN2ガス気流のジェットミルで微粉砕を行う方法で、調整することができる。この場合、(B)又は(C)の方法では、水素ガスを導入あるいは水素を含有した粗粉を用いることで、粉砕により生じた活性面へ水素が優先的に吸着し、窒素の吸着を阻害することで、希土類焼結磁石中のN量を低減することが可能となる。
ここで、原料合金の粗粉砕、微粉砕の一方又は両方の工程において、次工程である磁場中での成形において粉の配向性を上げるため、例えば、飽和脂肪酸もしくはそのエステルからなる潤滑剤を適宜添加することができる。その際、通常は、潤滑剤添加量を増やすことは配向の向上に有効であるものの、潤滑剤由来のCによって希土類焼結磁石中に多くのR−CON相が形成されることでHcJが著しく低下するというジレンマが生じる。そこで、配向向上を図る際に、上記(C)の方法により水素を含有した粗粉を用いて微粉砕を行った微粉に対して潤滑剤の増量を行うことが好ましい。その微粉から作製された希土類焼結磁石では、熱処理時に、内部に含有した水素が脱離する際、その水素によって微粉表面に化学吸着する潤滑剤をカルボニル還元反応等により分解し、さらに水素ガスによるクラッキング反応により揮発性の高い低級アルコールに分解、解離する作用によって、希土類焼結磁石中に残留するC含有量を低減できると考えられる。
上記成形工程においては、400〜1,600kA/mの磁界を印加し、合金粉末を磁化容易軸方向に配向させながら、圧縮成形機で圧粉成形する。このとき、成形体密度を2.8〜4.2g/cm3にすることが好ましい。即ち、成形体の強度を確保して良好な取扱性を得る観点から、成形体密度は2.8g/cm3以上とすることが好ましい。また、成形後の成形体の強度を上げるためPVAや脂肪酸などのバインダーを添加することもできる。一方、十分な成形体強度を得つつ、加圧時の粒子の配向の乱れを抑制することで好適なBrを得る観点から、成形体密度は4.2g/cm3以下が好ましい。また、成形は合金微粉の酸化を抑制するため、窒素ガス、Arガスなどの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
上記熱処理工程においては、成形工程で得られた成形体をArガスなどの非酸化性雰囲気中又は高真空中で焼結する。上記(C)の方法により水素を含有した粗粉を使用した場合、成形体中の水素ガスの放出(吸熱反応)に伴う成形体の温度低下、ならびに温度差によって生ずるクラックの発生を抑制するため、200〜600℃で5分から10時間、非酸化性雰囲気あるいは低真空雰囲気中で保持した後に焼成を行うことが好ましい。一般的に前記焼結は950℃〜1,200℃の温度範囲で0.5〜10時間保持することで行うことが好ましい。続いて、得られた焼結体に、HcJを高めることを目的に、前記焼結温度より低い温度で熱処理を実施してもよい。この焼結後の熱処理は、高温熱処理と低温熱処理の2段階の熱処理を行っても良いし、低温熱処理のみを行っても良い。高温熱処理では、焼結体を600〜950℃の温度で熱処理することが好ましく、低温熱処理では400〜600℃の温度で熱処理することが好ましい。
このようにして本発明の希土類焼結磁石を得ることができる。この希土類焼結磁石の平均結晶粒径は、上述したように、例えばレーザー顕微鏡により観察することにより、容易に測定することができる。具体的には、例えば磁石を研削、鏡面加工行った後、ナイタール液やビレラ液などの腐食液で表面を腐食した後、その面の反射電子像から画像解析により求めることができる。また、得られた希土類焼結磁石の配向度は、上述のように、電子線後方散乱回折法(EBSD)によって測定することが出来る。
また、得られた希土類焼結磁石を所定形状に研削した後、R1の酸化物、R2のフッ化物、R3の酸フッ化物、R4の水酸化物、R5の炭酸塩、R6の塩基性炭酸塩、R7の単体金属もしくは合金から選ばれる1種又は2種以上(R1〜R7は希土類元素から選ばれる1種以上)の拡散源を、上記希土類焼結磁石表面に存在させた状態で熱処理する、所謂粒界拡散処理を施すことができる。上記拡散源の磁石表面への固定方法は、粉末状の拡散源を含むスラリーに焼結磁石を浸漬して該スラリーを塗布し、乾燥するディップコート法や、スクリーンプリンティング法、あるいはスパッタやPLDなどの乾式成膜法など採用してもよい。粒界拡散熱処理の温度は焼結温度より低い温度であり、700℃以上が好ましく、時間は良好な焼結磁石の組織や磁気特性を得る観点から、特に制限されるものではないが、好ましくは5分〜80時間、より好ましくは10分〜50時間である。この粒界拡散処理によって粉末中に含まれる上記R1〜R7を磁石中に拡散させてHcJのさらなる増大を図ることができる。なお、この粒界拡散により導入される希土類元素は、説明の便宜上、上記のとおりR1〜R7としたが、粒界拡散後は、いずれも本発明希土類焼結磁石における上記R成分に包含される。また、特に制限されるものではないが、このR1〜R7を含む上記拡散源としては、HR(HRはDy、Tb及びHoから選ばれる1種以上の元素である。)を含有する金属、化合物又は金属間化合物を用いることが好ましく、これによってより効果的にHcJの増大を図ることができる。
なお、本発明の希土類焼結磁石は、上記元素組成及び上記関係式(1)を満足するものであればよく、好ましくは更に上記関係式(2)又は(3)を満足するものであり、上記R元素として必ずしも上記粒界拡散により導入されたRを含む必要はないが、より良好なHCJを得ることができ、高Brと高HCJの両立という本発明の目的をより良好に達成し得ることから、上記粒界拡散により導入されたRを含むものであることが好ましい。この場合、粒界拡散により上記R1〜R7が導入されることにより、得られる磁石には、R濃度について特徴的な濃度分布を示すことが知られている。具体的には、拡散源を付与した磁石表面における上記R元素の濃度(RE)と、磁石中心部の上記Rの濃度(RC)は、RE>RCの関係となることが知られている。
以下、実施例、比較例を示し、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
[実施例1〜3]
Ndメタル、Prメタル、Dyメタル、フェロボロン合金、電解Co、Alメタル、Cuメタル、Gaメタル、Siメタル、ジルコニウムメタルおよび電解鉄を(メタルはいずれも純度99%以上)、所定の割合となるように秤量・配合し、溶解し、ストリップキャスト法により鋳造して、厚み0.2〜0.4mmのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素加圧雰囲気で水素脆化させることで粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸を粗粉砕粉100質量%に対して表1に示した割合で添加・混合した後、気流式粉砕機(ジェットミル装置)を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、表1に示した粉砕粒径(D50)の微粉砕粉(合金粉末)を得た。なお、粉砕粒径(D50)は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積基準メジアン径である。
この微粉砕粉を不活性ガス雰囲気中で成形装置の金型に充填し、15kOe(1.19MA/m)の磁界中で配向させながら、磁界に対して垂直方向に加圧成形した。この時の成形体密度は3.0〜4.0g/cm3であった。得られた成形体を、600℃で2時間、Ar雰囲気中で保持したのち、真空中、1040℃以上1080℃以下(サンプル毎に焼結による緻密化が十分起こる温度を選定)で5時間焼結し、Nd磁石素材を得た。得られたNd磁石素材の密度は7.5g/cm3以上であった。
この焼結後の磁石組織について、レーザー顕微鏡による観察を行って平均結晶粒径を測定した。また、この磁石中の結晶組織の配向度をEBSD測定によって測定した。それらの結果を表1に示す。また、得られたNd磁石素材について、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−OES)を使用して金属成分分析を行い、併せて酸素、炭素、窒素の分析を赤外線吸収ガス分析にて行った。結果を表2に示す。なお、表2記載値は質量%である。また、このNd磁石素材を15mm×7mm×12mmのサイズの直方体形状に加工してサンプルを作成し、BHトレーサーによってBr、HcJを測定した。結果を表3に示す。
このNd磁石素材を20mm×20mm×2.2mmのサイズの直方体形状に加工後、平均粒径0.5μmの酸化テルビウム粒子を質量分率50%でエタノールと混合したスラリー中に浸漬し、乾燥させ、Nd磁石素材表面に酸化テルビウムの塗膜を形成した。次に、塗膜が形成されたNd磁石素材を真空中で、950℃、5時間で加熱した後、200℃まで20℃/minの冷却速度で冷却する高温熱処理を実施し、テルビウムを粒界拡散させた。次いで、450℃で2時間加熱した後、200℃まで20℃/minの冷却速度で冷却する低温熱処理を実施して、Nd焼結磁石を得た。得られたNd焼結磁石の中心部を6mm×6mm×2mmのサイズの直方体形状に切り出し、パルストレーサーによってHcJの測定を行った。結果を表3に示す。なお、表3において、本発明の規定を満たす要件は〇、満たさない要件は×として表示した。
[比較例1]
実施例1と同様の手順でフレーク状の原料合金を作製した。この合金を水素加圧雰囲気で水素脆化させた後、400℃、4時間の加熱処理を行い、合金の脱水素化処理を行った。得られた粗粉砕粉から実施例1と同様な手順で微粉砕、成形、焼結、拡散処理を行い、実施例1と同様に、粉砕粒径、結晶粒径、配向度、組成、粒界拡散処理前のBr及びHcJ、粒界拡散処理後のHcJを測定した。結果を表1〜3に示す。
[比較例2,3]
実施例1と同様な手順で磁石の作製を行った。その際に潤滑剤(ステアリン酸)の添加量や粉砕粒径を表1に示すとおりに変更した。実施例1と同様に、粉砕粒径、結晶粒径、配向度、組成、粒界拡散処理前のBr及びHcJ、粒界拡散処理後のHcJを測定した結果を、表1〜3に示す。
Figure 2021089931
Figure 2021089931
Figure 2021089931
表3に示されているように、本発明における酸素、窒素、炭素の含有率及び上記関係式(1)の条件を満たす実施例1〜3の磁石は、いずれも高いBr、HcJ、粒界拡散後HcJが得られた。一方、比較例1の磁石は、表2に示すように、酸素、窒素、炭素の含有率が高いため、焼結後のHcJが小さく、また粒界拡散処理によるHcJ増大効果も小さく、十分なHcJ保磁力が得られていない。また、比較例2の磁石は上記関係式(1)を満たさず、潤滑剤添加量が少ないため磁石の配向が低く、十分なBrが得られていない。更に、比較例3の磁石は結晶粒径が大きく、粒界拡散処理前磁石のHcJが低いため、粒界拡散処理によるHcJ増大効果は大きいものの、実施例1〜3に比べてHcJに劣るものとなった。
以上の通り、実施例1〜3で得られた本発明にかかる希土類焼結磁石は、粒界拡散後のHcJが27kOeを超えており、例えば電気自動車等の高い耐熱性が要求される用途で利用可能である。また、Brも13.7kGを上回る特性が得られており、例えばモータ等を小型化させることが可能である。

Claims (7)

  1. R(Rは希土類元素から選ばれる1種以上の元素であり、Ndを必須とする。)、T(Tは鉄族元素から選ばれる1種以上の元素であり、Feを必須とする。)、X(XはB、Cから選ばれる1種又は2種の元素であり、Bを必須とする。)、M1(M1はAl、Si、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn、W、Pb、Biから選ばれる1種以上の元素である。)を含む希土類焼結磁石であって、0.1質量%以下のO、0.05質量%以下のN、0.07質量%以下のCを含み、該希土類焼結磁石の平均結晶粒径が4.0μm以下であり、かつ配向度について、配向度をOr[%]、平均結晶粒径をD[μm]とした場合に、次の関係式(1)
    0.26×D+97≦Or≦0.26×D+99 ・・・(1)
    を満たすことを特徴とする希土類焼結磁石。
  2. 上記Rの一部として、焼結後の磁石に粒界拡散により導入されたR元素を含む請求項1記載の希土類焼結磁石。
  3. 上記粒界拡散により導入されたR元素が、Dy、Tb及びHoから選ばれる1種以上の元素である請求項2記載の希土類焼結磁石。
  4. 上記R、T、Xの原子百分率をそれぞれ[R]、[T]、[X]とした場合に、次の関係式(2)
    [T]/14≦[X]≦[R]/2 ・・・(2)
    を満たす請求項1〜3のいずれか1項に記載の希土類焼結磁石。
  5. 2(M2はTi、V、Zr、Nb、Hf、Taから選ばれる1種以上の元素である。)を更に含み、上記R、T、X、M2の原子百分率をそれぞれ[R]、[T]、[X]、[M2]とした場合に、次の関係式(3)
    ([T]/14)+([M2]×2)≦[X]≦([R]/2)+([M2]×2) ・・・(3)
    を満たす請求項1〜3のいずれか1項に記載の希土類焼結磁石。
  6. 上記M2が0.5原子%以下である請求項5に記載の希土類焼結磁石。
  7. Rは12.5原子%〜16.0原子%、M1は0.1原子%〜2.0原子%である請求項1〜6のいずれか1項に記載の希土類焼結磁石。
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