JP2021086899A - Method for manufacturing lead frame - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、封止樹脂型の半導体装置に使用されるリードフレームの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame used in a sealing resin type semiconductor device.
一般に、樹脂封止型半導体装置には、金属製のリードフレームと封止用樹脂が使用される。そして、リードフレームの基材には、主に銅合金が用いられ、封止用樹脂には、主にエポキシ樹脂が用いられる。しかし、このタイプの半導体装置は、リードフレームの面と樹脂部との密着性に問題が生じることがある。
しかも、半導体素子をリードフレームに実装する際に用いる半田が鉛フリー化されるのに伴い、実装時の半田リフロー温度が高くなり、半田濡れ広がりが生じて隣り合う接続部同士が半田ブリードによって繋がり、回路がショートする虞や、樹脂とブリードした半田との密着力が低下する懸念が生じることから、半田濡れ広がりを制御する必要が生じている。
Generally, a metal lead frame and a sealing resin are used for a resin-sealed semiconductor device. A copper alloy is mainly used as the base material of the lead frame, and an epoxy resin is mainly used as the sealing resin. However, in this type of semiconductor device, there may be a problem in the adhesion between the surface of the lead frame and the resin portion.
Moreover, as the solder used when mounting the semiconductor element on the lead frame becomes lead-free, the solder reflow temperature at the time of mounting becomes higher, the solder wets and spreads, and the adjacent connection portions are connected by the solder bleed. Since there is a risk that the circuit will be short-circuited and the adhesion between the resin and the bleeding solder will be reduced, it is necessary to control the spread of solder wetting.
実装時の半田リフロー温度が高くなることによる半田濡れ広がりの問題に着目した従来の技術として、例えば、次の特許文献１には、リードフレームの全面に陽極酸化膜を形成し、レーザー加工により部分的に陽極酸化膜を除去することで、所定の部分にリードフレームの金属材料を露出させ、その部分を除いた全面に陽極酸化膜が形成されたリードフレームが開示されている。 As a conventional technique focusing on the problem of solder wetting and spreading due to an increase in the solder reflow temperature during mounting, for example, in the following Patent Document 1, an anodic oxide film is formed on the entire surface of the lead frame, and a portion is formed by laser processing. The lead frame is disclosed in which the metal material of the lead frame is exposed to a predetermined portion by removing the anodic oxide film, and the anodic oxide film is formed on the entire surface excluding the portion.
しかるに、特許文献１に開示された技術は、レーザー加工設備を必要とし、形成した陽極酸化膜を部分的に除去するために、一つ一つの部位にレーザー加工処理を施して金属板の面を露出させるため、処理時間が増大化し、生産性やコスト面に問題があった。 However, the technique disclosed in Patent Document 1 requires laser processing equipment, and in order to partially remove the formed anodized film, laser processing is applied to each part to remove the surface of the metal plate. Since it is exposed, the processing time is increased, and there are problems in terms of productivity and cost.
そこで、本発明者らは、鋭意検討及び試行錯誤の末に、電気的接続が必要な部分を除いた全面に陽極酸化膜が形成され、電気的接続が必要な部分に金属板の面が露出したリードフレームを、陽極酸化膜を部分的に除去するためのレーザー加工が不要で、生産性が高く、コストを低減して製造することの可能なリードフレームの製造方法として、必要な箇所をめっき層でマスクして陽極酸化膜を形成し、その後、めっき層を除去する方法を着想した。 Therefore, after diligent studies and trial and error, the present inventors have formed an anodized film on the entire surface excluding the portion requiring electrical connection, and the surface of the metal plate is exposed in the portion requiring electrical connection. As a lead frame manufacturing method that does not require laser processing to partially remove the anodized film, is highly productive, and can be manufactured at low cost, the required parts are plated. The idea was to mask with a layer to form an anodized film and then remove the plating layer.
更に、本発明者らが、上記方法について検討・考察を続けた結果、半田付け性に起因した、製造工程を効率化するための改善余地があることが判明した。 Furthermore, as a result of the present inventors continuing to study and consider the above method, it was found that there is room for improvement in order to improve the efficiency of the manufacturing process due to the solderability.
本発明は、上記従来の課題を鑑み、電気的接続が必要な部分を除いた全面に陽極酸化膜が形成され、電気的接続が必要な部分に金属材料が露出したリードフレームを、陽極酸化膜を部分的に除去するためのレーザー加工が不要で、生産性が高く、コストを低減して製造することができ、更には、良好な半田付け性を得ながら製造工程を効率化することの可能なリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention comprises forming a lead frame in which an anodic oxide film is formed on the entire surface excluding a portion requiring electrical connection and a metal material is exposed in a portion requiring electrical connection. There is no need for laser processing to partially remove the metal, the productivity is high, the cost can be reduced, and the manufacturing process can be streamlined while obtaining good solderability. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a flexible lead frame.
上記目的を達成するため、本発明によるリードフレームの製造方法は、金属板より形成されるリードフレーム基材の面における、半導体素子と電気的に接合する部分と外部機器と電気的に接合する部分に錫めっき層を形成し、次に前記錫めっき層が形成されていない前記リードフレーム基材の全面に陽極酸化膜を形成することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the method for manufacturing a lead frame according to the present invention is a portion on the surface of a lead frame base material formed of a metal plate, which is electrically bonded to a semiconductor element and electrically bonded to an external device. It is characterized in that a tin-plated layer is formed on the surface of the lead frame, and then an anodized film is formed on the entire surface of the lead frame base material on which the tin-plated layer is not formed.
また、本発明によるリードフレームの製造方法は、金属板より形成されるリードフレーム基材の面における、半導体素子と電気的に接合する部分と外部機器と電気的に接合する部分に凹部を形成し、次に前記凹部を構成する底面及び側面に錫めっき層を形成し、次に前記錫めっき層が形成されていない前記リードフレーム基材の全面に陽極酸化膜を形成することを特徴としている。 Further, in the method for manufacturing a lead frame according to the present invention, recesses are formed in a portion of the surface of a lead frame base material formed of a metal plate that is electrically bonded to a semiconductor element and a portion that is electrically bonded to an external device. Next, a tin-plated layer is formed on the bottom surface and the side surface forming the recess, and then an anodized film is formed on the entire surface of the lead frame base material on which the tin-plated layer is not formed.
また、本発明によるリードフレームの製造方法は、金属板の両面に所定の部分が開口されためっき用レジストマスクを形成する工程と、前記金属板における、前記めっき用レジストマスクから該金属板の面が露出した部分に錫めっき層を形成する工程と、前記めっき用レジストマスクを除去する工程と、前記錫めっき層が形成された前記金属板を、所定のリードフレーム形状のリードフレーム基材に形成する工程と、前記リードフレーム基材における、前記錫めっき層が形成された部分以外の全面に針状結晶構造となる陽極酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴としている。 Further, the method for manufacturing a lead frame according to the present invention includes a step of forming a plating resist mask having predetermined portions opened on both sides of the metal plate, and a surface of the metal plate from the plating resist mask on the metal plate. The step of forming a tin plating layer on the exposed portion, the step of removing the resist mask for plating, and the metal plate on which the tin plating layer is formed are formed on a lead frame base material having a predetermined lead frame shape. It is characterized by including a step of forming an anodized film having a needle-like crystal structure on the entire surface of the lead frame base material other than the portion where the tin-plated layer is formed.
また、本発明によるリードフレームの製造方法は、金属板の両面に所定の部分が開口されたエッチング・めっき兼用レジストマスクを形成する工程と、前記金属板における、前記エッチング・めっき兼用レジストマスクから該金属板の面が露出した部分をハーフエッチングする工程と、ハーフエッチングされた部分に錫めっき層を形成する工程と、前記エッチング・めっき兼用レジストマスクを除去する工程と、前記錫めっき層が形成された前記金属板を、所定のリードフレーム形状のリードフレーム基材に形成する工程と、前記リードフレーム基材における、前記錫めっき層が形成された部分以外の全面に針状結晶構造となる陽極酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴としている。 Further, the method for manufacturing a lead frame according to the present invention includes a step of forming a resist mask for both etching and plating in which predetermined portions are opened on both sides of a metal plate, and the method for manufacturing the lead frame from the resist mask for both etching and plating on the metal plate. A step of half-etching the exposed portion of the metal plate, a step of forming a tin-plated layer on the half-etched portion, a step of removing the resist mask for both etching and plating, and the step of forming the tin-plated layer are formed. A step of forming the metal plate into a lead frame base material having a predetermined lead frame shape, and anodization in which a needle-like crystal structure is formed on the entire surface of the lead frame base material other than the portion where the tin plating layer is formed. It is characterized by including a step of forming a film.
本発明によれば、電気的接続が必要な部分を除いた全面に陽極酸化膜が形成され、電気的接続が必要な部分に金属材料が露出したリードフレームを、陽極酸化膜を部分的に除去するためのレーザー加工が不要で、生産性が高く、コストを低減して製造することができ、更には、良好な半田付け性を得ながら製造工程を効率化することの可能なリードフレームの製造方法が得られる。 According to the present invention, the anodic oxide film is formed on the entire surface excluding the portion requiring electrical connection, and the lead frame in which the metal material is exposed in the portion requiring electrical connection is partially removed. Manufacture of lead frames that do not require laser processing for the purpose, are highly productive, can be manufactured at low cost, and can streamline the manufacturing process while obtaining good solderability. The method is obtained.
本発明の実施形態の説明に先立ち、本発明を導出するに至った経緯、及び本発明の作用効果について説明する。
上述したリードフレームに形成する陽極酸化膜は、例えば、３００℃を上回る、３６０℃前後の高熱が加わっても封止樹脂との密着性を向上させることのできる陽極酸化膜であって、例えば、銅又は銅合金等からなる金属板に所定形状が形成されたリードフレーム基材を黒化処理液に浸漬し、リードフレーム基材を陽極として通電することにより、酸化第一銅と酸化第二銅と水酸化第二銅とが混在する単層膜として形成され、且つ、単層膜が平均長さ４００ｎｍ以上の針状結晶構造となっている酸化銅の被膜である。
Prior to the description of the embodiment of the present invention, the background leading to the derivation of the present invention and the action and effect of the present invention will be described.
The anodic oxide film formed on the lead frame described above is, for example, an anodic oxide film capable of improving the adhesion to the sealing resin even when a high heat of about 360 ° C. higher than 300 ° C. is applied. Copper oxide and cupric oxide are obtained by immersing a lead frame base material having a predetermined shape formed on a metal plate made of copper or a copper alloy in a blackening treatment liquid and energizing the lead frame base material as an anode. It is a copper oxide film formed as a single-layer film in which cupric hydroxide and cupric hydroxide are mixed, and the single-layer film has an acicular crystal structure having an average length of 400 nm or more.
導出過程１―陽極酸化膜形成の際のマスクとしてのレジスト層の形成、除去
本発明者らは、電気的接続が必要な部分に金属板の面が露出し、電気的接続が必要な部分を除いた全面に陽極酸化膜が形成されたリードフレームを、特許文献１に開示されたレーザー加工を用いることなく製造するための方策として、最初に、電気的接続が必要な部分を予めレジスト層でマスクを形成し、陽極酸化膜を形成後にレジスト層で形成したマスクを除去する手法を着想し、試行錯誤を繰り返した。
その結果、レジスト層で形成したマスクでは、黒化処理液に浸漬した状態で、陽極酸化膜を形成途中で、レジスト層が剥がれ、電気的接続が必要な部分にも陽極酸化膜が形成されてしまうことが判明した。
Derivation process 1-Formation and removal of a resist layer as a mask when forming an anodized film The present inventors expose the surface of the metal plate to the part that requires electrical connection, and the part that requires electrical connection. As a measure for manufacturing a lead frame in which an anodized film is formed on the entire surface excluding the lead frame without using the laser processing disclosed in Patent Document 1, first, a portion requiring electrical connection is previously formed with a resist layer. A method of forming a mask, forming an anodized film, and then removing the mask formed by the resist layer was conceived, and trial and error were repeated.
As a result, in the mask formed of the resist layer, the resist layer is peeled off during the formation of the anodic oxide film in the state of being immersed in the blackening treatment liquid, and the anodic oxide film is also formed in the portion requiring electrical connection. It turned out that it would end up.
導出過程２―陽極酸化膜形成の際のマスクとしてのニッケルめっき層の形成、除去
そこで、本発明者らは、鋭意検討の後に、陽極酸化膜を形成する際に用いるマスクをめっき層で構成する手法を着想した。そして、陽極酸化膜を形成する際のマスクにニッケルめっき層を用いて試行錯誤を繰り返した。詳しくは、多列配置された夫々のリードフレーム基材における電気的接続が必要な部分にニッケルめっきを施し、部分的にニッケルめっきを施したリードフレーム基材を黒化処理液に浸漬した状態で、陽極酸化膜を形成し、陽極酸化膜を形成後にニッケルめっき層を、ニッケルめっき剥離液を用いて除去することを試みた。
その結果、ニッケルめっき層を、陽極酸化膜を形成する際のマスクとして用いた場合、ニッケルめっき剥離液を用いることで、複数箇所に形成されたニッケルめっき層を同時に剥離させて、電気的接続が必要な部分の金属板の面を露出させることができ、特許文献１に開示された技術のような一つ一つの部位にレーザー加工処理を行って金属板の面を露出させる必要がなく、リードフレームの製造コストは低減できた。
しかし、その一方で、陽極酸化膜を形成する際のマスクとして用いた場合、ニッケルめっき層を剥離する時間が大きくかかり、リードフレームの製造時間の点で改善余地があることが判明した。
Derivation process 2-Formation and removal of nickel plating layer as a mask when forming an anodic oxide film Therefore, the present inventors construct a mask to be used when forming an anodic oxide film with a plating layer after diligent studies. I came up with the method. Then, trial and error was repeated using a nickel plating layer as a mask for forming the anodic oxide film. Specifically, in each of the lead frame base materials arranged in multiple rows, the parts requiring electrical connection are nickel-plated, and the partially nickel-plated lead frame base materials are immersed in the blackening treatment liquid. , An anodic oxide film was formed, and after the anodic oxide film was formed, an attempt was made to remove the nickel plating layer using a nickel plating stripping solution.
As a result, when the nickel plating layer is used as a mask when forming the anodic oxide film, the nickel plating layers formed at a plurality of locations are simultaneously peeled off by using the nickel plating stripping solution, and electrical connection is established. It is possible to expose the surface of the metal plate in the required part, and it is not necessary to perform laser processing on each part to expose the surface of the metal plate as in the technique disclosed in Patent Document 1, and the lead The manufacturing cost of the frame could be reduced.
However, on the other hand, when it is used as a mask when forming an anodic oxide film, it takes a long time to peel off the nickel plating layer, and it has been found that there is room for improvement in terms of lead frame manufacturing time.
導出過程３―陽極酸化膜形成の際のマスクとしての銀めっき層の形成、除去
そこで、本発明者らは、更なる試行錯誤を繰り返し、陽極酸化膜を形成する際のマスクとして、ニッケルめっき層を用いた場合に比べて、剥離する時間を大幅に短縮でき、上述のレーザー加工を用いた製造方法に比べて、リードフレームの製造時間及び製造コストを大幅に改善できるリードフレームの製造方法を着想した。
Derivation process 3-Formation and removal of a silver-plated layer as a mask when forming an anodic oxide film Therefore, the present inventors repeated further trial and error to form a nickel-plated layer as a mask when forming an anodic oxide film. The idea is to create a lead frame manufacturing method that can significantly shorten the peeling time and significantly improve the lead frame manufacturing time and manufacturing cost compared to the above-mentioned laser processing manufacturing method. did.
このリードフレームの製造方法は、金属板より形成されるリードフレーム基材の面における、半導体素子と電気的に接合する部分と外部機器と電気的に接合する部分に銀めっき層を形成し、次に銀めっき層が形成されていないリードフレーム基材の全面に陽極酸化膜を形成し、次に銀めっき層を剥離する。
より詳しくは、このリードフレームの製造方法は、金属板の両面に所定の部分が開口されためっき用レジストマスクを形成する工程と、金属板における、レジストマスクから金属板の面が露出した部分に銀めっき層を形成する工程と、めっき用レジストマスクを除去する工程と、銀めっき層が形成された金属板を所定のリードフレーム形状のリードフレーム基材に形成する工程と、リードフレーム基材における、銀めっき層が形成された部分以外の全面に針状結晶構造となる陽極酸化膜を形成する工程と、剥離液により銀めっき層を除去する工程と、を含む。
In this method of manufacturing a lead frame, a silver plating layer is formed on a portion of a lead frame base material formed of a metal plate that is electrically bonded to a semiconductor element and a portion that is electrically bonded to an external device. An anodized film is formed on the entire surface of the lead frame base material on which the silver plating layer is not formed, and then the silver plating layer is peeled off.
More specifically, this method for manufacturing a lead frame includes a step of forming a plating resist mask having predetermined portions opened on both sides of the metal plate, and a portion of the metal plate where the surface of the metal plate is exposed from the resist mask. A step of forming a silver plating layer, a step of removing a resist mask for plating, a step of forming a metal plate on which a silver plating layer is formed on a lead frame base material having a predetermined lead frame shape, and a lead frame base material. The process includes a step of forming an anodized film having an acicular crystal structure on the entire surface other than the portion where the silver plating layer is formed, and a step of removing the silver plating layer with a stripping solution.
このリードフレームの製造方法のように、金属板より形成されるリードフレーム基材の面における、半導体素子と電気的に接合する部分と外部機器と電気的に接合する部分に銀めっき層を形成し、次に銀めっき層が形成されていないリードフレーム基材の全面に陽極酸化膜を形成し、次に銀めっき層を剥離するようにすれば、銀めっき剥離液を用いることで、複数箇所に形成された銀めっき層を同時に剥離させて、電気的接続が必要な部分の金属板の面を露出させることができ、特許文献１に開示された技術のような一つ一つの部位にレーザー加工処理を行って金属板の面を露出させる必要がなく、しかも、銀めっき層を剥離するための時間はニッケルめっき層を剥離するための時間に比べて格段に短くて済むため、リードフレームの製造時間を大幅に短縮することが可能となる。 Like this method for manufacturing a lead frame, a silver plating layer is formed on a portion of a lead frame base material formed of a metal plate that is electrically bonded to a semiconductor element and a portion that is electrically bonded to an external device. Next, if an anodized film is formed on the entire surface of the lead frame base material on which the silver plating layer is not formed, and then the silver plating layer is peeled off, the silver plating stripping solution can be used at multiple locations. The formed silver-plated layer can be peeled off at the same time to expose the surface of the metal plate where electrical connection is required, and laser processing is performed on each part as in the technique disclosed in Patent Document 1. Since it is not necessary to perform the treatment to expose the surface of the metal plate, and the time for peeling the silver plating layer is much shorter than the time for peeling the nickel plating layer, the lead frame is manufactured. It is possible to significantly reduce the time.
しかも、銀めっき層を剥離するためのコストは、ニッケルめっき層を剥離するためのコストに比べて格段に低く、めっき層の形成を含めたコストで比較しても、銀めっき層の形成及び銀めっき層の剥離に要するコストは、ニッケルめっき層の形成及びニッケルめっき層の剥離に要するコストに比べて格段に低くなる。このため、このリードフレームの製造方法のように、銀めっき層を、陽極酸化膜を形成する際のマスクとして用いれば、リードフレームの製造コストが、ニッケルめっき層を、陽極酸化膜を形成する際のマスクとして用いた場合に比べて大幅に低減することができる。 Moreover, the cost for peeling the silver plating layer is much lower than the cost for peeling the nickel plating layer, and even when compared in terms of the cost including the formation of the plating layer, the formation of the silver plating layer and silver The cost required for peeling the plating layer is much lower than the cost required for forming the nickel plating layer and peeling the nickel plating layer. Therefore, if the silver-plated layer is used as a mask when forming the anodic oxide film as in the method for manufacturing the lead frame, the manufacturing cost of the lead frame is reduced when the nickel-plated layer is formed with the anodic oxide film. It can be significantly reduced as compared with the case where it is used as a mask.
更なる改善点
更に、本発明者らが、銀めっき層をマスクとして用いる上記リードフレームの製造方法について検討・考察を続けた結果、半田付け性に起因した、製造工程を効率化するための改善余地があることが判明した。
そして、本発明者らは、その点を改善しうるめっき層を、陽極酸化膜の形成の際のマスクとして用いることを着想し、本発明を導出するに至った。
Further Improvement Points Furthermore, as a result of the present inventors continuing to study and consider the manufacturing method of the lead frame using the silver-plated layer as a mask, improvements for improving the efficiency of the manufacturing process due to solderability are achieved. It turned out that there was room.
Then, the present inventors have conceived to use a plating layer capable of improving this point as a mask when forming an anodic oxide film, and have derived the present invention.
本発明のリードフレームの製造方法は、金属板より形成されるリードフレーム基材の面における、半導体素子と電気的に接合する部分と外部機器と電気的に接合する部分に錫めっき層を形成し、次に錫めっき層が形成されていないリードフレーム基材の全面に陽極酸化膜を形成する。
より詳しくは、本発明のリードフレームの製造方法は、金属板の両面に所定の部分が開口されためっき用レジストマスクを形成する工程と、金属板における、めっき用レジストマスクから該金属板の面が露出した部分に錫めっき層を形成する工程と、めっき用レジストマスクを除去する工程と、錫めっき層が形成された金属板を、所定のリードフレーム形状のリードフレーム基材に形成する工程と、リードフレーム基材における、錫めっき層が形成された部分以外の全面に針状結晶構造となる陽極酸化膜を形成する工程と、を含む。
In the method for manufacturing a lead frame of the present invention, a tin-plated layer is formed on a portion of a lead frame base material formed of a metal plate that is electrically bonded to a semiconductor element and a portion that is electrically bonded to an external device. Next, an anodized film is formed on the entire surface of the lead frame base material on which the tin plating layer is not formed.
More specifically, the method for manufacturing a lead frame of the present invention includes a step of forming a plating resist mask having predetermined portions opened on both sides of the metal plate, and a surface of the metal plate from the plating resist mask on the metal plate. A step of forming a tin plating layer on an exposed portion, a step of removing a resist mask for plating, and a step of forming a metal plate on which a tin plating layer is formed on a lead frame base material having a predetermined lead frame shape. A step of forming an anodized film having an acicular crystal structure on the entire surface of the lead frame base material other than the portion where the tin plating layer is formed is included.
本発明のリードフレームの製造方法のように、錫めっき層を、陽極酸化膜を形成する際のマスクとして用いれば、本発明者らが本発明導出前の段階で着想した陽極酸化膜形成の際のマスクとして銀めっき層を用いるリードフレームの製造方法と同様、陽極酸化膜を部分的に除去するためのレーザー加工が不要で、生産性が高く、コストを低減して製造することができるという効果が得られる。 If the tin-plated layer is used as a mask for forming an anodic oxide film as in the method for producing a lead frame of the present invention, the present inventors conceived in the stage before the derivation of the present invention when forming an anodic oxide film. Similar to the method for manufacturing a lead frame that uses a silver-plated layer as a mask, there is no need for laser processing to partially remove the anodized film, which has the effect of high productivity and reduced cost. Is obtained.
しかも、本発明のリードフレームの製造方法のように、錫めっき層を、陽極酸化膜を形成する際のマスクとして用いれば、錫が半田に拡散する特性を有しているため、錫めっき層を形成したままの状態にすることで、半導体素子を搭載する際に良好な半田付け性を得ることができる。
このため、本発明のリードフレームの製造方法のようにすれば、錫めっき層を除去して金属板の面を露出させるための工程を設ける必要がなくなり、その分、上述の陽極酸化膜形成の際のマスクとして銀めっき層を用いるリードフレームの製造方法に比べて、製造工程を効率化することができる。
Moreover, if the tin-plated layer is used as a mask when forming an anodic oxide film as in the method for manufacturing a lead frame of the present invention, the tin-plated layer has a property of diffusing into the solder. By leaving the formed state as it is, good solderability can be obtained when mounting the semiconductor element.
Therefore, if the lead frame manufacturing method of the present invention is used, it is not necessary to provide a step for removing the tin plating layer to expose the surface of the metal plate, and the above-mentioned anodic oxide film formation can be achieved accordingly. Compared with the method for manufacturing a lead frame using a silver-plated layer as a mask, the manufacturing process can be made more efficient.
また、本発明のリードフレームの製造方法は、金属板より形成されるリードフレーム基材の面における、半導体素子と電気的に接合する部分と外部機器と電気的に接合する部分に凹部を形成し、次に凹部を構成する底面及び側面に錫めっき層を形成し、次に錫めっき層が形成されていないリードフレーム基材の全面に陽極酸化膜を形成するようにしてもよい。
より詳しくは、本発明のリードフレームの製造方法は、金属板の両面に所定の部分が開口されたエッチング・めっき兼用レジストマスクを形成する工程と、金属板における、エッチング・めっき兼用レジストマスクから該金属板の面が露出した部分をハーフエッチングする工程と、ハーフエッチングされた部分に錫めっき層を形成する工程と、エッチング・めっき兼用レジストマスクを除去する工程と、錫めっき層が形成された金属板を、所定のリードフレーム形状のリードフレーム基材に形成する工程と、リードフレーム基材における、錫めっき層が形成された部分以外の全面に針状結晶構造となる陽極酸化膜を形成する工程と、を含む。
このように、リードフレーム基材の面における錫めっき層を形成する部位に凹部を形成しておけば、上述した効果に加えて、半田が凹部内に留まり易くなる。
Further, in the method for manufacturing a lead frame of the present invention, recesses are formed in a portion of the surface of a lead frame base material formed of a metal plate that is electrically bonded to a semiconductor element and a portion that is electrically bonded to an external device. Next, a tin-plated layer may be formed on the bottom surface and the side surface forming the recess, and then an anodized film may be formed on the entire surface of the lead frame base material on which the tin-plated layer is not formed.
More specifically, the method for manufacturing a lead frame of the present invention comprises a step of forming an etching / plating combined resist mask having predetermined portions opened on both sides of a metal plate, and an etching / plating combined resist mask on the metal plate. A step of half-etching the exposed part of the metal plate, a step of forming a tin-plated layer on the half-etched part, a step of removing a resist mask for both etching and plating, and a metal on which the tin-plated layer is formed. A step of forming a plate on a lead frame base material having a predetermined lead frame shape, and a step of forming an anodized film having an acicular crystal structure on the entire surface of the lead frame base material other than the portion where the tin plating layer is formed. And, including.
In this way, if the recess is formed in the portion of the surface of the lead frame base material where the tin plating layer is formed, in addition to the above-mentioned effect, the solder easily stays in the recess.
従って、本発明によれば、電気的接続が必要な部分を除いた全面に陽極酸化膜が形成され、電気的接続が必要な部分に金属材料が露出したリードフレームを、陽極酸化膜を部分的に除去するためのレーザー加工が不要で、生産性良く、コストを低減して製造することができ、更には、良好な半田付け性を得ながら製造工程を効率化することの可能なリードフレームの製造方法が得られる。 Therefore, according to the present invention, the anodic oxide film is formed on the entire surface except for the portion requiring electrical connection, and the lead frame in which the metal material is exposed in the portion requiring electrical connection is partially formed on the anodic oxide film. A lead frame that does not require laser processing to remove metal, has good productivity, can be manufactured at low cost, and can streamline the manufacturing process while obtaining good solderability. The manufacturing method is obtained.
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
本実施形態に係るリードフレームは、種々の形状を有するリードフレームに適用することができ、リードフレームの形状は特に限定されないが、便宜上、図１に示す形状のリードフレームを一例として挙げて説明することとする。
Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
The lead frame according to the present embodiment can be applied to a lead frame having various shapes, and the shape of the lead frame is not particularly limited, but for convenience, the lead frame having the shape shown in FIG. 1 will be described as an example. I will do it.
図１に示すリードフレーム１は、帯状金属材料として銅又は銅合金からなる金属板にプレス加工やエッチング加工により所定形状をなす、リードフレーム基材１０の上面側における半導体素子と電気的に接合する部分１０ａの底面及び側面に形成された、錫めっき層１３ａが露出している。また、下面側における外部機器と電気的に接合する部分１０ｂの底面及び側面に形成された、錫めっき層１３ｂが露出している。また、錫めっき層１３ａ、１３ｂが形成された電気的に接合する部分１０ａ、１０ｂ以外の全面には、陽極酸化膜１１が形成されている。
陽極酸化膜１１は、酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）と酸化第二銅（ＣｕＯ）と水酸化第二銅（Ｃｕ（ＯＨ）２）とが混在する単層膜からなり、且つ、単層膜が平均長さ４００ｎｍ以上の針状結晶構造を備えた、酸化銅の被膜で構成されている。
The lead frame 1 shown in FIG. 1 is electrically bonded to a semiconductor element on the upper surface side of a lead
The
次に、図１のように構成された本実施形態のリードフレームの製造方法について、図２を用いて説明する。
本実施形態の製造方法では、まず、帯状金属材料として銅または銅合金の金属板１０をリードフレーム材料として準備する（図２(a)参照）。
次に、金属板１０の両面にドライフィルムレジスト等のレジスト層Ｒ１を形成する（図２(b)参照）。
次に、上面側のレジスト層Ｒ１における、半導体素子と電気的な接続をする部分が開口部となり、下面側のレジスト層Ｒ１における、外部機器と電気的な接続をする部分が開口部となるように、夫々対応するパターンが描画されたガラスマスクを用いて、両面のレジスト層Ｒ１を露光・現像し、エッチング・めっき兼用レジストマスク３０を形成する（図２(c)参照）。
次に、金属板１０における、エッチング・めっき兼用レジストマスク３０から金属板１０の面が露出した部分にハーフエッチングを施し、凹部１０ａ、１０ｂを形成する（図２(d)参照）。
次に、金属板１０における、エッチング・めっき兼用レジストマスク３０の開口部から金属板１０の面が露出した凹部１０ａの底面及び側面に錫めっき層１３ａを、凹部１０ｂの底面及び側面に錫めっき層１３ｂを夫々形成する（図２(e)参照）。
次に、エッチング・めっき兼用レジストマスク３０を除去する（図２(f)参照）。これにより、金属板１０の上面側には半導体素子と電気的な接続をする部分に錫めっき層１３ａが形成され、下面側には外部機器と電気的な接続をする部分に錫めっき層１３ｂが形成され、その他の部分が全面にわたって金属板の面が露出した金属板１０となる。
Next, a method of manufacturing the lead frame of the present embodiment configured as shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG.
In the manufacturing method of the present embodiment, first, a copper or copper
Next, a resist layer R1 such as a dry film resist is formed on both sides of the metal plate 10 (see FIG. 2B).
Next, the portion of the resist layer R1 on the upper surface side that is electrically connected to the semiconductor element is the opening, and the portion of the resist layer R1 on the lower surface that is electrically connected to the external device is the opening. The resist layers R1 on both sides are exposed and developed using a glass mask on which the corresponding patterns are drawn to form a resist
Next, in the
Next, in the
Next, the resist
次に、錫めっき層１３ａ、１３ｂが形成された金属板１０の両面にドライフィルムレジスト等のレジスト層Ｒ２を形成する（図２(g)参照）。
次に、所定のリードフレーム形状のパターンが描画されたガラスマスクを用いて、両面のレジスト層Ｒ２を露光・現像し、エッチング用レジストマスク３１を形成する（図２(h)参照）。
次に、エッチング液を用いてエッチング加工を行い、部分的に錫めっき層１３ａ、１３ｂが形成された金属板１０を所定のリードフレーム形状に形成する（図２(i)参照）。
次に、エッチング用レジストマスク３１を除去する（図２(j)参照）。
Next, a resist layer R2 such as a dry film resist is formed on both sides of the
Next, the resist layers R2 on both sides are exposed and developed using a glass mask on which a pattern having a predetermined lead frame shape is drawn to form a resist
Next, an etching process is performed using an etching solution to form the
Next, the etching resist
次に、部分的に錫めっき層１３ａ、１３ｂが形成された金属板（リードフレーム基材）１０を黒化処理液に浸漬し、リードフレーム基材１０において金属板を陽極として通電することで、リードフレーム基材１０における錫めっき層１３ａ、１３ｂが形成された部分を除く全面に陽極酸化膜１１を形成する（図２(k)参照）。
これにより、図１に示した、電気的接続が必要な部分１０ａ、１０ｂのみ錫めっき層１３ａ、１３ｂが露出し、それ以外の全面に陽極酸化膜１１が形成されたリードフレームが得られる。
Next, the metal plate (lead frame base material) 10 on which the tin-plated
As a result, a lead frame is obtained in which the tin-plated
本実施形態のリードフレームの製造方法によれば、半導体素子と電気的に接合する部分と外部機器と電気的に接合する部分に錫めっき層１３ａ、１３ｂを形成し、次に錫めっき層１３ａ、１３ｂが形成されていないリードフレーム基材１０の全面に陽極酸化膜１１を形成するようにしたので、本発明者らが本発明導出前の段階で着想した陽極酸化膜形成の際のマスクとして銀めっき層を用いるリードフレームの製造方法と同様、陽極酸化膜を部分的に除去するためのレーザー加工が不要で、生産性が高く、コストを低減して製造することができるという効果が得られる。
According to the lead frame manufacturing method of the present embodiment, the tin-plated
しかも、本実施形態のリードフレームの製造方法によれば、錫めっき層１３ａ、１３ｂを、陽極酸化膜を形成する際のマスクとして用いるようにしたので、錫が半田に拡散する特性を有しているため、錫めっき層１３ａ、１３ｂを形成したままの状態にすることで、半導体素子を搭載する際に良好な半田付け性を得ることができる。
このため、本実施形態のリードフレームの製造方法によれば、錫めっき層１３ａ、１３ｂを除去して金属板１０の面を露出させるための工程を設ける必要がなくなり、その分、上述の陽極酸化膜形成の際のマスクとして銀めっき層を用いるリードフレームの製造方法に比べて、製造工程を効率化することができる。
Moreover, according to the method for manufacturing the lead frame of the present embodiment, since the tin-plated
Therefore, according to the lead frame manufacturing method of the present embodiment, it is not necessary to provide a step for removing the tin-plated
また、本実施形態のリードフレームの製造方法によれば、リードフレーム基材の面における錫めっき層１３ａ、１３ｂを形成する部位に凹部１０ａ、１０ｂを形成しておくようにしたので、上述した効果に加えて、半田が凹部内に留まり易くなる。
Further, according to the method for manufacturing a lead frame of the present embodiment, the
従って、本実施形態によれば、電気的接続が必要な部分を除いた全面に陽極酸化膜が形成され、電気的接続が必要な部分に金属材料が露出したリードフレームを、陽極酸化膜を部分的に除去するためのレーザー加工が不要で、生産性良く、コストを低減して製造することができ、更には、良好な半田付け性を得ながら製造工程を効率化することの可能なリードフレームの製造方法が得られる。
なお、本実施形態のリードフレームの製造方法では、金属板１０の面における電気的接続が必要な部分に、凹部１０ａ、１０ｂを形成し、凹部１０ａ、１０ｂの底面及び側面に錫めっき層１３ａ、１３ｂを形成したが、凹部１０ａ、１０ｂを形成しないで、錫めっき層１３ａ、１３ｂを形成するようにしてもよい。
また、本実施形態のリードフレームの製造方法では、所定のリードフレーム形状の形成にエッチング加工を用いたが、プレス加工を用いてもよい。
Therefore, according to the present embodiment, the anodic oxide film is formed on the entire surface excluding the portion requiring electrical connection, and the lead frame in which the metal material is exposed in the portion requiring electrical connection is formed, and the anodic oxide film is partially formed. Lead frame that does not require laser processing to remove the metal, is highly productive, can be manufactured at low cost, and can streamline the manufacturing process while obtaining good solderability. The manufacturing method of is obtained.
In the method for manufacturing the lead frame of the present embodiment, the
Further, in the method for manufacturing a lead frame of the present embodiment, etching processing is used to form a predetermined lead frame shape, but press processing may also be used.
実施例１
実施例１では、金属板１０の面における電気的接続が必要な部分に、凹部１０ａ、１０ｂを形成しないで、錫めっき層１３ａ、１３ｂを形成することによって、リードフレームを製造した。
詳しくは、厚さ０.２ｍｍの帯状銅材からなる金属板１０を用いて、両面にドライフィルムレジストをラミネートしてレジスト層Ｒ１を形成した（図２(b)参照）。
次に、上面のレジスト層Ｒ１において、半導体素子と電気的な接続をする部分としての約φ０．５ｍｍの開口部に対応するパターン、下面のレジスト層Ｒ１において外部機器と電気的な接続をする部分としての約φ１．０ｍｍの開口部に対応するパターンが、夫々描画されたガラスマスクを用いて、両面のレジスト層Ｒ１を露光・現像し、めっき用レジストマスク３０を形成した（図２(c)参照）。
次に、硫酸錫浴からなる、錫濃度３０ｇ／Ｌの錫めっき浴を用いて、電流密度３Ａ／ｄｍ2で３分間めっきを行い、金属板１０における、めっき用レジストマスク３０から露出する銅材に厚さが約０．５μｍの錫めっき層１３ａ、１３ｂを形成し（図２(e)参照、但し、実施例１では錫めっき層を形成する面は、凹面ではなく平面）、次いで、めっき用レジストマスク３０を除去した（図２(f)参照）。
Example 1
In Example 1, a lead frame was manufactured by forming tin-plated
Specifically, a
Next, in the resist layer R1 on the upper surface, a pattern corresponding to an opening of about φ0.5 mm as a portion for electrical connection with the semiconductor element, and a portion in the resist layer R1 on the lower surface for electrical connection with an external device. The resist layers R1 on both sides were exposed and developed using the glass masks in which the patterns corresponding to the openings of about φ1.0 mm were drawn, respectively, to form the resist
Next, a copper material exposed from the plating resist
次に、錫めっき層１３ａ、１３ｂが形成された金属板１０の両面にドライフィルムレジストをラミネートし第２のレジスト層Ｒ２を形成した（図２(g)参照）。
次に、所定のリードフレーム形状のパターンが描画されたガラスマスクを用いて、両面のレジスト層Ｒ２を露光・現像し、エッチング用レジストマスク３１を形成した（図２(h)参照）。
次に、塩化第二鉄液を用いてスプレーエッチングを行い、部分的に錫めっき層１３ａ、１３ｂが形成された金属板１０を所定のリードフレーム形状に形成し（図２(i)参照）、次いで、エッチング用レジストマスク３１を除去した（図２(j)参照）。
Next, a dry film resist was laminated on both sides of the
Next, the resist layers R2 on both sides were exposed and developed using a glass mask on which a predetermined lead frame shape pattern was drawn to form an etching resist mask 31 (see FIG. 2 (h)).
Next, spray etching was performed using ferric chloride solution to form the
次に、９０ｍｌ／ｌの濃度、液温７０℃の設定で黒化処理液に、所定のリードフレーム形状に形成された金属板（リードフレーム基材）１０を浸漬し、電流密度０．８Ａ／ｄｍ２、処理時間９０秒の設定で、リードフレーム基材１０において銅材が露出する部分を陽極として電流を流し、酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）と酸化第二銅（ＣｕＯ）と水酸化第二銅（Ｃｕ（ＯＨ）２）が混在する単層膜をなし、且つ、単層膜が、平均長さ４００ｎｍ以上の針状結晶構造となる陽極酸化膜１１を、リードフレーム基材１０における錫めっき層１３ａ、１３ｂが形成された部分を除く全面に形成した（図２(k)参照）。
これにより、電気的接続が必要な部分のみ形成された錫めっき層が露出し、それ以外の全面に陽極酸化膜１１を備えた実施例１のリードフレームを得た。
Next, the metal plate (lead frame base material) 10 formed in a predetermined lead frame shape was immersed in the blackening treatment liquid at a concentration of 90 ml / l and a liquid temperature of 70 ° C., and the current density was 0.8 A / l. With the setting of dm 2 and the processing time of 90 seconds, a current is passed through the exposed portion of the copper material in the lead
As a result, the tin-plated layer formed only in the portion requiring electrical connection was exposed, and the lead frame of Example 1 having the
比較例１
厚さ０.２ｍｍの帯状銅材からなる金属板を用いて、両面にドライフィルムレジストをラミネートしてレジスト層を形成した。
次に、所定のリードフレーム形状のパターンが描画されたガラスマスクを用いて、両面のレジスト層を露光・現像し、エッチング用レジストマスクを形成した。
次に、塩化第二鉄液を用いてスプレーエッチングを行い、金属板を所定のリードフレーム形状に形成し、次いで、エッチング用レジストマスクを除去した。
Comparative Example 1
A metal plate made of a strip-shaped copper material having a thickness of 0.2 mm was used, and a dry film resist was laminated on both sides to form a resist layer.
Next, the resist layers on both sides were exposed and developed using a glass mask on which a predetermined lead frame shape pattern was drawn to form a resist mask for etching.
Next, spray etching was performed using ferric chloride solution to form a metal plate into a predetermined lead frame shape, and then the resist mask for etching was removed.
次に、９０ｍｌ／ｌの濃度、液温７０℃の設定で黒化処理液に所定のリードフレーム形状に形成された金属板（リードフレーム基材）を浸漬し、電流密度０．８Ａ／ｄｍ２、処理時間９０秒の設定で、リードフレーム基材の全面を陽極として電流を流し、酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）と酸化第二銅（ＣｕＯ）と水酸化第二銅（Ｃｕ（ＯＨ）２）が混在する単層膜として形成され、且つ、単層膜が、平均長さ４００ｎｍ以上の針状結晶構造となっている陽極酸化膜を、リードフレーム基材の全面に形成した。 Next, a metal plate (lead frame base material) formed in a predetermined lead frame shape was immersed in the blackening treatment liquid at a concentration of 90 ml / l and a liquid temperature of 70 ° C., and a current density of 0.8 A / dm 2 was obtained. With the processing time set to 90 seconds, a current is passed through the entire surface of the lead frame base material as an anode, and cuprous oxide (Cu 2 O), cupric oxide (Cu O), and cupric hydroxide (Cu (OH)) are passed. An anodic oxide film formed as a monolayer film in which 2 ) is mixed and having a needle-like crystal structure in which the monolayer film has an average length of 400 nm or more is formed on the entire surface of the lead frame base material.
次に、レーザー加工機を使用して、リードフレーム基材の上面における、半導体素子と電気的な接続をする部分の陽極酸化膜を約φ０．５ｍｍの開口径で除去して銅材を露出させた開口部を形成するとともに、下面における、外部機器と電気的な接続をする部分を約φ１．０ｍｍの加工径で除去して銅材を露出させた開口部を形成し、比較例１のリードフレームを得た。このとき、レーザーのビーム径は、２０μｍで、約φ０．５ｍｍの開口部の形成には０．０１９秒、約φ１．０ｍｍの開口部の形成には０．０８６秒の処理時間を要した。また、形成した開口部の深さは、０．５μｍ以下であった。 Next, using a laser processing machine, the anodized film on the upper surface of the lead frame base material that is electrically connected to the semiconductor element is removed with an opening diameter of about φ0.5 mm to expose the copper material. In addition to forming an opening, an opening on the lower surface that is electrically connected to an external device is removed with a processing diameter of about φ1.0 mm to expose the copper material, and the lead of Comparative Example 1 is formed. Got a frame. At this time, the beam diameter of the laser was 20 μm, and it took 0.019 seconds to form an opening of about φ0.5 mm and 0.086 seconds to form an opening of about φ1.0 mm. The depth of the formed opening was 0.5 μm or less.
比較例２
厚さ０.２ｍｍの帯状銅材からなる金属板を用いて、実施例１と略同様に、めっき用レジストマスクを形成した。
次に、スルファミン酸ニッケルと塩化ニッケル、ホウ酸からなる、ニッケル濃度８０ｇ／Ｌのニッケルめっき浴を用いて、電流密度２Ａ／ｄｍ2で３分４５秒間めっきを行い、めっき用レジストマスクから露出する金属板の面に厚さが約２．５μｍのニッケルめっき層を形成し、次いで、めっき用レジストマスクを除去した。
Comparative Example 2
A resist mask for plating was formed in substantially the same manner as in Example 1 using a metal plate made of a strip-shaped copper material having a thickness of 0.2 mm.
Next, plating is performed at a current density of 2 A / dm 2 for 3 minutes and 45 seconds using a nickel plating bath consisting of nickel sulfamate, nickel chloride, and boric acid with a nickel concentration of 80 g / L, and exposed from the plating resist mask. A nickel plating layer having a thickness of about 2.5 μm was formed on the surface of the metal plate, and then the plating resist mask was removed.
次に、実施例１と略同様にエッチング用レジストマスクを形成し、塩化第二鉄液を用いてスプレーエッチングを行い、部分的にニッケルめっき層が形成された金属板を所定のリードフレーム形状に形成し、次いで、エッチング用レジストマスクを除去した。 Next, a resist mask for etching is formed in substantially the same manner as in Example 1, and spray etching is performed using a ferric chloride solution to form a metal plate on which a nickel plating layer is partially formed into a predetermined lead frame shape. It was formed and then the etching resist mask was removed.
次に、実施例１と略同様に、陽極酸化膜を、所定のリードフレーム形状に形成された銅材におけるニッケルめっき層が形成された部分を除く全面に形成した。
次に、ニッケルめっき剥離液を用いて、リードフレーム基材からニッケルめっき層を剥離し、電気的接続が必要な部分のみ銅材が露出し、それ以外の全面に陽極酸化膜を備えた比較例２のリードフレームを得た。
Next, substantially the same as in Example 1, an anodic oxide film was formed on the entire surface of the copper material formed in a predetermined lead frame shape except for the portion where the nickel plating layer was formed.
Next, a comparative example in which the nickel plating layer was peeled from the lead frame base material using a nickel plating stripping solution, the copper material was exposed only in the portion requiring electrical connection, and the anodic oxide film was provided on the entire other surface. I got 2 lead frames.
評価試験１（半田の濡れ広がり性）
実施例１、比較例１、２の夫々の製造方法で製造されたリードフレームを用いて、半田の濡れ広がり性を試験した。
リードフレームをフラックス（ＲＡ）に約２〜３秒浸漬し、電気的接続が必要な部分において露出する金属材料（実施例１では錫めっき層１３、比較例１、２では銅材１０）の面に形成された酸化被膜を溶出させ、半田濡れ性を確保し、次に、３５０℃の半田坩堝に３秒間浸漬し、その後取り出して試料を得た。
そして、走査型共焦点レーザー顕微鏡を用いて、夫々の試料のリードフレームにおける半田の濡れ広がり状態を、観察した。
その結果、実施例１のリードフレームは、比較例１、２のリードフレームと同様、陽極酸化膜１１上には半田は形成されず、電気的接続が必要な部分において露出する錫めっき層１３の面にのみ半田が形成された。また、電気的接続が必要な部分において露出する錫めっき層１３の面に形成された半田は、陽極酸化膜１１が形成されている周辺には広がらないことが確認できた。
Evaluation test 1 (wetting and spreading property of solder)
The wett spreadability of the solder was tested using the lead frames manufactured by the respective manufacturing methods of Example 1 and Comparative Examples 1 and 2.
The surface of the metal material (tin-plated layer 13 in Example 1 and
Then, using a scanning confocal laser scanning microscope, the wet and spread state of the solder in the lead frame of each sample was observed.
As a result, in the lead frame of Example 1, solder is not formed on the
評価試験２（生産性：製造時間、製造コスト）
実施例１、比較例１、２の夫々の多列型リードフレームの製造方法を用いたリードフレームの製造に要した時間およびコストを比較し、生産性を評価した。生産性の評価に際しては、比較例１のリードフレームの製造方法を用いたリードフレームの製造に要した時間、コストを夫々１００としたときの相対的な数値を評価値として用いた。評価結果を表１に示す。
Evaluation test 2 (productivity: manufacturing time, manufacturing cost)
The time and cost required for manufacturing the lead frame using the respective multi-row lead frame manufacturing methods of Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 were compared, and the productivity was evaluated. In the evaluation of productivity, the relative numerical values when the time and cost required for manufacturing the lead frame using the lead frame manufacturing method of Comparative Example 1 were set to 100 were used as the evaluation values. The evaluation results are shown in Table 1.
表１に示すとおり、比較例２のリードフレームの製造方法は、製造コストが５０となり、比較例１のリードフレームの製造方法に比べて、製造コストを大幅に低減できることが認められた。しかし、製造時間が１２５となり、比較例１のリードフレームの製造方法に比べて、製造時間を短縮できないことが認められた。
これに対し、実施例１のリードフレームの製造方法は、製造コストが２５、製造時間が７５となり、比較例１のリードフレームの製造方法に比べて、製造時間を大幅に短縮でき、且つ、製造コストを大幅に低減できることが認められ、さらに、比較例２のリードフレームの製造方法に比べても、製造時間を大幅に短縮でき、且つ、製造コストを大幅に低減できることが認められ、生産性が格段に向上することが認められた。
As shown in Table 1, the manufacturing cost of the lead frame manufacturing method of Comparative Example 2 was 50, and it was confirmed that the manufacturing cost could be significantly reduced as compared with the lead frame manufacturing method of Comparative Example 1. However, the manufacturing time was 125, and it was recognized that the manufacturing time could not be shortened as compared with the lead frame manufacturing method of Comparative Example 1.
On the other hand, the lead frame manufacturing method of Example 1 has a manufacturing cost of 25 and a manufacturing time of 75, which can significantly reduce the manufacturing time and manufacture as compared with the lead frame manufacturing method of Comparative Example 1. It was recognized that the cost could be significantly reduced, and further, it was recognized that the manufacturing time could be significantly shortened and the manufacturing cost could be significantly reduced as compared with the lead frame manufacturing method of Comparative Example 2, and the productivity was improved. It was recognized that it improved significantly.
本発明のリードフレームの製造方法は、陽極酸化膜を備えたリードフレームを製造する分野に有用である。 The method for producing a lead frame of the present invention is useful in the field of producing a lead frame provided with an anodic oxide film.
１ リードフレーム
１０ リードフレーム基材（金属板）
１０ａ、１０ｂ 凹部
１１ 陽極酸化膜
１３ａ、１３ｂ 錫めっき層
３０ めっき用レジストマスク又はエッチング・めっき兼用レジストマスク
３１ エッチング用レジストマスク
Ｒ１、Ｒ２ レジスト層
1 Lead
10a,
Claims (4)
前記金属板における、前記めっき用レジストマスクから該金属板の面が露出した部分に錫めっき層を形成する工程と、
前記めっき用レジストマスクを除去する工程と、
前記錫めっき層が形成された前記金属板を、所定のリードフレーム形状のリードフレーム基材に形成する工程と、
前記リードフレーム基材における、前記錫めっき層が形成された部分以外の全面に針状結晶構造となる陽極酸化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。 A process of forming a resist mask for plating in which a predetermined portion is opened on both sides of a metal plate, and
A step of forming a tin plating layer on a portion of the metal plate where the surface of the metal plate is exposed from the resist mask for plating.
The step of removing the resist mask for plating and
A step of forming the metal plate on which the tin-plated layer is formed on a lead frame base material having a predetermined lead frame shape, and
A step of forming an anodic oxide film having an acicular crystal structure on the entire surface of the lead frame base material other than the portion where the tin plating layer is formed, and
A method for manufacturing a lead frame, which comprises.
前記金属板における、前記エッチング・めっき兼用レジストマスクから該金属板の面が露出した部分をハーフエッチングする工程と、
ハーフエッチングされた部分に錫めっき層を形成する工程と、
前記エッチング・めっき兼用レジストマスクを除去する工程と、
前記錫めっき層が形成された前記金属板を、所定のリードフレーム形状のリードフレーム基材に形成する工程と、
前記リードフレーム基材における、前記錫めっき層が形成された部分以外の全面に針状結晶構造となる陽極酸化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。 A process of forming a resist mask for both etching and plating with a predetermined portion opened on both sides of a metal plate, and
A step of half-etching a portion of the metal plate where the surface of the metal plate is exposed from the resist mask for both etching and plating.
The process of forming a tin-plated layer on the half-etched part,
The process of removing the resist mask for both etching and plating, and
A step of forming the metal plate on which the tin-plated layer is formed on a lead frame base material having a predetermined lead frame shape, and
A step of forming an anodic oxide film having an acicular crystal structure on the entire surface of the lead frame base material other than the portion where the tin plating layer is formed, and
A method for manufacturing a lead frame, which comprises.
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