JP2021085912A - 光源装置及び光源装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】結合レンズを用いることなく、光導波路に半導体レーザ素子のレーザ光を入射させる構成の光源装置の製造方法を提供する。【解決手段】光源装置は、基板１２の表面上に設けられ、入射口１８ａ及び出射口と、入射口から入射した光を出射口から出射させる光導波路１４ａを備える光導波デバイスと、入射口に対応して配置された半導体レーザ素子３０と、を備える。半導体レーザ素子の発光面３０ａと入射口とは離間し、その間の光路は一定の屈折率を備える。光源装置の製造時、半導体レーザ素子を発光させながら、半導体レーザ素子の発光強度に対する、出射口におけるレーザ光の出力強度の比を、半導体レーザ素子の入射口に対する相対位置を変更しながら、測定するステップと、測定した比が目標とする範囲に入るように半導体レーザ素子の固定位置を定めて、半導体レーザ素子を基板に対して固定するステップと、を備える。【選択図】図３

Description

本発明は、レーザ光を出射する光源装置及び光源装置の製造方法に関する。

従来、３原色のＲＧＢ各色のレーザ光を出射してカラー画像を表示させるプロジェクタ装置や、可視光と赤外光（ＩＲ光）とを用いてセンシングを行う診断装置といった複数波長のレーザ光を用いる種々の装置がある。これらの装置では、通常、複数波長のレーザ光は、各々の波長の光を発生させるレーザ光源から別個に出射され、光合波装置を用いて合波されて一本のビームとして出力される。このとき、入射した光を合波させる位置まで導き、合波した光を出射させるための光導波路が用いられる。

例えば、光導波路としては、中空導光路や媒質としてガラス材（シリコン）が用いられたＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit）などが挙げられる。ＰＬＣは、例えば、シリコン基板上に周知の半導体製造プロセスを用いて形成され得る。このような光導波路の一例が知られている（特許文献１）。

国際公開第２０１９／０８２３４７号

上記ＰＬＣにレーザ光を導入するには、ＰＬＣを設けたＰＬＣ基板（シリコン基板）のエッジにＰＬＣの入射口を形成し、この入射口に対向するように、例えば半導体レーザ素子を配置する。半導体レーザ素子から出射するレーザ光は拡散光であるので、レーザ光が効率よくＰＬＣに入射するために、半導体レーザ素子の発光面と入射口の間に結合レンズ（集束レンズ）を配置して光束を絞ることが従来から行われている。すなわち、半導体レーザ素子を用いてＰＬＣにレーザ光を導入するには、結合レンズを用いる必要がある。
光源装置は、例えばプロジェクタ装置や、診断装置、さらには、ウェアラブルディスプレイ等の小型デバイスに使用するために小型化することが好ましい。しかし、結合レンズを用いることから、また、半導体レーザ素子とＰＬＣの入射口との間の距離もある程度確保する必要があることから、光源装置のサイズの縮小化は難しい。また、ＰＬＣの入射口に対して、半導体レーザ素子及び結合レンズを適切な場所に配置する煩雑な作業もある。

そこで、本発明は、上記結合レンズを用いない新たな構成により、従来に比べて小型化が可能な光源装置及び光源装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、レーザ光を出射する光源装置の製造方法である。
前記光源装置は、
基板の表面上に設けられ、入射口及び出射口と、前記入射口から入射した光を前記出射口から出射させる光導波路を備える光導波デバイスと、
前記入射口に対応して配置された半導体レーザ素子と、を備え、
前記半導体レーザ素子の発光面と前記発光面に対向する前記入射口とは離間し、前記発光面と前記入射口との間の光路は、一定の屈折率を備えた媒体で構成される。
前記製造方法は、
前記半導体レーザ素子を発光させながら、前記半導体レーザ素子の発光強度に対する、前記光路及び前記光導波路を通して前記出射口に至るレーザ光の、前記出射口における出力強度の比を、前記半導体レーザ素子の前記入射口に対する相対位置を変更しながら、測定するステップと、
測定した前記比が目標とする範囲に入るように前記半導体レーザ素子の固定位置を定めて、前記半導体レーザ素子を前記基板に対して固定するステップと、を備える。

前記半導体レーザ素子は、前記基板の表面の法線方向及び前記入射口の法線方向の少なくとも一方の方向に、前記入射口に対する前記相対位置を変更するように移動する、ことが好ましい。

前記測定するステップでは、前記半導体レーザ素子に給電しつつ、前記半導体レーザ素子を把持し移動させる移動機構を用いて、前記半導体レーザ素子を発光させながら前記相対位置を変更させる、ことが好ましい。

前記固定するステップでは、前記基板上に接着剤を用いて前記半導体レーザ素子を接着固定し、
前記測定するステップでは、前記接着剤の硬化時の収縮量に応じて前記固定位置からずらした位置を前記半導体レーザ素子の接着固定を開始する位置として定める、ことが好ましい。

本発明の一態様は、レーザ光を出射する光源装置である。前記光源装置は、
基板の表面上に設けられ、複数の入射口及び１つの出射口と、前記複数の入射口から入射したレーザ光を１つのレーザ光に合波する合波部と、を有し、前記合波したレーザ光を前記出射口から出射させる光導波路を備える光導波デバイスと、
前記複数の入射口に対向して配置された複数の半導体レーザ素子と、を備え、
前記半導体レーザ素子それぞれの発光面と前記発光面に対向する前記入射口とは離間し、前記発光面と前記入射口との間の光路は、一定の屈折率を備えた媒体で構成され、
前記発光面と前記入射口の間の距離は、１０００μｍ以下である。

前記基板の表面の法線方向に平行で、前記光導波路の延在方向に直交する平面で切断した前記光導波路の断面形状の、前記法線方向の高さ寸法は、前記法線方向に直交する幅方向の幅寸法に比べて短く、
前記半導体レーザ素子それぞれの前記発光面上の発光点の前記法線方向における位置は、前記入射口の前記法線方向の範囲内にある、ことが好ましい。

前記発光面と前記入射口の間の距離は、１μｍ以上である、ことが好ましい。

上述の光源装置及び光源装置の製造方法によれば、従来に比べて小型の光源装置を提供することができる。

一実施形態で用いる、レーザ光を伝送する光導波デバイスを説明する図である。 （ａ），（ｂ）は、一実施形態で用いる光導波デバイスの基板上に設けられる光導波路及びその周りの構成の一例を示す図である。 （ａ），（ｂ）は、一実施形態で用いる半導体レーザ素子を説明する図である。 一実施形態で用いる、半導体レーザ素子の把持に用いる移動機構を説明する図である。

以下、本発明の光源装置、及び光源装置の製造方法について説明する。

光源装置は、レーザ光を出射するレーザ光源モジュールである。
光源装置は、光導波デバイスを備える。光導波デバイスは、光導波路を備える。光導波路は、基板の表面上に設けられ、複数の入射口及び１つの出射口と、複数の入射口から入射したレーザ光を１つのレーザ光に合波する合波部と、を有する。
光源装置は、光源として、複数の入射口に対向して配置された複数の半導体レーザ素子を備える。

このような光源装置は、従来、光導波デバイスの光導波路の入射口に対向するように、半導体レーザ素子をダイボンディング等により基板上に接着固定した後、半導体レーザ素子にはレーザ光の発光のための給電できるようにワイヤボンディングを行う。この後、半導体レーザ素子の発光面と入射口の間に結合レンズを配置し、光導波路の出射口から出射するレーザ光の光強度を、結合レンズの位置を調整しながら測定し、光強度が最大となる結合レンズの位置で結合レンズを固定する。

しかし、光源装置に、結合レンズを配置しない場合、半導体レーザ素子をダイボンディング等により基板に接着固定し、半導体レーザ素子に給電できるようにワイヤボンディングを行った後、半導体レーザ素子を発光させると、半導体レーザ素子を光導波路の入射口に対して適切な位置に調整する位置合わせができない。
このため、本発明の一実施形態では、半導体レーザ素子を発光させながら、半導体レーザ素子の発光強度に対する、光路及び光導波路を通して出射口に至るレーザ光の出力強度の比を、半導体レーザ素子の入射口に対する相対位置を変更しながら測定し、測定した比が目標とする範囲に入るように半導体レーザ素子の固定位置を定めて、半導体レーザ素子を基板に対して固定する。

この方法により半導体レーザ素子を基板に固定することにより、半導体レーザ素子の発光面を光導波路の入射口と接触させることなく位置決めして固定することができ、発光面と入射口を離間させることができる。発光面と入射口が接触すると、発光面が損傷し、発光特性が劣化する場合がある。
この方法により、半導体レーザ素子の発光面とこの発光面に対向する光導波路における入射口とを離間させ、発光面と入射口との間の光路は、一定の屈折率を備えた媒体で構成させることができる。すなわち、発光面と入射口との間には、結合レンズ（集束レンズ）が配置されておらず、レーザ光の通過する媒体は、例えば空気等の気体であり、あるいは、水等の液体である。そして、半導体レーザ素子の発光面と光導波路の入射口との間の距離を、１０００μｍ以下にすることができる。これにより、結合レンズを配置しなくても、光導波路を通過するレーザ光の光強度をある程度高く維持することができる。

図１は、半導体レーザ素子の出射するレーザ光を伝送する光導波デバイス１０を説明する図である。図２（ａ），（ｂ）は、光導波デバイス１０の基板１２上に設けられる光導波路及びその周りの構成の一例を示す図である。図２（ａ）は、図１に示す光導波路１４ａの入射口の一例を示している。光導波路１４ｂ〜１４ｄの構成は、光導波路１４ａと同様の構成なので、光導波路１４ａを代表して光導波路１４ａ〜１４ｄの構成を説明する。なお、図１では、４つの光導波路１４ａ〜１４ｄが設けられるが、光導波路の数は限定されず、２個以上であればよく、３個、５個でもよい。

光導波路１４ａと基板１２の間には、光導波路１４ａと接する下クラッド層１９Ｄが設けられ、光導波路１４ａを挟んで下クラッド層１９Ｄと対向する反対側（上側）には、光導波路１４ａと接する上クラッド層１９Ｕが設けられる。さらに、光導波路１４ａの一部では、光導波路１４ａの両側の側面には、光導波路１４ａの側面と接する横クラッド層１９Ｓ１，１９Ｓ２が設けられている。基板１２上に設けられる光導波路１４ａ、下クラッド層１９Ｄ、上クラッド層１９Ｕ、横クラッド層１９Ｓ１，１９Ｓ２は、半導体プロセスにより、基板１２上に積層される膜を所定の形状にエッチングすることにより形成される。したがって、光導波路１４ａ、下クラッド層１９Ｄ、上クラッド層１９Ｕ、横クラッド層１９Ｓ１，１９Ｓ２の中で、最も厚さの厚い光導波路１４ａでもその厚さは１０μｍ以下であり、好ましくは、６μｍ以下である。

上クラッド層１９Ｕ、下クラッド層１９Ｄ、及び横クラッド層１９Ｓ１，１９Ｓ２の屈折率は、光導波路１４ａの屈折率に比べて低い。このため、光導波路１４ａに入射したレーザ光の大部分は、光導波路１４ａの上クラッド層１９Ｕ、下クラッド層１９Ｄ、及び横クラッド層１９Ｓ１，１９Ｓ２との界面で全反射して閉じ込められる。
一実施形態によれば、光導波路１４ａは、屈折率１．４６のＳｉＯ_２酸化膜酸化膜に屈折率が増加する物質（例えばＧｅＯ_２）を添加したもので構成され、上クラッド層１９Ｕ、下クラッド層１９Ｄ、及び横クラッド層１９Ｓ１，１９Ｓ２は、屈折率１．４６のＳｉＯ_２酸化膜酸化膜に屈折率が減少する物質（例えばフッ素Ｆ）を添加したもので構成される。

図１では、光導波路１４ａ〜１４ｄの形状をわかり易く示すために、上クラッド層１９Ｕ、及び横クラッド層１９Ｓ１，１９Ｓ２の図示を省略している。
光導波路１４ａ〜１４ｄは、図１に示すように、基板１２の段差のついたエッジ辺ＳＥ１に沿った異なる位置に設けられた４つの入射口１８ａ〜１８ｄと、基板１２のエッジ辺ＳＥ１に対して直交する辺ＳＥ２に沿って設けられた、光導波路１４ａ〜１４ｄに共通の１つの出射口２０と、光導波路１４ａ〜１４ｄの延在方向が略９０度曲がるコーナー部２２ａ〜２２ｄと、光導波路１４ａ〜１４ｄが互いに合流する合流部２４と、を備える。

光導波路１４ａ〜１４ｄは、図１に示すように、基板１２の段差のついたエッジ辺ＳＥ１に沿った異なる位置に入射口１８ａ〜１８ｄが設けられ、エッジ辺ＳＥ１からエッジ辺ＳＥ１に直交する方向に直線状にコーナー部２２ａ〜２２ｄまで延びる直線部と、コーナー部２２ａ〜２２ｄから合流部２４まで直線状に延びる直線部とが設けられる。合流部２４では、光導波路１４ａ〜１４ｄを通過するレーザ光が合波する。

コーナー部２２ａ〜２２ｄそれぞれのコーナー外側には、入射口１８ａ〜１８ｄからコーナー部２２ａ〜２２ｄまで直線状に延びる光導波路１４ａ〜１４ｄの直線部に対して、４２〜４８度の傾斜角度で傾斜した平面が設けられている。
図２（ｂ）は、コーナー部２２ａの断面の一例を示す図である。図２（ｂ）に示すように、この平面には、図２（ａ）に示すような横クラッド層１９Ｓ２が設けられておらず、空気に露出している。空気に露出しているのは、コーナー部２２ａにおける光導波路１４ａの屈折率の平面外側の屈折率に対する比を大きくして、この平面に入射したレーザ光をこの平面で全反射あるいは全反射に近い反射状態で反射させるためである。このような構成は、光導波路１４ｂ〜１４ｄのコーナー部２２ｂ〜２２ｄにおいても同様である。これにより、レーザ光は、コーナー部２２ａ〜２２ｄで略９０度向きを変える。なお、コーナー部２２ａ〜２２ｄから合流部２４まで直線状に延びる光導波路１４ａ〜１４ｄの直線部は、入射口１８ａ〜１８ｄからコーナー部２２ａ〜２２ｄまで直線状に延びる光導波路１４ａ〜１４ｄの直線部に対する角度は９０度に対して±５度の範囲内で変化しており、合流部２４で光導波路１４ａ〜１４ｄの直線部が合流するように構成されている。

図３（ａ），（ｂ）は、光導波路１４ａ〜１４ｄを代表して、光導波路１４ａに入射するレーザ光を出射する半導体レーザ素子を説明する図である。
半導体レーザ素子３０は、ＣｏＳ（Chip on Submount）型の形態である。図３（ａ）に示すように、結合レンズを用いることなく、半導体レーザ素子３０の発光面３０ａが光導波路１４ａの入射口１８ａに対向するように、半導体レーザ素子３０は配置される。したがって、発光面３０ａと入射口１８ａ〜１８ｄの間の光路は、空気（一定の屈折率を備えた媒体）で構成される。
半導体レーザ素子３０は、サブマウント材料を介して基板１２に、ＡｕＳｎ共晶はんだ等の接着剤を用いて固定される。半導体レーザ素子３０から出射するレーザ光は、発光面３０ａのうちの微小な領域を発光点として発光し、しかも拡散光となって発光するので、発光点は入射口１８ａ〜１８ｄに対向するように、半導体レーザ素子３０は基板１２に対して位置調整をする必要がある。

半導体レーザ素子３０の位置調整のとき、入射口１８ａ〜１８ｄへのレーザ光の発光面を近づけ過ぎると発光面が入射口１８ａ〜１８ｄと接触して、発光面及び入射口１８ａ〜１８ｄの表面を傷つけることがある。しかし、発光面を入射口１８ａ〜１８ｄから遠くすると、入射口１８ａ〜１８ｄに入射するレーザ光の光量は少なく光導波路１４ａ〜１４ｄを通過するレーザ光の光強度は弱くなる。このため、入射口１８ａ〜１８ｄからレーザ光の発光面までの距離を０μｍ超とし、１０００μｍ以下とする。上記距離は、好ましくは３０μｍ以下であり、より好ましくは、２０μｍ以下である。

半導体レーザ素子３０の発光点の形状は、一般的に、活性層の境界面に沿った方向（横方向という）に長く、この横方向に直交する方向（縦方向という）に短い略楕円形状である。このレーザ光の光束の形状は、ニアフィールドでは横方向の寸法が、縦方向の寸法に比べて大きく、ファーフィールドでは、回折により、縦方向の寸法が、横方向の寸法に比べて大きくなる。このため、一実施形態では、レーザ光の横方向の光束の寸法が、縦方向の光束の寸法に比べて大きいニアフィールドの領域に、入射口１８ａ〜１８ｄが配置されることが光導波路１４ａ〜１４ｄの出射口２０におけるレーザ光の出力強度を低下させない点から好ましい。

また、半導体レーザ素子３０の入射口１８ａ〜１８ｄに対する相対位置を変更しながら、後述する出射口２０から出射するレーザ光の発光強度の変化を調べることで、例えば、発光強度が最大となる半導体レーザ素子３０の最適な位置を探索する。この場合、入射口１８ａ〜１８ｄからレーザ光の発光面までの距離が過度に大きくなると、レーザ光の光強度分布は過度に広がることにより、発光強度が最大となる最適な位置の探索が難しくなる。
したがって、光導波デバイス１０において、半導体レーザ素子３０の発光面と光導波路１４ａ〜１４ｄの入射口１８ａ〜１８ｄの間の距離を、１０００μｍ以下とする。

上述したように、光導波路１４ａ〜１４ｄは、半導体プロセスの成膜技術を用いて膜を形成して所定の形状にエッチングするので、光導波路１４ａ〜１４ｄを、基板の表面の法線方向に平行で、光導波路１４ａ〜１４ｄの延在方向に直交する平面で切断した断面形状の、法線方向の高さ寸法は、法線方向に直交する幅方向の幅寸法に比べて短い。
この場合、半導体レーザ素子３０それぞれの発光面上の発光点の法線方向における位置は、入射口１８ａ〜１８ｄの法線方向の範囲内にある、ことが好ましい。レーザ光の、発光面に平行な平面上の光強度分布は、発光点から発光面に直交する法線上の位置で光強度が最大となるシングルモードである場合、レーザ光の最大となる光強度の光束の中心部分を光導波路１４ａ〜１４ｄに入射させることが、出射口２０から高い発光強度のレーザ光を出射させることができる点で好ましい。また、発光強度分布は、発光強度最大の位置を中心として、その周りになだらかに低下する部分を有するので、半導体レーザ素子３０の位置が、最適な位置からわずかにずれても、入射するレーザ光の光量の変化は小さい。

図１に示すように複数の半導体レーザ素子３０が光導波路１４ａ〜１４ｄの入射口１８ａ〜１８ｄに対して設けられる場合、発光面と入射口１８ａ〜１８ｄの間の距離は、たとえば、１μｍ以上である。発光面と入射口１８ａ〜１８ｄの間の距離が過度に近い場合、半導体レーザ素子３０の位置が、最適な位置からわずかにずれると出射口２０から出射するレーザ光の発光強度の変化、すなわち感度は大きくなる。このため、出射口２０から出射する複数のレーザ光の発光強度のバランスは崩れ易い。上記感度を過度に大きくしないために、発光面と入射口１８ａ〜１８ｄの間の距離は、１μｍ以上とすることが好ましい。

このような光源装置を製造する場合、
（１）半導体レーザ素子３０を発光させながら、半導体レーザ素子３０の発光強度に対する、光路及び光導波路１４ａ〜１４ｄを通して出射口２０に至るレーザ光の出力強度の比を、半導体レーザ素子３０の入射口１８ａ〜１８ｄに対する相対位置を変更しながら、測定する。半導体レーザ素子３０の発光強度は、例えば、半導体レーザ素子３０に供給する電流から算出される。レーザ光の出力強度は、例えばフォトダイオードを用いて測定される。
半導体レーザ素子３０の入射口１８ａ〜１８ｄに対する相対位置の変更は、一実施形態によれば、図４に示すように、半導体レーザ素子３０に給電しつつ、半導体レーザ素子３０を把持し移動させる移動機構６０を用いて、半導体レーザ素子３０を発光させながら行うことが好ましい。図４は、半導体レーザ素子３０の把持に用いる移動機構を説明する図である。移動機構６０の把持部６２が、回転軸６４周りに回動することにより、半導体レーザ素子３０を両側から把持する。その際、電源６６から延びる給電線６５ａ，６５ｂが、半導体レーザ素子３０の給電電極６７ａ，６７ｂに接続される。こうして、半導体レーザ素子３０は、発光しながら、図４の紙面上下左右方向、及び紙面に垂直方向に自在に移動することができる。

（２）次に、測定した比が目標とする範囲に入るように半導体レーザ素子３０の固定位置を定めて、半導体レーザ素子３０を基板１２に対して固定する。

一実施形態によれば、半導体レーザ素子３０は、基板１２の表面の法線方向及び光導波路１４ａ〜１４ｄの入射口１８ａ〜１８ｄの法線方向の少なくとも一方の方向に、入射口１８ａ〜１８ｄに対する相対位置を変更するように移動する、ことが好ましい。上記２方向に半導体レーザ素子３０を移動させるのは、この２方向における半導体レーザ素子３０の相対位置が、出射口２０におけるレーザ光の出力強度に大きな影響を与えるからである。光導波路１４ａ〜１４ｄの入射口１８ａ〜１８ｄの幅方向（基板１２の表面に平行な方向）の寸法は、基板１２の表面の法線方向の寸法に比べて大きいため、幅方向の位置がわずかに変化しても、出射口２０におけるレーザ光の出力強度に与える影響は小さく、幅方向において精度の高い位置決めをする必要性が小さい。

なお、半導体レーザ素子３０を基板１２に対して固定するとき、基板１２上に例えばＡｕＳｎ共晶はんだ等の接着剤を用いて半導体レーザ素子３０を接着固定する。この場合、一実施形態によれば、接着剤の硬化時の収縮量に応じて固定位置からずらした位置を半導体レーザ素子３０の接着固定を開始する位置として定めることが好ましい。例えば、接着剤の収縮により、発光点の位置が基板の表面の法線方向にずれる場合がある。このような位置ずれを見込んだ位置に半導体レーザ素子３０を配置して、接着固定を開始することにより、接着固定した時、目標とする固定位置に発光点が位置するので、出射口２０において所望のレーザ光の出力強度を得ることができる。

以上が本発明の実施形態の説明であるが、本発明は、上記の構成に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内において様々な変形が可能である。

１０ 光導波デバイス
１２ 基板
１４ａ〜１４ｄ 光導波路
１８ａ〜１８ｄ 入射口
１９Ｄ 下クラッド層
１９Ｕ 上クラッド層
１９Ｓ１，１９Ｓ２ 横クラッド層
２０ 出射口
２２ａ〜２２ｄ コーナー部
２４ 合流部
３０ 半導体レーザ素子
６０ 移動機構
６２ 把持部
６４ 回転軸
６６ 電源
６５ａ，６５ｂ 給電線
６７ａ，６７ｂ 給電電極

Claims (6)

1. レーザ光を出射する光源装置の製造方法であって、
   前記光源装置は、
   基板の表面上に設けられ、入射口及び出射口と、前記入射口から入射した光を前記出射口から出射させる光導波路を備える光導波デバイスと、
   前記入射口に対応して配置された半導体レーザ素子と、を備え、
   前記半導体レーザ素子の発光面と前記発光面に対向する前記入射口とは離間し、前記発光面と前記入射口との間の光路は、一定の屈折率を備えた媒体で構成され、
   前記半導体レーザ素子を発光させながら、前記半導体レーザ素子の発光強度に対する、前記光路及び前記光導波路を通して前記出射口に至るレーザ光の、前記出射口における出力強度の比を、前記半導体レーザ素子の前記入射口に対する相対位置を変更しながら、測定するステップと、
   測定した前記比が目標とする範囲に入るように前記半導体レーザ素子の固定位置を定めて、前記半導体レーザ素子を前記基板に対して固定するステップと、を備えることを特徴とする光源装置の製造方法。
2. 前記半導体レーザ素子は、前記基板の表面の法線方向及び前記入射口の法線方向の少なくとも一方の方向に、前記入射口に対する前記相対位置を変更するように移動する、請求項１に記載の光源装置の製造方法。
3. 前記測定するステップでは、前記半導体レーザ素子に給電しつつ、前記半導体レーザ素子を把持し移動させる移動機構を用いて、前記半導体レーザ素子を発光させながら前記相対位置を変更させる、請求項１または２に記載の光源装置の製造方法。
4. 前記固定するステップでは、前記基板上に接着剤を用いて前記半導体レーザ素子を接着固定し、
   前記測定するステップでは、前記接着剤の硬化時の収縮量に応じて前記固定位置からずらした位置を前記半導体レーザ素子の接着固定を開始する位置として定める、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光源装置の製造方法。
5. レーザ光を出射する光源装置であって、
   基板の表面上に設けられ、複数の入射口及び１つの出射口と、前記複数の入射口から入射したレーザ光を１つのレーザ光に合波する合波部と、を有し、前記合波したレーザ光を前記出射口から出射させる光導波路を備える光導波デバイスと、
   前記複数の入射口に対向して配置された複数の半導体レーザ素子と、を備え、
   前記半導体レーザ素子それぞれの発光面と前記発光面に対向する前記入射口とは離間し、前記発光面と前記入射口との間の光路は、一定の屈折率を備えた媒体で構成され、
   前記発光面と前記入射口の間の距離は、１０００μｍ以下である、ことを特徴とする光源装置。
6. 前記基板の表面の法線方向に平行で、前記光導波路の延在方向に直交する平面で切断した前記光導波路の断面形状の、前記法線方向の高さ寸法は、前記法線方向に直交する幅方向の幅寸法に比べて短く、
   前記半導体レーザ素子それぞれの前記発光面上の発光点の前記法線方向における位置は、前記入射口の前記法線方向の範囲内にある、請求項５に記載の光源装置。

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