JP2021064721A - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】固体撮像装置の更なる高画質化を実現することができる固体撮像装置を提供すること。【解決手段】光入射側から順に、少なくとも、オンチップレンズと、複数の特定の光を透過するフィルタと、光電変換部が形成された半導体基板と、を備え、該特定の光を透過するフィルタ間に第１遮光膜が配された有効撮像領域が形成され、該半導体基板の光入射面を覆うように、該複数の特定の光を透過するフィルタと該半導体基板との間に第２遮光膜が配された非撮像領域が形成され、該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域及び該境界領域の近傍領域に、該半導体基板の光入射面を掘り込んで形成された掘り込み部が設けられている、固体撮像装置を提供する。【選択図】図１

Description

本技術は、固体撮像装置及び電子機器に関する。

近年、デジタルカメラは、益々、普及が進んでおり、その中心部品である固体撮像装置（イメージセンサ）の需要はますます高まっている。そのため、固体撮像装置の性能面として、高画質化を実現するための技術開発が盛んに行われている。例えば、固体撮像素子の有効撮像領域と非撮像領域との境界部における段差を低減して高画質化を図っている技術が提案されている（特許文献１を参照。）。

特開２００１−１９６５７１号

しかしながら、特許文献１で提案された技術では、固体撮像装置の更なる高画質化を図れないおそれがある。

そこで、本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、固体撮像装置の更なる高画質化を実現することができる固体撮像装置、及びその固体撮像装置が搭載された電子機器を提供することを主目的とする。

本発明者は、上述の目的を解決するために鋭意研究を行った結果、固体撮像装置の更なる高画質化の実現に成功し、本技術を完成するに至った。

すなわち、本技術では、第１の側面として、
光入射側から順に、少なくとも、オンチップレンズと、複数の特定の光を透過するフィルタと、光電変換部が形成された半導体基板と、を備え、
該特定の光を透過するフィルタ間に第１遮光膜が配された有効撮像領域が形成され、
該半導体基板の光入射面を覆うように、該複数の特定の光を透過するフィルタと該半導体基板との間に第２遮光膜が配された非撮像領域が形成され、
該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域及び該境界領域の近傍領域に、該半導体基板の光入射面を掘り込んで形成された掘り込み部が設けられている、固体撮像装置を提供する。特定の光を透過するフィルタとは、例えば、ブルー（Ｂ）光を透過するブルー（Ｂ）フィルタ、グリーン光（Ｇ）光を透過するグリーン（Ｇ）フィルタ、レッド（Ｒ）光を透過するレッド（Ｒ）フィルタ、白色（Ｗ）光を透過する透明フィルタ、赤外（ＩＲ）光を透過する赤外光（ＩＲ光）用のフィルタ等が挙げられる。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記非撮像領域に前記掘り込み部が設けられていてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記有効撮像領域に前記掘り込み部が設けられていてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記有効撮像領域の中央領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、前記境界領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分でもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記非撮像領域が前記有効撮像領域の外周囲に配されてもよく、光入射側からの平面視で、前記境界領域及び前記境界領域の前記近傍領域が矩形を有してもよく、該矩形の４辺のうち少なくとも１辺に前記掘り込み部が形成されていてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記境界領域側の前記掘り込み部の断面視の深さ方向の形状が勾配を有してもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜と、前記半導体基板との間には絶縁膜が配されていてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、前記半導体基板が有するＰ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域と接していてもよい。

また、本技術では、第２の側面として、
光入射側から順に、少なくとも、オンチップレンズと、複数の特定の光を透過するフィルタと、光電変換部が形成された半導体基板と、を備え、
該特定の光を透過するフィルタ間に第１遮光膜が配された有効撮像領域が形成され、
該半導体基板の光入射面を覆うように、該複数の特定の光を透過するフィルタと該半導体基板との間に第２遮光膜が配された非撮像領域が形成され、
該非撮像領域に、該半導体基板の光入射面を掘り込んで形成された掘り込み部が設けられている、固体撮像装置を提供する。特定の光を透過するフィルタとは、例えば、ブルー（Ｂ）光を透過するブルー（Ｂ）フィルタ、グリーン光（Ｇ）光を透過するグリーン（Ｇ）フィルタ、レッド（Ｒ）光を透過するレッド（Ｒ）フィルタ、白色（Ｗ）光を透過する透明フィルタ、赤外（ＩＲ）光を透過する赤外光（ＩＲ光）用のフィルタ等が挙げられる。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記有効撮像領域の中央領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分でもよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域側の前記掘り込み部の断面視の深さ方向の形状が勾配を有していてもよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記掘り込み部の領域において、前記第２遮光膜と、前記半導体基板との間には絶縁膜が配されていてもよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記掘り込み部の領域において、前記第２遮光膜が、前記半導体基板が有するＰ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域と接していてもよい。

さらに、本技術では、第３の側面として、
光入射側から順に、少なくとも、オンチップレンズと、複数の特定の光を透過するフィルタと、光電変換部が形成された半導体基板と、を備え、
該特定の光を透過するフィルタ間に第１遮光膜が配された有効撮像領域が形成され、
該半導体基板の光入射面を覆うように、該複数の特定の光を透過するフィルタと該半導体基板との間に第２遮光膜が配された非撮像領域が形成され、
該有効撮像領域に、該半導体基板の光入射面を掘り込んで形成された掘り込み部が設けられている、固体撮像装置を提供する。特定の光を透過するフィルタとは、例えば、ブルー（Ｂ）光を透過するブルー（Ｂ）フィルタ、グリーン光（Ｇ）光を透過するグリーン（Ｇ）フィルタ、レッド（Ｒ）光を透過するレッド（Ｒ）フィルタ、白色（Ｗ）光を透過する透明フィルタ、赤外（ＩＲ）光を透過する赤外光（ＩＲ光）用のフィルタ等が挙げられる。

本技術に係る第３の側面の固体撮像装置において、
前記有効撮像領域の中央領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分でもよい。

本技術に係る第３の側面の固体撮像装置において、
前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されてもよい。

本技術に係る第３の側面の固体撮像装置において、
該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域側の前記掘り込み部の断面視の深さ方向の形状が勾配を有してもよい。

本技術に係る第３の側面の固体撮像装置において、
前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜と、前記半導体基板との間には絶縁膜が配されていてもよい。

本技術に係る第３の側面の固体撮像装置において、
前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜が、前記半導体基板が有するＰ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域と接していてもよい。

さらにまた、本技術では、本技術に係る第１の側面の固体撮像装置、本技術に係る第２の側面又は本技術に係る第３の側面の固体撮像装置が搭載された、電子機器を提供する。

本技術によれば、固体撮像装置の更なる高画質化を実現することができる。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第２及び第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第６の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第６の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第７及び第８の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第９の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 シェーディング特性の結果を示す図である。 固体撮像装置の一例の構成を示す図である。 本技術を適用した第１〜第９の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。 本技術を適用した第１０の実施形態に係る電子機器の一例の機能ブロック図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。なお、特に断りがない限り、図面において、「上」とは図中の上方向又は上側を意味し、「下」とは、図中の下方向又は下側を意味し、「左」とは図中の左方向又は左側を意味し、「右」とは図中の右方向又は右側を意味する。また、図面については、同一又は同等の要素又は部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

説明は以下の順序で行う。
１．本技術の概要
２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）
３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）
４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）
５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）
６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）
７．第６の実施形態（固体撮像装置の例６）
８．第７の実施形態（固体撮像装置の例７）
９．第８の実施形態（固体撮像装置の例８）
１０．第９の実施形態（固体撮像装置の例９）
１１．第１０の実施形態（電子機器の例）
１２．本技術を適用した固体撮像装置の使用例
１３．内視鏡手術システムへの応用例
１４．移動体への応用例

＜１．本技術の概要＞
まず、本技術の概要について説明をする。

ＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像装置は、チップの中央にマトリクス状の撮像画素を配置した有効撮像領域を有し、その周囲部に非撮像領域を設けて構成されている。ある種の固体撮像装置の構造では、有効撮像領域と非撮像領域との境界部分において段差を有している。

このような構造を有する固体撮像装置においては、非撮像領域に設けられる配線膜や金属膜によって高くなり、有効撮像領域と非撮像領域との間で段差が生じている。このため、有効撮像領域の周辺部分では、オンチップレンズにより集光された光が光電変換部（例えばフォトダイオード（ＰＤ））の中央に入射しないという問題が発生する。つまり、金属膜の各開口部に入射光が適正に入射せず、入射光の一部が金属膜の開口部の縁で遮られることで、有効撮像領域の周辺部分の画素が中央部分の画素と比較し、感度が低下する。この結果、撮像画面の周辺部が暗くなるという現象が見られ、程度によっては感度不均一として製品不良となってしまうおそれがある。

その解決方法としては、有効撮像領域から非撮像領域にわたって配置される絶縁膜と、絶縁膜上の非撮像領域に配置される膜厚の大きい金属膜を有する固体撮像装置において、絶縁膜に対して金属膜に相当する埋め込み部を形成し、埋め込み部に金属膜を配置することにより、有効撮像領域と非撮像領域との境界部における段差を低減させている。

しかしながら、有効撮像領域と非撮像領域との境界部分段差を低減する方法には問題点がある、以下にその問題点を説明する。

ＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像装置の１つとしては、光電変換部となるフォトダイオードと複数の画素トランジスタで形成され、２次元アレイ状に配列された有効撮像領域と、周辺回路を有する非撮像領域構成されている。

また、ＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像装置の他の１つとしては、複数の画素が配列された画素領域が形成された半導体チップと、信号処理を行うロジック回路が形成された半導体チップとを電気的に接続して１つのデバイスとして構成されている。例えば、各画素セル毎にマイクロパッド有する裏面照射型のイメージセンサチップと、信号処理回路が形成されマイクロパッドを有する信号処理チップとを、マイクロバンプによって接続した半導体モジュールが挙げられる。

このような裏面照射型のイメージセンサチップと信号処理チップを接続した半導体モジュールでは、非撮像領域の金属膜下に絶縁膜層がないため、絶縁膜に対して金属膜に相当する埋め込み部を形成することで境界部における段差を低減させることは不可能である。

本技術は、以上のような状況を鑑みてなされたものである。本技術に係る固体撮像装置では、非撮像領域には周辺回路を有していないが、黒レベル確認などのため半導体基板の光入射面を覆う金属膜（遮光膜）が裏面側に形成されている。一方、有効撮像領域では、光入射側の平面視で格子状の遮光壁（遮光膜）パターンを有している。

有効撮像領域と非撮像領域との間で生じる段差に応じて、有効撮像領域と非撮像領域の境界領域及びこの境界領域の近傍で金属膜（遮光膜）下の半導体基板（シリコン基板）の表面を掘り込んで掘り込み部を設けることにより、有効撮像領域と非撮像領域との境界部における段差を低減させる。

したがって、本技術によれば、有効撮像領域と非撮像領域との境界領域及び境界領域の近傍領域（例えば、境界領域の近傍領域であって有効撮像領域）で生じる段差（例えば、オンチップレンズの膜厚が、有効撮像領域から非撮像領域方向へ盛り上がり傾向を示すこと。）を低減することにより、高画質化を図ることができ、特には、シェーディング形状を初めとする感度ムラ特性を改善することができる。

本技術について、図１０及び図１１を用いて説明をする。

図１１は、固体撮像装置の一例の構成を示す図である。

図１１（ａ）は、固体撮像装置の一例である固体撮像装置１０００の光入射側からの平面レイアウト図である。図１１（ａ）に示されるように、固体撮像装置１０００は、有効撮像領域１００１と非撮像領域１００２とを有し、非撮像領域１００２が有効撮像領域１００１の外周囲に配されている。

図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示される有効撮像領域１００１内のＦ領域の固体撮像装置１０００の断面図である。図１１（ｂ）に示されるように、光入射側から順に、オンチップレンズ６１１ｂと、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）（不図示）と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１１１ｂとが形成されている。半導体基板１１１ｂには、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。

図１１（ｃ）は、図１１（ａ）に示される有効撮像領域１００１内の有効撮像領域１００１と非撮像領域１００２との境界領域の近傍領域Ｅ２の固体撮像装置１０００の断面図である。図１１（ｃ）に示されるように、光入射側から順に、オンチップレンズ６１１ｃと、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）（不図示）と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１１１ｃとが形成されている。半導体基板１１１ｃには、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。

図１１（ｄ）は、図１１（ａ）に示される非撮像領域１００２内のＧ領域の固体撮像装置１０００の断面図である。図１１（ｄ）に示されるように、光入射側から順に、オンチップレンズ６１１ｄと、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）（不図示）と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１１１ｄとが形成されている。半導体基板１１１ｄには、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１１１ｄの光入射面（図１１中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（不図示）及び半導体基板１１１ｄとの間にベタ状（半導体基板１１１ｄの光入射面の全面）に配されている。

図１１（ｂ）〜（ｄ）に示されるように、第１遮光膜１のパターン（平面視で格子状）と第２遮光膜２のパターン（平面視でベタ状）とは異なる。図１１（ｂ）に示されるＸ１はフラット（図１１（ｂ）中では左右に水平）であり、図１１（ｄ）に示されるＸ３もフラット（図１１（ｂ）中では左右に水平）であるのに対して、図１１（ｃ）に示されるＸ２は、非撮像領域１００２に向かって上がっている（図１１（ｂ）中）で右上がり。）。すなわち、図１１（ｃ）に示されるＥ２領域は、上層膜厚差発生領域（例えば、オンチップレンズ６１１ｃの膜厚差発生の領域であり、非撮像領域１００２に向かってオンチップレンズ６１１ｃの膜厚が大きくなる。）であり、レイアウト段差の影響を受けてカラーフィルタの膜厚及びオンチップレンズの高さの局所的な変化を引き起こしている。この積層構造の差は、後述する図１０で示されるように、高い入射角度を持つ像高で、シェーディング形状が崩れる可能性がある。

図１０を用いて説明する。

図１０（ａ）は、Ｇ（グリーン）画素のシェーディング特性の結果を示すグラフであり、縦軸は出力であり、横軸はＸアドレスである。Ｘアドレスは、図１１に示されるＥ１領域及びＥ２領域を図１１中の左右方向に結んだ軸（領域）である。実線Ａは、固体撮像装置１０００のＧ（グリーン）画素のシェーディング特性の結果を示し、点線Ｂは、本技術に係る固体撮像装置のＧ（グリーン）画素のシェーディング特性の結果を示す。図１０（ａ）に示されるとおり、Ｅ１領域及びＥ２領域で、本技術に係る固体撮像装置のＧ（グリーン）画素は、固体撮像装置１０００のＧ（グリーン）画素に対して、色むらがなく、シェーディング特性が改善されていることが理解できる。

図１０（ｂ）は、Ｒ（レッド）画素のシェーディング特性の結果を示すグラフであり、縦軸は出力であり、横軸はＸアドレスである。Ｘアドレスは、図１１に示されるＥ１領域及びＥ２領域を図１１中の左右方向に結んだ軸（領域）である。実線Ａは、固体撮像装置１０００のＲ（レッド）画素のシェーディング特性の結果を示し、点線Ｂは、本技術に係る固体撮像装置のＲ（レッド）画素のシェーディング特性の結果を示す。図１０（ｂ）に示されるとおり、Ｅ１領域及びＥ２領域で、本技術に係る固体撮像装置のＲ（レッド）画素は、固体撮像装置１０００のＲ（レッド）画素に対して、色むらがなく、シェーディング特性が改善されていることが理解できる。

図１０（ｃ）は、Ｂ（ブルー）画素のシェーディング特性の結果を示すグラフであり、縦軸は出力であり、横軸はＸアドレスである。Ｘアドレスは、図１１に示されるＥ１領域及びＥ２領域を図１１中の左右方向に結んだ軸（領域）である。実線Ａは、固体撮像装置１０００のＢ（ブルー）画素のシェーディング特性の結果を示し、点線Ｂは、本技術に係る固体撮像装置のＢ（ブルー）画素のシェーディング特性の結果を示す。図１０（ｂ）に示されるとおり、Ｅ１領域及びＥ２領域で、本技術に係る固体撮像装置のＢ（ブルー）画素は、固体撮像装置１０００のＢ（ブルー）画素に対して、色むらがなく、シェーディング特性が改善されていることが理解できる。

以下に、本技術に係る実施の形態について、具体的、かつ、詳細に説明をする。

＜２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）＞
本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置について、図１を用いて説明をする。図１は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置１００）を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置１００に限定されることはない。

図１を用いて説明をする。

固体撮像装置１００は、有効撮像領域Ｐ１と、非撮像領域Ｑ１とを有する。図１中の参照符号Ｋ１は、有効撮像領域Ｐ１と、非撮像領域Ｑ１との境界領域を示す。

有効撮像領域Ｐ１において、光入射側から順に、オンチップレンズ６１−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１１−１とが形成されている。半導体基板１１−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。第１遮光膜１は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

非撮像領域Ｑ１において、光入射側から順に、オンチップレンズ６１−２と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１１−２とが形成されている。半導体基板１１−２には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１１−２の光入射面Ｊ１（図１中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜５−１及び半導体基板１１−２との間にベタ状（半導体基板１１−２の光入射面Ｊ１の全面）に配されている。第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ１は、半導体基板１１−２の光入射面Ｊ１を、有効撮像領域Ｐ１と非撮像領域Ｑ１との境界領域Ｋ１を開始位置として、非撮像領域Ｑ１の外側に向かって（図１中では右方向）、半導体基板１１-２の深さ方向（図１中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ１の形成により、半導体基板１１−２の厚み（図１中の上下方向の長さ）は、半導体基板１１−１の厚み（図１中の上下方向の長さ）より小さくなっている。

そして、掘り込み部Ｈ１の形成により、カラーフィルタ（例えば、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４）の膜厚及びオンチップレンズ（例えば、オンチップレンズ６１−１）の高さの面位置の段差が低減され、有効撮像領域Ｐ１の中央領域と、有効撮像領域Ｐ１と該非撮像領域Ｑ１との境界領域Ｋ１及び境界領域Ｋ１の近傍領域とのオンチップレンズ６１−１の光入射側の上端部位置の差分（図１中のｔ２（境界領域Ｋ１及び境界領域Ｋ１の近傍領域の高さに対応）−ｔ１（有効撮像領域Ｐ１の中央領域の高さに対応）＝ｄ１）が１００ｎｍ以下になっている。

以上、本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、後述する本技術に係る第２〜第９の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）＞
本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置について、図２（ａ）を用いて説明をする。図２（ａ）は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置２００ａ）を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置２００ａに限定されることはない。

図２（ａ）を用いて説明をする。

固体撮像装置２００ａは、有効撮像領域Ｐ２と、非撮像領域Ｑ２及びＱ３とを有する。図２中の参照符号Ｋ２は、有効撮像領域Ｐ１と、非撮像領域Ｑ２及びＱ３との境界領域を示す。

有効撮像領域Ｐ２において、光入射側から順に、オンチップレンズ６２ａ−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１２ａ−１とが形成されている。半導体基板１２ａ−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。第１遮光膜１は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

非撮像領域Ｑ２において、光入射側から順に、オンチップレンズ６２ａ−２−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１２ａ−２−１とが形成されている。半導体基板１２ａ−２−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１２ａ−２−１の光入射面Ｊ２ａ（図２（ａ）中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜５−１及び半導体基板１２ａ−２−１との間にベタ状（半導体基板１２ａ−２−１の光入射面Ｊ２ａの全面）に配されている。非撮像領域Ｑ２中の第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

非撮像領域Ｑ３において、光入射側から順に、オンチップレンズ６２ａ−２−２と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１２ａ−２−２とが形成されている。半導体基板１２ａ−２−２には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１２ａ−２−２の光入射面Ｊ２ａ（図２（ａ）中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜５−１及び半導体基板１２ａ−２−２との間にベタ状（半導体基板１２−２ａ−２の光入射面Ｊ２ａの全面）に配されている。非撮像領域Ｑ３中の第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ２ａは、半導体基板１２ａ−２−２の光入射面Ｊ２ａを、非撮像領域Ｑ３の掘り込み開始位置Ｌ１から非撮像領域Ｑ３の外側に向かって（図２（ａ）中では右方向）、半導体基板１２ａ−２-２の深さ方向（図２（ａ）中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ２ａの形成により、半導体基板１２ａ−２−２の厚み（図２（ａ）中の上下方向の長さ）は、半導体基板１２ａ−１及び１２ａ−２−１の厚み（図１中の上下方向の長さ）より小さくなっている。なお、掘り込み部は、半導体基板１２ａ−１の光入射面（図２（ａ）中の上側の面）を、有効撮像領域Ｐ２の掘り込み開始位置から有効撮像領域Ｐ２の中央領域に向かって（図２（ａ）中では左方向）、半導体基板１２ａ−１の深さ方向（図２（ａ）中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されていてもよい。

掘り込み部Ｈ２ａの形成により、カラーフィルタ（例えば、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４）の膜厚及びオンチップレンズ（例えば、オンチップレンズ６２ａ−１）の高さの面位置の段差が低減され、有効撮像領域Ｐ２の中央領域と、有効撮像領域Ｐ２と非撮像領域Ｑ２との境界領域Ｋ２及び境界領域Ｋ２の近傍領域とのオンチップレンズ６２ａ―１の光入射側の上端部位置の差分（図２（ａ）中のｔ４（境界領域Ｋ２及び境界領域Ｋ２の近傍領域に対応）−ｔ３（有効撮像領域Ｐ２の中央領域に対応）＝ｄ２）が１００ｎｍ以下になっている。

以上、本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第３〜第９の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）＞
本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置について、図２（ｂ）を用いて説明をする。図２（ｂ）は、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置２００ｂ）を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置２００ｂに限定されることはない。

図２（ｂ）を用いて説明をする。

固体撮像装置２００ｂは、有効撮像領域Ｐ３及びＰ４と、非撮像領域Ｑ４とを有する。図２中の参照符号Ｋ２は、有効撮像領域Ｐ３及びＰ４と、非撮像領域Ｑ４との境界領域を示す。

有効撮像領域Ｐ３において、光入射側から順に、オンチップレンズ６２ｂ−１−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１２ｂ−１−１とが形成されている。半導体基板１２ｂ−１−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素に格子状に配されている。第１遮光膜１は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

有効撮像領域Ｐ４において、光入射側から順に、オンチップレンズ６２ｂ−１−２と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１２ｂ−１−２とが形成されている。半導体基板１２ｂ−１−２には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素に格子状に配されている。

掘り込み部Ｈ２ｂ−１は、半導体基板１２ｂ−１−２の光入射面Ｊ２ｂ−１を、有効撮像領域Ｐ３の掘り込み開始位置Ｌ１から、有効撮像領域Ｐ３と非撮像領域Ｑ４との境界領域Ｋ２及び境界領域Ｋ２の近傍領域まで、半導体基板１２ａ−１-２の深さ方向（図２（ｂ）中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ２ｂ−１の形成により、半導体基板１２ｂ−２の厚み（図２（ｂ）中の上下方向の長さ）は、半導体基板１２ｂ−１−１の厚み（図２（ｂ）中の上下方向の長さ）より小さくなっている。そして、半導体基板１２ｂ−２の厚み（図２（ｂ）中の上下方向の長さ）は、半導体基板１２ｂ−１−２の厚み（図２（ｂ）中の上下方向の長さ）と略同等になっている。

非撮像領域Ｑ４において、光入射側から順に、オンチップレンズ６２ｂ−２と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１２ｂ−２とが形成されている。半導体基板１２ｂ−２には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１２ｂ−２の光入射面Ｊ２ｂ（図２（ｂ）中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜５−１及び半導体基板１２ｂ−２との間にベタ状（半導体基板１２ｂ−２の光入射面Ｊ２ｂの全面）に配されている。第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ２ｂ−２は、半導体基板１２ｂ−２の光入射面Ｊ２ｂを、半導体基板１２ｂ−２の深さ方向（図２（ｂ）中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。なお、掘り込み部Ｈ２ｂ−２は、前述した掘り込み部Ｈ２ｂ−１から連続的に形成されている。掘り込み部Ｈ２ｂ−２の形成により、半導体基板１２ｂ−２の厚み（図２（ｂ）中の上下方向の長さ）は、半導体基板１２ｂ−１−１の厚み（図２（ｂ）中の上下方向の長さ）より小さくなっている。そして、半導体基板１２ｂ−２の厚み（図２（ｂ）中の上下方向の長さ）は、半導体基板１２ｂ−１−２の厚み（図２（ｂ）中の上下方向の長さ）と略同等になっている。

掘り込み部Ｈ２ｂ−１及びＨ２ｂ−２の形成により、カラーフィルタ（例えば、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４）の膜厚及びオンチップレンズ（例えば、オンチップレンズ６２ｂ−１−１）の高さの面位置の段差が低減され、有効撮像領域Ｐ４の中央領域と、有効撮像領域Ｐ３と非撮像領域Ｑ４との境界領域Ｋ２及び境界領域Ｋ２の近傍領域とのオンチップレンズ６２ｂ―１−１の光入射側の上端部位置の差分（図２（ｂ）中のｔ６（境界領域Ｋ２及び境界領域Ｋ２の近傍領域に対応）−ｔ５（有効撮像領域Ｐ４の中央領域に対応）＝ｄ２）が１００ｎｍ以下になっている。

以上、本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第２の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第４〜第９の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）＞
本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置について、図３を用いて説明をする。図３は、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置３００）を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置３００に限定されることはない。

まず、図３（ａ）を用いて説明をする。

固体撮像装置３００は、有効撮像領域Ｐ５と、非撮像領域Ｑ５とを有する。図３中の参照符号Ｋ３は、有効撮像領域Ｐ５と、非撮像領域Ｑ５との境界領域を示す。

有効撮像領域Ｐ５において、光入射側から順に、オンチップレンズ６３ａ−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１３ａ−１とが形成されている。半導体基板１３ａ−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。第１遮光膜１は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

非撮像領域Ｑ５において、光入射側から順に、オンチップレンズ６３ａ−２と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１３ａ−２とが形成されている。半導体基板１３ａ−２には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１３ａ−２の光入射面Ｊ３ａ（図３（ａ）中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜５−１及び半導体基板１２ｂ−２との間にベタ状（半導体基板１２ｂ−２の光入射面Ｊ３ａの全面）に配されている。第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ３ａは、半導体基板１３ａ−２の光入射面Ｊ３ａを、有効撮像領域Ｐ５と該非撮像領域Ｑ５との境界領域Ｋ３を開始位置として、非撮像領域Ｑ５の外側に向かって（図３中では右方向）、半導体基板１３ａ-２の深さ方向（図３中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ３ａの形成により、半導体基板１３ａ−２の厚み（図３（ａ）中の上下方向の長さ）は、半導体基板１３ａ−１の厚み（図３（ａ）中の上下方向の長さ）より小さくなっている。掘り込み部Ｈ３ａにおいて、開始地点の掘り込みは、境界領域Ｋ３及び境界領域Ｋ３の近傍領域での急峻な半導体基板の膜厚変動が生じないように、半導体基板の深さ方向の直下方向に掘り込むのではなく、半導体基板の断面視で勾配をつけて（例えば逆テーパ形状）に掘り込んでもよい。詳細については図３（ｂ）で説明をする。

そして、掘り込み部Ｈ３ａの形成により、カラーフィルタ（例えば、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４）の膜厚及びオンチップレンズ（例えば、オンチップレンズ６３ａ−１）の高さの面位置の段差が低減される。

次に、図３（ｂ）を用いて説明をする。図３（ｂ）は、図３（ａ）中に示されるＩ部分の一部の拡大断面図である。

図３（ｂ）中の参照符号１３ｂ−１は、有効撮像領域Ｐ５に形成される半導体基板１３ｂ−１を示し、参照符号１３ｂ−２は、非撮像領域Ｑ５に形成される半導体基板１３ｂ−２を示す。

掘り込み部Ｈ３ｂは、半導体基板１３ｂ−２の光入射面Ｊ３ｂを、有効撮像領域Ｐ５と該非撮像領域Ｑ５との境界領域Ｋ３を開始位置として、非撮像領域Ｑ５の外側に向かって（図３中では右方向）、半導体基板１３ｂ-２の深さ方向（図３中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。図３（ｂ）に示されるように、掘り込み部Ｈ３ｂにおいて、開始地点の掘り込みは、境界領域Ｋ３及び境界領域Ｋ３の近傍領域での急峻な半導体基板の膜厚変動が生じないように、半導体基板の深さ方向の直下方向に掘り込むのではなく、半導体基板の断面視で勾配をつけて、参照符号Ｚ線を基準にして逆テーパ形状Ｓを形成するように掘り込んでいる。なお、掘り込み部Ｈ３ｂは、非撮像領域Ｑ５のみに形成されてもよい。

以上、本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第３の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第５〜第９の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）＞
本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置について、図４及び図５を用いて説明をする。図４は、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置４００）を示す平面レイアウト図である。図５中における、図５（ａ）は、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置５００ａ）を示す断面図であり、図５（ｂ）は、図４に示されるｎ１−ｎ２線に従った半導体基板１５ａ―１ｂ、１５ａ−２−１ｂ及び１５ａ−２−２ｂの断面図であり、図５（ｃ）は、図４に示されるｎ３−ｎ４線に従った半導体基板１５ａ―１ｃ、１５ａ−２−１ｃ及び１５ａ−２−２ｃの断面図であり、図５（ｄ）は、図４に示されるｎ５−ｎ６線に従った半導体基板１５ａ―１ｄ、１５ａ−２−１ｄ及び１５ａ−２−２ｄの断面図であり、図５（ｅ）は、図４に示されるｎ７−ｎ８線に従った半導体基板１５ａ―１ｅ、１５ａ−２−１ｅ及び１５ａ−２−２ｅの断面図である。参照符号Ｐ６は、有効撮像領域を示し、参照符号Ｑ６は、掘り込み部が形成された非撮像領域を示し、参照符号Ｑ７は、非撮像領域を示す。
ところで、当然のことながら、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置４００又は固体撮像装置５００ａに限定されることはない。

まず、図４を用いて説明をする。図４は、固体撮像装置４００の光入射側からの平面レイアウト図である。図４に示されるように、固体撮像装置４００は、有効撮像領域４０１と非撮像領域４０２とを有し、非撮像領域４０２が有効撮像領域４０１の外周囲に配されている。

図４に示される、辺４０３ａと、辺４０３ｂと、辺４０３ｃと、辺４０３ｄとの計４辺は、有効撮像領域４０１と非撮像領域４０２との境界領域及び境界領域の近傍領域の非撮像領域４０２の内で矩形を形成している。

次に、図５を用いて説明をする。

図５（ａ）に示される固体撮像装置５００ａは、有効撮像領域Ｐ６と、非撮像領域Ｑ６及びＱ７とを有する。図５（ａ）中の参照符号Ｋ５は、有効撮像領域Ｐ６と、非撮像領域Ｑ６及びＱ７との境界領域を示す。

有効撮像領域Ｐ６において、光入射側から順に、オンチップレンズ６５ａ−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１５ａ−１とが形成されている。半導体基板１５ａ−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。第１遮光膜１は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

非撮像領域Ｑ６において、光入射側から順に、オンチップレンズ６５ａ−２−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１（図５（ａ）中では不図示）と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１５ａ−２−１とが形成されている。半導体基板１５ａ−２−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）（図５（ａ）中では不図示）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１５ａ−２−１の光入射面Ｊ５ａ（図５（ａ）中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜５−１（不図示）及び半導体基板１５ａ−２−１との間にベタ状（半導体基板１５ａ−２−１の光入射面Ｊ５ａの全面）に配されている。第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ５ａは、半導体基板１５ａ−２−１の光入射面Ｊ５ａを、有効撮像領域Ｐ６と非撮像領域Ｑ６との境界領域Ｋ５を開始位置として、非撮像領域Ｑ６の外側に向かって（図５（ａ）中では右方向）、掘り込み終了位置Ｍ１（非撮像領域Ｑ６と非撮像領域Ｑ７との境界領域に相当する。）まで、半導体基板１５ａ-２−１の深さ方向（図５（ａ）中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ５ａの形成により、半導体基板１５ａ−２−１の厚み（図５（ａ）中の上下方向の長さ）は、半導体基板１５ａ−１の厚み（図５（ａ）中の上下方向の長さ）より小さくなっている。また、半導体基板１５ａ−２−１の厚み（図５（ａ）中の上下方向の長さ）は、後述する掘り込み部が形成されていない半導体基板１５ａ−２−２の厚み（図２（ｂ）中の上下方向の長さ）より小さくなっている。

そして、掘り込み部Ｈ５ａの形成により、カラーフィルタ（例えば、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４）の膜厚及びオンチップレンズ（例えば、オンチップレンズ６５ａ−１）の高さの面位置の段差が低減される。

図５（ｂ）を用いて説明をする。前述したように、図５（ｂ）は、図４に示されるｎ２−ｎ１線に従った半導体基板１５ａ―１ｂ、１５ａ−２−１ｂ及び１５ａ−２−２ｂの断面図である。半導体基板１５ａ―１ｂは有効撮像領域Ｐ６に形成され、半導体基板１５ａ−２−１ｂは非撮像領域Ｑ６に形成され、半導体基板１５ａ−２−２ｂは非撮像領域Ｑ７に形成されている。

掘り込み部Ｈ５ｂは、半導体基板１５ａ−２−１ｂの光入射面Ｊ５ｂを、半導体基板１５ａ-２−１ｂの厚さがｄ５ｂになるまで、掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ５ｂの幅（図５（ｂ）中の左右方向の長さ）は、非撮像領域Ｑ６の領域幅に該当し、辺４０３ａの幅（図４中の上下方向の長さ）に該当する。すなわち、辺４０３ａの全体領域に掘り込み部Ｈ５ｂが形成されている。

図５（ｃ）を用いて説明をする。前述したように、図５（ｃ）は、図４に示されるｎ４−ｎ３線に従った半導体基板１５ａ―１ｃ、１５ａ−２−１ｃ及び１５ａ−２−２ｃの断面図である。半導体基板１５ａ―１ｃは有効撮像領域Ｐ６に形成され、半導体基板１５ａ−２−１ｃは非撮像領域Ｑ６に形成され、半導体基板１５ａ−２−２ｃは非撮像領域Ｑ７に形成されている。

掘り込み部Ｈ５ｃは、半導体基板１５ａ−２−１ｃの光入射面Ｊ５ｃを、半導体基板１５ａ-２−１ｃの厚さがｄ５ｃになるまで、掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ５ｃの幅（図５（ｃ）中の左右方向の長さ）は、非撮像領域Ｑ６の領域幅に該当し、辺４０３ｂの幅（図４中の左右方向の長さ）に該当する。すなわち、辺４０３ｂの全体領域に掘り込み部Ｈ５ｃが形成されている。

図５（ｄ）を用いて説明をする。前述したように、図５（ｄ）は、図４に示されるｎ６−ｎ５線に従った半導体基板１５ａ―１ｄ、１５ａ−２−１ｄ及び１５ａ−２−２ｄの断面図である。半導体基板１５ａ―１ｄは有効撮像領域Ｐ６に形成され、半導体基板１５ａ−２−１ｄは非撮像領域Ｑ６に形成され、半導体基板１５ａ−２−２ｄは非撮像領域Ｑ７に形成されている。

１５ａ−２−１ｄの光入射面ｄ５ｄを掘り込んでいなく、掘り込み部は形成されていない。すなわち、辺４０３ｂの全体領域には掘り込み部は形成されておらず、辺４０３ｃは画素として用いられ、例えば、当該画素は黒レベルの確認として用いられる。

図５（ｅ）を用いて説明をする。前述したように、図５（ｅ）は、図４に示されるｎ８−ｎ７線に従った半導体基板１５ａ―１ｅ、１５ａ−２−１ｅ及び１５ａ−２−２ｅの断面図である。半導体基板１５ａ―１ｅは有効撮像領域Ｐ６に形成され、半導体基板１５ａ−２−１ｅは非撮像領域Ｑ６に形成され、半導体基板１５ａ−２−２ｅは非撮像領域Ｑ７に形成されている。

掘り込み部Ｈ５ｅは、半導体基板１５ａ−２−１ｅの光入射面Ｊ５ｅを、半導体基板１５ａ-２−１ｅの厚さがｄ５ｅになるまで、掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ５ｅの幅（図５（ｅ）中の左右方向の長さ）は、非撮像領域Ｑ６の領域幅に該当し、辺４０３ｄの幅（図４中の左右方向の長さ）に該当する。すなわち、辺４０３ｄの全体領域に掘り込み部Ｈ５ｅが形成されている。

掘り込み部Ｈ５ｂの厚さｄ５ｂ、掘り込み部Ｈ５ｃの厚さｄ５ｃ及び掘り込み部Ｈ５ｅの厚さｄ５ｅは、有効撮像領域の中央領域に対応するオンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、境界領域に対応するオンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分であれば限定されずに随意でよい。また、掘り込み部Ｈ５ｂの幅、掘り込み部Ｈ５ｃの幅及び掘り込み部Ｈ５ｅの幅も、有効撮像領域の中央領域に対応するオンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、境界領域に対応するオンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分であれば限定されずに随意でよい。さらに、厚さの大きさは、ｄ５ｂ＜ｄ５ｅ＜ｄ５ｃであるが、この厚さの大きさの序列に限定されることはない。

図４に示される、辺４０３ａと、辺４０３ｂと、辺４０３ｃと、辺４０３ｄとの計４辺のうち、画素としては、辺４０３ｃを用いているが、辺４０３ａ、辺４０３ｂ及び辺４０３ｄのどれか１つの辺を画素として用いてもよいし、辺４０３ａ、辺４０３ｂ、辺４０３ｃ及び辺４０３ｄのうち、いずれか２つ以上の辺を画素として用いてもよい。

以上、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第４の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第６〜第９の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜７．第６の実施形態（固体撮像装置の例６）＞
本技術に係る第６の実施形態の固体撮像装置について、図６及び図７を用いて説明をする。図６は、本技術に係る第６の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置６００）を示す断面図である。図７中の図７（ａ）は、本技術に係る第６の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置７００ａ）を示す平面レイアウト図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示されるｎ９−ｎ１０線に従った半導体基板１７―１ｂ、１７−２−１ｂ及び１７−２−２ｂの断面図であり、図７（ｃ）は、図７（ａ）に示されるｎ１１−ｎ１２線に従った半導体基板１７―１ｃ、１７−２−１ｃ及び１７−２−２ｃの断面図である。参照符号Ｐ７、有効撮像領域を示し、参照符号Ｑ８は、掘り込み部が形成された非撮像領域を示し、参照符号Ｑ９は、掘り込み部が形成された非撮像領域を示す。ところで、当然のことながら、本技術に係る第６の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置６００又は固体撮像装置７００ａに限定されることはない。

まず、図６を用いて説明をする。

固体撮像装置６００は、有効撮像領域Ｐ７と、非撮像領域Ｑ８及びＱ９とを有する。図６中の参照符号Ｋ６は、有効撮像領域Ｐ７と、非撮像領域Ｑ８及びＱ９との境界領域を示す。

有効撮像領域Ｐ７において、光入射側から順に、オンチップレンズ６６−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１６−１とが形成されている。半導体基板１６−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。第１遮光膜１は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

非撮像領域Ｑ８において、光入射側から順に、オンチップレンズ６６−２−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１６−２−１とが形成されている。半導体基板１６−２−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１６−２−１の光入射面Ｊ６−１（図６中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜５−１（不図示）及び半導体基板１６−２−１との間にベタ状（半導体基板１６−２−１の光入射面Ｊ６−１の全面）に配されている。非撮像領域Ｑ８中の第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ６−１は、半導体基板１６−２−１の光入射面Ｊ６−１を、有効撮像領域Ｐ７と非撮像領域Ｑ８との境界領域Ｋ６を開始位置として、非撮像領域Ｑ８の外側に向かって（図６中では右方向）、掘り込み終了位置Ｎ１（非撮像領域Ｑ８と非撮像領域Ｑ９との境界領域に相当する。）まで、半導体基板１６−２−１の深さ方向（図６中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ６−１の形成により、半導体基板１６−２−１の厚み（図６中の上下方向の長さ）は、半導体基板１６−１の厚み（図６中の上下方向の長さ）より小さくなっている。なお、半導体基板１６−２−１の厚み（図６中の上下方向の長さ）は、後述する、階段状に、掘り込み部Ｈ６−１より更に深く（図６中の下方向）掘り込んでいる掘り込み部Ｈ６−２が形成されている半導体基板１６−２−２の厚み（図６中の上下方向の長さ）よりは大きくなっている。

非撮像領域Ｑ９において、光入射側から順に、オンチップレンズ６６−２−２と、反射防止膜７（例えば窒化ケイ素膜）と赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１６−２−２とが形成されている。半導体基板１６−２−２には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１６−２−２の光入射面Ｊ６−２（図６中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜５−１（不図示）及び半導体基板１６−２−２との間にベタ状（半導体基板１６−２−２の光入射面Ｊ６−２の全面）に配されている。非撮像領域Ｑ９中の第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ６−２は、半導体基板１６−２−２の光入射面Ｊ６−２を、非撮像領域Ｑ８と非撮像領域Ｑ９との境界領域Ｎ１を開始位置として、非撮像領域Ｑ９の外側に向かって（図６中では右方向）、半導体基板１６−２−２の深さ方向（図６中の下方向）に、略均一な深さであって、掘り込み部６−１の掘り込み深さよりもより深くに、掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ６−２の形成により、半導体基板１６−２−２の厚み（図６中の上下方向の長さ）は、半導体基板１６−１の厚み（図６中の上下方向の長さ）より小さくなっている。また、半導体基板１６−２−２の厚み（図６中の上下方向の長さ）は、掘り込み部Ｈ６−２が、掘り込み部Ｈ６−１より更に深く（図６中の下方向）不連続的に階段状に更に掘り込んでいるので、半導体基板１６−２−１の厚み（図６中の上下方向の長さ）より小さくなっている。

以上、２段構成を有する掘り込み部Ｈ６−１及び掘り込み部６−２の形成により、カラーフィルタ（例えば、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４）の膜厚及びオンチップレンズ（例えば、オンチップレンズ６６−１）の高さの面位置の段差が低減される。

次に、図７を用いて説明をする。

まず、図７（ａ）を用いて説明をする。図７（ａ）は、前述したように、固体撮像装置７００ａの光入射側からの平面レイアウト図である。図７（ａ）に示されるように、固体撮像装置７００ａは、有効撮像領域７０１ａと非撮像領域７０２ａとを有し、非撮像領域７０２ａが有効撮像領域７０１ａの外周囲に配されている。

図７（ａ）に示される、辺７０３ａと、辺７０３ｂと、辺７０３ｃと、辺７０３ｄとの計４辺は、有効撮像領域７０１ａと非撮像領域７０２ａとの境界領域及び境界領域の近傍領域の非撮像領域７０２ａの内で矩形を形成している。

図７（ｂ）を用いて説明をする。前述したように、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示されるｎ１０−ｎ９線に従った半導体基板１７―１ｂ、１７−２−１ｂ及び１７−２−２ｂの断面図である。半導体基板１７―１ｂは有効撮像領域Ｐ７に形成され、半導体基板１７−２−１ｂは非撮像領域Ｑ８に形成され、半導体基板１７−２−２ｂは非撮像領域Ｑ９に形成されている。

掘り込み部Ｈ７ｂは、半導体基板１７−２−１ｂの光入射面Ｊ７ｂを、断面視で階段状であって、Ｑ８領域のＰ７領域側からＱ８領域のＱ９側になるに従って、掘り込みが深く（図７（ｂ）中の下方向）になるように、掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ７ｂの幅（図７（ｂ）中の左右方向の長さ）は、非撮像領域Ｑ８の領域幅に該当し、辺７０３ｂの幅（図７（ａ）中の左右方向の長さ）に該当する。すなわち、辺７０３ｂの全体領域に掘り込み部Ｈ７ｂが形成されている。なお、掘り込み部Ｈ７ｂは、辺７０３ａ、辺７０３ｃ及び辺７０３ｄのいずれか１つの辺に形成されてもよいし、掘り込み部Ｈ７ｂは、辺７０３ａ、辺７０３ｂ、辺７０３ｃ及び辺７０３ｄのいずれか２つ以上の辺に形成されてもよい。掘り込み部Ｈ７ｂの形成により、有効撮像領域Ｐから非撮像領域Ｑまでの領域範囲で急峻な膜厚変動をより防ぐことができる。

図７（ｃ）を用いて説明をする。前述したように、図７（ｃ）は、図７（ａ）に示されるｎ１２−ｎ１１線に従った半導体基板１７―１ｃ、１７−２−１ｃ及び１７−２−２ｃの断面図である。半導体基板１７―１ｃは有効撮像領域Ｐ７に形成され、半導体基板１７−２−１ｃは非撮像領域Ｑ８に形成され、半導体基板１７−２−２ｃは非撮像領域Ｑ９に形成されている。

掘り込み部Ｈ７ｃは、半導体基板１７−２−１ｂの光入射面Ｊ７ｃを、断面視で傾斜（勾配）をつけて、Ｑ８領域のＰ７領域側からＱ８領域のＱ９側になるに従って、掘り込みが深く（図７（ｂ）中の下方向）になるように、掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ７ｃの幅（図７（ｃ）中の左右方向の長さ）は、非撮像領域Ｑ８の領域幅に該当し、辺７０３ｂの幅（図７（ａ）中の左右方向の長さ）に該当する。すなわち、辺７０３ｂの全体領域に掘り込み部Ｈ７ｂが形成されている。なお、掘り込み部Ｈ７ｃは、辺７０３ａ、辺７０３ｃ及び辺７０３ｄのいずれか１つの辺に形成されてもよいし、掘り込み部Ｈ７ｃは、辺７０３ａ、辺７０３ｂ、辺７０３ｃ及び辺７０３ｄのいずれか２つ以上の辺に形成されてもよい。掘り込み部Ｈ７ｃの形成により、有効撮像領域Ｐから非撮像領域Ｑまでの領域範囲で急峻な膜厚変動をより防ぐことができる。

以上、本技術に係る第６の実施形態（固体撮像装置の例６）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第５の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第７〜第９の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜８．第７の実施形態（固体撮像装置の例７）＞
本技術に係る第７の実施形態の固体撮像装置について、図８（ａ）を用いて説明をする。図８（ａ）は、本技術に係る第７の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置８００ａ）を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第７の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置８００ａに限定されることはない。

図８（ａ）を用いて説明をする。

固体撮像装置８００ａは、有効撮像領域Ｐ８と、非撮像領域Ｑ１０とを有する。図８（ａ）中の参照符号Ｋ８は、有効撮像領域Ｐ８と、非撮像領域Ｑ１０との境界領域を示す。

有効撮像領域Ｐ８において、光入射側から順に、オンチップレンズ６８ａ−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１８ａ−１とが形成されている。半導体基板１８ａ−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。第１遮光膜１は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

非撮像領域Ｑ１０において、光入射側から順に、オンチップレンズ６８ａ−２と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１８−２とが形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１８ａ−２に形成されたＰ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域１８０ａ−２の光入射面Ｊ１（図１中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、Ｐ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域１８０ａ−２との間にベタ状（Ｐ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域１８０ａ−２の光入射面Ｊ８ａの全面）に配されている。第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ８ａは、半導体基板１８ａ−２（Ｐ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域１８０ａ−２）の光入射面Ｊ８ａを、有効撮像領域Ｐ８と該非撮像領域Ｑ１０との境界領域Ｋ８を開始位置として、非撮像領域Ｑ１０の外側に向かって（図８（ａ）中では右方向）、半導体基板１８ａ-２の深さ方向（図８（ａ）中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ８ａの形成により、半導体基板１８ａ−２の厚み（図８（ａ）中の上下方向の長さ）は、半導体基板１８ａ−１の厚み（図８（ａ）中の上下方向の長さ）より小さくなっている。なお、掘り込み部Ｈ８ａは、非撮像領域Ｑ１０のみに形成されてもよい。

そして、掘り込み部Ｈ８ａの形成により、カラーフィルタ（例えば、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４）の膜厚及びオンチップレンズ（例えば、オンチップレンズ６８ａ−１）の高さの面位置の段差が低減される。

固体撮像装置８００ａの製造方法においては、絶縁膜５（５−１）形成した後に、絶縁膜５（５−１）を除去しながら、半導体基板１８ａ−２を光入射面Ｊ８ａから掘り込んで掘り込み部を形成する。したがって、遮光膜２と半導体基板１８ａ−２とが接触して導通することになることを防止するために、遮光膜２の直下には、Ｐ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域１８０ａ−２を形成して、遮光膜２は、Ｐ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域１８０ａ−２以外とは接触しないようにする。

以上、本技術に係る第７の実施形態（固体撮像装置の例７）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第６の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第８〜第９の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜９．第８の実施形態（固体撮像装置の例８）＞
本技術に係る第８の実施形態の固体撮像装置について、図８（ｂ）を用いて説明をする。図８（ｂ）は、本技術に係る第８の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置８００ｂ）を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第８の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置８００ｂに限定されることはない。

図８（ｂ）を用いて説明をする。

固体撮像装置８００ｂは、有効撮像領域Ｐ９と、非撮像領域Ｑ１１とを有する。図８（ｂ）中の参照符号Ｋ８は、有効撮像領域Ｐ９と、非撮像領域Ｑ１１との境界領域を示す。

有効撮像領域Ｐ９において、光入射側から順に、オンチップレンズ６８ｂ−１と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１８ｂ−１とが形成されている。半導体基板１８ｂ−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。第１遮光膜１は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

非撮像領域Ｑ１１において、光入射側から順に、オンチップレンズ６８ｂ−２と、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１８ｂ−２とが形成されている。半導体基板１８ｂ−２には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１８ｂ−２の光入射面Ｊ８ｂ（図８（ｂ）中では上側の面）を覆うように、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４と、絶縁膜５−１及び半導体基板１８ｂ−２との間にベタ状（半導体基板１８ｂ−２の光入射面Ｊ８ｂの全面）に配されている。第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ８ｂは、半導体基板１８ｂ−２の光入射面Ｊ８ｂを、有効撮像領域Ｐ９と該非撮像領域Ｑ１１との境界領域Ｋ８を開始位置として、非撮像領域Ｑ１１の外側に向かって（図８（ｂ）中では右方向）、半導体基板１８-２ｂの深さ方向（図８（ｂ）中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ８ｂの形成により、半導体基板１８ｂ−２の厚み（図８（ｂ）中の上下方向の長さ）は、半導体基板１８ｂ−１の厚み（図８（ｂ）中の上下方向の長さ）より小さくなっている。なお、掘り込み部Ｈ８ｂは、非撮像領域Ｑ１１のみに形成されてもよい。

そして、掘り込み部Ｈ８ｂの形成により、カラーフィルタ（例えば、赤色カラーフィルタ３及び緑色カラーフィルタ４）の膜厚及びオンチップレンズ（例えば、オンチップレンズ６８ｂ−１）の高さの面位置の段差が低減される。

固体撮像装置８００ｂの製造方法においては、まず、半導体基板１８ｂ−２を光入射面Ｊ８ｂから掘り込んで掘り込み部を形成する。そして、絶縁膜５（５−１）形成する。したがって、遮光膜２と半導体基板１８ａ−２との間には絶縁膜（層間絶縁膜）が配されるので、遮光膜２と半導体基板１８ａ−２とは導通しない。

以上、本技術に係る第８の実施形態（固体撮像装置の例８）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第７の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第９の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜１０．第９の実施形態（固体撮像装置の例９）＞
本技術に係る第９の実施形態の固体撮像装置について、図９を用いて説明をする。図９は、本技術に係る第９の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置９００）を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第９の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置９００に限定されることはない。

図９を用いて説明をする。

固体撮像装置９００は、有効撮像領域Ｐ１０と、非撮像領域Ｑ１２とを有する。図９中の参照符号Ｋ９は、有効撮像領域Ｐ１０と、非撮像領域Ｑ１２との境界領域を示す。

有効撮像領域Ｐ１０において、光入射側から順に、オンチップレンズ６９−１と、透明フィルタ３４（オンチップレンズ６９−１の一部から形成されていてもよい。）と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１９−１とが形成されている。半導体基板１９−１には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。赤色カラーフィルタ３と緑色カラーフィルタ４との間には第１遮光膜１が配されている。第１遮光膜１は、光入射側からの平面視で画素間に格子状に配されている。第１遮光膜１は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

非撮像領域Ｑ１２において、光入射側から順に、オンチップレンズ６９−２と、透明フィルタ３４（オンチップレンズ６９−２の一部から形成されていてもよい。）と、絶縁膜（例えば酸化膜）５−１と、光電変換部（不図示）が形成された半導体基板１９−２とが形成されている。半導体基板１９−２には、画素を区分するように、トレンチ構造を有する絶縁膜５（例えば酸化膜）が形成されている。第２遮光膜２は、半導体基板１９−２の光入射面Ｊ９（図９中では上側の面）を覆うように、透明フィルタ３４（オンチップレンズ６９−２）と、絶縁膜５−１及び半導体基板１９−２との間にベタ状（半導体基板１９−２の光入射面Ｊ９の全面）に配されている。第２遮光膜２は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてよい。

掘り込み部Ｈ９は、半導体基板１９−２の光入射面Ｊ９を、有効撮像領域Ｐ１０と該非撮像領域Ｑ１２との境界領域Ｋ９を開始位置として、非撮像領域Ｑ１２の外側に向かって（図９中では右方向）、半導体基板１９-２の深さ方向（図９中の下方向）に、略均一な深さで掘り込んで形成されている。掘り込み部Ｈ９の形成により、半導体基板１９−２の厚み（図９中の上下方向の長さ）は、半導体基板１９−１の厚み（図９中の上下方向の長さ）より小さくなっている。なお、掘り込み部Ｈ９は、非撮像領域Ｑ１２のみに形成されてもよい。

そして、掘り込み部Ｈ９の形成により、透明フィルタ３４の膜厚及びオンチップレンズ（例えば、オンチップレンズ６９−１）の高さの面位置の段差が低減される。

固体撮像装置９００は、透明フィルタ３４を有して、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ Ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ)用途であり、半導体基板の掘り込みによる段差の低減は、カラーフィルタ（例えば、ブルー（Ｂ）フィルタ、グリーン（Ｇ）フィルタ、レッド（Ｒ）フィルタ等）を有する固体撮像装置に限定されることはない。

以上、本技術に係る第９の実施形態（固体撮像装置の例９）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第８の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜１１．第１０の実施形態（電子機器の例）＞
本技術に係る第１０の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１の実施形態〜第９の実施形態の固体撮像装置のうち、いずれか一つ実施形態の固体撮像装置が搭載された電子機器である。

＜１２．本技術を適用した固体撮像装置の使用例＞
図１２は、イメージセンサ（固体撮像装置）としての本技術に係る第１〜第９の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。

上述した第１〜第９の実施形態の固体撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、図１２に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置（例えば、上述した第８の実施形態の電子機器）に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

具体的には、鑑賞の分野においては、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

交通の分野においては、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

家電の分野においては、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

医療・ヘルスケアの分野においては、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

セキュリティの分野においては、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

美容の分野においては、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラプルカメラ等の、スポーツの用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

農業の分野においては、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

次に、本技術に係る第１〜第９の実施形態の固体撮像装置の使用例を具体的に説明する。例えば、上述で説明をした第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置が用いられる。具体的には、固体撮像装置１０１として、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図１３に、その一例として、電子機器１０２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器１０２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像装置１０１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像装置１０１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。

光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１０１の画素部１０１ａへ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像装置１０１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像装置１０１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像装置１０１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄｏｕｔは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。

＜１３．内視鏡手術システムへの応用例＞
本技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術（本技術）は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。

図１４は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。

図１４では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。

内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。

鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。

カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ：Ｃａｍｅｒａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。

ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。

表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。

光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。

入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。

処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。

なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。

また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。

また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ Ｂａｎｄ Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。

図１５は、図１４に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。

カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。

レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。

撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。

また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。

駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。

通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。

また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。

なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ Ｗｈｉｔｅ Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。

カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。

通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。

また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。

画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。

制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。

また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。

カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。

ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１０４０２に適用することができる。内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に本開示に係る技術を適用することにより、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等の性能を向上させることが可能となる。

ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。

＜１４．移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図１６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図１７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

図１７では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図１７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

以上、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、撮像部１２０３１の性能を向上させることが可能となる。

なお、本技術は、上述した実施形態及び使用例、並びに応用例に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

また、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
［１］
光入射側から順に、少なくとも、オンチップレンズと、複数の特定の光を透過するフィルタと、光電変換部が形成された半導体基板と、を備え、
該特定の光を透過するフィルタ間に第１遮光膜が配された有効撮像領域が形成され、
該半導体基板の光入射面を覆うように、該複数の特定の光を透過するフィルタと該半導体基板との間に第２遮光膜が配された非撮像領域が形成され、
該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域及び該境界領域の近傍領域に、該半導体基板の光入射面を掘り込んで形成された掘り込み部が設けられている、固体撮像装置。
［２］
前記非撮像領域に前記掘り込み部が設けられている、［１］に記載の固体撮像装置。
［３］
前記有効撮像領域に前記掘り込み部が設けられている、［１］又は［２］に記載の固体撮像装置。
［４］
前記有効撮像領域の中央領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、前記境界領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分である、［１］から［３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［５］
前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成される、［１］から［４］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［６］
前記非撮像領域が前記有効撮像領域の外周囲に配されて、光入射側からの平面視で、前記境界領域及び前記境界領域の前記近傍領域が矩形を有し、該矩形の４辺のうち少なくとも１辺に前記掘り込み部が形成される、［１］から［５］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［７］
前記境界領域側の前記掘り込み部の断面視の深さ方向の形状が勾配を有する、［１］から［６］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［８］
前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜と、前記半導体基板との間には絶縁膜が配されている、［１］から［７］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［９］
前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、前記半導体基板が有するＰ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域と接している、［１］から［７］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。

［１０］
光入射側から順に、少なくとも、オンチップレンズと、複数の特定の光を透過するフィルタと、光電変換部が形成された半導体基板と、を備え、
該特定の光を透過するフィルタ間に第１遮光膜が配された有効撮像領域が形成され、
該半導体基板の光入射面を覆うように、該複数の特定の光を透過するフィルタと該半導体基板との間に第２遮光膜が配された非撮像領域が形成され、
該非撮像領域に、該半導体基板の光入射面を掘り込んで形成された掘り込み部が設けられている、固体撮像装置。
［１１］
前記有効撮像領域の中央領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分である、［１０］に記載の固体撮像装置。
［１２］
前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成される、［１０］又は［１１］に記載の固体撮像装置。
［１３］
該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域側の前記掘り込み部の断面視の深さ方向の形状が勾配を有する、［１０］から［１２］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１４］
前記掘り込み部の領域において、前記第２遮光膜と、前記半導体基板との間には絶縁膜が配されている、［１０］から［１３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１５］
前記掘り込み部の領域において、前記第２遮光膜が、前記半導体基板が有するＰ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域と接している、［１０］から［１３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。

［１６］
光入射側から順に、少なくとも、オンチップレンズと、複数の特定の光を透過するフィルタと、光電変換部が形成された半導体基板と、を備え、
該特定の光を透過するフィルタ間に第１遮光膜が配された有効撮像領域が形成され、
該半導体基板の光入射面を覆うように、該複数の特定の光を透過するフィルタと該半導体基板との間に第２遮光膜が配された非撮像領域が形成され、
該有効撮像領域に、該半導体基板の光入射面を掘り込んで形成された掘り込み部が設けられている、固体撮像装置。
［１７］
前記有効撮像領域の中央領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分である、［１６］に記載の固体撮像装置。
［１８］
前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成される、［１６］又は［１７］に記載の固体撮像装置。
［１９］
該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域側の前記掘り込み部の断面視の深さ方向の形状が勾配を有する、［１６］から［１８］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［２０］
前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜と、前記半導体基板との間には絶縁膜が配されている、［１６］から［１９］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［２１］
前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜が、前記半導体基板が有するＰ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域と接している、［１６］から［１９］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。

［２２］
［１］から［２１］のいずれか１つに記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。

１・・・第１遮光膜、
２・・・第２遮光膜、
３、３−１、４・・・フィルタ、
４（４−１、４−２）・・・遮光膜、
５、５−１・・・酸化膜、
１１−１、１１−２、１２ａ−１、１２ａ−２、１２ｂ−１、１２ｂ−２、１３ａ−１、１３ａ−２、１３ｂ−１、１３ｂ−２、１５ａ−１、１５ａ−２−１、１５ａ−２−２、１６−１、１６−２−１、１６−２−２、１８ａ−１、１８ａ−２、１８ｂ−１、１８ｂ−２、１９−１、１９−２、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ・・・半導体基板、
６１−１、６１−２、６２ａ―１、６２ａ−２、６２ｂ−１、６２ｂ−２、６３ａ−１、６３ａ−２、６５ａ−１、６５ａ−２−１、６５ａ−２−２、６６−１、６６−２−１、６６−２−２、６８ａ−１、６８ａ−２、６８ｂ−１、６８ｂ−２、６９−１、６９−２・・・オンチップレンズ、
１００、２００ａ、２００ｂ、３００、４００、５００ａ、６００、７００ａ、８００ａ、８００ｂ、９００・・・固体撮像装置、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６，Ｐ７、Ｐ８，Ｐ９、Ｐ１０、４０１、７１０ａ、１００１・・・有効撮像領域、
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６、Ｑ７，Ｑ８、Ｑ９，Ｑ１０，Ｑ１１，Ｑ１２，４０２、７０２ａ、１００２・・・非撮像領域、
Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ５、Ｋ６、Ｋ８、Ｋ９・・・境界領域、
Ｌ１、Ｌ２・・・掘り込み開始位置。

Claims (17)

1. 光入射側から順に、少なくとも、オンチップレンズと、複数の特定の光を透過するフィルタと、光電変換部が形成された半導体基板と、を備え、
   該特定の光を透過するフィルタ間に第１遮光膜が配された有効撮像領域が形成され、
   該半導体基板の光入射面を覆うように、該複数の特定の光を透過するフィルタと該半導体基板との間に第２遮光膜が配された非撮像領域が形成され、
   該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域及び該境界領域の近傍領域に、該半導体基板の光入射面を掘り込んで形成された掘り込み部が設けられている、固体撮像装置。
2. 前記非撮像領域に前記掘り込み部が設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記有効撮像領域に前記掘り込み部が設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 前記有効撮像領域の中央領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、前記境界領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分である、請求項１に記載の固体撮像装置。
5. 前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成される、請求項１に記載の固体撮像装置。
6. 前記非撮像領域が前記有効撮像領域の外周囲に配されて、光入射側からの平面視で、前記境界領域及び前記境界領域の前記近傍領域が矩形を有し、該矩形の４辺のうち少なくとも１辺に前記掘り込み部が形成される、請求項１に記載の固体撮像装置。
7. 前記境界領域側の前記掘り込み部の断面視の深さ方向の形状が勾配を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
8. 前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜と、前記半導体基板との間には絶縁膜が配されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
9. 前記掘り込み部の領域において、前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、前記半導体基板が有するＰ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域と接している、請求項１に記載の固体撮像装置。
10. 光入射側から順に、少なくとも、オンチップレンズと、複数の特定の光を透過するフィルタと、光電変換部が形成された半導体基板と、を備え、
    該特定の光を透過するフィルタ間に第１遮光膜が配された有効撮像領域が形成され、
    該半導体基板の光入射面を覆うように、該複数の特定の光を透過するフィルタと該半導体基板との間に第２遮光膜が配された非撮像領域が形成され、
    該非撮像領域に、該半導体基板の光入射面を掘り込んで形成された掘り込み部が設けられている、固体撮像装置。
11. 前記有効撮像領域の中央領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置と、該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域に対応する前記オンチップレンズの光入射側の上端部の位置とが１００ｎｍ以下の差分である、請求項１０に記載の固体撮像装置。
12. 前記第１遮光膜及び／又は前記第２遮光膜が、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を含む化合物及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成される、請求項１０に記載の固体撮像装置。
13. 該有効撮像領域と該非撮像領域との境界領域側の前記掘り込み部の断面視の深さ方向の形状が勾配を有する、請求項１０に記載の固体撮像装置。
14. 前記掘り込み部の領域において、前記第２遮光膜と、前記半導体基板との間には絶縁膜が配されている、請求項１０に記載の固体撮像装置。
15. 前記掘り込み部の領域において、前記第２遮光膜が、前記半導体基板が有するＰ型の半導体領域又はＮ型の半導体領域と接している、請求項１０に記載の固体撮像装置。
16. 請求項１に記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
17. 請求項１０に記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
    

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