JP2021064450A

JP2021064450A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP2021064450A
Application number: JP2019186827A
Authority: JP
Inventors: 敏彦酒井; Toshihiko Sakai; 入澤　一彦; Kazuhiko Irisawa; 一彦入澤; 靖典安東; Yasunori Ando
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 2019-10-10
Filing date: 2019-10-10
Publication date: 2021-04-22

Abstract

【課題】内部アンテナと、当該内部アンテナを冷却する冷却液が流通する冷却流路とを備えるプラズマ処理装置において、冷却流路内の圧力上昇に起因する被害を低減するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空容器２と、前記真空容器２内に設けられたアンテナ３とを備え、前記アンテナ３に高周波電流を流すことにより発生するプラズマを用いて前記真空容器２内に配置された基板Ｗを処理するプラズマ処理装置であって、前記アンテナ３を冷却する冷却液が流通する冷却流路１１と、前記冷却流路１１からの冷却液の漏洩を検知する漏洩センサＳ１と、を備えるプラズマ処理装置。【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマを用いて被処理物を処理するプラズマ処理装置に関するものである。

アンテナに高周波電流を流し、それによって生じる誘導電界によって誘導結合型のプラズマ（略称ＩＣＰ）を発生させ、この誘導結合型のプラズマを用いて基板等の被処理物に処理を施すプラズマ処理装置が従来から提案されている。このようなプラズマ処理装置として、特許文献１には、アンテナを真空容器の内部に配置する所謂内部アンテナ式のものが開示されている。このような内部アンテナ式のものでは、高周波電流が流れることにより生じるジュール熱等によりアンテナが過度に加熱されることを防止すべく、冷却液が流通する冷却流路をアンテナ内に通して冷却している。

特開２０１８−１５６９２９号公報

従来、上記した内部アンテナを有するプラズマ処理装置では、アンテナを冷却する冷却流路から冷却液が漏洩するという事態は想定されていなかった。しかしながら、本願発明者らが鋭意検討したところ、定期点検等のために冷却液の循環を止めた際や、冷却液を冷却するチラーが偶発的に故障した際には、真空容器内に設けたヒータからの輻射熱によって冷却液の温度が上昇して冷却流路内の圧力が過度に高まり、冷却流路を構成する冷却管のシール部から冷却液が漏洩する恐れがあることがわかった。

本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、内部アンテナと、当該内部アンテナを冷却する冷却液が流通する冷却流路とを備えるプラズマ処理装置において、冷却流路内の圧力上昇に起因する被害を低減することを主たる課題とするものである。

すなわち本発明に係るプラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に設けられたアンテナとを備え、前記アンテナに高周波電流を流すことにより発生するプラズマを用いて前記真空容器内に配置された基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記アンテナを冷却する冷却液が内部を流通するアンテナ用冷却流路と、前記アンテナ用冷却流路からの冷却液の漏洩を検知するアンテナ用漏洩センサと、を備えることを特徴とする。

このような構成であれば、アンテナ用冷却流路からの冷却液の漏洩を検知するアンテナ用漏洩センサを備えるので、アンテナ用冷却流路から冷却液が漏洩した際にこれを検知することができる。これにより、冷却液が漏洩した際に、例えば冷却液を循環させるポンプを停止させる等の対応を早期に行うことができ、冷却液が漏洩したことによる被害の拡大を防ぎ、これを最小限に抑えることができる。

アンテナ用冷却流路がアンテナ内を通っている場合、真空容器内に設けられた基板を温めるためのヒータ等からの輻射熱により冷却流路内の圧力が上昇することにより、冷却液が漏洩するリスクが高まる。このため、前記プラズマ処理装置は、前記アンテナ用冷却流路が前記アンテナ内を通るように敷設されているものである場合に、本発明の効果が顕著に奏される。

真空容器内(処理室内)における冷却液の漏洩は、アンテナ用漏洩センサを設けることなく、例えば真空度の低下等により把握することができる。そのため前記プラズマ処理装置は、前記アンテナ用漏洩センサが前記真空容器の外部に設置されていることが好ましい。
このようなものであれば、真空容器の内外における冷却液の漏洩を把握することができる。

前記プラズマ処理装置は、前記アンテナが前記真空容器を貫通して、その端部が前記真空容器外に延出するように設けられており、前記アンテナ用漏洩センサが、前記アンテナの端部を囲むように前記真空容器外に設けられた外部筐体内に設置されていることが好ましい。
内部アンテナを備えるプラズマ処理装置では、真空容器の側壁から延出するアンテナの端部から生じる高周波磁場の外部への漏洩を低減するため、アンテナの端部を取り囲むように外部筐体を設けることが多い。このようなものにおいても、外部筐体内にアンテナ用漏洩センサを設置することで、目視が不可能な外部筐体内における冷却液の漏洩を検知することが可能になる。

前記プラズマ処理装置の態様として、前記外部筐体が電磁シールドとして機能するものを挙げることができる。

前記プラズマ処理装置の態様としては、前記アンテナの端部に接続されたリアクタンスが可変な負荷を更に備え、前記負荷が前記外部筐体内に収容されているものを挙げることができる。

前記プラズマ処理装置は、前記負荷が可変コンデンサであり、前記アンテナ用冷却流路が前記可変コンデンサに前記冷却液を導くように構成され、前記冷却液が前記可変コンデンサの誘電体として機能するものであることが好ましい。
このようなものであれば、可変コンデンサを冷却しつつその静電容量の不意の変動を抑えることができる。そして、このような可変コンデンサとともにアンテナ用漏洩センサを外部筐体内に収容することで、可変コンデンサからの冷却液の漏洩を検知することができる。

前記プラズマ処理装置は、前記アンテナ用漏洩センサが、前記外部筐体内において前記アンテナの端部の下方に位置する床面に設置されていることが好ましい。
このようなものであれば、アンテナの端部近傍で冷却液が漏洩した場合には冷却液が下方床面に滴り落ちるので、これを確実に検知することができる。

また前記プラズマ処理装置は、前記アンテナ以外の所定の構成部品を冷却する冷却液が流通する第２冷却流路と、前記第２冷却流路からの冷却液の漏洩を検知する第２漏洩センサと、前記アンテナ用漏洩センサと前記第２漏洩センサから出力される検知信号に応じて、前記アンテナ用冷却流路内と前記第２冷却流路内のそれぞれにおける冷却液の循環を個別に制御する制御部と、を更に備えることが好ましい。
このようなものであれば、アンテナを冷却する冷却液の漏洩と、それ以外の部品を冷却する冷却液の漏洩とを個別に検知でき、その結果に応じて、アンテナを冷却する冷却液と、それ以外の部品を冷却する冷却液のそれぞれの循環を個別に制御できる。そのため、例えば、アンテナ以外の部品を冷却する冷却液のみが漏洩しており、且つアンテナを冷却する冷却液が漏洩していない場合には、第２冷却流路内の冷却水の循環のみを停止させ、且つアンテナ用冷却流路内の冷却水を循環させ続けることで、ヒータの輻射熱等によりアンテナ用冷却流路内の圧力が上昇することを防止し、冷却液が漏洩するリスクを低減できる。

また、本発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に設けられたアンテナとを備え、前記アンテナに高周波電流を流すことにより発生するプラズマを用いて前記真空容器内に配置された基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記アンテナを冷却する冷却液が流通するアンテナ用冷却流路と、前記アンテナ用冷却流路の圧力が所定値以上となった場合に該圧力を解放する圧力解放機構と、を備えることが好ましい。

このような構成であれば、アンテナ用冷却流路内の圧力が所定値以上となった場合に当該圧力を解放する圧力解放機構を備えるので、アンテナが加熱されてアンテナ用冷却流路内の圧力が上昇した場合であっても、アンテナ用冷却流路から冷却水が漏洩するリスクを低減できる。

前記プラズマ処理装置は、前記圧力解放機構が前記アンテナ用冷却流路内を流通する冷却液を、前記真空容器外に設けられた閉鎖空間に放出するように構成されていることが好ましい。
このようなものであれば、圧力解放機構が真空容器外に設けられた閉鎖空間に冷却液を放出するので、例えばプラズマ処理装置が置かれる室内が冷却液により汚染されるのを防ぐことができる。

このようにした本発明によれば、内部アンテナと、当該内部アンテナを冷却する冷却液が流通する冷却流路とを備えるプラズマ処理装置において、冷却流路における圧力上昇に起因する被害を低減することができる。

本実施形態のプラズマ処理装置の全体構成を模式的に示す縦断面図。同実施形態の第１冷却液循環装置の構成を模式的に示す図。同実施形態の制御装置の機能を示す機能ブロック図。他の実施形態のプラズマ処理装置の全体構成を模式的に示す縦断面図。他の実施形態の第１冷却液循環装置の構成を模式的に示す図。

以下に、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を図面に基づいて説明する。なお、以下に説明するプラズマ処理装置は本発明の技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施形態において説明する内容は、他の実施形態にも適用可能である。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係などは、説明を明確にするため誇張していることがある。

＜装置構成＞
本実施形態のプラズマ処理装置１００は、誘導結合型のプラズマＰを用いて基板Ｗに処理を施すものである。ここで、基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。また、基板Ｗに施す処理は、例えば、プラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。

なお、このプラズマ処理装置１００は、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う場合はプラズマＣＶＤ装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。

具体的にプラズマ処理装置１００は、図１に示すように、真空排気され且つガスＧが導入される真空容器２と、真空容器２内に配置された長尺状のアンテナ３と、真空容器２内に誘導結合型のプラズマＰを生成するための高周波をアンテナ３に印加する高周波電源４とを備えている。なお、アンテナ３に高周波電源４から高周波を印加することによりアンテナ３には高周波電流ＩＲが流れて、真空容器２内に誘導電界が発生して誘導結合型のプラズマＰが生成される。

真空容器２は、例えば金属製の容器であり、その内部は真空排気装置５によって真空排気される。真空容器２はこの例では電気的に接地されている。

真空容器２内に、例えば流量調整器（図示省略）及び真空容器２の側壁に形成されたガス導入口２１を経由して、ガスＧが導入される。ガスＧは、基板Ｗに施す処理内容に応じたものにすれば良い。

また、真空容器２内には、基板Ｗを保持する基板ホルダ６が設けられている。この例のように、基板ホルダ６にバイアス電源７からバイアス電圧を印加するようにしても良い。バイアス電圧は、例えば負の直流電圧、負のパルス電圧等であるが、これに限られるものではない。このようなバイアス電圧によって、例えば、プラズマＰ中の正イオンが基板Ｗに入射する時のエネルギーを制御して、基板Ｗの表面に形成される膜の結晶化度の制御等を行うことができる。基板ホルダ６内に、基板Ｗを加熱するヒータ６１が設けられている。

アンテナ３は、ここでは直線状のものであり、真空容器２内における基板Ｗの上方に、基板Ｗの表面に沿うように（例えば、基板Ｗの表面と実質的に平行に）、ここでは１本配置されている。

アンテナ３は、真空容器２の相対向する側壁を貫通して、その両端部が真空容器２の外部に延出するように設けられている。真空容器２の外部に位置するアンテナ３の両端部のうち、一方の端部は、高周波電源４に接続される給電側端部３ａであり、他方の端部は、接地される接地側端部３ｂである。アンテナ３の両端部を真空容器２外へ貫通させる部分には、絶縁部材８がそれぞれ設けられている。この各絶縁部材８を、アンテナ３の両端部が貫通しており、その貫通部は例えばパッキン９１によって真空シールされている。各絶縁部材８と真空容器２との間も、例えばパッキン９２によって真空シールされている。なお、絶縁部材８の材質は、例えば、アルミナ等のセラミックス、石英、又はポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等のエンジニアリングプラスチック等である。

プラズマ処理装置１００は、アンテナ３のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部Ｖｃをさらに備えている。このインピーダンス調整部Ｖｃは、真空容器２の外部においてアンテナ３の端部に接続されるリアクタンスが可変な負荷（具体的には可変コンデンサ）である。本実施形態のプラズマ処理装置１００は、複数の可変コンデンサＶ_Ｃを備えており、これらはアンテナ３の給電側端部３ａと接地側端部３ｂのそれぞれに接続されている。これにより、アンテナ３の給電側端部３ａは、可変コンデンサＶ_Ｃを介して整合回路４１及び高周波電源４に接続され、接地側端部３ｂは、可変コンデンサＶ_Ｃを介して接地されている。

本実施形態では、第１循環流路１１が、可変コンデンサＶ_Ｃに冷却液ＣＬを導くように構成されており、冷却液ＣＬが可変コンデンサＶ_Ｃの誘電体として機能するように構成されている。具体的にこの可変コンデンサＶ_Ｃは、絶縁性の収容容器Ｂと、この収容容器Ｂ内に収容される複数の電極板（図示しない）とを備えている。そして、第１循環流路１１から導かれた冷却液ＣＬが収容容器９の内部において電極板間を満たすように構成されており、この冷却液ＣＬが可変コンデンサＶｃの誘電体として機能する。

真空容器２の外部には、側壁から突出するアンテナ３の両端部３ａ、３ｂをそれぞれ囲むようにして２つの外部筐体Ｃが設けられている。この外部筐体Ｃは、アンテナ３における真空容器２から延出する部分から生じる高周波磁場を遮断する電磁シールドとして機能するものである。この外部筐体Ｃ内には、アンテナ３の端部３ａ又は３ｂとともに、可変コンデンサＶ_Ｃが収容されている。

上記構成によって、高周波電源４から、整合回路４１を介して、アンテナ３に高周波電流ＩＲを流すことができ、可変コンデンサＶ_Ｃの容量を変更することで、高周波電流ＩＲに対するリアクタンスを変更することができる。なお、高周波の周波数は、例えば、一般的な１３．５６ＭＨｚであるが、これに限られるものではない。

さらにアンテナ３において、真空容器２内に位置する部分は、直管状の絶縁カバー１０により覆われている。この絶縁カバー１０の両端部は絶縁部材８によって支持されている。なお、絶縁カバー１０の材質は、例えば、石英、アルミナ、フッ素樹脂、窒化シリコン、炭化シリコン、シリコン等である。

またプラズマ処理装置１００は、アンテナ３を冷却するための第１冷却機構を備えている。この第１冷却機構は、冷却液ＣＬが流通する第１循環流路（本発明のアンテナ用冷却流路に相当する）１１と、第１循環流路１１に接続され、冷却液ＣＬを一定温度に調整するとともに、第１循環流路１１内で冷却液ＣＬを循環させる第１冷却液循環装置１１１とを備える。なお、冷却液ＣＬとしては、電気絶縁の観点から、高抵抗の水が好ましく、例えば純水またはそれに近い水が好ましい。その他、例えばフッ素系不活性液体などの水以外の液冷媒を用いても良い。

第１循環流路１１の一部は、アンテナ３内を通るように敷設されている。具体的には、アンテナ３は中空構造のものとなっており、その内壁によって、冷却液ＣＬが流通する流路が形成されている。本実施形態のアンテナ３は、直管状をなす金属パイプ３１であり、例えば、銅、アルミニウム、これらの合金、ステンレス等の材質から構成される。そしてアンテナ３は、軸方向に分割される複数のパイプ部材により構成されており、各パイプ部材間は、冷却液ＣＬが漏れないようシールされている。

第１冷却液循環装置１１１は、図２に示すように、熱交換器などの温調機構１１１ａと、ポンプなどの循環機構１１１ｂと、冷却液ＣＬを溜め置くリザーバタンク１１１ｃとを備えている。本実施形態のリザーバタンク１１１ｃは、大気開放型のものであり、溜められた冷却液ＣＬに係る圧力が大気圧を超えないように構成されている。リザーバタンク１１１ｃは、第１循環流路１１のうちアンテナ３と熱交換された後の冷却液ＣＬが流れる高温側流路１１ｈに接続されている。循環機構１１１ｂは、リザーバタンク１１１ｃに溜められた冷却液ＣＬを吸入し、アンテナ３に向けて吐出するものである。循環機構１１１ｂは、吸入側端部がリザーバタンク１１１ｃに連通し、吐出側端部が、第１循環流路１１のうちアンテナ３内の流路に連通する低温側流路１１ｃに接続されている。

プラズマ処理装置１００はまた、アンテナ３以外の部品（例えば真空容器）を冷却するための第２冷却機構（図示しない）を備えている。この第２冷却機構は、冷却液が流通する図示しない第２循環流路（本発明の第２冷却流路に相当する）と、第２循環流路を流れる冷却液を一定温度に調整するとともに、第２循環流路内で冷却液を循環させる第２冷却液循環装置（図示しない）とを備える。

プラズマ処理装置１００は、また第１冷却液循環装置１１１と第２冷却液循環装置の運転動作を制御する制御装置Ｘを更に備える。制御装置Ｘは、物理的にはＣＰＵ、メモリ、Ａ／Ｄコンバータ、入出力インターフェース等を備えたコンピュータであり、前記メモリに記憶されたプログラムが実行され、各機器が協業することで、図３に示すように、第１冷却液循環装置１１１と第２冷却液循環装置のそれぞれの運転動作を制御する制御部としての機能を発揮する。

しかして、本実施形態のプラズマ処理装置１００は、第１循環流路からの冷却液の漏洩（漏液）を検知する第１漏洩センサ（本発明のアンテナ用漏洩センサに相当する）Ｓ_１を備えており、アンテナ３を冷却するための冷却液の漏洩を検知できるように構成されている。

第１漏洩センサＳ_１は、液体が接触した際に電気的に短絡する現象を利用して漏洩を検知する所謂電気式のものであり、形状的には漏洩を二次元的に検知できるシート状を成すものである。本実施形態の第１漏洩センサＳ_１は、真空容器２の外部に設置されており、具体的には真空容器２の側壁から延出するアンテナ３の端部３ａ又は３ｂ、及び可変コンデンサＶ_Ｃとともに、外部筐体Ｃ内に収容されている。そして第１漏洩センサＳ_１は、外部筐体Ｃ内におけるアンテナ３の端部３ａ又３ｂの鉛直方向の下方に位置する床面に設置されている。これにより、アンテナ３の端部３ａ又３ｂからの冷却液ＣＬの漏洩を検知できる。第１漏洩センサＳ_１は、冷却液ＣＬの漏洩を検知すると、漏洩検知信号を制御装置Ｘに出力するように構成されている。

プラズマ処理装置１００はまた、第２循環流路からの冷却液ＣＬの漏洩を検知する第２漏洩センサＳ_２を備えており、アンテナ３以外の所定の構成部品（例えば真空容器２等）を冷却するための冷却液ＣＬの漏洩を検知できるように構成されている。第２漏洩センサＳ_２は、第１漏洩センサＳ_１と同様電気式のものであり、形状的にはシート状を成すものである。本実施形態の第２漏洩センサＳ_２は、プラズマ処理装置１００を収容する室内において、真空容器２の鉛直方向の下方に位置する床面に設置されている。第２漏洩センサＳ_２は、冷却液ＣＬの漏洩を検知すると、漏洩検知信号を制御装置Ｘに出力するように構成されている。

そして本実施形態の制御装置Ｘは、第１漏洩センサＳ_１及び第２漏洩センサＳ_２から受信した漏洩検知信号に基づいて、第１冷却液循環装置１１１と第２冷却液循環装置のそれぞれの運転動作を個別に制御するように構成されている。具体的には、第１漏洩センサＳ_１から漏洩検知信号を受け付けると、第１冷却液循環装置１１１が有する循環機構１１１ｂの運転を停止し、第１循環流路１１内における冷却液ＣＬの循環を停止させる。また、第２漏洩センサＳ_２から漏洩検知信号を受け付けると、第２冷却液循環装置が備えるポンプ等の運転を停止し、第２循環流路内における冷却液ＣＬの循環を停止させる。

また本実施形態のプラズマ処理装置１００は、第１循環流路１１における冷却液ＣＬの漏洩の発生を抑制すべく、第１循環流路１１内の圧力が所定値以上になった場合に当該圧力を解放する圧力解放機構Ｐｒを備えている。そしてこの圧力解放機構Ｐｒは、圧力を解放する際に、第１循環流路１１を流通する冷却液ＣＬを真空容器外に設けられた閉鎖空間内に放出するように構成されている。

本実施形態の圧力解放機構Ｐｒは、図２に示すように、高温側流路１１ｈと、当該高温側流路１１ｈに接続されるリザーバタンク１１１ｃとにより構成されている。高温側流路１１ｈはその端部が、冷却液ＣＬを大気開放型のリザーバタンク１１１ｃ内に放出するように構成されている。これにより第１循環流路１１内の圧力が所定値（ここでは大気圧）以上となった場合に当該圧力を解放できる。なおリザーバタンク１１１ｃは、温調機構１１１ａ及び循環機構１１１ｂとともに筐体１１１ｄ内に収容されており、圧力解放機構Ｐｒはこの筐体１１１ｄ内に形成される閉鎖空間に冷却液ＣＬを放出するようにされている。

このようにした本実施形態のプラズマ処理装置１００によれば、第１循環流路１１内の圧力が所定値以上となった場合に当該圧力を解放する圧力解放機構Ｐｒを備えるので、第１循環流路１１内の圧力が上昇することにより冷却液ＣＬが漏洩するリスクを低減できる。さらに第１循環流路１１からの冷却液ＣＬの漏洩を検知する第１漏洩センサＳ_１を備えるので、第１循環流路１１から冷却液ＣＬが漏洩した場合であってもこれを素早く検知することができる。そして第１冷却液循環装置１１１の運転を停止させる等の対応を早期に行うことができ、冷却液ＣＬが漏洩したことによる被害の拡大を防ぎ、これを最小限に抑えることができる。特にこの第１漏洩センサＳ_１は、電磁シールドとして機能する外部筐体Ｃ内に設けられているので、目視できない部分における冷却液ＣＬの漏洩をより確実に検知することができる。

＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。

前記実施形態のプラズマ処理装置１００は、第１漏洩センサＳ_１が、外部筐体Ｃ内におけるアンテナ３の端部の下方に位置する床面に設けられていたがこれに限定されない。他の実施形態では、図４に示すように、第１漏洩センサＳ_１が、外部筐体Ｃ内においてアンテナ３の端部の周囲に巻き付けられてもよい。

前記実施形態の第１漏洩センサＳ_１はシート状のものであったが、これに限らず、板状、紐状、帯状等の任意の形状であってよい。また前記実施形態の第１漏洩センサＳ_１は電気式のものであったがこれに限らず、液体が接触した際にセンサ内の投光部から送出した光がセンサ内の受光部で受信できなくなる現象を利用した所謂光学式のものであってもよい。

また前記実施形態ではプラズマ処理装置１００が、アンテナ３を１本備えたものであったが、直列又は並列に接続した複数のアンテナ３を備えていても良い。具体的には、図５に示すように、例えば２本のアンテナ３が直列接続されており、この直列接続された２本のアンテナ３が複数組並列に設けられている構成が挙げられる。なお、直列接続されるアンテナ３は３本以上であっても構わない。

また他の実施形態では、図５に示すように、アンテナ３を通った冷却液ＣＬをリザーバタンク１１１ｃに戻す高温側流路１１ｈには、ノーマリーオープンのバルブ１１ｅが設けられていてもよい。

前記実施形態の圧力解放機構Ｐｒは、高温側流路１１ｈの端部と大気開放型のリザーバタンク１１１ｃとにより構成されていたが、これに限らない。他の実施形態の圧力解放機構Ｐｒは、第１循環流路に接続された、圧力逃がし弁やラプチャーディスク等により構成されてもよい。

前記実施形態の圧力解放機構Ｐｒは、第１冷却液循環装置１１１の筐体１１１ｄ内に冷却液ＣＬを放出するものであったが、これに限らずドレインに直接放出するように構成されてもよい。

その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。

１００・・・プラズマ処理装置
２・・・真空容器
３・・・アンテナ
１１・・・第１循環流路（アンテナ用冷却流路）
Ｓ_１・・・第１漏洩センサ（アンテナ用漏洩センサ）
Ｐｒ・・・圧力解放機構
ＣＬ・・・冷却液
Ｐ・・・プラズマ
Ｗ・・・基板

Claims

真空容器と、前記真空容器内に設けられたアンテナとを備え、前記アンテナに高周波電流を流すことにより発生するプラズマを用いて前記真空容器内に配置された基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記アンテナを冷却する冷却液が流通するアンテナ用冷却流路と、
前記アンテナ用冷却流路からの冷却液の漏洩を検知するアンテナ用漏洩センサと、
を備えるプラズマ処理装置。
前記アンテナ用冷却流路が前記アンテナ内を通るように敷設されている請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記アンテナ用漏洩センサが前記真空容器の外部に設置されている請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
前記アンテナは前記真空容器を貫通して、その端部が前記真空容器外に延出するように設けられており、
前記アンテナ用漏洩センサが、前記アンテナの端部を囲むように前記真空容器外に設けられた外部筐体内に設置されている、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
前記アンテナの端部に接続されたリアクタンスが可変な負荷を更に備え、
前記負荷が前記外部筐体内に収容されている請求項４に記載のプラズマ処理装置。
前記負荷が可変コンデンサであり、
前記アンテナ用冷却流路が前記可変コンデンサに前記冷却液を導くように構成され、
前記冷却液が前記可変コンデンサの誘電体として機能する、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
前記アンテナ用漏洩センサが、前記外部筐体内において前記アンテナの端部の下方に位置する床面に設置されている請求項４〜６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
前記外部筐体が電磁シールドとして機能するものである請求項４〜７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
前記アンテナ以外の所定の構成部品を冷却する冷却液が流通する第２冷却流路と、
前記第２冷却流路からの冷却液の漏洩を検知する第２漏洩センサと、
前記アンテナ用漏洩センサと前記第２漏洩センサから出力される検知信号に応じて、前記アンテナ用冷却流路内と前記第２冷却流路内のそれぞれにおける冷却液の循環を個別に制御する制御部と、を更に備える請求項１〜８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
真空容器と、前記真空容器内に設けられたアンテナとを備え、前記アンテナに高周波電流を流すことにより発生するプラズマを用いて前記真空容器内に配置された基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記アンテナを冷却する冷却液が流通するアンテナ用冷却流路と、
前記アンテナ用冷却流路内の圧力が所定値以上となった場合に該圧力を解放する圧力解放機構と、
を備えるプラズマ処理装置。
前記圧力解放機構が、前記アンテナ用冷却流路内を流通する冷却液を前記真空容器外に設けられた閉鎖空間に放出するように構成されている請求項１０に記載のプラズマ処理装置。