JP2021061365A - Electromagnetic wave shield film, circuit board, and manufacturing method thereof - Google Patents

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宏和 小野
Hirokazu Ono
宏和 小野
吉田 一義
Kazuyoshi Yoshida
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Abstract

To provide an electromagnetic wave shield film with reduced connection resistance between a shield layer and a wiring for ground or ground layer, a circuit board using the electromagnetic wave shield film, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: An electromagnetic wave shield film 1D includes an insulating resin layer 10, and a shield layer 22 adjacent to the insulating resin layer 10 and having at least the outermost layer on the opposite side of the insulating resin layer 10 as a metal thin film layer, and a conductive adhesive layer 24 provided on the side of the shield layer 22 opposite to the insulating resin layer 10, and the conductive adhesive layer 24 contains flaky conductive particles 24b, and the minimum storage elastic modulus at 100 to 190°C is 1.0×103 to 1.0×105 Pa, and there is also provided a circuit board 2 using the electromagnetic wave shield film.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電磁波シールドフィルム、回路基板、及び回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film, a circuit board, and a method for manufacturing a circuit board.

プリント配線板から発生する電磁波ノイズや外部からの電磁波ノイズを遮蔽するために、絶縁樹脂層と導電層とを有する電磁波シールドフィルムを、絶縁フィルム(カバーレイフィルム)を介してプリント配線板の表面に設けることがある(例えば、特許文献1参照)。導電層は、例えば、電磁波を遮蔽するための金属薄膜層からなるシールド層と、シールド層とプリント配線板のプリント回路におけるグランド用配線又はグランド層とを電気的に接続するための導電性接着剤層とを有する。 In order to shield electromagnetic wave noise generated from the printed wiring board and electromagnetic wave noise from the outside, an electromagnetic wave shielding film having an insulating resin layer and a conductive layer is applied to the surface of the printed wiring board via an insulating film (coverlay film). It may be provided (see, for example, Patent Document 1). The conductive layer is, for example, a conductive adhesive for electrically connecting a shield layer made of a metal thin film layer for shielding electromagnetic waves and a ground wiring or a ground layer in a printed circuit of the shield layer and a printed wiring board. Has a layer.

電磁波シールドフィルムが設けられた回路基板は、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルムとを、絶縁フィルムと導電性接着剤層とが接するように重ねて熱プレスすることによって製造される。
絶縁フィルムには、グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が設けられている。導電性接着剤層は、熱プレスによって、この貫通項に貫入し、グランド用配線又はグランド層と接触するようになっている。
A circuit board provided with an electromagnetic wave shielding film is manufactured by stacking a printed wiring board with an insulating film and an electromagnetic wave shielding film so that the insulating film and the conductive adhesive layer are in contact with each other and heat-pressing them.
The insulating film is provided with a through hole in a portion overlapping the ground wiring or the ground layer. The conductive adhesive layer penetrates into this penetrating term by a hot press and comes into contact with the gland wiring or the gland layer.

特開2016−086120号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-086120

電磁波シールドフィルムには、さらなるシールド効果向上が求められている。そのためには、シールド層とグランド用配線又はグランド層との接続抵抗を低くする必要がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、シールド層とグランド用配線又はグランド層との接続抵抗が低減された電磁波シールドフィルムと、この電磁波シールドフィルムを用いた回路基板とその製造方法を提供する。
The electromagnetic wave shield film is required to further improve the shielding effect. For that purpose, it is necessary to reduce the connection resistance between the shield layer and the ground wiring or the ground layer.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and is an electromagnetic wave shield film in which the connection resistance between the shield layer and the ground wiring or the ground layer is reduced, a circuit board using this electromagnetic wave shield film, and its manufacture. Provide a method.

上記の課題を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
[1]絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接し、少なくとも前記絶縁樹脂層とは反対側の最外層が金属薄膜層とされたシールド層と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、
前記導電性接着剤層は、フレーク状の導電性粒子を含み、100〜190℃における貯蔵弾性率の最低値が1.0×10〜1.0×10Paである、電磁波シールドフィルム。
[2]前記導電性粒子の体積平均粒子径が1〜100μmである、[1]に記載の電磁波シールドフィルム。
[3]前記導電性接着剤層100質量%に占める前記導電性粒子の割合が、1質量%以上50質量%以下である、[1]又は[2]に記載の電磁波シールドフィルム。
[4]前記導電性接着剤層の層厚に対する前記導電性粒子の平均厚さの比が0.002〜0.3である、[1]〜[3]のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
[5]基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体と、
前記一方の面に隣接し、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する[1]〜[4]のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備え、
前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着すると共に、前記貫通孔に貫入して、前記グランド用配線又はグランド層に接触している、回路基板。
[6]基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体に対して、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムを重ね、次いで、[1]〜[4]のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムを前記導電性接着剤層が前記絶縁フィルムと前記導電性接着剤層とが接するように重ね、その後熱プレスする回路基板の製造方法。
In order to achieve the above problems, the present invention has adopted the following configuration.
[1] The insulating resin layer, the shield layer adjacent to the insulating resin layer and at least the outermost layer on the side opposite to the insulating resin layer is a metal thin film layer, and the insulating resin layer of the shield layer are opposite to each other. With a conductive adhesive layer provided on the side,
The conductive adhesive layer comprises a flaky conductive particles, the lowest value of the storage elastic modulus at 100 to 190 ° C. is 1.0 × 10 3 ~1.0 × 10 5 Pa, an electromagnetic wave shielding film.
[2] The electromagnetic wave shielding film according to [1], wherein the conductive particles have a volume average particle diameter of 1 to 100 μm.
[3] The electromagnetic wave shielding film according to [1] or [2], wherein the ratio of the conductive particles to 100% by mass of the conductive adhesive layer is 1% by mass or more and 50% by mass or less.
[4] The electromagnetic wave according to any one of [1] to [3], wherein the ratio of the average thickness of the conductive particles to the layer thickness of the conductive adhesive layer is 0.002 to 0.3. Shield film.
[5] A circuit board main body provided with a ground wiring or a circuit including a ground layer on at least one surface of the board.
An insulating film having a through hole formed in a portion adjacent to the one surface and overlapping the ground wiring or the ground layer.
The electromagnetic wave shielding film according to any one of [1] to [4], which is adjacent to the insulating film on the side opposite to the circuit board main body, is provided.
A circuit board in which the conductive adhesive layer in the electromagnetic wave shielding film adheres to the insulating film and penetrates into the through hole to be in contact with the ground wiring or the ground layer.
[6] For a circuit board main body provided with a ground wiring or a circuit including a ground layer on at least one surface of the substrate, an insulating film having through holes formed in a portion overlapping the ground wiring or the ground layer is provided. After stacking, the electromagnetic wave shielding film according to any one of [1] to [4] is laminated so that the conductive adhesive layer is in contact with the insulating film and the conductive adhesive layer, and then heat-pressed. How to manufacture a circuit board.

本発明の電磁波シールドフィルム、回路基板、及び回路基板の製造方法によれば、シールド層と回路基板本体におけるグランド用配線又はグランド層との接続抵抗を低減することができる。そのため、高いシールド効果を得ることができる。 According to the method for manufacturing an electromagnetic wave shield film, a circuit board, and a circuit board of the present invention, it is possible to reduce the connection resistance between the shield layer and the ground wiring or the ground layer in the circuit board main body. Therefore, a high shielding effect can be obtained.

本発明における電磁波シールドフィルムの一実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the electromagnetic wave shielding film in this invention. 本発明における回路基板の一実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the circuit board in this invention. 図2の回路基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the circuit board of FIG. 導電性接着剤層の貯蔵弾性率が大きい場合の回路基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the circuit board when the storage elastic modulus of a conductive adhesive layer is large. 導電性接着剤層の導電性粒子が球状である場合の回路基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the circuit board when the conductive particle of the conductive adhesive layer is spherical.

以下の用語の定義は、本明細書及び特許請求の範囲にわたって適用される。
「等方導電性接着剤層」とは、厚さ方向及び面方向に導電性を有する導電性接着剤層を意味する。
「異方導電性接着剤層」とは、厚さ方向に導電性を有し、面方向に導電性を有しない導電性接着剤層を意味する。
「面方向に導電性を有しない導電性接着剤層」とは、表面抵抗が1×10Ω/□以上である導電性接着剤層を意味する。
The definitions of the following terms apply throughout the specification and claims.
The "isotropic conductive adhesive layer" means a conductive adhesive layer having conductivity in the thickness direction and the surface direction.
The "anisotropic adhesive layer" means a conductive adhesive layer that has conductivity in the thickness direction and does not have conductivity in the surface direction.
The “conductive adhesive layer having no conductivity in the plane direction” means a conductive adhesive layer having a surface resistance of 1 × 10 4 Ω / □ or more.

導電性粒子の平均厚さは、粒子の電子顕微鏡の拡大画像から30個の粒子を無作為に選び、それぞれの粒子について厚さを測定し、測定した30個の粒子の厚さを算術平均して得た値によって求められる。
導電性粒子の体積平均粒子径は、レーザー回折・散乱法によって求めた体積基準累積50%径(d50)である。
For the average thickness of conductive particles, 30 particles were randomly selected from the magnified image of the particles with an electron microscope, the thickness of each particle was measured, and the measured thicknesses of the 30 particles were arithmetically averaged. It is obtained from the obtained value.
The volume average particle diameter of the conductive particles is a volume-based cumulative 50% diameter (d50) obtained by a laser diffraction / scattering method.

フィルム(離型フィルム、絶縁フィルム等)、塗膜(絶縁樹脂層、導電性接着剤層等)の厚さは、デジタル測長機(ミツトヨ社製、ライトマチックVL−50−B)を用いて無作為に選ばれた5箇所の厚さを測定し、平均した値である。ただし、回路基板における層厚は、貫通孔が形成されていない部分から無作為に選ばれた5箇所の厚さを測定し、平均した値である。
金属薄膜層の厚さは、渦電流式膜厚計を用いて無作為に選ばれた5箇所の厚さを測定し、平均した値である。
Use a digital length measuring machine (Mitutoyo, Lightmatic VL-50-B) to determine the thickness of the film (release film, insulating film, etc.) and coating film (insulating resin layer, conductive adhesive layer, etc.). The thickness of 5 randomly selected points was measured and averaged. However, the layer thickness in the circuit board is a value obtained by measuring and averaging the thicknesses of five randomly selected parts from the portion where the through holes are not formed.
The thickness of the metal thin film layer is a value obtained by measuring the thicknesses of five randomly selected points using an eddy current type film thickness meter and averaging them.

貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置(米国レオメトリック・サイエンティフィック社製、RSAII)を用い、周波数:1Hz、昇温速度:5℃/分の条件で測定した値である。
表面抵抗は、10Ω/□未満の場合は、低抵抗抵抗率計(例えば、三菱ケミカル社製、ロレスタGP、ASPプローブ)を用い、四端子法(JIS K 7194:1994及びJIS R 1637:1998に準拠する方法)で測定される表面抵抗率であり、10Ω/□以上の場合は、高抵抗抵抗率計(例えば、三菱ケミカル社製、ハイレスタUP、URSプローブ)を用い、二重リング法(JIS K 6911:2006に準拠する方法)で測定される表面抵抗率である。
図1〜図5における寸法比は、説明の便宜上、実際のものとは異なったものである。また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は「〜」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
The storage elastic modulus is a value measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (RSAII manufactured by Leometric Scientific Co., Ltd., USA) under the conditions of frequency: 1 Hz and heating rate: 5 ° C./min.
Surface resistance, if it is less than 10 6 Ω / □, low resistivity resistivity meter (e.g., Mitsubishi Chemical Co., Loresta GP, ASP probe) using a four-terminal method (JIS K 7194: 1994 and JIS R 1637: a surface resistivity as measured by the method) that conforms to 1998, in the case of 10 6 Ω / □ or more, high resistance resistivity meter (e.g., Mitsubishi Chemical Co., Hiresta UP, a URS probe) using double The surface resistivity measured by the ring method (a method conforming to JIS K 6911: 2006).
The dimensional ratios in FIGS. 1 to 5 are different from the actual ones for convenience of explanation. In addition, the numerical range represented by using "~" in the present specification means a range including the numerical values before and after "~" as the lower limit value and the upper limit value.

<電磁波シールドフィルム>
図1は、本発明の一実施形態に係る電磁波シールドフィルム1Aを示す断面図である。
本実施形態の電磁波シールドフィルム1Aは、絶縁樹脂層10と、絶縁樹脂層10に隣接するシールド層22と、シールド層22の絶縁樹脂層10とは反対側に設けられた導電性接着剤層24を有する。
また、本実施形態では、絶縁樹脂層10のシールド層22とは反対側に、第1の離型フィルム30が貼付されている。また、導電性接着剤層24のシールド層22とは反対側に、第2の離型フィルム40が貼付されている。
<Electromagnetic wave shield film>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an electromagnetic wave shielding film 1A according to an embodiment of the present invention.
The electromagnetic wave shield film 1A of the present embodiment includes an insulating resin layer 10, a shield layer 22 adjacent to the insulating resin layer 10, and a conductive adhesive layer 24 provided on the opposite side of the shield layer 22 from the insulating resin layer 10. Has.
Further, in the present embodiment, the first release film 30 is attached to the side of the insulating resin layer 10 opposite to the shield layer 22. Further, a second release film 40 is attached to the side of the conductive adhesive layer 24 opposite to the shield layer 22.

電磁波シールドフィルム1Aから離型フィルムを除いた厚さは、5μm以上50μm以下が好ましく、8μm以上30μm以下がより好ましい。離型フィルムを除いた電磁波シールドフィルム1Aの厚さが前記範囲の下限値以上であれば、第1の離型フィルム30を剥離する際に破断しにくい。離型フィルムを除いた電磁波シールドフィルム1Aの厚さが前記範囲の上限値以下であれば、回路基板を薄くできる。 The thickness of the electromagnetic wave shielding film 1A excluding the release film is preferably 5 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 8 μm or more and 30 μm or less. If the thickness of the electromagnetic wave shielding film 1A excluding the release film is at least the lower limit of the above range, it is unlikely to break when the first release film 30 is peeled off. If the thickness of the electromagnetic wave shielding film 1A excluding the release film is equal to or less than the upper limit of the above range, the circuit board can be thinned.

(絶縁樹脂層)
絶縁樹脂層10は、電磁波シールドフィルム1Aから第2の離型フィルム40と第1の離型フィルム30が剥離された後には、シールド層22の保護層となる。
(Insulating resin layer)
The insulating resin layer 10 becomes a protective layer of the shield layer 22 after the second release film 40 and the first release film 30 are peeled from the electromagnetic wave shield film 1A.

絶縁樹脂層10としては、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させて形成された塗膜;熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させて形成された塗膜;熱可塑性樹脂を含む塗料を塗布し、乾燥させて形成された塗膜;熱可塑性樹脂を含む組成物を溶融成形したフィルムからなる層等が挙げられる。はんだリフロー工程に供される際の耐熱性の点から、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させて形成された塗膜、又は熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させて形成された塗膜が好ましい。 As the insulating resin layer 10, a coating film containing a photocurable resin and a photoradical polymerization initiator is applied, and a coating film formed by semi-curing or curing; a coating material containing a thermosetting resin and a curing agent is applied. A coating film formed by semi-curing or curing; a coating film formed by applying a coating material containing a thermoplastic resin and drying it; a layer composed of a film obtained by melt-molding a composition containing a thermoplastic resin, or the like. Can be mentioned. From the viewpoint of heat resistance when subjected to the solder reflow process, a coating film or thermosetting resin formed by applying a paint containing a photocurable resin and a photoradical polymerization initiator and semi-curing or curing it. A coating film formed by applying a coating material containing a curing agent and a curing agent and semi-curing or curing the coating film is preferable.

光硬化性樹脂としては、(メタ)アクリロイル基を有する化合物等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、光硬化性樹脂の種類に応じた公知の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、アミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、耐熱性に優れる点から、アミド樹脂、エポキシ樹脂が好ましい。
硬化剤としては、熱硬化性樹脂の種類に応じた公知の硬化剤が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルホン、ポリフェニレンサルフィド、ポリフェニレンサルフィドサルホン、ポリフェニレンサルフィドケトン等が挙げられる。
Examples of the photocurable resin include compounds having a (meth) acryloyl group.
Examples of the photoradical polymerization initiator include known photoradical polymerization initiators depending on the type of photocurable resin.
Examples of the thermosetting resin include amide resin, epoxy resin, phenol resin, amino resin, alkyd resin, urethane resin, synthetic rubber, and ultraviolet curable acrylate resin.
As the thermosetting resin, an amide resin and an epoxy resin are preferable from the viewpoint of excellent heat resistance.
Examples of the curing agent include known curing agents depending on the type of thermosetting resin.
Examples of the thermoplastic resin include aromatic polyetherketone, polyimide, polyamideimide, polyamide, polysulfone, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyphenylene sulfide, polyphenylene sulfide sulfone, and polyphenylene sulfide ketone.

絶縁樹脂層10は、プリント配線板のプリント回路を隠蔽したり、回路基板に意匠性を付与したりするために、着色剤(顔料、染料等)及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、耐候性、耐熱性、隠蔽性の点から、顔料又はフィラーが好ましく、プリント回路の隠蔽性、意匠性の点から、黒色顔料、又は黒色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
絶縁樹脂層10は、難燃剤を含んでいてもよい。絶縁樹脂層10は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。
The insulating resin layer 10 contains one or both of a colorant (pigment, dye, etc.) and a filler in order to conceal the printed circuit of the printed wiring board and impart designability to the circuit board. May be good.
As one or both of the colorant and the filler, a pigment or a filler is preferable from the viewpoint of weather resistance, heat resistance and concealing property, and a black pigment or a black pigment is used from the viewpoint of concealing property and design property of a printed circuit. Combinations with other pigments or fillers are more preferred.
The insulating resin layer 10 may contain a flame retardant. The insulating resin layer 10 may contain other components, if necessary, as long as the effects of the present invention are not impaired.

絶縁樹脂層10の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、1×10Ω/□以上が好ましい。絶縁樹脂層10の表面抵抗は、実用上の点から、1×1019Ω/□以下が好ましい。
絶縁樹脂層10の厚さは、0.1μm以上30μm以下が好ましく、0.5μm以上20μm以下がより好ましい。絶縁樹脂層10の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、絶縁樹脂層10が保護層としての機能を十分に発揮できる。絶縁樹脂層10の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムを除いた電磁波シールドフィルム1Aの厚さを薄くできる。
The surface resistance of the insulating resin layer 10 is preferably 1 × 10 6 Ω / □ or more from the viewpoint of electrical insulation. The surface resistance of the insulating resin layer 10 is preferably 1 × 10 19 Ω / □ or less from a practical point of view.
The thickness of the insulating resin layer 10 is preferably 0.1 μm or more and 30 μm or less, and more preferably 0.5 μm or more and 20 μm or less. When the thickness of the insulating resin layer 10 is at least the lower limit of the above range, the insulating resin layer 10 can sufficiently exert the function as a protective layer. When the thickness of the insulating resin layer 10 is not more than the upper limit of the above range, the thickness of the electromagnetic wave shielding film 1A excluding the release film can be reduced.

(シールド層)
シールド層22は、面方向に広がるように形成されている1層又は複数層の金属薄膜層を有する。金属薄膜層は、金属のみからなる層である。シールド層22の、少なくとも絶縁樹脂層10と反対側の最外層は金属薄膜層とされている。
(Shield layer)
The shield layer 22 has one or a plurality of metal thin film layers formed so as to spread in the plane direction. The metal thin film layer is a layer made of only metal. At least the outermost layer of the shield layer 22 opposite to the insulating resin layer 10 is a metal thin film layer.

金属薄膜層としては、物理蒸着(真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、電子ビーム蒸着等)又はCVD(化学気相蒸着)によって形成された蒸着膜、めっきによって形成されためっき膜、金属箔等が挙げられる。面方向の導電性に優れる点では、金属薄膜層は、蒸着膜、めっき膜が好ましい。シールド層22を薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れ、ドライプロセスにて簡便に形成できる点で、金属薄膜層は蒸着膜がより好ましく、物理蒸着による蒸着膜がさらに好ましい。 Examples of the metal thin film layer include a vapor deposition film formed by physical vapor deposition (vacuum vapor deposition, sputtering, ion beam deposition, electron beam deposition, etc.) or CVD (chemical vapor deposition), a plating film formed by plating, a metal foil, and the like. Can be mentioned. The metal thin film layer is preferably a vapor-deposited film or a plated film in terms of excellent surface conductivity. A thin-film metal film layer is more preferable, and a thin-film film by physical vapor deposition is more preferable because the shield layer 22 can be made thin, has excellent conductivity in the plane direction even if the thickness is thin, and can be easily formed by a dry process. preferable.

金属薄膜層を構成する金属としては、アルミニウム、銀、銅、金、導電性セラミックス等が挙げられる。電気伝導度の点からは、銀又は銅が好ましい。
金属薄膜層のなかでも、電磁波遮蔽性が高く、しかも金属薄膜を容易に形成しやすいことから、金属蒸着層が好ましく、銀蒸着層又は銅蒸着層がより好ましい。
Examples of the metal constituting the metal thin film layer include aluminum, silver, copper, gold, and conductive ceramics. From the viewpoint of electrical conductivity, silver or copper is preferable.
Among the metal thin-film layers, a metal-deposited layer is preferable, and a silver-deposited layer or a copper-deposited layer is more preferable, because the metal thin-film layer has high electromagnetic shielding properties and the metal thin film can be easily formed.

金属薄膜層の表面抵抗は、0.001Ω/□以上1Ω/□以下が好ましく、0.001Ω/□以上0.5Ω/□以下がより好ましい。金属薄膜層の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、シールド層22を十分に薄くできる。金属薄膜層の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールド層として十分に機能できる。 The surface resistance of the metal thin film layer is preferably 0.001 Ω / □ or more and 1 Ω / □ or less, and more preferably 0.001 Ω / □ or more and 0.5 Ω / □ or less. When the surface resistance of the metal thin film layer is equal to or higher than the lower limit of the above range, the shield layer 22 can be sufficiently thinned. If the surface resistance of the metal thin film layer is not more than the upper limit of the above range, it can sufficiently function as an electromagnetic wave shielding layer.

シールド層22が1層の金属薄膜層からなる場合、シールド層22の厚さ、すなわち、金属薄膜層の厚さは、0.01μm以上1μm以下が好ましく、0.05μm以上1μm以下がより好ましい。シールド層22の厚さが0.01μm以上であれば、面方向の導電性がさらに良好になる。シールド層22の厚さが0.05μm以上であれば、電磁波ノイズの遮蔽効果がさらに良好になる。シールド層22の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムを除いた電磁波シールドフィルム1Aの厚さを薄くできる。また、電磁波シールドフィルム1Aの生産性、可とう性がよくなる。 When the shield layer 22 is composed of one metal thin film layer, the thickness of the shield layer 22, that is, the thickness of the metal thin film layer is preferably 0.01 μm or more and 1 μm or less, and more preferably 0.05 μm or more and 1 μm or less. When the thickness of the shield layer 22 is 0.01 μm or more, the conductivity in the plane direction is further improved. When the thickness of the shield layer 22 is 0.05 μm or more, the shielding effect of electromagnetic noise is further improved. When the thickness of the shield layer 22 is not more than the upper limit of the above range, the thickness of the electromagnetic wave shield film 1A excluding the release film can be reduced. In addition, the productivity and flexibility of the electromagnetic wave shielding film 1A are improved.

シールド層22が、複数層の金属薄膜層を有する場合、シールド層22は各金属薄膜層の間に非金属層が挿入された積層体として構成される。
金属薄膜層の数は、2〜10層が好ましく、2〜6層がより好ましく、2〜4層がより好ましい。複数の金属薄膜層を有することにより、1層の金属薄膜層を備える場合よりも電磁波の反射界面が多くなり、各金属薄膜層の厚みが薄くても、電磁波遮蔽性が優れる。
各金属薄膜層の厚さ、構成材料、物性等は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
When the shield layer 22 has a plurality of metal thin film layers, the shield layer 22 is configured as a laminated body in which a non-metal layer is inserted between the metal thin film layers.
The number of metal thin film layers is preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6 layers, and even more preferably 2 to 4 layers. By having a plurality of metal thin film layers, the number of reflection interfaces of electromagnetic waves is larger than that in the case of providing one metal thin film layer, and even if the thickness of each metal thin film layer is thin, the electromagnetic wave shielding property is excellent.
The thickness, constituent materials, physical properties, etc. of each metal thin film layer may be the same as or different from each other.

シールド層22が、複数層の金属薄膜層を有する場合、各金属薄膜層の厚さは、全て1μm以下であることが好ましい。また、それぞれ独立に、0.01μm以上1μm以下が好ましく、0.05μm以上0.6μm以下がより好ましく、0.1μm以上0.4μm以下がさらに好ましい。各金属薄膜層の厚さは同じでもよいし、異なっていてもよい。
各金属薄膜層の厚さが上記範囲の上限値以下であると、各金属薄膜層におけるガス透過性が高まり、はんだリフロー処理時に発生したガス(例えば、導電性接着剤層24から発生したガス)が透過し易くなるので、ガスの滞留による層間剥離や膨れを防止することができる。
各金属薄膜層の厚さが上記範囲の下限値以上であると、各金属薄膜層の界面における電磁波遮蔽性が向上する。
When the shield layer 22 has a plurality of metal thin film layers, the thickness of each metal thin film layer is preferably 1 μm or less. Independently, 0.01 μm or more and 1 μm or less is preferable, 0.05 μm or more and 0.6 μm or less is more preferable, and 0.1 μm or more and 0.4 μm or less is further preferable. The thickness of each metal thin film layer may be the same or different.
When the thickness of each metal thin film layer is not more than the upper limit of the above range, the gas permeability in each metal thin film layer is increased, and the gas generated during the solder reflow treatment (for example, the gas generated from the conductive adhesive layer 24). Can be easily permeated, so that delamination and swelling due to the retention of gas can be prevented.
When the thickness of each metal thin film layer is at least the lower limit of the above range, the electromagnetic wave shielding property at the interface of each metal thin film layer is improved.

シールド層22が、複数層の金属薄膜層を有する場合、複数の金属薄膜層の合計の厚さは、0.1μm以上5μm以下が好ましく、0.2μm以上2μm以下がより好ましく、0.3μm以上1.2μm以下がさらに好ましく、0.5μm以上1μm以下が最も好ましい。
前記合計の厚さが上記範囲の下限値以上であると、シールド層22におけるガス透過性が高まり、はんだリフロー処理時に発生したガス(例えば、導電性接着剤層24から発生したガス)が透過し易くなるので、ガスの滞留による層間剥離や膨れを防止することができる。
前記合計の厚さが上記範囲の上限値以下であると、電磁波シールドフィルムを薄型化することができる。
When the shield layer 22 has a plurality of metal thin film layers, the total thickness of the plurality of metal thin film layers is preferably 0.1 μm or more and 5 μm or less, more preferably 0.2 μm or more and 2 μm or less, and more preferably 0.3 μm or more. It is more preferably 1.2 μm or less, and most preferably 0.5 μm or more and 1 μm or less.
When the total thickness is not more than the lower limit of the above range, the gas permeability in the shield layer 22 is enhanced, and the gas generated during the solder reflow treatment (for example, the gas generated from the conductive adhesive layer 24) is permeated. Since it becomes easy, it is possible to prevent delamination and swelling due to the retention of gas.
When the total thickness is not more than the upper limit of the above range, the electromagnetic wave shielding film can be made thinner.

シールド層22が、複数層の金属薄膜層を有する場合、各金属薄膜層の間には非金属層が必ず介在している。換言すれば、非金属層が介在せずに一纏まりの金属薄膜層が多層化している場合(例えば、金属薄膜層Aの上に金属薄膜層Bが蒸着等により積層されている場合)、この一纏まりの金属薄膜層は1層の金属薄膜層であるとみなす。 When the shield layer 22 has a plurality of metal thin film layers, a non-metal layer is always interposed between the metal thin film layers. In other words, when a group of metal thin film layers is multi-layered without interposing a non-metal layer (for example, when the metal thin film layer B is laminated on the metal thin film layer A by vapor deposition or the like), this A group of metal thin film layers is regarded as one metal thin film layer.

シールド層22の金属薄膜層は金属のみからなる層である。これに対して、各金属薄膜層の間に介在する非金属層は、金属のみからなる層ではなく、少なくとも樹脂を含む層である。非金属層としては、例えば、絶縁樹脂(電気的に絶縁性である樹脂)からなる絶縁層、導電性粒子又は導電性ポリマーを含む導電層が挙げられる。 The metal thin film layer of the shield layer 22 is a layer made of only metal. On the other hand, the non-metal layer interposed between the metal thin film layers is not a layer composed only of metal, but a layer containing at least a resin. Examples of the non-metal layer include an insulating layer made of an insulating resin (resin that is electrically insulating), a conductive layer containing conductive particles or a conductive polymer.

非金属層の厚みは、0.01μm以上5μm以下が好ましく、1μm以上4μm以下がより好ましく、2μm以上3μm以下がさらに好ましい。
非金属層の厚みが上記範囲の下限値以上であると、隣接する金属薄膜層に対する接着力が高まり、上記範囲の上限値以下であると、非金属層におけるガス透過性が高まり、結果として半田耐熱性が向上するので好ましい。
The thickness of the non-metal layer is preferably 0.01 μm or more and 5 μm or less, more preferably 1 μm or more and 4 μm or less, and further preferably 2 μm or more and 3 μm or less.
When the thickness of the non-metal layer is not less than the lower limit of the above range, the adhesive force to the adjacent metal thin film layer is increased, and when it is not more than the upper limit of the above range, the gas permeability in the non-metal layer is increased, and as a result, soldering is performed. It is preferable because it improves heat resistance.

前記絶縁層を構成する絶縁樹脂としては、例えば、公知の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、耐熱性の点から、熱硬化性樹脂が好ましい。非金属層を構成する熱硬化性樹脂は、未硬化状態、Bステージ化された状態、及び硬化された状態のうち、何れの状態であってもよい。
前記絶縁層は、必要に応じて絶縁樹脂以外の他の成分を含んでいてもよい。
Examples of the insulating resin constituting the insulating layer include known thermosetting resins and thermoplastic resins, and thermosetting resins are preferable from the viewpoint of heat resistance. The thermosetting resin constituting the non-metal layer may be in any of an uncured state, a B-staged state, and a cured state.
The insulating layer may contain components other than the insulating resin, if necessary.

前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、ウレタン樹脂、縮合硬化型シリコーン、付加硬化型シリコーン、熱硬化性アクリル樹脂等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。
前記絶縁樹脂には、熱硬化性樹脂の硬化剤が含まれていてもよい。硬化剤としては、例えば、イソシアネート基を2つ以上有するイソシアネート化合物、エポキシ基を2つ以上有するエポキシ化合物等が挙げられ、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択される。
Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, imide resin, urethane resin, condensation-curing silicone, addition-curing silicone, and thermosetting acrylic resin. Of these, epoxy resin is preferable because it has excellent heat resistance.
The insulating resin may contain a curing agent of a thermosetting resin. Examples of the curing agent include an isocyanate compound having two or more isocyanate groups, an epoxy compound having two or more epoxy groups, and the like, which are appropriately selected depending on the type of the thermosetting resin.

前記熱可塑性樹脂としては、例えば、熱可塑性アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、クロロプレン、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体又はその水素添加物、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体又はその水素添加物等が挙げられる。 Examples of the thermoplastic resin include a thermoplastic acrylic resin, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ethylene-acrylic copolymer, a polyvinyl chloride, a polyvinyl acetate, a polyamide, chloroprene, a styrene-butadiene copolymer, and a styrene-. Examples thereof include a butadiene-styrene block copolymer or a hydrogenated product thereof, a styrene-isoprene-styrene block copolymer or a hydrogenated product thereof, and the like.

前記導電層に含まれる樹脂としては、例えば、上述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、耐熱性の点から、熱硬化性樹脂が好ましい。また、前記導電層に導電性を付与する点で、導電性ポリマーも好適である。 Examples of the resin contained in the conductive layer include the above-mentioned thermosetting resin and thermoplastic resin, and a thermosetting resin is preferable from the viewpoint of heat resistance. Further, a conductive polymer is also suitable in that it imparts conductivity to the conductive layer.

前記導電層が導電性粒子及び絶縁樹脂を含む場合、導電性粒子の体積平均粒子径は、0.2μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上8μm以下がより好ましく、0.8μm以上5μm以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、前記導電層の厚さを維持することができる。前記範囲の上限値以下であれば、金属薄膜層間の接着強度を高めることができる。 When the conductive layer contains conductive particles and an insulating resin, the volume average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.2 μm or more and 10 μm or less, more preferably 0.5 μm or more and 8 μm or less, and 0.8 μm or more and 5 μm or less. More preferred. The thickness of the conductive layer can be maintained as long as it is equal to or higher than the lower limit of the above range. When it is not more than the upper limit of the above range, the adhesive strength between the metal thin film layers can be increased.

前記導電層における前記導電性粒子の割合は、前記導電層の100体積%のうち、1体積%以上30体積%以下が好ましく、2体積%以上15体積%以下がより好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、導電層の導電性が良好になる。前記範囲の上限値以下であれば、導電層の接着性が良好になる。また、電磁波シールドフィルム1Aの可とう性が良好になる。 The proportion of the conductive particles in the conductive layer is preferably 1% by volume or more and 30% by volume or less, and more preferably 2% by volume or more and 15% by volume or less, out of 100% by volume of the conductive layer. When it is at least the lower limit of the above range, the conductivity of the conductive layer becomes good. When it is not more than the upper limit value of the above range, the adhesiveness of the conductive layer becomes good. In addition, the flexibility of the electromagnetic wave shielding film 1A is improved.

前記導電性粒子を含む前記導電層の厚さは、0.2μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上8μm以下がより好ましく、0.8μm以上5μm以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、金属薄膜層間の接着強度を高めることができる。前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム1Aを薄くすることができる。また、電磁波シールドフィルム1Aの可とう性が良好になる。 The thickness of the conductive layer containing the conductive particles is preferably 0.2 μm or more and 10 μm or less, more preferably 0.5 μm or more and 8 μm or less, and further preferably 0.8 μm or more and 5 μm or less. When it is at least the lower limit of the above range, the adhesive strength between the metal thin film layers can be increased. If it is not more than the upper limit of the above range, the electromagnetic wave shielding film 1A can be thinned. In addition, the flexibility of the electromagnetic wave shielding film 1A is improved.

前記導電層が導電性ポリマーを含む場合、前記導電層には導電性ポリマー以外の樹脂が含まれてもよいし、含まれなくてもよい。導電性ポリマー以外の樹脂として、前記熱硬化性樹脂、前記熱可塑性樹脂が挙げられる。前記導電層には、導電性ポリマーに加えて前記導電性粒子が含まれていてもよい。
前記導電性ポリマーとしては、例えば、公知のπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が挙げられる。
シールド層22を構成する非金属薄膜層が複数である場合、各非金属層の厚さ、構成材料、物性等は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
When the conductive layer contains a conductive polymer, the conductive layer may or may not contain a resin other than the conductive polymer. Examples of the resin other than the conductive polymer include the thermosetting resin and the thermoplastic resin. The conductive layer may contain the conductive particles in addition to the conductive polymer.
Examples of the conductive polymer include a conductive composite containing a known π-conjugated conductive polymer and polyanion.
When there are a plurality of non-metal thin film layers constituting the shield layer 22, the thickness, constituent materials, physical properties, etc. of each non-metal layer may be the same as or different from each other.

(導電性接着剤層)
導電性接着剤層24は、接着剤成分24a及び導電性粒子24bを含む。
接着剤成分24aは接着性樹脂を含む。また、難燃剤を含んでいてもよい。接着剤成分24aは、導電性接着剤層24の強度を高め、打ち抜き特性を向上させるために、セルロース樹脂、ミクロフィブリル(ガラス繊維等)を含んでいてもよい。接着剤成分24aは、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。
(Conductive adhesive layer)
The conductive adhesive layer 24 contains an adhesive component 24a and conductive particles 24b.
The adhesive component 24a contains an adhesive resin. It may also contain a flame retardant. The adhesive component 24a may contain a cellulose resin, microfibrils (glass fiber, etc.) in order to increase the strength of the conductive adhesive layer 24 and improve the punching characteristics. The adhesive component 24a may contain other components, if necessary, as long as the effects of the present invention are not impaired.

接着性樹脂としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性樹脂を用いる。
熱硬化性樹脂は、未硬化の状態であってもよく、Bステージ化された状態であってもよい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分(カルボキシ変性ニトリルゴム、アクリルゴム等)、粘着付与剤等を含んでいてもよい。
接着剤成分24aにおける他の成分としては、硬化剤、硬化促進剤、低応力化剤(応力緩和剤)等が挙げられる。
As the adhesive resin, a thermosetting resin is used because it can exhibit heat resistance after curing.
The thermosetting resin may be in an uncured state or in a B-staged state. Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, amino resin, alkyd resin, urethane resin, synthetic rubber, ultraviolet curable acrylate resin and the like. Epoxy resin is preferable because it has excellent heat resistance. The epoxy resin may contain a rubber component (carboxy-modified nitrile rubber, acrylic rubber, etc.) for imparting flexibility, a tackifier, and the like.
Examples of other components in the adhesive component 24a include a curing agent, a curing accelerator, a low stress agent (stress relaxation agent), and the like.

硬化剤としては、導電性接着剤層24の接着性がさらに向上する点から、1つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族カルボン酸が好ましく、4−ヒドロキシ安息香酸又はガリック酸がより好ましい。
接着剤成分24aにおける硬化剤の含有量は、接着性樹脂100質量部に対して、1質量部以上100質量部以下が好ましく、5質量部以上50質量部以下がより好ましく、10質量部以上30質量部以下がさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層24の硬化性に優れ、接着性がさらに優れる。硬化剤の含有量が前記範囲の上限値以下であれば、導電性接着剤層24の硬化速度が適度なものとなる。
As the curing agent, an aromatic carboxylic acid having one or more hydroxy groups is preferable, and 4-hydroxybenzoic acid or gallic acid is more preferable, from the viewpoint of further improving the adhesiveness of the conductive adhesive layer 24.
The content of the curing agent in the adhesive component 24a is preferably 1 part by mass or more and 100 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, and 10 parts by mass or more and 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. More preferably, it is by mass or less. When the content of the curing agent is at least the lower limit of the above range, the conductive adhesive layer 24 has excellent curability and further excellent adhesiveness. When the content of the curing agent is not more than the upper limit of the above range, the curing rate of the conductive adhesive layer 24 becomes appropriate.

硬化剤が1つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族カルボン酸であり、接着性樹脂がエポキシ樹脂である場合、エポキシ基1モルに対する硬化剤の活性水素基のモル数は、0.5モル以上1.5モル以下が好ましい。硬化剤の活性水素基のモル数が前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層24の硬化性に優れ、接着性がさらに優れる。硬化剤の活性水素基のモル数が前記範囲の上限値以下であれば、導電性接着剤層24の硬化速度が適度なものとなる。ここで、硬化剤の活性水素基は、水酸基及びカルボキシ基である。 When the curing agent is an aromatic carboxylic acid having one or more hydroxy groups and the adhesive resin is an epoxy resin, the number of moles of active hydrogen groups of the curing agent with respect to 1 mol of epoxy groups is 0.5 mol or more and 1 It is preferably 5.5 mol or less. When the number of moles of active hydrogen groups in the curing agent is not less than the lower limit of the above range, the conductive adhesive layer 24 has excellent curability and further excellent adhesiveness. When the number of moles of active hydrogen groups in the curing agent is not more than the upper limit of the above range, the curing rate of the conductive adhesive layer 24 becomes appropriate. Here, the active hydrogen group of the curing agent is a hydroxyl group and a carboxy group.

低応力化剤としては、酢酸ビニル樹脂、シリコーン化合物等が挙げられる。
接着剤成分24aにおける低応力化剤の含有量は、接着剤成分24a(固形分)100質量%のうち、10質量%以上80質量%以下が好ましく、30質量%以上70質量%以下がより好ましい。低応力化剤の含有量が前記範囲内であれば、導電性接着剤層24の可とう性に優れる。
Examples of the low stress agent include vinyl acetate resin and silicone compounds.
The content of the low stress agent in the adhesive component 24a is preferably 10% by mass or more and 80% by mass or less, and more preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, based on 100% by mass of the adhesive component 24a (solid content). .. When the content of the low stressing agent is within the above range, the flexibility of the conductive adhesive layer 24 is excellent.

「100〜190℃における貯蔵弾性率の最低値」(以下「熱プレス時最低貯蔵弾性率」という。)を低くするためには、接着剤成分24aにおける接着性樹脂として貯蔵弾性率の低い樹脂を使用すればよい。「100〜190℃における貯蔵弾性率の最低値」が低くなりすぎないようにするためには、樹脂微粒子または無機微粒子等のフィラーを添加する、もしくは100〜190℃で硬化し、硬化後の貯蔵弾性率が高くなる熱硬化性樹脂と硬化剤の種類と配合量を選択すればよい。 In order to reduce the "minimum storage elastic modulus at 100 to 190 ° C." (hereinafter referred to as "minimum storage elastic modulus during hot pressing"), a resin having a low storage elastic modulus is used as the adhesive resin in the adhesive component 24a. You can use it. In order to prevent the "minimum storage elastic modulus at 100 to 190 ° C." from becoming too low, a filler such as resin fine particles or inorganic fine particles is added, or the product is cured at 100 to 190 ° C. and stored after curing. The type and amount of the thermosetting resin and the curing agent having a high elastic modulus may be selected.

導電性粒子24bは、両表面が扁平面とされたフレーク状である。本発明で用いるフレーク状導電粒子とは、体積平均粒子径に対する厚みが10分の1以下である葉状の粒子のことを言う。
導電性粒子24bの体積平均粒子径は、1μm〜100μmであることが好ましく、3μm〜80μmであることがより好ましく、5μm〜50μmであることがさらに好ましい。導電性粒子24bの厚みは0.05μm〜1μmの範囲のものが好ましい。
また、導電粒子1つの扁平部長手方向及び扁平部短手方向の長さは、それぞれ独立して1μm〜100μmの範囲にあることが好ましい。
The conductive particles 24b are in the form of flakes with both surfaces flattened. The flake-shaped conductive particles used in the present invention refer to leaf-shaped particles having a thickness of 1/10 or less of the volume average particle size.
The volume average particle diameter of the conductive particles 24b is preferably 1 μm to 100 μm, more preferably 3 μm to 80 μm, and further preferably 5 μm to 50 μm. The thickness of the conductive particles 24b is preferably in the range of 0.05 μm to 1 μm.
Further, it is preferable that the lengths of one conductive particle in the longitudinal direction of the flat portion and in the lateral direction of the flat portion are independently in the range of 1 μm to 100 μm.

導電性粒子24bを構成する材質としては、銀、白金、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム等が挙げられる。中でも、導電率が高いことから、銀が好ましい。
また、金属酸化物を含むコア粒子の表面に、金属コート層を有する粒子であってもよい。
金属酸化物は、アルミナ、シリカ、ジルコニア、及びマグネシアからなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
金属コート層に含まれる金属としては、銀、白金、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム等が挙げられる。中でも、導電率が高いことから、銀が好ましい。
Examples of the material constituting the conductive particles 24b include silver, platinum, gold, copper, nickel, palladium, and aluminum. Of these, silver is preferable because of its high conductivity.
Further, the particles may have a metal coat layer on the surface of the core particles containing the metal oxide.
The metal oxide is preferably one or more selected from the group consisting of alumina, silica, zirconia, and magnesia.
Examples of the metal contained in the metal coat layer include silver, platinum, gold, copper, nickel, palladium, and aluminum. Of these, silver is preferable because of its high conductivity.

導電性粒子24bの10%圧縮強度は、30MPa以上200MPa以下が好ましく、50MPa以上150MPa以下がより好ましく、70MPa以上100MPa以下がさらに好ましい。導電性粒子24bの10%圧縮強度が前記範囲の下限値以上であれば、熱プレスの際にシールド層22にかけられた圧力を大きく損失することなく、導電性接着剤層24が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。導電性粒子24bの10%圧縮強度が前記範囲の上限値以下であれば、シールド層22との接触がよくなり、電気的接続が確実になる。 The 10% compressive strength of the conductive particles 24b is preferably 30 MPa or more and 200 MPa or less, more preferably 50 MPa or more and 150 MPa or less, and further preferably 70 MPa or more and 100 MPa or less. When the 10% compressive strength of the conductive particles 24b is equal to or higher than the lower limit of the above range, the conductive adhesive layer 24 penetrates the insulating film without significantly losing the pressure applied to the shield layer 22 during hot pressing. It is securely electrically connected through the holes by the printed circuit of the printed wiring board. When the 10% compressive strength of the conductive particles 24b is equal to or less than the upper limit of the above range, the contact with the shield layer 22 is improved and the electrical connection is ensured.

導電性接着剤層24の100質量%に占める導電性粒子24bの割合は、1質量%以上50質量%以下であることが好ましく、1質量%以上40質量%以下であることがより好ましく、1質量%以上30質量%以下であることがさらに好ましい。
導電性接着剤層24における導電性粒子24bの含有量が好ましい上限値以下であれば、導電性接着剤層24は、厚さ方向に導電性を有し、面方向には導電性を有さない異方性導電性接着剤層となりやすい。導電性接着剤層24が異方性導電性接着剤層となると、等方性接着剤層となった場合と比較して、導電性を維持しながら、コストダウンができる。
導電性接着剤層24における導電性粒子24bの含有量が好ましい下限値以上であれば、導電性接着剤層24の導電性が良好になる。
The ratio of the conductive particles 24b to 100% by mass of the conductive adhesive layer 24 is preferably 1% by mass or more and 50% by mass or less, and more preferably 1% by mass or more and 40% by mass or less. It is more preferably mass% or more and 30 mass% or less.
When the content of the conductive particles 24b in the conductive adhesive layer 24 is not more than a preferable upper limit value, the conductive adhesive layer 24 has conductivity in the thickness direction and conductivity in the surface direction. It tends to be an anisotropic conductive adhesive layer. When the conductive adhesive layer 24 becomes an anisotropic conductive adhesive layer, the cost can be reduced while maintaining the conductivity as compared with the case where the conductive adhesive layer 24 becomes an isotropic adhesive layer.
When the content of the conductive particles 24b in the conductive adhesive layer 24 is at least a preferable lower limit value, the conductivity of the conductive adhesive layer 24 becomes good.

導電性接着剤層24の100〜190℃における貯蔵弾性率の貯蔵弾性率(熱プレス時最低貯蔵弾性率)は、1.0×10〜1.0×10Paである。熱プレス時最低貯蔵弾性率は、1.0×10〜5.0×10Paであることが好ましく、1.0×10〜1.0×10Paであることがより好ましい。
熱プレス時最低貯蔵弾性率が好ましい上限値以下であれば、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルム1Aとを熱プレスする際に導電性粒子24bが基板の面方向に沿って配向しやすい。熱プレス時最低貯蔵弾性率が好ましい下限値以上であれば、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルム1Aとを熱プレスする際に導電性接着剤層24から接着剤成分24aが溶出しにくくなる。
Storage modulus of the storage modulus at 100 to 190 ° C. of the conductive adhesive layer 24 (lowest storage modulus during hot pressing) is 1.0 × 10 3 ~1.0 × 10 5 Pa. The minimum storage elastic modulus during hot pressing is preferably 1.0 × 10 3 to 5.0 × 10 4 Pa, and more preferably 1.0 × 10 3 to 1.0 × 10 4 Pa.
When the minimum storage elastic modulus during hot pressing is not more than a preferable upper limit value, the conductive particles 24b are likely to be oriented along the surface direction of the substrate when the printed wiring board with an insulating film and the electromagnetic wave shielding film 1A are hot pressed. If the minimum storage elastic modulus during hot pressing is equal to or higher than the preferable lower limit value, the adhesive component 24a is less likely to elute from the conductive adhesive layer 24 when the printed wiring board with an insulating film and the electromagnetic wave shielding film 1A are hot pressed. ..

導電性接着剤層24の表面抵抗は、1×10Ω/□以上1×1016Ω/□以下が好ましく、1×10Ω/□以上1×1014Ω/□以下がより好ましい。導電性接着剤層24の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子24bの含有量を低く抑えられる。導電性接着剤層24の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、実用上、異方性に問題がない。 The surface resistance of the conductive adhesive layer 24 is preferably 1 × 10 4 Ω / □ or more and 1 × 10 16 Ω / □ or less, and more preferably 1 × 10 6 Ω / □ or more and 1 × 10 14 Ω / □ or less. When the surface resistance of the conductive adhesive layer 24 is at least the lower limit of the above range, the content of the conductive particles 24b can be suppressed low. If the surface resistance of the conductive adhesive layer 24 is not more than the upper limit of the above range, there is no problem in anisotropy in practical use.

導電性接着剤層24の厚さは、3〜25μmであることが好ましく、3〜15μmであることがより好ましく、5〜10μmであることがさらに好ましい。
導電性接着剤層24の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層24の流動性(絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性)を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。導電性接着剤層24の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム1Aを薄くできる。また、電磁波シールドフィルム1Aの可とう性がよくなる。また、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルム1Aとを熱プレスする際に導電性接着剤層24から接着剤成分24aが溶出しにくくなる。
The thickness of the conductive adhesive layer 24 is preferably 3 to 25 μm, more preferably 3 to 15 μm, and even more preferably 5 to 10 μm.
When the thickness of the conductive adhesive layer 24 is equal to or greater than the lower limit of the above range, the fluidity of the conductive adhesive layer 24 (following the shape of the through hole of the insulating film) can be ensured, and the insulating film penetrates. The inside of the hole can be sufficiently filled with the conductive adhesive. When the thickness of the conductive adhesive layer 24 is not more than the upper limit of the above range, the electromagnetic wave shielding film 1A can be thinned. In addition, the flexibility of the electromagnetic wave shielding film 1A is improved. Further, when the printed wiring board with the insulating film and the electromagnetic wave shielding film 1A are hot-pressed, the adhesive component 24a is less likely to be eluted from the conductive adhesive layer 24.

導電性接着剤層24の層厚に対する導電性粒子24bの平均厚さの比は、0.002〜0.3であることが好ましく、0.01〜0.3であることがより好ましく、0.04〜0.2であることがさらに好ましい。
上記の比が好ましい下限値以上であれば、回路基板において、絶縁フィルムの貫通孔で、面方向に導電粒子が配向し、厚さ方向に導電しやすくなるなので、接続抵抗を低下させやすい。
The ratio of the average thickness of the conductive particles 24b to the layer thickness of the conductive adhesive layer 24 is preferably 0.002 to 0.3, more preferably 0.01 to 0.3, and is 0. It is more preferably .04 to 0.2.
When the above ratio is not more than the preferable lower limit value, the conductive particles are oriented in the plane direction in the through holes of the insulating film in the circuit board, and the conductive particles are easily conducted in the thickness direction, so that the connection resistance is easily lowered.

(第1の離型フィルム)
第1の離型フィルム30は、絶縁樹脂層10やシールド層22のキャリアフィルムとなるものであり、電磁波シールドフィルム1Aのハンドリング性を良好にする。第1の離型フィルム30は、電磁波シールドフィルム1Aをプリント配線板等に貼り付けた後には、絶縁樹脂層10から剥離される。
(First release film)
The first release film 30 serves as a carrier film for the insulating resin layer 10 and the shield layer 22, and improves the handleability of the electromagnetic wave shield film 1A. The first release film 30 is peeled off from the insulating resin layer 10 after the electromagnetic wave shielding film 1A is attached to a printed wiring board or the like.

第1の離型フィルム30は、例えば、離型フィルム本体32と、離型フィルム本体32の絶縁樹脂層10側の表面に設けられた粘着剤層34とを有する。 The first release film 30 has, for example, a release film main body 32 and an adhesive layer 34 provided on the surface of the release film main body 32 on the insulating resin layer 10 side.

離型フィルム本体32の樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」とも記す。)、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、合成ゴム、液晶ポリマー等が挙げられる。樹脂材料としては、電磁波シールドフィルム1Aを製造する際の耐熱性(寸法安定性)及び価格の点から、PETが好ましい。 As the resin material of the release film main body 32, polyethylene terephthalate (hereinafter, also referred to as “PET”), polyethylene naphthalate, polyethylene isophthalate, polybutylene terephthalate, polyolefin, polyacetate, polycarbonate, polyvinylidene sulfide, polyamide, ethylene- Examples thereof include vinyl acetate copolymers, polyvinyl chlorides, polyvinylidene chlorides, synthetic rubbers, and liquid crystal polymers. As the resin material, PET is preferable from the viewpoint of heat resistance (dimensional stability) and price when manufacturing the electromagnetic wave shielding film 1A.

離型フィルム本体32は、着色剤(顔料、染料等)及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、絶縁樹脂層10と明確に区別でき、熱プレスした後に第1の離型フィルム30の剥がし残しに気が付きやすい点から、絶縁樹脂層10とは異なる色のものが好ましく、白色顔料、フィラー、又は白色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
The release film body 32 may contain one or both of a colorant (pigment, dye, etc.) and a filler.
Either one or both of the colorant and the filler is different from the insulating resin layer 10 in that it can be clearly distinguished from the insulating resin layer 10 and it is easy to notice the unpeeled residue of the first release film 30 after hot pressing. Colored ones are preferred, and white pigments, fillers, or combinations of white pigments with other pigments or fillers are more preferred.

離型フィルム本体32の180℃における貯蔵弾性率は、8×10Pa以上5×10Paが好ましく、1×10Pa以上8×10Paがより好ましい。離型フィルム本体32の180℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、第1の離型フィルム30が適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際の第1の離型フィルム30における圧力損失を低減できる。離型フィルム本体32の180℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、第1の離型フィルム30の柔軟性が良好となる。 The storage elastic modulus of the release film main body 32 at 180 ° C. is preferably 8 × 10 7 Pa or more and 5 × 10 9 Pa, and more preferably 1 × 10 8 Pa or more and 8 × 10 8 Pa. When the storage elastic modulus of the release film main body 32 at 180 ° C. is equal to or higher than the lower limit of the above range, the first release film 30 has an appropriate hardness, and the first release during hot pressing. The pressure loss in the mold film 30 can be reduced. When the storage elastic modulus of the release film main body 32 at 180 ° C. is equal to or less than the upper limit of the above range, the flexibility of the first release film 30 becomes good.

離型フィルム本体32の厚さは、3μm以上75μm以下が好ましく、12μm以上50μm以下がより好ましい。離型フィルム本体32の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム1Aのハンドリング性が良好となる。離型フィルム本体32の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、絶縁フィルムの表面に電磁波シールドフィルム1Aの導電性接着剤層を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。 The thickness of the release film main body 32 is preferably 3 μm or more and 75 μm or less, and more preferably 12 μm or more and 50 μm or less. When the thickness of the release film main body 32 is at least the lower limit of the above range, the handleability of the electromagnetic wave shield film 1A is good. When the thickness of the release film main body 32 is equal to or less than the upper limit of the above range, heat is likely to be transferred to the conductive adhesive layer when the conductive adhesive layer of the electromagnetic wave shielding film 1A is hot-pressed on the surface of the insulating film. ..

粘着剤層34は、例えば、離型フィルム本体32の表面に粘着剤を含む粘着剤組成物を塗布して形成される。第1の離型フィルム30が粘着剤層34を有することによって、第2の離型フィルム40を導電性接着剤層から剥離する際や電磁波シールドフィルム1Aをプリント配線板等に熱プレスによって貼り付ける際に、第1の離型フィルム30が絶縁樹脂層10から剥離することが抑えられ、第1の離型フィルム30が保護フィルムとしての役割を十分に果たすことができる。 The pressure-sensitive adhesive layer 34 is formed by applying, for example, a pressure-sensitive adhesive composition containing a pressure-sensitive adhesive to the surface of the release film main body 32. Since the first release film 30 has the pressure-sensitive adhesive layer 34, when the second release film 40 is peeled off from the conductive adhesive layer, or the electromagnetic wave shield film 1A is attached to a printed wiring board or the like by hot pressing. At that time, the release of the first release film 30 from the insulating resin layer 10 is suppressed, and the first release film 30 can sufficiently serve as a protective film.

粘着剤は、熱プレス前には第1の離型フィルム30が絶縁樹脂層10から容易に剥離することなく、熱プレス後には第1の離型フィルム30を絶縁樹脂層10から剥離できる程度の適度な粘着性を粘着剤層34に付与するものであることが好ましい。
粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。粘着剤のガラス転移温度は、−100℃以上60℃以下が好ましく、−60℃以上40℃以下がより好ましい。
The pressure-sensitive adhesive is such that the first release film 30 can be peeled from the insulating resin layer 10 after the hot pressing without the first release film 30 being easily peeled from the insulating resin layer 10 before the hot pressing. It is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer 34 is provided with an appropriate degree of adhesiveness.
Examples of the pressure-sensitive adhesive include an acrylic pressure-sensitive adhesive, a urethane-based pressure-sensitive adhesive, and a rubber-based pressure-sensitive adhesive. The glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive is preferably −100 ° C. or higher and 60 ° C. or lower, and more preferably −60 ° C. or higher and 40 ° C. or lower.

第1の離型フィルム30の厚さは、25μm以上125μm以下が好ましく、38μm以上100μm以下がより好ましい。第1の離型フィルム30の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム1Aのハンドリング性が良好となる。第1の離型フィルム30の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、絶縁フィルムの表面に電磁波シールドフィルム1Aの導電性接着剤層を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。 The thickness of the first release film 30 is preferably 25 μm or more and 125 μm or less, and more preferably 38 μm or more and 100 μm or less. When the thickness of the first release film 30 is at least the lower limit of the above range, the handleability of the electromagnetic wave shielding film 1A is good. When the thickness of the first release film 30 is equal to or less than the upper limit of the above range, heat is applied to the conductive adhesive layer when the conductive adhesive layer of the electromagnetic wave shielding film 1A is hot-pressed on the surface of the insulating film. Easy to convey.

(第2の離型フィルム)
第2の離型フィルム40は、導電性接着剤層を保護するものであり、電磁波シールドフィルム1Aのハンドリング性を良好にする。第2の離型フィルム40は、電磁波シールドフィルム1Aをプリント配線板等に貼り付ける前に、導電性接着剤層から剥離される。
(Second release film)
The second release film 40 protects the conductive adhesive layer and improves the handleability of the electromagnetic wave shielding film 1A. The second release film 40 is peeled off from the conductive adhesive layer before the electromagnetic wave shielding film 1A is attached to the printed wiring board or the like.

第2の離型フィルム40は、例えば、離型フィルム本体42と、離型フィルム本体42の導電性接着剤層側の表面に設けられた離型剤層44とを有する。 The second release film 40 has, for example, a release film main body 42 and a release agent layer 44 provided on the surface of the release film main body 42 on the conductive adhesive layer side.

離型フィルム本体42の樹脂材料としては、離型フィルム本体32の樹脂材料と同様なものが挙げられる。
離型フィルム本体42は、着色剤、フィラー等を含んでいてもよい。
離型フィルム本体42の厚さは、5μm以上500μm以下が好ましく、10μm以上150μm以下がより好ましく、25μm以上100μm以下がさらに好ましい。
Examples of the resin material of the release film main body 42 include the same resin materials as those of the release film main body 32.
The release film main body 42 may contain a colorant, a filler and the like.
The thickness of the release film body 42 is preferably 5 μm or more and 500 μm or less, more preferably 10 μm or more and 150 μm or less, and further preferably 25 μm or more and 100 μm or less.

離型剤層44は、例えば、離型フィルム本体42の表面を離型剤で処理して形成される。第2の離型フィルム40が離型剤層44を有することによって、第2の離型フィルム40を導電性接着剤層から剥離する際に、第2の離型フィルム40を剥離しやすく、導電性接着剤層が破断しにくくなる。
離型剤としては、公知の離型剤を用いればよい。
The release agent layer 44 is formed, for example, by treating the surface of the release film main body 42 with a release agent. Since the second release film 40 has the release agent layer 44, when the second release film 40 is peeled from the conductive adhesive layer, the second release film 40 can be easily peeled off and is conductive. The release adhesive layer is less likely to break.
As the release agent, a known release agent may be used.

離型剤層44の厚さは、0.05μm以上30μm以下が好ましく、0.1μm以上20μm以下がより好ましい。離型剤層44の厚さが前記範囲内であれば、第2の離型フィルム40をさらに剥離しやすくなる。 The thickness of the release agent layer 44 is preferably 0.05 μm or more and 30 μm or less, and more preferably 0.1 μm or more and 20 μm or less. When the thickness of the release agent layer 44 is within the above range, the second release film 40 can be more easily peeled off.

<電磁波シールドフィルムの他の実施形態>
例えば、絶縁樹脂層10が十分な柔軟性や強度を有する場合は、第1の離型フィルム30を省略してもよい。
導電性接着剤層24の表面の粘着力が小さい場合には、第2の離型フィルム40を省略してもよい。
第1の離型フィルム30は、離型フィルム本体32が自己粘着性を有するフィルムである場合には、粘着剤層34を有しなくてもよい。
第1の離型フィルム30は、粘着剤層34の代わりに離型剤層を有していてもよい。
第2の離型フィルム40は、離型フィルム本体42のみで十分な離型性を有する場合は、離型剤層44を有しなくてもよい。
<Other Embodiments of Electromagnetic Wave Shield Film>
For example, if the insulating resin layer 10 has sufficient flexibility and strength, the first release film 30 may be omitted.
When the adhesive force on the surface of the conductive adhesive layer 24 is small, the second release film 40 may be omitted.
The first release film 30 does not have to have the pressure-sensitive adhesive layer 34 when the release film main body 32 is a self-adhesive film.
The first release film 30 may have a release agent layer instead of the pressure-sensitive adhesive layer 34.
The second release film 40 does not have to have the release agent layer 44 when the release film main body 42 alone has sufficient releasability.

<電磁波シールドフィルムの製造方法>
本発明における電磁波シールドフィルムは、例えば、第1の離型フィルム、絶縁樹脂層及びシールド層を順に有する第1の積層体と、第2の離型フィルム及び導電性接着剤層を順に有する第2の積層体とを、シールド層と導電性接着剤層とが接するように重ねて圧着することによって製造できる。
<Manufacturing method of electromagnetic wave shield film>
The electromagnetic wave shield film in the present invention has, for example, a first laminate having a first release film, an insulating resin layer and a shield layer in this order, and a second release film and a second release film having a conductive adhesive layer in order. It can be manufactured by stacking and crimping the laminated body of the above so that the shield layer and the conductive adhesive layer are in contact with each other.

具体的に、下記の方法(A1)、又は方法(A2)が挙げられる。
ただし、本発明における電磁波シールドフィルムの製造方法は、方法(A1)、又は方法(A2)に限定されない。
Specifically, the following method (A1) or method (A2) can be mentioned.
However, the method for producing the electromagnetic wave shielding film in the present invention is not limited to the method (A1) or the method (A2).

方法(A1)は、下記の工程(A1−1)〜(A1−4)を有する方法である。
工程(A1−1):キャリアフィルムの表面にシールド層22を設けたキャリアフィルム付き金属薄膜を用意する工程。
工程(A1−2):キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層22の表面に絶縁樹脂層10を形成し、絶縁樹脂層10の表面に第1の離型フィルム30を貼り付け、キャリアフィルムを剥離して第1の積層体を得る工程。
工程(A1−3):第2の離型フィルム40の片面に導電性接着剤層24を形成して第2の積層体を得る工程。
工程(A1−4):第1の積層体と第2の積層体とを、第1の積層体のシールド層22と第2の積層体の導電性接着剤層24とが接するように貼り合せる工程。
以下、方法(A−1)の各工程について詳細に説明する。
The method (A1) is a method having the following steps (A1-1) to (A1-4).
Step (A1-1): A step of preparing a metal thin film with a carrier film provided with a shield layer 22 on the surface of the carrier film.
Step (A1-2): The insulating resin layer 10 is formed on the surface of the shield layer 22 of the metal thin film with a carrier film, the first release film 30 is attached to the surface of the insulating resin layer 10, and the carrier film is peeled off. The process of obtaining the first laminate.
Step (A1-3): A step of forming a conductive adhesive layer 24 on one side of the second release film 40 to obtain a second laminate.
Step (A1-4): The first laminated body and the second laminated body are bonded so that the shield layer 22 of the first laminated body and the conductive adhesive layer 24 of the second laminated body are in contact with each other. Process.
Hereinafter, each step of the method (A-1) will be described in detail.

工程(A1−1)におけるキャリアフィルム付き金属薄膜は、キャリアフィルムの表面にシールド層22を形成して作製してもよく、市販のキャリアフィルム付き金属薄膜を入手してもよい。
キャリアフィルムとしては、キャリアフィルム(PETフィルム等)の表面に離型剤層が形成されたものが挙げられる。
工程(A1−1)におけるシールド層22の形成方法としては、シールド層22が1層の金属薄膜層からなる場合、物理蒸着、CVD(化学気相蒸着)によって蒸着膜を形成する方法、めっきによってめっき膜を形成する方法、金属箔を貼り付ける方法等が挙げられる。面方向の導電性に優れるシールド層22を形成できる点から、物理蒸着、CVDによって蒸着膜を形成する方法、又はめっきによってめっき膜を形成する方法が好ましい。シールド層22の厚さを薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れるシールド層22を形成でき、ドライプロセスにて簡便にシールド層22を形成できる点から、物理蒸着、CVDによって蒸着膜を形成する方法がより好ましく、物理蒸着によって蒸着膜を形成する方法がさらに好ましい。
The metal thin film with a carrier film in the step (A1-1) may be produced by forming a shield layer 22 on the surface of the carrier film, or a commercially available metal thin film with a carrier film may be obtained.
Examples of the carrier film include those in which a release agent layer is formed on the surface of a carrier film (PET film or the like).
As a method of forming the shield layer 22 in the step (A1-1), when the shield layer 22 is composed of one metal thin film layer, a method of forming a vapor deposition film by physical vapor deposition, CVD (chemical vapor deposition), or plating. Examples thereof include a method of forming a plating film and a method of attaching a metal foil. From the viewpoint that the shield layer 22 having excellent conductivity in the plane direction can be formed, a method of forming a vapor-deposited film by physical vapor deposition or CVD, or a method of forming a plating film by plating is preferable. Physical vapor deposition and CVD can be performed because the thickness of the shield layer 22 can be reduced, the shield layer 22 having excellent surface conductivity can be formed even if the thickness is thin, and the shield layer 22 can be easily formed by a dry process. A method of forming a thin-film deposition film by physical vapor deposition is more preferable, and a method of forming a thin-film deposition film by physical vapor deposition is further preferable.

工程(A1−2)における絶縁樹脂層10の形成方法としては、例えば、下記の方法が挙げられる。
・キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層22の表面に、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させる方法。
・キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層22の表面に、熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させる方法。
・キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層22の表面に、熱可塑性樹脂を含む塗料を塗布し、乾燥させる方法。
・キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層22の表面に、熱可塑性樹脂を含む組成物を押出成形により成形したフィルムを直接積層する方法。
これらの方法のなかでも、はんだ付け等の際の耐熱性の点から、キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層22の表面に、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させる方法、又はキャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層22の表面に、熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させる方法が好ましい。
Examples of the method for forming the insulating resin layer 10 in the step (A1-2) include the following methods.
A method in which a paint containing a photocurable resin and a photoradical polymerization initiator is applied to the surface of a shield layer 22 of a metal thin film with a carrier film to be semi-cured or cured.
A method of semi-curing or curing a paint containing a thermosetting resin and a curing agent on the surface of a shield layer 22 of a metal thin film with a carrier film.
A method in which a paint containing a thermoplastic resin is applied to the surface of a shield layer 22 of a metal thin film with a carrier film and dried.
A method of directly laminating a film formed by extrusion molding a composition containing a thermoplastic resin on the surface of a shield layer 22 of a metal thin film with a carrier film.
Among these methods, from the viewpoint of heat resistance during soldering or the like, a paint containing a photocurable resin and a photoradical polymerization initiator is applied to the surface of the shield layer 22 of the metal thin film with a carrier film. A method of semi-curing or curing, or a method of applying a coating material containing a thermosetting resin and a curing agent to the surface of the shield layer 22 of the metal thin film with a carrier film and semi-curing or curing is preferable.

塗料の塗布方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファウンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等の各種コーターを用いた方法を適用することができる。
光硬化性樹脂を半硬化又は硬化させる際には、光(紫外線等)を照射すればよい。
熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化させる際には、ヒータ、赤外線ランプ等の加熱器を用いて加熱すればよい。
Examples of the paint application method include die coater, gravure coater, roll coater, curtain flow coater, spin coater, bar coater, reverse coater, kiss coater, fountain coater, rod coater, air doctor coater, knife coater, blade coater, and cast. A method using various coaters such as a coater and a screen coater can be applied.
When the photocurable resin is semi-cured or cured, it may be irradiated with light (ultraviolet rays or the like).
When the thermosetting resin is semi-cured or cured, it may be heated using a heater such as a heater or an infrared lamp.

工程(A1−3)では、第2の離型フィルム40の離型剤層44が設けられた面に導電性接着剤塗料を塗布する。
導電性接着剤塗料は、接着剤成分24aと導電性粒子24bと溶剤とを含む。
導電性接着剤塗料に含まれる溶剤としては、エステル(酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸イソプロピル、エチレングリコールモノアセテート等)、ケトン(メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等)、アルコール(メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、プロピレングリールモノメチルエーテル、プロピレングルコール等)等が挙げられる。
In the step (A1-3), the conductive adhesive paint is applied to the surface of the second release film 40 provided with the release agent layer 44.
The conductive adhesive coating material contains an adhesive component 24a, conductive particles 24b, and a solvent.
Solvents contained in conductive adhesive paints include esters (butyl acetate, ethyl acetate, methyl acetate, isopropyl acetate, ethylene glycol monoacetate, etc.) and ketones (methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, etc.). , Alcohol (methanol, ethanol, isopropanol, butanol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol, etc.) and the like.

導電性接着剤塗料の塗布方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファウンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等の各種コーターを用いた方法を適用することができる。
塗布した導電性接着剤塗料より溶剤を揮発させることにより、導電性接着剤層24を形成する。
Examples of the method of applying the conductive adhesive paint include a die coater, a gravure coater, a roll coater, a curtain flow coater, a spin coater, a bar coater, a reverse coater, a kiss coater, a fountain coater, a rod coater, an air doctor coater, and a knife coater. A method using various coaters such as a blade coater, a cast coater, and a screen coater can be applied.
The conductive adhesive layer 24 is formed by volatilizing the solvent from the applied conductive adhesive paint.

工程(A1−4)における第1の積層体と第2の積層体との貼り合せでは、第1の積層体と第2の積層体との密着性を高めるために圧着を行う。
圧着の際の圧力は、0.1kPa以上100kPa以下が好ましく、0.1kPa以上20kPa以下がより好ましく、1kPa以上10kPa以下がさらに好ましい。
圧着の際の温度(熱盤の温度)は、50℃以上100℃以下が好ましい。
In the bonding of the first laminated body and the second laminated body in the step (A1-4), crimping is performed in order to improve the adhesion between the first laminated body and the second laminated body.
The pressure at the time of crimping is preferably 0.1 kPa or more and 100 kPa or less, more preferably 0.1 kPa or more and 20 kPa or less, and further preferably 1 kPa or more and 10 kPa or less.
The temperature at the time of crimping (temperature of the hot plate) is preferably 50 ° C. or higher and 100 ° C. or lower.

方法(A2)は、下記の工程(A2−1)〜(A2−4)を有する方法である。
工程(A2−1):第1の離型フィルム30の片面に絶縁樹脂層10を形成する工程。
工程(A2−2):絶縁樹脂層10の第1の離型フィルム30とは反対側の面にシールド層22を形成して第1の積層体を得る工程。
工程(A2−3):第2の離型フィルム40の片面に導電性接着剤層24を形成して第2の積層体を得る工程。
工程(A2−4):第1の積層体と第2の積層体とを、第1の積層体のシールド層22と第2の積層体の導電性接着剤層24とが接するように貼り合せる工程。
The method (A2) is a method having the following steps (A2-1) to (A2-4).
Step (A2-1): A step of forming the insulating resin layer 10 on one side of the first release film 30.
Step (A2-2): A step of forming a shield layer 22 on the surface of the insulating resin layer 10 opposite to the first release film 30 to obtain a first laminate.
Step (A2-3): A step of forming a conductive adhesive layer 24 on one side of the second release film 40 to obtain a second laminate.
Step (A2-4): The first laminated body and the second laminated body are bonded so that the shield layer 22 of the first laminated body and the conductive adhesive layer 24 of the second laminated body are in contact with each other. Process.

工程(A2−1)では、第1の離型フィルム30の粘着剤層34側の面に絶縁樹脂層10を形成する。塗料及び塗布方法は、方法(A1)における工程(A1−2)と同様である。
工程(A2−2)では、絶縁樹脂層10の第1の離型フィルム30とは反対側の面にシールド層22を形成する。シールド層22の形成方法は、方法(A1)における工程(A1−1)と同様である。
工程(A2−3)及び工程(A2−4)は、方法(A1)における工程(A1−3)及び工程(A1−4)と同様である。
In the step (A2-1), the insulating resin layer 10 is formed on the surface of the first release film 30 on the pressure-sensitive adhesive layer 34 side. The coating and coating method is the same as the step (A1-2) in the method (A1).
In the step (A2-2), the shield layer 22 is formed on the surface of the insulating resin layer 10 opposite to the first release film 30. The method for forming the shield layer 22 is the same as the step (A1-1) in the method (A1).
The step (A2-3) and the step (A2-4) are the same as the step (A1-3) and the step (A1-4) in the method (A1).

<回路基板>
本発明における回路基板は、基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体と、前記一方の面に隣接し、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する本発明の電磁波シールドフィルムと、を備える。
前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層は、前記絶縁フィルムに接着すると共に、前記貫通孔に貫入して、前記グランド用配線又はグランド層に接触している。
<Circuit board>
The circuit board in the present invention includes a circuit board main body in which a circuit including a ground wiring or a ground layer is provided on at least one surface of the substrate, and a portion adjacent to the one surface and overlapping the ground wiring or the ground layer. An insulating film having through holes formed therein and an electromagnetic wave shielding film of the present invention adjacent to the side of the insulating film opposite to the circuit board main body are provided.
The conductive adhesive layer in the electromagnetic wave shielding film adheres to the insulating film and penetrates into the through hole to be in contact with the ground wiring or the ground layer.

本発明の回路基板は、電磁波シールドフィルムの導電性接着剤がフレーク状の粒子を含み、熱プレス時最低貯蔵弾性率が低いため、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルム1Aとを熱プレスする際に導電性粒子24bが基板の面方向に沿って配向しやすい。そのため、シールド層22と導電性粒子24b、導電性接着剤層24の厚さ方向に重なった導電性粒子24b同士、導電性粒子24bとグランド用配線54aの接触面積が大きくなる。また、熱プレスによって、シールド層22とグランド用配線54aとの距離を近づけやすい。例えば、導電性粒子24bの厚さ程度までシールド層22とグランド用配線54aとの距離を近づけることが可能である。 In the circuit board of the present invention, the conductive adhesive of the electromagnetic wave shielding film contains flake-shaped particles and has a low minimum storage elastic coefficient at the time of hot pressing. In this case, the conductive particles 24b are likely to be oriented along the surface direction of the substrate. Therefore, the contact area between the shield layer 22 and the conductive particles 24b, the conductive particles 24b overlapping in the thickness direction of the conductive adhesive layer 24, and the conductive particles 24b and the ground wiring 54a becomes large. Further, the heat press makes it easy to bring the shield layer 22 closer to the ground wiring 54a. For example, the distance between the shield layer 22 and the ground wiring 54a can be reduced to about the thickness of the conductive particles 24b.

そのため、小さい接続抵抗で、シールド層と回路基板本体におけるグランド用配線又はグランド層を導通させることができる。したがって、高いシールド効果が得られる。
また、配向した導電性粒子24bのシールド層22に接触する側は扁平なため、熱プレスの圧力が加わっても、導電性粒子24bがシールド層22を突き破る等の不都合は生じにくい。
Therefore, the shield layer and the ground wiring or the ground layer in the circuit board main body can be made conductive with a small connection resistance. Therefore, a high shielding effect can be obtained.
Further, since the side of the oriented conductive particles 24b in contact with the shield layer 22 is flat, inconveniences such as the conductive particles 24b breaking through the shield layer 22 are unlikely to occur even if the pressure of a hot press is applied.

図2は、本態様の回路基板の一実施形態を示す断面図である。
回路基板2は、基板本体の一例であるフレキシブルプリント配線板50と、絶縁フィルム60と、第1の実施形態の電磁波シールドフィルム1Aから、第1の離型フィルム30と第2の離型フィルム40とが剥離された電磁波シールドフィルム1Dとを備える。
フレキシブルプリント配線板50は、基板の一例であるベースフィルム52の少なくとも片面にプリント回路54が設けられたものである。プリント回路54は、グランド用配線54aと信号回路を含んでいる。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of the circuit board of this embodiment.
The circuit board 2 is a first release film 30 and a second release film 40 from the flexible printed wiring board 50 which is an example of the substrate body, the insulating film 60, and the electromagnetic wave shielding film 1A of the first embodiment. It is provided with an electromagnetic wave shielding film 1D from which the and is peeled off.
The flexible printed wiring board 50 is provided with a printed circuit 54 on at least one side of a base film 52, which is an example of a substrate. The print circuit 54 includes a ground wiring 54a and a signal circuit.

絶縁フィルム60は、フレキシブルプリント配線板50のプリント回路54が設けられた側の表面に設けられる。
電磁波シールドフィルム1Dの導電性接着剤層24は、絶縁フィルム60の表面に接着され、かつ硬化されている。また、導電性接着剤層24は、絶縁フィルム60に形成された貫通孔62を通ってプリント回路54のグランド用配線54aに電気的に接続されている。
The insulating film 60 is provided on the surface of the flexible printed wiring board 50 on the side where the printed circuit 54 is provided.
The conductive adhesive layer 24 of the electromagnetic wave shielding film 1D is adhered to and cured on the surface of the insulating film 60. Further, the conductive adhesive layer 24 is electrically connected to the ground wiring 54a of the print circuit 54 through the through hole 62 formed in the insulating film 60.

貫通孔62のある部分を除くプリント回路54の近傍には、電磁波シールドフィルム1Dのシールド層22が、絶縁フィルム60及び導電性接着剤層24を介して離間して対向配置される。
貫通孔62のある部分を除くプリント回路54とシールド層22との離間距離は、絶縁フィルム60の厚さと導電性接着剤層24の厚さの総和とほぼ等しい。離間距離は、30μm以上200μm以下が好ましく、60μm以上200μm以下がより好ましい。離間距離が30μmより小さいと、信号回路のインピーダンスが低くなるため、100Ω等の特性インピーダンスを有するためには、信号回路の線幅を小さくしなければならず、線幅のバラツキが特性インピーダンスのバラツキとなって、インピーダンスのミスマッチによる反射共鳴ノイズが電気信号に乗りやすくなる。離間距離が200μmより大きいと、回路基板2が厚くなり、可とう性が不足する。
In the vicinity of the printed circuit 54 excluding the portion having the through hole 62, the shield layer 22 of the electromagnetic wave shield film 1D is arranged so as to face each other with the insulating film 60 and the conductive adhesive layer 24 interposed therebetween.
The separation distance between the printed circuit 54 and the shield layer 22 excluding the portion having the through hole 62 is substantially equal to the sum of the thickness of the insulating film 60 and the thickness of the conductive adhesive layer 24. The separation distance is preferably 30 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 60 μm or more and 200 μm or less. If the separation distance is smaller than 30 μm, the impedance of the signal circuit becomes low. Therefore, in order to have a characteristic impedance such as 100Ω, the line width of the signal circuit must be reduced, and the variation in the line width is the variation in the characteristic impedance. Therefore, the reflected resonance noise due to the impedance mismatch can easily get on the electric signal. If the separation distance is larger than 200 μm, the circuit board 2 becomes thick and the flexibility becomes insufficient.

(フレキシブルプリント配線板)
フレキシブルプリント配線板50は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工してプリント回路54としたものである。
銅張積層板としては、ベースフィルム52の片面又は両面に接着剤層(図示略)を介して銅箔を貼り付けたもの;銅箔の表面にベースフィルム52を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。
接着剤層の厚さは、0.5μm以上30μm以下が好ましい。
(Flexible printed wiring board)
The flexible printed wiring board 50 is a printed circuit 54 obtained by processing a copper foil of a copper-clad laminate into a desired pattern by a known etching method.
As the copper-clad laminate, a copper foil is attached to one or both sides of the base film 52 via an adhesive layer (not shown); a resin solution or the like forming the base film 52 is cast on the surface of the copper foil. Things etc. can be mentioned.
Examples of the material of the adhesive layer include epoxy resin, polyester, polyimide, polyamide-imide, polyamide, phenol resin, urethane resin, acrylic resin, melamine resin and the like.
The thickness of the adhesive layer is preferably 0.5 μm or more and 30 μm or less.

ベースフィルム52としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
ベースフィルム52の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、1×10Ω/□以上が好ましい。ベースフィルム52の表面抵抗は、実用上の点から、1×1019Ω/□以下が好ましい。
ベースフィルム52の厚さは、5μm以上200μm以下が好ましく、屈曲性の点から、6μm以上50μm以下がより好ましく、10μm以上25μm以下がより好ましい。
As the base film 52, a film having heat resistance is preferable, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyphenylene sulfide film, and a liquid crystal polymer film are more preferable, and a polyimide film is further preferable.
The surface resistance of the base film 52 is preferably 1 × 10 6 Ω / □ or more from the viewpoint of electrical insulation. The surface resistance of the base film 52 is preferably 1 × 10 19 Ω / □ or less from a practical point of view.
The thickness of the base film 52 is preferably 5 μm or more and 200 μm or less, more preferably 6 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 25 μm or less from the viewpoint of flexibility.

プリント回路54を構成する銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。プリント回路54は、信号用回路、グランド用回路、グランド層等として使用される。
銅箔の厚さは、1μm以上50μm以下が好ましく、18μm以上35μm以下がより好ましい。
プリント回路54の長さ方向の端部(端子)は、ハンダ接続、コネクター接続、部品搭載等のため、絶縁フィルム60や電磁波シールドフィルム1Dに覆われず、露出している。
Examples of the copper foil constituting the printed circuit 54 include rolled copper foil and electrolytic copper foil, and rolled copper foil is preferable from the viewpoint of flexibility. The print circuit 54 is used as a signal circuit, a ground circuit, a ground layer, and the like.
The thickness of the copper foil is preferably 1 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 18 μm or more and 35 μm or less.
The end portion (terminal) of the print circuit 54 in the length direction is not covered with the insulating film 60 or the electromagnetic wave shielding film 1D and is exposed because of solder connection, connector connection, component mounting, and the like.

(絶縁フィルム)
絶縁フィルム60(カバーレイフィルム)は、絶縁フィルム本体(図示略)の片面に、接着剤の塗布、接着剤シートの貼り付け等によって接着剤層(図示略)を形成したものである。
絶縁フィルム本体の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、1×10Ω/□以上が好ましい。絶縁フィルム本体の表面抵抗は、実用上の点から、1×1019Ω/□以下が好ましい。
絶縁フィルム本体としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
絶縁フィルム本体の厚さは、1μm以上100μm以下が好ましく、可とう性の点から、3μm以上25μm以下がより好ましい。
(Insulation film)
The insulating film 60 (coverlay film) is formed by forming an adhesive layer (not shown) on one side of an insulating film main body (not shown) by applying an adhesive, attaching an adhesive sheet, or the like.
The surface resistance of the insulating film body is preferably 1 × 10 6 Ω / □ or more from the viewpoint of electrical insulation. The surface resistance of the insulating film body is preferably 1 × 10 19 Ω / □ or less from a practical point of view.
As the insulating film main body, a film having heat resistance is preferable, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyphenylene sulfide film, and a liquid crystal polymer film are more preferable, and a polyimide film is further preferable.
The thickness of the insulating film body is preferably 1 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 3 μm or more and 25 μm or less from the viewpoint of flexibility.

接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン等が挙げられる。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分(カルボキシ変性ニトリルゴム等)を含んでいてもよい。
接着剤層の厚さは、1μm以上100μm以下が好ましく、1.5μm以上60μm以下がより好ましい。
Examples of the material of the adhesive layer include epoxy resin, polyester, polyimide, polyamide-imide, polyamide, phenol resin, urethane resin, acrylic resin, melamine resin, polystyrene, polyolefin and the like. The epoxy resin may contain a rubber component (carboxy-modified nitrile rubber, etc.) for imparting flexibility.
The thickness of the adhesive layer is preferably 1 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 1.5 μm or more and 60 μm or less.

絶縁フィルム60に形成される貫通孔62の開口部の形状は、特に限定されない。貫通孔62の開口部の形状としては、円形、楕円形、四角形等が挙げられる。貫通孔62は、グランド用配線54a又はグランド層に重なる部分に形成される。 The shape of the opening of the through hole 62 formed in the insulating film 60 is not particularly limited. Examples of the shape of the opening of the through hole 62 include a circle, an ellipse, and a quadrangle. The through hole 62 is formed in a portion overlapping the ground wiring 54a or the ground layer.

(他の実施形態)
本発明における回路基板は、図示例の実施形態に限定されない。
例えば、フレキシブルプリント配線板50は、裏側にグランド層を有し、このグランド層がビアホールによって表側のグランド用配線54aに接続されたものであってもよい。また、フレキシブルプリント配線板50は、両面にプリント回路54を有し、両面に絶縁フィルム60及び電磁波シールドフィルム1Dが貼り付けられたものであってもよい。
フレキシブルプリント配線板50の代わりに、柔軟性のないリジッドプリント基板を用いてもよい。
(Other embodiments)
The circuit board in the present invention is not limited to the embodiment shown in the illustrated example.
For example, the flexible printed wiring board 50 may have a ground layer on the back side, and the ground layer may be connected to the ground wiring 54a on the front side by a via hole. Further, the flexible printed wiring board 50 may have printed circuits 54 on both sides, and an insulating film 60 and an electromagnetic wave shielding film 1D may be attached to both sides.
Instead of the flexible printed wiring board 50, an inflexible rigid printed circuit board may be used.

<回路基板の製造方法>
本発明の回路基板の製造方法は、基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体に対して、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムを重ね、次いで、本発明の電磁波シールドフィルムを前記導電性接着剤層が前記絶縁フィルムと前記導電性接着剤層とが接するように重ね、その後熱プレスする回路基板の製造方法である。
<Manufacturing method of circuit board>
In the method for manufacturing a circuit board of the present invention, a through hole is provided in a portion of a circuit board body in which a circuit including a ground wiring or a ground layer is provided on at least one surface of the board, in a portion overlapping the ground wiring or the ground layer. The insulating film on which the above-mentioned material is formed is laminated, and then the electromagnetic wave shielding film of the present invention is laminated so that the conductive adhesive layer is in contact with the insulating film and the conductive adhesive layer, and then heat-pressed to manufacture a circuit board. The method.

回路基板2は、例えば、下記の工程(a)〜(d)を有する方法によって製造できる(図4参照)。
工程(a):フレキシブルプリント配線板50のプリント回路54が設けられた側の表面に、グランド用配線54aに対応する位置に貫通孔62が形成された絶縁フィルム60を設け、絶縁フィルム付きプリント配線板3を得る工程。
工程(b):工程(a)の後、絶縁フィルム付きプリント配線板3と、電磁波シールドフィルム1Aから第2の離型フィルム40を剥離して得られた電磁波シールドフィルム1Cとを、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層24が接触するように重ね、これらを熱プレスする工程。
工程(c):工程(b)の後、第1の離型フィルム30が不要になった際に、電磁波シールドフィルム1Cから第1の離型フィルム30を剥離する工程。
工程(d):必要に応じて、工程(a)と工程(b)との間、又は工程(c)の後に導電性接着剤層24を本硬化させる工程。
以下、各工程について、図3を参照しながら詳細に説明する。
The circuit board 2 can be manufactured, for example, by a method having the following steps (a) to (d) (see FIG. 4).
Step (a): An insulating film 60 having a through hole 62 formed at a position corresponding to the ground wiring 54a is provided on the surface of the flexible printed wiring board 50 on the side where the printed circuit 54 is provided, and the printed wiring with the insulating film is provided. The process of obtaining the plate 3.
Step (b): After the step (a), the printed wiring board 3 with an insulating film and the electromagnetic wave shielding film 1C obtained by peeling the second release film 40 from the electromagnetic wave shielding film 1A are separated from each other by the insulating film 60. A step of stacking the conductive adhesive layer 24 so as to be in contact with the surface of the film and heat-pressing them.
Step (c): A step of peeling the first release film 30 from the electromagnetic wave shielding film 1C when the first release film 30 is no longer needed after the step (b).
Step (d): A step of main curing the conductive adhesive layer 24 between the steps (a) and the step (b), or after the step (c), if necessary.
Hereinafter, each step will be described in detail with reference to FIG.

工程(a):
工程(a)は、フレキシブルプリント配線板50に絶縁フィルム60を積層して、絶縁フィルム付きプリント配線板3を得る工程である。
具体的には、まず、フレキシブルプリント配線板50に、プリント回路54に対応する位置に貫通孔62が形成された絶縁フィルム60を重ねる。なお、貫通孔62は、フレキシブルプリント配線板50と貫通孔62が形成されていない絶縁フィルム60を重ねた後から、形成してもよい。
次いで、フレキシブルプリント配線板50の表面に絶縁フィルム60の接着剤層(図示略)を接着し、接着剤層を硬化させることによって、絶縁フィルム付きプリント配線板3を得る。フレキシブルプリント配線板50の表面に絶縁フィルム60の接着剤層を仮接着し、工程(d)にて接着剤層を本硬化させてもよい。
接着剤層の接着及び硬化は、例えば、プレス機(図示略)等による熱プレスによって行う。
Step (a):
The step (a) is a step of laminating the insulating film 60 on the flexible printed wiring board 50 to obtain the printed wiring board 3 with the insulating film.
Specifically, first, an insulating film 60 having a through hole 62 formed at a position corresponding to the printed circuit 54 is superposed on the flexible printed wiring board 50. The through hole 62 may be formed after the flexible printed wiring board 50 and the insulating film 60 on which the through hole 62 is not formed are overlapped with each other.
Next, an adhesive layer (not shown) of the insulating film 60 is adhered to the surface of the flexible printed wiring board 50, and the adhesive layer is cured to obtain the printed wiring board 3 with the insulating film. The adhesive layer of the insulating film 60 may be temporarily adhered to the surface of the flexible printed wiring board 50, and the adhesive layer may be mainly cured in the step (d).
The adhesive layer is adhered and cured by, for example, hot pressing with a press machine (not shown) or the like.

工程(b):
工程(b)は、絶縁フィルム付きプリント配線板3に、電磁波シールドフィルム1Aから第2の離型フィルム40を剥離した電磁波シールドフィルム1Cを熱プレスする工程である。
具体的には、絶縁フィルム付きプリント配線板3に、第2の離型フィルム40を剥離した電磁波シールドフィルム1Cを重ね、熱プレスする。これにより、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層24を接着するとともに、導電性接着剤層24を貫通孔62内に押し込み、貫通孔62内を埋めてプリント回路54のグランド用配線54aに電気的に接続する。
Step (b):
The step (b) is a step of hot-pressing the electromagnetic wave shield film 1C obtained by peeling the second release film 40 from the electromagnetic wave shield film 1A onto the printed wiring plate 3 with an insulating film.
Specifically, the electromagnetic wave shield film 1C from which the second release film 40 has been peeled off is placed on the printed wiring board 3 with an insulating film and heat-pressed. As a result, the conductive adhesive layer 24 is adhered to the surface of the insulating film 60, and the conductive adhesive layer 24 is pushed into the through hole 62 to fill the through hole 62 and form the ground wiring 54a of the print circuit 54. Connect electrically.

この熱プレスする工程において、導電性接着剤層24は、硬化前に一端熱プレス時最低貯蔵弾性率まで軟化する。このとき、軟化した導電性接着剤層24内で、導電性粒子24bが基板の面方向に沿って配向する。
また、熱プレス時最低貯蔵弾性率が低いため、貫通孔62における導電性接着剤層24の厚さが充分に薄くなる。
In this heat-pressing step, the conductive adhesive layer 24 is softened to the minimum storage elastic modulus at the time of heat-pressing before curing. At this time, in the softened conductive adhesive layer 24, the conductive particles 24b are oriented along the surface direction of the substrate.
Further, since the minimum storage elastic modulus at the time of hot pressing is low, the thickness of the conductive adhesive layer 24 in the through hole 62 becomes sufficiently thin.

導電性接着剤層24の接着及び硬化は、例えば、プレス機(図示略)等による熱プレスによって行う。
熱プレスの時間は、20秒以上60分以下が好ましく、30秒以上30分以下がより好ましい。熱プレスの時間が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層24を容易に接着できる。熱プレスの時間が前記範囲の上限値以下であれば、回路基板2の製造時間を短縮できる。
Adhesion and curing of the conductive adhesive layer 24 is performed, for example, by hot pressing with a press machine (not shown) or the like.
The heat pressing time is preferably 20 seconds or more and 60 minutes or less, and more preferably 30 seconds or more and 30 minutes or less. When the heat pressing time is equal to or greater than the lower limit of the above range, the conductive adhesive layer 24 can be easily adhered to the surface of the insulating film 60. When the heat pressing time is equal to or less than the upper limit of the above range, the manufacturing time of the circuit board 2 can be shortened.

熱プレスの温度は、140℃以上190℃以下が好ましく、150℃以上175℃以下がより好ましい。熱プレスの温度が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層24を容易に接着できる。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム1C、フレキシブルプリント配線板50等の劣化等を容易に抑えることができる。 The temperature of the hot press is preferably 140 ° C. or higher and 190 ° C. or lower, and more preferably 150 ° C. or higher and 175 ° C. or lower. When the temperature of the hot press is equal to or higher than the lower limit of the above range, the conductive adhesive layer 24 can be easily adhered to the surface of the insulating film 60. Moreover, the time of hot pressing can be shortened. When the temperature of the hot press is not more than the upper limit of the above range, deterioration of the electromagnetic wave shielding film 1C, the flexible printed wiring board 50, and the like can be easily suppressed.

熱プレスの圧力は、0.5MPa以上20MPa以下であり、1MPa以上16MPa以下が好ましい。熱プレスの圧力が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層24が接着される。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの圧力が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム1C、フレキシブルプリント配線板50等の破損等を抑えることができる。また、絶縁フィルム付きプリント配線板3と電磁波シールドフィルム1Cとを熱プレスする際に導電性接着剤層から接着剤成分が溶出しにくくなる。 The pressure of the hot press is 0.5 MPa or more and 20 MPa or less, preferably 1 MPa or more and 16 MPa or less. When the pressure of the hot press is equal to or higher than the lower limit of the above range, the conductive adhesive layer 24 is adhered to the surface of the insulating film 60. Moreover, the time of hot pressing can be shortened. When the pressure of the hot press is not more than the upper limit of the above range, damage to the electromagnetic wave shielding film 1C, the flexible printed wiring board 50, etc. can be suppressed. Further, when the printed wiring board 3 with the insulating film and the electromagnetic wave shielding film 1C are hot-pressed, the adhesive component is less likely to be eluted from the conductive adhesive layer.

工程(c):
工程(c)は、電磁波シールドフィルム1Cから第1の離型フィルム30を剥離する工程である。
具体的には、キャリアフィルムが不要になった際に、絶縁樹脂層10から第1の離型フィルム30を剥離し、フレキシブルプリント配線板50に、電磁波シールドフィルム1Dが積層した回路基板2の層構成を得る。
Step (c):
The step (c) is a step of peeling the first release film 30 from the electromagnetic wave shielding film 1C.
Specifically, when the carrier film is no longer needed, the first release film 30 is peeled off from the insulating resin layer 10, and the electromagnetic wave shield film 1D is laminated on the flexible printed wiring board 50. Get the configuration.

工程(d):
工程(d)は、導電性接着剤層24を本硬化させる工程である。
工程(b)における熱プレスの時間が20秒以上10分以下の短時間である場合、工程(b)と工程(c)との間、又は工程(c)の後に導電性接着剤層24の本硬化を行うことが好ましい。
導電性接着剤層24の本硬化は、例えば、オーブン等の加熱装置を用いて行う。
加熱時間は、15分以上120分以下であり、30分以上60分以下がより好ましい。
加熱時間が前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層24を十分に硬化できる。加熱時間が前記範囲の上限値以下であれば、回路基板2の製造時間を短縮できる。
加熱温度(オーブン中の雰囲気温度)は、120℃以上180℃以下が好ましく、120℃以上150℃以下がより好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、加熱時間を短縮できる。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム1D、フレキシブルプリント配線板50等の劣化等を抑えることができる。
Step (d):
The step (d) is a step of main curing the conductive adhesive layer 24.
When the heat pressing time in the step (b) is as short as 20 seconds or more and 10 minutes or less, the conductive adhesive layer 24 is formed between the steps (b) and the step (c) or after the step (c). It is preferable to perform the main curing.
The main curing of the conductive adhesive layer 24 is performed using, for example, a heating device such as an oven.
The heating time is 15 minutes or more and 120 minutes or less, more preferably 30 minutes or more and 60 minutes or less.
When the heating time is equal to or greater than the lower limit of the above range, the conductive adhesive layer 24 can be sufficiently cured. When the heating time is equal to or less than the upper limit of the above range, the manufacturing time of the circuit board 2 can be shortened.
The heating temperature (atmospheric temperature in the oven) is preferably 120 ° C. or higher and 180 ° C. or lower, and more preferably 120 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. When the heating temperature is equal to or higher than the lower limit of the above range, the heating time can be shortened. When the heating temperature is not more than the upper limit of the above range, deterioration of the electromagnetic wave shielding film 1D, the flexible printed wiring board 50, and the like can be suppressed.

図4は、熱プレス時最低貯蔵弾性率が高すぎた場合の回路基板2Xを示す図である。図4において、図2と同一の構成部材には、図2と同じ参照符号を付している。
回路基板2Xの電磁波シールドフィルム1Xにおける導電性接着剤層27は、接着剤成分27a及び導電性粒子27bを含む。
導電性粒子27bは、導電性粒子24bと同様のフレーク状の導電性粒子である。導電性接着剤層27の熱プレス時最低貯蔵弾性率は、1.0×10Paを超えている。
FIG. 4 is a diagram showing a circuit board 2X when the minimum storage elastic modulus at the time of hot pressing is too high. In FIG. 4, the same components as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals as those in FIG.
The conductive adhesive layer 27 in the electromagnetic wave shielding film 1X of the circuit board 2X contains an adhesive component 27a and conductive particles 27b.
The conductive particles 27b are flake-shaped conductive particles similar to the conductive particles 24b. From storage modulus during hot pressing of the conductive adhesive layer 27 is beyond the 1.0 × 10 5 Pa.

この場合、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルムとを熱プレスする際に導電性粒子27bが基板の面方向に沿って配向しにくく、図4のように、ランダムな方向のまま、接着剤成分27a中に固定されてしまう。
その結果、シールド層22と導電性粒子27b、導電性接着剤層24の厚さ方向における導電性粒子27b同士、導電性粒子27bとグランド用配線54aの接触面積が不充分となる。そのため、小さい接続抵抗で、シールド層と回路基板本体におけるグランド用配線又はグランド層を導通させることができない。したがって、高いシールド効果が得られない。
In this case, when the printed wiring board with the insulating film and the electromagnetic wave shielding film are hot-pressed, the conductive particles 27b are difficult to be oriented along the surface direction of the substrate, and as shown in FIG. 4, the adhesive remains in a random direction. It is fixed in the component 27a.
As a result, the contact area between the shield layer 22 and the conductive particles 27b, the conductive particles 27b in the thickness direction of the conductive adhesive layer 24, and the conductive particles 27b and the ground wiring 54a becomes insufficient. Therefore, it is not possible to conduct the shield layer and the ground wiring or the ground layer in the circuit board main body with a small connection resistance. Therefore, a high shielding effect cannot be obtained.

図5は、熱プレス時最低貯蔵弾性率が図2の実施形態と同様に低いものの、導電性粒子が球状である場合の回路基板2Yを示す図である。図5において、図2と同一の構成部材には、図2と同じ参照符号を付している。
回路基板2Yの電磁波シールドフィルム1Yにおける導電性接着剤層28は、接着剤成分28a及び導電性粒子28bを含む。
導電性粒子27bは、導電性粒子24bと異なり、球状である。導電性接着剤層27の熱プレス時最低貯蔵弾性率は、1.0×10〜1.0×10Paである。
FIG. 5 is a diagram showing a circuit board 2Y when the minimum storage elastic modulus at the time of hot pressing is low as in the embodiment of FIG. 2, but the conductive particles are spherical. In FIG. 5, the same components as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals as those in FIG.
The conductive adhesive layer 28 in the electromagnetic wave shielding film 1Y of the circuit board 2Y contains an adhesive component 28a and conductive particles 28b.
Unlike the conductive particles 24b, the conductive particles 27b are spherical. The minimum storage elastic modulus of the conductive adhesive layer 27 during hot pressing is 1.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 Pa.

この場合、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルムとを熱プレスしても、シールド層22と導電性粒子28b、導電性粒子28bとグランド用配線54aの接触面積が不充分となる。
また、熱プレス時最低貯蔵弾性率が低いため、熱プレスによって、シールド層22とグランド用配線54aとの距離は近づけやすいが、近づけすぎると、シールド層22とグランド用配線54aの間に存在する導電性粒子28bが横方向に押し出されてしまい、導電性粒子28bを介した接続ができなくなってしまうと考えられる。また、横方向に押し出されない場合は、導電性粒子28bが、シールド層22を突き破ってしまう等、別の問題が生じかねない。
そのため、小さい接続抵抗で、シールド層と回路基板本体におけるグランド用配線又はグランド層を導通させることができない。したがって、高いシールド効果が得られない。
In this case, even if the printed wiring board with the insulating film and the electromagnetic wave shield film are hot-pressed, the contact areas between the shield layer 22 and the conductive particles 28b, and the conductive particles 28b and the ground wiring 54a are insufficient.
Further, since the minimum storage elastic modulus at the time of hot pressing is low, the distance between the shield layer 22 and the ground wiring 54a can be easily brought close by the hot pressing, but if the distance is too close, it exists between the shield layer 22 and the ground wiring 54a. It is considered that the conductive particles 28b are pushed out in the lateral direction, and the connection via the conductive particles 28b cannot be performed. Further, if it is not extruded in the lateral direction, another problem may occur such that the conductive particles 28b break through the shield layer 22.
Therefore, it is not possible to conduct the shield layer and the ground wiring or the ground layer in the circuit board main body with a small connection resistance. Therefore, a high shielding effect cannot be obtained.

以下、実施例及び比較例を示して本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

(接続抵抗の測定)
各例で得られた回路基板におけるシールド層とグランド用配線との間の接続抵抗を、日置電機社製のデジタルマルチメータを用いて測定した。
(Measurement of connection resistance)
The connection resistance between the shield layer and the ground wiring in the circuit board obtained in each example was measured using a digital multimeter manufactured by Hioki Electric Co., Ltd.

(原材料)
各例で用いた導電性粒子、キャリアフィルム付き金属薄膜、第1の離型フィルム、及び第2の離型フィルムは、以下の通りである。
各導電性粒子の長手方向の平均長さ、短手方向の平均長さ、平均厚さ、及びこれらの比率は、各導電性粒子を使用した実施例、比較例の結果等と共に表1に示す。
(raw materials)
The conductive particles, the metal thin film with a carrier film, the first release film, and the second release film used in each example are as follows.
The average length in the longitudinal direction, the average length in the lateral direction, the average thickness in the lateral direction, and the ratios thereof of each conductive particle are shown in Table 1 together with the results of Examples and Comparative Examples using each conductive particle. ..

導電性粒子A:銅、フレーク状、体積平均粒子径8.7μm、厚さ0.2μm。
導電性粒子B:銀コートアルミナ、フレーク状、体積平均粒子径12.4μm、厚さ0.6μm。
導電性粒子C:銅、フレーク状、体積平均粒子径45μm、厚さ0.5μm。
導電性粒子D:銅、球状、体積平均粒子径6μm。
Conductive particle A: Copper, flaky, volume average particle diameter 8.7 μm, thickness 0.2 μm.
Conductive particles B: silver-coated alumina, flaky, volume average particle diameter 12.4 μm, thickness 0.6 μm.
Conductive particles C: copper, flakes, volume average particle diameter 45 μm, thickness 0.5 μm.
Conductive particle D: copper, spherical, volume average particle diameter 6 μm.

キャリアフィルム付き金属薄膜:離型層付き銅箔(東レKPフィルム社製、ケーピーセデュース(登録商標)、銅箔厚さ:0.5μm、銅箔表面抵抗:0.015Ω/□、PETフィルム厚さ:50μm)。
第1の離型フィルム:粘着フィルム(パナック社製、パナプロテクト(登録商標)GN、粘着力:0.49N/cm、PETフィルム厚さ:75μm)。
第2の離型フィルム:離型フィルム(パナック社製、パナピール(登録商標)SM−1、PETフィルム厚さ:50μm)。
Metal thin film with carrier film: Copper foil with release layer (manufactured by Toray KP Film Co., Ltd., Capy Seduce (registered trademark), copper foil thickness: 0.5 μm, copper foil surface resistance: 0.015 Ω / □, PET film Thickness: 50 μm).
First release film: adhesive film (manufactured by Panac, Panaprotect (registered trademark) GN, adhesive strength: 0.49 N / cm, PET film thickness: 75 μm).
Second release film: Release film (manufactured by Panac, Panapeel (registered trademark) SM-1, PET film thickness: 50 μm).

(実施例1)
キャリアフィルム付き金属薄膜の金属薄膜層の表面に、絶縁樹脂層形成用塗工液を#4のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を100℃で1分間乾燥した後、400mJの紫外線を照射して、金属薄膜層の表面に絶縁樹脂層(厚さ:10μm、表面抵抗:1.0×1012Ω/□以上)を設けた。
絶縁樹脂層の表面に第1の離型フィルムを、絶縁樹脂層と粘着剤層とが接するように貼り付けた。キャリアフィルムを金属薄膜層から剥離し、第1の積層体を得た。
(Example 1)
A coating liquid for forming an insulating resin layer was applied to the surface of the metal thin film layer of the metal thin film with a carrier film using a # 4 bar coater. After the coating film is dried at 100 ° C. for 1 minute, the surface of the metal thin film layer is irradiated with ultraviolet rays of 400 mJ to form an insulating resin layer (thickness: 10 μm, surface resistance: 1.0 × 10 12 Ω / □ or more). Provided.
The first release film was attached to the surface of the insulating resin layer so that the insulating resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer were in contact with each other. The carrier film was peeled off from the metal thin film layer to obtain a first laminate.

導電性接着剤塗料として、熱硬化性接着剤(エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製、jER1007)の56質量部とエポキシ樹脂(三菱ケミカル社製、jER1256)の24質量部とエポキシ樹脂(三菱ケミカル社製、jER152)の20質量部と硬化剤(四国化成社製、2E4MZ)の3質量部とを混合してなる潜在硬化性エポキシ樹脂)、導電性粒子Aの20質量部を、溶剤(メチルエチルケトン)の200質量部に溶解または分散したものを用意した。 As a conductive adhesive paint, 56 parts by mass of a thermosetting adhesive (epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., jER1007), 24 parts by mass of an epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., jER1256) and an epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) , JER152) and 3 parts by mass of a curing agent (2E4MZ manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) are mixed to form a latent curable epoxy resin. A product dissolved or dispersed in 200 parts by mass was prepared.

第2の離型フィルムの離型剤層側の表面に、導電性接着剤塗料を、コンマコーターを用いて25μmの厚さで塗布した。塗膜を100℃で1分間乾燥して、導電性接着剤層(厚さ:10μm、表面抵抗:1.0×1012Ω/□以上)を設け、第2の積層体を得た。
第1の積層体と第2の積層体とを、金属薄膜層と導電性接着剤層とが接するように重ね、温度:95℃、圧力:5kPaの条件で圧着し、電磁波シールドフィルムを得た。
A conductive adhesive coating was applied to the surface of the second release film on the release agent layer side to a thickness of 25 μm using a comma coater. The coating film was dried at 100 ° C. for 1 minute to provide a conductive adhesive layer (thickness: 10 μm, surface resistance: 1.0 × 10 12 Ω / □ or more) to obtain a second laminate.
The first laminate and the second laminate were laminated so that the metal thin film layer and the conductive adhesive layer were in contact with each other, and pressure-bonded under the conditions of temperature: 95 ° C. and pressure: 5 kPa to obtain an electromagnetic wave shielding film. ..

厚さ25μmのポリイミドフィルム(絶縁フィルム本体)の表面に絶縁性接着剤組成物を、乾燥膜厚が25μmになるように塗布し、接着剤層を形成し、絶縁フィルム(厚さ:50μm)を得た。プリント回路のグランドに対応する位置に貫通孔(孔径:150μm)を形成した。
厚さ12μmのポリイミドフィルム(ベースフィルム)の表面にプリント回路が形成されたフレキシブルプリント配線板を用意した。
フレキシブルプリント配線板に絶縁フィルムを熱プレスにより貼り付けて、絶縁フィルム付きフレキシブルプリント配線板を得た。
An insulating adhesive composition is applied to the surface of a polyimide film (insulating film body) having a thickness of 25 μm so that the dry film thickness becomes 25 μm to form an adhesive layer, and an insulating film (thickness: 50 μm) is applied. Obtained. A through hole (hole diameter: 150 μm) was formed at a position corresponding to the ground of the printed circuit.
A flexible printed wiring board in which a printed circuit was formed on the surface of a polyimide film (base film) having a thickness of 12 μm was prepared.
An insulating film was attached to the flexible printed wiring board by a hot press to obtain a flexible printed wiring board with an insulating film.

絶縁フィルム付きフレキシブルプリント配線板に、第2の離型フィルムを剥離した電磁波シールドフィルムを重ね、ホットプレス装置(折原製作所社製、G−12)を用い、熱盤温度:170℃、荷重:5MPaで1分間熱プレスし、絶縁フィルムの表面に導電性接着剤層を接着した。
絶縁樹脂層から第1の離型フィルムを剥離した後、150℃で1時間加熱し、回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表1に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表1に示す。
An electromagnetic wave shield film from which the second release film was peeled off was placed on a flexible printed wiring board with an insulating film, and a hot press device (G-12 manufactured by Orihara Seisakusho Co., Ltd.) was used to heat the hot plate temperature: 170 ° C. and load: 5 MPa. The conductive adhesive layer was adhered to the surface of the insulating film by hot pressing for 1 minute.
After peeling the first release film from the insulating resin layer, it was heated at 150 ° C. for 1 hour to obtain a circuit board.
Table 1 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 1 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(実施例2)
導電性粒子の配合量を表1に示すように変更した他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表1に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表1に示す。
(Example 2)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the blending amount of the conductive particles was changed as shown in Table 1.
Table 1 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 1 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(実施例3)
導電性粒子Aに代えて導電性粒子Bを表1に示す配合量で配合した他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表1に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表1に示す。
(Example 3)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles B were blended in the blending amounts shown in Table 1 instead of the conductive particles A.
Table 1 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 1 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(実施例4)
導電性粒子Aに代えて導電性粒子Cを表1に示す配合量で配合した他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表1に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表1に示す。
(Example 4)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles C were blended in the blending amounts shown in Table 1 instead of the conductive particles A.
Table 1 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 1 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(実施例5)
導電性粒子Aに代えて導電性粒子Cを表1に示す配合量で配合した他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表1に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表1に示す。
(Example 5)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles C were blended in the blending amounts shown in Table 1 instead of the conductive particles A.
Table 1 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 1 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(実施例6)
硬化剤(四国化成社製、2P4MZ)の3質量部に代えて硬化剤(四国化成社製、2E4MZ)の1質量部を、導電性粒子Aに代えて導電性粒子Bを表1に示す配合量で配合した他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表1に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表1に示す。
(Example 6)
1 part by mass of the curing agent (2E4MZ manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) is used instead of 3 parts by mass of the curing agent (2P4MZ manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.), and conductive particles B are used instead of the conductive particles A as shown in Table 1. A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amounts were mixed.
Table 1 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 1 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(実施例7)
硬化剤(四国化成社製、2P4MZ)の3質量部に代えて硬化剤(四国化成社製、2MZ−H)の0.3質量部を、導電性粒子Aに代えて導電性粒子Bを表1に示す配合量で配合した他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表1に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表1に示す。
(Example 7)
In place of 3 parts by mass of the curing agent (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2P4MZ), 0.3 parts by mass of the curing agent (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2MZ-H) is shown. A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the mixture was blended in the blending amount shown in 1.
Table 1 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 1 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(比較例1)
硬化剤(四国化成社製、2P4MZ)の3質量部に代えて硬化剤(四国化成社製、2MZ−H)の1質量部を、導電性粒子Aに代えて導電性粒子Bを表2に示す配合量で配合した他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表2に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表2に示す。
(Comparative Example 1)
Table 2 shows 1 part by mass of the curing agent (2MZ-H manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) instead of 3 parts by mass of the curing agent (2P4MZ manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) and conductive particles B instead of the conductive particles A. A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amounts were blended as shown.
Table 2 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 2 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(比較例2)
導電性粒子Aに代えて導電性粒子Dを表2に示す配合量で配合した他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表2に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表2に示す。
(Comparative Example 2)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles D were blended in the blending amounts shown in Table 2 instead of the conductive particles A.
Table 2 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 2 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(比較例3)
導電性粒子Aに代えて導電性粒子Dを表2に示す配合量で配合した他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表2に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表2に示す。
(Comparative Example 3)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles D were blended in the blending amounts shown in Table 2 instead of the conductive particles A.
Table 2 shows the layer thickness of the conductive adhesive layer of the obtained circuit board and the ratio of this layer thickness to the average thickness of the conductive particles. Table 2 shows the measurement results of the connection resistance of the obtained circuit board.

(比較例4)
硬化剤を配合せず、導電性粒子Aに代えて導電性粒子Bを表2に示す配合量で配合した他は、実施例1と同様にして回路基板を得ようとした。
しかし、熱プレス中に接着剤層が溶出してしまい、接着することができなかった。そのため、回路基板の導電性接着剤層の層厚と、接続抵抗は測定できなかった。
(Comparative Example 4)
An attempt was made to obtain a circuit board in the same manner as in Example 1 except that the curing agent was not blended and the conductive particles B were blended in place of the conductive particles A in the blending amounts shown in Table 2.
However, the adhesive layer was eluted during the hot pressing and could not be adhered. Therefore, the layer thickness of the conductive adhesive layer of the circuit board and the connection resistance could not be measured.

Figure 2021061365
Figure 2021061365

Figure 2021061365
Figure 2021061365

表1に示すように、実施例の回路基板では、シールド層とグランド用配線との接続抵抗が小さかった。
一方、表2の比較例1に示すように、熱プレス時貯蔵弾性率が高すぎると、シールド層とグランド用配線との接続抵抗が大きかった。また、比較例2、3に示すように、熱プレス時貯蔵弾性率が適切であっても、導電性粒子が球状の場合は、接続抵抗が大きかった。
また、比較例4に示すように、熱プレス時貯蔵弾性率が低すぎると、熱プレス時に接着剤層が溶出してしまい、接着が困難となることがわかった。
As shown in Table 1, in the circuit board of the example, the connection resistance between the shield layer and the ground wiring was small.
On the other hand, as shown in Comparative Example 1 of Table 2, when the storage elastic modulus at the time of hot pressing was too high, the connection resistance between the shield layer and the ground wiring was large. Further, as shown in Comparative Examples 2 and 3, even if the storage elastic modulus at the time of hot pressing was appropriate, when the conductive particles were spherical, the connection resistance was large.
Further, as shown in Comparative Example 4, it was found that if the storage elastic modulus during hot pressing is too low, the adhesive layer elutes during hot pressing, making adhesion difficult.

1A 電磁波シールドフィルム、
1C 電磁波シールドフィルム、
1D 電磁波シールドフィルム、
2 回路基板、
3 絶縁フィルム付きプリント配線板、
10 絶縁樹脂層、
22 シールド層、
24 導電性接着剤層、
24a 接着剤成分、
24b 導電性粒子、
30 第1の離型フィルム、
32 離型フィルム本体、
34 粘着剤層、
40 第2の離型フィルム、
42 離型フィルム本体、
44 離型剤層、
50 フレキシブルプリント配線板、
52 ベースフィルム、
54 プリント回路、
54a グランド用配線、
60 絶縁フィルム、
62 貫通孔。
1A electromagnetic wave shield film,
1C electromagnetic wave shield film,
1D electromagnetic wave shield film,
2 circuit board,
3 Printed wiring board with insulating film,
10 Insulating resin layer,
22 Shield layer,
24 Conductive adhesive layer,
24a Adhesive component,
24b conductive particles,
30 First release film,
32 Release film body,
34 Adhesive layer,
40 Second release film,
42 Release film body,
44 Release agent layer,
50 Flexible printed wiring board,
52 base film,
54 printed circuit,
54a ground wiring,
60 Insulation film,
62 Through hole.

Claims (6)

絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接し、少なくとも前記絶縁樹脂層とは反対側の最外層が金属薄膜層とされたシールド層と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、
前記導電性接着剤層は、フレーク状の導電性粒子を含み、100〜190℃における貯蔵弾性率の最低値が1.0×10〜1.0×10Paである、電磁波シールドフィルム。
The insulating resin layer, the shield layer adjacent to the insulating resin layer and at least the outermost layer on the side opposite to the insulating resin layer is a metal thin film layer, and the shield layer provided on the side opposite to the insulating resin layer. With a conductive adhesive layer
The conductive adhesive layer comprises a flaky conductive particles, the lowest value of the storage elastic modulus at 100 to 190 ° C. is 1.0 × 10 3 ~1.0 × 10 5 Pa, an electromagnetic wave shielding film.
前記導電性粒子の体積平均粒子径が1〜100μmである、請求項1に記載の電磁波シールドフィルム。 The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the conductive particles have a volume average particle diameter of 1 to 100 μm. 前記導電性接着剤層100質量%に占める前記導電性粒子の割合が、1質量%以上50質量%以下である、請求項1又は2に記載の電磁波シールドフィルム。 The electromagnetic wave shielding film according to claim 1 or 2, wherein the ratio of the conductive particles to 100% by mass of the conductive adhesive layer is 1% by mass or more and 50% by mass or less. 前記導電性接着剤層の層厚に対する前記導電性粒子の平均厚さの比が0.002〜0.3である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルム。 The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 3, wherein the ratio of the average thickness of the conductive particles to the layer thickness of the conductive adhesive layer is 0.002 to 0.3. 基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体と、
前記一方の面に隣接し、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する請求項1〜4のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備え、
前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着すると共に、前記貫通孔に貫入して、前記グランド用配線又はグランド層に接触している、回路基板。
A circuit board body in which a circuit including a ground wiring or a ground layer is provided on at least one surface of the board.
An insulating film having a through hole formed in a portion adjacent to the one surface and overlapping the ground wiring or the ground layer.
The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 4, which is adjacent to the side of the insulating film opposite to the circuit board main body, is provided.
A circuit board in which the conductive adhesive layer in the electromagnetic wave shielding film adheres to the insulating film and penetrates into the through hole to be in contact with the ground wiring or the ground layer.
基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体に対して、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムを重ね、次いで、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムを前記導電性接着剤層が前記絶縁フィルムと前記導電性接着剤層とが接するように重ね、その後熱プレスする回路基板の製造方法。 An insulating film having a through hole formed in a portion overlapping the ground wiring or the ground layer is superposed on the circuit board main body provided with the ground wiring or a circuit including the ground layer on at least one surface of the board, and then , A circuit board in which the electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 4 is laminated so that the conductive adhesive layer is in contact with the insulating film and the conductive adhesive layer, and then heat-pressed. Method.
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