JP2021048328A - Silicon nitride ceramics sintered substrate, method for manufacturing the same, silicon nitride ceramics assembly substrate, and method for manufacturing circuit board - Google Patents

Silicon nitride ceramics sintered substrate, method for manufacturing the same, silicon nitride ceramics assembly substrate, and method for manufacturing circuit board Download PDF

Info

Publication number
JP2021048328A
JP2021048328A JP2019170848A JP2019170848A JP2021048328A JP 2021048328 A JP2021048328 A JP 2021048328A JP 2019170848 A JP2019170848 A JP 2019170848A JP 2019170848 A JP2019170848 A JP 2019170848A JP 2021048328 A JP2021048328 A JP 2021048328A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon nitride
nitride ceramics
hole
substrate
assembly substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019170848A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
山下　貴弘
Takahiro Yamashita
貴弘 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP2019170848A priority Critical patent/JP2021048328A/en
Publication of JP2021048328A publication Critical patent/JP2021048328A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

To suppress occurrence of misalignment between the center of a metal plate on a front surface side and the center of the metal plate on a back surface side.SOLUTION: A silicon nitride ceramics sintered substrate for manufacturing a silicon nitride ceramics assembly substrate having a circuit forming portion and an edge portion for taking out a large number of circuit boards from a rectangular silicon nitride ceramics sintered substrate having an ear portion around the silicon nitride ceramics assembly substrate includes a scribe hole for dividing the silicon nitride ceramic assembly substrate and the ear portion, and a through-hole for positioning. The scribe hole forms a side break line based on the scribe hole along an outer edge of the silicon nitride ceramics sintered substrate from an outer edge position of the silicon nitride ceramics sintered substrate to an inner position of the silicon nitride ceramics sintered substrate, and the through-hole for positioning is formed inside the side break line and at one of four corners of the silicon nitride ceramic assembly substrate.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、回路基板を多数個取りする為の窒化珪素セラミックス焼結基板及びその製造方法、窒化珪素セラミックス集合基板、並びに回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a silicon nitride ceramics sintered substrate and a method for manufacturing the same, a silicon nitride ceramics assembly substrate, and a method for manufacturing a circuit board for taking a large number of circuit boards.

半導体モジュール、パワーモジュール等に利用される回路基板には、熱伝導性および絶縁性、強度などの点で回路用セラミックス基板が用いられ、この回路用セラミックス基板にＣｕやＡｌなどの金属回路板や金属放熱板が接合されて回路基板とされている。回路用セラミックス基板としては、アルミナ材が広く使われてきたが、最近では、より厳しい環境でも使用できるように、高強度で熱伝導性も改善された窒化珪素が使用されるようになってきた。 For circuit boards used for semiconductor modules, power modules, etc., ceramic substrates for circuits are used in terms of thermal conductivity, insulation, strength, etc., and metal circuit boards such as Cu and Al can be used as the ceramic substrates for circuits. A metal radiator plate is joined to form a circuit board. Alumina material has been widely used as a ceramic substrate for circuits, but recently, silicon nitride, which has high strength and improved thermal conductivity, has been used so that it can be used even in a harsher environment. ..

また、回路基板を量産する技術として、前記回路用セラミックス基板が多数切り出せる大きさの１枚のセラミックス集合基板に、活性金属ろう付け法や直接接合法などによりＣｕ板等の金属板を接合し、エッチング加工等で金属回路板と金属放熱板を形成して、セラミックス集合基板を所定の大きさに分割して個々の回路基板を得るという方法がある。 In addition, as a technique for mass-producing circuit boards, a metal plate such as a Cu plate is bonded to a single ceramic assembly substrate having a size capable of cutting out a large number of the circuit board ceramic substrates by an active metal brazing method or a direct bonding method. There is a method in which a metal circuit board and a metal heat dissipation plate are formed by etching or the like, and the ceramic assembly substrate is divided into predetermined sizes to obtain individual circuit boards.

個々の回路基板に分割する方法としては、例えば、Ｃｕ板等の接合前にレーザ加工により、セラミックス集合基板に凹部又は溝を形成しておき、Ｃｕ板等を接合後にセラミックス集合基板を撓ませて、凹部又は溝で分割する方法が採用されている。 As a method of dividing into individual circuit boards, for example, a recess or a groove is formed in the ceramic assembly substrate by laser processing before joining the Cu plate or the like, and the ceramic assembly substrate is bent after the Cu plate or the like is joined. , A method of dividing by a recess or a groove is adopted.

本発明者が、焼結したままの焼結板にレーザ加工により分割用のスクライブ孔（非貫通の孔）を形成して、スクライブ孔による分割線で分割する（割断する）ことで、焼結板の四辺を除去してセラミックス集合基板を作製したところ、セラミックス集合基板の縁にバリが発生し易いことがわかった。そして、回路基板を製造するプロセスにおいて、縁を基準として位置合わせを行っても、Ｃｕ板等の金属板の中心が回路基板の中心に位置するように作製することが難しく、おもて面側の金属板の中心と裏面側の金属板の中心とが位置ずれを生じて、回路基板の合格率が低下するという問題があった。 The present inventor forms scribe holes (non-penetrating holes) for division in a sintered plate as it is sintered by laser processing, and divides (cuts) the scribe holes by dividing lines to sinter. When the ceramic assembly substrate was prepared by removing the four sides of the plate, it was found that burrs were likely to occur on the edges of the ceramic assembly substrate. Then, in the process of manufacturing a circuit board, even if the alignment is performed with reference to the edge, it is difficult to manufacture the metal plate such as a Cu plate so that the center of the metal plate is located at the center of the circuit board. There is a problem that the center of the metal plate and the center of the metal plate on the back surface side are misaligned, and the pass rate of the circuit board is lowered.

なお、回路基板をスクライブ孔或いは分割溝でセラミックス集合基板から分割する技術が、特許文献１（特開２００８−１９８９０５）、及び特許文献２（特開２０１７−２８１９２）に開示されている。 A technique for dividing a circuit board from a ceramic assembly substrate by a scribe hole or a dividing groove is disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2008-1989905) and Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2017-28192).

特開２００８−１９８９０５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-1989905 特開２０１７−２８１９２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-28192

従来技術では、おもて面側の金属板の中心と裏面側の金属板の中心とが位置ずれを生じることがある、という問題を解消できていなかった。おもて面側の金属板の中心と裏面側の金属板の中心とが大きく位置ずれを生じると、回路基板における熱抵抗が増加する虞がある。 The conventional technique has not solved the problem that the center of the metal plate on the front surface side and the center of the metal plate on the back surface side may be misaligned. If the center of the metal plate on the front surface side and the center of the metal plate on the back surface side are largely misaligned, the thermal resistance in the circuit board may increase.

本発明の目的は、おもて面側の金属板の中心と裏面側の金属板の中心とが位置ずれを生じることを抑制するために、窒化珪素セラミックス焼結基板及びその製造方法、窒化珪素セラミックス集合基板、並びに回路基板の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to prevent the center of the metal plate on the front surface side and the center of the metal plate on the back surface side from being displaced from each other. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic assembly substrate and a circuit board.

本発明の窒化珪素セラミックス焼結基板は、窒化珪素セラミックス集合基板の周囲に耳部を有する矩形の窒化珪素セラミックス焼結基板から、回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有する窒化珪素セラミックス集合基板を製造するための窒化珪素セラミックス焼結基板であって、
前記窒化珪素セラミックス集合基板と耳部を分割するためのスクライブ孔と、位置決め用の貫通孔とを備え、
前記スクライブ孔は、前記窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁から内側の位置に前記外縁に沿ってスクライブ孔による辺ブレークラインを形成し、
前記位置決め用の貫通孔は、前記辺ブレークラインよりも内側で、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに形成されていることを特徴とする。 The silicon nitride ceramics sintered substrate of the present invention has a circuit forming portion and an edge portion for taking a large number of circuit boards from a rectangular silicon nitride ceramics sintered substrate having ears around the silicon nitride ceramics assembly substrate. It is a silicon nitride ceramics sintered substrate for manufacturing a silicon nitride ceramics assembly substrate which has.
It is provided with a scribe hole for dividing the silicon nitride ceramic assembly substrate and the selvage portion, and a through hole for positioning.
The scribe holes form a side break line by the scribe holes along the outer edge at a position inside from the outer edge of the silicon nitride ceramics sintered substrate.
The positioning through hole is formed inside the side break line at one of the four corners of the silicon nitride ceramic assembly substrate.

本発明の窒化珪素セラミックス集合基板は、回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有する窒化珪素セラミックス集合基板であって、窒化珪素セラミックス集合基板の辺の内側で四隅の１つに位置決め用の貫通孔が形成されていることを特徴とする。 The silicon nitride ceramics assembly substrate of the present invention is a silicon nitride ceramics assembly substrate having a circuit forming portion and an edge portion for taking a large number of circuit boards, and is one of four corners inside the side of the silicon nitride ceramics assembly substrate. One is characterized in that a through hole for positioning is formed.

本発明の窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法は、窒化珪素セラミックス集合基板の周囲に耳部を有する矩形の窒化珪素セラミックス焼結基板から、回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有する窒化珪素セラミックス集合基板を製造するための窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法であって、
前記窒化珪素セラミックス集合基板と耳部を分割するためのスクライブ孔形成工程と、位置決め用の貫通孔形成工程とを備え、
前記スクライブ孔形成工程は、前記窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁から内側の位置に前記外縁に沿ってスクライブ孔による辺ブレークラインを形成し、
前記位置決め用の貫通孔形成工程は、前記辺ブレークラインよりも内側で、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに貫通孔を形成することを特徴とする。 The method for manufacturing a silicon nitride ceramics sintered substrate of the present invention has a circuit forming portion and an edge for taking a large number of circuit boards from a rectangular silicon nitride ceramics sintered substrate having an ear portion around the silicon nitride ceramics assembly substrate. A method for manufacturing a silicon nitride ceramics sintered substrate for manufacturing a silicon nitride ceramics sintered substrate having a portion.
A scribe hole forming step for dividing the silicon nitride ceramic assembly substrate and the selvage portion and a through hole forming step for positioning are provided.
In the scribe hole forming step, a side break line due to the scribe holes is formed along the outer edge at a position inside from the outer edge of the silicon nitride ceramics sintered substrate.
The positioning through hole forming step is characterized in that a through hole is formed in one of the four corners of the silicon nitride ceramic assembly substrate inside the side break line.

前記窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記貫通孔は前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに少なくとも１つ形成されていることが好ましい。前記貫通孔は、窒化珪素セラミックス焼結基板のおもて面（回路側）と裏面（放熱側）とで共通の位置決めの基準とすることが出来る。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate, it is preferable that at least one through hole is formed in one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate. The through hole can be used as a common positioning reference for the front surface (circuit side) and the back surface (heat dissipation side) of the silicon nitride ceramics sintered substrate.

前記窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに形成された少なくとも１つの貫通孔から求めた中心点と、前記窒化珪素セラミックス集合基板の中心点とは、一致していることが好ましい。また、この窒化珪素セラミックス焼結基板（位置決め用貫通孔を有す）から耳部を除去して、窒化珪素セラミックス集合基板を得ることが出来る。また、前記窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに形成された少なくとも１つの貫通孔から求めたおもて面の中心点と、前記貫通孔から求めた裏面の中心点とが一致していることが好ましい。また、前記窒化珪素セラミックス集合基板において、四隅の１つに形成された少なくとも１つの貫通孔から求めたおもて面の中心点と、前記貫通孔から求めた裏面の中心点とが一致していることが好ましい。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate, the center point obtained from at least one through hole formed in one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate coincides with the center point of the silicon nitride ceramics assembly substrate. Is preferable. Further, the silicon nitride ceramics sintered substrate (having a through hole for positioning) can be removed from the ear portion to obtain a silicon nitride ceramics assembly substrate. Further, in the silicon nitride ceramics sintered substrate, the center point of the front surface obtained from at least one through hole formed in one of the four corners of the silicon nitride ceramic assembly substrate, and the back surface obtained from the through hole. It is preferable that the center point of is the same. Further, in the silicon nitride ceramics assembly substrate, the center point of the front surface obtained from at least one through hole formed in one of the four corners coincides with the center point of the back surface obtained from the through hole. It is preferable to have.

前記窒化珪素セラミックス焼結基板や前記窒化珪素セラミックス集合基板において、前記貫通孔は、開口の形状が円形であることが好ましい。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate and the silicon nitride ceramics assembly substrate, it is preferable that the through holes have a circular opening shape.

前記窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記辺ブレークラインと前記貫通孔の距離は、０．１〜４．０ｍｍであることが好ましい。前記窒化珪素セラミックス集合基板において、窒化珪素セラミックス集合基板の辺（辺ブレークラインに相当）と前記貫通孔との距離は、０．１〜４．０ｍｍであることが好ましい。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate, the distance between the side break line and the through hole is preferably 0.1 to 4.0 mm. In the silicon nitride ceramics assembly substrate, the distance between the side (corresponding to the side break line) of the silicon nitride ceramics assembly substrate and the through hole is preferably 0.1 to 4.0 mm.

本発明の回路基板の製造方法は、前記窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法に、回路側の金属板を設ける工程と、放熱側の金属板を設ける工程とを加えることで回路基板を製造する方法であって、
前記回路側の金属板を位置決めする際に前記貫通孔の一方の開口とその位置情報を用い、前記放熱側の金属板を位置決めする際に前記貫通孔の他方の開口とその位置情報を用いることを特徴とする。 The circuit board manufacturing method of the present invention manufactures a circuit board by adding a step of providing a metal plate on the circuit side and a step of providing a metal plate on the heat dissipation side to the manufacturing method of the silicon nitride ceramics sintered substrate. It ’s a method,
When positioning the metal plate on the circuit side, one opening of the through hole and its position information are used, and when positioning the metal plate on the heat dissipation side, the other opening of the through hole and its position information are used. It is characterized by.

また、本発明の回路基板の製造方法は、回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有する窒化珪素セラミックス集合基板を作製する工程と、窒化珪素セラミックス集合基板の辺の内側で、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに位置決め用の貫通孔を形成する工程とを有し、
前記窒化珪素セラミックス集合基板に、回路側の金属板を設ける工程と、放熱側の金属板を設ける工程とを有し、
前記回路側の金属板を位置決めする際に前記貫通孔の一方の開口とその位置情報を用い、前記放熱側の金属板を位置決めする際に前記貫通孔の他方の開口とその位置情報を用いることを特徴とする。 Further, the method for manufacturing a circuit board of the present invention includes a step of manufacturing a silicon nitride ceramics assembly substrate having a circuit forming portion and an edge portion for taking a large number of circuit boards, and the inside of the side of the silicon nitride ceramics assembly substrate. A step of forming a through hole for positioning in one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate is provided.
The silicon nitride ceramics assembly substrate includes a step of providing a metal plate on the circuit side and a step of providing a metal plate on the heat dissipation side.
When positioning the metal plate on the circuit side, one opening of the through hole and its position information are used, and when positioning the metal plate on the heat dissipation side, the other opening of the through hole and its position information are used. It is characterized by.

前記回路基板の製造方法において、
回路側用の金属板にレジストの第１のパターンを設ける際に、前記第１のパターンの中心点を前記貫通孔の一方の開口の中心とその位置情報によって決めており、
放熱側用の金属板にレジストの第２のパターンを設ける際に、前記第２のパターンの中心点を前記貫通孔の他方の開口の中心とその位置情報によって決めていることを特徴とする。 In the method for manufacturing a circuit board,
When the first pattern of the resist is provided on the metal plate for the circuit side, the center point of the first pattern is determined by the center of one opening of the through hole and its position information.
When the second pattern of the resist is provided on the metal plate for heat dissipation, the center point of the second pattern is determined by the center of the other opening of the through hole and its position information.

本発明の窒化珪素セラミックス焼結基板及びその製造方法、窒化珪素セラミックス集合基板、並びに回路基板の製造方法によって、おもて面側の金属板と裏面側の金属板とが位置ずれを生じることが抑制され、よって回路基板の合格率を向上できる。 Depending on the silicon nitride ceramics sintered substrate of the present invention and its manufacturing method, the silicon nitride ceramics assembly substrate, and the circuit board manufacturing method, the metal plate on the front surface side and the metal plate on the back surface side may be misaligned. It is suppressed, and therefore the pass rate of the circuit board can be improved.

本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板を説明する概略図である。It is the schematic explaining the silicon nitride ceramics sintered substrate which concerns on this invention. 図１の基板から得た窒化珪素セラミックス集合基板を説明する概略図である。It is the schematic explaining the silicon nitride ceramics assembly substrate obtained from the substrate of FIG. 図２の基板に第２のブレークラインを形成した概略図である。It is the schematic which formed the 2nd break line on the substrate of FIG. 図３の基板にろう材を塗布した概略図であり、（４ａ）はおもて面及び（４ｂ）は裏面を示す。It is the schematic which the brazing material was applied to the substrate of FIG. 3, (4a) shows the front surface and (4b) shows the back surface. 図４の基板に原版のＣｕ板を配置し、ろう付けした概略図であり、（５ａ）はおもて面及び（５ｂ）は裏面を示す。It is the schematic which the Cu plate of the original plate was arranged and brazed on the substrate of FIG. 4, (5a) shows the front surface and (5b) shows the back surface. 図５の基板で原版のＣｕ板をパターニングし、はみ出したろう材層を除去した概略図であり、（６ａ）はおもて面及び（６ｂ）は裏面を示す。FIG. 5 is a schematic view in which the original Cu plate is patterned on the substrate of FIG. 5 and the protruding brazing material layer is removed. (6a) shows the front surface and (6b) shows the back surface. 図６の基板から得た回路基板の概略図である。It is the schematic of the circuit board obtained from the board of FIG. （ａ）図１等における貫通孔に係る断面図であり、（ｂ）貫通孔に係る他の形態の断面図である。(A) is a cross-sectional view of the through hole in FIG. 1 and the like, and (b) is a cross-sectional view of another form related to the through hole. 本発明に係る他の（ａ）窒化珪素セラミックス焼結基板と（ｂ）窒化珪素セラミックス集合基板を説明する概略図である。It is the schematic explaining another (a) silicon nitride ceramics sintered substrate and (b) silicon nitride ceramics assembly substrate which concerns on this invention. 本発明に係る他の窒化珪素セラミックス集合基板の要部を説明する概略図である。It is the schematic explaining the main part of another silicon nitride ceramics assembly substrate which concerns on this invention. 本発明に係る他の窒化珪素セラミックス集合基板の要部を説明する概略図である。It is the schematic explaining the main part of another silicon nitride ceramics assembly substrate which concerns on this invention. 本発明に係る他の窒化珪素セラミックス集合基板の要部を説明する概略図である。It is the schematic explaining the main part of another silicon nitride ceramics assembly substrate which concerns on this invention. 本発明に係る他の窒化珪素セラミックス集合基板の要部を説明する概略図である。It is the schematic explaining the main part of another silicon nitride ceramics assembly substrate which concerns on this invention. 図２の基板にろう材を塗布した概略図である。It is the schematic which applied the brazing material to the substrate of FIG. 図１４の基板に原版のＣｕ板を配置し、ろう付けした概略図である。It is the schematic which arranged the Cu plate of the original plate on the substrate of FIG. 14, and brazed. 図１５の基板で原版のＣｕ板をパターニングした概略図である。It is the schematic which patterned the Cu plate of the original plate with the substrate of FIG. 図１６の基板で露出したろう材層を除去した概略図である。It is the schematic which removed the brazing material layer exposed in the substrate of FIG. 図１７の基板で第２のブレークラインを形成した概略図である。It is the schematic which formed the 2nd break line in the substrate of FIG. 本発明に係る他の窒化珪素セラミックス焼結基板を説明する概略図である。It is the schematic explaining another silicon nitride ceramics sintered substrate which concerns on this invention. 本発明に係る他の（ａ）窒化珪素セラミックス焼結基板と（ｂ）窒化珪素セラミックス集合基板を説明する概略図である。It is the schematic explaining another (a) silicon nitride ceramics sintered substrate and (b) silicon nitride ceramics assembly substrate which concerns on this invention. 本発明に係る他の窒化珪素セラミックス集合基板の要部を説明する概略図である。It is the schematic explaining the main part of another silicon nitride ceramics assembly substrate which concerns on this invention.

本発明の実施形態を、以下詳細に説明するが、本発明は必ずしもそれらに限定されるものではない。各実施形態に関する説明は、特に断りがなければ他の実施形態にも適用できる。 Embodiments of the present invention will be described in detail below, but the present invention is not necessarily limited thereto. The description of each embodiment can be applied to other embodiments unless otherwise specified.

発明者は、焼結によって得た窒化珪素セラミックス焼結基板について、窒化珪素セラミックス集合基板の部分にＣｕ板等の金属板を形成する際の位置ズレを抑制するべく、鋭意検討した結果、窒化珪素セラミックス焼結基板或いは窒化珪素セラミックス集合基板に位置決め用の貫通孔を設けるという本発明に想到した。 As a result of diligent studies on the silicon nitride ceramics sintered substrate obtained by sintering in order to suppress the positional deviation when forming a metal plate such as a Cu plate on the silicon nitride ceramics assembly substrate, the inventor has made silicon nitride. We came up with the present invention of providing a through hole for positioning in a ceramics sintered substrate or a silicon nitride ceramics assembly substrate.

（実施形態１）
本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板を図１に示し、その製造方法並びに回路基板の製造方法について図１〜図７を用いて説明する。まず、図１に示すように、焼結で得た窒化珪素セラミックス焼結基板１に、炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）等を用いて、窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁１０から内側の位置に外縁１０に沿ってスクライブ孔１３ａ（非貫通の孔）を複数個形成することで、スクライブ孔の中心間を結ぶ分割線によるブレークライン１３（以下、辺ブレークラインという）とする（スクライブ孔形成工程）。以下で「スクライブ孔」は基板を貫通していない孔（非貫通の孔）を指す。 (Embodiment 1)
The silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention is shown in FIG. 1, and the manufacturing method thereof and the manufacturing method of the circuit board will be described with reference to FIGS. 1 to 7. First, as shown in FIG. 1, the silicon nitride ceramics sintered substrate 1 obtained by sintering is subjected to an outer edge at a position inside from the outer edge 10 of the silicon nitride ceramics sintered substrate by using a carbon dioxide gas laser (CO 2 laser) or the like. By forming a plurality of scribe holes 13a (non-penetrating holes) along No. 10, a break line 13 (hereinafter referred to as a side break line) formed by a dividing line connecting the centers of the scribe holes is formed (scribing hole forming step). .. In the following, "scribe hole" refers to a hole that does not penetrate the substrate (a non-penetrating hole).

そして、辺ブレークライン１３が交差する角部に辺ブレークライン１３と傾斜する方向に、いわば角部を面取りするように、窒化珪素セラミックス焼結基板１の厚さ方向に貫通するスリット１４を形成する（面取り用の貫通孔形成工程（より詳細にはスリット形成工程））。以下で、「スリット」は一方の面から他方の面に基板を貫通した細長い切り込みを指す。「面取り用の貫通孔」は一方の面から他方の面に基板を貫通した孔を指す。前記スリット１４は、複数個の貫通孔を連結して形成されており、貫通孔の中心間を結ぶ分割線によるブレークライン１５（以下、角ブレークラインという）を構成している。なお、角ブレークライン１５は、辺ブレークラインと交差して、辺ブレークラインから長さＬ２で突出していてもよい。長さＬ２はスリットの形成に用いたレーザのビームスポット直径より大きく、且つ３．５ｍｍ未満であることが好ましい。なお、実施形態１は角ブレークラインを形成したが、角ブレークラインを設けない形態とすることも出来る。 Then, a slit 14 is formed at the corner where the side break lines 13 intersect in the direction inclined from the side break line 13 so as to chamfer the corners in the thickness direction of the silicon nitride ceramics sintered substrate 1. (Through hole forming step for chamfering (more specifically, slit forming step)). In the following, "slit" refers to an elongated notch that penetrates a substrate from one side to the other. “Chamfering through hole” refers to a hole that penetrates a substrate from one surface to the other. The slit 14 is formed by connecting a plurality of through holes, and constitutes a break line 15 (hereinafter, referred to as an angular break line) formed by a dividing line connecting the centers of the through holes. The corner break line 15 may intersect the side break line and project from the side break line with a length L2. The length L2 is preferably larger than the beam spot diameter of the laser used for forming the slit and less than 3.5 mm. Although the angular break line is formed in the first embodiment, it is also possible to form a form in which the angular break line is not provided.

そして、窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁１０を構成する四辺のうち、長い方の辺を長辺とするが、１つの長辺に沿って形成された辺ブレークライン１３について、その内側（外縁１０とは反対の側）に所定の距離Ｌ１をおいて位置決め用の貫通孔５を１個形成する（位置決め用の貫通孔形成工程）。窒化珪素セラミックス集合基板１２の角部に、すなわち角ブレークライン１５の近くに、１個の貫通孔５を形成することで実施形態１の窒化珪素セラミックス焼結基板を得る。なお、位置決め用の貫通孔５の直径は、１００〜５００μｍが好ましく、１５０〜３００μｍが更に好ましい。そして、距離Ｌ１は、０．１〜４．０ｍｍであることが好ましく、０．２〜３．０ｍｍであることが更に好ましく、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍがより好ましい。このように数値範囲を規定するのは、Ｌ１が小さすぎると、位置決め用の貫通孔５が辺ブレークラインに接触する虞があり、また辺ブレークラインの近くに貫通孔を設けた場合、基板強度の低下につながる虞がある為である。またＬ１が大きすぎると、位置決め用の貫通孔を設ける為の取り代（第２の耳部に相当）の幅が大きくなって、相対的に回路基板におけるセラミックス部の面積が小さくなり、回路基板の取り数が減る。 The longer side of the four sides constituting the outer edge 10 of the silicon nitride ceramics sintered substrate is the long side, and the side break line 13 formed along one long side is inside (outer edge 10). One through hole 5 for positioning is formed at a predetermined distance L1 (on the side opposite to the side) (through hole forming step for positioning). The silicon nitride ceramics sintered substrate of the first embodiment is obtained by forming one through hole 5 at the corner of the silicon nitride ceramics assembly substrate 12, that is, near the corner break line 15. The diameter of the through hole 5 for positioning is preferably 100 to 500 μm, more preferably 150 to 300 μm. The distance L1 is preferably 0.1 to 4.0 mm, more preferably 0.2 to 3.0 mm, and even more preferably 0.5 mm to 2.0 mm. The reason why the numerical range is defined in this way is that if L1 is too small, the through hole 5 for positioning may come into contact with the side break line, and when the through hole is provided near the side break line, the substrate strength This is because there is a risk that it will lead to a decrease in. Further, if L1 is too large, the width of the allowance (corresponding to the second ear portion) for providing the through hole for positioning becomes large, the area of the ceramics portion in the circuit board becomes relatively small, and the circuit board becomes large. The number of takes is reduced.

ついで、窒化珪素セラミックス焼結基板１の四辺について、各々の耳部を順に撓ませて、辺ブレークライン１３と直角な方向に曲げによる引張応力を作用させて、窒化珪素セラミックス焼結基板から四辺の耳部１１を分割する（耳部分割工程）。得られた窒化珪素セラミックス集合基板１２ａは、図２に示すように、四隅の角部を面取した箇所のうち、１箇所（図２では右下の隅）の近くで、且つ辺ブレークライン１３から所定の距離Ｌ１離れた箇所に、位置決め用の貫通孔５を１個有している。 Next, with respect to the four sides of the silicon nitride ceramics sintered substrate 1, each ear portion is bent in order, and tensile stress due to bending is applied in a direction perpendicular to the side break line 13, so that the four sides of the silicon nitride ceramics sintered substrate 1 are bent. The selvage portion 11 is divided (ear portion division step). As shown in FIG. 2, the obtained silicon nitride ceramics assembly substrate 12a is located near one of the four corners chamfered (lower right corner in FIG. 2) and has a side break line 13. A through hole 5 for positioning is provided at a position separated from L1 by a predetermined distance.

ついで、図３に示すように、窒化珪素セラミックス集合基板１２ａの面に第２のスクライブ孔による第２のブレークライン１８，１８’を形成する。第２のブレークライン１８は辺ブレークライン１３に沿って形成されており、辺ブレークライン１３と第２のブレークライン１８の距離は前記距離Ｌ１より大きい。なお、第２の耳部に相当する箇所に貫通孔５は位置している。例えば２本の第２のブレークライン１８’は、例えば４本の第２のブレークライン１８の中点と交差するように形成されている。なお、窒化珪素セラミックス集合基板において、対角線を引き、対角線の交点を窒化珪素セラミックス集合基板の中心点として求めることが出来る。 Then, as shown in FIG. 3, second break lines 18, 18'by the second scribe holes are formed on the surface of the silicon nitride ceramics assembly substrate 12a. The second break line 18 is formed along the side break line 13, and the distance between the side break line 13 and the second break line 18 is larger than the distance L1. The through hole 5 is located at a position corresponding to the second ear portion. For example, the two second break lines 18'are formed so as to intersect the midpoints of, for example, the four second break lines 18. In the silicon nitride ceramics assembly substrate, diagonal lines can be drawn and the intersection of the diagonal lines can be obtained as the center point of the silicon nitride ceramics assembly substrate.

ついで、図４の（ａ）に示すように、図３の基板のおもて面（表面）において、第２のブレークライン１８，１８’で区切られた領域に（図４では４つの領域それぞれに）、ろう材ペーストをスクリーン印刷で塗布することによってろう材１６ａを配置する。さらに、基板のおもて裏を反転させて、裏面においてろう材ペーストをスクリーン印刷で塗布することによってろう材１６ａ’を配置する。 Then, as shown in FIG. 4A, in the front surface (surface) of the substrate of FIG. 3, the regions separated by the second break lines 18, 18'(in FIG. 4, each of the four regions). The brazing filler metal 16a is arranged by applying the brazing filler metal paste by screen printing. Further, the wax material 16a'is arranged by inverting the front and back surfaces of the substrate and applying the wax material paste on the back surface by screen printing.

ついで、図５の（５ａ）に示すように、図４の基板のおもて面（表面）において、４箇所のろう材１６ａを覆うように、原版のＣｕ板１６ｂを設ける。さらに、基板を反転させて、裏面において、４箇所のろう材１６ａ’を覆うように、もう１枚の原版のＣｕ板１６ｂ’を設ける。ついで、Ｃｕ板１６ｂ’／ろう材１６ａ’／窒化珪素セラミックス集合基板（１２ａ）／ろう材１６ａ／Ｃｕ板１６ｂという順に積層された積層体を熱処理することで、ろう材１６ａ，１６ａ’をろう材層と為して、ろう付けを行う。 Then, as shown in (5a) of FIG. 5, the original Cu plate 16b is provided so as to cover the brazing material 16a at four locations on the front surface (surface) of the substrate of FIG. Further, the substrate is inverted, and another original Cu plate 16b'is provided on the back surface so as to cover the four brazing materials 16a'. Then, the brazing materials 16a and 16a'are made into brazing materials by heat-treating the laminated body in which the Cu plate 16b'/ brazing material 16a' / silicon nitride ceramics assembly substrate (12a) / brazing material 16a / Cu plate 16b are laminated in this order. Braze as a layer.

なお、Ｃｕ板１６ｂやＣｕ板１６ｂ’を設ける際には、少なくとも貫通孔５を覆わないように、位置を調整して設ける。位置決め用の貫通孔５が覆われてしまって見えないと、後の工程において、レジストパターンの位置決めに使えない為である。Ｃｕ板１６ｂやＣｕ板１６ｂ’の位置を調整するには、例えば、治具として一対のピン或いはストッパーを用意し、Ｃｕ板１６ｂの１つの辺に一方のピン或いはストッパーを当接させて、Ｃｕ板１６ｂの隣の辺に他方のピン或いはストッパーを当接させるといった手法を用いる。 When the Cu plate 16b or the Cu plate 16b'is provided, the position is adjusted so as not to cover at least the through hole 5. This is because if the through hole 5 for positioning is covered and cannot be seen, it cannot be used for positioning the resist pattern in a later process. To adjust the positions of the Cu plate 16b and the Cu plate 16b', for example, prepare a pair of pins or stoppers as jigs, and bring one pin or stopper into contact with one side of the Cu plate 16b to make Cu. A technique is used in which the other pin or stopper is brought into contact with the side adjacent to the plate 16b.

ついで、画像解析装置等を用いて、おもて面において、位置決め用の貫通孔５について中心（入射側の開口の中心に相当）及び半径を算定し、図１に示すように、位置決め用貫通孔５と長辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ１と、位置決め用貫通孔５と短辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ３とを測定する。Ｌ１の方向をｙ軸とし、Ｌ３の方向をｘ軸とする。窒化珪素セラミックス集合基板の大きさのうち、設計で決めた縦寸法（Ｌ１１）と横寸法（Ｌ１３）に基づいて、Ｌ１１／２−Ｌ１＝Ｌ５と、Ｌ１３／２−Ｌ３＝Ｌ７として算定し、貫通孔５から基板の中央部に向かって、ｙ軸でＬ５の距離且つｘ軸でＬ７の距離をおいて離れた位置を、第１の中心点２００を設定する位置とする（貫通孔５の円形と、第１の中心点２００を中心として図１のように仮想的に描く円形とは、直径が同じものとする）。第１の中心点２００の中心とｙ軸とｘ軸によって得られる窒化珪素セラミックス集合基板の第１の座標に基づき、フォトレジストを形成する手法やレジストフィルムを貼る手法を用いて、Ｃｕ板１６ｂにレジストパターンを４つ形成する。レジストパターンに係る中心、アウトラインや位置は、上記第１の座標によって決定できる。 Then, using an image analysis device or the like, the center (corresponding to the center of the opening on the incident side) and the radius of the through hole 5 for positioning on the front surface are calculated, and as shown in FIG. 1, the through hole for positioning is calculated. The distance L1 between the hole 5 and the long side break line 13 and the distance L3 between the positioning through hole 5 and the short side break line 13 are measured. The direction of L1 is the y-axis, and the direction of L3 is the x-axis. Of the sizes of the silicon nitride ceramics assembly substrate, calculated as L11 / 2-L1 = L5 and L13 / 2-L3 = L7 based on the vertical dimension (L11) and horizontal dimension (L13) determined by the design. A position separated from the through hole 5 toward the center of the substrate at a distance of L5 on the y-axis and a distance of L7 on the x-axis is the position where the first center point 200 is set (through hole 5). The circular shape and the circular shape virtually drawn with the first center point 200 as the center as shown in FIG. 1 have the same diameter). Based on the center of the first center point 200 and the first coordinates of the silicon nitride ceramics assembly substrate obtained by the y-axis and the x-axis, a method of forming a photoresist or a method of attaching a resist film is used on the Cu plate 16b. Form four resist patterns. The center, outline, and position of the resist pattern can be determined by the first coordinates.

さらに、基板のおもて裏を反転させて、裏面において、位置決め用の貫通孔５で中心（貫通側の開口の中心に相当）及び半径を算定し、位置決め用貫通孔５と長辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ１と、位置決め用貫通孔５と短辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ３とを測定する。Ｌ１の方向をｙ軸とし、Ｌ３の方向をｘ軸とする。窒化珪素セラミックス集合基板の大きさのうち、設計で決めた縦寸法（Ｌ１１）と横寸法（Ｌ１３）に基づいて、Ｌ１１／２−Ｌ１＝Ｌ５と、Ｌ１３／２−Ｌ３＝Ｌ７として算定し、貫通孔５から基板の中央部に向かって、ｙ軸でＬ５の距離且つｘ軸でＬ７の距離をおいて離れた位置を、第２の中心点２００’を設定する位置とする（貫通孔５の円形と、第２の中心点２００’を中心として（例えば図（５ｂ）のように）仮想的に描く円形は、直径が同じものとする）。第２の中心点２００’とｙ軸とｘ軸によって得られる窒化珪素セラミックス集合基板の第２の座標に基づき、フォトレジストを形成する手法やレジストフィルムを貼る手法を用いて、Ｃｕ板１６ｂ’にレジストパターンを４つ形成する。レジストパターンに係る中心、アウトラインや位置は、上記第２の座標によって決定できる。おもて面と裏面とで、同じ１つの貫通孔５を用いることで（共通の位置決めの基準として用いることで）、第１及び第２の座標を共通化したり、或いは、第１の中心点と第２の中心点を一致させたりすることが出来て、窒化珪素セラミックス集合基板を挟んで対向するレジストパターン同士の中心や位置を、透視したときに重なるように、正確に合わせられる。なお、貫通孔５の円形と、第１の中心点２００或いは第２の中心点２００’を中心として仮想的に描く円形について、直径が異なるものとする場合には、Ｌ１１／２−（Ｌ１＋貫通孔５の半径）＝Ｌ５’と、Ｌ１３／２−（Ｌ３＋貫通孔５の半径）＝Ｌ７’として算定し、貫通孔５の中心から基板の中央部に向かって、ｙ軸でＬ５’の距離且つｘ軸でＬ７’の距離をおいて離れた位置を、第１の中心点２００或いは第２の中心点２００’とする。 Further, the front and back sides of the substrate are inverted, and on the back surface, the center (corresponding to the center of the opening on the through side) and the radius are calculated by the through hole 5 for positioning, and the through hole 5 for positioning and the side of the long side are calculated. The distance L1 of the break line 13 and the distance L3 between the positioning through hole 5 and the short side break line 13 are measured. The direction of L1 is the y-axis, and the direction of L3 is the x-axis. Of the sizes of the silicon nitride ceramics assembly substrate, calculated as L11 / 2-L1 = L5 and L13 / 2-L3 = L7 based on the vertical dimension (L11) and horizontal dimension (L13) determined by the design. A position separated from the through hole 5 toward the center of the substrate at a distance of L5 on the y-axis and a distance of L7 on the x-axis is the position where the second center point 200'is set (through hole 5). And the circle virtually drawn around the second center point 200'(for example, as shown in FIG. (5b)) have the same diameter). Based on the second coordinates of the silicon nitride ceramics assembly substrate obtained by the second center point 200'and the y-axis and x-axis, a method of forming a photoresist or a method of attaching a resist film was used on the Cu plate 16b'. Form four resist patterns. The center, outline, and position of the resist pattern can be determined by the second coordinates. By using the same one through hole 5 on the front surface and the back surface (by using it as a common positioning reference), the first and second coordinates can be shared, or the first center point can be used. And the second center point can be matched, and the centers and positions of the resist patterns facing each other across the silicon nitride ceramic assembly substrate can be accurately aligned so as to overlap when viewed through. If the circular shape of the through hole 5 and the circular shape virtually drawn with the first center point 200 or the second center point 200'as the center have different radii, L11 / 2- (L1 + through). Calculated as L5'(radius of hole 5) and L13 / 2- (radius of L3 + through hole 5) = L7', and the distance of L5'on the y-axis from the center of the through hole 5 toward the center of the substrate. A position separated by a distance of L7'on the x-axis is defined as a first center point 200 or a second center point 200'.

ついで、Ｃｕ板１６ｂとＣｕ板１６ｂ’をエッチング処理によってパターニングして、Ｃｕ板の縁から外側へはみ出したろう材層を選択的なエッチングで除去することで、図６の（６ａ）に示すようにＣｕ板１６ｂから４つの銅の回路板１６を形成し、図６の（６ｂ）に示すようにＣｕ板１６ｂ’から４つの銅の放熱板１６’を形成する。レジストパターンで覆われた箇所に応じた形状にパターニングされるので、窒化珪素セラミックス集合基板を挟んで対向するように、銅の回路板１６の位置と銅の放熱板１６’の位置は、正確に合わせられる。この後に、銅の回路板１６や銅の放熱板１６’にＮｉめっき、Ａｇめっき、或いはＡｕめっきなどを施してもよい。 Then, the Cu plate 16b and the Cu plate 16b'are patterned by an etching process, and the brazing material layer protruding outward from the edge of the Cu plate is removed by selective etching, as shown in FIG. 6 (6a). Four copper circuit plates 16 are formed from the Cu plate 16b, and four copper heat radiating plates 16'are formed from the Cu plate 16b'as shown in FIG. 6 (6b). Since the pattern is formed according to the portion covered with the resist pattern, the position of the copper circuit board 16 and the position of the copper heat dissipation plate 16'are accurately aligned so as to face each other across the silicon nitride ceramic assembly substrate. Can be matched. After this, the copper circuit plate 16 and the copper heat dissipation plate 16'may be subjected to Ni plating, Ag plating, Au plating, or the like.

その後、第２のブレークライン１８，１８’に沿って窒化珪素セラミックス集合基板１２ａを分割することで、回路形成部（回路基板２０に相当）及び縁部１７（第２の耳部に相当）を分離して、各々の回路基板２０を得る。回路基板２０は、図７に示すように、銅の回路板１６及び銅の放熱板（図示せず）とセラミックス基板部１９とを有するものとなる。セラミックス基板部１９の面（回路板或いは放熱板を設けた面）に垂直な向きからみたときに、セラミックス基板部１９の面内において、おもて面における銅の回路板１６の位置と、裏面における銅の放熱板の位置とが合っている。 After that, by dividing the silicon nitride ceramics assembly substrate 12a along the second break lines 18 and 18', the circuit forming portion (corresponding to the circuit board 20) and the edge portion 17 (corresponding to the second ear portion) are formed. Separated to obtain each circuit board 20. As shown in FIG. 7, the circuit board 20 includes a copper circuit board 16, a copper heat radiating plate (not shown), and a ceramic substrate portion 19. The position of the copper circuit board 16 on the front surface and the back surface in the surface of the ceramic substrate portion 19 when viewed from the direction perpendicular to the surface of the ceramic substrate portion 19 (the surface provided with the circuit board or the heat radiation plate). The position of the copper heat dissipation plate in.

（位置決め用の貫通孔）
図８で、位置決め用の貫通孔について説明する。図８の（ａ）は、図１等における貫通孔５の断面図であり、貫通孔の直径を強調して図示している。貫通孔を形成する際に、窒化珪素セラミックス集合基板１２のおもて面にレーザを照射した側が図中の「入射側」であり、レーザが貫通した側が図中の「貫通側」である。レーザの照射条件にもよるが、貫通孔の直径は貫通側から入射側に向かって微増しており、入射側の縁のあたりでは直径が広がって、断面視において曲線的な傾斜が付くことがある。図８の（ｂ）は、他の貫通孔５’の例を示す断面図であり、窒化珪素セラミックス集合基板（１２）の断面視において貫通孔の内壁は積極的に傾斜がつけられて、貫通孔の直径が貫通側から入射側に向かって増加しており、このような貫通孔５’を用いることも出来る。 (Through hole for positioning)
FIG. 8 describes a through hole for positioning. FIG. 8A is a cross-sectional view of the through hole 5 in FIG. 1 and the like, and the diameter of the through hole is emphasized. When the through hole is formed, the side where the front surface of the silicon nitride ceramics assembly substrate 12 is irradiated with the laser is the “incident side” in the drawing, and the side through which the laser penetrates is the “penetration side” in the drawing. Although it depends on the laser irradiation conditions, the diameter of the through hole increases slightly from the penetrating side toward the incident side, and the diameter increases around the edge of the incident side, resulting in a curved inclination in cross-sectional view. is there. FIG. 8B is a cross-sectional view showing an example of another through hole 5', and the inner wall of the through hole is positively inclined and penetrates in the cross-sectional view of the silicon nitride ceramics assembly substrate (12). The diameter of the hole increases from the penetrating side to the incident side, and such a through hole 5'can also be used.

これら位置決め用の貫通孔について、基板に垂直な向きからみて、画像解析装置等を用いて、入射側の開口の中心（仮想的な中心）や半径を算定したり、貫通側の開口の中心（仮想的な中心）や半径を算定したりする。中心を通り、窒化珪素セラミックス集合基板の面と交差する関係にある垂直な仮想線を、図８（ａ），（ｂ）にそれぞれ一点鎖線で図示している。 For these positioning through holes, the center (virtual center) and radius of the opening on the incident side can be calculated by using an image analyzer or the like when viewed from the direction perpendicular to the substrate, or the center of the opening on the through side (center of the through hole). Calculate the virtual center) and radius. Vertical virtual lines that pass through the center and intersect with the surface of the silicon nitride ceramic assembly substrate are shown by alternate long and short dash lines in FIGS. 8 (a) and 8 (b), respectively.

基板に垂直な向きからみて、貫通孔の開口の形状は円形であるのが好ましい。円の大きさがおもて側と裏面側とで異なったとしても、円の中心の位置は同じになる為である。なお、円形の開口の中心を求める方法として、例えば、円形の形状に対して少なくとも３本の仮想線を引いて、円形の縁の画像の濃淡から、円形の縁と仮想線との交点を特定して、少なくとも３つの交点から円形の中心（すなわち、貫通孔の開口の中心）を求める方法を用いることもできる。貫通孔の開口の形状は他に、楕円であったり、矩形であったり、或いは十字形状であったりしてもよいが、開口の形状が円形から変形されるほどに、開口の中心を高い精度に算定しようとすると、誤差を生じ易くなる可能性がある。すなわち、開口の形状の中心（画像から発明者がマニュアルで算定）と、画像解析装置に算定させた開口の中心とにずれを生じ易くなる場合がある。これに対して、円形の開口の縁は、仮に壁面における曲線的な傾斜の影響を受けて、アウトラインに濃淡（グラデーション）がついて見えたとしても、円形の中心は１点に決まるので、高い精度で開口の中心が算定される。 The shape of the through hole opening is preferably circular when viewed from the direction perpendicular to the substrate. This is because even if the size of the circle is different between the front side and the back side, the position of the center of the circle is the same. As a method of finding the center of the circular opening, for example, at least three virtual lines are drawn for the circular shape, and the intersection of the circular edge and the virtual line is specified from the shading of the image of the circular edge. Then, a method of obtaining a circular center (that is, the center of the opening of the through hole) from at least three intersections can also be used. The shape of the opening of the through hole may also be elliptical, rectangular, or cross-shaped, but the more the shape of the opening is deformed from the circular shape, the higher the accuracy of the center of the opening. If you try to calculate it, an error may easily occur. That is, there is a case where the center of the shape of the opening (calculated manually by the inventor from the image) and the center of the opening calculated by the image analyzer are likely to be misaligned. On the other hand, the edge of the circular opening is highly accurate because the center of the circle is determined to be one point even if the outline appears to have a gradation due to the influence of the curved slope on the wall surface. The center of the opening is calculated with.

（実施形態２）
図９は、本発明に係る他の（ａ）窒化珪素セラミックス焼結基板と（ｂ）窒化珪素セラミックス集合基板である。図９（ａ）は、角ブレークライン１５を形成していないこと以外は、実施形態１と同様である。よって、図９（ａ）の窒化珪素セラミックス焼結基板１から耳部１１を割断で除去すると、位置決め用の貫通孔５を有する図９（ｂ）の窒化珪素セラミックス集合基板１２ａを得る。図９（ｂ）において一点鎖線で囲った領域は、角部を含む領域９であり、その概略の拡大図を図１０（ａ’）に示す。図９（ｂ）の窒化珪素セラミックス集合基板１２ａについて、おもて裏を反転させると、角部を含む領域９は図１０（ａ）のようにみえる。窒化珪素セラミックス集合基板の縁、すなわち、辺ブレークライン１３が、窒化珪素セラミックス集合基板のおもて面或いは裏面に対して垂直に形成されているので、図１０（ａ）と図１０（ａ’）は鏡像対称となっている。すると、前記おもて面或いは裏面に垂直な向きからみたときに、図１０（ａ’）の位置決め用貫通孔５とその位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を用いて設定する第１の中心点２００と、図１０（ａ）の位置決め用貫通孔５とその位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を用いて設定する第２の中心点２００’とは、合っていることとなる。 (Embodiment 2)
FIG. 9 shows another (a) silicon nitride ceramics sintered substrate and (b) silicon nitride ceramics assembly substrate according to the present invention. FIG. 9A is the same as that of the first embodiment except that the corner break line 15 is not formed. Therefore, when the selvage portion 11 is removed from the silicon nitride ceramics sintered substrate 1 of FIG. 9A by cutting, the silicon nitride ceramics assembly substrate 12a of FIG. 9B having a through hole 5 for positioning is obtained. The region surrounded by the alternate long and short dash line in FIG. 9 (b) is the region 9 including the corner portion, and an enlarged view thereof is shown in FIG. 10 (a'). When the front and back sides of the silicon nitride ceramics assembly substrate 12a of FIG. 9B are inverted, the region 9 including the corners looks as shown in FIG. 10A. Since the edge of the silicon nitride ceramics assembly substrate, that is, the side break line 13, is formed perpendicular to the front surface or the back surface of the silicon nitride ceramics assembly substrate, FIGS. 10 (a) and 10 (a'). ) Is mirror image symmetric. Then, when viewed from the direction perpendicular to the front surface or the back surface, the first center point 200 set by using the positioning through hole 5 of FIG. 10 (a') and its position information (L1, L3). And the second center point 200'set by using the positioning through hole 5 of FIG. 10A and the position information (L1, L3) thereof are in agreement with each other.

（実施形態３）
図１１は、本発明に係る他の窒化珪素セラミックス集合基板の要部を説明する概略図であり、図１０と異なる点は、図１１（ｂ’）において、辺ブレークライン１３ｂのアウトラインより内側に、辺ブレークライン１３ｂの傾斜面１３ｂ’が見える点である。辺ブレークライン１３ｂは、窒化珪素セラミックス集合基板のおもて面或いは裏面に対して傾斜しているので（この傾斜は、例えば図８（ｂ）の内壁の傾斜に相当する）、辺ブレークライン１３ｂのアウトラインは図１１（ａ）と図１１（ｂ）で鏡像対称となるが、辺ブレークライン１３ｂの傾斜面１３ｂ’は図１１（ｂ）の方だけにみえる。したがって、位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を測定する際には、辺ブレークライン１３ｂと貫通孔５の間の距離を測定する。すると、おもて面或いは裏面に垂直な向きからみたときに、図１１（ａ’）の位置決め用貫通孔５とその位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を用いて設定する第１の中心点２００と、図１１（ａ）の位置決め用貫通孔５とその位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を用いて設定する第２の中心点２００’とは、合っていることとなる。 (Embodiment 3)
FIG. 11 is a schematic view illustrating a main part of another silicon nitride ceramic assembly substrate according to the present invention, and the difference from FIG. 10 is that in FIG. 11 (b'), inside the outline of the side break line 13b. , The point where the inclined surface 13b'of the side break line 13b can be seen. Since the side break line 13b is inclined with respect to the front surface or the back surface of the silicon nitride ceramics assembly substrate (this inclination corresponds to, for example, the inclination of the inner wall in FIG. 8B), the side break line 13b The outline of is mirror-symmetrical in FIGS. 11 (a) and 11 (b), but the inclined surface 13b'of the side break line 13b can be seen only in FIG. 11 (b). Therefore, when measuring the position information (L1, L3), the distance between the side break line 13b and the through hole 5 is measured. Then, when viewed from the direction perpendicular to the front surface or the back surface, the positioning through hole 5 in FIG. 11 (a') and the first center point 200 set by using the position information (L1, L3) are formed. , The positioning through hole 5 in FIG. 11A and the second center point 200'set using the position information (L1, L3) thereof are in agreement with each other.

（実施形態４）
図１２は、本発明に係る他の窒化珪素セラミックス集合基板の要部を説明する概略図であり、図１０と異なる点は、辺ブレークライン１３ｃが直線部と凹部とで構成されている点である。凹部は、例えば図８（ａ）の貫通孔を分割して半割りとした形状に相当するので、図１２（ｃ’）のおもて面でみた辺ブレークライン１３ｃと、図１２（ｃ）の裏面でみた辺ブレークライン１３ｃとは、鏡像対称となっている。複数の直線部を結ぶ仮想線（図１２の鎖線）をもって、貫通孔５と辺ブレークライン１３ｃとの距離を求めると、前記おもて面或いは裏面に垂直な向きからみたときに、図１２（ｃ’）の位置決め用貫通孔５とその位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を用いて設定する第１の中心点２００と、図１２（ｃ）の位置決め用貫通孔５とその位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を用いて設定する第２の中心点２００’とは、合っていることとなる。 (Embodiment 4)
FIG. 12 is a schematic view illustrating a main part of another silicon nitride ceramic assembly substrate according to the present invention, and is different from FIG. 10 in that the side break line 13c is composed of a straight portion and a concave portion. is there. Since the recess corresponds to, for example, the shape obtained by dividing the through hole of FIG. 8 (a) into half, the side break line 13c seen from the front surface of FIG. 12 (c') and FIG. 12 (c) The side break line 13c seen on the back surface of the above is mirror-symmetrical. The distance between the through hole 5 and the side break line 13c is obtained by using a virtual line (chain line in FIG. 12) connecting a plurality of straight lines. When viewed from the direction perpendicular to the front surface or the back surface, FIG. 12 ( The first center point 200 set by using the positioning through hole 5 of c') and its position information (L1, L3), and the positioning through hole 5 of FIG. 12 (c) and its position information (L1, L3). ) Is set with the second center point 200'.

（実施形態５）
図１３は、本発明に係る他の窒化珪素セラミックス集合基板の要部を説明する概略図であり、図１０と異なる点は、図１３（ｄ’）において、辺ブレークライン１３ｄのアウトラインより内側に、辺ブレークライン１３ｄの湾曲部１３ｄ’が見える点である。湾曲部１３ｄ’は、窒化珪素セラミックス集合基板のおもて面或いは裏面に対して傾斜しているので、辺ブレークライン１３ｄのアウトラインは図１３（ｄ’）と図１３（ｄ）で鏡像対称となるが、湾曲部１３ｄ’は図１３（ｄ’）の方だけにみえる。したがって、位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を測定する際には、辺ブレークライン１３ｄと貫通孔５の間の距離を測定する。すると、おもて面或いは裏面に垂直な向きからみたときに、図１３（ｄ’）の位置決め用貫通孔５とその位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を用いて設定する第１の中心点２００と、図１３（ｄ）の位置決め用貫通孔５とその位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を用いて設定する第２の中心点２００’とは、合っていることとなる。 (Embodiment 5)
FIG. 13 is a schematic view illustrating a main part of another silicon nitride ceramic assembly substrate according to the present invention, and the difference from FIG. 10 is that in FIG. 13 (d'), inside the outline of the side break line 13d. , The point where the curved portion 13d'of the side break line 13d can be seen. Since the curved portion 13d'is inclined with respect to the front surface or the back surface of the silicon nitride ceramic assembly substrate, the outline of the side break line 13d is mirror image symmetric in FIGS. 13 (d') and 13 (d). However, the curved portion 13d'can be seen only in FIG. 13 (d'). Therefore, when measuring the position information (L1, L3), the distance between the side break line 13d and the through hole 5 is measured. Then, when viewed from the direction perpendicular to the front surface or the back surface, the positioning through hole 5 of FIG. 13 (d') and the first center point 200 set by using the position information (L1, L3) are formed. , The positioning through hole 5 in FIG. 13D and the second center point 200'set using the position information (L1, L3) thereof are in agreement with each other.

（実施形態６）
本発明に係る他の窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法並びに回路基板の製造方法を図１、図２、及び図１４〜図１８を用いて説明する。まず、図１と同様の窒化珪素セラミックス焼結基板を作製して、その基板から図２と同様の窒化珪素セラミックス集合基板１２ａを得る。ついで、図２の基板のおもて面に、ろう材ペーストをスクリーン印刷で塗布することによって、図１４に示すようにろう材１６ｃを配置する。さらに、基板のおもて裏を反転させて、基板の裏面にろう材ペーストをスクリーン印刷で塗布することによって、ろう材１６ｃと同様にろう材を配置する。 (Embodiment 6)
A method for manufacturing another silicon nitride ceramics sintered substrate and a method for manufacturing a circuit board according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 14 to 18. First, a silicon nitride ceramics sintered substrate similar to that shown in FIG. 1 is produced, and a silicon nitride ceramics assembly substrate 12a similar to that shown in FIG. 2 is obtained from the substrate. Then, the brazing material 16c is arranged as shown in FIG. 14 by applying the brazing material paste to the front surface of the substrate of FIG. 2 by screen printing. Further, by inverting the front and back surfaces of the substrate and applying the brazing material paste to the back surface of the substrate by screen printing, the brazing material is arranged in the same manner as the brazing material 16c.

ついで、図１５に示すように、図１４の基板のおもて面（表面）において、ろう材１６ｃの主要部を覆うように、原版のＣｕ板１６ｄを設ける。この際にＣｕ板１６ｄが貫通孔５を覆わないようにする。さらに、基板のおもて裏を反転させて、裏面においてろう材の主要部を覆うように、もう１枚の原版のＣｕ板を設ける。この際に原版のＣｕ板が貫通孔５を覆わないようにする。ついで、Ｃｕ板／ろう材／窒化珪素セラミックス集合基板（１２ａ）／ろう材１６ｃ／Ｃｕ板１６ｄという順に積層された積層体を熱処理することで、ろう材及びろう材１６ｃをろう材層と為して、ろう付けを行う。 Then, as shown in FIG. 15, the original Cu plate 16d is provided on the front surface (surface) of the substrate of FIG. 14 so as to cover the main portion of the brazing material 16c. At this time, the Cu plate 16d is prevented from covering the through hole 5. Further, the front and back surfaces of the substrate are inverted, and another original Cu plate is provided so as to cover the main part of the brazing material on the back surface. At this time, the Cu plate of the original plate is prevented from covering the through hole 5. Then, the brazing material and the brazing material 16c are formed into a brazing material layer by heat-treating the laminated body in which the Cu plate / brazing material / silicon nitride ceramics assembly substrate (12a) / brazing material 16c / Cu plate 16d are laminated in this order. And braze.

ついで、画像解析装置等を用いて、おもて面において、位置決め用の貫通孔５について中心及び半径を算定し、図１と同様にして、位置決め用貫通孔５と長辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ１と、位置決め用貫通孔５と短辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ３とを測定する。Ｌ１の方向をｙ軸とし、Ｌ３の方向をｘ軸とする。窒化珪素セラミックス集合基板の大きさのうち、設計で決めた縦寸法（Ｌ１１）と横寸法（Ｌ１３）に基づいて、Ｌ１１／２−Ｌ１＝Ｌ５と、Ｌ１３／２−Ｌ３＝Ｌ７として算定し、貫通孔５から基板の中央部に向かって、ｙ軸でＬ５の距離且つｘ軸でＬ７の距離をおいて離れた位置を、第１の中心点２００を設定する位置とする（貫通孔５の円形と、第１の中心点２００を中心として図１のように仮想的に描く円形とは、直径が同じものとする）。第１の中心点２００とｙ軸とｘ軸によって得られる窒化珪素セラミックス集合基板の第１の座標に基づき、フォトレジストを形成する手法やレジストフィルムを貼る手法を用いて、Ｃｕ板１６ｄにレジストパターンを４つ形成する。レジストパターンに係る中心、アウトラインや位置は、上記第１の座標によって決定できる。 Then, using an image analysis device or the like, the center and radius of the positioning through hole 5 are calculated on the front surface, and the positioning through hole 5 and the long side break line 13 are calculated in the same manner as in FIG. The distance L1 of the above and the distance L3 between the positioning through hole 5 and the side break line 13 on the short side are measured. The direction of L1 is the y-axis, and the direction of L3 is the x-axis. Of the sizes of the silicon nitride ceramics assembly substrate, calculated as L11 / 2-L1 = L5 and L13 / 2-L3 = L7 based on the vertical dimension (L11) and horizontal dimension (L13) determined by the design. A position separated from the through hole 5 toward the center of the substrate at a distance of L5 on the y-axis and a distance of L7 on the x-axis is the position where the first center point 200 is set (through hole 5). The circular shape and the circular shape virtually drawn with the first center point 200 as the center as shown in FIG. 1 have the same diameter). A resist pattern is applied to the Cu plate 16d by using a method of forming a photoresist or a method of attaching a resist film based on the first coordinates of the silicon nitride ceramics assembly substrate obtained by the first center point 200, the y-axis, and the x-axis. To form four. The center, outline, and position of the resist pattern can be determined by the first coordinates.

さらに、基板のおもて裏を反転させて、裏面において、位置決め用の貫通孔５で中心及び半径を算定し、位置決め用貫通孔５と長辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ１と、位置決め用貫通孔５と短辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ３とを測定する。Ｌ１の方向をｙ軸とし、Ｌ３の方向をｘ軸とする。窒化珪素セラミックス集合基板の大きさのうち、設計で決めた縦寸法（Ｌ１１）と横寸法（Ｌ１３）に基づいて、Ｌ１１／２−Ｌ１＝Ｌ５と、Ｌ１３／２−Ｌ３＝Ｌ７として算定し、貫通孔５から基板の中央部に向かって、ｙ軸でＬ５の距離且つｘ軸でＬ７の距離をおいて離れた位置を、第２の中心点２００’を設定する位置とする（貫通孔５の円形と、第２の中心点２００’を中心として（例えば図５（５ｂ）のように）仮想的に描く円形とは、直径が同じものとする）。第２の中心点２００’とｙ軸とｘ軸によって得られる窒化珪素セラミックス集合基板の第２の座標に基づき、フォトレジストを形成する手法やレジストフィルムを貼る手法を用いて、Ｃｕ板１６ｄとは反対側に有るＣｕ板にレジストパターンを４つ形成する。レジストパターンに係る中心、アウトラインや位置は、上記第２の座標によって決定できる。おもて面と裏面とで、同じ１つの貫通孔５を用いることで（共通の位置決めの基準として用いることで）、第１及び第２の座標を共通化したり、或いは、第１の中心点と第２の中心点を一致させたりすることが出来て、窒化珪素セラミックス集合基板を挟んで対向するレジストパターン同士の中心や位置を、透視したときに重なるように、正確に合わせられる。 Further, the front and back surfaces of the substrate are inverted, and the center and radius are calculated by the positioning through holes 5 on the back surface, and the distance L1 between the positioning through holes 5 and the long side break line 13 and the positioning through holes 5 are used. The distance L3 between the through hole 5 and the side break line 13 on the short side is measured. The direction of L1 is the y-axis, and the direction of L3 is the x-axis. Of the sizes of the silicon nitride ceramics assembly substrate, calculated as L11 / 2-L1 = L5 and L13 / 2-L3 = L7 based on the vertical dimension (L11) and horizontal dimension (L13) determined by the design. A position separated from the through hole 5 toward the center of the substrate at a distance of L5 on the y-axis and a distance of L7 on the x-axis is the position where the second center point 200'is set (through hole 5). And the circle drawn virtually around the second center point 200'(for example, as shown in FIG. 5 (5b)) have the same diameter). Based on the second coordinates of the silicon nitride ceramics assembly substrate obtained by the second center point 200'and the y-axis and x-axis, a method of forming a photoresist and a method of attaching a resist film are used to obtain a Cu plate 16d. Four resist patterns are formed on the Cu plate on the opposite side. The center, outline, and position of the resist pattern can be determined by the second coordinates. By using the same one through hole 5 on the front surface and the back surface (by using it as a common positioning reference), the first and second coordinates can be shared, or the first center point can be used. And the second center point can be matched, and the centers and positions of the resist patterns facing each other across the silicon nitride ceramic assembly substrate can be accurately aligned so as to overlap when viewed through.

ついで、Ｃｕ板１６ｄともう１枚のＣｕ板をエッチング処理によってパターニングすることで、図１６に示すように、おもて面においてＣｕ板１６ｄから４つの銅の回路板１６を形成し、裏面においてもう１枚のＣｕ板から４つの銅の放熱板を形成する。レジストパターンで覆われた箇所に応じた形状にパターニングされるので、窒化珪素セラミックス集合基板を挟んで対向するように、銅の回路板１６の位置と銅の放熱板の位置は、正確に合わせられる。この後に、銅の回路板１６や銅の放熱板にＮｉめっき、Ａｇめっき、或いはＡｕめっきなどを施してもよい。 Then, by patterning the Cu plate 16d and another Cu plate by etching, as shown in FIG. 16, four copper circuit plates 16 are formed from the Cu plate 16d on the front surface, and on the back surface. Four copper heat dissipation plates are formed from another Cu plate. Since the pattern is formed according to the portion covered with the resist pattern, the position of the copper circuit board 16 and the position of the copper heat dissipation plate are accurately aligned so as to face each other with the silicon nitride ceramic assembly substrate sandwiched between them. .. After this, the copper circuit plate 16 and the copper heat dissipation plate may be subjected to Ni plating, Ag plating, Au plating, or the like.

ついで、図１６の構成において、おもて面においてろう材１６ｃに由来するろう材層１６ｃ’には銅の回路板１６に覆われていない部分が有り、裏面においてろう材に由来するろう材層には銅の放熱板に覆われていない部分が有り、これらは露出したろう材層となっている。これらの露出したろう材層を選択的なエッチングによって除去すると、図１７に示すように、窒化珪素セラミックス集合基板を挟んで対向するように、銅の回路板１６と銅の放熱板とを有する構成を得る。この後に、銅の回路板１６や銅の放熱板にＮｉめっき、Ａｇめっき、或いはＡｕめっきなどを施してもよい。 Next, in the configuration of FIG. 16, the brazing material layer 16c'derived from the brazing material 16c has a portion not covered by the copper circuit plate 16 on the front surface, and the brazing material layer derived from the brazing material on the back surface. There are parts that are not covered by the copper radiator plate, and these are exposed brazing material layers. When these exposed brazing material layers are removed by selective etching, as shown in FIG. 17, a configuration having a copper circuit plate 16 and a copper heat radiating plate so as to face each other with the silicon nitride ceramic assembly substrate interposed therebetween. To get. After this, the copper circuit plate 16 and the copper heat dissipation plate may be subjected to Ni plating, Ag plating, Au plating, or the like.

ついで、図１８に示すように、窒化珪素セラミックス集合基板の面に第２のスクライブ孔による第２のブレークライン１８、１８’を形成する。第２のブレークライン１８は辺ブレークライン１３に沿って形成されており、辺ブレークライン１３と第２のブレークライン１８の距離は前記距離Ｌ１より大きい。なお、第２の耳部に相当する箇所に１個の貫通孔５は位置している。例えば２本の第２のブレークライン１８’は、例えば４本の第２のブレークライン１８の中点と交差するように形成されている。 Then, as shown in FIG. 18, second break lines 18 and 18'by the second scribe holes are formed on the surface of the silicon nitride ceramic assembly substrate. The second break line 18 is formed along the side break line 13, and the distance between the side break line 13 and the second break line 18 is larger than the distance L1. One through hole 5 is located at a position corresponding to the second ear portion. For example, the two second break lines 18'are formed so as to intersect the midpoints of, for example, the four second break lines 18.

その後、第２のブレークライン１８，１８’に沿って窒化珪素セラミックス集合基板を分割することで、回路形成部（回路基板２０に相当）及び縁部１７（第２の耳部に相当）を分離して、各々の回路基板２０を得る。回路基板２０は、図７と同様の構成となり、銅の回路板１６及び銅の放熱板（図示せず）とセラミックス基板部１９とを有するものとなる。セラミックス基板部１９の面（回路板或いは放熱板を設けた面）に垂直な向きからみたときに、セラミックス基板部１９の面内において、おもて面における銅の回路板１６の位置と、（透視して見た）裏面における銅の放熱板の位置とは合っている。 After that, the circuit forming portion (corresponding to the circuit board 20) and the edge portion 17 (corresponding to the second ear portion) are separated by dividing the silicon nitride ceramics assembly substrate along the second break lines 18 and 18'. Then, each circuit board 20 is obtained. The circuit board 20 has the same configuration as that of FIG. 7, and has a copper circuit board 16, a copper heat radiating plate (not shown), and a ceramic substrate portion 19. When viewed from the direction perpendicular to the surface of the ceramic substrate portion 19 (the surface provided with the circuit plate or the heat radiation plate), the position of the copper circuit plate 16 on the front surface in the surface of the ceramic substrate portion 19 and ( It matches the position of the copper heat dissipation plate on the back surface (as seen through).

（実施形態７）
図１９は、本発明に係る他の窒化珪素セラミックス焼結基板の要部を説明する概略図であり、図１と異なる点は、窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁１０を構成する四辺のうち、短い方（すなわち、短辺）に沿って形成された辺ブレークライン１３について、その内側（外縁１０とは反対側）に所定の距離Ｌ１をおいて、位置決め用の貫通孔５が１個形成されている点である。貫通孔５が、長辺近傍ではなく、短辺近傍に設けられている点を除いて、図１の窒化珪素セラミックス焼結基板と共通している。たとえば、図１５に示すように、ろう材１６ｃや原版のＣｕ板１６ｄを設け、フォトレジストを形成する手法やレジストフィルムを貼る手法を用いる際に、レジストパターンに係る中心、アウトラインや位置を、上記第１の座標或いは上記第２の座標と同様の座標によって決定する。したがって、図７と同様の回路基板を作製できる。セラミックス基板部１９の面（回路板或いは放熱板を設けた面）に垂直な向きからみたときに、セラミックス基板部１９の面内において、おもて面における銅の回路板１６の位置と、（透視して見た）裏面における銅の放熱板の位置とは合っている。 (Embodiment 7)
FIG. 19 is a schematic view illustrating a main part of another silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention, and the difference from FIG. 1 is that of the four sides constituting the outer edge 10 of the silicon nitride ceramics sintered substrate. With respect to the side break line 13 formed along the shorter side (that is, the short side), one through hole 5 for positioning is formed at a predetermined distance L1 on the inner side (opposite side of the outer edge 10). That is the point. The through hole 5 is common to the silicon nitride ceramics sintered substrate of FIG. 1 except that the through hole 5 is provided not in the vicinity of the long side but in the vicinity of the short side. For example, as shown in FIG. 15, when a brazing material 16c or a Cu plate 16d of an original plate is provided and a method of forming a photoresist or a method of pasting a resist film is used, the center, outline, and position related to the resist pattern are set as described above. It is determined by the first coordinate or the same coordinate as the second coordinate. Therefore, a circuit board similar to that shown in FIG. 7 can be manufactured. When viewed from the direction perpendicular to the surface of the ceramic substrate portion 19 (the surface provided with the circuit plate or the heat radiation plate), the position of the copper circuit plate 16 on the front surface in the surface of the ceramic substrate portion 19 and ( It matches the position of the copper heat dissipation plate on the back surface (as seen through).

（実施形態８）
図２０は、本発明に係る他の（ａ）窒化珪素セラミックス焼結基板と、それから得られる（ｂ）窒化珪素セラミックス集合基板である。図２０（ａ）において、角部を含む領域９内では辺ブレークライン１３が辺ブレークライン２３に変更されていること以外は、実施形態２と同様である。辺ブレークライン２３は、辺ブレークライン用の貫通孔を連ねた分割線であって、貫通孔を少しずつずらしながら形成することで辺ブレークライン２３の縁を直線状として、図１１（ａ’）の辺ブレークライン１３のように位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を精度よく測定し易い形に辺ブレークライン２３を形成している。これに対して、辺ブレークライン１３は、図１で述べたようにスクライブ孔１３ａを連ねた分割線に相当するが、位置決め用の貫通孔５に係る位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を求めるための精度は必ずしも要る訳ではなく、例えば、基板の割断性を損なわない程度の範囲でスクライブ孔１３ａのピッチを長くすることで、辺ブレークライン１３を形成する工数の短縮を図ることが出来る。 (Embodiment 8)
FIG. 20 shows another (a) silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention and (b) a silicon nitride ceramics assembly substrate obtained from the sintered substrate. FIG. 20A is the same as the second embodiment except that the side break line 13 is changed to the side break line 23 in the region 9 including the corner portion. The side break line 23 is a dividing line in which through holes for the side break lines are connected, and the edge of the side break line 23 is made straight by forming the through holes while shifting the through holes little by little, and FIG. 11 (a') The side break line 23 is formed in a form such that the side break line 13 of the above can easily measure the position information (L1, L3) with high accuracy. On the other hand, the side break line 13 corresponds to a dividing line in which the scribe holes 13a are connected as described in FIG. 1, but for obtaining the position information (L1, L3) related to the through hole 5 for positioning. Accuracy is not always required. For example, by lengthening the pitch of the scribe holes 13a within a range that does not impair the splittability of the substrate, it is possible to shorten the man-hours for forming the side break line 13.

図２０（ａ）において、辺ブレークライン１３と辺ブレークライン２３の性状を変更することで、その違いは図２０（ｂ）の窒化珪素セラミックス集合基板の外周の性状の違いとして反映される。なお、辺ブレークライン１３と辺ブレークライン２３の性状の違いは、図２０で例示した組合せに必ずしも限定しなくてもよい。たとえば、位置情報（Ｌ１、Ｌ３）を精度よく測定し易い形に辺ブレークライン２３を形成する方法と、辺ブレークライン１３を形成する工数の短縮を図る方法との違いが、（辺ブレークラインを構成する為の）スクライブ孔或いは辺ブレークライン用の貫通孔における、ピッチ、開口の直径、或いは深さ等を変えることであれば、窒化珪素セラミックス集合基板の外周におけるスクライブ孔或いは辺ブレークライン用の貫通孔の痕跡についても、ピッチの違い、開口に由来する径の違い、深さに由来する違いといったものを備えることとなる。 By changing the properties of the side break line 13 and the side break line 23 in FIG. 20 (a), the difference is reflected as the difference in the properties of the outer periphery of the silicon nitride ceramic assembly substrate of FIG. 20 (b). The difference in properties between the side break line 13 and the side break line 23 does not necessarily have to be limited to the combination illustrated in FIG. For example, the difference between the method of forming the side break line 23 in a form that makes it easy to measure the position information (L1, L3) with high accuracy and the method of shortening the number of steps for forming the side break line 13 is (the side break line). For scribing holes or edge breaklines on the outer circumference of silicon nitride ceramics assembly substrate, if the pitch, opening diameter, depth, etc. of the scribing holes or through holes for edge breaklines (for construction) are to be changed. As for the traces of the through holes, the difference in pitch, the difference in diameter due to the opening, and the difference due to the depth will be provided.

たとえば、角部を含む領域９内で辺ブレークライン２３を複数のスクライブ孔で構成して、それらのスクライブ孔のピッチが辺ブレークライン１３を構成する複数のスクライブ孔のピッチよりも小さい場合、窒化珪素セラミックス集合基板において、辺ブレークライン２３における凹みのピッチは、辺ブレークライン１３における凹みのピッチよりも小さい。また、たとえば、角部を含む領域９内で辺ブレークライン２３を複数のスクライブ孔で構成して、それらのスクライブ孔の深さが辺ブレークライン１３を構成する複数のスクライブ孔の深さよりも大である場合、窒化珪素セラミックス集合基板において、辺ブレークライン２３における凹みの深さ（基板のおもて面から測定した、基板厚さ方向の深さに相当）は、辺ブレークライン１３の凹みの深さよりも大である。また、たとえば、角部を含む領域９内で辺ブレークライン２３を複数のスクライブ孔で構成して、それらのスクライブ孔の開口の直径が辺ブレークライン１３を構成する複数のスクライブ孔の開口の直径よりも小さい場合、窒化珪素セラミックス集合基板において、辺ブレークライン２３における凹みの曲率半径は、辺ブレークライン１３の凹みの曲率半径よりも小である。 For example, when the side break line 23 is composed of a plurality of scribe holes in the region 9 including the corner portion and the pitch of the scribe holes is smaller than the pitch of the plurality of scribe holes forming the side break line 13, nitriding. In the silicon ceramics assembly substrate, the dent pitch at the side break line 23 is smaller than the dent pitch at the side break line 13. Further, for example, the side break line 23 is composed of a plurality of scribe holes in the region 9 including the corner portion, and the depth of the scribe holes is larger than the depth of the plurality of scribe holes forming the side break line 13. In the case of the silicon nitride ceramics assembly substrate, the depth of the dent at the side break line 23 (corresponding to the depth in the substrate thickness direction measured from the front surface of the substrate) is the dent of the side break line 13. Greater than depth. Further, for example, the side break line 23 is composed of a plurality of scrib holes in the region 9 including the corners, and the diameter of the openings of the scrib holes is the diameter of the openings of the plurality of scrib holes constituting the side break line 13. When it is smaller than, the radius of curvature of the recess at the side break line 23 is smaller than the radius of curvature of the recess at the side break line 13 in the silicon nitride ceramics assembly substrate.

（実施形態９）
図２１は、本発明に係る他の窒化珪素セラミックス焼結基板の要部を説明する概略図であり、図９と異なる点は、窒化珪素セラミックス集合基板の角部で、位置決め用貫通孔の数を３個に変更した点である。図２１（ａ’）の位置決め用貫通孔５ａは図９（ａ）の位置決め用貫通孔５と同様であるが、図２１（ａ’）の位置決め用貫通孔５ｂ及び５ｃは実施形態９で追加されている。位置決め用の貫通孔５が３個形成されている点を除いて、図９の窒化珪素セラミックス焼結基板と共通している。そして、図２１（ａ’）に係る貫通孔５ａの中心と貫通孔５ｃの中心との距離Ｌ２１を用い、図２１（ａ’）に係る貫通孔５ａの中心と貫通孔５ｂの中心との距離Ｌ２３を用い、Ｌ２１の方向をｙ軸とし、Ｌ２３の方向をｘ軸として、画像解析装置等を用いて、おもて面において、位置決め用の貫通孔５ａ、５ｂ、５ｃについてそれぞれの中心（入射側の開口の中心に相当）及び半径を算定し、位置決め用の貫通孔５ａを基準として、第１の中心点２００を設定することができる。第１の中心点２００とｙ軸とｘ軸によって得られる窒化珪素セラミックス集合基板の第１の座標に基づき、フォトレジストを形成する手法やレジストフィルムを貼る手法を用いて、Ｃｕ板１６ｂにレジストパターンを４つ形成する。レジストパターンに係る中心、アウトラインや位置は、上記第１の座標によって決定できる。 (Embodiment 9)
FIG. 21 is a schematic view illustrating a main part of another silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention. The difference from FIG. 9 is the number of positioning through holes at the corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate. Is changed to three. The positioning through hole 5a in FIG. 21 (a') is the same as the positioning through hole 5 in FIG. 9 (a), but the positioning through holes 5b and 5c in FIG. 21 (a') are added in the ninth embodiment. Has been done. It is common to the silicon nitride ceramics sintered substrate of FIG. 9 except that three through holes 5 for positioning are formed. Then, using the distance L21 between the center of the through hole 5a according to FIG. 21 (a') and the center of the through hole 5c, the distance between the center of the through hole 5a and the center of the through hole 5b according to FIG. 21 (a'). Using L23, the direction of L21 is the y-axis, the direction of L23 is the x-axis, and the center (incident) of each of the through holes 5a, 5b, and 5c for positioning on the front surface using an image analyzer or the like. The first center point 200 can be set with reference to the positioning through hole 5a by calculating the radius (corresponding to the center of the opening on the side). A resist pattern is applied to the Cu plate 16b by using a method of forming a photoresist or a method of attaching a resist film based on the first coordinates of the silicon nitride ceramics assembly substrate obtained by the first center point 200, the y-axis, and the x-axis. To form four. The center, outline, and position of the resist pattern can be determined by the first coordinates.

さらに、基板のおもて裏を反転させて、裏面においても、図２１（ａ）に係る貫通孔５ａの中心と貫通孔５ｃの中心との距離Ｌ２１を用い、図２１（ａ）に係る貫通孔５ａの中心と貫通孔５ｂの中心との距離Ｌ２３を用い、Ｌ２１の方向をｙ軸とし、Ｌ２３の方向をｘ軸として、位置決め用の貫通孔５ａ、５ｂ、５ｃについてそれぞれの中心（入射側の開口の中心に相当）及び半径を算定し、位置決め用の貫通孔５ａの中心を基準として、第２の中心点２００’を設定する位置とすることができる。第２の中心点２００’とｙ軸とｘ軸によって得られる窒化珪素セラミックス集合基板の第２の座標に基づき、フォトレジストを形成する手法やレジストフィルムを貼る手法を用いて、Ｃｕ板１６ｂ’にレジストパターンを４つ形成する。レジストパターンに係る中心、アウトラインや位置は、上記第２の座標によって決定できる。おもて面と裏面とで、同じ３つの貫通孔５を用いることで（共通の位置決めの基準として用いることで）、第１及び第２の座標を共通化したり、或いは、第１の中心点と第２の中心点を一致させたりすることが出来て、窒化珪素セラミックス集合基板を挟んで対向するレジストパターン同士の中心や位置を、透視したときに重なるように、正確に合わせられる。 Further, the front and back surfaces of the substrate are inverted, and the distance L21 between the center of the through hole 5a according to FIG. 21 (a) and the center of the through hole 5c is used on the back surface as well, and the penetration according to FIG. 21 (a) is used. Using the distance L23 between the center of the hole 5a and the center of the through hole 5b, the direction of L21 is the y-axis and the direction of L23 is the x-axis, and the centers (incident side) of the through holes 5a, 5b, and 5c for positioning are respectively. The second center point 200'can be set as a reference by calculating the radius (corresponding to the center of the opening) and the center of the through hole 5a for positioning. Based on the second coordinates of the silicon nitride ceramics assembly substrate obtained by the second center point 200'and the y-axis and x-axis, a method of forming a photoresist or a method of attaching a resist film was used on the Cu plate 16b'. Form four resist patterns. The center, outline, and position of the resist pattern can be determined by the second coordinates. By using the same three through holes 5 on the front surface and the back surface (using them as a common positioning reference), the first and second coordinates can be shared, or the first center point can be used. And the second center point can be matched, and the centers and positions of the resist patterns facing each other across the silicon nitride ceramic assembly substrate can be accurately aligned so as to overlap when viewed through.

本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板において、例えば図１に示すように、辺ブレークライン１３同士が交差する角部に辺ブレークライン１３と傾斜する方向に、いわば角部を面取りするように、角ブレークライン１４を形成している。この角ブレークライン１４は、基板を貫通するスリットであってもよいし、面取り用の貫通孔が連結してなるスリット１４であってもよいし、複数の貫通孔（面取り用の貫通孔）を直列に並べたもの（但し、貫通孔のピッチを、辺ブレークラインのスクライブ孔のピッチよりも小さくする）であってもよい。角ブレークラインが有ることによって、窒化珪素セラミックス焼結基板１を撓ませて、窒化珪素セラミックス集合基板１２と耳部１１に分割する際に、窒化珪素セラミックス集合基板の四隅に亀裂や欠けを生じることを抑制することができる。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention, for example, as shown in FIG. 1, the corner portions are chamfered in a direction inclined from the side break lines 13 at the corner portions where the side break lines 13 intersect with each other. The corner break line 14 is formed. The square break line 14 may be a slit penetrating the substrate, a slit 14 formed by connecting through holes for chamfering, or a plurality of through holes (through holes for chamfering). They may be arranged in series (provided that the pitch of the through holes is smaller than the pitch of the slit holes of the side break line). Due to the presence of the square break line, when the silicon nitride ceramics sintered substrate 1 is bent and divided into the silicon nitride ceramics assembly substrate 12 and the ear portion 11, cracks and chips are generated at the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate. Can be suppressed.

本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記スクライブ孔１３ａは、基板表面における直径は例えば３００μｍ以下、深さは例えば窒化珪素セラミックス焼結基板の厚さの１／３以上とするのが好ましい。スクライブ孔の直径は使用するレーザのビームスポット径によるところが大きいが、３０〜２００μｍがより好ましく、５０〜１５０μｍが更に好ましい。また、スクライブ孔の深さは、例えば基板厚さが０．３２ｍｍの場合、８０〜３００μｍがより好ましく、１００〜２５０μｍが更に好ましい。またスクライブ孔のピッチはスクライブ孔直径の２倍以下が好ましく、より好ましくはスクライブ孔直径と等しくするのが良く、特に好ましくは基板を分割したときの割断性で決定するのがよい。このピッチ制御は加工速度制御により調整可能であり、レーザ出力パルス数などと連動させてもよい。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention, the diameter of the scribe holes 13a on the substrate surface is preferably 300 μm or less, and the depth is preferably 1/3 or more of the thickness of the silicon nitride ceramics sintered substrate, for example. .. The diameter of the scribe hole largely depends on the beam spot diameter of the laser used, but is more preferably 30 to 200 μm, still more preferably 50 to 150 μm. The depth of the scribe holes is more preferably 80 to 300 μm, still more preferably 100 to 250 μm, for example, when the substrate thickness is 0.32 mm. The pitch of the scribe holes is preferably twice or less the diameter of the scribe holes, more preferably equal to the diameter of the scribe holes, and particularly preferably determined by the splittability when the substrate is divided. This pitch control can be adjusted by machining speed control, and may be linked with the number of laser output pulses or the like.

本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板において、スクライブ孔による辺ブレークラインが交差する角部に形成し、面取り用の貫通孔を連結してなるスリット１４は、たとえばスリット幅を３０〜２００μｍ、スリットの長さを２．８〜８．４ｍｍとするのが好ましい。面取り用の貫通孔の直径或いはスリット幅は、２０〜１５０μｍがより好ましく、３０〜１００μｍが更に好ましい。スリットの長さは、３．０〜８．０ｍｍがより好ましく、３．５〜７．５ｍｍが更に好ましい。また、面取り用の貫通孔によるブレークラインは、幅や長さをスリット寸法と同様にすることができる。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention, the slit 14 formed at the corner where the side break lines due to the scribing holes intersect and is formed by connecting the through holes for chamfering is, for example, a slit having a slit width of 30 to 200 μm. The length of the above is preferably 2.8 to 8.4 mm. The diameter or slit width of the through hole for chamfering is more preferably 20 to 150 μm, further preferably 30 to 100 μm. The length of the slit is more preferably 3.0 to 8.0 mm, further preferably 3.5 to 7.5 mm. Further, the width and length of the break line due to the through hole for chamfering can be made the same as the slit dimension.

本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記貫通孔による角ブレークライン或いはスリットは、スクライブ孔による辺ブレークラインに対して例えば３０°〜６０°傾ける。より具体的にはスクライブ孔による辺ブレークラインに対して例えば４５°傾けると、基板の面積を無駄なく有効に使えるので好ましい。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention, the corner break line or slit due to the through hole is inclined by, for example, 30 ° to 60 ° with respect to the side break line due to the scribe hole. More specifically, it is preferable to incline, for example, 45 ° with respect to the side break line due to the scribe hole, because the area of the substrate can be effectively used without waste.

本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法において、位置決め用の貫通孔、前記スクライブ孔、前記面取り用の貫通孔、或いは前記スリットは、レーザで形成されることが好ましい。例えば、ＹＡＧレーザや炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）を用いる。ＹＡＧレーザや炭酸ガスレーザの照射による加工は、基板を貫通する貫通孔を形成したり、深い孔を断続的に形成したりすることに適している。 In the method for manufacturing a silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention, it is preferable that the through hole for positioning, the scribe hole, the through hole for chamfering, or the slit is formed by a laser. For example, a YAG laser or a carbon dioxide laser (CO 2 laser) is used. Processing by irradiation with a YAG laser or a carbon dioxide laser is suitable for forming through holes penetrating the substrate or intermittently forming deep holes.

本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法において、位置決め用の貫通孔を形成する際には、レーザのビームスポットの照射を複数回繰り返すことが好ましい。照射を複数回繰り返して孔を掘り下げていくと、照射毎のエネルギー密度を低くできるので、貫通孔の表面（内壁）に熱衝撃による亀裂が形成され難くなる。 In the method for manufacturing a silicon nitride ceramics sintered substrate according to the present invention, it is preferable to repeat irradiation of the laser beam spot a plurality of times when forming a through hole for positioning. When the irradiation is repeated a plurality of times to dig down the hole, the energy density for each irradiation can be lowered, so that cracks due to thermal shock are less likely to be formed on the surface (inner wall) of the through hole.

本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板及び窒化珪素セラミックス集合基板は、厚さを例えば０．２ｍｍから１．０ｍｍとする。より具体的には厚さを例えば０．２５ｍｍから０．６５ｍｍとするのが好ましい。本発明に係る窒化珪素セラミックス焼結基板及び窒化珪素セラミックス集合基板では、破壊靱性値を例えば５．０ＭＰａ・ｍ１／２以上とする。より具体的には破壊靱性値を例えば５．０〜７．５ＭＰａ・ｍ１／２とするのが好ましい。本発明の回路基板の製造方法について、金属板はＣｕ板或いはＡｌ板の少なくとも１種を用いることができる。また、窒化珪素セラミックス集合基板と金属板とを接合する手法は、ろう付けに限らず、直接接合法などを用いてもよい。 The thickness of the silicon nitride ceramics sintered substrate and the silicon nitride ceramics assembly substrate according to the present invention is, for example, 0.2 mm to 1.0 mm. More specifically, the thickness is preferably set to, for example, 0.25 mm to 0.65 mm. In the silicon nitride ceramics sintered substrate and the silicon nitride ceramics assembly substrate according to the present invention, the fracture toughness value is set to, for example, 5.0 MPa · m 1/2 or more. More specifically, it is preferable that the fracture toughness value is, for example, 5.0 to 7.5 MPa · m 1/2 . Regarding the method for manufacturing a circuit board of the present invention, at least one of a Cu plate and an Al plate can be used as the metal plate. Further, the method of joining the silicon nitride ceramic assembly substrate and the metal plate is not limited to brazing, and a direct joining method or the like may be used.

以下、本発明について実施例に基づき具体的に説明する。なお、本発明は下記の実施例に必ずしも限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples. The present invention is not necessarily limited to the following examples.

（実施例）
窒化珪素セラミックスを形成する為の原料において、主原料に窒化珪素粉末を用い、焼結助剤に２質量％のＭｇＯ及び３質量％のＹ２Ｏ３を用いて、作製したシート成形体を窒素雰囲気中にて最高温度１８５０℃保持時間５時間で焼結して、厚さ０．３２ｍｍ、縦１５０ｍｍ及び横２００ｍｍで矩形の窒化珪素セラミックス焼結基板１を作製した。炭酸ガスレーザを用いて、窒化珪素セラミックス焼結基板１の外縁１０から内側の位置に外縁１０に沿ってスクライブ孔１３ａによる辺ブレークライン１３を形成した（スクライブ孔形成工程）。スクライブ孔１３ａは、基板表面において最大径が５０μｍ、深さが１５０μｍ、ピッチが１００μｍであり、図１に示すようにスクライブ孔１３ａによる辺ブレークライン１３を四辺の各々に沿って形成した。耳部１１の幅は５ｍｍとした。 (Example)
In the raw material for forming a silicon nitride ceramic, using a silicon nitride powder in the main raw material, with Y 2 O 3 of 2 mass% of MgO and 3 wt% sintering aid, nitrogen sheets molded body produced Sintering in an atmosphere at a maximum temperature of 1850 ° C. and a holding time of 5 hours produced a rectangular silicon nitride ceramics sintered substrate 1 having a thickness of 0.32 mm, a length of 150 mm and a width of 200 mm. A carbon dioxide laser was used to form a side break line 13 with scribe holes 13a along the outer edge 10 at a position inside the outer edge 10 of the silicon nitride ceramics sintered substrate 1 (scribe hole forming step). The scribe holes 13a have a maximum diameter of 50 μm, a depth of 150 μm, and a pitch of 100 μm on the surface of the substrate, and as shown in FIG. 1, side break lines 13 formed by the scribe holes 13a are formed along each of the four sides. The width of the ear portion 11 was set to 5 mm.

続けて、炭酸ガスレーザ（出力１００Ｗ）を用いて、レーザのビームスポットの走査を１回として、スクライブ孔１３ａによる辺ブレークライン１３の交差する角部（４箇所）の各々に辺ブレークライン１３と４５°傾斜する方向に、Ｌ２だけ突出した位置から面取り用の貫通孔を連続的に形成していくことで、面取り用の貫通孔が連結してなるスリット１４を形成した（スリット形成工程）。
レーザのビームスポットの直径＝０．０７ｍｍ
加工速度＝１５ｍｍ／ｓ
スリットの突出長Ｌ２＝０．７ｍｍ
スリットの全長＝４．２ｍｍ
基板表面におけるスリット幅＝０．１０ｍｍ Subsequently, using a carbon dioxide gas laser (output 100 W), the beam spots of the laser are scanned once, and the side break lines 13 and 45 are formed at the intersecting corners (4 points) of the side break lines 13 by the slit holes 13a, respectively. By continuously forming through holes for chamfering from a position protruding by L2 in the direction of inclination, a slit 14 formed by connecting the through holes for chamfering was formed (slit forming step).
Laser beam spot diameter = 0.07 mm
Processing speed = 15 mm / s
Slit protrusion length L2 = 0.7mm
Overall length of slit = 4.2 mm
Slit width on the substrate surface = 0.10 mm

続けて、炭酸ガスレーザを用いて、ビームスポットの直径を０．２ｍｍとして、窒化珪素セラミックス集合基板に係る角部の１つの近傍に、辺ブレークライン１３の内側にＬ１＝０．５ｍｍで離れた箇所に位置決め用の貫通孔５を１個形成した。ここで、辺ブレークライン１３に沿った向きにおいて、近傍のスリット１４から前記位置決め用の貫通孔５は５ｍｍ離れた位置に形成するものとした。 Subsequently, using a carbon dioxide gas laser, the diameter of the beam spot is set to 0.2 mm, and a location separated by L1 = 0.5 mm inside the side break line 13 near one corner of the silicon nitride ceramic assembly substrate. One through hole 5 for positioning was formed in the. Here, in the direction along the side break line 13, the positioning through hole 5 is formed at a position 5 mm away from the nearby slit 14.

ついで、図１に係る窒化珪素セラミックス焼結基板１を撓ませて、辺ブレークライン１３で割って、図２に示す窒化珪素セラミックス集合基板１２と、耳部１１とに分割した。ついで、図３に示すように、窒化珪素セラミックス集合基板１２ａに第２のブレークライン１８，１８’を形成して窒化珪素セラミックス１２ａとした。 Then, the silicon nitride ceramics sintered substrate 1 according to FIG. 1 was bent, divided by the side break line 13, and divided into the silicon nitride ceramics assembly substrate 12 shown in FIG. 2 and the selvage portion 11. Then, as shown in FIG. 3, the second break lines 18 and 18'are formed on the silicon nitride ceramic assembly substrate 12a to form the silicon nitride ceramics 12a.

ついで、図４に示すように、この窒化珪素セラミックス集合基板１２ａの表側および裏側にそれぞれろう材（１６ａ，１６ａ’）をスクリーン印刷法で塗布した。ろう材は、７０質量％のＡｇ、３質量％のＩｎ、及び２７質量％のＣｕ（合計１００質量部）からなる合金粉末に対して０．３質量部のＴｉＨ２を添加し、さらに有機溶剤、有機バインダーを添加して混練してペーストとしたものを使用した。ろう材を塗布した窒化珪素セラミックス集合基板を乾燥した後、ろう材を覆うように、表側及び裏側にそれぞれ０．３ｍｍの銅板、すなわちＣｕ板（１６ｂ，１６ｂ’）を接触配置して積層体を得た（図５を参照）。ついで、加圧しながら８００℃、２０分、真空中で熱処理し、窒化珪素セラミックス集合基板とＣｕ板との接合体を作製した。窒化珪素セラミックス集合基板及びＣｕ板の間には、厚さがおよそ３０μｍのろう材の層が形成されている。 Then, as shown in FIG. 4, a brazing material (16a, 16a') was applied to the front side and the back side of the silicon nitride ceramic assembly substrate 12a by a screen printing method, respectively. For the brazing material, 0.3 parts by mass of TiH 2 was added to an alloy powder consisting of 70% by mass of Ag, 3% by mass of In, and 27% by mass of Cu (100 parts by mass in total), and an organic solvent was added. , An organic binder was added and kneaded to form a paste. After the silicon nitride ceramic assembly substrate coated with the brazing material is dried, 0.3 mm copper plates, that is, Cu plates (16b, 16b') are contact-arranged on the front side and the back side so as to cover the brazing material, and the laminated body is formed. Obtained (see FIG. 5). Then, the mixture was heat-treated in vacuum at 800 ° C. for 20 minutes while pressurizing to prepare a bonded body of the silicon nitride ceramic assembly substrate and the Cu plate. A layer of brazing material having a thickness of about 30 μm is formed between the silicon nitride ceramic assembly substrate and the Cu plate.

ついで、画像解析装置を用いて、おもて面において、位置決め用の貫通孔５について中心（入射側における円形の中心）及び半径を算定し、図１に示すように、位置決め用貫通孔５と長辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ１＝０．５ｍｍと、位置決め用貫通孔５と短辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ３＝７．０ｍｍとを測定した。Ｌ１の方向をｙ軸とし、Ｌ３の方向をｘ軸とする。窒化珪素セラミックス集合基板の大きさのうち、設計で決めた縦寸法（Ｌ１１＝１４０ｍｍ）と横寸法（Ｌ１３＝１９０ｍｍ）に基づいて、Ｌ１１／２−Ｌ１＝Ｌ５＝６９．５ｍｍと、Ｌ１３／２−Ｌ３＝Ｌ７＝８６．０ｍｍとして算定し、貫通孔５から基板の中央部に向かって、ｙ軸でＬ５の距離且つｘ軸でＬ７の距離をおいて離れた位置を、第１の中心点２００を設定する位置とした（貫通孔５の円形と、第１の中心点２００を中心として図１のように仮想的に描く円形とは、直径が同じ）。第１の中心点２００とｙ軸とｘ軸によって得られる窒化珪素セラミックス集合基板の第１の座標を決定した。ついで、接合体について、表側でＣｕ板上に、紫外線で硬化可能なエッチングレジストインクを塗布した後、紫外線を照射してエッチングレジストインクを硬化させてレジスト膜のパターンを形成した。レジスト膜のパターンを露光する際のマスクの位置決めには、上記の第１の座標を用いて行った。エッチングレジストインクには、アルカリ剥離型のものを用いた。 Then, using an image analysis device, the center (circular center on the incident side) and radius of the positioning through hole 5 are calculated on the front surface, and as shown in FIG. 1, the positioning through hole 5 and the positioning through hole 5 are calculated. The distance L1 = 0.5 mm of the long side break line 13 and the distance L3 = 7.0 mm between the positioning through hole 5 and the short side break line 13 were measured. The direction of L1 is the y-axis, and the direction of L3 is the x-axis. Of the sizes of the silicon nitride ceramics assembly substrate, L11 / 2-L1 = L5 = 69.5 mm and L13 / 2 based on the vertical dimension (L11 = 140 mm) and horizontal dimension (L13 = 190 mm) determined by the design. Calculated as −L3 = L7 = 86.0 mm, and the position separated from the through hole 5 toward the center of the substrate by a distance of L5 on the y-axis and a distance of L7 on the x-axis is the first center point. The position was set to 200 (the diameter of the circle of the through hole 5 and the circle virtually drawn with the first center point 200 as the center as shown in FIG. 1 are the same). The first coordinates of the silicon nitride ceramic assembly substrate obtained by the first center point 200, the y-axis, and the x-axis were determined. Then, with respect to the bonded body, an etching resist ink curable with ultraviolet rays was applied onto the Cu plate on the front side, and then the etching resist ink was cured by irradiating with ultraviolet rays to form a pattern of the resist film. The positioning of the mask when exposing the pattern of the resist film was performed using the above-mentioned first coordinates. As the etching resist ink, an alkali peeling type ink was used.

ついで、基板を反転させて、裏面において、位置決め用の貫通孔５で中心（貫通側における円形の中心）及び半径を算定し、おもて面と同様にして、位置決め用貫通孔５と長辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ１と、位置決め用貫通孔５と短辺の辺ブレークライン１３の距離Ｌ３とを測定する。Ｌ１の方向をｙ軸とし、Ｌ３の方向をｘ軸とする。窒化珪素セラミックス集合基板の大きさのうち、設計で決めた縦寸法（Ｌ１１）と横寸法（Ｌ１３）に基づいて、Ｌ１１／２−Ｌ１＝Ｌ５と、Ｌ１３／２−Ｌ３＝Ｌ７として算定し、貫通孔５から基板の中央部に向かって、ｙ軸でＬ５の距離且つｘ軸でＬ７の距離をおいて離れた位置を、第２の中心点２００’を設定する位置とした（貫通孔５の円形と、第２の中心点２００’を中心として仮想的に描く円形とは、直径が同じ）。第２の中心点２００’とｙ軸とｘ軸によって得られる窒化珪素セラミックス集合基板の第２の座標を決定した。ついで、接合体について裏側でもＣｕ板上にエッチングレジストインクを塗布した後、紫外線を照射してエッチングレジストインクを硬化させてレジスト膜のパターンを形成した。レジスト膜のパターンを露光する際のマスクの位置決めには、上記の第２の座標を用いて行った。 Then, the substrate is inverted, and the center (circular center on the through side) and the radius are calculated by the positioning through hole 5 on the back surface, and the positioning through hole 5 and the long side are calculated in the same manner as the front surface. The distance L1 of the side break line 13 and the distance L3 between the positioning through hole 5 and the short side break line 13 are measured. The direction of L1 is the y-axis, and the direction of L3 is the x-axis. Of the sizes of the silicon nitride ceramics assembly substrate, calculated as L11 / 2-L1 = L5 and L13 / 2-L3 = L7 based on the vertical dimension (L11) and horizontal dimension (L13) determined by the design. A position separated from the through hole 5 toward the center of the substrate at a distance of L5 on the y-axis and a distance of L7 on the x-axis was set as the position where the second center point 200'is set (through hole 5). The diameter of the circle and the circle virtually drawn around the second center point 200'are the same). The second coordinates of the silicon nitride ceramic assembly substrate obtained by the second center point 200'and the y-axis and x-axis were determined. Then, after applying the etching resist ink on the Cu plate on the back side of the bonded body, the etching resist ink was cured by irradiating with ultraviolet rays to form a pattern of the resist film. The positioning of the mask when exposing the pattern of the resist film was performed using the above-mentioned second coordinates.

３０℃に保持した塩化銅５５のエッチング液（塩化銅、塩酸及び過酸化水素を含む混合液）でエッチング処理を行い、回路板或いは放熱板のパターン外となる不要なＣｕ板（すなわち、レジスト膜で被覆されていない部分のＣｕ板）の除去を行った。 An unnecessary Cu plate (that is, a resist film) that is out of the pattern of the circuit plate or the heat radiating plate by etching with an etching solution of copper chloride 55 held at 30 ° C. (a mixed solution containing copper chloride, hydrochloric acid, and hydrogen peroxide). The Cu plate in the portion not covered with (Cu plate) was removed.

ついで、ろう材がＣｕ板よりはみ出している部分（ろう材のはみ出し部）を除去するため、第１のろう材エッチング処理（カルボン酸及び／又はカルボン酸塩、並びに過酸化水素を含む酸性の溶液によるエッチング処理)、及び第２のろう材エッチング処理（フッ化水素アンモニウム及び過酸化水素を含む溶液によるエッチング処理）を順に行って、ろう材のはみ出し部を除去して、図６に示す接合体を得た。 Then, in order to remove the portion where the brazing material protrudes from the Cu plate (the protruding portion of the brazing material), a first brazing material etching treatment (carboxylic acid and / or carboxylate, and an acidic solution containing hydrogen peroxide) is performed. Etching treatment (etching treatment with) and second brazing material etching treatment (etching treatment with a solution containing ammonium hydrogenfluoride and hydrogen peroxide) were performed in order to remove the protruding portion of the brazing material, and the bonded body shown in FIG. Got

ついで、接合体を、３質量％の水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して、レジスト膜を除去した。次いで、化学研磨、及びイオン交換水による洗浄を経た後に、表側の銅板（回路板）及び裏側の銅板（放熱板）にＮｉメッキを施した。この化学研磨は、光沢処理を狙って、硫酸ベースの一般市販液を用いて行った。 Then, the conjugate was immersed in a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution to remove the resist film. Then, after undergoing chemical polishing and cleaning with ion-exchanged water, the front copper plate (circuit plate) and the back copper plate (heat dissipation plate) were Ni-plated. This chemical polishing was carried out using a sulfuric acid-based general commercial solution for gloss treatment.

このようにして、Ｎｉメッキした銅の回路板１６及び銅の放熱板を、窒化珪素セラミックス集合基板及びろう材層を介して複数組接合した回路基板の集合体を得た。ついで、第２のブレークライン１８，１８’で分割することで、図７に示すように銅の回路板１６及び銅の放熱板（図示せず）とセラミックス基板部１９とを有する回路基板２０を複数個得た。 In this way, an aggregate of circuit boards in which a plurality of sets of Ni-plated copper circuit boards 16 and copper heat dissipation plates were joined via a silicon nitride ceramics assembly substrate and a brazing material layer was obtained. Then, by dividing by the second break lines 18, 18', as shown in FIG. 7, the circuit board 20 having the copper circuit board 16 and the copper heat radiating plate (not shown) and the ceramic substrate portion 19 is formed. I got more than one.

上述の工程のうち、レジスト膜のパターンを形成したときについて説明する。レジスト膜のパターンは、長辺方向における中心点の位置精度（「ずれ」に相当）が、位置決め用の貫通孔およびその位置情報を用いることによって、おもて面側および裏面側においてパターンの位置及び中心が合うように形成することが出来た（すなわち、ずれが抑制された）。ついで、レジスト膜のパターンと対応するように、エッチングでＣｕ板をパターニングすることで、回路板と放熱板の位置が合うように形成することが出来た。そして、おもて面側の金属板（回路板）の中心や位置と、裏面側の金属板（放熱板）の中心や位置とが位置ずれを生じることが抑制されたので、比較例１及び２より改善されたレベルとなり、回路基板の合格率を向上することが出来た。 Of the above steps, the case where the resist film pattern is formed will be described. The position accuracy of the center point (corresponding to "deviation") in the long side direction of the resist film pattern is the position of the pattern on the front surface side and the back surface side by using the through hole for positioning and its position information. And it was possible to form it so that it was centered (that is, the deviation was suppressed). Then, by patterning the Cu plate by etching so as to correspond to the pattern of the resist film, it was possible to form the circuit plate and the heat radiating plate so that they are aligned with each other. Then, it was suppressed that the center and position of the metal plate (circuit plate) on the front surface side and the center and position of the metal plate (heat dissipation plate) on the back surface side were displaced from each other. The level was improved from 2, and the pass rate of the circuit board could be improved.

（比較例１）
位置決め用の貫通孔を形成せずに、窒化珪素セラミックス集合基板の長辺を治具に当接させて位置決めを行った（位置決め用貫通孔およびその位置情報に係る要件以外は、実施例と同様にした）。しかしながら、耳部除去に伴って発生していたばりを除去しておいたのだが、長辺（長辺に沿った基板の側面）自体の平坦性のばらつきに影響を受けて、レジスト膜のパターンは、長辺方向における位置精度（ずれ）が、±０．０８ｍｍの範囲内となった。 (Comparative Example 1)
Positioning was performed by abutting the long side of the silicon nitride ceramic assembly substrate against the jig without forming the through hole for positioning (except for the requirements related to the through hole for positioning and its position information, the same as in the embodiment. I made it). However, although the burrs generated by the removal of the ears were removed, the pattern of the resist film was affected by the variation in the flatness of the long side (the side surface of the substrate along the long side) itself. The position accuracy (deviation) in the long side direction was within the range of ± 0.08 mm.

（比較例２）
位置決め用の貫通孔を形成せずに、窒化珪素セラミックス集合基板のおもて面及び裏面にそれぞれマーク（塗膜或いは描画によるマーク）を形成して位置決めに用いた。しかしながら、レジスト膜のパターンは、長辺方向における位置精度が、実施例の場合よりも劣るものとなった。これは、おもて面にマーキングする工程と、裏面にマーキングする工程との間において、共通の基準を用いていないので、窒化珪素セラミックス集合基板を反転させる為のハンドリング工程を経る際にずれを生じたものと考えらえる。 (Comparative Example 2)
Marks (marks by coating film or drawing) were formed on the front surface and the back surface of the silicon nitride ceramic assembly substrate without forming through holes for positioning, and used for positioning. However, the pattern of the resist film has inferior position accuracy in the long side direction as compared with the case of the example. This does not use a common standard between the process of marking the front surface and the process of marking the back surface, so that there is a deviation when going through the handling process for inverting the silicon nitride ceramic assembly substrate. It can be considered that it has occurred.

なお、上述の実施例、比較例１、比較例２について、短辺方向における位置精度を比べたところ、比較例１、２に比べて実施例は位置精度が小さい範囲に収まることとなった。 When the position accuracy in the short side direction was compared with respect to the above-mentioned Examples, Comparative Examples 1 and 2, the Examples were found to be within the range where the position accuracy was smaller than that of Comparative Examples 1 and 2.

１：窒化珪素セラミックス焼結基板、
５，５’，５ａ，５ｂ，５ｃ：貫通孔、
９：角部を含む領域、
１０：外縁、
１１：耳部、
１２，１２ａ：窒化珪素セラミックス集合基板、
１３：辺ブレークライン、１３ａ：スクライブ孔、
１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，：辺ブレークライン、
１３ｂ’：傾斜面、
１３ｄ’：湾曲部、
１４：スリット、１５：角ブレークライン、
１６：銅の回路板、
１６’：銅の放熱板、
１６ａ，１６ａ’，１６ｃ：ろう材、
１６ｃ’：ろう材層、
１６ｂ，１６ｂ’，１６ｄ：原版のＣｕ板、
１７：縁部、
１８，１８’：第２のブレークライン、
１９：セラミックス基板部、 ２０：回路基板、
２３：辺ブレークライン、
２００：第１の中心点、
２００’：第２の中心点 1: Silicon nitride ceramics sintered substrate,
5,5', 5a, 5b, 5c: through hole,
9: Area including corners,
10: Outer edge,
11: Ear,
12, 12a: Silicon nitride ceramic assembly substrate,
13: Side break line, 13a: Scribe hole,
13b, 13c, 13d :: Edge break line,
13b': Inclined surface,
13d': Curved part,
14: Slit, 15: Square break line,
16: Copper circuit board,
16': Copper radiator plate,
16a, 16a', 16c: wax material,
16c': Wax layer,
16b, 16b', 16d: Original Cu plate,
17: Edge,
18, 18': Second break line,
19: Ceramic substrate part, 20: Circuit board,
23: Side break line,
200: First center point,
200': Second center point

Claims (17)

窒化珪素セラミックス集合基板の周囲に耳部を有する矩形の窒化珪素セラミックス焼結基板から、回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有する窒化珪素セラミックス集合基板を製造するための窒化珪素セラミックス焼結基板であって、
前記窒化珪素セラミックス集合基板と耳部を分割するためのスクライブ孔と、位置決め用の貫通孔とを備え、
前記スクライブ孔は、前記窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁から内側の位置に前記外縁に沿ってスクライブ孔による辺ブレークラインを形成し、
前記位置決め用の貫通孔は、前記辺ブレークラインよりも内側で、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに形成されていることを特徴とする窒化珪素セラミックス焼結基板。 For manufacturing a silicon nitride ceramics assembly substrate having a circuit forming portion and an edge for taking a large number of circuit boards from a rectangular silicon nitride ceramics sintered substrate having an ear portion around the silicon nitride ceramics assembly substrate. Silicon nitride ceramics sintered substrate
It is provided with a scribe hole for dividing the silicon nitride ceramic assembly substrate and the selvage portion, and a through hole for positioning.
The scribe holes form a side break line by the scribe holes along the outer edge at a position inside from the outer edge of the silicon nitride ceramics sintered substrate.
A silicon nitride ceramics sintered substrate, characterized in that the positioning through hole is formed inside one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate inside the side break line. 回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有する窒化珪素セラミックス集合基板であって、窒化珪素セラミックス集合基板の辺の内側で四隅の１つに位置決め用の貫通孔が形成されていることを特徴とする窒化珪素セラミックス集合基板。 A silicon nitride ceramics assembly board having a circuit forming portion and an edge for taking a large number of circuit boards, and a through hole for positioning is formed in one of the four corners inside the side of the silicon nitride ceramics assembly substrate. Silicon nitride ceramics assembly substrate characterized by being 窒化珪素セラミックス集合基板の周囲に耳部を有する矩形の窒化珪素セラミックス焼結基板から、回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有する窒化珪素セラミックス集合基板を製造するための窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法であって、
前記窒化珪素セラミックス集合基板と耳部を分割するためのスクライブ孔形成工程と、位置決め用の貫通孔形成工程とを備え、
前記スクライブ孔形成工程は、前記窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁から内側の位置に前記外縁に沿ってスクライブ孔による辺ブレークラインを形成し、
前記位置決め用の貫通孔形成工程は、前記辺ブレークラインよりも内側で、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに貫通孔を形成することを特徴とする窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法。 For manufacturing a silicon nitride ceramics assembly substrate having a circuit forming portion and an edge for taking a large number of circuit boards from a rectangular silicon nitride ceramics sintered substrate having an ear portion around the silicon nitride ceramics assembly substrate. A method for manufacturing a silicon nitride ceramics sintered substrate.
A scribe hole forming step for dividing the silicon nitride ceramic assembly substrate and the selvage portion and a through hole forming step for positioning are provided.
In the scribe hole forming step, a side break line due to the scribe holes is formed along the outer edge at a position inside from the outer edge of the silicon nitride ceramics sintered substrate.
The method for producing a silicon nitride ceramics sintered substrate, which comprises forming through holes in one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate inside the side break line in the positioning through hole forming step. .. 請求項１に記載の窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記貫通孔は前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに少なくとも１つ形成されていることを特徴とする窒化珪素セラミックス焼結基板。 The silicon nitride ceramics sintered substrate according to claim 1, wherein at least one through hole is formed in one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate. 請求項２に記載の窒化珪素セラミックス集合基板において、前記貫通孔は前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに少なくとも１つ形成されていることを特徴とする窒化珪素セラミックス集合基板。 The silicon nitride ceramics assembly substrate according to claim 2, wherein at least one through hole is formed in one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate. 請求項３に記載の窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法において、前記貫通孔は、窒化珪素セラミックス焼結基板のおもて面と裏面とで共通の位置決めの基準とすることを特徴とする窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法。 In the method for manufacturing a silicon nitride ceramics sintered substrate according to claim 3, the through hole is a common positioning reference for the front surface and the back surface of the silicon nitride ceramics sintered substrate. A method for manufacturing a silicon ceramics sintered substrate. 請求項１に記載の窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに形成された少なくとも１つの貫通孔から求めた中心点と、前記窒化珪素セラミックス集合基板の中心点とは、一致していることを特徴とする窒化珪素セラミックス焼結基板。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate according to claim 1, a center point obtained from at least one through hole formed in one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate and a center point of the silicon nitride ceramics assembly substrate. Is a silicon nitride ceramics sintered substrate characterized by matching. 請求項１に記載の窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに形成された少なくとも１つの貫通孔から求めたおもて面の中心点と、前記貫通孔から求めた裏面の中心点とが一致していることを特徴とする窒化珪素セラミックス焼結基板。 In the silicon nitride ceramics sintered substrate according to claim 1, from the center point of the front surface obtained from at least one through hole formed in one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate and the through hole. A silicon nitride ceramics sintered substrate characterized in that the center point of the obtained back surface matches. 請求項２に記載の窒化珪素セラミックス集合基板において、四隅の１つに形成された少なくとも１つの貫通孔から求めた中心点と、前記窒化珪素セラミックス集合基板の中心点とは、一致していることを特徴とする窒化珪素セラミックス集合基板。 In the silicon nitride ceramics assembly substrate according to claim 2, the center point obtained from at least one through hole formed in one of the four corners and the center point of the silicon nitride ceramics assembly substrate are the same. Silicon nitride ceramics assembly substrate characterized by. 請求項２に記載の窒化珪素セラミックス集合基板において、四隅の１つに形成された少なくとも１つの貫通孔から求めたおもて面の中心点と、前記貫通孔から求めた裏面の中心点とが一致していることを特徴とする窒化珪素セラミックス集合基板。 In the silicon nitride ceramics assembly substrate according to claim 2, the center point of the front surface obtained from at least one through hole formed in one of the four corners and the center point of the back surface obtained from the through hole are A silicon nitride ceramic assembly substrate characterized by matching. 請求項１に記載の窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記貫通孔は、開口の形状が円形であることを特徴とする窒化珪素セラミックス焼結基板。 The silicon nitride ceramics sintered substrate according to claim 1, wherein the through holes have a circular opening shape. 請求項２に記載の窒化珪素セラミックス集合基板において、前記貫通孔は、開口の形状が円形であることを特徴とする窒化珪素セラミックス集合基板。 The silicon nitride ceramics assembly substrate according to claim 2, wherein the through hole has a circular opening shape. 請求項１に記載の窒化珪素セラミックス焼結基板において、前記辺ブレークラインと前記貫通孔の距離は、０．１〜４．０ｍｍであることを特徴とする窒化珪素セラミックス焼結基板。 The silicon nitride ceramics sintered substrate according to claim 1, wherein the distance between the side break line and the through hole is 0.1 to 4.0 mm. 請求項２に記載の窒化珪素セラミックス集合基板において、窒化珪素セラミックス集合基板の辺と前記貫通孔との距離は、０．１〜４．０ｍｍであることを特徴とする窒化珪素セラミックス集合基板。 The silicon nitride ceramics assembly substrate according to claim 2, wherein the distance between the side of the silicon nitride ceramics assembly substrate and the through hole is 0.1 to 4.0 mm. 請求項３に記載の窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法に、回路側の金属板を設ける工程と、放熱側の金属板を設ける工程とを加えることで回路基板を製造する方法であって、
前記回路側の金属板を位置決めする際に前記貫通孔の一方の開口とその位置情報を用い、前記放熱側の金属板を位置決めする際に前記貫通孔の他方の開口とその位置情報を用いることを特徴とする回路基板の製造方法。 A method of manufacturing a circuit board by adding a step of providing a metal plate on the circuit side and a step of providing a metal plate on the heat dissipation side to the method for manufacturing a silicon nitride ceramics sintered substrate according to claim 3.
When positioning the metal plate on the circuit side, one opening of the through hole and its position information are used, and when positioning the metal plate on the heat dissipation side, the other opening of the through hole and its position information are used. A method of manufacturing a circuit board characterized by. 回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有する窒化珪素セラミックス集合基板を作製する工程と、窒化珪素セラミックス集合基板の辺の内側で、前記窒化珪素セラミックス集合基板の四隅の１つに位置決め用の貫通孔を形成する工程とを有し、
前記窒化珪素セラミックス集合基板に、回路側の金属板を設ける工程と、放熱側の金属板を設ける工程とを有し、
前記回路側の金属板を位置決めする際に前記貫通孔の一方の開口とその位置情報を用い、前記放熱側の金属板を位置決めする際に前記貫通孔の他方の開口とその位置情報を用いることを特徴とする回路基板の製造方法。 A step of manufacturing a silicon nitride ceramics assembly substrate having a circuit forming portion and an edge for taking a large number of circuit boards, and one of the four corners of the silicon nitride ceramics assembly substrate inside the side of the silicon nitride ceramics assembly substrate. It also has a step of forming a through hole for positioning.
The silicon nitride ceramics assembly substrate includes a step of providing a metal plate on the circuit side and a step of providing a metal plate on the heat dissipation side.
When positioning the metal plate on the circuit side, one opening of the through hole and its position information are used, and when positioning the metal plate on the heat dissipation side, the other opening of the through hole and its position information are used. A method of manufacturing a circuit board characterized by. 請求項１５又は１６に記載の回路基板の製造方法において、
回路側用の金属板にレジストの第１のパターンを設ける際に、前記第１のパターンの中心点を前記貫通孔の一方の開口の中心とその位置情報によって決めており、
放熱側用の金属板にレジストの第２のパターンを設ける際に、前記第２のパターンの中心点を前記貫通孔の他方の開口の中心とその位置情報によって決めていることを特徴とする回路基板の製造方法。 In the method for manufacturing a circuit board according to claim 15 or 16.
When the first pattern of the resist is provided on the metal plate for the circuit side, the center point of the first pattern is determined by the center of one opening of the through hole and its position information.
A circuit characterized in that when a second pattern of a resist is provided on a metal plate for heat dissipation, the center point of the second pattern is determined by the center of the other opening of the through hole and its position information. Substrate manufacturing method.
JP2019170848A 2019-09-19 2019-09-19 Silicon nitride ceramics sintered substrate, method for manufacturing the same, silicon nitride ceramics assembly substrate, and method for manufacturing circuit board Pending JP2021048328A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019170848A JP2021048328A (en) 2019-09-19 2019-09-19 Silicon nitride ceramics sintered substrate, method for manufacturing the same, silicon nitride ceramics assembly substrate, and method for manufacturing circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019170848A JP2021048328A (en) 2019-09-19 2019-09-19 Silicon nitride ceramics sintered substrate, method for manufacturing the same, silicon nitride ceramics assembly substrate, and method for manufacturing circuit board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021048328A true JP2021048328A (en) 2021-03-25

Family

ID=74878784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019170848A Pending JP2021048328A (en) 2019-09-19 2019-09-19 Silicon nitride ceramics sintered substrate, method for manufacturing the same, silicon nitride ceramics assembly substrate, and method for manufacturing circuit board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2021048328A (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138423A (en) * 1998-10-30 2000-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Printed circuit board and its manufacture
JP2009224732A (en) * 2008-03-18 2009-10-01 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing method of multiple patterning circuit board, and intermediate product of multiple patterning circuit board
WO2009154295A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 日立金属株式会社 Collective ceramic substrate, manufacturing method for the substrate, ceramic substrate, and ceramic circuit substrate
JP2016195244A (en) * 2015-03-31 2016-11-17 日立金属株式会社 Silicon nitride based ceramic assembled board and method for manufacturing the same
JP2017085069A (en) * 2015-10-26 2017-05-18 京セラ株式会社 Manufacturing method for aggregate wiring board

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138423A (en) * 1998-10-30 2000-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Printed circuit board and its manufacture
JP2009224732A (en) * 2008-03-18 2009-10-01 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing method of multiple patterning circuit board, and intermediate product of multiple patterning circuit board
WO2009154295A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 日立金属株式会社 Collective ceramic substrate, manufacturing method for the substrate, ceramic substrate, and ceramic circuit substrate
JP2016195244A (en) * 2015-03-31 2016-11-17 日立金属株式会社 Silicon nitride based ceramic assembled board and method for manufacturing the same
JP2017085069A (en) * 2015-10-26 2017-05-18 京セラ株式会社 Manufacturing method for aggregate wiring board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6990360B2 (en) Silicon nitride based ceramic assembly board
CN109803500B (en) Metallized ceramic substrate and manufacturing method thereof
CN113646149B (en) Method for producing nitride ceramic substrate and nitride ceramic substrate
JP5172409B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP7465879B2 (en) Ceramic substrate and manufacturing method thereof, composite substrate and manufacturing method thereof, and circuit substrate and manufacturing method thereof
JP6587205B2 (en) Silicon nitride ceramic aggregate substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing silicon nitride ceramic sintered substrate
WO2020217936A1 (en) Method for manufacturing glass sheet, and glass sheet and glass sheet assembly
JP2021048165A (en) Method for manufacturing circuit board
JP2021048328A (en) Silicon nitride ceramics sintered substrate, method for manufacturing the same, silicon nitride ceramics assembly substrate, and method for manufacturing circuit board
JP2021048164A (en) Silicon nitride ceramics sintered substrate, method for manufacturing the same, silicon nitride ceramics assembly substrate, and method for manufacturing circuit board
JP7484109B2 (en) Manufacturing method of silicon nitride ceramic sintered substrate and manufacturing method of circuit board
JP4351955B2 (en) Reference point position determination method
JP4452846B2 (en) Metal-ceramic bonding substrate and manufacturing method thereof
JP2021072374A (en) Ceramic substrate and manufacturing method thereof, composite substrate and manufacturing method thereof, and circuit substrate and manufacturing method thereof
JP4160439B2 (en) Laser drilling method
JP7365529B2 (en) Bonded substrate, circuit board and method for manufacturing the same, individual board and method for manufacturing the same
WO2023008200A1 (en) Bonded substrate, circuit board and manufacturing method therefor, and individual substrate and manufacturing method therefor
JP2022003674A (en) Manufacturing method of circuit board
EP4290570A1 (en) Ceramic plate and method for manufacturing ceramic plate
JPH06275924A (en) Ceramic substrate
JP2019067854A (en) Method for manufacturing metal-ceramic joint circuit board
JP3848477B2 (en) Heat sink processing method
JP2005086131A (en) Method for manufacturing ceramic electronic component
JP2023053443A (en) Manufacturing method of circuit board, circuit board, and aggregate substrate
KR20220160636A (en) Ceramic circuit board having a resist cured film, method for manufacturing the same, and method for manufacturing the ceramic circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220809

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231012

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20240123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240416

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20240423