JP2021047944A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】精度が高いサーボパターンの書き込みが可能な磁気ディスク装置を提供すること。【解決手段】磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、第１のリード素子と、第２のリード素子と、コントローラと、を備える。磁気ディスクは、前記第１サーボ情報が書き込まれている。前記コントローラは、前記第１サーボ情報に基づいて、第２サーボ情報を前記磁気ディスクに書き込むサーボライトの制御を実行する。また、前記コントローラは、前記第１のリード素子によって前記第１サーボ情報を取得する、制御を実行する。そして、前記コントローラは、前記サーボライトの制御に用いるリード素子を、前記第１のリード素子によって取得された前記第１サーボ情報の品質に基づいて前記第１のリード素子から前記第２のリード素子に切り替える、制御を実行する。【選択図】図８

Description

本実施形態は、磁気ディスク装置に関する。

磁気ディスク装置の製造の工程では、サーボパターンを記録するための基準となる補助サーボパターンがサーボトラックライタ等により磁気ディスクに予め書き込まれる。例えば、磁気ディスクが磁気ディスク装置に組み付けられた後、磁気ディスク装置は、補助サーボパターンを基準にして磁気ディスクにサーボパターンを書き込む。このような、磁気ディスク装置自身によって磁気ディスクにサーボパターンが書き込まれる方式は、セルフサーボライト（ＳＳＷ）として知られている。

米国特許第８５０８８８０号明細書 特開２００１−１４３２１８号公報 米国特許第６８２９１１８号明細書

一つの実施形態は、精度が高いサーボパターンの書き込みが可能な磁気ディスク装置を提供することを目的とする。

一つの実施形態によれば、磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、第１のリード素子と、第２のリード素子と、コントローラと、を備える。磁気ディスクは、前記第１サーボ情報が書き込まれている。前記コントローラは、前記第１サーボ情報に基づいて、第２サーボ情報を前記磁気ディスクに書き込むサーボライトの制御を実行する。また、前記コントローラは、前記第１のリード素子によって前記第１サーボ情報を取得する、制御を実行する。そして、前記コントローラは、前記サーボライトの制御に用いるリード素子を、前記第１のリード素子によって取得された前記第１サーボ情報の品質に基づいて前記第１のリード素子から前記第２のリード素子に切り替える、制御を実行する。

図１は、第１実施形態の磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。 図２は、第１の実施形態の磁気ヘッドの構成の一例を説明するための図である。 図３は、第１の実施形態の磁気ディスクに書き込まれた補助サーボパターンの構成例を示す図である。 図４は、第１の実施形態のコントローラによるリード素子Ｒの切り替えの制御の一例を説明するための模式的な図である。 図５は、第１の実施形態のコントローラによるリード素子Ｒの切り替えの制御の一例を説明するための模式的な図である。 図６は、第１の実施形態のコントローラによるリード素子Ｒの切り替えの制御の一例を説明するための模式的な図である。 図７は、上記したリード素子の切り替えを実現するためのコントローラの機能構成の一例を示す模式的な図である。 図８は、第１の実施形態の磁気ディスク装置によるサーボライトの動作の一例を示すフローチャートである。 図９は、第２の実施形態の磁気ディスク装置によるサーボライトの動作の一例を示すフローチャートである。 図１０は、第３の実施形態の磁気ディスク装置による各位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウントの動作の一例を示すフローチャートである。 図１１は、第３の実施形態の磁気ディスク装置によるサーボライトの動作の一例を示すフローチャートである。 図１２は、第４の実施形態の磁気ディスク装置によるサーボライトの動作の一例を示すフローチャートである。 図１３は、第４の実施形態の磁気ディスク装置によって位置決め信号毎にカウントされた取得エラーの発生の回数の累積値の一例を説明するための図である。 図１４は、第５の実施形態の磁気ディスク装置において、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２との間のギャップUが異なる２つの状況の例を示す図である。 図１５は、第５の実施形態の磁気ディスク装置において、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２との間のギャップUと、磁気ヘッドのスキュー角との関係の例の概略を示す図である。 図１６は、第５の実施形態の磁気ディスク装置において、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２との間のギャップUと、磁気ヘッドのスキュー角との関係の例の詳細を示す図である。

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
図１は、第１実施形態の磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。

磁気ディスク装置１００には、磁気ディスク２を備える。磁気ディスク２は、円盤の形状を有する物体であり、表面に磁性層が形成されている。磁気ディスク２はスピンドル３を介して支持されている。また、磁気ディスク装置１００には、磁気ヘッド９が設けられ、磁気ヘッド９は、磁気ディスク２に対向するように配置されている。

具体的には、アーム６の一端には、アーム６を駆動するボイスコイルモータ４が設けられ、アーム６の他端にはジンバル部８が設けられている。ジンバル部８には、磁気ヘッド９が保持されている。アーム６は、回転軸５を介して磁気ディスク２上に支持されている。

ジンバル部８には、ジンバル部８を駆動するマイクロアクチュエータ７が設けられている。ボイスコイルモータ（Voice Coil Motor ： ＶＭＣ）４、アーム６、ジンバル部８、およびマイクロアクチュエータ７によって、ジンバルマイクロアクチュエータ（Gimbal Micro Actuator ： ＧＭＡ）の方式の２段アクチュエータが構成されている。

磁気ヘッド９は、例えばＧＭＡ方式の２段アクチュエータによって、磁気ディスク２に対して相対的に移動せしめられる。磁気ヘッド９は、磁気ディスク２の対象位置に対応した位置まで移動せしめられ、対象位置に対して、データを書き込んだり、対象位置からデータを読み出したりする。

ボイスコイルモータ４は、アーム６を磁気ディスク２の記録面に対して水平に粗動させることができることに対し、マイクロアクチュエータ７は、供給される電圧によってジンバル部８を磁気ディスク２の記録面に対して水平に微動させることができる。

なお、当該２段アクチュエータは、先端部に磁気ヘッド９が設けられたアクチュエータアームの一例である。アクチュエータアームの構成は、上記に限定されない。磁気ヘッド９は、ボイスコイルモータ４のみによって移動せしめられてもよい。

図２は、第１の実施形態の磁気ヘッド９の構成の一例を説明するための図である。磁気ヘッド９は、ライト素子Ｗと、複数のリード素子Ｒと、を備える。この例では、複数のリード素子Ｒとして、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２が磁気ヘッド９に具備されている。磁気ディスク装置１００は、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２の何れによっても磁気ディスク２からデータを読み出すことが可能に構成されている。

リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２との間には、ギャップが設けられている。換言すると、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２とは、磁気ヘッド９の互いに離間した位置に取り付けられている。これによって、アーム６の角度を変化させることなく、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２とのそれぞれによって、磁気ディスク２上の半径位置（つまり磁気ディスク２の回転中心からの距離）がそれぞれ異なる２つの位置に読み出しのアクセスを行うことが可能である。

以下に、２つのリード素子Ｒのそれぞれによるアクセス位置の関係について説明する。ここでは、アーム６の回転中心をA0、磁気ディスク２の回転中心をD0と表記する。そして、各種距離および各種角度を、下記のように定義する。
d0：A0とD0との距離
gc：リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のクロストラック方向のギャップ
gd：リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のダウントラック方向のギャップ
d1：A0からリード素子Ｒ１までの距離
d2：A0からリード素子Ｒ２までの距離
a1：A0とD0とを結ぶ直線と、A0とリード素子Ｒ１とを結ぶ直線と、がなす角度
a2：A0とD0とを結ぶ直線と、A0とリード素子Ｒ２とを結ぶ直線と、がなす角度
r1：リード素子Ｒ１の磁気ディスク２の上の半径位置
r2：リード素子Ｒ２の磁気ディスク２の上の半径位置

上記の定義によれば、余弦定理より、下記の式（１）および式（２）が成立する。
r1^2=d0^2+d1^2-2*d0*d1*cos(a1) ・・・（１）
r2^2=d0^2+d2^2-2*d0*d2*cos(a2) ・・・（２）

一方、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２の径方向のギャップUは、下記の式（３）のように表すことができる。
U=r1-r2 ・・・（３）

d0、d1、d2、a2−a1、gc、およびgdは、各種構成要素の配置によって決まる定数である。したがって、式（１）〜（３）によれば、下記の式（４）に示されるように、Uは、例えばr1の関数として表すことが可能である。
U=f(r1) ・・・（４）

このように、実施形態の磁気ヘッド９の構成によれば、アーム６を動かさなくても、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２とによって異なる半径位置から読み出しを行うことが可能である。

なお、各種距離および各種角度が上記のように定義された場合、下記の式（５）が成立する。
cos(a2-a1)=(d1-gd)/sqrt((d1-gd)^2+gc^2) （５）

図１に説明を戻す。磁気ディスク２、スピンドル３、ボイスコイルモータ４、回転軸５、アーム６、マイクロアクチュエータ７、ジンバル部８、および磁気ヘッド９は、ケース１に収容されている。ケース１と、ケース１に収容されたこれらの構成要素は、まとめて、ヘッドディスクアセンブリと称され得る。

磁気ディスク装置１００は、さらに、サーボコントローラ２１、ヘッドアンプ２２、不揮発性メモリ２３、揮発性メモリ２４、プロセッサ２５、ＲＷＣ（リードライトチャネル）２６、およびＨＤＣ（ハードディスクコントローラ）２７を備える。

ヘッドアンプ２２は、ＲＷＣ２６から入力されるライトデータに応じたライト信号（電流）を磁気ヘッド９に供給する。また、ヘッドアンプ２２は、磁気ヘッド９から出力されたリード信号を増幅して、ＲＷＣ２６に供給する。

不揮発性メモリ２３は、例えばフラッシュメモリなどの不揮発性メモリによって構成される。不揮発性メモリ２３には、プロセッサ２５が実行するプログラムが記録される。また、不揮発性メモリ２３には、磁気ディスク装置１００が正常に動作するために必要となる各種のパラメータが記録される。不揮発性メモリ２３に格納される各種のパラメータについては後述する。

揮発性メモリ２４は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）またはＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などの揮発性メモリによって構成される。揮発性メモリ２４には、ホスト２００からのアクセス処理の際にアクセス対象のデータをバッファリングする領域、磁気ディスク装置１００を制御するのに用いられる管理情報を記憶する領域などが設けられる。

ＲＷＣ２６は、信号処理回路である。ＲＷＣ２６は、ＨＤＣ２７から入力されたライトデータを変調してヘッドアンプ２２に出力する。また、ＲＷＣ２６は、ヘッドアンプ２２から伝送されたリード信号を復調してＨＤＣ２７に出力する。

ＨＤＣ２７は、ホスト２００との通信を可能とする通信インタフェースである。具体的には、ＨＤＣ２７は、ホスト２００からライトコマンドを受信した場合には、ライトデータを揮発性メモリ２４に格納し、書き込み処理が終了するとホスト２００に応答を返す。また、ＨＤＣ２７は、ホスト２００からリードコマンドを受信した場合には、読み出し処理によって揮発性メモリ２４に格納されたリードデータをホスト２００に返す。

サーボコントローラ２１は、スピンドル３を回転させるスピンドルモータに電流または電圧を供給し、スピンドルモータを所定の速度で回転させる。

また、サーボコントローラ２１は、プロセッサ２５から指定された位置に磁気ヘッド９を移動させるために、ボイスコイルモータ４およびマイクロアクチュエータ７の位置決め制御を実行する。

プロセッサ２５は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）である。プロセッサ２５は、不揮発性メモリ２３および磁気ディスク２等の不揮発性の記憶媒体に記憶されたプログラムにより、各種処理を実行する。

例えば、プロセッサ２５は、磁気ヘッド９によるライトデータの書き込みおよびリードデータの読み出しの制御処理、磁気ディスク２の記録面上におけるアクセス位置を決定する処理、アクセス位置をサーボコントローラ２１に命令する処理、などを実行する。

サーボコントローラ２１、ヘッドアンプ２２、不揮発性メモリ２３、揮発性メモリ２４、プロセッサ２５、ＲＷＣ２６、およびＨＤＣ２７は、実施形態のコントローラ３０を構成する。なお、コントローラ３０の構成要素はこれらに限定されない。

コントローラ３０は、セルフサーボライト（ＳＳＷ）の制御することができる。ＳＳＷは、前述したように、磁気ディスク装置１００自身でサーボパターンを磁気ディスク２に書き込む方式である。以降、サーボパターンを磁気ディスク２に書き込むことを、サーボライトと表記する。

サーボライトの際には、磁気ディスク２に予め書き込まれている補助サーボパターンを基準としてサーボパターンの書き込み位置が決められる。

図３は、第１の実施形態の磁気ディスク２に書き込まれた補助サーボパターンの構成例を示す図である。磁気ディスク２の記録面には、補助サーボパターンがサーボトラックライタ等により予め書き込まれる。本図の符号１１は、補助サーボパターンの一例である。この例では、補助サーボパターン１１は、磁気ディスク２にスパイラル状に書き込まれたパターンである。以降、この補助サーボパターン１１を、スパイラルパターンと表記する。スパイラルパターン１１は、例えば、磁気ディスク２の内周から外周にかけて等速度でバーストパターンおよび同期パターンが周期的に繰り返し書き込まれることで形成され得る。ＳＳＷによれば、磁気ディスク装置１００は、このスパイラルパターン１１を利用することで、サーボパターン１２の書き込み位置が決められる。

実施形態と比較される技術（以降、比較例と表記する）として、磁気ディスク装置が、リード素子を１つのみ備え、サーボライトの際には、当該リード素子によってスパイラルパターンの読み出しを行うことが考えられる。比較例によれば、スパイラルパターンの読み出し位置に、スパイラルパターンの欠落が存在したり、ホコリや傷などが存在したりすると、その位置からスパイラルパターンを読み出すことができない。その結果として、サーボライトの実行に要する時間の増加や、サーボパターンの品質の悪化が起こり得る。

第１の実施形態では、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のうちの１つのリード素子Ｒを用いてスパイラルパターン１１の読み出しが行われる。そして、当該リード素子Ｒによって読み出されたスパイラルパターン１１の品質に基づいて、サーボライトのためのスパイラルパターン１１の読み出しに用いられるリード素子の切り替えが行われる。

図４〜図６は、第１の実施形態のコントローラ３０によるリード素子Ｒの切り替えの制御の一例を説明するための模式的な図である。なお、磁気ヘッド９は、図中の符号４００の方向に磁気ディスク２に対して相対移動せしめられることとしている。

図４において、軌道３００−１は、リード素子Ｒ１の軌道を示しており、軌道３００−２は、リード素子Ｒ２の軌道を示している。リード素子Ｒ１は、軌道３００−１と、スパイラルパターン１１と、がクロスする位置からスパイラルパターン１１を読み出すことができる。リード素子Ｒ１が当該位置から読み出したスパイラルパターン１１のリード信号は、位置決め信号に復調される。そして、当該位置決め信号に基づいて、ライト素子Ｗによるサーボパターン１２の書き込み位置の制御が実行される。

図５に示される例は、リード素子Ｒ１と、スパイラルパターン１１と、がクロスする位置に、スパイラルパターン１１の欠落５００が存在する。そのような場合は、当該位置からは、サーボパターン１２の書き込み位置を決定するための基準として正しく機能する位置決め信号を取得することができない。つまり、位置決め信号の取得エラーが発生する。位置決め信号の取得エラーが発生した場合には、サーボライトの制御に使用されるリード素子Ｒ、つまりサーボパターンに書き込み位置の基準として使用される位置決め信号の取得に供せられるリード素子Ｒが、リード素子Ｒ１からリード素子Ｒ２に切り替えられる。

リード素子Ｒ２の軌道３００−２と、リード素子Ｒ１の軌道３００−１と、の間には、前述したUに相当するギャップがある。よって、アーム６の角度の変更なくリード素子Ｒの切り替えが実行されることで、リード素子Ｒ２によれば、リード素子Ｒ１とは異なる位置からスパイラルパターン１１の読み出しを実行することができる。

図５に示される例では、リード素子Ｒ２の軌道３００−２と、スパイラルパターン１１と、がクロスする位置は、欠落５００から離間している。よって、リード素子Ｒ２によれば、位置決め信号の取得が可能である。リード素子Ｒ２によって得られた位置決め信号に基づいて、サーボライトの制御が続行される。

なお、サーボライトは、例えばトラック毎に実行される。具体的には、サーボパターン１２の一部が、或るトラックに書き込まれた後、当該トラックに隣接する別のトラックにサーボパターン１２の別の一部が書き込まれる。書き込み対象のトラックが順次変更されながらサーボライトが実行されることで、図３に示されるような、磁気ディスク２には、径方向に延びるサーボパターン１２が形成される。

図５に示される書き込みの後、書き込み対象のトラックが符号４１０に示す方向に隣接する新しいトラックに切り替えられた結果、図６に示されるように、リード素子Ｒ２の新たな軌道３０１−２が、欠落５００をクロスするように設定される。リード素子Ｒ２によれば、欠落５００が存在する、リード素子Ｒ２の軌道３０１−２とスパイラルパターン１１とがクロスする位置からは、位置決め信号を取得することができないので、サーボライトの制御に使用されるリード素子Ｒが、リード素子Ｒ２からリード素子Ｒ１に切り替えられる。軌道３０１−１は、リード素子Ｒ１の新しい軌道であり、この軌道３０１−１によれば、欠落５００を回避することができる。これによって、欠落５００と被らない位置から位置決め信号を取得することが可能となる。

なお、図４〜図６では、説明を簡単にするために、１つでも欠落５００が検出された場合にリード素子Ｒの切り替えが実行されることとした。リード素子Ｒの切り替えの契機はこれに限定されない。

例えば、複数のスパイラルパターン１１が磁気ディスク２に形成されている場合、各トラックは、複数箇所でスパイラルパターン１１とクロスする。当該複数箇所のうちの全ての箇所から位置決め信号を取得することができれば、サーボパターン１２の書き込み位置を最も高い精度で定めることが可能である。つまり、精度が最も高いサーボライトが可能である。当該複数箇所のうちの一部から位置決め信号を取得できない場合、サーボパターン１２の書き込み位置の制御の精度が低下するものの、当該複数箇所の残りの箇所から得られる位置決め信号に基づいてサーボライトを行うことが可能である。

一方、リード素子Ｒの切り替えには、所定の時間を有する。したがって、リード素子Ｒの切り替えが頻繁に実行されると、サーボライトに要する時間が増加する。

第１の実施形態では、一例として、位置決め信号の取得エラーが発生した回数が、トラック毎にカウントされる。そして、位置決め信号の取得エラーが発生した回数が所定のしきい値（第１のしきい値）を越えた場合、リード素子Ｒの切り替えが実行される。

これによって、サーボライトに要する時間を過度に増加させることなく精度が高いサーボパターンの書き込みを可能にする。

なお、スパイラルパターン１１およびスパイラルパターン１１の読み出しによって取得される位置決め信号は、第１サーボ情報の一例である。また、サーボパターン１２は、第２サーボ情報の一例である。

図７は、上記したリード素子Ｒの切り替えを実現するためのコントローラ３０の機能構成の一例を示す模式的な図である。本図に示されるように、コントローラ３０は、ヘッドアンプ２２、サーボコントローラ２１、ＶＣＭ４、およびマイクロアクチュエータ７の他に、復調部（demodulator）４１−１、復調部４１−２、エラーカウンタ（error counter）４２、判定部（decider）４３、選択部（selector）４４、およびＳＳＷパターン生成部（SSW pattern generator）４５を備える。

復調部４１−１および復調部４１−２は、例えばＲＷＣ２６に設けられている。エラーカウンタ４２、判定部４３、選択部４４、およびＳＳＷパターン生成部４５は、例えばプロセッサ２５がファームウェアプログラムを実行することによって実現される。エラーカウンタ４２、判定部４３、選択部４４、およびＳＳＷパターン生成部４５のうちの一部または全部は、ＨＤＣ２７に含まれてもよい。また、エラーカウンタ４２、判定部４３、選択部４４、およびＳＳＷパターン生成部４５のうちの一部または全部は、ハードウェア回路によって実現されてもよい。

復調部４１−１は、リード素子Ｒ１によって得られたリード信号の復調を行う。復調部４１−２は、リード素子Ｒ２によって得られたリード信号の復調を行う。

エラーカウンタ４２は、スパイラルパターン１１から読み出され、そのあと復調されたリード信号に基づき、位置決め信号の取得エラーの検出を行う。そして、エラーカウンタ４２は、位置決め信号の取得エラーの発生の回数をカウントする。エラーカウンタ４２は、ここでは、リード素子Ｒ毎に取得エラーの発生の回数をカウントする。

位置決め信号の取得エラーの検出の方法は、特定の方法に限定されない。例えば、リード信号の波形と所定の波形とが比較される。正常な位置決め信号は、Sync復調信号と称される、特定の波形を含んでいる。このリード信号からSync復調信号が取得できなかった場合、位置決め信号の取得エラーが発生したと判定される。または、リード信号の波形が略正弦波の形状からかけ離れていたり、ノイズにより略正弦波の形状の信号の取得が不能であったりする場合に、位置決め信号の取得エラーが発生したと判定される。

なお、リード素子Ｒ１が出力したリード信号の復調によって得られる位置決め信号を、位置決め信号＃１と表記する。また、リード素子Ｒ２が出力したリード信号の復調によって得られる位置決め信号を、位置決め信号＃２と表記する。

判定部４３と選択部４４とは、協働して、リード素子Ｒの切り替えを実行する。

具体的には、判定部４３は、リード素子Ｒ毎にカウントされた取得エラーの発生の回数に基づいて、位置決め信号＃１および位置決め信号＃２のうちのサーボライトの制御に使用される位置決め信号を指定する選択信号を選択部４４に供給する。

選択部４４は、位置決め信号＃１および位置決め信号＃２が入力される。選択部４４は、入力されたこれらの位置決め信号のうちの、選択信号によって指定された位置決め信号を、サーボコントローラ２１に入力する。

判定部４３および選択部４４が、サーボコントローラ２１に入力する位置決め信号の切り替えを行うことで、サーボライトの制御に使用されるリード素子Ｒの切り替えが実現する。

サーボコントローラ２１は、選択部４４から入力された位置決め信号に基づいてＶＣＭ４およびマイクロアクチュエータ７を駆動することで、磁気ヘッド９を対象のトラックに位置決めする。サーボコントローラ２１は、ライト素子Ｗがサーボパターン１２の書き込みの目標位置に到達したタイミングで、ＳＳＷパターン生成部４５にサーボパターン１２の生成を指示する。

ＳＳＷパターン生成部４５は、サーボコントローラ２１からの指示に応じて、サーボパターン１２の生成と、生成されたサーボパターン１２のヘッドアンプ２２への供給とを実行する。ヘッドアンプ２２は、サーボパターン１２をライト素子Ｗに供給し、ライト素子Ｗは、サーボパターン１２を磁気ディスク２に書き込む。

続いて、上記のように構成された第１の実施形態の磁気ディスク装置１００の動作を説明する。

図８は、第１の実施形態の磁気ディスク装置１００によるサーボライトの動作の一例を示すフローチャートである。

まず、判定部４３は、デフォルト値を選択信号として出力する。これに従い、位置決め信号＃１および位置決め信号＃２のうちの、特定の位置決め信号が、サーボライトの制御に使用される位置決め信号として選択される（Ｓ１０１）。

選択信号のデフォルト値は、任意に設定され得る。例えば、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２とのうちの、トラック上を先行するリード素子Ｒからの位置決め信号が、選択信号のデフォルト値によって指定される。図４の例では、リード素子Ｒ１が、トラック上を先行するリード素子Ｒに該当する。一例では、選択信号のデフォルト値は、リード素子Ｒ１によって得られる位置決め信号＃１を指定する。

続いて、コントローラ３０は、サーボライト対象のトラックに磁気ヘッド９を移動させる（Ｓ１０２）。

各復調部４１−１、４１−２は、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２が当該トラック上でスパイラルパターン１１を通過する際に各リード素子Ｒ１、Ｒ２が出力するリード信号の復調を実行する（Ｓ１０３）。

エラーカウンタ４２は、復調された各リード信号に基づいて、位置決め信号＃１の取得エラーの発生の回数と、位置決め信号＃２の取得エラーの発生の回数と、をカウントする（Ｓ１０４）。各位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウントは、トラック全周にわたって実行される。

判定部４３は、選択信号によって指定されている位置決め信号（デフォルト値では位置決め信号＃１）の取得エラーの発生の回数が所定のしきい値（第１のしきい値）を越えたか否かを判定する（Ｓ１０５）。

選択信号によって指定されている位置決め信号の取得エラーの発生の回数がしきい値を越えた場合（Ｓ１０５：Ｙｅｓ）、判定部４３は、サーボライトの制御に使用される位置決め信号の切り替えを実行する（Ｓ１０６）。つまり、それまで位置決め信号＃１がサーボライトの制御に供される位置決め信号として選択信号によって指定されていた場合、選択信号は、位置決め信号＃２を指定する値に変更される。

選択信号によって指定されている位置決め信号の取得エラーの発生の回数がしきい値を越えていない場合（Ｓ１０５：Ｎｏ）、位置決め信号の切り替えは実行されない。

Ｓ１０５の判定処理においてＮｏと判定された場合、またはＳ１０６の後、コントローラ３０は、トラックに対するサーボライト（セルフサーボライト）の制御を実行する（Ｓ１０７）。Ｓ１０７では、コントローラ３０は、選択信号によって指定されている位置決め信号を用いて、サーボパターンの書き込み位置の制御を実行する。

続いて、コントローラ３０は、全トラックに対するサーボライトが完了したか否かを判定する（Ｓ１０８）。まだサーボライトが行われていない１または複数のトラックが残っている場合（Ｓ１０８：Ｎｏ）、コントローラ３０は、まだサーボライトが行われていない１つのトラックをサーボライト対象のトラックとして選択する（Ｓ１０９）。つまり、コントローラ３０は、サーボライト対象のトラックの切り替えを実行する。Ｓ１０９の処理の後、Ｓ１０２の処理が再び実行される。

全トラックに対するサーボライトが完了した場合（Ｓ１０８：Ｙｅｓ）、サーボライトの動作が終了する。

なお、上記された例では、コントローラ３０は、位置決め信号＃１および位置決め信号＃２の両方について取得エラーの発生の回数をカウントした。カウントの対象とされる位置決め信号は、必ずしも位置決め信号＃１および位置決め信号＃２の両方で無くてもよい。

例えば、コントローラ３０は、位置決め信号＃１および位置決め信号＃２のうちの少なくとも１つ（例えば選択信号によって指定されている位置決め信号）を、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のうちの対応するリード素子Ｒ（第１のリード素子と表記する）によって取得して、取得エラーの発生の回数をカウントする。そして、コントローラ３０は、取得エラーの発生の回数としきい値との比較に基づいて、サーボライトの制御に供せられるリード素子Ｒを、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のうちの第１のリード素子Ｒと異なるリード素子Ｒ２（第２のリード素子と表記する）に切り替える。これによって、位置決め信号＃１および位置決め信号＃２の両方について取得エラーの発生の回数がカウントされた場合と同様のリード素子Ｒの切り替えの制御を行うことができる。

また、上記された例では、磁気ディスク装置１００は、２つのリード素子Ｒ１、Ｒ２を備えている。本実施形態および以降の実施形態は、３以上のリード素子Ｒを備えた磁気ディスク装置に適用可能である。例えば、コントローラ３０は、３以上のリード素子Ｒのうちの１つのリード素子Ｒから他のリード素子Ｒに、前記１つのリード素子Ｒによる位置決め信号の取得エラーの発生の回数に基づいて切り替えることができる。

また、上記された例では、コントローラ３０は、１つのリード素子Ｒによる位置決め信号の取得エラーの発生の回数としきい値との比較に基づいて、当該１つのリード素子Ｒから他のリード素子Ｒへの切り替えを実行した。コントローラ３０は、例えば、複数のリード素子Ｒのそれぞれについて位置決め信号の取得エラーの発生の回数をカウントし、位置決め信号の取得エラーの発生の回数が最も少ないリード素子Ｒを選択するように構成されてもよい。つまり、リード素子Ｒの切り替えの条件は、位置決め信号の取得エラーの発生の回数としきい値との比較のみに限定されない。コントローラ３０は、位置決め信号の取得エラーの発生の回数に基づく任意の方法で、リード素子Ｒの切り替えを実行することができる。

また、位置決め信号の取得エラーの発生の回数としきい値との比較の一例として、上記では、位置決め信号の取得エラーの発生の回数がしきい値を越えたか否かが判定された（Ｓ１０５）。この判定の方法によれば、位置決め信号の取得エラーの発生の回数がしきい値と等しい場合、Ｓ１０６の処理がスキップされる。位置決め信号の取得エラーの発生の回数がしきい値と等しい場合の扱いはこれに限定されない。例えば、位置決め信号の取得エラーの発生の回数がしきい値と等しい場合にはＳ１０６の処理が実行されてもよい。

また、上記した例では、磁気ディスク装置１００が１枚の磁気ディスク２を備える構成について説明された。磁気ディスク装置１００が備える磁気ディスク２の数は２以上であってもよい。コントローラ３０は、複数の磁気ディスク２に対してサーボライトを同時に実行してもよい。その場合、コントローラ３０は、同時にサーボライトが実行される複数の磁気ディスク２のうちの一からスパイラルパターン１１の取得を行い、当該取得されたスパイラルパターン１１に基づいて複数の磁気ディスク２へのサーボパターン１２の書き込み位置の制御を実行してもよい。また、磁気ディスク２の両面に記録面が設けられ、コントローラ３０は、当該磁気ディスク２の両面に対してサーボライトを同時に実行してもよい。

以上述べたように、第１の実施形態によれば、コントローラ３０は、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のうちの少なくとも１つ（第１のリード素子）を用いて位置決め信号を取得して、位置決め信号の取得エラーの発生の回数をカウントする。そして、コントローラ３０は、位置決め信号の取得エラーの発生の回数に基づいて、サーボライトの制御に供せられるリード素子Ｒを、第１のリード素子から、当該第１のリード素子とは異なる第２のリード素子に切り替える。

これによって、前述した比較例と比べて、取得できる位置決め信号の数を増やすことができる。その結果、サーボパターンの書き込み位置の位置決め精度が向上する。つまり、精度が高いサーボパターンの書き込みが可能となる。

なお、上記された例では、コントローラ３０は、位置決め信号の取得エラーの発生の回数を、トラック毎にカウントし、トラック毎にリード素子Ｒの切り替えの判定が実行された。位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウントや、リード素子Ｒの切り替えの判定は、トラック以外の単位で実行されてもよい。例えば、コントローラ３０は、位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウントや、リード素子Ｒの切り替えの判定を、複数トラック毎に実行してもよい。また、コントローラ３０は、位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウントや、リード素子Ｒの切り替えの判定を、バンドあるいはゾーンと称される領域毎に実行してもよい。

つまり、磁気ディスク２は、径方向に配置された複数の記憶領域を備え、コントローラ３０は、取得エラーの発生の回数を、複数の記憶領域のそれぞれについてカウントし、取得エラーの発生の回数としきい値との比較を、複数の記憶領域のそれぞれについて実行してもよい。複数の記憶領域のそれぞれは、例えば、トラック、または複数のトラック、またはバンド、またはゾーン、などである。

（第２の実施形態）
位置決め信号の取得エラーの発生の回数と比較されるしきい値は、変更可能に構成されてもよい。第２の実施形態では、位置決め信号が変更可能に構成された磁気ディスク装置について説明する。なお、第２の実施形態および以降の実施形態の磁気ディスク装置の動作は、第１の実施形態の磁気ディスク装置１００と同様の機能構成要素によって実行される。よって、第２の実施形態および以降の実施形態の磁気ディスク装置が備える機能構成要素についての説明を省略する。

図９は、第２の実施形態の磁気ディスク装置１００によるサーボライトの動作の一例を示すフローチャートである。以下では、第１の実施形態の磁気ディスク装置１００が実行する処理と同様の処理には、第１の実施形態の磁気ディスク装置１００が実行する処理と同じ符号を付して、当該処理にかかる詳細な説明を省略する。

まず、第１の実施形態と同様に、Ｓ１０１〜Ｓ１０４の処理が実行される。各位置決め信号の取得エラーの発生の回数がカウントされた後、判定部４３は、しきい値（第１のしきい値）を設定する（Ｓ２０１）。しきい値は、例えばホスト２００からのコマンドによって設定され得る。例えば、不揮発性メモリ２３または揮発性メモリ２４などに、複数の候補値が予め格納されており、ホスト２００からのコマンドによって、複数の候補値のうちの１つがしきい値として選択される。または、磁気ディスク装置１００は、ホスト２００からのコマンドによって数値情報が入力されて、判定部４３に、当該数値情報をしきい値として設定する。

Ｓ２０１の後、Ｓ１０５〜Ｓ１０９の処理が実行される。

このように、コントローラ３０は、しきい値の変更が可能に構成されてもよい。

例えば、しきい値が小さいほど、リード素子Ｒの切り替えが頻繁に実行される。従って、しきい値が小さいほど、サーボパターン１２の書き込み位置の制御の精度が向上するが、サーボライトに要する時間が増加する。逆に、しきい値が大きいほど、サーボライトに要する時間を抑制できるが、サーボパターン１２の書き込み位置の制御の精度が低下する。製造者は、例えば、サーボパターン１２の書き込み位置の制御の精度を重視する場合には、大きな値のしきい値を設定し、製造に要する時間の抑制を重視する場合には、小さい値のしきい値を設定する、といった運用が可能となる。

なお、磁気ディスク２内の半径位置に応じて異なるしきい値が設定されてもよい。

例えば、径方向に配置された少なくとも２つの記憶領域が磁気ディスク２に設定され、コントローラ３０は、当該少なくとも２つの記憶領域のそれぞれに対してサーボライトの制御を行う際に、しきい値を異ならせてもよい。例えば、コントローラ３０は、内周側の記憶領域に対するサーボライトの制御の際には、外周側の記憶領域に対するサーボライトの制御の際よりも、しきい値を小さくしてもよい。また、コントローラ３０は、径方向に配置された少なくとも２つの記憶領域のそれぞれに対するしきい値を個別に設定可能に構成されてもよい。

また、しきい値の設定（または変更）のタイミングは、各位置決め信号の取得エラーの発生の回数がカウントされた後だけに限定されない。コントローラ３０は、任意のタイミングでしきい値の設定（または変更）が可能に構成され得る。

（第３の実施形態）
磁気ディスク装置１００は、最初に全トラック分、各位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウントを実行するように構成されてもよい。第３の実施形態では、各位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウントを全トラックに対して実行するように構成された磁気ディスク装置１００について説明する。

図１０は、第３の実施形態の磁気ディスク装置１００による各位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウントの動作の一例を示すフローチャートである。なお、以降では、各位置決め信号の取得エラーの発生の回数をカウントする処理を、カウント処理と表記することがある。

まず、コントローラ３０は、カウント処理の対象のトラックに磁気ヘッド９を移動させる（Ｓ３０１）。

続いて、各復調部４１−１、４１−２は、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２が当該トラック上でスパイラルパターン１１を通過する際に出力するリード信号の復調を実行する（Ｓ３０２）。Ｓ３０２の処理は、第１の取得の一例である。

エラーカウンタ４２は、復調された各リード信号に基づいて、位置決め信号＃１の取得エラーの発生の回数と、位置決め信号＃２の取得エラーの発生の回数と、をカウントし、カウントによって得られた各位置決め信号の取得エラーの発生の回数を、メモリに格納する（Ｓ３０３）。この処理は、カウント処理に該当する。各位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウントは、トラック全周にわたって実行される。上記メモリは、不揮発性メモリ２３であってもよいし、揮発性メモリ２４であってもよい。

続いて、コントローラ３０は、全トラックの分のカウント処理（即ち各位置決め信号の取得エラーの発生の回数のカウント）が完了したか否かを判定する（Ｓ３０４）。まだカウント処理が行われていない１または複数のトラックが残っている場合（Ｓ３０４：Ｎｏ）、コントローラ３０は、まだカウント処理が行われていない１つのトラックを次のカウント処理の対象のトラックとして選択する（Ｓ３０５）。つまり、コントローラ３０は、カウント処理の対象のトラックを切り替える。Ｓ３０５の処理の後、Ｓ３０１の処理が再び実行される。

全トラックの分のカウント処理が完了した場合（Ｓ３０４：Ｙｅｓ）、動作が終了する。

図１１は、第３の実施形態の磁気ディスク装置１００によるサーボライトの動作の一例を示すフローチャートである。

まず、コントローラ３０は、サーボライト対象のトラックに磁気ヘッド９を移動させる（Ｓ１０２）。そして、判定部４３は、サーボライト対象のトラックについてカウントされた、位置決め信号＃１の取得エラーの発生の回数と、位置決め信号＃２の取得エラーの発生の回数と、をメモリから取得する（Ｓ３１１）。

判定部４３は、取得した各位置決め信号の取得エラーの発生の回数に基づいて、位置決め信号＃１および位置決め信号＃２のうちの１つを選択する（Ｓ３１２）。例えば、判定部４３は、取得エラーの発生の回数が少ない位置決め信号を選択する。判定部４３は、選択した位置決め信号を指定する選択信号を選択部４４に入力する。

続いて、コントローラ３０は、トラックに対するサーボライト（セルフサーボライト）の制御を実行する（Ｓ１０７）。Ｓ１０７では、コントローラ３０は、選択信号によって指定されている位置決め信号を用いて、サーボパターンの書き込み位置の制御を実行する。

続いて、コントローラ３０は、全トラックに対するサーボライトが完了したか否かを判定する（Ｓ１０８）。まだサーボライトが行われていない１または複数のトラックが残っている場合（Ｓ１０８：Ｎｏ）、コントローラ３０は、まだサーボライトが行われていない１つのトラックをサーボライト対象のトラックとして選択し（Ｓ１０９）、Ｓ１０２の処理が再び実行される。

全トラックに対するサーボライトが完了した場合（Ｓ１０８：Ｙｅｓ）、サーボライトの動作が終了する。

このように、第３の実施形態によれば、コントローラ３０は、全トラックからリード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２の両方によって位置決め信号の取得を実行して、リード素子Ｒ１による位置決め信号の取得エラーの発生の回数と、リード素子Ｒ２による位置決め信号の取得エラーの発生の回数と、をカウントする。そして、コントローラ３０は、トラック毎にカウントされた各位置決め信号の取得エラーの発生の回数に基づいて、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のうちの一を、トラック毎に選択する。そして、コントローラ３０は、各トラックに対し、選択されたリード素子を用いてサーボライトの制御を実行する。

つまり、コントローラ３０は、第１の実施形態において説明されたように、カウント処理とサーボライトとの対をトラック毎に実行してもよいし、第３の実施形態において説明されたように、全トラックに対してカウント処理を実行して、その後、全トラックに対してサーボライトを実行してもよい。上記の何れの場合であっても、コントローラ３０は、トラックなどの記憶領域毎のリード素子Ｒの選択および切り替えを行うことが可能である。

なお、トラックは、径方向に配置された複数の記憶領域のそれぞれの一例である。上記複数の記憶領域のそれぞれは、例えば、複数のトラック、またはバンド、またはゾーン、などであってもよい。

なお、第３の実施形態は、第２の実施形態と併用することが可能である。

（第４の実施形態）
第３の実施形態では、サーボライトの制御に供されるリード素子Ｒがトラック単位で選択された。サーボライトの制御に供されるリード素子Ｒは、磁気ディスク２単位で選択されてもよい。

第４の実施形態では、磁気ディスク装置１００は、第３の実施形態と同様の動作により、カウント処理を行う。つまり、磁気ディスク装置１００は、図１０に示される一連の処理によって、各位置決め信号の取得エラーの発生の回数をメモリに予め取得する。

なお、第４の実施形態では、各位置決め信号の取得エラーの発生の回数の全トラック分（つまり磁気ディスク２が備える記憶領域の全面の分）の累積値に基づいて、位置決め信号の選択が実施される。コントローラ３０は、カウント処理において、各位置決め信号の取得エラーの発生の回数の全トラック分の累積値をメモリに格納してもよい。

磁気ディスク装置１００は、各位置決め信号の取得エラーの発生の回数を磁気ディスク２全体から取得した後、サーボライトを行う。

図１２は、第４の実施形態の磁気ディスク装置１００によるサーボライトの動作の一例を示すフローチャートである。

まず、判定部４３は、全トラックについてカウントされた、位置決め信号＃１の取得エラーの発生の回数と、位置決め信号＃２の取得エラーの発生の回数と、をメモリから取得する（Ｓ４０１）。そして、判定部４３は、位置決め信号＃１および位置決め信号＃２のうちの、位置決め信号の取得エラーの発生の回数の全トラック分の累積値が少ない位置決め信号を選択する（Ｓ４０２）。

図１３は、位置決め信号毎にカウントされた取得エラーの発生の回数の累積値の一例を説明するための図である。一例として、内周（inner diameter : ID）側のトラックから外周（outer diameter : OD）側のトラックに向かう順番で各トラックにかかる取得エラーの発生の回数がカウントおよび累積されている。この図の例によれば、位置決め信号＃２のほうが、位置決め信号＃１よりも取得エラーの発生の回数の累積値が少ない。よって、例えば、位置決め信号＃２が選択される。

図１２に説明を戻す。判定部４３は、選択した位置決め信号を指定する選択信号を選択部４４に入力する。

Ｓ４０２の後、コントローラ３０は、全トラック分のサーボライトの制御を実行する。つまり、コントローラ３０は、サーボライト対象のトラックに磁気ヘッド９を移動させる（Ｓ１０２）。そして、コントローラ３０は、Ｓ１０７〜Ｓ１０９の処理を実行する。Ｓ１０７では、コントローラ３０は、選択信号によって指定されている位置決め信号を用いて、サーボパターンの書き込み位置の制御を実行する。

このように、第４の実施形態によれば、コントローラ３０は、磁気ディスク２が備える記憶領域の全面からリード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２の両方によって位置決め信号の取得を実行して、リード素子Ｒ１による位置決め信号の取得エラーの発生の回数と、リード素子Ｒ２による位置決め信号の取得エラーの発生の回数と、をカウントする。そして、コントローラ３０は、各位置決め信号の取得エラーの発生の回数に基づいて、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のうちの一を選択する。そして、コントローラ３０は、記憶領域の全面に対し、選択されたリード素子を用いてサーボライトの制御を実行する。

つまり、磁気ディスク装置１００は、トラック毎にリード素子Ｒを切り替えるのではなく、リード素子Ｒを選択して、磁気ディスク２が備える記憶領域の全面に対し、選択された同一のリード素子Ｒを使用してサーボライトを行ってもよい。

（第５の実施形態）
図１４は、第５の実施形態の磁気ディスク装置１００において、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２との間のギャップUが異なる２つの状況の例を示す図である。磁気ヘッド９が位置Ｐ１にある場合、磁気ヘッド９が位置Ｐ２にある場合に比べて、ギャップUが大きい。つまり、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２との間のギャップUは、磁気ヘッド９の位置に応じて異なり得ることが読み取れる。

図１５は、第５の実施形態の磁気ディスク装置１００において、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２との間のギャップUと、磁気ヘッド９のスキュー角との関係の例の概略を示す図である。本図に示されるように、磁気ヘッド９が磁気ディスク２の外周側の位置Ｐ３にある場合、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のうちのリード素子Ｒ１が磁気ディスク２の外周側に位置している。磁気ヘッド９がスキュー角がゼロとなる位置Ｐ４にある場合、ギャップUは、磁気ヘッド９が位置Ｐ３にある場合に比べて小さくなっている。なお、スキュー角がゼロである場合、ギャップUは、gcと等しくなる。磁気ヘッド９が磁気ディスク２の内周側の位置Ｐ５にある場合、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のうちのリード素子Ｒ２が磁気ディスク２の外周側に位置している。つまり、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２の間の位置関係の逆転が起こっている。

図１６は、第５の実施形態の磁気ディスク装置１００において、リード素子Ｒ１とリード素子Ｒ２との間のギャップUと、磁気ヘッド９のスキュー角との関係の例の詳細を示す図である。本図に示されるように、スキュー角が−５度（degree）付近でリード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２の間の位置関係の逆転が起こる。これによって、スキュー角が−５度（degree）付近となる場合、ギャップUがゼロとなる。スキュー角が−５度（degree）を越える場合、スキュー角が大きくなるに応じてギャップUが大きくなる。また、スキュー角が−５度（degree）を下回る場合、スキュー角が小さくなるに応じてギャップUが大きくなる。

例えば、欠落５００の大きさが３μｍである場合、ギャップUが３μｍより小さいと、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２の何れによっても欠落５００を回避することができない可能性がある。よって、例えば、コントローラ３０は、ギャップUが３μｍを越える場合、即ち例えば磁気ヘッド９のスキュー角が図１６の範囲６００−１または範囲６００−３にある場合、リード素子Ｒの切り替えが許可され、ギャップUが３μｍを下回る場合、即ち例えば磁気ヘッド９のスキュー角が図１６の範囲６００−２にある場合、リード素子Ｒの切り替えが禁止されるよう、構成されてもよい。なお、リード素子Ｒの切り替えを禁止するか否かのギャップUにかかるしきい値（第２のしきい値）は、設計により任意に設定され得る。

図１５および図１６に示された例から明らかなように、磁気ヘッド９のスキュー角は、磁気ヘッド９の位置と関係する。図１５および図１６に示された例によれば、磁気ヘッド９が磁気ディスク２に対向する位置が、磁気ディスク２の内周側の、範囲６００−１に対応した範囲か、磁気ディスク２の外周側の、範囲６００−３に対応した範囲にある場合、リード素子Ｒの切り替えが許可され得る。また、磁気ヘッド９が磁気ディスク２に対向する位置が、磁気ディスク２の内周側の、範囲６００−１に対応した範囲と、磁気ディスク２の外周側の、範囲６００−３に対応した範囲と、の間の範囲にある場合、リード素子Ｒの切り替えが禁止され得る。

なお、第５の実施形態は、第１〜第３の実施形態の何れとも併用され得る。

（第６の実施形態）
第１〜第５の実施形態では、位置決め信号の取得エラーの発生の回数に応じてリード素子Ｒの切り替えまたは選択が実行された。位置決め信号の取得エラーの発生の回数は、位置決め信号の品質と考えることができる。つまり、コントローラ３０は、位置決め信号の品質に基づいてリード素子Ｒの切り替えまたは選択を実行するように構成され得る。

リード素子Ｒの切り替えまたは選択に供される位置決め信号の品質としては、位置決め信号の取得エラーの発生の回数に替えて、位置決め精度が採用され得る。

位置決め信号の取得エラーの発生の回数が多い場合、位置決めに供される位置決め信号の数が減少する。これによって、位置決めの精度が悪化する。コントローラ３０は、トラック単位で位置決め信号の取得を行う際、すでに取得出来た位置決め信号に基づいて、次に位置決め信号を取得できる位置を推定する。すでに取得出来た位置決め信号による位置決めの精度が悪いと、当該推定された位置と、実際に次に位置決め信号を取得した位置とが乖離する。双方の位置の乖離量は、位置決めの精度が悪いほど大きくなる。

コントローラ３０は、位置決め信号の推定位置と、位置決め信号を実際に取得した位置と、の乖離量に基づいて、リード素子Ｒの切り替えまたは選択を実行してもよい。例えば、コントローラ３０は、乖離量または乖離量の累積値が所定値を越えた場合にリード素子Ｒを切り替えてもよい。また、コントローラ３０は、リード素子Ｒ１およびリード素子Ｒ２のうちの乖離量または乖離量の累積値が小さいリード素子Ｒを、サーボライトの制御に用いてもよい。

このように、コントローラ３０は、位置決め信号の品質に基づいてリード素子Ｒの切り替えまたは選択を実行するように、構成され得る。位置決め信号の品質は、位置決め信号の取得エラーの発生の回数であってもよいし、位置決め信号の推定位置と、位置決め信号を実際に取得した位置と、の乖離量であってもよい。

なお、第６の実施形態は、第１〜第５の実施形態の何れにも適用され得る。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

Ｒ１，Ｒ２ リード素子、Ｗ ライト素子、１ ケース、２ 磁気ディスク、３ スピンドル、４ ボイスコイルモータ、５ 回転軸、６ アーム、７ マイクロアクチュエータ、８ ジンバル部、９ 磁気ヘッド、１１ 補助サーボパターン（スパイラルパターン）、１２ サーボパターン、２１ サーボコントローラ、２２ ヘッドアンプ、２３ 不揮発性メモリ、２４ 揮発性メモリ、２５ プロセッサ、２６ ＲＷＣ、２７ ＨＤＣ、３０ コントローラ、４１−１，４１−２ 復調部、４２ エラーカウンタ、４３ 判定部、４４ 選択部、４５ ＳＳＷパターン生成部、１００ 磁気ディスク装置、２００ ホスト。

Claims (13)

1. 第１サーボ情報が書き込まれた磁気ディスクと、
   第１のリード素子と、
   第２のリード素子と、
   前記第１サーボ情報に基づいて、第２サーボ情報を前記磁気ディスクに書き込むサーボライトの制御を実行し、前記第１のリード素子によって前記第１サーボ情報を取得して、前記サーボライトの制御に用いるリード素子を、前記第１のリード素子によって取得された前記第１サーボ情報の品質に基づいて前記第１のリード素子から前記第２のリード素子に切り替える、制御を実行する、コントローラと、
   を備える磁気ディスク装置。
2. 前記コントローラは、前記第１のリード素子による前記第１サーボ情報の取得エラーの発生の回数をカウントし、前記回数と第１のしきい値との比較に基づいて前記第１のリード素子から前記第２のリード素子に切り替える、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。
3. 前記磁気ディスクは、径方向に配置された複数の記憶領域を備え、
   前記コントローラは、前記回数を前記複数の記憶領域のそれぞれについてカウントし、前記比較を前記複数の記憶領域のそれぞれについて実行する、
   請求項２に記載の磁気ディスク装置。
4. 前記コントローラは、前記第１のしきい値の変更が可能に構成される、
   請求項２に記載の磁気ディスク装置。
5. 前記磁気ディスクは、径方向に配置された第１記憶領域および第２記憶領域を備え、
   前記コントローラは、前記第１記憶領域に対して前記サーボライトの制御を実行する場合と、前記第２記憶領域に対して前記サーボライトの制御を実行する場合と、で前記第１のしきい値を異ならせる、
   請求項４に記載の磁気ディスク装置。
6. 前記磁気ディスクは、径方向に配置された複数の記憶領域を備え、
   前記コントローラは、
   前記第１のリード素子および前記第２のリード素子の両方によって前記第１サーボ情報の第１の取得を実行して、前記第１のリード素子による前記第１サーボ情報の取得エラーの発生の回数である第１の回数と、前記第２のリード素子による前記第１サーボ情報の取得エラーの発生の回数である第２の回数と、を前記複数の記憶領域のそれぞれについてカウントし、
   前記複数の記憶領域のそれぞれについてカウントされた前記第１の回数および前記第２の回数に基づいて、前記第１のリード素子と前記第２のリード素子のうちの一を、前記複数の記憶領域のそれぞれについて選択し、
   前記複数の記憶領域のそれぞれに対し、前記選択されたリード素子を用いて前記サーボライトの制御を実行する、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。
7. 第１サーボ情報が書き込まれた記憶領域を備える磁気ディスクと、
   第１のリード素子と、
   第２のリード素子と、
   前記記憶領域の全面に対し前記第１のリード素子および前記第２のリード素子の両方によって前記第１サーボ情報の第１の取得を実行して、前記第１のリード素子によって取得された前記第１サーボ情報の品質と、前記第２のリード素子によって取得された前記第１サーボ情報の品質と、に基づいて前記第１のリード素子と前記第２のリード素子のうちの一を選択し、前記記憶領域の全面に対し、前記選択されたリード素子を用いてサーボライトの制御を実行する、コントローラと、
   を備える磁気ディスク装置。
8. 前記コントローラは、前記第１のリード素子による前記第１サーボ情報の取得エラーの発生の回数である第１の回数と、前記第２のリード素子による前記第１サーボ情報の取得エラーの発生の回数である第２の回数と、をカウントし、前記第１の回数および前記第２の回数に基づいて、前記第１のリード素子と前記第２のリード素子のうちの一を選択する、
   請求項７に記載の磁気ディスク装置。
9. 前記第２のリード素子の位置と前記第１のリード素子の位置との前記磁気ディスクのギャップが第２のしきい値を越える場合に、前記第１サーボ情報の読み出しに用いるリード素子の切り替えが許可され、前記ギャップが前記第２のしきい値を下回る場合に、前記切り替えが禁止される、
   請求項１から６の何れか一項に記載の磁気ディスク装置。
10. 前記磁気ディスクに対して相対的に移動せしめられるアクチュエータアームを備え、
    前記第１のリード素子と、前記第２のリード素子と、は前記アクチュエータアームの先端部の互いに離間した位置に取り付けられている、
    請求項１から９の何れか一項に記載の磁気ディスク装置。
11. 前記コントローラは、前記先端部のスキュー角が第１の範囲にある場合に、前記サーボライトの制御に用いるリード素子を切り替える処理を実行でき、前記スキュー角が前記第１の範囲と異なる第２の範囲にある場合に、前記処理を実行しない、
    請求項１０に記載の磁気ディスク装置。
12. 前記第１の範囲は、前記磁気ディスクの径方向の前記第１のリード素子に対向する位置と、前記磁気ディスクの径方向の前記第２のリード素子に対向する位置と、のギャップが第２のしきい値を越える前記スキュー角の範囲であり、
    前記第２の範囲は、前記ギャップが前記第２のしきい値を下回る前記スキュー角の範囲である、
    請求項１１に記載の磁気ディスク装置。
13. 前記コントローラは、前記先端部が前記磁気ディスクの径方向の第１の範囲にある場合に、前記サーボライトの制御に用いるリード素子を切り替える処理を実行でき、前記先端部が前記磁気ディスクの径方向の前記第１の範囲と異なる第２の範囲にある場合に、前記処理を実行せず、
    前記第２の範囲よりも前記磁気ディスクの内周側と外周側とのぞれぞれに前記第１の範囲が設定されている、
    請求項１０に記載の磁気ディスク装置。

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