JP2021046614A - Electroless plating inhibiting composition and method for manufacturing plated component - Google Patents

Electroless plating inhibiting composition and method for manufacturing plated component Download PDF

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Abstract

To provide an electroless plating inhibiting composition that can suppress generation of an electroless plating film in a part where an electroless plating film is not planned to be formed and has excellent dispersion stability.SOLUTION: An electroless plating inhibiting composition includes: a catalytic activity inhibitor that is a compound including at least one of the amide group and amino group; and a solvent including glycol ether. The catalytic activity inhibitor is a branched polymer including a side chain including at least one of the amide group and the amino group.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、無電解メッキ抑制組成物及びメッキ部品の製造方法に関する。 The present invention relates to an electroless plating suppressing composition and a method for producing a plated part.

近年、三次元成形回路部品(MID:Molded Interconnected Device)が、スマートフォン等で実用化されており、今後、自動車分野での応用拡大が期待されている。MIDは、樹脂成形体の表面に金属膜で回路を形成したデバイスであり、製品の軽量化、薄肉化及び部品点数削減に貢献できる。 In recent years, three-dimensional molded circuit parts (MID: Molded Integrated Devices) have been put into practical use in smartphones and the like, and their applications in the automobile field are expected to expand in the future. The MID is a device in which a circuit is formed of a metal film on the surface of a resin molded product, and can contribute to weight reduction, thinning of the product, and reduction of the number of parts.

樹脂成形体等の絶縁性基材の表面に配線パターン(電気回路)を形成する方法として、例えば、以下に説明する方法が提案されている。まず、基材の表面全体に金属層を形成する。次に、形成した金属層をフォトレジストでパターニングし、その後、エッチングにより配線パターン以外の部分の金属層を除去する。これにより、基材表面に残された金属層によって配線パターンを形成できる。 As a method of forming a wiring pattern (electric circuit) on the surface of an insulating base material such as a resin molded body, for example, a method described below has been proposed. First, a metal layer is formed on the entire surface of the base material. Next, the formed metal layer is patterned with a photoresist, and then the metal layer other than the wiring pattern is removed by etching. Thereby, the wiring pattern can be formed by the metal layer left on the surface of the base material.

また、フォトレジストを使用しない配線パターン(電気回路)の形成方法としては、レーザー光を使用する方法が提案されている(例えば、特許文献1)。まず、配線パターンを形成したい部分にレーザー光を照射して基材を粗化する。そして、基材全体に無電解メッキ触媒を付与すると、レーザー光照射部分には、他の部分と比較して無電解メッキ触媒が強固に付着する。次に、基材を洗浄すると、レーザー光照射部分のみに無電解メッキ触媒が残り、他の部分の触媒は容易に除去できる。レーザー光照射部分のみに無電解メッキ触媒が付着した基材に無電解メッキを施すことで、レーザー光照射部分、即ち、所定の配線パターンのみにメッキ膜を形成できる。レーザー光を利用した配線パターンの形成方法は、フォトマスク等を製造するコストや手間が省けるため、配線パターンの変更が容易である。 Further, as a method for forming a wiring pattern (electric circuit) that does not use a photoresist, a method that uses laser light has been proposed (for example, Patent Document 1). First, the base material is roughened by irradiating the portion where the wiring pattern is to be formed with laser light. Then, when the electroless plating catalyst is applied to the entire base material, the electroless plating catalyst adheres firmly to the laser beam irradiation portion as compared with other portions. Next, when the substrate is washed, the electroless plating catalyst remains only in the laser beam irradiated portion, and the catalyst in the other portion can be easily removed. By performing electroless plating on the base material to which the electroless plating catalyst is attached only to the laser light irradiation portion, a plating film can be formed only on the laser light irradiation portion, that is, a predetermined wiring pattern. The method of forming a wiring pattern using laser light saves the cost and labor of manufacturing a photomask or the like, so that the wiring pattern can be easily changed.

特許第3222660号公報Japanese Patent No. 3222660

しかし、特許文献1で提案されているレーザー光を利用した配線パターン(電気回路)の形成方法では、基材の種類や表面状態によっては、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分、即ち、配線パターン以外の部分にも無電解メッキ膜が生成する場合があった。例えば、無電解メッキ触媒が付着し易いフィラーを含有する基材、表面粗さが大きい基材、空隙を有する基材等は、無電解メッキ触媒が付着し易いため、洗浄しても無電解メッキ触媒が除去できずに残存し易い。また、無電解メッキ触媒の種類や基材の種類によっては、無電解メッキ触媒が基材の内部に浸透する場合があり、基材に浸透した無電解メッキ触媒を洗浄によって除去することは困難であった。このように所定の配線パターン以外の部分に無電解メッキ触媒が残存した基材に無電解メッキを施すと、当然に配線パターン以外の部分に無電解メッキ膜が生成してしまう。したがって、所定のパターン以外の部分において、より確実に、無電解メッキ膜の生成を抑制できる技術が求められていた。 However, in the method for forming a wiring pattern (electric circuit) using laser light proposed in Patent Document 1, a portion where an electroless plating film is not planned to be formed, that is, depending on the type and surface condition of the base material, that is, In some cases, an electroless plating film was formed on parts other than the wiring pattern. For example, a base material containing a filler to which an electroless plating catalyst easily adheres, a base material having a large surface roughness, a base material having voids, etc. are easily adhered to an electroless plating catalyst, and therefore electroless plating is performed even if washed. The catalyst cannot be removed and tends to remain. Further, depending on the type of the electroless plating catalyst and the type of the base material, the electroless plating catalyst may permeate into the base material, and it is difficult to remove the electroless plating catalyst that has permeated the base material by cleaning. there were. When electroless plating is applied to the base material in which the electroless plating catalyst remains in the portion other than the predetermined wiring pattern in this way, an electroless plating film is naturally formed in the portion other than the wiring pattern. Therefore, there has been a demand for a technique capable of more reliably suppressing the formation of an electroless plating film in a portion other than a predetermined pattern.

また、スマートフォン、自動車分野等で用いられるMIDは、通常、大量生産される。このため、樹脂成形体等の表面に配線パターン(電気回路)を形成する技術にも、長時間に亘るメッキ部品の製造に対応できる安定性が求められる。 Further, MIDs used in the fields of smartphones, automobiles and the like are usually mass-produced. For this reason, the technique of forming a wiring pattern (electric circuit) on the surface of a resin molded body or the like is also required to have stability that can be used for manufacturing plated parts for a long period of time.

本発明は、これらの課題を解決するものであり、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分での無電解メッキ膜の生成を抑制できる無電解メッキ抑制組成物を提供する。また、例えば、長時間の製造工程に対応できるよう、安定性の高い無電解メッキ抑制組成物を提供する。 The present invention solves these problems and suppresses the formation of an electroless plating film in a portion where the formation of an electroless plating film is not planned, regardless of the type, shape and state of the base material. Provided is an electroless plating suppressing composition capable. Further, for example, an electroless plating suppressing composition having high stability is provided so as to be able to cope with a long-time manufacturing process.

本発明の第1の態様に従えば、無電解メッキ抑制組成物であって、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有する化合物である触媒活性妨害剤と、グリコールエーテルを含む溶剤とを含み、前記触媒活性妨害剤が、前記アミド基及び前記アミノ基の少なくとも一方を含む側鎖を有する分岐ポリマーである、無電解メッキ抑制組成物が提供される。 According to the first aspect of the present invention, the electroless plating inhibitory composition comprises a catalytic activity interfering agent which is a compound having at least one of an amide group and an amino group, and a solvent containing a glycol ether. Provided is a electroless plating inhibitory composition in which the catalytic activity interfering agent is a branched polymer having a side chain containing at least one of the amide group and the amino group.

前記無電解メッキ抑制組成物は、更に、アルコールを含んでもよい。前記無電解メッキ抑制組成物中において、前記グリコールエーテルの配合量(X)の、前記アルコールの配合量(Y)に対する重量比(X/Y)が、(X/Y)=2/98〜80/20であってもよい。 The electroless plating suppressing composition may further contain alcohol. In the electroless plating suppressing composition, the weight ratio (X / Y) of the blended amount (X) of the glycol ether to the blended amount (Y) of the alcohol is (X / Y) = 2/98 to 80. It may be / 20.

前記グリコールエーテルが、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、及びエチレングリコールジメチルエーテルからなる群から選択される少なくとも1つであってもよく、エチレングリコールモノブチルエーテル又はプロピレングリコールモノメチルエーテルであってもよい。 The glycol ether is at least one selected from the group consisting of ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and ethylene glycol dimethyl ether. It may be one, or it may be ethylene glycol monobutyl ether or propylene glycol monomethyl ether.

前記アルコールが、エタノール、1‐プロパノール、2‐プロパノール、1‐ブタノール、2‐ブタノール、1‐ペンタノール、1‐ヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、1,3−ブタンジオール、及び1,2−ヘキサンジオールからなる群から選択される少なくとも1つであってもよい。 The alcohols are ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, 1,3-butanediol, and 1,2. -It may be at least one selected from the group consisting of hexanediol.

前記触媒活性妨害剤の重量平均分子量が1,000〜1,000,000であってもよい。前記触媒活性妨害剤が、ハイパーブランチポリマーであってもよい。前記触媒活性妨害剤の配合量の、前記グリコールエーテルの配合量に対する重量比が、0.4重量%〜25.0重量%であってもよい。前記無電解メッキ抑制組成物中において、前記触媒活性妨害剤の配合量が、0.2重量%〜5.0重量%であってもよい。 The weight average molecular weight of the catalytic activity interfering agent may be 1,000 to 1,000,000. The catalytic activity interfering agent may be a hyperbranched polymer. The weight ratio of the blended amount of the catalytic activity interfering agent to the blended amount of the glycol ether may be 0.4% by weight to 25.0% by weight. In the electroless plating suppressing composition, the blending amount of the catalytic activity interfering agent may be 0.2% by weight to 5.0% by weight.

本発明の第2に態様に従えば、メッキ部品の製造方法であって、基材の表面に、第1の態様の前記無電解メッキ抑制組成物を付与することと、前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、加熱又は光照射した前記基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、前記無電解メッキ触媒を付与した前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記表面の加熱部分又は光照射部分に無電解メッキ膜を形成することとを含むメッキ部品の製造方法が提供される。 According to the second aspect of the present invention, in the method for producing a plated part, the electroless plating suppressing composition of the first aspect is applied to the surface of the base material, and the surface of the base material is subjected to the method. A part is heated or irradiated with light, an electroless plating catalyst is applied to the surface of the base material irradiated with heating or light, and an electroless plating solution is applied to the surface of the base material to which the electroless plating catalyst is applied. A method for manufacturing a plated component is provided, which comprises forming an electroless plating film on a heated portion or a light-irradiated portion of the surface.

本発明の無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤を含み、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分での無電解メッキ膜の生成を抑制できる。また、本発明の無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤の分散安定性が高い。 The electroless plating suppressing composition of the present invention contains a catalytic activity interfering agent, and does not depend on the type, shape, and state of the base material, and the electroless plating film is formed in a portion where the formation of the electroless plating film is not planned. Can be suppressed. Further, the electroless plating suppressing composition of the present invention has high dispersion stability of the catalytic activity interfering agent.

図1は、実施形態のメッキ部品の製造方法を説明するフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a plated component according to an embodiment.

[無電解メッキ抑制組成物]
無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤と、溶剤とを含む。触媒活性妨害剤は、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有する化合物である。溶剤は、グリコールエーテルを含む。触媒活性妨害剤は、溶剤中に分散している。即ち、グリコールエーテルを含む溶剤は、分散媒である。無電解メッキ抑制組成物は、メッキ部品の製造方法に用いられる。例えば、無電解メッキ抑制組成物は、メッキ部品の製造方法において、基材の無電解メッキ膜の形成を予定していない部分に付与され、無電解メッキ膜の生成を抑制する。
[Electroless plating suppression composition]
The electroless plating suppressing composition contains a catalytic activity interfering agent and a solvent. The catalytic activity interfering agent is a compound having at least one of an amide group and an amino group. The solvent contains glycol ether. The catalytic activity interfering agent is dispersed in the solvent. That is, the solvent containing glycol ether is a dispersion medium. The electroless plating suppressing composition is used in a method for manufacturing plated parts. For example, the electroless plating suppressing composition is applied to a portion of the base material where the formation of the electroless plating film is not planned in the method for manufacturing a plated part, and suppresses the formation of the electroless plating film.

触媒活性妨害剤は、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有する化合物であれば特に限定されないが、ポリマーであることが好ましい。触媒活性妨害剤が、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマー(以下、適宜「アミド基/アミノ基含有ポリマー」と記載する)である場合、その重量平均分子量は、例えば、1,000〜1,000,000であってもよい。アミド基/アミノ基含有ポリマーは、メッキ部品の製造方法において、様々な種類の基材の表面をポリマー層(以下適宜、「触媒活性妨害層」、又は「妨害層」と記載する)として均一に覆って、そこに留まることができる。これにより、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の生成を抑制できる。この結果、基材の選択の幅が広がる。尚、触媒活性妨害剤の重量平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算で測定できる。 The catalytic activity interfering agent is not particularly limited as long as it is a compound having at least one of an amide group and an amino group, but a polymer is preferable. When the catalytic activity interfering agent is a polymer having at least one of an amide group and an amino group (hereinafter, appropriately referred to as "amide group / amino group-containing polymer"), the weight average molecular weight thereof is, for example, 1,000 to 1,000. It may be 1,000,000. The amide group / amino group-containing polymer uniformly forms the surface of various types of substrates as a polymer layer (hereinafter, appropriately referred to as “catalytically active interfering layer” or “interfering layer”) in the method for producing plated parts. You can cover it and stay there. Thereby, the formation of the electroless plating film can be suppressed regardless of the type, shape and state of the base material. As a result, the range of choices for the base material is widened. The weight average molecular weight of the catalytic activity interfering agent can be measured, for example, by gel permeation chromatography (GPC) in terms of polystyrene.

アミド基/アミノ基含有ポリマーは、アミド基のみを有するポリマーであってもよいし、アミノ基のみを有するポリマーであってもよいし、アミド基及びアミノ基の両方を有するポリマーであってもよい。アミド基/アミノ基含有ポリマーは、任意のものを用いることができるが、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる観点からは、アミド基を有するポリマーが好ましく、また、側鎖を有する分岐ポリマーが好ましい。分岐ポリマーにおいては、側鎖がアミド基及びアミノ基の少なくとも一方を含むことが好ましく、側鎖がアミド基を含むことがより好ましい。 The amide group / amino group-containing polymer may be a polymer having only an amide group, a polymer having only an amino group, or a polymer having both an amide group and an amino group. .. Any amide group / amino group-containing polymer can be used, but a polymer having an amide group is preferable, and a branched polymer having a side chain is preferable from the viewpoint of hindering the catalytic activity of the electroless plating catalyst. .. In the branched polymer, the side chain preferably contains at least one of an amide group and an amino group, and more preferably the side chain contains an amide group.

アミド基/アミノ基含有ポリマーが無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げるメカニズムは定かではないが、以下のように推測される。アミド基及び/又はアミノ基は、無電解メッキ触媒に吸着、配位、反応等して複合体を形成し、これにより無電解メッキ触媒は、アミド基/アミノ基含有ポリマーにトラップされる。特に、分岐ポリマーの側鎖に含まれるアミド基及び/又はアミノ基は自由度が高く、また、分岐ポリマー1分子中には、多数のアミド基及び/又はアミノ基を含むことができる。このため、分岐ポリマーは、複数のアミド基及び/又はアミノ基により、無電解メッキ触媒を効率的且つ強力にトラップできる。例えば、分岐ポリマーは多座配位子として作用し、複数のアミド基及び/又はアミノ基が無電解メッキ触媒に配位してキレート構造を形成できる。この様にトラップされた無電解メッキ触媒は、触媒活性を発揮できない。例えば、パラジウム等の金属が無電解メッキ触媒として妨害層上に付与されると、分岐ポリマーのアミド基及び/又はアミノ基がパラジウムをパラジウムイオンの状態でトラップする。パラジウムイオンは無電解メッキ液中に含まれる還元剤によって還元されて金属パラジウムとなり、無電解メッキ触媒活性を発揮する。しかし、分岐ポリマーにトラップされたパラジウムイオンは、無電解メッキ液中に含まれる還元剤によっても還元されず、触媒活性を発揮できない。これにより、触媒活性妨害層か形成された基材の表面では、無電解メッキ膜の形成が抑制される。ただし、このメカニズムは推定に過ぎず、本発明はこれに限定されない。 The mechanism by which the amide group / amino group-containing polymer interferes with the catalytic activity of the electroless plating catalyst is not clear, but it is presumed as follows. The amide group and / or amino group are adsorbed, coordinated, reacted, etc. on the electroless plating catalyst to form a complex, whereby the electroless plating catalyst is trapped in the amide group / amino group-containing polymer. In particular, the amide group and / or amino group contained in the side chain of the branched polymer has a high degree of freedom, and a large number of amide groups and / or amino groups can be contained in one molecule of the branched polymer. Therefore, the branched polymer can efficiently and strongly trap the electroless plating catalyst by a plurality of amide groups and / or amino groups. For example, the branched polymer can act as a polydentate ligand and multiple amide and / or amino groups can coordinate with the electroless plating catalyst to form a chelate structure. The electroless plating catalyst trapped in this way cannot exhibit catalytic activity. For example, when a metal such as palladium is applied onto the interfering layer as an electroless plating catalyst, the amide and / or amino groups of the branched polymer trap palladium in the form of palladium ions. Palladium ions are reduced by a reducing agent contained in the electroless plating solution to become metallic palladium, which exhibits electroless plating catalytic activity. However, the palladium ions trapped in the branched polymer are not reduced by the reducing agent contained in the electroless plating solution, and cannot exhibit catalytic activity. As a result, the formation of the electroless plating film is suppressed on the surface of the catalytically active interfering layer or the formed base material. However, this mechanism is only an estimation, and the present invention is not limited thereto.

アミド基/アミノ基含有ポリマーに含まれるアミド基は、特に限定されず、1級アミド基、2級アミド基、3級アミド基のいずれであってもよく、アミド基/アミノ基含有ポリマーに含まれるアミノ基は、特に限定されず、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基のいずれであってもよい。これらのアミド基及びアミノ基は、ポリマー内に1種類のみが含まれてもよいし、2種類以上が含まれてもよい。 The amide group contained in the amide group / amino group-containing polymer is not particularly limited, and may be any of a primary amide group, a secondary amide group, and a tertiary amide group, and is contained in the amide group / amino group-containing polymer. The amino group is not particularly limited, and may be any of a primary amino group, a secondary amino group, and a tertiary amino group. Only one type of these amide groups and amino groups may be contained in the polymer, or two or more types may be contained.

アミド基/アミノ基含有ポリマーとして分岐ポリマーを用いる場合、無電解メッキ触媒の触媒活性を効率的に妨害する観点から、分岐ポリマーに含まれるアミド基は、2級アミド基であることが好ましく、また、アミド基の窒素には、イソプロピル基が結合していることが好ましい。また、分岐ポリマーに含まれるアミノ基は、1級アミノ基(‐NH)又は2級アミノ基(‐NH‐)が好ましい。 When a branched polymer is used as the amide group / amino group-containing polymer, the amide group contained in the branched polymer is preferably a secondary amide group from the viewpoint of efficiently interfering with the catalytic activity of the electroless plating catalyst. , It is preferable that an isopropyl group is bonded to the nitrogen of the amide group. The amino group contained in the branched polymer is preferably a primary amino group (-NH 2 ) or a secondary amino group (-NH-).

分岐ポリマーの側鎖は、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有し、更に硫黄を含む基を有してもよい。硫黄を含む基は、上述のアミド基及びアミノ基と同様に無電解メッキ触媒を吸着等する傾向がある。これにより、分岐ポリマーが無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる効果が促進される。硫黄を含む基は、特に限定されず、例えば、スルフィド基、ジチオカルバメート基、チオシアン基であり、好ましくは、ジチオカルバメート基である。これらの硫黄を含む基は、分岐ポリマーの側鎖に1種類のみが含まれてもよいし、2種類以上が含まれてもよい。 The side chain of the branched polymer may have at least one of an amide group and an amino group, and may further have a sulfur-containing group. Sulfur-containing groups tend to adsorb electroless plating catalysts, like the above-mentioned amide groups and amino groups. This promotes the effect of the branched polymer interfering with the catalytic activity of the electroless plating catalyst. The group containing sulfur is not particularly limited, and is, for example, a sulfide group, a dithiocarbamate group, a thiocyanate group, and preferably a dithiocarbamate group. Only one type of these sulfur-containing groups may be contained in the side chain of the branched polymer, or two or more types may be contained.

分岐ポリマーは、デンドリティックポリマーであることが好ましい。デンドリティックポリマーとは、頻繁に規則的な分岐を繰り返す分子構造で構成されたポリマーであり、デンドリマーとハイパーブランチポリマーに分類される。デンドリマーは、核となる分子を中心に、規則正しく完全に樹状分岐した構造をもつ、直径数nmの球形のポリマーであり、ハイパーブランチポリマーは、完全な樹状構造をもつデンドリマーとは異なり、不完全な樹状分岐をもつポリマーである。デンドリティックポリマーの中でも、ハイパーブランチポリマーは、比較的合成が容易で且つ安価であるため、本実施形態の分岐ポリマーとして好ましい。 The branched polymer is preferably a dendritic polymer. A dendritic polymer is a polymer composed of a molecular structure that frequently repeats regular branching, and is classified into a dendrimer and a hyperbranched polymer. A dendrimer is a spherical polymer with a diameter of several nm that has a regular and completely dendritic structure centered on a core molecule, and a hyperbranched polymer is different from a dendrimer that has a complete dendritic structure. It is a polymer with complete dendritic branches. Among the dendritic polymers, the hyperbranched polymer is preferable as the branched polymer of the present embodiment because it is relatively easy to synthesize and inexpensive.

デンドリティックポリマーは、自由度の高い側鎖部分が多いため、無電解メッキ触媒に吸着し易く、効率的に無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害できる。このため、デンドリティックポリマーは、薄膜化しても触媒活性妨害剤として効率よく作用する。また、デンドリティックポリマーの分散液は高濃度でも低粘度であるため、複雑形状の基材に対しても、均一な膜厚の妨害層を形成できる。更に、デンドリティックポリマーは耐熱性が高い。このため、ハンダリフロー耐性を要求されるメッキ部品に好適である。 Since the dendritic polymer has many side chain portions having a high degree of freedom, it is easily adsorbed on the electroless plating catalyst and can efficiently interfere with the catalytic activity of the electroless plating catalyst. Therefore, the dendritic polymer efficiently acts as a catalytic activity interfering agent even when it is thinned. Further, since the dispersion liquid of the dendritic polymer has a low viscosity even at a high concentration, it is possible to form an interfering layer having a uniform film thickness even on a base material having a complicated shape. Furthermore, dendritic polymers have high heat resistance. Therefore, it is suitable for plated parts that require solder reflow resistance.

デンドリティックポリマーは、アミド基及び/又はアミノ基に加えて、基材との親和性が高い官能基を含んでもよい。これにより、基材と触媒活性妨害層との密着性を強められる。基材との親和性が高い官能基は、基材の種類により適宜選択できる。例えば、基材がポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー等の芳香環を有する材料である場合、デンドリティックポリマーは芳香環を含むことが好ましい。基材がガラスである場合、デンドリティックポリマーは、ガラスと親和性の高いシラノール基を含むことが好ましい。 The dendritic polymer may contain a functional group having a high affinity with the substrate, in addition to the amide group and / or the amino group. As a result, the adhesion between the base material and the catalytic activity interfering layer can be strengthened. A functional group having a high affinity with the base material can be appropriately selected depending on the type of the base material. For example, when the base material is a material having an aromatic ring such as polyphenylene sulfide or a liquid crystal polymer, the dendritic polymer preferably contains an aromatic ring. When the base material is glass, the dendritic polymer preferably contains a silanol group having a high affinity for glass.

本実施形態のデンドリティックポリマーは、例えば、国際公開第2018/131492号に記載されている下記式(1)で表されるポリマーであることが好ましい。下記式(1)で表されるポリマーは、触媒活性妨害剤として効率よく作用する。また、式(1)で表されるポリマーは、グリコールエーテルに分散し易く(初期の分散性が良好)、更にその分散性を長期間維持し易い(分散安定性が良好)。 The dendritic polymer of the present embodiment is preferably, for example, a polymer represented by the following formula (1) described in International Publication No. 2018/131492. The polymer represented by the following formula (1) acts efficiently as a catalytic activity interfering agent. Further, the polymer represented by the formula (1) is easily dispersed in glycol ether (good initial dispersibility), and is easy to maintain the dispersibility for a long period of time (good dispersion stability).

Figure 2021046614
式(1)において、Aは芳香環を含む基であり、Aはアミド基を含む基であり、Aは硫黄を含む基であり、Rは、水素又は炭素数1〜10個の置換若しくは無置換の炭化水素基であり、m1は0.4〜11であり、n1は5〜100である。m1は0.5〜11が好ましい。
Figure 2021046614
In formula (1), A 1 is a group containing an aromatic ring, A 2 is a group containing an amide group, A 3 is a group containing sulfur, and R 0 is hydrogen or 1 to 10 carbon atoms. It is a substituted or unsubstituted hydrocarbon group of, m1 is 0.4 to 11, and n1 is 5 to 100. The m1 is preferably 0.5 to 11.

は、芳香環を含む基であれば、任意のものを用いることができるが、例えば、下記式(2)で表される基であることが好ましい。

Figure 2021046614
As A 1 , any group can be used as long as it contains an aromatic ring, but for example, it is preferably a group represented by the following formula (2).
Figure 2021046614

が、式(2)で表される基である場合、本実施形態のハイパーブランチポリマーのハイパーブランチ構造は、スチレン骨格を有する。ハイパーブランチ構造がスチレン骨格を有すると、ハイパーブランチポリマーの耐候性、耐熱性が向上する。 When A 1 is a group represented by the formula (2), the hyperbranched structure of the hyperbranched polymer of the present embodiment has a styrene skeleton. When the hyperbranched structure has a styrene skeleton, the weather resistance and heat resistance of the hyperbranched polymer are improved.

ハイパーブランチポリマーは、複数の末端基を有する。上記式(1)で表されるハイパーブランチポリマーの末端基において、Aは、アミド基を含む基であり、Aは、硫黄を含む基である。また、m1は、各末端基におけるアミド基を含む基(A)の数(繰り返し数)mの平均値である。したがって、m1は整数でなくてもよい。本実施形態のハイパーブランチポリマーは、平均値であるm1が0.4〜11であればよく、アミド基を含む基(A)を有さない末端基を有してもよい。m1は0.5〜11が好ましい。各末端基におけるアミド基を含む基(A)の数(繰り返し数)mは、例えば、0〜11である。式(1)のm1は、分子内におけるアミド基を含む基(A)の総数(分子内におけるmの合計)を末端基の数で除した商である。m1の値は、NMR法や元素分析法により定量できる。 Hyperbranched polymers have multiple end groups. In the terminal group of the hyperbranched polymer represented by the above formula (1), A 2 is a group containing an amide group, and A 3 is a group containing sulfur. Further, m1 is an average value of the number (repetition number) m of the groups (A 2 ) containing the amide group in each terminal group. Therefore, m1 does not have to be an integer. The hyperbranched polymer of the present embodiment may have an average value of m1 of 0.4 to 11, and may have a terminal group having no group (A 2) containing an amide group. The m1 is preferably 0.5 to 11. The number (repetition number) m of the group (A 2 ) containing the amide group in each terminal group is, for example, 0 to 11. M1 in the formula (1) is a quotient obtained by dividing the total number of groups (A 2 ) containing an amide group in the molecule (total of m in the molecule) by the number of terminal groups. The value of m1 can be quantified by an NMR method or an elemental analysis method.

上記式(1)において、Aはアミド基を含む基であれば特に限定されず、また、Aに含まれるアミド基は、1級アミド基、2級アミド基、3級アミド基のいずれであってもよい。また、Aは、アミド基を1個含む基であってもよいし、2個以上含む基であってもよい。Aは下記式(3)で表される基であることが好ましい。Aが下記式(3)で表される基であると、本実施形態のハイパーブランチポリマーは、金属捕捉能力がより向上する。これにより、無電解メッキ抑制効果がより高まる。 In the above formula (1), A 2 is not particularly limited as long as it is a group containing an amide group, and the amide group contained in A 2 is any of a primary amide group, a secondary amide group and a tertiary amide group. It may be. Further, A 2 may be a group containing one amide group or a group containing two or more amide groups. A 2 is preferably a group represented by the following formula (3). When A 2 is a group represented by the following formula (3), the hyperbranched polymer of the present embodiment has a higher metal trapping ability. As a result, the effect of suppressing electroless plating is further enhanced.

Figure 2021046614
式(3)において、Rは炭素数が1〜5である置換若しくは無置換のアルキレン基、又は単結合であり、R及びRは、それぞれ、炭素数が1〜10である置換若しくは無置換のアルキル基又は水素である。また、式(3)において、Rは単結合であることが好ましく、Rは水素であることが好ましく、Rはイソプロピル基であることが好ましい。
Figure 2021046614
In formula (3), R 1 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, or a single bond, and R 2 and R 3 are substituted or substituted having 1 to 10 carbon atoms, respectively. It is an unsubstituted alkyl group or hydrogen. Further, in the formula (3), R 1 is preferably a single bond, R 2 is preferably hydrogen, and R 3 is preferably an isopropyl group.

上記式(1)において、Aは、硫黄を含む基であれば特に限定されず、例えば、ジチオカルバメート基、トリチオカーボネート基、スルフィド基、チオシアン基等が挙げられ、中ででも、ジチオカルバメート基であることが好ましい。Aがジチオカルバメート基であると、本実施形態のハイパーブランチポリマーは、合成が容易となり、また、金属捕捉能力が向上する。更に、Aは、下記式(4)で表される基であることが好ましい。 In the above formula (1), A 3 is not particularly limited as long as it is a group containing sulfur, for example, dithiocarbamate group, trithiocarbonate group, a sulfide group, a thiocyanate group and the like, but being, dithiocarbamates It is preferably a group. When A 3 is a dithiocarbamate group, the hyperbranched polymer of the present embodiment, synthesis facilitated and also improves metal trapping capability. Moreover, A 3 is preferably a group represented by the following formula (4).

Figure 2021046614
式(4)において、R及びRは、それぞれ、炭素数が1〜5である置換若しくは無置換のアルキル基、又は水素である。また、式(4)において、R及びRはエチル基であることが好ましい。
Figure 2021046614
In formula (4), R 4 and R 5 are substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms or hydrogen, respectively. Further, in the formula (4), R 4 and R 5 are preferably ethyl groups.

上記式(1)において、Rは、水素又は炭素数1〜10個の置換若しくは無置換の炭化水素基であれば、任意の炭化水素基を用いることができる。上記炭化水素基は、鎖状若しくは環状の飽和脂肪族炭化水素基、鎖状若しくは環状の不飽和脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基であってもよい。Rが、置換の炭化水素基である場合の置換基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シリル基又はエステル基等であってもよい。また、Rは、無置換の炭化水素基であってもよく、例えば、ビニル基又はエチル基であってもよい。 In the above formula (1), R 0 is, if hydrogen or a hydrocarbon group of a substituted or unsubstituted 1 to 10 carbon atoms, can be any hydrocarbon group. The hydrocarbon group may be a chain or cyclic saturated aliphatic hydrocarbon group, a chain or cyclic unsaturated aliphatic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group. When R 0 is a substituted hydrocarbon group, the substituents are, for example, an alkyl group, a cycloalkyl group, a vinyl group, an allyl group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen group, a hydroxy group, an amino group, an imino group, and the like. It may be a nitro group, a silyl group, an ester group, or the like. Further, R 0 may be an unsubstituted hydrocarbon group, for example, a vinyl group or an ethyl group.

本実施形態のハイパーブランチポリマーは、式(1)において、Rが異なるハイパーブランチポリマーの混合物であってもよい。例えば、Rが不飽和結合を有する場合、ハイパーブランチポリマーの合成過程において、不飽和結合の一部に何らかの付加反応が生じて飽和結合となる場合がある。この場合、上記式(1)において、Rが不飽和炭化水素基のハイパーブランチポリマーと、Rが飽和炭化水素基のハイパーブランチポリマーとの混合物が得られる。本実施形態のハイパーブランチポリマーは、上記式(1)において、Rがビニル基のハイパーブランチポリマーと、Rがエチル基のハイパーブランチポリマーとの混合物であってもよい。 Hyperbranched polymer of the present embodiment, in Formula (1) may be a mixture of the hyperbranched polymer R 0 is different. For example, when R 0 has an unsaturated bond, some addition reaction may occur in a part of the unsaturated bond in the process of synthesizing the hyperbranched polymer, resulting in a saturated bond. In this case, in the above formula (1), a mixture of a hyperbranched polymer in which R 0 is an unsaturated hydrocarbon group and a hyperbranched polymer in which R 0 is a saturated hydrocarbon group is obtained. The hyperbranched polymer of the present embodiment may be a mixture of a hyperbranched polymer in which R 0 is a vinyl group and a hyperbranched polymer in which R 0 is an ethyl group in the above formula (1).

本実施形態のハイパーブランチポリマーは、数平均分子量が、3,000〜30,000であり、重量平均分子量が、10,000〜300,000であることが好ましく、数平均分子量が、5,000〜30,000であり、重量平均分子量が、14,000〜200,000であることがより好ましい。数平均分子量又は重量平均分子量が上記範囲内であれば、無電解メッキ抑制組成物中における分散性及び分散安定性、並びにメッキ抑制効果がより向上する。尚、ハイパーブランチポリマーの重量平均分子量及び数平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算で測定できる。 The hyperbranched polymer of the present embodiment preferably has a number average molecular weight of 3,000 to 30,000, a weight average molecular weight of 10,000 to 300,000, and a number average molecular weight of 5,000. It is more preferably ~ 30,000 and the weight average molecular weight is 14,000 to 200,000. When the number average molecular weight or the weight average molecular weight is within the above range, the dispersibility and dispersion stability in the electroless plating suppressing composition and the plating suppressing effect are further improved. The weight average molecular weight and the number average molecular weight of the hyperbranched polymer can be measured, for example, by gel permeation chromatography (GPC) in terms of polystyrene.

本実施形態のハイパーブランチポリマーの合成方法は、特に限定されず、任意の方法により合成できる。例えば、市販のハイパーブランチポリマーを出発物質として、本実施形態のハイパーブランチポリマーを合成してもよい。また、モノマーの合成、モノマーの重合、末端基修飾等を順に行って、本実施形態のハイパーブランチポリマーを合成してもよい。尚、本実施形態のハイパーブランチポリマーの重量平均分子量及び数平均分子量、式(1)中のm1及びn1は、合成に用いる試薬の比率、合成条件等を任意の方法で調整することにより、所定の範囲内に調整できる。 The method for synthesizing the hyperbranched polymer of the present embodiment is not particularly limited, and the hyperbranched polymer can be synthesized by any method. For example, the hyperbranched polymer of the present embodiment may be synthesized using a commercially available hyperbranched polymer as a starting material. Further, the hyperbranched polymer of the present embodiment may be synthesized by sequentially performing the synthesis of the monomer, the polymerization of the monomer, the modification of the terminal group, and the like. The weight average molecular weight and number average molecular weight of the hyperbranched polymer of the present embodiment, m1 and n1 in the formula (1) are predetermined by adjusting the ratio of reagents used for synthesis, synthesis conditions, etc. by any method. Can be adjusted within the range of.

無電解メッキ抑制組成物中における、触媒活性妨害剤の配合量は、特に限定されないが、触媒活性妨害剤の分散性、分散安定性、及びメッキ抑制効果のバランスを取る観点から、上記配合量は、0.2重量%〜5.0重量%が好ましく、0.3重量%〜2.0重量%がより好ましい。また、触媒活性妨害剤の分散安定性向上の観点からは、上記配合量は0.2重量%〜2.0重量%がより好ましく、メッキ抑制効果の向上の観点からは、0.3重量%〜5.0重量%がより好ましい。 The blending amount of the catalytic activity interfering agent in the electroless plating suppressing composition is not particularly limited, but the above blending amount is from the viewpoint of balancing the dispersibility, dispersion stability, and plating suppressing effect of the catalytic activity interfering agent. , 0.2% by weight to 5.0% by weight, more preferably 0.3% by weight to 2.0% by weight. Further, from the viewpoint of improving the dispersion stability of the catalytic activity interfering agent, the blending amount is more preferably 0.2% by weight to 2.0% by weight, and from the viewpoint of improving the plating suppressing effect, 0.3% by weight. ~ 5.0% by weight is more preferable.

溶剤に含まれるグリコールエーテルは、2価アルコールのモノエーテル、又は、2価アルコールのジエーテルであれば、特に限定されない。例えば、触媒活性妨害剤の分散性向上の観点からは、下記式(G)で表される化合物が好ましい。 The glycol ether contained in the solvent is not particularly limited as long as it is a monoether of a dihydric alcohol or a diether of a dihydric alcohol. For example, from the viewpoint of improving the dispersibility of the catalytic activity interfering agent, the compound represented by the following formula (G) is preferable.

Figure 2021046614
式(G)において、
11は、炭素数1〜4個である、直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
12は、エチレン基又はプロピレン基であり、
13は、水素原子又は、炭素数1〜4個である、直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
11とR13は、同一の基であっても異なる基であってもよく、
nは、1又は2である。
Figure 2021046614
In formula (G)
R 11 is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R 12 is an ethylene group or a propylene group and
R 13 is a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R 11 and R 13 may be the same group or different groups.
n is 1 or 2.

式(G)において、R13が水素原子であってもよい。この場合、式(G)で表されるグリコールエーテルは、モノエーテルである。また、式(G)において、R13が水素原子ではなく、アルキル基であってもよい。この場合、式(G)で表されるグリコールエーテルは、ジエーテルである。式(G)で表されるグリコールエーテルがジエーテルである場合、触媒活性妨害剤の分散性向上の観点から、式(G)中に含まれる炭素数は少ない方が好ましい。例えば、式(G)で表されるグリコールエーテルがジエーテルである場合、R11及びR13は、それぞれ、メチル基又はエチル基であり、nは1であることが好ましい。 In formula (G), R 13 may be a hydrogen atom. In this case, the glycol ether represented by the formula (G) is a monoether. Further, in the formula (G), R 13 may be an alkyl group instead of a hydrogen atom. In this case, the glycol ether represented by the formula (G) is a diether. When the glycol ether represented by the formula (G) is a diether, it is preferable that the number of carbon atoms contained in the formula (G) is small from the viewpoint of improving the dispersibility of the catalytic activity interfering agent. For example, when the glycol ether represented by the formula (G) is a diether, R 11 and R 13 are each a methyl group or an ethyl group, and n is preferably 1.

また、メッキ部品の製造方法において、無電解メッキ抑制組成物は、基材上に付与されて、その後、乾燥して、触媒活性妨害層を形成する。無電解メッキ抑制組成物の乾燥性向上の観点からは、式(G)において、nは1であることが好ましい。 Further, in the method for producing a plated part, the electroless plating suppressing composition is applied onto a base material and then dried to form a catalytic activity interfering layer. From the viewpoint of improving the dryness of the electroless plating suppressing composition, n is preferably 1 in the formula (G).

グリコールエーテルとしては、例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルが挙げられ、中でも、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。これらのグリコールエーテルを用いることで、触媒活性妨害剤の分散性が更に向上する。これらのグリコールエーテルは、単独で用いてもよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。 Examples of the glycol ether include ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and ethylene glycol dimethyl ether. Among them, ethylene glycol. Monobutyl ether and propylene glycol monomethyl ether are preferable. By using these glycol ethers, the dispersibility of the catalytic activity interfering agent is further improved. These glycol ethers may be used alone or in combination of two or more.

溶剤は、更に、アルコールを含んでもよい。溶剤に含まれるアルコールは、上述したグリコールエーテルとは異なる化合物である。溶剤がグリコールエーテルと共にアルコールを含むことにより、触媒活性妨害剤の分散安定性が向上する。また、メッキ部品の製造方法における、無電解メッキ抑制組成物の乾燥性向上の観点からは、アルコールに含まれる炭素数は、2〜6個が好ましい。同様の観点から、アルコールは、1価アルコール又は2価アルコールであることが好ましく、1価のアルコールであることがより好ましい。 The solvent may further include alcohol. The alcohol contained in the solvent is a compound different from the glycol ether described above. When the solvent contains alcohol together with glycol ether, the dispersion stability of the catalytic activity interfering agent is improved. Further, from the viewpoint of improving the drying property of the electroless plating suppressing composition in the method for producing plated parts, the number of carbon atoms contained in the alcohol is preferably 2 to 6. From the same viewpoint, the alcohol is preferably a monohydric alcohol or a divalent alcohol, and more preferably a monohydric alcohol.

アルコールは、炭化水素基と水酸基とから構成されてもよい。この場合、アルコールは、水酸基に含まれる酸素原子以外に酸素原子を含まず、例えば、エーテル結合を含まない。アルコールに含まれる炭化水素基は、直鎖でもよいし、分岐鎖でもよい。炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよい。 The alcohol may be composed of a hydrocarbon group and a hydroxyl group. In this case, the alcohol does not contain an oxygen atom other than the oxygen atom contained in the hydroxyl group, and does not contain, for example, an ether bond. The hydrocarbon group contained in the alcohol may be a straight chain or a branched chain. The hydrocarbon group may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group.

アルコールは、例えば、エタノール、1‐プロパノール(n‐プロパノール)、2‐プロパノール(イソプロピルアルコール)、1‐ブタノール(n‐ブタノール)、2‐ブタノール、1‐ペンタノール(n‐ペンタノール)、1‐ヘキサノール(n‐ヘキサノール)、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、1,3−ブタンジオール、1,2−ヘキサンジオールが挙げられ、中でも、エタノール、2‐プロパノール、n‐ブタノールが好ましい。これらのアルコールを用いることで、触媒活性妨害剤の分散安定性が更に向上する。これらのアルコールは、単独で用いてもよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。 Alcohols include, for example, ethanol, 1-propanol (n-propanol), 2-propanol (isopropyl alcohol), 1-butanol (n-butanol), 2-butanol, 1-pentanol (n-pentanol), 1-. Hexanol (n-hexanol), ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, 1,3-butandiol, 1,2-hexanediol can be mentioned, and ethanol, 2-propanol and n-butanol are preferable. By using these alcohols, the dispersion stability of the catalytic activity interfering agent is further improved. These alcohols may be used alone or in combination of two or more.

無電解メッキ抑制組成物中において、グリコールエーテルの配合量(X)の、前記アルコールの配合量(Y)に対する重量比(X/Y)は特に限定されないが、触媒活性妨害剤の分散性、分散安定性及びメッキ抑制効果のバランスを取る観点からは、重量比(X/Y)=2/98〜100/0、2/98〜80/20、5/95〜80/20、又は、5/95〜49/51が好ましい。また、触媒活性妨害剤の分散性向上の観点からは、重量比(X/Y)=5/95〜100/0がより好ましく、触媒活性妨害剤の分散安定性向上の観点からは、重量比(X/Y)=2/98〜49/51がより好ましい。また、メッキ部品の製造方法において、溶剤による基材の変形を抑制し、基材選択の幅を広げる観点からは、例えば、重量比(X/Y)=40/60〜60/40が好ましい。 In the electroless plating suppressing composition, the weight ratio (X / Y) of the blended amount (X) of glycol ether to the blended amount (Y) of the alcohol is not particularly limited, but the dispersibility and dispersion of the catalytic activity interfering agent are not particularly limited. From the viewpoint of balancing the stability and the plating suppressing effect, the weight ratio (X / Y) = 2/98 to 100/0, 2/98 to 80/20, 5/95 to 80/20, or 5 / 95 to 49/51 is preferable. Further, the weight ratio (X / Y) = 5/95 to 100/0 is more preferable from the viewpoint of improving the dispersibility of the catalytic activity interfering agent, and the weight ratio is more preferable from the viewpoint of improving the dispersion stability of the catalytic activity interfering agent. (X / Y) = 2/98 to 49/51 is more preferable. Further, in the method for manufacturing plated parts, for example, the weight ratio (X / Y) = 40/60 to 60/40 is preferable from the viewpoint of suppressing deformation of the base material due to the solvent and expanding the range of selection of the base material.

また、触媒活性妨害剤の分散性向上の観点からは、触媒活性妨害剤の配合量(Z)の、グリコールエーテルの配合量(X)に対する重量比は、例えば、(Z/X)×100=0.4重量%〜25.0重量%が好ましく、1.02重量%〜10.0重量%がより好ましい。 From the viewpoint of improving the dispersibility of the catalytic activity interfering agent, the weight ratio of the catalytic activity interfering agent compounding amount (Z) to the glycol ether compounding amount (X) is, for example, (Z / X) × 100 =. It is preferably 0.4% by weight to 25.0% by weight, more preferably 1.02% by weight to 10.0% by weight.

溶剤は、グリコールエーテルのみから構成されてもよいし、グリコールエーテル及びアルコールのみから構成されてもよいし、本実施形態の効果を阻害しない範囲で、グリコールエーテル及びアルコールに加えて他の有機溶剤等を含んでもよい。また、無電解メッキ抑制組成物中における、グリコールエーテルの配合量(X)又は、グリコールエーテルとアルコールとの合計配合量(X+Y)は、例えば、90重量%〜99重量%、又は、95重量%〜99重量%である。 The solvent may be composed of only glycol ether or only glycol ether and alcohol, and may be composed of other organic solvents in addition to glycol ether and alcohol as long as the effects of the present embodiment are not impaired. May include. Further, the blending amount (X) of glycol ether or the total blending amount (X + Y) of glycol ether and alcohol in the electroless plating suppressing composition is, for example, 90% by weight to 99% by weight, or 95% by weight. ~ 99% by weight.

本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤及び溶剤のみから構成されてもよい。また、本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤及び溶剤に加えて、濡れ性調整剤等、汎用の添加剤を含んでもよい。 The electroless plating suppressing composition of the present embodiment may be composed only of a catalytic activity interfering agent and a solvent. Further, the electroless plating suppressing composition of the present embodiment may contain a general-purpose additive such as a wettability adjusting agent in addition to the catalytic activity interfering agent and the solvent.

本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、汎用の方法により調製できる。例えば、無電解メッキ抑制組成物は、撹拌機、超音波分散機、ミキサー等汎用の装置を用いて、触媒活性妨害剤と、グリコールエーテルを含む溶剤と、必要により、その他の添加剤とを混合して調製できる。 The electroless plating suppression composition of the present embodiment can be prepared by a general-purpose method. For example, the electroless plating suppressing composition is prepared by mixing a catalytic activity interfering agent, a solvent containing glycol ether, and if necessary, other additives using a general-purpose device such as a stirrer, an ultrasonic disperser, or a mixer. Can be prepared.

本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、例えば、以下の効果を奏する。無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤を含む。メッキ部品の製造方法において、基材の無電解メッキ膜の形成を予定していない部分に、本実施形態の無電解メッキ抑制組成物を付与することにより、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分での無電解メッキ膜の生成を抑制できる。これにより、メッキ膜を有する部分と、メッキ膜を有さない部分とのコントラストが明確なメッキ部品を製造できる。 The electroless plating suppressing composition of the present embodiment has the following effects, for example. The electroless plating suppressing composition contains a catalytic activity interfering agent. In the method for manufacturing plated parts, by applying the electroless plating suppressing composition of the present embodiment to a portion where the electroless plating film of the base material is not planned to be formed, it depends on the type, shape and state of the base material. It is possible to suppress the formation of the electroless plating film in the portion where the formation of the electroless plating film is not planned. As a result, it is possible to manufacture a plated part having a clear contrast between the portion having the plating film and the portion having no plating film.

また、無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤を分散する分散媒として、グリコールエーテルを含む溶剤を用いる。グリコールエーテルは、触媒活性妨害剤を良好に分散する良分散媒である。また、例えば、メチルエチルケトン(MEK)、酢酸エチル等の溶剤は、多くの種類の樹脂基材を侵食するが、グリコールエーテルは、樹脂基材を侵食し難い。したがって、グリコールエーテルを分散媒とすることで、基材の選択の幅が広がる。 Further, the electroless plating suppressing composition uses a solvent containing glycol ether as a dispersion medium for dispersing the catalytic activity interfering agent. Glycol ether is a good dispersion medium that satisfactorily disperses catalytic activity interfering agents. Further, for example, solvents such as methyl ethyl ketone (MEK) and ethyl acetate erode many kinds of resin base materials, but glycol ethers do not easily erode the resin base material. Therefore, by using glycol ether as the dispersion medium, the range of choice of the base material is widened.

本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、溶剤として、更にアルコールを含んでもよい。アルコールも、樹脂基材を侵食し難い。また、グリコールエーテルに加えてアルコールを含むことで、触媒活性妨害剤の分散安定性が更に向上し、長期間、安定に分散状態を維持できる。このメカニズムは、次のように推測される。グリコールエーテルは、触媒活性妨害剤を分散し易い溶剤(良分散媒)であるが、良分散媒中において触媒活性妨害剤は広がり易いため、時間経過と共に凝集が生じる虞がある。一方、アルコールは、触媒活性妨害剤を分散しない又は分散し難い溶剤(貧分散媒)である。即ち、アルコールに対する触媒活性妨害剤の分散性(初期の分散性)は不良である。発明者らは、良分散媒であるグリコールエーテルと、貧分散媒であるアルコールを混合することで、分散性と分散安定性を両立できることを見出した。これは、混合溶剤中において、グリコールエーテルにより分散している触媒活性妨害剤の広がりが、貧分散媒であるアルコールにより適度に抑制されるためだと推測される。ただし、このメカニズムは推定に過ぎず、本発明はこれに限定されない。 The electroless plating suppressing composition of the present embodiment may further contain alcohol as a solvent. Alcohol also does not easily erode the resin base material. Further, by containing alcohol in addition to glycol ether, the dispersion stability of the catalytic activity interfering agent is further improved, and the dispersed state can be stably maintained for a long period of time. This mechanism is presumed as follows. Glycol ether is a solvent (good dispersion medium) that easily disperses the catalytic activity interfering agent, but since the catalytic activity interfering agent easily spreads in the good dispersion medium, aggregation may occur over time. On the other hand, alcohol is a solvent (poor dispersion medium) that does not disperse or is difficult to disperse the catalytic activity interfering agent. That is, the dispersibility (initial dispersibility) of the catalytic activity interfering agent with respect to alcohol is poor. The inventors have found that by mixing glycol ether, which is a good dispersion medium, and alcohol, which is a poor dispersion medium, both dispersibility and dispersion stability can be achieved. It is presumed that this is because the spread of the catalytic activity interfering agent dispersed by the glycol ether in the mixed solvent is appropriately suppressed by the alcohol which is the poor dispersion medium. However, this mechanism is only an estimation, and the present invention is not limited thereto.

触媒活性妨害剤の分散性及び分散安定性をより高める観点から、アルコールは、エタノール、1‐プロパノール、2‐プロパノール、1‐ブタノール、2‐ブタノール、1‐ペンタノール、1‐ヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、1,3−ブタンジオール、及び1,2−ヘキサンジオールからなる群から選択される少なくとも1つであり、且つ、グリコールエーテルは、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、及びエチレングリコールジメチルエーテルからなる群から選択される少なくとも1つであることが好ましい。また、同様の観点から、触媒活性妨害剤は、ポリマーであり、触媒活性妨害剤の重量平均分子量が1,000〜1,000,000であることが好ましく、無電解メッキ抑制組成物中において、触媒活性妨害剤の配合量が、0.2重量%〜5.0重量%であることが好ましい。更に、上述した特定のアルコール及び特定のグリコールを含む溶剤と、上述した特定の配合量の、特定の重量平均分子量を有するポリマーである触媒活性妨害剤とを組み合わせることで、触媒活性妨害剤の分散性及び分散安定性を更により高めることができる。 From the viewpoint of further enhancing the dispersibility and dispersion stability of the catalytic activity interfering agent, alcohols include ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, and ethylene glycol. At least one selected from the group consisting of propylene glycol, diethylene glycol, 1,3-butanediol, and 1,2-hexanediol, and the glycol ether is ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol. It is preferably at least one selected from the group consisting of monomethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and ethylene glycol dimethyl ether. From the same viewpoint, the catalytic activity interfering agent is a polymer, and the weight average molecular weight of the catalytic activity interfering agent is preferably 1,000 to 1,000,000. The blending amount of the catalytic activity interfering agent is preferably 0.2% by weight to 5.0% by weight. Further, by combining the above-mentioned solvent containing a specific alcohol and a specific glycol with the above-mentioned catalytic activity interfering agent which is a polymer having a specific weight average molecular weight in a specific blending amount, the catalytic activity interfering agent is dispersed. The property and dispersion stability can be further enhanced.

本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤の分散安定性が高い。このため、例えば、メッキ部品の製造方法において、無電解メッキ抑制組成物を長時間に亘って使用しても、無電解メッキ抑制組成物中に凝集や沈殿が生じ難く、触媒活性妨害剤の濃度を均一に維持し易い。したがって、本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、例えば、メッキ部品の大量生産に使用可能である。 The electroless plating suppressing composition of the present embodiment has high dispersion stability of the catalytic activity interfering agent. Therefore, for example, in the method for manufacturing plated parts, even if the electroless plating suppressing composition is used for a long period of time, aggregation and precipitation are unlikely to occur in the electroless plating suppressing composition, and the concentration of the catalytic activity interfering agent. Is easy to maintain uniformly. Therefore, the electroless plating suppressing composition of the present embodiment can be used, for example, for mass production of plated parts.

[メッキ部品の製造方法]
図1に示すフローチャートに従って、本実施形態のメッキ部品の製造方法について説明する。本実施形態で製造するメッキ部品は、選択的にメッキ膜が形成されたメッキ部品であり、基材の表面の一部(所定パターン、所定部分)に無電解メッキ膜が形成されており、それ以外の部分には無電解メッキ膜が形成されていない。
[Manufacturing method of plated parts]
A method for manufacturing the plated parts of the present embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG. The plated parts manufactured in the present embodiment are plated parts on which a plating film is selectively formed, and an electroless plating film is formed on a part of the surface of the base material (predetermined pattern, predetermined portion). The electroless plating film is not formed on the parts other than the above.

まず、基材の表面に、上述した本実施形態の無電解メッキ抑制組成物を付与する(図1のステップS1)。 First, the electroless plating suppressing composition of the present embodiment described above is applied to the surface of the base material (step S1 in FIG. 1).

基材の材料は特に限定されないが、表面に無電解メッキ膜を形成する観点から絶縁体が好ましく、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、セラミックス及びガラス等を用いることができる。中でも、成形の容易性から、基材は、樹脂から形成される樹脂基材が好ましい。 The material of the base material is not particularly limited, but an insulator is preferable from the viewpoint of forming an electroless plating film on the surface, and for example, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, ceramics, glass or the like may be used. it can. Above all, a resin base material formed of a resin is preferable as the base material from the viewpoint of ease of molding.

熱可塑性樹脂としては、ナイロン6(PA6)、ナイロン66(PA66)、ナイロン12(PA12)、ナイロン11(PA11)、ナイロン6T(PA6T)、ナイロン9T(PA9T)、10Tナイロン、11Tナイロン、ナイロンMXD6(PAMXD6)、ナイロン9T・6T共重合体、ナイロン6・66共重合体等のポリアミドを用いることができる。ポリアミド以外の樹脂としては、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート(PC)、アモルファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ABS樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリアミドイミド、ポリ乳酸、ポリカプロラクトン、液晶ポリマー(LCP)、シクロオレフィンポリマー等を用いることができる。中でも、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリカーボネート(PC)、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体(ABS樹脂)、液晶ポリマー(LCP)、ナイロン6(PA6)は、汎用性が高く、また、本実施形態の無電解メッキ抑制組成物の溶剤は、これらの熱可塑性樹脂を含む基材を変形させる虞が少ないため、基材の材料として好ましい。尚、これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いてもよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。 Examples of the thermoplastic resin include nylon 6 (PA6), nylon 66 (PA66), nylon 12 (PA12), nylon 11 (PA11), nylon 6T (PA6T), nylon 9T (PA9T), 10T nylon, 11T nylon, and nylon MXD6. Polyamides such as (PAMXD6), nylon 9T / 6T copolymer, and nylon 6.66 copolymer can be used. Resins other than polyamide include polypropylene, polymethylmethacrylate, polycarbonate (PC), amorphous polyolefin, polyetherimide, polyethylene terephthalate, polyetheretherketone, ABS resin, polyphenylene sulfide (PPS), polyamideimide, polylactic acid, and polycaprolactone. , Liquid liquid polymer (LCP), cycloolefin polymer and the like can be used. Among them, polyphenylene sulfide (PPS), polycarbonate (PC), acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS resin), liquid crystal polymer (LCP), and nylon 6 (PA6) are highly versatile and of the present embodiment. The solvent of the electroless plating suppressing composition is preferable as a material for the base material because there is little possibility of deforming the base material containing these thermoplastic resins. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.

熱硬化性樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。透明な熱硬化性樹脂を用いることで、透明でハンダリフロー耐性を有するデバイス(メッキ部品)を製造できる。光硬化性樹脂としては、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等を用いることができる。また、セラミックスとしては、アルミナ、窒化アルミ、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウム、シリコンウエハ等を用いることができる。 As the thermosetting resin, a silicone resin, an epoxy resin, or the like can be used. By using a transparent thermosetting resin, a transparent device (plated part) having solder reflow resistance can be manufactured. As the photocurable resin, acrylic resin, silicone resin, epoxy resin, polyimide and the like can be used. Further, as the ceramics, alumina, aluminum nitride, lead zirconate titanate (PZT), barium titanate, silicon wafer and the like can be used.

本実施形態で用いる基材は、市販品であってもよいし、市販の材料から成形等により製造してもよい。また、本実施形態で用いる基材は、内部に発泡セルを有する発泡成形体であってもよい。 The base material used in this embodiment may be a commercially available product, or may be manufactured from a commercially available material by molding or the like. Further, the base material used in the present embodiment may be a foam molded product having a foam cell inside.

基材上に付与された無電解メッキ抑制組成物は、基材上で触媒活性妨害層(妨害層)を形成することが好ましい。妨害層は、基材の耐熱性等の物性や誘電率等の電気特性に影響を与えないように、薄い方が好ましい。妨害層の厚みは、例えば、5000nm以下が好ましく、1000nm以下がより好ましく、300nm以下が更により好ましい。一方で、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する観点からは、例えば、10nm以上が好ましく、30nm以上がより好ましく、50nm以上が更により好ましい。尚、所定パターン以外での無電解メッキ膜の生成を抑制する観点から、妨害層は、後述する無電解メッキ工程において、少なくとも無電解メッキ液と接触する基材表面の領域に形成することが好ましく、基材の表面全面に形成することがより好ましい。 The electroless plating suppressing composition applied on the substrate preferably forms a catalytically active interfering layer (interfering layer) on the substrate. The interfering layer is preferably thin so as not to affect the physical properties such as heat resistance of the base material and the electrical characteristics such as the dielectric constant. The thickness of the interfering layer is, for example, preferably 5000 nm or less, more preferably 1000 nm or less, and even more preferably 300 nm or less. On the other hand, from the viewpoint of interfering with the catalytic activity of the electroless plating catalyst, for example, 10 nm or more is preferable, 30 nm or more is more preferable, and 50 nm or more is even more preferable. From the viewpoint of suppressing the formation of the electroless plating film other than the predetermined pattern, the interfering layer is preferably formed at least in the region of the substrate surface that comes into contact with the electroless plating solution in the electroless plating step described later. , It is more preferable to form it on the entire surface of the base material.

基材の表面に妨害層を形成する方法は、特に限定されない。例えば、無電解メッキ抑制組成物を基材に塗布してもよいし、無電解メッキ抑制組成物に基材を浸漬してもよい。具体的な形成方法としては、ディップコート、スクリーンコート、スプレーコート等が挙げられる。中でも、形成される妨害層の均一性と作業の簡便性の観点から、無電解メッキ抑制組成物に基材を浸漬する方法(ディップコート)が好ましい。 The method for forming the interfering layer on the surface of the base material is not particularly limited. For example, the electroless plating suppressing composition may be applied to the base material, or the base material may be immersed in the electroless plating suppressing composition. Specific examples of the forming method include dip coating, screen coating, spray coating and the like. Above all, a method (dip coating) of immersing the base material in the electroless plating suppressing composition is preferable from the viewpoint of the uniformity of the forming interfering layer and the convenience of work.

無電解メッキ抑制組成物に基材を浸漬するときの無電解メッキ抑制組成物の温度及び浸漬時間は特に限定されず、触媒活性妨害剤の種類、形成される妨害層の膜厚等を考慮して適宜決定できる。無電解メッキ抑制組成物の温度は、例えば、0℃〜100℃、又は10℃〜50℃であり、浸漬時間は、例えば、1秒〜10分、又は5秒〜2分である。 The temperature and immersion time of the electroless plating suppressing composition when the base material is immersed in the electroless plating suppressing composition are not particularly limited, and the type of catalytic activity interfering agent, the film thickness of the interfering layer to be formed, and the like are taken into consideration. Can be decided as appropriate. The temperature of the electroless plating suppressing composition is, for example, 0 ° C. to 100 ° C., or 10 ° C. to 50 ° C., and the immersion time is, for example, 1 second to 10 minutes, or 5 seconds to 2 minutes.

次に、無電解メッキ抑制組成物を付与した基材の表面の一部を加熱又は光照射する(図1のステップS2)。光を照射する方法は、特に限定されず、例えば、レーザー光を基材の表面に所定パターンに従って照射する方法(レーザー描画)や、光を照射しない部分をマスクした後に、基材の表面全体に光を照射する方法等が挙げられる。基材の表面の一部に光を照射することにより、光が熱に変換され、基材の表面は加熱されると推測される。また、基材の表面に光を照射せずに基材の表面を加熱する方法としては、凸部によりパターンが形成された簡易金型等で基材の表面を直接、熱プレスする方法が挙げられる。作業の簡便性及び加熱部分の選択性に優れていること、更に、パターンの変更及び微細化が容易であることから、レーザー描画により基材を加熱することが好ましい。 Next, a part of the surface of the base material to which the electroless plating suppressing composition is applied is heated or irradiated with light (step S2 in FIG. 1). The method of irradiating the light is not particularly limited, and for example, a method of irradiating the surface of the base material with laser light according to a predetermined pattern (laser drawing), or after masking a portion not irradiated with light, the entire surface of the base material is covered. Examples include a method of irradiating light. It is presumed that by irradiating a part of the surface of the base material with light, the light is converted into heat and the surface of the base material is heated. Further, as a method of heating the surface of the base material without irradiating the surface of the base material with light, a method of directly heat-pressing the surface of the base material with a simple mold or the like in which a pattern is formed by convex portions can be mentioned. Be done. It is preferable to heat the base material by laser drawing because the work is easy, the selectivity of the heated portion is excellent, and the pattern can be easily changed and miniaturized.

レーザー光は、例えば、COレーザー、YVOレーザー、YAGレーザー等のレーザー装置を用いて照射でき、これらのレーザー装置は、妨害層に用いる触媒活性妨害剤の種類に応じて適宜選択できる。 The laser light can be irradiated by using a laser device such as a CO 2 laser, a YVO 4 laser, or a YAG laser, and these laser devices can be appropriately selected depending on the type of the catalytically active interfering agent used for the interfering layer.

加熱又は光照射された基材の表面の一部(加熱部分)において、妨害層は除去される。ここで、「妨害層の除去」とは、例えば、加熱部分の妨害層が、蒸発により消失することを意味する。妨害層が付与された基材の表面に、所定パターンのレーザー描画を行うことにより、所定パターンの妨害層除去部分と、妨害層が残存している妨害層残存部分とを形成できる。尚、加熱部分である妨害層除去部分では、妨害層と共に基材の表層部分が蒸発して消失してもよい。また、「妨害層の除去」とは、妨害層が完全に消失するだけでなく、後工程の無電解メッキ処理の進行に影響がない程度に妨害層が残存する場合も含む。妨害層が残存していても、後工程の無電解メッキ処理に影響なければ、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する作用が消失したことになる。更に、本実施形態では、妨害層の加熱部分が変性又は変質して妨害層として作用しなくなる場合も、「妨害層の除去」に含める。例えば、触媒活性妨害剤がアミド基/アミノ基含有ポリマーである場合、アミド基及び/又はアミノ基が変性又は変質し、その結果、アミド基/アミノ基含有ポリマーが無電解メッキ触媒をトラップできない場合が挙げられる。この場合、妨害層の加熱部分は完全に消失するのではなく、変性物(変質物)が残存する。この変性物は、触媒活性を妨害しない。このため、妨害層が変性又は変質した部分も、妨害層が消失した妨害層除去部分と同様の作用を生じる。 The interfering layer is removed on a portion of the surface (heated portion) of the surface of the heated or light-irradiated substrate. Here, "removal of the interfering layer" means, for example, that the interfering layer in the heated portion disappears by evaporation. By performing a laser drawing of a predetermined pattern on the surface of the base material to which the disturbing layer is applied, a disturbing layer removing portion of the predetermined pattern and a disturbing layer remaining portion in which the disturbing layer remains can be formed. In the disturbing layer removing portion, which is the heating portion, the surface layer portion of the base material may evaporate and disappear together with the disturbing layer. Further, the “removal of the interfering layer” includes not only the case where the interfering layer completely disappears but also the case where the interfering layer remains to the extent that it does not affect the progress of the electroless plating treatment in the subsequent step. Even if the interfering layer remains, if it does not affect the electroless plating treatment in the subsequent step, the action of interfering with the catalytic activity of the electroless plating catalyst disappears. Further, in the present embodiment, the case where the heated portion of the disturbing layer is denatured or deteriorated so as not to act as the disturbing layer is also included in "removal of the disturbing layer". For example, if the catalytic activity interfering agent is an amide group / amino group-containing polymer, the amide group and / or the amino group is modified or altered, and as a result, the amide group / amino group-containing polymer cannot trap the electroless plating catalyst. Can be mentioned. In this case, the heated portion of the interfering layer does not completely disappear, but a modified product (altered product) remains. This modified product does not interfere with catalytic activity. Therefore, the portion where the disturbing layer is denatured or altered also has the same effect as the portion where the disturbing layer disappears.

次に、加熱又は光照射した基材の表面に無電解メッキ触媒を付与する(図1のステップS3)。無電解メッキ触媒を基材の表面に付与する方法は、特に限定されない。例えば、センシタイザー・アクチベータ法、キャタライザー・アクセラレータ法等、汎用の方法により、無電解メッキ触媒を基材に付与してもよい。また、例えば、特開2017−036486号公報に開示されている塩化パラジウム等の金属塩を含むメッキ触媒液を用いて、基材の表面に無電解メッキ触媒を付与してもよい。尚、金属塩を含むメッキ触媒液としては、市販のアクチベータ処理液を用いてもよい。 Next, an electroless plating catalyst is applied to the surface of the base material that has been heated or irradiated with light (step S3 in FIG. 1). The method of applying the electroless plating catalyst to the surface of the base material is not particularly limited. For example, the electroless plating catalyst may be applied to the substrate by a general-purpose method such as a sensitizer / activator method or a catalyzer / accelerator method. Further, for example, an electroless plating catalyst may be applied to the surface of the base material by using a plating catalyst solution containing a metal salt such as palladium chloride disclosed in JP-A-2017-036486. As the plating catalyst solution containing the metal salt, a commercially available activator treatment solution may be used.

次に、基材の表面に無電解メッキ液を接触させる(図1のステップS4)。基材表面には、妨害層が残存している妨害層残存部分と、加熱等により妨害層が除去された、所定パターンの妨害層除去部分が存在する。この基材表面に無電解メッキ触媒を付与して、無電解メッキ液を接触させることにより、所定パターンの妨害層除去部分のみに、無電解メッキ膜を形成できる。 Next, the electroless plating solution is brought into contact with the surface of the base material (step S4 in FIG. 1). On the surface of the base material, there are a remaining part of the disturbing layer in which the disturbing layer remains and a portion of removing the disturbing layer having a predetermined pattern in which the disturbing layer is removed by heating or the like. By applying an electroless plating catalyst to the surface of the base material and bringing it into contact with the electroless plating solution, an electroless plating film can be formed only on the part where the disturbing layer is removed in a predetermined pattern.

無電解メッキ液としては、目的に応じて任意の汎用の無電解メッキ液を使用しできるが、触媒活性が高く液が安定であるという点から、無電解ニッケルリンメッキ液、無電解銅メッキ液、無電解ニッケルメッキ液が好ましい。 As the electroless plating solution, any general-purpose electroless plating solution can be used depending on the purpose, but from the viewpoint of high catalytic activity and stable solution, electroless nickel phosphorus plating solution and electroless copper plating solution , Electroless nickel plating solution is preferable.

無電解メッキ膜上には、更に、異なる種類の無電解メッキ膜を形成してもよいし、電解メッキにより電解メッキ膜を形成してもよい。基材上のメッキ膜の総厚みを厚くすることにより、所定パターンのメッキ膜を電気回路として用いた場合に電気抵抗を小さくできる。メッキ膜の電気抵抗を下げる観点から、無電解メッキ膜上に積層するメッキ膜は、無電解銅メッキ膜、電解銅メッキ膜、電解ニッケルメッキ膜等が好ましい。また、電気的に孤立した回路には電解メッキを行えないため、このような場合は、無電解メッキにより、基材上のメッキ膜の総厚みを厚くすることが好ましい。また、ハンダリフローに対応できるようメッキ膜パターンのハンダ濡れ性を向上させるために、錫、金、銀等のメッキ膜をメッキ膜パターンの最表面に形成してもよい。 A different type of electroless plating film may be further formed on the electroless plating film, or an electroless plating film may be formed by electroplating. By increasing the total thickness of the plating film on the base material, the electric resistance can be reduced when the plating film having a predetermined pattern is used as an electric circuit. From the viewpoint of reducing the electrical resistance of the plating film, the plating film laminated on the electroless plating film is preferably an electroless copper plating film, an electrolytic copper plating film, an electroless nickel plating film or the like. Further, since electrolytic plating cannot be performed on an electrically isolated circuit, in such a case, it is preferable to increase the total thickness of the plating film on the base material by electroless plating. Further, in order to improve the solder wettability of the plating film pattern so as to correspond to solder reflow, a plating film of tin, gold, silver or the like may be formed on the outermost surface of the plating film pattern.

本実施形態のメッキ部品の製造方法は、無電解メッキ抑制組成物を用いることにより、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分での無電解メッキ膜の生成を抑制できる。本実施形態のメッキ部品の製造方法は、メッキ膜を有する部分と、メッキ膜を有さない部分とのコントラストが明確なメッキ部品を製造できる。 In the method for manufacturing the plated parts of the present embodiment, by using the electroless plating suppressing composition, the formation of the electroless plating film is not planned in the portion regardless of the type, shape and state of the base material. The formation of electroless plating film can be suppressed. The method for manufacturing a plated part of the present embodiment can manufacture a plated part having a clear contrast between a portion having a plating film and a portion having no plating film.

本実施形態のメッキ部品の製造方法で用いる無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤の分散安定性が高い。このため、長時間に亘って使用しても、無電解メッキ抑制組成物内において、凝集や沈殿は生じ難く、触媒活性妨害剤の濃度を均一に維持し易い。したがって、本実施形態のメッキ部品の製造方法は、メッキ部品の大量生産に適している。 The electroless plating suppressing composition used in the method for producing plated parts of the present embodiment has high dispersion stability of a catalytic activity interfering agent. Therefore, even if it is used for a long time, aggregation and precipitation are unlikely to occur in the electroless plating suppressing composition, and it is easy to maintain a uniform concentration of the catalytic activity interfering agent. Therefore, the method for manufacturing plated parts of the present embodiment is suitable for mass production of plated parts.

尚、上述したメッキ部品の製造方法では、基材に無電解メッキ抑制組成物を付与し(図1のステップS1)、その後、基材の表面の一部を加熱又は光照射する(図1のステップS2)。しかし、本実施形態は、これに限定されず、基材の表面の一部を加熱又は光照射し(図1のステップS2)、その後、基材に無電解メッキ抑制組成物を付与してもよい。例えば、レーザー描画(光照射)した基材の表面は粗化されるため、その上に無電解メッキ抑制組成物を付与しても、無電解メッキを抑制するのに十分な妨害層が形成されない。このため、レーザー描画部分にのみ、選択的にメッキ膜を形成できる。 In the method for manufacturing plated parts described above, an electroless plating suppressing composition is applied to a base material (step S1 in FIG. 1), and then a part of the surface of the base material is heated or irradiated with light (FIG. 1). Step S2). However, the present embodiment is not limited to this, and a part of the surface of the base material may be heated or irradiated with light (step S2 in FIG. 1), and then the electroless plating suppressing composition may be applied to the base material. Good. For example, since the surface of the base material drawn by laser drawing (light irradiation) is roughened, even if an electroless plating suppressing composition is applied thereto, a sufficient interfering layer for suppressing electroless plating is not formed. .. Therefore, the plating film can be selectively formed only on the laser drawing portion.

以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例及び比較例により制限されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples and Comparative Examples.

以下に説明する方法により、試料1〜28(無電解メッキ抑制組成物)を調製した。試料1〜28の組成を表1〜5に示す。また、試料1〜6及び8〜28の無電解メッキ抑制組成物は本発明の実施例に相当し、試料7は本発明の比較例に相当する。 Samples 1-28 (electroless plating suppressing composition) were prepared by the method described below. The compositions of Samples 1-28 are shown in Tables 1-5. Further, the electroless plating suppressing compositions of Samples 1 to 6 and 8 to 28 correspond to the examples of the present invention, and Sample 7 corresponds to the comparative example of the present invention.

[試料1]
触媒活性妨害剤として、下記式(5)で表されるハイパーブランチポリマーを、国際公開第2018/131492号に開示される方法により合成した。
[Sample 1]
As a catalytic activity interfering agent, a hyperbranched polymer represented by the following formula (5) was synthesized by the method disclosed in International Publication No. 2018/131492.

Figure 2021046614
Figure 2021046614

式(5)で表されるハイパーブランチポリマーは、式(1)で表されるポリマーであり、式(1)において、Aが式(2)で表される基であり;Aが式(3)で表される基であって、R1が単結合であり、R2が水素であり、Rがイソプロピル基であり;Aが式(4)で表されるジチオカルバメート基であり、R及びRがエチル基であり、Rがビニル基又はエチル基である。 The hyperbranched polymer represented by the formula (5) is a polymer represented by the formula (1), and in the formula (1), A 1 is a group represented by the formula (2); A 2 is a formula. The group represented by (3), R 1 is a single bond, R 2 is hydrogen, R 3 is an isopropyl group; A 3 is a dithiocarbamate group represented by the formula (4). Yes, R 4 and R 5 are ethyl groups, and R 0 is a vinyl or ethyl group.

合成したハイパーブランチポリマーの分子量をGPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)で測定した。分子量は、数平均分子量(Mn)=9,946、重量平均分子量(Mw)=24,792であり、ハイパーブランチ構造独特の数平均分子量(Mn)と重量平均分子量(Mw)とが大きく異なった値であった。 The molecular weight of the synthesized hyperbranched polymer was measured by GPC (gel permeation chromatography). The molecular weights were number average molecular weight (Mn) = 9,946 and weight average molecular weight (Mw) = 24,792, and the number average molecular weight (Mn) and weight average molecular weight (Mw) peculiar to the hyperbranched structure were significantly different. It was a value.

合成した式(5)で表されるハイパーブランチポリマー、濡れ性調整剤、グリコールエーテルを表1に示す組成比率で混合した後、混合物をアズワン社製トルネード撹拌機を用いて約30分、攪拌分散し、試料1(無電解メッキ抑制組成物)を調製した。 After mixing the synthesized hyperbranched polymer represented by the formula (5), the wettability adjusting agent, and glycol ether at the composition ratios shown in Table 1, the mixture is stirred and dispersed using an AS ONE tornado stirrer for about 30 minutes. Then, Sample 1 (electroless plating suppressing composition) was prepared.

[試料2〜6]
試料2〜6は、更にアルコールを含むこと、グリコールエーテルの配合量(X)の、アルコールの配合量(Y)に対する重量比(X/Y)を表1に示す値としたこと以外は、試料1と同様の方法により調製した。
[Samples 2-6]
Samples 2 to 6 are samples except that they further contain alcohol and the weight ratio (X / Y) of the glycol ether compounding amount (X) to the alcohol compounding amount (Y) is set to the value shown in Table 1. It was prepared by the same method as in 1.

[試料7]
試料7は、グリコールエーテルを含まず、代わりにアルコールを含むこと以外は、試料1と同様の方法により調製した。
[Sample 7]
Sample 7 was prepared by the same method as that of Sample 1 except that it did not contain glycol ether and instead contained alcohol.

[試料8〜23]
試料8〜23は、更にアルコールを含むこと、グリコールエーテル及びアルコールとして、表2及び表3に示す化合物を用いたこと以外は、試料1と同様の方法により調製した。
[Samples 8-23]
Samples 8 to 23 were prepared in the same manner as in Sample 1 except that they further contained alcohol and the compounds shown in Tables 2 and 3 were used as glycol ether and alcohol.

[試料24〜28]
試料24〜28は、更にアルコールを含むこと、グリコールエーテル及び触媒活性妨害剤の配合量を表4に示す値としたこと以外は、試料1と同様の方法により調製した。
[Samples 24-28]
Samples 24 to 28 were prepared in the same manner as in Sample 1 except that they further contained alcohol and the blending amounts of glycol ether and catalytic activity interfering agent were set to the values shown in Table 4.

[評価方法]
試料1〜28について、以下の評価を行った。評価結果を表1〜表5に示す。尚、試料4の評価結果は、表1、表4及び表5に重複して示す。
[Evaluation methods]
The following evaluations were performed on Samples 1 to 28. The evaluation results are shown in Tables 1 to 5. The evaluation results of Sample 4 are shown in Tables 1, 4 and 5 in an overlapping manner.

(1)分散性
調製した試料1〜28(無電解メッキ抑制組成物)に含まれる触媒活性妨害剤の平均粒子径を粒度分布測定装置(BECKMAN COULTER製、N4 Plus)を用いて測定した。試料の分散性を以下の評価基準に基づいて評価した。尚、測定された平均粒子径が小さい程、試料における触媒活性妨害剤の分散性は良好であると判断できる。
(1) Dispersibility The average particle size of the catalytic activity interfering agent contained in the prepared samples 1-28 (electroless plating suppressing composition) was measured using a particle size distribution measuring device (manufactured by BECKMAN COULTER, N4 Plus). The dispersibility of the sample was evaluated based on the following evaluation criteria. It can be judged that the smaller the measured average particle size, the better the dispersibility of the catalytic activity interfering agent in the sample.

<分散性の評価基準>
○:触媒活性妨害剤の平均粒子径が150nm未満であった。
△:触媒活性妨害剤の平均粒子径が150nm以上、250nm未満であった。
×:触媒活性妨害剤の平均粒子径が、250nm以上であった。
<Evaluation criteria for dispersibility>
◯: The average particle size of the catalytic activity interfering agent was less than 150 nm.
Δ: The average particle size of the catalytic activity interfering agent was 150 nm or more and less than 250 nm.
X: The average particle size of the catalytic activity interfering agent was 250 nm or more.

(2)分散安定性
調製した試料1〜28(無電解メッキ抑制組成物)を密閉容器にそれぞれ収容し、密閉容器ごと60℃の恒温槽に1ヶ月保存した。保存前と保存後に、それぞれ、分散性の評価と同様の方法により各試料に含まれる触媒活性妨害剤の平均粒子径を測定した。保存前後における、触媒活性妨害剤の平均粒子径の変化率R(%)を以下の式により計算した。試料の分散安定性を以下の評価基準に基づいて評価した。尚、触媒活性妨害剤の平均粒子径の変化率R(%)が小さい程、試料の保存安定性は良好であると判断できる。

R(%)=(A−B)/B×100

A:保存後の触媒活性妨害剤の平均粒子径(nm)
B:保存前の触媒活性妨害剤の平均粒子径(nm)
(2) Dispersion stability The prepared samples 1 to 28 (electroless plating suppressing composition) were housed in closed containers, and the whole closed container was stored in a constant temperature bath at 60 ° C. for 1 month. Before and after storage, the average particle size of the catalytic activity interfering agent contained in each sample was measured by the same method as the evaluation of dispersibility. The rate of change R (%) of the average particle size of the catalytic activity interfering agent before and after storage was calculated by the following formula. The dispersion stability of the sample was evaluated based on the following evaluation criteria. It can be judged that the smaller the rate of change R (%) of the average particle size of the catalytic activity interfering agent, the better the storage stability of the sample.

R (%) = (AB) / B × 100

A: Average particle size (nm) of catalytic activity interfering agent after storage
B: Average particle size (nm) of catalytic activity interfering agent before storage

<分散安定性の評価基準>
○:触媒活性妨害剤の平均粒子径の変化率Rが10%未満であった。
△:触媒活性妨害剤の平均粒子径の変化率Rが10%以上、15%未満であった。
×:触媒活性妨害剤の平均粒子径の変化率Rが15%以上であった。
<Evaluation criteria for dispersion stability>
◯: The rate of change R of the average particle size of the catalytic activity interfering agent was less than 10%.
Δ: The rate of change R of the average particle size of the catalytic activity interfering agent was 10% or more and less than 15%.
X: The rate of change R of the average particle size of the catalytic activity interfering agent was 15% or more.

(3)メッキ抑制効果
以下に示す方法により、試料(無電解メッキ抑制組成物)のメッキ抑制効果について評価した。
(3) Plating suppressing effect The plating suppressing effect of the sample (electroless plating suppressing composition) was evaluated by the method shown below.

まず、汎用の射出成形機を用いてポリフェニレンサルファイド(PPS)を5cm×8cm×0.2cmの板状体に成形した。この板状体を基材として用いた。 First, polyphenylene sulfide (PPS) was molded into a plate-like body of 5 cm × 8 cm × 0.2 cm using a general-purpose injection molding machine. This plate-like body was used as a base material.

室温の試料1〜28それぞれに、基材を1秒間浸漬し、その後、85℃乾燥機中で5分間乾燥した。これにより、試料1〜23に浸漬した基材の表面に膜厚約70nmの触媒活性妨害層が形成された。試料24、25、26、27及び28に浸漬した基材の表面には、それぞれ、膜厚が約20nm、約40nm、約120nm、約250nm及び約600nmの触媒活性妨害層が形成された。触媒活性妨害層を形成した基材の表面に、市販の無電解メッキ用触媒液(奥野製薬工業製、センシタイザー、アクチベータ)を用い汎用の方法により、無電解メッキ触媒を付与した(センシタイザー・アクチベータ法)。次に、無電解メッキ触媒を付与した基材を60℃に調整した無電解ニッケルリンメッキ液(奥野製薬工業製、トップニコロンLPH−L、pH6.5)に10分間浸漬した。 The substrate was immersed in each of the samples 1 to 28 at room temperature for 1 second, and then dried in an 85 ° C. dryer for 5 minutes. As a result, a catalytic activity interfering layer having a film thickness of about 70 nm was formed on the surface of the base material immersed in the samples 1 to 23. On the surface of the base material immersed in the samples 24, 25, 26, 27 and 28, catalytic activity interfering layers having film thicknesses of about 20 nm, about 40 nm, about 120 nm, about 250 nm and about 600 nm were formed, respectively. An electroless plating catalyst was applied to the surface of the base material on which the catalytic activity interfering layer was formed by a general-purpose method using a commercially available electroless plating catalyst solution (manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., sensitizer, activator). Activator method). Next, the base material to which the electroless plating catalyst was applied was immersed in an electroless nickel phosphorus plating solution (manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., Top Nicolon LPH-L, pH 6.5) adjusted to 60 ° C. for 10 minutes.

上記処理を施した基材を目視で観察し、試料のメッキ抑制効果を以下の評価基準に基づいて評価した。尚、試料4については、PPSの基材に加えて、ポリカーボネート(PC)、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体(ABS樹脂)、液晶ポリマー(LCP)、ナイロン6(PA6)の基材、それぞれについても評価を行った。試料4のPPS基材以外のメッキ抑制効果の評価結果は、表5に示す。 The substrate subjected to the above treatment was visually observed, and the plating suppressing effect of the sample was evaluated based on the following evaluation criteria. Regarding sample 4, in addition to the base material of PPS, the base material of polycarbonate (PC), acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS resin), liquid crystal polymer (LCP), and nylon 6 (PA6), respectively. Also evaluated. Table 5 shows the evaluation results of the plating suppressing effect of Sample 4 other than the PPS substrate.

<メッキ抑制効果の評価基準>
○:基材表面に無電解メッキ膜が形成されなかった。
△:基材表面の1%未満の面積に無電解メッキ膜が形成された。
×:基材表面の1%以上の面積に無電解メッキ膜が形成された。
<Evaluation criteria for plating suppression effect>
◯: The electroless plating film was not formed on the surface of the base material.
Δ: An electroless plating film was formed on an area of less than 1% of the surface of the base material.
X: An electroless plating film was formed on an area of 1% or more of the surface of the base material.

表1〜表5において、グリコールエーテル、アルコール及び基材の種類は、下記の省略記号を用いて記載している。
<グリコールエーテル>
BG:エチレングリコールモノブチルエーテル(SP:9.8)
PM:プロピレングリコールモノメチルエーテル(SP:10.4)
MG:エチレングリコールモノメチルエーテル(SP:11.6)
i‐PG:エチレングリコールモノイソプロピルエーテル(SP:9.2)
i‐BDG:ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル(SP:8.7)
MFDG:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(SP:9.6)
DMG:エチレングリコールジメチルエーテル(SP:8.6)
<アルコール>
EtOH:エタノール
NPA:1‐プロパノール(n‐プロパノール)
IPA:2‐プロパノール(イソプロピルアルコール)
NBA:1‐ブタノール(n‐ブタノール)
IBA:2‐ブタノール
PeOH:1‐ペンタノール(n‐ペンタノール)
HxOH:1‐ヘキサノール(n‐ヘキサノール)
EG:エチレングリコール
PG:プロピレングリコール
DEG:ジエチレングリコール
1,3‐BD:1,3−ブタンジオール
1,2‐HD:1,2−ヘキサンジオール
<基材>
PPS:ポリフェニレンサルファイド(帝人株式会社製、ガラス繊維強化PPS 1040G、黒色)
PC:ポリカーボネート(出光興産社製、ガラス繊維強化ポリカーボネート タフロンGZ2530)
ABS:アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体(東レ社製、トヨラック)
LCP:液晶ポリマー(住友化学社製、スミカスーパー LCP)
PA6:ナイロン6(宇部興産社製、UBEナイロン(登録商標)GC1015GC9)
In Tables 1 to 5, the types of glycol ethers, alcohols and substrates are described using the following abbreviations.
<Glycol ether>
BG: Ethylene glycol monobutyl ether (SP: 9.8)
PM: Propylene glycol monomethyl ether (SP: 10.4)
MG: Ethylene glycol monomethyl ether (SP: 11.6)
i-PG: Ethylene glycol monoisopropyl ether (SP: 9.2)
i-BDG: Diethylene glycol monoisobutyl ether (SP: 8.7)
MFDG: Dipropylene glycol monomethyl ether (SP: 9.6)
DMG: Ethylene glycol dimethyl ether (SP: 8.6)
<Alcohol>
EtOH: Ethanol NPA: 1-propanol (n-propanol)
IPA: 2-propanol (isopropyl alcohol)
NBA: 1-butanol (n-butanol)
IBA: 2-butanol PeOH: 1-pentanol (n-pentanol)
HxOH: 1-hexanol (n-hexanol)
EG: Ethylene glycol PG: Propylene glycol DEG: Diethylene glycol 1,3-BD: 1,3-Butanediol 1,2-HD: 1,2-Hexanediol <Base material>
PPS: Polyphenylene sulfide (manufactured by Teijin Limited, glass fiber reinforced PPS 1040G, black)
PC: Polycarbonate (manufactured by Idemitsu Kosan, glass fiber reinforced polycarbonate Tafflon GZ2530)
ABS: Acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (Toray Industries, Inc., Toyorak)
LCP: Liquid crystal polymer (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Sumika Super LCP)
PA6: Nylon 6 (Ube Industries, Ltd., UBE Nylon (registered trademark) GC1015GC9)

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表1〜表5に示すように、試料1〜6及び8〜28(無電解メッキ抑制組成物)は、いずれも、分散性、分散安定性、及びメッキ抑制効果の評価結果が良好であった。一方、表1に示すように、グリコールエーテルを含まない試料7は、分散性及びメッキ抑制効果の評価結果が不良であった。試料7は分散性が不良であるため、メッキ抑制効果の評価において、触媒活性妨害層中に触媒活性妨害剤が均一に分散せず、このため、メッキ膜の生成を十分に抑制できなかったと推測される。尚、試料7は、分散性が不良であったため、分散安定性の評価は行わなかった。 As shown in Tables 1 to 5, all of Samples 1 to 6 and 8 to 28 (electroless plating suppressing composition) had good evaluation results of dispersibility, dispersion stability, and plating suppressing effect. .. On the other hand, as shown in Table 1, the sample 7 containing no glycol ether had poor evaluation results of dispersibility and plating suppressing effect. Since the sample 7 has poor dispersibility, the catalytic activity interfering agent was not uniformly dispersed in the catalytic activity interfering layer in the evaluation of the plating suppressing effect, and it is presumed that the formation of the plating film could not be sufficiently suppressed. Will be done. Since the sample 7 had poor dispersibility, the dispersion stability was not evaluated.

表1に示す、重量比(X/Y)が異なる試料1〜7を比較する。重量比(X/Y)が、2/98〜100/0の範囲内である試料1〜6は、いずれも、分散性、分散安定性、及びメッキ抑制効果の評価結果が良好であった。中でも、重量比(X/Y)が、5/95〜100/0の範囲内である試料1〜5は、重量比(X/Y)が上記範囲外である試料6及び7と比較して、触媒活性妨害剤の分散性がより良好であった。また、重量比(X/Y)が、2/98〜49/51の範囲内である試料4〜6は、重量比(X/Y)が上記範囲外である試料1〜3及び7と比較して、分散安定性がより良好であった。また、重量比(X/Y)が、5/95〜80/20の範囲内である試料3〜5は、重量比(X/Y)が上記範囲外ある試料1、2、6及び7と比較して、分散性及びメッキ抑制効果がより良好であった。また、重量比(X/Y)が、2/98〜80/20の範囲内である試料3〜6は、重量比(X/Y)が上記範囲外である試料1〜2及び7と比較して、メッキ抑制効果がより良好であった。また、重量比(X/Y)が、5/95〜49/51の範囲内である試料4及び5は、重量比(X/Y)が上記範囲外である試料1〜3、6及び7と比較して、分散性、分散安定性、メッキ抑制効果が全てより良好であった。 Samples 1 to 7 having different weight ratios (X / Y) shown in Table 1 are compared. Samples 1 to 6 having a weight ratio (X / Y) in the range of 2/98 to 100/0 had good evaluation results of dispersibility, dispersion stability, and plating suppressing effect. Among them, the samples 1 to 5 having a weight ratio (X / Y) in the range of 5/95 to 100/0 are compared with the samples 6 and 7 having a weight ratio (X / Y) outside the above range. , The dispersibility of the catalytic activity interfering agent was better. Further, the samples 4 to 6 having a weight ratio (X / Y) in the range of 2/98 to 49/51 are compared with the samples 1 to 3 and 7 having a weight ratio (X / Y) outside the above range. Therefore, the dispersion stability was better. Further, the samples 3 to 5 having a weight ratio (X / Y) in the range of 5/95 to 80/20 are the samples 1, 2, 6 and 7 having a weight ratio (X / Y) outside the above range. In comparison, the dispersibility and the plating suppressing effect were better. Further, the samples 3 to 6 having a weight ratio (X / Y) in the range of 2/98 to 80/20 are compared with the samples 1 to 2 and 7 having a weight ratio (X / Y) outside the above range. Therefore, the plating suppressing effect was better. Further, the samples 4 and 5 having a weight ratio (X / Y) in the range of 5/95 to 49/51 are samples 1 to 3, 6 and 7 having a weight ratio (X / Y) outside the above range. The dispersibility, dispersion stability, and plating suppressing effect were all better than those of the above.

表4に示す、触媒活性妨害剤の配合量が異なる試料24〜25、4及び26〜28を比較する。触媒活性妨害剤の配合量が0.2重量%〜5.0重量%の範囲内である試料24〜25、4及び26〜28は、いずれも、分散性、分散安定性、及びメッキ抑制効果の評価結果が良好であった。中でも、触媒活性妨害剤の配合量が0.2重量%〜2.0重量%の範囲内である試料24〜25、4及び26〜27は、触媒活性妨害剤の配合量が5.0重量%である試料28と比較して、分散安定性がより良好であった。また、触媒活性妨害剤の配合量が0.3重量%〜5.0重量%の範囲内である試料25、4及び26〜28は、触媒活性妨害剤の配合量が0.2重量%である試料24と比較して、メッキ抑制効果がより良好であった。また、触媒活性妨害剤の配合量が0.3重量%〜2.0重量%の範囲内である試料25、4及び26〜27は、触媒活性妨害剤の配合量が上記範囲外である試料24及び28と比較して、分散安定性及びメッキ抑制効果が共により良好であった。 Samples 24 to 25 and 4 and 26 to 28 shown in Table 4 in which the amounts of the catalytic activity interfering agents are different are compared. Samples 24 to 25, 4 and 26 to 28 in which the blending amount of the catalytic activity interfering agent is in the range of 0.2% by weight to 5.0% by weight are all dispersibility, dispersion stability, and plating suppressing effect. The evaluation result was good. Among the samples 24 to 25, 4 and 26 to 27 in which the amount of the catalytic activity interfering agent is in the range of 0.2% by weight to 2.0% by weight, the amount of the catalytic activity interfering agent is 5.0% by weight. The dispersion stability was better than that of sample 28, which was%. Further, in Samples 25, 4 and 26 to 28 in which the blending amount of the catalytic activity interfering agent is in the range of 0.3% by weight to 5.0% by weight, the blending amount of the catalytic activity interfering agent is 0.2% by weight. The plating suppressing effect was better than that of a certain sample 24. Further, the samples 25, 4 and 26 to 27 in which the amount of the catalytic activity interfering agent is in the range of 0.3% by weight to 2.0% by weight are the samples in which the amount of the catalytic activity interfering agent is out of the above range. Compared with 24 and 28, the dispersion stability and the plating suppressing effect were both better.

本発明の無電解メッキ抑制組成物は、安定性が高く、例えば、長時間の製造工程に対応できる。このため、スマートフォン、自動車分野等で用いられるMID等の大量生産されるメッキ部品の製造に利用可能である。 The electroless plating suppressing composition of the present invention has high stability and can be used for a long manufacturing process, for example. Therefore, it can be used for manufacturing mass-produced plated parts such as MIDs used in the fields of smartphones and automobiles.

Claims (10)

無電解メッキ抑制組成物であって、
アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有する化合物である触媒活性妨害剤と、
グリコールエーテルを含む溶剤と、を含み、
前記触媒活性妨害剤が、前記アミド基及び前記アミノ基の少なくとも一方を含む側鎖を有する分岐ポリマーである、無電解メッキ抑制組成物。
An electroless plating suppression composition
A catalytic activity interfering agent, which is a compound having at least one of an amide group and an amino group,
With a solvent containing glycol ethers,
An electroless plating suppressing composition in which the catalytic activity interfering agent is a branched polymer having a side chain containing at least one of the amide group and the amino group.
前記溶剤が、更に、アルコールを含む、請求項1に記載の無電解メッキ抑制組成物。 The electroless plating suppressing composition according to claim 1, wherein the solvent further contains alcohol. 前記無電解メッキ抑制組成物中において、前記グリコールエーテルの配合量(X)の、前記アルコールの配合量(Y)に対する重量比(X/Y)が、(X/Y)=2/98〜80/20である、請求項2に記載の無電解メッキ抑制組成物。 In the electroless plating suppressing composition, the weight ratio (X / Y) of the blended amount (X) of the glycol ether to the blended amount (Y) of the alcohol is (X / Y) = 2/98 to 80. The electroless plating suppressing composition according to claim 2, which is / 20. 前記アルコールが、エタノール、1‐プロパノール、2‐プロパノール、1‐ブタノール、2‐ブタノール、1‐ペンタノール、1‐ヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、1,3−ブタンジオール、及び1,2−ヘキサンジオールからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項2又は3に記載の無電解メッキ抑制組成物。 The alcohols are ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, 1,3-butanediol, and 1,2. The electroless plating inhibitory composition according to claim 2 or 3, which is at least one selected from the group consisting of -hexanediol. 前記グリコールエーテルが、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、及びエチレングリコールジメチルエーテルからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。 The glycol ether is at least one selected from the group consisting of ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and ethylene glycol dimethyl ether. The electroless plating suppressing composition according to any one of claims 1 to 4. 前記触媒活性妨害剤の重量平均分子量が1,000〜1,000,000である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。 The electroless plating suppressing composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the catalytic activity interfering agent has a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000. 前記触媒活性妨害剤が、ハイパーブランチポリマーである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。 The electroless plating suppressing composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the catalytic activity interfering agent is a hyperbranched polymer. 前記触媒活性妨害剤の配合量の、前記グリコールエーテルの配合量に対する重量比が、0.4重量%〜25.0重量%である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。 The electroless electroless solution according to any one of claims 1 to 7, wherein the weight ratio of the amount of the catalytic activity interfering agent to the amount of the glycol ether compounded is 0.4% by weight to 25.0% by weight. Plating suppression composition. 前記無電解メッキ抑制組成物中において、前記触媒活性妨害剤の配合量が、0.2重量%〜5.0重量%である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。 The electroless plating according to any one of claims 1 to 8, wherein the blending amount of the catalytic activity interfering agent in the electroless plating suppressing composition is 0.2% by weight to 5.0% by weight. Inhibition composition. メッキ部品の製造方法であって、
基材の表面に、請求項1〜9のいずれか一項に記載の前記無電解メッキ抑制組成物を付与することと、
前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、
加熱又は光照射した前記基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、
前記無電解メッキ触媒を付与した前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記表面の加熱部分又は光照射部分に無電解メッキ膜を形成することとを含むメッキ部品の製造方法。
It is a manufacturing method of plated parts.
To impart the electroless plating suppressing composition according to any one of claims 1 to 9 to the surface of the base material,
By heating or irradiating a part of the surface of the base material,
Applying an electroless plating catalyst to the surface of the base material that has been heated or irradiated with light,
A method for manufacturing an electroless plating component, which comprises bringing an electroless plating solution into contact with the surface of the base material to which the electroless plating catalyst is applied to form an electroless plating film on a heated portion or a light irradiation portion of the surface.
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